KR20180069497A - Optical measuring unit, and mask inspection apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
Description
광측정유닛 및 이를 포함하는 마스크 검사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크에 수직한 방향으로 광이 발산되는 광측정유닛 및 이를 포함하는 마스크 검사 장치에 관한 것이다.And more particularly, to a light measurement unit in which light is emitted in a direction perpendicular to a mask and a mask inspection apparatus including the same.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel Device), 유기 발광 다이오드 표시 장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device)는 얇은 두께와 낮은 소비전력으로 인해 차세대 표시 장치로서 각광을 받고 있다. Flat panel display devices such as Liquid Crystal Display Device, Plasma Display Panel Device and Organic Light Emitting Diode Display Device have a thin thickness and low consumption And is receiving the spotlight as a next-generation display device due to electric power.
특히, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 따라 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 명암 대비비(contrast ratio)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.In particular, the organic light emitting display device is a self light emitting display device, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. Further, the organic light emitting display device is advantageous not only in terms of power consumption in accordance with low voltage driving but also in response speed, viewing angle, and contrast ratio, and is being studied as a next generation display.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emission Diode; OLED) 및 유기 발광 다이오드와 연결된 박막 트랜지스터를 포함한다. 유기 발광 다이오드는 박막 트랜지스터를 통해 전달된 구동 전류에 기초하여 특정 파장의 빛을 발광한다. The organic light emitting diode display includes a thin film transistor connected to an organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode. The organic light emitting diode emits light of a specific wavelength based on a driving current transmitted through the thin film transistor.
유기 발광 다이오드의 자세한 구조는 기판 상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키기 위해 봉합하는 얇은 박막이 최상부에 형성된다.The detailed structure of the organic light emitting diode includes an anode, a hole injection layer, a hole transfer layer, an emitting layer, an electron transfer layer, An electron injection layer, and a cathode are stacked in this order. As the anode, ITO (Indium Tin Oxide), which has small sheet resistance and good transparency, is mainly used. The organic thin film is composed of a multilayer of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer in order to increase the luminous efficiency. And since the organic thin film is very weak to moisture and oxygen in the air, a thin film is formed at the top to seal to increase the lifetime of the device.
이때, 유리기판상에 유기발광층을 일정 패턴(pattern)에 따라 증착하여야 하며, 다양한 증착 과정에서 마스크가 요구된다. 예를 들어, 기판상에 원하는 패턴모양의 마스크를 접촉시킨 후 증착을 수행하면 원하는 패턴의 발광층을 형성할 수 있다.At this time, an organic light emitting layer should be deposited on a glass substrate in a predetermined pattern, and a mask is required in various deposition processes. For example, a desired pattern-shaped light-emitting layer can be formed by depositing a desired pattern-shaped mask on a substrate and performing vapor deposition.
이러한 증착과정에서 사용되는 마스크는 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 대형 패널이 늘어남에 따라 마스크의 크기도 커지게 되고 이에 따라 마스크에처짐 현상이 일어나기도 한다. The mask used in such a deposition process may be made of a metal material, and as the large panel extends, the size of the mask also becomes large, which may cause the mask to sag.
그런데, 마스크에 형성된 패턴은 매우 미세하며, 마스크가 자중에 의해 처짐 현상이 일어나게 되면 원하는 형태의 패턴으로 기판에 유기발광층이 형성되지 않아 불량이 발생하게 된다. However, the pattern formed on the mask is very fine, and if the mask is deflected by its own weight, an organic light emitting layer is not formed on the substrate in a desired pattern, resulting in defects.
또한, 제조된 마스크의 두께가 불균일하거나, 마스크 자체의 편평도가 확보되지 않는 경우 기판과 접촉되지 않을 수 있다. 이러한 경우, 기판의 원하는 위치에 유기물이 증착되지 않아 불량이 발생하거나, 제조된 유기 발광 표시 장치의 품질이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.Further, the mask may not be in contact with the substrate if the thickness of the mask is not uniform or the flatness of the mask itself is not ensured. In this case, organic matter may not be deposited at a desired position of the substrate, resulting in defects or deterioration of the quality of the manufactured organic light emitting display device.
[관련기술문헌][Related Technical Literature]
1. 불균일 검사장치 및 불균일 검사 방법 (한국 특허출원번호 제10-2006-0029878호)1. Non-uniformity inspection apparatus and nonuniform inspection method (Korean Patent Application No. 10-2006-0029878)
본 발명의 발명자들은 제조된 마스크를 이용하여 유기물을 기판에 증착하는 과정에 있어서, 마스크의 편평함이 유지되지 않음에 인하여 기판에 증착되는 유기물이 목적하는 위치에 증착되지 않아서 유기 발광 표시 장치의 품질이 저하되거나, 불량이 발생함을 인식하였다. 이에, 본 발명의 발명자들은 마스크를 이용하여 기판에 유기물을 증착하기 이전에 마스크의 편평도를 측정하여 마스크의 편평함을 판단할 수 있는 광측정유닛 및 이를 포함하는 마스크 검사 장치를 발명하였다. The inventors of the present invention have found that the organic material deposited on the substrate is not deposited at the desired position due to the fact that the flatness of the mask is not maintained in the process of depositing the organic material on the substrate using the produced mask, Degradation, or failure. Accordingly, the inventors of the present invention invented a light measuring unit and a mask inspection apparatus including the light measuring unit, which can determine the flatness of the mask by measuring the flatness of the mask before depositing the organic material on the substrate using the mask.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 마스크를 이용하여 기판에 유기물을 증착하기 전에 마스크의 편평도를 파악할 수 있는 광측정유닛 및 이를 포함하는 마스크 검사 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a light measurement unit capable of grasping the flatness of a mask before depositing an organic material on a substrate using the mask, and a mask inspection apparatus including the same.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 마스크의 편평도를 반복하여 검사하는 경우, 반복 측정된 값의 편차가 크지 않아 신뢰성을 확보할 수 있는 광측정유닛 및 이를 포함하는 마스크 검사 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a light measuring unit and a mask inspection apparatus including the same, which can ensure reliability because the deviation of the repeated measured values is not large when the flatness of the mask is repeatedly inspected.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광측정유닛은 마스크를 배치하도록 구성된 홀더의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된 광조사부, 및 광조사부에 인접하여 배치되고, 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고, 광조사부는, 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어진다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light measuring unit comprising: a light irradiating unit disposed on one side of a holder configured to dispose a mask and configured to emit light in at least one line; And a light sensing unit arranged adjacent to the light irradiating unit and configured to detect light reflected on the mask, wherein the light irradiating unit irradiates light emitted from each point of the at least one line in the same direction toward the mask .
본 발명의 일 실시예에 따른 광측정유닛은 광조사부의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되어, 마스크에 반사되는 광이 입사각과 반사각에 의한 반사에 의해 광센서의 외부로 이탈되는 것을 저감시킬 수 있다. The light measuring unit according to the embodiment of the present invention is characterized in that light emitted at each point of the line of the light irradiating portion is diverted in the same direction toward the mask so that the light reflected by the mask is reflected by the incident angle and the reflection angle, It is possible to reduce the deviation from the outside.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치는 마스크를 배치하도록 구성된 홀더, 홀더에 하부에 배치되고, 마스크에 광을 조사하고 반사된 광을 검출하도록 이루어지는 광측정유닛, 및 광측정유닛을 적어도 일 축으로 이동시키는 이동 유닛을 포함하고, 광측정유닛은, 홀더의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된 광조사부, 및 광조사부에 인접하여 배치되고, 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고, 광조사부는 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어진다. According to an aspect of the present invention, there is provided a mask inspection apparatus comprising: a holder configured to dispose a mask; a holder disposed below the holder; And a moving unit for moving the light measuring unit at least in one axis, wherein the light measuring unit comprises: a light irradiating part arranged on one side of the holder and configured to emit light in at least one line; And an optical sensing portion arranged to detect light reflected from the mask and emitted from the light irradiation portion, wherein the light irradiation portion is made such that light emitted at each point of the at least one line is diverged in the same direction toward the mask.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치는 광조사부로부터 마스크를 향해 발산되는 광들이 마스크가 이루는 평면과 수직한 방향으로 조사되어, 난반사에 의해 광센서 이외로 이탈되는 광을 저감시킬 수 있다. The mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention irradiates the light emitted from the light irradiating unit toward the mask in a direction perpendicular to the plane formed by the mask so as to reduce light deviated to the outside of the optical sensor by diffuse reflection.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
본 발명은 광측정유닛은 광조사부의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 일정한 방향으로 발산되어, 마스크에 반사되는 광이 입사각과 반사각에 의한 반사에 의해 광센서의 외부로 이탈되는 것을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.The present invention is characterized in that light emitted from each point of the line of the light irradiating unit is diverged in a certain direction toward the mask so that light reflected on the mask is diverted to the outside of the optical sensor by reflection by the incident angle and the reflection angle There is an effect that it can be reduced.
또한, 본 발명은 마스크 검사 장치는 광조사부로부터 마스크를 향해 발산되는 광들이 마스크가 이루는 평면과 수직한 방향으로 조사되고, 난반사에 의해 광센서로 입사되는 광의 양을 조절함으로써, 광센서에서 측정하는 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다.The present invention also provides a mask inspecting apparatus that irradiates light emitted from a light irradiating unit toward a mask in a direction perpendicular to a plane formed by a mask and adjusts an amount of light incident on the light sensor by irregular reflection, Measurement accuracy can be improved.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 A영역에 대하여 서로 다른 방향에서 나타낸 부분 확대 평면도이다.
도 3은 도 2a에 도시된 광측정유닛으로부터 발산되는 광을 설명하기 위하여 광측정유닛을 도시한 사시도이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광측정유닛으로부터 발산된 광들이 마스크에 반사되는 것을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치와 비교예에 따른 마스크 검사 장치를 이용하여 반복적으로 마스크의 평편한 정도를 측정한 값의 편차를 비교한 그래프이다.1 is a schematic perspective view of a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are partially enlarged plan views of the region A shown in FIG. 1 in different directions.
Fig. 3 is a perspective view showing a light measurement unit to explain light emitted from the light measurement unit shown in Fig. 2A. Fig.
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views for explaining that light emitted from a light measuring unit according to an embodiment of the present invention is reflected on a mask.
FIG. 5 is a graph comparing deviations of measured values of flatness of a mask repeatedly using a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention and a mask inspection apparatus according to a comparative example.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 '위 (on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. It is to be understood that an element or layer is referred to as being another element or layer " on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치의 개략적인 사시도이다. 도 2a 및 도 2b는 도 1에 도시된 A영역에 대하여 서로 다른 방향에서 나타낸 부분 확대 평면도이다.1 is a schematic perspective view of a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention. 2A and 2B are partially enlarged plan views of the region A shown in FIG. 1 in different directions.
도 1을 참조하면, 마스크 검사 장치(100)는 홀더(110), 광측정유닛(200), 이동 유닛(120)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a
도 2a를 참조하면, 홀더(110)는 순차적으로 적층된 마스크(310), 글래스(320) 및 마그넷(330, Magnet)을 지지한다. 홀더(110)는 마스크 검사 장치(100)의 상판(103)에 배치된 홀더 이동부(105)에 의해 상하로 이동된다. 홀더(110)는 하부에 배치된 광측정유닛(200)이 마스크(310)에 용이하게 광을 조사하고, 마스크(310)에 반사된 광을 용이하게 검출할 수 있도록 마스크(310), 글래스(320) 및 마그넷(330)을 지지한다.Referring to FIG. 2A, a
다시 도 1을 참조하면, 이동 유닛(120)은 광측정유닛(200)을 적어도 일 축으로 이동시킨다. 이동 유닛(120)은 광측정유닛(200)과 연결되어 있어, 광측정유닛(200)이 마스크의 하부에서 이동하며 마스크의 평편한 정도를 스캔할 수 있도록 이동시킨다. Referring again to Figure 1, the
이동 유닛(120)은 제1축 이동 레일(122), 제2축 이동 레일(124) 및 상하 이동 레일을 포함한다. 제1축 이동 레일(122), 제2축 이동 레일(124) 및 상하 이동 레일은 서로 직교하여, 이동 유닛(120)은 광측정유닛(200)을 서로 직교하는 3축으로 이동시키도록 이루어질 수 있다.The
이때, 광측정유닛(200)이 한 번에 스캔할 수 있는 영역은 마스크(310) 전체의 영역보다 좁으므로, 이동 유닛(120)은 광측정유닛(200)이 하나의 구간에서 스캔 방향으로 스캔이 끝난 후에, 광측정유닛(200)을 스캔 방향에 수직한 방향으로 이동시켜 마스크(310)의 미스캔 영역을 스캔할 수 있도록 한다.At this time, since the area in which the
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 도 2a는 도면에 표시된 X축-Z축 평면으로 바라본 평면도이고, 도 2b는 도면에 도시된 Y축-Z축 평면으로 바라본 평면도이다. 2A and 2B, FIG. 2A is a plan view of the X-axis and Z-axis planes shown in the drawing, and FIG. 2B is a plan view of the Y-axis and Z-axis planes of FIG.
광측정유닛(200)은 홀더(110)에 하부에 배치된다. 광측정유닛(200)은 홀더(110) 하부에서 마스크(310) 하면에 광을 조사한다. 그리고, 광측정유닛(200)은 마스크(310)의 하면에서 반사된 광을 검출하도록 이루어진다. 구체적으로, 광측정유닛(200)은 광이 발산되도록 구성된 광조사부(210) 및 마스크(310)에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부(230)를 포함한다. 한편, 광조사부(210) 및 광센싱부(230)는 플레이트(205)에 배치되어 일체로 이동된다.The
광조사부(210)는 홀더(110) 하부에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된다. 구체적으로 도 2a에서는 광조사부(210)로부터 발산되는 광의 두께 방향이 도시되고, 도 2b에서는 광조사부(210)로부터 발산되는 광의 길이 방향이 표시된다. 즉, 광조사부(210)에서 발산되는 광은 도 2b에 도시된 길이 방향으로 라인을 이루면서 발산된다. The
광조사부(210)는 홀더(110)에 의해 지지되는 마스크(310)의 하면을 향해 광을 조사한다. 이때, 조사되는 광은 마스크(310)의 하면과 수직하게 조사된다. 조사된 광은 마스크(310)에 난반사된다. 반사되는 광 중의 일부는 광센싱부(230)로 입사되어, 광센싱부(230)에서는 입사된 광을 검출한다. The
광조사부(210)는 광의 진행 방향으로 이격되어 배치되는 광원(212) 및 광변환기(214)를 포함한다. 이때, 광원(212)은 발광 다이오드(Light Emitting Diode)로 구성될 수 있다. 그리고 광원(212)은 광변환기(214)를 향해 광을 발산한다.The
광변환기(214)는 광원(212)으로부터 나오는 광이 통과하며 하나의 라인을 이루며 발산되도록 구성된다. 구체적으로 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 광변환기(214)를 통과한 광은 도면에 도시된 좌표를 기준으로 Y축 방향으로 연장되는 라인에서 마스크(310)를 향해 발산된다. 즉, 광변환기(214)로부터 발산되는 광은 Y축 방향으로 길게 형성된다. The
광센싱부(230)는 광조사부(210)에 인접하여 배치되고, 광조사부(210)로부터 발산되고, 마스크(310)에 반사된 광을 검출하도록 구성된다. 구체적으로, 광조사부(210)로부터 발산된 광들 중 마스크(310)의 하면에 형성된 돌출부(311) 또는 마스크(310)의 하면에 반사되어 광센싱부(230)쪽을 향하는 광을 광센싱부(230)가 검출하여 마스크(310)의 평편한 정도를 검사할 수 있다. 그리고, 광센싱부(230)는 광조사부(210)와 광측정유닛(200)의 스캔 방향으로 이격되어 배치된다.The
광센싱부(230)는 미러(232), 집광 렌즈(234) 및 광센서(236)를 포함한다. The
미러(232)는 마스크(310)의 표면에서 반사된 광들을 재차 반사시켜 광센서(236)를 향해 경로가 변경되도록 광을 반사시킨다. 미러(232)는 렌즈(234)의 상측에 배치된다. 마스크(310)는 마스크(310)에 반사되어 입사되는 광이 렌즈(234)를 통해 광센서(236)로 유입될 수 있도록 렌즈(234)에 대하여 경사지게 배치된다.The
렌즈(234)는 미러(232)와 광센서(236) 사이에 배치된다. 렌즈(234)는 미러(232)를 통해 반사되어 들어오는 광을 모아서, 광센서(236)로 발산시키는 역할을 한다. The
광센서(236)는 렌즈(234)를 통과해 들어오는 광을 검출한다. 광센서(236)는 제어부(미도시)와 연동을 통하여 마스크(310) 하단에 광측정유닛(200)의 좌표 및 스캔 방향을 고려하여, 마스크(310)의 평편한 정도를 측정할 수 있는 정보를 제공한다. The
광센서(236)는 입사되는 광을 검출하는 CCD(charge-coupled device), CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 일 수 있다. 광센서(236)에서 측정되는 마스크(310)의 평편한 정도에 대해서 측정을 반복했을 때 오차가 1㎛이하가 되도록, 광센서(236)의 광 분해능은 13㎛이하 인 것이 바람직하다. 즉, 광센서(236)인 디바이스의 1개의 센서의 크기가 13㎛이하 일 수 있다.The
이때, 본 발명의 마스크 검사 장치(100)가 검사하는 마스크(310)는 파인 메탈 마스크(310)(FMM; Fine Metal Mask)일 수 있다. 파인 메탈 마스크(310)의 하면의 유기물과 같은 증착물이 통과하는 홀(312) 주변은 돌출부(311)가 형성된다. 따라서, 광측정유닛(200)의 광조사부(210)로부터 발산되는 광은 이러한 돌출부(311, 도 4a 참조)에 의해 난반사 될 수 있다. At this time, the
상술한 바와 같이 광변환기(214)로부터 발산되는 광의 라인이 연장되는 방향은 도면들에서 Y축으로 연장되는 방향이다. 그리고, 광측정유닛(200)이 마스크(310)의 평편한 정도를 검사하기 위하여 이동되는 방향, 즉 스캔 방향은 X축 방향이다. 따라서, 광변환기(214)의 광이 발산되는 라인의 연장방향은 광측정유닛(200)의 스캔 방향과 수직할 수 있다.As described above, the direction in which the line of light emitted from the
스캔 방향과 수직한 라인의 연장 방향은 광조사부(210)로부터 조사되어, 마스크(310)의 하면에서 반사된 광을 스캔 방향으로 이격된 광조사부(210)와 광센싱부(230)로 용이하게 입사시키기 위함이다. The extending direction of the line perpendicular to the scanning direction is irradiated from the
예를 들어, 광변환기(214)의 광을 발산하는 라인이 스캔 방향과 일치하는 경우에는, 광조사부(210)로부터 발산된 광들이 마스크(310) 하면에 형성된 다수의 돌출부(311)에 동시에 조사된다. 그리고, 다수의 돌출부(311)의 형상에 따라 광은 난반사된다. 난반사된 광들 중 일부가 광센싱부(230)로 입사되어, 광센서(236)가 이를 검출하게 된다. For example, when the line that emits the light of the
그런데, 광조사부(210)로부터 발산된 광들이 마스크(310) 하면에 형성된 매우 많은 수의 돌출부(311)에 동시에 조사됨으로써, 광센싱부(230)에서 검출된 광이 어느 돌출부(311)에 의해 반사된 것인지 알기 어려우므로 정확한 마스크(310)의 평편한 정도를 측정하는 것에 어려움이 있다. 따라서, 광변환기(214)의 광을 발산하는 라인의 형성 방향은 광조사부(210)의 스캔 방향과 서로 수직한 것이 바람직하다.The light emitted from the
한편, 상술한 바와 같이 홀더(110)는 마스크(310), 글래스(320) 및 마그넷(330)을 지지한다. 원장 기판에 마스크(310)를 이용하여 유기물과 같은 증착물을 증착하는 경우에도 전술한 구성을 취할 수 있다. 즉, 광측정유닛(200)을 이용하여 마스크(310)의 평편한 정도 또는 뒤틀림(Distortion)의 정도를 측정하는 경우에 마스크(310)만을 측정하는 것이 아니라, 유기물을 기판에 증착할 때의 조건과 유사한 조건으로 진행한다. Meanwhile, as described above, the
이를 통해, 본 발명의 마스크 검사 장치(100)는 마스크(310)를 이용하여 유기물을 기판에 증착하는 경우에 발생할 수 있는 마스크(310)의 변형 정도를 보다 용이하게 예측할 수 있다. Accordingly, the
한편, 마스크 검사 장치(100)는 글래스(320)와 마스크(310)의 홀(312)이 정확한 위치에 배치되는지 확인하기 위한 PPA(Pixel Position Accuracy) 측정 장치 및 상술한 마그넷(330)이 마스크(310)의 전체에서 고른 자력으로 마스크(310)에 인력을 작용하는지 측정하기 위한 자기력을 측정하는 가우스 메터(Gauss Meter) 등을 더 포함할 수 있다. 이때, PPA 측정 장치 및 가우스 메터는 광측정유닛(200)과 인접하게 배치될 수 있다.The
도 3은 도 2a에 도시된 광측정유닛으로부터 발산되는 광을 설명하기 위하여 광측정유닛을 도시한 사시도이다. 설명의 편의를 위하여, 도 3은 도 2a에 도시된 구성들 중 광측정유닛만을 도시한 것을 유의하여야 한다.Fig. 3 is a perspective view showing a light measurement unit to explain light emitted from the light measurement unit shown in Fig. 2A. Fig. For convenience of description, it should be noted that FIG. 3 shows only the optical measurement unit among the configurations shown in FIG. 2A.
도 3을 참조하면, 광측정유닛(200)은 광조사부(210) 및 광센싱부(230)를 포함한다. 광조사부(210)는 광원(212) 및 광변환기(214)를 포함하고, 광센싱부(230)는 미러(232), 렌즈(234) 및 광센서(236)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the
광조사부(210)는 상부에 직사각형 형상의 슬릿(223)을 구비한다. 광원(212)에서 발산된 광은 광변환기(214)의 하부로 입사되며, 슬릿(223)을 통해 상부에 배치되는 마스크(310)를 향해 발산된다.The
슬릿(223)은 직사각형 형상으로 구비되며 짧은 길이의 폭 방향과, 긴 길이의 길이 방향을 가지도록 형성된다. 그리고 슬릿(223)을 빠져나가며 발산되는 광은 슬릿(223)의 길이 방향으로 라인을 이루며 발산된다. 이때, 슬릿(223)을 빠져나가며 발산되는 광을 빔(Beam, 225)이라고 한다. The
한편, 상술한 바와 같이, 슬릿(223)을 빠져나오는 빔(225)은 마스크(310)의 상면이 이루는 평면에 수직한 방향으로 발산된다. 그리고, 도 3에 도시된 것과 달리 광변환기(214)는 2 이상의 라인에서 광이 발산되도록 2 이상의 슬릿을 구비할 수도 있다.On the other hand, as described above, the
빔(225)은 슬릿의 폭(223a) 방향에 대응되는 방향으로 두께를 가지고, 슬릿의 길이(223b) 방향에 대응되는 방향으로 길이를 갖는다. 빔의 두께(225t)는 대략 100㎛에서 1000㎛이고, 빔의 길이(225l)는 대략 10mm이다. 다만, 슬릿(223)의 형상을 변형함으로써, 빔(225)의 두께 및 빔(225)의 길이는 가변될 수 있다.The
한편, 슬릿(223)을 빠져나오는 빔(225)을 이루는 광은 서로 평행하다. 구체적으로, 슬릿(223)의 서로 다른 지점인 제1지점(P1)과, 제2지점(P2)에서 슬릿(223)을 빠져나오고 빔(225)을 이루는 제1광(L1) 및 제2광(L2)은 서로 평행할 수 있다. On the other hand, the light forming the
또한, 슬릿(223)으로부터 발산되는 광은 서로 평행하므로, 슬릿(223)에서 발산되는 광은 마스크(310)를 향해 대략적으로 같은 거리를 이동하여 마스크(310)에 닿을 수 있다.Since the light emitted from the
이때, 마스크(310)에 조사되는 광은 마스크(310) 표면과 이루는 입사각과 반사각이 같도록 반사된다. 즉, 광들이 마스크(310)에 조사되면 입사각과 반사각이 같은 각을 이루며 마스크(310)의 표면에서 반사된다. 이때 광이 방사된다면, 바깥으로 빠져나가는 광이 많으므로 반복 측정 시 오차 발생의 확률이 높아진다.At this time, the light irradiated to the
구체적으로, 광원(212)으로부터 나오는 광이 방사형태를 이루면 마스크의 상면(310a)이 이루는 평면과 수직하게 입사되는 것이 아니라, 90도가 아닌 각도로 마스크(310)에 조사된다. 따라서, 입사각과 반사각이 같도록 반사되므로 마스크(310)의 표면에 반사된 광은 광원(212) 또는 광센서(236)로부터 먼 방향으로 반사된다.Specifically, when the light emitted from the
이러한 경우, 같은 구간을 반복하여 측정하였을 때, 광센서(236)에 유입되는 광의 양이 달라지므로 그 신뢰성을 보장하기 어렵다. In this case, when the same interval is repeatedly measured, the amount of light introduced into the
본 발명의 일 실시예에 따른 광조사부(210)는 마스크(310)가 이루는 평면에 수직한 방향으로 광을 조사하므로, 광이 방사하여 발생하는 광원(212) 또는 광센서(236)로부터 먼 방향으로 반사되는 광들을 줄일 수 있다. 따라서, 반복 측정하여도 보다 신뢰성 높은 결과를 얻을 수 있다.The
반면에 본 발명의 일 실시예에 따른 광조사부(210)는 조사되는 광들이 마스크(310)가 이루는 평면에 대하여 수직하게 조사되고, 라인의 조사되는 광들은 서로 평행하게 조사되며 방사되지 않는다. 이에 따라, 방사되어 외부로 조사됨에 따라 반복 측정시 오차가 줄어든다. 이에 따라, 신뢰성 높아진다.On the other hand, the
슬릿(223)의 길이 방향은 광조사부(210) 및 광센싱부(230)가 이격된 방향과 수직한 방향으로 형성된다. 즉, 광조사부(210) 및 광센싱부(230)는 광측정유닛(200)의 스캔 방향인 X축 방향으로 이격된다. 그리고, 슬릿(223)의 길이 방향은 Y축 방향으로 형성된다. The longitudinal direction of the
또한, 슬릿(223)의 길이 방향은 광측정유닛(200)이 마스크(310)에 광을 조사하고 반사된 광을 용이하게 검출하기 위하여, 이동 유닛(120)이 광측정유닛(200)을 이동시키는 방향과 서로 수직하게 이루어진다. 이에 대해서는 도 4a를 참조하여 자세하게 후술한다.The longitudinal direction of the
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광측정유닛으로부터 발산된 광들이 마스크에 반사되는 것을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 빔이 두께방향으로 마스크에 하면에 조사되는 모습을 도시한 도면이다. FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views for explaining that light emitted from a light measuring unit according to an embodiment of the present invention is reflected on a mask. 4A and 4B are views showing a state in which a beam is irradiated on a lower surface of a mask in a thickness direction.
빔(225)이 조사되는 마스크(310)의 하면은 복수의 돌출부(311) 및 홀(312)을 구비한다. 이때, 빔(225)의 두께는 상술한 바와 같이 대략 100㎛에서 1000㎛이고, 마스크(310)에 형성되는 홀(312)의 직경은 대략 20㎛에서 30㎛ 내외이므로 광변환기(214)에서 조사되는 빔(225)은 복수개의 홀(312)과 돌출부(311)에 걸친 영역에 조사된다. The lower surface of the
구체적으로 도 4a를 참조하면, 광조사부(210)에서 발산되는 광의 두께 내에 위치하는 홀(312)은 3개이다. 그리고, 라인 빔(225)의 광의 두께 영역에 4개의 돌출부(311)가 조사될 수 있다.Specifically, referring to FIG. 4A, there are three
마스크(310)의 하면에 조사된 광은 돌출부(311)의 제1 경사면(311a), 제2 경사면(311c) 및 단부면(311b)에 의해 반사되어 사방으로 반사된다. 특히, 제1 경사면(311a) 및 제2 경사면(311c)은 곡선으로 형성되고, 제1 경사면(311a) 및 제2 경사면(311c)에 입사되는 광들은 난반사된다. The light irradiated on the lower surface of the
이때, 광센서(236)는 스캔 방향의 반대 방향에 배치되므로, 마스크(310)의 하면에 의해 반사되는 광 중에서 A방향으로 반사되는 광의 일부가 광센서(236)에 의해 검출될 수 있다. 그리고 B방향을 포함한 A방향 이외의 방향으로 반사되는 광은 광센서(236)에 의해 검출되지 않는다. At this time, since the
즉, 광조사부(210)와 광센싱부(230)가 서로 스캔 방향으로 이격되고, 스캔 방향에 수직한 방향으로 빔(225)의 두께가 배치되도록 마스크(310)의 하면에 광이 조사됨으로써, 광센싱부(230)는 빔(225)의 두께 방향만큼의 마스크(310)의 평편도를 검출할 수 있다. That is, the lower surface of the
다음으로 도 4b를 참조하면, 광측정유닛(200)이 스캔 방향으로 이동되었을 때, 광조사부(210)로부터 발산되는 광들이 마스크(310)에 조사된 모습이다. 광의 두께 영역 내에 3개의 돌출부(311)가 위치하고, 4개의 홀(312)을 통해서 광이 빠져나간다.Next, referring to FIG. 4B, when the
이 경우에 3개의 돌출부(311)에 조사되는 광들은 상술한 바와 같이 제1 경사면(311a) 및 제2 경사면(311c)에 의해 난반사된다. 난반사된 광들 중 일부는 미러를 향해 반사된다. In this case, the lights projected on the three
광조사부(210)에서 발산되는 광의 두께 영역 내에 복수의 돌출부(311)와 복수의 홀(312)이 포함됨에 따라, 광측정유닛(200)이 스캔 방향으로 이동하여 광들이 마스크(310)에 조사되는 영역이 달라질 때에도 마스크(310)로부터 난반사되어 광센서(236)로 유입되는 광의 양은 거의 일정할 수 있다. The plurality of
이에 따라, 상술한 광센서(236)에 유입되는 광의 양이 급격하게 달라지는 구간에서 마스크(310)가 평편하지 않고, 뒤틀림 또는 마스크(310)의 표면이 굴곡진 현상인 웨이브가 발생한 것을 파악할 수 있다. Accordingly, it is possible to grasp that the
한편, 스캔 방향과 동일한 방향으로 광변환기(214)의 슬릿(223)이 형성되면, 스캔 방향과 동일한 방향으로 빔(225)의 길이 방향이 형성된다. 이러한 경우, 빔(225)의 길이 방향에 해당하는 영역에서 일어나는 난반사를 광센서가 검출하게 된다. 이때, 광센서에 유입되는 마스크(310)의 표면에서 난반사된 광이 증가하게 되므로, 광센서에서 검출할 수 있는 마스크(310)의 평편도의 정확도가 떨어지게 된다. Meanwhile, when the
또한, 마스크(310)의 하면에서 난반사되어 광센서에 유입되는 광의 양이 많아지므로, 마스크(310)의 평편도를 반복 측정시 그 오차가 커질 위험이 있다. Also, since the amount of light that is reflected by the lower surface of the
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치와 비교예에 따른 마스크 검사 장치를 이용하여 반복적으로 마스크의 평편한 정도를 측정한 값의 편차를 비교한 그래프이다.FIG. 5 is a graph comparing deviations of measured values of flatness of a mask repeatedly using a mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention and a mask inspection apparatus according to a comparative example.
도 5의 그래프는 마스크 검사 장치를 이용하여 마스크의 같은 구간을 10회 반복하여 측정했을 때, 10회 동안 광센서에서 검출된 값의 편차의 평균을 나타낸 그래프이다. The graph of FIG. 5 is a graph showing an average of deviations of values detected by the optical sensor for 10 times when the same section of the mask is repeatedly measured 10 times using a mask inspection apparatus.
그래프의 X축은 마스크 검사 장치를 이용하여 측정한 마스크의 각 지점을 나타내고, Y축은 마스크의 각 지점에서의 반복 측정된 검출값 편차의 평균을 나타낸다.The X-axis of the graph represents each point of the mask measured using a mask inspection apparatus, and the Y-axis represents an average of repeatedly measured detection value deviations at each point of the mask.
비교예는 본 발명의 마스크 검사 장치에서 방사(放射)되는 광원을 이용하여 마스크를 반복 측정했을 때, 10회 동안 광센서에서 검출된 값의 편차의 평균을 나타낸 그래프이다. 즉, 비교예는 광원으로부터 발산되는 광이 넓게 퍼지는 광을 이용하여 마스크를 반복 측정하여, 광센서에서 검출된 값의 편차의 평균을 나타낸 그래프이다.The comparative example is a graph showing an average of the deviation of the values detected by the optical sensor for 10 times when the mask is repeatedly measured by using a light source radiated from the mask inspection apparatus of the present invention. That is, the comparative example is a graph showing an average of the deviation of the values detected by the optical sensor by repeatedly measuring the mask using light spreading widely from the light source.
실시예는 본 발명의 마스크 검사 장치를 이용하여 광이 주변으로 퍼지지 않는, 즉 방사되지 않는 광을 발산하는 광조사부를 이용하여 마스크를 반복 측정했을 때, 10회 동안 광센서에서 검출된 값의 편차의 평균을 나타낸 그래프이다.In the embodiment, when the mask is repeatedly measured using the light irradiation unit that does not spread the light around, that is, the light is not radiated, by using the mask inspection apparatus of the present invention, the deviation As shown in FIG.
그래프를 살펴보면, 방사되는 광원을 이용한 비교예는 반복 측정된 값의 차이가 최대 4㎛인 것을 알 수 있다. 그리고 광이 방사되지 않고 서로 평행하게 조사되는 광조사부를 이용한 실시예는 반복 측정된 값의 차이가 1㎛ 이하인 것을 알 수 있다.In the graph, it can be seen that the difference in the repeated measured values of the comparative example using the emitted light source is 4 μm at the maximum. In the embodiment using the light irradiating unit in which light is not radiated and irradiated to each other in parallel, the difference between the repeated measured values is less than 1 탆.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 검사 장치를 이용하여 마스크의 편평한 정도를 측정하였을 때, 비교예에 따른 마스크 검사 장치를 이용하여 마스크의 편평한 정도를 측정하는 것보다 그 편차가 1/4 수준으로 떨어져 신뢰성을 확보할 수 있다. Therefore, when the flatness of the mask is measured by using the mask inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, the deviation of the mask from the flatness of the mask is 1/4 And the reliability can be secured.
본 발명의 실시예들에 따른 광측정유닛은 다음과 같이 설명될 수 있다. The optical measurement unit according to the embodiments of the present invention can be described as follows.
본 발명의 일 실시예에 따른 광측정유닛은 마스크를 배치하도록 구성된 홀더의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된 광조사부, 및 광조사부에 인접하여 배치되고, 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고, 광조사부는, 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어진다.A light measuring unit according to an embodiment of the present invention includes a light irradiating portion disposed on one side of a holder configured to dispose a mask and configured to emit light in at least one line, and a light irradiating portion disposed adjacent to the light irradiating portion, And a light sensing portion configured to detect light reflected on the mask, wherein the light irradiating portion is made such that light emitted at each point of the at least one line is diverged in the same direction toward the mask.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 광조사부는, 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광의 진행 방향이 서로 평행하게 광을 발산하도록 구성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, the light irradiation unit can be configured to emit light in such a manner that the traveling directions of light emitted from the respective points of the at least one line are parallel to each other.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광조사부는, 광을 방사하는 광원, 및 광원으로부터 방사되는 광이 통과되며, 발산되는 광이 적어도 하나의 라인을 이루도록 구성되는 광변환기를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, the light irradiating unit may include a light source that emits light, and a light transducer that is configured so that light emitted from the light source passes through and that the diverged light forms at least one line.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은, 광조사부 및 광센싱부가 이격된 방향과 수직한 방향일 수 있다. According to another aspect of the present invention, the direction in which at least one line of the optical transducer extends may be a direction perpendicular to the direction in which the light irradiation portion and the light sensing portion are spaced apart.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광센싱부는, 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 반사시키는 미러, 및 미러로부터 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센서를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, the optical sensing portion may include a mirror that is diverged from the light irradiating portion, reflects the light reflected on the mask, and an optical sensor configured to detect the light reflected from the mirror.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광센싱부는, 미러 및 광센서 사이에 배치되고, 미러에 반사된 광을 집광시키는 렌즈를 더 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, the optical sensing unit may further include a lens disposed between the mirror and the optical sensor, for condensing the light reflected by the mirror.
본 발명의 실시예들에 따른 마스크 검사 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.The mask inspection apparatus according to embodiments of the present invention can be described as follows.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 배치하도록 구성된 홀더, 홀더에 하부에 배치되고, 마스크에 광을 조사하고 반사된 광을 검출하도록 이루어지는 광측정유닛, 및 광측정유닛을 적어도 일 축으로 이동시키는 이동 유닛을 포함하고, 광측정유닛은, 홀더의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된 광조사부, 및 광조사부에 인접하여 배치되고, 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고, 광조사부는 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어진다.A holder configured to dispose a mask according to an embodiment of the present invention; a light measuring unit disposed below the holder and configured to irradiate light to the mask and detect reflected light; And a light measuring unit includes a light irradiating unit disposed on one side of the holder and configured to emit light in at least one line and a light irradiating unit disposed adjacent to the light irradiating unit and configured to emit light from the light irradiating unit, Wherein the light irradiating portion is configured such that light emitted at each point of the at least one line is diverged in the same direction toward the mask.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광조사부는, 광을 방사하는 광원, 및 광원으로부터 방사되는 광이 통과되며, 발산되는 광이 적어도 하나의 라인을 이루도록 구성되는 광변환기를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, the light irradiating unit may include a light source that emits light, and a light transducer that is configured so that light emitted from the light source passes through and that the diverged light forms at least one line.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은, 광조사부 및 광센싱부가 이격된 방향과 수직한 방향일 수 있다. According to another aspect of the present invention, the direction in which at least one line of the optical transducer extends may be a direction perpendicular to the direction in which the light irradiation portion and the light sensing portion are spaced apart.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은, 광측정유닛이 마스크에 광을 조사하고 반사된 광을 검출하기 위하여, 이동 유닛이 광측정유닛을 이동시키는 방향과 서로 수직하게 이루어질 수 있다. According to another aspect of the present invention, the direction in which at least one line of the photo-converter extends is determined by the direction in which the light measuring unit moves the light measuring unit in order to illuminate the mask and detect the reflected light As shown in FIG.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 이동 유닛은, 광측정유닛을 서로 직교하는 3축으로 이동시키도록 이루어질 수 있다. According to another aspect of the present invention, the movable unit may be configured to move the optical measurement unit in three axes orthogonal to each other.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.
100 : 마스크 검사 장치
103 : 상판
105 : 홀더 이동부
110 : 홀더
120 : 이동 유닛
122 : 제1축 이동 레일
124 : 제2축 이동 레일
200 : 광 측정 유닛
205 : 플레이트
210 : 광조사부
212 : 광원
214 : 광변환부
223 : 슬릿(Slit)
223a : 슬릿의 폭
223b : 슬릿의 길이
225 : 빔
225t : 빔의 두께
225l : 빔의 길이
230 : 광센싱부
232 : 미러
234 : 렌즈
236 : 광센서
310 : 마스크
310a : 마스크의 상면
310b : 마스크의 하면
311 : 돌출부
312 : 홀
320 : 글래스
330 : 마그넷100: mask inspection device
103: Top plate
105: holder moving part
110: holder
120: mobile unit
122: first axis moving rail
124: second axis moving rail
200: optical measuring unit
205: plate
210:
212: Light source
214:
223: Slit
223a: width of slit
223b: Length of the slit
225: beam
225t: beam thickness
225l: length of beam
230: Optical sensing unit
232: mirror
234: lens
236: Light sensor
310: mask
310a: upper surface of the mask
310b: the lower surface of the mask
311:
312: hole
320: Glass
330: Magnet
Claims (11)
상기 광조사부에 인접하여 배치되고, 상기 광조사부로부터 발산되고, 상기 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고,
상기 광조사부는,
상기 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들이 상기 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어지는, 광측정유닛.A light irradiating portion disposed at one side of a holder configured to dispose a mask, the light irradiating portion being configured to emit light in at least one line; And
And an optical sensing portion disposed adjacent to the light irradiating portion and configured to detect light reflected from the mask, emitted from the light irradiating portion,
The light-
Wherein light emitted at each point of the at least one line is made to diverge in the same direction toward the mask.
상기 광조사부는,
상기 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광들의 진행 방향이 서로 평행하게 광을 발산하도록 구성되는, 광측정유닛.The method according to claim 1,
The light-
And wherein the traveling direction of the light emitted at each point of the at least one line is configured to emit light in parallel with each other.
상기 광조사부는,
광을 방사하는 광원; 및
상기 광원으로부터 방사되는 광이 통과되며, 발산되는 광이 상기 적어도 하나의 라인을 이루도록 구성되는 광변환기를 포함하는, 광측정유닛.The method according to claim 1,
The light-
A light source for emitting light; And
And a light transducer configured to allow light emitted from the light source to pass therethrough and to emit light to form the at least one line.
상기 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은,
상기 광조사부 및 상기 광센싱부가 이격된 방향과 수직한 방향인, 광측정유닛.The method of claim 3,
The direction in which at least one line of the photo-
Wherein the light irradiating portion and the light sensing portion are perpendicular to a direction in which the light irradiating portion and the light sensing portion are spaced apart.
상기 광센싱부는,
상기 광조사부로부터 발산되고, 마스크에 반사된 광을 반사시키는 미러; 및
상기 미러로부터 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센서를 포함하는, 광측정유닛.The method according to claim 1,
The optical sensing unit includes:
A mirror which is diverged from the light irradiating portion and reflects light reflected on the mask; And
And an optical sensor configured to detect light reflected from the mirror.
상기 광센싱부는,
상기 미러 및 상기 광센서 사이에 배치되고, 상기 미러에 반사된 광을 집광시키는 렌즈를 더 포함하는, 광측정유닛.6. The method of claim 5,
The optical sensing unit includes:
Further comprising a lens disposed between the mirror and the photosensor, for condensing the light reflected by the mirror.
상기 홀더에 하부에 배치되고, 상기 마스크에 광을 조사하고 반사된 광을 검출하도록 이루어지는 광측정유닛; 및
상기 광측정유닛을 적어도 일 축으로 이동시키는 이동 유닛을 포함하고,
상기 광측정유닛은,
상기 홀더의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 라인에서 광이 발산되도록 구성된 광조사부; 및
상기 광조사부에 인접하여 배치되고, 상기 광조사부로부터 발산되고, 상기 마스크에 반사된 광을 검출하도록 구성된 광센싱부를 포함하고,
상기 광조사부는 상기 적어도 하나의 라인의 각 지점에서 발산되는 광이 상기 마스크를 향해 동일한 방향으로 발산되도록 이루어지는, 마스크 검사 장치.A holder configured to position a mask;
An optical measuring unit disposed below the holder and configured to irradiate light onto the mask and detect reflected light; And
And a moving unit for moving the light measuring unit at least in one axis,
Wherein the light measuring unit comprises:
A light irradiation unit disposed on one side of the holder and configured to emit light in at least one line; And
And an optical sensing portion disposed adjacent to the light irradiating portion and configured to detect light reflected from the mask, emitted from the light irradiating portion,
Wherein the light irradiating portion is configured to emit light emitted from each point of the at least one line in the same direction toward the mask.
상기 광조사부는,
광을 방사하는 광원; 및
상기 광원으로부터 방사되는 광이 통과되며, 발산되는 광이 상기 적어도 하나의 라인을 이루도록 구성되는 광변환기를 포함하는, 마스크 검사 장치.8. The method of claim 7,
The light-
A light source for emitting light; And
And a light transducer configured to allow light emitted from the light source to pass therethrough and to emit light to form the at least one line.
상기 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은,
상기 광조사부 및 상기 광센싱부가 이격된 방향과 수직한 방향인, 마스크 검사 장치.9. The method of claim 8,
The direction in which at least one line of the photo-
Wherein the light irradiation unit and the optical sensing unit are perpendicular to a direction in which the light irradiation unit and the light sensing unit are spaced apart.
상기 광변환기의 적어도 하나의 라인이 연장되는 방향은,
상기 광측정유닛이 상기 마스크에 광을 조사하고 반사된 광을 검출하기 위하여, 상기 이동 유닛이 상기 광측정유닛을 이동시키는 방향과 서로 수직하게 이루어지는, 마스크 검사 장치.9. The method of claim 8,
The direction in which at least one line of the photo-
Wherein said optical measuring unit is arranged to be perpendicular to a direction in which said moving unit moves said optical measuring unit so as to irradiate said mask with light and to detect reflected light.
상기 이동 유닛은,
상기 광측정유닛을 서로 직교하는 3축으로 이동시키도록 이루어지는, 마스크 검사 장치.8. The method of claim 7,
The mobile unit includes:
And the optical measuring unit is moved in three axes orthogonal to each other.
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