KR20180007604A - 맥박 센서 - Google Patents
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Abstract
맥박 센서에 관한 것으로, 비정질 실리콘으로 구성된 다이오드 층을 포함시켜 외부광에 존재하는 적외선에 민감하게 반응하지 않도록 하는 맥박 센서를 제공한다.
제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 외부광에 포함된 적외선에 반응하지 않는 포토 다이오드가 포함된 맥박 센서를 제공하는 것이다.
일 양상에 있어서, 맥박 센서는 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는을 포함하는 기판; 상기 투광영역 상에 상기 기판과 이격하여 배치되는 발광부; 상기 수광영역 상의 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및 상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고 상기 수광영역은 상기 투광영역을 둘러싸고 상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함한다.
제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 외부광에 포함된 적외선에 반응하지 않는 포토 다이오드가 포함된 맥박 센서를 제공하는 것이다.
일 양상에 있어서, 맥박 센서는 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는을 포함하는 기판; 상기 투광영역 상에 상기 기판과 이격하여 배치되는 발광부; 상기 수광영역 상의 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및 상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고 상기 수광영역은 상기 투광영역을 둘러싸고 상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함한다.
Description
맥박 센서에 관한 것으로, 비정질 실리콘으로 구성된 다이오드 층을 포함시켜 외부광에 존재하는 적외선에 민감하게 반응하지 않도록 하는 맥박 센서를 제공한다.
맥박 센서는 신체에 대한 심장 박동과 같은 생체 신호를 측정한다.
종래의 맥박 센서는 단결정 실리콘이 포함된 포토 다이오드를 사용한다. 단결정 실리콘이 포함된 포토 다이오드의 경우, 단결정 실리콘의 에너지 밴드 갭 특성상 약 400~1100 nm 파장의 빛에 대해 모두 반응한다. 이 경우, 녹생광을 출력하는 엘이디가 포함된 맥박센서에서는 외부광에 존재하는 많은 적외선에 대해서 포토 다이오드는 민감하게 작용할 수 있다.
즉, 적외선이 포함된 외부광이 존재하면 포토 다이오드는 높은 수치의 노이즈 전류를 출력하게 된다. 전술한 높은 수치의 노이즈 전류가 출력되면 맥박 신호에 대한 정확한 결과를 얻을 수 없다. 이러한 노이즈 전류를 줄이기 위해 IR-cut 필터를 사용해야 하고, IR-cut 필터의 사용에 따라 맥박 센서 자체의 크기가 커질 수 있다.
IR-cut 필터의 사용 없이도 노이즈 전류를 감소시켜 맥박 신호의 품질을 향상 시킬 필요가 있다.
제안된 발명이 해결하고자 하는 하나의 과제는 외부광에 포함된 적외선에 반응하지 않는 포토 다이오드가 포함된 맥박 센서를 제공하는 것이다.
제안된 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 맥박 센서가 포함하는 포토 다이오드가 외부광에 포함된 적외선에 대해 IR-cut 필터 없이도 반응하지 않게 하여 노이즈 전류를 줄이는 것이다.
제안된 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 외부광에 포함된 적외선 하에서 포토 다이오드가 출력하는 노이즈 전류를 최소화 시켜 맥박 신호의 품질을 향상 시키는 것이다.
일 양상에 있어서, 맥박 센서는 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는 수광영역을 포함하는 기판; 상기 투광영역 상에 상기 기판과 이격하여 배치되는 발광부; 상기 수광영역 상의 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및 상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고 상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함한다.
다른 양상에 있어서, 상기 다이오드 층은, 상기 제 1 전극 상부에 배치되는 P층; 상기 P층 상부에 배치되는 실리콘층; 상기 실리콘층 상부에 배치되는 N층; 을 포함하고, 상기 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 실리콘층은 500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대인 것을 특징으로 한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 제 1 전극의 두께는 350~450nm이다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 제 1 전극은, 상기 다이오드 층과 접촉하는 광 신호 투과부; 및 상기 다이오드 층과 접촉하지 않고 상기 다이오드 층의 외부 둘레에 대하여 돌출되어 있는 제 1 돌출부; 를 포함한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 제 2 전극은, 상기 다이오드 층의 외부 둘레에 대하여 돌출된 제 2 돌출부를 포함하고, 상기 제 2 돌출부는 상기 제 1 돌출부와 중첩하지 않는다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 제 1 전극은, 상기 다이오드 층과 접촉하는 광 신호 투과부; 및 상기 다이오드 층과 접촉하지 않고 상기 제 1 돌출부는 도넛 형태로 형성되는 내부 확장부;를 포함한다.또 다른 양상에 있어서, 상기 제 2 전극은, 적어도 일부가 각진 형태로 형성되는 연결부;를 포함한다.
또 다른 양상에 있어서,
상기 기판은 제 1 전극 하부에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 기판 상의 개구를 포함하는 차폐층;을 더 포함하고 상기 제 1 전극은 상기 기판상의 상기 차폐층을 둘러싸고, 상기 차폐층과 이격되어 동일 평면에 위치하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 양상에 있어서, 제 2 전극의 두께는 350~450nm이고, 기판의 두께는 0.4~0.6mm이다.
또 다른 양상에 있어서, 광 감지 소자는 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는 수광영역을 포함하는 기판; 상기 수광영역 상의 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및 상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고 상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 다이오드 층은, 상기 제 1 전극 상부에 배치되는 P층; 상기 P층 상부에 배치되는 실리콘층; 상기 실리콘층 상부에 배치되는 N층; 을 포함하고, 상기 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 실리콘층은 500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대이다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 기판 상의 개구를 포함하는 차폐층을 더 포함한다.
또 다른 양상에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 기판상의 상기 차폐층을 둘러싸고, 상기 차폐층과 이격되어 동일 평면에 위치하는 것을 특징으로 한다.
제안된 발명은 외부광에 포함된 적외선에 반응하지 않는 포토 다이오드가 포함된 맥박 센서를 제공한다.
제안된 발명은 맥박 센서가 포함하는 포토 다이오드가 외부광에 포함된 적외선에 대해 IR-cut 필터 없이도 반응하지 않게 하여 노이즈 전류를 줄일 수 있다.
제안된 발명은 외부광에 포함된 적외선 하에서 포토 다이오드가 출력하는 노이즈 전류를 최소화 시켜 맥박 신호의 품질을 향상 시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 맥박 센서의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 다이오드 층의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 제 1 전극의 사시도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 제 1 전극의 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 제 2 전극의 사시도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 제 1 전극, 다이오드 층 및 제 2 전극의 사시도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 맥박 센서의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 다이오드 층의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 다이오드 층의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 제 1 전극의 사시도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 제 1 전극의 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 제 2 전극의 사시도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 제 1 전극, 다이오드 층 및 제 2 전극의 사시도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 맥박 센서의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 다이오드 층의 구조를 도시하는 단면도이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
전술한, 그리고 추가적인 양상들은 첨부된 도면을 참조하여 설명하는 실시예들을 통해 구체화된다. 각 실시예들의 구성 요소들은 다른 언급이나 상호간에 모순이 없는 한 실시예 내에서 다양한 조합이 가능한 것으로 이해된다. 나아가 제안된 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 제안된 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 그리고, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 나아가, 명세서 전체에서 신호는 전압이나 전류 등의 전기량을 의미한다.
명세서에서 기술한 부란, "하드웨어 또는 소프트웨어의 시스템을 변경이나 플러그인 가능하도록 구성한 블록"을 의미하는 것으로서, 즉 하드웨어나 소프트웨어에 있어 특정 기능을 수행하는 하나의 단위 또는 블록을 의미한다.
도 1은 일 실시예에 따른 맥박 센서의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 맥박 센서는 투광 영역(120) 및 수광 영역(110)을 포함하는 기판(100), 상기 투광 영역(120) 상에 상기 기판(100)과 이격하여 배치되는 발광부(500), 상기 수광 영역(110) 상의 제 1 전극(200), 상기 제 1 전극(200) 상의 다이오드 층(300) 및 상기 다이오드 층(300) 상의 제 2 전극(400)을 포함하고 상기 수광 영역(110)은 상기 투광 영역(120)을 둘러싸고 상기 다이오드 층(300)은 비정질 실리콘을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 기판(100)은 투광 영역(120) 및 수광 영역(110)을 포함한다. 기판은 커버 기판일 수 있다. 기판(100)은 맥박 센서를 구성하는 구성요소들이 위치하기 위한 베이스 기판(100)으로 사용될 수 있다. 투광 영역(120)은 후술할 발광 소자가 출력하는 광이 기판(100) 외부로 투과되는 영역이다. 수광 영역(110)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 기판(100)으로 입사되는 영역이다.
기판(100)은 유리, 실리콘 웨이퍼 또는 플라스틱으로 이루어진다. 기판(100)의 두께는 0.4~0.6mm 이다.
일 실시예에 있어서, 발광부(500)는 상기 투광 영역(120) 상에 상기 기판(100)과 이격하여 배치된다. 발광부(500)는 발광 제어신호에 따라 특정 파장대의 광을 출력한다. 발광부(500)는 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 적외선 발광 다이오드(Infrared Emitting Diode), 레이저 다이오드(Laser Diode)이다. 발광부(500)는 예를 들어 녹색 광을 출력한다.
발광부(500)는 어느 한 방향 또는 모든 방향으로 광을 조사할 수 있다. 발광부(500)가 조사한 빛은 기판(100) 상에 위치하는 대상물에 반사되어 다이오드 층(300)이 수신한다. 발광부(500)는 후술할 하부 기판(600) 하부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제 1 전극(200)은 수광 영역(110) 상에 위치한다. 제 1 전극(200)은 수광영역(110) 전체에 일체로 형성될 수 있으며, 복수 개로 나뉘어 형성될 수 있다. 제 1 전극(200)은 커버 기판(100)의 상에 증착된다. 제 1 전극(200)은 발 광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 제 1 전극(200)은 예를 들어 투명 전극이다. 투명 전극은 입사된 광을 투과시키고, 전류가 흐를 수 있는 투명 전도성 물질로 구성된다.
제 1 전극(200)은 예를 들어, 갈륨 알루미늄 산화아연(GAZO,), 갈륨 도프 산화아연(GZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제 1 전극(200)의 두께는 350~450nm 이다.
다이오드 층(300)이 출력한 전류는 제 1 전극(200)을 통해 제 1 전극(200)과 전기적으로 연결된 소자로 흐르게 된다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 제 1 전극(200)상에 위치한다. 다이오드 층(300)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 다이오드 층(300)은 입사되는 광을 전기적 에너지로 변환하여 출력한다.
일 실시예에 있어서, 제 2 전극(400)은 다이오드 층(300) 상에 위치한다. 제 2 전극(400)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 다이오드 층(300)이 출력한 전류는 제 2 전극(400)을 통해 제 2 전극(400)과 전기적으로 연결된 소자로 흐르게 된다.
제 2 전극(400)은 제 1 전극(200)과 다이오드 층(300)을 통과한 빛이 재 반사되어 다이오드 층(300)에서 재흡수될수 있도록 반사율이 높은 금속을 포함한다. 제 2 전극(400)은 예를 들어 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)를 포함한다.
제 2 전극(400)의 두께는 350~450nm 이다.
전술한 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 기판(100)의 표면에 순차적으로 적층된다. 이때 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)의 형상을 다양하게 변형할 수 있다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 발광부(500)의 중심축(700)으로부터 좌우로 기설정된 거리 이내에 위치 한다. 커버기판(100)은 발광부(500)가 출력하는 광이 통과할 수 있는 통과 영역을 포함한다.
다이오드 층(300) 기판(100) 상부에 진공증착법으로 박막 형태로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 수광 영역(110)은 투광 영역(120)을 둘러싼다. 투광 영역(120)은 기판(100)의 중심부에 위치하고, 수광 영역(110)은 투광영역(120)에 대하여 상대적으로 기판(100)의 가장자리에 위치한다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 비정질 실리콘을 포함한다. 맥박 센서가 손목에 착용된 경우, 발광부(500)가 출력한 광은 혈액 조직에 흡수 및 반사되어 다이오드 층(300)이 수신한다. 발광부(500)가 녹색 광을 조사하는 경우, 다이오드 층(300)은 혈액 조직에서 반사되는 녹색 광을 수신한다. 다이오드 층(300)이 단결정 실리콘을 포함하면, 낮은 에너지 밴드 갭으로 인해 약 1000nm 이상의 적외선까지 반응한다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하면 에너지 밴드 갭이 상대적으로 커서 그린 영역, 즉 500~600nm에서 최대 광반응 특성을 가진다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하여, 그린 영역에서 최대 광반응 특성을 가지기에 외부광에 존재하는 자외선의 영향을 차단할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 맥박 센서는 하부 기판(600)을 더 포함한다. 하부 기판(600)은 배선을 변경할 수 있는 전기 회로가 편성되어 있는 판으로, 절연기판 표면에 도체 패턴을 형성할 수 있는 절연 재료로 만들어진, 프린트, 배선판 및 절연기판을 모두 포함할 수 있다.
하부 기판(600)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 하부 기판(600)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 하부 기판(600)은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실 리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함하거나, 폴리이미드(Polyimide,PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다.
하부 기판(600)은 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 하부 기판(600)은 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크 릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.
하부 기판(600)은 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 하부 기판(600)은 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 자세하게, 상기 하부 기판(600)의 끝단이 곡면을 가지면서 휘어지거나 Random한 곡률을 포함한 표면을 가지며 휘어지거나 구부러질 수 있다.
한편, 본 발명의 하부 기판(600)은 PCB(인쇄 회로 기판; printed circuitboard) 또는 세라믹 기판으로 이루어질 수 있다. 이 때, PCB 기판은 회로 설계를 근거로 회로부품을 접속하는 전기배선을 배선 도형으로 표현하며, 절연물 상에 전기도체를 재현할 수 있다. 또한 전기부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성할 수 있으며, 부품의 전기적 연결기능 외의 부품들을 기계적으로 고정 시켜줄 수 있다.
기판(100)은 하부 기판(600) 하부에 형성된다. 기판(100)은 하부 기판(600) 하부에 바로 형성될 수 있다. 기판(100)은 하부 기판(600) 하부에 형성되는 격벽에 의해 지지되어 고정될 수 있다. 격벽은 발광부(500)에 의해 조사되는 빛이 기판(100)을 투과하기 전에 다이오드 층으로 도달하는 것을 차단한다. 또한 격벽은 기판(100)과 하부 기판(600) 사이에 위치하여 발광부(500) 또는 다이오드 층이 배치될 수 있는 공간을 형성 한다.
일 실시예에 있어서, 맥박 센서는 신호 처리 소자인 제어부를 더 포함할 수 있다. 제어부는 하부 기판(600) 하부에 형성되는 직접회로의 형태로 구현될 수 있다. 제어부는 다이오드 층(300)이 생성한 광전류 신호를 수신하여 기 설정된 조건에 따라 광전류 신호를 분석 할 수 있다. 제어부는 센서를 포함하는 전자 장치의 목적 및 사용 방법에 따라서 광전류 신호를 용도에 맞는 적절한 분석을 수행할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 다이오드 층(300)의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 P층(310), 실리콘층(320) 및 N층(330)을 포함한다. P층(310), 실리콘층(320) 및 N층(330)은 기판(100)상에 수직 방향으로 적층된다.
일 실시예에 있어서 P층(310)은 제 1 전극(200) 상부에 배치된다. P층(310)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘 중 어느 하나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 실리콘층(320)은 P층(310) 상부에 배치된다. 실리콘층(320)은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 있어서, N층(330)은 실리콘층(320) 상부에 배치된다. N층(330)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘 중 어느 하나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 실리콘층(320)은 500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대이다. 전술한 것처럼, 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하면 에너지 밴드 갭이 상대적으로 커서 녹색 영역, 즉 500~600nm에서 최대 광반응 특성을 가진다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하여, 녹색 영역에서 최대 광반응 특성을 가지기에 외부광에 존재하는 자외선의 영향을 차단할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 제 1 전극(200)의 사시도이다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 전극(200)은 광 신호 투과부(210) 및 제 1 돌출부(220)를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 광 신호 투과부(210)는 광 신호를 투과 시킨다. 광 신호 투과부(210)는 기판(100) 인근에 위치한 대상물로부터 반사된 광을 투과 시킨다. 투과된 광은 다이오드 층(300)이 수신한다.
일 실시예에 있어서, 제 1 전극은 다이오드 층보다 더 넓을 수 있다. 제 1 전극은 제 1 돌출부를 포함하여 제 1 전극은 다이오드층의 외부 둘레보다 돌출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제 1 돌출부(220)는 상기 다이오드 층(300)과 접촉하지 않고 외부로 노출된다. 자세하게, 제 1 돌출부(220)은 다이오드층의 외부 둘레보다 더 돌출되어 형성될 수 있다. 제 1 돌출부(220)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다. 다이오드 층(300)이 입사되는 광으로부터 출력하는 전기적 에너지는 제 1 돌출부(220)를 통해 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로로 전달된다.
광 신호 투과부(210)는 다이오드 층(300)과 직접적으로 연결되고, 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210)를 통해 간접적으로 다이오드 층(300)과 연결된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 돌출부(220)는 적어도 일부가 각진 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다. 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210)와 거리가 멀어질수록 면적이 줄어들어 일단이 각진 형태로 구성된다. 제 1 돌출부(220)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니고 광 신호 투과부(210) 바깥쪽 영역으로 형성되는 형태라면 그 제한이 없다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극은, 상기 다이오드 층의 외부 둘레에 대하여 돌출된 제 2 돌출부를 포함하고, 상기 제 2 돌출부는 상기 제 1 돌출부와 중첩되지 않는다. 제 2 돌출부는 제 1 돌출부와 같은 형상이다. 이에 한정되는 것은 아니고 제 2 돌출부의 형상은 제 1 돌출부와 상이하다.
도 4는 다른 실시예에 따른 제 1 전극(200)의 사시도이다.
일 실시예에 있어서, 상기 내부 확장부(230)는 도넛 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다. 내부 확장부(230)는 광 신호 투과부(210) 안쪽 영역에 도넛 형태로 형성된다. 내부 확장부(230)에 구비된 개구를 통해 발광부(500)가 조사하는 광이 통과할 수 있다. 광 신호 투과부(210)는 다이오드 층(300)과 직접적으로 연결되고, 내부 확장부(230)는 광 신호 투과부(210)를 통해 간접적으로 다이오드 층(300)과 연결된다. 내부 확장부(230)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다.
도 5는 일 실시예에 따른 제 2 전극(400)의 사시도이다.
일 실시예에 있어서, 제 2 전극은 다이오드 층보다 더 넓을 수 있다. 제 2 전극은 제 1 돌출부를 포함하여 제 2 전극은 다이오드층의 외부 둘레보다 돌출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극(400)은 적어도 일부가 각진 형태로 형성되는 연결부(410)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 연결부(410)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다. 다이오드 층(300)이 입사되는 광으로부터 출력하는 전기적 에너지는 연결부(410)를 통해 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로로 전달된다.
도 6은 일 실시예에 따른 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)의 사시도이다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 중심축(700)이 일치하는 상태에서 상하로 적층된다. 중심축(700)은 기판(100)을 상면에서 수직으로 내려 다 본 상태에서의 중심축(700)이다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 도넛 형태로 형성된다. 즉, 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)의 중심부에는 투과 영역인 개구가 형성된다. 발광부(500)가 조사하는 광은 개구를 통해 기판(100) 외부로 출력 된다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)이 상하로 적층된 상태를 수광부라고 하면, 수광부는 분할된 기 설정된 일정 영역을 포함할 수 있다. 수광부는 흡수 또는 반사된 광 신호를 수신한 영역 정보를 제어부로 전송할 수 있다.
제어부는 상기 영역 정보를 수신하고, 상기 수광부의 광 신호 수신 위치를 확인할 수 있다. 이 때, 수광부가 기 설정된 일정 영역으로 분할되는 경우, 사용자가 제어부를 이용한 제어로, 수광부를 적절한 모양으로 나눌 수 있다. 예를 들어, 도넛 모양의 수광부를 3분할할 수도 있고, 4분할, 5분할, 2분할 등 적절하게 분할할 수 있다.
예를 들어, 수광부를 기 설정된 영역으로 나누어, 수광부 상층, 수광부 하측, 수광부 좌측, 수광부 우측으로 나눌 수 있다. 발광부(500)로부터 조사된 광 신호가 대상물에 반사되어 수광부 상층에 감지되는 경우, 수광부 상층에 감지되었음을 나타내는 영역 정보를 제어부로 전송하고, 제어부는 수광부 상층에 광신호가 수신되었음을 확인할 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 따른 맥박 센서의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 기판(100)은 제 1 전극(200) 하부에 위치한다. 자세하게 기판(100)의 수광 영역(110)이 제 1 전극(200) 하부에 위치한다.
일 실시예에 있어서, 맥박 센서는 상기 기판(100) 상의 개구를 포함하는 차폐층(800)을 더 포함한다. 차폐층(800)은 제 1 전극(200)과 일정 간격 떨어져서 기판(100) 상에 위치하여 제 1 전극(200)과 전기적으로 분리된다. 일정 간격은 80~120um이다. 차폐층(800)은 금속으로 이루어져 있고 금속은 예를 들어 알루미늄(Al)이다. 공정상으로 차폐층(800)은 제 2 전극(400)을 제작하는 과정에서 형성될 수 있다. 기판(100) 상부에 다이오드 층(300)이 형성되면 기판(100) 상부 전면에 금속을 증착하고 에칭 공정으로 필요없는 부분을 제거하면 제 2 전극(400) 및 차폐층(800)이 동시에 생성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 전극(200)은 상기 기판(100)상의 상기 차폐층(800)을 둘러싸고, 상기 차폐층(800)과 이격되어 동일 평면에 위치하는 것을 특징으로 한다. 차폐층(800)은 제 1 전극(200)에 형성된 개구안에 위치하여 발광부(500)가 조사하는 광의 시야(FOV, Field of View)를 축소 시킨다.
표 1 (단위:uA)
표 1은 발광부(500)를 구동하지 않은 상태에서 외부 광에 의한 맥박 센서의 노이즈 전류를 나타낸 표이다.
조건 1 암실에서의 맥박 센서의 노이즈 전류를 나타낸 것이고 조건, 2, 3은 각각 외부광이 형광등, 할로겐 램프일 때 맥박 센서의 노이즈 전류를 나타낸 것이다. 암실에서는 외부광이 전혀 없으므로 비정질 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300)과 단결정 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300) 간에 노이즈 전류 크기의 차이는 없다.
형광등은 IR광을 포함하지 않은 외부광을 포함하는데, 이때 비정질 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300)과 단결정 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300) 간에 노이즈 전류 크기의 차이는 거의 없다.
할로겐 램프는 IR광을 포함하는 외부광을 포함하며, 이때 비정질 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300)의 노이즈 전류는 IR광을 포함하지 않은 외부광이 있을 때와 비슷하다. 다만, 단결정 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300)이 출력하는 전류는 IR광을 포함하지 않은 외부광이 있을 때와 비교했을 때 급격히 증가한다. 단결정 실리콘으로 구성된 다이오드 층(300)은 IR광에 대한 광감응도가 높기 때문에 큰 노이즈 전류가 출력된다.
도 8은 일 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 광 감지 소자는 투광 영역(120) 및 수광 영역(110)을 포함하는 기판(100), 상기 수광 영역(110) 상의 제 1 전극(200), 상기 제 1 전극(200) 상의 다이오드 층(300), 및 상기 다이오드 층(300) 상의 제 2 전극(400)을 포함하고 상기 수광 영역(110)은 상기 투광 영역(120)을 둘러싸고 상기 다이오드 층(300)은 비정질 실리콘을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 기판(100)은 투광 영역(120) 및 수광 영역(110)을 포함한다. 기판(100)은 맥박 센서를 구성하는 구성요소들이 위치하기 위한 베이스 기판(100)으로 사용될 수 있다. 투광 영역(120)은 후술할 발광 소자가 출력하는 광이 기판(100) 외부로 투과되는 영역이다. 수광 영역(110)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 기판(100)으로 입사되는 영역이다.
기판(100)은 유리, 실리콘 웨이퍼 또는 플라스틱으로 이루어진다. 기판(100)의 두께는 0.4~0.6mm 이다.
일 실시예에 있어서, 제 1 전극(200)은 수광 영역(110) 상에 위치한다. 제 1 전극(200)은 커버 기판(100)의 상에 증착된다. 제 1 전극(200)은 발 광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 제 1 전극(200)은 예를 들어 투명 전극이다. 투명 전극은 입사된 광을 투과시키고, 전류가 흐를 수 있는 투명 전도성 물질로 구성된다.
제 1 전극(200)은 예를 들어, 갈륨 알루미늄 산화아연(GAZO,), 갈륨 도프 산화아연(GZO), 인듐 틴 옥사이드(ITO) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
제 1 전극(200)의 두께는 350~450nm 이다.
다이오드 층(300)이 출력한 전류는 제 1 전극(200)을 통해 제 1 전극(200)과 전기적으로 연결된 소자로 흐르게 된다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 제 1 전극(200)상에 위치한다. 다이오드 층(300)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 다이오드 층(300)은 입사되는 광을 전기적 에너지로 변환하여 출력한다.
일 실시예에 있어서, 제 2 전극(400)은 다이오드 층(300) 상에 위치한다. 제 2 전극(400)은 발광 소자가 출력한 광이 반사되어 입사하는 경로 상에 위치한다. 다이오드 층(300)이 출력한 전류는 제 2 전극(400)을 통해 제 2 전극(400)과 전기적으로 연결된 소자로 흐르게 된다.
제 2 전극(400)은 제 1 전극(200)과 다이오드 층(300)을 통과한 빛이 재 반사되어 다이오드 층(300)에서 재흡수될수 있도록 반사율이 높은 금속을 포함한다. 제 2 전극(400)은 예를 들어 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)를 포함한다.
제 2 전극(400)의 두께는 350~450nm 이다.
전술한 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 기판(100)의 표면에 순차적으로 적층된다. 이때 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)의 형상을 다양하게 변형할 수 있다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 발광부(500)의 중심축(700)으로부터 좌우로 기설정된 거리 이내에 위치 한다. 발광부(500)가 출력하는 광이 통과할 수 있는 통과 영역을 포함한다.
다이오드 층(300) 기판(100) 상부에 진공증착법으로 박막 형태로 형성된다.
일 실시예에 있어서, 수광 영역(110)은 투광 영역(120)을 둘러싼다. 투광 영역(120)은 기판(100)의 중심부에 위치하고, 수광 영역(110)은 기판(100)의 가장자리에 위치한다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 비정질 실리콘을 포함한다. 맥박 센서가 손목에 착용된 경우, 발광부(500)가 출력한 광은 혈액 조직에 흡수 및 반사되어 다이오드 층(300)이 수신한다. 발광부(500)가 녹색 광을 조사하는 경우, 다이오드 층(300)은 혈액 조직에서 반사되는 녹색 광을 수신한다. 다이오드 층(300)이 단결정 실리콘을 포함하면, 낮은 에너지 밴드 갭으로 인해 약 1000nm 이상의 적외선까지 반응한다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하면 에너지 밴드 갭이 상대적으로 커서 그린 영역, 즉 500~600nm에서 최대 광반응 특성을 가진다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하여, 그린 영역에서 최대 광반응 특성을 가지기에 외부광에 존재하는 자외선의 영향을 차단할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 다이오드 층(300)의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 다이오드 층(300)은 P층(310), 실리콘층(320) 및 N층(330)을 포함한다. P층(310), 실리콘층(320) 및 N층(330)은 기판(100)상에 수직 방향으로 적층된다.
일 실시예에 있어서 P층(310)은 제 1 전극(200) 상부에 배치된다. P층(310)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘 중 어느 하나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 실리콘층(320)은 P층(310) 상부에 배치된다. 실리콘층(320)은 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 있어서, N층(330)은 실리콘층(320) 상부에 배치된다. N층(330)은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘 중 어느 하나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 실리콘층(320)은 500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대이다. 전술한 것처럼, 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하면 에너지 밴드 갭이 상대적으로 커서 녹색 영역, 즉 500~600nm에서 최대 광반응 특성을 가진다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하여, 녹색 영역에서 최대 광반응 특성을 가지기에 외부광에 존재하는 자외선의 영향을 차단할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 전극(200)은 광 신호 투과부(210) 및 제 1 돌출부(220)를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 광 신호 투과부(210)는 광 신호를 투과 시킨다. 광 신호 투과부(210)는 기판(100) 인근에 위치한 대상물로부터 반사된 광을 투과 시킨다. 투과된 광은 다이오드 층(300)이 수신한다.
일 실시예에 있어서, 제 1 전극은 다이오드 층보다 더 넓을 수 있다. 제 1 전극은 제 1 돌출부를 포함하여 제 1 전극은 다이오드층의 외부 둘레보다 돌출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제 1 돌출부(220)는 상기 다이오드 층(300)과 접촉하지 않고 외부로 노출된다. 자세하게, 제 1 돌출부(220)은 다이오드층의 외부 둘레보다 더 돌출되어 형성될 수 있다. 제 1 돌출부(220)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다. 다이오드 층(300)이 입사되는 광으로부터 출력하는 전기적 에너지는 제 1 돌출부(220)를 통해 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로로 전달된다.
광 신호 투과부(210)는 다이오드 층(300)과 직접적으로 연결되고, 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210)를 통해 간접적으로 다이오드 층(300)과 연결된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 돌출부(220)는 적어도 일부가 각진 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다. 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210)와 거리가 멀어질수록 면적이 줄어들어 일단이 각진 형태로 구성된다. 제 1 돌출부(220)의 형태는 이에 한정되는 것은 아니고 광 신호 투과부(210) 바깥쪽 영역으로 형성되는 형태라면 그 제한이 없다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 돌출부(220)는 도넛 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다. 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210) 안쪽 영역에 도넛 형태로 형성된다. 제 1 돌출부(220)에 구비된 개구를 통해 발광부(500)가 조사하는 광이 통과할 수 있다. 광 신호 투과부(210)는 다이오드 층(300)과 직접적으로 연결되고, 제 1 돌출부(220)는 광 신호 투과부(210)를 통해 간접적으로 다이오드 층(300)과 연결된다. 제 1 돌출부(220)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 제 2 전극은 다이오드 층보다 더 넓을 수 있다. 제 2 전극은 제 1 돌출부를 포함하여 제 2 전극은 다이오드층의 외부 둘레보다 돌출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 2 전극(400)은 적어도 일부가 각진 형태로 형성되는 연결부(410)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 연결부(410)는 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로와 전기적으로 연결된다. 다이오드 층(300)이 입사되는 광으로부터 출력하는 전기적 에너지는 연결부(410)를 통해 기판(100) 또는 하부 기판(600)에 형성된 전기 회로로 전달된다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 중심축(700)이 일치하는 상태에서 상하로 적층된다. 중심축(700)은 기판(100)을 상면에서 수직으로 내려 다 본 상태에서의 중심축(700)이다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)은 도넛 형태로 형성된다. 즉, 제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)의 중심부에는 투과 영역인 개구가 형성된다. 발광부(500)가 조사하는 광은 개구를 통해 기판(100) 외부로 출력 된다.
제 1 전극(200), 다이오드 층(300) 및 제 2 전극(400)이 상하로 적층된 상태를 수광부라고 하면, 수광부는 분할된 기 설정된 일정 영역을 포함할 수 있다. 수광부는 흡수 또는 반사된 광 신호를 수신한 영역 정보를 제어부로 전송할 수 있다.
제어부는 상기 영역 정보를 수신하고, 상기 수광부의 광 신호 수신 위치를 확인할 수 있다. 이 때, 수광부가 기 설정된 일정 영역으로 분할하는 경우, 사용자가 제어부를 이용한 제어로, 수광부를 적절한 모양으로 나눌 수 있다. 예를 들어, 도넛 모양의 수광부를 3분할할 수도 있고, 4분할, 5분할, 2분할 등 적절하게 분할할 수 있다.
예를 들어, 수광부를 기 설정된 영역으로 나누어, 수광부 상층, 수광부 하측, 수광부 좌측, 수광부 우측으로 나눌 수 있다. 발광부(500)로부터 조사된 광 신호가 대상물에 반사되어 수광부 상층에 감지되는 경우, 수광부 상층에 감지되었음을 나타내는 영역 정보를 제어부로 전송하고, 제어부는 수광부 상층에 광신호가 수신되었음을 확인할 수 있다.
도 10은 다른 실시예에 따른 광 감지 소자의 구조를 도시하는 단면도이다.
일 실시예에 있어서, 기판(100)은 제 1 전극(200) 하부에 위치한다. 자세하게 기판(100)의 수광 영역(110)이 제 1 전극(200) 하부에 위치한다.
일 실시예에 있어서, 광 감지 소자는 상기 기판(100) 상의 개구를 포함하는 차폐층(800)을 더 포함한다. 차폐층(800)은 제 1 전극(200)과 일정 간격 떨어져서 기판(100) 상에 위치하여 제 1 전극(200)과 전기적으로 분리된다. 일정 간격은 80~120um이다. 차폐층(800)은 금속으로 이루어져 있고 금속은 예를 들어 알루미늄(Al)이다. 공정상으로 차폐층(800)은 제 2 전극(400)을 제작하는 과정에서 형성될 수 있다. 기판(100) 상부에 다이오드 층(300)이 형성되면 기판(100) 상부 전면에 금속을 증착하고 에칭 공정으로 필요없는 부분을 제거하면 제 2 전극(400) 및 차폐층(800)이 동시에 생성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 제 1 전극(200)은 상기 기판(100)상의 상기 차폐층(800)을 둘러싸고, 상기 차폐층(800)과 이격되어 동일 평면에 위치하는 것을 특징으로 한다. 차폐층(800)은 제 1 전극(200)에 형성된 개구안에 위치하여 발광부(500)가 조사하는 광의 시야(FOV, Field of View)를 축소 시킨다.
다이오드 층(300)이 단결정 실리콘을 포함하면, 낮은 에너지 밴드 갭으로 인해 약 1000nm 이상의 적외선까지 반응한다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하면 에너지 밴드 갭이 상대적으로 커서 녹색 영역, 즉 500~600nm에서 최대 광반응 특성을 가진다. 다이오드 층(300)이 비정질 실리콘을 포함하여, 녹색 영역에서 최대 광반응 특성을 가지기에 외부광에 존재하는 자외선의 영향을 차단할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해 져야 할 것이다.
100: 기판
110: 수광 영역
120: 투광 영역
200: 제 1 전극
210: 광 신호 투과부
220: 제 1 돌출부
230: 내측부
300: 다이오드층
310: P층
320: 실리콘층
330: N층
400: 제 2 전극
410: 연결부
500: 발광부
600: 하부 기판
700: 중심축
800: 차폐층
110: 수광 영역
120: 투광 영역
200: 제 1 전극
210: 광 신호 투과부
220: 제 1 돌출부
230: 내측부
300: 다이오드층
310: P층
320: 실리콘층
330: N층
400: 제 2 전극
410: 연결부
500: 발광부
600: 하부 기판
700: 중심축
800: 차폐층
Claims (14)
- 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는 수광영역을 포함하는 기판;
상기 투광영역 상에 상기 기판과 이격하여 배치되는 발광부;
상기 수광영역 상의 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및
상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고
상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함하는
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 다이오드 층은,
상기 제 1 전극 상부에 배치되는 P층;
상기 P층 상부에 배치되는 실리콘층;
상기 실리콘층 상부에 배치되는 N층; 을 포함하고,
상기 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함하는
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 실리콘층은
500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대인
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
제 1 전극의 두께는 350~450nm인
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은,
상기 다이오드 층과 접촉하는 광 신호 투과부; 및
상기 다이오드 층과 접촉하지 않고 상기 다이오드 층의 외부 둘레에 대하여 돌출되어있는 제 1 돌출부; 를 포함하는
맥박 센서.
- 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 전극은,
상기 다이오드 층의 외부 둘레에 대하여 돌출된 제 2 돌출부를 포함하고,
상기 제 2 돌출부는 상기 제 1 돌출부와 중첩하지 않는
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판은 제 1 전극 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기판 상의 개구를 포함하는 차폐층;을 더 포함하고
상기 제 1 전극은 상기 기판상의 상기 차폐층을 둘러싸고, 상기 차폐층과 이격되어 동일 평면에 위치하는
맥박 센서.
- 제 1 항에 있어서,
제 2 전극의 두께는 350~450nm이고,
기판의 두께는 0.4~0.6mm인
맥박 센서
- 투광영역 및 상기 투광영역을 둘러싸는 수광영역을 포함하는 기판;
상기 수광영역 상의 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상의 다이오드 층; 및
상기 다이오드 층 상의 제 2 전극;을 포함하고
상기 다이오드 층은 비정질 실리콘을 포함하는
광 감지 소자.
- 제 10 항에 있어서,
상기 다이오드 층은,
상기 제 1 전극 상부에 배치되는 P층;
상기 P층 상부에 배치되는 실리콘층;
상기 실리콘층 상부에 배치되는 N층; 을 포함하고,
상기 실리콘층은 비정질 실리콘을 포함하는
광 감지 소자.
- 제 10 항에 있어서,
상기 실리콘층은
500~600nm의 범위에 있는 파장을 갖는 광에 대하여 광반응 특성이 최대인 ,
광 감지 소자.
- 제 10 항에 있어서,
상기 기판 상의 개구를 포함하는 차폐층을 더 포함하고,
상기 제 1 전극은 상기 기판상의 상기 차폐층을 둘러싸고, 상기 차폐층과 이격되어 동일 평면에 위치하는 ,
광 감지 소자.
- 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 상기 기판상의 상기 차폐층을 둘러싸고, 상기 차폐층과 이격되어 동일 평면에 위치하는 ,
광 감지 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160088855A KR102554474B1 (ko) | 2016-07-13 | 2016-07-13 | 맥박 센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160088855A KR102554474B1 (ko) | 2016-07-13 | 2016-07-13 | 맥박 센서 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180007604A true KR20180007604A (ko) | 2018-01-23 |
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ID=61071065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020160088855A KR102554474B1 (ko) | 2016-07-13 | 2016-07-13 | 맥박 센서 |
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| KR (1) | KR102554474B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030071871A (ko) * | 2001-02-01 | 2003-09-06 | 크리 인코포레이티드 | 광 추출 변경을 포함하는 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR20120000569A (ko) | 2009-04-30 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 생체 센서 장치 |
| KR20160048535A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 삼성전자주식회사 | 엑스선 디텍터와 그 제조방법과 엑스선 디텍터를 포함하는 시스템과 그 동작방법 |
-
2016
- 2016-07-13 KR KR1020160088855A patent/KR102554474B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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