KR20180044819A - Imprinting method, imprinting apparatus, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

Provided is an imprinting method which has an advantage of improving overlay accuracy of a substrate and a mold. The imprinting method of the present invention, as an imprinting method of contacting a mold side pattern formed on the mold with an imprint material supplied onto a pattern region on the substrate to form a pattern of the imprint material on the pattern region, comprises: a step (S140) of irradiating a first light through the mold with respect to the pattern region; a step of performing the process of irradiating the first light to accumulate heat in at least one of the imprint material, a first surface of the substrate having the pattern region formed thereon and a second surface of the substrate different from the concerned first surface; and a step (S160) of deforming the pattern region with the heat accumulated by irradiation of the first light in a state that the mold side pattern and the imprint material are in contact with each other such that a shape of the imprint material approaches that of the mold side pattern, wherein an absorption rate of the first light of the imprint material, the first surface or the second surface into which heat is accumulated is higher than that of the first light of the pattern region.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINTING METHOD, IMPRINTING APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Technical Field [0001] The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, and a method of manufacturing an article,

본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus and a method of manufacturing an article.

기판 위의 임프린트재에 패턴부가 형성된 형을 접촉시켜 미세 패턴을 형성하는 임프린트 기술이 있다. 임프린트 기술의 하나로, 임프린트재로서 광 경화성 수지를 사용하는 광 경화법이 있다. 이 광 경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저 기판 위에 임프린트재가 공급된다. 이어서, 기판 위의 임프린트재와 형을 접촉시키고(압형), 접촉시킨 상태에서 광을 조사함으로써 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 경화된 임프린트재로부터 형을 분리(이형)함으로써, 기판 위에 임프린트재의 패턴이 형성된다.There is an imprint technique for forming a fine pattern by contacting a mold having a pattern portion formed on an imprint material on a substrate. One of the imprint technologies is a photo-curing method using a photo-curable resin as an imprint material. In the imprint apparatus employing this photo-curing method, the imprint material is first supplied onto the substrate. Next, the imprint material is cured by contacting the imprint material on the substrate with the mold (pressing) and irradiating light in a contacted state. Then, by separating (releasing) the mold from the cured imprint material, a pattern of the imprint material is formed on the substrate.

고정밀도의 패턴을 형성하기 위하여, 형과 임프린트재를 접촉시킬 때, 기판에 미리 형성된 패턴 영역의 형상과 형에 형성된 패턴부의 형상을 고정밀도로 중첩할 필요가 있다. 그러나, 임프린트 기술을 사용하여 기판 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정에서는, 기판이 변형되는 경우가 있어, 기판에 형성된 패턴 영역과 형에 형성된 패턴부의 고정밀도의 중첩이 곤란해질 수 있다. 특허문헌 1에 기재된 장치는, 형을 광으로 가열하여 패턴부를 열 변형시켜, 중첩 정밀도를 향상시키고 있다.It is necessary to superimpose the shape of the pattern region previously formed on the substrate and the shape of the pattern portion formed in the die with high accuracy when the die and the imprint material are brought into contact with each other in order to form a high-precision pattern. However, in the process of forming the pattern of the imprint material on the substrate by using the imprint technique, the substrate may be deformed, and it may become difficult to superpose the pattern area formed on the substrate and the pattern part formed on the mold with high accuracy. In the apparatus described in Patent Document 1, the die is heated with light to thermally deform the pattern portion to improve the superposition accuracy.

국제 공개 제2009/153925호International Publication No. 2009/153925

그러나, 임프린트 기술에서 사용하는 기판은 형보다도 열 팽창 계수가 높아, 상기 특허문헌의 기술에 의해 형을 열 변형시키는 경우, 형에 조사하는 광의 영향으로 기판이 형보다도 크게 변형되는 경우가 있다. 이에 의해, 중첩 정밀도가 저하되는 경우가 있다.However, the substrate used in the imprint technique has a thermal expansion coefficient higher than that of a mold, and when the mold is thermally deformed by the technique of the above-mentioned patent, the substrate may be deformed more largely than the mold due to the influence of light irradiated on the mold. As a result, there is a case where the overlapping accuracy is lowered.

본 발명은, 예를 들어 기판과 형의 중첩 정밀도의 향상에 유리한 임프린트 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an imprint method which is advantageous for improving, for example, superposition accuracy between a substrate and a mold.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 형에 형성된 형측 패턴과, 기판 위의 패턴 영역에 공급된 임프린트재를 접촉시켜 패턴 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 패턴 영역에 대하여, 형을 거쳐 제1 광을 조사하고, 제1 광의 조사에 의해 임프린트재, 패턴 영역이 형성된 기판의 제1 면 및 당해 제1 면과는 상이한 기판의 제2 면 중 적어도 하나에 열을 축적시키고, 형측 패턴과 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 제1 광의 조사에 의해 축적된 열로 패턴 영역을 변형시켜 형측 패턴의 형상에 접근시키고, 열이 축적되는, 임프린트재, 제1 면 또는 제2 면의 제1 광의 흡수율이 패턴 영역의 제1 광의 흡수율보다도 높은 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an imprint method for forming a pattern of an imprint material in a pattern area by bringing a mold side pattern formed on a mold into contact with an imprint material supplied to a pattern area on the substrate, Irradiating the first light with the first light, accumulating heat on at least one of the first surface of the substrate on which the imprint material and the pattern area are formed and the second surface of the substrate different from the first surface by irradiation of the first light, In which the imprint material is brought into contact with the imprint material and the pattern area is deformed by the heat accumulated by the irradiation of the first light so as to approach the shape of the pattern side and the heat is accumulated, Is higher than the absorption rate of the first light in the pattern area.

본 발명에 따르면, 예를 들어 기판과 형의 중첩 정밀도의 향상에 유리한 임프린트 방법을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide, for example, an imprint method which is advantageous for improving the superposition accuracy of a substrate and a mold.

도 1은 임프린트 장치의 구성을 예시하는 도면.
도 2는 가열부의 구성을 도시하는 개략도.
도 3은 광 흡수제를 포함하는 임프린트재를 공급한 패턴 영역을 도시하는 도면.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 나타내는 흐름도.
도 5는 기판 위의 패턴 영역의 형상 보정 및 형상 보정을 위한 온도 분포를 예시하는 도면.
도 6은 기판의 이면에 광 흡수막을 형성한 경우를 도시하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus. Fig.
2 is a schematic view showing a configuration of a heating section;
3 is a view showing a pattern region to which an imprint material containing a light absorbing agent is supplied.
4 is a flowchart showing an imprint method according to the first embodiment;
5 is a diagram illustrating a temperature distribution for shape correction and shape correction of a pattern region on a substrate;
6 is a view showing a case where a light absorbing film is formed on a back surface of a substrate.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면 등을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings and the like.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1은 임프린트 장치의 대표적인 장치 구성을 예시하는 도면이다. 임프린트 장치(1)는 기판 위에 공급된 임프린트재를 형과 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 본 실시 형태에서는, 임프린트 장치(1)는 광 경화법을 채용한 임프린트 장치로 한다. 또한, 도 1에 있어서는, 기판 위의 임프린트재(14)에 대하여, 광을 조사하는 조명계의 광축과 평행하게 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에서, 서로 직교하는 X축 및 Y축을 취한다. 이하의 도면에 있어서도, X축, Y축 및 Z축은, 마찬가지로 정의된다.1 is a diagram exemplifying a typical apparatus configuration of an imprint apparatus. The imprint apparatus 1 is an apparatus for forming a pattern of a cured product on which a concave-convex pattern of a mold is transferred by bringing the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. In the present embodiment, the imprint apparatus 1 is an imprint apparatus employing a photo-curing method. 1, a Z-axis is taken parallel to the optical axis of the illumination system for irradiating light to the imprint material 14 on the substrate, and X-axis and Y-axis orthogonal to each other are taken in a plane perpendicular to the Z- do. In the following drawings, the X axis, the Y axis, and the Z axis are similarly defined.

임프린트 장치(1)는 광 조사부(2), 형 보유 지지 기구(3), 스테이지(기판 스테이지)(4), 도포부(5), 가열부(가열 기구)(6), 얼라인먼트 계측부(26) 및 제어부(7) 등의 구성 요소를 구비한다.The imprint apparatus 1 includes a light irradiation unit 2, a mold holding mechanism 3, a stage (substrate stage) 4, a coating unit 5, a heating unit (heating mechanism) 6, an alignment measurement unit 26, And a control unit 7, as shown in Fig.

광 조사부(2)는, 임프린트 처리 시에 기판(10) 위의 임프린트재(14)에 대하여 광(9)을 조사한다. 광 조사부(2)는, 광원(도시하지 않음)과, 이 광원으로부터 조사된 광(9)을 임프린트를 위하여 적절한 광으로 조정하는 광학 소자(도시하지 않음)로 구성된다.The light irradiation unit 2 irradiates the light 9 to the imprint material 14 on the substrate 10 during the imprint process. The light irradiation unit 2 is composed of a light source (not shown) and an optical element (not shown) that adjusts the light 9 emitted from the light source to appropriate light for imprinting.

기판(10)에는 유리, 세라믹스, 금속, 반도체 또는 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에 기판(10)과는 상이한 재료를 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판(10)으로서는, 구체적으로 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 또는 석영 유리 등을 사용할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 실리콘 웨이퍼를 사용한다. 또한, 임프린트재(14)의 공급 전에, 필요에 따라 임프린트재(14)와 기판(10)의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착층을 형성해도 된다.Glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like is used for the substrate 10, and if necessary, a member including a material different from the substrate 10 may be formed on the surface. As the substrate 10, specifically, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, or the like can be used. In the present embodiment, a silicon wafer is used. Before the imprint material 14 is supplied, an adhesion layer for improving the adhesion between the imprint material 14 and the substrate 10 may be formed as necessary.

임프린트재(14)는 기판(10)의 면에 공급(도포)되어, 형(8)에 형성된 패턴부(형측 패턴)(8a)에 의해 성형된다. 임프린트재(14)에는, 경화용의 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고 칭하는 경우도 있다)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 방사선 또는 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 혹은 자외선 등의 광, 또는 X선이나 감마선 등의 전자 방사선을 사용할 수 있다. 또한, 방사선으로서는, 전자선 등의 입자 방사선을 사용할 수 있다.The imprint material 14 is supplied (applied) to the surface of the substrate 10 and is formed by a pattern portion (pattern side) 8a formed on the mold 8. [ In the imprint material 14, a curable composition (sometimes referred to as uncured resin) that is cured by applying energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic wave, radiation, heat, or the like is used. As the electromagnetic wave, for example, light such as infrared rays, visible light or ultraviolet ray, or electron radiation such as X-ray or gamma ray, whose wavelength is selected from the range of 10 nm to 1 mm, can be used. As the radiation, particle radiation such as electron beam can be used.

경화성 조성물은, 광이나 방사선의 조사에 의해, 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중 광에 의해 경화되는 광 경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제 및 중합체 성분 등의 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.The curable composition is a composition which is cured by irradiation with light or radiation or by heating. Among them, the photo-curable composition which is cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as required. The non-polymerizable compound is at least one member selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

중합성 화합물은, 광중합 개시제로부터 발생한 중합 인자(라디칼 등)와 반응하여, 연쇄 반응(중합 반응)에 의해 고분자 화합물을 포함하는 고체를 형성하는 화합물이다. 예를 들어, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 하나 이상 갖는 화합물, 즉 (메트)아크릴 화합물이다. 광중합 개시제는, 수광에 의해 중합 인자를 발생시키는 화합물이며, 예를 들어 아실포스핀옥사이드 화합물과 같은 라디칼 발생제이다. 본 실시 형태에서는, 자외선으로 경화하는 자외선 경화 수지를 임프린트재(14)로서 사용한다.The polymerizable compound is a compound which reacts with polymerization factors (radicals and the like) generated from a photopolymerization initiator to form a solid containing a polymer compound by a chain reaction (polymerization reaction). For example, a compound having at least one acryloyl group or methacryloyl group, that is, a (meth) acrylic compound. The photopolymerization initiator is a compound which generates a polymerization factor by receiving light and is, for example, a radical generator such as an acylphosphine oxide compound. In this embodiment, an ultraviolet curable resin that is cured by ultraviolet rays is used as the imprint material 14. [

임프린트재(14)는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판(10) 위에 막 형상으로 공급된다. 혹은, 액체 분사 헤드에 의해, 액적상 또는 복수의 액적이 연결되어 생긴 섬 형상 혹은 막 형상으로 되어 기판(10) 위로 공급되어도 된다. 임프린트재(14)의 점도(25℃에 있어서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.The imprint material 14 is supplied in a film form on the substrate 10 by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid droplet may be supplied onto the substrate 10 in the shape of an island or a film formed by a droplet or a plurality of droplets connected by a liquid jet head. The viscosity (viscosity at 25 캜) of the imprint material 14 is, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

형(8)의 외주 형상은, 예를 들어 각형이며, 형(8)의 기판(10)에 대한 면은, 예를 들어 회로 패턴 등의 전사해야 할 요철 패턴이 3차원 형상으로 형성된 패턴부(8a)를 포함한다. 또한, 형(8)을 구성하는 재료는, 예를 들어 유리, 석영, PMMA, 폴리카르보네이트 수지 등의 광 투명성 수지, 투명 금속 증착막, 폴리디메틸실록산 등의 유연막, 광 경화막 또는 금속막 등의 광 투과성의 재료가 바람직하다. 또한, 형(8)은, 후술하는 바와 같은 변형을 용이하게 하기 위하여, 광(9)이 조사되는 면에, 평면 형상이 원형이며, 또한 어느 정도의 깊이를 갖는 캐비티(오목부)가 형성된 형상으로 해도 된다. 본 실시 형태에서는, 석영에 의해 구성되는 형(8)을 사용한다.The surface of the mold 8 with respect to the substrate 10 is a pattern portion in which the concavo-convex pattern to be transferred such as a circuit pattern is formed in a three-dimensional shape (for example, 8a. The material constituting the mold 8 can be selected from the group consisting of a light transparent resin such as glass, quartz, PMMA and polycarbonate resin, a transparent metal vapor deposition film, a flexible film such as polydimethylsiloxane, Of a light-transmitting material is preferable. The mold 8 has a shape in which a cavity (concave portion) having a circular planar shape and a certain depth is formed on the surface to which the light 9 is irradiated in order to facilitate deformation, . In this embodiment, a mold 8 made of quartz is used.

형 보유 지지 기구(3)는, 형(8)을 보유 지지하는 형 보유 지지부(11)와, 형 보유 지지부(11)를 보유 지지하는 형 구동 기구(12)를 갖는다. 형 구동 기구(12)는, 형(8)을 보유 지지하는 형 보유 지지부(11)를 이동시킴으로써 형(8)을 이동시킨다. 형 보유 지지부(11)는, 형(8)에 있어서의 광(9)의 조사면의 외주 영역을 진공 흡착력이나 정전력에 의해 끌어 당김으로써 형(8)을 보유 지지할 수 있다. 예를 들어, 형 보유 지지부(11)가 진공 흡착력에 의해 형(8)을 보유 지지하는 경우에는, 형 보유 지지부(11)는, 외부에 설치된 진공 펌프(도시하지 않음)에 접속되고, 이 진공 펌프의 ON/OFF에 의해 형(8)의 탈착이 전환된다. 또한, 형 보유 지지부(11) 및 형 구동 기구(12)는, 광 조사부(2)로부터 조사된 광(9)이 기판(10)을 향하도록, 중심부(내측)에 개구 영역(13)을 갖는다. 개구 영역(13)에는, 개구 영역(13)의 일부와 형(8)으로 둘러싸이는 공간을 밀폐 공간으로 하는 광 투과 부재(도시하지 않음)가 설치된다. 광 투과 부재는, 예를 들어 유리 등으로 구성되어, 광(9)을 투과한다. 밀폐 공간은, 진공 펌프 등을 포함하는 압력 조정 장치(도시하지 않음)에 의해 공간 내의 압력이 조정된다. 압력 조정 장치는, 예를 들어 형(8)을 기판(10) 위의 임프린트재(14)에 접촉시킬 때, 공간 내의 압력을 그 외부보다도 높게 설정한다. 공간 내의 압력이 높아지면, 패턴부(8a)가 기판(10)을 향하여 볼록형으로 휘어, 패턴부(8a)의 중심부로부터 임프린트재(14)에 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 패턴부(8a)와 임프린트재(14) 사이에 기체(예를 들어 공기)가 잔류되는 것을 억제하여, 패턴부(8a)의 요철 패턴에 임프린트재(14)를 적절하게 충전시킬 수 있다.The mold retaining mechanism 3 has a mold retaining portion 11 for retaining the mold 8 and a mold driving mechanism 12 for retaining the mold retaining portion 11. [ Shaped driving mechanism 12 moves the die 8 by moving the die holding portion 11 holding the die 8. The mold holding portion 11 can hold the mold 8 by drawing the outer peripheral region of the irradiation surface of the light 9 in the mold 8 by a vacuum attraction force or an electrostatic force. For example, when the mold holding portion 11 holds the mold 8 by the vacuum attraction force, the mold holding portion 11 is connected to an external vacuum pump (not shown) The attachment / detachment of the mold 8 is switched by ON / OFF of the pump. The mold holding portion 11 and the mold driving mechanism 12 have an opening region 13 in the center portion (inside) so that the light 9 irradiated from the light irradiation portion 2 faces the substrate 10 . The opening region 13 is provided with a light transmitting member (not shown) having a space surrounded by a portion of the opening region 13 and the mold 8 as a closed space. The light transmitting member is made of, for example, glass or the like, and transmits the light 9. In the closed space, the pressure in the space is adjusted by a pressure adjusting device (not shown) including a vacuum pump or the like. The pressure regulating device sets the pressure in the space higher than its outside when, for example, the mold 8 is brought into contact with the imprint material 14 on the substrate 10. The pattern portion 8a can be bent into a convex shape toward the substrate 10 so as to be brought into contact with the imprint material 14 from the central portion of the pattern portion 8a. This makes it possible to suppress the residual of gas (air, for example) between the pattern portion 8a and the imprint material 14, and to appropriately charge the imprint material 14 to the concavo-convex pattern of the pattern portion 8a have.

형 구동 기구(12)는, 형(8)과 기판(10) 위의 임프린트재(14)의 접촉, 또는 분리를 선택적으로 행하도록 형(8)을 각각 축 방향으로 이동시킨다. 형 구동 기구(12)에 채용 가능한 액추에이터로서는, 예를 들어 리니어 모터 또는 에어 실린더가 있다. 또한, 형(8)의 고정밀도의 위치 결정에 대응하기 위하여, 형 구동 기구(12)는 조동 구동계와 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어 있어도 된다. 또한, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향이나 Y축 방향 또는 각 축의 θ 방향(회전 방향)의 위치 조정 기능이나, 형(8)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성으로 해도 된다. 또한, 임프린트 장치(1)에 있어서의 형(8)과 기판(10) 위의 임프린트재(14)의 접촉(압형) 및 분리(이형)는, 형 구동 기구(12)에 의해 형(8)을 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 되고, 후술하는 스테이지(4)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현해도 된다. 또는 형(8) 및 스테이지(4)의 양쪽을 상대적으로 이동시켜도 된다.Type driving mechanism 12 moves the mold 8 in the axial direction so as to selectively contact or separate the mold 8 and the imprint material 14 on the substrate 10. [ As the actuator that can be employed in the driving mechanism 12, for example, there is a linear motor or an air cylinder. Further, in order to cope with high-precision positioning of the die 8, the die drive mechanism 12 may be constituted by a plurality of drive systems such as a coarse drive system and a fine drive system. It is also possible to adopt a configuration having a position adjustment function in the X-axis direction or the Y-axis direction or in the? Direction (rotation direction) of each axis, a tilt function for correcting the tilt of the die 8, and the like as well as the Z-axis direction. The contact (press) and separation (release) of the impression material 14 on the imprint device 1 and the imprint material 14 on the substrate 10 in the imprint apparatus 1 are performed by the mold drive mechanism 12, In the Z-axis direction, or may be realized by moving the stage 4 described later in the Z-axis direction. Or both of the die 8 and the stage 4 may be relatively moved.

스테이지(4)는, 기판(10)을 보유 지지하고, 형(8)과 기판(10) 위의 임프린트재(14)의 접촉 시에 형(8)과 임프린트재(14)의 위치 정렬을 실시한다. 스테이지(4)는, 기판(10)을, 흡착력에 의해 보유 지지하는 기판 보유 지지부(16)와, 기판 보유 지지부(16)를 기계적 수단에 의해 보유 지지하고, 각 축 방향으로 이동 가능하게 하는 스테이지 구동 기구(17)를 갖는다. 스테이지 구동 기구(17)에 채용 가능한 액추에이터로서는, 예를 들어 리니어 모터나 평면 모터가 있다. 스테이지 구동 기구(17)도, X축 및 Y축의 각 방향에 대하여, 조동 구동계나 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어 있어도 된다. 또한, Z축 방향의 위치 조정을 위한 구동계나, 기판(10)의 θ 방향의 위치 조정 기능 또는 기판(10)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능 등을 갖는 구성으로 해도 된다. 또한, 스테이지(4)는, 그 측면에, X, Y, Z, θx, θy 및 θz의 각 방향에 대응한 복수의 참조 미러(18)를 구비한다. 복수의 참조 미러(18)에 대응하여, 임프린트 장치(1)는 이 복수의 참조 미러(18)의 각각에 빔을 조사하는 복수의 레이저 간섭계(19)를 구비한다. 복수의 레이저 간섭계(19)에 의해, 스테이지(4)의 위치를 계측한다. 레이저 간섭계(19)는, 스테이지(4)의 위치를 실시간으로 계측하고, 후술하는 제어부(7)는, 레이저 간섭계(19)의 계측값에 기초하여, 스테이지(4) 위의 기판(10)의 위치 결정 제어를 실행한다.The stage 4 holds the substrate 10 and aligns the mold 8 and the imprint material 14 when the mold 8 and the imprint material 14 on the substrate 10 are brought into contact with each other do. The stage 4 includes a substrate holding portion 16 for holding the substrate 10 by an attraction force and a stage 16 for holding the substrate holding portion 16 by mechanical means, And a drive mechanism 17. As an actuator that can be employed in the stage driving mechanism 17, for example, there are a linear motor and a plane motor. The stage driving mechanism 17 may also be constituted by a plurality of driving systems such as a coarse driving system and a fine driving system for angular directions of the X and Y axes. It is also possible to adopt a configuration having a drive system for adjusting the position in the Z-axis direction, a position adjustment function of the substrate 10 in the? Direction or a tilt function for correcting the tilt of the substrate 10. The stage 4 has a plurality of reference mirrors 18 corresponding to the respective directions of X, Y, Z,? X,? Y, and? Z on the side surface thereof. Corresponding to the plurality of reference mirrors 18, the imprint apparatus 1 has a plurality of laser interferometers 19 for irradiating each of the plurality of reference mirrors 18 with a beam. The position of the stage 4 is measured by a plurality of laser interferometers 19. The laser interferometer 19 measures the position of the stage 4 in real time and the control section 7 described later calculates the position of the stage 4 on the stage 4 based on the measured value of the laser interferometer 19. [ And executes the positioning control.

도포부(5)는 형 보유 지지 기구(3)의 근방에 설치되고, 기판(10) 위에 미경화 상태의 임프린트재(14)를 공급(도포)한다. 또한, 도포부(5)의 토출 노즐(5a)로부터 토출되는 임프린트재(14)의 양은, 기판(10) 위로 공급되는 임프린트재(14)의 원하는 두께나, 형성되는 패턴의 밀도 등에 의해 적절히 결정된다.The application portion 5 is provided in the vicinity of the die holding mechanism 3 and supplies (applies) the imprint material 14 in an uncured state to the substrate 10. [ The amount of the imprint material 14 discharged from the discharge nozzle 5a of the application portion 5 is appropriately determined according to the desired thickness of the imprint material 14 supplied onto the substrate 10, do.

도 2를 참조하면, 얼라인먼트 계측부(26)는 임프린트 처리 시에 기판(10) 위에 존재하고, 피처리부가 되는 패턴 영역(20) 및 형(8)에 있는 패턴부(8a)의 형상 또는 사이즈를 취득한다. 얼라인먼트 계측부(26)는, 임프린트 처리 중에 있어서도 패턴부(8a) 및 기판(10) 위에 형성된 패턴 영역(20)의 형상을 취득할 수 있도록 구성해도 상관없다. 얼라인먼트 계측부(26)는, 도시하지 않은 얼라인먼트 광에 의해, 예를 들어 패턴부(8a)와 패턴 영역(20)에 설치된 얼라인먼트 마크를 관측하여, 양자의 형상차를 취득할 수 있다. 얼라인먼트 광으로서는, 예를 들어 500 내지 800㎚의 파장의 광이 사용된다.2, the alignment measuring section 26 is located on the substrate 10 during the imprinting process, and the shape and size of the pattern area 8 in the pattern area 20 and the pattern area 8 to be processed are . The alignment measurement section 26 may be configured to acquire the shape of the pattern region 8 formed on the pattern portion 8a and the substrate 10 even during the imprint process. The alignment measuring section 26 can obtain the shape difference between the pattern portion 8a and the pattern region 20 by observing the alignment mark provided in the pattern portion 8a and the pattern region 20 by the alignment light not shown. As the alignment light, for example, light having a wavelength of 500 to 800 nm is used.

도 1로 되돌아가, 제어부(7)는 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소의 동작 및 조정 등을 제어한다. 제어부(7)는, 예를 들어 컴퓨터 등의 연산부나 기억부를 포함하고, 임프린트 장치(1)의 각 구성 요소에 회선을 개재하여 접속되고, 프로그램 등에 따라 각 구성 요소의 제어를 실행한다. 또한, 제어부(7)는 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 공통된 하우징 내에 구성해도 되고, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과는 상이한 하우징 내에 구성해도 된다. 또한, 제어부(7)는 복수의 컴퓨터 등으로 구성되고, 제어하는 각 구성 요소에 포함되어도 된다.Returning to Fig. 1, the control unit 7 controls the operation and adjustment of each component of the imprint apparatus 1. The control unit 7 includes an arithmetic unit and a storage unit such as a computer and is connected to each component of the imprint apparatus 1 via a line and executes control of each component according to a program or the like. The control section 7 may be provided in a housing common to other parts of the imprint apparatus 1 or may be formed in a housing different from other parts of the imprint apparatus 1. [ The control unit 7 may be comprised of a plurality of computers or the like, and may be included in each component to be controlled.

임프린트 장치(1)는 스테이지(4)를 적재하는 베이스 정반(27)과, 형 보유 지지 기구(3)를 고정하는 브리지 정반(28)과, 베이스 정반(27)으로부터 연장 설치되고, 제진기(29)를 개재시켜 브리지 정반(28)을 지지하기 위한 지주(30)를 구비한다. 제진기(29)는, 바닥면으로부터 브리지 정반(28)으로 전해지는 진동을 제거한다. 임프린트 장치(1)는 모두 도시하지 않았지만, 형(8)을 장치 외부로부터 형 보유 지지 기구(3)로 반송하는 형 반송 기구나, 기판(10)을 장치 외부로부터 스테이지(4)로 반송하는 기판 반송 기구 등을 더 포함할 수 있다.The imprint apparatus 1 includes a base table 27 on which the stage 4 is mounted, a bridge table 28 for fixing the mold holding mechanism 3, and a bridge 29 extending from the base table 27, (30) for supporting the bridge base (28) with a predetermined distance therebetween. The vibration suppressor 29 removes the vibration transmitted from the bottom surface to the bridge pedestal 28. Although not all of the imprint apparatus 1 is shown, the imprint apparatus 1 includes a mold transporting mechanism for transporting the mold 8 from the outside of the apparatus to the mold holding mechanism 3 and a mold transporting mechanism for transporting the substrate 10 from the outside of the apparatus to the stage 4. [ A transport mechanism, and the like.

도 2의 (A) 및 (B)는, 가열부(6)의 구성을 도시하는 개략도이다. 또한, 도 1과 동일 구성의 것에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다. 임프린트재(14)는, 기판(10) 위의 패턴 영역(20)에 공급된다. 가열부(6)는, 조사광(21)을 출사하는 가열용 광원(22)과, 조사광(21)의 조사량을 조정하는 광 조정기(조정부) (23)와, 조정된 조정광(24)이 패턴부(8a)를 향하도록 광로를 규정하는 반사판(25)을 포함한다. 조사광(21)은, 임프린트재(14)가 감광(경화)하는 광의 파장 대역의 범위 밖에 있는 파장을 갖는 광으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태와 같이 임프린트재(14)가 200 내지 400㎚의 파장 대역의 자외선에 의해 경화되는 광 경화성 수지인 경우, 조사광(21)은 400 내지 1200㎚의 파장 대역에 있는 파장을 갖는 광으로 하는 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 형(8)(패턴부(8a))의 재료를 석영으로 하고 있으며, 특히 400 내지 750㎚의 파장 대역의 가시광이 바람직하다. 또한, 얼라인먼트 광의 파장과 상이한 파장이면 된다.2 (A) and 2 (B) are schematic diagrams showing the configuration of the heating section 6. Fig. 1 are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. The imprint material 14 is supplied to the pattern region 20 on the substrate 10. The heating unit 6 includes a heating light source 22 for emitting the irradiation light 21, a light adjuster (adjusting unit) 23 for adjusting the irradiation amount of the irradiation light 21, And a reflector 25 for defining an optical path so as to face the pattern portion 8a. It is preferable that the irradiation light 21 is a light having a wavelength that is outside the range of the wavelength band of the light to be impregnated (cured) by the imprint material 14. In the case where the imprint material 14 is a photocurable resin that is cured by ultraviolet rays of a wavelength band of 200 to 400 nm as in the present embodiment, the irradiated light 21 is a light having a wavelength in a wavelength band of 400 to 1200 nm . In the present embodiment, the material of the mold 8 (pattern portion 8a) is made of quartz, and visible light of a wavelength band of 400 to 750 nm is particularly preferable. Further, it may be a wavelength different from the wavelength of the alignment light.

광 조정기(23)는, 패턴 영역(20)의 적어도 평면 영역에서 원하는 조사량 분포를 형성하기 위하여, 도시하지 않은 광학 필터를 통하여, 조사광(21) 중 특정한 파장을 갖는 광을 패턴 영역(20)의 표면을 향하여 조사 가능하게 한다. 광 조정기(23)는, 예를 들어 광 변조 소자로서 복수의 액정 소자를 광 투과면에 배치하고, 복수의 액정 소자에 대한 전압을 개별로 제어함으로써 조사량 분포를 변화시키는 것이 가능한 액정 장치를 채용할 수 있다. 또한, 광 조정기(23)는, 예를 들어 광 변조 소자로서 복수의 미러 소자를 광 반사면에 배치하고, 각 미러 소자의 면 방향을 개별로 조정함으로써 조사량 분포를 변화시키는 것이 가능한 DMD(디지털·마이크로미러·디바이스)를 채용해도 된다. 또한, 가열용 광원(22)이 조사하는 광을 개별로 조정할 수 있는 복수의 광원을 갖고, 조사하는 광을 개별로 조정함으로써 조사량 분포를 변화시키는 방식을 채용해도 된다. 또한, 광 조정기(23)로서, 어느 방식을 채용했다고 해도, 광 조정기(23)는, 패턴 영역(20)의 표면에 균일하거나 또는 균일하지 않은 조사량 분포로 조사광(21)을 조사할 수 있다.The light regulator 23 is configured to emit light having a specific wavelength among the irradiation light 21 to the pattern area 20 through an optical filter not shown in order to form a desired irradiation amount distribution in at least a planar area of the pattern area 20. [ To be irradiated to the surface of the substrate. The light regulator 23 employs a liquid crystal device capable of changing the irradiation dose distribution by arranging a plurality of liquid crystal elements as light modulation elements on the light transmission surface and separately controlling the voltages for the plurality of liquid crystal elements . The light adjuster 23 is a DMD (digital-to-analog) converter capable of changing the irradiation dose distribution by arranging a plurality of mirror elements as light modulation elements on the light reflecting surface and individually adjusting the plane directions of the respective mirror elements, Micromirror device) may be employed. The heating light source 22 may have a plurality of light sources capable of individually adjusting the light to be irradiated, and the irradiation amount distribution may be changed by individually adjusting the light to be irradiated. The light regulator 23 can irradiate the surface of the pattern area 20 with the irradiation light 21 uniformly or with a uniform dose distribution irrespective of the method employed as the light regulator 23 .

가열용 광원(22)과 광 조정기(23)는, 임프린트 장치(1) 내에서, 임프린트재(14)를 경화시킬 때에 광 조사부(2)로부터 조사되는 광(9)의 광로를 방해하지 않도록 설치되는 것이 바람직하다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 가열용 광원(22)과 광 조정기(23)는, 개구 영역(13)의 상측(광 조사부(2)측)의 X축 방향의 측면으로부터 조정광(24)을 조사하는 위치에 설치된다. 이 경우, 조정광(24)은 개구 영역(13)에 연속 설치된 공간 내로 진입한 후, 반사판(25)에 의해 반사되어 패턴부(8a)를 투과하여, 패턴 영역(20)에 조사된다. 한편, 광 조사부(2)로부터 조사되는 광(9)은 반사판(25)을 투과하여, 그대로 기판(10) 위에 조사된다. 반사판(25)은 광의 파장에 의해, 투과 또는 반사를 선택할 수 있는 다이크로익 미러 등을 채용할 수 있다.The heating light source 22 and the light adjuster 23 are installed in the imprint apparatus 1 so as not to interfere with the optical path of the light 9 irradiated from the light irradiation unit 2 when the imprint material 14 is cured . Therefore, in the present embodiment, the heating light source 22 and the light adjuster 23 irradiate the adjustment light 24 from the side in the X-axis direction on the upper side (the light irradiation portion 2 side) of the opening region 13 . In this case, the adjustment light 24 enters the space continuously provided in the opening region 13, is reflected by the reflection plate 25, is transmitted through the pattern portion 8a, and is irradiated onto the pattern region 20. On the other hand, the light 9 emitted from the light irradiation unit 2 is transmitted through the reflection plate 25 and irradiated onto the substrate 10 as it is. The reflection plate 25 may employ a dichroic mirror or the like capable of selecting transmission or reflection depending on the wavelength of light.

형 보유 지지부(11)에는, 패턴 형상 보정부(201)가 설치되어 있다. 패턴 형상 보정부(201)는, 형(8)의 외주에 외력을 가하여 형(8)을 탄성 변형시킴으로써 패턴부(8a)의 형상을 변형시키는 기구이다. 패턴 형상 보정부(201)로서는, 예를 들어 공기나 기름 등의 유체로 작동하는 실린더 또는 압전 소자를 사용할 수 있다.Shaped retainer 11 is provided with a pattern shape correcting unit 201. [ The pattern shape correcting section 201 is a mechanism for deforming the shape of the pattern portion 8a by elastically deforming the die 8 by applying an external force to the outer periphery of the die 8. As the pattern shape correcting unit 201, for example, a cylinder or a piezoelectric element that operates with fluid such as air or oil can be used.

석영으로 구성된 형(8)(패턴부(8a))의 가시광의 광 흡수율(흡수율)은, 실리콘으로 구성된 기판(10)의 광 흡수율보다 낮기 때문에, 패턴부(8a)는 기판(10)보다도 조정광(24)으로 가열되기 어렵다. 광 흡수율이란, 어떤 물질에 조사한 광이 흡수되는 비율이며, 광 흡수율이 높으면 광 흡수에 의해 축적되는 열량은 크다. 또한, 패턴 영역(20)에 이미 금속의 배선 패턴(금속막)이 형성되어 있는 경우, 패턴 영역(20)의 면 내의 조정광(24)에 대한 평균의 반사율이 높아지는 경우가 있다. 즉, 조정광(24)의 흡수율이 저하되어 패턴 영역(20)이 가열되기 어려운 경우가 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 패턴부(8a)와 패턴 영역(20) 사이에 있는 임프린트재(14)에, 조정광(24)을 흡수하여 축열하는 광 흡수제를 임프린트재(14) 내에서 균일해지도록 섞어, 임프린트재(14) 자체를 발열원으로 하여 패턴 영역(20)을 가열한다. 또한, 광(9) 및 얼라인먼트 광은, 이 광 흡수제를 투과한다.The light absorption rate (absorption rate) of the visible light of the quartz-made dies 8 (pattern portion 8a) is lower than the light absorption rate of the substrate 10 made of silicon, so that the pattern portion 8a is adjusted It is difficult to be heated by the light 24. The light absorption rate is a rate at which light irradiated to a certain substance is absorbed. If the light absorption rate is high, the amount of heat accumulated by light absorption is large. In the case where a metal wiring pattern (metal film) is already formed in the pattern region 20, the average reflectance of the adjustment light 24 in the plane of the pattern region 20 may increase. In other words, the absorption rate of the adjustment light 24 is lowered, and the pattern region 20 is hard to be heated. Therefore, in the present embodiment, the light absorbing agent that absorbs and accumulates the adjusting light 24 is uniformly distributed in the imprint material 14 between the pattern portion 8a and the pattern region 20 And the pattern region 20 is heated by using the imprint material 14 itself as a heat source. Further, the light 9 and the alignment light pass through this light absorbing agent.

도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 가열부(6)는 패턴부(8a)를 통과한 조정광(24)에 의해 임프린트재(14)를 가열한다. 그 후, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이, 패턴 영역(20) 위의 임프린트재(14)에 패턴부(8a)를 접촉시켜, 임프린트재(14)의 열을 패턴 영역(20)으로 전달하여, 패턴 영역(20)이 원하는 열 변형을 하도록 설정된 온도 분포를 패턴 영역(20)에 형성한다. 도 2의 (A)에서는, 패턴 영역(20)에 원하는 온도 분포가 형성되도록 임프린트재(14)를 가열한다. 임프린트재(14)의 가열은, 도 2의 (A)와 같은 압형 전의 단계에서만 행해도 되고, 도 2의 (B)에 도시하는 압형 중에도 계속 행해도 된다.2 (A), the heating section 6 heats the imprint material 14 by the adjustment light 24 which has passed through the pattern section 8a. 2 (B), the pattern portion 8a is brought into contact with the imprint material 14 on the pattern region 20, and the heat of the imprint material 14 is applied to the pattern region 20, Thereby forming a temperature distribution in the pattern region 20 in which the pattern region 20 has a desired thermal deformation. 2 (A), the imprint material 14 is heated so that a desired temperature distribution is formed in the pattern region 20. The heating of the imprint material 14 may be performed only at the stage before the pressing process as shown in Fig. 2A or may be continued during the pressing process shown in Fig. 2B.

도 3의 (A) 내지 (C)는, 광 흡수제를 포함하는 임프린트재를 공급한 패턴 영역을 도시하는 도면이다. 도 3의 (B) 및 (C)는, 도 3의 (A)의 동그라미로 둘러싼 부분 A를 확대한 도면이다. 도 3의 (B)는, 광 흡수제(102)를 포함하는 임프린트재(14)를 패턴 영역(20) 위에 균일하게 공급한 상태, 도 3의 (C)는 광 흡수제(102)를 포함하는 임프린트재(14)를 패턴 영역(20) 위에 점 형상으로 거리 d 이격하여 분산시켜 공급한 상태를 나타낸다. 광 흡수제(102)는, 임프린트재(14) 중에 미리 용해 또는 분산된다. 광 흡수제(102)로서는, 노광 감도 및 해상 능력과 같은 임프린트재(14)의 특성에는 영향을 주지 않는 것이 선택된다. 광 흡수제(102)의 예로서는, 이소인돌리논계의 유기 안료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 이르가진 레드(안료명)를 사용한 경우, 400 내지 600㎚ 파장의 광을 흡수한다.3 (A) to 3 (C) are diagrams showing a pattern region to which an imprint material containing a light absorbent is supplied. 3 (B) and 3 (C) are enlarged views of a portion A surrounded by a circle in FIG. 3 (A). 3B shows a state in which the imprint material 14 including the light absorber 102 is uniformly supplied onto the pattern region 20 while FIG 3C shows a state in which the imprint material Shows a state in which the ashes 14 are dispersed and supplied at a distance d in a point shape on the pattern region 20. The light absorbent 102 is previously dissolved or dispersed in the imprint material 14. The light absorbent 102 is selected so as not to affect the properties of the imprint material 14, such as exposure sensitivity and resolution capability. As an example of the light absorbent 102, an isoindolinone-based organic pigment can be used. For example, when red (pigment name) is used, it absorbs light having a wavelength of 400 to 600 nm.

조정광(24)의 조사량은 한변이 1㎜인 정사각형 정도의 격자마다 설정되지만, 거리 d는 ㎛ 오더이며, 당해 격자 중에는 충분한 개수의 임프린트재(14)의 액적이 존재하기 때문에 원하는 해상도로 온도 분포를 형성할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 광 흡수제(102)를 임프린트재(14)에 분산시켰지만, 예를 들어 기판(10) 위에 패턴 영역(20)을 형성한 후, 광 흡수제(102)를 포함하는 박막(ND 필터막) 또는 축열하는 층을 패턴 영역(20) 위에 형성해도 된다. 광 흡수제(102)를 포함하는 박막 또는 축열하는 층을 형성하는 형태에 대해서는, 후술한다. 또한, 패턴 영역(20)의 조정광(24)의 투과율이 높고 흡수율이 낮아지는 경우도 본 실시 형태에 따르면 패턴 영역(20)을 충분히 가열할 수 있다.The irradiation amount of the adjustment light 24 is set for each grid of about 1 mm on one side, but the distance d is on the order of 탆. Since there is a sufficient number of droplets of the imprint material 14 in the grid, Can be formed. In this embodiment, the light absorbent 102 is dispersed in the imprint material 14. For example, after the pattern area 20 is formed on the substrate 10, the thin film (ND filter) containing the light absorbent 102 Film) or a heat-accumulating layer may be formed on the pattern region 20. The formation of the thin film containing the light absorber 102 or the heat accumulating layer will be described later. Even when the transmittance of the adjustment light 24 in the pattern region 20 is high and the absorption rate is low, the pattern region 20 can be sufficiently heated according to the present embodiment.

도 4는 본 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 나타내는 흐름도이다. 공정 S100에서 제어부(7)는, 도포부(5)를 제어하여 기판(10) 위의 패턴 영역(20)에 광 흡수제(102)를 용해 또는 분산한 임프린트재(14)를 공급한다. 그 후, 제어부(7)는, 스테이지 구동 기구(17)를 제어하여 기판(10) 위의 패턴 영역(20)이 패턴부(8a) 아래로 오도록 기판(10)을 반송한다.4 is a flowchart showing an imprint method according to the present embodiment. The control unit 7 controls the application unit 5 to supply the imprint material 14 in which the light absorbent 102 is dissolved or dispersed in the pattern area 20 on the substrate 10. [ Thereafter, the control unit 7 controls the stage driving mechanism 17 to transport the substrate 10 such that the pattern area 20 on the substrate 10 is below the pattern unit 8a.

여기서, 기판(10)은, 일련의 디바이스 제조 공정에 있어서, 예를 들어 스퍼터링 등의 성막 공정에서의 가열 처리 등을 거친 후에, 임프린트 장치(1) 내로 반입된다. 따라서, 기판(10)은 임프린트 장치(1) 내에 반입되기 전에 확대 또는 축소되어, XY 평면 내에서 직교하는 2축 방향에서 패턴 영역(20)의 형상(또는 사이즈)이 변화하는 경우가 있다. 패턴 영역(20)의 변형 성분으로서는, 배율 변화 또는 평행사변형 혹은 사다리꼴 변형의 선형 성분과, 궁형, 실패형 또는 통형 변형의 고차 성분이 있고, 대개의 경우 이들이 조합되어 있다. 그래서, 임프린트 장치(1)는 형(8)과 기판(10) 위의 임프린트재(14)를 접촉시킬 때에 기판(10) 위에 미리 형성되어 있는 패턴 영역(20)의 형상과, 패턴부(8a)의 형상을 고정밀도로 중첩할 수 있도록, 각각의 형상을 보정한다. 특히, 본 실시 형태에서는, 얼라인먼트 계측부(26)에 의한 계측 결과로부터 산출된 보정량에 기초하여, 기판(10) 위의 패턴 영역(20)을 열 변형시키고, 또한 패턴부(8a)를 탄성 변형시킴으로써, 고정밀도의 중첩을 실현한다.Here, the substrate 10 is brought into the imprint apparatus 1 after a series of device manufacturing processes, for example, a heating process in a film forming process such as sputtering. Therefore, the substrate 10 may be enlarged or reduced before being brought into the imprint apparatus 1, so that the shape (or size) of the pattern region 20 may change in two axis directions orthogonal to each other in the XY plane. As the deformation component of the pattern area 20, there are a linear component of a magnification change or a parallelogram or trapezoidal deformation, and a higher-order component of an arch, a failure type or a columnar deformation, and these are usually combined. Therefore, the imprint apparatus 1 can control the shape of the pattern region 20 previously formed on the substrate 10 and the shape of the pattern portion 8a (FIG. 8A) when the mold 8 and the imprint material 14 on the substrate 10 are brought into contact with each other. Are corrected so as to be superimposed with high precision. Particularly, in the present embodiment, the pattern region 20 on the substrate 10 is thermally deformed and the pattern portion 8a is elastically deformed based on the correction amount calculated from the measurement result by the alignment measurement portion 26 , And realizes superimposing with high accuracy.

공정 S110에서 제어부(7)는, 얼라인먼트 계측부(26)를 제어하여 패턴부(8a)의 형상과, 기판(10) 위에 형성된 패턴 영역(20)의 형상 계측을 행하여, 계측 결과를 기억부에 보존한다. 또한, 공정 S110을 행하지 않고, 임프린트 공정 전에 당해 형상 계측을 실시하고, 계측 결과를 제어부(7)의 기억부에 보존해 두어도 상관없다. 공정 S120에서 제어부(7)는, 공정 S110에서 얻은 계측 결과로부터, 패턴 영역(20)에 포함되어 있는 변형 성분을 분석하여 분석 결과를 기억부에 보존한다. 공정 S130에서 제어부(7)는, 공정 S120에서 얻은 분석 결과로부터, 패턴부(8a)의 보정량 및 패턴 영역(20)의 보정량을 연산부에 의해 산출하여 산출 결과를 기억부에 보존한다.The control unit 7 controls the alignment measurement unit 26 to measure the shape of the pattern unit 8a and the shape of the pattern area 20 formed on the substrate 10 in step S110, do. The shape measurement may be performed before the imprinting process and the measurement result may be stored in the storage unit of the control unit 7 without performing the step S110. In step S120, the control unit 7 analyzes the strain component included in the pattern area 20 from the measurement result obtained in step S110, and saves the analysis result in the storage unit. In step S130, the control unit 7 calculates the correction amount of the pattern unit 8a and the correction amount of the pattern area 20 from the analysis result obtained in step S120, and stores the calculation result in the storage unit.

공정 S140에서 제어부(7)에 포함되는 연산부는, 패턴 영역(20)의 보정량에 기초하여 조사량 분포(패턴 영역(20)에 있어서의 온도 분포)를 산출한다. 제어부(7)는, 산출된 조사량 분포에 기초하여 가열용 광원(22) 및 광 조정기(23)를 제어하여 조정광(24)을 형성한다. 조정광(24)의 조사에 의해 임프린트재(14)가 가열된다. 조사량 분포는, 각 변형 성분과 보정량에 대응한 조사량 분포의 패턴을 미리 준비해 두고, 패턴 영역(20)의 형상 보정을 위하여 필요한 조사량 분포를 도출하도록 해도 상관없다. 또한, 조정광(24)의 조사는, 후술하는 공정 S180(이형)까지 연속하여 조사해도 상관없다.The calculation unit included in the control unit 7 in step S140 calculates the irradiation dose distribution (the temperature distribution in the pattern area 20) based on the correction amount of the pattern area 20. The control unit 7 controls the heating light source 22 and the light adjuster 23 based on the calculated dose distribution to form the adjustment light 24. [ The imprint material 14 is heated by the irradiation of the adjustment light 24. The irradiation dose distribution may be such that the irradiation dose distribution corresponding to each distortion component and the correction amount is prepared in advance and the irradiation dose distribution necessary for shape correction of the pattern region 20 is derived. The irradiation of the adjustment light 24 may be continuously performed until the step S180 (release) described later.

공정 S150에서 제어부(7)는, 공정 S130에서 얻은 패턴부(8a)의 보정량에 기초하여, 패턴 형상 보정부(201)를 제어하고, 형(8)에 외력을 가하여, 패턴부(8a)의 형상을 보정한다. 공정 S160에서 제어부(7)는, 형 구동 기구(12) 또는 스테이지 구동 기구(17)를 제어하여, 임프린트재(14)를 개재하여, 형(8)과 기판(10)을 접촉시키는 압형 동작(압인 동작)을 행한다. 이때, 패턴 영역(20)에 임프린트재(14)의 열이 전달되어 형상 보정이 행하여진다.In step S150, the control unit 7 controls the pattern shape correction unit 201 based on the correction amount of the pattern unit 8a obtained in step S130, and applies an external force to the pattern 8, Correct the shape. The control unit 7 controls the mold driving mechanism 12 or the stage driving mechanism 17 to perform a pressing operation in which the mold 8 and the substrate 10 are brought into contact with each other through the imprint material 14 A clamping operation). At this time, the heat of the imprint material 14 is transferred to the pattern region 20 to perform shape correction.

또한, 패턴부(8a)는 형(8)과 마찬가지로 석영을 포함하고, 선팽창 계수는 0.5ppm이며, 기판(10)이나 패턴 영역(20)에 포함될 수 있는 금속막(구리 등)의 선팽창 계수보다도 작다. 예를 들어, 기판(10)의 선팽창 계수는 2.4ppm이며, 석영의 약 5배이다. 그로 인해, 열에 의한 패턴부(8a)의 변형량은 기판(10)이나 패턴 영역(20)에 비하여 작다. 또한 패턴부(8a)의 형상은 패턴 형상 보정부(201)에 의해 외력으로 형상 보정이 행해지기 때문에, 패턴부(8a)가 온도 분포를 가져도, 소정의 형상으로 보정할 수 있다.The pattern portion 8a includes quartz as in the case of the mold 8 and has a coefficient of linear expansion of 0.5 ppm and is smaller than the coefficient of linear expansion of the metal film (copper or the like) small. For example, the coefficient of linear expansion of the substrate 10 is 2.4 ppm, which is about five times that of quartz. As a result, the deformation amount of the pattern portion 8a due to heat is smaller than that of the substrate 10 or the pattern region 20. Since the shape of the pattern portion 8a is corrected by the external force by the pattern shape correction portion 201, the pattern portion 8a can be corrected to a predetermined shape even if the pattern portion 8a has a temperature distribution.

공정 S160의 압형 동작으로 임프린트재(14)는, 패턴부(8a)의 요철 패턴에 충전된다. 공정 S170에서 제어부(7)는 경화 공정으로서, 광 조사부(2)를 제어하고 형(8)의 상면으로부터 광(9)을 조사하여 형(8)을 투과한 광(9)에 의해 임프린트재(14)를 경화시킨다(노광). 공정 S180에서 제어부(7)는, 임프린트재(14)가 경화된 후에, 형 구동 기구(12) 또는 스테이지 구동 기구(17)를 다시 구동시켜, 형(8)을 임프린트재(14)로부터 분리한다(이형). 이상에 의해, 기판(10) 위의 패턴 영역(20)의 표면에는, 패턴부(8a)의 요철 패턴을 모방한 3차원 형상의 임프린트재(14)의 패턴(층)이 성형된다. 공정 S190에서 제어부(7)는, 다음 압형 위치에 있는 패턴 영역(20)에 임프린트재(14)를 공급하기 위하여 스테이지 구동 기구(17)를 제어하여 스테이지(4)를 구동시킨다. 이러한 일련의 임프린트 동작을 스테이지(4)의 구동에 의해 패턴을 형성하는 영역을 변경하면서 복수회 실시함으로써, 1매의 기판(10) 위에 복수의 임프린트재(14)의 패턴을 성형할 수 있다.By the pressing operation of the step S160, the imprint material 14 is filled in the concavo-convex pattern of the pattern portion 8a. In step S170, the control unit 7 controls the light irradiation unit 2 to irradiate the light 9 from the upper surface of the mold 8 to irradiate the mold 8 with the imprint material 14) is cured (exposure). The control unit 7 drives the mold driving mechanism 12 or the stage driving mechanism 17 again after the imprint material 14 is cured to separate the mold 8 from the imprint material 14 (Release). As described above, a pattern (layer) of the imprint material 14 in a three-dimensional shape mimicking the concavo-convex pattern of the pattern portion 8a is formed on the surface of the pattern region 20 on the substrate 10. The control unit 7 controls the stage driving mechanism 17 to drive the stage 4 in order to supply the imprint material 14 to the pattern area 20 at the next pressing position. A plurality of patterns of the imprint material 14 can be formed on one substrate 10 by performing such a series of imprint operations a plurality of times while changing the area for forming the pattern by driving the stage 4. [

도 5는 기판(10) 위의 패턴 영역(20)의 형상 보정 및 형상 보정을 위한 온도 분포를 예시하는 도면이다. 여기에서는, 일례로서, 패턴 영역(20)에 사다리꼴 성분만을 포함하는 변형이 발생한 경우에 대하여 설명한다. 보정 전 형상(108)의 패턴 영역(20)에 온도 분포(110)가 형성되도록 조정광(24)을 임프린트재(14)에 조사하여 가열한다. 이 경우, 패턴 영역(20)에 포함되는 사다리꼴 성분의 변형은 X 방향뿐이기 때문에, 온도 분포(110)는 Y 방향으로만 구배를 부여하였다. 구배가 있는 온도 분포(110)에 의해, 패턴 영역(20)은, 보정 전 형상(108)으로부터 보정 후 형상(109)으로 열 변형된다. 패턴부(8a)는, 패턴 영역(20)의 보정 후 형상(109)에 맞도록 패턴 형상 보정부(201)에 의해 형상 보정된다.5 is a diagram illustrating a temperature distribution for shape correction and shape correction of the pattern region 20 on the substrate 10. [ Here, as an example, a case where deformation including only trapezoidal components occurs in the pattern region 20 will be described. The adjustment light 24 is irradiated to the imprint material 14 so as to form the temperature distribution 110 in the pattern region 20 of the pre-correction shape 108 and heated. In this case, since the deformation of the trapezoidal component included in the pattern region 20 is only in the X direction, the temperature distribution 110 is graded only in the Y direction. The pattern region 20 is thermally deformed from the pre-correction shape 108 to the post-correction shape 109 by the temperature distribution 110 having the gradient. The pattern portion 8a is subjected to shape correction by the pattern shape correction portion 201 so as to conform to the shape 109 after correction of the pattern region 20. [

이상과 같이, 조정광(24)을 흡수하는 광 흡수제(102)를 임프린트재(14)에 용해 또는 분산시킴으로써 패턴 영역(20)이 조정광(24)을 충분히 흡수하지 않는(반사율이나 투과율이 흡수율에 비해 높은) 경우에도, 패턴 영역(20)을 충분히 열 변형할 수 있다. 또한, 패턴부(8a)의 변형은 주로 외력에 의한 것이기 때문에, 가열 광의 조사량을 패턴 영역(20)의 변형을 위하여 필요한 양보다도 과잉으로 크게 할 필요가 없다. 본 실시 형태에 따르면, 기판과 형의 중첩 정밀도의 향상에 유리한 임프린트 방법을 제공할 수 있다.As described above, by dissolving or dispersing the light absorbing agent 102 that absorbs the adjusting light 24 in the imprint material 14, the pattern area 20 does not sufficiently absorb the adjusting light 24 (the reflectance or transmittance is the absorption rate The pattern region 20 can be sufficiently thermally deformed. Further, since the deformation of the pattern portion 8a is mainly caused by an external force, it is not necessary to excessively increase the irradiation amount of the heating light beyond the amount required for deformation of the pattern region 20. According to the present embodiment, it is possible to provide an imprint method which is advantageous for improving the superposition accuracy of the substrate and the mold.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

제1 실시 형태는, 패턴 영역(20)의 조정광(24)의 반사율이나 투과율이 높아 가열에 충분한 조정광(24)의 흡수율을 얻기 어려운 경우에 대응하는 실시 형태이다. 본 실시 형태에서는, 패턴 영역(20)의 조정광(24)에 대한 투과율이 반사율 및 흡수율보다도 높은 경우에 대응한다. 이러한 경우에는, 예를 들어 패턴 영역(20)에 금속막(금속 배선)이 설치되어 있지 않거나 또는 당해 금속막의 조정광(24)의 투과율이 높은 경우이다. 본 실시 형태에서는, 패턴 영역(20)이 형성된 기판(10)의 상면 또는 당해 상면과는 상이한 면에 조정광(24)의 파장의 광을 선택적으로 흡수하여 축열하는 ND 필터막으로서, 광 흡수막을 형성한다. 상면과는 상이한 면이란, 예를 들어 기판(10)의 이면(하면)이나 측면이다.The first embodiment corresponds to a case where it is difficult to obtain the absorption ratio of the adjustment light 24 sufficient for heating because the reflectance or transmittance of the adjustment light 24 in the pattern area 20 is high. This embodiment corresponds to the case where the transmittance of the pattern region 20 with respect to the adjustment light 24 is higher than the reflectance and absorption rate. In this case, for example, the metal film (metal wiring) is not provided in the pattern region 20, or the transmittance of the adjustment light 24 of the metal film is high. In this embodiment, an ND filter film for selectively absorbing and storing light having a wavelength of adjustment light 24 on a surface different from the upper surface or the upper surface of the substrate 10 on which the pattern region 20 is formed, . The surface different from the upper surface is, for example, the back surface (lower surface) or the side surface of the substrate 10. [

도 6은 기판(10)의 이면에 광 흡수막(103)을 형성한 경우를 도시하는 도면이다. 예를 들어 기판(10)의 재질이 Si이고 두께 0.8㎜의 경우, 파장 1.5 내지 7㎛의 광은 약 90％ 투과한다. 패턴 영역(20)에 있어서 파장 1.5 내지 7㎛의 광의 투과율이 높은 경우, 도 6과 같이 기판(10)의 패턴 영역(20)이 형성되어 있는 면이 반대인 면에 광 흡수막(103)을 형성한다. 조정광(24)은, 패턴부(8a), 패턴 영역(20), 기판(10)을 투과한 후, 광 흡수막(103)으로 흡수되어, 광 흡수막(103)이 가열된다. 광 흡수막(103)의 열이 기판(10)을 통하여 패턴 영역(20)으로 전해져 원하는 온도 분포가 형성된다. 광 흡수막(103)을 기판(10)의 패턴 영역(20)이 형성되어 있는 면에 형성해도 마찬가지로 원하는 온도 분포를 형성할 수 있다. 본 실시 형태에 의해서도, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과가 얻어진다.6 is a view showing a case where the light absorbing film 103 is formed on the back surface of the substrate 10. [ For example, when the substrate 10 is made of Si and has a thickness of 0.8 mm, light having a wavelength of 1.5 to 7 占 퐉 passes through about 90%. When the transmittance of light having a wavelength of 1.5 to 7 占 퐉 is high in the pattern region 20, the light absorbing film 103 is formed on the surface opposite to the surface on which the pattern region 20 of the substrate 10 is formed as shown in Fig. . The adjustment light 24 is transmitted through the pattern portion 8a, the pattern region 20 and the substrate 10 and then absorbed by the light absorbing film 103 to heat the light absorbing film 103. [ The heat of the light absorbing film 103 is transferred to the pattern region 20 through the substrate 10 to form a desired temperature distribution. Even if the light absorbing film 103 is formed on the surface of the substrate 10 on which the pattern region 20 is formed, a desired temperature distribution can be similarly formed. According to the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

(제3 실시 형태)(Third Embodiment)

패턴 영역(20)의 조정광(24)에 대한 투과율이 반사율 및 흡수율보다도 높은 경우, 제2 실시 형태에서는, 동일한 조건에서 처리되는 기판 모두에 광 흡수막을 형성할 필요가 있다. 본 실시 형태에서는, 스테이지(4)의 기판(10)을 보유 지지하는 면에 제2 실시 형태와 마찬가지의 광 흡수막(103)을 형성한다. 이에 의해, 기판에 광 흡수막을 형성하는 프로세스를 생략할 수 있고, 복수매의 기판에 대하여 임프린트 처리를 행하는 경우는, 스루풋의 향상을 기대할 수 있다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지의 효과도 얻어진다.When the transmittance of the pattern region 20 to the adjustment light 24 is higher than that of the reflectance and the absorptance, it is necessary to form the light absorbing film on all the substrates to be processed under the same conditions in the second embodiment. In the present embodiment, the light absorbing film 103 similar to that of the second embodiment is formed on the surface of the stage 4 on which the substrate 10 is held. Thereby, the process of forming the light absorbing film on the substrate can be omitted, and when the imprint process is performed on a plurality of substrates, an improvement in throughput can be expected. In addition, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

또한, 상기 실시 형태는, 패턴부(8a), 기판(10), 임프린트재(14) 및 패턴 영역(20)의 각각의 재질이나 특성에 따라서 적절히 조합하는 것도 가능하다. 즉, 임프린트재(14)에 광 흡수제(102)를 용해 또는 분산시키면서, 스테이지(4)에 광 흡수막(103)을 형성할 수도 있다. 이 경우, 더 효율적으로 패턴 영역(20)을 열 변형시킬 수 있다.It is also possible to appropriately combine the above embodiments in accordance with the materials and characteristics of the pattern portion 8a, the substrate 10, the imprint material 14, and the pattern region 20, respectively. In other words, the light absorbing film 103 may be formed on the stage 4 while dissolving or dispersing the light absorbing material 102 in the imprint material 14. In this case, the pattern region 20 can be thermally deformed more efficiently.

(물품 제조 방법에 관한 실시 형태)(Embodiment of Product Manufacturing Method)

물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법은, 상술한 형을 사용한 임프린트 장치를 사용하여 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 형상 기판) 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 해당 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 패턴드 미디어(기록 매체)나 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은, 에칭 대신 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용의 적어도 하나에 있어서 유리하다.A manufacturing method of a device (a semiconductor integrated circuit element, a liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern of an imprint material on a substrate (wafer, glass plate, film substrate) using an imprint apparatus using the mold described above do. Further, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. In the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processing for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

(그 밖의 실시 형태)(Other Embodiments)

이상, 본 발명의 실시 형태를 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에 있어서 다양한 변경이 가능하다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications are possible within the scope of the present invention.

1: 임프린트 장치
2: 광 조사부
3: 형 보유 지지 기구
4: 스테이지(기판 스테이지)
5: 도포부
6: 가열부(가열 기구)
7: 제어부
8: 형
8a: 패턴부(형측 패턴)
10: 기판
14: 임프린트재
20: 패턴 영역
26: 얼라인먼트 계측부1: Imprint device
2:
3: Type retention mechanism
4: stage (substrate stage)
5:
6: Heating part (heating mechanism)
7:
8: Type
8a: pattern part (pattern side pattern)
10: substrate
14: Imprint material
20: pattern area
26: Alignment measuring section

Claims (7)

형에 형성된 형측 패턴과, 기판 위의 패턴 영역에 공급된 임프린트재를 접촉시켜 상기 패턴 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 패턴 영역에 대하여, 상기 형을 거쳐 제1 광을 조사하고,
상기 제1 광의 조사에 의해, 상기 임프린트재, 상기 패턴 영역이 형성된 상기 기판의 제1 면 및 당해 제1 면과는 상이한 상기 기판의 제2 면 중 적어도 하나에 열을 축적시키고,
상기 형측 패턴과 상기 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 상기 제1 광의 조사에 의해 축적된 열로 상기 패턴 영역을 변형시켜 상기 형측 패턴의 형상에 접근시키고,
상기 열이 축적되는, 상기 임프린트재, 상기 제1 면 또는 상기 제2 면의 상기 제1 광의 흡수율이 상기 패턴 영역의 상기 제1 광의 흡수율보다도 높은 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.And a pattern of the imprint material is formed in the pattern area by contacting the imprint material supplied to the pattern area on the substrate,
Irradiating the pattern region with the first light through the mold,
The first region of the substrate on which the pattern region is formed and the second surface of the substrate different from the first surface by heat of the first light,
Deforming the pattern region with heat accumulated by irradiation of the first light in a state in which the pattern pattern and the imprint material are in contact with each other to approach the shape of the pattern pattern,
Wherein the absorption rate of the first light on the imprint material, the first surface, or the second surface, on which the heat is accumulated, is higher than the absorption rate of the first light in the pattern area. 제1항에 있어서, 상기 패턴 영역 및 상기 형측 패턴의 형상을 계측하고,
계측 결과에 기초하여 결정된 조사량 분포로 상기 기판을 조사하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The method according to claim 1, wherein the shape of the pattern area and the shape pattern is measured,
And irradiating the substrate with a dose distribution determined based on the measurement result. 제1항에 있어서, 상기 열이 축적되는 상기 임프린트재는, 상기 제1 광을 흡수하여 축열하는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The imprinting method according to claim 1, wherein the imprint material on which the heat is accumulated includes a material that absorbs and stores heat of the first light. 제1항에 있어서, 상기 열이 축적되는 상기 제1 면 또는 상기 제2 면은, 상기 제1 광을 흡수하여 축열하는 층을 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The imprinting method according to claim 1, wherein the first surface or the second surface on which the heat is accumulated has a layer that absorbs and stores heat of the first light. 제1항에 있어서, 상기 제1 광은, 상기 임프린트재를 경화하는 제2 광 및 상기 형상의 계측에 사용하는 제3 광과는 상이한 파장의 광인 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.The imprinting method according to claim 1, wherein the first light is light having a wavelength different from that of the second light used for curing the imprint material and the third light used for measuring the shape. 형에 형성된 형측 패턴과, 기판에 형성된 패턴 영역에 공급된 임프린트재를 접촉시켜 상기 기판 위에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
상기 기판을 보유 지지하여 이동 가능한 기판 스테이지와,
상기 패턴 영역 및 상기 형측 패턴의 형상을 계측하는 계측부와,
소정의 조사량 분포로 상기 기판 스테이지의 면 중 상기 기판을 보유 지지하는 면을 향하여 제1 광을 조사하는 조사부를 갖고,
상기 제1 광의 파장은, 상기 임프린트재를 경화하는 제2 광의 파장 및 상기 계측부가 사용하는 제3 광의 파장과는 상이하고,
상기 기판 스테이지는, 상기 기판을 보유 지지하는 면에 상기 제1 광을 흡수하여 축열하는 층을 갖고,
상기 층의 상기 제1 광의 흡수율은, 상기 패턴 영역의 상기 제1 광의 흡수율보다도 높은 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.And a pattern is formed on the substrate by bringing an imprint material supplied to a pattern region formed on the substrate into contact with the imprint material,
A substrate stage capable of holding and moving the substrate,
A measuring section for measuring the shape of the pattern area and the pattern side,
And an irradiating portion for irradiating the first light toward the surface of the substrate stage that holds the substrate with a predetermined dose distribution,
The wavelength of the first light is different from the wavelength of the second light for curing the imprint material and the wavelength of the third light used by the measurement unit,
Wherein the substrate stage has a layer for absorbing and storing the first light on a surface holding the substrate,
Wherein the absorption rate of the first light in the layer is higher than the absorption rate of the first light in the pattern area. 형에 형성된 형측 패턴과, 기판 위의 패턴 영역에 공급된 임프린트재를 접촉시켜 상기 패턴 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 사용하여 기판 위에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 공정을 포함하고,
상기 임프린트 방법은,
상기 패턴 영역에 대하여, 상기 형을 거쳐 제1 광을 조사하고,
상기 제1 광의 조사에 의해, 상기 임프린트재, 상기 패턴 영역이 형성된 상기 기판의 제1 면 및 당해 제1 면과는 상이한 상기 기판의 제2 면 중 적어도 하나에 열을 축적시키고,
상기 형측 패턴과 상기 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 상기 제1 광의 조사에 의해 축적된 열로 상기 패턴 영역을 변형시켜 상기 형측 패턴의 형상에 접근시키고,
상기 열이 축적되는, 상기 임프린트재, 상기 제1 면 또는 상기 제2 면의 상기 제1 광의 흡수율이 상기 패턴 영역의 상기 제1 광의 흡수율보다도 높은 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.A step of forming a pattern on a substrate by using an imprint method of forming a pattern of an imprint material in the pattern area by bringing the imprint material supplied to the pattern area on the substrate into contact with the pattern side pattern formed on the mold,
And processing the substrate on which the pattern is formed in the step,
In the imprint method,
Irradiating the pattern region with the first light through the mold,
The first region of the substrate on which the pattern region is formed and the second surface of the substrate different from the first surface by heat of the first light,
Deforming the pattern region with heat accumulated by irradiation of the first light in a state in which the pattern pattern and the imprint material are in contact with each other to approach the shape of the pattern pattern,
Wherein the absorption rate of the first light on the imprint material, the first surface, or the second surface, on which the heat is accumulated, is higher than the absorption rate of the first light in the pattern area.
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