KR20180047546A - Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device - Google Patents

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KR20180047546A
KR20180047546A KR1020160143754A KR20160143754A KR20180047546A KR 20180047546 A KR20180047546 A KR 20180047546A KR 1020160143754 A KR1020160143754 A KR 1020160143754A KR 20160143754 A KR20160143754 A KR 20160143754A KR 20180047546 A KR20180047546 A KR 20180047546A
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박민형
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting element and an organic light emitting display device using the same, capable of improving a lifetime and efficiency by preventing electrons from being accumulated in an interface of a hole transporting layer. The organic light emitting element includes: the hole transporting layer formed between an anode and a light emitting layer, in contact with the anode and the light emitting layer; an electron blocking and trapping layer made of a first organic material and a second organic material with a LUMO level lower than that of the first organic material; and an electron transporting layer formed between the light emitting layer and a cathode.

Description

유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 {Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED)

본 발명의 유기 발광 소자에 관한 것으로, 특히 전자가 정공 수송층의 계면에서 적체됨을 방지하여 수명을 향상시키고, 효율을 증가시킨 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode, and more particularly, to an organic light emitting diode and an organic light emitting diode (OLED) display using the same, wherein electrons are prevented from being accumulated at the interface of a hole transport layer to improve lifetime and efficiency.

최근 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Recently, the field of display that visually expresses electrical information signals has rapidly developed as the information age has come to a full-fledged information age. In response to this, various flat panel display devices (flat display devices) having excellent performance such as thinning, light- Display Device) has been developed to replace CRT (Cathode Ray Tube).

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다. Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) (Organic Light Emitting Device: OLED).

이 중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위해 유기 발광 표시 장치가 경쟁력 있는 어플리케이션(application)으로 고려되고 있다. Among these, an organic light emitting display is considered as a competitive application for not requiring a separate light source, compacting the device, and displaying a clear color image.

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자라는 자발광 소자를 서브 픽셀에 포함하여, 각 서브 픽셀별로 유기 발광 소자의 동작에 의해 표시가 이루어진다. 그리고, 이러한 유기 발광 소자는 표시 장치뿐만 아니라 그 자체가 자발광 소자로 조명 장치에서도 이용될 수 있어, 최근 조명 업계에서도 유기 발광 소자의 개발이 주목되고 있다. 또한, 유기 발광 소자는 별도의 광원 유닛이 요구되지 않아, 플렉서블 표시 장치나 투명 표시 장치에도 이용이 용이하다는 이점이 있다.An organic light emitting display includes a self-luminous element called an organic light emitting element in a subpixel, and is displayed by the operation of the organic light emitting element for each subpixel. Such an organic light-emitting device can be used not only as a display device but also as a self-light-emitting device in an illumination device. Thus, development of an organic light-emitting device has been attracting attention in recent illumination industry. Further, since the organic light emitting element does not require a separate light source unit, it is advantageous in that it is easy to use for a flexible display device or a transparent display device.

한편, 유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 발광층을 포함하여 이루어진다. 그리고, 2개의 전극으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)이 유기 발광층 내로 주입되고, 유기 발광층에서 전자와 정공이 결합하여 여기자(exciton)가 생성된다. 그리고, 생성된 여기자가 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어질 때, 유기 발광 소자로부터 광이 발생한다. On the other hand, the organic light emitting element includes an organic light emitting layer between two electrodes. Electrons and holes are injected into the organic light-emitting layer from the two electrodes, and electrons and holes are combined in the organic light-emitting layer to generate excitons. Then, when the generated excitons fall from the excited state to the ground state, light is generated from the organic light emitting element.

도 1은 일반적인 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이며, 도 2는 도 1의 정공 수송층과 발광층간의 계면을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view showing a general organic light emitting device, and FIG. 2 is a view showing the interface between the hole transporting layer and the light emitting layer of FIG.

도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 소자는 양극(10)과 음극(20) 사이에 정공 수송층(12), 발광층(13) 및 전자 수송층(14)의 순서로 유기물을 구비하여 이루어진다. 1, a general organic light emitting device includes an organic material in the order of a hole transport layer 12, a light emitting layer 13, and an electron transport layer 14 between an anode 10 and a cathode 20.

이러한 유기 발광 소자는, 양극과 음극 사이에 전기장을 가함으로써 빛을 내는 소자로, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적고, 또한 가볍고 플렉서블한 기판 위에도 소자 제작이 가능한 것이 특징이다.Such an organic light emitting device is a device that emits light by applying an electric field between an anode and a cathode and is capable of being driven at a low voltage, has a relatively low power consumption, and is also capable of manufacturing a device on a light and flexible substrate.

도 2와 같이, 발광층(13)은 전자와 정공의 결합하여 빛을 내지만, 일부의 큰 에너지를 가지며 빠른 전자는 정공과 결합하지 않고 발광층(13)에서 정공 수송층(12)으로 이동하는데, 발광에 기여하지도 않고, 정공 수송층(12)으로 넘어오지도 않는 일부 전자가 정공 수송층 계면에 계속적으로 쌓이게 되어, 정공 수송층의 계면을 열화시켜 수명을 단축시킨다.As shown in FIG. 2, the light-emitting layer 13 combines electrons and holes to emit light. However, the light-emitting layer 13 has a part of large energy and fast electrons do not bind to holes, but migrate from the light-emitting layer 13 to the hole- And some electrons which do not pass to the hole transport layer 12 are continuously accumulated at the interface of the hole transport layer to deteriorate the interface of the hole transport layer to shorten the lifetime.

본 발명은 전자가 정공 수송층의 계면에서 적체됨을 방지하여 수명을 향상시키고, 효율을 증가시킨 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device and an organic light emitting diode (OLED) display using the organic light emitting device, wherein electrons are prevented from being accumulated at the interface of the hole transport layer to improve lifetime and efficiency.

본 발명의 유기 발광 소자는 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지 기능뿐만 아니라 전자 트랩핑의 기능도 함께 갖는 전자 저지 트랩층을 더 구비함에 의해, 수명 특성을 개선하고자 한다.The organic light emitting device of the present invention has an electron blocking trap layer not only having an electron blocking function but also functioning as an electron trapping function between the hole transporting layer and the light emitting layer to improve lifetime characteristics.

이를 위해 본 발명의 유기 발광 소자는, 서로 대향된 양극 및 음극과, 상기 양극과 음극 사이에 위치한 발광층과, 상기 양극과 발광층 사이에 서로 접하여 구비된 정공 수송층 및 제 1 유기물과, 상기 제 1 유기물보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 제 2 유기물로 이루어진 전자 저지 트랩층 및 상기 발광층과 상기 음극 사이에 구비된 전자 수송층을 포함한다. To this end, the organic light emitting device of the present invention comprises: a cathode and a cathode opposed to each other; a light emitting layer disposed between the anode and the cathode; a hole transport layer and a first organic material provided between the anode and the light emitting layer; An electron blocking trap layer made of a second organic material having a lower LUMO level, and an electron transport layer provided between the light emitting layer and the cathode.

그리고, 상기 전자 저지 트랩층은 상기 발광층과 인접하여 제 1 유기물로만 이루어진 버퍼 영역을 갖고, 상기 정공 수송층과 인접하여 상기 제 1 유기물 및 제 2 유기물의 혼합 영역을 가질 수 있다. The electron trap trap layer may have a buffer region formed only of the first organic material adjacent to the light emitting layer, and may have a mixed region of the first organic material and the second organic material adjacent to the hole transporting layer.

또한, 상기 제 1 유기물은 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 높은 LUMO 준위를 갖고, 상기 제 2 유기물은 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 낮은 LUMO 준위를 가질 수 있다. In addition, the first organic material may have a LUMO level higher than the LUMO level of the hole transport layer, and the second organic material may have a LUMO level lower than the LUMO level of the hole transport layer.

여기서, 상기 제 2 유기물의 LUMO 준위는 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 1.0eV 내지 0.1eV 낮을 수 있다. Here, the LUMO level of the second organic material may be 1.0 eV to 0.1 eV lower than the LUMO level of the hole transport layer.

상기 제 2 유기물의 HOMO 준위는 제 1 유기물의 HOMO 준위와 같거나, 0.2eV 이하의 차를 가질 수 있다. The HOMO level of the second organic material may be equal to or less than 0.2 eV of the HOMO level of the first organic material.

상기 제 2 유기물은 상기 전자 저지 트랩층에 1vol% 내지 10vol% 포함될 수 있다. The second organic material may include 1 vol% to 10 vol% of the electron blocking trap layer.

그리고, 상기 제 2 유기물은 상기 발광층의 도펀트와 동일할 수 있다. 경우에 따라, 상기 발광층의 도펀트는 청색 발광 도펀트일 수 있다. The second organic material may be the same as the dopant of the light emitting layer. Optionally, the dopant of the light emitting layer may be a blue light emitting dopant.

또한, 상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층과, 상기 전자 수송층과 상기 음극 사이에 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. Further, a hole injecting layer may be further provided between the anode and the hole transporting layer, and an electron injecting layer may be further provided between the electron transporting layer and the cathode.

그리고, 상기 양극과 정공 수송층 사이에 전하 생성층을 더 포함할 수 있다. Further, a charge generation layer may be further included between the anode and the hole transport layer.

혹은 상기 전자 수송층과 상기 음극 사이에 전하 생성층을 더 포함할 수 있다. Or may further include a charge generation layer between the electron transport layer and the cathode.

동일한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는, 서브 화소를 매트릭스 상으로 갖는 기판과, 상기 기판 상의 각 서브 화소에 구비된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 상술한 구성의 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 덮는 캐핑층을 포함하여 이루어진다. In order to achieve the same object, the organic light emitting diode display of the present invention includes a substrate having sub-pixels in a matrix form, a thin film transistor provided in each sub-pixel on the substrate, And a capping layer covering the light emitting device and the organic light emitting device.

본 발명의 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting device of the present invention and the organic light emitting display using the same have the following effects.

첫째, 본 발명의 유기 발광 소자는 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지와 전자 트랩이 모두 가능한 층을 구비하여, 발광층에서 이용되지 않은, 전자가 일부 정공 수송층 측으로 이동하더라도, 버퍼 영역에서 일차적으로 저지를 하며, 빠져나온 전자는 다시 트랩시켜, 전자가 정공 수송층 계면에서 쌓이지 않게 하여, 수명을 개선할 수 있다.First, the organic light emitting device of the present invention has a layer capable of both an electron blocking and an electron trap between the hole transporting layer and the light emitting layer, and even if electrons are not used in the light emitting layer and electrons move to some hole transporting layer side, And electrons that have escaped are trapped again to prevent electrons from accumulating at the interface of the hole transport layer, thereby improving the lifetime.

둘째, 전자 저지 트랩층은 발광층 가까이는 전자가 발광층에서 잘 넘어오지 못하도록 하는 전자 저지 기능의 단일 유기물로 이루어진 버퍼 영역을 구비하고, 정공 수송층에는 상기 단일 유기물과 더불어, 단일 유기물보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 도펀트를 더 포함한 트랩 영역을 구비하여, 트랩 영역으로 이동된 전자를 다시 발광에 재이용하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.Secondly, the electron trap trap layer has a buffer region made of a single organic material having an electron blocking function that prevents electrons from passing easily through the light emitting layer in the vicinity of the light emitting layer, and has a LUMO level lower than that of the single organic material in the hole transport layer A trap region including a dopant is further provided so that electrons moved to the trap region can be reused for luminescence to improve the luminous efficiency.

셋째, 정공 수송층과 발광층 사이에 층상 구조를 간략히 함과 동시에 전자의 이용 효율을 높일 수 있다. Third, it is possible to simplify the layered structure between the hole transporting layer and the light emitting layer, and at the same time to increase the efficiency of using electrons.

도 1은 일반적인 유기 발광 소자를 나타낸 단면도
도 2는 도 1의 정공 수송층과 발광층간의 계면을 나타낸 도면
도 3은 본 발명의 유기 발광 소자를 나타낸 단면도
도 4는 도 3의 정공 수송층과 발광층 사이에서의 전자의 이동을 나타낸 도면
도 5는 본 발명의 유기 발광 소자의 밴드다이어그램을 나타낸 도면
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 형태에 따른 유기 발광 소자를 나타낸 단면도
도 7a 내지 도 7c는 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지층의 여러 구비 형태에 따른 전자 및 정공 이동을 나타낸 도면
도 8은 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 동일 두께에 도핑 농도를 달리할 때의 수명-휘도 특성을 나타낸 그래프
도 9는 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 동일 도핑 농도에 두께를 달리할 때의 수명-휘도 특성을 나타낸 그래프
도 10은 본 발명의 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도
1 is a cross-sectional view showing a general organic light emitting device
2 is a view showing the interface between the hole transporting layer and the light emitting layer of FIG. 1
3 is a cross-sectional view of the organic light emitting device of the present invention
4 is a view showing the movement of electrons between the hole transporting layer and the light emitting layer in Fig. 3
5 is a band diagram of the organic light emitting device of the present invention
6A and 6B are cross-sectional views illustrating an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention
7A to 7C are diagrams showing the movement of electrons and holes depending on various forms of the electron blocking layer between the hole transporting layer and the light emitting layer
8 is a graph showing the lifetime-luminance characteristics when the doping concentration is different in the same thickness in the organic light emitting device of the present invention
9 is a graph showing lifetime vs. luminance characteristics when the thickness is different from the doping concentration in the organic light emitting device of the present invention
10 is a cross-sectional view illustrating the organic light emitting diode display of the present invention

발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 다양한 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 다양한 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 다양한 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, And is provided to fully illustrate the scope of the invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is defined by the scope of the claims.

본 발명의 다양한 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도면에 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서 전체에 걸쳐 동일한 도면 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers and the like disclosed in the drawings for describing various embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited to those shown in the drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

본 발명의 다양한 실시예에 포함된 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements included in the various embodiments of the present invention, the scope of the present invention is interpreted as including an error range without any explicit description.

본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, 위치 관계에 대하여 설명하는 경우에, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In describing the various embodiments of the present invention, when describing the positional relationship, for example, the positional relationship may be expressed in terms of 'on', 'on top', 'under', 'next to' If the positional relationship of the part is described, one or more other parts may be located between the two parts, unless " straight " or " direct "

???~본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, 시간 관계에 대한 설명하는 경우에, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In describing the various embodiments of the present invention, when describing the temporal relationship, for example, "after", "after", "after", "before", etc. May be included in the case where the temporal posterior relationship is described as being not continuous unless 'right' or 'direct' is used.

본 발명의 다양한 실시예를 설명함에 있어, '제 1~', '제 2~' 등이 다양한 구성 요소를 서술하기 위해서 사용될 수 있지만, 이러한 용어들은 서로 동일 유사한 구성 요소 간에 구별을 하기 위하여 사용될 따름이다. 따라서, 본 명세서에서 '제 1~'로 수식되는 구성 요소는 별도의 언급이 없는 한, 본 발명의 기술적 사상 내에서 '제 2~' 로 수식되는 구성 요소와 동일할 수 있다.In describing various embodiments of the present invention, the terms 'first', 'second', etc. may be used to describe various elements, but these terms are also used to distinguish between similar and similar components to be. Therefore, unless otherwise stated, the constituent elements of the present invention may be the same as those of the second constituent element of the present invention.

본 발명의 여러 다양한 실시예의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 다양한 실시예가 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다. It is to be understood that each of the various features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that each of the various embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 명세서에서 어떠한 층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbitals Level) 에너지 레벨 및 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbitals Level) 에너지 레벨이라 함은, 해당 층에 도핑된 도펀트(Dopant) 물질의 LUMO 에너지 레벨 및 HOMO 에너지 레벨이라고 지칭하지 않는 한, 해당 층의 대부분의 중량비를 차지하는 물질, 예를 들어 호스트(Host) 물질의 LUMO 에너지 레벨 및 HOMO 에너지 레벨을 의미한다.The LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbitals Level) energy level and the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbitals Level) energy level of any layer in this specification mean a LUMO energy level and a HOMO energy level of a dopant material doped in the layer Means the LUMO energy level and the HOMO energy level of a material that occupies most of the weight of the layer, for example, a host material.

본 명세서에서 HOMO 에너지 레벨이란, 전극 전위값을 알고 있는 기준 전극에 대한, 상대적인 전위값으로부터 에너지 준위를 결정하는, 전류 전압 측정법(CV: Cyclic Voltammetry)으로 측정한 에너지 레벨일 수 있다. 예를 들어, 산화 전위값 및 환원 전위 값을 아는 Ferrocene을 기준 전극으로 하여 어떠한 물질의 HOMO 에너지 레벨을 측정할 수 있다.In the present specification, the HOMO energy level may be an energy level measured by a current voltage measurement method (CV: Cyclic Voltammetry), which determines the energy level from a relative potential value for a reference electrode for which the electrode potential value is known. For example, the HOMO energy level of any substance can be measured using ferrocene, which is known as oxidation potential and reduction potential, as a reference electrode.

본 명세서에서 '도핑된'이란, 어떤 층의 대부분의 중량비를 차지하는 물질에, 대부분의 중량비를 차지하는 물질과 다른 물성(서로 다른 물성이란, 예를 들어, N-타입과 P-타입, 유기물질과 무기물질)을 가지는 물질이 중량비 10 % 미만으로 첨가가 되어 있음을 의미한다. 달리 말하면, '도핑된' 층이란, 어떤 층의 호스트 물질과 도펀트 물질을 중량비의 비중을 고려하여 분별해 낼 수 있는 층을 의미한다. 그리고 '비도핑된'이란, 도핑된'에 해당하는 경우 이외의 모든 경우를 칭한다. 예를 들어, 어떤 층이 단일 물질로 구성되었거나, 서로 성질이 동일 유사한 물질들이 혼합되어 구성되는 경우, 그 층은'비도핑된' 층에 포함된다. 예를 들어, 어떤 층을 구성하는 물질들 중 적어도 하나가 P-타입이고, 그 층을 구성하는 물질 모두가 N-타입이 아니라면, 그 층은 '비도핑된' 층에 포함된다. 예를 들어, 어떤 층을 구성하는 물질들 중 적어도 하나가 유기 물질이고, 그 층을 구성하는 물질 모두가 무기 물질은 아니라면, 그 층은 '비도핑된'층에 포함된다. 예를 들어, 어떤 층을 구성하는 물질들이 모두 유기 물질인데, 그 층을 구성하는 물질들 중 적어도 어느 하나가 N-타입이고 또 다른 적어도 어느 하나가 P-타입인 경우에, N-타입인 물질이 중량비 10 % 미만이거나 또는 P-타입인 물질이 중량비 10% 미만인 경우에 '도핑된'층에 포함된다.As used herein, the term "doped" refers to a material that occupies most of the weight of a certain layer and has a different physical property (different physical properties, for example, N-type and P-type, Inorganic substance) is added at a weight ratio of less than 10%. In other words, a 'doped' layer means a layer capable of distinguishing a host material and a dopant material of a certain layer in consideration of the weight ratio. And 'non-doped' refers to all cases other than those corresponding to 'doped'. For example, if a layer is composed of a single material, or if materials of the same nature are mixed together, the layer is included in the 'undoped' layer. For example, if at least one of the materials that make up a layer is a P-type and all of the materials that make up the layer are not N-type, then that layer is included in the 'undoped' layer. For example, if at least one of the materials constituting a layer is an organic material and all of the materials constituting the layer are not inorganic materials, then that layer is included in the 'undoped' layer. For example, if the materials that make up a layer are all organic materials, at least one of the materials that make up the layer is N-type and at least one other is P-type, This is included in the 'doped' layer if the weight ratio is less than 10% or if the P-type material is less than 10% by weight.

본 명세서에서 스택이란, 실시예에서 특정 구조로 제한하지 않는 한 정공 수송층과, 정자 수송층을 포함하는 유기층 및 정공 수송층과 전자 수송층 사이에 배치되는 유기 발광층을 포함하는 단위 구조를 의미한다. 유기층에는 정공 주입층, 전자 저지층, 정공 저지층 및 전자 주입층 등이 더 포함될 수도 있으며, 이 밖에도 유기 발광 소자의 구조나 설계에 따라 다른 유기층들이 더 포함될 수 있다.Herein, the term " stack " means a unit structure including a hole transport layer, an organic layer including a sperm transport layer, and an organic emission layer disposed between the hole transport layer and the electron transport layer, unless the present invention is limited to a specific structure. The organic layer may further include a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, and an electron injection layer. Other organic layers may be further included depending on the structure and design of the organic light emitting device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode of the present invention and the OLED display using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 3의 정공 수송층과 발광층 사이에서의 전자의 이동을 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic light-emitting device of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing the movement of electrons between the hole-transporting layer and the light-emitting layer of FIG.

본 발명의 유기 발광 소자는, 도 3과 같이, 서로 대향된 양극(100) 및 음극(200)과, 상기 양극(100)과 음극(200) 사이에 위치한 발광층(140)과, 상기 양극(100)과 발광층(140) 사이에 서로 접하여 구비된 정공 수송층(120) 및 제 1 유기물(h)과, 상기 제 1 유기물(h)보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 제 2 유기물(d)로 이루어진 전자 저지 트랩층(electron blocking and trapping layer: 130) 및 상기 발광층(140)과 상기 음극(200) 사이에 구비된 전자 수송층(150)을 포함한다. 3, the organic light emitting device of the present invention includes an anode 100 and a cathode 200 facing each other, a light emitting layer 140 disposed between the anode 100 and the cathode 200, And a second organic material (d) having a lower LUMO level than the first organic material (h), the hole transport layer (120) being in contact with the light emitting layer (140) An electron blocking and trapping layer 130 and an electron transport layer 150 provided between the light emitting layer 140 and the cathode 200.

그리고, 도 4와 같이, 상기 전자 저지 트랩층(130)은 상기 발광층(140)과 인접하여 제 1 유기물로(h)만 이루어진 버퍼 영역(buffer region)을 갖고, 상기 정공 수송층과 인접하여 상기 제 1 유기물(h) 및 제 2 유기물(d)의 혼합 영역(mixed region)을 갖는다. 상기 버퍼 영역을 구비하는 이유는 직접적으로 정공 및 전자가 공급되어 결합에 의해 발광이 이루어지는 발광층에 접하여, 충분히 전자 저지 기능을 버퍼 영역에서 할 수 있기 위해서이다. 즉, 혼합 영역은 전자의 빠른 이동도와 높은 에너지로 버퍼 영역에서 전자 기능을 다 하지 못하여, 넘어오는 전자를 그 내부에 트랩시키도록 하여, 실질적으로 정공 수송층 계면에 전자가 적체됨을 방지하는 것이다.As shown in FIG. 4, the electron blocking trap layer 130 has a buffer region of the first organic material h adjacent to the light emitting layer 140, adjacent to the hole transport layer, 1 mixed region of the organic material (h) and the second organic material (d). The reason for providing the buffer region is that the electron blocking function can be sufficiently performed in the buffer region in contact with the light emitting layer in which holes and electrons are directly supplied and light is emitted by coupling. That is, the mixed region can not fulfill the electronic function in the buffer region due to the fast mobility of the electrons and the high energy, thereby trapping electrons in the buffer region, thereby preventing electrons from being substantially accumulated on the interface of the hole transport layer.

상기 전자 저지 트랩층(130)은 150Å 내지 250Å의 두께를 가지며, 이 중 혼합 영역은 전자 저지 트랩층(130)에서 정공 수송층(120)에 접한 영역에서 1/5 내지 2/5의 두께에 상당하며, 버퍼 영역이 전자 저지 트랩층(130)의 반 이상의 영역이 되도록 한다. 이와 같이, 상대적으로 버퍼 영역이 전자 저지 트랩층(130)에서 더 두껍게 구비된 이유는 제 1 유기물이 갖는 밴드갭 특성을 이용하여 충분히 전자 저지 기능을 발휘하기 위함이다. 이 경우, 혼합 영역의 두께는 50 Å 내지 100Å의 두께에 해당한다.The electron trapping layer 130 has a thickness of 150 to 250 ANGSTROM and a mixed region of the electron trapping layer 130 and the hole transporting layer 120 has a thickness of 1/5 to 2/5 And the buffer region is a half or more region of the electron blocking trap layer 130. [ The reason why the buffer region is relatively thick in the electron trap trap layer 130 is to sufficiently exhibit the electron blocking function by using the band gap characteristic of the first organic material. In this case, the thickness of the mixed region corresponds to a thickness of 50 ANGSTROM to 100 ANGSTROM.

상기 제 1 유기물(h)은 상기 전자 저지 트랩층(130)에 전체적으로 채워지며, 상기 제 2 유기물(d)은 상기 혼합 영역에만 포함된다. 그리고, 상기 혼합 영역에서의 제 2 유기물(d)의 양은 상기 전자 저지 트랩층(130)의 전체 체적에 대해 1vol% 내지 10vol%의 양으로 포함된다. 이 경우, 전자 저지 트랩층(130)에서 제 1 유기물(h)이 주 재료인 호스트로 이용되고, 제 2 유기물(d)이 부 재료로 이용되어, 전자 저지 트랩층(130)의 특정 영역에서만 제 2 유기물(d)이 기능한다. 이와 같이, 상기 제 2 유기물(d)이 양이 전자 저지 트랩층(130)의 전체 체적에 대해 1vol% 이상인 이유는 1vol% 미만일 경우, 트랩 기능을 충분히 다하지 못하기 때문이며, 10vol% 을 넘게 되면, 버퍼 영역에서 전자 저지 기능을 충분히 할 수 없기 때문이다.The first organic material (h) is entirely filled in the electron trap trap layer (130), and the second organic material (d) is included only in the mixed region. The amount of the second organic material (d) in the mixed region is included in an amount of 1 vol% to 10 vol% based on the entire volume of the electron blocking trap layer (130). In this case, the first organic material h in the electron trap trap layer 130 is used as a host which is a main material and the second organic material d is used as a negative material so that only the specific region of the electron trap trap layer 130 The second organic material (d) functions. The reason why the amount of the second organic material (d) is 1 vol% or more with respect to the total volume of the electron trap trap layer 130 is because the trap function can not be sufficiently performed when the amount of the second organic material (d) is less than 1 vol% This is because the electronic blocking function can not be sufficiently performed in the buffer area.

또한, 상기 제 1 유기물(h)은 상기 정공 수송층(120)의 LUMO 준위보다 높은 LUMO 준위를 갖고, 상기 제 2 유기물(d)은 상기 정공 수송층(120)의 LUMO 준위보다 낮은 LUMO 준위를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제 2 유기물(d)의 LUMO 준위는 상기 정공 수송층(120)의 LUMO 준위보다 0.1eV 내지 1.0eV 낮을 수 있으며, 상기 제 2 유기물(d)의 HOMO 준위는 제 1 유기물(h)의 HOMO 준위와 같거나, 0.2eV 이하의 차를 가질 수 있다. 상기 HOMO 준위가 전자 저지층(130) 내에서 버퍼 영역과 혼합 영역에서 동등하거나 거의 동등한 이유는 정공 수송층(120)에서 발광층(140)으로 전송되는 정공의 흐름에 영향을 주지 않기 위함이다. The first organic material h may have a LUMO level higher than the LUMO level of the hole transport layer 120 and the second organic material d may have a LUMO level lower than the LUMO level of the hole transport layer 120 have. Here, the LUMO level of the second organic material (d) may be lower than the LUMO level of the hole transport layer (120) by 0.1 eV to 1.0 eV, and the HOMO level of the second organic material (d) HOMO level, or a difference of 0.2 eV or less. The reason why the HOMO level is equal or nearly equal in the buffer region and the mixed region in the electron blocking layer 130 is that it does not affect the flow of holes transferred from the hole transport layer 120 to the light emitting layer 140.

여기서, 상기 제 2 유기물(d)의 LUMO 준위는 상기 정공 수송층(120)의 LUMO 준위보다 0.1eV 내지 1.0eV 낮은 이유는 발광층(140)에서 일부 빠져나와 상기 전자 저지 트랩층(130)에 들어온 전자가 정공 수송층(120)으로 넘어가지 않고, 상기 전자 저지 트랩층(130) 내의 혼합 영역에 포획되기 위함이다. 그리고, 전자 저지 트랩층(130)의 혼합 영역에 포획된 전자는 에너지를 잃고 소멸되거나 소멸되지 않고 남아있는 전자 중 에너지가 큰 전자는 정공과 만나 발광에 기여하여 효율을 상승시킬 수 있다. 여기서, 상기 제 2 유기물(d)이 전자 저지 트랩층(130)에서 제 1 유기물(h) 내에 소량 도핑되어 있는 이유는 전자가 주변 층으로 이송되어 버리지 않고 전지 저지 트랩층(130) 내에 포획시키기 위함이다. 만일 전자 저지 트랩층(130)을 유사 밴드갭 특성의 물질들을 믹싱하는 수준으로 구성한다면, 전자의 이송하는 성질이 커 전자를 층 내에 포획하지 않는다.The reason why the LUMO level of the second organic material (d) is lower than the LUMO level of the hole transport layer 120 by 0.1 eV to 1.0 eV is that electrons entering the electron trap trap layer 130 Is trapped in the mixed region in the electron blocking trap layer (130) without passing over the hole transport layer (120). The electrons trapped in the mixed region of the electron trap trap layer 130 lose their energy and do not disappear or disappear, and electrons having a large energy among the remaining electrons meet the holes and can contribute to light emission and increase the efficiency. The reason that the second organic material (d) is doped in the first organic material (h) in the electron trap trap layer (130) is that the electrons are trapped in the trapping trap layer It is for this reason. If the electron blocking trap layer 130 is configured to a level that mixes materials of similar bandgap characteristics, electrons will not be trapped in the layer due to the transporting nature of electrons.

또한, 상기 전자 저지 트랩층(130)의 제 1 유기물의 LUMO 준위는 인접한 발광층(140)의 호스트의 LUMO 준위보다 높은 것이 바람직하다. 이는 버퍼 영역에서 제 1 유기물(h)과 인접한 발광층(140)의 호스트와의 LUMO 준위 차로, 전자가 발광층에서 넘어오는 것을 방지하기 위한 기능을 위해서이다.The LUMO level of the first organic material of the electron trap trap layer 130 is preferably higher than the LUMO level of the host of the adjacent light emitting layer 140. This is for the purpose of preventing the electrons from passing through the light emitting layer due to the LUMO level difference between the first organic material h and the host of the adjacent light emitting layer 140 in the buffer region.

따라서, 상기 전자 저지 트랩층(130)은 버퍼 영역에서 인접한 발광층(140) 대비 높은 LUMO 준위를 갖기 때문에 발광층(140)의 전자가 넘어오지 못하게 일차적으로 방지한다. Accordingly, since the electron trapping layer 130 has a LUMO level higher than that of the adjacent light emitting layer 140 in the buffer region, the electrons of the light emitting layer 140 can be prevented from being overcome.

또한, 발광층(140)에서 발광에 기여하지 않은 전자 중 일부 전자가 넘어오더라도 버퍼 영역을 거쳐 혼합 영역에서, 전자가 트랩되도록 하여, 정공 수송층의 계면에 전자가 쌓임을 방지한다. 이 경우, 상기 전지 저지 트랩층(130) 내 혼합 영역에 트랩된 전자는 정공 수송층(120)에서 넘어온 정공과 재결합하여 발광에 기여할 수 있다. 따라서, 정공 수송층(120) 계면의 전자의 적체로 발생되는 수명 저하 현상을 방지함과 동시에 발광 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, even if some of electrons not contributing to light emission in the light emitting layer 140 pass, electrons are trapped in the mixed region through the buffer region, thereby preventing electrons from accumulating at the interface of the hole transporting layer. In this case, electrons trapped in the mixed region in the cell trap trap layer 130 may recombine with the holes injected from the hole transport layer 120 to contribute to light emission. Therefore, it is possible to prevent lifetime degradation caused by electrons in the interface of the hole transport layer 120 and to improve the luminous efficiency.

한편, 상기 발광층(140)은 그 내부에 90vol% 이상의 호스트와 10vol% 이하의 도펀트로 이루어지는데, 도펀트는 유기물이며 호스트의 밴드갭 안쪽에 포함되는 밴드갭 특성을 갖는 것으로, 발광층(140) 내로 들어온 정공과 전자는 도펀트의 밴드갭 내에서 결합이 이루어져 발광이 이루어진다.The light emitting layer 140 is composed of 90 vol% or more of a host and 10 vol% or less of a dopant. The dopant is an organic material and has a bandgap characteristic included in the bandgap of the host. The holes and electrons are coupled within the bandgap of the dopant to emit light.

발광층(140)에서 정공과 전자의 결합은 정공 수송층과 전자 수송층에서 공급되는 정공과 전자의 공급량 차가 있기 때문에, 유기물 내에서 상대적으로 속도가 빠른 전자의 특성상 발광층(140)으로의 전자의 공급량이 정공의 공급량보다 클 수 있어, 정공과 전자의 결합에 기여하지 못한 일부 전자가 전자 저지 트랩층(130)과 발광층(140)간의 LUMO 준위 차가 있음에도 불구하고, 전자 저지 트랩층(130)으로 넘어갈 수 있다.Since the amount of holes and electrons supplied from the hole transporting layer and the electron transporting layer is different from that of the hole transporting layer and the electron transporting layer in the light emitting layer 140, the amount of electrons supplied to the light emitting layer 140, Some electrons that do not contribute to the combination of holes and electrons may pass to the electron trap trap layer 130 despite the LUMO level difference between the electron trap trap layer 130 and the light emitting layer 140 .

한편, 상기 트랩된 전자가 전지 저지 트랩층(130) 내에서 발광에 이용될 수 있는 점에서, 상기 혼합 영역에 포함된 제 2 유기물은 인접한 발광층의 도펀트와 동일한 재료일 수 있다.On the other hand, the second organic material contained in the mixed region may be the same material as the dopant of the adjacent light emitting layer in that the trapped electrons can be used for light emission in the cell trap trap layer 130.

실험을 통해, 상대적으로 낮은 LUMO 준위를 갖는 청색 발광 도펀트의 경우, 제 2 유기물과 같은 LUMO 준위를 가지며, 이로써, 상기 전자 저지 트랩층의 혼합 영역에 포함되는 제 2 유기물로 이용할 수 있음을 확인하였다. 그러나, 본 발명의 전자 저지 트랩층의 기능을 갖도록 하는 제 2 유기물이 청색 발광 도펀트에 한하지 않으며, 상술한 HOMO-LUMO 준위 특성을 갖는다면 다른 재료로도 변경 가능할 것이다.Experiments have confirmed that the blue light emitting dopant having a relatively low LUMO level has a LUMO level similar to that of the second organic material and thus can be used as a second organic material contained in the mixed region of the electron blocking trap layer . However, the second organic material having the function of the electron blocking trap layer of the present invention is not limited to the blue light emitting dopant, and may be changed to other materials as long as it has the HOMO-LUMO level characteristic described above.

한편, 도 3에 도시된 본 발명의 유기 발광 소자는 상기 양극(100)과 상기 정공 수송층(120) 사이에 정공 주입층(110)과, 상기 전자 수송층(150)과 상기 음극(200) 사이에 전자 주입층(160)을 더 포함한 상태를 나타내었다. 경우에 따라, 정공 주입층(110)과 전자 주입층(160)은 생략될 수 있다. 이 경우, 상기 정공 수송층(120) 혹은 전자 수송층(150)은 복수층 구비되는 복수의 재료를 포함할 수 있다.3 includes a hole injecting layer 110 between the anode 100 and the hole transporting layer 120 and a hole injecting layer 110 between the electron transporting layer 150 and the cathode 200. In the organic light emitting device of the present invention, And the electron injection layer 160 is further included. In some cases, the hole injection layer 110 and the electron injection layer 160 may be omitted. In this case, the hole transport layer 120 or the electron transport layer 150 may include a plurality of materials including a plurality of layers.

여기서, 양극(100)과 음극(200) 사이에 정공 주입층(110)부터 전자 주입층(160)의 구성을 그 성분에 따라 규정하여 유기물 적층체라 할 수 있다. 그리고, 유기물 적층체는 유기물을 기상 증착하거나 용액 공정으로 형성한 후, 용매를 휘발시켜 해당층을 남기는 방식으로 형성할 수 있다. 경우에 따라 전자 주입층(160)은 무기물로만 이루어질 수 있으며, 음극(200)의 스퍼터링 공정에서 함께 형성할 수 있다.Here, an organic material layer may be formed between the anode 100 and the cathode 200 by defining the structure of the hole injection layer 110 to the electron injection layer 160 according to the components thereof. The organic material layered body can be formed in such a manner that an organic material is vapor-deposited or formed by a solution process, and then the solvent is volatilized to leave the corresponding layer. In some cases, the electron injection layer 160 may be formed only of an inorganic material, and may be formed together in the sputtering process of the cathode 200.

도 5는 본 발명의 유기 발광 소자의 밴드다이어그램을 나타낸 도면이다.5 is a band diagram of the organic light emitting device of the present invention.

한편, 도 3의 구조를 양극과 음극 사이의 밴드갭 특성을 넣어 도시한 도 5를 참조하여, 본 발명의 유기 발광 소자의 구조를 보다 상세히 살펴본다.The structure of the organic light emitting device of the present invention will be described in more detail with reference to FIG. 5 illustrating the bandgap characteristics between the anode and the cathode in the structure of FIG.

정공 수송층, 전자 저지 트랩층 및 발광층의 밴드갭 특성은 도 4와 관련하여 설명한 바와 같다. The bandgap characteristics of the hole transporting layer, the electron blocking trap layer, and the light emitting layer are as described with reference to FIG.

설명하지 않은 전자 저지 트랩층의 제 1 유기물과 발광층의 LUMO 준위 차는 대략 0.3eV 내지 1eV 인 것으로, 이는 전자 저지 기능을 위함이다.The LUMO level difference between the first organic material of the electron suppressing trap layer and the light emitting layer, which is not described, is about 0.3 eV to 1 eV, which is for the electron blocking function.

그리고, 유기 발광 소자 내의 발광층(140) 내의 정공 및 전자의 결합을 위하여 의미가 있는 것은 양극(100)과 음극 (200) 사이의 유기물 적층체에서, 전자 주입층(160), 전자 수송층(150) 및 발광층(140)의 순서로 LUMO 준위가 계단상으로 상승하는 것이며, 정공 주입층(110), 정공 수송층(120) 및 전자 저지 트랩층(130) 및 발광층(140)의 순으로 HOMO 준위가 하강하는 것이다.What is meaningful for the combination of holes and electrons in the light emitting layer 140 in the organic light emitting device is that the electron injecting layer 160 and the electron transporting layer 150 are formed in the organic material layer between the anode 100 and the cathode 200, The HOMO level is lowered in the order of the hole injection layer 110, the hole transport layer 120, the electron trap trap layer 130, and the emission layer 140 in this order. .

여기서, 전자 저지 트랩층(130)은 제 1, 제 2 유기물(h, d)의 2가지 재료가 포함되어 있으나, 이들의 HOMO 준위는 동등하거나 미차로 거의 동등하기 때문에, 제 1, 제 2 유기물(h, d)의 양자 모두 정공 수송층(120) 및 전자 저지 트랩층(130) 및 발광층(140)의 순으로 HOMO 준위가 하강하는 특성을 만족한다.Here, the electron trap trap layer 130 includes the two materials of the first and second organic materials (h, d), but since the HOMO levels thereof are equal or almost equal to each other, the first and second organic materials both the hole transport layer 120, the electron trap trap layer 130, and the light emitting layer 140 have the HOMO level falling in the order of (h, d).

그리고, 상기 전자 저지 트랩층(130) 내의 제 2 유기물(d)이 혼합된 혼합 영역에서 발광층(140)을 빠져나온 전자의 트랩 기능을 담당한다.A trapping function of electrons exiting the light emitting layer 140 is performed in a mixed region where the second organic material (d) in the electron blocking trap layer 130 is mixed.

본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 정공 수송층, 전자 저지 트랩층 및 발광층 및 전자 수송층은 서로 접하여 적층되어 있으며, 이 4 층을 합하여 수명 보상 유닛이라 한다.In the organic light emitting device of the present invention, the hole transporting layer, the electron trapping layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer are laminated in contact with each other, and these four layers are collectively referred to as a life compensating unit.

이러한 수명 보상 유닛은 양극과 음극 사이에 구비하여, 양극과 음극 사이에 전류가 흐를 때, 정공 수송층의 계면에 전자가 쌓임을 방지하여, 수명을 향상시키는 역할을 하며, 동시에 일부 발광층에서 빠져나온 전자가 정공 수송층으로 진입하지 못하도록 전자 저지 트랩층 내에 가두어, 정공 수송층에서 넘어온 정공과 재결합시켜 일부 발광에 기여하도록 도와 효율을 향상시킬 수 있다. The life-time compensating unit is provided between the anode and the cathode. When the current flows between the anode and the cathode, electrons are prevented from accumulating at the interface of the hole transporting layer, thereby improving lifetime. At the same time, Is trapped in the electron blocking trap layer so as not to enter the hole transporting layer and is recombined with the holes injected from the hole transporting layer, thereby contributing to some light emission, and the efficiency can be improved.

본 발명의 유기 발광 소자는 빠른 전자들이 정공 수송층 계면을 열화시키는 것을 감소시켜 수명 향상에 도움을 준다.The organic light emitting device of the present invention reduces the deterioration of the interface of the hole transporting layer by fast electrons, thereby helping to improve the lifetime.

또한, 유기 발광 소자의 정공 수송층에 인접한 전자 저지 트랩층 내 혼합 영역에서, 전자가 정공과 재결합하며 발광이 발생하여, 발광 효율이 일부 증가한다.Further, in the mixing region in the electron blocking trap layer adjacent to the hole transporting layer of the organic light emitting device, the electrons recombine with the holes, and light emission is generated, and the light emitting efficiency is partially increased.

그리고, 상기 전자 저지 트랩층에 혼합시키는 제 2 유기물의 재료를 발광층에 도펀트와 동일 재료로 할 수 있어, 전자 저지 트랩층 및 발광층을 연속하여 형성시 공급원을 각 층의 호스트 재료만 달리하고, 도펀트 재료를 동일하게 이용할 수 있어, 공정의 연속성 및 안정성이 확보된다.The material of the second organic material to be mixed with the electron blocking trap layer may be the same material as that of the dopant in the light emitting layer. When the electron blocking trap layer and the light emitting layer are continuously formed, the source material of each layer is different, The same materials can be used, and continuity and stability of the process can be ensured.

한편, 본 발명의 유기 발광 소자의 형성 공정을 간략히 살펴본다. 하기에서 설명되는 제법으로 형성되는 본 발명의 유기 발광 소자는 후술하는 실험예에서 적용하는 구조이기도 하다. 또한, 표 1 및 표 2와 도 8과 9에서 비교되는 비교예는 전자 저지 트랩층을 전자 저지층의 단일 재료로 형성한 점을 제외하고는 후술되는 공정과 동일 공정으로 이루어진다.The formation process of the organic light emitting device of the present invention will be briefly described. The organic light-emitting device of the present invention formed by the manufacturing method described below is also a structure applied in an experiment example to be described later. The comparative examples in Table 1 and Table 2 and Comparative Examples in Figures 8 and 9 consist of the same steps as those described below, except that the electron blocking trap layer is formed of a single material of the electron blocking layer.

먼저, 유리 기판 혹은 플라스틱 기판(미도시, 도 10의 50 참조) 위에 ITO 등으로 양극(100)을 형성하고, 산소 플라즈마 또는 UV 오존(O3) 등으로 표면 처리를 한다. 이어, 양극(100) 위에 정공 주입층(110)을 약 10 내지 50nm 두께로 증착한다. First, an anode 100 is formed on a glass substrate or a plastic substrate (not shown, see 50 in FIG. 10) by ITO or the like, and surface treatment is performed by oxygen plasma or UV ozone (O 3 ). Then, a hole injection layer 110 is deposited on the anode 100 to a thickness of about 10 to 50 nm.

다음, 정공 주입층(110) 위에 NPD 등의 물질로 약 30~60nm 두께로 증착하여 정공 수송층(120)을 형성한다. Next, a hole transporting layer 120 is formed on the hole injection layer 110 to a thickness of about 30 to 60 nm using a material such as NPD.

그리고, 정공 수송층 위에 전자 저지 트랩층(130)을 형성한다.Then, an electron blocking trap layer 130 is formed on the hole transport layer.

상기 전자 저지 트랩층(130)의 형성은 다음과 같이 이루어진다. The electron trap trap layer 130 is formed as follows.

즉, 정공 수송층(120)을 형성 후 정공 수송층 상에, 동시에 각각의 공급원을 통해 제 1, 제 2 유기물(h, d)을 공급하여, 혼합 영역(mixed region)을 일정 두께 형성한 후, 이어, 제 2 유기물(d)의 공급원은 닫고, 제 1 유기물(h)의 공급원만 열어 두어, 단일의 제 1 유기물(h)로만 이루어진 버퍼 영역(buffer region)을 형성하여, 혼합 영역과 버퍼 영역이 연속된 전자 저지 트랩층(130)을 형성한다. That is, after forming the hole transporting layer 120, the first and second organic materials h and d are simultaneously supplied onto the hole transporting layer through the respective sources to form a mixed region having a certain thickness, The source of the second organic material d is closed and only the source of the first organic material h is opened to form a buffer region consisting of only a single first organic material h, Thereby forming a continuous electron blocking trap layer 130.

이어, 상기 전자 저지 트랩층(130) 상에, 발광층(140)을 형성한다. 상기 발광층(140)에는, 주 재료 호스트와 발광하는 파장에 따라 선택된 도펀트를 포함하며, 경우에 따라, 도펀트는 상기 전자 저지 트랩층(130)의 제 2 유기물(d)과 동일 물질일 수 있다. 이 경우, 상기 호스트의 밴드갭은 도펀트의 밴드갭을 포함한다. Next, a light emitting layer 140 is formed on the electron blocking trap layer 130. The light emitting layer 140 includes a host material and a dopant selected depending on the wavelength of light emitted. In some cases, the dopant may be the same material as the second organic material (d) of the electron trap trap layer 130. In this case, the bandgap of the host includes a bandgap of the dopant.

다음, 발광층(140) 위에 Alq3 를 약 20 내지 40nm 두께로 증착하여 전자 수송층(150)을 형성한다. Next, Alq3 is deposited to a thickness of about 20 to 40 nm on the light emitting layer 140 to form the electron transporting layer 150. [

이어, 전자 수송층(150) 위에 LiF나 Li2O를 약 5 Å 두께로 얇게 증착하거나 또는 Li, Ca, Mg, Sm 등 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 약 200Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한다.Next, LiF or Li 2 O is deposited to a thickness of about 5 Å on the electron transport layer 150, or an alkali or alkaline earth metal such as Li, Ca, Mg, or Sm is deposited to a thickness of about 200 Å to form an electron injection layer.

이어, 전자 주입층 위에 Mg:Ag, Ca:Ag 등을 약 120Å 두께로 증착하여 음극(200)을 형성한다. Next, a cathode 200 is formed on the electron injection layer by vapor deposition of Mg: Ag, Ca: Ag, etc. to a thickness of about 120 Å.

본 발명은 정공 수송층과 발광층 사이에 전자를 막아주고 또한 트랩할 수 있는 전자 저지 트랩층을 구비하여 전자가 정공 수송층에 주는 열화를 최소화하여 소자의 수명 특성을 개선하는 데에 의의가 있다.The present invention is effective in improving lifetime characteristics of a device by minimizing deterioration of electrons to the hole transport layer by providing an electron blocking trap layer capable of trapping and trapping electrons between the hole transport layer and the light emitting layer.

상기 전자 저지 트랩층에 전자 트랩 용도를 위해 구비되는 제 2 유기물은 정공(hole)의 이동에 영향을 주지 않게 제 1 유기물의 HOMO 준위와 거의 동등의 HOMO 준위를 가지면서 전자를 트랩할 수 있게 LUMO 준위가 제 1 유기물의 LUMO 준위보다 낮아야 한다(절대 값으로는 제 2 유기물의 LUMO 준위가 제 1 유기물의 LUMO 준위보다 큼). 전자 저지 트랩층에 제 2 유기물을 일부 영역에 혼합하여 형성함으로써, 발광층으로부터 일부 빠져 나온 전자를 트랩하여, 유기 발광 소자의 수명을 높여주고, 일부 트랩된 전자는 다시 정공과 재결합하여 유기 발광 소자의 효율을 증가시킨다.The second organic material provided for the electron trap in the electron trap trap layer has a HOMO level substantially equal to the HOMO level of the first organic material so as not to affect the movement of holes, The level should be lower than the LUMO level of the first organic material (the LUMO level of the second organic material is greater than the LUMO level of the first organic material in absolute value). The second organic material is mixed in a partial region of the electron trap trap layer to trap electrons partially escaping from the light emitting layer to increase the lifetime of the organic light emitting device and partially trapped electrons are recombined with the holes again, Thereby increasing the efficiency.

이하, 상술한 본 발명의 유기 발광 소자와 다른 형태의 유기 발광 소자에 대해서 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting device of the present invention and other types of organic light emitting devices described above will be described.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 다른 형태에 따른 유기 발광 소자를 나타낸 단면도이다.6A and 6B are cross-sectional views illustrating an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 4의 정공 수송층, 전자 저지 트랩층, 발광층 및 전자 수송층으로 이루어진 수명 보상 유닛은 상술한 바와 같이, 단일 스택에 포함될 수도 있고, 경우에 따라 복수 스택 중 일부 스택에 포함되거나 여러 스택에 모두 포함될 수 있다.The lifetime compensating unit consisting of the hole transporting layer, the electron trapping layer, the light-emitting layer and the electron transporting layer in Fig. 4 may be included in a single stack or may be included in some stacks of several stacks have.

도 6a는 양극(100)과 음극(200) 사이에, 스택들을 구분하는 전하 생성층(400) 사이에 접하거나 인접하게 수명 보상 유닛을 구성한 예를 나타낸 것이다.6A shows an example in which between the anode 100 and the cathode 200, a life compensating unit is formed in contact with or adjacent to the charge generating layers 400 for separating the stacks.

도 6a와 같이, 수명 보상 유닛의 전자 수송층(ETL)이 전하 생성층(400) 하측에 접할 수 있으며, 정공 수송층 계면, 즉, 전자 저지 트랩층과 닿는 계면의 전자가 적체되는 현상을 방지하여 수명을 향상시킨다.6A, the electron transport layer (ETL) of the lifetime compensating unit can be brought into contact with the lower side of the charge generating layer 400, and electrons at the interface at the interface of the hole transport layer, that is, the interface with the electron trap trap layer, .

여기서, 전하 생성층(400)은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층이 적층된 형태로 이루어지며, 인접한 스택으로 정공과 전자를 공급하는 기능을 한다.Here, the charge generation layer 400 is formed by stacking a p-type charge generation layer and an n-type charge generation layer, and functions to supply holes and electrons to adjacent stacks.

도 6b는 양극(100)과 음극(200) 사이에, 스택들을 구분하는 전하 생성층(400) 사이에, 전하 생성층(400)의 상측과 수명 보상 유닛의 정공 수송층이 접하여 구성한 예를 나타낸 것이다.6B shows an example in which the upper side of the charge generating layer 400 and the hole transporting layer of the lifetime compensating unit are in contact with each other between the anode 100 and the cathode 200 between the charge generating layers 400 for separating the stacks .

이러한 수명 보상 유닛은, 상술한 캐스캐이드 구조의 복수 스택 구조에서, 매 스택에 포함될 수도 있고, 혹은 구조적으로 발광층에서 정공과 전자의 공급량 중 전자의 공급이 빠르거나 많은 스택에 선택적으로 구비될 수도 있다. Such a lifetime compensating unit may be included in each stack in a plurality of stack structures of the above-described cascade structure, or structurally, the supply of electrons among the supply amounts of holes and electrons in the light emitting layer may be fast or selectively provided in many stacks have.

상기 수명 보상 유닛을 포함하지 않은 스택에는 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층의 구조를 포함할 것이다.The stack not including the lifetime compensating unit will include structures of a hole transporting layer, a light emitting layer and an electron transporting layer.

이하, 본 발명의 유기 발광 소자에서 수명 보상 유닛, 즉, 전자 저지 트랩층을 구비한 이유를 살펴본다.Hereinafter, the reasons for providing the lifetime compensating unit, that is, the electron trap trap layer, in the organic light emitting device of the present invention will be described.

정공과 전자의 이동도 혹은 발광층 내의 공급량 차로 인한 문제를 개선하기 위해, 정공 수송층과 발광층 전자 저지층을 구비한 구조가 알려져 있다. A structure including a hole transporting layer and a light emitting layer electron blocking layer is known in order to solve the problems caused by the mobility of holes and electrons or the difference in the supply amount in the light emitting layer.

그러나, 일반적인 전자 저지층은 다음과 같은 한계를 갖는다.However, the general electron blocking layer has the following limitations.

도 7a 내지 도 7c는 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지층의 여러 구비 형태에 다른 전자 및 정공 이동을 나타낸 도면이다.7A to 7C are diagrams showing the movement of electrons and holes in various forms of the electron blocking layer between the hole transporting layer and the light emitting layer.

도 7a와 같이, 정공 수송층과 발광층 사이에 단일의 전자 저지층을 구비할 경우, 전자 저지층의 LUMO 준위가 발광층의 LUMO 준위보다 높아 전자가 정공 수송층으로 넘어감을 일차적으로 방지할 수 있지만, 일반적으로 전자는 유기물 내에서 이동도가 빠르고 에너지가 크기 때문에, 완벽한 전자 저지는 불가능한 실정이다. When a single electron blocking layer is provided between the hole transporting layer and the light emitting layer as shown in FIG. 7A, the LUMO level of the electron blocking layer is higher than the LUMO level of the light emitting layer, so that electrons can be prevented from overriding to the hole transporting layer. Because electrons are fast in mobility and large in energy, perfect electron blocking is impossible.

이를 개선하기 위해, 도 7b와 같이, 발광층에서 정공 수송층으로 가며, 점차 LUMO 준위가 올라가는 재료의 이층 구조로 전자 저지층을 구비하는 바도 제안되지만, 이 경우, 전자의 저지는 도 7a 구조 대비 효과적이지만, 정공 수송층과 발광층 사이의 이층 구조의 전자 저지층을 지나는 정공의 이동도가 떨어지기 때문에, 발광층에서 전자와 정공의 결합율이 떨어져 오히려 발광 효율이 저하한다는 문제점이 발생한다. 또한, 이층 구조의 전자 저지층은 이러한 밴드갭의 단차 구조를 갖는 전자 저지 재료를 찾기도 어렵고 또한, 공정성이 떨어지는 문제점도 있다. 즉, 전자를 더 효율적으로 막아주기 위해 여러 층의 전자 저지층을 사용한다면 오히려 정공과 전자 전송에 방해가 되어 구동 전압이 올라가고 효율이 떨어지며 공정성도 나빠져 양산에 적용하기 힘들다.In order to solve this problem, it is proposed that an electron blocking layer is provided in a two-layer structure of a material which gradually increases the LUMO level from the light emitting layer to the hole transporting layer. In this case, , The mobility of holes passing through the electron blocking layer of the two-layer structure between the hole transporting layer and the light emitting layer is lowered, so that the coupling ratio of electrons and holes in the light emitting layer is decreased and the luminous efficiency is lowered. Further, the electron blocking layer having a two-layer structure is difficult to find an electron blocking material having such a bandgap step structure, and also has a problem of poor processability. In other words, if a plurality of layers of electron blocking layers are used to more effectively prevent electrons from being interfered with holes and electrons, the driving voltage increases, the efficiency decreases, and the fairness becomes worse.

한편, 도 7c와 같이, 전자 저지 특성을 강화시키기 위해 LUMO 준위가 발광층보다 월등히 높은 재료를 선택할 수 있지만, 이러한 재료는 아직까지 안정적인 수준으로 합성이 어려워 재료의 불안정성이 있어, 오히려 수명이 떨어지는 문제점이 있어, 이러한 전자 저지층의 단독 형성만으로는 유기 발광 소자의 수명을 안정적으로 확보할 수 없는 상태이다.Meanwhile, as shown in FIG. 7C, it is possible to select a material whose LUMO level is much higher than that of the light emitting layer in order to enhance the electron blocking property. However, such a material has difficulty in synthesizing to a stable level yet so that the material is unstable, And the lifetime of the organic light emitting device can not be stably secured only by forming the electron blocking layer alone.

상술한 단일 또는 복수의 전자 저지층의 한계를 극복하기 위해 본 발명의 유기 발광 소자가 제안된 것이다.An organic light emitting device of the present invention has been proposed to overcome the limitations of the single or multiple electron blocking layers described above.

이하에는, 정공 수송층과 발광층 사이에 도 7a 또는 도 7c의 단일의 전자 저지층을 구비한 구조를 비교예로 하고, 전자 저지 트랩층을 동일 두께로 하되 도펀트 량을 달리하여 수명 및 효율을 측정하거나 전자 저지 트랩층의 도핑 농도를 동이하게 하고 두께를 달리하여 수명 및 효율을 측정하여, 비교예와 비교한 실험 내용을 살펴본다.Hereinafter, a structure having a single electron blocking layer shown in Fig. 7A or 7C is shown as a comparative example between the hole transporting layer and the light emitting layer, and the electron blocking trap layer is formed to have the same thickness and the lifetime and efficiency are measured The lifetime and efficiency of the electron trap trap layer are made the same, and the thickness and the lifetime of the electron trap trap layer are measured.

도 8은 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 동일 두께에 도핑 농도를 달리할 때의 수명-휘도 특성을 나타낸 그래프이다.FIG. 8 is a graph showing the lifetime-luminance characteristics when the doping concentration is different in the same thickness in the organic light emitting device of the present invention. FIG.

Figure pat00001
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그리고, 표 1은 전자 저지층 또는 전자 저지 트랩층의 동일 두께에서 비교예(제 1 유기물만으로 이루어진 전자 저지층 구비)와, 제 1 유기물에 제 2 유기물 도핑량을 3vol%, 5vol%으로 하여 전자 저지 트랩층을 구비하여 제 1, 제 2 실험예의 효율을 측정한 것이다. 이 경우, 상술한 표 1의 실험에서, 전자 저지 트랩층의 총 두께는 150Å이며, 본 발명의 실시예와 같이, 제 1, 제 2 실험예에서 제 2 유기물이 도핑된 혼합 영역은 50Å로 하여 실험하였다. 비교예의 경우에도 전자 저지층의 총 두께는 150Å이며, 제 2 유기물이 포함되지 않았기 때문에, 정공 수송층과 접한 50Å의 두께 영역에서도, 혼합영역은 존재하지 않고, 순수하게 제 1 유기물만으로 채워진다.The results are shown in Table 1. Table 1 shows a comparison example (including an electron blocking layer composed of only the first organic material) in the same thickness of the electron blocking layer or the electron blocking trap layer and the electron blocking layer in which the second organic material doping amount is 3 vol% And the efficiency of the first and second experimental examples was measured by providing a trap trap layer. In this case, in the experiment of Table 1, the total thickness of the electron trap trap layer is 150 ANGSTROM, and in the first and second experimental examples, the mixed region doped with the second organic material has a thickness of 50 ANGSTROM Respectively. Even in the comparative example, the total thickness of the electron blocking layer is 150 ANGSTROM. Since the second organic material is not included, the mixed region does not exist even in the thickness region of 50 ANGSTROM, which is in contact with the hole transporting layer.

이 경우, 비교예의 효율은 100%이나, 제 1 실험예의 도핑 농도가 3vol%일 때는 효율이 108%이며, 제 2 실험예의 도핑 농도가 5vol%일 때, 효율이 102%임을 확인하였다. 도 8과 같이, 상술한 실험에서, 수명은 도핑 농도가 3vol%에서, 5vol% 로 더 증가시 더 개선됨을 확인할 수 있었다. In this case, the efficiency of the comparative example is 100%, but the efficiency is 108% when the doping concentration of the first experimental example is 3 vol%, and the efficiency is 102% when the doping concentration of the second example is 5 vol%. As shown in FIG. 8, in the above experiment, it was confirmed that the lifetime was further improved by further increasing the doping concentration from 3 vol% to 5 vol%.

도 8에 도시된 수명은 휘도가 초기 정상 휘도에서 95% 수준으로 떨어질 때까지의 가속 수명으로, 실제 유기 발광 소자에서의 수명은 이의 수십배 향상된 수준이 될 것으로 예상된다.The lifetime shown in FIG. 8 is expected to be an accelerated lifetime until the luminance drops to 95% of the initial normal luminance, and the lifetime in an actual organic light emitting device is expected to be improved several tens of times.

또한, 도시된 초기 정상 휘도에서 95% 수준으로 떨어질 때의 수명은 비교예 대비 제 1, 제 2 실험예에서 모두 향상됨을 확인할 수 있었고, 특히 제2 실험예에서 80시간 이상 향상된 바를 나타내고 있어, 비교예 대비 67% 이상 수명이 향상된 바를 나타내고 있어, 전자 저지 트랩층의 혼합 영역 구비시 효율과 수명이 모두 향상된 점을 확인할 수 있었다.In addition, it was confirmed that the lifetime at the initial normal brightness of 95% as shown in the figure was improved in both the first and second examples of the comparative example. In particular, It was confirmed that the lifetime of the electronic trap trap layer was improved when the mixed region was provided.

도 9는 본 발명의 유기 발광 소자에 있어서, 동일 도핑 농도에 두께를 달리할 때의 수명-휘도 특성을 나타낸 그래프이다.9 is a graph showing the lifetime-luminance characteristics when the thickness is changed to the same doping concentration in the organic light emitting device of the present invention.

Figure pat00002
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표 2는 제 3 내지 제 5 실험예에서 전자 저지 트랩층에 동일 도펀트 량 5vol%을 적용하고, 혼합 영역의 두께를 각각 30Å, 50Å, 80Å으로 달리한 것으로, 혼합 영역의 두께를 제외한 나머지 특성은 모두 동일하게 한다. 즉, 제 1, 제 2 유기물의 혼합 영역 외의 나머지 영역은 버퍼 영역으로 제 1 유기물로 채워진다. In Table 2, the same dopant amount of 5 vol% was applied to the electron blocking trap layer in the third to fifth experimental examples, and the thickness of the mixed region was changed to 30 Å, 50 Å and 80 Å, respectively. All the same. That is, the remaining region outside the mixed region of the first and second organic materials is filled with the first organic material into the buffer region.

이 경우, 상술한 표 2의 실험에서, 전자 저지 트랩층의 총 두께는 150Å에 해당한다. In this case, in the experiment of Table 2 described above, the total thickness of the electron blocking trap layer corresponds to 150 ANGSTROM.

이 경우, 표 2 및 도 9와 같이, 도핑 농도를 5vol%로 하였을 때, 효율과 수명이 모두 향상됨을 확인할 수 있었다. 하지만, 모든 실험된 예에서, 효율은 비교예 대비 동등하거나 향상됨을 알 수 있었으며, 수명은 어느 경우나 비교예 대비 향상됨을 확인할 수 있다. In this case, as shown in Table 2 and FIG. 9, it was confirmed that both the efficiency and the lifetime were improved when the doping concentration was 5 vol%. However, in all the experimental examples, it was found that the efficiency was equivalent or improved as compared with the comparative example, and the lifetime was improved in any case compared with the comparative example.

한편, 상술한 예나 실험예들에서, HOMO 준위는 유기물 박막층을 photoelectron spectrometer (모델명: ac3)을 통해 측정하며, 흡수 파장 스페트럼을 통해 계산된 밴드갭을 통해 LUMO 준위를 역산해서 계산하는 방법을 이용하였다. Meanwhile, in the above-mentioned examples and experiments, the HOMO level is measured by photoelectron spectrometer (model: ac3) of the organic thin film layer, and the LUMO level is calculated inversely through the band gap calculated from the absorption wavelength spectrum Respectively.

이하, 상술한 유기 발광 소자를 유기 발광 표시 장치에 적용한 예를 살펴본다.Hereinafter, an example in which the organic light emitting device described above is applied to an organic light emitting display device will be described.

도 10은 본 발명의 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the present invention.

도 10과 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는, 복수개의 서브 화소를 갖는 기판(50)과, 상기 기판(50) 상에, 각 서브 화소별 구비된 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 상술한 유기 발광 소자의 양극(100) 또는 음극(200)이 접속되어 구비되어 있다. 도 10에는 하나의 서브 화소만을 나타내었지만, 동일 형태의 서브 화소가 기판(50) 상에 매트릭스 상으로 배열되어 있다.10, the organic light emitting diode display of the present invention includes a substrate 50 having a plurality of sub-pixels, a thin film transistor (TFT) provided for each sub-pixel, TFT is connected to the anode 100 or the cathode 200 of the organic light emitting element described above. Although only one sub-pixel is shown in Fig. 10, sub-pixels of the same type are arranged on the substrate 50 in a matrix.

여기서, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 기판(50) 상의 소정 영역에 구비된 게이트 전극(51)과, 상기 게이트 전극(51)을 덮으며 기판(50) 상에 형성된 게이트 절연막(52)과, 상기 게이트 절연막(52) 상에, 상기 게이트 전극(51)의 상부에 대응되어 형성되는 반도체층(53)과, 상기 반도체층(53)의 양측에 형성된 소스 전극(54a) 및 드레인 전극(54b)을 포함할 수 있다.The thin film transistor TFT includes a gate electrode 51 provided in a predetermined region on the substrate 50, a gate insulating film 52 formed on the substrate 50 covering the gate electrode 51, A semiconductor layer 53 formed on the gate insulating film 52 in correspondence with the upper portion of the gate electrode 51 and a source electrode 54a and a drain electrode 54b formed on both sides of the semiconductor layer 53 .

그리고, 상기 소스 전극(54a) 및 드레인 전극(54b)을 덮으며, 무기 보호막(55)과 유기 보호막(56)이 차례로 구비되고, 상기 유기 보호막(56) 및 무기 보호막(55)을 관통하여 상기 드레인 전극(54b)의 일부를 노출시키는 콘택홀(CT)을 통해 상기 양극(100) 또는 음극(200)이 드레인 전극(54b)에 접속되어 있다.An inorganic protective film 55 and an organic protective film 56 are sequentially disposed to cover the source electrode 54a and the drain electrode 54b and pass through the organic protective film 56 and the inorganic protective film 55, The anode 100 or the cathode 200 is connected to the drain electrode 54b through a contact hole CT exposing a part of the drain electrode 54b.

예를 들어, 상기 양극(100)이 상기 드레인 전극(54b)에 접속된다면, 하측에서부터 차례로, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 저지 트랩층(EBTL), 유기 발광층(EML), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)의 순으로 유기물 적층체(300)가 상기 양극(100) 상에 형성되며, 상기 유기물 적층체(300) 상에 음극(200)이 구비된다.For example, when the anode 100 is connected to the drain electrode 54b, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron blocking trap layer EBTL, an organic light emitting layer (EML) An electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) are sequentially formed on the anode 100 and the cathode 200 on the organic layer 300.

만일, 상기 드레인 전극(54b)에 접속되는 전극이 음극(200)이라면, 상기 유기물 적층체(300)는 앞서 설명된 바와 반전되어 증착될 것이다. 즉, 전자 주입층(EIL), 전자 수송층(ETL), 유기 발광층(EML), 전자 저지 트랩층(EBTL), 정공 수송층(HTL) 및 정공 주입층(HIL)의 순으로 증착이 이루어질 것이다.If the electrode connected to the drain electrode 54b is the cathode 200, the organic material stack 300 will be reversed and deposited as described above. That is, the deposition will be performed in the order of the electron injection layer (EIL), the electron transport layer (ETL), the organic emission layer (EML), the electron blocking layer (EBTL), the hole transport layer (HTL) and the hole injection layer (HIL).

경우에 따라, 양극(100)과 정공 수송층(HTL) 사이에 정공 주입층(HIL)과, 전자 수송층(ETL)과 음극(200) 사이에 전자 주입층(EIL)은 생략될 수 있다. In some cases, a hole injection layer (HIL) may be omitted between the anode 100 and the HTL, and an EIL may be omitted between the ETL and the cathode 200.

한편, 상술한 유기 발광 소자(OLED) 구조 상에는, 경화형 접착제로 흡습제가 함유된 씰갭(seal cap)(미도시)을 형성하여, 대기 중의 수분이나 O2 등으로부터 하측의 유기 발광 소자(OLED)를 보호할 수 있다.On the other hand, the above-described organic light-emitting device (OLED) structure formed on, of the absorbent contain a curing adhesive ssilgaep (seal cap) (not shown) for forming the organic light-emitting device (OLED) of the lower side from the water and O 2, etc. in the atmosphere Can be protected.

또한, 도시된 예에서는 뱅크(60)를 구비하여 발광 영역을 정의한 예를 나타내었지만, 경우에 뱅크(60)가 생략되고, 다른 구조물로 발광 영역이 정의되거나 전 서브 화소에 공통적으로 유기물 적층체(300) 및 음극(200)이 구비되고, 서브 영역별 컬러를 별도의 컬러 필터로 구분할 수도 있을 것이다.In the illustrated example, the bank 60 is provided to define the light emitting region. However, in the case where the bank 60 is omitted, the light emitting region is defined as another structure, or the organic layered body 300 and a cathode 200, and the color of each sub region may be divided into separate color filters.

또한, 도 10의 예는, 유기 발광 소자를 도 3의 형태로 구비하거나 혹은 도 6a 또는 도 6b의 스택 중 일부에 수명 보상 유닛을 포함하는 형태로 구비할 수도 있다. In addition, the example of Fig. 10 may be provided in the form of the organic light emitting element in Fig. 3, or may be provided in a form including the life compensating unit in a part of the stack of Fig. 6A or 6B.

한편, 상술한 유기 발광 표시 장치는 각 서브 화소별로 유기 발광층의 발광색을 달리하여, 컬러 표시를 수행할 수 있으며, 혹은 유기 발광층은 동일하게 하되, 발광이 이루어지는 측에 컬러 필터층을 더하여, 컬러 표시를 수행할 수도 있다.Meanwhile, in the organic light emitting diode display described above, the emission color of the organic emission layer may be different for each sub-pixel to perform color display, or a color filter layer may be added to the emission side of the organic emission layer, .

이러한 유기 발광 표시 장치는 상술한 유기 발광 소자의 구비에 의해 그 효과를 동일하게 가질 수 있다.Such an organic light emitting display device can have the same effect by the provision of the organic light emitting element described above.

한편, 본 발명의 유기 발광 소자는 정공 수송층과 발광층 사이에 전자 저지와 전자 트랩이 모두 가능한 층을 구비하여, 발광층에서 이용되지 않은, 전자가 일부 정공 수송층 측으로 이동하더라도, 버퍼 영역에서 일차적으로 저지를 하며, 빠져나온 전자는 다시 트랩시켜, 전자가 정공 수송층 계면에서 쌓이지 않게 하여, 수명을 개선할 수 있다.On the other hand, in the organic light emitting device of the present invention, a layer capable of both an electron blocking and an electron trap is provided between the hole transporting layer and the light emitting layer so that even if electrons move to some hole transporting layer side And electrons that have escaped are trapped again to prevent electrons from accumulating at the interface of the hole transport layer, thereby improving the lifetime.

그리고, 전자 저지 트랩층은 발광층 가까이는 전자가 발광층에서 잘 넘어오지 못하도록 하는 전자 저지 기능의 단일 유기물로 이루어진 버퍼 영역을 구비하고, 정공 수송층에는 상기 단일 유기물과 더불어, 단일 유기물보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 도펀트를 더 포함한 트랩 영역을 구비하여, 트랩 영역으로 이동된 전자를 다시 발광에 재이용하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The electron trap trap layer has a buffer region made of a single organic material having an electron blocking function to prevent electrons from passing easily through the light emitting layer in the vicinity of the light emitting layer and has a LUMO level lower than that of the single organic material in the hole transport layer A trap region including a dopant is further provided so that electrons moved to the trap region can be reused for luminescence to improve the luminous efficiency.

또한, 정공 수송층과 발광층 사이에 층상 구조를 간략히 함과 동시에 전자의 이용 효율을 높일 수 있다.Further, it is possible to simplify the layered structure between the hole transporting layer and the light emitting layer, and at the same time to increase the efficiency of utilization of electrons.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

50: 기판 100: 양극
110: 정공 주입층 120: 정공 수송층
130: 전자 저지 트랩층 140: 발광층
150: 전자 수송층 160: 전자 주입층
200: 음극 300: 유기물 적층체
400: 전하 생성층 h: 제 1 유기물
d: 제 2 유기물
50: substrate 100: anode
110: Hole injection layer 120: Hole transport layer
130: Electronic trap trap layer 140: Light emitting layer
150: electron transport layer 160: electron injection layer
200: cathode 300: organic laminate
400: charge generation layer h: first organic material
d: second organic matter

Claims (12)

서로 대향된 양극 및 음극;
상기 양극과 음극 사이에 위치한 발광층;
상기 양극과 발광층 사이에 서로 접하여 구비된 정공 수송층 및 제 1 유기물과, 상기 제 1 유기물보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 제 2 유기물로 이루어진 전자 저지 트랩층; 및
상기 발광층과 상기 음극 사이에 구비된 전자 수송층을 포함한 유기 발광 소자.
An anode and a cathode opposed to each other;
A light emitting layer disposed between the anode and the cathode;
An electron blocking trap layer composed of a hole transport layer and a first organic material provided in contact with each other between the anode and the light emitting layer and a second organic material having a lower LUMO level than the first organic material; And
And an electron transport layer provided between the light emitting layer and the cathode.
제 1항에 있어서,
상기 전자 저지 트랩층은
상기 발광층과 인접하여 제 1 유기물로만 이루어진 버퍼 영역을 갖고,
상기 정공 수송층과 인접하여 상기 제 1 유기물 및 제 2 유기물의 혼합 영역을 갖는 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
The electron blocking trap layer
And a buffer region formed only of the first organic material adjacent to the light emitting layer,
And a mixed region of the first organic material and the second organic material adjacent to the hole transport layer.
제 1항에 있어서,
상기 제 1 유기물은 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 높은 LUMO 준위를 갖고,
상기 제 2 유기물은 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 낮은 LUMO 준위를 갖는 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first organic material has a LUMO level higher than the LUMO level of the hole transport layer,
Wherein the second organic material has a LUMO level lower than the LUMO level of the hole transport layer.
제 3항에 있어서,
상기 제 2 유기물의 LUMO 준위는 상기 정공 수송층의 LUMO 준위보다 1.0eV 내지 0.1eV 낮은 유기 발광 소자.
The method of claim 3,
And the LUMO level of the second organic material is 1.0 eV to 0.1 eV lower than the LUMO level of the hole transport layer.
제 1항에 있어서,
상기 제 2 유기물의 HOMO 준위는 제 1 유기물의 HOMO 준위와 같거나, 0.2eV 이하의 차를 갖는 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the HOMO level of the second organic material has a difference equal to or less than 0.2 eV to the HOMO level of the first organic material.
제 1항에 있어서,
상기 제 2 유기물은 상기 전자 저지 트랩층에 1vol% 내지 10vol% 포함된 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the second organic material includes 1 vol% to 10 vol% of the electron blocking trap layer.
제 1항에 있어서,
상기 제 2 유기물은 상기 발광층의 도펀트와 동일한 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
And the second organic material is the same as the dopant of the light emitting layer.
제 7항에 있어서,
상기 발광층의 도펀트는 청색 발광 도펀트인 유기 발광 소자.
8. The method of claim 7,
Wherein the dopant of the light emitting layer is a blue light emitting dopant.
제 1항에 있어서,
상기 양극과 상기 정공 수송층 사이에 정공 주입층과,
상기 전자 수송층과 상기 음극 사이에 전자 주입층을 더 포함한 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
A hole injection layer between the anode and the hole transport layer,
And an electron injection layer between the electron transport layer and the cathode.
제 1항에 있어서,
상기 양극과 정공 수송층 사이에 전하 생성층을 더 포함한 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
And an electric charge generating layer between the anode and the hole transporting layer.
제 1항에 있어서,
상기 전자 수송층과 상기 음극 사이에 전하 생성층을 더 포함한 유기 발광 소자.
The method according to claim 1,
And an electric charge generating layer between the electron transporting layer and the cathode.
서브 화소를 매트릭스 상으로 갖는 기판;
상기 기판 상의 각 서브 화소에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 연결되며, 제 1 항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발광 소자를 덮는 캐핑층을 포함한 유기 발광 표시 장치.
A substrate having sub pixels in a matrix form;
A thin film transistor provided in each sub-pixel on the substrate;
An organic light emitting diode according to any one of claims 1 to 11 connected to the thin film transistor; And
And a capping layer covering the organic light emitting device.
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