KR20170140131A

KR20170140131A - Curved Display Device

Info

Publication number: KR20170140131A
Application number: KR1020170162991A
Authority: KR
Inventors: 임유석; 조세준
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2017-11-30
Filing date: 2017-11-30
Publication date: 2017-12-20
Also published as: KR101866300B1

Abstract

The present invention relates to a bent display device having a display area for displaying an image, and a non-display area for not displaying the image. The bent display device of the present invention comprises: a first direction area maintained in a flat state; and a bending area bent while being connected to the first direction area. Also, a thin film transistor layer, a passivation layer, a sealing layer, and an upper film are formed on a base substrate in an area where the display area and the bending area overlap each other. The sealing layer and the upper film extend to the area where the non-display area and the bending area overlap each other. According to an embodiment of the present invention, since the sealing layer and the upper film extend to the area where the non-display area and the bending area overlap each other, cracks are prevented from being generated during a bending process.

Description

[0001] Curved Display Device [

본 발명은 휘어진 디스플레이 장치(Curved Display Device)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 벤딩 영역(bending area)을 구비한 휘어진 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a curved display device, and more particularly to a curved display device having a bending area.

플렉시블 디스플레이 장치(Flexible Display Device)는 종이처럼 구부리거나 감을 수 있기 때문에 휴대성 및 보관성 등의 이점으로 차세대 디스플레이 장치로서 꾸준한 연구가 진행되고 있다. Since a flexible display device can bend or wind like a paper, the portable display device and the storage stability are being studied steadily as a next generation display device.

아직까지는 몇몇 제약으로 인해서 완전히 감을 수 있는 디스플레이 장치가 실용화된 상태는 아니지만 소정 곡률을 가지면서 휘어진 디스플레이 장치(Curved Display Device)는 이미 실용화된바 있다. However, a curved display device having a predetermined curvature has already been put to practical use, although a display device which can be completely wound due to some restrictions has not yet been put into practical use.

본 명세서에서 휘어진 디스플레이 장치라 함은 디스플레이 장치의 전체가 휘어진 상태만을 의미하는 것이 아니라 디스플레이 장치의 일부가 휘어짐으로써 디스플레이 장치의 일부에 벤딩 영역을 구비한 것을 포함한다. The display device according to the present invention does not only mean that the entire display device is warped but includes a bending area in a part of the display device by bending a part of the display device.

도 1은 종래의 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional curved display device.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 휘어진 디스플레이 장치(1)는 중앙부는 휘어지지 않으면서 양단부 근방만이 휘어진 구조를 갖는다. 따라서, 종래의 휘어진 디스플레이 장치(1)는 양단부 근방에 벤딩 영역(bending area)이 형성된다. As can be seen from FIG. 1, the curved display device 1 of the related art has a structure in which only the vicinity of both ends is bent without being bent. Therefore, in the conventional bent display device 1, a bending area is formed in the vicinity of both ends.

이와 같은 종래의 휘어진 디스플레이 장치(1)는 상기 양단부 근방을 휘는 과정에서 상기 벤딩 영역에 손상(Damage)이 가해지는 문제가 있다. 따라서, 현재까지 상기 벤딩 영역의 곡률반경을 줄이는데 한계가 있다. In such a bent display device 1 of the related art, there is a problem that damages are applied to the bending area in the process of bending near both ends. Therefore, there is a limit in reducing the radius of curvature of the bending region to date.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 벤딩 영역에 손상이 가해지는 문제를 최소화할 수 있는 휘어진 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a curved display device capable of minimizing the problem of damaging the bending area.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 화상을 표시하는 표시 영역 및 화상을 표시하지 않는 비표시 영역을 구비한 휘어진 디스플레이 장치에 있어서, 상기 휘어진 디스플레이 장치는, 평평한 상태를 유지하는 제1 방향 영역; 및 상기 제1 방향 영역과 연결되면서 휘어진 벤딩 영역을 포함하여 이루어지고, 상기 표시 영역과 상기 벤딩 영역이 중첩되는 영역에는 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터층, 패시베이션층, 밀봉층 및 상부 필름이 형성되어 있고, 상기 밀봉층과 상기 상부 필름은 상기 비표시 영역과 상기 벤딩 영역이 중첩되는 영역으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 휘어진 디스플레이 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a curved display device including a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image, the curved display device comprising: a first direction area for maintaining a flat state; And a bending region bent in connection with the first direction region, wherein a thin film transistor layer, a passivation layer, a sealing layer, and an upper film are formed on a base substrate in a region where the display region and the bending region overlap each other And the sealing layer and the upper film are extended to a region where the non-display area and the bending area overlap each other.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 밀봉층과 상부 필름을 비표시 영역과 벤딩 영역이 중첩되는 영역까지 연장함으로써 휘는 공정 중에 크랙 발생을 방지할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, cracks can be prevented during the warping process by extending the sealing layer and the upper film to a region where the non-display area and the bending area overlap each other.

도 1은 종래의 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2(a) 및 도 2(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 영역에 손상이 가해지는 문제를 최소화하기 위한 방안을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 휘어진 유기 발광 표시장치의 단면도로서, 이는 휘는 공정 이전에 평평(flat)한 상태를 도시한 것이다.
도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 휘어진 유기 발광 표시장치의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 14는 도 13의 I-I'라인의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 16 및 도 17은 각각 도 15의 I-I'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다.
도 19 내지 도 25는 각각 도 18의 I-I'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional curved display device.
FIGS. 2A and 2B are views for explaining a method for minimizing a problem of damaging the bending region according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a bent organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, which shows a flat state before the bending process.
4 (a) and 4 (b) are schematic views of a bent organic light emitting display according to various embodiments of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
6 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
7 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
8 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
9 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
10 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
12 is a schematic cross-sectional view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
13 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.
15 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
16 and 17 are cross-sectional views, respectively, according to various embodiments of line I-I 'of FIG.
18 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.
19 to 25 are cross-sectional views according to various embodiments of the line I-I 'of FIG. 18, respectively.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다. The term "on " as used herein is meant to encompass not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also to the extent that a third configuration is interposed between these configurations.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2(a) 및 도 2(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩 영역에 손상이 가해지는 문제를 최소화하기 위한 방안을 설명하기 위한 도면이다. FIGS. 2A and 2B are views for explaining a method for minimizing a problem of damaging the bending region according to an embodiment of the present invention.

도 2(a) 및 도 2(b)에서 알 수 있듯이, 하부층(10), 중간층(20) 및 상부층(30)으로 이루어진 디스플레이 장치(1)를 아래 방향으로 휘게 되면, 상기 상부층(30)에는 인장력(tensile force)이 가해지고, 상기 하부층(10)에는 압축력(compressive force)이 가해진다. 그러나, 이론적으로 상기 중간층(20)에는 인장력 및 압축력이 가해지지 않는다. 따라서, 비록 디스플레이 장치(1)를 휘는 과정에서 상기 하부층(10), 중간층(20) 및 상부층(30) 모두에 손상이 가해질 가능성은 있지만, 상기 중간층(20)에 가해지는 힘(인장력 및 압축력)은 이론적으로 없기 때문에 상기 중간층(20)에는 손상이 발생하지 않거나 발생하더라도 상대적으로 작게 발생하게 됨을 예상할 수 있다. 2 (a) and 2 (b), when the display device 1 including the lower layer 10, the intermediate layer 20 and the upper layer 30 is bent downward, the upper layer 30 A tensile force is applied, and a compressive force is applied to the lower layer 10. However, the intermediate layer 20 is theoretically not subjected to tensile force and compressive force. Although there is a possibility that damage is applied to both the lower layer 10, the intermediate layer 20 and the upper layer 30 in the course of bending the display device 1, the force (tensile force and compressive force) applied to the intermediate layer 20, It can be expected that the intermediate layer 20 will not be damaged or will be relatively small even if it occurs.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(1)를 구성하는 복수의 층들 중에서 휘어짐에 의해 손상될 가능성이 큰 층, 예로서 무기물로 이루어진 층을 디스플레이 장치(1)의 중간에 배치시키는 것을 특징으로 한다. Therefore, according to one embodiment of the present invention, among the plurality of layers constituting the display device 1, a layer which is likely to be damaged by bending, for example, a layer made of an inorganic material, is disposed in the middle of the display device 1 .

이하에서는 유기 발광 표시장치를 예로 하여 위에서와 같은 방식을 적용하는 방안에 대해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, a method of applying the above-described method using the OLED display device as an example will be described in more detail.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 휘어진 유기 발광 표시장치의 단면도로서, 이는 휘는 공정 이전에 평평(flat)한 상태를 도시한 것이다. FIG. 3 is a cross-sectional view of a bent organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, which shows a flat state before the bending process.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치는 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)을 포함하여 이루어진다. 3, the OLED display includes a base substrate 100, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode (OLED) layer 300, a passivation layer 400, A sealing layer 500, and an upper film 600.

상기 베이스 기판(100)은 유리 또는 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The base substrate 100 may be made of glass, or a transparent plastic, such as polyimide, which is capable of bending or rolling, but is not limited thereto.

상기 박막 트랜지스터층(200)은 상기 베이스 기판(100) 상에 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터층(200)은 화소 별로 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선 등과 같은 다수의 배선들, 상기 다수의 배선들과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 배선들 및 박막 트랜지스터의 전극들의 조합에 의해서 커패시터가 형성된다. 이와 같은 박막 트랜지스터층(200)을 구성하는 배선들 및 박막 트랜지스터는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The thin film transistor layer 200 is formed on the base substrate 100. The thin film transistor layer 200 includes a plurality of wirings such as a gate wiring, a data wiring, a power wiring, and the like, and a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the plurality of wirings. In addition, a capacitor is formed by a combination of the wirings and the electrodes of the thin film transistor. The wirings and the thin film transistors constituting the thin film transistor layer 200 may be changed into various forms known in the art.

도면에는 구동 박막 트랜지스터를 도시하였는데, 구체적으로 상기 베이스 기판(100) 상에 게이트 전극(210)이 형성되고, 상기 게이트 전극(210) 상에 게이트 절연막(220)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(220) 상에 반도체층(230)이 형성되고, 상기 반도체층(230) 상에 소스 전극(240a) 및 드레인 전극(240b)이 형성되고, 상기 소스/드레인 전극(240a, 240b) 상에 제1 보호막(250)이 형성되고, 상기 제1 보호막(250) 상에 컬러 필터(260)가 형성되고, 상기 컬러 필터(260) 상에 제2 보호막(270)이 형성된다. 도면에는 게이트 전극(210)이 반도체층(230) 아래에 형성되는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 구동 박막 트랜지스터를 도시하였지만, 게이트 전극(210)이 반도체층(230) 위에 형성되는 탑 게이트(top gate) 구조의 구동 박막 트랜지스터가 형성될 수도 있다. A gate electrode 210 is formed on the base substrate 100. A gate insulating layer 220 is formed on the gate electrode 210. The gate insulating layer 220 A source electrode 240a and a drain electrode 240b are formed on the semiconductor layer 230. A source electrode 240a and a drain electrode 240b are formed on the source and drain electrodes 240a and 240b, A color filter 260 is formed on the first passivation layer 250 and a second passivation layer 270 is formed on the color filter 260. The gate electrode 210 is a bottom gate structure in which the gate electrode 210 is formed below the semiconductor layer 230. The gate electrode 210 may be a top gate formed on the semiconductor layer 230 gate thin film transistor may be formed.

상기 컬러 필터(260)의 형성 위치는 다양하게 변경될 수 있으며, 경우에 따라서 상기 컬러 필터(260)는 생략이 가능하다. 구체적으로 설명하면, 상기 발광 다이오드층(300)에서 백색(White) 광이 발광되고 발광된 백색 광이 상기 베이스 기판(100)을 통해 방출되는 소위 바텀 에미션(bottom emission) 방식의 경우에는 도시된 바와 같이 상기 발광다이오드층(300) 아래에 컬러 필터(260)가 형성되지만, 상기 발광 다이오드층(300)에서 발광된 백색(White) 광이 상기 상부 필름(600)을 통해 방출되는 소위 탑 에미션(top emission) 방식의 경우에는 상기 컬러 필터(260)가 상기 발광다이오드층(300) 위에 형성된다. 또한, 상기 발광다이오드층(300)에서 적색, 녹색, 또는 청색의 광이 발광되는 경우에는 별도의 컬러 필터가 요하지 않는다. The forming position of the color filter 260 may be variously changed, and in some cases, the color filter 260 may be omitted. More specifically, in the case of a so-called bottom emission type in which white light emitted and emitted from the light emitting diode layer 300 is emitted through the base substrate 100, A color filter 260 is formed under the light emitting diode layer 300 as shown in FIG. 2B, but a white light emitted from the light emitting diode layer 300 is emitted through the upper film 600. In this case, the color filter 260 is formed on the light emitting diode layer 300 in the case of a top emission method. Further, when red, green or blue light is emitted from the light emitting diode layer 300, a separate color filter is not required.

상기 발광 다이오드층(300)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성되어 있다. 상기 발광 다이오드층(300)은 제1 전극(310), 뱅크층(320), 발광층(330), 및 제2 전극(340)을 포함하여 이루어진다. 상기 제1 전극(310)은 상기 제2 보호막(270) 상에 형성되며, 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극(240b)과 연결되어 있다. 상기 뱅크층(320)은 상기 제1 전극(310) 상에 형성되며, 발광 영역을 정의하도록 매트릭스 구조로 패턴 형성되어 있다. 상기 발광층(330)은 상기 뱅크층(320)에 의해 정의된 발광 영역 내에 형성되어 있다. 상기 발광층(330)은 구체적으로 도시하지는 않았지만 정공주입층(Hole Injecting Layer), 정공수송층(Hole Transporting Layer, 유기발광물질층(Organic Emitting Material Layer), 전자수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자주입층(Electron Injecting Layer)이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 유기발광물질층을 제외하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 이상의 층은 생략이 가능하다. 상기 제2 전극(340)은 상기 발광층(330) 상에 형성되어 있다. 이와 같은 제2 전극(340)은 공통 전극으로 기능할 수 있고, 그에 따라, 상기 발광층(330) 뿐만 아니라 상기 뱅크층(320) 상에도 형성될 수 있다.The light emitting diode layer 300 is formed on the thin film transistor layer 200. The light emitting diode layer 300 includes a first electrode 310, a bank layer 320, a light emitting layer 330, and a second electrode 340. The first electrode 310 is formed on the second passivation layer 270 and is connected to the drain electrode 240b of the driving TFT. The bank layer 320 is formed on the first electrode 310 and is patterned in a matrix structure to define a light emitting region. The light emitting layer 330 is formed in the light emitting region defined by the bank layer 320. The light emitting layer 330 may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, an organic emitting material layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer, (Electron Injecting Layer) may be stacked in this order on the substrate 100. However, one or more of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted except for the organic light emitting material layer The second electrode 340 is formed on the light emitting layer 330. The second electrode 340 may function as a common electrode so that the light emitting layer 330, (Not shown).

상기 패시베이션층(400)은 상기 발광 다이오드층(300) 상에 형성되어 있다. 상기 패시베이션층(400)은 상기 발광 다이오드층(300)을 보호함과 더불어 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할도 한다. 이와 같은 패시베이션층(400)은 서로 상이한 무기물이 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있고, 무기물과 유기물이 교대로 적층된 복수의 층으로 이루어질 수도 있다. The passivation layer 400 is formed on the light emitting diode layer 300. The passivation layer 400 protects the light emitting diode layer 300 and prevents water from penetrating into the light emitting diode layer 300. The passivation layer 400 may be formed of a plurality of layers in which different inorganic materials are stacked, or a plurality of layers in which an inorganic material and an organic material are alternately stacked.

상기 밀봉층(500)은 상기 패시베이션층(400) 상에 형성되어 있다. 상기 밀봉층(400)은 상기 상부 필름(600)을 상기 패시베이션층(400) 상에 접착시키는 역할을 함과 더불어 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 수분이 침투하는 것을 차단하는 기능도 수행할 수 있다. 이와 같은 밀봉층(500)은 당업계에 공지된 다양한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 밀봉층(500)은 양면 테이프와 같이 배리어(barrier) 필름 구조물을 이용하여 형성할 수도 있고, 씰런트와 같은 액상 접착물질을 코팅한 후 경화하여 형성할 수도 있다. The sealing layer 500 is formed on the passivation layer 400. The sealing layer 400 serves to adhere the upper film 600 onto the passivation layer 400 and to prevent moisture from penetrating into the LED layer 300 have. The sealing layer 500 may be formed using various materials known in the art. For example, the sealing layer 500 may be formed using a barrier film structure such as a double-sided tape, or may be formed by coating a liquid adhesive material such as a sealant and then curing.

상기 상부 필름(600)은 상기 밀봉층(500) 상에 형성되어 있다. 상기 상부 필름(600)은 보호 필름으로 이루어질 수도 있고, 반사방지용도의 편광 필름으로 이루어질 수도 있고, 터치 전극이 형성된 터치 스크린 필름으로 이루어질 수도 있다. The upper film 600 is formed on the sealing layer 500. The upper film 600 may be formed of a protective film, a polarizing film having antireflection property, or a touch screen film having a touch electrode.

전술한 바와 같이 무기물로 이루어진 층은 휘어짐에 의해 손상될 가능성이 상대적으로 크기 때문에, 무기물로 이루어진 층을 유기 발광 표시장치의 중간층으로 구성할 경우 유기 발광 표시장치를 휘는 과정에서 발생하는 손상을 최소화할 수 있다. As described above, since the inorganic layer is more likely to be damaged by bending, if the inorganic layer is formed as an intermediate layer of the organic light emitting display, damage caused in the bending process of the organic light emitting display is minimized .

도 3에 도시된 각각의 층 중에서 무기물을 포함하고 있는 층은 박막 트랜지스터층(200) 및 패시베이션층(passivation layer)(400)이다. 즉, 상기 박막 트랜지스터층(200)의 경우 상기 게이트 절연막(220) 및 제1 보호막(250)이 무기물로 이루어져 있고, 상기 패시베이션층(400)은 다수의 무기물을 포함하여 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 박막 트랜지스터층(200) 또는 패시베이션층(passivation layer)(400)을 유기 발광 표시장치의 중간에 위치시킬 경우 휘는 과정에서 손상을 최소화할 수 있다. Among the layers shown in FIG. 3, the inorganic layer is a thin film transistor layer 200 and a passivation layer 400. That is, in the case of the thin film transistor layer 200, the gate insulating layer 220 and the first passivation layer 250 are formed of an inorganic material, and the passivation layer 400 may include a plurality of inorganic materials. Therefore, when the thin film transistor layer 200 or the passivation layer 400 is positioned in the middle of the organic light emitting display, the damage can be minimized during the bending process.

도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 휘어진 유기 발광 표시장치의 개략도이다. 4 (a) and 4 (b) are schematic views of a bent organic light emitting display according to various embodiments of the present invention.

도 4(a)에서 알 수 있듯이, 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시장치에 있어서, 상기 패시베이션층(passivation layer)(400)을 유기 발광 표시장치의 중간에 위치시킬 수 있다. 즉, 도 4(a)의 경우, 상기 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 및 발광 다이오드층(300)의 두께의 합(A)은 상기 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)의 두께의 합(B)과 동일하다. 이때, 상기 박막 트랜지스터층(200), 상기 발광 다이오드층(300), 및 상기 상부 필름(600)은 두께를 조절하는데 한계가 있으므로, 상기 베이스 기판(100)과 상기 밀봉층(sealing layer)(500)의 두께를 적절히 조절함으로써 상기 A값과 상기 B값을 일치시키는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 4A, the base substrate 100, the thin film transistor layer 200, the light emitting diode layer 300, the passivation layer 400, the sealing layer 500, And an upper film 600, the passivation layer 400 may be positioned in the middle of the OLED display. 4A, the sum A of the thicknesses of the base substrate 100, the thin film transistor layer 200, and the light emitting diode layer 300 is less than the sum of the thicknesses of the sealing layer 500, And the thickness (B) of the upper film (600). Since the thickness of the thin film transistor layer 200, the light emitting diode layer 300 and the upper film 600 are limited, the thickness of the base substrate 100 and the sealing layer 500 It is preferable that the A value and the B value are made equal to each other.

도 4(b)에서 알 수 있듯이, 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)을 포함하여 이루어진 유기 발광 표시장치에 있어서, 상기 박막 트랜지스터층(200)을 유기 발광 표시장치의 중간에 위치시킬 수 있다. 즉, 도 4(b)의 경우, 상기 베이스 기판(100)의 두께(C)는 상기 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)의 두께의 합(D)과 동일하다. 이때, 상기 발광 다이오드층(300) 및 상기 상부 필름(600)은 두께를 조절하는데 한계가 있으므로, 상기 베이스 기판(100), 패시베이션층(passivation layer)(400), 및 상기 밀봉층(sealing layer)(500)의 두께를 적절히 조절함으로써 상기 C값과 상기 D값을 일치시키는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 4B, the base substrate 100, the thin film transistor layer 200, the light emitting diode layer 300, the passivation layer 400, the sealing layer 500, And the upper film 600, the thin film transistor layer 200 may be positioned in the middle of the OLED display. 4B, the thickness C of the base substrate 100 is greater than the thickness of the light emitting diode layer 300, the passivation layer 400, the sealing layer 500, And the thickness (D) of the upper film (600). Since the light emitting diode layer 300 and the upper film 600 are limited in controlling the thickness of the light emitting diode layer 300 and the passivation layer 400 and the sealing layer, It is preferable that the C value and the D value are matched with each other by appropriately adjusting the thickness of the substrate 500.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 5 is a schematic cross-sectional view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.

도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 제1 방향 영역, 벤딩 영역, 및 제2 방향 영역을 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 5, the bent display device according to another embodiment of the present invention includes a first direction region, a bending region, and a second direction region.

상기 제1 방향 영역은 디스플레이 장치의 중앙부 영역에 해당된다. 상기 제1 방향 영역은 휘는 공정 이전의 평평(flat)한 상태를 유지하는 영역으로서 휘는 공정에서 손상을 받지 않는 영역이다. 따라서, 상기 제1 방향 영역에서는 풀 컬러 화상을 디스플레이한다. The first direction area corresponds to a central area of the display device. The first direction region is a region that remains flat before the bending process, and is a region that is not damaged in the bending process. Therefore, a full color image is displayed in the first direction area.

상기 벤딩 영역은 상기 제1 방향 영역과 상기 제2 방향 영역의 사이 영역에 해당된다. 따라서, 상기 벤딩 영역은 상기 제1 방향 영역 및 상기 제2 방향 영역 각각과 연결된다. 상기 벤딩 영역은 소정의 곡률을 가지면서 휘어진 영역으로서, 휘는 공정에서 손상을 받는 영역이다. 따라서, 상기 벤딩 영역에서는 화상을 디스플레이하지 않거나 또는 화상을 디스플레이한다 하더라도 상기 제1 방향 영역과는 상이한, 보다 구체적으로는 제1 방향 영역의 화상보다는 단순한 화상을 디스플레이한다. The bending area corresponds to an area between the first direction area and the second direction area. Thus, the bending region is connected to the first direction region and the second direction region, respectively. The bending region is a bent region having a predetermined curvature, and is a region damaged in the bending process. Therefore, in the bending area, even if the image is not displayed or the image is displayed, a simple image is displayed rather than the first direction area, more specifically, the image in the first direction area.

상기 제2 방향 영역은 디스플레이 장치의 단부 영역, 보다 구체적으로 디스플레이 장치의 일단부 영역 및 타단부 영역에 해당된다. 이와 같은 제2 방향 영역은 상기 벤딩 영역과 연결된다. 상기 제2 방향 영역은 상기 제1 방향 영역과 평행을 이루지 않는 영역이다. 즉, 상기 제2 방향 영역은 상기 벤딩 영역의 곡률에 따라서 상기 제1 방향 영역과 수직을 이룰 수도 있고 상기 제1 방향 영역과 수직을 이루지 않을 수도 있다. 상기 제2 방향 영역은 휘는 공정 이전의 평평한 상태를 유지하고 있지만 휘는 공정에서 손상을 받을 가능성은 존재한다. 따라서, 상기 제2 방향 영역에서는 상기 제1 방향 영역과 동일한 정도의 화상을 디스플레이할 수도 있고 상기 제1 방향 영역의 화상보다는 단순한 화상을 디스플레이할 수도 있다. The second direction region corresponds to an end region of the display device, more specifically, one end region and the other end region of the display device. Such a second directional region is connected to the bending region. The second directional region is an area not parallel to the first directional region. That is, the second directional region may be perpendicular to the first directional region or may not be perpendicular to the first directional region, depending on the curvature of the bending region. The second directional region remains flat prior to the bending process, but there is a possibility that the bending process may be damaged. Therefore, in the second direction area, an image of the same degree as the first direction area may be displayed, or a simple image may be displayed rather than the image of the first direction area.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 방향 영역은 휘는 공정에서 손상을 받지 않는 영역이고, 상기 벤딩 영역은 휘는 공정에서 손상을 받는 영역이고, 상기 제2 방향 영역은 휘는 공정에서 손상을 받을 수도 있고 받지 않을 수도 있는 영역이다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에서는 상기 제1 방향 영역, 벤딩 영역, 및 제2 방향 영역의 구체적인 구성을 적절히 조절함으로써, 휘는 공정에서 발생하는 손상을 최소화할 수 있는데, 그에 대해서 이하에서 상세히 설명하기로 한다. As described above, according to another embodiment of the present invention, the first direction region is a region which is not damaged in the bending process, the bending region is a region damaged in the bending process, It is an area that may or may not be damaged. Accordingly, in another embodiment of the present invention, damage to the bending process can be minimized by appropriately adjusting the specific configurations of the first direction region, the bending region, and the second direction region. .

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다. 6 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.

도 6에서 알 수 있듯이, 디스플레이 장치의 중앙부에 제1 방향 영역이 형성되고, 상기 제1 방향 영역에 벤딩 영역이 연결되고, 상기 벤딩 영역에 제2 방향 영역이 연결된다. As shown in FIG. 6, a first direction region is formed at a central portion of the display device, a bending region is connected to the first direction region, and a second direction region is connected to the bending region.

상기 제1 방향 영역에는 화상을 표시하는 복수 개의 제1 화소(P1)들이 형성된다. 이와 같은 제1 화소(P1)들은 화상을 표시하기 위한 각종 배선들, 박막 트랜지스터, 및 발광 다이오드 등을 포함하여 이루어져 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상을 표시하게 된다. 이와 같은 제1 화소(P1)의 구체적인 구성을 설명하면 다음과 같다. A plurality of first pixels P1 for displaying an image are formed in the first direction region. The first pixels P1 include various wirings for displaying an image, thin-film transistors, light-emitting diodes, and the like to display full-color images such as photographs and moving images. A specific configuration of the first pixel P1 will be described below.

유기 발광 표시장치는 전술한 도 3에서와 같이 박막 트랜지스터층(200)의 스위칭과 상기 발광 다이오드층(300)의 발광에 의해서 화상을 표시하는데, 이를 위해서 제1 화소(P1)는 화소 회로와 보상 회로 등을 구비한다. 3, the organic light emitting display displays an image by switching the thin film transistor layer 200 and emitting light from the light emitting diode layer 300. For this purpose, the first pixel P1 is divided into a pixel circuit and a compensation Circuit and the like.

상기 화소 회로는 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 응답하여 데이터 배선에 공급되는 데이터 전압에 대응되는 데이터 전류를 상기 발광 다이오드층(300)에 흐르도록 한다. 이를 위해서, 상기 화소 회로는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하여 구성된다. 상기 스위칭 트랜지스터는 상기 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터에 공급한다. 상기 구동 트랜지스터는 상기 스위칭 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 데이터 전압에 기초한 데이터 전류를 상기 발광 다이오드층(300)에 공급함으로써 상기 발광 다이오드층(300)에서 상기 데이터 전류에 비례하여 발광이 되도록 한다. 상기 적어도 하나의 커패시터는 상기 구동 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시킨다. The pixel circuit causes a data current corresponding to a data voltage supplied to the data line to flow in the light emitting diode layer 300 in response to a gate signal supplied to the gate line. To this end, the pixel circuit comprises a switching transistor, a driving transistor, and at least one capacitor. The switching transistor is switched according to a gate signal supplied to the gate wiring, and supplies a data voltage supplied from the data wiring to the driving transistor. The driving transistor is switched according to a data voltage supplied from the switching transistor to supply a data current based on the data voltage to the light emitting diode layer 300 to emit light in proportion to the data current in the light emitting diode layer 300 . The at least one capacitor holds the data voltage supplied to the driving transistor for one frame.

한편, 상기 화소 회로에서는 상기 구동 트랜지스터의 구동 시간에 따라 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차가 발생되어 화질이 저하되는 문제가 있다. 상기 보상 회로는 이와 같은 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하기 위한 것이다. 상기 보상 회로는 내부 보상 방식과 외부 보상 방식으로 구분될 수 있다. 상기 내부 보상 방식의 보상 회로는 상기 화소 회로의 내부에 형성된 적어도 하나의 보상 트랜지스터 및 적어도 하나의 보상 커패시터로 구성되어, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 검출하는 검출 구간 동안 데이터 전압과 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 커패시터에 함께 저장하는 방식으로 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상한다. 상기 외부 보상 방식의 보상 회로는 화소 회로의 구동 트랜지스터에 접속된 센싱용 트랜지스터, 상기 센싱용 트랜지스터에 접속되면서 디스플레이 패널에 형성된 센싱 배선 및 상기 센싱 배선에 접속된 센싱 회로를 포함하여 구성되어, 상기 센싱용 트랜지스터의 구동시 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하고, 센싱된 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 기초하여 각 화소에 표시될 데이터를 보상하는 방식으로 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 보상한다. On the other hand, in the pixel circuit, there is a problem that a threshold voltage deviation of the driving transistor occurs according to the driving time of the driving transistor, and the image quality is deteriorated. The compensation circuit compensates the threshold voltage of the driving transistor. The compensation circuit can be divided into an internal compensation method and an external compensation method. Wherein the compensating circuit of the internal compensation type comprises at least one compensating transistor and at least one compensating capacitor formed inside the pixel circuit so that the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor during the detecting period, Are stored together in a capacitor to compensate the threshold voltage of the driving transistor. Wherein the compensation circuit of the external compensation type includes a sensing transistor connected to the driving transistor of the pixel circuit, a sensing wiring connected to the sensing transistor and connected to the sensing wiring, The threshold voltage of the driving transistor is compensated by compensating data to be displayed on each pixel based on the threshold voltage of the driving transistor.

이상과 같이, 제1 화소(P1)에는 상기 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 다수의 배선들과 다수의 트랜지스터들이 형성되며, 이들의 동작에 의해서 상기 발광 다이오드층(300)이 발광하여 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상이 표시된다. As described above, the plurality of wirings and the plurality of transistors constituting the pixel circuit and the compensation circuit are formed in the first pixel P1, and the light emitting diode layer 300 emits light by the operation of the wirings and the plurality of transistors. And the like are displayed.

상기 벤딩 영역에는 화상을 표시하는 복수 개의 제2 화소(P2)들이 형성된다. 이와 같은 제2 화소(P2)들은 전술한 제1 화소(P1)들과 상이한 구성, 보다 구체적으로는 전술한 제1 화소(P1)들보다 단순하게 구성함으로써, 상기 제2 방향 영역에서는 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상이 아닌 단순한 문자 등의 화상만을 표시할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제2 화소(P2)들은 상기 제1 화소(P1)들보다 배선들의 수를 줄이거나 박막 트랜지스터의 수를 줄임으로써 단순한 On/Off 구동에 의한 화상만을 표시할 수 있다.A plurality of second pixels (P2) for displaying an image are formed in the bending area. By configuring the second pixels P 2 different from the first pixels P 1 described above, more specifically, by simpler than the first pixels P 1 described above, It is possible to display only an image such as a simple character. In other words, the second pixels P2 can display only the image by simple On / Off driving by reducing the number of wirings or reducing the number of thin film transistors than the first pixels P1.

즉, 상기 제2 화소(P2)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 배선들의 수가 상기 제1 화소(P1)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 배선들보다 작게 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 화소(P2)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 트랜지스터들의 수가 상기 제1 화소(P1)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 트랜지스터들보다 작게 형성할 수 있다. 또한, 상기 제2 화소(P2)들에는 보상 회로가 구성되지 않을 수도 있다. 경우에 따라서, 상기 제2 화소(P2)들에는 트랜지스터가 구성되지 않아 상기 벤딩 영역은 능동형(active-matrix) 방식이 아닌 수동형(passive-matrix) 방식으로 구성될 수도 있다. That is, the number of wirings constituting the pixel circuit and the compensation circuit included in the second pixel P2 can be formed smaller than the wirings constituting the pixel circuit and the compensation circuit included in the first pixel P1. The number of transistors included in the pixel circuit P2 and the compensation circuit included in the second pixel P2 may be smaller than the number of transistors included in the pixel circuit and the compensation circuit included in the first pixel P1. In addition, a compensation circuit may not be formed in the second pixels P2. In some cases, transistors are not formed in the second pixels P2, so that the bending region may be formed in a passive-matrix manner instead of an active-matrix method.

상기 제2 방향 영역에는 화상을 표시하는 복수 개의 제3 화소(P3)들이 형성된다. 이와 같은 제3 화소(P3)들은 전술한 제1 화소(P1)들과 동일한 구성으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 제3 화소(P3)들을 전술한 제1 화소(P1)들과 동일하게 구성함으로써, 상기 제2 방향 영역은 상기 제1 방향 영역과 마찬가지로 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상을 표시할 수 있다. And a plurality of third pixels P3 for displaying an image are formed in the second direction region. The third pixels P3 may have the same configuration as the first pixels P1 described above. That is, by configuring the third pixels P3 to be the same as the first pixels P1 described above, the second directional area can display a full-color image such as a photograph or a moving picture similarly to the first directional area have.

한편, 상기 제3 화소들(P2)들은 전술한 제1 화소(P1)들과 상이한 구성, 보다 구체적으로는 상기 제1 화소(P1)들보다 단순하게 구성함으로써, 상기 제2 방향 영역에서는 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상이 아닌 단순한 문자 등의 화상만을 표시할 수 있다. 다시 말하면, 상기 제3 화소(P3)들은 상기 제1 화소(P1)들보다 배선들의 수를 줄이거나 박막 트랜지스터의 수를 줄임으로써 단순한 On/Off 구동에 의한 화상만을 표시할 수 있다. 즉, 상기 제3 화소(P3)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 배선들의 수가 상기 제1 화소(P1)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 배선들보다 작게 형성할 수 있다. 또한, 상기 제3 화소(P3)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 트랜지스터들의 수가 상기 제1 화소(P1)에 포함된 화소 회로 및 보상 회로를 구성하는 트랜지스터들보다 작게 형성할 수 있다. 또한, 상기 제3 화소(P3)들에는 보상 회로가 구성되지 않을 수도 있다. 경우에 따라서, 상기 제3 화소(P3)들에는 트랜지스터가 구성되지 않아 상기 제2 방향 영역은 능동형(active-matrix) 방식이 아닌 수동형(passive-matrix) 방식으로 구성될 수도 있다. The third pixels P2 may be configured to have a different structure from the first pixels P1, more specifically, more simply than the first pixels P1. Only an image such as a simple character can be displayed instead of a full color image such as a moving image. In other words, the third pixels P3 can reduce the number of wirings or reduce the number of thin film transistors than the first pixels P1, thereby displaying only the image by simple on / off driving. That is, the number of wirings constituting the pixel circuit and the compensation circuit included in the third pixel P3 can be formed smaller than the wirings constituting the pixel circuit and the compensation circuit included in the first pixel P1. In addition, the number of transistors constituting the pixel circuit and the compensation circuit included in the third pixel P3 may be smaller than the number of transistors included in the pixel circuit and the compensation circuit included in the first pixel P1. In addition, the third pixels P3 may not have a compensation circuit. In some cases, a transistor may not be formed in the third pixels P3, so that the second direction region may be formed in a passive-matrix manner instead of an active-matrix method.

상기 제3 화소들(P2)들은 상기 제2 화소(P2)들과 동일한 구성으로 형성할 수도 있고 상기 제2 화소(P2)들과 상이한 구성으로 형성할 수도 있다. The third pixels P2 may have the same structure as the second pixels P2 or may have a different structure from the second pixels P2.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 벤딩 영역의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 6에 따른 휘어진 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. Fig. 7 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, which is the same as the curved display device according to Fig. 6 described above except that the configuration of the bending area is changed. Therefore, only different configurations will be described below.

도 7에서 알 수 있듯이, 벤딩 영역에는 화상을 표시하기 위한 화소가 형성되지 않는다. 즉, 벤딩 영역에는 제1 방향 영역과 제2 방향 영역 간의 전기적 연결을 위한 배선만이 형성되며, 화상을 표시하기 위한 박막 트랜지스터 및 발광 다이오드층은 형성되지 않는다. As can be seen from Fig. 7, no pixels for displaying an image are formed in the bending area. That is, only the wiring for electrical connection between the first direction region and the second direction region is formed in the bending region, and the thin film transistor and the light emitting diode layer for displaying an image are not formed.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 벤딩 영역 및 제2 방향 영역의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 6에 따른 휘어진 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. Fig. 8 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, which is the same as the curved display device according to Fig. 6 described above except that the configuration of the bending area and the second direction area is changed. Therefore, only different configurations will be described below.

도 8에서 알 수 있듯이, 제1 방향 영역에는 제1 화소(P1)가 형성되고, 벤딩 영역에는 제2 화소(P2)가 형성되고, 제2 방향 영역에는 제3 화소(P3)가 형성되는데, 상기 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)의 크기가 상기 제1 화소(P1)의 크기보다 크게 형성된다. 또한, 상기 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)는 서로 동일한 크기로 형성될 수도 있지만, 상기 제2 화소(P2)의 크기가 상기 제3 화소(P3)의 크기보다 크게 형성될 수도 있다. 8, the first pixel P1 is formed in the first direction region, the second pixel P2 is formed in the bending region, and the third pixel P3 is formed in the second direction region. The size of the second pixel P2 and the third pixel P3 is larger than the size of the first pixel P1. Although the second pixel P2 and the third pixel P3 may be formed to have the same size as each other, the size of the second pixel P2 may be larger than the size of the third pixel P3 have.

상기 제2 화소(P2) 및 제3 화소(P3)는 상기 제1 화소(P1)와 동일한 구성으로 형성할 수도 있지만, 상기 제1 화소(P1)보다 단순하게 구성함으로써, 상기 벤딩 영역 및 상기 제2 방향 영역에서는 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상이 아닌 단순한 문자 등의 화상만을 표시할 수 있다. 상기 제1 화소(P1)보다 단순하게 구성하는 구체적인 방법은 전술한 바와 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다. The second pixel P2 and the third pixel P3 may have the same structure as the first pixel P1 but may be configured more simply than the first pixel P1, In the two-directional area, only an image such as a simple character can be displayed instead of a full-color image such as a picture or a moving picture. Since a specific method for simplifying the configuration of the first pixel P1 is the same as that described above, the repetitive description will be omitted.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 벤딩 영역의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 8에 따른 휘어진 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. Fig. 9 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, which is the same as the curved display device according to Fig. 8 described above except that the configuration of the bending area is changed. Therefore, only different configurations will be described below.

도 9에서 알 수 있듯이, 벤딩 영역에는 화상을 표시하기 위한 화소가 형성되지 않는다. 즉, 벤딩 영역에는 제1 방향 영역과 제2 방향 영역 간의 전기적 연결을 위한 배선만이 형성되며, 화상을 표시하기 위한 박막 트랜지스터 및 발광 다이오드층은 형성되지 않는다. As can be seen from Fig. 9, no pixels for displaying an image are formed in the bending area. That is, only the wiring for electrical connection between the first direction region and the second direction region is formed in the bending region, and the thin film transistor and the light emitting diode layer for displaying an image are not formed.

이상 설명한 도 6 내지 도 9에 따른 휘어진 디스플레이 장치에 따르면, 벤딩 영역과 제2 방향 영역에서 주로 박막 트랜지스터층의 구성을 단순화하는 방법을 적용하고 있다. 이와 같은 도 6 내지 도 9에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로는 박막 트랜지스터층(200)보다는 패시베이션층(400)이 유리할 수 있다. 즉, 도 6 내지 도 9에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 도 4(b)의 구조보다는 도 4(a)의 구조가 유리할 수 있다. 이에 대해서 설명하면, 전술한 바와 같이 휘어짐에 의해 손상받을 가능성이 큰 층은 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(400)이다. 이때, 상기 패시베이션층(400)을 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로 구성하게 되면 상기 패시베이션층(400)이 손상받을 가능성이 줄어든다. 또한, 상기 박막 트랜지스터층(200)의 구조를 벤딩 영역과 제2 방향 영역에서 단순화시키면 상기 박막트랜지스터층(200)이 손상받을 가능성도 줄어들게 된다. According to the above-described curved display device according to Figs. 6 to 9, a method of simplifying the configuration of the thin film transistor layer mainly in the bending region and the second direction region is applied. 6 to 9, the passivation layer 400 may be more advantageous than the thin film transistor layer 200 as an intermediate layer of the display device. That is, the curved display device according to Figs. 6 to 9 may be advantageous in the structure of Fig. 4 (a) rather than the structure of Fig. 4 (b). As described above, the layer that is likely to be damaged by warping is the thin film transistor layer 200 and the passivation layer 400, as described above. At this time, if the passivation layer 400 is formed as an intermediate layer of a curved display device, the possibility of damaging the passivation layer 400 is reduced. In addition, if the structure of the thin film transistor layer 200 is simplified in the bending region and the second direction region, the possibility of damaging the thin film transistor layer 200 is also reduced.

다만, 도 6 내지 도 9에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로 반드시 패시베이션층(400)을 형성해야 하는 것은 아니고, 박막 트랜지스터층(200)을 중간층으로 형성하는 것도 가능하다. However, it is not always necessary to form the passivation layer 400 as the intermediate layer of the curved display device shown in FIGS. 6 to 9, and it is also possible to form the thin film transistor layer 200 as an intermediate layer.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 벤딩 영역의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 8에 따른 휘어진 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. Fig. 10 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, which is the same as the curved display device according to Fig. 8 described above except that the configuration of the bending area is changed. Therefore, only different configurations will be described below.

도 10에서 알 수 있듯이, 벤딩 영역에는 화상을 표시하기 위한 화소가 형성되지 않으며, 따라서, 화상을 표시하기 위한 박막 트랜지스터 및 발광 다이오드층은 형성되지 않는다. 그 대신에, 상기 벤딩 영역에는 게이트 구동 집적 회로가 실장된다(Gate In Panel: GIP). 종래의 경우 게이트 구동 집적 회로는 디스플레이 장치의 가장자리 영역에 실장되는 것이 일반적인데, 본 발명의 다른 실시예에서는 게이트 구동 집적 회로를 상기 벤딩 영역에 실장함으로써 디스플레이 장치의 가장자리 영역의 폭을 줄일 수 있는 장점이 있다. 따라서, 상기 벤딩 영역에는 게이트 구동 집적 회로를 구성하는 다수의 박막 트랜지스터가 형성된다. As can be seen from Fig. 10, pixels for displaying an image are not formed in the bending region, and therefore, a thin film transistor and a light emitting diode layer for displaying an image are not formed. Instead, a gate drive integrated circuit (GIP) is mounted on the bending region. In the conventional case, the gate driving integrated circuit is generally mounted in the edge region of the display device. In another embodiment of the present invention, the width of the edge region of the display device can be reduced by mounting the gate driving integrated circuit in the bending region. . Therefore, a plurality of thin film transistors constituting the gate drive integrated circuit are formed in the bending region.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 제2 방향 영역의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 10에 따른 휘어진 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. Fig. 11 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, which is the same as the curved display device according to Fig. 10 described above, except that the configuration of the second directional area is changed. Therefore, only different configurations will be described below.

전술한 도 10에 따르면 제2 방향 영역에 형성된 제3 화소(P3)의 크기가 제1 방향 영역에 형성된 제1 화소(P1)의 크기보다 크게 형성되어 있다. 그에 반하여, 도 11에 따르면 제2 방향 영역에 형성된 제3 화소(P3)의 크기가 제1 방향 영역에 형성된 제1 화소(P1)의 크기와 동일하게 형성되어 있다.According to the above-described FIG. 10, the size of the third pixel P3 formed in the second direction region is formed larger than the size of the first pixel P1 formed in the first direction region. On the other hand, according to FIG. 11, the size of the third pixel P3 formed in the second direction region is the same as the size of the first pixel P1 formed in the first direction region.

도 11에 따른 휘어진 디스플레이 장치에서, 상기 제3 화소(P3)는 상기 제1 화소(P1)와 동일한 구성으로 형성할 수도 있지만, 상기 제1 화소(P1)보다 단순하게 구성함으로써, 상기 제2 방향 영역에서는 사진이나 동영상 등의 풀 컬러 화상이 아닌 단순한 문자 등의 화상만을 표시할 수 있다. 상기 제1 화소(P1)보다 단순하게 구성하는 구체적인 방법은 전술한 바와 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다. 11, the third pixel P3 may have the same structure as the first pixel P1. However, by simplifying the configuration of the third pixel P3 than the first pixel P1, It is possible to display only an image such as a simple character rather than a full color image such as a photograph or a moving picture. Since a specific method for simplifying the configuration of the first pixel P1 is the same as that described above, the repetitive description will be omitted.

이상 설명한 도 10 내지 도 11에 따른 휘어진 디스플레이 장치에 따르면, 벤딩 영역에 게이트 구동 집적 회로가 실장된다(Gate In Panel: GIP). 이와 같은 도 10 내지 도 11에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로는 패시베이션층(400)보다는 박막 트랜지스터층(200)이 유리할 수 있다. 즉, 도 10 내지 도 11에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 도 4(a)의 구조보다는 도 4(b)의 구조가 유리할 수 있다. 벤딩 영역에 게이트 구동 집적 회로를 실장하기 위해서는 다수의 박막 트랜지스터를 벤딩 영역에 형성해야 한다. 따라서, 박막 트랜지스터층(200)을 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로 구성함으로써 비록 벤딩 영역에 다수의 박막 트랜지스터를 형성한다 하더라도 다수의 박막 트랜지스터가 손상되는 것을 방지할 수 있다. According to the above-described curved display device according to Figs. 10 to 11, the gate driving integrated circuit is mounted in the bending region (Gate In Panel: GIP). The thin film transistor layer 200 may be more advantageous than the passivation layer 400 as the intermediate layer of the curved display device according to FIGS. 10 to 11. That is, the curved display device according to Figs. 10 to 11 may advantageously have the structure of Fig. 4 (b) rather than the structure of Fig. 4 (a). In order to mount the gate driving integrated circuit in the bending region, a plurality of thin film transistors must be formed in the bending region. Therefore, by forming the thin film transistor layer 200 as an intermediate layer of a curved display device, it is possible to prevent a plurality of thin film transistors from being damaged even if a plurality of thin film transistors are formed in the bending region.

다만, 도 10 내지 도 11에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 중간층으로 반드시 박막 트랜지스터층(200)을 형성해야 하는 것은 아니고, 패시베이션층(400)을 중간층으로 형성하는 것도 가능하다. However, it is not always necessary to form the thin film transistor layer 200 as the intermediate layer of the display device according to FIGS. 10 to 11, but it is also possible to form the passivation layer 400 as an intermediate layer.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 12 is a schematic cross-sectional view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.

전술한 도 5에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 제1 방향 영역의 일측 및 타측에 각각 벤딩 영역과 제2 방향 영역이 형성되어 있다. The curved display device according to the above-described FIG. 5 has bending regions and second direction regions formed on one side and the other side of the first direction region.

그에 반하여, 도 12에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 제1 방향 영역의 일측에만 벤딩 영역과 제2 방향 영역이 형성되어 있다. On the contrary, the bent display device according to FIG. 12 has the bending area and the second direction area only on one side of the first direction area.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도이다. 13 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention.

도 13에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 화상을 표시하는 표시 영역과 화상을 표시하지 않는 비표시 영역을 포함하여 이루어진다. 상기 비표시 영역에는 상기 표시 영역 내의 화소를 구동하기 위한 구동부(700)가 형성되어 있다. 도면에는 구동부(700)가 디스플레이 장치의 상단과 하단에 각각 형성된 모습을 도시하였지만, 상기 구동부(700)는 디스플레이 장치의 상단과 하단 중 어느 하나에만 형성될 수도 있다. As shown in FIG. 13, the curved display device according to another embodiment of the present invention includes a display area for displaying an image and a non-display area for not displaying an image. In the non-display area, a driver 700 for driving pixels in the display area is formed. Although the driving unit 700 is formed on the upper and lower ends of the display device, the driving unit 700 may be formed only on one of the upper and lower ends of the display device.

도 14는 도 13의 I-I'라인의 단면도이다. 즉, 도 14는 벤딩 영역과 중첩되는 표시 영역/비표시 영역의 단면을 보여주는 것이다. 이하의 다양한 실시예에 따른 단면도들도 마찬가지로 벤딩 영역과 중첩되는 표시 영역/비표시 영역의 단면을 보여주는 것이다. 이하에서는, 벤딩 영역과 중첩되는 표시 영역을 간단히 표시 영역으로 지칭하고, 벤딩 영역과 중첩되는 비표시 영역을 간단히 비표시 영역으로 지칭하기로 한다. 14 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. That is, Fig. 14 shows a cross section of the display area / non-display area overlapping the bending area. Sectional views according to various embodiments below also show cross sections of a display area / non-display area overlapping with a bending area. Hereinafter, the display area overlapping with the bending area will be referred to simply as a display area, and the non-display area overlapping with the bending area will be simply referred to as a non-display area.

도 14에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)을 포함하여 이루어진다. 14, a curved display device according to another embodiment of the present invention includes a base substrate 100, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, A sealing layer 500, and an upper film 600.

이때, 표시 영역에는 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)이 차례로 형성되어 있지만, 비표시 영역에는 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400)이 차례로 형성되어 있다. 따라서, 도 14에 따르면 표시 영역과 비표시 영역 사이에 두께 차가 발생한다. 이와 같은 표시 영역과 비표시 영역 사이에 두께 차가 발생하게 되면, 디스플레이 장치를 휘는 중에 상기 비표시 영역에서 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 이와 같이 비표시 영역에서 크랙이 발생하는 문제를 해소하기 위한 방안이 요구되며, 그와 같은 방안에 대해서 후술하는 실시예를 통해서 설명하기로 한다. In this case, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, a sealing layer 500, and an upper film (not shown) are formed on a base substrate 100, A thin film transistor layer 200 and a passivation layer 400 are sequentially formed on the base substrate 100 in the non-display region. Therefore, according to Fig. 14, a thickness difference occurs between the display area and the non-display area. When a thickness difference is generated between the display area and the non-display area, a crack may occur in the non-display area while the display device is bent. Accordingly, there is a need for a method for solving the problem of cracking in the non-display area, and such a method will be described in the following embodiments.

도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 비표시 영역으로 연장된 것이다. 도 15에서 점선 부분은 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 형성된 영역을 표시한 것이다. 15 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention, in which a sealing layer 500 and an upper film 600 are extended to a non-display region. In FIG. 15, the dotted line indicates a region where the sealing layer 500 and the upper film 600 are formed.

전술한 도 13 및 도 14에 따르면 비표시 영역과 벤딩 영역이 중첩되는 영역에 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 형성되지 않기 때문에, 상기 비표시 영역과 벤딩 영역이 중첩되는 영역에서 휘는 공정 중에 크랙이 발생할 수 있다. 13 and 14, since the sealing layer 500 and the upper film 600 are not formed in a region where the non-display region and the bending region overlap each other, the non-display region and the bending region overlap each other Cracks may occur during the bending process.

그에 반하여, 도 15에서는 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)를 비표시 영역과 벤딩 영역이 중첩되는 영역(E, F, G, H)까지 연장함으로써 휘는 공정 중에 크랙 발생을 방지할 수 있다. 15, the sealing layer 500 and the upper film 600 are extended to regions E, F, G, and H where the non-display region and the bending region overlap each other, .

또한, 도시된 바와 같이, 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)를 비표시 영역과 제2 방향 영역이 중첩되는 영역까지 연장할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)을 비표시 영역과 제1 방향 영역이 중첩되는 영역까지 연장할 수도 있다Further, as shown in the figure, the sealing layer 500 and the upper film 600 can extend to a region where the non-display region and the second direction region overlap. Although not shown, the sealing layer 500 and the upper film 600 may extend to a region where the non-display region and the first direction region overlap each other

도 16 및 도 17은 각각 도 15의 I-I'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도이다.16 and 17 are cross-sectional views, respectively, according to various embodiments of line I-I 'of FIG.

도 16 및 도 17에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치는 베이스 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)을 포함하여 이루어진다. 16 and 17, a curved display device according to another embodiment of the present invention includes a base substrate 100, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, a sealing layer 500, and an upper film 600.

이때, 표시 영역에는 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)이 차례로 형성되어 있다. 또한, 비표시 영역에는 도 16과 같이 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)이 차례로 형성될 수도 있고, 도 17과 같이 베이스 기판(100) 상에 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)이 차례로 형성될 수도 있다. 도시하지는 않았지만, 도 17의 경우 상기 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400) 중 어느 하나의 층이 비표시 영역까지 연장되는 것도 가능하다. In this case, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, a sealing layer 500, and an upper film (not shown) are formed on a base substrate 100, 600 are formed in this order. 16, a thin film transistor layer 200, a passivation layer 400, a sealing layer 500, and an upper film 600 are formed on a base substrate 100, A sealing layer 500 and an upper film 600 may be sequentially formed on the base substrate 100 as shown in FIG. In FIG. 17, it is also possible that one of the thin film transistor layer 200 and the passivation layer 400 extends to the non-display region.

도 16 및 도 17에 따르면 표시 영역과 비표시 영역 사이에 두께 차가 발생하지 않는다. 따라서, 디스플레이 장치를 휘는 중에 상기 비표시 영역에서 크랙 발생이 방지될 수 있다. 16 and 17, there is no difference in thickness between the display area and the non-display area. Therefore, cracking can be prevented in the non-display area while the display device is bent.

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 휘어진 디스플레이 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 비표시 영역으로 연장된 것이다. 도 18에서 점선 부분은 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 형성된 영역을 표시한 것이다. 전술한 도 15의 경우는 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 비표시 영역의 끝단까지 연장된 것이고, 도 18은 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 비표시 영역의 끝단까지 연장되지 않은 것이다. 18 is a schematic plan view of a curved display device according to another embodiment of the present invention in which a sealing layer 500 and an upper film 600 are extended to a non-display region. In FIG. 18, the dotted line indicates a region where the sealing layer 500 and the upper film 600 are formed. 15, the sealing layer 500 and the upper film 600 are extended to the ends of the non-display area, and FIG. 18 is a view illustrating a sealing layer 500 and the upper film 600 ) Does not extend to the end of the non-display area.

도 18의 경우 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)이 비표시 영역의 끝단까지 연장되지 않음으로써 표시 영역의 두께와 비표시 영역의 두께가 서로 상이하지만, 상기 비표시 영역에서 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400)의 구성을 변경하여 크랙 전달 방지부를 구성함으로써 상기 비표시 영역의 크랙이 상기 표시 영역으로 전달되는 것을 방지할 수 있는데, 이에 대해서는 후술하는 단면도를 참고로 설명하기로 한다. 18, since the sealing layer 500 and the upper film 600 do not extend to the ends of the non-display area, the thickness of the display area and the thickness of the non-display area are different from each other, It is possible to prevent cracks in the non-display area from being transferred to the display area by changing the configuration of the thin film transistor layer 200 and the passivation layer 400, A cross-sectional view will be described with reference to FIG.

도 19 내지 도 25는 각각 도 18의 I-I'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도이다. 19 to 25 are cross-sectional views according to various embodiments of the line I-I 'of FIG. 18, respectively.

도 19에서 알 수 있듯이, 표시 영역에는 베이스 기판(100) 상에 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 밀봉층(sealing layer)(500), 및 상부 필름(600)이 차례로 형성되어 있고, 상기 밀봉층(sealing layer)(500)과 상부 필름(600)은 비표시 영역의 일부까지 연장되어 있다. 또한, 비표시 영역에는 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400)이 형성되어 있다. 19, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, a sealing layer 500, and the like are formed on a base substrate 100, And an upper film 600 are sequentially formed on the upper surface of the sealing layer 500. The sealing layer 500 and the upper film 600 extend to a portion of the non-display area. In addition, a thin film transistor layer 200 and a passivation layer 400 are formed in the non-display region.

이때, 상기 표시 영역에 형성된 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400)은 크랙 전달 방지부(800)를 사이에 두고 상기 비표시 영역에 형성된 박막 트랜지스터층(200)과 패시베이션층(passivation layer)(400)과 이격되어 있다. 따라서, 상기 비표시 영역 내에 상기 베이스 기판(100)이 노출되도록 하는 크랙 전달 방지부(800)가 구비된다. 이와 같은 크랙 전달 방지부(800)에 의해서 비록 상기 비표시 영역에서 크랙이 발생한다 하더라도 발생된 크랙이 상기 표시 영역으로 전달되는 것이 방지된다. 이와 같은 크랙 전달 방지부(800)는 직선 또는 곡선의 홈 형태로 이루어질 수도 있고, 복수 개의 이격된 홀의 조합 형태로 이루어질 수도 있다. At this time, the thin film transistor layer 200 and the passivation layer 400 formed in the display region are separated from each other by the thin film transistor layer 200 formed in the non-display region and the passivation layer 400, and is spaced apart from the passivation layer 400. Therefore, a crack transfer preventing part 800 for exposing the base substrate 100 in the non-display area is provided. Although cracks are generated in the non-display area, the cracks are prevented from being transmitted to the display area. The crack transfer preventing part 800 may be a straight or curved groove or a combination of a plurality of spaced holes.

도 20은 도 19에 도시된 크랙 전달 방지부(800)가 복수 개로 형성된 모습이다. 도 20에는 크랙 전달 방지부(800)가 2개인 경우를 도시하였지만 3개 이상 형성되는 것도 가능하다. FIG. 20 shows a plurality of crack propagation preventing portions 800 shown in FIG. Although FIG. 20 shows a case where there are two crack propagation preventing portions 800, three or more crack propagating preventing portions 800 may be formed.

도 21은 도 19에 따른 장치에서 박막 트랜지스터층(200)이 상기 크랙 전달 방지부(800)에 추가로 형성된 것이다. 즉, 도 21에 따르면, 표시 영역에 형성된 패시베이션층(400)과 비표시 영역에 형성된 패시베이션층(400)이 서로 이격되어 상기 크랙 전달 방지부(800)가 형성되고, 상기 크랙 전달 방지부(800)에는 박막 트랜지스터층(200)이 노출된다. 21 is a cross-sectional view of a thin film transistor 200 according to another embodiment of the present invention. 21, the passivation layer 400 formed in the display area and the passivation layer 400 formed in the non-display area are spaced apart from each other to form the crack transfer preventing part 800, and the crack transfer preventing part 800 The thin film transistor layer 200 is exposed.

도 22는 도 19에 따른 장치에서 패시베이션층(400)이 상기 크랙 전달 방지부(800)에 추가로 형성된 것이다. 즉, 도 22에 따르면, 표시 영역에 형성된 박막 트랜지스터층(200)과 비표시 영역에 형성된 박막 트랜지스터층(200)이 서로 이격되어 상기 크랙 전달 방지부(800)가 형성되고, 상기 크랙 전달 방지부(800)에는 패시베이션층(400)이 노출된다. Fig. 22 is a cross-sectional view of a device according to Fig. 19 in which a passivation layer 400 is additionally formed in the crack transfer preventing portion 800. Fig. 22, the thin film transistor layer 200 formed in the display area and the thin film transistor layer 200 formed in the non-display area are spaced apart from each other to form the crack transfer preventing part 800, The passivation layer 400 is exposed.

도 23은 도 19에 따른 장치에서 금속층(900)이 상기 크랙 전달 방지부(800)에 추가로 형성된 것이다. 즉, 도 23에 따르면, 크랙 전달 방지부(800)에 의해 노출된 베이스 기판(100) 상에 금속층(900)이 형성되어 있다. 상기 금속층(900)은 Al 또는 Cu와 같은 연성(ductility)이 우수한 금속으로 이루어진다. 따라서, 비록 비표시 영역에 크랙이 발생한다 하더라도 상기 금속층(900)에 의해서 크랙이 표시 영역으로 전달되는 것이 방지될 수 있다. Fig. 23 is a view of the apparatus according to Fig. 19 in which a metal layer 900 is additionally formed in the crack transfer preventing portion 800. Fig. That is, according to FIG. 23, the metal layer 900 is formed on the base substrate 100 exposed by the crack transfer preventing portion 800. The metal layer 900 is made of a metal having excellent ductility such as Al or Cu. Therefore, even if a crack occurs in the non-display area, the crack can be prevented from being transmitted to the display area by the metal layer 900.

도 24는 도 21에 따른 장치에서 금속층(900)이 상기 크랙 전달 방지부(800)에 추가로 형성된 것이다. 즉, 도 24에 따르면, 크랙 전달 방지부(800)에 의해 노출된 박막 트랜지스터층(200) 상에 Al 또는 Cu와 같은 연성(ductility)이 우수한 금속으로 이루어진 금속층(900)이 형성되어 있다. Fig. 24 is a view of the apparatus according to Fig. 21 in which a metal layer 900 is additionally formed in the crack transfer preventing portion 800. Fig. That is, according to FIG. 24, a metal layer 900 made of a metal having excellent ductility such as Al or Cu is formed on the thin film transistor layer 200 exposed by the crack transferring prevention part 800.

도 25는 도 22에 따른 장치에서 금속층(900)이 상기 크랙 전달 방지부(800)에 추가로 형성된 것이다. 즉, 도 25에 따르면, 크랙 전달 방지부(800)에 의해 노출된 패시베이션층(400) 상에 Al 또는 Cu와 같은 연성(ductility)이 우수한 금속으로 이루어진 금속층(900)이 형성되어 있다. Fig. 25 shows a further embodiment of the device according to Fig. 22 in which a metal layer 900 is additionally formed in the crack transferring prevention part 800. Fig. That is, according to FIG. 25, a metal layer 900 made of a metal having excellent ductility such as Al or Cu is formed on the passivation layer 400 exposed by the crack propagation preventing portion 800.

한편, 이상 설명한 도 2 내지 도 12는 주로 표시 영역의 구성에 대한 것이고, 도 13 내지 도 25는 주로 비표시 영역의 구성에 대한 것으로서, 본 발명에 따른 표시 영역의 구성이 반드시 도 2 내지 도 12로 한정되는 것은 아니고, 표시 영역의 구성은 다양하게 변경될 수 있다. Figs. 2 to 12 described above mainly refer to the configuration of the display area, Figs. 13 to 25 mainly show the configuration of the non-display area, and the configuration of the display area according to the present invention is not limited to Figs. But the configuration of the display area can be variously changed.

이상은 제1 방향 영역, 벤딩 영역 및 제2 방향 영역을 포함하는 디스플레이 장치에 대해서 설명하였지만, 상기 제2 방향 영역은 경우에 따라서 생략될 수도 있다. While the foregoing has described a display device including a first directional area, a bending area, and a second directional area, the second directional area may be omitted as the case may be.

또한, 이상은 디스플레이 장치로서 유기 발광 표시장치를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명이 반드시 유기 발광 표시장치로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 포함하는 당업계에 공지된 다양한 디스플레이 장치, 예로서 액정표시장치 등을 포함한다. Although the present invention has been described using an organic light emitting display as an example of a display device, the present invention is not limited to the organic light emitting display, and various display devices known in the art including the technical idea of the present invention A liquid crystal display device and the like.

100: 베이스 기판 200: 박막 트랜지스터층
300: 발광 다이오드층 400: 패시베이션층
500: 밀봉층 600: 상부 필름
700: 구동부 800: 크랙 전달 방지부
900: 금속층100: base substrate 200: thin film transistor layer
300: light emitting diode layer 400: passivation layer
500: sealing layer 600: upper film
700: driving part 800: crack propagation preventing part
900: metal layer

Claims

A display device comprising a display area for displaying an image, a non-display area located at an upper or lower outer edge of the display area, and a bending area having a bent area at a side of the display area,
A first thin film transistor (TFT) layer provided on a substrate of a first region overlapping the display region and the bending region;
An organic light emitting layer provided on the first thin film transistor layer;
A passivation layer provided on the organic light emitting layer;
An upper film provided on the passivation layer and extended to a portion of a second region where the non-display region and the bending region overlap;
A second thin film transistor layer provided in the second region; And
And a crack transfer preventing portion provided in the second region,
Wherein the first thin film transistor layer and the second thin film transistor layer face each other with the crack propagation preventing portion interposed therebetween, and the passivation layer is disposed between the first thin film transistor layer, the second thin film transistor layer, And a display unit for covering the part.

The method according to claim 1,
Wherein the first thin film transistor layer and the second thin film transistor layer each include a protective layer and the protective layer of the first thin film transistor layer faces the protective layer of the second thin film transistor layer.

3. The method of claim 2,
Wherein the organic light emitting layer includes a first electrode, and the first electrode is disposed on the protection layer of the first thin film transistor layer.

3. The method of claim 2,
Wherein the passivation layer is provided directly on the protective layer of the second thin film transistor layer.

The method according to claim 1,
The crack propagation preventing portion may be formed of a linear or curved groove type display device

The method according to claim 1,
Wherein the upper film comprises at least one of a polarizing film and a touch screen film,

A display device comprising a display area for displaying an image, a non-display area located at an upper or lower outer edge of the display area, and a bending area having a bent area at a side of the display area,
A first thin film transistor layer formed on a substrate in a first region where the display region and the bending region overlap with each other and having a plurality of layers;
An organic light emitting layer provided on the first thin film transistor layer;
A passivation layer provided on the organic light emitting layer and extending to a second region in which the non-display region and the bending region overlap; And
And a second thin film transistor layer provided on the substrate of the second region, wherein the first thin film transistor layer and the second thin film transistor layer are separated from each other.

8. The method of claim 7,
Wherein the passivation layer extends from the first region to the second region through the isolation region.

8. The display device according to claim 7, wherein the passivation layer has a groove structure in the isolation region.

A display device having a display area for displaying an image, a non-display area located at an upper or lower outer edge of the display area, and a bending area having a bent area at a side of the display area,
A first thin film transistor layer provided on a substrate of a first region overlapping the display region and the bending region, the first thin film transistor layer including a protective layer;
An organic light emitting layer provided on the first thin film transistor layer;
A passivation layer provided on the organic light emitting layer;
A second thin film transistor layer provided in a second region overlapping the non-display region and the bending region, the second thin film transistor layer including a protective layer; And
And a crack transfer preventing portion provided in the second region,
Wherein the first thin film transistor layer and the second thin film transistor layer face each other with the crack propagation preventing portion interposed therebetween, and the passivation layer is disposed between the first thin film transistor layer, the second thin film transistor layer, And a display unit for covering the part.

11. The method of claim 10,
Wherein the passivation layer is provided directly on the protection layer in the second region.

11. The method of claim 10,
Wherein the protective layer of the first thin film transistor layer and the protective layer of the second thin film transistor layer are opposed to each other with the crack transfer preventing portion interposed therebetween.