KR20180068538A - Method for synthesis of Copper nanowires including dimension manipulation of Copper nanostructures - Google Patents

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KR20180068538A KR1020160170330A KR20160170330A KR20180068538A KR 20180068538 A KR20180068538 A KR 20180068538A KR 1020160170330 A KR1020160170330 A KR 1020160170330A KR 20160170330 A KR20160170330 A KR 20160170330A KR 20180068538 A KR20180068538 A KR 20180068538A
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Abstract

The present invention relates to a synthesis method of a copper nanowire capable of adjusting a size of a copper nanostructure and surface quality by an interaction of a cationic surfactant (CTAB) and ethylene diamine (EDA) based on a solution method. Ethylene diamine (EDA), sodium hydroxide (NaOH), copper nitrate (Cu(NO_3)_2), and a cationic surfactant (CTAB) are included. A reaction time with a quantity is adjusted based on an interaction of the ethylene diamine (EDA) and the cationic surfactant (CTAB) to adjust a size of a copper nanostructure and surface quality.

Description

구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선 합성방법{Method for synthesis of Copper nanowires including dimension manipulation of Copper nanostructures}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of synthesizing copper nanowires,

본 발명은 금속 나노선 합성방법에 관한 것으로, 용액법 기반으로 CTAB와 EDA의 상호작용을 통해 구리 나노구조의 크기와 표면 품질 조절이 가능한 구리 나노선 합성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of synthesizing metal nanowires, and more particularly, to a copper nanowire synthesis method capable of controlling the size and surface quality of copper nanostructure through interaction of CTAB and EDA based on a solution method.

투명전도체는 터치 스크린, 광발전 셀, 유기 엘이디(OLEDs)와 같은 다양한 광전자 기기에 필수적인 구성요소이며, 인디움틴 옥사이드(ITO)는 투명전도체로서 광범위하게 사용되었는데 그 이유는 낮은 시트저항(90% 투과율에서 10Ω sq-1) 때문이다. Indium Tin Oxide (ITO) is widely used as a transparent conductor because it has a low sheet resistance (90% transmittance, 10 < / RTI > sq-1).

그러나 ITO의 주원료는 인디움인데 이는 거의 고갈 상태이고 기체상 ITO 필름 적층은 효율성이 떨어지기 때문에 지난 10년간 ITO필름의 가격은 10배가량 상승했다. However, the main raw material for ITO is indium, which is almost depleted, and gaso-ITO film lamination is inefficient, so the price of ITO film has risen about ten times over the past decade.

게다가 ITO는 잘 부러지므로 플렉시블 소자에는 적합하지 않다. 이런 이유 때문에 싸고 플렉시블한 대체물질을 찾기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. 그래핀, 단일벽 카본 나노튜브 네트워크, 금속 나노선, 도핑된 산화아연 필름 및 PEDOT:PSS가 전형적인 관심 후보들이다. Moreover, since ITO breaks well, it is not suitable for flexible devices. For this reason, a lot of research is being done to find cheap and flexible alternative materials. Graphene, single-walled carbon nanotube networks, metal nanowires, doped zinc oxide films, and PEDOT: PSS are typical candidates of interest.

금속 나노선 네트워크 필름도 큰 관심을 끌었는데 그 이유는 독창적인 구조, 좋은 성능 및 우수한 가공성 때문이다. 은 나노선으로 코팅된 필름은 95% 투과율에서 20Ω sq-1의 시트저항을 보였는데 이는 ITO 필름의 성능에 근접한 것이다. 구리 나노선 네트워크 필름의 성능은 은 나노선 필름보다 약간 미흡하다. The metal nanowire network film also attracted a great deal of attention because of its unique structure, good performance and good processability. Silver-coated films showed a sheet resistance of 20 Ω sq-1 at 95% transmittance, which is close to the performance of ITO films. The performance of the copper nanowire network film is slightly less than that of the silver nanowire film.

예를 들어서, 구리 나노선 네트워크 필름의 전도성은 동일한 투과조건에서 은 나노선 필름보다 6%정도 낮다. 그러나 구리는 은보다 100배 싸고, 구리 나노선은 은 나노선보다 빠르게 합성될 수 있기 때문에 제조원가를 획기적으로 낮출 수 있다.For example, the conductivity of a copper nanowire network film is about 6% lower than that of a silver nanowire film under the same transmission conditions. However, copper is 100 times cheaper than silver, and copper nanowires can be synthesized faster than silver nanowires, which can dramatically lower manufacturing costs.

단, 구리 나노구조의 크기와 품질을 더욱 정밀하게 조절할 수 있는 용액법이 개발되어야만 산업상 이용 가능성을 향상시킬 수 있다. However, a solution method capable of more precisely controlling the size and quality of the copper nanostructure can be used to improve the industrial applicability.

구리 나노선 합성관련 선행특허로는 KR 10-1535014, KR 10-1305710, KR 10-1076523, KR 10-1073EDA8, JP 5733548 등 이 검색 되었는데, 나노구조의 크기 및 표면 거칠기를 조절하기 위한 구체적인 용액법을 제시하는 본 발명과는 목적, 구성 및 효과에서 상이하다. Prior art patents related to the synthesis of copper nanowires were KR 10-1535014, KR 10-1305710, KR 10-1076523, KR 10-1073EDA8, JP 5733548, etc. Specific solutions for controlling the size and surface roughness of nanostructures Configuration, and effect of the present invention.

본 발명은 CTAB와 EDA의 상호작용을 통해 용액법 단계에서 구리 나노선의 크기와 품질을 제어할 수 있는 구리 나노선 합성 방법을 제공한다. The present invention provides a copper nanowire synthesis method capable of controlling the size and quality of copper nanowires in a solution process step through the interaction of CTAB and EDA.

본 발명은 에틸렌다이아민(EDA), 수산화나트륨(

Figure pat00001
),질산구리(
Figure pat00002
) 및 양이온성 계면활성제(CTAB)를 포함하되, 상기 에틸렌다이아민(EDA)과 양이온성 계면활성제(CTAB)의 양과 농도를 조절하여 혼합한 제1혼합액을 교반하는 제1단계;상기 제1혼합액에 하이드라진(
Figure pat00003
)을 첨가한 제2혼합액을 교반하는 제2단계; 상기 제2혼합액을 원심분리 및 상층액을 디캔팅하는 제3단계;상기 제3단계에서 생성되는 구리나노구조를 하이드라진 수용액에 분산시키는 제4단계; 및 상기 제4단계에서 합성된 구리나노구조를 하이드라진 수용액에 저장하는 제5단계; 를 포함하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법을 제공한다.The present invention relates to a process for the preparation of a composition comprising ethylene diamine (EDA), sodium hydroxide
Figure pat00001
), Copper nitrate
Figure pat00002
And a cationic surfactant (CTAB), wherein the first mixed liquid is prepared by mixing the ethylene diamine (EDA) and the cationic surfactant (CTAB) Hydrazine (
Figure pat00003
A second step of stirring the second mixed solution added thereto; A third step of decanting the second mixed solution and decanting the supernatant, a fourth step of dispersing the copper nanostructure formed in the third step in an aqueous solution of hydrazine, And a fifth step of storing the copper nanostructure synthesized in the fourth step in an aqueous solution of hydrazine; And a method of synthesizing copper nanowires capable of controlling the size of the copper nanostructure.

이때, 상기 제1단계는 상기 양이온성 계면활성제(CTAB)의 효과가 포화상태가 되는 임계량까지 투입하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the first step is charged up to a critical amount where the effect of the cationic surfactant (CTAB) becomes saturated.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 본 발명에 따른 구리 나노선 합성방법에 의해 합성된 구리 나노선 및 이를 이용한 구리 나노선 네트워크 필름을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a copper nanowire synthesized by a copper nanowire synthesis method according to the present invention and a copper nanowire network film using the same.

본 발명에 따르면, 용액법 단계에서 구리 나노구조의 크기와 표면 거칠기의 조절이 용이하여, 고품질의 구리 나노선을 경제적으로 대량 생산이 가능하고, 구리나노선의 산업상 이용 가능성을 극대화할 수 있다. According to the present invention, it is possible to easily control the size and surface roughness of the copper nanostructure in the solution process step, thereby enabling mass production of high-quality copper nanowires economically and maximizing the industrial applicability of copper nanowires.

도 1은 본 발명에 따른 구리 나노선 합성방법의 공정 흐름도이다.
도 2는 CTAB 양에 따른 구리 나노선의 변화를 촬영한 SEM 이미지와 그래프이다.
도 3은 EDA와 CTAB간의 상호작용을 도식화한 것이다.
도 4는 CTAB의 유무에 따른 XRD 패턴변화를 나타낸 것이다.
도 5는 CTAB 유무 및 반응시간에 따른 변화를 나타낸 사진과 UV-Vis 흡수 그래프이다.
도 6은 CTAB 유무와 반응시간에 따른 나노구조의 직경과 길이의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7은 HDA의 양을 달리하여 CTAB를 반응시켜 합성된 나노입자의 비교 사진이다.
도 8은 CTAB 유무에 따라 달리 합성된 2개의 구리 나노선 네트워크 필름의 광투과율 실험결과를 나타내는 그래프이다.
1 is a process flow diagram of a copper nanowire synthesis method according to the present invention.
Fig. 2 is a SEM image and a graph showing a change in copper nanowire according to the amount of CTAB.
Figure 3 illustrates the interaction between EDA and CTAB.
FIG. 4 shows XRD pattern changes with and without CTAB.
FIG. 5 is a photograph showing the change with time of CTAB and reaction time and UV-Vis absorption graph. FIG.
6 is a graph showing changes in the diameter and length of nanostructures according to CTAB presence and reaction time.
Figure 7 is a comparative photograph of nanoparticles synthesized by reacting CTAB with different amounts of HDA.
8 is a graph showing the results of light transmittance of two copper nanowire network films synthesized differently depending on the presence or absence of CTAB.

본 발명에 따른 구리 나노선(CuNWs)은 양이온성 계면활성제인 CTAB (cetyltrimethyl ammonium bromide)와 EDA간의 상호작용을 기반으로 CTAB의 양을 임계치까지 변화시키는 용액법에 의해 나노구조가 합성되고 크기가 조절된다.Copper nanowires (CuNWs) according to the present invention are synthesized by a solution method in which the amount of CTAB is changed to a critical value based on the interaction between cationic surfactant CTAB (cetyltrimethyl ammonium bromide) and EDA, do.

이하에서는, 도면 및 본 발명에 이르게 된 실험 과정을 통해 본 발명의 기술적 특징을 상세히 설명한다.Hereinafter, the technical features of the present invention will be described in detail with reference to the drawings and experimental procedures leading to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 구리 나노선 합성 방법의 순서도로서, 제1혼합액 교반 단계(s10), 제2혼합액 교반단계(s20), 구리나노구조 분리단계(s30), 구리나노구조 분산단계(s40) 및 구리나노구조 저장단계(s50)를 포함한다.FIG. 1 is a flow chart of a copper nanowire synthesis method according to the present invention. FIG. 1 is a flow chart illustrating a method of synthesizing copper nanowires according to the present invention, which includes a first mixed solution stirring step (s10), a second mixed solution stirring step (s20), a copper nanostructure separation step (s30) And a copper nanostructure storage step (s50).

제1혼합액 교반 단계(s10)는 에틸렌다이아민(EDA), 수산화나트륨(

Figure pat00004
),질산구리(
Figure pat00005
) 및 양이온성 계면활성제(CTAB)를 포함한 제1혼합액을 교반하는 단계로서, 상기 EDA와 CTAB의 양과 농도를 조절함으로써 구리 나노선(CuNWs)의 합성뿐만 아니라 직경, 길이 및 표면의 품질까지 조절할 수 있고, 상기 제1혼합액을 80℃에서 3분간 200rpm으로 교반한다.The first mixed solution stirring step (s10) is a step of mixing ethylene diamine (EDA), sodium hydroxide
Figure pat00004
), Copper nitrate
Figure pat00005
) And a cationic surfactant (CTAB), and adjusting the amount and concentration of the EDA and the CTAB to control not only the synthesis of copper nanowires (CuNWs) but also the diameter, length and surface quality And the first mixed solution is stirred at 80 rpm for 3 minutes at 200 rpm.

상기 CTAB를 효과가 포화상태가 되는 임계량까지 투입하는 경우 구리 나노선(CuNWs)은 가장 얇고 짧으며, 이는 EDA와의 상호작용하에서만 가능하다. 실험예에 따르면, 상기 제1단계는 0.111M의 에틸렌다이아민(EDA) 0.15mL, 15M의 수산화나트륨(

Figure pat00006
) 20mL 및 0.2M의 질산구리 (
Figure pat00007
) 1mL 및 0.0169M의 양이온성 계면활성제(CTAB) 0.13g의 비율로 혼합될 수 있으며, 0.0169M이라는 작은 농도의 CTAB에서 구리나노선의 직경과 길이는 각각 55%와 43%까지 감소되었다. The copper nanowires (CuNWs) are the thinnest and shortest when the CTAB is applied to the critical amount where the effect becomes saturated, which is possible only in the interaction with the EDA. According to the experimental example, the first step is a step of adding 0.15 mL of 0.111 M of ethylenediamine (EDA), 15 M of sodium hydroxide
Figure pat00006
) And 20 mL of 0.2 M copper nitrate
Figure pat00007
) And 0.13 g of 0.0169 M cationic surfactant (CTAB), and the diameter and length of the copper nanowires were reduced to 55% and 43%, respectively, in a small concentration of 0.0169 M CTAB.

제2혼합액 교반단계(s20)는 상기 제1혼합액에 하이드라진(

Figure pat00008
)을 첨가한 제2혼합액을 교반하는 과정인데, 상기 제2혼합액을 80℃까지 가열하여 60분간 200rpm으로 교반한다. The second mixed solution stirring step s20 is a step of mixing hydrazine (
Figure pat00008
). The second mixed solution is heated to 80 DEG C and stirred at 200 rpm for 60 minutes.

구리나노구조 분리단계(s30)는 상기 제2혼합액을 원심분리 및 상층액을 디캔팅하여 구리나노구조를 분리하는 공정인데, 상기 제2혼합액을 5분간 5000rpm의 회전수로 원심분리하고 상층액을 디캔팅하며, 이 과정은 3회 반복 실시된다. The copper nanostructure separation step (s30) is a step of centrifuging the second mixed solution and decanting the copper nanostructure by decanting the supernatant. The second mixed solution is centrifuged at 5,000 rpm for 5 minutes, and the supernatant is decanted This process is repeated three times.

구리나노구조 분산단계(s40)는 상기 원심분리와 디캔팅 과정이 완료된 상기 제2혼합액을 30초간의 볼텍싱으로 3wt% 하이드라진 수용액 내에 분산시키고, 구리나노구조 저장단계(s50)는 최종 구리 나노구조를 실온에서 3wt% 하이드라진 용액에 저장함으로써 구리 나노선(CuNWs)이 합성공정이 완료된다. In the copper nanostructure dispersion step (s40), the second mixed solution having been subjected to the centrifugal separation and decanting process is dispersed in a 3 wt% hydrazine aqueous solution by vortexing for 30 seconds, and the copper nanostructure storage step (s50) By storing in a 3 wt% hydrazine solution at room temperature, the copper nanowires (CuNWs) are completed in the synthesis process.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상술한 방법에 의해 합성되는 구리 나노선 및 그 구리 나노선을 이용한 구리 나노선 네트워크 필름을 제공하며, 이는 구리 나노선 합성 방법이 동일하다면 본 발명의 권리범위에 속한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a copper nanowire synthesized by the above-described method and a copper nanowire network film using the copper nanowire, which belong to the scope of the present invention if the copper nanowire synthesis method is the same .

본 발명에 이르게 된 실험은 다음과 같이 진행되었으며, 본 발명의 기술적 특징인 CTAB와 EDA의 영향력과 상호작용을 실험하기 위하여 혼합 용액에 CTAB를 넣거나 넣지 않는 다양한 실시예를 통해 결과를 비교분석하였다.Experiments leading to the present invention proceeded as follows. In order to test the influence and interaction of CTAB and EDA, which are technical features of the present invention, the results were compared and analyzed through various embodiments in which CTAB was not added or mixed in the mixed solution.

1. 구리 나노구조 합성을 위한 용액법1. Solution for synthesis of copper nanostructure

EDA(0.111M, 0.15mL),

Figure pat00009
(15M, 20mL) 및
Figure pat00010
(0.2M, 1mL)에 CTAB를 넣거나 넣지 않는 다양한 방법으로 50mL 유리병에 혼합되어, 80℃에서 3분간 200rpm의 속도로 섞이고
Figure pat00011
(35wt%,0.025mL)가 첨가되었다. EDA (0.111 M, 0.15 mL),
Figure pat00009
(15 M, 20 mL) and
Figure pat00010
(0.2 M, 1 mL) were mixed in a 50 mL glass bottle with or without CTAB in various ways and mixed at 80 ° C for 3 minutes at 200 rpm
Figure pat00011
(35 wt%, 0.025 mL) was added.

상기 혼합용액은 80℃까지 가열되었고, 60분간 200rpm으로 교반되었으며, CTAB의 양을 0~0.26g 범위에서 변화시켜 구리 나노구조에 대한 영향을 검사했다. The mixed solution was heated to 80 ° C., stirred at 200 rpm for 60 minutes, and the amount of CTAB was varied in the range of 0 to 0.26 g to examine the effect on copper nanostructure.

반응 후에 해당 서스펜션(현탁액)은 5분간 5000rpm으로 원심분리되었고 나노구조로부터 상층액이 디캔팅되었다. 그리고 나서 그 나노구조는 30초간의 볼텍싱에 의해 3wt% 하이드라진 수용액내에 분산되었다. 이런 원심분리와 디캔팅 과정은 3회 반복되었다. 최종 구리 나노구조는 실온에서 3wt% 하이드라진 용액에 저장되었다. After the reaction, the suspension (suspension) was centrifuged at 5000 rpm for 5 minutes and the supernatant was decanted from the nanostructure. The nanostructures were then dispersed in a 3 wt% hydrazine aqueous solution by vortexing for 30 seconds. This centrifugation and decanting procedure was repeated three times. The final copper nanostructure was stored in a 3 wt% hydrazine solution at room temperature.

또한, HDA와 EDA의 차이를 밝히기 위하여, EDA대신에 HDA 0.0416g과 0.208g을 50mL 유리병에 고정량(0.13g)의 CTAB와 혼합하여, 80℃에서 3분간 200rpm으로 교반하였다. 그리고

Figure pat00012
(15M, 20mL) 및
Figure pat00013
(02M, 1mL) 및
Figure pat00014
(35wt%,0.025mL)이 이어서 첨가되었다. 그 혼합된 용액은 80℃까지 가열되었고, 그 온도에서 60분간 200rpm으로 교반되었다. 세정(디캔팅)과 원심분리 단계는 상술한 설명과 같다. In addition, to reveal the difference between HDA and EDA, 0.0416 g and 0.208 g of HDA were mixed with a fixed amount (0.13 g) of CTAB in a 50 mL glass bottle instead of EDA and stirred at 80 rpm for 3 minutes at 200 rpm. And
Figure pat00012
(15 M, 20 mL) and
Figure pat00013
(02M, 1 mL) and
Figure pat00014
(35 wt%, 0.025 mL) was then added. The mixed solution was heated to 80 DEG C and stirred at that temperature for 60 minutes at 200 rpm. The steps of decanting and centrifuging are as described above.

상술한 용액법을 포함한 다양하게 실시된 실험조건은 표1에 정리된 바와 같다. The various experimental conditions including the above solution method are summarized in Table 1.

<표 1><Table 1>

Figure pat00015
Figure pat00015

2. 실험 관찰2. Experimental observation

EXPEXP . 1 (CTAB와 EDA의 상호작용). 1 (Interaction of CTAB and EDA)

도 2는 표 1의 A1 ~ A4까지의 용액법을 기준으로 CTAB 양을 변화시켰을 때 합성된 각 구리 나노선의 SEM이미지를 나타낸다. 모든 다른 실험조건은 일정하게 유지되었다. (a)의 경우, CTAB가 투입되지 않았고 구리 나노선의 평균 직경과 길이는 ~400nm 및 ~14㎛에서 측정되었는데 이는 일반적 조성보다 두 크기가 증가했음을 가리킨다. FIG. 2 shows SEM images of each copper nanowire synthesized when the amount of CTAB was changed based on the solution method from A1 to A4 in Table 1. FIG. All other experimental conditions remained constant. (a), no CTAB was injected and the average diameter and length of the copper nanowires were measured at ~ 400 nm and ~ 14 μm, indicating a two magnitude increase over the normal composition.

가장 주목되는 것은, (a) ~ (d) 사진을 보면, 구리 나노선의 직경은 명백히 CTAB양이 증가되면 감소한다. 이 나노선 직경의 감소는 나노선 길이의 감소를 수반한다. Most notably, (a) - (d), the diameter of the copper nanowire clearly decreases with increasing CTAB amount. This decrease in nanowire diameter involves a decrease in nanowire length.

(e)의 그래프를 보면, 구리나노선의 평균 직경과 길이는 모두 용액에 첨가된 CTAB의 양이 증가함에 따라 감소하다가 임계치에 도달하면 그 효과가 포화되는 경향을 보인다. 즉, CTAB를 이 임계치까지 증가시키면 구리 나노선의 직경과 길이 둘 다 실질적으로 감소한다. (e), the average diameter and length of the copper nanowires decrease as the amount of CTAB added to the solution increases, and when the critical value is reached, the effect tends to saturate. That is, increasing the CTAB to this threshold substantially reduces both the diameter and the length of the copper nanowire.

이 실험에서 CTAB의 임계치는 0.13g(0.0169M)이었고, 구리나노선의 평균직경과 길이는 상기 임계치에서 대략 180nm 와 8㎛였는데, 이는 CTAB가 없을 때 합성된 구리나노선과 비교하여 그 직경과 길이가 각각 55%와 43% 감소한 것을 의미한다.In this experiment, the threshold of CTAB was 0.13 g (0.0169 M), and the average diameter and length of the copper nanowires were approximately 180 nm and 8 μm at the above-mentioned thresholds, because the diameter and length of the copper nanowires Which means 55% and 43% respectively.

나노선 크기의 실질적인 감소는 CTAB와 EDA 간의 상호작용에 기인하는 것으로 보인다. The substantial reduction in nanowire size appears to be due to the interaction between CTAB and EDA.

음극성 말단기를 갖는 EDA가 우선적으로 구리 결정체의 고에너지 측면으로 흡수되어 구리 원자의 흡착을 방해하는 반면, 저 에너지의 성장면은 열린 상태로 남아 있어 구리 원자들이 흡착할 수 있다. 이것이 구리나노선이 고농도의 EDA에서 더 얇아지는 이유다. EDA with a negative terminal group is preferentially absorbed into the high energy side of the copper crystals to interfere with the adsorption of copper atoms, while the low energy growth side remains open and copper atoms can adsorb. This is why copper nanowires become thinner at higher EDA concentrations.

CTAB는 전형적인 양친매성 계면활성제로 장쇄 알킬과 양이온 헤드기(

Figure pat00016
)로 이루어져 있다.CTAB is a typical amphipathic surfactant with long chain alkyl and cation head groups (
Figure pat00016
).

CTAB의 양이온 헤드기는 성장하는 구리나노선의 측면에 이미 흡수되어 있는 EDA의 극성원자단기에 정전기적으로 결합 되어있을 가능성이 높다. The cationic head group of CTAB is likely to be electrostatically bonded to the polar atomic group of EDA already absorbed on the side of the growing copper nanowire.

이것은 고농도의 CTAB 분자는 나노선의 끝에 비해 나노선 측면에 보호층을 형성하고 나노선의 방사상 성장을 억제하는 중요한 작용을 한다. This is because CTAB molecules at high concentrations have a protective effect on the nanowire side of the nanowire and inhibit the radial growth of nanowires.

CTAB의 효과는 임계농도를 넘어서면 포화되고, 측면은 CTAB에 의해 완전히 안정화된다. The effect of CTAB is saturated when the critical concentration is exceeded, and the side is completely stabilized by CTAB.

EDA와 CTAB 둘다 구리 나노선 끝에서도 흡수될 수 있으며, 나노선 길이의 감소에 기여할 수 있다.Both EDA and CTAB can be absorbed at the ends of copper nanowires and can contribute to the reduction of nanowire length.

CTAB의 다른 효과로는, CTAB 농도가 증가((a)-->(d))함에 따라 구리나노선의 표면형태가 부드럽게 된다. 이는 CTAB가 증가할수록 국소적, 무작위적인 방사상의 성장을 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.Another effect of CTAB is that the surface morphology of the copper nanowires becomes smooth as the CTAB concentration increases ((a) -> (d)). This is because as CTAB increases, it can effectively suppress local and random radial growth.

나노선 크기의 감소와 개선된 표면 품질은 EDA와 CTAB의 상호작용의 결과이며, 도 3은 EDA만 사용한 경우와 비교하여 이를 도식적으로 나타낸다. Reduced nanowire size and improved surface quality are the result of the interaction of EDA and CTAB, and Figure 3 graphically illustrates this compared to EDA alone.

XRD 측정으로 결정 구조와 결정화도의 변화를 검사할 수 있는데, 도 4는 CTAB 유무에 따른 구리나노선의 XRD 패턴을 보여준다. 여기서 모든 다른 합성 조건들은 도 2와 동일하며 두 샘플은 날카롭고 유사한 회절패턴을 보이고 구리의 면심입방격자 결정구조에 완벽하게 들어 맞는다. XRD measurements can be used to examine changes in crystal structure and crystallinity. Figure 4 shows the XRD patterns of copper nanowires with and without CTAB. All other synthesis conditions here are the same as in Fig. 2 and both samples exhibit a sharp and similar diffraction pattern and are perfectly compatible with the face-centered cubic lattice crystal structure of copper.

세 군데의 피크점 (2θ=43.2,50.3,74.1˚(111,200,220))이 일치하는 것을 보면, CTAB 혼합이 구리 결정 품질을 악화시키지 않는다는 것을 알 수 있다. It can be seen that the CTAB blend does not deteriorate the quality of the copper crystals when the three peak points (2? = 43.2, 50.3, 74.1 ° (111,200,220)) coincide.

EXPEXP . 2 (. 2 ( CTABCTAB 유무 및 반응시간에 따른 변화) And reaction time)

구리 나노선 성장 과정을 더 잘 이해하기 위해서, 초기단계의 나노선 성장을 CTAB에 의해 발생하는 차이점을 강조하며 검사하였다. 따라서 CTAB가 사용되지 않는 경우와, 임계량(0.13g)의 CTAB가 첨가되는 경우를 비교하였다. 도 5는 전구체 용액(a)과 전구체 용액에 하이드라진을 첨가한 후 다른 시간 동안 반응한 용액(c, d)의 사진이다. In order to better understand the copper nanowire growth process, early stage nanowire growth was examined by emphasizing the differences caused by CTAB. Therefore, the comparison between the case where CTAB is not used and the case where a critical amount (0.13 g) of CTAB is added is compared. FIG. 5 is a photograph of the precursor solution (a) and solutions (c, d) reacted for a different time after addition of hydrazine to the precursor solution.

(a)에서는 초기 전구체 용액이 딥블루 색을 보이고 있는데 이는

Figure pat00017
의 형성에 의한 것으로 알려져 있다. 구리 착물의 존재를 확인하기 위해서, UV-Vis 흡수 테스트가 수행됐다. 광범위한 흡수 피크가 (b)에 나타난 바와 같이 650nm에서 중심을 이루었고 이는
Figure pat00018
착물이 전구체 용액에서 생성되었음을 의미한다.(a), the initial precursor solution is deeply colored
Figure pat00017
And the like. To confirm the presence of the copper complex, a UV-Vis absorption test was performed. The broad absorption peaks were centered at 650 nm as shown in (b)
Figure pat00018
Means that the complex was formed in the precursor solution.

(c)와 (d)로부터 딥블루 칼라는 하이드라진이 그 용액에 첨가되는 순간부터 변색되기 시작하여 5분내에 희거나 반투명색으로 변한다. 실험된

Figure pat00019
착물은 하이드라진 첨가에 따라
Figure pat00020
의 산화에 의한
Figure pat00021
의 형성을 통해 Cu(I)로 환원되는 것으로 추정한다. From (c) and (d), the deep blue color begins to discolor from the moment hydrazine is added to the solution and turns white or semitransparent in 5 minutes. Experimental
Figure pat00019
The complexes are prepared by hydrazine addition
Figure pat00020
By oxidation of
Figure pat00021
To form Cu (I).

이 환원 결과에 따라,

Figure pat00022
착물을 포함하는 용액은 거의 투명해 보인다. CTAB 없는 용액이 흰 것은
Figure pat00023
나노입자와
Figure pat00024
착물과 같은 다른 물질의 포함을 의미한다. According to this reduction result,
Figure pat00022
The solution containing the complex appears almost transparent. White solution without CTAB
Figure pat00023
Nanoparticles
Figure pat00024
&Lt; / RTI &gt; complexes and complexes.

반응이 계속될수록, 양 용액은 초록색으로(5-8분) 그리고 빨강색으로(9-10분)의 유사한 변색을 겪는다. 20분에는 진한 빨강색의 구리나노선의 복합체인 부유물이 양 용액의 표면에서 명백히 관찰된다. 이 물질의 출현은 60분간 반응된 용액에서 보인 것과 유사하고 나노선의 성장이 거의 완료되어가고 있음을 나타낸다.As the reaction continues, both solutions undergo a similar discoloration of green (5-8 minutes) and red (9-10 minutes). At 20 minutes, a suspension of a dark red copper nanowire complex is clearly observed on the surface of both solutions. The appearance of this material is similar to that seen in the reacted solution for 60 minutes and indicates that the nanowire growth is almost complete.

더 확실한 분석을 위해, 나노선의 시간별 크기가 도 6에 표시된다.For more assured analysis, the time-dependent size of the nanowires is shown in FIG.

CTAB 유무와 무관하게, 구리나노선의 길이와 직경 모두 반응시간과 관련된 두 단계의 성장모드를 따른다. Regardless of CTAB, both the length and diameter of the copper nanowire follow a two-stage growth mode related to the reaction time.

첫 단계에서 나노선은 시간이 흐르면서 거의 일차종속으로 빠르게 성장하며, 임계시간을 넘어서면 나노선 성장률이 감소하는바, 이는 연장 반응에서

Figure pat00025
이온의 한정된 공급에 기인한다. In the first stage, the nanowire grows rapidly to a primary subordinate over time, and the nanowire growth rate decreases over the critical time,
Figure pat00025
Due to limited supply of ions.

그리고 나노선의 크기는 60분간 성장한 나노선에 매우 천천히 근접해 간다. CTAB를 채택하는 경우의 반응 임계시간은 약 10분으로, CTAB가 없는 경우의 절반이다.And the size of the nanowire is very slowly approaching the nanowire that has grown for 60 minutes. The response threshold time for adopting CTAB is about 10 minutes, which is half of that without CTAB.

이것은 CTAB의 도입이 나노선 성장을 촉진할 수 있고, 아마도 구리 나노구조를 이방성으로 안정화시키고

Figure pat00026
착물 환원 과정에 관련된다는 것을 의미한다. This suggests that the introduction of CTAB could promote nanowire growth, perhaps stabilizing copper nanostructures anisotropically
Figure pat00026
Which is related to the complex reduction process.

도 6 (a)와 (b)에서 보는 바와 같이, 동일한 반응 시간에서 CTAB 없는 용액에는 많은 나노 입자가 출현한 반면 CTAB가 포함된 용액에는 대부분 구리 나노선이 형성되었다.As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), at the same reaction time, many nanoparticles appeared in the solution without CTAB, whereas most of the solution containing CTAB formed copper nanowires.

EXPEXP . 3 (EDA와 . 3 (EDA and HDA의HDA 차이) Difference)

또 다른 형태의 첨가제 HDA(Hexadecylamine)가 EDA의 대체물로서 CTAB와 함께 용액에 첨가된다.Another form of additive HDA (Hexadecylamine) is added to the solution with CTAB as an alternative to EDA.

HDA는

Figure pat00027
,
Figure pat00028
, Cu와 같은 다양한 금속 나노구조를 합성하는 캡핑제로 사용되며, 극성 아민기와 비극성 알킬 체인 때문에 본래 양친매성이다. HDA
Figure pat00027
,
Figure pat00028
, Cu, and is inherently amphiphilic because of polar amine groups and nonpolar alkyl chains.

EDA는 주로 구리 나노선(CuNWs)의 합성에서 캡핑제로 역할하고, HDA도 유사한 역할을 하는 것으로 추정된다.EDA is mainly used as a capping agent in the synthesis of copper nanowires (CuNWs), and HDA is presumed to play a similar role.

도 7은 고정량(0.13g)의 CTAB에 HDA의 양을 달리하여 (0.0416g, 0.208g) 합성된 구리 나노구조의 SEM 이미지를 보이는데, 구리 나노입자의 평균 직경은 각각 600nm와 450nm로 측정되었다.FIG. 7 shows an SEM image of a copper nanostructure synthesized by varying the amount of HDA (0.0416 g, 0.208 g) in a fixed amount (0.13 g) of CTAB, wherein the average diameters of copper nanoparticles were measured at 600 nm and 450 nm, respectively .

CTAB와 EDA의 조합과는 달리, CTAB와 HDA조합은 구리 나노입자를 발생시킨다. Unlike the combination of CTAB and EDA, the combination of CTAB and HDA generates copper nanoparticles.

이 형태의 차이는 EDA와 비교하여 HDA의 등방성 흡수에 원인이 있는 것으로 추정되는데 그것은 결과적으로 CTAB에 의한 구리 나노구조의 등방성 보호층 형성을 유도하므로, 이런 메카니즘은 1차원적 구조보다는 구리 나노입자를 생성하기 쉽다.This type of difference is presumed to be responsible for the isotropic absorption of HDA compared to EDA, which results in the formation of an isotropic protective layer of copper nanostructures by CTAB, which is why copper nanoparticles It is easy to create.

EXPEXP . 4 (광 투과율 개선). 4 (improved light transmittance)

구리 나노선(CuNWs)은 플렉시블 전극에 적용될 수 있고, 구리 나노선 네트워크 필름의 광학 투과율은 실용적 측면에서 매우 중요한 요인이다. 광학 투과율은 구리나노선 크기가 축소되면 향상하는 것으로 알려져 있다.Copper nanowires (CuNWs) can be applied to flexible electrodes, and the optical transmittance of the copper nanowire network film is a very important factor in practical use. Optical transmittance is known to improve as the copper nanowire size decreases.

도 8은 PET 서브스트레이트 위에 적층된 두 개의 구리 나노선 필름의 투과율 스펙트럼을 나타낸다. Figure 8 shows the transmittance spectra of two copper nanowire films deposited on a PET substrate.

0.13g의 CTAB를 첨가하여 합성된 얇고 짧은 구리나노선과 길고 두꺼운 구리나노선(CTAB없이 표준조건에서 합성)이 비교샘플로 선택되었다. Thin, short copper nanowires synthesized by adding 0.13 g of CTAB and long and thick copper nanowires (synthesized under standard conditions without CTAB) were selected as comparative samples.

얇고 짧은 구리 나노선의 광 투과율은 길고 두꺼운 구리 나노선보다 높은데, 550nm 파장에서의 투과도는 각각 79%, 73%이다. Thin and short copper nanowires have a higher light transmittance than long and thick copper nanowires, with transmittances of 79% and 73% at 550 nm, respectively.

따라서 CTAB의 지원으로 구리 나노선의 크기 감소가 일어나면, 나노선 필름의 광투과율은 개선되고 광 차단 효과는 감소한다고 볼 수 있다. Therefore, if the size reduction of copper nanowires occurs with the aid of CTAB, the light transmittance of the nanowire film is improved and the light blocking effect is reduced.

3. 결론 3. Conclusion

종래에 정립된 용액법은 질산구리, EDA 및 하이드라진을 주요 반응물질로 이용하여, 결과물인 나노선은 굵고 표면은 거칠다. The conventional solution method uses copper nitrate, EDA and hydrazine as main reaction materials, and the resultant nanowire is coarse and the surface is rough.

본 발명은 CTAB와 EDA와의 상호작용을 통해 효과적으로 나노선의 직경을 감소시키고 나노선의 표면을 매끄럽게 하였음이 실험결과 확인된다. The present invention confirms that the interaction between CTAB and EDA effectively reduced the diameter of the nanowire and smoothed the surface of the nanowire.

이 효과는 CTAB에 의한 나노선 측면의 완벽한 성장 억제에 따른 것이고 그 효과는 CTAB의 임계 농도에서 포화되는 것으로 판명되었다. 이 결과들은 구리 나노구조와 크기를 용액법 기반으로 조작할 수 있는 중요한 실마리를 제공한다. This effect was due to the complete inhibition of growth on the side of the nanowire by CTAB and its effect was found to be saturated at the critical concentration of CTAB. These results provide an important clue to manipulate copper nanostructures and sizes on a solution-based basis.

s10 : 제1혼합액 교반 단계 s20 : 제2혼합액 교반단계
s30 : 구리나노구조 분리단계 s40 : 구리나노구조 분산단계
s50 : 구리나노구조 저장단계
s10: first mixed solution stirring step s20: second mixed solution stirring step
s30: copper nanostructure separation step s40: copper nanostructure dispersion step
s50: Copper nanostructure storage step

Claims (11)

에틸렌다이아민(EDA), 수산화나트륨(
Figure pat00029
),질산구리(
Figure pat00030
) 및 양이온성 계면활성제(CTAB)를 포함하되, 상기 에틸렌다이아민(EDA)과 양이온성 계면활성제(CTAB)의 양과 농도를 조절하여 혼합한 제1혼합액을 교반하는 제1단계;
상기 제1혼합액에 하이드라진(
Figure pat00031
)을 첨가한 제2혼합액을 교반하는 제2단계;
상기 제2혼합액을 원심분리 및 상층액을 디캔팅하는 제3단계;
상기 제3단계에서 생성되는 구리나노구조를 하이드라진 수용액에 분산시키는 제4단계; 및
상기 제4단계에서 합성된 구리나노구조를 하이드라진 수용액에 저장하는 제5단계; 를 포함하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
Ethylene diamine (EDA), sodium hydroxide (
Figure pat00029
), Copper nitrate
Figure pat00030
And a cationic surfactant (CTAB), wherein the amount of the ethylenediamine (EDA) and the amount of the cationic surfactant (CTAB) are controlled and the first mixture is stirred;
To the first mixed liquid was added hydrazine (
Figure pat00031
A second step of stirring the second mixed solution added thereto;
Centrifuging the second mixed solution and decanting the supernatant;
A fourth step of dispersing the copper nanostructure formed in the third step in an aqueous solution of hydrazine; And
A fifth step of storing the copper nanostructure synthesized in the fourth step in an aqueous solution of hydrazine; Wherein the size of the copper nanostructure is adjustable.
제1항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 양이온성 계면활성제(CTAB)의 효과가 포화되는 임계량까지 투입하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first step is charged to a critical amount where the effect of the cationic surfactant (CTAB) is saturated, wherein the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 제1혼합액을 80℃에서 3분간 200rpm으로 교반하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first step is a step of stirring the first mixed solution at 80 DEG C for 3 minutes at 200 rpm, whereby the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제2단계는 상기 제2혼합액을 80℃까지 가열하여 60분간 200rpm으로 교반하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the second step is a step of heating the second mixed solution to 80 캜 and stirring at 200 rpm for 60 minutes, wherein the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제3단계는 상기 제2혼합액을 5분간 5000rpm의 회전수로 원심분리하고 상층액을 디캔팅하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the third step comprises centrifuging the second mixed solution at a rotation speed of 5,000 rpm for 5 minutes and decanting the supernatant, wherein the size of the copper nanostructure is adjustable.
제1항에 있어서,
상기 제3단계는 상기 원심분리와 디캔팅과정이 3회 이상 반복실시되는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the third step comprises repeating the centrifugal separation and the decanting process three or more times, wherein the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제4단계는 상기 제2혼합액을 30초간의 볼텍싱으로 3wt% 하이드라진 수용액 내에 분산시키는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fourth step is a step of dispersing the second mixed solution in a 3 wt% hydrazine aqueous solution by vortexing for 30 seconds, whereby the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제5단계는 상기 구리나노구조를 실온에서 하이드라진 수용액에 저장하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
Wherein the fifth step is to store the copper nanostructure in an aqueous solution of hydrazine at room temperature, wherein the size of the copper nanostructure can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 제1단계는 0.111M의 에틸렌다이아민(EDA) 0.15mL, 15M의 수산화나트륨(
Figure pat00032
) 20mL 및 0.2M의 질산구리 (
Figure pat00033
) 1mL 및 0.0169M의 양이온성 계면활성제(CTAB) 0.13g의 비율로 혼합하는, 구리 나노구조의 크기 조절이 가능한 구리 나노선의 합성방법.
The method according to claim 1,
In the first step, 0.15 mL of 0.111 M ethylenediamine (EDA), 15 M sodium hydroxide
Figure pat00032
) And 20 mL of 0.2 M copper nitrate
Figure pat00033
) And 0.13 g of a cationic surfactant (CTAB) of 0.0169 M, wherein the size of the copper nanostructure is adjustable.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 구리 나노선. A copper nanowire synthesized by the method of any one of claims 1 to 9. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법에 의해 합성된 구리 나노선을 이용한 구리 나노선 네트워크 필름.






A copper nanowire network film using copper nanowires synthesized by the method of any one of claims 1 to 9.






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