KR20180054148A - Apparatus of driving a light emitting device and A ligjt emitting module including the same - Google Patents
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- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101100152598 Arabidopsis thaliana CYP73A5 gene Proteins 0.000 description 3
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 3
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 3
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
- H05B33/0884—
-
- H05B33/0827—
-
- H05B33/083—
-
- H—ELECTRICITY
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- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/20—Responsive to malfunctions or to light source life; for protection
- H05B47/24—Circuit arrangements for protecting against overvoltage
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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Abstract
Description
실시 예는 발광 소자를 구동하는 발광 소자 구동 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting element driving apparatus for driving a light emitting element and a light emitting module including the same.
반도체 기술의 발전으로 인하여, 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)의 효율성이 많이 향상되었다. 이에 따라, LED는 백열 전구나 형광등과 같은 기존의 조명 장치에 비하여 수명이 길고 에너지 소모가 적어 경제적일 뿐만 아니라 친환경적이라는 장점을 갖는다. 이러한 장점들로 인해, LED는 현재 신호등이나 액정 디스플레이(LCD:Liquid Crystal Display) 같은 평판 표시 장치의 백라이트 등을 대체할 광원으로 주목받고 있다.Due to the development of semiconductor technology, the efficiency of light emitting diodes (LEDs) has been greatly improved. Accordingly, the LED has an advantage that it is economical as well as environmentally friendly because it has a longer life and less energy consumption than conventional lighting devices such as incandescent lamps and fluorescent lamps. Due to these advantages, LEDs are now attracting attention as a light source to replace backlights of flat panel display devices such as traffic lights and liquid crystal displays (LCDs).
LED를 조명 장치로 사용하는 경우, 복수의 LED는 직렬이나 병렬로 연결될 수 있고, 발광 소자 제어 장치에 의해 복수의 LED의 점등과 소등이 제어될 수 있다. 교류 전원을 이용하여 발광 소자 제어 장치는 복수의 LED의 점등과 소등을 제어할 수 있다.When the LED is used as a lighting device, a plurality of LEDs can be connected in series or in parallel, and the lighting and lighting of a plurality of LEDs can be controlled by a light-emitting element controller. By using the AC power source, the light emitting element control apparatus can control the turning on and off of a plurality of LEDs.
실시 예는 서지 전압에 의한 파손 및 수명 단축을 방지할 수 있는 발광 소자 구동 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈을 제공한다.Embodiments provide a light emitting device driving apparatus and a light emitting module including the same that can prevent breakage due to a surge voltage and shortening the service life.
실시 예는 직렬 연결된 복수의 발광 소자 어레이들을 포함하는 발광부를 제어하는 발광 소자 구동 장치에 관한 것으로, 교류 신호를 정류한 결과에 따른 정류 신호를 출력하는 제1 출력단 및 제2 출력단을 포함하는 정류부; 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되는 센싱 저항; 상기 정류 신호의 레벨에 기초하여 상기 발광 소자 어레이들의 출력단들 중 대응하는 어느 하나와 상기 제1 노드를 접속시키는 복수의 스위칭부들을 포함하는 스위칭 제어부; 및 상기 제2 노드와 상기 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속되는 제1 다이오드를 포함하며,상기 제1 노드는 상기 복수의 스위칭부들과 상기 센싱 저항의 일단의 접속 노드이고, 상기 제2 노드는 상기 정류부의 제1 출력단과 상기 센싱 저항의 타단의 접속 노드이다.An exemplary embodiment of the present invention relates to a light emitting device driving apparatus for controlling a light emitting unit including a plurality of light emitting device arrays connected in series, comprising: a rectifying unit including a first output terminal and a second output terminal for outputting a rectified signal according to a result of rectifying an AC signal; A sensing resistor connected between the first node and the second node; And a plurality of switching units connecting the corresponding one of the output terminals of the light emitting device arrays to the first node based on the level of the rectified signal. And a first diode connected between the second node and the output or input terminal of any one of the light emitting device arrays, wherein the first node is a connection node at one end of the sensing resistor and the plurality of switches, The second node is a connection node between the first output terminal of the rectifying section and the other end of the sensing resistor.
상기 제1 다이오드는 상기 발광 소자 어레이들 중 마지막 발광 소자 어레이의 출력단에 접속될 수 있다.The first diode may be connected to an output terminal of the last light emitting device array among the light emitting device arrays.
상기 제1 다이오드의 동작 전압은 상기 제2 노드와 상기 대응하는 어느 하나의 출력단 사이의 전압보다 낮을 수 있다.The operating voltage of the first diode may be lower than the voltage between the second node and the corresponding one of the output terminals.
상기 제1 다이오드의 양단의 저항값은 상기 센싱 저항의 저항값보다 낮을 수 있다.The resistance value of both ends of the first diode may be lower than the resistance value of the sensing resistor.
상기 제1 다이오드는 PN 접합 다이오드이고, 상기 제1 다이오드의 P형 단자는 상기 제2 노드에 접속되고, 상기 제1 다이오드의 N형 단자는 상기 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있다.Wherein the first diode is a PN junction diode, the P-type terminal of the first diode is connected to the second node, and the N-type terminal of the first diode is connected to the output terminal or the input terminal of any one of the light- .
상기 발광 소자 구동 장치는 상기 제2 노드와 상기 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속되는 제2 다이오드를 더 포함할 수 있다.The light emitting device driving apparatus may further include a second diode connected to either the output terminal or the input terminal of the second node and any one of the light emitting device arrays.
상기 제2 다이오드는 PN 접합 다이오드이고, 상기 제2 다이오드의 P형 단자는 상기 제2 노드에 접속되고, 상기 제2 다이오드의 N형 단자는 상기 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있다.Type terminal of the second diode is connected to the second node and the N-type terminal of the second diode is connected to the output terminal or the input terminal of any one of the light-emitting element arrays, the second diode being a PN junction diode, Can be connected.
상기 복수의 스위칭부들 각각은 상기 제1 노드에 접속되는 제1 입력 단자, 기준 전압들 중 대응하는 어느 하나가 입력되는 제2 입력 단자, 및 출력 단자를 포함하는 증폭기; 및 상기 증폭기의 출력 단자가 접속되는 게이트, 및 상기 발광 소자 어레이들 중 대응하는 어느 하나의 출력단과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터를 포함할 수 있다.Each of the plurality of switching units includes an amplifier including a first input terminal connected to the first node, a second input terminal to which a corresponding one of the reference voltages is input, and an output terminal; And a transistor having a gate to which the output terminal of the amplifier is connected and a source and a drain connected between the corresponding one of the light emitting element arrays and the first node.
상기 정류부의 제1 출력단은 그라운드에 접속될 수 있다.The first output terminal of the rectifying unit may be connected to the ground.
상기 제2 다이오드의 양단의 저항값은 상기 센싱 저항의 저항값보다 작을 수 있다.The resistance value of both ends of the second diode may be smaller than the resistance value of the sensing resistor.
상기 복수의 스위칭부들 각각은 상기 트랜지스터의 소스 및 드레인에 병렬 접속되는 제3 다이오드를 더 포함할 수 있다.Each of the plurality of switching units may further include a third diode connected in parallel to a source and a drain of the transistor.
실시 예에 따른 발광 모듈은 교류 신호를 정류한 결과에 따른 정류 신호를 출력하는 정류부; 복수 개의 그룹들을 포함하며, 상기 복수 개의 그룹들 각각은 적어도 하나의 발광 소자 어레이를 포함하는 발광부; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되는 센싱 저항; 상기 정류 신호의 레벨을 감지하고, 감지된 상기 정류 신호의 레벨에 기초하여 상기 복수 개의 그룹들 중 대응하는 어느 하나와 상기 제1 노드를 접속시키는 복수의 스위칭부들을 포함하는 스위칭 제어부; 및 상기 제2 노드와 상기 복수 개의 그룹들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속되는 제1 다이오드를 포함하며, 상기 제1 노드는 상기 복수의 스위칭부들과 상기 센싱 저항의 일단의 접속 노드이고, 상기 제2 노드는 상기 정류부의 제1 출력단과 상기 센싱 저항의 타단의 접속 노드이다.A light emitting module according to an embodiment includes a rectifier for outputting a rectified signal according to a result of rectifying an AC signal; A light emitting unit including a plurality of groups, each of the plurality of groups including at least one light emitting element array; A sensing resistor connected between the first node and the second node; A switching controller for sensing the level of the rectified signal and for connecting the corresponding one of the plurality of groups to the first node based on the detected level of the rectified signal; And a first diode connected between the second node and an output or input of any one of the plurality of groups, wherein the first node is a connection node of the plurality of switches and the sensing resistor, The second node is a connection node between the first output terminal of the rectifying section and the other end of the sensing resistor.
상기 발광부는 복수 개의 그룹들 각각에 병렬 연결되는 커패시터를 더 포함할 수 있다.The light emitting unit may further include a capacitor connected in parallel to each of the plurality of groups.
상기 발광부는 인접하는 2개의 그룹들 사이에 접속되는 제4 다이오드를 더 포함할 수 있다.The light emitting unit may further include a fourth diode connected between two adjacent groups.
실시 예는 서지 전압에 의한 스위칭 제어부가 파손되거나 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다.The embodiment can prevent the switching control section caused by the surge voltage from being damaged or shortened in life.
도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈의 개략적인 블록도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 스위칭 제어부의 일 실시 예를 나타낸다.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 개략적인 블록도를 나타낸다.
도 4는 또 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 개략적인 블록도를 나타낸다.
도 5는 보호부를 구비하지 않는 스위칭 제어부에 대한 서지 전압의 영향을 나타낸다.
도 6은 실시 예에 따른 보호부의 역할을 설명하기 위한 도면이다.Figure 1 shows a schematic block diagram of a light emitting module according to an embodiment.
Fig. 2 shows an embodiment of the switching control unit shown in Fig.
3 shows a schematic block diagram of a light emitting module according to another embodiment.
Figure 4 shows a schematic block diagram of a light emitting module according to yet another embodiment.
5 shows the influence of the surge voltage on the switching control section without the protection section.
6 is a view for explaining the role of the protection unit according to the embodiment.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings.
도 1은 실시 예에 따른 발광 모듈(100)의 개략적인 블록도를 나타낸다.1 shows a schematic block diagram of a
도 1을 참조하면, 발광 모듈(100)은 빛을 발생하는 발광부(101), 및 발광부(101)의 구동하고 제어하는 발광 소자 구동부(102)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
발광부(101)는 직렬 연결된 복수의 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LEDn, n>1인 자연수)을 포함한다.The
예컨대, 발광부(101)는 순차적으로 직렬 연결되는 제1 번째 내지 제n 번째 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LEDn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 도 1에서는 n=4일 경우를 도시하나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
복수의 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LEDn, n>1인 자연수) 각각은 1개 이상의 발광 소자, 예컨대, 발광 다이오드(Light Emitting Diode), 또는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 예컨대, 발광 소자 어레이들 각각은 소자 보호를 위하여 제너 다이오드(Zener diode)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Each of the plurality of light emitting device arrays (natural number of LED1 to LEDn, n> 1) may include one or more light emitting devices, for example, a light emitting diode or a light emitting device package. For example, each of the light emitting device arrays may include a zener diode for protecting the device, but the present invention is not limited thereto.
발광 소자 어레이에 포함되는 발광 소자의 수가 복수 개일 경우, 복수의 발광 소자들은 서로 직렬 연결되거나, 병렬 연결되거나, 또는 직렬 및 병렬 연결될 수 있다.When the number of the light emitting elements included in the light emitting element array is plural, the plurality of light emitting elements may be connected to each other in series, parallel, or series and parallel.
발광부(101)는 각 채널(CH1 내지 CH3)에 대응하는 복수 개의 그룹들(예컨대, G1 내지 G3)을 포함하며, 복수 개의 그룹들(예컨대, G1 내지 G3) 각각은 적어도 하나의 발광 소자 어레이를 포함할 수 있다.The
예컨대, 발광부(101)는 3개의 채널들(CH1 내지 CH3)에 대응하여 제1 내지 제3 그룹들(G1 내지 G3)을 포함할 수 있다.For example, the
발광부(101)는 각 그룹(G1,G2,G3)의 입력단과 출력단 사이에 병렬 연결되는 커패시터(C1,C2,C3), 제1 그룹(G1)의 입력단과 그라운드 사이에 연결되는 커패시터(C4), 및 인접하는 2개의 그룹들(G1과 G2, G2와 G3) 사이에 연결되는 다이오드(D1, D2)를 더 포함할 수 있다.The
예컨대, 제1 커패시터(C1)는 제1 발광 소자 어레이(LED1)을 포함하는 제1 그룹(G1)에 병렬 연결될 수 있고, 제2 커패시터(C2)는 직렬 연결된 제2 및 제3 발광 소자 어레이들(LED2,LED3)을 포함하는 제2 그룹(G2)과 병렬 연결될 수 있고, 제3 커패시터(C3)는 제4 발광 소자 어레이(LED4)를 포함하는 제3 그룹(G3)과 병렬 연결될 수 있고, 제4 커패시터(C4)는 제1 발광 소자 어레이(LED1)의 입력단(+ 단자)과 그라운드(GND) 사이에 연결될 수 있다.For example, the first capacitor C1 may be connected in parallel to the first group G1 including the first light emitting device array (LED1), and the second capacitor C2 may be connected in parallel to the second and third light emitting device arrays The third capacitor C3 may be connected in parallel with the second group G2 including the second light emitting element LED2 and the third group G3 including the fourth light emitting element array LED4, The fourth capacitor C4 may be connected between the input terminal (+ terminal) of the first light emitting device array (LED1) and the ground (GND).
예컨대, 제1 다이오드(D1)는 인접하는 제1 그룹(G1)과 제2 그룹(G2) 사이에 접속될 수 있고, 제2 다이오드(D2)는 인접하는 제2 그룹(G2)과 제3 그룹(G3) 사이에 접속될 수 있다.For example, the first diode D1 may be connected between the adjacent first group G1 and the second group G2, and the second diode D2 may be connected between the adjacent second group G2 and the third group G2. (G3).
제1 내지 제3 커패시터들(C1 내지 C3) 및 제1 및 제2 다이오드들(D1, D2)은 발광 소자 어레이들을 구동시키는 정류 신호(VR)를 충전하고, 충전된 전압을 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LED4)에 공급함으로써, 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LED4)의 점등을 제어하는 제어부(130) 내에 포함된 스위치들의 턴온 및 턴 오프에 기인하는 플리커 현상을 방지하는 기능을 한다.The first to third capacitors C1 to C3 and the first and second diodes D1 and D2 charge the rectification signal VR for driving the light emitting element arrays and apply the charged voltage to the light emitting element arrays LED1 to LED4 to prevent the flicker phenomenon caused by the turn-on and turn-off of the switches included in the
또한 제4 커패시터(C4)는 노이즈가 발광부(101)에 유입되는 것을 제거하는 역할을 할 수 있다.Further, the fourth capacitor C4 may serve to remove the noise from entering the
발광 소자 구동부(102)는 교류 전원, 예컨대, 정류 신호(VR)을 이용하여 직렬 연결되는 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LEDn, n>1인 자연수)의 점등을 제어한다.The light
발광 소자 구동부(102)는 교류 전원부(110), 정류부(120), 스위칭 제어부(130), 센싱 저항(Rsen), 및 보호부(140)를 포함할 수 있다.The light emitting
스위칭 제어부(130), 센싱 저항(Rsen), 및 보호부(140)는 발광부(101)의 구동 및 점등을 제어하는 제어부를 구성할 수 있다. The
교류 전원부(110)는 교류 신호를 정류부(120)에 제공한다.The AC
교류 전원부(110)에서 제공되는 교류 신호는 사인파(sine wave) 또는 코사인파(cosine wave) 형태의 전압일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 교류 신호는 50㎐ 내지 60㎐의 주파수를 갖는 교류 전압일 수 있고, 최대치가 약 100 내지 250 볼트(V)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The AC signal provided from the
도 1에는 도시되지 않지만, 발광 소자 구동부(102)는 서지 전압으로부터 회로를 보호하기 위한 바리스터(varistor) 등으로 구현될 수 있는 서지 보호부 및 과전류로부터 회로를 보호할 수 있는 퓨즈(fuse) 등으로 구현될 수 있는 퓨즈부를 더 포함할 수도 있다.Although not shown in FIG. 1, the light
정류부(120)는 교류 전원부(110)로부터 제공되는 교류 신호를 정류하고, 정류된 결과에 따른 맥류 신호(ripple current)인 정류 신호(VR)를 출력한다.The rectifying
예컨대, 정류 신호(VR)는 전파 정류된 교류 전압일 수 있다.For example, the rectified signal VR may be a full-wave rectified AC voltage.
예컨대, 정류부(120)는 전파 정류 회로 또는 반파 정류 회로 등과 같이 다양한 정류 회로로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the rectifying
예컨대, 정류부(120)는 교류 전원부(110)로부터 교류 신호가 제공되는 제1 및 제2 입력 단자들(121a, 121b, 및 정류 신호(VR)가 출력되는 제1 및 제2 출력 단자들(122a, 122b)을 포함할 수 있다.For example, the rectifying
스위칭 제어부(130)는 정류부(120)로부터 제공되는 정류 신호(VR)의 레벨에 기초하여, 발광부(101)의 직렬 연결된 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LED3)의 점등 및 소등을 제어한다.The switching
예컨대, 스위칭 제어부(130)는 정류 신호(VR)의 레벨을 감지하고, 감지된 정류 신호(VR)의 레벨에 기초하여, 발광부(101)의 제1 내지 제3 그룹들(G1, G3)을 순차적으로 점등 및 소등할 수 있다.For example, the switching
도 2는 도 1에 도시된 스위칭 제어부(130)의 일 실시 예를 나타낸다.FIG. 2 shows an embodiment of the switching
도 2를 참조하면, 스위칭 제어부(130)는 정류 신호(VR)의 레벨을 감지하고, 감지된 정류 신호(VR)의 레벨에 기초하여, 채널들(CH1 내지 CH3) 중 어느 하나를 통하여 발광부(101)에 전류가 흐르도록 한다.2, the switching
센싱 저항(Rsen)은 그라운드(GND)와 제1 노드(N1) 사이에 접속된다. 또는 센싱 저항(Rsen)은 정류부(120)의 제1 출력 단자(122a)와 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다.The sensing resistor Rsen is connected between the ground GND and the first node N1. Or the sensing resistor Rsen may be connected between the
정류부(120)의 제1 출력 단자(122a)는 그라운드(GND)에 접속될 수 있고, 제2 출력 단자(122b)는 발광부(101)의 입력단(IT1)에 접속될 수 있다. 예컨대, 제1 노드(N1)는 센싱 저항(Rsen)의 일단과 스위칭 제어부(130)가 접속하는 노드일 수 있다.The
예컨대, 스위칭 제어부(130)는 정류 신호(VR)의 레벨을 감지하고, 감지된 정류 신호(VR)의 레벨에 기초하여 채널들(CH1 내지 CH3) 중 어느 하나와 제1 노드(N1) 사이를 연결할 수 있고, 연결된 채널과 제1 노드(N1) 간에 전류 패스(current path)를 형성할 수 있다.For example, the switching
발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3) 내에 포함되는 발광 소자 어레이들의 구동을 제어하는 복수의 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 포함할 수 있다.And a plurality of switching units 201-1 to 201-3 for controlling the driving of the light emitting device arrays included in the groups G1 to G3 of the
채널들(CH1 내지 CH3)은 발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3)의 출력단들과 이에 대응하는 스위칭부들(201-1 내지 201-3) 간의 전기적인 통로일 수 있다.The channels CH1 to CH3 may be electrical paths between the output terminals of the groups G1 to G3 of the
복수의 스위칭부들(201-1 내지 201-3) 각각은 발광부(101)의 발광 소자 어레이들(LED 1 내지 LED4)의 출력단들 중 대응하는 어느 하나와 제1 노드(N1) 사이에 접속된다.Each of the plurality of switching units 201-1 to 201-3 is connected between the corresponding one of the output terminals of the light emitting device arrays LED1 to LED4 of the
예컨대, 복수의 스위칭부들(201-1 내지 201-3) 각각은 발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3)의 출력단들(OT1 내지 OT3) 중 대응하는 어느 하나와 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다.For example, each of the plurality of switching units 201-1 to 201-3 is connected to a corresponding one of the output terminals OT1 to OT3 of the groups G1 to G3 of the
예컨대, 그룹의 출력단은 그룹에 포함된 마지막 번째 발광 소자 어레이에 포함되는 마지막 번째 발광 소자의 음(-)의 단자일 수 있다.For example, the output terminal of the group may be a negative terminal of the last light emitting element included in the last light emitting element array included in the group.
복수의 스위칭부들(201-1 내지 201-3) 각각은 트랜지스터(210-1, 210-2, 또는 210-3), 증폭기(220-1, 220-2, 또는 220-3), 및 다이오드(230-1, 230-2, 또는 230-3)를 포함할 수 있다.Each of the plurality of switching units 201-1 to 201-3 includes a transistor 210-1, 210-2 or 210-3, an amplifier 220-1, 220-2 or 220-3, and a diode 230-1, 230-2, or 230-3).
복수의 스위칭부들(201-1 내지 201-3) 각각의 트랜지스터(210-1, 210-2 또는 210-3)는 증폭기들(220-1 내지 220-3) 중 대응하는 어느 하나의 출력단에 접속되는 게이트, 및 발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3)의 출력단들(OT1 내지 OT3) 중 대응하는 어느 하나와 제1 노드(N1) 사이에 접속되는 소스 및 드레인을 포함할 수 있다.Each of the transistors 210-1, 210-2, and 210-3 of the plurality of switching units 201-1 to 201-3 is connected to any one of the output terminals of the amplifiers 220-1 to 220-3 And a source and a drain connected between the corresponding one of the output terminals OT1 to OT3 of the groups G1 to G3 of the
트랜지스터(210-1, 210-2 또는 210-3)는 전계 효과 트랜지스터, 예컨대, MOSFET 또는 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor) 등으로 구현될 수 있다. 예컨대, 트랜지스터(210-1, 210-2 또는 210-3)는 NMOS 트랜지스터일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 PMOS 트랜지스터로 구현될 수도 있다.The transistors 210-1, 210-2, and 210-3 may be implemented as a field effect transistor, for example, a MOSFET or a bipolar junction transistor. For example, the transistors 210-1, 210-2, and 210-3 may be NMOS transistors, but the present invention is not limited thereto. In other embodiments, the transistors 210-1, 210-2, and 210-3 may be implemented as PMOS transistors.
증폭기들(220-1 내지 220-3) 각각은 제1 노드(N1)에 접속되는 제1 입력 단자(예컨대, - 입력 단자), 기준 전압들(REF1 내지 REF3) 중 대응하는 어느 하나가 입력되는 제2 입력 단자(예컨대, + 입력 단자), 및 증폭 신호(CS1, CS2, 또는 CS3)를 출력하는 출력 단자를 포함한다. 예컨대, 기준 전압들(REF1 내지 REF3)은 서로 다른 크기의 전압일 수 있다.Each of the amplifiers 220-1 to 220-3 includes a first input terminal (e.g., an - input terminal) connected to the first node N1, and a corresponding one of the reference voltages REF1 to REF3 A second input terminal (e.g., a + input terminal), and an output terminal for outputting the amplified signal CS1, CS2, or CS3. For example, the reference voltages REF1 to REF3 may be voltages of different magnitudes.
예컨대, 증폭기들(220-1 내지 220-3) 각각은 차동 증폭기, 예컨대, 차동 연산 증폭기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, each of the amplifiers 220-1 through 220-3 may be a differential amplifier, e.g., a differential operational amplifier, but is not limited thereto.
예컨대, 트랜지스터(210-1, 210-2 또는 210-3)의 게이트는 대응하는 증폭기의 출력단에 접속될 수 있고, 소스는 제1 노드(N1)에 접속될 수 있고, 드레인은 그룹들(G1 내지 G3)의 출력단들(OT1 내지 OT3) 중 대응하는 어느 하나에 접속될 수 있다.For example, the gates of the transistors 210-1, 210-2, or 210-3 may be connected to the output of the corresponding amplifier, the source may be connected to the first node N1, To G3 of the output terminals OT1 to OT3.
다이오드들(230-1, 230-2, 230-3) 각각은 트랜지스터들(210-1 내지 210-3) 중 대응하는 어느 하나의 소스 및 드레인에 병렬 접속될 수 있으며, 스위칭부들(201- 내지 201-1)이 안정적으로 정전류 구동되도록 하는 역할을 할 수 있다.Each of the diodes 230-1, 230-2 and 230-3 may be connected in parallel to a corresponding one of the transistors 210-1 to 210-3, and may be connected to the switching units 201- 201-1) can be stably driven by a constant current.
다이오드들(230-1, 230-2, 230-3) 각각의 순방향은 제1 노드(N1)에서 각 채널(CH1 내지 CH3)로 향하는 방향일 수 있다.The forward direction of each of the diodes 230-1, 230-2 and 230-3 may be a direction from the first node N1 to each of the channels CH1 to CH3.
예컨대, 다이오드들(230-1, 230-2, 230-3) 각각은 PN 접합 다이오드일 수 있고, P형 단자는 트랜지스터의 소스에 접속될 수 있고, N형 단자는 트랜지스터의 드레인에 접속될 수 있다. 예컨대, 다이오드들(230-1, 230-2, 230-3) 각각은 제너 다이오드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, each of the diodes 230-1, 230-2, and 230-3 may be a PN junction diode, the P-type terminal may be connected to the source of the transistor, and the N-type terminal may be connected to the drain of the transistor have. For example, each of the diodes 230-1, 230-2, and 230-3 may be a zener diode, but is not limited thereto.
스위칭 제어부(130)는 크기가 서로 다른 기준 전압들(REF1 내지 REF3)을 발생시키는 기준 전압 발생기(미도시)를 더 구비할 수 있다. 예컨대, 기준 전압 발생기는 복수의 저항들을 포함하는 전압 분배기를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The switching
스위칭 제어부(130)의 동작은 다음과 같다.The operation of the switching
정류 신호(VR)의 전압 레벨이 제1 레벨보다 작을 경우, 스위칭부들(201-1 내지 201-3)의 트랜지스터들(210-1 내지 210-3)은 모두 턴 오프되고, 제1 내지 제3 그룹들(G1 내지 G3)은 모두 턴 오프되어 소등된다.When the voltage level of the rectified signal VR is lower than the first level, the transistors 210-1 to 210-3 of the switching units 201-1 to 201-3 are all turned off and the first to third All of the groups G1 to G3 are turned off and turned off.
예컨대, 제1 레벨은 한 개의 그룹을 동작시킬 수 있는 전압의 크기일 수 있다. 예컨대, 제1 레벨은 제1 발광 소자 어레이의 동작 전압일 수 있다.For example, the first level may be the magnitude of the voltage capable of operating one group. For example, the first level may be the operating voltage of the first light emitting device array.
정류 신호(VR)의 전압 레벨이 제1 레벨보다 크거나 같고 제2 레벨보다 작을 경우, 제1 스위칭부(201-1)만 턴 온될 수 있고, 제1 채널(CH1)을 통하여 전류가 흐를 수 있고, 제1 그룹(G1)만 점등되어 발광될 수 있다.When the voltage level of the rectified signal VR is equal to or greater than the first level and smaller than the second level, only the first switching unit 201-1 can be turned on and a current can flow through the first channel CH1 And only the first group G1 is lighted up.
예컨대, 제2 레벨은 제1 및 제2 그룹들(G1, G2)을 동작시킬 수 있는 전압의 크기일 수 있다. 예컨대, 제2 레벨은 제1 내지 제3 발광 소자 어레이들의 동작 전압들을 합한 값일 수 있다.For example, the second level may be the magnitude of the voltage capable of operating the first and second groups G1 and G2. For example, the second level may be a sum of the operating voltages of the first through third light emitting device arrays.
정류 신호(VR)의 전압이 제2 레벨보다 크거나 같고 제3 레벨보다 작을 경우, 제2 스위칭부(201-2)만이 턴 온될 수 있고, 제2 채널(CH2)을 통하여 전류가 흐를 수 있고, 제1 및 제2 그룹들(G1,G2)만이 점등되어 발광될 수 있다.When the voltage of the rectified signal VR is equal to or greater than the second level and smaller than the third level, only the second switching unit 201-2 can be turned on and a current can flow through the second channel CH2 , Only the first and second groups G1 and G2 may be turned on to emit light.
예컨대, 제3 레벨은 제1 내지 제3 그룹들(G1 내지 G3)을 동작시킬 수 있는 전압의 크기일 수 있다. 예컨대, 제3 레벨은 제1 내지 제4 발광 소자 어레이들의 동작 전압들을 합한 값일 수 있다.For example, the third level may be the magnitude of the voltage capable of operating the first to third groups G1 to G3. For example, the third level may be a sum of the operating voltages of the first through fourth light emitting device arrays.
정류 신호(VR)의 전압이 제3 레벨보다 크거나 같을 경우, 제3 스위칭부(201-3)만이 턴 온될 수 있고, 제3 채널(CH3)을 통하여 전류가 흐를 수 있고, 제1 내지 제3 그룹들(G1 내지 G3)이 모두 턴 온되어 발광될 수 있다.When the voltage of the rectified signal VR is equal to or greater than the third level, only the third switching unit 201-3 can be turned on, the current can flow through the third channel CH3, All the three groups G1 to G3 can be turned on and emit light.
보호부(140)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속된다.The
예컨대, 보호부(140)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 마지막 발광 소자 어레이의 출력단에 접속될 수 있다.For example, the
예컨대, 보호부(140)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 출력단에 접속될 수 있다.For example, the
예컨대, 보호부(140)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3)에 접속될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
예컨대, 제2 노드(NG)는 센싱 저항(Rsen)과 그라운드(GND)의 접속 부분일 수 있다. 또는 제2 노드(NG)는 센싱 저항(Rsen)과 정류부(120)의 제1 출력단(122a)과의 접속 부분일 수 있다.For example, the second node NG may be a connecting portion of the sensing resistor Rsen and the ground GND. Or the second node NG may be a connection portion between the sensing resistor Rsen and the
서지 전압은 발광 모듈의 기판 또는 조명 장치의 기판 등을 통하여 제2 노드(NG)로 유입될 수 있는데, 보호부(140)는 제2 노드(NG)로 서지 전압(surge voltage)이 유입될 때, 유입된 서지 전압을 발광부(101)로 분산시킴으로써, 서지 전압으로부터 스위칭부들(201- 내지 201-3)을 보호한다.The surge voltage may be introduced into the second node NG through the substrate of the light emitting module or the substrate of the illumination device. When the surge voltage flows into the second node NG, And shields the switching units 201 - to 201 - 3 from the surge voltage by dispersing the inflow surge voltage to the
보호부(140)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속되는 바이패스 다이오드(140a)를 포함할 수 있다.The
예컨대, 바이패스 다이오드(140a)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 출력단 사이에 접속될 수 있다. 예컨대, 바이패스 다이오드(140a)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3) 사이에 접속될 수 있다.For example, the
제2 노드(NG)에서 발광부(101)의 어느 하나의 그룹의 출력단으로 향하는 방향이 바이패스 다이오드(140a)의 순방향일 수 있다.The direction from the second node NG to the output end of any group of the
예컨대, 바이패스 다이오드(140a)는 PN 접합 다이오드일 수 있고, P형 단자는 제2 노드(NG)에 접속될 수 있다.For example, the
바이패스 다이오드(140a)의 N형 단자는 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단에 접속될 수 있다. 예컨대, 바이패스 다이오드(140a)의 N형 단자는 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 출력단에 접속될 수 있다.The N-type terminal of the
예컨대, 바이패스 다이오드(140a)의 N형 단자는 발광부(101)의 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3)에 접속될 수 있다.For example, the N-type terminal of the
바이패스 다이오드(140a)는 제2 노드(NG)로 유입된 서지 전압을 발광부(101)의 복수의 그룹들 중 어느 하나, 예컨대, 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3)으로 바이패스(bypass)시킴으로써, 서지 전압이 스위칭 제어부(130)의 제1 노드(N1)로 유입되어 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 파괴시키는 것을 방지할 수 있다.The
스위칭 제어부(130)로 서지 전압의 유입을 방지하고, 서지 전압을 바이패스 다이오드(140a)를 통하여 발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나(예컨대, G3)의 출력단(예컨대, OT3)으로 바이패스시키기 위한 조건은 다음과 같다.The surge voltage can be prevented from flowing into the switching
바이패스 다이오드(140a)의 동작 전압은 스위칭부들(201-1 내지 201-3)의 제2 노드(NG)와 각 그룹(G1, G2, G3)의 출력단(OT3) 사이의 전압보다 낮다.The operating voltage of the
예컨대, 바이패스 다이오드(140a)의 동작 전압은 제2 노드(NG)와 마지막 그룹(G1)의 출력단(OT3) 간의 전압보다 낮을 수 있다.For example, the operating voltage of the
또한 예컨대, 스위칭 제어부(130)로 서지 전압의 유입을 방지하고, 서지 전압을 바이패스 다이오드(140a)로 바이패스시키기 위하여, 바이패스 다이오드(140a)의 양단의 저항값은 센싱 저항의 저항값보다 작을 수 있다.For example, in order to prevent the surge voltage from flowing into the switching
또한 바이패스 다이오드(140a)는 전원부(110)를 통하여 유입되는 서지 전압으로부터 소자를 보호하기 위한 바리스터의 클램핑(clamping) 전압 이상의 내압을 가질 수 있다.In addition, the
도 5는 보호부(140)를 구비하지 않는 스위칭 제어부에 대한 서지 전압의 영향을 나타낸다.5 shows the influence of the surge voltage on the switching control unit not having the
도 5를 참조하면, 제2 노드(NG)를 통하여 스위칭 제어부(130)의 제1 노드(N1)로 유입된 서지 전압에 의하여 제1 노드(N1), 및 스위칭부들(201-1 내지 201-3)의 트랜지스터들(210-1 내지 210-3), 및 다이오드들(D1 내지 D3)이 손상을 받거나 파손될 수 있다.5, the first node N1 and the switching units 201-1 to 201-N are turned on by the surge voltage flowing into the first node N1 of the switching
도 6은 실시 예에 따른 보호부(140)의 역할을 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining the role of the
도 6을 참조하면, 제2 노드(NG)로 유입된 서지 전압은 보호부(140)의 바이패스 다이오드(140a)에 의하여 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나, 예컨대, 마지막 그룹(G3)의 출력단(예컨대, OT3)으로 바이패스될 수 있다.6, the surge voltage introduced into the second node NG is supplied to one of the plurality of groups G1 to G3 of the
서지 전압이 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3)으로 바이패스되기 때문에, 서지 전압은 스위칭부들(201-1 내지 201-3)에 바로 영향을 주지 않을 수 있다.Since the surge voltage is bypassed to the output terminal OT3 of the last group G3, the surge voltage may not directly affect the switching units 201-1 to 201-3.
또한 서지 전압은 바이패스 다이오드(140a)를 통하여 직렬 연결되는 복수의 발광 소자 어레이들(LED1 내지 LDE4)에 분산 또는 분배되거나 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 우회하여 다른 경로, 예컨대, 커패시터(C1 내지 C4) 또는/및 발광 소자 어레이들에 포함된 제너 다이오드를 통하여 그라운드로 빠져나갈 수 있다.Also, the surge voltage is distributed or distributed to the plurality of light emitting device arrays LED1 to LDE4 connected in series through the
이로 인하여 실시 예는 서지 전압으로부터 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 보호할 수 있으며, 발광 소자 구동 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈의 수명이 서지 전압에 의하여 단축되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, the embodiment can protect the switching units 201-1 to 201-3 from the surge voltage, and it is possible to prevent the lifetime of the light emitting element driving apparatus and the light emitting module including the same from being shortened due to the surge voltage.
도 3은 다른 실시 예에 따른 발광 모듈(100-1)의 개략적인 블록도를 나타낸다. 도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.FIG. 3 shows a schematic block diagram of a light emitting module 100-1 according to another embodiment. The same reference numerals as in Fig. 1 denote the same components, and a description of the same components will be simplified or omitted.
도 3을 참조하면, 보호부(140-1)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나(예컨대, LED4)의 입력단에 접속된다.3, the protection unit 140-1 is connected to the input terminal of any one of the plurality of light emitting element arrays (e.g., LED4) of the
예컨대, 보호부(140-1)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 입력단에 접속될 수 있다.For example, the protection unit 140-1 may be connected to the input terminal of any one of the plurality of groups G1 to G3 of the
예컨대, 보호부(140-1)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 마지막 그룹(G3)의 입력단(IT3)에 접속될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the protection unit 140-1 may be connected to the input terminal IT3 of the last group G3 of the plurality of groups G1 to G3 of the
예컨대, 그룹(G1, G2, 또는 G3)의 입력단은 그룹에 속하는 첫 번째 발광 소자 어레이의 첫 번째 발광 소자의 양(+)의 단자일 수 있다.For example, the input terminal of the group G1, G2, or G3 may be a positive terminal of the first light emitting element of the first light emitting element array belonging to the group.
보호부(140-1)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 입력단에 접속되는 바이패스 다이오드(140b)를 포함한다.The protection unit 140-1 includes a
예컨대, 바이패스 다이오드(140b)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 입력단에 접속될 수 있다.For example, the
예컨대, 바이패스 다이오드(104b)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 마지막 그룹(G3)의 입력단(IT3) 사이에 접속될 수 있다.For example, the bypass diode 104b may be connected between the second node NG and the input terminal IT3 of the last group G3 of the
제2 노드(NG)에서 발광부(101)의 어느 하나의 그룹의 입력단으로의 방향이 바이패스 다이오드(140b)의 순방향일 수 있다.The direction from the second node NG to the input terminal of any one group of the
예컨대, 바이패스 다이오드(140b)는 PN 접합 다이오드일 수 있고, P형 단자는 제2 노드(NG)에 접속될 수 있다.For example, the
바이패스 다이오드(140b)의 N형 단자는 발광부(101)의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 입력단에 접속된다. 예컨대, 바이패스 다이오드(140b)의 N형 단자는 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 입력단에 접속될 수 있다.The N-type terminal of the
예컨대, 바이패스 다이오드(140b)의 N형 단자는 발광부(101)의 마지막 그룹(G3)의 입력단(IT3)에 접속될 수 있다.For example, the N-type terminal of the
바이패스 다이오드(140b)는 제2 노드(NG)로 유입된 서지 전압을 발광부(101)의 복수의 그룹들 중 어느 하나, 예컨대, 마지막 그룹(G3)의 입력단(IT3)으로 바이패스(bypass)시킴으로써, 서지 전압이 스위칭 제어부(130)의 제1 노드(N1)로 유입되어 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 파괴시키는 것을 방지할 수 있다.The
스위칭 제어부(130)로 서지 전압의 유입을 방지하고, 서지 전압을 바이패스 다이오드(140b)를 통하여 발광부(101)의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나(예컨대, G3)의 입력단(예컨대, IT3)으로 바이패스시키기 위한 조건은 도 1 및 도 2에서 상술한 바와 같다.The surge voltage is supplied to the switching
도 4는 또 다른 실시 예에 따른 발광 모듈(100-2)의 개략적인 블록도를 나타낸다. 도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.FIG. 4 shows a schematic block diagram of a light emitting module 100-2 according to another embodiment. The same reference numerals as in Fig. 1 denote the same components, and a description of the same components will be simplified or omitted.
도 4를 참조하면, 보호부(140-2)는 제1 바이패스 다이오드(140c) 및 제2 바이패스 다이오드(140d)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the protection unit 140-2 may include a
제1 바이패스 다이오드(140c)는 제2 노드(NG)와 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속된다.The
제2 바이패스 다이오드(140d)는 제2 노드(NG)와 복수의 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속된다.The
제1 바이패스 다이오드(140c)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속될 수 있다.The
또한 제2 바이패스 다이오드(140d)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속될 수 있다.The
예컨대, 제1 바이패스 다이오드(140c)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 마지막 그룹(G3)의 출력단(OT3) 사이에 접속될 수 있고, 제2 바이패스 다이오드(140d)는 제2 노드(NG)와 발광부(101)의 제2 그룹(G2)의 출력단(OT2) 사이에 접속될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the
예컨대, 제1 바이패스 다이오드(140c) 및 제2 바이패스 다이오드(140d) 각각은 PN 접합 다이오드일 수 있다. 제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d) 각각의 P형 단자는 제2 노드(NG)에 접속될 수 있다.For example, each of the
제1 바이패스 다이오드(140c)의 N형 단자는 복수의 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있고, 제2 바이패스 다이오드(140d)의 N형 단자는 복수의 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있다.The N-type terminal of the
예컨대, 제1 바이패스 다이오드(140c)의 N형 단자는 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있고, 제2 바이패스 다이오드(140d)의 N형 단자는 발광부(101)의 복수의 그룹들(G1 내지 G3) 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속될 수 있다.For example, the N-type terminal of the
제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d)을 통하여 서지 전압이 바이패스됨에 따라, 서지 전압이 스위칭 제어부(130)의 제1 노드(N1)로 유입되어 스위칭부들(201-1 내지 201-3)을 파괴시키는 것을 방지할 수 있다.The surge voltage flows into the first node N1 of the switching
제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d)이 서지 전압을 바이패스시키기 위하여, 제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d) 각각의 동작 전압은 스위칭부들(201-1 내지 201-3)의 제2 노드(NG)와 각 그룹(G1, G2, G3)의 출력단(OT3) 사이의 전압보다 낮다.In order for the first and
또한 예컨대, 제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d) 각각의 양단의 저항값은 센싱 저항(Rsen)의 저항값보다 작을 수 있다.Also, for example, the resistance value at both ends of each of the first and
또한 제1 및 제2 바이패스 다이오드들(140c, 140d) 각각은 전원부(110)를 통하여 유입되는 서지 전압으로부터 소자를 보호하기 위한 바리스터의 클램핑(clamping) 전압 이상의 내압을 가질 수 있다.Each of the first and
또한, 실시 예에 따른 발광 모듈은 표시 장치, 지시 장치, 또는 조명 장치로 구현될 수 있다.Further, the light emitting module according to the embodiment may be implemented as a display device, a pointing device, or a lighting device.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
101: 발광부 102: 발광 소자 구동부
110: 교류 전원부 120: 정류부
130: 스위칭 제어부 140: 보호부.101: light emitting portion 102: light emitting element driving portion
110: AC power supply unit 120:
130: switching control unit 140: protection unit.
Claims (14)
교류 신호를 정류한 결과에 따른 정류 신호를 출력하는 제1 출력단 및 제2 출력단을 포함하는 정류부;
제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되는 센싱 저항;
상기 정류 신호의 레벨에 기초하여 상기 발광 소자 어레이들의 출력단들 중 대응하는 어느 하나와 상기 제1 노드를 접속시키는 복수의 스위칭부들을 포함하는 스위칭 제어부; 및
상기 제2 노드와 상기 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속되는 제1 다이오드를 포함하며,
상기 제1 노드는 상기 복수의 스위칭부들과 상기 센싱 저항의 일단의 접속 노드이고, 상기 제2 노드는 상기 정류부의 제1 출력단과 상기 센싱 저항의 타단의 접속 노드인 발광 소자 구동 장치.A light emitting element driving apparatus for controlling a light emitting unit including a plurality of light emitting element arrays connected in series,
A rectifier including a first output terminal and a second output terminal for outputting a rectified signal according to a result of rectifying the AC signal;
A sensing resistor connected between the first node and the second node;
And a plurality of switching units connecting the corresponding one of the output terminals of the light emitting device arrays to the first node based on the level of the rectified signal. And
And a first diode connected between the second node and the output or input of any one of the light emitting device arrays,
Wherein the first node is a connection node of the plurality of switching units and one end of the sensing resistor, and the second node is a connection node of the first output end of the rectifying unit and the other end of the sensing resistor.
상기 제1 다이오드는 상기 발광 소자 어레이들 중 마지막 발광 소자 어레이의 출력단에 접속되는 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first diode is connected to the output terminal of the last one of the light emitting device arrays.
상기 제1 다이오드의 동작 전압은 상기 제2 노드와 상기 대응하는 어느 하나의 출력단 사이의 전압보다 낮은 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 1,
Wherein an operating voltage of the first diode is lower than a voltage between the second node and the corresponding one of the output terminals.
상기 제1 다이오드의 양단의 저항값은 상기 센싱 저항의 저항값보다 작은 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 1,
Wherein a resistance value of both ends of the first diode is smaller than a resistance value of the sensing resistor.
상기 제1 다이오드는 PN 접합 다이오드이고, 상기 제1 다이오드의 P형 단자는 상기 제2 노드에 접속되고, 상기 제1 다이오드의 N형 단자는 상기 발광 소자 어레이들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속되는 발광 소자 구동 장치.The method of claim 3,
Wherein the first diode is a PN junction diode, the P-type terminal of the first diode is connected to the second node, and the N-type terminal of the first diode is connected to the output terminal or the input terminal of any one of the light- Emitting device.
상기 제2 노드와 상기 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속되는 제2 다이오드를 더 포함하는 발광 소자 구동 장치.6. The method of claim 5,
And a second diode connected to an output terminal or an input terminal of any one of the second node and the light emitting device arrays.
상기 제2 다이오드는 PN 접합 다이오드이고, 상기 제2 다이오드의 P형 단자는 상기 제2 노드에 접속되고, 상기 제2 다이오드의 N형 단자는 상기 발광 소자 어레이들 중 다른 어느 하나의 출력단 또는 입력단에 접속되는 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 6,
Type terminal of the second diode is connected to the second node and the N-type terminal of the second diode is connected to the output terminal or the input terminal of any one of the light-emitting element arrays, the second diode being a PN junction diode, And the light emitting element driving device is connected to the light emitting element.
상기 제1 노드에 접속되는 제1 입력 단자, 기준 전압들 중 대응하는 어느 하나가 입력되는 제2 입력 단자, 및 출력 단자를 포함하는 증폭기; 및
상기 증폭기의 출력 단자가 접속되는 게이트, 및 상기 발광 소자 어레이들 중 대응하는 어느 하나의 출력단과 상기 제1 노드 사이에 접속되는 소스 및 드레인을 포함하는 트랜지스터를 포함하는 발광 소자 구동 장치.The apparatus of claim 1, wherein each of the plurality of switching units comprises:
An amplifier including a first input terminal connected to the first node, a second input terminal receiving a corresponding one of the reference voltages, and an output terminal; And
A gate connected to the output terminal of the amplifier, and a source and a drain connected between the corresponding one of the light emitting element arrays and the first node.
상기 정류부의 제1 출력단은 그라운드에 접속되는 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 1,
And the first output terminal of the rectifying unit is connected to the ground.
상기 제2 다이오드의 양단의 저항값은 상기 센싱 저항의 저항값보다 작은 발광 소자 구동 장치.The method according to claim 6,
Wherein a resistance value of both ends of the second diode is smaller than a resistance value of the sensing resistor.
상기 트랜지스터의 소스 및 드레인에 병렬 접속되는 제3 다이오드를 더 포함하는 발광 소자 구동 장치.9. The apparatus of claim 8, wherein each of the plurality of switching units comprises:
And a third diode connected in parallel to a source and a drain of the transistor.
복수 개의 그룹들을 포함하며, 상기 복수 개의 그룹들 각각은 적어도 하나의 발광 소자 어레이를 포함하는 발광부;
상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속되는 센싱 저항;
상기 정류 신호의 레벨을 감지하고, 감지된 상기 정류 신호의 레벨에 기초하여 상기 복수 개의 그룹들 중 대응하는 어느 하나와 상기 제1 노드를 접속시키는 복수의 스위칭부들을 포함하는 스위칭 제어부; 및
상기 제2 노드와 상기 복수 개의 그룹들 중 어느 하나의 출력단 또는 입력단 사이에 접속되는 제1 다이오드를 포함하며,
상기 제1 노드는 상기 복수의 스위칭부들과 상기 센싱 저항의 일단의 접속 노드이고, 상기 제2 노드는 상기 정류부의 제1 출력단과 상기 센싱 저항의 타단의 접속 노드인 발광 모듈.A rectifier for outputting a rectified signal according to a result of rectifying the AC signal;
A light emitting unit including a plurality of groups, each of the plurality of groups including at least one light emitting element array;
A sensing resistor connected between the first node and the second node;
A switching controller for sensing the level of the rectified signal and for connecting the corresponding one of the plurality of groups to the first node based on the detected level of the rectified signal; And
And a first diode connected between the second node and an output or input of any one of the plurality of groups,
Wherein the first node is a connection node of the plurality of switching units and one end of the sensing resistor, and the second node is a connection node of the first output end of the rectifying unit and the other end of the sensing resistor.
복수 개의 그룹들 각각에 병렬 연결되는 커패시터를 더 포함하는 발광 모듈.13. The light-emitting device according to claim 12,
And a capacitor connected in parallel to each of the plurality of groups.
인접하는 2개의 그룹들 사이에 접속되는 제4 다이오드를 더 포함하는 발광 모듈.14. The light-emitting device according to claim 13,
And a fourth diode connected between two adjacent groups.
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