KR20180008242A - Bulk Acoustic wave filter device - Google Patents

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KR20180008242A
KR20180008242A KR1020160154674A KR20160154674A KR20180008242A KR 20180008242 A KR20180008242 A KR 20180008242A KR 1020160154674 A KR1020160154674 A KR 1020160154674A KR 20160154674 A KR20160154674 A KR 20160154674A KR 20180008242 A KR20180008242 A KR 20180008242A
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이재창
조성민
이태경
이문철
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삼성전기주식회사
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Abstract

An acoustic wave filter device is disclosed. The acoustic wave filter device includes a substrate; a plurality of resonance parts formed on the substrate; and an electrode connection part interconnecting the electrodes of the resonance parts, silicon oxide (SiO2) or a material formed on the substrate and containing silicon oxide (SiO2), a first layer made of aluminum nitride (AlN), or a material containing aluminum nitride (AlN), and a second layer formed to be disposed in a region excluding the lower part of the electrode connection part on the first layer and made of silicon nitride (SiN) or a material containing silicon nitride (SiN). It is possible to reduce insertion loss.

Description

탄성파 필터 장치{Bulk Acoustic wave filter device}[0001] The present invention relates to an acoustic wave filter device,

본 발명은 탄성파 필터 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an acoustic wave filter device.

오늘날 통신기술이 급속도로 발전함에 따라 그에 상응하는 신호처리기술과 고주파(RF) 부품 기술의 발전이 요구되고 있다.Background Art [0002] With the rapid development of communication technology today, corresponding signal processing technology and development of high frequency (RF) component technology are required.

특히, 무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 고주파 부품 중 필터의 소형화는 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 벌크 음향 공진기(BAW, Bulk Acoustic Wave) 형태의 필터 제조로 현실화되고 있다.Particularly, miniaturization of high frequency component technology has been actively demanded in accordance with the miniaturization of wireless communication devices. In order to miniaturize filters in high frequency components, filter manufacturing in the form of bulk acoustic resonator (BAW, Bulk Acoustic Wave) .

벌크 음향 공진기(BAW)란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다. 또한, 벌크 음향 공진기의 이용분야로는 이동통신긱, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등이 있다.The bulk acoustic resonator (BAW) is a thin film type device which is formed by depositing a piezoelectric dielectric material on a silicon wafer as a semiconductor substrate and inducing resonance by using its piezoelectric characteristics as a filter. In addition, the field of use of the bulk acoustic resonator includes a small-sized lightweight filter such as a mobile communication device, a chemical and a bio-device, an oscillator, a resonant element, and an acoustic resonance mass sensor.

한편, 벌크 음향 공진기의 특성을 높이기 위한 여러 가지 구조적 형상 및 기능에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 특성의 변화를 줄이고자 하는 구조 및 기술에 대한 개발이 필요한 실정이다.On the other hand, various structural shapes and functions for enhancing the characteristics of the bulk acoustic resonator have been studied, and it is necessary to develop a structure and a technique for reducing the variation of characteristics.

대한민국 특허공개공보 제2011-0041814호Korean Patent Laid-Open Publication No. 2011-0041814

삽입 손실(Insertion loss)을 저감시킬 수 있는 탄성파 필터 장치가 제공된다.
There is provided an elastic wave filter device capable of reducing insertion loss.

본 발명의 일 실시예에 따른 탄성파 필터 장치는 기판과, 상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부 및 상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부를 포함하며, 상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 상기 전극연결부의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함할 수 있다.
An elastic wave filter device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a plurality of resonance parts formed on the substrate, and electrode connection parts interconnecting the electrodes of the resonance part, 2 ) or a material containing silicon oxide (SiO 2 ), aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN), and a first layer formed on the first layer, And a second layer made of silicon nitride (SiN) or silicon nitride (SiN).

삽입 손실(Insertion loss)을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.There is an effect that the insertion loss can be reduced.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 일부분을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a plan view schematically showing an acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic sectional view showing a part of an acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention.
3 to 11 are process diagrams for explaining the method of manufacturing the acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 일부분을 나타내는 개략 단면도이다.
FIG. 1 is a plan view schematically showing an acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view showing a part of an acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 기판(110), 기판(110) 상에 형성되는 복수개의 공진부(120), 공진부(120)의 상호 간을 전기적으로 연결하기 위한 전극 연결부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.1 and 2, the elastic wave filter device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 110, a plurality of resonator units 120 formed on the substrate 110, And an electrode connection part 130 for electrically connecting the parts 120 to each other.

즉, 탄성파 필터 장치(100)는 복수개의 공진부(120)가 구비되며, 각 공진부(120)는 전극 연결부(130)를 통해 연결되어 필터 특성을 구현하는 것이다.That is, the elastic wave filter device 100 includes a plurality of resonator units 120, and each of the resonator units 120 is connected through the electrode connection unit 130 to realize the filter characteristic.

여기서, 공진부(120)라 함은 후술할 압전체층(170)의 변형 시 압전체층(170)과 함께 변형되는 구성을 말한다.
Here, the resonance part 120 refers to a configuration that is deformed together with the piezoelectric layer 170 when the piezoelectric layer 170 is deformed as described later.

한편, 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 제1층(140)을 더 포함할 수 있다. 제1층(140)은 기판(110) 및 에어갭(A) 상에 형성된다. 즉, 제1층(140)은 후술할 기판(110) 상에 형성되는 희생층(220)을 덮도록 기판(110) 및 희생층(220) 상에 형성된다. 이후, 희생층(220)이 제거되는 경우 제1층(140)의 하부에는 에어갭(A)이 형성되는 것이다.Meanwhile, the elastic wave filter device 100 may further include a first layer 140 as an example. The first layer 140 is formed on the substrate 110 and the air gap A. [ That is, the first layer 140 is formed on the substrate 110 and the sacrifice layer 220 so as to cover the sacrifice layer 220 formed on the substrate 110 to be described later. Thereafter, when the sacrificial layer 220 is removed, an air gap A is formed under the first layer 140.

일예로서, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1층(140)은 희생층(220)의 제거 공정 시 공진부(120) 하단부의 식각을 방지하는 역할도 수행한다.
As an example, the first layer 140 may be formed of a material containing the material, aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN) which contains a silicon oxide (SiO 2) or silicon oxide (SiO 2). The first layer 140 also prevents etching of the lower end of the resonator 120 during the removal process of the sacrifice layer 220.

나아가, 제2층(150)은 제1층(140) 상에 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며, 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.The second layer 150 is formed on the first layer 140 in a region except the lower part of the electrode connection part 130 and is made of a material containing silicon nitride (SiN) or silicon nitride (SiN) .

일예로서, 제2층(150)은 제1층(140) 전체 영역에 형성된 후, 전극 연결부(130)가 형성될 제1층(140) 상의 일부 영역에서 제거될 수 있다. 이때, 제2층(150)은 패터닝에 의해 제거될 수 있다.As an example, the second layer 150 may be formed over the entire area of the first layer 140 and then removed from a portion of the first layer 140 where the electrode connection 130 is to be formed. At this time, the second layer 150 may be removed by patterning.

한편, 제2층(150)은 제1층(140)과 함께 공진부(120)에 의한 스트레스를 보상할 수 있으며, 공진부(120) 구조의 변형, 일예로서 에어갭(A)이 형성된 영역에서 제1층(140)과 기판(110)이 접합되거나, 공진부(120)와 공진부(120)의 인접 영역에서 뒤틀리는 현상을 저감시키는 역할을 수행한다.The second layer 150 may compensate the stress caused by the resonator 120 together with the first layer 140 and may be deformed in the region where the air gap A is formed The first layer 140 and the substrate 110 are bonded to each other or the first layer 140 and the resonator 120 are twisted in the adjacent region.

나아가, 제2층(150)이 상기한 바와 같이, 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되므로, 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형이 발생되는 것을 저감하여 공진부(120)가 뒤틀리는 현상을 방지할 수 있는 것이다.
Further, since the second layer 150 is disposed in a region except for the lower portion of the electrode connection portion 130 as described above, it is possible to reduce the occurrence of stress unbalance in the outer region of the resonance portion 120, Can be prevented from being twisted.

기판(110)은 실리콘이 적층된 기판일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)가 기판으로 이용될 수 있다. 한편, 기판(110)의 상면에는 실리콘의 보호를 위한 보호층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 상기한 희생층(220)의 제거 공정 시 기판(110)의 식각을 방지하기 위해서 기판(110)의 상면에는 보호층이 형성되는 것이다.
The substrate 110 may be a substrate on which silicon is stacked. For example, a silicon wafer (Silicon Wafer) can be used as a substrate. On the other hand, a protective layer (not shown) for protecting silicon may be formed on the upper surface of the substrate 110. That is, a protective layer is formed on the upper surface of the substrate 110 to prevent the substrate 110 from being etched during the removal process of the sacrificial layer 220.

한편, 공진부(120)는 도 2에 보다 자세하게 도시된 바와 같이, 하부전극(160), 압전체층(170), 상부전극(180), 프레임층(190), 제3층(200) 및 금속패드(210)를 포함하여 구성될 수 있다.
2, the resonator unit 120 includes a lower electrode 160, a piezoelectric layer 170, an upper electrode 180, a frame layer 190, a third layer 200, and a metal And a pad 210.

하부전극(160)은 제2층(150) 상에 형성된다. 일예로서, 하부전극(160)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. The lower electrode 160 is formed on the second layer 150. As an example, the lower electrode 160 may be formed of a conductive material such as molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), tungsten (W), iridium (Ir), platinum Alloy. ≪ / RTI >

또한, 하부전극(160)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다. 예를 들어, 하부전극(160)이 입력 전극인 경우 상부전극(180)은 출력 전극일 수 있으며, 하부전극(160)이 출력 전극인 경우 상부전극(180)은 입력 전극일 수 있다.
In addition, the lower electrode 160 may be used as either an input electrode or an output electrode for injecting an electrical signal such as an RF (Radio Frequency) signal. For example, when the lower electrode 160 is an input electrode, the upper electrode 180 may be an output electrode, and when the lower electrode 160 is an output electrode, the upper electrode 180 may be an input electrode.

압전체층(170)은 하부전극(160)의 적어도 일부를 덮도록 형성된다. 그리고, 압전체층(170)은 하부전극(160) 또는 상부전극(180)으로부터 입력되는 전기적 신호를 탄성파(Acoustic wave)로 변환하는 역할을 수행한다.The piezoelectric layer 170 is formed to cover at least a part of the lower electrode 160. The piezoelectric layer 170 converts an electrical signal input from the lower electrode 160 or the upper electrode 180 into an acoustic wave.

일예로서, 상부전극(180)에 시간적으로 변화하는 전계가 유지되는 경우, 압전체층(170)은 상부전극(180)으로부터 입력되는 전기적 신호를 물리적 진동으로 변환할 수 있다. 그리고, 압전체층(170)은 변환된 물리적 진동을 탄성파로 변환할 수 있다. 이때, 시간적으로 변화하는 전계가 유기될 수 있다. 그러면, 압전체층(170)은 유기된 전계를 이용하여 배향된 압전체층(170) 내에서 두께 진동 방향과 동일한 방향으로 체적 탄성파(bulk acoustic wave)를 발생시킬 수 있다.For example, when a temporally varying electric field is maintained in the upper electrode 180, the piezoelectric layer 170 can convert an electric signal input from the upper electrode 180 into physical vibration. Then, the piezoelectric layer 170 can convert the converted physical vibration into an elastic wave. At this time, an electric field which changes with time can be induced. Then, the piezoelectric layer 170 can generate a bulk acoustic wave in the same direction as the thickness vibration direction in the piezoelectric layer 170 oriented using the induced electric field.

이처럼 압전체층(170)은 체적 탄성파를 발생시켜 전기적 신호를 탄성파로 변환할 수 있는 것이다.As described above, the piezoelectric layer 170 generates a bulk acoustic wave to convert an electrical signal into an acoustic wave.

이때, 압전체층(170)은 하부전극(160)의 상부에 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있다.
At this time, the piezoelectric layer 170 may be formed by depositing aluminum nitride, zinc oxide, or lead zirconate titanate on the lower electrode 160.

상부전극(180)은 압전체층(170) 상에 형성되며, 일예로서 하부전극(160)과 같이 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 또한,상부전극(180)은 상기한 바와 같이 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호를 주입하는 입력 전극 및 출력 전극 중 어느 하나로 이용될 수 있다.
The upper electrode 180 is formed on the piezoelectric layer 170 and may be formed of a material such as molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), tungsten (W), iridium Ir, Platinum (Pt), or the like, or an alloy thereof. In addition, the upper electrode 180 may be used as either an input electrode or an output electrode for injecting an electrical signal such as an RF (Radio Frequency) signal as described above.

프레임층(190)은 상부전극(180) 상에 형성된다. 일예로서, 프레임(190)은 공진부(120)의 중앙부를 제외한 영역에 배치되도록 상부전극(180) 상에 형성될 수 있다. 한편, 프레임층(190)은 상부전극(180)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 프레임층(190)은 상부전극(180)과 서로 다른 재질로 이루어질 수도 있을 것이다.A frame layer 190 is formed on the upper electrode 180. For example, the frame 190 may be formed on the upper electrode 180 so as to be disposed in an area other than a central portion of the resonator part 120. Meanwhile, the frame layer 190 may be made of the same material as the upper electrode 180. However, the present invention is not limited thereto, and the frame layer 190 may be made of a different material from the upper electrode 180.

프레임층(190)은 공진 시 발생하는 측면판(Lateral Wave)를 활성 영역 내부로 반사시켜 공진 에너지를 활성 영역에 가두어 두는 역할을 수행한다.
The frame layer 190 reflects a lateral wave generated during resonance to the inside of the active region to confine the resonant energy in the active region.

한편, 본 실시예에서는 프레임층(190)이 상부전극(180)의 상부에 형성되는 경우를 예로 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 프레임층(190)이 먼저 압전체층(170) 상에 형성되고, 프레임층(190)을 덮도록 상부전극(180)이 형성될 수도 있다.
In the present embodiment, the frame layer 190 is formed on the upper electrode 180. However, the present invention is not limited thereto. The frame layer 190 may be formed on the piezoelectric layer 170 The upper electrode 180 may be formed to cover the frame layer 190. [

제3층(200)은 프레임층(190) 및 상부전극(180)을 덮도록 형성된다. 한편, 제3층(200)은 공정 중 프레임층(190) 및 상부전극(180)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행하며, 나아가 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 제3층(200)의 두께가 조절될 수 있다.The third layer 200 is formed to cover the frame layer 190 and the upper electrode 180. Meanwhile, the third layer 200 prevents damage to the frame layer 190 and the upper electrode 180 during the process. Further, in the final process, the third layer 200 is etched to adjust the frequency, Can be adjusted.

그리고, 도면에는 자세히 도시하지 않았으나 제3층(200)은 금속패드(210)가 형성되는 영역을 제외한 다른 모든 영역에 형성될 수도 있다.
Although not shown in the drawings, the third layer 200 may be formed in all other regions except the region where the metal pad 210 is formed.

금속패드(210)는 하부전극(160) 및 상부전극(180)에 전기적으로 연결되도록 형성된다.
The metal pad 210 is formed to be electrically connected to the lower electrode 160 and the upper electrode 180.

상기한 바와 같이, 제2층(150)은 제1층(140)과 함께 공진부(120)에 의한 스트레스를 보상할 수 있으며, 공진부(120) 구조의 변형, 일예로서 에어갭(A)이 형성된 영역에서 제1층(140)과 기판(110)이 접합되거나, 공진부(120)와 공진부(120)의 인접 영역에서 뒤틀리는 현상을 저감시키는 역할을 수행할 수 있다.As described above, the second layer 150 can compensate for the stress caused by the resonator 120 together with the first layer 140, and the deformation of the structure of the resonator 120, for example, the air gap A, The first layer 140 and the substrate 110 can be bonded to each other or the first layer 140 and the substrate 110 can be prevented from being twisted in the adjacent region between the resonator 120 and the resonator 120.

나아가, 제2층(150)이 상기한 바와 같이, 전극 연결부(130)의 하부를 제외한 영역에 배치되므로, 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형에 기인하여 공진부(120)가 뒤틀리는 현상을 방지할 수 있다.Further, since the second layer 150 is disposed in a region other than the lower portion of the electrode connection portion 130 as described above, the resonance portion 120 is twisted due to unbalanced stress in the outer region of the resonance portion 120 The phenomenon can be prevented.

다시 말해, 제2층(150)이 공진부(120)의 하부 영역에만 형성되는 경우와 비교하여 공진부(120)의 외측 영역에서의 스트레스 불균형에 기인한 공진부(120)의 뒤틀림 현상을 방지할 수 있다.In other words, as compared with the case where the second layer 150 is formed only in the lower region of the resonator portion 120, it is possible to prevent the resonator portion 120 from being twisted due to stress unevenness in the region outside the resonator portion 120 can do.

또한, 전극 연결부(130)에서 제2층(150)을 제거하여 삽입손실(Insertion loss)를 저감시킬 수 있다.In addition, insertion loss can be reduced by removing the second layer 150 from the electrode connection part 130.

다시 말해, 전극 연결부(130)에서의 누설(Leakage) 특성을 개선하여 전체 필터 장치의 특성(IL 특성) 개선에 기여할 수 있으며, 전극 연결부(130)를 제외한 영역에서는 제1층(140)과 제2층(150)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하여 스트레스(Stess) 변동으로 인한 이상 구조(Stiction) 발생을 제어할 수 있다.In other words, it is possible to improve the leakage characteristic in the electrode connection part 130, thereby contributing to the improvement of the characteristics (IL characteristics) of the entire filter device. In a region excluding the electrode connection part 130, Layer 150 may be applied to control the occurrence of stiction due to stress variation.

결국, 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 것이다.
As a result, the leakage characteristic can be improved and a stable structure in the resonator 120 can be realized.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
Hereinafter, a method of manufacturing the acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 탄성파 필터 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
3 to 11 are process diagrams for explaining the method of manufacturing the acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 희생층(220), 제1층(140) 및 제2층(150)이 순차적으로 형성한다. 한편, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있으며, 제2층(150)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
As shown in FIG. 3, a sacrificial layer 220, a first layer 140, and a second layer 150 are sequentially formed on a substrate 110. On the other hand, the first layer 140 may be made of a material containing silicon oxide (SiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ), a material containing aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN) (150) may be made of a material containing silicon nitride (SiN) or silicon nitride (SiN).

이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 패터닝(patterning)에 의해 제2층(150)의 일부분이 제거한다. 이때, 제2층(150)은 전극 연결부(130)가 형성될 영역에서 패터닝에 의해 제거한다.Thereafter, a portion of the second layer 150 is removed by patterning, as shown in FIG. At this time, the second layer 150 is removed by patterning in a region where the electrode connection part 130 is to be formed.

다시 말해, 제2층(150)은 공진부(120, 도 1 참조) 및 전극 연결부(130)가 형성된 영역을 제외한 공진부(120)의 외부 영역에 존재하도록 패터닝에 의해 일부분만을 제거한다.In other words, the second layer 150 removes only a part of the second layer 150 by patterning so as to exist in the outer region of the resonator portion 120 except for the region where the resonator portion 120 (see FIG. 1) and the electrode connection portion 130 are formed.

즉, 전극 연결부(130)를 제외한 영역에서는 제1층(140)과 제2층(150)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하는 것이다.
That is, a composite thin film composed of the first layer 140 and the second layer 150 is applied in a region except for the electrode connection portion 130.

이후, 도 5 도시된 바와 같이, 하부전극(160)을 형성한다. 하부전극(160)은 제2층(150) 상에 형성된다. 한편, 하부전극(160)은 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
Then, as shown in FIG. 5, a lower electrode 160 is formed. The lower electrode 160 is formed on the second layer 150. The lower electrode 160 may be formed of a conductive material such as molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), tungsten (W), iridium (Ir), platinum As shown in FIG.

이후, 도 6에 도시된 바와 같이, 압전체층(170) 및 상부전극(180)이 순차적으로 형성된다. 나아가, 압전체층(170)은 알루미늄 질화물(Aluminum Nitride), 산화아연(Zinc Oxide) 또는 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate)을 증착함에 따라 형성될 수 있으며, 상부전극(180)은 상기한 하부전극(160)과 동일한 재질인 몰리브덴(molybdenum : Mo), 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt) 등과 같이 전도성 재질, 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있다.
6, the piezoelectric layer 170 and the upper electrode 180 are sequentially formed. Further, the piezoelectric layer 170 may be formed by depositing aluminum nitride, zinc oxide, or lead zirconate titanate, and the upper electrode 180 may be formed by depositing the lower electrode 160 or an electrically conductive material such as molybdenum (Mo), ruthenium (Ru), tungsten (W), iridium (Ir), or platinum (Pt) .

그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 프레임층(190)이 상부전극(180) 상에 형성된다.Then, a frame layer 190 is formed on the upper electrode 180 as shown in Fig.

이후, 상부전극(180)과 프레임층(190)의 일부분이 패터닝에 의해 도 8에 도시된 바와 같이 제거된다.Then, the upper electrode 180 and a part of the frame layer 190 are removed by patterning as shown in Fig.

이후, 도 9에 도시된 바와 같이 압전체층(170)의 일부분이 패터닝에 의해 제거된 후, 제3층(200)이 형성된다. 이후, 제3층(200) 중 일부분이 패터닝에 의해 제거된다.Thereafter, as shown in Fig. 9, a portion of the piezoelectric layer 170 is removed by patterning, and then the third layer 200 is formed. Then, a portion of the third layer 200 is removed by patterning.

이후, 도 10에 도시된 바와 같이, 제3층(200)의 제거에 의해 하부전극(140)과 프레임층(190)이 노출된 부분에 금속패드(210)가 형성된다.10, the metal pad 210 is formed at a portion where the lower electrode 140 and the frame layer 190 are exposed by the removal of the third layer 200. Referring to FIG.

이후, 도 11에 도시된 바와 같이, 희생층(220)이 제거되어 에어갭(A)이 형성된다.
Thereafter, as shown in Fig. 11, the sacrificial layer 220 is removed to form the air gap A. As shown in Fig.

상기한 바와 같이, 제2층(150)의 형성 후 이후 전극 연결부(130)가 형성되는 영역에 배치되는 제2층(150)이 패터닝에 의해 제거된다.As described above, after the formation of the second layer 150, the second layer 150 disposed in the region where the electrode connection part 130 is formed is removed by patterning.

이와 같이, 제2층(150)의 패터닝 공정만을 추가하여 복잡한 공정의 추가 없이 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 탄성파 필터 장치(100)를 제조할 수 있다.
As described above, the elastic wave filter device 100, which can improve the leakage characteristic without adding a complicated process by addition of only the patterning process of the second layer 150, and can realize a stable structure in the resonator part 120 Can be manufactured.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치에 대하여 설명하기로 한다. 다만, 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 상기에서 사용한 도면부호를 사용하여 도면에 도시하고 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
Hereinafter, an acoustic wave filter device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals as used above, and a detailed description thereof will be omitted.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
12 is a schematic cross-sectional view showing an acoustic wave filter device according to a second embodiment of the present invention.

도 1 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄성파 필터 장치(300)는 일예로서, 기판(110), 기판(110) 상에 형성되는 복수개의 공진부(120), 공진부(120)의 상호 간을 전기적으로 연결하기 위한 전극 연결부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.1 and 12, an elastic wave filter device 300 according to a second embodiment of the present invention includes, for example, a substrate 110, a plurality of resonator units 120 formed on the substrate 110, And an electrode connection part 130 for electrically connecting the parts 120 to each other.

즉, 탄성파 필터 장치(100)는 복수개의 공진부(120)가 구비되며, 각 공진부(120)는 전극 연결부(130)를 통해 연결되어 필터 특성을 구현하는 것이다.
That is, the elastic wave filter device 100 includes a plurality of resonator units 120, and each of the resonator units 120 is connected through the electrode connection unit 130 to realize the filter characteristic.

한편, 탄성파 필터 장치(100)는 일예로서, 제1층(140)을 더 포함할 수 있다. 제1층(140)은 기판(110) 및 에어갭(A) 상에 형성된다. 즉, 제1층(140)은 후술할 기판(110) 상에 형성되는 희생층(220)을 덮도록 기판(110) 및 희생층(220) 상에 형성된다. 이후, 희생층(220)이 제거되는 경우 제1층(140)의 하부에는 에어갭(A)이 형성되는 것이다.Meanwhile, the elastic wave filter device 100 may further include a first layer 140 as an example. The first layer 140 is formed on the substrate 110 and the air gap A. [ That is, the first layer 140 is formed on the substrate 110 and the sacrifice layer 220 so as to cover the sacrifice layer 220 formed on the substrate 110 to be described later. Thereafter, when the sacrificial layer 220 is removed, an air gap A is formed under the first layer 140.

일예로서, 제1층(140)은 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 제1층(140)은 희생층(220)의 제거 공정 시 공진부(120) 하단부의 식각을 방지하는 역할도 수행한다.
As an example, the first layer 140 may be formed of a material containing the material, aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN) which contains a silicon oxide (SiO 2) or silicon oxide (SiO 2). The first layer 140 also prevents etching of the lower end of the resonator 120 during the removal process of the sacrifice layer 220.

나아가, 제2층(350)은 제1층(140) 상에 형성되며, 공진부(120)의 하부 영역에 배치되도록 형성될 수 있다. 즉, 제2층(350)은 공진부(120)의 외측 영역, 다시 말해, 전극 연결부(130)와 공진부(120)가 형성된 부분을 제외한 기판(110)의 나머지 영역에는 형성되지 않는다. 한편, 제2층(350)은 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.Further, the second layer 350 may be formed on the first layer 140, and may be formed to be disposed in the lower region of the resonator part 120. That is, the second layer 350 is not formed in the outer region of the resonator unit 120, that is, in the remaining region of the substrate 110 except for the portion where the electrode connection unit 130 and the resonator unit 120 are formed. Meanwhile, the second layer 350 may be made of a material containing silicon nitride (SiN) or silicon nitride (SiN).

일예로서, 제2층(350)은 제1층(140) 전체 영역에 형성된 후, 공진부(120)가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역에서 제거될 수 있다. 이때, 제2층(350)은 패터닝에 의해 제거될 수 있다.For example, the second layer 350 may be formed over the entire region of the first layer 140, and then removed from regions other than the region where the resonance portion 120 is to be formed. At this time, the second layer 350 may be removed by patterning.

상기한 바와 같이, 제2층(350)이 공진부(120)에만 형성됨으로써 스트레스(Stress) 변동에 따른 이상 형상 발생을 방지할 수 있으며, 전극 연결부(130)에서 제2층(350)을 제거하여 삽입손실(Insertion loss)를 저감시킬 수 있다As described above, since the second layer 350 is formed only in the resonator part 120, it is possible to prevent occurrence of an abnormal shape due to stress variation, and the second layer 350 is removed from the electrode connection part 130 So that the insertion loss can be reduced

다시 말해, 전극 연결부(130)에서의 누설(Leakage) 특성을 개선하여 전체 필터 장치의 특성(IL 특성) 개선에 기여할 수 있으며, 공진부(120) 영역에서는 제1층(140)과 제2층(350)으로 이루어지는 복합 박막을 적용하여 스트레스(Stess) 변동으로 인한 이상 구조(Stiction) 발생을 제어할 수 있다.In other words, it is possible to improve the leakage characteristic in the electrode connection part 130, thereby contributing to the improvement of the characteristics (IL characteristics) of the entire filter device. In the resonator part 120 region, (350) can be applied to control the occurrence of stiction due to stress variation.

결국, 누설(Leakage) 특성을 개선함과 동시에 공진부(120)에서의 안정적인 구조를 구현할 수 있는 것이다.
As a result, the leakage characteristic can be improved and a stable structure in the resonator 120 can be realized.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

100, 300 : 탄성파 필터 장치
110 : 기판
120 : 공진부
130 : 전극 연결부
140 : 제1층
150, 350 : 제2층
160 : 하부전극
170 : 압전체층
180 : 상부전극
190 : 프레임층
200 : 제3층
210 : 금속패드100, 300: elastic wave filter device
110: substrate
120: Resonance part
130: electrode connection portion
140: 1st layer
150, 350: Second layer
160: Lower electrode
170: piezoelectric layer
180: upper electrode
190: frame layer
200: Third floor
210: metal pad

Claims (16)

기판;
상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부;
상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부;
를 포함하며,
상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 상기 전극연결부의 하부를 제외한 영역에 배치되도록 형성되며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
Board;
A plurality of resonance parts formed on the substrate;
An electrode connection portion interconnecting the electrodes of the resonance portion;
/ RTI >
A first layer formed on the substrate made of a material containing silicon oxide (SiO 2) or oxide material containing silicon (SiO 2), aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN) and the first layer (SiN) or silicon nitride (SiN) so as to be disposed in a region of the electrode connection portion excluding the lower portion of the electrode connection portion.
제1항에 있어서,
상기 공진부의 하부에 배치되는 상기 제1층의 하부에는 에어갭이 형성되는 탄성파 필터 장치.
The method according to claim 1,
And an air gap is formed in a lower portion of the first layer disposed under the resonator.
제1항에 있어서, 상기 공진부는
상기 제2층 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 압전체층;
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극;
을 구비하는 탄성파 필터 장치.
2. The resonator according to claim 1,
A lower electrode formed on the second layer;
A piezoelectric layer formed to cover at least a part of the lower electrode;
An upper electrode formed on the piezoelectric layer;
And the elastic wave filter device.
제3항에 있어서,
상기 상부전극 상에 형성되는 프레임층를 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
The method of claim 3,
And a frame layer formed on the upper electrode.
제4항에 있어서,
상기 프레임층과 상기 상부전극은 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the frame layer and the upper electrode are made of the same material.
제4항에 있어서,
상기 프레임층 및 상기 상부전극을 덮도록 형성되는 제3층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
5. The method of claim 4,
And a third layer formed to cover the frame layer and the upper electrode.
제4항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 압전체층 사이에 배치되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
5. The method of claim 4,
And a frame layer disposed between the upper electrode and the piezoelectric layer.
기판;
상기 기판 상에 형성되는 복수개의 공진부;
상기 공진부의 전극을 상호 연결하는 전극 연결부;
를 포함하며,
상기 기판 상에 형성되며 산화실리콘(SiO2) 또는 산화실리콘(SiO2)을 함유하는 재질, 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 상에 형성되며 적어도 상기 전극 연결부의 하부에는 형성되지 않으며 질화실리콘(SiN) 또는 질화실리콘(SiN)을 함유하는 재질로 이루어지는 제2층을 더 포함하는 탄성파 필터 장치.
Board;
A plurality of resonance parts formed on the substrate;
An electrode connection portion interconnecting the electrodes of the resonance portion;
/ RTI >
A first layer formed on the substrate made of a material containing silicon oxide (SiO 2) or oxide material containing silicon (SiO 2), aluminum nitride (AlN) or aluminum nitride (AlN) and the first layer (SiN) or silicon nitride (SiN), which is not formed in at least the lower portion of the electrode connection portion.
제8항에 있어서,
상기 제2층은 상기 전극 연결부를 제외한 나머지 영역에 배치되도록 상기 제1층 상에 형성되는 탄성파 필터 장치.
9. The method of claim 8,
And the second layer is formed on the first layer so that the second layer is disposed in a region other than the electrode connection portion.
제8항에 있어서,
상기 제2층은 상기 공진부의 하부에만 배치되도록 제1층 상에 형성되는 탄성파 필터 장치.
9. The method of claim 8,
And the second layer is formed on the first layer so as to be disposed only at a lower portion of the resonance portion.
제8항에 있어서,
상기 공진부의 하부에 배치되는 상기 제1층의 하부에는 에어갭이 형성되는 탄성파 필터 장치.
9. The method of claim 8,
And an air gap is formed in a lower portion of the first layer disposed under the resonator.
제11항에 있어서, 상기 공진부는
상기 제2층 상에 형성되는 하부전극;
상기 하부전극의 적어도 일부를 덮도록 형성되는 압전체층; 및
상기 압전체층 상에 형성되는 상부전극;
을 구비하는 탄성파 필터 장치.
12. The apparatus of claim 11, wherein the resonator
A lower electrode formed on the second layer;
A piezoelectric layer formed to cover at least a part of the lower electrode; And
An upper electrode formed on the piezoelectric layer;
And the elastic wave filter device.
제12항에 있어서,
상기 상부전극 상에 형성되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
13. The method of claim 12,
And a frame layer formed on the upper electrode.
제13항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 프레임층은 동일한 재질로 이루어지는 탄성파 필터 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the upper electrode and the frame layer are made of the same material.
제13항에 있어서,
상기 프레임층 및 상기 상부전극을 덮도록 형성되는 제3층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.
14. The method of claim 13,
And a third layer formed to cover the frame layer and the upper electrode.
제13항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 압전체층 사이에 배치되는 프레임층을 더 구비하는 탄성파 필터 장치.14. The method of claim 13,
And a frame layer disposed between the upper electrode and the piezoelectric layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2601042A (en) * 2020-09-18 2022-05-18 Skyworks Global Pte Ltd Bulk acoustic wave device with raised frame structure
US11967939B2 (en) 2018-09-24 2024-04-23 Skyworks Global Pte. Ltd. Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111245393B (en) * 2019-12-04 2021-08-10 诺思(天津)微系统有限责任公司 Bulk acoustic wave resonator, method of manufacturing the same, filter, and electronic apparatus
CN113659954B (en) * 2021-08-19 2023-10-27 苏州汉天下电子有限公司 Bulk acoustic wave resonator, packaging method thereof and electronic equipment

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101465628B (en) * 2009-01-15 2011-05-11 电子科技大学 Film bulk acoustic resonator and preparation method thereof
US9490418B2 (en) * 2011-03-29 2016-11-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising collar and acoustic reflector with temperature compensating layer
JP6333540B2 (en) * 2013-11-11 2018-05-30 太陽誘電株式会社 Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11967939B2 (en) 2018-09-24 2024-04-23 Skyworks Global Pte. Ltd. Multi-layer raised frame in bulk acoustic wave device
GB2601042A (en) * 2020-09-18 2022-05-18 Skyworks Global Pte Ltd Bulk acoustic wave device with raised frame structure
US12101077B2 (en) 2020-09-18 2024-09-24 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave device with raised frame structure

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