KR20180020610A - Lighting apparatus - Google Patents

Lighting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20180020610A
KR20180020610A KR1020160105232A KR20160105232A KR20180020610A KR 20180020610 A KR20180020610 A KR 20180020610A KR 1020160105232 A KR1020160105232 A KR 1020160105232A KR 20160105232 A KR20160105232 A KR 20160105232A KR 20180020610 A KR20180020610 A KR 20180020610A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
path
voltage
diode group
Prior art date
Application number
KR1020160105232A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김용근
문경식
Original Assignee
주식회사 실리콘웍스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실리콘웍스 filed Critical 주식회사 실리콘웍스
Priority to KR1020160105232A priority Critical patent/KR20180020610A/en
Publication of KR20180020610A publication Critical patent/KR20180020610A/en

Links

Images

Classifications

    • H05B33/0809—
    • H05B33/083—
    • H05B33/0845—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
    • Y02B20/342—

Abstract

The present invention relates to a lighting device using a light emitting diode. The lighting device comprises first and second light emitting diode groups connected in series. Formation of a bypass route with respect to the second light emitting diode group is controlled to make the brightnesses of the first and second light emitting diode groups uniform.

Description

조명 장치{LIGHTING APPARATUS}LIGHTING APPARATUS

본 발명은 조명 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 교류 다이렉트 방식(AC Direct Type) 조명 구동에서 발광 다이오드 그룹 별 밝기 편차를 개선한 조명 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lighting apparatus, and more particularly, to a lighting apparatus improved in brightness deviation for each light emitting diode group in AC Direct Type lighting driving.

조명 장치는 에너지 절감을 위하여 적은 양의 에너지로 높은 발광 효율을 갖는 광원을 이용하도록 개발되고 있다. 조명 장치에 이용되는 대표적인 광원은 발광 다이오드(LED)가 예시될 수 있다.An illumination device is being developed to utilize a light source having a high luminous efficiency with a small amount of energy for energy saving. A representative light source used in the lighting apparatus may be a light emitting diode (LED).

발광 다이오드는 에너지 소비량, 수명 및 광질 등과 같은 다양한 요소에서 다른 광원들과 차별화되는 이점을 갖는다. 발광 다이오드는 전류에 의하여 구동되는 특성을 갖는다. 그러므로, 발광 다이오드를 광원으로 하는 조명 장치는 전류 구동을 위한 추가적인 회로를 많이 필요로 하는 문제점이 있다. Light emitting diodes have the advantage of being differentiated from other light sources in various factors such as energy consumption, lifetime and light quality. The light emitting diode has characteristics driven by a current. Therefore, an illumination device using a light emitting diode as a light source has a problem that a lot of additional circuits for current driving are required.

상기한 문제점을 해결하고자, 조명 장치는 교류 다이렉트 방식(AC DIRECT TYPE)으로 교류 전원을 발광 다이오드에 제공하도록 개발된 바 있다. 교류 다이렉트 방식에 의한 조명 장치(이하, “조명 장치”라 함)는 교류 전압을 정류 전압으로 변환하고 정류 전압을 이용한 전류 구동에 의하여 발광 다이오드가 발광하도록 구성된다. 상기한 조명 장치는 인덕터 및 캐패시터를 사용하지 않고 정류 전압을 사용하기 때문에 역률(POWER FACTOR)이 양호한 특성이 있다.In order to solve the above problems, the lighting device has been developed to provide an AC power source to the light emitting diodes in an AC direct type. An illumination device (hereinafter referred to as " illumination device ") by an AC direct method converts an AC voltage into a rectified voltage and is configured to emit light by current driving using a rectified voltage. The lighting device uses a rectified voltage without using an inductor and a capacitor, and thus has a good power factor.

상기한 조명 장치의 발광 다이오드들은 복수 개의 발광 다이오드 그룹으로 구분된다. 정류 전압의 한 주기 내에서, 복수 개의 발광 다이오드 그룹은 정류 전압의 변화에 대응하여 순차적으로 발광한다.The light emitting diodes of the lighting apparatus are divided into a plurality of light emitting diode groups. Within one period of the rectified voltage, the plurality of light emitting diode groups sequentially emit light corresponding to the change of the rectified voltage.

상기한 순차 발광에 의해서, 발광 다이오드 그룹들 간에 밝기 편차가 발생한다. 보다 구체적으로 설명하면, 가장 먼저 발광한 발광 다이오드 그룹이 가장 오래 발광하므로 가장 밝고, 가장 늦게 발광한 발광 다이오드 그룹이 가장 짧게 발광하므로 가장 어둡다. 이와 같이 발광 순서에 따른 발광 시간의 차이에 의해 발광 다이오드 그룹들 간에는 밝기 편차가 발생한다.By the sequential light emission described above, a brightness deviation occurs between the light emitting diode groups. More specifically, the light emitting diode group that emits light first is the brightest since it emits light for the longest time, and the light emitting diode group that emits the latest light emits the shortest light, which is darkest. As described above, a brightness deviation occurs between the light emitting diode groups due to the difference in light emission time according to the light emitting sequence.

조명 장치는 상기한 발광 다이오드 그룹들 간 밝기 편차에 의하여 양호한 상태로 조명을 제공하는데 어려움이 있다. The illumination device has difficulty in providing illumination in a good state due to the brightness deviation between the light emitting diode groups.

또한, 조명 장치의 발광 다이오드 그룹들은 상기와 같은 밝기 편차에 따라 균일한 수명을 갖는데 어려움이 있다.Further, it is difficult for the light emitting diode groups of the lighting apparatus to have a uniform lifetime in accordance with the brightness variation as described above.

본 발명은 교류 다이렉트 방식(AC Direct Type) 조명 구동에서 발광 다이오드 그룹 별 밝기 편차를 개선함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to improve brightness deviations of light emitting diode groups in AC direct type lighting driving.

본 발명은 교류 다이렉트 방식으로 구동되는 조명 장치의 발광 다이오드 그룹 별 밝기를 균일화하며, 발광 다이오드 그룹들이 균일한 수명을 갖도록 함을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to uniformize the brightness of light emitting diode groups of an illumination device driven by an AC direct method and to have uniform lifetimes of light emitting diode groups.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 조명 장치는, 직렬로 연결된 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹; 정류 전압의 변화에 대응한 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하는 전류 경로를 제공하고, 상기 전류 경로 상의 구동 전류에 대한 레귤레이션을 수행하는 드라이버; 및 상기 제1 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제1 발광 전압과 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 모두 발광하는 제2 발광 전압의 사이의 레벨로 정의된 사이 전압에 상기 정류 전압이 도달하면 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 입력되는 상기 구동 전류를 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 바이패스하는 바이패스 경로를 형성하며, 상기 제2 발광 전압에 상기 정류 전압이 도달하면 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류의 상승에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하는 바이패스 회로;를 포함함을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a lighting apparatus comprising: first and second light emitting diode groups connected in series; A driver for providing a current path corresponding to a light emission of the first and second light emitting diode groups corresponding to a change in a rectified voltage and performing regulation on a drive current on the current path; And when the rectified voltage reaches a voltage between a first light emitting voltage of the first light emitting diode group and a second light emitting voltage of the first and second light emitting diode groups, 1) th light emitting diode group, and when the rectified voltage reaches the second light emitting voltage, a rising path of the driving current outputted from the driver And a bypass circuit for blocking the bypass path by the bypass circuit.

또한, 본 발명의 조명 장치는, 제1 구간, 제2 구간 및 제3 구간을 거쳐서 변화하는 정류 전압 중, 상기 제1 구간 및 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹; 제1 발광 다이오드 그룹에 직렬로 연결되고, 상기 제2 구간 및 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 발광하는 제2 발광 다이오드 그룹; 상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하는 전류 경로를 제공하며, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류에 대한 레귤레이션을 수행하는 드라이버; 상기 제2 구간의 상기 정류 전압에 대응하여, 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 입력되는 상기 구동 전류를 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 바이패스하는 바이패스 경로를 제공하는 바이패스부; 및 상기 바이패스 경로의 상기 구동 전류에 대한 레귤레이션을 제어하며, 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하는 경로 제어부;를 포함함을 특징으로 한다.The lighting apparatus according to the present invention further includes a first light emitting diode which emits light corresponding to the rectified voltage of the first section and the third section among the rectified voltage varying through the first section, group; A second light emitting diode group connected in series to the first light emitting diode group and emitting light corresponding to the rectified voltage in the second section and the third section; A driver that provides a current path corresponding to light emission of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group and performs regulation of the driving current of the current path; A bypass unit for providing a bypass path for bypassing the drive current input to the first light emitting diode group to the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second section; And a path control unit for controlling the regulation of the bypass path with respect to the driving current and blocking the bypass path by the driving current outputted from the driver corresponding to the rectified voltage of the third period .

본 발명에 의하면, 교류 다이렉트 방식(AC Direct Type) 조명 구동에서 정류 전압의 한 주기 내에서 발광 다이오드 그룹 별 밝기 편차가 균일해질 수 있다.According to the present invention, in AC direct type illumination driving, brightness deviations of LED groups can be uniform within a period of a rectified voltage.

또한, 본 발명에 의하면 발광 다이오드 그룹 별 밝기가 균일화될 수 있고, 발광 다이오드 그룹들이 균일한 수명을 가질 수 있다.Also, according to the present invention, the brightness of each light emitting diode group can be made uniform, and the light emitting diode groups can have a uniform lifetime.

도 1은 본 발명의 조명 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 회로도.
도 2는 도 1의 드라이버의 상세 회로도.
도 3은 도 1의 동작을 설명하는 파형도.
도 4 내지 도 6은 발광 상태 변화에 대응한 전류 경로의 변화를 설명하는 회로도.1 is a circuit diagram showing a preferred embodiment of a lighting apparatus of the present invention;
2 is a detailed circuit diagram of the driver of Fig.
3 is a waveform diagram for explaining the operation of Fig.
FIGS. 4 to 6 are circuit diagrams illustrating a change in current path corresponding to a change in light emission state. FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of description and should not be interpreted as limiting the scope of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.The embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention and thus various equivalents and modifications Can be.

본 발명의 조명 장치는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 발광 특성을 갖는 광원을 이용할 수 있으며, 반도체 발광 특성을 갖는 광원은 발광 다이오드를 포함할 수 있다. The illumination device of the present invention may use a light source having semiconductor light emission characteristics for converting electrical energy into light energy, and the light source having semiconductor light emission characteristics may include a light emitting diode.

본 발명의 조명 장치는 교류 다이렉트 방식으로 구동되는 것으로 개시된다. 교류 다이렉트 방식은 교류 전원을 변환한 정류 전압 Vrec을 이용하여 발광 다이오드를 발광하는 것을 의미한다. The illumination device of the present invention is disclosed as being driven in an AC direct manner. The AC direct method means that the light emitting diode emits light using the rectified voltage Vrec obtained by converting the AC power.

여기에서 정류 전압 Vrec은 정현파 파형을 갖는 교류 전압을 전파 정류한 파형을 갖는다. 즉, 정류 전압 Vrec은 상용 교류 전압의 반 주기 단위로 레벨이 승하강하는 리플 성분을 갖는 특성이 있다. 정류 전압 Vrec에 대응하여 조명 장치의 내부에 흐르는 전류는 구동 전류 Irec라 한다.Here, the rectified voltage Vrec has a waveform of full-wave rectification of an AC voltage having a sinusoidal waveform. That is, the rectified voltage Vrec has a ripple component whose level rises and falls by a half cycle of the commercial AC voltage. The current flowing in the interior of the lighting apparatus corresponding to the rectified voltage Vrec is referred to as a driving current Irec.

도 1과 같이, 본 발명의 조명 장치의 실시예는 전원부(100), 조명부(200), 드라이버(300), 바이패스부(400) 및 경로 제어부(500)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 1의 실시예에서 바이패스부(400)와 경로 제어부(500)는 바이패스 회로를 형성하는 것으로 정의할 수 있다.1, an embodiment of the lighting apparatus of the present invention may include a power source unit 100, an illumination unit 200, a driver 300, a bypass unit 400, and a path control unit 500. In the embodiment of FIG. 1, the bypass unit 400 and the path control unit 500 may be defined as forming a bypass circuit.

전원부(100)는 교류 전원의 교류 전압을 전파 정류하여서 정류 전압 Vrec로 출력하는 구성을 갖는다. 전원부(100)는 교류 전압을 제공하는 교류 전원(Vs) 및 교류 전압을 전파 정류하여 정류 전압 Vrec을 출력하는 정류 회로(12)를 포함할 수 있다. The power supply unit 100 has a configuration for full-wave rectification of the AC voltage of the AC power supply and outputting it with the rectified voltage Vrec. The power supply unit 100 may include an AC power supply Vs for providing an AC voltage and a rectifying circuit 12 for full-wave rectifying the AC voltage to output a rectified voltage Vrec.

여기에서, 교류 전원(Vs)은 상용 전원일 수 있다.Here, the AC power supply Vs may be a commercial power supply.

본 발명의 실시예에서 정류 전압 Vrec의 상승 또는 하강은 정류 전압 Vrec의 리플 성분의 상승 또는 하강을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. In the embodiment of the present invention, the rise or fall of the rectified voltage Vrec can be understood to mean the rise or fall of the ripple component of the rectified voltage Vrec.

조명부(200)는 발광 다이오드들을 포함하며, 발광 다이오드들은 하나 이상의 발광 다이오드 그룹으로 구분된다. 조명부(200)의 발광 다이오드 그룹들은 전원부(100)에서 제공되는 정류 전압 Vrec의 증감에 의하여 순차적으로 발광 및 소광된다.The illumination unit 200 includes light emitting diodes, and the light emitting diodes are divided into one or more light emitting diode groups. The light emitting diode groups of the lighting unit 200 are sequentially emitted and extinguished by increasing or decreasing the rectified voltage Vrec provided from the power supply unit 100. [

도 1의 조명부(200)는 직렬로 연결된 두 개의 발광 다이오드 그룹(LED1, LED2)을 포함한 것을 예시한다. 각 발광 다이오드 그룹(LED1, LED2)은 하나 이상의 발광 다이오드를 포함할 수 있으며, 설명의 편의를 위하여 하나의 다이오드 부호로 도면에 표기한다.The illumination unit 200 of FIG. 1 exemplifies the inclusion of two light emitting diode groups (LED1, LED2) connected in series. Each of the light emitting diode groups (LED1, LED2) may include one or more light emitting diodes, and one diode code is used for convenience of description.

드라이버(300)는 정류 전압 Vrec의 변화에 대응하여 발광하는 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광에 대응하여 발광 다이오드 그룹(LED1) 또는 발광 다이오드 그룹(LED2)에 전류 경로를 제공하고, 전류 경로 상의 구동 전류에 대한 레귤레이션을 수행한다. The driver 300 provides a current path to the light emitting diode group LED1 or the light emitting diode group LED2 corresponding to the light emission of the light emitting diode groups LED1 and LED2 that emit light corresponding to the change of the rectified voltage Vrec, And performs regulation on the drive current on the path.

드라이버(300)는 채널 단자들(CH1~CH4), 그라운드에 연결을 위한 그라운드 단자(GND) 및 센싱 저항(Rs)이 연결된 센싱 단자(Riset)를 갖는다. 드라이버(300)는 채널 단자들(CH1~CH4)과 센싱 단자(Ri) 간의 전류 경로의 변화를 제어한다. The driver 300 has channel terminals CH1 to CH4, a ground terminal GND for connection to a ground, and a sensing terminal Riset to which a sensing resistor Rs is connected. The driver 300 controls the change of the current path between the channel terminals CH1 to CH4 and the sensing terminal Ri.

드라이버(300)는 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)에 각각 대응하는 기준 전압들을 비교함으로써 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)에 대한 전류 경로를 제공하도록 구성된다.The driver 300 is configured to provide a current path to the light emitting diode groups LED1 and LED2 by comparing the sensing voltage of the sensing resistor Rs with the reference voltages corresponding to the light emitting diode groups LED1 and LED2 .

본 발명의 실시예는 두 개의 발광 다이오드 그룹(LED1, LED2)을 포함하는 것으로 실시된다. 도 1을 참조하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)은 채널 단자(CH2)에 연결되고, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 채널 단자들(CH3, CH4)에 공통 연결된다. 도 1은 본 발명의 하나의 실시예를 예시하고 있을 뿐이며, 본 발명은 두 개의 발광 다이오드 그룹(LED1, LED2)이 채널 단자들(CH3, CH4)에 각각 연결되도록 실시될 수 있다. 이 경우, 채널 단자(CH2)는 개방 상태를 유지할 수 있다.An embodiment of the present invention is implemented by including two light emitting diode groups (LED1, LED2). 1, a light emitting diode group LED1 is connected to a channel terminal CH2, and a light emitting diode group LED2 is commonly connected to channel terminals CH3 and CH4. FIG. 1 illustrates only one embodiment of the present invention, and the present invention can be implemented such that two light emitting diode groups LED1 and LED2 are connected to channel terminals CH3 and CH4, respectively. In this case, the channel terminal CH2 can maintain the open state.

드라이버(300)의 채널 단자(CH1)는 저항(R1)을 통하여 정류 회로(12)의 출력단과 발광 다이오드 그룹(LED1)의 입력단 사이의 노드에 연결된다. 상기한 저항(R1)의 구성은 발광 다이오드 그룹(LED1)의 발광 전압 Vf1보다 낮은 레벨의 정류 전압 Vrec에 대응한 구동 전류를 드라이버(300)의 레귤레이션 기능에 의하여 안정화하기 위한 것으로 이해될 수 있다.The channel terminal CH1 of the driver 300 is connected to the node between the output terminal of the rectifying circuit 12 and the input terminal of the light emitting diode group LED1 through the resistor R1. The configuration of the resistor R1 may be understood to stabilize the drive current corresponding to the rectified voltage Vrec of the level lower than the emission voltage Vf1 of the light emitting diode group LED1 by the regulation function of the driver 300. [

드라이버(300)의 센싱 저항단(Riset)에 연결된 센싱 저항(Rs)은 드라이버(300) 내부의 전류 경로와 연결된다. 센싱 저항(Rs)은 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하고, 구동 전류 Irec의 레벨에 대응하여 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광 상태에 대응하는 센싱 전압을 제공한다.The sensing resistor Rs connected to the sensing resistor Riset of the driver 300 is connected to the current path inside the driver 300. [ The sensing resistor Rs senses the driving current Irec output from the driver 300 and provides a sensing voltage corresponding to the light emitting state of the light emitting diode groups LED1 and LED2 corresponding to the level of the driving current Irec.

센싱 저항(Rs)을 흐르는 구동 전류 Irec는 조명부(200)의 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)의 발광 상태에 따라 변화될 수 있다. The driving current Irec flowing through the sensing resistor Rs can be changed according to the light emission state of the light emitting diode groups LED1 and LED2 of the illumination unit 200. [

본 발명의 실시예의 설명을 위하여, 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광시키는 레벨의 정류 전압 Vrec은 발광 전압 Vf1(제1 발광 전압)이라 정의하고, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)을 모두 발광 시키는 레벨의 정류 전압 Vrec은 발광 전압 Vf2(제2 발광 전압)이라 정의한다. 발광 전압 Vf2이 발광 전압 Vf1보다 높은 레벨을 갖는다. 그리고, 발광 전압 Vf1과 발광 전압 Vf2 사이의 미리 설정된 레벨로 사이 전압 Vby이 정의될 수 있다. 사이 전압 Vby의 레벨은 후술되는 바이패스 경로를 형성하는 시점을 결정하며, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하는 경우와 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 경우의 밝기 편차가 최소화될 수 있도록 설정될 수 있다.For the purpose of describing the embodiment of the present invention, a rectified voltage Vrec at a level for causing the light emitting diode group LED1 to emit light is defined as a light emitting voltage Vf1 (first light emitting voltage), and all the light emitting diode groups LED1 and LED2 are made to emit light Level rectified voltage Vrec is defined as a light emission voltage Vf2 (second light emission voltage). The emission voltage Vf2 has a level higher than the emission voltage Vf1. Then, the inter-level voltage Vby can be defined at a predetermined level between the light emission voltage Vf1 and the light emission voltage Vf2. The level of the inter-level voltage Vby determines the time point of forming the bypass path to be described later and is set so that the brightness deviation in the case where the light emitting diode group LED1 emits light and the case where the light emitting diode group LED2 emits light is minimized .

정류 전압 Vrec이 상승하여 사이 전압 Vby에 도달하면, 바이패스부(400)와 경로 제어부(500)를 포함하는 바이패스 회로는 발광 다이오드 그룹(LED1)에 입력되는 구동 전류 Irec를 발광 다이오드 그룹(LED2)으로 바이패스하는 바이패스 경로를 형성한다. 상기한 바이패스 경로는 발광 전압 Vf2에 도달한 정류 전압 Vrec에 대응하여 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec의 상승에 의하여 차단된다.When the rectified voltage Vrec rises to reach the interim voltage Vby, the bypass circuit including the bypass unit 400 and the path control unit 500 supplies the driving current Irec input to the light emitting diode group LED1 to the light emitting diode group LED2 In the bypass path. The bypass path is cut off by the rise of the drive current Irec output from the driver 300 corresponding to the rectified voltage Vrec which has reached the emission voltage Vf2.

정류 전압 Vrec은 후술하는 도 3과 같이 제1 구간, 제2 구간 및 제3 구간을 거치는 것으로 레벨의 변화를 구분할 수 있다. 여기에서, 제1 구간은 정류 전압 Vrec의 레벨이 발광 전압 Vf1과 사이 전압 Vby 사이인 경우를 의미하고, 제2 구간은 정류 전압 Vrec의 레벨이 사이 전압 Vby와 발광 전압 Vf2 사이인 경우를 의미하며, 제3 구간은 정류 전압 Vrec의 레벨이 발광 전압 Vf2 이상인 경우를 의미한다.The rectified voltage Vrec can be divided into a first period, a second period, and a third period as shown in FIG. 3 to be described later. Here, the first section means the case where the level of the rectified voltage Vrec is between the light emission voltage Vf1 and the interimage voltage Vby, and the second section means the case where the level of the rectified voltage Vrec is between the interimage voltage Vby and the light emission voltage Vf2 , And the third section means a case where the level of the rectified voltage Vrec is equal to or higher than the emission voltage Vf2.

바이패스 회로는 구동 전류 Irec의 레벨과 흐르는 시간이 조절됨으로써 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하는 제1 구간과 바이패스 경로의 형성에 의하여 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 제2 구간의 밝기가 균일하도록 제어될 수 있다. The bypass circuit controls the level of the driving current Irec and the time of the flowing of the driving current Irec so that the brightness of the second section in which the light emitting diode group LED2 emits light by the formation of the first section and the bypass path of the light emitting diode group LED1 Can be controlled to be uniform.

정류 전압 Vrec의 레벨이 제1 구간에 해당하는 경우, 구동 전류 Irec의 레벨과 흐르는 시간은 드라이버(300)에 의해 조절된다. 그리고, 정류 전압 Vrec의 레벨이 제2 구간에 해당하는 경우, 바이패스 경로의 구동 전류 Irec의 레벨과 흐르는 시간은 바이패스 회로에 포함되는 바이패스부(400)와 경로 제어부(500)에 의해 조절된다.When the level of the rectified voltage Vrec corresponds to the first section, the level and the time of the driving current Irec are adjusted by the driver 300. When the level of the rectified voltage Vrec corresponds to the second section, the level and the time of the driving current Irec of the bypass path are controlled by the bypass section 400 and the path control section 500 included in the bypass circuit do.

바이패스부(400)는 사이 전압 Vby에 정류 전압 Vrec이 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)에 입력되는 구동 전류 Irec를 발광 다이오드 그룹(LED2)으로 바이패스하는 바이패스 경로를 제공하도록 구성된다.The bypass unit 400 is configured to provide a bypass path for bypassing the driving current Irec input to the light emitting diode group LED1 to the light emitting diode group LED2 when the rectified voltage Vrec reaches the interim voltage Vby.

바이패스부(400)는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압의 변화에 따라 사이 전압 Vby에 정류 전압 Vrec이 도달하였는지 센싱하여서 바이패스 경로를 제공할 수 있다.The bypass unit 400 can sense whether the rectified voltage Vrec reaches the interimage voltage Vby according to the change of the voltage across the light emitting diode group LED1 and provide a bypass path.

이를 위하여, 바이패스부(400)는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 사이에 바이패스 경로를 제공하는 스위칭 소자를 포함하며, 스위칭 소자는 드레인과 소스를 통하여 바이패스 경로를 제공하는 NMOS 트랜지스터(Q1)를 포함할 수 있다.To this end, the bypass unit 400 includes a switching element for providing a bypass path between both ends of the light emitting diode group LED1. The switching element includes an NMOS transistor Q1 ).

NMOS 트랜지스터(Q1)는 게이트-소스 간 전압에 의해 사이 전압 Vby 이상으로 정류 전압 Vrec이 상승하는 것을 센싱한다. The NMOS transistor Q1 senses that the rectified voltage Vrec rises above the inter-electrode voltage Vby by the gate-source voltage.

이를 위하여, NMOS 트랜지스터(Q1)는 드레인이 발광 다이오드 그룹(LED1)의 입력단에 연결되고, 소스가 발광 다이오드 그룹(LED1)의 출력단에 연결되며, 드레인과 게이트 사이에 저항(R2)이 구성되도록 구성된다. To this end, the NMOS transistor Q1 is configured such that the drain thereof is connected to the input terminal of the light emitting diode group LED1, the source thereof is connected to the output terminal of the light emitting diode group LED1, and the resistor R2 is formed between the drain and the gate thereof. do.

드라이버(300)의 채널 단자(CH2)와 NMOS 트랜지스터(Q1)의 소스 사이에는 다이오드(D1)가 구성된다. 다이오드(D1)는 NMOS 트랜지스터(Q1)에 의하여 형성된 바이패스 경로의 구동 전류 Irec가 드라이버(300)의 채널 단자(CH2)로 흐르는 것을 방지하기 위한 것이다.A diode D1 is formed between the channel terminal CH2 of the driver 300 and the source of the NMOS transistor Q1. The diode D1 is for preventing the drive current Irec of the bypass path formed by the NMOS transistor Q1 from flowing to the channel terminal CH2 of the driver 300. [

NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트와 발광 다이오드 그룹(LED1)의 출력단 사이에는 다이오드(D2)가 구성된다. 다이오드(D2)는 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트에서 발광 다이오드 그룹(LED2)으로 전류가 흐르는 것을 방지하기 위한 것이다. 그리고, NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트와 경로 제어부(500) 간에는 게이트 전위를 제어하기 위한 저항(R3)이 구성된다.A diode D2 is formed between the gate of the NMOS transistor Q1 and the output terminal of the light emitting diode group LED1. The diode D2 is provided to prevent current from flowing from the gate of the NMOS transistor Q1 to the light emitting diode group LED2. A resistor R3 for controlling the gate potential is formed between the gate of the NMOS transistor Q1 and the path control unit 500. [

상기한 구성에 의하여, NMOS 트랜지스터(Q1)의 드레인과 소스 간에는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압이 인가된다. 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압은 NMOS 트랜지스터(Q1)의 드레인과 게이트 사이에 연결된 저항(R2)에 인가되는 전압 Vr2과 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs의 합으로 표현될 수 있다. With the above configuration, the voltage across the light emitting diode group LED1 is applied between the drain and the source of the NMOS transistor Q1. The both-end voltage of the light emitting diode group LED1 can be expressed by the sum of the voltage Vr2 applied to the resistor R2 connected between the drain and the gate of the NMOS transistor Q1 and the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 .

정류 전압 Vrec가 상승하면 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압이 상승하고, 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압의 변화는 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs로 센싱될 수 있다. NMOS 트랜지스터(Q1)는 게이트-소스 전압 Q1Vgs이 미리 설정된 레벨 이상 상승하면 턴온된다. NMOS 트랜지스터(Q1)의 턴온 시점은 NMOS 트랜지스터(Q1)의 드레인과 게이트 사이에 연결된 저항(R2)의 저항값에 의하여 설정될 수 있다. When the rectified voltage Vrec rises, the both-end voltage of the light-emitting diode group LED1 rises, and the change in the voltage across the light-emitting diode group LED1 can be sensed by the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1. The NMOS transistor Q1 is turned on when the gate-source voltage Q1Vgs rises above a predetermined level. The turning-on point of the NMOS transistor Q1 may be set by the resistance value of the resistor R2 connected between the drain and the gate of the NMOS transistor Q1.

즉, 바이패스부(400)가 바이패스 경로를 형성하는 시점은 NMOS 트랜지스터(Q1)의 턴온 시점에 의해 결정되며 결과적으로 저항(R2)의 저항값에 의해 결정될 수 있다.That is, the time point at which the bypass unit 400 forms the bypass path is determined by the turning-on time of the NMOS transistor Q1, and can be determined by the resistance value of the resistor R2 as a result.

그리고, 턴온된 NMOS 트랜지스터(Q1)는 경로 제어부(500)의 전류 제어에 의하여 게이트-소스 전압 Q1Vgs이 낮아지면 턴오프된다. NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs은 경로 제어부(500)의 전류 제어에 의하여 저항(R3)를 통한 전류의 방전에 증가하여서 게이트 전위가 미리 설정된 레벨 이하로 강하되면 낮아질 수 있다.The turned-on NMOS transistor Q1 is turned off when the gate-source voltage Q1Vgs is lowered by the current control of the path controller 500. [ The gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 may be lowered by increasing the discharge of the current through the resistor R3 by the current control of the path controller 500 so that the gate potential drops below a predetermined level.

NMOS 트랜지스터(Q1)의 턴온은 바이패스 경로의 형성을 의미하고, NMOS 트랜지스터(Q1)의 턴오프는 바이패스 경로의 차단을 의미한다. Turning on of the NMOS transistor Q1 means formation of a bypass path, and turning off of the NMOS transistor Q1 means blocking of the bypass path.

즉, 바이패스부(400)가 바이패스 경로를 차단하는 시점은 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs이 턴오프 레벨 이하로 낮아지는 시점으로 결정될 수 있다. 그리고, NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs은 경로 제어부(500)의 전류 제어에 의한 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트 전위의 강하에 의하여 낮아진다. 상기한 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트 전위의 강하는 경로 제어부(500)의 후술하는 전류 소자인 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)에 의한 전류 제어에 따라 발생한다.That is, the time point at which the bypass unit 400 blocks the bypass path may be determined as a time point at which the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 falls below the turn-off level. The gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 is lowered by the gate potential of the NMOS transistor Q1 due to the current control of the path control unit 500. [ The lowering of the gate potential of the NMOS transistor Q1 occurs according to the current control by the NPN bipolar transistor Q2, which is a current element described later of the path control section 500. [

한편, 경로 제어부(500)는 상술한 바와 같이 바이패스부(400)에 형성되는 바이패스 경로의 구동 전류 Irec의 레귤레이션과 바이패스 경로의 차단을 제어한다.On the other hand, the path controller 500 controls the regulation of the drive current Irec of the bypass path formed in the bypass unit 400 and the blocking of the bypass path as described above.

경로 제어부(500)는 발광 다이오드 그룹(LED1)의 발광에 대응하는 구동 전류 Irec를 드라이버(300)에서 레귤레이션하는 것과 동일한 레벨과 시간으로 바이패스 경로의 구동 전류 Irec를 레귤레이션하도록 제어함이 바람직하다.The path controller 500 preferably controls the drive current Irec of the bypass path to be regulated at the same level and time as the driver 300 regulating the drive current Irec corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED1.

그리고, 경로 제어부(500)는 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2) 모두를 발광시키는 발광 전압 Vf2에 정류 전압 Vrec이 도달하면 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec의 상승에 의하여 바이패스 경로를 차단하도록 제어한다.When the rectified voltage Vrec reaches the light emission voltage Vf2 for emitting all of the light emitting diode groups LED1 and LED2, the path control unit 500 cuts off the bypass path by the rise of the drive current Irec output from the driver 300 .

상기한 바이패스 경로의 레귤레이션과 차단을 제어하기 위하여, 경로 제어부(500)는 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하여서 바이패스부(400)의 NMOS 트랜지스터(Q1)를 제어한다. 이를 위하여, 경로 제어부(500)는 바이패스 경로의 구동 전류 Irec를 레귤레이션하거나 차단하도록 제어하는 전류 소자를 포함하고, 전류 소자는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)를 포함할 수 있다.The path controller 500 controls the NMOS transistor Q1 of the bypass unit 400 by sensing the drive current Irec output from the driver 300 in order to control the regulation and blocking of the bypass path. To this end, the path controller 500 includes a current device for controlling the drive current Irec of the bypass path to be regulated or blocked, and the current device may include the NPN bipolar transistor Q2.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 에미터가 접지되고 콜렉터가 저항(R3)을 통하여 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트에 연결되며 베이스는 저항(Rb)을 통하여 드라이버(200)의 센싱 저항단(Riset)에 연결되도록 구성된다. The emitter of the NPN bipolar transistor Q2 is grounded and the collector of the NPN bipolar transistor Q2 is connected to the gate of the NMOS transistor Q1 through the resistor R3 and the base thereof is connected to the sensing resistor Riset of the driver 200 through the resistor Rb Respectively.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 베이스에는 저항(Rb)과 저항(Ra)이 병렬로 구성되며, 저항(Ra)의 일단은 접지된다. 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec는 저항들(Ra, Rb)에 의해 분배되며, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 에미터 간에는 저항(Rb)에 분배된 전류를 미리 설정된 증폭비만큼 증폭한 전류가 흐른다. A resistor Rb and a resistor Ra are formed in parallel at the base of the NPN bipolar transistor Q2 and one end of the resistor Ra is grounded. The drive current Irec output from the driver 300 is distributed by the resistors Ra and Rb and the current distributed to the resistor Rb between the collector and the emitter of the NPN bipolar transistor Q2 is amplified One current flows.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec의 양에 따라 저항(R3)에서 접지로 방전하는 전류의 양을 제어한다. The NPN bipolar transistor Q2 controls the amount of current to be discharged from the resistor R3 to ground according to the amount of the driving current Irec output from the driver 300. [

먼저, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 발광 다이오드 그룹(LED2)을 발광시키는 정류 전압 Vrec에 대응하여 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하는 경우 바이패스 경로의 구동 전류를 제1 레벨 이하로 제한하도록 바이패스부(400)의 레귤레이션을 제어한다.First, when sensing the drive current Irec output from the driver 300 corresponding to the rectified voltage Vrec for causing the light emitting diode group LED2 to emit light, the NPN bipolar transistor Q2 controls the drive current of the bypass path to a first level or lower And controls the regulation of the bypass unit 400 so as to limit the limitation.

그리고, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2) 모두를 발광시키는 정류 전압 Vrec에 대응하여 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하는 경우 바이패스 경로를 차단하도록 제어한다.The NPN bipolar transistor Q2 controls the bypass path to be cut off when the driving current Irec output from the driver 300 is sensed corresponding to the rectified voltage Vrec for causing the light emitting diode groups LED1 and LED2 to emit light .

상술한 구성에 의하여, 정류 전압 Vrec이 제1 구간(P1)에 해당하는 경우, 발광 전압 Vf1 이상의 정류 전압 Vrec에 의하여 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하고, 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 채널 단자(CH2)와 센싱 저항단(Riset) 간의 전류 경로를 통하여 흐르며 제1 레벨 이하로 레귤레이션된다. When the rectified voltage Vrec corresponds to the first section P1, the light emitting diode group LED1 emits light by the rectified voltage Vrec of the light emitting voltage Vf1 or higher, and the drive current Irec flows through the channel 300 of the driver 300 Flows through the current path between the terminal (CH2) and the sensing resistor Riset and is regulated below the first level.

정류 전압 Vrec이 제2 구간(P2)에 해당하는 경우, 사이 전압 Vby 이상의 정류 전압 Vref에 의하여 바이패스부(400)의 바이패스 경로가 형성되며 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 하고, 구동 전류 Irec는 바이패스부(400)의 바이패스 경로, 발광 다이오드 그룹(LED2) 및 드라이버(300)의 채널 단자들(CH3, CH4)과 센싱 저항단(Riset)을 경유하여 흐른다. 바이패스부(400)의 구동 전류 Irec를 제1 레벨 이하로 레귤레이션하는 것은 상술한 바와 같이 경로 제어부(500)에 의해 제어된다.When the rectified voltage Vrec corresponds to the second section P2, the bypass path of the bypass section 400 is formed and the light emitting diode group LED2 emits light by the rectified voltage Vref of the intermediate voltage Vby or higher, Irec flows through the bypass path of the bypass unit 400, the light emitting diode group LED2 and the channel terminals CH3 and CH4 of the driver 300 and the sensing resistor Riset. Regulation of the driving current Irec of the bypass unit 400 below the first level is controlled by the path control unit 500 as described above.

정류 전압 Vrec이 제3 구간(P3)에 해당하는 경우, 발광 전압 Vf2 이상의 정류 전압 Vrec에 의하여 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2)이 모두 발광한다. When the rectified voltage Vrec corresponds to the third section P3, both the light emitting diode group LED1 and the light emitting diode group LED2 emit light by the rectified voltage Vrec of the light emitting voltage Vf2 or higher.

이때, 드라이버(300)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이하로 구동 전류 Irec를 레귤레이션한다. 그러므로, NPN 바이폴라 트래지스터(Q2)는 제1 레벨 이상으로 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec를 센싱하여 저항(R3)에서 접지로 방전하는 전류의 양을 증가시킨다. 그 결과, NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트 전위가 강하되며, NMOS 트랜지스터(Q1)는 게이트-소스 전압이 낮아져서 턴오프된다. 결국, 바이패스부(400)의 바이패스 경로가 차단된다.At this time, the driver 300 regulates the driving current Irec to a second level or lower, which is higher than the first level, as shown in FIG. Therefore, the NPN bipolar transistor Q2 senses the drive current Irec output from the driver 300 at the first level or higher, and increases the amount of current discharged from the resistor R3 to the ground. As a result, the gate potential of the NMOS transistor Q1 is lowered, and the gate-source voltage of the NMOS transistor Q1 is lowered and turned off. As a result, the bypass path of the bypass unit 400 is shut off.

한편, 드라이버(300)의 상세한 구성과 레귤레이션 동작은 도 2를 참조하여 설명한다.On the other hand, the detailed configuration of the driver 300 and the regulation operation will be described with reference to FIG.

드라이버(300)는 스위칭 회로들(31~34)과 기준 전압들 VREF1~VREF4을 제공하기 위한 기준 전압 공급부(20)를 포함한다. 발광 다이오드 그룹(LED1)은 드라이버(300)의 채널 단자(CH2)를 통하여 스위칭 회로(32)에 연결된다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 채널 단자(CH3, CH4)에 공통으로 연결되며 스위칭 회로(33) 및 스위칭 회로(34)에 연결된다.The driver 300 includes switching circuits 31 to 34 and a reference voltage supply unit 20 for providing reference voltages VREF1 to VREF4. The light emitting diode group LED1 is connected to the switching circuit 32 through the channel terminal CH2 of the driver 300. The light emitting diode group LED2 is commonly connected to the channel terminals CH3 and CH4 and is connected to the switching circuit 33 and the switching circuit 34. [

기준 전압 공급부(20)는 제작자의 의도에 따라 다양하게 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~VREF4를 제공하는 것으로 구현될 수 있다.The reference voltage supply unit 20 may be implemented by providing reference voltages VREF1 to VREF4 at various levels according to the manufacturer's intention.

기준 전압 공급부(20)는 예시적으로 정전압(VDD)이 인가되는 직렬 연결된 복수의 저항을 포함하며 저항 간의 노드 별로 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4을 출력하는 것으로 구성될 수 있다. The reference voltage supply unit 20 may include a plurality of series-connected resistors to which a constant voltage VDD is applied, and may be configured to output reference voltages VREF1 to VREF4 of different levels for each node between the resistors.

기준 전압 공급부(20)는 상기한 구성과 달리 서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4를 각각 제공하는 독립적인 전압공급원들을 포함하는 것으로 구성될 수 있다. The reference voltage supply unit 20 may be configured to include independent voltage supplies that provide reference voltages VREF1 to VREF4 of different levels, respectively,

그리고, 기준 전압 공급부(20)는 센싱 저항(Rs)과 그라운드를 공유하며 이를 위하여 그라운드 단자(GND)에 연결된다.The reference voltage supply unit 20 shares the ground with the sensing resistor Rs and is connected to the ground terminal GND for this purpose.

서로 다른 레벨의 기준 전압들 VREF1~ VREF4은 기준 전압 VREF1이 가장 낮은 전압 레벨을 가지며 기준 전압 VREF4가 가장 높은 전압 레벨을 가지고, 기준 전압 VREF1, VREF2, VREF3, VREF4의 순으로 기준 전압은 점차 높은 레벨을 갖도록 설정될 수 있다.The reference voltages VREF1 to VREF4 at different levels have the lowest voltage level of the reference voltage VREF1 and the highest voltage level of the reference voltage VREF4, and the reference voltage gradually increases to the higher level in the order of the reference voltages VREF1, VREF2, VREF3, . ≪ / RTI >

여기에서, 기준 전압 VREF1은 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하는 시점의 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 낮아서 스위칭 회로(31)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다.Here, the reference voltage VREF1 is lower than the sensing voltage of the sensing resistor Rs at the time when the light emitting diode group LED1 emits light, and has a level for turning off the switching circuit 31. [

그리고, 기준 전압 VREF2는 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 시점의 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 낮아서 스위칭 회로(32)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. The reference voltage VREF2 is lower than the sensing voltage of the sensing resistor Rs at the time when the light emitting diode group LED2 emits light and has a level for turning off the switching circuit 32. [

그리고, 기준 전압 VREF3은 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2)이 모두 발광하는 시점의 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 낮아서 스위칭 회로(33)를 턴오프하기 위한 레벨을 갖는다. The reference voltage VREF3 is lower than the sensing voltage of the sensing resistor Rs at the time when both the light emitting diode group LED1 and the light emitting diode group LED2 emit light and has a level for turning off the switching circuit 33. [

그리고, 기준전압 VREF4는 정류 전압 Vrec의 상한 레벨 영역에서 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압보다 높도록 설정됨이 바람직하다.The reference voltage VREF4 is preferably set to be higher than the sensing voltage of the sensing resistor Rs in the upper limit level region of the rectified voltage Vrec.

한편, 스위칭 회로들(31~34)은 전류 레귤레이션 및 전류 경로 형성을 위하여 센싱 단자(Ri)를 통하여 센싱 저항(Rs)에 공통으로 연결된다.On the other hand, the switching circuits 31 to 34 are commonly connected to the sensing resistor Rs through the sensing terminal Ri for current regulation and current path formation.

스위칭 회로들(31~34)은 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압과 기준 전압 생성 회로(20)의 각각의 기준 전압들 VREF1~VREF4를 비교하여서 조명부(200)의 발광에 대응하는 전류 경로를 형성한다.The switching circuits 31 to 34 form a current path corresponding to the light emission of the illumination unit 200 by comparing the sensing voltage of the sensing resistor Rs with the reference voltages VREF1 to VREF4 of the reference voltage generation circuit 20, do.

스위칭 회로들(31~34)은 정류 전압이 인가되는 위치에서 먼 발광 다이오드 그룹에 연결된 것일수록 높은 레벨의 기준 전압을 제공받는다. The switching circuits 31 to 34 are provided with a higher level reference voltage as they are connected to the light emitting diode group distant from the position where the rectified voltage is applied.

각 스위칭 회로(31~34)는 비교기(50)와 스위칭 소자를 포함하며, 스위칭 소자는 NMOS 트랜지스터(52)로 구성됨이 바람직하다.It is preferable that each of the switching circuits 31 to 34 includes a comparator 50 and a switching element, and the switching element is composed of an NMOS transistor 52.

각 스위칭 회로(31~34)의 비교기(50)는 포지티브 입력단(+)에 기준 전압이 인가되고, 네가티브 입력단(-)에 센싱 전압이 인가되며, 출력단으로 기준 전압과 센싱 전압을 비교한 결과를 출력한다.The comparator 50 of each of the switching circuits 31 to 34 outputs a result of comparing the reference voltage with the sensing voltage at the output terminal when a reference voltage is applied to the positive input terminal (+) and a sensing voltage is applied to the negative input terminal Output.

그리고, 각 스위칭 회로(31~34)의 NMOS 트랜지스터(52)는 게이트로 인가되는 각 비교기(50)의 출력에 따라 구동 전류 Irec의 흐름을 제어하기 위한 스위칭 동작을 수행한다.The NMOS transistor 52 of each of the switching circuits 31 to 34 performs a switching operation for controlling the flow of the driving current Irec in accordance with the output of each comparator 50 applied to the gate.

도 1 및 도 2와 같이 구성되는 본 발명의 실시예의 설명은 도 3을 참조하여 설명될 수 있다. The description of the embodiment of the present invention constituted as shown in Figs. 1 and 2 can be explained with reference to Fig.

도 3에서, I1은 발광 다이오드 그룹(LED1)에 흐르는 전류이며, I2는 발광 다이오드 그룹(LED2)에 흐르는 전류이고, VRs는 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압이며, Q2Vce는 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터 전압이며, Q1Vgs는 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압이다.3, I1 is the current flowing in the light emitting diode group LED1, I2 is the current flowing in the light emitting diode group LED2, VRs is the sensing voltage of the sensing resistor Rs, Q2Vce is the sensing voltage of the NPN bipolar transistor Q2, Emitter voltage of the NMOS transistor Q1, and Q1Vgs is the gate-source voltage of the NMOS transistor Q1.

본 발명의 실시예에서 정류 전압 Vrec은 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광시키는 발광 전압 Vf1, 바이패스 경로를 형성하는 사이 전압 Vby 및 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)을 모두 발광 시키는 발광 전압 Vf2으로 순차적으로 상승하며, 제1 구간(P1), 제2 구간(P2) 및 제3 구간(PT)을 거치도록 레벨이 변화된다.In the embodiment of the present invention, the rectified voltage Vrec is set to a light emission voltage Vf1 for causing the light emitting diode group LED1 to emit light, a light emission voltage Vf2 for emitting all of the light emitting diode groups LED1 and LED2, And the level is changed so as to pass through the first section P1, the second section P2 and the third section PT.

보다 구체적으로, 정류 전압 Vrec가 초기 상태인 경우, 각 스위칭 회로(31~34)는 포지티브 입력단(+)에 인가되는 기준 전압들 VREF1~VREF4이 네가티브 입력단(-)에 인가되는 센싱 전압보다 높으므로 모두 턴온된 상태를 유지한다. 이를 노멀 턴온 상태로 정의할 수 있으며, 이때 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)은 소광 상태이다.More specifically, when the rectified voltage Vrec is in the initial state, the reference voltages VREF1 to VREF4 applied to the positive input terminal (+) of each of the switching circuits 31 to 34 are higher than the sensing voltage applied to the negative input terminal All remain turned on. It can be defined as a normal turn-on state, in which the light emitting diode groups LED1 and LED2 are in a light-off state.

정류 전압 Vrec이 초기 상태에서 발광 전압 Vf1에 도달할 때까지, 노멀 턴온 상태의 드라이버(300)의 스위칭 회로(31)가 저항(R1)을 통하여 유입되는 구동 전류 Irec를 위한 전류 경로를 제공한다. 이때, 구동 전류 Irec가 스위칭 회로(31)의 레귤레이션에 의해 안정화된다.The switching circuit 31 of the driver 300 in the normally turned-on state provides a current path for the driving current Irec flowing through the resistor R1 until the rectified voltage Vrec reaches the light emitting voltage Vf1 in the initial state. At this time, the driving current Irec is stabilized by the regulation of the switching circuit 31.

그 후, 정류 전압 Vrec가 발광 전압 Vf1에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광한다. 정류 전압 Vrec이 발광 전압 Vf1에 도달하는 시점이 제1 구간(P1)에 진입하는 시점이다. Thereafter, when the rectified voltage Vrec reaches the light emission voltage Vf1, the light emitting diode group LED1 emits light. The time when the rectified voltage Vrec reaches the light emission voltage Vf1 is the time when the first section P1 is entered.

발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)에 연결된 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)는 전류 경로를 제공한다. When the light emitting diode group (LED1) emits light, the switching circuit (32) of the driver (300) connected to the light emitting diode group (LED1) provides a current path.

즉, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하면, 스위칭 회로(32)에 의한 구동 전류 Irec의 흐름이 개시되며, 이때 구동 전류 Irec에 의한 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압 VRs의 레벨은 기준 전압 VREF1보다 높다. 그러므로, 스위칭 회로(31)의 NMOS 트랜지스터(52)는 비교기(50)의 출력에 의하여 턴오프된다. 즉, 스위칭 회로(31)는 턴오프되고, 스위칭 회로(32)가 발광 다이오드 그룹(LED1)의 발광에 대응한 전류 경로를 제공한다. That is, when the light emitting diode group LED1 emits light, the flow of the driving current Irec by the switching circuit 32 starts. At this time, the level of the sensing voltage VRs of the sensing resistor Rs by the driving current Irec becomes higher than the reference voltage VREF1 high. Therefore, the NMOS transistor 52 of the switching circuit 31 is turned off by the output of the comparator 50. That is, the switching circuit 31 is turned off, and the switching circuit 32 provides a current path corresponding to the light emission of the light emitting diode group LED1.

제1 구간(P1)에서, 구동 전류 Irec는 도 4의 화살표와 같이 발광 다이오드 그룹(LED1), 드라이버(300)의 채널 단자(CH2) 및 센싱 저항단(Riset) 그리고 센싱 저항(Rs)을 경유하도록 흐른다.In the first section P1, the drive current Irec is applied to the light emitting diode group LED1, the channel terminal CH2 of the driver 300, the sensing resistor Riset, and the sensing resistor Rs, .

제1 구간(P1)에서, 구동 전류 Irec는 도 3의 전류 I1과 같으며, 드라이버(300)에서 구동 전류 Irec가 출력됨에 따라 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압 VRs가 상승한다.In the first section P1, the driving current Irec is the same as the current I1 in Fig. 3, and the sensing voltage VRs of the sensing resistor Rs rises as the driver 300 outputs the driving current Irec.

제1 구간(P1)에서 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)에 의하여 제1 레벨 이하로 제한된다. 그러므로, 구동 전류 Irec는 제1 구간(P1)에서 제1 레벨을 유지한다. 그러므로, 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압 VRs도 구동 전류 Irec에 대응하여 제1 구간(P1)에서 일정한 레벨을 유지한다.The driving current Irec in the first section P1 is limited to the first level or lower by the switching circuit 32 of the driver 300. [ Therefore, the driving current Irec maintains the first level in the first section P1. Therefore, the sensing voltage VRs of the sensing resistor Rs also maintains a constant level in the first section P1 corresponding to the driving current Irec.

제1 구간(P1)에서, 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광됨에 따라, 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압이 형성된다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압에 의하여 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs가 형성된다. 그러나, 제1 구간(P1)에서 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs는 NMOS 트랜지스터(Q1)를 턴온할 정도까지 상승하지 않는다.In the first section P1, both ends of the light emitting diode group LED1 are formed as the light emitting diode group LED1 emits light. Then, the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 is formed by the voltage across the light-emitting diode group LED1. However, in the first section P1, the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 does not rise to the extent that the NMOS transistor Q1 is turned on.

발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광을 유지하는 제1 구간(P1) 동안 정류 전압 Vrec는 상승하여서 사이 전압 Vby에 도달한다. 정류 전압 Vrec이 사이 전압 Vby에 도달하는 시점이 제2 구간(P2)에 진입하는 시점이다.The rectified voltage Vrec rises to reach the interim voltage Vby during the first section P1 during which the light emitting diode group LED1 maintains the light emission. The time when the rectified voltage Vrec reaches the inter-level voltage Vby is the time when the second section P2 enters.

정류 전압 Vrec가 사이 전압 Vby에 도달하면, 발광된 발광 다이오드 그룹(LED1)의 양단 전압이 제1 구간(P1) 때 보다 상승한다. 그러므로, 제2 구간(P2)에서 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs은 NMOS 트랜지스터(Q1)를 턴온할 수 있는 레벨로 상승한다. 그 결과 NMOS 트랜지스터(Q1)는 턴온되며, 바이패스부(400)에 의한 바이패스 경로가 형성된다. 바이패스 경로가 형성되는 시점이 제2 구간(P2)에 진입하는 시점이다.When the rectified voltage Vrec reaches the intervening voltage Vby, the both-end voltage of the light-emitting diode group LED1 rises above the first section P1. Therefore, in the second section P2, the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 rises to a level at which the NMOS transistor Q1 can be turned on. As a result, the NMOS transistor Q1 is turned on, and a bypass path by the bypass unit 400 is formed. And the time point at which the bypass path is formed enters the second section P2.

제2 구간(P2)에서 바이패스부(400)에 의한 바이패스 경로가 형성되면, 발광 다이오드 그룹(LED1)으로 입력되는 구동 전류 Irec는 바이패스부(400)의 바이패스 경로를 통하여 발광 다이오드 그룹(LED2)으로 바이패스된다. 그리고, 발광 다이오드 그룹(LED1)에서 드라이버(300)의 채널 단자(CH2)로 흐르는 구동 전류 Irec의 흐름은 도 3의 I1과 같이 차단된다.The drive current Irec input to the light emitting diode group LED1 is supplied to the light emitting diode group LED1 through the bypass path of the bypass unit 400. [ (LED2). The flow of the driving current Irec flowing from the light emitting diode group LED1 to the channel terminal CH2 of the driver 300 is cut off as shown by I1 in Fig.

상기와 같은 바이패스 경로 형성에 의하여, 정류 전압 Vrec은 발광 다이오드 그룹(LED1)에 인가되지 않고 발광 다이오드 그룹(LED2)에 인가된다. By the above-described bypass path formation, the rectified voltage Vrec is not applied to the light emitting diode group LED1 but applied to the light emitting diode group LED2.

본 발명에서 발광 다이오드 그룹(LED2)은 발광 다이오드 그룹(LED1)과 동일한 레벨의 전압에 대하여 발광하도록 구성된 것을 예시한다. 그러므로, 발광 다이오드 그룹(LED2)은 발광 다이오드 그룹(LED1)을 발광시키기 충분한 레벨의 정류 전압 Vrec에 의해 발광된다.In the present invention, the light emitting diode group LED2 is configured to emit light for the same level of voltage as the light emitting diode group LED1. Therefore, the light emitting diode group LED2 is made to emit light by a rectified voltage Vrec of a level sufficient to emit light emitting diode group LED1.

제2 구간(P2)에서, 구동 전류 Irec는 도 5의 화살표와 같이 바이패스부(400)의 바이패스 경로, 발광 다이오드 그룹(LED2), 드라이버(300)의 채널 단자들(CH3, CH4) 및 센싱 저항단(Riset) 그리고 센싱 저항(Rs)을 경유하도록 흐른다.In the second section P2, the drive current Irec is supplied to the bypass path of the bypass unit 400, the light emitting diode group LED2, the channel terminals CH3 and CH4 of the driver 300, The sensing resistor Riset and the sensing resistor Rs.

제2 구간(P2)에서, 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 스위칭 회로들(33, 34)에서 제한될 만큼 높은 레벨을 갖지 않는다. 즉, 제2 구간에서, 구동 전류 Irec는 드라이버(300)의 스위칭 회로들(33, 34)에 의하여 레귤레이션되지 않는다. In the second period P2, the drive current Irec does not have a level which is high enough to be limited in the switching circuits 33 and 34 of the driver 300. [ That is, in the second period, the driving current Irec is not regulated by the switching circuits 33 and 34 of the driver 300. [

본 발명의 실시예는 제2 구간(P2)의 구동 전류 Irec를 경로 제어부(500)의 제어에 의하여 바이패스부(400)에서 제1 레벨 이하로 제한하는 레귤레이션을 수행하도록 구성된다. 즉, 제2 구간(P2)에서, 바이패스부(400)의 바이패스 경로를 흐르는 구동 전류 Irec는 경로 제어부(500)에 의하여 제1 레벨 이하로 제한된다.The embodiment of the present invention is configured to perform regulation that limits the driving current Irec of the second section P2 to the first level or lower in the bypass section 400 under the control of the path control section 500. [ That is, in the second section P2, the drive current Irec flowing in the bypass path of the bypass section 400 is limited to the first level or lower by the path control section 500. [

이와 같이, 제2 구간(P2)에서, 구동 전류 Irec는 제1 구간(P1)과 동일한 레벨로 유지되며, 그에 따라 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압 VRs도 제1 구간(P1)과 동일한 레벨로 유지된다. As described above, in the second section P2, the driving current Irec is maintained at the same level as the first section P1, so that the sensing voltage VRs of the sensing resistor Rs is also at the same level as the first section P1 maintain.

상기한 바이패스 경로에서 구동 전류 Irec가 제1 레벨 이하로 제한되는 것에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.In the bypass path described above, the driving current Irec is limited to the first level or less.

정류 전압 Vrec은 제2 구간(P2)으로 진입한 이후 레벨이 상승하고, 구동 전류 Irec도 정류 전압 Vrec의 레벨 상승에 대응하여 상승한다.The rectified voltage Vrec increases in level after entering the second section P2, and the drive current Irec also rises corresponding to the level rise of the rectified voltage Vrec.

그러나, 드라이버(300)에서 출력되는 구동 전류 Irec가 상승하면, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 구동 전류 Irec의 상승에 비례하여 콜렉터와 에미터간을 흐르는 전류량을 증가시킨다. 그에 따라 NPS 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터 전압 Q2Vce는 감소한다.However, when the driving current Irec outputted from the driver 300 rises, the NPN bipolar transistor Q2 increases the amount of current flowing between the collector and the emitter in proportion to the increase of the driving current Irec. As a result, the collector-emitter voltage Q2Vce of the NPS bipolar transistor Q2 decreases.

NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터 전압 Q2Vce을 하강시키고 저항(R2)에 인가되는 전압 Vr2을 증가시킨다. 정류 전압 Vrec의 증가에 따라 저항(R2)에 인가되는 전압 Vr2이 증가되므로, NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스 전압 Q1Vgs은 일정하게 유지된다.  The collector-emitter voltage Q2Vce of the NPN bipolar transistor Q2 is lowered and the voltage Vr2 applied to the resistor R2 is increased. Since the voltage Vr2 applied to the resistor R2 increases as the rectified voltage Vrec increases, the gate-source voltage Q1Vgs of the NMOS transistor Q1 is kept constant.

NMOS 트랜지스터(Q1)는 일정하게 유지되는 게이트-소스 전압 Q1Vgs에 의하여 드레인과 소스 간을 흐르는 구동 전류 Irec의 양을 일정하게 제한하며, 결과적으로 정류 전압 Vrec의 상승분을 흡수한다.The NMOS transistor Q1 constantly limits the amount of the driving current Irec flowing between the drain and the source by the constantly maintained gate-source voltage Q1Vgs, and consequently absorbs the rise of the rectified voltage Vrec.

상기한 NMOS 트랜지스터(Q1)의 작용에 의하여 바이패스부(400)의 바이패스 경로는 구동 전류 Irec를 레귤레이션할 수 있다.The bypass path of the bypass unit 400 can regulate the driving current Irec by the action of the NMOS transistor Q1.

여기에서, NMOS 트랜지스터(Q1)에 의해 제한되는 구동 전류 Irec의 레벨은 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 베이스에 구성되는 저항들(Ra, Rb)의 분압비에 의해 결정될 수 있다. 그러므로, 저항(Ra, Rb)의 분압비를 조절함으로써 경로 제어부(500)는 바이패스 경로의 구동 전류 Irec를 드라이버(300)의 스위칭 회로(32)에서 제한되는 제1 레벨과 동일한 레벨로 제한하도록 바이패스부(400)를 제어한다. Here, the level of the drive current Irec limited by the NMOS transistor Q1 can be determined by the voltage division ratio of the resistors Ra and Rb constituting the base of the NPN bipolar transistor Q2. Therefore, by adjusting the voltage division ratio of the resistors Ra and Rb, the path controller 500 limits the drive current Irec of the bypass path to the same level as the first level, which is limited by the switching circuit 32 of the driver 300 And controls the bypass unit 400.

한편, 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광을 유지하는 제2 구간(P2) 동안 정류 전압 Vrec는 상승하여서 발광 전압 Vf2에 도달한다. 정류 전압 Vrec이 발광 전압 Vf2에 도달하는 시점이 제3 구간(P3)에 진입하는 시점이다.On the other hand, the rectified voltage Vrec rises to reach the light emission voltage Vf2 during the second section P2 in which the light emitting diode group LED2 holds light emission. The time point at which the rectified voltage Vrec reaches the light emission voltage Vf2 is the time when it enters the third section P3.

정류 전압 Vrec가 발광 전압 Vf2에 도달하면, 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2)는 모두 발광한다. When the rectified voltage Vrec reaches the light emission voltage Vf2, both the light emitting diode group LED1 and the light emitting diode group LED2 emit light.

이와 같이 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2)는 모두 발광하면, 드라이버(300)의 전류 경로를 흐르는 구동 전류 Irec는 스위칭 회로들(33, 34)에 의해 제한되는 높은 레벨 즉 제2 레벨을 갖는다.When the light emitting diode group LED1 and the light emitting diode group LED2 both emit light, the driving current Irec flowing in the current path of the driver 300 is at a high level restricted by the switching circuits 33 and 34, Level.

드라이버(300)가 제2 레벨의 구동 전류 Irec를 출력하면, NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)는 포화(Saturation)된다. 그 결과 NPN 바이폴라 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터 전압은 0V 수준으로 떨어지고, 그 결과 NMOS 트랜지스터(Q1)의 게이트 전위가 강하되며, NMOS 트랜지스터(Q1)는 게이트-소스 전압이 낮아져서 턴오프된다. When the driver 300 outputs the driving current Irec of the second level, the NPN bipolar transistor Q2 is saturated. As a result, the collector-emitter voltage of the NPN bipolar transistor Q2 drops to a level of 0V, and as a result, the gate potential of the NMOS transistor Q1 drops, and the gate-source voltage of the NMOS transistor Q1 lowers and turns off.

따라서, 제3 구간(P3)에서, 바이패스부(400)의 바이패스 경로는 경로 제어부(500)의 전류 제어에 의하여 차단된다.Therefore, in the third period P3, the bypass path of the bypass unit 400 is shut off by the current control of the path control unit 500. [

그리고, 제3 구간(P3)에서 발광 전압 Vf2 이상으로 상승하는 정류 전압 Vrec에 대응하여, 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2)는 모두 발광하고, 드라이버(300)는 구동 전류 Irec를 위한 전류 경로를 제공하며, 구동 전류 Irec는 스위칭 회로(33, 34)에 의해 제2 레벨로 레귤레이션된다. 상기한 구동 전류 Irec의 상승에 대응하여 센싱 저항(Rs)의 센싱 전압 VRs도 상승된 레벨을 유지한다. The light emitting diode group LED1 and the light emitting diode group LED2 emit light in response to the rectified voltage Vrec rising above the light emitting voltage Vf2 in the third period P3 and the driver 300 emits the driving current Irec And the drive current Irec is regulated to the second level by the switching circuits 33, The sensing voltage VRs of the sensing resistor Rs also maintains the raised level corresponding to the rise of the drive current Irec.

제3 구간(P2)에서, 구동 전류 Irec는 도 6의 화살표와 같이 발광 다이오드 그룹(LED1), 발광 다이오드 그룹(LED2), 드라이버(300)의 채널 단자들(CH3, CH4) 및 센싱 저항단(Riset) 그리고 센싱 저항(Rs)을 경유하도록 흐른다.In the third section P2, the drive current Irec is supplied to the light emitting diode group LED1, the light emitting diode group LED2, the channel terminals CH3 and CH4 of the driver 300 and the sensing resistor stages Riset) and sensing resistance (Rs).

그 후, 정류 전압 Vrec이 발광 전압 Vf2, 사이 전압 Vby 및 발광 전압 Vf1을 경유하여 초기 레벨로 하강하면, 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)은 상술한 제3 구간(P3), 제2 구간(P2) 및 제1 구간(P1)에 해당하는 발광을 수행한 후 모두 소광된다.Thereafter, when the rectified voltage Vrec falls to the initial level via the light emission voltage Vf2, the interimage voltage Vby, and the light emission voltage Vf1, the light emitting diode groups LED1 and LED2 are in the third period P3, P2) and the first section (P1), and is then extinguished.

본 발명은 상술한 바와 같이 바이패스 경로가 형성되기 전의 발광 다이오드 그룹(LED1)이 발광하는 제1 구간(P1)과 바이패스 경로의 형성에 의하여 발광 다이오드 그룹(LED2)이 발광하는 제2 구간(P2)의 밝기가 균일하도록 바이패스 경로를 흐르는 구동 전류의 레벨 및 흐르는 시간을 조절할 수 있다. The present invention is characterized in that the first section P1 in which the light emitting diode group LED1 emits light before the bypass path is formed and the second section P1 in which the light emitting diode group LED2 emits light by the formation of the bypass path The level of the driving current flowing through the bypass path and the time of the flowing of the driving current can be adjusted so that the brightness of the pixels P2 and P2 is uniform.

그러므로, 본 발명은 교류 다이렉트 방식(AC Direct Type) 조명 구동에서 발광 다이오드 그룹(LED1)과 발광 다이오드 그룹(LED2) 간의 밝기 편차가 개선될 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has an effect that the brightness deviation between the light emitting diode group (LED1) and the light emitting diode group (LED2) can be improved in the AC direct type illumination driving.

또한, 본 발명은 조명부에 포함된 발광 다이오드 그룹들(LED1, LED2)이 균일한 밝기로 발광하도록 구성됨으로써 발광 다이오드 그룹들(LED1, ED2)이 균일한 수명을 가질 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention is configured such that the light emitting diode groups (LED1, LED2) included in the illumination unit emit light with uniform brightness, so that the light emitting diode groups (LED1, ED2) have a uniform lifetime.

Claims (15)

직렬로 연결된 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹;
정류 전압의 변화에 대응한 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하는 전류 경로를 제공하고, 상기 전류 경로 상의 구동 전류에 대한 레귤레이션을 수행하는 드라이버; 및
상기 제1 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제1 발광 전압과 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 모두 발광하는 제2 발광 전압의 사이의 레벨로 정의된 사이 전압에 상기 정류 전압이 도달하면 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 입력되는 상기 구동 전류를 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 바이패스하는 바이패스 경로를 형성하며, 상기 제2 발광 전압에 상기 정류 전압이 도달하면 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류의 상승에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하는 바이패스 회로;를 포함함을 특징으로 하는 조명 장치.First and second light emitting diode groups connected in series;
A driver for providing a current path corresponding to a light emission of the first and second light emitting diode groups corresponding to a change in a rectified voltage and performing regulation on a drive current on the current path; And
When the rectified voltage reaches a voltage defined between a first emission voltage at which the first light emitting diode group emits light and a second emission voltage at which both the first and second light emitting diode groups emit light, And a bypass path for bypassing the driving current input to the light emitting diode group to the second light emitting diode group is formed, and when the rectified voltage reaches the second light emitting voltage, And a bypass circuit for blocking the bypass path. 제1 항에 있어서, 상기 바이패스 회로는,
상기 바이패스 경로가 형성되기 전의 상기 제1 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제1 구간과 상기 바이패스 경로의 형성에 의하여 상기 제2 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제2 구간의 밝기가 균일하도록 상기 바이패스 경로를 흐르는 상기 구동 전류의 레벨과 흐르는 시간을 조절하는 조명 장치.The power supply circuit according to claim 1,
The first light emitting diode group emitting light of the first light emitting diode group before the bypass path is formed and the second path of the second light emitting diode group emitting light by the formation of the bypass path, The level of the driving current and the time of the driving current. 제1 항에 있어서, 상기 드라이버는,
상기 제1 발광 다이오드 그룹이 발광하면 제1 레벨 이하로 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 제1 전류 경로를 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 제공하고,
상기 바이패스 경로 형성에 의하여 상기 제2 발광 다이오드 그룹이 발광하면 제2 전류 경로를 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 제공하며,
상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹이 모두 발광하면 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이하로 상기 제2 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 조명 장치.2. The apparatus of claim 1,
A first current path for regulating the driving current to a first level or lower when the first light emitting diode group emits light is provided to the first light emitting diode group,
And providing a second current path to the second light emitting diode group when the second light emitting diode group emits light by the bypass path formation,
And regulates the drive current in the second current path to a second level lower than the first level when the first and second light emitting diode groups emit light. 제3 항에 있어서, 상기 드라이버는,
상기 제1 전류 경로와 상기 제2 전류 경로가 공유하는 외부의 센싱 저항의 센싱 전압과 상기 제1 전류 경로와 상기 제2 전류 경로에 대하여 각각 설정된 내부의 기준 전압들을 비교한 결과로써 상기 제1 전류 경로 및 상기 제2 전류 경로의 제공과 레귤레이션을 수행하는 조명 장치.4. The apparatus of claim 3,
And comparing the sensing voltage of an external sensing resistor shared by the first current path and the second current path with an internal reference voltage set for each of the first current path and the second current path, Path and the second current path. 제1 항에 있어서, 상기 바이패스 회로는,
상기 사이 전압에 상기 정류 전압이 도달하면, 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 입력되는 상기 구동 전류를 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 바이패스하는 상기 바이패스 경로를 제공하는 바이패스부; 및
상기 바이패스 경로의 상기 구동 전류가 레귤레이션되도록 상기 바이패스부를 제어하며, 상기 제2 발광 전압에 상기 정류 전압이 도달하면 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류의 상승에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하도록 상기 바이패스부를 제어하는 경로 제어부;를 포함하는 조명 장치.The power supply circuit according to claim 1,
A bypass unit for providing the bypass path for bypassing the drive current input to the first light emitting diode group to the second light emitting diode group when the rectified voltage reaches the interim voltage; And
Wherein the control unit controls the bypass unit so that the driving current of the bypass path is regulated, and when the rectified voltage reaches the second emission voltage, And a path control unit for controlling the bypass unit. 제5 항에 있어서,
상기 바이패스부는 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 양단 전압의 변화에 따라 상기 사이 전압에 상기 정류 전압이 도달하였는지 센싱하여서 상기 바이패스 경로를 제공하는 조명 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the bypass unit senses whether the rectified voltage has reached the inter-electrode voltage in accordance with a change in voltage across the first light emitting diode group, thereby providing the bypass path. 제6 항에 있어서,
상기 바이패스부는 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 양단 사이에 상기 바이패스 경로를 제공하는 스위칭 소자를 포함하며,
상기 스위칭 소자는 상기 사이 전압 이상으로 상기 정류 전압이 상승함에 따른 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 양단 전압의 변화에 의하여 상기 바이패스 경로를 제공하고 상기 경로 제어부의 제어에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하는 조명 장치.The method according to claim 6,
Wherein the bypass unit includes a switching element for providing the bypass path between both ends of the first light emitting diode group,
Wherein the switching device provides the bypass path according to a change in voltage between both ends of the first light emitting diode group as the rectified voltage rises above the interim voltage and blocks the bypass path under the control of the path control unit Lighting device. 제7 항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 소스와 드레인을 통하여 상기 바이패스 경로를 제공하는 NMOS 트랜지스터를 포함하며 게이트-소스 간 전압에 의해 상기 사이 전압 이상으로 상기 정류 전압이 상승하는 것을 센싱하고, 상기 경로 제어부의 제어에 의하여 상기 게이트의 전압이 강하됨에 따라 상기 바이패스 경로를 차단하는 조명 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the switching element includes an NMOS transistor for providing the bypass path through a source and a drain and senses that the rectified voltage rises above the inter-gate voltage by a gate-source voltage, And blocks the bypass path as the voltage of the gate drops. 제5 항에 있어서,
상기 경로 제어부는 상기 바이패스 경로가 형성되기 전의 상기 제1 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제1 구간과 상기 바이패스 경로의 형성에 의하여 상기 제2 발광 다이오드 그룹이 발광하는 제2 구간의 밝기가 균일하도록 상기 바이패스 경로를 흐르는 상기 구동 전류의 레벨과 흐르는 시간을 조절하도록 조절하며,
상기 바이패스부는 상기 경로 조절부의 제어에 의한 레귤레이션을 수행하는 조명 장치.6. The method of claim 5,
The path control unit may control the first and second light emitting diode groups so that the brightness of the first section in which the first light emitting diode group is lit before the bypass path is formed and the brightness of the second section in which the second light emitting diode group is lit by the formation of the bypass path are uniform Adjusting a level of the driving current flowing through the bypass path and a time of flowing the driving current,
Wherein the bypass unit performs regulation by control of the path control unit. 제5 항에 있어서,
상기 경로 제어부는 상기 드라이버의 상기 구동 전류를 센싱하여서 상기 스위칭 소자를 제어함으로써 상기 바이패스 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하도록 제어하는 전류 소자를 포함하고,
상기 전류 소자는 상기 제2 발광 전압에 상기 정류 전압이 도달한 경우 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류의 상승에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하도록 상기 스위칭 소자를 제어하는 조명 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the path control unit includes a current device for controlling the drive current of the bypass path by controlling the switching device by sensing the drive current of the driver,
Wherein the current device controls the switching device to block the bypass path by a rise of the driving current output from the driver when the rectified voltage reaches the second emission voltage. 제1 구간, 제2 구간 및 제3 구간을 거쳐서 변화하는 정류 전압 중, 상기 제1 구간 및 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 발광하는 제1 발광 다이오드 그룹;
제1 발광 다이오드 그룹에 직렬로 연결되고, 상기 제2 구간 및 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 발광하는 제2 발광 다이오드 그룹;
상기 제1 발광 다이오드 그룹과 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하는 전류 경로를 제공하며, 상기 전류 경로의 상기 구동 전류에 대한 레귤레이션을 수행하는 드라이버;
상기 제2 구간의 상기 정류 전압에 대응하여, 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 입력되는 상기 구동 전류를 상기 제2 발광 다이오드 그룹으로 바이패스하는 바이패스 경로를 제공하는 바이패스부; 및
상기 바이패스 경로의 상기 구동 전류에 대한 레귤레이션을 제어하며, 상기 제3 구간의 상기 정류 전압에 대응하여 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하는 경로 제어부;를 포함함을 특징으로 하는 조명 장치.A first light emitting diode group which emits light corresponding to the rectified voltage of the first section and the third section out of the rectified voltage varying through the first section, the second section and the third section;
A second light emitting diode group connected in series to the first light emitting diode group and emitting light corresponding to the rectified voltage in the second section and the third section;
A driver that provides a current path corresponding to light emission of the first light emitting diode group and the second light emitting diode group and performs regulation of the driving current of the current path;
A bypass unit for providing a bypass path for bypassing the drive current input to the first light emitting diode group to the second light emitting diode group corresponding to the rectified voltage of the second section; And
And a path control unit controlling the regulation of the bypass path with respect to the driving current and blocking the bypass path by the driving current outputted from the driver in correspondence with the rectified voltage of the third period Characterized by a lighting device. 제11 항에 있어서, 상기 경로 제어부는,
상기 제1 구간과 상기 제2 구간의 정류 전압에 대응하여 밝기가 균일하도록 상기 바이패스 경로를 흐르는 상기 구동 전류의 레벨과 흐르는 시간을 조절하는 조명 장치.12. The apparatus according to claim 11,
And adjusts a level and a time of the driving current flowing through the bypass path so that the brightness is uniform in correspondence with the rectified voltage of the first section and the second section. 제11 항에 있어서,
상기 제1 구간의 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 제1 레벨 이하로 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 제1 전류 경로를 상기 제1 발광 다이오드 그룹에 제공하고,
상기 바이패스 경로 형성에 의한 상기 제2 구간의 상기 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여 제2 전류 경로를 상기 제2 발광 다이오드 그룹에 제공하며,
상기 제3 구간의 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 그룹의 발광에 대응하여, 상기 제1 레벨보다 높은 제2 레벨 이하로 상기 제2 전류 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 조명 장치.12. The method of claim 11,
A first current path for regulating the drive current to a first level or lower in response to light emission of the first light emitting diode group in the first section is provided to the first light emitting diode group,
Providing a second current path to the second light emitting diode group corresponding to light emission of the second light emitting diode group of the second section by the bypass path formation,
And regulates the drive current in the second current path to a level lower than a second level higher than the first level, corresponding to the light emission of the first and second light emitting diode groups in the third section. 제11 항에 있어서,
상기 바이패스부는 상기 제1 발광 다이오드 그룹의 양단 전압의 변화에 따라 상기 정류 전압의 레벨이 상기 제2 구간에 해당하는지 센싱하여서 상기 바이패스 경로를 제공하는 조명 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the bypass unit senses whether the level of the rectified voltage corresponds to the second section in accordance with a change in voltage across the first light emitting diode group, thereby providing the bypass path. 제11 항에 있어서,
상기 경로 제어부는 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류를 센싱하여서 상기 바이패스부를 제어함으로써 상기 바이패스 경로의 상기 구동 전류를 레귤레이션하는 전류 소자를 포함하고,
상기 전류 소자는 상기 정류 전압의 레벨이 상기 제3 구간에 해당하는 경우 상기 드라이버에서 출력되는 상기 구동 전류에 의하여 상기 바이패스 경로를 차단하도록 상기 바이패스부를 제어하는 조명 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the path control unit includes a current device for sensing the drive current output from the driver and controlling the bypass unit to regulate the drive current in the bypass path,
Wherein the current device controls the bypass unit to block the bypass path by the driving current output from the driver when the level of the rectified voltage corresponds to the third period.
KR1020160105232A 2016-08-19 2016-08-19 Lighting apparatus KR20180020610A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160105232A KR20180020610A (en) 2016-08-19 2016-08-19 Lighting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160105232A KR20180020610A (en) 2016-08-19 2016-08-19 Lighting apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180020610A true KR20180020610A (en) 2018-02-28

Family

ID=61401478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160105232A KR20180020610A (en) 2016-08-19 2016-08-19 Lighting apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180020610A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101552824B1 (en) Circuit to control led lighting apparatus
KR102286767B1 (en) Control circuit for led lighting apparatus
KR102085725B1 (en) Led lighting system of ac direct type and control method thereof
US9538591B2 (en) Lighting apparatus
KR101552823B1 (en) Circuit to control led lighting apparatus
KR101673852B1 (en) Circuit to control led lighting apparatus
KR101536108B1 (en) Control circuit and voltage generating method for led lighting apparatus
US9532412B2 (en) Lighting apparatus capable of reducing flicker
JP5619558B2 (en) LED drive circuit
KR102352631B1 (en) Circuit and method to control led lighting apparatus
WO2017139251A1 (en) Light source driving circuits for triac dimmer
KR101459505B1 (en) Led lighting system
KR101584948B1 (en) Led lighting apparatus
KR20180020610A (en) Lighting apparatus
KR20170100916A (en) Control circuit for lighting apparatus
JP5739834B2 (en) LED lighting device and two-terminal current controller
KR20180054113A (en) Led lighting apparatus
KR102335456B1 (en) Led lighting apparatus
KR101674501B1 (en) Led lighting apparatus
KR20180011611A (en) Led lighting apparatus
KR20140107837A (en) Led lighting system and control circuit thereof
KR20170009455A (en) Lighting apparatus
KR20160116527A (en) Lighting apparatus and control circuit thereof
KR102286777B1 (en) Led lighting apparatus
US9930735B1 (en) Low-flicker light-emitting diode lighting device