KR20180066371A - Arc Ion Plating Apparatus Having Nest Unit - Google Patents

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KR20180066371A KR1020160166770A KR20160166770A KR20180066371A KR 20180066371 A KR20180066371 A KR 20180066371A KR 1020160166770 A KR1020160166770 A KR 1020160166770A KR 20160166770 A KR20160166770 A KR 20160166770A KR 20180066371 A KR20180066371 A KR 20180066371A
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한국생산기술연구원
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Abstract

According to the present invention, provided is an arc ion plating apparatus having a nest unit, which comprises: a chamber storing samples; a target ionized while being melted and evaporated by arcing phenomenon; a filter line of which one side is connected to the chamber and the other side is connected to the target so as to form a moving route for an ion beam; and a nest unit disposed in a connector of the chamber and the filter line and shaking the ion beam moving along the filter line to increase an incident range and an incident speed.

Description

네스트유닛을 포함하는 아크이온플레이팅장치{Arc Ion Plating Apparatus Having Nest Unit}[0001] The present invention relates to an arc ion plating apparatus including a nest unit,

본 발명은 대상 샘플에 피막을 형성하는 아크이온플레이팅장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 네스트유닛을 포함함에 따라 피막의 증착 범위를 보다 증가시킬 수 있으며, 이온의 이동 속도를 향상시킬 수 있는 필터드 아크이온플레이팅장치에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to an arc ion plating apparatus for forming a film on a target sample, and more particularly, to an arc ion plating apparatus capable of increasing the deposition range of a film by including a nest unit, De-arc ion plating apparatus.

기적 펄스의 공급을 통해 스파크 음극이라고도 불리는 아크 증발원을 가동하는 것은 이미 오래 전부터 종래기술로서 알려져 왔다. 아크 증발원을 이용해 대상에 코팅을 수행할 경우, 기존 다른 방법에 비해 높은 증발율을 얻을 수 있어 높은 증착율을 달성할 수 있다.It has long been known in the prior art to operate an arc evaporation source, also referred to as a spark cathode, through the supply of a magic pulse. When a coating is performed on an object using an arc evaporation source, a high evaporation rate can be obtained as compared with other methods, and a high deposition rate can be achieved.

그리고 펄스 모드에 더 엄격한 요건이 요구되지 않고 펄스가 단지 DC 방전의 점화로만 한정되는 경우에는, 이러한 유형의 소스의 구조를 기술적으로 비교적 간단하게 구현할 수 있다. 또한 이와 같은 유형의 소스는 전형적으로 약 100A 이상의 범위의 전류 및 수 볼트 내지 수십 볼트 범위의 전압에서 작동하는데, 이는 비교적 저비용의 직류 전원을 통해 구현할 수 있다는 장점을 가진다. And, if no more stringent requirements are required in the pulse mode and the pulse is only limited to the ignition of the DC discharge, then the structure of this type of source can be implemented relatively simply and technically. Also, sources of this type typically operate at a current in the range of about 100 A or more and a voltage in the range of a few volts to a few tens of volts, which can be achieved through a relatively low cost direct current power source.

다만, 이와 같은 유형을 가지는 소스는 아크점(Arc Spot)의 구역에서 타겟 표면에 매우 빠르게 진행하는 용융이 발생하며 이로 인해 액적이라고도 불리는 드롭렛(Droplet)이 형성되는데, 이러 액적은 스패터(Spatter)로서 방출되고 공작물에 농축되며 층 특성에 부정적인 영향을 미치게 되어 층 구조가 불균질하게되고 표면 조도가 불량해지는 문제가 있다.However, a source of this type has a very fast melting on the surface of the target in the region of the arc spot, which results in the formation of a droplet, also called a droplet, Spatter) and is concentrated in the workpiece, which adversely affects the layer characteristics, resulting in inhomogeneous layer structure and poor surface roughness.

층 품질에 높은 요건이 요구되는 경우, 이러한 방식으로 제조된 층은 대개 상업적으로 사용할 수 없다. 따라서 이러한 드롭렛을 거르기 위하여 드롭렛 및 이온, 전자들이 포함된 플라즈마 이온빔이 지나는 통로를 꺾어서 드롭렛과 같은 스패터를 줄이기도 한다.When a high requirement for layer quality is required, the layer produced in this way is usually not commercially viable. Therefore, in order to filter such a droplet, a droplet and a spatter such as a droplet are reduced by breaking a passage through a plasma ion beam including droplets and ions and electrons.

하지만, 이와 같은 방식의 필터드 아크(Filtered arc) 장비의 경우, 이온빔이 통로를 지나고 샘플에 도달할 때까지 아주 국소적인 부분에만 증착이 가능하다는 단점이 있다.However, in the case of such a filtered arc device, there is a disadvantage that the ion beam can be deposited only in a very local portion until it reaches the sample through the passage.

따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.Therefore, a method for solving such problems is required.

한국등록특허 제10-1376837호Korean Patent No. 10-1376837

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 발명으로서, 아크이온플레이팅 과정에서 형성되는 드롭렛과 같은 스패터를 줄이는 동시에 이온빔의 증착 범위를 크게 향상시킬 수 있는 아크이온플레이팅장치를 제공하기 위한 목적을 가진다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made in an effort to solve the above-mentioned problems of the conventional art, and an object of the present invention is to provide an arc ion plating apparatus capable of reducing a spatter like a droplet formed during arc ion plating, For example.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 네스트유닛을 포함하는 아크이온플레이팅장치는, 샘플이 수용되는 챔버, 아킹 현상에 의해 용융되어 증발되면서 이온화되는 타겟, 일측이 상기 챔버와 연결되고, 타측이 상기 타겟과 연결되어 이온빔의 이동 경로를 형성하는 필터라인 및 상기 챔버와 상기 필터라인의 연결부에 구비되며, 상기 필터라인을 따라 이동하는 이온빔을 흔들어 입사 범위 및 속도를 증가시키는 네스트유닛을 포함한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides an arc ion plating apparatus comprising a chamber accommodating a sample, a target to be ionized by being melted and evaporated by an arcing phenomenon, one side connected to the chamber, And a nest unit which is provided at a connection portion between the chamber and the filter line and increases the incident range and velocity by shaking the ion beam moving along the filter line.

그리고 상기 필터라인은 길이 방향으로 길게 형성되고 외측 둘레에 코일이 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르는 상태에서 상기 이온빔에 방향성을 인가할 수 있다.In addition, the filter line may be elongated in the longitudinal direction, and the coil may be provided around the outer periphery of the filter line, so that a directionality may be applied to the ion beam in a state that a current flows through the coil.

또한 상기 네스트유닛은 상기 필터라인의 일단부 둘레를 감싸도록 구비되어, 상기 필터라인 일단부 내측에 자기장을 전개하는 자석부를 포함할 수 있다.The nest unit may include a magnet portion surrounding the one end of the filter line and expanding a magnetic field inside the one end of the filter line.

그리고 상기 네스트유닛과 연결되어 상기 네스트유닛을 회전시키는 회전유닛을 더 포함할 수 있다.And a rotation unit connected to the nest unit to rotate the nest unit.

또한 상기 자석부는 상기 필터라인 일단부 둘레를 따라 구비되는 복수의 전자석을 포함하며, 상기 자석부는 상기 필터라인 둘레를 따라 영역 별로 분할되어, 각 영역 별로 서로 다른 주파수의 전류를 인가하도록 형성될 수 있다.The magnet portion may include a plurality of electromagnets provided along one end of the filter line, and the magnet portion may be divided into regions along the periphery of the filter line to apply currents of different frequencies to the respective regions .

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 네스트유닛을 포함하는 아크이온플레이팅장치는 다음과 같은 효과가 있다.In order to solve the above problems, the arc ion plating apparatus including the nest unit of the present invention has the following effects.

첫째, 필터라인을 통해 이온빔이 통과하는 과정에서 매크로 파티클, 드롭렛 등을 거를 수 있는 장점이 있다.First, there is an advantage that it can hang macro particles and droplets in the process of passing the ion beam through the filter line.

둘째, 네스트유닛을 통해 이온빔의 범위 확장 및 이온 가속이 가능하므로, 보다 넓은 범위에 피막 코팅이 가능하며, 이온 가속을 통하여 에너지가 증가함으로써 박막의 기계적 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.Second, since the range of ion beam can be expanded and the ion acceleration can be performed through the nest unit, a coating film can be coated over a wider range, and energy can be increased through ion acceleration to improve the mechanical characteristics of the thin film.

셋째, 네스트유닛에 적용되는 특성에 따라, 이온빔에 대하여 더욱 많은 흔들림을 부가하여 이온빔의 범위를 더욱 확장할 수 있는 장점이 있다.Third, according to characteristics applied to the nest unit, there is an advantage that the range of the ion beam can be further extended by adding more shaking to the ion beam.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치의 모습을 나타낸 도면;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치에 있어서, 이온빔의 진행 과정을 나타낸 도면;
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치에 있어서, 네스트유닛의 모습을 나타낸 도면;
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치에 있어서, 네스트유닛을 영역 별로 분할한 모습을 나타낸 도면; 및
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 아크이온플레이팅장치의 모습을 나타낸 도면이다.1 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a view showing the progress of the ion beam in the arc ion plating apparatus according to the first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 3 is a view showing a nest unit in the arc ion plating apparatus according to the first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 4 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a first embodiment of the present invention, in which nest units are divided into regions; FIG. And
5 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a second embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same designations and the same reference numerals are used for the same components, and further description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치의 모습을 나타낸 도면이며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치에 있어서, 이온빔의 진행 과정을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치는 챔버(20)와, 타겟(10)과, 필터라인(50)과, 네스트유닛(100)을 포함한다. 또한 본 실시예의 경우, 상기 네스트유닛(100)을 회전시키기 위한 회전유닛(200)을 더 포함하는 것으로 하였다.1, an arc ion plating apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a chamber 20, a target 10, a filter line 50, and a nest unit 100 . Further, in the case of this embodiment, the nest unit 100 is further provided with a rotation unit 200 for rotating the nest unit 100.

상기 챔버(20)의 내부에는 증착공간(21)이 형성되며, 상기 증착공간(21)의 내부에는 샘플(30)이 수용될 수 있다.A deposition space 21 is formed in the chamber 20 and a sample 30 can be accommodated in the deposition space 21.

그리고 상기 챔버(20)의 타측에는 아킹 현상에 의해 용융되어 증발되면서 이온화되는 타겟(10)이 구비된다. 즉 상기 타겟(10)에 충돌한 이온은 가속되어 도 2에 도시된 바와 같이 상기 필터라인(50)을 통해 상기 챔버(20) 측으로 이동하게 된다. 상기 타겟(10)의 경우 당업자에게 자명한 사항이므로, 보다 자세한 설명은 생략하도록 한다.The other side of the chamber 20 is provided with a target 10 which is melted by evaporation and ionized by the arcing phenomenon. That is, ions impinging on the target 10 are accelerated and moved toward the chamber 20 through the filter line 50 as shown in FIG. Since the target 10 is obvious to those skilled in the art, a detailed description thereof will be omitted.

상기 필터라인(50)은 일측이 상기 챔버(20)와 연결되고, 타측이 상기 타겟(10)과 연결되는 구성요소이며, 내측에 이온빔의 이동 경로(51)가 형성된다.The filter line 50 is connected to the chamber 20 at one side and connected to the target 10 at the other side, and a movement path 51 of the ion beam is formed inside.

특히 본 실시예에서 상기 필터라인(50)은 길이 방향으로 길게 형성되고, 경로의 일부가 굴곡진 형태로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 이온빔이 상기 필터라인(50)을 통과하는 과정에서 매크로 파티클, 드롭렛 등이 걸러지게 된다.Particularly, in the present embodiment, the filter line 50 is formed long in the longitudinal direction, and a part of the path may be formed in a curved shape. Accordingly, in the process of passing the ion beam through the filter line 50, macroparticles, droplets, and the like are filtered.

그리고 상기 필터라인(50)의 외측 둘레에는 코일(60)이 구비되어, 상기 필터라인(50)은 상기 코일(60)에 전류가 흐르는 상태에서 상기 이온빔에 방향성을 인가할 수 있다. 또한 상기 코일(60)은 상기 필터라인(50)의 길이 방향을 따라 복수 개가 구비될 수 있을 것이다.A coil 60 is provided on the outer periphery of the filter line 50 so that the filter line 50 can apply directionality to the ion beam in a state in which a current flows through the coil 60. In addition, a plurality of the coils 60 may be provided along the longitudinal direction of the filter line 50.

또한 본 실시예에서 상기 필터라인(50)의 상기 타겟(10)에 인접한 영역에는 점화기(40)가 구비될 수 있으며, 이는 공지된 사항이므로 자세한 설명은 생략하도록 한다.Also, in the present embodiment, the igniter 40 may be provided in an area of the filter line 50 adjacent to the target 10, which is a known matter, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기 네스트유닛(100)은 상기 챔버(20)와 상기 필터라인(50)의 연결부에 구비되며, 상기 필터라인(50)을 따라 이동하는 이온빔을 흔들어 입사 범위 및 입사 속도를 증가시키는 역할을 수행한다. 그리고 상기 네스트유닛(100)은 다양한 형태로 구현될 수 있다.The nest unit 100 is provided at a connection portion between the chamber 20 and the filter line 50 and shakes the ion beam moving along the filter line 50 to increase the incident range and the incident velocity . The nest unit 100 may be implemented in various forms.

본 실시예의 경우 상기 네스트유닛(100)은 상기 필터라인(50)의 일단부 둘레를 감싸도록 구비되어, 상기 필터라인(50) 일단부 내측에 자기장을 전개하는 자석부를 포함한다.In the present embodiment, the nest unit 100 includes a magnet unit that surrounds one end of the filter line 50 and develops a magnetic field inside one end of the filter line 50.

즉 상기 필터라인(50)을 통해 이동되는 이온빔은 상기 네스트유닛(100)이 위치된 영역에 전개된 자기장을 통과하며 흔들림이 발생함에 따라 입사 범위가 확장되며, 입사 속도가 증가하게 된다.That is, the ion beam traveling through the filter line 50 passes through the magnetic field developed in the region where the nest unit 100 is located, and the incidence range expands and the incidence velocity increases as shaking occurs.

따라서 본 실시예는 보다 넓은 범위에 피막 코팅이 가능하게 되며, 이온 가속을 통하여 에너지가 증가함으로써 박막의 기계적 특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.Therefore, the present embodiment is capable of coating a wider range and has an advantage that the mechanical properties of the thin film can be improved by increasing energy through ion acceleration.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 아크이온플레이팅장치에 있어서, 네스트유닛(100)의 모습을 나타낸 도면;FIG. 3 is a view showing a nest unit 100 in the arc ion plating apparatus according to the first embodiment of the present invention; FIG.

전술한 바와 같이 본 실시예의 네스트유닛(100)은 상기 필터라인(50) 일단부 내측에 자기장을 전개하는 자석부를 포함한다.As described above, the nest unit 100 of the present embodiment includes a magnet portion that develops a magnetic field inside one end of the filter line 50.

그리고 본 실시예의 경우, 상기 자석부는 상기 필터라인(50) 일단부 둘레를 따라 구비되는 복수의 전자석(110)을 포함한다. 즉 상기 자석부는 상기 전자석(110)의 자속력을 조절하여 상기 이온빔의 입사 범위 및 가속력을 조절 가능하도록 할 수 있다.In this embodiment, the magnet portion includes a plurality of electromagnets 110 disposed along one end of the filter line 50. That is, the magnet unit can adjust the magnetic range of the electromagnet 110 to adjust the incident range and acceleration of the ion beam.

특히 본 실시예는 상기 네스트유닛(100)과 연결되어 상기 네스트유닛(100)을 회전시키는 회전유닛(200)을 더 포함할 수 있다. 상기 회전유닛(200)은 상기 네스트유닛(100)의 회전 속도를 조절하도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 입사되는 이온빔을 더욱 큰 폭으로 흔들어 줄 수 있다.Particularly, the present embodiment may further include a rotation unit 200 connected to the nest unit 100 to rotate the nest unit 100. The rotation unit 200 may be configured to adjust the rotational speed of the nest unit 100, thereby shaking the incident ion beam to a greater extent.

또한 본 실시예에서 상기 회전유닛(200)은 상기 네스트유닛(100)의 후방에 구비되어 내측에 중공(101)이 형성된 연결부재(120)를 통해 연결되며, 기어 어셈블리 등을 통해 상기 네스트유닛(100) 전체를 원하는 속도로 회전시킬 수 있도록 형성된다.In the present embodiment, the rotation unit 200 is connected to the nest unit 100 through a connection member 120 having a hollow 101 formed on the inner side thereof. The rotation unit 200 is connected to the nest unit 100 through a gear assembly, 100 at a desired speed.

다만, 상기 회전유닛(200)은 본 실시예 외의 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 또한 상기 네스트유닛(100)의 다양한 위치에 연결될 수 있음은 물론이다.However, it should be understood that the rotation unit 200 may be implemented in various forms other than the embodiment, and may be connected to various positions of the nest unit 100.

한편 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 자석부는 상기 필터라인(50) 둘레를 따라 영역 별로 분할될 수 있으며, 각 영역 별로 상기 전자석(110)에 서로 다른 주파수의 전류를 인가하도록 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4, the magnet unit may be divided into regions along the filter line 50, and currents of different frequencies may be applied to the electromagnets 110 in each region.

본 실시예의 경우 도 4를 기준으로 상기 자석부를 상부에 위치된 제1영역(A), 하부에 위치된 제2영역(B), 좌측에 위치된 제3영역(C), 우측에 위치된 제4영역(D)으로 분할하였으며, 이들 각 영역에 속하는 전자석(110)에 각각 서로 다른 주파수의 전류를 인가하는 것으로 하였다.In the case of the present embodiment, the first region A positioned above, the second region B positioned below, the third region C located on the left, the third region C located on the right, 4 regions D, and currents of different frequencies are applied to the electromagnets 110 belonging to the respective regions.

즉 상기 필터라인(50)을 기준으로 상부와 하부, 오른쪽과 왼쪽의 전자석에 가해지는 주파수를 다르게 하여 빔을 더욱 흔들어 주어 대면적에 가능한 코팅 효과를 증가 시킬 수 있으며, 이온들의 이동 가속도를 상승시켜 에너지를 증가시킬 수 있을 것이다.In other words, the frequency applied to the upper and lower and right and left electromagnets may be different with respect to the filter line 50 to increase the coating effect as much as possible in a large area by raising the beam. Energy can be increased.

또한 각 영역에 위치되는 전자석(110)에 인가되는 전류의 주파수는 실시간으로 가변 가능하게 형성될 수 있음은 물론이다.It is needless to say that the frequency of the current applied to the electromagnet 110 located in each region can be varied in real time.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 아크이온플레이팅장치의 모습을 나타낸 도면이다.5 is a view showing an arc ion plating apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 본 발명의 제2실시예의 경우, 전체적으로 전술한 제1실시예와 동일한 구성요소를 가지도록 형성된다. 다만, 본 실시예의 경우 상기 네스터유닛(100)과 챔버(20) 사이에 거리가변부(150)가 더 구비된다는 점이 다르다.The second embodiment of the present invention shown in Fig. 5 is formed so as to have the same components as the first embodiment as a whole. However, in this embodiment, the distance varying part 150 is further provided between the nesting unit 100 and the chamber 20.

상기 거리가변부(150)는 상기 네스터유닛(100)과 상기 챔버(20) 사이의 거리를 조절할 수 있도록 형성되며, 이에 따라 상기 챔버(20) 내측으로 진입하여 상기 샘플(30)에 도달하는 순간의 이온빔의 입사 각도를 조절할 수 있도록 한다.The distance varying unit 150 may adjust the distance between the nestor unit 100 and the chamber 20 so that the distance variable unit 150 may enter the inside of the chamber 20 to reach the sample 30, Thereby adjusting the angle of incidence of the ion beam.

즉 상기 네스터유닛(100)과 상기 챔버(20) 사이의 거리가 증가하게 될 경우 상기 네스터유닛(100)과 상기 샘플(30) 간의 거리도 증가하게 되므로, 상기 네스터유닛(100)의 내측을 통과하며 방사하는 이온빔은 상기 샘플(30)에 보다 넓은 각도로 도달할 수 있다.That is, when the distance between the nestor 100 and the chamber 20 increases, the distance between the nestor 100 and the sample 30 also increases. Therefore, And the emitting ion beam can reach the sample 30 at a wider angle.

또한 상기 네스터유닛(100)과 상기 챔버(20) 사이의 거리가 감소하게 될 경우에는 상기 네스터유닛(100)과 상기 샘플(30) 간의 거리도 감소하게 되므로, 상기 네스터유닛(100)의 내측을 통과하며 방사하는 이온빔은 상기 샘플(30)에 보다 좁은 각도로 도달할 수 있게 된다.In addition, when the distance between the nestor 100 and the chamber 20 is reduced, the distance between the nestor 100 and the sample 30 also decreases. Therefore, So that the ion beam that passes and emits can reach the sample 30 at a narrow angle.

즉 본 실시예는 상기 거리가변부(150)를 통해 다양한 각도로 이온입을 상기 샘플(30)에 조사할 수 있는 장점이 있다.That is, this embodiment is advantageous in that the ion beam can be irradiated to the sample 30 at various angles through the distance varying unit 150.

그리고 상기 거리가변부(150)는 다양한 방법으로 상기 네스터유닛(100)과 상기 챔버(20) 사이의 거리를 가변시킬 수 있다. 본 실시예의 경우 상기 거리가변부(150)는 주름관 형태로 형성되어 수동으로 길이를 조절함으로써 상기 네스터유닛(100)과 상기 챔버(20) 사이의 거리를 가변시키는 형태를 가지나, 이에 제한되지 않고 상기 거리가변부(150)는 자동으로 길이를 제어할 수 있도록 형성될 수도 있으며, 길이 조절 구조 역시 다양한 형태로 구현될 수 있음은 물론이다.The distance varying unit 150 can vary the distance between the nestor 100 and the chamber 20 in various ways. In the present embodiment, the distance varying unit 150 is formed in a corrugated pipe shape and has a shape that manually adjusts the length to vary the distance between the nestor 100 and the chamber 20, The distance varying unit 150 may be formed to be capable of automatically controlling the length, and the length adjusting structure may be implemented in various forms.

이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is obvious to them. Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

10: 타겟 20: 챔버
21: 증착공간 30: 샘플
40: 점화기 50: 필터라인
51: 이동경로 60: 코일
100: 네스터유닛 110: 전자석
120: 연결부재 150: 거리가변부
200: 회전유닛10: target 20: chamber
21: deposition space 30: sample
40: Igniter 50: Filter line
51: travel path 60: coil
100: nestor unit 110: electromagnet
120: connecting member 150: distance variable portion
200: rotation unit

Claims (5)

샘플이 수용되는 챔버;
아킹 현상에 의해 용융되어 증발되면서 이온화되는 타겟;
일측이 상기 챔버와 연결되고, 타측이 상기 타겟과 연결되어 이온빔의 이동 경로를 형성하는 필터라인; 및
상기 챔버와 상기 필터라인의 연결부에 구비되며, 상기 필터라인을 따라 이동하는 이온빔을 흔들어 입사 범위 및 속도를 증가시키는 네스트유닛;
을 포함하는 아크이온플레이팅장치.A chamber in which a sample is received;
A target which is ionized while being melted and evaporated by an arcing phenomenon;
A filter line having one side connected to the chamber and the other side connected to the target to form a movement path of the ion beam; And
A nest unit provided at a connection portion between the chamber and the filter line, for increasing an incident range and a velocity by shaking the ion beam moving along the filter line;
And an arc ion plating apparatus. 제1항에 있어서,
상기 필터라인은 길이 방향으로 길게 형성되고 외측 둘레에 코일이 구비되어, 상기 코일에 전류가 흐르는 상태에서 상기 이온빔에 방향성을 인가하는 아크이온플레이팅장치.The method according to claim 1,
Wherein the filter line is elongated in the longitudinal direction and has a coil at an outer periphery thereof to apply directionality to the ion beam in a state in which current flows through the coil. 제1항에 있어서,
상기 네스트유닛은 상기 필터라인의 일단부 둘레를 감싸도록 구비되어, 상기 필터라인 일단부 내측에 자기장을 전개하는 자석부를 포함하는 아크이온플레이팅장치.The method according to claim 1,
Wherein the nest unit includes a magnet portion surrounding the one end of the filter line to develop a magnetic field inside the one end of the filter line. 제3항에 있어서,
상기 네스트유닛과 연결되어 상기 네스트유닛을 회전시키는 회전유닛을 더 포함하는 아크이온플레이팅장치.The method of claim 3,
And a rotating unit connected to the nest unit to rotate the nest unit. 제3항에 있어서,
상기 자석부는 상기 필터라인 일단부 둘레를 따라 구비되는 복수의 전자석을 포함하며,
상기 자석부는 상기 필터라인 둘레를 따라 영역 별로 분할되어, 각 영역 별로 서로 다른 주파수의 전류를 인가하도록 형성된 아크이온플레이팅장치.The method of claim 3,
Wherein the magnet portion includes a plurality of electromagnets provided along one end of the filter line,
Wherein the magnet portion is divided into regions along the periphery of the filter line to apply currents of different frequencies to the respective regions.
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