KR20180017751A - Light emitting diode package and light emitting diode module - Google Patents

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Abstract

Provided are a light emitting diode package and a light emitting diode module. According to an embodiment of the present invention, the light emitting diode package comprises: a first light emitting diode chip; a first wavelength conversion unit for converting a wavelength of light emitted from the first light emitting diode chip; a second light emitting diode chip; and a second wavelength conversion unit for converting a wavelength of light emitted from the second light emitting diode chip. The first wavelength conversion unit emits light having a shorter peak wavelength than the second wavelength conversion unit, and the light emitted from the first wavelength conversion unit is blocked from being incident to the second wavelength conversion unit. According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent interruption by different kinds of phosphors, thereby increasing energy conversion efficiency of light emitted from a light emitting diode chip and improving visibility of a white light emitting diode package to improve light emission efficiency.

Description

발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND LIGHT EMITTING DIODE MODULE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND LIGHT EMITTING DIODE MODULE [0002]

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈에 관한 것으로, 구체적으로는, 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a light emitting diode module, and more particularly, to a light emitting diode package and a light emitting diode module capable of improving light emitting efficiency of light emitted from the light emitting diode chip.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서 소수 캐리어(전자 및 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 광을 발산하는 소자를 지칭한다. 발광 다이오드는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 소형화가 가능하다.A light emitting diode (LED) is a compound semiconductor having a p-n junction structure of a semiconductor, and refers to a device that emits a predetermined light by recombination of minority carriers (electrons and holes). The light emitting diode has low power consumption, long life, and miniaturization.

일반적으로, 발광 다이오드는 칩 형태로 제공되며, 발광 다이오드 칩이 패키징됨으로써 발광 다이오드 패키지가 제공된다. 발광 다이오드 패키지는 파장 변환 수단인 형광체를 사용하여 백색광을 구현할 수 있다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 칩 상에 배치하여, 발광 다이오드 칩의 1차 광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 광의 혼색을 통하여 백색광을 구현할 수 있다. Generally, the light emitting diode is provided in a chip form, and the light emitting diode chip is packaged to provide the light emitting diode package. The light emitting diode package can realize white light by using a phosphor as a wavelength converting means. That is, the phosphor may be disposed on the light emitting diode chip, and white light may be realized by mixing a part of the primary light of the light emitting diode chip and the secondary light that is wavelength-converted by the phosphor.

종래에는 백색광을 구현하기 위해, 청색광 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛에 의해 여기되어 황색광을 방출하는 형광체(황색광 형광체)를 사용하였다. 그러나 황색광 형광체를 단독으로 사용한 발광 다이오드 패키지는 적색 성분이 부족하여 연색 지수가 낮으며 색온도가 높은 특성을 갖는다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 단일 종류의 황색광 형광체를 사용하기 보다, 녹색광을 방출하는 형광체(이하, 녹색광 형광체) 또는 황색광을 방출하는 형광체(이하, 황색광 형광체)와 적색광을 방출하는 형광체(이하, 적색광 형광체)를 혼합하고, 이를 파장변환부에 분포시키는 발광 다이오드 패키지가 사용되고 있다. Conventionally, in order to realize white light, a phosphor (yellow light phosphor) that emits yellow light by being excited by light emitted from a blue light emitting diode chip is used. However, a light emitting diode package using a yellow light phosphor alone has a low color rendering index due to a lack of a red component and has a high color temperature characteristic. (Hereinafter referred to as a green light phosphor) emitting yellow light or a phosphor emitting yellow light (hereinafter referred to as a yellow light phosphor) and a phosphor emitting red light (hereinafter referred to as a green light phosphor) Hereinafter, a red light phosphor) is mixed and distributed in the wavelength converter.

그러나, 서로 다른 피크 파장을 가지는 형광체를 단일한 파장변환부에 혼합하여 사용하는 경우, 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 현저하게 감소되는 문제가 있다. However, when phosphors having different peak wavelengths are mixed and used in a single wavelength conversion unit, there is a problem that the luminous efficiency of the light emitting diode package is remarkably reduced.

구체적으로, 녹색광을 방출하는 형광체 및 적색광을 방출하는 형광체의 분광 분포를 나타낸 도 1을 참조하면, 녹색광의 발광 파장의 피크는 540nm 부근에 위치하고 적색광의 발광 파장의 피크는 650nm에 위치함을 확인할 수 있다. 종래의 백색 발광 다이오드 패키지는 청색광 발광 다이오드 칩과, 이로부터 방출되는 빛에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 형광체와 적색광을 방출하는 형광체가 혼합된 파장변환부에 의해 백색광을 구현하고 있다. 녹색광 형광체와 적색광 형광체가 혼합된 경우, 녹색광 형광체에서 방출된 녹색광의 일부는 적색광 형광체를 여기시킨다. More specifically, referring to FIG. 1 showing the spectral distribution of the phosphor emitting green light and the phosphor emitting red light, it can be seen that the peak of the emission wavelength of green light is located near 540 nm and the peak of the emission wavelength of red light is located at 650 nm have. In a conventional white light emitting diode package, white light is realized by a blue light emitting diode chip and a wavelength converting part in which a phosphor emitting green light and a phosphor emitting red light are excited by light emitted therefrom. When the green light-emitting phosphor and the red light-emitting phosphor are mixed, a part of the green light emitted from the green light-emitting phosphor excites the red light-emitting phosphor.

따라서, 청색 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛을 녹색광 형광체 및 적색광 형광체가 흡수한 후 각각의 파장에 따른 빛을 방출하고, 녹색광 형광체에서 방출된 빛의 일부를 다시 적색광 형광체가 흡수하고 적색광을 방출할 수 있으며, 이에 따라 형광체들의 에너지 변환 효율이 감소할 것으로 예상할 수 있다.Accordingly, after the green light phosphor and the red light phosphor absorb light emitted from the blue light emitting diode chip, light corresponding to each wavelength is emitted, and a part of the light emitted from the green light phosphor is absorbed again by the red light phosphor and emits red light , So that the energy conversion efficiency of the phosphors can be expected to decrease.

이와 관련하여, 녹색광 형광체 및 적색광 형광체의 에너지 흡수 및 방출에 대한 분광분포를 나타낸 도 2를 참조하면, 적색광 형광체의 여기 분광분포가 녹색광 형광체에 의한 발광 분광분포와 상당 부분 겹침을 확인할 수 있다.In this regard, referring to FIG. 2 showing the spectral distribution of energy absorption and emission of the green light-emitting phosphor and the red light-emitting phosphor, it can be seen that the excitation spectral distribution of the red light-emitting phosphor substantially overlaps with the emission spectral distribution by the green light-emitting phosphor.

즉, 적색광 형광체는 청색광 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛뿐만 아니라 녹색광 형광체에서 방출되는 빛 또한 흡수함으로써 녹색광 형광체와 적색광 형광체 사이에 에너지 간섭이 발생한다.That is, the red light phosphors absorb not only the light emitted from the blue light emitting diode chip but also the light emitted from the green light phosphors, thereby causing energy interference between the green light phosphors and the red light phosphors.

그 결과, 녹색광 형광체에 의한 청색광의 변환 효율, 적색광 형광체에 의한 청색광의 변환 효율에 더해, 적색광에 의한 녹색광의 변환 효율 때문에, 전체 에너지 변환 효율이 감소된다.As a result, the total energy conversion efficiency is reduced due to the conversion efficiency of the blue light by the green light-emitting phosphor and the conversion efficiency of the blue light by the red light-emitting phosphor and the conversion efficiency of the green light by the red light.

더욱이, 하나의 파장변환부 내에 두 종류 이상의 형광체를 혼합하기 때문에 전체 형광체 밀도가 높아지며, 따라서, 형광체에 의한 비발광 흡수에 의한 광 손실이 발생한다.Furthermore, since two or more kinds of phosphors are mixed in one wavelength converting portion, the total phosphor density becomes high, and therefore light loss due to non-luminescence absorption by the phosphor occurs.

한편, 종래와 같이 서로 다른 피크 파장을 가지는 형광체를 단일한 파장변환부에 혼합하여 사용하는 경우, 광 손실의 문제뿐 아니라 시감도에 불리한 문제가 있었다. 시감도는 어떤 색에 대해서 동일한 에너지가 방출되어도 사람이 다르게 느끼는 밝기로 정의되며, 사람이 느끼는 밝기를 그 파장에 대한 시감도라 지칭한다.On the other hand, when the phosphors having different peak wavelengths are mixed and used in a single wavelength conversion unit as in the prior art, there is a problem of not only the light loss but also the visibility. Visibility is defined as the brightness that a person feels differently even if the same energy is emitted for a certain color, and the brightness that a person feels is referred to as a visibility of the wavelength.

구체적으로, 도 3은 사람의 망막의 시감도 곡선과 상관색온도가 2700 K 일때 평균연색지수(CRI, general color rendering index)가 80, 90 인 경우에 해당하는 백색광의 분광분포를 나타낸 도면이다. 도 3을 참조하면 사람의 망막의 시감도는 555 nm 에서 최대 감도를 나타내는 것을 확인할 수 있다.3 is a graph showing spectral distributions of white light corresponding to a visibility curve of a human retina and a general color rendering index (CRI) of 80 and 90 when a correlated color temperature is 2700 K. FIG. Referring to FIG. 3, it can be seen that the visual sensitivity of human retina shows the maximum sensitivity at 555 nm.

도 1 및 도 3을 함께 참조하면, 백색광을 구현하기 위해 청색광 발광 다이오드 칩과 녹색광을 방출하는 형광체 및 적색광을 방출하는 형광체를 혼합 사용하는 경우, 적색광을 방출하는 형광체에 의한 녹색광 흡수는 시감도에 부정적인 영향을 주는 것을 확인할 수 있다. 즉, 적색광을 방출하는 형광체가 녹색광을 흡수하여 도 3에 나타낸 바와 같이 백색광의 피크가 555 nm 보다 큰 파장의 영역에 형성되었음을 확인할 수 있다.1 and 3 together, when a blue light emitting diode chip, a fluorescent material emitting green light, and a fluorescent material emitting red light are mixed to realize white light, the absorption of green light by the fluorescent material emitting red light is negatively affected by visibility It can be confirmed that it affects. That is, it can be confirmed that the phosphor emitting red light absorbs the green light and the peak of the white light is formed in the wavelength region larger than 555 nm as shown in FIG.

종래에 백색광을 구현하기 위해 청색광 발광 다이오드 칩과 녹색광을 방출하는 형광체 및 적색광을 방출하는 형광체를 혼합 사용하면서, 백색광 분광분포 곡선을 시감도 곡선에 근접하게 이동시키기 위한 노력이 있었으나, 평균연색지수, 특수연색지수(special color rendering index), 상관색온도(correlated color temperature) 등의 특성이 구현되기 어렵다는 문제가 있었다.Conventionally, in order to realize white light, efforts have been made to move the white light spectral distribution curve close to the visual sensitivity curve while using a mixture of a blue light emitting diode chip, a fluorescent material emitting green light and a fluorescent material emitting red light. However, A special color rendering index, and a correlated color temperature are difficult to implement.

따라서, 발광 다이오드 패키지에 있어서, 형광체에 의한 에너지 변환 효율 뿐만아니라 시감도를 근본적으로 향상시킬 수 있는 대안이 요구된다.Therefore, in the light emitting diode package, there is a need for an alternative that can fundamentally improve not only the energy conversion efficiency by the phosphor but also the visual sensitivity.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 두 종류 이상의 형광체를 사용하여 백색광을 구현하면서, 파장변환에 따른 에너지 손실을 방지하여 파장변환 효율을 개선할 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.The present invention provides a light emitting diode package and a light emitting diode module capable of improving wavelength conversion efficiency by preventing energy loss due to wavelength conversion while realizing white light using two or more kinds of phosphors.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 시감도를 개선하면서도 평균연색지수, 특수연색지수 및 상관색온도의 조절이 용이한 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package and a light emitting diode module which can easily adjust an average color rendering index, a special color rendering index, and a correlated color temperature while improving visibility.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 형광체의 높은 밀도에 의한 광 손실을 방지할 수 있는 백색 발광 다이오드 패키지 및 백색 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a white light emitting diode package and a white light emitting diode module which can prevent light loss due to high density of phosphors.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 평균연색지수, 특수연색지수 및 상관색온도를 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 모듈을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a light emitting diode package and a light emitting diode module capable of improving an average color rendering index, a special color rendering index and a correlated color temperature.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 제1 발광 다이오드 칩; 상기 제1 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부; 제2 발광 다이오드 칩; 및 상기 제2 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부;를 포함하고, 상기 제1 파장변환부는 상기 제2 파장변환부에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며, 상기 제1 파장변환부에서 방출된 광의 상기 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 패키지를 제공한다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides a light emitting device comprising: a first light emitting diode chip; A first wavelength converter for wavelength-converting the light emitted from the first light emitting diode chip; A second light emitting diode chip; And a second wavelength converter for wavelength-converting the light emitted from the second LED chip, wherein the first wavelength converter emits light having a shorter peak wavelength than the second wavelength converter, And the incidence of the light emitted from the first wavelength converter into the second wavelength converter is cut off.

본 발명은 또한 상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 제1 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광 영역; 제2 발광 다이오드 칩 및 상기 제2 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광 영역;을 포함하고, 상기 제1 파장변환부는 상기 제2 파장변환부에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며, 상기 제1 파장변환부에서 파장변환된 광의 상기 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 모듈을 제공한다.The present invention also provides a light emitting device comprising: a first light emitting region including a first light emitting diode chip and a first wavelength converting portion for wavelength-converting light emitted from the first light emitting diode chip; And a second light emitting area including a first light emitting diode chip, a second light emitting diode chip and a second wavelength converting part for performing wavelength conversion on the light emitted from the second light emitting diode chip, wherein the first wavelength converting part And the light emitted from the first wavelength converter is cut off from the second wavelength converter by the first wavelength converter.

본 발명의 실시예들에 따르면, 서로 다른 종류의 형광체간의 상호 간섭을 방지함으로써, 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛의 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한 시감도를 증가시켜 발광 효율(luminous efficacy)을 증가시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to improve the energy conversion efficiency of light emitted from the light emitting diode chip by preventing mutual interference between different kinds of phosphors, and also to increase luminosity and luminous efficacy .

또한, 형광체별로 파장변환부들을 분리함으로써 파장변환부 내의 형광체 밀도를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 형광체에 의한 비발광 흡수를 줄여 광 손실을 감소시킬 수 있다.In addition, by separating the wavelength conversion units for each of the phosphors, the density of the phosphors in the wavelength conversion unit can be reduced, thereby reducing the non-emission absorption by the phosphors and reducing the optical loss.

도 1은 녹색 형광체 및 적색 형광체의 발광 분광분포 및 백색 LED의 발광 분광분포를 나타낸 그래프이다.
도 2는 녹색 형광체 및 적색 형광체의 여기 분광분포 및 발광 분광분포를 나타낸 그래프이다.
도 3은 사람의 망막의 시감도 곡선 및 상관색온도가 2700 K 일때 평균연색지수(CRI, general color rendering index)가 80, 90 인 경우에 해당하는 백색광의 분광분포를 나타낸 그래프이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 A-A' 절단면의 단면도이다.
도 10 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 B-B' 절단면의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따라 상관색온도 2700K의 백색광을 구현하기 위한 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 녹색 형광체 및 적색 형광체의 색좌표 구현 영역을 각각 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따라 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 녹색 형광체를 적용한 발광 다이오드 패키지의 분광분포 및 적색 형광체를 적용한 발광 다이오드 패키지의 분광분포를 각각 나타낸 그래프이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도이다.
도 20 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위한 사시도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 분광 분포를 각각 나타낸 그래프이다.1 is a graph showing an emission spectral distribution of a green phosphor and a red phosphor and an emission spectral distribution of a white LED.
2 is a graph showing the excitation spectral distribution and the emission spectral distribution of the green phosphor and the red phosphor.
FIG. 3 is a graph showing the spectral distribution of white light corresponding to a visibility curve of a human retina and a general color rendering index (CRI) of 80 and 90 when a correlated color temperature is 2700 K. FIG.
4 to 6 are perspective views illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
7 is a plan view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
8 is a bottom view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line AA 'of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
10 to 13 are cross-sectional views of a BB 'sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
14 is a graph showing a color coordinate implementation area of a green phosphor and a red phosphor based on a blue light emitting diode chip for realizing white light having a correlated color temperature of 2700K according to an embodiment of the present invention.
15 is a graph showing a spectral distribution of a light emitting diode package using a green phosphor based on a blue light emitting diode chip and a spectral distribution of a light emitting diode package using a red phosphor according to an embodiment of the present invention.
16 and 17 are perspective views of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
18 is a plan view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
19 is a bottom view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
20 to 22 are perspective views illustrating a light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.
23 is a graph showing spectral distributions of the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention and the light emitting diode package according to the related art.

본 발명의 다양한 실시예들에 대해 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.Various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know.

본 명세서에서 일 요소가 다른 요소 '위' 또는 '아래'에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 상기 일 요소가 다른 요소 '위' 또는 '아래'에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다. 본 명세서에서, '상부' 또는 '하부' 라는 용어는 관찰자의 시점에서 설정된 상대적인 개념으로, 관찰자의 시점이 달라지면, '상부' 가 '하부'를 의미할 수도 있고, '하부'가 '상부'를 의미할 수도 있다.Where an element is referred to herein as being located on another element "above" or "below", it is to be understood that the element may be directly on the other element "above" or "below" . In this specification, the terms 'upper' and 'lower' are relative concepts set at the observer's viewpoint. When the viewer's viewpoint is changed, 'upper' may mean 'lower', and 'lower' It may mean.

복수의 도면들에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다. 또한, '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 의미하는 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Like numbers refer to like elements throughout. Also, the terms 'comprise', 'comprising' and the like mean that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof, , &Quot; an ", " an ", " an "

이하, 상기한 본 발명의 실시예들을 도면을 참조하여 구체적으로 살펴보기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지를 개략적으로 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view schematically illustrating a light emitting diode package according to embodiments of the present invention.

도 4를 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는, 제1 발광 다이오드 칩(131); 상기 제1 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부(141); 제2 발광 다이오드 칩(132); 및 상기 제2 발광 다이오드 칩(132)에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부(142);를 포함하고, 상기 제1 파장변환부(141)는 상기 제2 파장변환부(142)에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며, 상기 제1 파장변환부(141)에서 방출된 광의 상기 제2 파장변환부(142)로의 입사가 차단될 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting diode package 1000 includes a first light emitting diode chip 131; A first wavelength converter 141 for wavelength-converting the light emitted from the first light emitting diode chip; A second light emitting diode chip 132; And a second wavelength converter 142 for wavelength-converting the light emitted from the second LED chip 132. The first wavelength converter 141 converts the wavelength of the light emitted from the second light emitting diode chip 132 into the second wavelength converter 142, And the light emitted from the first wavelength converter 141 can be blocked from entering the second wavelength converter 142.

제1 및 제2 발광 다이오드 칩(131, 132)은 청색광 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 특히, 두 개의 파장변환부들(141, 142)을 포함하여 백색광을 구현하는 경우, 제1 및 제2 발광 다이오드 칩(131, 132)은 청색광을 방출하는 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다. 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 칩(131, 132)은 예를 들어 질화갈륨계 반도체층으로 형성될 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 각 캐비티 내에 단일한 발광 다이오드 칩이 배치된 형태를 개시하였지만, 배치되는 제1 및 제2 발광 다이오드 칩(131, 132)의 개수 및 배치 형태는 이에 제한되지 않는다.The first and second light emitting diode chips 131 and 132 may be light emitting diode chips emitting blue light or ultraviolet light. In particular, when white light including the two wavelength converters 141 and 142 is implemented, the first and second light emitting diode chips 131 and 132 may be blue light emitting diode chips emitting blue light. The first and second light emitting diode chips 131 and 132 may be formed of, for example, a gallium nitride based semiconductor layer. Although the LED package according to the embodiment of the present invention has a single light emitting diode chip disposed in each cavity, the number and arrangement of the first and second LED chips 131 and 132 Are not limited thereto.

제1 파장변환부(141)는 제1 발광 다이오드 칩(131)에서 방출된 광을 파장변환하는 형광체를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 파장변환부(141)는 제1 형광체(151)를 포함하고, 제1 형광체(151)는 제1 발광 다이오드 칩(131)에서 방출되는 청색광을 흡수하여 490 nm 내지 580 nm의 녹색광을 방출할 수 있는 것으로, BAM (Ba-Al-Mg) 계열의 형광체, 양자점 (quantum dot) 형광체, 실리케이트 (Silicate) 계열 형광체, 베타-사이알론 (beta-SiAlON) 계열 형광체, Oxynitride 계열 형광체, Thio Gallate 계열 형광체 및 가넷 (Garnet) 계열 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 본 발명에 따른 제1 형광체(151)의 종류는 이로 인해 제한되는 것이 아니다.The first wavelength converter 141 may include a phosphor for wavelength-converting the light emitted from the first LED chip 131. Specifically, the first wavelength converter 141 includes a first phosphor 151, and the first phosphor 151 absorbs blue light emitted from the first LED chip 131, and the first phosphor 151 absorbs blue light of 490 nm to 580 nm (Ba-Al-Mg) -based phosphor, a quantum dot phosphor, a silicate-based phosphor, a beta-SiAlON-based phosphor, an oxynitride-based phosphor, Thio Gallate-based fluorescent material, Garnet-based fluorescent material, or a combination thereof. The first fluorescent material 151 according to the present invention is not limited thereto.

제2 파장변환분(142)는 제2 발광 다이오드 칩(132)에서 방출된 광을 파장변환하는 형광체를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제2 파장변환부(142)는 제2 형광체(152)를 포함하고, 제2 형광체(152)는 제2 발광 다이오드 칩(132)에서 방출되는 청색광을 흡수하여 580 nm 내지 700 nm의 적색광을 방출할 수 있는 것으로, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 블화물계 형광체 및 양자점 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 본 발명에 따른 제2 형광체(152)의 종류는 이로 인해 제한되는 것이 아니다.The second wavelength conversion element 142 may include a phosphor for wavelength-converting the light emitted from the second LED chip 132. Specifically, the second wavelength converter 142 includes the second phosphor 152, the second phosphor 152 absorbs the blue light emitted from the second LED chip 132, And may include any one selected from the group consisting of a nitride-based fluorescent material, a sulfide-based fluorescent material, a blend-based fluorescent material, and a quantum dot fluorescent material, which can emit red light, and the second fluorescent material 152 ) Is not limited thereby.

발광 다이오드 패키지(1000)는 하우징(10)을 더 포함할 수 있다. 하우징(10)은 캐비티들을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 파장변환부들(141, 142)는 각각 상기 하우징(10)의 캐비티 내에 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 파장변환부(141)에서 방출된 광이 제2 파장변환부(142)로 입사되는 것이 차단될 수 있다. The light emitting diode package 1000 may further include a housing 10. The housing 10 may include cavities, and the first and second wavelength-converting portions 141 and 142 may be formed in the cavity of the housing 10, respectively. Accordingly, the light emitted from the first wavelength converter 141 can be blocked from being incident on the second wavelength converter 142.

하우징(10)은 일반적인 플라스틱(폴리머) 또는 ABS(acrylonitrile butadiene styrene), LCP(liquid crystalline polymer), PA(polyamide), IPS(polyphenylene sulfide), TPE(thermoplastic elastomer), EMC(epoxy molding compound), 또는 SMC(silicone molding compound) 등으로 형성될 수 있고, 메탈 또는 세라믹으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않고 다양한 물질들로 형성될 수 있다.The housing 10 may be made of a general plastic or an acrylonitrile butadiene styrene (ABS), a liquid crystalline polymer (LCP), a polyamide, a polyphenylene sulfide (IPS), a thermoplastic elastomer (TPE) An SMC (silicone molding compound), or the like, and may be formed of metal or ceramic, but not limited thereto, and may be formed of various materials.

특히, 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)이 자외선 발광 다이오드 칩인 경우, 하우징(10)은 세라믹으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 하우징(10)이 세라믹인 경우, 발광 다이오드 칩에서 방출된 자외선 광에 의해 세라믹을 포함하는 하우징(10)이 변색되거나 변질될 우려가 없어, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 유지할 수 있다. In particular, when the first light emitting diode chip 131 and the second light emitting diode chip 132 are ultraviolet light emitting diode chips, the housing 10 may be formed of ceramic. Specifically, when the housing 10 is made of ceramics, the housing 10 including the ceramics is not discolored or deteriorated due to the ultraviolet light emitted from the LED chip, so that the reliability of the LED package can be maintained.

도 5 내지 도 13은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구체적인 예를 설명하기 위한 도면들이다. 도 5는 파장변환부에 관한 구성을 생략하여 도시한 사시도이며, 도 6은 파장변환부에 관한 구성을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다. 또한, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도이다. 도 9는 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 A-A' 절단면의 단면도이고, 도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 B-B' 절단면의 단면도들로서, 도 10은 파장변환부가 없는 패키지를, 도 11은 파장변환부가 형성된 패키지를 나타낸다. 또한, 도 12 및 도 13은 파장변환부의 형태를 나타낸 단면도들로서, 도 12는 플레이트 형태의 파장변환부를, 도 13은 캐비티의 일부에서 칩을 몰딩하는 형태의 파장변환부를 나타낸 단면도이다.5 to 13 are views for explaining a specific example of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the wavelength converting section, and FIG. 6 is a perspective view showing a light emitting diode package including a configuration related to the wavelength converting section. 7 is a plan view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a bottom view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. 10 is a cross-sectional view of a BB 'sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. 11 shows a package in which a wavelength conversion section is formed. 12 and 13 are cross-sectional views showing a form of a wavelength conversion unit, FIG. 12 is a plate-shaped wavelength conversion unit, and FIG. 13 is a cross-sectional view showing a wavelength conversion unit in which a chip is molded in a part of a cavity.

제1, 제2 발광 다이오드 칩과 제1, 제2 형광체의 종류, 및 하우징의 재질에 관한 구성은 상기 도 4를 참조하여 설명한 바를 차용할 수 있다.The structures of the first and second light emitting diode chips, the types of the first and second phosphors, and the material of the housing can be the same as those described with reference to FIG.

도 5 내지 도 11을 참조하면, 하우징(110)은 제1 발광 다이오드 칩(131) 및/또는 제2 발광 다이오드 칩(132)에서 방출되는 광의 반사를 위하여 경사진 내벽을 포함할 수 있고, 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112)가 내벽에 의해 분리됨으로써 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112) 각각에 포함된 형광체가 서로 혼합되지 않을 수 있다.5-11, the housing 110 may include an inclined inner wall for reflection of light emitted from the first light emitting diode chip 131 and / or the second light emitting diode chip 132, The first and second cavities 111 and 112 may be separated from each other by the inner wall so that the phosphors included in the first cavity 111 and the second cavity 112 may not be mixed with each other.

일 예로, 도 5 및 도 6에서 나타낸 바와 같이, 하우징(110)은 제1 내지 제4 리드(121, 122, 123, 124)가 외부로 노출될 수 있도록 측면 내측에 형성된 제1 및 제2 캐비티(111, 112)를 가질 수 있다. 또한, 제1 및 제2 캐비티(111, 112)의 내벽 면은 수평면에 대하여 수직으로 형성되지 않고, 일정 각도로 기울어진 형상으로 형성될 수 있다. 따라서, 내벽 면은 발광 다이오드 칩에서 방출된 빛을 반사하는 반사면으로 형성될 수 있다. 일 예로, 반사면의 기울기는 수평면과 60 내지 80도 각도로 형성될 수 있다.5 and 6, the housing 110 includes first and second cavities 121, 122, 123, and 124 formed on the inner side of the side surface so that the first to fourth leads 121, 122, 123, and 124 may be exposed to the outside, (111, 112). In addition, the inner wall surfaces of the first and second cavities 111 and 112 may not be formed perpendicular to the horizontal plane but may be inclined at a predetermined angle. Accordingly, the inner wall surface may be formed as a reflecting surface reflecting light emitted from the light emitting diode chip. As an example, the inclination of the reflecting surface may be formed at an angle of 60 to 80 degrees with the horizontal plane.

한편, 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112)의 저면에 제1 리드(121) 및 제2 리드(122), 제3 리드(123) 및 제4 리드(124)의 이격된 공간을 채우는 전극 분리부(170)가 형성될 수 있다. 전극 분리부(170)는 제1 리드(121) 및 제2 리드(122)를 전기적으로 절연시키고, 제3 리드(123) 및 제4 리드(124)를 전기적으로 절연시킨다. 전극 분리부(170)는 하우징(110)의 일부일 수 있다. 일 예로, 제1 리드(121)와 제2 리드(122)의 이격 거리는 상면에서 약 200㎛ 이상일 수 있고, 하면에서 약 400㎛ 이상으로, 전극 분리부(170)의 하면이 상면보다 더 크게 형성될 수 있다. 전극 분리부(170)의 형상은 상부에서보다 하부에서 폭이 더 클 수 있고, 상부와 하부에 단차가 형성될 수도 있다. The space between the first lead 121 and the second lead 122, the third lead 123 and the fourth lead 124 is formed on the bottom surfaces of the first cavity 111 and the second cavity 112 The electrode separating unit 170 may be formed. The electrode separator 170 electrically isolates the first and second leads 121 and 122 and electrically isolates the third and fourth leads 123 and 124 from each other. The electrode separator 170 may be part of the housing 110. For example, the distance between the first lead 121 and the second lead 122 may be about 200 mu m or more on the upper surface, about 400 mu m or more on the lower surface, and the lower surface of the electrode separator 170 is formed larger . The shape of the electrode separator 170 may be larger at the lower portion than at the upper portion, and a step may be formed at the upper portion and the lower portion.

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 A-A' 절단면의 단면도를 나타낸 도 9를 참조하면, 전극 분리부(170)의 형상이 상부에서보다 하부에서 폭이 더 크다. 또한, 도 9 및 B-B' 절단면의 단면도를 나타낸 도 10 내지 도 13을 참조하면, 제1 리드(121), 제2 리드(122), 제3 리드(123) 및 제4 리드(124)는 하면의 면적 보다 상면의 면적이 더 넓게 형성될 수 있다.9, which is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, the shape of the electrode separator 170 is larger at the bottom than at the top. 10 to 13 showing a cross-sectional view of the cutting plane of FIG. 9 and BB ', the first lead 121, the second lead 122, the third lead 123, The area of the upper surface can be made wider than the area of the upper surface.

다시, 도 5 및 도 6을 참조하면, 제2 리드(122) 및 제4 리드(124)에 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)이 각각 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 리드(121)와 제1 발광 다이오드 칩(131)은 와이어본딩(W)에 의해 전기적으로 연결되며, 제3 리드(123)와 제2 발광 다이오드 칩(132) 또한 와이어본딩(W)에 의해 전기적으로 연결된다.5 and 6, the first light emitting diode chip 131 and the second light emitting diode chip 132 may be disposed on the second lead 122 and the fourth lead 124, respectively. In this case, the first lead 121 and the first LED chip 131 are electrically connected by wire bonding W, and the third lead 123 and the second LED chip 132 are also connected by wire bonding W).

제1 파장변환부(141, 241) 및/또는 제2 파장변환부(142, 242)는 볼록 렌즈 형태, 평판 형태, 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태(도면에 미도시) 등 다양한 형상으로 형성할 수 있고, 제1 파장변환부(141, 241)는 제1 형광체(151)를, 제2 파장변환부(142, 242)는 제2 형광체(152)를 각각 포함할 수 있다. The first wavelength conversion units 141 and 241 and / or the second wavelength conversion units 142 and 242 may have various shapes such as a convex lens shape, a flat plate shape, and a shape (not shown) And the first wavelength converter 141 and the second wavelength converter 141 may include the first phosphor 151 and the second wavelength converter 142 and 242 may respectively include the second phosphor 152.

도 7 내지 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 리드(121) 및 제3 리드(123)를 연결하는 제1 연결부(161); 및 제2 리드(122)와 제4 리드(124)를 연결하는 제2 연결부(162);를 더 포함할 수 있고, 제1 연결부(161)는 제1 리드(121) 및 제3 리드(123)보다 상대적으로 좁은 폭을 가지며, 제2 연결부(162)는 제2 리드(122) 및 제4 리드(124)보다 상대적으로 좁은 폭을 갖는 형태일 수 있다.7 to 8, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a first connection part 161 for connecting a first lead 121 and a third lead 123; And a second connection part 162 connecting the second lead 122 and the fourth lead 124. The first connection part 161 may include a first lead 121 and a third lead 123 And the second connection portion 162 may be of a shape having a relatively narrow width than the second lead 122 and the fourth lead 124. In addition,

제1 연결부(161) 및 제2 연결부(162)가 제1 리드(121) 및 제2 리드(122)보다 좁은 폭을 갖기 때문에, 하우징(110)이 제1 캐비티(111)와 제2 캐비티(112) 사이의 영역에 충전될 수 있어 발광 다이오드 패키지의 내구성이 향상될 수 있다.The first and second connection portions 161 and 162 are narrower than the first and second leads 121 and 122 so that the housing 110 can be separated from the first cavity 111 and the second cavity 122, 112), so that the durability of the light emitting diode package can be improved.

한편, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 캐소드 마크(180)를 포함하여, 캐소드 및 애노드의 위치를 용이하게 판별할 수 있다. 캐소드 마크(180)는 형태가 특별히 한정되지 않고, 홈이 파인 형태일 수 있고 또는 하우징(110)의 형태를 부분적으로 변형시킨 부분일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 리드(121) 및 제3 리드(123)가 노출된 부분에서 하우징(110)의 내벽이 두텁게 형성된 부분을 마련하여, 제조된 발광 다이오드 패키지의 물리적 충격에 의한 내구성을 향상시킬 수 있다.5 to 7, the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes the cathode mark 180 to easily determine the position of the cathode and the anode. The cathode mark 180 is not particularly limited in shape, and may be a groove-like shape or may be a portion that partially deforms the shape of the housing 110. The light emitting diode package according to an embodiment of the present invention may include a portion where the inner wall of the housing 110 is thickly formed at a portion where the first lead 121 and the third lead 123 are exposed, Durability due to physical impact can be improved.

또한, 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 내지 제4 리드(121, 122, 123, 124)의 상면 및 하면이 평평하게 형성되고, 제1 내지 제4 리드(121, 122, 123, 124)는 상면이 하면보다 넓은 면적을 갖도록 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112) 각각에 노출되는 형태일 수 있다. 또한, 제1 리드 내지 제4 리드(121 내지 124)의 상면이 하면보다 넓은 면적을 갖는 형태일 수 있다. 7 and 8, the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention includes first to fourth leads 121, 122, 123 and 124 formed on the upper and lower surfaces thereof, The first to fourth leads 121, 122, 123 and 124 may be exposed to the first cavity 111 and the second cavity 112, respectively, so that the upper surface has a wider area than the lower surface. In addition, the upper surfaces of the first to fourth leads 121 to 124 may have a larger area than the lower surface.

따라서, 발광 다이오드 칩이 실장되는 리드의 상면은 넓게 형성되어 복수 개의 발광 다이오드 칩이 실장될 수 있고, 하면은 보다 좁게 형성되어 하우징(110)에 의해 리드가 견고하게 배치될 수 있다.Therefore, the upper surface of the lead on which the LED chip is mounted can be widely formed to mount a plurality of LED chips, and the lower surface of the lead can be narrower and the lead can be firmly arranged by the housing 110.

도 11을 참조하면, 제1 파장변환부(141) 및 제2 파장변환부(142)는 각각 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112) 내에 몰딩될 수 있다. 제1 파장변환부(141) 및 제2 파장변환부(142)는 실리콘(silicone), 에폭시(epoxy), PMMA(polymethyl methacrylate), PE(polyethylene) 및 PS(polystyrene) 중 적어도 하나를 포함하는 투명 수지로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11, the first wavelength converter 141 and the second wavelength converter 142 may be molded in the first cavity 111 and the second cavity 112, respectively. The first wavelength conversion unit 141 and the second wavelength conversion unit 142 may be formed of a transparent material including at least one of silicone, epoxy, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene (PE), and polystyrene And may be formed of a resin.

몰딩 형태인 제1 파장변환부(141)는 투명 수지와 제1 형광체(151)의 혼합물을 이용한 디스펜싱 공정을 통해, 몰딩 형태인 제2 파장변환부(142)는 투명 수지와 제2 형광체(152)의 혼합물을 이용한 디스펜싱 공정을 통해 각각 형성할 수 있다. The first wavelength conversion unit 141, which is a molding type, diffuses through a dispensing process using a mixture of a transparent resin and the first fluorescent material 151, and the second wavelength conversion unit 142, which is a molding type, 152). ≪ / RTI >

제1 파장변환부(141) 및 제2 파장변환부(142)는 상이한 피크 파장을 가지는 광을 방출하며, 예를 들어 제1 파장변환부(141)는 제2 파장변환부(142)에 비해 상대적으로 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출 할 수 있다.For example, the first wavelength converter 141 and the second wavelength converter 142 emit light having different peak wavelengths. For example, the first wavelength converter 141 and the second wavelength converter 142 emit light having different peak wavelengths, It is possible to emit light having a relatively short peak wavelength.

본 실시예에 있어서, 제1 및 제2 파장변환부(141, 142)가 몰딩된 형태로 제1 및 제2 캐비티(111, 112) 내에 몰딩되어 제1 및 제2 캐비티(111, 112)를 채우는 것에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 종류의 파장변환부가 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)으로부터 이격된 플레이트 형태의 파장변환부(241, 242)가 사용될 수 있으며, 도 13에 도시된 바와 같이, 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112) 내의 일부 영역에서 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)을 몰딩하는 형태의 파장변환부(341, 342)가 사용될 수 있다.The first and second wavelength conversion parts 141 and 142 are molded in the first and second cavities 111 and 112 to form the first and second cavities 111 and 112 The present invention is not limited thereto, and various kinds of wavelength conversion sections can be used. For example, plate-shaped wavelength conversion units 241 and 242 spaced from the first LED chip 131 and the second LED chip 132 may be used as shown in FIG. 12, A wavelength conversion unit 341 for molding the first light emitting diode chip 131 and the second light emitting diode chip 132 in a partial area of the first cavity 111 and the second cavity 112, , 342) may be used.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)이 청색광을 방출하며, 제1 파장변환부(141, 241, 341)는 녹색광을 방출하고, 제2 파장변환부(142, 242, 342)는 적색광을 방출하는 형태일 수 있다. 이때, 녹색광의 피크 파장은 500 nm 내지 600 nm 이며, 적색광의 피크 파장은 600 nm 내지 700 nm 일 수 있다. 따라서, 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 제2 발광 다이오드 칩(132)과 제1 파장변환부(141, 241, 341) 및 제2 파장변환부(142, 242, 342)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention, the first light emitting diode chip 131 and the second light emitting diode chip 132 emit blue light, and the first wavelength converting parts 141, 241, and 341 Green light, and the second wavelength converter 142, 242, and 342 may emit red light. At this time, the peak wavelength of the green light may be 500 nm to 600 nm, and the peak wavelength of the red light may be 600 nm to 700 nm. Therefore, a mixture of light emitted from the first LED chip 131 and the second LED chip 132 and the first wavelength converter 141, 241, 341 and the second wavelength converter 142, 242, 342 The white light can be formed.

도 14는 상관색온도 2700K의 백색광을 구현하기 위한 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 녹색 형광체 및 적색 형광체의 색좌표 구현 영역을 각각 나타낸 것이며, 도 15는 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 녹색 형광체를 적용한 발광 다이오드 패키지의 분광분포 및 적색 형광체를 적용한 발광 다이오드 패키지의 분광분포를 각각 나타낸 것이다.FIG. 14 shows a color coordinate implementation region of a green phosphor and a red phosphor based on a blue light emitting diode chip for realizing a white light having a correlated color temperature of 2700K. FIG. A spectral distribution of a diode package, and a spectral distribution of a light emitting diode package to which a red phosphor is applied, respectively.

도 14를 참조하면, 1 지점과 6 지점, 2 지점과 5 지점, 3 지점과 4 지점에 해당하는 색좌표를 갖는 색을 혼합하는 경우, 각 지점을 연결하는 선의 중간 지점에 해당하는 영역의 상관색온도의 구현이 가능함을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 14, when colors having the color coordinates corresponding to the first point and the sixth point, the second point, the fifth point, the third point and the fourth point are mixed, the correlated color temperature of the region corresponding to the midpoint of the line connecting each point Can be implemented.

도 14에서 1, 2, 3 지점에 해당하는 색좌표 영역을 구현하기 위해 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 녹색 형광체를 적용하여 도 15의 1번 분광분포를 구현하고, 4, 5, 6 지점에 해당하는 색좌표 영역을 구현하기 위해 청색광 발광 다이오드 칩을 기반으로 한 적색 형광체를 적용하여 도 15의 2번 분광분포를 구현할 수 있다. 또한, 제1 파장변환부(141, 241, 341)에서 방출된 광의 제2 파장변환부(142, 242, 342)로의 입사가 차단되는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 전류를 인가하면 도 15의 3번 분광분포를 구현할 수 있다.In FIG. 14, a green phosphor based on a blue light emitting diode chip is applied to implement a chromaticity coordinate region corresponding to 1, 2, and 3 points, and the 1 st spectral distribution of FIG. 15 is implemented. 15 can be realized by applying a red phosphor based on a blue light emitting diode chip in order to realize a color coordinate region in which a blue color light emitting diode chip is used. The light emitting diode package according to an embodiment of the present invention in which the light emitted from the first wavelength converter 141, 241, or 341 is blocked from entering the second wavelength converter 142, 242, It is possible to realize the third spectral distribution in FIG.

이 때, 백색광은 CIE 색도도 (chromaticity diagram) 상의 영역 내에 있는 지점을 형성하는 x 및 y 색좌표를 나타내며, x 색좌표 및 y 색좌표는 구현하고자 하는 상관색온도에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 상관색온도가 2700K인 경우, X 색좌표는 0.43 내지 0.49 이고, y 색좌표는 0.37 내지 0.44 일 수 있다. 또한, 5000K인 경우, X색좌표는 0.33 내지 0.36, Y색좌표는 0.33 내지 0.39 이고, 4000K인 경우 X색좌표는 0.36 내지 0.40, Y색좌표는 0.35 내지 0.41 일 수 있다. 상기 수치 범위 내의 색좌표 내에서, 구현하고자 하는 평균연색지수, 특수연색지수, 상관색온도 영역 내의 백색광 분광분포를 구현할 수 있다.In this case, the white light represents x and y color coordinates forming a point in the region on the CIE chromaticity diagram, and the x color coordinates and the y color coordinates may differ depending on the correlated color temperature to be implemented. For example, if the correlated color temperature is 2700K, the X color coordinates may be 0.43 to 0.49 and the y color coordinates may be 0.37 to 0.44. In the case of 5000K, the X color coordinates are 0.33 to 0.36, the Y color coordinates are 0.33 to 0.39, and the 4000K color coordinate is 0.36 to 0.40 and the Y color coordinates are 0.35 to 0.41. Within the color coordinates within this numerical range, the mean color rendering index, special color rendering index, and white light spectral distribution within the correlated color temperature range to be implemented can be implemented.

제1 파장변환부(141, 241, 341) 및 제2 파장변환부(142, 242, 342)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 방출되는 광은 분광분포(spectral distribution) 곡선의 575 nm 내지 625 nm 사이의 피크 파장을 가질 수 있다. 따라서, 사람의 망막의 시감도가 최대 감도를 나타내는 555 nm 에 근접한 피크 파장을 갖도록 하여, 동일한 에너지로도 사람이 느끼는 밝기를 밝게 하여 발광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitted by the mixing of the light emitted from the first wavelength converter 141, the second wavelength converter 341 and the second wavelength converter 142 is converted into a spectral distribution curve of 575 nm to 625 nm Lt; / RTI > Therefore, it is possible to enhance the luminous efficiency by brightening the brightness felt by a person with the same energy by making the peak of the human retina close to 555 nm, which indicates the maximum sensitivity.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 연색 지수(color rendering index)가 83.5이고, 상관 색온도(correlated color temperature)가 2700K 일 때, 200mA 에서 측정한 광속(luminous flux)이 90 lm(lumen) 이상일 수 있거나, 연색 지수(color rendering index)가 89.4이고, 상관 색온도(correlated color temperature)가 2700K 일 때, 200mA 에서 측정한 광속(luminous flux)이 80 lm(lumen) 이상일 수 있다.In addition, the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention has a color rendering index of 83.5 and a luminous flux measured at 200 mA at a correlated color temperature of 2700 K of 90 lm ( lumen, or the luminous flux measured at 200 mA may be greater than 80 lm (lumen) when the color rendering index is 89.4 and the correlated color temperature is 2700K.

즉, 본 발명의 발명자들은, 종래 백색광을 방출하는 발광 다이오드 패키지와 같이 파장변환부에 복수의 형광체가 혼합되는 경우 형광체 상호간의 에너지 흡수에 따라 발광 효율 및 시감도가 감소하는 문제가 발생하였고, 이를 해결하기 위해 제1 파장변환부(141, 241, 341)에서 방출된 광의 제2 파장변환부(제2 파장변환부)로의 입사가 차단되는 구성을 채택하여, 파장변환부 상호간에 에너지 간섭이 발생되지 않도록 하는 동시에 구현하고자 하는 평균연색지수, 특수연색지수, 상관색온도 영역 내의 백색광을 방출할 수 있도록 하였다.That is, the inventors of the present invention have found that when a plurality of phosphors are mixed in a wavelength converting part such as a light emitting diode package that emits white light, the luminous efficiency and luminosity are reduced according to the energy absorption between the phosphors. (Second wavelength converter) of the light emitted from the first wavelength converter (141, 241, 341) is cut off so as to prevent the energy interference between the wavelength converters And at the same time emit white light in the average color rendering index, special color rendering index and correlated color temperature range to be implemented.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.16 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지와 유사하며, 다만 제3 발광 다이오드 칩(133); 및 상기 제3 발광 다이오드 칩(133)에서 방출된 광을 파장변환하는 제3 파장변환부(143);를 더 포함하고, 상기 제3 파장변환부(143)에서 방출된 광이 상기 제1 파장변환부(141)에서 방출된 광보다 상대적으로 더 짧은 피크 파장을 가지고, 상기 제3 파장변환부(143)에서 방출된 광의 상기 제1 파장변환부(141) 또는 제2 파장변환부(142)로의 입사가 차단될 수 있다.Referring to FIG. 16, the light emitting diode package according to this embodiment is similar to the light emitting diode package described with reference to FIG. 4 except that the third light emitting diode chip 133; And a third wavelength converter 143 for wavelength-converting the light emitted from the third LED chip 133. The third wavelength converter 143 converts the light emitted from the third wavelength converter 143 into the first wavelength The first wavelength converter 141 or the second wavelength converter 142 of the light emitted from the third wavelength converter 143 has a relatively shorter peak wavelength than the light emitted from the converting unit 141, Can be blocked.

도 17 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 도면들로서, 도 17은 도 5를 참조하여 설명한 발광 다이오드 패키지에 제3 파장변환부에 관한 구성을 더 포함하는 도면을 나타내고, 도 18은 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도를, 도 19는 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도를 나타낸 것이다.17 to 19 are diagrams for explaining a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a diagram further illustrating a configuration of a third wavelength converter in the light emitting diode package described with reference to FIG. 5 18 is a plan view of the light emitting diode package according to this embodiment, and Fig. 19 is a bottom view of the light emitting diode package according to this embodiment.

도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제3 캐비티(113); 제3 캐비티(113)에 노출된 제5 리드(125) 및 제6 리드(126); 제3 캐비티(113) 내에 실장된 제3 발광 다이오드 칩(133); 및 제3 캐비티(113) 내에 배치되고, 제3 발광 다이오드 칩(133)에서 방출된 광을 파장변환하는 제3 파장변환부(143);를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, the light emitting diode package according to the present embodiment includes a third cavity 113; A fifth lead 125 and a sixth lead 126 exposed in the third cavity 113; A third light emitting diode chip 133 mounted in the third cavity 113; And a third wavelength converter 143 disposed in the third cavity 113 for wavelength-converting the light emitted from the third light emitting diode chip 133.

즉, 본 발명은 필요에 따라 세 개 이상의 캐비티를 포함하고, 각 캐비티에 배치된 파장변환부들이 단일한 형광체를 포함하도록 함으로써, 형광체 상호간의 에너지 간섭에 의한 발광 효율 저하를 방지하는 동시에 목적하는 색을 구현할 수 있다.That is, the present invention includes three or more cavities as necessary, and the wavelength conversion units disposed in the respective cavities include a single phosphor, thereby preventing degradation in luminous efficiency due to energy interference between the phosphors, Can be implemented.

도 18 및 도 19을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 제1 리드(121) 및 제3 리드(123)를 연결하는 제1 연결부(161); 제2 리드(122)와 제4 리드(124)를 연결하는 제2 연결부(162); 제3 리드(123)와 제5 리드(125)를 연결하는 제3 연결부(163); 및 제4 리드(124)와 제6 리드(126)를 연결하는 제4 연결부(164);를 더 포함할 수 있고, 제1 연결부(161)는 제1 리드(121) 및 제3 리드(123)보다 상대적으로 좁은 폭을 가지며, 제2 연결부(162)는 제2 리드(122) 및 제4 리드(124)보다 상대적으로 좁은 폭을 갖고, 제3 연결부(163)는 제3 리드(123) 및 제5 리드(125)보다 상대적으로 좁은 폭을 갖는 형태일 수 있다.18 and 19, the light emitting diode package includes a first connection portion 161 for connecting the first lead 121 and the third lead 123; A second connection portion 162 connecting the second lead 122 and the fourth lead 124; A third connection part 163 connecting the third lead 123 and the fifth lead 125; And a fourth connection part 164 connecting the fourth lead 124 and the sixth lead 126. The first connection part 161 may include a first lead 121 and a third lead 123 The second connecting portion 162 has a width that is relatively narrower than that of the second and third leads 122 and 124 and the third connecting portion 163 has a width smaller than that of the third and fourth leads 123 and 123, And the fifth lead (125).

따라서, 제1 캐비티(111), 제2 캐비티(112), 및 제3 캐비티(113) 부분의 리드들이 제1 연결부(161), 제2 연결부(162), 제3 연결부(163) 및 제4 연결부(164)에 의해 전기적으로 연결되는 동시에 하우징(110)에 의해 견고하게 지지될 수 있으므로, 제조된 발광 다이오드 패키지의 물리적 충격에 의한 내구성이 향상될 수 있다.The leads of the first cavity 111, the second cavity 112 and the third cavity 113 are connected to the first connection portion 161, the second connection portion 162, the third connection portion 163, The light emitting diode package can be electrically connected by the connection portion 164 and can be firmly supported by the housing 110. Therefore, durability due to physical impact of the manufactured light emitting diode package can be improved.

본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 파장변환부(141, 241, 341), 제2 파장변환부(142, 242, 342) 및 제3 파장변환부(143)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성될 수 있다. 일 예로, 제3 발광 다이오드 칩(133)이 자외선을 방출하고, 제1 파장변환부(141, 241, 341)는 녹색광을, 제2 파장변환부(142, 242, 342)는 적색광을, 제3 파장변환부(143)는 청색광을 각각 방출할 수 있고, 따라서 제1 파장변환부(141, 241, 341), 제2 파장변환부(142, 242, 342), 제3 파장변환부(143)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성될 수 있다.The light emitting diode package according to the present embodiment is formed by mixing light emitted from the first wavelength converter 141, the second wavelength converter 141, the second wavelength converter 142, the second wavelength converter 143, and the third wavelength converter 143 White light can be formed. For example, the third light emitting diode chip 133 emits ultraviolet rays, the first wavelength converting sections 141, 241 and 341 emit green light, the second wavelength converting sections 142, 242 and 342 emit red light, The third wavelength converter 143 can emit blue light and the first wavelength converter 141, the second wavelength converter 142, the second wavelength converter 142, the third wavelength converter 143, The white light can be formed by mixing the light emitted from the light source.

즉, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 형광체 상호간의 에너지 간섭을 방지하여 광의 파장변환 효율을 향상시키는 동시에, 하우징 내 캐비티의 개수, 각 캐비티에 배치된 파장변환층 내 형광체의 종류, 발광 다이오드 칩의 종류를 제어함으로써 사용자의 선택에 따라 광의 종류를 상이하게 제어할 수 있다.That is, the light emitting diode package according to the present invention can prevent energy interference between phosphors to improve the wavelength conversion efficiency of light, and can improve the wavelength conversion efficiency of light by controlling the number of cavities in the housing, the type of phosphors in the wavelength conversion layer disposed in each cavity, The type of light can be controlled differently according to the user's selection by controlling the type.

도 20 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈을 설명하기 위한 사시도들이다.20 to 22 are perspective views illustrating a light emitting diode module according to an embodiment of the present invention.

도 20 및 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 전술한 실시예들에 따른 발광 다이오드 패키지(1000, 2000)가 기판 상에 실장된 형태일 수 있고, 도 20에서 나타낸 바와 같이 단수 또는 복수 개의 발광 다이오드 칩 및 단일한 형광체가 포함된 파장변환부가 각 발광 영역에 실장된 발광 다이오드 패키지가 기판 상에 실장된 형태일 수도 있다.20 and 21, the light emitting diode module according to the present embodiment may have a structure in which the light emitting diode packages 1000 and 2000 according to the above-described embodiments are mounted on a substrate, A light emitting diode package in which each of the light emitting regions is mounted with a wavelength converting portion including a single or a plurality of light emitting diode chips and a single phosphor may be mounted on a substrate.

기판(210)은 형태가 특별히 한정되지 않고, 발광 다이오드 패키지(1000, 2000)의 방열 특성 및 전기적 접속 관계 등을 고려해 다양한 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어 인쇄 회로 기판(printed circuit board)을 본 실시예의 기판(210)으로 사용할 수 있다.The shape of the substrate 210 is not particularly limited and various materials may be used in consideration of the heat dissipation characteristics of the light emitting diode packages 1000 and 2000 and the electrical connection relationship. For example, a printed circuit board May be used as the substrate 210 of the embodiment.

구체적으로, 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 모듈은 제1 발광 다이오드 칩(131) 및 상기 제1 발광 다이오드 칩(131)에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부(141)를 포함하는 제1 발광 영역(41); 제2 발광 다이오드 칩(132) 및 상기 제2 발광 다이오드 칩(132)에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부(142)를 포함하는 제2 발광 영역(43);을 포함하고, 상기 제1 파장변환부(141)는 상기 제2 파장변환부(142)에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며, 상기 제1 파장변환부(141)에서 파장변환된 광의 상기 제2 파장변환부(142)로의 입사가 차단될 수 있다.20, the light emitting diode module according to the present embodiment includes a first light emitting diode chip 131 and a first wavelength converter (not shown) for wavelength-converting the light emitted from the first light emitting diode chip 131 A first light emitting region (41) including a first light emitting region (141); And a second light emitting region (43) including a second light emitting diode chip (132) and a second wavelength converting portion (142) for wavelength converting the light emitted from the second light emitting diode chip (132) The first wavelength converter 141 emits light having a shorter peak wavelength than that of the second wavelength converter 142, and the second wavelength converter 142 converts the wavelength- The incidence of the light to the light source 142 can be blocked.

일 예로, 제1 및 제2 발광 다이오드 칩(131, 132)은 청색광을 방출하고, 상제1 파장변환부(141)는 500 nm 내지 600 nm의 녹색광을 방출하고, 제2 파장변환부(142)는 600 nm 내지 700 nm의 적색광을 방출하며, 제1 발광 다이오드 칩(131), 제2 발광 다이오드 칩(132), 제1 파장변환부(141) 및 제2 파장변환부(142)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성될 수 있다. For example, the first and second LED chips 131 and 132 emit blue light, the first wavelength converter 141 emits green light having a wavelength of 500 nm to 600 nm, the second wavelength converter 142, Emits red light of 600 nm to 700 nm and is emitted from the first LED chip 131, the second LED chip 132, the first wavelength converter 141 and the second wavelength converter 142 White light can be formed by mixing light.

도 21 및 도 22를 참조하면, 제3 발광 다이오드 칩(133) 및 제3 발광 다이오드 칩(133)에서 방출된 광을 파장변환하는 제3 파장변환부(143)를 포함하는 제3 발광 영역(43)을 더 포함하고, 제3 파장변환부(143)에서 방출된 광이 제1 파장변환부(141)에서 방출된 광보다 상대적으로 더 짧은 피크 파장을 가지고, 제3 파장변환부(143)에서 방출된 광의 제1 파장변환부(141) 또는 제2 파장변환부(142)로의 입사가 차단될 수 있다.21 and 22, the third light emitting diode chip 133 and the third light emitting area 133 including the third wavelength converter 143 for wavelength-converting the light emitted from the third light emitting diode chip 133 The third wavelength converter 143 has a relatively shorter peak wavelength than the light emitted from the first wavelength converter 141 and the third wavelength converter 143 converts the light emitted from the third wavelength converter 143 into the third wavelength converter 143, The incident light to the first wavelength converter 141 or the second wavelength converter 142 can be blocked.

제1, 제2, 및 제3 발광 다이오드 칩(131, 132, 133)은 자외선을 방출하고, 상기 제1 파장변환부(141)는 녹색광을, 상기 제2 파장변환부(142)는 적색광을, 상기 제3 파장변환부(143)는 청색광을 각각 방출하며, 상기 제1 파장변환부(141), 제2 파장변환부(142), 및 제3 파장변환부(143)에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성될 수 있다.The first, second, and third light emitting diode chips 131, 132, and 133 emit ultraviolet rays, the first wavelength converter 141 converts green light, and the second wavelength converter 142 converts red light The third wavelength converter 143 emits blue light and the mixture of lights emitted from the first wavelength converter 141, the second wavelength converter 142 and the third wavelength converter 143 The white light can be formed.

한편, 앞의 실시예들에 있어서, 백색광을 구현하는 것에 대해 주로 설명하였지만, 백색광에 한정되는 것은 아니며, 서로 다른 피크 파장을 가지는 적어도 두 종류의 형광체를 사용하여 혼색광을 방출하는 다양한 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈에 적용될 수 있을 것이다.In the above embodiments, the white light is not limited to the white light. However, the present invention is not limited to the white light, but may be applied to various light emitting diode packages that emit mixed light using at least two kinds of phosphors having different peak wavelengths. Or a light emitting diode module.

실험예Experimental Example 1 One

도 5를 참조하여, 하우징이 제1 캐비티(111) 및 제2 캐비티(112)를 갖고, 청색광 발광 다이오드 칩이 제2 리드(122) 및 제4 리드(124)에 배치되며, 청색광 발광 다이오드 칩과 제1 리드(121), 제3 리드(123)가 와이어본딩(W)에 의해 전기적으로 연결되는 발광 다이오드 패키지를 제조하였다.5, the housing has the first cavity 111 and the second cavity 112, the blue light emitting diode chip is disposed on the second lead 122 and the fourth lead 124, and the blue light emitting diode chip And the first and second leads 121 and 123 are electrically connected to each other by wire bonding (W).

제1 캐비티(111)를 몰딩하는 제1 파장변환부(141)는 YAG계, LuAG계, Ortho Silicate, Thio Gallate, Oxynitride, 또는 Beta-SiAlON계 등의 형광체가 포함되고, 제2 캐비티(112)를 몰딩하는 제2 파장변환부(142)는 CASN계, 258계, Sulfide계, 또는 Alpha-SiAlON계 등의 형광체가 포함되도록 하였고, 약 460nm의 피크 파장을 갖는 청색광 발광 다이오드 칩을 사용하였다.The first wavelength converter 141 for molding the first cavity 111 includes a phosphor such as YAG, LuAG, Ortho Silicate, Thio Gallate, Oxynitride, or Beta-SiAlON, A blue light emitting diode chip having a peak wavelength of about 460 nm was used as the second wavelength converting part 142 for molding the first wavelength converting part 142 to include a phosphor such as a CASN type, a 258 type, a sulfide type, or an Alpha-SiAlON type.

또한, 목표 연색 지수(color rendering index)를 80으로 하였을 때, 연색 지수(CRI)가 83.5, 적색광의 특수 연색 지수(R9)가 8.1, 상관 색온도(correlated color temperature)가 2700K 이 되도록 제어한 상태에서, 200 mA 전류를 흘려 주었고, 이 때의 색좌표(CIE) 및 광속(luminous flux)을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. When the target color rendering index is 80, the color rendering index (CRI) is 83.5, the special color rendering index (R9) of the red light is 8.1, and the correlated color temperature is controlled to 2700K , And a current of 200 mA was allowed to flow. The color coordinates (CIE) and the luminous flux at this time were measured and are shown in Table 1 below.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 비교군으로 청색광 발광 다이오드 칩이 실장되고 청색광 발광 형광체 및 적색광 발광 형광체가 모두 혼합된 파장변환부를 형성한 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지(Conventional CRI 80)를 제조하였고, 목표 연색 지수를 80으로 하여 하기 표 1과 같은 조건으로 색좌표 및 광속을 측정하였다.In the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, a blue light emitting diode chip is mounted as a comparative group, and a conventional light emitting diode package having a wavelength conversion part formed by mixing a blue light emitting fluorescent material and a red light emitting fluorescent material is formed. 80), and the color coordinates and luminous flux were measured under the conditions shown in Table 1 below, with the target color rendering index being 80. [

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈은 목적하는 색좌표, 연색 지수, 특수 연색 지수 등을 유지하여 백색광을 방출하는 동시에, 광속이 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지에 비해 7%가 높게 나타남을 확인할 수 있다.As shown in Table 1, the light emitting diode package or the light emitting diode module manufactured according to the embodiment of the present invention emits white light while maintaining a desired color coordinate, color rendering index, special color rendering index, The light emitting diode package according to the present invention is 7% higher than the light emitting diode package according to FIG.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈은 적색광 발광 형광체가 녹색광을 흡수하는 현상을 차단하여, 에너지 변환 효율 및 시감도를 향상시킬 수 있었음을 확인할 수 있다.Accordingly, it can be seen that the light emitting diode package or the light emitting diode module according to the embodiment of the present invention can prevent the red light emitting phosphor from absorbing the green light, thereby improving energy conversion efficiency and visibility.

실험예Experimental Example 2 2

상기 실험예 1에서 목표 연색 지수(color rendering index)를 90으로 설정한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 조건으로 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(2CH CRI 80)를 제조하였다.A light emitting diode package (2CH CRI 80) according to an embodiment of the present invention was manufactured under the same conditions as Experimental Example 1, except that the target color rendering index was set to 90 in Experimental Example 1.

또한, 연색 지수(CRI)가 89.4, 적색광의 특수 연색 지수(R9)가 47.2, 상관 색온도(correlated color temperature)가 2700K 이 되도록 제어한 상태에서, 200 mA 전류를 흘려 주었고, 이 때의 색좌표(CIE) 및 광속(luminous flux)을 측정하여 하기 표 2 및 도 23에 나타내었다. In addition, a current of 200 mA was supplied in a controlled state such that the CRI was 89.4, the special color rendering index R9 of the red light was 47.2, and the correlated color temperature was 2700K. The color coordinates (CIE ) And a luminous flux were measured and are shown in Table 2 and Fig. 23 below.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 비교군으로 청색광 발광 다이오드 칩이 실장되고 청색광 발광 형광체 및 적색광 발광 형광체가 모두 혼합된 파장변환부를 형성한 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지(Conventional CRI 90)를 제조하였고, 목표 연색 지수를 90으로 하여 하기 표 2와 같은 조건으로 색좌표 및 광속을 측정하였다.In the light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, a blue light emitting diode chip is mounted as a comparative group, and a conventional light emitting diode package having a wavelength conversion part formed by mixing a blue light emitting fluorescent material and a red light emitting fluorescent material is formed. 90), and the color coordinates and the luminous flux were measured under the conditions shown in Table 2 below, with the target color rendering index being 90.

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈은 목적하는 색좌표, 연색 지수, 특수 연색 지수 등을 유지하여 백색광을 방출하는 동시에, 광속이 높게 나타남을 확인할 수 있다.As shown in Table 2, the light emitting diode package or the light emitting diode module manufactured according to an embodiment of the present invention emits white light while maintaining a desired color coordinate, a color rendering index, a special color rendering index, etc., can confirm.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 또는 발광 다이오드 모듈은 적색광 발광 형광체가 녹색광을 흡수하는 현상을 차단하여, 에너지 변환 효율 및 시감도를 향상시킬 수 있었음을 확인할 수 있다.Accordingly, it can be seen that the light emitting diode package or the light emitting diode module according to the embodiment of the present invention can prevent the red light emitting phosphor from absorbing the green light, thereby improving energy conversion efficiency and visibility.

위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이므로, 본 발명이 상기 실시예에만 국한되는 것으로 이해돼서는 안 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It should be understood that the scope of the present invention is to be understood as the scope of the following claims and their equivalents.

10, 110: 하우징 41: 제1 발광 영역
42: 제2 발광 영역 43: 제3 발광 영역
210: 기판 111: 제1 캐비티
112: 제2 캐비티 113: 제3 캐비티
121: 제1 리드 122: 제2 리드
123: 제3 리드 124: 제4 리드
125: 제5 리드 126: 제6 리드
131: 제1 발광 다이오드 칩 132: 제2 발광 다이오드 칩
133: 제3 발광 다이오드 칩 141, 241, 341: 제1 파장변환부
142, 242, 342: 제2 파장변환부 143: 제3 파장변환부
151: 제1 형광체 152: 제2 형광체
161: 제1 연결부 162: 제2 연결부
163: 제3 연결부 164: 제4 연결부
121a: 제1 리드 상면 121b: 제1 리드 하면
122a: 제2 리드 상면 122b: 제2 리드 하면
123a: 제3 리드 상면 123b: 제3 리드 하면
124a: 제4 리드 상면 124b: 제4 리드 하면
125a: 제5 리드 상면 125b: 제5 리드 하면
126a: 제6 리드 상면 126b: 제6 리드 하면
170: 전극 분리부 180: 캐소드 마크
W: 와이어본딩
1000: 제1 패키지
2000: 제2 패키지 10, 110: housing 41: first light emitting region
42: second light emitting region 43: third light emitting region
210: substrate 111: first cavity
112: second cavity 113: third cavity
121: first lead 122: second lead
123: third lead 124: fourth lead
125: fifth lead 126: sixth lead
131: first light emitting diode chip 132: second light emitting diode chip
133: Third light emitting diode chip 141, 241, 341: First wavelength converter
142, 242, 342: second wavelength converter 143: third wavelength converter
151: first phosphor 152: second phosphor
161: first connection part 162: second connection part
163: third connection part 164: fourth connection part
121a: first lead upper surface 121b: first lead lower surface
122a: second lead upper surface 122b: second lead lower surface
123a: third lead upper surface 123b: third lead lower surface
124a: fourth lead upper surface 124b: fourth lead lower surface
125a: fifth lead upper surface 125b: fifth lead lower surface
126a: sixth lead upper surface 126b: sixth lead
170: electrode separator 180: cathode mark
W: Wire bonding
1000: First package
2000: Second package

Claims (16)

제1 발광 다이오드 칩;
상기 제1 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부;
제2 발광 다이오드 칩; 및
상기 제2 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부;를 포함하고,
상기 제1 파장변환부는 상기 제2 파장변환부에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며,
상기 제1 파장변환부에서 방출된 광의 상기 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 패키지.
A first light emitting diode chip;
A first wavelength converter for wavelength-converting the light emitted from the first light emitting diode chip;
A second light emitting diode chip; And
And a second wavelength converter for wavelength-converting the light emitted from the second light emitting diode chip,
Wherein the first wavelength converter emits light having a shorter peak wavelength than the second wavelength converter,
And the light emitted from the first wavelength converter is blocked from entering the second wavelength converter.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 발광 다이오드 칩 및 제2 발광 다이오드 칩은 각각 청색광 또는 자외선을 방출하는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting diode chip and the second light emitting diode chip emit blue light or ultraviolet light, respectively.
청구항 2에 있어서,
상기 제1 발광 다이오드 칩 및 제2 발광 다이오드 칩은 청색광을 방출하며,
상기 제1 파장변환부는 녹색광을 방출하고, 상기 제2 파장변환부는 적색광을 방출하는, 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 2,
Wherein the first light emitting diode chip and the second light emitting diode chip emit blue light,
Wherein the first wavelength converter emits green light and the second wavelength converter emits red light.
청구항 3에 있어서,
상기 녹색광의 피크 파장은 490 nm 내지 580 nm 이며, 상기 적색광의 피크 파장은 580 nm 내지 700 nm 인, 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 3,
Wherein a peak wavelength of the green light is 490 nm to 580 nm and a peak wavelength of the red light is 580 nm to 700 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광 다이오드 칩, 상기 제1 및 제2 파장변환부에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성되는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the white light is formed by mixing light emitted from the first and second light emitting diode chips and the first and second wavelength converters.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 파장변환부는 제1 형광체를 포함하고,
상기 제1 형광체는 BAM (Ba-Al-Mg) 계열의 형광체, 양자점 (quantum dot) 형광체, 실리케이트 (Silicate) 계열 형광체, 베타-사이알론 (beta-SiAlON) 계열 형광체, Oxynitride 계열 형광체, Thio Gallate 계열 형광체, 및 가넷 (Garnet) 계열 형광체로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 제2 파장변환부는 제2 형광체를 포함하고,
상기 제2 형광체는 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 블화물계 형광체 및 양자점 형광체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength converter includes a first phosphor,
The first phosphor may be a BAM (Ba-Al-Mg) phosphor, a quantum dot phosphor, a silicate phosphor, a beta-SiAlON phosphor, an oxynitride phosphor, A phosphor, and a garnet fluorescent material,
Wherein the second wavelength converter includes a second phosphor,
Wherein the second phosphor includes any one selected from the group consisting of a nitride-based fluorescent material, a sulfide-based fluorescent material, a blend-based fluorescent material, and a quantum dot fluorescent material, or a combination thereof.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 파장변환부 및 제2 파장변환부는 각각 상기 제1 형광체 및 제2 형광체가 분포된 투명 수지를 더 포함하는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength converter and the second wavelength converter each further include a transparent resin in which the first phosphor and the second phosphor are distributed.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 파장변환부 및 제2 파장변환부에서 방출되는 광의 혼합에 의해 방출되는 광은 분광분포(spectral distribution) 곡선의 575 nm 내지 625 nm 사이의 피크 파장을 가지는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitted by the mixture of light emitted from the first wavelength converter and the second wavelength converter has a peak wavelength between 575 nm and 625 nm of a spectral distribution curve.
청구항 1에 있어서,
제3 발광 다이오드 칩; 및
상기 제3 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제3 파장변환부;를 포함하고,
상기 제3 파장변환부에서 방출된 광이 상기 제1 파장변환부에서 방출된 광보다 상대적으로 더 짧은 피크 파장을 가지고,
상기 제3 파장변환부에서 방출된 광의 상기 제1 파장변환부 또는 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 패키지.
The method according to claim 1,
A third light emitting diode chip; And
And a third wavelength converter for wavelength-converting the light emitted from the third light emitting diode chip,
Wherein the light emitted from the third wavelength converter has a relatively shorter peak wavelength than the light emitted from the first wavelength converter,
The light emitted from the third wavelength converter is blocked from entering the first wavelength converter or the second wavelength converter.
청구항 9에 있어서,
상기 제1 내지 제3 발광 다이오드 칩은 자외선을 방출하고,
상기 제1 파장변환부는 녹색광을, 상기 제2 파장변환부는 적색광을, 상기 제3 파장변환부는 청색광을 각각 방출하는, 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 9,
The first to third light emitting diode chips emit ultraviolet rays,
Wherein the first wavelength converter converts green light, the second wavelength converter converts red light, and the third wavelength converter converts blue light.
청구항 10에 있어서,
상기 제1 파장변환부, 제2 파장변환부, 및 제3 파장변환부에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성되는, 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 10,
And the white light is formed by mixing light emitted from the first wavelength converter, the second wavelength converter, and the third wavelength converter.
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 하나의 항에 따른 발광 다이오드 패키지가 기판 상에 실장된, 발광 다이오드 모듈.
A light emitting diode module according to any one of claims 1 to 11 mounted on a substrate.
제1 발광 다이오드 칩 및 상기 제1 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제1 파장변환부를 포함하는 제1 발광 영역; 및
제2 발광 다이오드 칩 및 상기 제2 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제2 파장변환부를 포함하는 제2 발광 영역;을 포함하고,
상기 제1 파장변환부는 상기 제2 파장변환부에 비해 짧은 피크 파장을 가지는 광을 방출하며,
상기 제1 파장변환부에서 파장변환된 광의 상기 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 모듈.
A first light emitting area including a first light emitting diode chip and a first wavelength converting part for wavelength-converting light emitted from the first light emitting diode chip; And
And a second light emitting area including a second light emitting diode chip and a second wavelength converting part for performing wavelength conversion on light emitted from the second light emitting diode chip,
Wherein the first wavelength converter emits light having a shorter peak wavelength than the second wavelength converter,
And the light incident on the second wavelength converter is cut off by the first wavelength converter.
청구항 13에 있어서,
상기 제1 및 제2 발광 다이오드 칩은 청색광을 방출하고,
상기 제1 파장변환부는 490 nm 내지 580 nm의 녹색광을 방출하고, 상기 제2 파장변환부는 580 nm 내지 700 nm의 적색광을 방출하며,
상기 제1 발광 다이오드 칩, 제2 발광 다이오드 칩, 제1 파장변환부 및 제2 파장변환부에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성되는, 발광 다이오드 모듈.
14. The method of claim 13,
The first and second light emitting diode chips emit blue light,
Wherein the first wavelength converter emits green light of 490 nm to 580 nm and the second wavelength converter emits red light of 580 nm to 700 nm,
Wherein the white light is formed by mixing light emitted from the first light emitting diode chip, the second light emitting diode chip, the first wavelength converter, and the second wavelength converter.
청구항 13에 있어서,
제3 발광 다이오드 칩 및 상기 제3 발광 다이오드 칩에서 방출된 광을 파장변환하는 제3 파장변환부를 포함하는 제3 발광 영역을 더 포함하고,
상기 제3 파장변환부에서 방출된 광이 상기 제1 파장변환부에서 방출된 광보다 상대적으로 더 짧은 피크 파장을 가지고,
상기 제3 파장변환부에서 방출된 광의 상기 제1 파장변환부 또는 제2 파장변환부로의 입사가 차단되는, 발광 다이오드 모듈.
14. The method of claim 13,
And a third light emitting area including a third light emitting diode chip and a third wavelength converting part for performing wavelength conversion on light emitted from the third light emitting diode chip,
Wherein the light emitted from the third wavelength converter has a relatively shorter peak wavelength than the light emitted from the first wavelength converter,
And the light emitted from the third wavelength converter is blocked from entering the first wavelength converter or the second wavelength converter.
청구항 15에 있어서,
상기 제1, 제2, 및 제3 발광 다이오드 칩은 자외선을 방출하고,
상기 제1 파장변환부는 녹색광을, 상기 제2 파장변환부는 적색광을, 상기 제3 파장변환부는 청색광을 각각 방출하며,
상기 제1 파장변환부, 제2 파장변환부, 및 제3 파장변환부에서 방출되는 광의 혼합에 의해 백색광이 형성되는, 발광 다이오드 모듈.
16. The method of claim 15,
The first, second, and third light emitting diode chips emit ultraviolet light,
Wherein the first wavelength converter converts green light, the second wavelength converter converts red light, and the third wavelength converter converts blue light,
Wherein the white light is formed by mixing light emitted from the first wavelength converter, the second wavelength converter, and the third wavelength converter.
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WO2024085634A1 (en) * 2022-10-20 2024-04-25 서울바이오시스주식회사 Light-emitting device and display device comprising same

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