KR20180062205A

KR20180062205A - Blue organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same

Info

Publication number: KR20180062205A
Application number: KR1020160162220A
Authority: KR
Inventors: 이요섭; 한미영; 안소연; 박정수
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2016-11-30
Filing date: 2016-11-30
Publication date: 2018-06-08
Also published as: KR102707963B1

Abstract

An embodiment of the present invention relates to a blue organic light emitting diode and an organic light emitting display device including the same, capable of improving a lifetime. An electron blocking layer according to an embodiment of the present invention is made of a first electron blocking material and a second electron blocking material. The blue organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention and the organic light emitting display device with the blue organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention can improve the lifetime by reducing damage to the electron blocking layer in comparison with a conventional blue organic light emitting diode.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a blue organic light emitting diode (OLED) and an organic light emitting diode (OLED)

본 발명의 일 예는 청색 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.One example of the present invention relates to a blue organic light emitting diode and an organic light emitting display including the same.

최근 표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 표시 장치 중에서 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device, OLED)는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 화상을 표시한다. 이와 같은 유기 발광 표시 장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 자발광에 따라 저계조 표현력의 극대화가 가능하여 차세대 디스플레이로 각광받고 있다.Recently, the importance of display devices has been increasing with the development of multimedia. Among display devices, an organic light emitting display (OLED) displays an image using an organic light emitting diode that generates light by recombination of electrons and holes. Such an organic light emitting display device has a fast response speed and is capable of maximizing the low gradation expression power according to the self-emission, and thus it has been attracting attention as a next generation display.

유기 발광 표시 장치는 기판 상에 배치된 박막 트랜지스터층, 박막 트랜지스터층 상에 배치된 애노드 전극, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기 발광 다이오드, 유기 발광 소자와 캐소드 전극을 산소와 수분으로부터 보호하기 위해, 유기 발광 다이오드 상에 배치된 다층의 유기 및 무기막을 포함하는 봉지층, 봉지층을 덮으며 상부 기판의 역할을 하는 봉지필름, 및 봉지필름의 상부에 배치되어 외광의 반사로 인해 도시되는 화상의 시인성이 낮아지는 것을 방지하는 편광필름을 포함한다.The organic light emitting display includes a thin film transistor layer disposed on a substrate, an anode electrode disposed on the thin film transistor layer, an organic light emitting diode including an organic light emitting layer and a cathode electrode, a light emitting diode for protecting the organic light emitting element and the cathode electrode from oxygen and moisture An encapsulating layer comprising a multilayer organic and inorganic film disposed on the organic light emitting diode, a sealing film covering the encapsulating layer and serving as an upper substrate, and an encapsulating film disposed on the encapsulating film, And a polarizing film for preventing the visibility from being lowered.

유기 발광 다이오드는 애노드 전극들, 애노드 라인들, 유기 발광층들, 캐소드 전극, 및 뱅크들을 포함한다. 유기 발광층들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 유기 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer, ETL)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 유기 발광층으로 이동한다. 이동한 정공과 전자는 유기 발광층에서 만나서 엑시톤(exciton)을 형성하며, 서로 결합하여 발광하게 된다.The organic light emitting diode includes anode electrodes, anode lines, organic light emitting layers, a cathode electrode, and banks. Each of the organic light emitting layers may include a hole transporting layer (HTL), an organic light emitting layer, and an electron transporting layer (ETL). In this case, when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the organic light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. The transferred holes and electrons meet in the organic light emitting layer to form excitons, which are combined with each other to emit light.

캐소드 전극에서 유기 발광층으로 이동하는 전자는 발광층에서 결합하여 발광을 하여야 하며, 유기 발광층을 지나쳐서 다른 층에서 정공과 결합하는 경우 발광할 수가 없다. 따라서, 전자가 유기 발광층을 지나치지 못하도록, 유기 발광층과 인접하게 전자 저지층(electron blocking layer, EBL)이 배치된다.Electrons migrating from the cathode to the organic light emitting layer must emit light in the light emitting layer and can not emit light when they pass through the organic light emitting layer and are coupled to holes in another layer. Accordingly, an electron blocking layer (EBL) is disposed adjacent to the organic light emitting layer so that electrons do not pass through the organic light emitting layer.

그러나, 물리적으로 전자의 이동 속도가 정공의 이동 속도보다 빠르다. 게다가, 전자 저지층은 정공을 이동시키는 성질인 정공 이동도(Hole Mobility)가 낮다. 전자 전달 속도와 정공 전달 속도는 전자 전달층의 두께와 정공 전달층의 두께를 조절하여 제어할 수 있다. 그러나 전자 전달 속도와 정공 전달 속도를 정확하게 설계하는 것은 용이하지 않다. 만약, 전자 전달 속도에 비해서 정공 전달 속도를 느리게 설계한 경우, 전자가 유기 발광층을 거의 통과하여, 유기 발광층과 전자 저지층의 경계면에서 엑시톤을 형성하며, 서로 결합하여 발광하게 된다. 이에 따라, 전자 저지층에 스트레스가 가해져 유기 발광 다이오드의 수명이 짧아지게 된다.However, the moving speed of electrons is faster than the moving speed of holes. In addition, the electron blocking layer has a low hole mobility, which is a property of moving holes. The electron transfer rate and the hole transfer rate can be controlled by adjusting the thickness of the electron transport layer and the thickness of the hole transport layer. However, it is not easy to accurately design the electron transfer rate and the hole transfer rate. If the hole transporting speed is designed to be slower than the electron transporting speed, electrons pass almost through the organic luminescent layer to form excitons at the interface between the organic luminescent layer and the electron blocking layer. Accordingly, stress is applied to the electron blocking layer and the lifetime of the organic light emitting diode is shortened.

특히, 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 상대적으로 파장이 짧아서 유기 발광층 내부의 블루 호스트 또는 블루 도펀트에 가해지는 스트레스가 물리적으로 적색 또는 녹색 유기 발광 다이오드에 비하여 더욱 커서, 청색 유기 발광 다이오드의 수명은 적색 또는 녹색 유기 발광 다이오드에 비하여 짧다. 그러한 경우, 전자 저지층에 스트레스가 가해져 유기 발광 다이오드의 수명이 더욱 짧아지는 경우 신뢰성 측면에서 문제가 생긴다.Particularly, in the case of a blue organic light emitting diode, the wavelength is relatively short and the stress applied to the blue host or the blue dopant in the organic light emitting layer is physically larger than that of the red or green organic light emitting diode. Which is shorter than the green organic light emitting diode. In such a case, when stress is applied to the electron blocking layer and the lifetime of the organic light emitting diode is further shortened, there is a problem in terms of reliability.

본 발명의 일 예는 수명을 향상시킨 청색 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.One example of the present invention is to provide a blue organic light emitting diode having improved lifetime and an organic light emitting display including the same.

본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드는 애노드 전극, 애노드 전극 상에 배치된 정공 주입층, 정공 주입층 상에 배치된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 배치된 전자 저지층, 전자 저지층 상에 배치된 유기 발광층, 유기 발광층 상에 배치된 전자 수송층, 전자 수송층 상에 배치된 전자 주입층, 및 전자 주입층 상에 배치된 캐소드 전극을 포함한다. 본 발명의 일 예에 따른 전자 저지층은 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질로 이루어진다.The blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention includes an anode electrode, a hole injecting layer disposed on the anode electrode, a hole transporting layer disposed on the hole injecting layer, an electron blocking layer disposed on the hole transporting layer, An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer, an electron injection layer disposed on the electron transport layer, and a cathode electrode disposed on the electron injection layer. The electron blocking layer according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first electron blocking material and a second electron blocking material.

본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시하는 표시 영역에 본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드가 마련된다.The organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention in a display region for displaying an image.

본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드와, 화상을 표시하는 표시 영역에 본 발명의 일 예에 다른 청색 유기 발광 다이오드가 마련된 유기 발광 표시 장치는 기존의 청색 유기 발광 다이오드에 비하여 전자 저지층에 손상이 적게 가서, 수명이 향상될 수 있다.The organic light emitting display device in which the blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention and the blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention are provided in a display region for displaying an image, Less damage and longer life can be achieved.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 일 예시도면이다.
도 2는 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자 저지층을 나타낸 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제1 전자 저지층 및 제2 전자 저지층을 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 에에 따른 제1 전자 저지층, 제2 전자 저지층, 블루 호스트, 및 블루 도펀트의 LUMO 에너지 준위 다이어그램이다.
도 9는 본 발명의 일 에에 따른 제1 전자 저지층, 제2 전자 저지층, 블루 호스트, 및 블루 도펀트의 T1 에너지 준위 다이어그램이다.
도 10은 본 발명의 일 예에 따른 제1 전자 저지층 및 제2 전자 저지층의 정공 이동도를 비교한 다이어그램이다.
도 11은 비교예, 본 발명의 제 1 실시예, 및 본 발명의 제 2 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 시간에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다.1 is a schematic view illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view illustrating a structure of an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of a blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an electron blocking layer according to a first embodiment of the present invention.
5 to 7 are cross-sectional views illustrating a first electron blocking layer and a second electron blocking layer according to a second embodiment of the present invention.
Figure 8 is a LUMO energy level diagram of a first electron blocking layer, a second electron blocking layer, a blue host, and a blue dopant according to an aspect of the present invention.
9 is a T1 energy level diagram of a first electron blocking layer, a second electron blocking layer, a blue host, and a blue dopant according to an aspect of the present invention.
10 is a diagram comparing hole mobility of the first electron blocking layer and the second electron blocking layer according to an example of the present invention.
11 is a graph showing changes in luminance over time of a blue organic light emitting diode according to a comparative example, a first embodiment of the present invention, and a second embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 일 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 일 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 일 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will become apparent by reference to the examples which are described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the exemplary embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 일 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers and the like disclosed in the drawings for describing an example of the present invention are merely exemplary, and the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

본 명세서에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Where the terms "comprises," "having," "consisting of," and the like are used in this specification, other portions may be added as long as "only" is not used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

"제1 수평 축 방향", "제2 수평 축 방향" 및 "수직 축 방향"은 서로 간의 관계가 수직으로 이루어진 기하학적인 관계만으로 해석되어서는 아니 되며, 본 발명의 구성이 기능적으로 작용할 수 있는 범위 내에서보다 넓은 방향성을 가지는 것을 의미할 수 있다. The terms "first horizontal axis direction "," second horizontal axis direction ", and "vertical axis direction" should not be interpreted solely by the geometric relationship in which the relationship between them is vertical, It may mean having a wider directionality in the inside.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미할 수 있다. It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, May refer to any combination of items that may be presented from more than one.

본 발명의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various examples of the present invention can be combined or combined with each other partly or entirely, and technically various interlocking and driving are possible, and each example can be independently performed with respect to each other, .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 보여주는 일 예시도면이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일 측 단면도를 도시하였다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하부 기판(10), 박막 트랜지스터층(20), 유기 발광 다이오드(30), 봉지층(40), 접착층(50), 및 편광 필름(60)을 구비한다.1 is a schematic view illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of one side of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention for convenience of description. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a lower substrate 10, a thin film transistor layer 20, an organic light emitting diode 30, an encapsulation layer 40, an adhesive layer 50, And a polarizing film (60).

하부 기판(10)은 유리(glass) 또는 플라스틱(plastic)으로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치가 플렉서블 표시 장치로 구현되는 경우, 하부 기판(10)은 구부러지거나 휘어질 수 있으며, 복원력이 높은 재료로 형성될 수 있다.The lower substrate 10 may be formed of glass or plastic. When the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention is implemented as a flexible display device, the lower substrate 10 may be bent or bent, and may be formed of a material having high restoring force.

하부 기판(10) 상에는 박막 트랜지스터층(20)이 마련된다. 박막 트랜지스터층(20)은 게이트 라인들, 데이터 라인들, 박막 트랜지스터들을 포함한다. 박막 트랜지스터들 각각은 게이트 전극, 반도체층, 소스 및 드레인 전극을 포함한다. 게이트 구동회로가 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성되는 경우, 박막 트랜지스터층(20)은 표시 영역(DA)에 마련될 수 있다.On the lower substrate 10, a thin film transistor layer 20 is provided. The thin film transistor layer 20 includes gate lines, data lines, and thin film transistors. Each of the thin film transistors includes a gate electrode, a semiconductor layer, and a source and a drain electrode. When the gate driver circuit is formed by a gate driver in panel (GIP) method, the thin film transistor layer 20 may be provided in the display area DA.

박막 트랜지스터층(20) 상에는 유기 발광 다이오드(30)가 마련된다. 유기 발광 다이오드(30)는 애노드 전극들, 애노드 라인들, 유기 발광층들, 캐소드 전극, 및 뱅크들을 포함한다. 유기 발광층들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 발광층(organic light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer, ETL)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극과 캐소드 전극에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동한다. 이동한 정공과 전자는 발광층에서 만나서 엑시톤(exciton)을 형성하며, 서로 결합하여 발광하게 된다. 도 1에서는 유기 발광 다이오드(30)가 마련된 영역을 표시 영역(DA)으로 정의하였다.On the thin film transistor layer 20, an organic light emitting diode 30 is provided. The organic light emitting diode 30 includes anode electrodes, anode lines, organic light emitting layers, a cathode electrode, and banks. Each of the organic light emitting layers may include a hole transporting layer (HTL), an organic light emitting layer, and an electron transporting layer (ETL). In this case, when a voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes and electrons move to the light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively. The transferred holes and electrons meet in the light emitting layer to form excitons, which are combined with each other to emit light. In FIG. 1, a region where the organic light emitting diode 30 is provided is defined as a display region DA.

유기 발광 다이오드(30) 상에는 봉지층(40)이 마련된다. 봉지층(40)은 유기 발광 다이오드(30)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 봉지층(40)은 적어도 하나의 유기막 및 무기막을 포함한다.On the organic light emitting diode 30, an encapsulation layer 40 is provided. The sealing layer 40 serves to prevent penetration of oxygen or moisture into the organic light emitting diode 30. The encapsulation layer 40 comprises at least one organic film and an inorganic film.

봉지층(40) 상에는 접착층(50)이 마련된다. 접착층(50)은 박막 트랜지스터층(20), 유기 발광 다이오드(30) 및 봉지층(40)이 마련된 하부 기판(10)과 편광 필름(60)을 접착한다. 접착층(50)은 OCR층(optically clear resin layer) 또는 OCA 필름(optically clear adhesive film)일 수 있다. 접착층(50)이 OCA 필름(optically clear adhesive film)인 경우, 편광 필름(60)을 보다 견고하게 접착하기 위해서 봉지층(40) 상에 소정의 평탄화층을 추가로 마련하고 소정의 평탄화층과 편광 필름(60)을 접착하는 것이 바람직하다.On the sealing layer 40, an adhesive layer 50 is provided. The adhesive layer 50 adheres the polarizing film 60 to the lower substrate 10 provided with the thin film transistor layer 20, the organic light emitting diode 30 and the sealing layer 40. The adhesive layer 50 may be an optically clear resin layer (OCR) or an optically clear adhesive film (OCA). When the adhesive layer 50 is an OCA film (optically clear adhesive film), a predetermined flattening layer is additionally provided on the sealing layer 40 in order to firmly adhere the polarizing film 60, and a predetermined flattening layer and polarized light It is preferable to adhere the film 60.

편광 필름(60)은 수분 및 산소 침투를 막는 봉지 기능 및 입사되는 광의 편광을 제어하는 편광 기능을 수행한다.The polarizing film 60 performs a sealing function for blocking moisture and oxygen penetration and a polarizing function for controlling polarization of incident light.

도 2는 본 발명의 일 일 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 상세히 보여주는 단면도이다. 도 2에서는 유기 발광 표시 장치의 표시 영역(DA)의 일부를 도시하였다.2 is a cross-sectional view illustrating an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention. 2 shows a part of the display area DA of the organic light emitting diode display.

하부 기판(10) 상에는 박막 트랜지스터층(20)이 마련된다. 박막 트랜지스터층(20)은 게이트 라인들, 데이터 라인들, 박막 트랜지스터(110)들, 층간 절연막(120), 및 게이트 절연막(130)을 포함한다. 도 2에서는 박막 트랜지스터(110)들이 게이트 전극이 반도체층의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 즉, 박막 트랜지스터(110)들은 게이트 전극이 반도체층의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식으로 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(110)들 각각은 반도체층(111), 게이트 전극(112), 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)을 포함한다.On the lower substrate 10, a thin film transistor layer 20 is provided. The thin film transistor layer 20 includes gate lines, data lines, thin film transistors 110, an interlayer insulating film 120, and a gate insulating film 130. In FIG. 2, the thin film transistors 110 are formed in a top gate structure in which the gate electrode is located on the top of the semiconductor layer. However, the present invention is not limited thereto. That is, the thin film transistors 110 may be formed by a bottom gate method in which a gate electrode is located under the semiconductor layer. Each of the thin film transistors 110 includes a semiconductor layer 111, a gate electrode 112, a source electrode 113, and a drain electrode 114.

하부 기판(10) 상에는 반도체층(111)들이 마련된다. 하부 기판(10)과 반도체층(111)들 사이에 버퍼막이 마련될 수 있다. 반도체층(111)들 상에는 층간 절연막(120)이 마련될 수 있다. 층간 절연막(120) 상에는 게이트 전극(112)들이 마련될 수 있다. 게이트 전극(112)들 상에는 게이트 절연막(130)이 마련될 수 있다. 게이트 절연막(130) 상에는 소스 전극(113)들 및 드레인 전극(114)들이 마련될 수 있다. 소스 전극(113)들 및 드레인 전극(114)들 각각은 층간 절연막(120)과 게이트 절연막(130)을 관통하는 컨택 홀(contact hole)을 통해 반도체층(111)에 접속될 수 있다.On the lower substrate 10, semiconductor layers 111 are provided. A buffer film may be provided between the lower substrate 10 and the semiconductor layers 111. [ The interlayer insulating layer 120 may be formed on the semiconductor layers 111. Gate electrodes 112 may be provided on the interlayer insulating film 120. A gate insulating layer 130 may be formed on the gate electrodes 112. Source electrodes 113 and drain electrodes 114 may be provided on the gate insulating layer 130. Each of the source electrodes 113 and the drain electrodes 114 may be connected to the semiconductor layer 111 through a contact hole penetrating the interlayer insulating layer 120 and the gate insulating layer 130.

박막 트랜지스터층(20) 상에는 평탄화막(140)이 마련된다. 평탄화막(140)은 뱅크(155)들에 의해 구획되는 화소(P)들을 평탄하게 배열하기 위해 박막 트랜지스터층(20) 상에 마련된다. 평탄화막(140)은 포토 아크릴(photo acryl) 및 폴리이미드(polyimide)와 같은 레진(resin)으로 형성될 수 있다.A planarizing film 140 is provided on the thin film transistor layer 20. The planarizing film 140 is provided on the thin film transistor layer 20 to flatten the pixels P partitioned by the banks 155. [ The planarization layer 140 may be formed of a resin such as photo acryl and polyimide.

평탄화막(140) 상에는 유기 발광 다이오드(30)가 마련된다. 유기 발광 다이오드(30)는 애노드 전극(151)들, 애노드 라인(152), 유기 발광층(153)들, 캐소드 전극(154), 및 뱅크(155)들을 포함한다. 애노드 전극(151)들과 유기 발광층(153)들은 표시 영역(DA)에 마련될 수 있으며, 애노드 라인(152), 캐소드 전극(154), 및 뱅크(155)들은 표시 영역(DA)과 비표시 영역에 마련될 수 있다.An organic light emitting diode 30 is provided on the planarization layer 140. The organic light emitting diode 30 includes an anode electrode 151, an anode line 152, an organic light emitting layer 153, a cathode electrode 154, and banks 155. The anode electrodes 151 and the organic light emitting layers 153 may be provided in the display area DA and the anode line 152, the cathode electrode 154, and the banks 155 may be disposed in the display area DA and non- Area.

평탄화막(140) 상에는 애노드 전극(151)들이 마련된다. 애노드 전극(151)들 각각은 평탄화막(140)을 관통하는 컨택 홀을 통해 드레인 전극(114)에 접속된다.On the planarizing film 140, anode electrodes 151 are provided. Each of the anode electrodes 151 is connected to the drain electrode 114 through a contact hole passing through the planarization film 140.

또한, 평탄화막(150) 상에는 애노드 라인(152)이 마련된다. 애노드 라인(152)은 전원 전압을 공급하는 전원 라인 또는 게이트 구동회로에 공급되는 구동 전압을 공급하는 구동 전압 라인일 수도 있다. 예를 들어, 애노드 라인(152)은 소스 드레인 패턴과 캐소드 전극(154)에 접속되어 캐소드 전원을 공급하는 캐소드 전원 라인일 수 있다. 소스 드레인 패턴은 평탄화막(150) 바깥쪽으로 노출되며, 소스 드레인 패턴에는 전원 전압 또는 구동 전압이 공급될 수 있다.An anode line 152 is provided on the planarizing film 150. [ The anode line 152 may be a power supply line for supplying a power supply voltage or a driving voltage line for supplying a driving voltage supplied to the gate driving circuit. For example, the anode line 152 may be a cathode power line connected to the source drain pattern and the cathode electrode 154 to supply the cathode power. The source drain pattern is exposed to the outside of the planarization film 150, and a source voltage or a drive voltage can be supplied to the source drain pattern.

표시 영역(DA)에서 뱅크(155)들 사이로 노출된 애노드 전극(151)들 상에는 유기 발광층(153)들이 마련된다. 뱅크(155)들 각각의 높이는 유기 발광층(153)들 각각의 높이보다 높기 때문에, 유기 발광층(153)들은 뱅크(155)들에 의해 구획된다. 즉, 유기 발광층(153)들 각각은 뱅크(155)들 사이에 배치된다. 한편, 뱅크(155)들에 사이로 노출된 애노드 전극(151)과 그 애노드 전극(151)상에 마련된 유기 발광층(153)과 그 애노드 전극(151)에 드레인 전극(114)이 접속되는 박막 트랜지스터(110)를 포함하는 영역은 화소(P)로 정의될 수 있다.Organic light emitting layers 153 are provided on the anode electrodes 151 exposed between the banks 155 in the display area DA. Since the height of each of the banks 155 is higher than the height of each of the organic light emitting layers 153, the organic light emitting layers 153 are partitioned by the banks 155. That is, each of the organic light emitting layers 153 is disposed between the banks 155. On the other hand, the organic light emitting layer 153 provided on the anode electrode 151 and the anode electrode 151 exposed through the banks 155 and the thin film transistor 110 may be defined as a pixel P. [

유기 발광층(153)들 각각은 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer, ETL)을 포함할 수 있다. 이 경우, 애노드 전극(151)과 캐소드 전극(154)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.Each of the organic light emitting layers 153 may include a hole transporting layer (HTL), a light emitting layer, and an electron transporting layer (ETL). In this case, when a voltage is applied to the anode electrode 151 and the cathode electrode 154, holes and electrons move to the light emitting layer through the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively.

캐소드 전극(154)은 표시 영역(DA)에서 유기 발광층(153)들과 뱅크(155)들을 덮도록 유기 발광층(153)들과 뱅크(155)들 상에 마련된다. 캐소드 전극(154)은 비표시 영역에서 뱅크(155)들 사이로 노출된 애노드 라인(152) 상에 마련될 수도 있다.The cathode electrode 154 is provided on the organic light emitting layers 153 and the banks 155 so as to cover the organic light emitting layers 153 and the banks 155 in the display area DA. The cathode electrode 154 may be provided on the anode line 152 exposed between the banks 155 in the non-display area.

유기 발광 다이오드(30) 상에는 봉지층(40)이 마련된다. 봉지층(40)은 유기 발광 다이오드(30)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층(40)은 유무기 복합막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(40)은 제1 무기막(141), 유기막(142) 및 제2 무기막(143)을 포함할 수 있다.On the organic light emitting diode 30, an encapsulation layer 40 is provided. The sealing layer 40 serves to prevent penetration of oxygen or moisture into the organic light emitting diode 30. For this purpose, the sealing layer 40 may be formed of an organic-inorganic composite film. For example, the sealing layer 40 may include a first inorganic film 141, an organic film 142, and a second inorganic film 143.

제1 무기막(141)은 캐소드 전극(154)을 덮도록 캐소드 전극(154) 상에 마련된다. 유기막(142)은 이물들(particles)이 제1 무기막(141)을 뚫고 유기 발광층(153)과 캐소드 전극(154)에 투입되는 것을 방지하기 위해 제1 무기막(141) 상에 마련된다. 제2 무기막(143)은 유기막(142)을 덮도록 유기막(142) 상에 마련된다 The first inorganic film 141 is provided on the cathode electrode 154 so as to cover the cathode electrode 154. The organic film 142 is provided on the first inorganic film 141 to prevent the particles from penetrating the first inorganic film 141 and being injected into the organic light emitting layer 153 and the cathode electrode 154 . The second inorganic film 143 is provided on the organic film 142 so as to cover the organic film 142

제1 및 제2 무기막들(141, 143) 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 무기막들(141, 143) 각각은 TiOx, ZnO, SiNx, SiO₂, Al₂O₃, SiON 으로 형성될 수 있다.Each of the first and second inorganic films 141 and 143 may be formed of silicon nitride, aluminum nitride, zirconium nitride, titanium nitride, hafnium nitride, tantalum nitride, silicon oxide, aluminum oxide or titanium oxide. For example, each of the first and second inorganic films 141 and 143 may be formed of a TiOx, ZnO, SiNx, SiO _2, Al ₂ O _3, SiON.

봉지층(40) 상에는 접착층(50)이 마련된다. 접착층(50)은 봉지층(40)과 편광 필름(60)을 접착함으로써 박막 트랜지스터층(20), 유기 발광 다이오드(30) 및 봉지층(40)이 마련된 하부 기판(10)과 편광 필름(60)을 접착시킨다.On the sealing layer 40, an adhesive layer 50 is provided. The adhesive layer 50 bonds the sealing layer 40 and the polarizing film 60 to the lower substrate 10 having the thin film transistor layer 20, the organic light emitting diode 30 and the sealing layer 40 and the polarizing film 60 ).

도 3은 본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드(200)의 단면도이다. 본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드(200)는 애노드 전극(210), 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL)(220), 정공 수송층(Hole Transfer Layer, HTL)(230), 전자 저지층(Electron Blocking Layer, EBL)(240), 유기 발광층(Emission Layer, EML)(250), 전자 수송층(Electron Transfer Layer, ETL)(260), 전자 주입층(Electorn Injection Layer, EIL)(270), 및 캐소드 전극(280)을 포함한다.3 is a cross-sectional view of a blue organic light emitting diode 200 according to an exemplary embodiment of the present invention. The blue organic light emitting diode 200 according to an exemplary embodiment of the present invention includes an anode 210, a hole injection layer (HIL) 220, a hole transfer layer (HTL) 230, An electron transport layer (ETL) 260, an electron injection layer (EIL) 270, an electron injection layer (EIL) , And a cathode electrode (280).

애노드 전극(210)은 청색 유기 발광 다이오드(200)의 최하단에 배치된다. 애노드 전극(210)은 산화 반응이 진행되는 전극을 의미한다. 산화 반응이 진행되면 정공이 발생한다. 애노드 전극(210)은 산화 반응으로 발생시킨 정공을 방출한다. 애노드 전극(210) 일함수(work function)가 높은 투명 도전층을 포함하여 이루어질 수 있다. 투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 또는 ZnO 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 애노드 전극(210)은 투과 전극 또는 반투과 전극으로 형성된다. 이에 따라, 애노드 전극(210)은 유기 발광층(250)에서 발생한 빛을 외부로 방출할 수 있어, 배면으로 빛을 발광하는 청색 유기 발광 다이오드를 구현할 수 있다.The anode electrode 210 is disposed at the lowermost end of the blue organic light emitting diode 200. The anode electrode 210 means an electrode where oxidation reaction proceeds. When the oxidation reaction proceeds, holes are generated. The anode electrode 210 emits holes generated by the oxidation reaction. The anode electrode 210 may include a transparent conductive layer having a high work function. The transparent conductive layer may be made of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), SnO2 or ZnO, but is not limited thereto. The anode electrode 210 is formed as a transmissive electrode or a transflective electrode. Accordingly, the anode electrode 210 can emit light generated from the organic light emitting layer 250 to the outside, thereby realizing a blue organic light emitting diode that emits light to the back side.

정공 주입층(220)은 애노드 전극(210) 상에 배치된다. 정공 주입층(220)은 애노드 전극(210)으로부터 방출된 정공을 유기 발광층(250) 방향으로 주입시킨다. 정공 주입층(220)은 애노드 전극(210)으로부터의 정공 주입을 원활하게 하는 재료를 이용하여 형성한다.The hole injection layer 220 is disposed on the anode electrode 210. The hole injection layer 220 injects the holes emitted from the anode electrode 210 toward the organic light emitting layer 250. The hole injection layer 220 is formed using a material that smoothly injects holes from the anode electrode 210.

정공 수송층(230)은 정공 주입층(220) 상에 배치된다. 정공 수송층(230)은 정공 주입층(220)에서 공급된 정공을 유기 발광층(250)으로 공급한다. 정공 수송층(230)은 정공 이동도(Hole Mobility)가 높아 정공을 용이하게 수송하는 재료를 이용하여 형성한다. 정공 수송층(230)의 정공 이동도는 10^-4 cm² / V·sec 이상 10^-3 cm² / V·sec 이하이다.The hole transport layer 230 is disposed on the hole injection layer 220. The hole transport layer 230 supplies the holes supplied from the hole injection layer 220 to the organic emission layer 250. The hole transporting layer 230 is formed using a material that easily transports holes because of its high hole mobility. The hole mobility of the hole transport layer 230 is 10 ^-4 cm ² / V · sec or more and 10 ^-3 cm ² / V · sec or less.

전자 저지층(240)은 정공 수송층(230) 상에 배치된다. 전자 저지층(240)은 전자가 유기 발광층(250)에서 정공 수송층(230) 방향으로 넘어오지 못하도록 저지하는 역할을 수행한다. 전자 저지층(240)은 전자들을 저지하기 위하여 높은 에너지 준위 장벽을 가져야 한다. 보다 구체적으로, 전자 저지층(240)은 높은 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, 최저 비점유 분자 오비탈) 에너지 준위를 갖는다. 또한, 전자 저지층(240)은 높은 T1(Triplet Energy State) 에너지 준위를 갖는다. 또한, 전자 저지층(240)은 전자 이동도가 낮아 전자를 용이하게 저지하는 재료를 이용하여 형성한다. 전자 저지층(240)의 전자 이동도는 10^-7 cm² / V·sec 이상 10^-6 cm² / V·sec 이하이다.The electron blocking layer 240 is disposed on the hole transporting layer 230. The electron blocking layer 240 serves to prevent electrons from passing from the organic light emitting layer 250 toward the hole transport layer 230. The electron blocking layer 240 must have a high energy level barrier to block electrons. More specifically, the electron blocking layer 240 has a high LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) energy level. In addition, the electron blocking layer 240 has a high Triplet Energy State (T1) energy level. Further, the electron blocking layer 240 is formed using a material that has a low electron mobility and can easily block electrons. The electron mobility of the electron blocking layer 240 is 10 ^-7 cm ² / V · sec or more and 10 ^-6 cm ² / V · sec or less.

본 발명의 일 예에 따른 전자 저지층(240)은 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질로 이루어진다. 이 경우, 단일의 전자 저지 물질을 이용하여 전자 저지층(240)을 형성할 때보다 정공을 전달하는 성능이 더욱 뛰어나다.The electron blocking layer 240 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first electron blocking material and a second electron blocking material. In this case, the performance of transferring holes is more excellent than when the electron blocking layer 240 is formed using a single electron blocking material.

전자가 전자 저지층(240)에 의해 유기 발광층(250)에 머물지 않고 유기 발광층(250)을 통과하는 경우, 유기 발광층(250) 외부에서 엑시톤을 형성한다. 이에 따라, 유기 발광층(250) 내부에서 생성되는 엑시톤의 숫자가 감소하게 되어, 청색 유기 발광 다이오드의 발광층(250)의 휘도가 낮아지게 된다. 본 발명의 일 예는 전자 저지층의 성능을 개선시켜, 엑시톤이 유기 발광층(250) 내부에서 생성되도록 하여 청색 유기 발광 다이오드의 휘도를 높일 수 있다.When electrons pass through the organic light emitting layer 250 without staying in the organic light emitting layer 250 by the electron blocking layer 240, an exciton is formed outside the organic light emitting layer 250. As a result, the number of the excitons generated in the organic light emitting layer 250 decreases, and the luminance of the light emitting layer 250 of the blue organic light emitting diode decreases. One example of the present invention is to improve the performance of the electron blocking layer and to increase the brightness of the blue organic light emitting diode by causing excitons to be generated inside the organic light emitting layer 250.

유기 발광층(250)은 전자 저지층(240) 상에 배치된다. 유기 발광층(250) 내부에서는 애노드 전극(210)에서 방출된 정공과 캐소드(280)에서 방출된 전자가 만나서 서로 결합하여 엑시톤(exiton)을 형성한다. 유기 발광층(250)을 구성하는 유기물은 엑시톤을 이용하여 각 물질의 성질에 따라 설정된 색상의 빛을 방출한다. 청색 유기 발광 다이오드(200)에서, 유기 발광층(250)은 450㎚ 내외의 파장을 갖는 청색광을 방출한다.The organic light emitting layer 250 is disposed on the electron blocking layer 240. In the organic light emitting layer 250, the holes emitted from the anode electrode 210 and the electrons emitted from the cathode 280 meet and combine with each other to form an exciton. The organic material constituting the organic light emitting layer 250 emits light of a color set according to the property of each material by using an exciton. In the blue organic light emitting diode 200, the organic light emitting layer 250 emits blue light having a wavelength of about 450 nm.

전자 수송층(260)은 유기 발광층(250) 상에 배치된다. 전자 수송층(260)은 전자 주입층(270)에서 공급된 전자를 유기 발광층(250)으로 공급한다. 전자 수송층(260)은 전자 이동도(Electron Mobility)가 높아 전자를 용이하게 수송하는 재료를 이용하여 형성한다. 전자 수송층(260)의 전자 이동도는 10^-4 cm² / V·sec 이상 10^-3 cm² / V·sec 이하이다.The electron transport layer 260 is disposed on the organic light emitting layer 250. The electron transport layer 260 supplies electrons supplied from the electron injection layer 270 to the organic emission layer 250. The electron transporting layer 260 is formed using a material that facilitates electron transport because of high electron mobility. The electron mobility of the electron transport layer 260 is 10 ^-4 cm ² / V · sec or more and 10 ^-3 cm ² / V · sec or less.

전자 주입층(270)은 전자 수송층(260) 상에 배치된다. 전자 주입층(270)은 캐소드 전극(280)으로부터 방출된 전자를 유기 발광층(250) 방향으로 주입시킨다. 전자 주입층(270)은 캐소드 전극(280)으로부터의 전자 주입을 원활하게 하는 재료를 이용하여 형성한다.The electron injection layer 270 is disposed on the electron transport layer 260. The electron injection layer 270 injects electrons emitted from the cathode electrode 280 toward the organic light emitting layer 250. The electron injection layer 270 is formed using a material that smoothly injects electrons from the cathode electrode 280.

캐소드 전극(280)은 전자 주입층(270) 상에 배치된다. 캐소드 전극(280)은 청색 유기 발광 다이오드(200)의 최상단에 배치된다. 캐소드 전극(280)은 환원 반응이 진행되는 전극을 의미한다. 환원 반응이 진행되면 전자가 발생한다. 캐소드 전극(280)은 환원 반응으로 발생시킨 전자를 방출한다. 캐소드 전극(280)은 일함수가 낮은 금속, 예로서, 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 리튬(Li) 또는 칼슘(Ca) 등으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 캐소드 전극(280)은 반사 전극의 역할을 한다.The cathode electrode 280 is disposed on the electron injection layer 270. The cathode electrode 280 is disposed at the top of the blue organic light emitting diode 200. The cathode electrode 280 refers to an electrode through which the reduction reaction proceeds. When the reduction reaction proceeds, electrons are generated. The cathode electrode 280 emits electrons generated by the reduction reaction. The cathode electrode 280 may be made of a metal having a low work function such as aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), lithium (Li), calcium (Ca) no. The cathode electrode 280 serves as a reflective electrode.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자 저지층(240)을 나타낸 단면도이다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자 저지층(240)은 기준 두께(T)만큼의 두께로 배치된다. 기준 두께(T)는 전자가 정공 수송층(230)으로 넘어가는 현상을 방지하기 위하여 필요한 최소 두께이다. 본 발명의 제 1 실시예에서, 기준 두께(T1)는 80Å 이상 120Å 이하일 수 있다. 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자 저지층(240)을 이루는 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질은 전자 저지층(240) 내에서 균일하게 혼합된 상태이다.4 is a cross-sectional view showing an electron blocking layer 240 according to the first embodiment of the present invention. The electron blocking layer 240 according to the first embodiment of the present invention is disposed with a thickness equal to the reference thickness T. [ The reference thickness T is a minimum thickness required to prevent electrons from being transferred to the hole transport layer 230. In the first embodiment of the present invention, the reference thickness T1 may be 80 angstroms or more and 120 angstroms or less. The first electron blocking material and the second electron blocking material constituting the electron blocking layer 240 according to the first embodiment of the present invention are uniformly mixed in the electron blocking layer 240.

전자 저지층(240)을 형성할 때, 일반적으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식을 적용한다. 화학 기상 증착 방식을 적용하는 경우, 전자 저지층(240)을 이루는 전자 저지 물질을 증기 상태로 기저 층 상에 분사한다. 분사된 전자 저지 물질은 기저 층 상에 박막 형태로 증착된다. 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질이 혼합된 전자 저지층(240)을 형성하는 경우, 별도의 도가니 또는 용기에 담긴 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질을 각각 증기 상태로 분사하여, 두 물질이 증기 상태에서 혼합되면서 전자 저지층(240)을 증착한다.When the electron blocking layer 240 is formed, a chemical vapor deposition (CVD) method is generally applied. When the chemical vapor deposition method is applied, an electron blocking material constituting the electron blocking layer 240 is sprayed onto the base layer in a vapor state. The injected electron blocking material is deposited in the form of a thin film on the base layer. In the case of forming the electron blocking layer 240 in which the first electron blocking material and the second electron blocking material are mixed, the first electron blocking material and the second electron blocking material contained in the separate crucible or the container are sprayed in a vapor state , The electron blocking layer 240 is deposited while the two materials are mixed in a vapor state.

이 때, 전자 저지층(240)을 이루는 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질을 균일하게 혼합된 상태로 형성함으로써, 전자 저지층(240)을 화학 기상 증착 방식으로 용이하게 증착할 수 있다.At this time, the electron blocking layer 240 can be easily deposited by the chemical vapor deposition method by forming the first electron blocking material and the second electron blocking material constituting the electron blocking layer 240 in a uniformly mixed state .

전자 저지층(240) 내에서 제1 전자 저지 물질의 비율은 30% 이상 70% 이하이다. 제1 전자 저지 물질의 비율이 30%인 경우, 제2 전자 저지 물질의 비율은 70%이다. 제1 전자 저지 물질의 비율이 70%인 경우, 제2 전자 저지 물질의 비율은 30%이다. 전자 저지층(240)의 정공 전달 기능을 보다 개선하기 위해서 두 가지의 전자 저지 물질을 사용한다. 제1 전자 저지 물질은 T1 에너지 준위가 높은 물질이고, 제2 전지 저지 물질은 정공 이동도가 높은 물질이므로, 두 가지의 물질이 모두 필요하다. 이 때, 전자 저지층(240) 내에서 제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질 모두 최소 30% 이상의 비율인 경우에만 전자 저지층(240)의 전자 저지 기능 유지에 더하여, 정공 전달 기능의 개선 효과가 발현된다.The ratio of the first electron blocking material in the electron blocking layer 240 is 30% or more and 70% or less. When the ratio of the first electron blocking material is 30%, the ratio of the second electron blocking material is 70%. When the ratio of the first electron blocking substance is 70%, the ratio of the second electron blocking substance is 30%. Two electron blocking materials are used to further improve the hole transport function of the electron blocking layer 240. The first electron blocking material is a material having a high T1 energy level and the second cell blocking material is a material having a high hole mobility. Therefore, both of the two materials are required. At this time, in addition to maintaining the electron blocking function of the electron blocking layer 240 only when the ratio of the first electron blocking material and the second electron blocking material is at least 30% or more in the electron blocking layer 240, Effect is expressed.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제1 전자 저지층(241) 및 제2 전자 저지층(242)을 나타낸 단면도이다.5 to 7 are sectional views showing a first electron blocking layer 241 and a second electron blocking layer 242 according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자 저지층(240)은 제1 전자 저지 물질로 구성된 제1 전자 저지층(241) 및 제2 전자 저지 물질로 구성된 제2 전자 저지층(242)으로 이루어진다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제1 전자 저지층(241)은 유기 발광층(250)에 인접하게 배치되며, 제2 전자 저지층(242)은 정공 수송층(230)에 인접하게 배치된다. 본 발명의 일 예에서는 유기 발광층(250)이 전자 저지층(240)의 상부에 배치되고, 정공 수송층(230)이 전자 저지층(240)의 하부에 배치되므로, 전자 저지층(240) 내부에서는 제1 전자 저지층(241)이 상부에 배치되고, 제2 전자 저지층(242)이 하부에 배치된다.The electron blocking layer 240 according to the second embodiment of the present invention comprises a first electron blocking layer 241 composed of a first electron blocking material and a second electron blocking layer 242 composed of a second electron blocking material. The first electron blocking layer 241 is disposed adjacent to the organic light emitting layer 250 and the second electron blocking layer 242 is disposed adjacent to the hole transporting layer 230 according to the second embodiment of the present invention. Since the organic light emitting layer 250 is disposed on the electron blocking layer 240 and the hole transporting layer 230 is disposed on the lower portion of the electron blocking layer 240 in the exemplary embodiment of the present invention, The first electron blocking layer 241 is disposed on the upper portion and the second electron blocking layer 242 is disposed on the lower portion.

이 경우, 제1 전자 저지 물질을 이용하여 제1 전자 저지층(241)을 증착하는 공정과, 제2 전자 저지 물질을 이용하여 제2 전자 저지층(242)을 증착하는 공정을 별개로 수행함으로써 전자 저지층(240)을 2층 구조로 형성할 수 있다. 또한, 유기 발광층(250)에 인접한 부분에서의 유리한 전자 저지 물질과, 정공 수송층(230)에 인접한 부분에서 유리한 전자 저지 물질은 다르다. 2층 구조는 단일 층 구조의 전자 저지층(240)에 비해서 각각의 부분에서 유리한 전자 저지 물질을 이용할 수 있어, 전자 저지층(240)의 성능을 보다 향상시킬 수 있다.In this case, the step of depositing the first electron blocking layer 241 using the first electron blocking material and the step of depositing the second electron blocking layer 242 using the second electron blocking material are performed separately The electron blocking layer 240 can be formed in a two-layer structure. Further, the advantageous electron blocking material in the vicinity of the organic light emitting layer 250 and the electron blocking material in the vicinity of the hole transporting layer 230 are different. The two-layer structure can utilize an electron blocking material advantageous in each portion as compared with the electron blocking layer 240 having a single-layer structure, thereby further improving the performance of the electron blocking layer 240.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 제1 전자 저지층(241)의 두께는 전자 저지층의 두께의 30% 이상 70% 이하이다. 도 5와 같이 제1 전자 저지층(241)의 두께가 기준 두께(T)의 50%의 두께(0.5T)인 경우, 제2 전자 저지층(242)의 두께는 기준 두께(T)의 50%의 두께(0.5T)이다. 도 6과 같이 제1 전자 저지층(241)의 두께가 기준 두께(T)의 30%의 두께(0.3T)인 경우, 제2 전자 저지층(242)의 두께는 기준 두께(T)의 70%의 두께(0.7T)이다. 도 7과 같이 제1 전자 저지층(241)의 두께가 기준 두께(T)의 70%의 두께(0.7T)인 경우, 제2 전자 저지층(242)의 두께는 기준 두께(T)의 30%의 두께(0.3T)이다. 전자 저지층(240)의 전자 저지 기능을 보다 개선하기 위해서 전자 저지층(240)을 두 개 층으로 형성한다. 제1 전자 저지층(241)은 T1 에너지 준위가 높은 층이고, 제2 전지 저지층(242)은 정공 이동도가 높은 층이므로, 두 개의 층이 모두 필요하다. 따라서, 전자 저지층(240) 내에서 제1 전자 저지층(241)과 제2 전자 저지층(242) 모두 최소 30% 이상의 두께를 갖는 경우에만 제1 전자 저지층(241)의 전자 저지 기능에 더하여, 제2 전자 저지층(242)의 정공 전달 기능의 개선 효과가 발현된다.The thickness of the first electron blocking layer 241 according to the second embodiment of the present invention is 30% or more and 70% or less of the thickness of the electron blocking layer. 5, when the thickness of the first electron blocking layer 241 is 50% of the reference thickness T (0.5T), the thickness of the second electron blocking layer 242 is 50% of the reference thickness T % Thickness (0.5T). 6, when the thickness of the first electron blocking layer 241 is 30% of the reference thickness T (0.3T), the thickness of the second electron blocking layer 242 is 70% of the reference thickness T % Thickness (0.7T). 7, when the thickness of the first electron blocking layer 241 is 70% of the reference thickness T (0.7T), the thickness of the second electron blocking layer 242 is 30% of the reference thickness T % Thickness (0.3T). In order to further improve the electron blocking function of the electron blocking layer 240, the electron blocking layer 240 is formed into two layers. Since the first electron blocking layer 241 is a layer having a higher T1 energy level and the second cell blocking layer 242 is a layer having a higher hole mobility, both layers are required. Therefore, only when the first electron blocking layer 241 and the second electron blocking layer 242 both have a thickness of at least 30% or more in the electron blocking layer 240, the electron blocking function of the first electron blocking layer 241 In addition, an effect of improving the hole transporting function of the second electron blocking layer 242 is exhibited.

도 8은 본 발명의 일 예에 따른 제1 전자 저지층(241), 제2 전자 저지층(242), 블루 호스트(251), 및 블루 도펀트(252)의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital, 최저 비점유 분자 오비탈) 에너지 준위 다이어그램(LUMO Energy Diagram)이다.8 is a graph illustrating the LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) ratio of the first electron blocking layer 241, the second electron blocking layer 242, the blue host 251, and the blue dopant 252 according to an exemplary embodiment of the present invention. Occupied molecular orbital) energy level diagram (LUMO Energy Diagram).

제1 전자 저지 물질과 제2 전자 저지 물질이 혼합되어 있는 본 발명의 제 1 실시예의 경우에는, 제1 전자 저지 물질은 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)보다 높은 LUMO 에너지 준위를 갖는다.In the first embodiment of the present invention where the first and second electron blocking materials are mixed, the first electron blocking material has a higher LUMO energy level than the blue host 251 and the blue dopant 252.

제1 전자 저지층(241)과 제2 전자 저지층(242)이 형성된 본 발명의 제 2 실시예의 경우에는, 제1 전자 저지층(241)은 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)보다 높은 LUMO 에너지 준위를 갖는다.The first electron blocking layer 241 is formed to have a thickness greater than that of the blue host 251 and the blue dopant 252 in the case of the second embodiment of the present invention in which the first electron blocking layer 241 and the second electron blocking layer 242 are formed. And has a high LUMO energy level.

블루 호스트(251)의 LUMO 에너지 준위는 -3.00eV이다. 블루 도펀트(252)의 LUMO 에너지 준위는 -2.80eV이다. 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)에는 전자 수송층(251)에서 공급받은 전자(el)들이 있다. 전자(el)들은 LUMO 에너지 준위가 낮은 곳에서 높은 곳으로 넘어가기 어렵다. 또는, 0eV를 기준으로 전자들은 LUMO 에너지 준위가 깊은 곳에서 얕은 곳으로 넘어가기 어렵다. 0eV를 기준으로 LUMO 에너지 준위는 음(-)의 값을 갖기 때문에, LUMO 에너지 준위가 깊다는 것은 음(-)의 값이 크므로 에너지 준위가 낮은 것을 의미한다. 제1 전자 저지층(241)은 -2.57eV의 LUMO 에너지 준위를 갖는다. 이와 같이, 제1 전자 저지층(241)의 LUMO 에너지 준위를 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)보다 높게 함으로써, 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)에 있는 전자(el)들이 제1 전자 저지층(241)을 넘어오지 못하도록 할 수 있다.The LUMO energy level of the blue host 251 is -3.00 eV. The LUMO energy level of the blue dopant 252 is -2.80 eV. The blue host 251 and the blue dopant 252 have electrons supplied from the electron transport layer 251. Electrons (el) are difficult to shift from low to high energy levels. Or, based on 0 eV, electrons are difficult to pass from shallow to deep LUMO energy levels. Since the LUMO energy level has a negative value based on 0eV, the deep LUMO energy level means that the energy level is low because the negative value is large. The first electron blocking layer 241 has a LUMO energy level of -2.57 eV. Thus, by setting the LUMO energy level of the first electron blocking layer 241 higher than that of the blue host 251 and the blue dopant 252, electrons in the blue host 251 and the blue dopant 252 1 < / RTI > electron blocking layer 241. In addition,

또한, 제2 전자 저지층(242)의 LUMO 에너지 준위는 -2.50eV이다. 이와 같이, 제2 전자 저지층(242)의 LUMO 에너지 준위는 제1 전자 저지층(241)의 LUMO 에너지 준위보다 더 높게 하여, 제1 전자 저지층(241)에서 혹시 전자가 넘어오려 하더라도 이중으로 넘어오는 것을 방지하는 역할을 수행하는 전자 저지 수단을 가질 수 있다.The LUMO energy level of the second electron blocking layer 242 is -2.50 eV. As described above, the LUMO energy level of the second electron blocking layer 242 is made higher than the LUMO energy level of the first electron blocking layer 241 so that even if electrons are supposed to pass through the first electron blocking layer 241, It is possible to have an electronic blocking means that plays a role of preventing overflow.

도 9는 본 발명의 일 에에 따른 제1 전자 저지층(241), 제2 전자 저지층(242), 블루 호스트(251), 및 블루 도펀트(252)의 T1 에너지 준위 다이어그램(T1 Energy Diagram)이다. T1 에너지는 엑시톤의 이동이 쉬운지 또는 어려운지를 수치적으로 나타낸 것이다. T1 에너지가 낮은 층에서 높은 층으로 엑시톤이 이동하기 어렵다. 또한, 엑시톤은 T1 에너지가 낮은 층에서는 높은 층을 넘어가기 어렵다.9 is a T1 energy diagram of a first electron blocking layer 241, a second electron blocking layer 242, a blue host 251, and a blue dopant 252 according to an embodiment of the present invention . The T1 energy is a numerical representation of whether the exciton is easy to move or difficult. It is difficult for the exciton to migrate from a layer having a lower T1 energy to a layer having a higher energy. Also, excitons are less likely to go beyond the higher layer in the layer with lower T1 energy.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제1 전자 저지 물질은 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)보다 높은 T1 에너지 준위를 갖는다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제1 전자 저지층(241)은 블루 호스트(251) 및 블루 도펀트(252)보다 높은 T1 에너지 준위를 갖는다.In the case of the blue organic light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, the first electron blocking material has a higher T1 energy level than the blue host 251 and the blue dopant 252. In the case of the blue organic light emitting diode according to the second embodiment of the present invention, the first electron blocking layer 241 has a higher T1 energy level than the blue host 251 and the blue dopant 252.

블루 호스트(251)의 T1 에너지 준위는 +1.80eV이다. 블루 도펀트(252)의 에너지 준위(252)는 +2.00eV이다. 이 때, 제 전자 저지층(241)의 T1 에너지 준위는 +2.82eV이다. 이와 같이, 제1 전자 저지층(241)의 T1 에너지 준위를 대단히 높게 하여, 제1 전자 저지층(241)을 엑시톤이 넘어가지 못하도록 하여 유기 발광층(250) 안에서 액시톤이 발광할 수 있도록 한다. 이에 따라, 청색 유기 발광 다이오드의 휘도를 증가시킬 수 있다.The T1 energy level of the blue host 251 is + 1.80 eV. The energy level 252 of the blue dopant 252 is +2.00 eV. At this time, the T1 energy level of the electron blocking layer 241 is +2.28 eV. As described above, the T1 energy level of the first electron blocking layer 241 is made very high, so that the first electron blocking layer 241 can not pass the exciton, so that the exciton can emit light in the organic light emitting layer 250. Thus, the luminance of the blue organic light emitting diode can be increased.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제1 전자 저지 물질은 제2 전자 저지 물질보다 높은 T1 에너지 준위를 갖는다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제1 전자 저지층(241)은 제2 전자 저지층(242)보다 높은 T1 에너지 준위를 갖는다. 제2 전자 저지층(242)의 T1 에너지 준위는 2.58eV이다. 제1 전자 저지층(241)의 T1 에너지 준위가 2.82eV이므로, 제1 전자 저지층(241)의 T1 에너지 준위가 더욱 높다.Further, in the case of the blue organic light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, the first electron blocking material has a higher T1 energy level than the second electron blocking material. In the case of the blue organic light emitting diode according to the second embodiment of the present invention, the first electron blocking layer 241 has a higher T1 energy level than the second electron blocking layer 242. And the T1 energy level of the second electron blocking layer 242 is 2.58 eV. Since the T1 energy level of the first electron blocking layer 241 is 2.82 eV, the T1 energy level of the first electron blocking layer 241 is higher.

T1 에너지 준위가 높다는 것은 엑시톤이 이동하거나 넘어가기 어렵다는 것을 의미한다. 제1 전자 저지층(241)의 T1 에너지 준위가 충분히 높아야 유기 발광층(250)에서 전자가 넘어오는 것을 어렵게 할 수 있다. 반면, 제2 전자 저지층(242)은 T1 에너지 준위의 크기보다 정공 수송층(230)에서 넘어오는 정공을 유기 발광층(250)으로 용이하게 전달하는 역할을 잘 수행하는 것이 더욱 중요하다.A high T1 energy level means that the excitons are difficult to migrate or migrate. The T1 energy level of the first electron blocking layer 241 must be sufficiently high to make it difficult for electrons to pass through the organic light emitting layer 250. On the other hand, it is more important that the second electron blocking layer 242 performs a role of easily transferring the holes passing from the hole transporting layer 230 to the organic light emitting layer 250, rather than the size of the T1 energy level.

도 10은 본 발명의 일 예에 따른 제1 전자 저지층(241) 및 제2 전자 저지층(242)의 정공 이동도(Hole Mobility)를 비교한 다이어그램이다. 정공 이동도가 높은 물질일수록 정공을 보다 빠르게 수송할 수 있다.10 is a diagram comparing the hole mobility of the first electron blocking layer 241 and the second electron blocking layer 242 according to an example of the present invention. The higher the hole mobility, the faster the hole can be transported.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제2 전자 저지 물질은 제1 전자 저지 물질보다 정공 이동도가 높다. 본 발명의 제 2 실시예에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 경우, 제2 전자 저지층(242)은 제1 전자 저지층(241)보다 정공 이동도가 높다. 이에 따라 제2 전자 저지층(242)에서는 정공이 보다 빠르게 수송된다.In the case of the blue organic light emitting diode according to the first embodiment of the present invention, the second electron blocking material has higher hole mobility than the first electron blocking material. In the blue organic light emitting diode according to the second embodiment of the present invention, the second electron blocking layer 242 has a higher hole mobility than the first electron blocking layer 241. As a result, holes are transported faster in the second electron blocking layer 242.

제1 전자 저지층(241)의 정공 이동도는 X1이고, 제2 전자 저지층(242)의 정공 이동도는 X2일 경우, 제1 전자 저지층(241)에서는 X1만큼의 속도로 정공이 이동하는데, 제2 전자 저지층(242)에서는 X2만큼의 속도로 정공이 이동한다. X1의 값은 2.0 × 10^-7 cm² / V·sec 일 수 있고, X2의 값은 1.0 × 10^-4 cm² / V·sec 일 수 있다. 즉, X2의 값은 X1보다 500배 가량 크므로, 제2 전자 저지층(242)에서는 정공을 약 500배 가량 빠르게 수송할 수 있다.When the hole mobility of the first electron blocking layer 241 is X1 and the hole mobility of the second electron blocking layer 242 is X2, holes are moved at a speed of X1 in the first electron blocking layer 241 In the second electron blocking layer 242, holes move at a speed of X2. The value of X1 may be a ^{^{2.0 × 10 -7 cm 2 / V}} · sec, may be a value of X2 is ^{^{1.0 × 10 -4 cm 2 / V}} · sec. That is, since the value of X2 is 500 times larger than X1, holes can be transported about 500 times faster in the second electron blocking layer 242.

엑시톤이 유기 발광층(250)의 중앙부에서 발광하지 않고, 유기 발광층(250)과 전자 저지층(240)의 계면에서 발광하는 경우, 전자 저지층(240)이 손상되는 문제가 있다. 즉, 엑시톤의 발광 과정에서 전자 저지층(240)에 스트레스가 가해져 유기 발광 다이오드의 수명이 짧아지게 된다.When the exciton does not emit light at the center of the organic light emitting layer 250 and emits light at the interface between the organic light emitting layer 250 and the electron blocking layer 240, there is a problem that the electron blocking layer 240 is damaged. That is, stress is applied to the electron blocking layer 240 during the light emission process of the excitons, so that the lifetime of the organic light emitting diode is shortened.

이를 해결하기 위해서는 정공이 더 빠르게 유기 발광층(250)으로 진입하도록 만들 필요가 있다. 일반적으로 전자의 이동 속도가 정공의 이동 속도보다 빠르므로, 전자가 유기 발광층(250)을 지나쳐 전자 저지층(240)의 계면까지 도달하게 된다. 정공의 진입 속도를 증가시키는 경우, 전자가 유기 발광층(250)의 중앙에 있을 때 정공 또한 유기 발광층(250)의 중앙부까지 진입시킬 수 있다. 이에 따라, 전자와 정공이 유기 발광층(250)의 중앙부에서 엑시톤을 형성할 수 있도록 할 수 있어, 전자 저지층(240)의 손상을 방지할 수 있다.In order to solve this problem, it is necessary to make the holes enter the organic light emitting layer 250 more quickly. In general, the electron travels faster than the hole transporting speed, so electrons pass through the organic light emitting layer 250 and reach the interface of the electron blocking layer 240. When the electron entry speed is increased, holes may enter the center of the organic light emitting layer 250 when electrons are located at the center of the organic light emitting layer 250. Accordingly, electrons and holes can be formed at the center of the organic light emitting layer 250 to prevent the electron blocking layer 240 from being damaged.

도 11은 비교예(Ref), 본 발명의 제 1 실시예(Case1), 및 본 발명의 제 2 실시예(Case2)에 따른 청색 유기 발광 다이오드의 시간(H)에 따른 휘도의 변화를 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing a change in luminance according to time (H) of a blue organic light emitting diode according to a comparative example (Ref), a first embodiment (Case 1) of the present invention, and a second embodiment (case 2) to be.

본 발명의 비교예(Ref)에 따른 청색 유기 발광 다이오드는 제1 시간(T1)이 경과한 후의 휘도가 초기 휘도의 95%이다. 반면, 본 발명의 제 1 실시예(Case1) 및 본 발명의 제 2 실시예(Case2)에 따른 청색 유기 발광 다이오드는 제2 시간(T2)이 경과한 후의 휘도가 초기 휘도의 95%이다. 제2 시간(T2)은 제1 시간(T1) 보다 약 30% 긴 시간이다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예(Case1) 및 본 발명의 제 2 실시예(Case2)에 따른 청색 유기 발광 다이오드는 비교예(Ref)에 비하여 평균 수명이 약 30% 증가함을 확인할 수 있다.In the blue organic light emitting diode according to the comparative example (Ref) of the present invention, the luminance after the first time (T1) has elapsed is 95% of the initial luminance. On the other hand, the luminance of the blue organic light emitting diode according to the first embodiment (Case 1) and the second embodiment (Case 2) of the present invention is 95% of the initial luminance after the second time (T2) has elapsed. The second time T2 is about 30% longer than the first time T1. Therefore, it can be seen that the blue organic light emitting diode according to the first embodiment (Case 1) and the second embodiment (Case 2) of the present invention has an average lifetime about 30% higher than that of the comparative example (Ref).

궁극적으로, 본 발명의 일 예에 따른 청색 유기 발광 다이오드와, 화상을 표시하는 표시 영역에 본 발명의 일 예에 다른 청색 유기 발광 다이오드가 마련된 유기 발광 표시 장치는 기존의 청색 유기 발광 다이오드에 비하여 전자 저지층에 손상이 적게 가서, 수명이 향상될 수 있다.Ultimately, the organic light emitting display device in which the blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention and the blue organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention are provided in a display region for displaying an image, Less damage to the jersey layer can lead to improved life span.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Accordingly, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

10: 하부 기판 20: 박막 트랜지스터층
30: 유기 발광 다이오드 40: 봉지층
50: 접착층 60: 편광 필름
70: 상부 기판 110: 박막 트랜지스터
111: 반도체층 112: 게이트 전극
113: 소스 전극 114: 드레인 전극
120: 층간 절연막 130: 게이트 절연막
140: 평탄화막 141: 제1 무기막
142: 유기막 143: 제2 무기막
151: 애노드 전극 152: 애노드 라인
153: 유기 발광층 154: 캐소드 전극
155: 뱅크 200: 청색 유기 발광 다이오드
210: 애노드 전극 220: 정공 주입층
230: 정공 수송층 240: 전자 저지층
241: 제1 전자 저지층 242: 제2 전자 저지층
250: 유기 발광층 251: 블루 호스트
252: 블루 도펀트 260: 전자 수송층
270: 전자 주입층 280: 캐소드 전극10: lower substrate 20: thin film transistor layer
30: organic light emitting diode 40: sealing layer
50: adhesive layer 60: polarizing film
70: upper substrate 110: thin film transistor
111: semiconductor layer 112: gate electrode
113: source electrode 114: drain electrode
120: interlayer insulating film 130: gate insulating film
140: planarization film 141: first inorganic film
142: organic film 143: second inorganic film
151: anode electrode 152: anode line
153: organic light emitting layer 154: cathode electrode
155: bank 200: blue organic light emitting diode
210: anode electrode 220: hole injection layer
230: hole transport layer 240: electron blocking layer
241: first electron blocking layer 242: second electron blocking layer
250: organic light emitting layer 251: blue host
252: blue dopant 260: electron transport layer
270: electron injection layer 280: cathode electrode

Claims

An anode electrode;
A hole injection layer disposed on the anode electrode;
A hole transport layer disposed on the hole injection layer;
An electron blocking layer disposed on the hole transport layer;
An organic emission layer disposed on the electron blocking layer;
An electron transport layer disposed on the organic light emitting layer;
An electron injection layer disposed on the electron transport layer; And
And a cathode electrode disposed on the electron injection layer,
Wherein the electron blocking layer comprises a first electron blocking material and a second electron blocking material.

The method according to claim 1,
Wherein the first electron blocking material and the second electron blocking material are uniformly mixed in the electron blocking layer.

The method according to claim 1,
Wherein the ratio of the first electron blocking material is 30% or more and 70% or less.

The method according to claim 1,
Wherein the first electron blocking material has a higher LUMO energy level than the blue host and the blue dopant constituting the organic light emitting layer.

The method according to claim 1,
Wherein the first electron blocking material has a higher T1 energy level than the blue host and the blue dopant constituting the organic light emitting layer.

The method according to claim 1,
Wherein the first electron blocking material has a higher T1 energy level than the second electron blocking material.

The method according to claim 1,
And the second electron blocking material has a hole mobility higher than that of the first electron blocking material.

The electronic device according to claim 1,
A first electron blocking layer composed of the first electron blocking material; And
And a second electron blocking layer composed of the second electron blocking material,
Wherein the first electron blocking layer is disposed adjacent to the organic light emitting layer and the second electron blocking layer is disposed adjacent to the hole transporting layer.

9. The method of claim 8,
Wherein the thickness of the first electron blocking layer is 30% or more and 70% or less of the thickness of the electron blocking layer.

9. The method of claim 8,
Wherein the first electron blocking layer has a higher LUMO energy level than the blue host and the blue dopant constituting the organic light emitting layer.

9. The method of claim 8,
Wherein the first electron blocking layer has a higher T1 energy level than the blue host and the blue dopant constituting the organic light emitting layer.

9. The method of claim 8,
Wherein the first electron blocking layer has a higher T1 energy level than the second electron blocking layer.

9. The method of claim 8,
And the second electron blocking layer has higher hole mobility than the first electron blocking layer.

An organic light emitting display device according to any one of claims 1 to 13, wherein a blue organic light emitting diode is provided in a display region for displaying an image.