KR20180049844A - Etching composition and manufacturing method of wire patter and organic light emitting display device using the same - Google Patents

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양희성
박홍식
정종현
김규포
신현철
이병웅
이상혁
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주식회사 동진쎄미켐
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Abstract

An embodiment of the present invention provides an etchant composition containing 50 to 70 wt% phosphoric acid, 0.5 to 5 wt% nitric acid, 0.1 to 1 wt% a chlorine compound, 0.5 to 5 wt% a sulfonic acid compound, and 20 to 40 wt% water with respect to the total weight of the composition. The etchant composition of the present invention can be used for etching a multilayer including a first conductive film containing metal and a second conductive film containing transparent conductive oxide.

Description

식각액 조성물, 이를 이용한 배선 패턴 형성 방법 및 유기발광 표시장치의 제조방법{ETCHING COMPOSITION AND MANUFACTURING METHOD OF WIRE PATTER AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an etchant composition, a wiring pattern forming method using the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device.

본 발명은 식각액 조성물, 이를 이용한 배선 패턴 형성 방법 및 유기발광 표시장치의 제조방법에 대한 것이다.The present invention relates to an etchant composition, a wiring pattern forming method using the same, and a method of manufacturing an organic light emitting display device.

유기발광 표시장치(organic light emitting display device)는 빛을 방출하는 유기발광소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시장치이다. 유기발광 표시장치는 낮은 소비전력, 높은 휘도 및 높은 반응속도 등의 특성을 가지므로 현재 표시장치로 주목받고 있다.Description of the Related Art [0002] An organic light emitting display device is a self light emitting display device that displays an image with an organic light emitting diode that emits light. BACKGROUND ART [0002] Organic light emitting display devices are attracting attention as display devices because they have characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

유기발광 표시장치는 발광 방향에 따라 전면 발광형(Top emission type)와 배면 발광형(Bottom emission type)으로 구분될 수 있다. 이 중 전면 발광형 유기발광 표시장치는 유기 발광층에서 발생된 빛을 외부로 방출하기 위한 반사 전극을 포함한다. 반사 전극은 반사층을 포함하는 도전막의 식각에 의해 만들어질 수 있다. 또한, 이러한 도전막의 식각에는 식각액 조성물이 사용된다.The organic light emitting display may be divided into a top emission type and a bottom emission type according to the direction of light emission. Among these, the top emission type organic light emitting display includes a reflective electrode for emitting light generated in the organic emission layer to the outside. The reflective electrode can be made by etching the conductive film including the reflective layer. The etching solution composition is used for etching the conductive film.

본 발명의 일 실시예는 금속을 포함하는 제1 도전막과 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막으로 된 다중막 식각에 사용될 수 있는 식각액 조성물을 제공하고자 한다. 본 발명의 일 실시예는 특히, 알루미늄을 포함하는 제1 도전막과 인듐을 포함하는 제2 도전막으로 된 다중막 식각에 사용될 수 있는 식각액 조성물을 제공하고자 한다. One embodiment of the present invention is to provide an etchant composition that can be used for multi-layer etching of a first conductive film containing a metal and a second conductive film containing a transparent conductive oxide. One embodiment of the present invention is to provide an etchant composition which can be used for multi-layer etching of a first conductive film containing aluminum and a second conductive film containing indium.

본 발명의 다른 일 실시예는 이러한 식각액 조성물을 이용한 도전 패턴 형성 방법을 제공하고자 한다.Another embodiment of the present invention is to provide a method of forming a conductive pattern using such an etching liquid composition.

본 발명의 또 다른 일 실시예는 이러한 식각액 조성물을 이용한 전극 형성 단계를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공하고자 한다.Another embodiment of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting display including an electrode forming step using the etchant composition.

본 발명의 일 실시예는, 전체 중량에 대하여 50 내지 70 중량%의 인산; 0.5 내지 5 중량%의 질산; 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물; 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및 20 내지 40 중량%의 물;을 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.One embodiment of the present invention is a composition comprising 50 to 70% by weight phosphoric acid based on the total weight; 0.5 to 5 wt% nitric acid; 0.1 to 1% by weight chlorine compound; 0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And 20 to 40% by weight of water.

상기 식각액 조성물은 초산(CH3COOH)을 포함하지 않는다.The etching liquid composition does not contain acetic acid (CH 3 COOH).

상기 염소 화합물은 물에서 해리되어 염소이온(Cl-)을 형성한다.The chlorine compound is dissociated in water, chlorine ions (Cl -) to form a.

상기 염소 화합물은 HCl, NaCl, NH4Cl, KCl, LiCl, ZnCl2, MgCl2 및 FeCl3 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.The chlorine compound includes at least one selected from HCl, NaCl, NH 4 Cl, KCl, LiCl, ZnCl 2 , MgCl 2 and FeCl 3 .

상기 술폰산 화합물은 고리형술폰산 화합물 및 탄화수소계술폰산 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.The sulfonic acid compound includes at least one of a cyclic sulfonic acid compound and a hydrocarbon-based sulfonic acid compound.

상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 암모늄술폰산 및 아미도술폰산 중 적어도 하나를 포함한다. The sulfonic acid compound includes at least one of methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, ammonium sulfonic acid and amidosulfonic acid.

상기 식각액 조성물은 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 포함하는 다중막 식각용이다.The etchant composition is for a multi-layer etch comprising a first conductive film comprising a metal and a second conductive film comprising a transparent conductive oxide.

상기 제1 도전막은 알루미늄을 포함한다.The first conductive film includes aluminum.

상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In)을 포함한다.The transparent conductive oxide includes indium (In).

본 발명의 다른 일 실시예는, 기판 상에 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 형성하는 단계; 및 식각액 조성물을 이용하여, 상기 제1 도전막 및 상기 제2 도전막을 식각하는 단계;를 포함하며, 상기 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여 50 내지 70 중량%의 인산; 0.5 내지 5 중량%의 질산; 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물; 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및 20 내지 40 중량%의 물;을 포함하는 도전 패턴 형성 방법을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a first conductive film including a metal and a second conductive film including a transparent conductive oxide on a substrate; And etching the first conductive layer and the second conductive layer using an etchant composition, wherein the etchant composition comprises 50 to 70% by weight of phosphoric acid based on the total weight; 0.5 to 5 wt% nitric acid; 0.1 to 1% by weight chlorine compound; 0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And 20 to 40% by weight of water.

상기 식각액 조성물은 초산을 포함하지 않는다.The etchant composition does not contain acetic acid.

상기 제1 도전막은 알루미늄을 포함한다.The first conductive film includes aluminum.

상기 제1 도전막은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 란타늄(La)을 포함한다.The first conductive film includes aluminum (Al), nickel (Ni), and lanthanum (La).

상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In)을 포함한다.The transparent conductive oxide includes indium (In).

상기 투명 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide) 및 In2O3(Indium Oxide) 중 적어도 하나를 포함한다.The transparent conductive oxide includes at least one of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and In 2 O 3 (Indium Oxide).

본 발명의 또 다른 일 실시예는, 기판 상에 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 형성하는 단계; 및 식각액 조성물을 이용하여, 상기 제1 도전막 및 상기 제2 도전막을 식각하여 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여 50 내지 70 중량%의 인산; 0.5 내지 5 중량%의 질산; 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물; 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및 20 내지 40 중량%의 물;을 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a first conductive film including a metal and a second conductive film including a transparent conductive oxide on a substrate; Etching the first conductive film and the second conductive film to form a first electrode using an etchant composition; Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic light emitting layer, wherein the etchant composition comprises 50 to 70% by weight of phosphoric acid based on the total weight; 0.5 to 5 wt% nitric acid; 0.1 to 1% by weight chlorine compound; 0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And 20 to 40% by weight of water.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 알루미늄을 포함하는 제1 도전막과 인듐을 포함하는 제2 도전막을 갖는 다중막에 대하여 우수한 식각 특성을 가진다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention has excellent etching properties for multiple films having a first conductive film containing aluminum and a second conductive film containing indium.

도 1a 내지 도 1e는 본 발명이 다른 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법에 대한 단면도이다.
도 2는 시험예에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막의 주사전자 현미경 사진이다.
도 3은 비교예에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막의 주사전자 현미경 사진이다.
도 4a 및 4b는 도전막의 임계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew) 변화에 대한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 I-I'에 따른 단면도이다.
도 7a 내지 7d는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조 공정에 대한 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views of a method of forming a conductive pattern according to another embodiment of the present invention.
2 is a scanning electron micrograph of the conductive film etched by the etching solution composition according to the test example.
3 is a scanning electron micrograph of a conductive film etched by the etchant composition according to a comparative example.
4A and 4B are graphs showing changes in the critical dimension (CD) skew of the conductive film.
5 is a plan view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of Fig.
7A to 7D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 예시하고 이를 주로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 이러한 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.The present invention may be embodied in various forms without departing from the spirit and scope of the invention. However, the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments. It is to be understood that all changes, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

도면에서, 각 구성 요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성 요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서, 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 또한, 동일한 기능을 하는 구성 요소는 동일한 부호로 표시된다. In the drawing, each component and its shape or the like may be briefly drawn or exaggerated, and components in an actual product may not be represented and may be omitted. Accordingly, the drawings are to be construed as illustrative of the invention. In addition, components having the same function are denoted by the same reference numerals.

어떤 층이나 구성 요소가 다른 층이나 구성 요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 것은 어떤 층이나 구성 요소가 다른 층이나 구성 요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.It is to be understood that any layer or element is referred to as being "on" another layer or element means that not only is there any layer or component disposed in direct contact with another layer or component, Quot; and " including "

본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성 요소를 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In this specification, when a part is connected to another part, it includes not only a direct connection but also a case where the other part is electrically connected with another part in between. In addition, when a part includes an element, it does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may include other elements.

본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.The terms first, second, third, etc. in this specification may be used to describe various components, but such components are not limited by these terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one element from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second or third component, and similarly, the second or third component may be alternately named.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 도면에서 생략되었으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호가 붙여진다.In order to clearly describe the present invention, parts not related to the description are omitted from the drawings, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

본 발명의 일 실시예는 인산, 질산, 염소 화합물, 술폰산 화합물 및 물을 포함하며, 초산을 포함하지 않는 식각액 조성물을 제공한다. One embodiment of the present invention provides an etchant composition that includes phosphoric acid, nitric acid, a chlorine compound, a sulfonic acid compound, and water, and does not include acetic acid.

본 발명에 따른 식각액 조성물은 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 포함하는 다중막 식각에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 식각액 조성물은 특히, 알루미늄을 포함하는 제1 도전막 및 인듐(In)을 포함하는 제2 도전막을 갖는 다중막의 식각에 사용될 수 있다.The etchant composition according to the present invention can be used for multi-layer etching including a first conductive film containing a metal and a second conductive film containing a transparent conductive oxide. The etchant composition according to the present invention can be used particularly for etching multiple films having a first conductive film containing aluminum and a second conductive film containing indium (In).

여기서, 제1 도전막은 알루미늄을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 도전막은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 란타늄(La)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전막은 Al96-xNi6Lax (여기서, 4 ≤ x ≤ 7)로 이루어질 수 있다. 이러한 제1 도전막은 반사막으로 사용될 수 있다.Here, the first conductive film may include aluminum. More specifically, the first conductive film may include aluminum (Al), nickel (Ni), and lanthanum (La). For example, the first conductive film may be composed of Al 96-x Ni 6 La x (where 4 ≦ x ≦ 7). This first conductive film can be used as a reflective film.

제2 도전막은 투명 도전성 산화물을 포함한다. 또한, 투명 도전성 산화물은 인듐(In)을 포함한다. 즉, 제2 도전막은 인듐(In)을 포함하는 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다. 인듐(In)을 포함하는 투명 도전성 산화물의 예로, ITO(Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), In2O3(Indium Oxide) 등이 있다. The second conductive film includes a transparent conductive oxide. The transparent conductive oxide includes indium (In). That is, the second conductive film may be made of a transparent conductive oxide containing indium (In). Examples of transparent conductive oxides containing indium (In) include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium oxide (In 2 O 3 ).

전면 발광형(Top Emission Type) 유기발광 표시장치는 유기 발광층에서 발생된 빛을 외부로 방출하기 위한 반사 전극을 포함한다. 반사 전극 형성을 위해, 종래, 반사율이 매우 높은 은(Ag, silver)이 사용되었다. 은(Ag)을 포함하는 반사 전극은, 예를 들어, ITO층/은(Ag)층/ITO층이 적층된 구조를 가진다. 그런데, 은(Ag)은 고가이고, 에칭액에 대한 식각 속도가 빨라 에칭 공정의 안정성이 저하시키는 문제가 있다.The top emission type organic light emitting display includes a reflective electrode for emitting light emitted from the organic light emitting layer to the outside. Conventionally, silver (silver) having a very high reflectance was used for forming a reflective electrode. The reflective electrode containing silver (Ag) has, for example, a structure in which an ITO layer / a silver (Ag) layer / an ITO layer are laminated. However, silver (Ag) is expensive and has a problem in that the stability of the etching process is lowered because of the high etching rate for the etching solution.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 은(Ag)을 대체하여 반사 전극에 알루미늄(Al)이 사용되며, 알루미늄을 포함하는 반사 전극 형성에 적용될 수 있는 식각액 조성물이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, aluminum (Al) is used as a reflective electrode instead of silver (Ag), and an etchant composition applicable to forming a reflective electrode containing aluminum is provided.

즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 알루미늄을 포함하는 반사 전극 형성에 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 제1 도전막 및 인듐을 포함하는 제2 도전막을 갖는 다중막의 식각에 사용될 수 있다.That is, the etchant composition according to one embodiment of the present invention can be used for forming a reflective electrode containing aluminum. More specifically, the etchant composition according to one embodiment of the present invention may be used for etching multiple films having a first conductive film comprising aluminum or an aluminum alloy and a second conductive film comprising indium.

이하, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하는 제1 도전막을 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막이라고도 한다. 또한, 인듐을 포함하는 제2 도전막을 인듐 산화막이라고도 한다.Hereinafter, the first conductive film containing aluminum or an aluminum alloy is also referred to as an aluminum film or an aluminum alloy film. The second conductive film containing indium is also referred to as an indium oxide film.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 조성물 전체 중량에 대하여, 50 내지 70 중량%의 인산, 0.5 내지 5 중량%의 질산, 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물, 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물 및 20 내지 40 중량%의 물을 포함한다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention may contain 50 to 70 wt% of phosphoric acid, 0.5 to 5 wt% of nitric acid, 0.1 to 1 wt% of chlorine compound, 0.5 to 5 wt% of sulfonic acid compound And 20 to 40 wt% water.

인산(H3PO4)은 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막에 대한 식각 능력이 우수하다. 즉, 인산(H3PO4)은 제1 도전막에 대한 식각 능력이 우수하다.Phosphoric acid (H 3 PO 4 ) has excellent etching ability for an aluminum film or an aluminum alloy film. That is, phosphoric acid (H 3 PO 4 ) has an excellent etching ability for the first conductive film.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 전체 중량에 대하여, 50 내지 70 중량%의 인산(H3PO4)을 포함한다. 인산의 함량이 50 중량% 미만일 경우 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막의 식각 속도가 느려지며, 70 중량%를 초과할 경우 점도가 상승되어 식각액 분사에 어려움이 발생한다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises 50 to 70% by weight of phosphoric acid (H 3 PO 4 ) based on the total weight. When the content of phosphoric acid is less than 50% by weight, the etching rate of the aluminum film or aluminum alloy film is slowed. When the content of phosphoric acid is more than 70% by weight, viscosity is increased and difficulty is caused in the etching solution injection.

질산(HNO3)은 알루미늄막 혹은 알루미늄 합금막에 산화막을 형성하는 기능을 한다. 즉, 질산(HNO3)은 산화제로 작용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 전체 중량에 대하여, 0.5 내지 5중량%의 질산(HNO3)을 포함한다. The nitric acid (HNO 3 ) functions to form an oxide film on an aluminum film or an aluminum alloy film. That is, nitric acid (HNO 3 ) can act as an oxidizing agent. The etchant composition according to an embodiment of the present invention includes 0.5 to 5 wt% of nitric acid (HNO 3 ) based on the total weight.

질산 함량이 0.5 중량% 미만일 경우, 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막에 대한 식각 속도가 저하되며, 인듐을 포함하는 제2 도전막, 즉, 인듐 산화막에 팁(Tip)이 발생할 수 있다. 팁(Tip)은 인듐 산화막의 말단에서 인듐 산화막이 알루니미늄막 또는 알루미늄 합금막쪽으로 식각되어 발생될 수 있다.If the content of nitric acid is less than 0.5 wt%, the etching rate for the aluminum film or the aluminum alloy film is lowered, and a tip may occur in the second conductive film containing indium, that is, the indium oxide film. The tip may be formed by etching the indium oxide film toward the aluminum nitride film or the aluminum alloy film at the end of the indium oxide film.

질산 함량이 5 중량%를 초과하는 경우, 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막의 식각 속도가 지나치게 빨라져서 인듐을 포함하는 제2 도전막에 팁(Tip)이 발생할 수 있으며, 질산이 염소 화합물과 반응하여 식각액 조성물의 보관 안정성이 저하될 수 있다.If the nitric acid content exceeds 5 wt%, the etching rate of the aluminum film or the aluminum alloy film becomes excessively high, so that a tip may occur in the second conductive film containing indium, and nitric acid may react with the chlorine compound, Storage stability may be deteriorated.

염소 화합물(Chloride)은 물(H2O)에서 해리되어 염소 이온(Cl-)를 생성할 수 있는 화합물로, 인듐을 포함하는 제2 도전막에 대한 산화제로 작용한다. 여기서, 물(H2O)은 용매이다.Chloride is a compound capable of dissociating in water (H 2 O) to form chlorine ion (Cl - ) and acts as an oxidizing agent for the second conductive film containing indium. Here, water (H 2 O) is a solvent.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여 0.1 내지 1 중량%의 염소 화합물을 포함한다. 염소 화합물 함량이 0.1 중량% 미만인 경우, 인듐을 포함하는 제2 도전막의 식각 속도가 저하되어 제2 도전막에 팁(Tip)이 발생할 수 있다. 염소 화합물 함량이 1 중량%를 초과 하는 경우, 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막의 식각 속도가 지나치게 빨라져 제2 도전막에 팁(Tip)이 발생할 수 있으며, 보관 안정성이 저하될 수 있다. The etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises 0.1 to 1% by weight of a chlorine compound based on the total weight of the etchant composition. If the chlorine compound content is less than 0.1 wt%, the etching rate of the second conductive film containing indium may be lowered, and a tip may be generated in the second conductive film. If the content of the chlorine compound exceeds 1% by weight, the etching rate of the aluminum film or the aluminum alloy film becomes excessively high, so that a tip may be generated in the second conductive film, and storage stability may be deteriorated.

염소 화합물은 HCl, NaCl, NH4Cl, KCl, LiCl, ZnCl2, MgCl2 및 FeCl3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 염소 화합물의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 물(H2O)에서 해리되어 염소 이온(Cl-)을 발생할 수 있는 물질이라면 본 발명의 일 실시예에 따른 염소 화합물로 사용될 수 있다.The chlorine compound may include at least one of HCl, NaCl, NH 4 Cl, KCl, LiCl, ZnCl 2 , MgCl 2 and FeCl 3 . However, the type of the chlorine compound is not limited thereto, and it may be used as a chlorine compound according to an embodiment of the present invention if it is a substance capable of dissociating in water (H 2 O) to generate chlorine ions (Cl - ).

술폰산 화합물(Sulfonic acid)은 보조산화제로서 작용한다. 술폰산 화합물은 인듐을 포함하는 제2 도전막의 식각률을 증가시키는 역할을 하며, 용해된 제2 도전막 성분의 용출을 방지하는 역할을 한다.Sulfonic acid acts as a co-oxidant. The sulfonic acid compound serves to increase the etching rate of the second conductive film containing indium and serves to prevent elution of the dissolved second conductive film component.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물을 포함한다. 술폰산 화합물의 함량이 0.5 중량% 미만인 경우, 식각 후 인듐을 포함하는 제2 도전막에 잔막이 발생할 수 있으며, 술폰산 화합물의 함량이 5 중량%를 초과하는 경우 식각 속도가 빨라져 팁(Tip)이 발생할 수 있다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises 0.5 to 5 wt% of a sulfonic acid compound based on the total weight of the etchant composition. If the content of the sulfonic acid compound is less than 0.5% by weight, a residual film may be formed on the second conductive film containing indium after etching. If the content of the sulfonic acid compound exceeds 5% by weight, .

술폰산 화합물의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 술폰산 화합물로 고리형 술폰산 화합물 및 탄화수소계 술폰산 화합물 등이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 암모늄술폰산 및 아미도술폰산 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. There is no particular limitation on the kind of the sulfonic acid compound. As the sulfonic acid compound, a cyclic sulfonic acid compound and a hydrocarbon-based sulfonic acid compound can be used. More specifically, the sulfonic acid compound may include at least one of methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, ammonium sulfonic acid and amidosulfonic acid.

물(DI Water)은 용매로 사용된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여 20 내지 40 중량%의 물을 포함한다. Water (DI Water) is used as a solvent. The etchant composition according to an embodiment of the present invention comprises 20 to 40% by weight of water based on the total weight.

물의 함량은 각 성분의 반응 안정성과 관계가 있다. 예를 들어, 질산과 염소 화합물은 서로 반응하여 질소 가스 혹은 염소 가스를 생성할 수 있다. 이 때, 물의 함량이 식각액 조성물 전체 중량에 대하여 20 중량% 미만인 경우 질소 가스 또는 염소 가스에 의해 식각 특성이 저하되며, 물의 함량이 40 중량%를 초과하는 경우 이들의 반응성이 감소되어 식각액 조성물의 안정성이 보장될 수 있지만, 식각 대상물의 경시 변화가 빨라져서 식각량을 일정하게 유지하기 어려워진다. The water content is related to the reaction stability of each component. For example, nitric acid and chlorine compounds can react with each other to produce nitrogen gas or chlorine gas. When the content of water is less than 20% by weight based on the total weight of the etching solution composition, the etching property is lowered by nitrogen gas or chlorine gas. When the content of water exceeds 40% by weight, However, it is difficult to keep the etching amount constant because the etching object changes with time.

식각액 조성물이 초산을 포함하는 경우, 인듐을 포함하는 제2 도전막의 식각 속도가 저하되어 팁(Tip)이 발생될 수 있다. 반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 종래의 알루미늄 식각액과 달리 초산(CH3COOH)을 포함하지 않는다. If the etchant composition contains nitric acid, the etch rate of the second conductive film containing indium may be lowered and a tip may be generated. On the other hand, the etchant composition according to an embodiment of the present invention does not contain acetic acid (CH 3 COOH) unlike the conventional aluminum etchant.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은, 인산과 질산을 이용하여 알류미늄막 또는 알루미늄 합금막을 식각하고, 염소 화합물을 이용하여 인듐을 포함하는 제2 도전막을 식각한다. 또한, 물의 함량이 20 내지 40 중량%로 조정되어 질산과 염소 화합물의 안정성이 상승되며, 술폰산 화합물에 의하여 인듐을 포함하는 제2 도전막의 식각 속도가 증가되고 용해도가 상승된다.The etchant composition according to an embodiment of the present invention etches an aluminum film or an aluminum alloy film using phosphoric acid and nitric acid, and etches a second conductive film containing indium using a chlorine compound. In addition, the water content is adjusted to 20 to 40 wt%, the stability of the nitric acid and the chlorine compound is increased, and the etching rate of the second conductive film containing indium is increased by the sulfonic acid compound and the solubility is increased.

본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물이 사용되는 경우, 종래의 은(Ag) 에칭액(Etchant)이 사용되는 경우와 비교하여, 공정 안정성이 향상되고 공정당 에칭 처리 수가 증가되어 에칭 공정의 비용이 감소될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반사 전극에 고가의 은(Ag) 대신 가격이 저렴한 알루미늄(Al)이 사용됨으로써, 유기발광 표시장치의 제조비용이 감소된다. When the etchant composition according to an embodiment of the present invention is used, the process stability is improved and the number of etch processes per process is increased as compared with the case where a conventional silver (Ag) etchant is used, Can be reduced. According to an embodiment of the present invention, aluminum (Al), which is inexpensive instead of expensive silver, is used for the reflective electrode, thereby reducing the manufacturing cost of the OLED display.

이하, 도 1a 내지 도 1e을 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법을 설명한다.Hereinafter, a conductive pattern forming method according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 1E.

도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법에 대한 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of forming a conductive pattern according to another embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 먼저, 기판(111) 상에 층간 절연막(112)이 형성된다. Referring to FIG. 1A, an interlayer insulating layer 112 is formed on a substrate 111.

기판(111)은 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어질 수 있다.The substrate 111 may be made of glass, plastic, or the like.

층간 절연막(112)은 생략될 수 있다. 층간 절연막(112) 대신 기판(111) 상에 배선부가 배치될 수 있으며, 버퍼층이 배치될 수도 있다.The interlayer insulating film 112 may be omitted. A wiring portion may be disposed on the substrate 111 instead of the interlayer insulating film 112, and a buffer layer may be disposed.

도 1b를 참조하면, 기판(111) 상에 금속을 포함하는 제1 도전막(113) 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막(114)이 형성된다.Referring to FIG. 1B, a first conductive layer 113 including a metal and a second conductive layer 114 including a transparent conductive oxide are formed on a substrate 111.

제1 도전막(113)은 알루미늄을 포함한다. 즉, 제1 도전막(113)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어질 수 있다.The first conductive film 113 includes aluminum. That is, the first conductive layer 113 may be made of aluminum or an aluminum alloy.

보다 구체적으로, 제1 도전막(113)은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 란타늄(La)을 포함할 수 있다. 제1 도전막(113)은, 예를 들어, Al96-xNi6Lax (여기서, 4 ≤ x ≤ 7)로 만들어질 수 있다. 이러한 제1 도전막(113)은 반사막 기능을 할 수 있다.More specifically, the first conductive layer 113 may include aluminum (Al), nickel (Ni), and lanthanum (La). The first conductive film 113 may be made of, for example, Al 96-x Ni 6 La x (where 4? X? 7). The first conductive film 113 can function as a reflective film.

제2 도전막(114)은 인듐(In)을 포함한다. 인듐(In)을 포함하는 투명 도전성 산화물에 의해 제2 도전막(114)이 형성될 수 있다. 여기서, 투명 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide) 및 In2O3(Indium Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second conductive film 114 includes indium (In). The second conductive film 114 may be formed of a transparent conductive oxide containing indium (In). Here, the transparent conductive oxide may include at least one of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and In 2 O 3 (Indium Oxide).

제1 도전막(113) 및 제2 도전막(114)은, 예를 들어, CVD 공정, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 또는 물리 기상 증착(Physical Layer Deposition: PVD) 공정을 통해 형성될 수 있다.The first conductive layer 113 and the second conductive layer 114 may be formed by a CVD process, an atomic layer deposition (ALD) process, a sputtering process, or a physical layer deposition (CVD) process. PVD) process.

도 1c를 참조하면, 제2 도전막(114) 상에 제2 도전막(114) 상면을 부분적으로 노출시키는 마스크 패턴(310)이 배치된다.Referring to FIG. 1C, a mask pattern 310 for partially exposing the upper surface of the second conductive layer 114 is disposed on the second conductive layer 114.

마스크 패턴(310)은, 예를 들어, 포토레지스트 물질이 제2 도전막(114) 상에 도포된 후, 포토레지스트 물질이 노광 및 현상되어 형성될 수 있다. 이와 달리, 마스크 패턴(310)은 실리콘 혹은 탄소 계열의 스핀-온 하드마스크(Spin-On Hardmask: SOH) 물질로 형성될 수도 있다.The mask pattern 310 may be formed, for example, after the photoresist material is applied on the second conductive film 114, and then the photoresist material is exposed and developed. Alternatively, the mask pattern 310 may be formed of a silicon-based or carbon-based spin-on hardmask (SOH) material.

도 1d를 참조하면, 마스크 패턴(310)을 사용하여 제2 도전막(114) 및 제1 도전막(113)이 식각되어 제2 도전막 패턴(114p) 및 제1 도전막 패턴(113p)을 포함하는 도전 패턴(115)이 형성된다. 도전 패턴(115)은, 배선일 수도 있고, 전극일 수도 있고, 도전 패드일 수도 있다. 그러나, 도전 패턴(115)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. Referring to FIG. 1D, the second conductive layer 114 and the first conductive layer 113 are etched using the mask pattern 310 to form the second conductive layer pattern 114p and the first conductive layer pattern 113p A conductive pattern 115 is formed. The conductive pattern 115 may be a wiring, an electrode, or a conductive pad. However, the type of the conductive pattern 115 is not limited to this.

제1 도전막 패턴(113p) 및 제2 도전막 패턴(114p)은 제1 도전막(113)과 제2 도전막(114)에 대한 습식 식각 공정에 의해 만들어질 수 있다. 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 식각액 조성물이 사용되는 식각 공정은 습식 식각 공정이다. The first conductive film pattern 113p and the second conductive film pattern 114p may be formed by a wet etching process for the first conductive film 113 and the second conductive film 114. [ The etching process in which the etching composition according to another embodiment of the present invention is used is a wet etching process.

이미 설명한 바와 같이, 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여, 50 내지 70 중량%의 인산, 0.5 내지 5 중량%의 질산, 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물, 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물 및 20 내지 40 중량%의 물을 포함한다. 또한, 식각액 조성물은 초산을 포함하지 않는다. As already described, the etchant composition comprises 50 to 70 wt% phosphoric acid, 0.5 to 5 wt% nitric acid, 0.1 to 1 wt% chlorine compound, 0.5 to 5 wt% sulfonic acid compound, and 20 to 40 wt% % Water. Also, the etchant composition does not contain acetic acid.

이하, 중복을 피하기 위해 식각액 조성물에 대한 상세한 설명은 생략된다.Hereinafter, a detailed description of the etchant composition is omitted in order to avoid redundancy.

도 1e를 참조하면, 마스크 패턴(310)이 제거되어 도전 패턴(115)이 완성된다. 이와 같이 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도전 패턴(115)은 2층으로 된 다중막 구조를 갖는다. 그러나 본 발명의 다른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 도전 패턴(115)은 3층 이상으로 이루어진 다중막 구조를 가질 수도 있다.Referring to FIG. 1E, the mask pattern 310 is removed, and the conductive pattern 115 is completed. As described above, the conductive pattern 115 according to another embodiment of the present invention has a two-layered multi-layer structure. However, another embodiment of the present invention is not limited thereto, and the conductive pattern 115 may have a multi-layered structure composed of three or more layers.

<시험예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 11>&Lt; Test Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 11 >

아래 표 1의 함량에 따라 식각액 조성물을 제조하여 식각 성능을 비교하였다. 시험예 1 내지 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 식각액 조성물이다. 비교예 1 내지 11은 비교를 위해 제조된 식각액 조성물이다. 비교예 1 내지 11의 각 성분 중 적어도 하나의 함량은 본 발명의 일 실시예에 따른 함량 범위를 벗어난다. 표 1에서 각 성분의 함량은 중량%이다.The etchant compositions were prepared according to the contents in Table 1 below and the etch performance was compared. Test Examples 1 to 8 are etchant compositions prepared according to one embodiment of the present invention. Comparative Examples 1 to 11 are etchant compositions prepared for comparison. The content of at least one of the components of Comparative Examples 1 to 11 is out of the content range according to one embodiment of the present invention. In Table 1, the content of each component is% by weight.

실험예Experimental Example 인산
Phosphoric acid
질산nitric acid 염소
화합물
(NaCl)Goat
compound
(NaCl) 술폰산
(Methane
sulfonic acid)Sulfonic acid
(Methane
sulfonic acid) 초산
(Acetic acid)Acetic acid
(Acetic acid) 물water 시험예 1Test Example 1 7070 22 1One 1One -- 2525 시험예 2Test Example 2 5050 55 1One 44 -- 4040 시험예 3Test Example 3 6868 0.50.5 0.50.5 55 -- 2626 시험예 4Test Example 4 5555 55 1One 0.50.5 -- 38.538.5 시험예 5Test Example 5 6868 1One 0.10.1 0.50.5 -- 30.430.4 시험예 6Test Example 6 5555 55 1One 22 -- 3737 시험예 7Test Example 7 6565 55 1One 0.50.5 -- 28.528.5 시험예 8Test Example 8 7070 33 0.50.5 55 -- 21.521.5 비교예 1Comparative Example 1 4949 55 1One 55 -- 4040 비교예 2Comparative Example 2 7575 22 0.50.5 22 -- 21.521.5 비교예 3Comparative Example 3 6565 0.30.3 1One 33 -- 30.730.7 비교예 4Comparative Example 4 5050 77 1One 33 -- 3939 비교예 5Comparative Example 5 5555 44 0.050.05 33 -- 37.9537.95 비교예 6Comparative Example 6 6060 22 1.51.5 22 -- 34.534.5 비교예 7Comparative Example 7 6262 44 1One 0.20.2 -- 32.832.8 비교예 8Comparative Example 8 5555 1One 1One 88 -- 3535 비교예 9Comparative Example 9 7070 55 1One 55 -- 1919 비교예 10Comparative Example 10 5050 22 0.50.5 22 -- 45.545.5 비교예 11Comparative Example 11 5555 55 1One 0.50.5 55 33.533.5

유기 기판 상에 된 제1 도전막으로 1000Å 두께 알루미늄 합금막을 형성하였다. 알루미늄 합금막은 Al96 - xNi6Lax (여기서, x = 5)로 이루어졌다. 다음, 인듐을 포함하는 제2 도전막으로 150Å 두께의 ITO 막을 제1 도전막 상에 형성하였다. 이하 제1 도전막을 알루미늄 합금막이라고 하고, 제2 도전막을 ITO 막이라 한다.An aluminum alloy film having a thickness of 1000 Å was formed with the first conductive film on the organic substrate. The aluminum alloy film consisted of Al 96 - x Ni 6 La x (where x = 5). Next, an ITO film having a thickness of 150 ANGSTROM was formed on the first conductive film with a second conductive film containing indium. Hereinafter, the first conductive film is referred to as an aluminum alloy film, and the second conductive film is referred to as an ITO film.

이와 같이 형성된 이중막 구조를 갖는 도전막(이하 "도전막"이라 한다)을 식각하여 식각 특성을 평가하였다. 식각에 의한 패턴 형성 후, EPD(End Point Detection) 기준으로 제1 도전막인 알루미늄 합금막이 50% 과식각될 때까지 식각을 진행하였다. 제2 도전막인 ITO 막에서의 팁(tip) 발생 유무(표 2의 Tip), 12시간 식각량 유지 수준(표 2의 식각량 유지 수준), 상온 4주 보관 후의 식각 특성 변화(표 2의 보관 안정성)를 평가하였다. 평가를 위해 전자주사 현미경으로 촬영된 측단면 사진이 사용되었다. 또한, 인듐 잔사가 측정되었다(표 2의 인듐 잔사).The conductive film having the thus formed double film structure (hereinafter referred to as "conductive film") was etched to evaluate the etching characteristics. After the pattern formation by etching, etching was performed until the aluminum alloy film, which is the first conductive film, was over-grained by 50% on the basis of EPD (End Point Detection). (Tip in Table 2), 12-hour etching rate maintenance level (the etching rate maintenance level in Table 2), and etching property change after 4 weeks storage at room temperature (Table 2) Storage stability). A cross-sectional photograph taken with a scanning electron microscope was used for evaluation. In addition, indium residues were measured (indium residues in Table 2).

결과는 아래 표 2에 개시되었다. 표 2에서 양호 판정 기준은 다음과 같다.The results are shown in Table 2 below. The criteria for good judgment in Table 2 are as follows.

팁(Tip): 팁(Tip) 발생이 없으면 양호(O), 팁(Tip)이 발생되면 불량(X).Tip: Tip (X) is good when no tip occurs, and bad when tip (Tip) occurs.

식각량 유지 수준: 임계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew)의 변화가 0.1㎛ 이하이면 양호(O), 0.1㎛ 초과 0.2㎛ 미만이면 보통(Δ), 0.2㎛ 이상이면 불량(X). Etching level maintenance level: Critical Dimension (CD) Good (O) when the change of the skew is less than 0.1 탆, normal (Δ) when it is more than 0.1 탆 and less than 0.2 탆, and defective (X) if it is more than 0.2 탆.

보관 안정성: 4주 보관 후 임계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew)의 변화가 0.1㎛ 이하이면 양호(O), 0.1㎛ 초과 0.15㎛ 미만이면 보통(Δ), 0.15㎛ 이상이면 불량(X). Storage stability: Critical dimension (CD) after 4 weeks storage Good (O) when the change of skew is less than 0.1 탆, Normal (Δ) when it is more than 0.1 탆 but less than 0.15 탆, ).

인듐 잔사: 잔사가 없으면 양호(O), 발생되면 불량(X).Indium residue: Good (O) if there is no residue, bad (X) if generated.

실험예Experimental Example TipType 식각량 유지 수준Etch level maintenance level 보관 안정성Storage stability 인듐 잔사Indium residue 시험예 1Test Example 1 OO OO ΔΔ OO 시험예 2Test Example 2 OO OO OO OO 시험예 3Test Example 3 OO OO ΔΔ OO 시험예 4Test Example 4 OO OO OO OO 시험예 5Test Example 5 OO OO OO OO 시험예 6Test Example 6 OO OO OO OO 시험예 7Test Example 7 OO OO OO OO 시험예 8Test Example 8 OO OO ΔΔ OO 비교예 1Comparative Example 1 XX OO OO OO 비교예 2Comparative Example 2 XX OO OO OO 비교예 3Comparative Example 3 XX OO OO OO 비교예 4Comparative Example 4 XX ΔΔ ΔΔ OO 비교예 5Comparative Example 5 XX OO OO OO 비교예 6Comparative Example 6 OO XX ΔΔ OO 비교예 7Comparative Example 7 OO OO OO XX 비교예 8Comparative Example 8 XX OO ΔΔ OO 비교예 9Comparative Example 9 XX ΔΔ XX OO 비교예 10Comparative Example 10 OO XX OO OO 비교예 11Comparative Example 11 XX OO OO OO

표 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 시험예 1 내지 8의 경우, 팁(Tip) 발생 및 인듐 잔사 발생이 없으며, 식각량 유지 수준 및 보관 안정성이 우수하다.Referring to Table 2, in the case of Test Examples 1 to 8 according to an embodiment of the present invention, no tip generation and indium residue were generated, and the etching amount maintenance level and storage stability were excellent.

비교예 1 내지 11의 경우, 팁(Tip) 발생, 식각량 유지 수준, 보관 안정성 및 인듐 잔사 항목 중 적어도 하나에서 불량을 가진다. 예를 들어, 비교예 11은 시험예 4와 비교하여 5 중량%의 초산을 포함한다. 비교예 11에 따르면, ITO 식각 속도가 늦어져 팁(Tip)이 발생된다.In the case of Comparative Examples 1 to 11, there is a defect in at least one of the tip generation, the etching amount maintenance level, the storage stability and the indium residue item. For example, Comparative Example 11 contains 5% by weight of acetic acid as compared to Test Example 4. According to Comparative Example 11, a tip is generated because the ITO etching rate is lowered.

도 2는 시험예에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막의 주사전자 현미경 사진이고, 도 3은 비교예에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막의 주사전자 현미경 사진이다.FIG. 2 is a scanning electron micrograph of a conductive film etched by the etching composition according to a test example, and FIG. 3 is a scanning electron micrograph of a conductive film etched by the etching composition according to a comparative example.

구체적으로, 도 2는 시험예 1 내지 8에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막을 도시한다. 도 2를 참조하면, 시험예 1 내지 8에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막은 팁(Tip) 발생, 식각량 유지 수준, 보관 안정성, 인듐 잔사의 항목에 있어서 양호한 수준의 식각 특성을 갖는다.Specifically, Fig. 2 shows a conductive film etched by the etchant composition according to Test Examples 1 to 8. Referring to FIG. 2, the conductive films etched by the etching solution compositions according to Test Examples 1 to 8 have a good level of etching properties in terms of tip generation, etching amount maintenance level, storage stability, and indium residue.

도 3는 비교예 1 내지 11에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막을 도시한다. 도 3을 참조하면, 비교예 1 내지 11에 따른 식각액 조성물에 의해 식각된 도전막은 팁(Tip) 발생, 식각량 유지 수준, 보관 안정성 및 인듐 잔사 항목 중 적어도 하나에 있어서 양호하지 못한 특성을 갖는다.Fig. 3 shows a conductive film etched by the etchant composition according to Comparative Examples 1 to 11. Fig. Referring to FIG. 3, the conductive films etched by the etchant compositions according to Comparative Examples 1 to 11 have poor characteristics in at least one of tip generation, etch holding level, storage stability, and indium residue.

도 4a 및 4b는 도전막의 임계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew) 변화에 대한 그래프이다.4A and 4B are graphs showing changes in the critical dimension (CD) skew of the conductive film.

구체적으로, 도 4a는 시험예 1 내지 8에 따른 식각액 조성물로 식각된 도전막의 식각량 유지 수준을 임계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew) 변화(CD 변화)로 나타낸 그래프이고, 도 4b는 비교예 1 내지 11에 따른 식각액 조성물로 식각된 도전막의 식각량 유지 수준을 계치수(Critical Dimension, CD) 경사(skew) 변화(CD 변화)로 나타낸 그래프이다. 4A is a graph showing a critical dimension (CD) skew change (CD change) of the etching amount maintenance level of the conductive film etched with the etching solution composition according to Test Examples 1 to 8, And graphs showing the critical dimension (CD) skew change (CD change) of the etching amount maintenance level of the conductive film etched with the etching solution composition according to Comparative Examples 1 to 11.

본 발명의 또 다른 일 실시예는 유기발광 표시장치(101)를 제공한다.Another embodiment of the present invention provides an organic light emitting diode display (101).

도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)의 평면도이고, 도 6은 도 5의 I-I'를 따라 자른 단면도이다.FIG. 5 is a plan view of an OLED display 101 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)는 기판(110), 배선부(130) 및 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED) (210)를 포함한다.5 and 6, an OLED display 101 according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110, a wiring portion 130, and an organic light emitting diode (OLED) 210).

기판(110)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 그러나, 본 발명의 또 다른 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(110)이 스테인리스강 등의 금속성 재료로 만들어질 수도 있다.The substrate 110 may be made of an insulating material selected from the group consisting of glass, quartz, ceramic, plastic, and the like. However, another embodiment of the present invention is not limited thereto, and the substrate 110 may be made of a metallic material such as stainless steel.

기판(110) 상에 버퍼층(120)이 배치된다. 버퍼층(120)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 선택된 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)은 불순 원소 또는 수분과 같이 불필요한 성분이 배선부(130)나 유기발광소자(210)로 침투하는 것을 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 하지만, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 생략될 수도 있다.A buffer layer 120 is disposed on the substrate 110. The buffer layer 120 may include one or more films selected from various inorganic films and organic films. The buffer layer 120 serves to prevent unnecessary components such as impurities or moisture from penetrating into the wiring part 130 and the organic light emitting device 210 and to flatten the surface. However, the buffer layer 120 is not necessarily required and may be omitted.

배선부(130)는 버퍼층(120) 상에 배치된다. 배선부(130)는 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 부분으로, 유기발광소자(210)를 구동한다. 유기발광소자(210)는 배선부(130)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.The wiring portion 130 is disposed on the buffer layer 120. The wiring part 130 is a part including the switching thin film transistor 10, the driving thin film transistor 20 and the capacitor element 80 and drives the organic light emitting element 210. The organic light emitting diode 210 emits light according to a driving signal received from the wiring unit 130 to display an image.

도 5 및 6에, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)가 구비된 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기발광 표시장치(101)가 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 또 다른 일 실시예가 이러한 구조로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기발광 표시장치(101)는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 포함할 수 있으며, 별도의 배선을 더 포함하는 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기발광 표시장치(101)는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.5 and 6 show an active matrix (hereinafter referred to as &quot; active matrix &quot;) structure having a 2Tr-1Cap structure in which two thin film transistors (TFTs) 10 and 20 and one capacitor 80 are provided in one pixel. , AM) type organic light emitting display device 101 are shown. However, another embodiment of the present invention is not limited to this structure. For example, the organic light emitting display device 101 may include three or more thin film transistors and two or more charge storage elements in one pixel, and may have various structures including additional wirings. Here, a pixel is a minimum unit for displaying an image, and the organic light emitting diode display 101 displays an image through a plurality of pixels.

하나의 화소마다 각각 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 및 유기발광소자(210)가 구비된다. 또한 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)도 배선부(130)에 포함된다. 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화소 정의막(190)에 의하여 화소가 정의될 수도 있다.The switching thin film transistor 10, the driving thin film transistor 20, the capacitor element 80, and the organic light emitting element 210 are provided for each pixel. The wiring part 130 also includes a gate line 151 disposed along one direction, a data line 171 insulated from the gate line 151, and a common power line 172. One pixel may be defined as a boundary between the gate line 151, the data line 171, and the common power line 172, but is not limited thereto. A pixel may be defined by the pixel defining layer 190.

축전 소자(80)는 층간 절연막(145)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(145)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 두 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.The capacitor element 80 includes a pair of capacitor plates 158 and 178 disposed with an interlayer insulating film 145 interposed therebetween. Here, the interlayer insulating film 145 becomes a dielectric. Capacitance is determined by the electric charge stored in the capacitor element 80 and the voltage between the two capacitor plates 158 and 178.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173), 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176), 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다. 반도체층(131, 132)과 게이트 전극(152, 155)은 게이트 절연막(140)에 의하여 절연된다.The switching thin film transistor 10 includes a switching semiconductor layer 131, a switching gate electrode 152, a switching source electrode 173, and a switching drain electrode 174. The driving thin film transistor 20 includes a driving semiconductor layer 132, a driving gate electrode 155, a driving source electrode 176, and a driving drain electrode 177. The semiconductor layers 131 and 132 and the gate electrodes 152 and 155 are insulated by the gate insulating layer 140.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된다.The switching thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. The switching gate electrode 152 is connected to the gate line 151. The switching source electrode 173 is connected to the data line 171. The switching drain electrode 174 is spaced apart from the switching source electrode 173 and connected to one of the capacitor plates 158.

구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기발광소자(210)의 유기 발광층(212)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(211)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 콘택홀(contact hole)을 통해 유기발광소자(210)의 화소 전극인 제1 전극(211)과 연결된다.The driving thin film transistor 20 applies a driving power to the first electrode 211 to cause the organic light emitting layer 212 of the organic light emitting element 210 in the selected pixel to emit light. The driving gate electrode 155 is connected to the capacitor plate 158 connected to the switching drain electrode 174. The driving source electrode 176 and the other power storage plate 178 are connected to the common power supply line 172, respectively. The driving drain electrode 177 is connected to the first electrode 211 which is a pixel electrode of the organic light emitting diode 210 through a contact hole.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동되어 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기발광소자(210)로 흘러 유기발광소자(210)가 발광한다.The switching thin film transistor 10 is operated by a gate voltage applied to the gate line 151 to transfer a data voltage applied to the data line 171 to the driving thin film transistor 20. A voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the driving thin film transistor 20 from the common power supply line 172 and the data voltage transferred from the switching thin film transistor 10 is stored in the capacitor 80, ) Flows to the organic light emitting element 210 through the driving thin film transistor 20, and the organic light emitting element 210 emits light.

평탄화막(146)은 층간 절연막(145) 상에 배치된다. 평탄화막(146)은 절연 재료로 만들어지며, 배선부(130)를 보호한다. The planarizing film 146 is disposed on the interlayer insulating film 145. The planarization film 146 is made of an insulating material and protects the wiring portion 130. [

평탄화막(146) 상에 유기발광소자(210)가 배치된다. 유기발광소자(210)는 제1 전극(211), 제1 전극(211) 상에 배치된 유기 발광층(212) 및 유기 발광층(212) 상에 배치된 제2 전극(213)을 포함한다. 제1 전극(211) 및 제2 전극(213)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(212) 내부로 주입된다. 이렇게 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.The organic light emitting diode 210 is disposed on the planarization layer 146. The organic light emitting device 210 includes a first electrode 211, an organic light emitting layer 212 disposed on the first electrode 211, and a second electrode 213 disposed on the organic light emitting layer 212. Holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 212 from the first electrode 211 and the second electrode 213, respectively. When excitons formed by the injection of the injected holes and electrons fall from the excited state to the ground state, light emission occurs.

본 발명의 또 다른 일 실시예에서 제1 전극(211)은 정공을 주입하는 애노드(anode)이며, 제2 전극(213)은 전자를 주입하는 캐소드(cathode)이다. In another embodiment of the present invention, the first electrode 211 is an anode for injecting holes, and the second electrode 213 is a cathode for injecting electrons.

본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면, 제1 전극(211)은 반사막(211a)을 포함하고, 제2 전극(213)은 반투과막으로 이루어진다. 따라서, 유기 발광층(212)에서 발생된 빛은 제2 전극(213)을 통과해 방출된다. 즉, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)는 전면 발광형(top emission type)의 구조를 갖는다.According to another embodiment of the present invention, the first electrode 211 includes a reflection film 211a and the second electrode 213 is a semi-transparent film. Therefore, the light generated in the organic light emitting layer 212 is emitted through the second electrode 213. That is, the OLED display 101 according to another embodiment of the present invention has a top emission type structure.

제1 전극(211)은 반사막(211a) 및 광투과성 도전막(211b)이 적층된 구조를 가진다. 반사막(211a)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금을 포함한다. The first electrode 211 has a structure in which a reflective film 211a and a transparent conductive film 211b are laminated. The reflective film 211a includes aluminum (Al) or an aluminum alloy.

광투과성 도전막(211b)은 투명 도전성 산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)로 만들어질 수 있다. 투명 도전성 산화물(TCO)의 예로, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 및 In2O3(Indium Oxide) 등이 있다. 이러한 광투과성 도전막(211b)은 높은 일함수를 갖기 때문에, 제1 전극(211)을 통한 정공 주입이 원활해지도록 한다.The light-transmissive conductive film 211b may be made of a transparent conductive oxide (TCO). Examples of transparent conductive oxides (TCO) include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium oxide (In 2 O 3 ). Since the light transmissive conductive film 211b has a high work function, the hole injection through the first electrode 211 is smooth.

화소 정의막(190)은 복수개의 제1 전극(211)들을 서로 구분하는 역할을 한다. 화소 정의막(190)은 개구부(195)를 갖는다(도 7c 참조). 화소 정의막(190)의 개구부(195)는 제1 전극(211)의 일부를 드러낸다. 개구부(195)에 의해 노출된 제1 전극(211) 상에 유기 발광층(212) 및 제2 전극(213)이 차례로 적층된다.The pixel defining layer 190 serves to separate a plurality of first electrodes 211 from each other. The pixel defining layer 190 has an opening 195 (see Fig. 7C). The opening 195 of the pixel defining layer 190 exposes a portion of the first electrode 211. An organic light emitting layer 212 and a second electrode 213 are sequentially stacked on the first electrode 211 exposed by the opening 195.

유기 발광층(212)은 제1 전극(211) 상에 배치된다. 유기 발광층(212)은 단분자 또는 고분자 유기물로 만들어질 수 있다. The organic light emitting layer 212 is disposed on the first electrode 211. The organic light emitting layer 212 may be made of a single molecule or a polymer organic material.

제2 전극(213)은 유기 발광층(212) 상에 배치된다. 도 6을 참조하면, 제2 전극(213)은 유기 발광층(212)뿐만 아니라 화소 정의막(190) 위에도 배치된다. The second electrode 213 is disposed on the organic light emitting layer 212. Referring to FIG. 6, the second electrode 213 is disposed on the pixel defining layer 190 as well as the organic light emitting layer 212.

제2 전극(213)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 반투과막으로 만들어진다. 일반적으로 반투과막은 200nm 미만의 두께를 가질 수 있다. 반투과막의 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지고, 두께가 두꺼워질수록 빛의 투과율이 낮아진다.The second electrode 213 may be formed of one or more metals selected from the group consisting of Mg, Ag, Au, Ca, Li, Cr, Cu, As shown in FIG. In general, the transflective film can have a thickness of less than 200 nm. As the thickness of the transflective film becomes thinner, the transmittance of light becomes higher, and as the thickness becomes thicker, the transmittance of light becomes lower.

도시되지 않았지만, 유기발광 표시장치(101)는 제1 전극(211)과 유기 발광층(212) 사이에 배치된 정공 주입층(hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층(hole transporting layer; HTL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 또한, 유기발광 표시장치(101)는 유기 발광층(212)과 제2 전극(213) 사이에 배치된 전자 수송층(electron transport layer; ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. Although not shown, the OLED display 101 includes at least one of a hole injection layer (HIL) and a hole transporting layer (HTL) disposed between the first electrode 211 and the organic light emitting layer 212 And may further include one. The OLED display device 101 may include at least one of an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) disposed between the organic light emitting layer 212 and the second electrode 213 .

또한, 유기발광 표시장치(101)는 유기발광소자(210) 상에 배치된 캡핑층을 더 포함할 수 있다. 캡핑층은 유기발광소자(210)를 보호하면서 동시에 유기 발광층(212)에서 발생된 빛이 효율적으로 외부를 향해 방출될 수 있도록 돕는 역할을 한다.The organic light emitting display device 101 may further include a capping layer disposed on the organic light emitting device 210. The capping layer functions to protect the organic light emitting device 210 and to efficiently emit light generated from the organic light emitting layer 212 toward the outside.

유기발광소자(210)를 보호하기 위해, 유기발광소자(210) 상에 박막 봉지층이 배치되거나 봉지 기판이 배치될 수도 있다.In order to protect the organic light emitting device 210, a thin film sealing layer may be disposed on the organic light emitting device 210, or an encapsulating substrate may be disposed.

이하, 도 7a 내지 7e를 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting diode display 101 according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7E. FIG.

도 7a 내지 7e는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(101)의 제조 공정에 대한 단면도이다.7A to 7E are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of the OLED display 101 according to another embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 기판(110) 상에 금속을 포함하는 제1 도전막(201a)과 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막(201b)이 형성된다. Referring to FIG. 7A, a first conductive layer 201a including a metal and a second conductive layer 201b including a transparent conductive oxide are formed on a substrate 110. Referring to FIG.

보다 구체적으로, 기판(110) 상에 버퍼층(120) 및 배선부(130)가 형성되고, 그 위에 제1 도전막(201a)과 제2 도전막(201b)이 순차적으로 형성된다. 제1 도전막(201a)은 배선부(130)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(20)와 연결된다. More specifically, a buffer layer 120 and a wiring portion 130 are formed on a substrate 110, and a first conductive film 201a and a second conductive film 201b are sequentially formed thereon. The first conductive film 201a is connected to the driving thin film transistor 20 disposed in the wiring part 130. [

도 7b를 참조하면, 식각액 조성물에 의해 제1 도전막(201a) 및 제2 도전막(201b)이 식각되어 제1 전극(211)이 형성된다. Referring to FIG. 7B, the first conductive layer 201a and the second conductive layer 201b are etched by the etchant composition to form the first electrode 211.

구체적으로, 제1 도전막(201a)이 식각되어 반사막(211a)이 되고, 제2 도전막(201b)이 식각되어 광투과성 도전막(211b)이 된다. 이와 같이, 제1 전극(211)은 반사막(211a) 및 광투과성 도전막(211b)을 포함하며, 배선부(130)에 배치된 구동 박막 트랜지스터(20)와 연결된다.Specifically, the first conductive film 201a is etched to form a reflective film 211a, and the second conductive film 201b is etched to form a light transmissive conductive film 211b. The first electrode 211 includes the reflective film 211a and the transmissive conductive film 211b and is connected to the driving thin film transistor 20 disposed in the wiring part 130. [

식각액 조성물로 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물이 사용된다. 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여, 50 내지 70 중량%의 인산, 0.5 내지 5 중량%의 질산, 0.1 내지 1 중량% 염소 화합물, 0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물 및 20 내지 40 중량%의 물을 포함한다. The etchant composition according to one embodiment of the present invention is used as the etchant composition. The etchant composition comprises 50 to 70% by weight of phosphoric acid, 0.5 to 5% by weight of nitric acid, 0.1 to 1% by weight of chlorine compound, 0.5 to 5% by weight of sulfonic acid compound and 20 to 40% do.

도 7c를 참조하면, 기판(110) 상에 화소 정의막(190)이 형성된다.Referring to FIG. 7C, a pixel defining layer 190 is formed on a substrate 110.

화소 정의막(190)은 복수개의 제1 전극(211)들을 서로 구분하는 역할을 한다. 화소 정의막(190)은 개구부(195)를 갖는다. 화소 정의막(190)의 개구부(195)는 제1 전극(211)의 일부를 드러낸다.The pixel defining layer 190 serves to separate a plurality of first electrodes 211 from each other. The pixel defining layer 190 has an opening 195. The opening 195 of the pixel defining layer 190 exposes a portion of the first electrode 211.

도 7d를 참조하면, 제1 전극(211) 상에 유기 발광층(212)이 형성된다. 유기 발광층(212)은 제1 전극(211)과 중첩한다. 유기 발광층(212)은 유기 발광 물질의 증착에 의하여 만들어질 수 있다. 즉, 호스트 및 발광성 도펀트 물질의 증착에 의하여 유기 발광층(212)이 만들어질 수 있다.Referring to FIG. 7D, an organic light emitting layer 212 is formed on the first electrode 211. The organic light emitting layer 212 overlaps with the first electrode 211. The organic light emitting layer 212 may be formed by deposition of an organic light emitting material. That is, the organic light emitting layer 212 may be formed by deposition of a host and a luminescent dopant material.

도 7e를 참조하면, 유기 발광층(212) 상에 제2 전극(213)이 형성된다. 그에 따라 유기발광소자(210)가 만들어진다.Referring to FIG. 7E, a second electrode 213 is formed on the organic light emitting layer 212. Thus, the organic light emitting device 210 is fabricated.

제2 전극(213)은 반투과막으로 만들어질 수 있으며, 10 내지 20nm의 두께를 가질 수 있다.The second electrode 213 may be made of a semi-transmissive film and may have a thickness of 10 to 20 nm.

이상에서 도면 및 실시예를 중심으로 본 발명을 설명하였다. 상기 설명된 도면과 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described above with reference to the drawings and examples. The drawings and the embodiments described above are merely illustrative, and various modifications and equivalent other embodiments will be possible to those skilled in the art. Accordingly, the scope of protection of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

101: 유기발광 표시장치 110, 111: 기판
120: 버퍼층 130: 배선부
210: 유기발광소자 211: 제1 전극
113, 201a: 제1 도전막 114, 201b: 제2 도전막
212: 유기 발광층 213: 제2 전극101: organic light emitting diode display 110, 111: substrate
120: buffer layer 130: wiring part
210: organic light emitting device 211: first electrode
113, 201a: first conductive film 114, 201b: second conductive film
212: organic light emitting layer 213: second electrode

Claims (16)

전체 중량에 대하여,
50 내지 70 중량%의 인산;
0.5 내지 5 중량%의 질산;
0.1 내지 1 중량% 염소 화합물;
0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및
20 내지 40 중량%의 물;
을 포함하는 식각액 조성물.With respect to the total weight,
50 to 70% by weight of phosphoric acid;
0.5 to 5 wt% nitric acid;
0.1 to 1% by weight chlorine compound;
0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And
20 to 40% by weight of water;
&Lt; / RTI &gt; 제1항에 있어서, 초산을 포함하지 않는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, which does not comprise acetic acid. 제1항에 있어서, 상기 염소 화합물은 물에서 해리되어 염소이온(Cl-)을 형성하는 식각액 조성물.The method of claim 1, wherein the chlorine compound is dissociated in a water chloride ion (Cl -) etching liquid composition for forming a. 제1항에 있어서, 상기 염소 화합물은 HCl, NaCl, NH4Cl, KCl, LiCl, ZnCl2, MgCl2 및 FeCl3 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, wherein the chlorine compound comprises at least one selected from the group consisting of HCl, NaCl, NH 4 Cl, KCl, LiCl, ZnCl 2 , MgCl 2 and FeCl 3 . 제1항에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 고리형술폰산 화합물 및 탄화수소계술폰산 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 식각액 조성물.The etchant composition according to claim 1, wherein the sulfonic acid compound comprises at least one of a cyclic sulfonic acid compound and a hydrocarbon-based sulfonic acid compound. 제1항에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 메탄술폰산, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 암모늄술폰산 및 아미도술폰산 중 적어도 하나를 포함하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 1, wherein the sulfonic acid compound comprises at least one of methanesulfonic acid, benzenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, ammonium sulfonic acid, and amidosulfonic acid. 제1항에 있어서,
금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 포함하는 다중막 식각용인 식각액 조성물.The method according to claim 1,
A first conductive film comprising a metal and a second conductive film comprising a transparent conductive oxide. 제7항에 있어서, 상기 제1 도전막은 알루미늄을 포함하는 식각액 조성물.8. The etchant composition of claim 7, wherein the first conductive film comprises aluminum. 제7항에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In)을 포함하는 식각액 조성물.8. The etchant composition of claim 7, wherein the transparent conductive oxide comprises indium (In). 기판 상에 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 형성하는 단계; 및
식각액 조성물을 이용하여, 상기 제1 도전막 및 상기 제2 도전막을 식각하는 단계;를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여,
50 내지 70 중량%의 인산;
0.5 내지 5 중량%의 질산;
0.1 내지 1 중량% 염소 화합물;
0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및
20 내지 40 중량%의 물;
을 포함하는 도전 패턴 형성 방법.Forming a first conductive film including a metal and a second conductive film including a transparent conductive oxide on a substrate; And
Etching the first conductive film and the second conductive film using an etchant composition,
The etchant composition comprises, based on the total weight,
50 to 70% by weight of phosphoric acid;
0.5 to 5 wt% nitric acid;
0.1 to 1% by weight chlorine compound;
0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And
20 to 40% by weight of water;
&Lt; / RTI &gt; 제10항에 있어서, 상기 식각액 조성물은 초산을 포함하지 않는 도전 패턴 형성 방법.The method according to claim 10, wherein the etchant composition does not contain acetic acid. 제10항에 있어서, 상기 제1 도전막은 알루미늄을 포함하는 도전 패턴 형성 방법.11. The method of claim 10, wherein the first conductive film comprises aluminum. 제10항에 있어서, 상기 제1 도전막은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 란타늄(La)을 포함하는 식각액 조성물.The etchant composition of claim 10, wherein the first conductive film comprises aluminum (Al), nickel (Ni), and lanthanum (La). 제10항에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In)을 포함하는 도전 패턴 형성 방법.The method of claim 10, wherein the transparent conductive oxide comprises indium (In). 제10항에 있어서, 상기 투명 도전성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide) 및 In2O3(Indium Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 도전 패턴 형성 방법.The method of claim 10, wherein the transparent conductive oxide comprises at least one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium oxide (In 2 O 3 ). 기판 상에 금속을 포함하는 제1 도전막 및 투명 도전성 산화물을 포함하는 제2 도전막을 형성하는 단계; 및
식각액 조성물을 이용하여, 상기 제1 도전막 및 상기 제2 도전막을 식각하여 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 식각액 조성물은 전체 중량에 대하여,
50 내지 70 중량%의 인산;
0.5 내지 5 중량%의 질산;
0.1 내지 1 중량% 염소 화합물;
0.5 내지 5 중량%의 술폰산 화합물; 및
20 내지 40 중량%의 물;
을 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.Forming a first conductive film including a metal and a second conductive film including a transparent conductive oxide on a substrate; And
Etching the first conductive film and the second conductive film using the etching liquid composition to form a first electrode;
Forming an organic light emitting layer on the first electrode; And
And forming a second electrode on the organic light emitting layer,
The etchant composition comprises, based on the total weight,
50 to 70% by weight of phosphoric acid;
0.5 to 5 wt% nitric acid;
0.1 to 1% by weight chlorine compound;
0.5 to 5% by weight of a sulfonic acid compound; And
20 to 40% by weight of water;
Wherein the organic light emitting display device comprises:
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