KR20180028154A - 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함한 염료감응 태양전지 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 31
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 8
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- INUNLMUAPJVRME-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropanoyl chloride Chemical compound ClCCC(Cl)=O INUNLMUAPJVRME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N oxalyl chloride Chemical compound ClC(=O)C(Cl)=O CTSLXHKWHWQRSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VGCXGMAHQTYDJK-UHFFFAOYSA-N Chloroacetyl chloride Chemical compound ClCC(Cl)=O VGCXGMAHQTYDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Sn].[In] Chemical compound [Zn].[Sn].[In] WGCXSIWGFOQDEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N aluminum copper oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Cu+2] UNRNJMFGIMDYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N strontium titanium Chemical compound [Ti].[Sr] RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JQELECXPPAOSTM-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloropropanoyl chloride Chemical compound ClCC(Cl)C(Cl)=O JQELECXPPAOSTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FBCCMZVIWNDFMO-UHFFFAOYSA-N dichloroacetyl chloride Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)=O FBCCMZVIWNDFMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 claims description 3
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 2
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 23
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 12
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWBHETKCLVMNFS-UHFFFAOYSA-N 4',6-Diamino-2-phenylindol Chemical compound C1=CC(C(=N)N)=CC=C1C1=CC2=CC=C(C(N)=N)C=C2N1 FWBHETKCLVMNFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- NRUPVVPBPCPMPJ-UHFFFAOYSA-N cyano selenocyanate Chemical compound N#C[Se]C#N NRUPVVPBPCPMPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 150000004687 hexahydrates Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N propan-2-one;hydrate Chemical compound O.CC(C)=O OVARTBFNCCXQKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHNRXCZVLIJCGL-UHFFFAOYSA-N ruthenium(2+) tetrabutylazanium Chemical compound [Ru+2].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FHNRXCZVLIJCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 2-Hexylthiophene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CS1 QZVHYFUVMQIGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005216 hydrothermal crystallization Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 저온소성용 염료감응 광전극과 그 제조방법, 및 이를 이용한 염료감응 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계,; ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계 및; ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소성하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 가요성 광전극 및 상기 가요성 광전극을 포함한 염료감응형 태양전지에 관한 것으로, 본 발명은 플렉서블 기판을 사용하여 저온소성이 요구되는 조건하에서도 가요성 광전극에 사용되는 금속산화물 입자 상호간 및 금속산화물 입자와 기판 사이에 상호 연결을 증가시켜 광전효율 및 안정성이 우수한 가요성 광전극 및 염료감응형 태양전지를 제조할 수 있다.
Description
본 발명은 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 가요성 광전극 및 상기 가요성 광전극을 포함한 염료감응 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 가요성 광전극의 제조방법에 있어서, ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계,; ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계 및; ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소성하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 가요성 광전극 및 상기 가요성 광전극을 포함한 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
염료감응 태양전지(dye-sensitized photovoltaic cell)는 1991년 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 발표된 광전기화학 태양전지로 대표되는 것으로서, 일반적으로 가시광선을 흡수하는 감광성 염료, 넓은 밴드갭 에너지를 갖는 금속산화물 나노입자로 구성된 광전극, 백금(Pt)에 의해 촉매작용을 하는 상대전극(counter electrode), 그리고 그 사이에 채워진 전해질로 구성되어 있다. 염료감응형 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지나 화합물 반도체 태양전지에 비해 그 제작비용이 저렴하고, 유기 태양전지에 비하여 그 효율이 높으며 이 외에도 친환경적이고 투명화가 가능하다는 장점을 가진다.
최근 유연기판(flexible substrate)을 갖는 반도체 전극을 사용하는 플렉서블 염료감응 태양전지는 휴대폰, 웨어러블 PC 등 차세대 PC 산업에 필요한 전원의 자가 충전이나 옷, 모자, 자동차 유리, 건물 등에 부착해 활용할 수 있다는 점에서 관심의 초점이 되고 있다.
그러나, 이러한 유연기판을 갖는 반도체 전극의 제작에 필요한 플라스틱 기판은 고온에서 쉽게 변형이 일어나기 때문에 150℃ 이하의 저온에서 반도체 전극을 제작해야 하는 제한이 따른다. 즉, 일반적으로 유연기판인 플라스틱 기판에는 고온 열처리가 불가능하기 때문에 저온에서 TiO2와 같은 금속산화물을 소성시켜야 한다. 하지만, 상기 저온 소성의 경우는, TiO2 입자간 연결성이 부족하기 때문에 광전자 전달 능력이 현저히 떨어진다.
상기 플라스틱 기판을 적용한 반도체 전극을 제조하는 종래기술로는, 저온 소성이 가능한 페이스트를 기판에 인쇄하여 150℃ 미만에서 화학 소결(Chemical sintering), mechanical pressing, hydrothermal crystallization, electrophoretic deposition, microwave irradiation 방법 등이 있고, 광전극을 별도로 제조한 후 광전극을 플라스틱 기판에 부착하는 방법이 있다. 대한민국 특허 제1045849호에는 (a) 투명하고 구부림이 가능한 제1 전극이 처리된 제1 기판을 준비하는 단계; (b) 입자크기가 10-100 nm의 이산화티탄 나노입자, 에탄올, 아세틸아세톤을 혼합하여 분산시켜 입자크기가 10-100 nm의 이산화티탄 나노입자 콜로이드 용액을 제조하는 단계; (c) 티타늄 이소프로폭사이드, 에탄올, 물, 아세틸아세톤을 혼합하여 초음파 분산하고 교반하여 티타늄 전구체 용액을 제조하고, 상기 입자크기가 10-100 nm의 이산화티탄 나노입자 콜로이드 용액과 상기 티타늄 전구체 용액을 혼합하여 입자크기가 10-100 nm의 이산화티탄 페이스트를 제조하는 단계; (d) 상기 제1 전극의 상부에 상기 입자크기가 10-100 nm의 이산화티탄 페이스트를 도포하고 건조 후 소성하여 제1 무기 산화물층을 형성하는 단계; (e) 입자크기가 100-500 nm의 이산화티탄 나노입자, 에탄올, 아세틸아세톤을 혼합하여 분산시켜 입자크기가 100-500 nm의 이산화티탄 나노입자 콜로이드 용액을 제조하는 단계; (f) 티타늄 이소프로폭사이드, 에탄올, 물, 아세틸아세톤을 혼합하여 초음파 분산하고 교반하여 티타늄 전구체 용액을 제조하고, 상기 입자크기가 100-500 nm의 이산화티탄 나노입자 콜로이드 용액과 상기 티타늄 전구체 용액을 혼합하여 입자크기가 100-500 nm의 이산화티탄 페이스트를 제조하는 단계; (g) 상기 제1 무기 산화물층 상에 상기 입자크기가 100-500 nm의 이산화티탄 페이스트를 도포하고 건조 후 소성하여 제2 무기 산화물층을 형성하는 단계; (h) 상기 제2 무기 산화물층에 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료를 흡착시키는 단계; (i) 고분자 전해질 용액을 제조하고 상기 염료가 흡착된 다층 무기 산화물층에 도포하여 전해질층을 형성하는 단계; 및 (j) 상기 전해질층이 도포된 제1 전극 기판에 투명한 제2 전극 및 제2 기판을 접합하는 단계를 포함하는 플렉시블 염료감응 태양전지의 제조방법이 개시되어 있다. 또한, 대한민국 특허 제1068440호에는 전도성 유리기판 상에 유기물질로 코팅하는 전처리공정을 수행하고, 상기 전처리된 전도성 유리기판 상에, 나노입자 산화물 페이스트를 도포하여 450℃ 이상조건으로 고온 소성하여 나노입자 산화물층으로 이루어진 반도체 전극층을 형성하고, 상기 형성된 반도체 전극층을 전도성 유리기판으로부터 분리하고, 상기 분리된 반도체 전극층을 전도성 플라스틱 기판에 접착시키는 공정을 포함하는 플렉서블 염료감응형 태양전지용 반도체 전극의 제조방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기 문헌을 포함한 종래 기술에 개시된 가요성 광전극 내지 태양전지의 경우 광전극을 구성하는 금속산화물간 결합상태 내지 금속산화물과 기판 사이의 결합이 약해 태양전지의 광전효율과 막의 안정성이 떨어지는 문제가 있거나 복잡다단한 방법에 의해 제조되는 문제점 등이 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 간단한 저온소성 공정으로도 가요성 광전극에 사용되는 TiO2 등의 금속산화물 입자간의 네트워크 또는 금속산화물 입자와 기판사이에 상호 연결을 획기적으로 증가시켜 태양전지의 광전효율 및 막의 안정성을 높인 가요성 광전극 제조방법과 상기 방법에 의해 제조된 가요성 광전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 가요성 광전극을 이용하여 염료감응 태양전지의 반도체 필름층의 안정성 확보와 높은 광전 효율을 갖는 태양전지를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 가요성 광전극의 제조방법에 있어서, ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계,; ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계 및; ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소성하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 ⅳ)UV-O3을 이용하여 다공질 제1금속산화물층에 잔류한 유기물을 제거하는 단계를 더 포함한 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전기전도성을 가진 가요성 기재가 플라스틱 기재상에 금속, 금속 질화물, 금속 산화물, 탄소화합물, 또는 전도성 고분자로 이루어진 평균 두께 1 내지 1000nm인 전도성 필름층을 형성하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제1 및 제2금속산화물이 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 금속질화물이 질화타이타늄(Ti), 질화지르코늄(Zr), 질화하프늄, 질화나이오븀(Nb), 질화탄탈륨(Ta), 질화바나듐, 질화크롬(Cr), 질화몰리브데늄(Mo),질화텅스텐(W), 질화알루미늄(Al), 질화갈륨(Ga), 질화인듐(In), 질화실리콘(Si) 및 질화게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 탄소화합물이 활성탄, 흑연, 카본 나노튜브, 카본블랙, 그라펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전도성 고분자가 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 알킬 알콜이 C7 내지 C10의 직쇄 알킬알콜인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 할로겐화탄소가 사염화탄소, 옥살릴 염화물(C2Cl2O2), Chloroacetyl chloride(C2H2Cl2O), Thionyl chloride(SOCl2), Tetrachloroethylene(C2Cl4), 1,1,2,2-Tetrachloroethane(C2H2Cl4), 2,3-Dichloropropionyl chloride(C3H3Cl3O), Dichloroacetyl chloride(C2HCl3O), 3-Chloropropionyl chloride(C3H4Cl2O) 및 2,3-Dichloropropionyl chloride(CH2ClCHClCOCl)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 가요성 광전극을 제공한다.
본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 상기 가요성 광전극을 포함한 염료감응형 태양전지를 제공한다.
본 발명은 플렉서블 기판을 사용하여 저온소성이 요구되는 조건하에서도 가요성 광전극에 사용되는 금속산화물 입자 상호간 및 금속산화물 입자와 기판 사이에 상호 연결을 증가시켜 광전효율 및 안정성이 우수한 가요성 광전극 및 염료감응형 태양전지를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 가요성 광전극 및 염료감응형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정의 개략도
도 2는 본 발명의 실시예 1과 비교예 1에서 제조한 페이스트의 점도 및 흐름성을 대비한 사진
도 3은 본 발명에 따른 UV-O3을 처리함으로서 다공질막 사이에 불순물이 없고 더 투명한 가요성 광전극의 사진
도 4는 본 발명에서 1-Octanol과 사염화 탄소로 인해 TiO2끼리 화학적 결합을 나타낸 모식도
도 5은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1에 따른 염료감응 태양전지의 전류-전압 곡선을 비교하여 도시한 그래프
도 2는 본 발명의 실시예 1과 비교예 1에서 제조한 페이스트의 점도 및 흐름성을 대비한 사진
도 3은 본 발명에 따른 UV-O3을 처리함으로서 다공질막 사이에 불순물이 없고 더 투명한 가요성 광전극의 사진
도 4는 본 발명에서 1-Octanol과 사염화 탄소로 인해 TiO2끼리 화학적 결합을 나타낸 모식도
도 5은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1에 따른 염료감응 태양전지의 전류-전압 곡선을 비교하여 도시한 그래프
이하에서 본 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 본 명세서에서 "나노"라는 용어는 0.1 내지 1,000 nm 범위의 나노 스케일을 의미하며, 명세서에 기재된 "나노 입자"라는 용어는 평균입도가 나노 스케일인 모든 형태의 입자를 포함하며, '저온소성' 또는 '저온소결'의 용어는 200℃ 이하의 온도에서 화학적 소결(chemical sintering)반응을 수행함을 의미한다.
도 1은 본 발명에 따른 가요성 광전극 및 염료감응형 태양전지의 제조방법을 설명하기 위한 공정의 개략도이다. 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명은 가요성 광전극 제조방법은 전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 광전극의 제조방법에 있어서, ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계,; ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계 및; ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소결하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 가요성 광전극 제조방법은 전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 광전극을 제조하는 방법이다. 본 발명에 있어서 전도성 가요성 기재(103)는 통상 전도성을 가지고 있으면서 가요성인 재질, 예를 들면 금속 또는 비전도성이고 가요성인 플라스틱 등과 같은 기재(101)상에 전도성층(102)을 형성한 구조의 것을 사용할 수 있다. 또한 전도성층(102)은 FTO (F-doped SnO2:SnO2:F),ITO,평균 두께가 1 내지 1000 nm인 금속, 금속 질화물, 제2금속 산화물, 탄소화합물, 또는 전도성 고분자를 포함하는 전도성 필름이 코팅될 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 것처럼, 상기 광전극(110)은 가요성 기판(101), 상기 가요성 기판(101) 위에 형성된 전도성 필름(102) 및 염료가 흡착된 다공질 제1금속산화물층(107)을 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 전도성층으로 사용가능한 금속은 특별히 제한되지 않으며 통상의 금속이 적용될 수 있으며, 금속 질화물은 IVB족 금속원소의 질화물, VB족 금속원소의 질화물, VIB족 금속원소의 질화물, 질화알루미늄, 질화갈륨, 질화인듐, 질화실리콘, 질화게르마늄으로 이루어진 군으로부터 1종 이상을 선택할 수 있다.
또한 본 발명에서 사용될 수 있는 제1 및 제2금속산화물은 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있고, 바람직하게는 티타늄산화물을 사용한다.
또한, 본 발명에서 사용가능한 탄소화합물로는 활성탄, 흑연, 카본 나노튜브, 카본블랙, 그라펜 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 전도성 고분자로는 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 가요성 광전극 제조방법은 ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계를 포함한다. 상기 알킬알콜과 할로겐화탄소를 포함한 용매는 제1금속산화물 나노입자와 혼합되어 페이스트상으로 만들어지며 타 용매 대비시 동일 농도하에서 페이스트의 점도를 높인다. 상기 용매를 적용한 페이스트의 상대적으로 높은 점도는 할로겐화탄소의 할로겐원소와 제1금속산화물 나노입자의 표면에 존재하는 히드록시기(-OH)간 수소결합으로 인한 것으로 추정된다. 할로겐화탄소와 제1금속산화물간 수소결합으로 인해 점도의 상승과 함께 제1금속산화물간 거리가 보다 가까워져 알킬알콜 및 할로겐화탄소의 반응으로 수행되는 화학적 소결반응시 제1금속산화물 상호간 및 제1금속산화물과 전도성 가요성 기재와의 결합력을 높일 수 있고 광전환효율을 보다 높일 수 있다. 또한, 이러한 페이스트의 높은 점도는 전도성 가요성 기재상에 페이스트를 도포할 경우 도포층의 두께조절을 용이하게 해준다. 도 2는 본 발명의 실시예 1과 비교예 1에서 제조한 페이스트의 점도 및 흐름성을 대비한 사진이다. 도 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 알킬알콜과 할로겐화탄소의 혼합용매를 적용한 페이스트의 점도가 알킬알콜만을 사용한 경우보다 점도가 높고 퍼짐성이 낮음을 알 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 알킬알콜은 C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬알콜인 것이 바람직하고, C7 내지 C10의 직쇄 알킬알콜인 것이 더욱 바람직하다. 상기 알킬알콜은 화학적 소결시 탈수반응을 통해 제1금속산화물 입자간 및 제1금속산화물과 전도성 가요성 기재간 결합을 이루어지게 한다. 상기 알킬알콜의 경우 화학적 소결시 반응성을 높이기 위하여 온도가 높아야 하기 때문에 높은 끓는점을 갖는 것이 바람직하다. 다만, 통상 투명 플라스틱 소재인 가요성 기재의 변형이나 발화를 방지하기 위하여 소결이 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 150℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 고려하면 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 적절한 점도와 물성을 갖는 알킬알콜을 선택할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명에 있어서 상기 할로겐화탄소는 C1 내지 C3의 할로겐화탄소인 것이 바람직하고, 구체적으로 상기 할로겐화탄소의 예로는 사염화탄소, 옥살릴 염화물(C2Cl2O2), Chloroacetyl chloride(C2H2Cl2O), Thionyl chloride(SOCl2), Tetrachloroethylene(C2Cl4), 1,1,2,2-Tetrachloroethane(C2H2Cl4), 2,3-Dichloropropionyl chloride(C3H3Cl3O), Dichloroacetyl chloride(C2HCl3O), 3-Chloropropionyl chloride(C3H4Cl2O) 및 2,3-Dichloropropionyl chloride(CH2ClCHClCOCl)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것이 가장 바람직하다. 전술한 바와 같이 제1금속산화물 입자간 및 제1금속산화물 입자와 전도성 가요성 기재 중 전도성층과 수소결합을 통해 입자간 거리를 가깝게 하고 페이스트의 점도를 높여 도포성을 개선하는 역할을 수행한다.
본 발명에 있어서 제1금속산화물과 용매의 배합비율은 특별히 제한되는 것은 아니며, 제1금속산화물의 입도, 페이스트의 점도 및 저온소성 후 형성되는 제1금속산화물층의 두께 및 공극비율을 고려하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 적절히 조절할 수 있을 것이다. 본 발명의 실시예에서는 제1금속산화물 분말과 용매의 비율은 무게비로 1:0.1 내지 10 범위로 조절을 하였다.
본 발명의 가요성 광전극 제조방법은 ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계를 포함한다. 도포방법은 공지의 페이스트 도포방법, 예를 들면 닥터블레이드 등을 통해 수행될 수 있다.
본 발명의 가요성 광전극 제조방법은 ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소결하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한다. FTO나 ITO같은 TCO(Transparent conductive oxide)(103) 기판 위에 코팅 한 후(104) 150 ℃ 이하 저온 소성하여 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막 필름(105)을 제조하게 된다.
본 발명의 가요성 광전극 제조방법은 ⅳ)다공질 제1금속산화물층에 잔류한 유기물을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 유기물 제거는 공지의 유기물 분해공정인 UV-O3을 처리함으로서 다공질막 필름내에 잔류한 불순물을 제거하게 된다. 이렇게 불순물이 제거된 필름은 도 3에서 보듯이 좀 더 투명한 제1금속산화물 다공질막 필름(106)을 제조할 수 있다. 그런 다음 감광성 염료를 흡착시켜 염료가 흡착된 제1금속산화물층(107)을 형성하여 광전극(110)을 제조한다. 상대전극에 필요한 전도성 기판위(103)에 촉매전극 물질을(121) 코팅하고 소성하여 제작한 후 상대전극(120)을 제조한다. 그런 다음 광전극과 상대전극을 열융착 필름(140)을 이용하여 붙인 다음 그사이에 전해질(130)을 주입하여 태양전지를 제조한다.
한편 상기 염료흡착 제1금속산화물 다공질막(107)은 금속산화물 나노입자층 포함한 광전극을 이루는 부분을 형성하기 위해서, TiO2등을 이용하여 나노입자 필름을 형성한 것을 의미한다. 이때 상기 광전극에 형성된 다공질막의 두께도 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게 1 내지 40 ㎛ 일 수 있다.
또한 상기 감광성 염료는 밴드갭 (Band Gap) 이 1.55 eV 내지 3.1 eV을 가져 가시광선을 흡수할 수 있는 염료를 사용할 수 있으며, 예를 들면 금속 또는 금속 복합체를 포함하는 유-무기 복합염료, 유기 염료 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 유-무기 복합염료의 예로는 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 유로퓸(Eu), 납(Pb), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru) 및 이들의 복합체로 이루어지는 군에서 선택된 원소를 포함하는 유-무기 복합염료일 수 있다.
상대전극(counter electrode, 120)을 이루는 부분을 형성하기 위해서 Pt 등을 이용한 나노입자금속필름을 이용하여 형성시킨다. 상대전극을 이루는 상기 나노입자금속으로는 백금(Pt), 활성탄(activated carbon), 흑연(graphite), 카본 나노튜브, 카본블랙, p-형 반도체, PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드 및 이들의 유도체 및 이들의 공중합체 또는 이들의 복합체로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다.
상기 전해질(130)은 도 1에서 설명의 편의상 간단히 채워진 상태로 도시되어 있지만, 실제로는 광전극(110) 및 상대전극(120) 사이의 공간에서 다공질막(106)인 제1금속산화물 나노입자층의 내부에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 전해질은 산화-환원에 의해 상대전극으로부터 전자를 받아 광전극의 염료에 전달하는 역할을 하는 산화-환원 유도체 포함하며, 통상의 염료감응 태양전지에 사용가능한 것이면 특히 한정되지 않는다. 구체적으로 산화-환원 유도체는 요오드(I)계, 브롬(Br)계, 코발트(Co)계, 황화시안(SCN-)계, 셀레늄화시안(SeCN-)계를 함유하는 전해질로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다. 또한 상기 전해질은 폴리비닐리덴플로라이드-co-폴리헥사플루오르프로필렌, 폴리아크릴로니트릴, 폴리에틸렌옥사이드 및 폴리알킬아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 고분자를 함유할 수 있다. 또한, 상기 전해질은 실리카 및 TiO2 나노입자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 무기입자를 함유하는 고분자 겔 전해질일 수 있다.
또한 상기 태양전지는 상기 반도체 전극과 상대전극을 봉합하기 위한 열융착 고분자 필름 또는 페이스트인 접착제를 더욱 포함할 수 있으며, 이때 사용되는 접착제는 통상의 물질을 사용할 수 있으므로 그 종류가 특별히 한정되지는 않는다.
이하 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시적인 것으로서, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
저온소성용 금속산화물 페이스트 준비(TiO
2
paste 제조)
상용 TiO2 powder(Degussa,P25)의 입자 응결 방지와 수분 및 유기물 제거를 위해Acetylacetone (Sigma-Aldrich)를 1:1로 혼합 후 500 ℃에서 소성하였다. 그 후 전처리 된 TiO2 분말, 1-Octanol(Sigma-Aldrich), CCl4(Sigma-Aldrich)를 각각 1 g. l㎖, l㎖의 비율로 혼합 후 10 ~ 20분 Ultrasound homogenizer (Ulsso hitech co,ltd, USA)처리 후 70℃, 500 rpm/s에서 12시간 교반하여 페이스트를 제조하였다(Paste-B, 실시예 1용).
이와 별개로 CCl4첨가 유/무에 따른 점도변화를 측정하기 위해 TiO2 분말 1g과 1-Octanol 2㎖만을 사용한 것을 제외하고는 동일한 조건으로 페이스트를 제조하였다(Paste-A, 비교예 1용).
비교예 1
(광전극의 제조)
본 발명의 가요성 광전극의 제조는 원래 전도성 가요성 기판을 사용하여야 하나 가요성을 제외하고는 전기화학적 특성이 다를 이유가 없으므로 광전극에 사용되는 기판으로는 비가요성 전도성 기판인 fluorine doped tin oxide glass(8 Ω/Sq., Pilkington, USA)을 사용하였다. FTO glass에 유기물을 제거하기 위하여 (1)Mucasol(Sigma-Aldrich), (2)유기용매 세척, (3)UV-03표면처리 순서로 클리닝하였다. 세척이 끝난 FTO glass 위에 닥터 블레이드 방법을 이용하여 태양전지의 면적은 0.25㎠로 하고 위에서 만든 paste A를 코팅하고 전기로를 이용하여 150℃에서 30분 소결 , TiO2 전극은 UV-O3표먼처리를 진행하였다. 챔버 안에 UV light (wavelength k = 185, 254 nm)를 일정간격 유지후 30분동안 유지시켜주었다. 그 후 TiO2 전극막이 코팅된 FTO glass는 N-719 (0.5 mM ethanolic solution of cis-diisothioc yanato-bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato) ruthenium(II) bis-tetrabutylammonium) 염료 용액에 넣었다. 전극 막 위에 염료가 충분히 흡착하도록 약 18시간동안 유지하였다. 18시간 후 염료가 흡착된 광전극은 Ethanol로 씻어낸 후 질소 가스로 건조시켰다
(상대전극의 제조)
상대전극을 만들기 위해 광전극을 만들 때 사용되었던 동일한 FTO glass가 사용되었다. FTO glass에 드릴을 이용하여 두 개의 구멍을 뚫었다. 구멍을 뚫은 유리를 에탄올(혹은 아세톤)용액에 초음파 세척 후 질소가스로 건조하였다. 건조 후 FTO glass 표면전체에 Pt solution (5 mM ethanolic solution of chloroplatinic acid hexahydrate (H2PtCl6·6H2O))을 drop coating하여 전기로에서 400℃의 온도에서 20분 소결하여 Pt상대전극을 제작하였다.
(전해질 주입 및 봉합)
앞서 제조한 광전극과 상대전극 사이의 공간에 DMPII (1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide, 0.6 M), LiI(0.1 M), I2(0.1 M), 4-tert-butylpyridine(tBP, 0.5 M), 4′,6-diamidino-2-phenylindole (DAPI, 1 mM) 를 포함하는 3-methoxypropionitrile (MPN) 전해질을 주입하고 통상의 고분자 수지로 봉합하여 도 3의 구조의 염료감응 태양전지를 제조하였다.
실시예 1(광전극의 제조)
광전극에 사용되는 투명 전도성 기판은 fluorine doped tin oxide glass(8 Ω/Sq., Pilkington, USA)을 사용하였다. FTO glass에 유기물을 제거하기 위하여 (1)Mucasol(Sigma-Aldrich), (2)유기용매 세척, (3)UV-03표면처리 순서로 클리닝하였다. 세척이 끝난 FTO glass 위에 닥터 블레이드 방법을 이용하여 태양전지의 면적은 0.25㎠로 하고 위에서 만든 paste A를 코팅하고 전기로를 이용하여 150℃에서 30분 소결 , TiO2전극은 UV-O3 표먼처리를 진행하였다. 챔버 안에 UV light (wavelength k = 185, 254 nm)를 일정간격 유지 후 30분 동안 유지시켜주었다. 그 후 TiO2 전극막이 코팅된 FTO glass는 N-719 (0.5 mM ethanolic solution of cis-diisothioc yanato-bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato) ruthenium(II) bis-tetrabutylammonium) 염료 용액에 넣었다. 전극 막 위에 염료가 충분히 흡착하도록 약 18시간동안 유지하였다. 18시간 후 염료가 흡착된 광전극은 Ethanol로 씻어낸 후 질소 가스로 건조시켰다
(상대전극의 제조)
상대전극을 만들기 위해 광전극을 만들 때 사용되었던 동일한 FTO glass가 사용되었다. FTO glass에 드릴을 이용하여 두 개의 구멍을 뚫었다. 구멍을 뚫은 유리를 에탄올 용액에 초음파 세척 후 질소가스로 건조하였다. 건조 후 FTO glass 표면전체에 Pt solution (5 mM ethanolic solution of chloroplatinic acid hexahydrate (H2PtCl6·6H2O))을 drop coating하여 전기로에서 400℃의 온도에서 20분 소결하여 Pt상대전극을 제작하였다.
(전해질 주입 및 봉합)
앞서 제조한 광전극과 상대전극 사이의 공간에 DMPII(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide, 0.6 M), LiI(0.1 M), I2(0.1 M), 4-tert-butylpyridine(tBP, 0.5 M), 4′,6-diamidino-2-phenylindole (DAPI, 1 mM) 를 포함하는 3-methoxypropionitrile (MPN) 전해질을 주입하고 통상의 고분자 수지로 봉합하여 도 3의 구조의 염료감응 태양전지를 제조하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1에서 각각 제조한 염료감응 태양전지에 대하여 하기와 같은 방법으로 개방전압, 광전류밀도, 에너지 변환효율(energy conversion efficiency), 및 충진계수(fill factor)를 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 정리하였다. 또한, 도 5 에는 AM 1.5G 1 Sun 조건에서 얻은 실시예 1 및 비교예 1의 태양전지의 전류-전압 곡선의 그래프를 도시하였다.
(1) 개방전압(V) 및 광전류밀도(㎃/㎠)
: 개방전압과 광전류 밀도는 Keithley SMU2400 을 이용하여 측정하였다.
(2) 에너지 변환효율(%) 및 충진계수(%)
: 에너지 변환효율의 측정은 1.5AM 100mW/cm2의 솔라 시뮬레이터(Xe 램프[200W, PolaronixㄾK201,McScience,Korea], AM1.5 filter로 구성됨)를 이용하였고, 충진계수는 앞서 얻은 변환효율 및 하기 계산식을 이용하여 계산하였다.
[계산식]
상기 계산식에서, J는 변환효율 곡선의 Y축 값이고, V는 변환효율 곡선의 X축 값이며, Jsc및 Voc는 각 축의 절편 값이다.
| Jsc (㎃/cm2) |
Voc (V) |
FF (％) |
효율 (％) |
Area (㎠) |
|
| 실시예1 | 12.07 | 0.73 | 68.0 | 6.0 | 0.250 |
| 비교예1 | 8.45 | 0.73 | 68.1 | 4.2 | 0.250 |
상기 표 1 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 1-Octanol과 사염화 탄소(CCl4)를 용매로 사용한 실시예 1의 태양전지의 경우 기존 1-Octanol만 넣은 비교예 1의 염료감응 태양전지보다 높은 효율을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 본 발명의 태양전지는 용매 중에 분산된 TiO2 나노 입자에 바인더 역할을 할 수 있는 1-Octanol과 CCl4를 일정 몰비율로 혼합하여 TiO2 나노입자간의 네트워크를 향상시켜 저온 소성이 가능하고 균일한 TiO2전극막을 형성 할 수 있으며 비교적 높은 에너지변환효율(η)을 나타낼 수 있고 저온에서 소성이 가능하므로 유연성을 요구하는 다양한 전자 산업이나 전원이 필요한 분야에 활용될 수 있다.
앞에서 설명된 본 발명의 일실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
101: 플라스틱 기판
102: 전도성 필름
103 : 전도성 가요성 기재
104 : 저온소성용 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
105 : 150℃ 이하에서 소성한 저온소성용 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
106 : UV-O3을 처리한 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
107 : 염료를 흡착한 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
110 : 광전극
120: 상대전극
121: Pt 촉매층
130: 전해질
140: 고분자 접착제층
102: 전도성 필름
103 : 전도성 가요성 기재
104 : 저온소성용 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
105 : 150℃ 이하에서 소성한 저온소성용 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
106 : UV-O3을 처리한 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
107 : 염료를 흡착한 금속산화물 나노입자를 포함하는 다공질막
110 : 광전극
120: 상대전극
121: Pt 촉매층
130: 전해질
140: 고분자 접착제층
Claims (12)
- 전도성 가요성 기재상에 형성되는 다공질 제1금속산화물층과 상기 다공질 제1금속산화물층상에 염료를 흡착한 구조를 포함한 광전극의 제조방법에 있어서,
ⅰ)C6 내지 C12의 직쇄 또는 분지쇄 알킬 알콜 및 C1 내지 C3의 할로겐화탄소를 체적비로 1:0.1 내지 10 범위로 포함한 용매에 제1금속산화물 나노입자를 혼입하여 페이스트를 제조하는 단계,;
ⅱ)상기 전도성 가요성 기재상에 상기 페이스트를 도포하는 단계 및;
ⅲ)200℃ 이하의 온도에서 저온소결하여 다공질 제1금속산화물층을 형성하는 단계를 포함한 가요성 광전극 제조방법. - 제1항에 있어서,
ⅳ)다공질 제1금속산화물층에 잔류한 유기물을 제거하는 단계를 더 포함한 가요성 광전극 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 전기전도성을 가진 가요성 기재는 플라스틱 기재상에 금속, 금속 질화물, 제2금속산화물, 탄소화합물, 또는 전도성 고분자로 이루어진 평균 두께 1 내지 1000nm인 전도성 필름층을 형성하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제1금속산화물은 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZnSnO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물, 지르코늄(Zr)산화물, 스트론튬(Sr)산화물, 란타넘(La)산화물, 바나듐(V)산화물, 몰리브데넘(Mo)산화물, 나이오븀(Nb)산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트늄(Y)산화물, 스칸듐(Sc)산화물, 사마륨(Sm)산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi)산화물로 이루어진 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 금속질화물은 질화타이타늄(Ti), 질화지르코늄(Zr), 질화하프늄, 질화나이오븀(Nb), 질화탄탈륨(Ta), 질화바나듐, 질화크롬(Cr), 질화몰리브데늄(Mo),질화텅스텐(W), 질화알루미늄(Al), 질화갈륨(Ga), 질화인듐(In), 질화실리콘(Si) 및 질화게르마늄(Ge)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 제2금속산화물은 주석(Sn)산화물, 안티몬(Sb), 나이오븀(Nb) 또는 불소 도핑된 주석(Sn)산화물, 인듐(In)산화물, 주석 도핑된 인듐(In)산화물, 아연(Zn)산화물, 알루미늄(Al), 붕소(B), 갈륨(Ga), 수소(H), 인듐(In), 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 실리콘(Si) 또는 주석(Sn) 도핑된 아연(Zn)산화물, 마그네슘(Mg)산화물, 캐드뮴(Cd)산화물, 마그네슘아연(MgZn)산화물, 인듐아연(InZn)산화물, 구리알루미늄(CuAl)산화물, 실버(Ag)산화물, 갈륨(Ga)산화물, 아연주석산화물(ZNSNO), 타이타늄산화물(TiO2) 및 아연인듐주석(ZIS)산화물, 니켈(Ni)산화물, 로듐(Rh)산화물, 루세늄(Ru)산화물, 이리듐(Ir)산화물, 구리(Cu)산화물, 코발트(Co)산화물, 텅스텐(W)산화물, 티타늄(Ti)산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 탄소화합물은 활성탄, 흑연, 카본 나노튜브, 카본블랙, 그라펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제3항에 있어서,
상기 전도성 고분자는 PEDOT (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜))- PSS(폴리(스티렌설포네이트)), 폴리아닐린-CSA, 펜타센, 폴리아세틸렌, P3HT(폴리(3-헥실티오펜), 폴리실록산 카르바졸, 폴리아닐린, 폴리에틸렌 옥사이드, (폴리(1-메톡시-4-(0-디스퍼스레드1)-2,5-페닐렌-비닐렌), 폴리인돌, 폴리카르바졸, 폴리피리디아진, 폴리이소티아나프탈렌, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리비닐피리딘, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리피리딘, 폴리피롤, 폴리설퍼나이트라이드 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 알킬 알콜은 C7 내지 C10의 직쇄 알킬알콜인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법. - 제1항에 있어서, 상기 할로겐화탄소는 사염화탄소, 옥살릴 염화물(C2Cl2O2), Chloroacetyl chloride(C2H2Cl2O), Thionyl chloride(SOCl2), Tetrachloroethylene(C2Cl4), 1,1,2,2-Tetrachloroethane(C2H2Cl4), 2,3-Dichloropropionyl chloride(C3H3Cl3O), Dichloroacetyl chloride(C2HCl3O), 3-Chloropropionyl chloride(C3H4Cl2O) 및 2,3-Dichloropropionyl chloride(CH2ClCHClCOCl)로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 광전극 제조방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 가요성 광전극.
- 제11항의 가요성 광전극을 포함한 염료감응형 태양전지.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160115475A KR101917425B1 (ko) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함한 염료감응 태양전지 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020160115475A KR101917425B1 (ko) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함한 염료감응 태양전지 |
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| KR20180028154A true KR20180028154A (ko) | 2018-03-16 |
| KR101917425B1 KR101917425B1 (ko) | 2018-11-09 |
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|---|---|---|---|
| KR1020160115475A KR101917425B1 (ko) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 가요성 광전극 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함한 염료감응 태양전지 |
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| Country | Link |
|---|---|
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-
2016
- 2016-09-08 KR KR1020160115475A patent/KR101917425B1/ko active IP Right Grant
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| KR101917425B1 (ko) | 2018-11-09 |
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