KR20170136393A - Indigo based organic bulk heterojunction photodetectors - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an indigo based organic bulk heterojunction light receiving element comprising bulk heterojunction type light absorbers of an electron donor or acceptor material based on indigo and an electron donor or acceptor material comprising a conductive organic material. The indigo based organic bulk heterojunction light receiving element minimizes shortcomings which existing silicon and compound semiconductors have, absorbs light in a wider wavelength range, shows high sensitivity and efficiency, has excellent stability and can be mass-produced with low priced raw materials and modified process conditions.

Description

인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자 {INDIGO BASED ORGANIC BULK HETEROJUNCTION PHOTODETECTORS}INDIGO BASED ORGANIC BULK HETEROJUNCTION PHOTODETECTORS <br> <br> <br> Patents - stay tuned to the technology INDIGO BASED ORGANIC BULK HETEROJUNCTION PHOTODETECTORS

본 발명은 천연염료인 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 실리콘 및 화합물 반도체가 가지는 단점을 최소화하며, 높은 감도와 고 효율성을 가지면서도 제품의 형상에 제한을 받지 않는 안정성이 우수하고, 저가의 염료 및 완화된 공정 조건으로 대량 생산이 가능한 인디고 유기 벌크 이종 접합 수광소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic bulk heterojunction photodetector based on indigo which is a natural dye, and more particularly, to an organic bulk heterojunction photodetector which is capable of minimizing the disadvantages of conventional silicon and compound semiconductors and having high sensitivity and high efficiency, The present invention relates to an indigo organic-organic heterojunction photodetector which is excellent in stability without limitation and can be mass-produced with a low-cost dye and a relaxed process condition.

본 발명은 천연염료인 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 실리콘 및 화합물 반도체가 가지는 단점을 최소화하며, 높은 감도와 고 효율성을 가지면서도 제품의 형상에 제한을 받지 않는 안정성이 우수하고, 저가의 염료 및 완화된 공정 조건으로 대량 생산이 가능한 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종 접합 수광소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic bulk heterojunction photodetector based on indigo which is a natural dye, and more particularly, to an organic bulk heterojunction photodetector which is capable of minimizing the disadvantages of conventional silicon and compound semiconductors and having high sensitivity and high efficiency, The present invention relates to an organic bulk heterojunction photodetector based on an indigo which is excellent in stability without limitation and which can be produced inexpensively with a dye and mass production under relaxed process conditions.

수광 소자는 디지털 카메라, 방송용 카메라, 감시 카메라, 컴퓨터 화상용 카메라, 캠코더, 자동차용 센서, 가정용 센서 및 태양전지 등에 광범위하게 사용되고 있다.The light receiving element is widely used for digital cameras, broadcasting cameras, surveillance cameras, computer image cameras, camcorders, automotive sensors, home sensors and solar cells.

일반적으로 이미지 센서는 픽셀(pixel)이 배열된 구조를 가지고 있으며, 픽셀은 기본적으로 마이크로 렌즈, 컬러 필터 및 수광소자로 구성된다. 최근에 고화질을 목적으로 하는 모바일 카메라의 화소수의 경쟁이 심화 됨으로써 화소의 크기를 줄이는 것이 주요한 화두가 되고 있다. 그러나, 픽셀 사이즈가 감소할수록 광다이오드에 도달하는 광량 역시 감소하게 된다. 이러한 광량의 감소는 감도 저하, 위색 현상, 모아레 현상, 해상도 저하 등 이미지 센서의 성능을 저하시키는 주요한 요인이 된다.Generally, an image sensor has a structure in which pixels are arranged, and the pixel is basically composed of a microlens, a color filter, and a light receiving element. In recent years, the competition of the number of pixels of a mobile camera for high image quality has intensified, thereby reducing the size of a pixel has become a hot topic. However, as the pixel size decreases, the amount of light reaching the photodiode also decreases. Such a decrease in the amount of light is a major factor that deteriorates the performance of the image sensor, such as sensitivity deterioration, false color phenomenon, moire phenomenon, and resolution degradation.

또한, 종래에는 수광소자로서 결정성 실리콘, 비정질 실리콘, GaAs 등의 화합물 반도체를 이용한 MOS 캐패시터(Capacitor) 또는 PN 접한 다이오드 등을 사용하였다. 이에 따라 수광소자를 제조하기 위해서는 고온처리를 위한 고가의 설비투자 및 원재료의 가공에 드는 비용이 기하급수적으로 증가하여 수광소자의 가격상승을 일으키는 원인이 되고 있다. 따라서, 이러한 수광소자의 성능을 향상시키면서 저가로 제조하기 위해서는 수광소자에 핵심으로 사용되는 소재 혹은 제조 공정의 비용을 대폭 감소시킬 필요가 있으며, 무기 반도체 기반 수광소자의 대안으로 저가의 소재와 공정으로 제조가 가능한 유기물 기반의 수광소자가 대두되고 있다. In the past, a MOS capacitor or PN-contact diode using a compound semiconductor such as crystalline silicon, amorphous silicon, or GaAs was used as a light receiving element. Accordingly, in order to manufacture a light receiving element, expensive investment of equipment for high-temperature processing and cost of processing raw materials are exponentially increased, which causes a rise in the price of the light receiving element. Therefore, in order to improve the performance of such a light-receiving element and manufacture it at a low cost, it is necessary to drastically reduce the cost of material or manufacturing process used as a light-receiving element. As an alternative to inorganic semiconductor- An organic material-based light-receiving element capable of being manufactured has emerged.

고성능의 수광 소자를 위한 유기물 반도체 소자는 현재 활발히 연구가 진행 중인 유기 태양전지와 그 구조와 기능 면에 있어서 유사성이 있으므로, 기존의 유기 태양전지를 구성하고 있는 유기 반도체 물질과 소자의 구조에 관한 연구는 고성능의 유기 수광소자의 개발과 깊은 연관성을 갖는다.Since organic semiconductor devices for high-performance light-receiving devices are similar in structure and function to organic solar cells under active research, studies on the structure of organic semiconductors and devices constituting conventional organic solar cells Is closely related to the development of a high-performance organic light-receiving device.

유기 반도체 물질은 결합 구조의 고분자 (Conjugated polymer)로 이루어져 있으며, 이 고분자는 전기적 성질, 높은 광학적 특성 및 유연성으로 인한 적용범위의 확대, 공정의 용이성 그리고 값싼 재료적 특성으로 인해 기존의 무기 반도체 물질에 비해 폭넓은 적용범위와 가격 경쟁력을 갖는다. 특히, 수광소자에 적용되는 유기 반도체 소자는 유기태양전지와 유사한 구동 메카니즘을 보여준다. 유기 수광 소자의 기본적인 구조는 전자 수용체(Electron acceptor) 역할을 하는 n-형 반도체 물질과 전자 공여체(Electron donor 또는 Hole collector)역할을 하는 p-형 반도체 물질의 접합으로 이루어진다. 유기 수광 소자에 광에너지가 조사될 때, 무기반도체 기반의 태양전지의 경우, 광흡수가 바로 에너지 변환으로 이어지지만, 낮은 유전율을 갖는 p-결합 구조의 고분자 기반 소자의 경우는 광 흡수에 의해서 여기된 전자와 전자가 여기된 자리에 잔류하고 있는 정공이 쿨롱힘에 의해 서로 쌍을 이루어 엑시톤(Exiton)을 생성한다. 생성된 엑시톤이 전자 공여체나 전자 수용체의 계면으로 이동하게 되어 전자와 정공이 분리된 후 전자는 전자 수용체로 이동하고 정공은 전자 공여체로 이동하여 전극으로 전달되어 전기를 발생시킨다. 그러나 엑시톤이 재결합으로 인해 소멸되는데 소요되는 시간은 100ps 정도로 현저히 짧아서 엑시톤이 재결합 없이 움직일 수 있는 확산 거리는 약 10nm 로 제한되어 있다. 따라서 효율적인 전자와 정공 분리를 위해서는 전자 공여체나 전자 수용체의 계면이 엑시톤이 재결합없이 분리될 수 있는 10nm 이내인 영역에 존재해야 하며, 이는 전자 공여체나 전자 수용체 간의 계면 면적이 작은 이중층 이종접합소자에서의 성능 제한요인으로 작용한다. The organic semiconducting material is composed of conjugated polymer. Due to its electrical properties, high optical properties and flexibility, its application range, processability and inexpensive material properties, And has a wide range of applications and price competitiveness. In particular, an organic semiconductor device applied to a light receiving element shows a driving mechanism similar to that of an organic solar cell. The basic structure of the organic light receiving element is composed of an n-type semiconductor material serving as an electron acceptor and a p-type semiconductor material serving as an electron donor or hole collector. In the case of an inorganic semiconductor-based solar cell, when light energy is irradiated to the organic light-receiving element, light absorption directly leads to energy conversion. However, in the case of a polymer-based device having a p- And holes remaining in the excited electrons and electrons are paired with each other by Coulomb force to generate an exciton. The generated exciton moves to the interface between the electron donor and the electron acceptor, so that electrons and holes are separated. Then, the electrons move to the electron acceptor, and the holes move to the electron donor and are transferred to the electrode to generate electricity. However, the time required for the excitons to disappear due to the recombination is as short as about 100 ps, so that the diffusion distance at which excitons can move without recombination is limited to about 10 nm. Therefore, in order to efficiently separate electrons and holes, the interface between the electron donor and the electron acceptor must exist in a region within 10 nm where the exciton can be separated without recombination. This is a performance limitation factor.

벌크 이종접합구조(BHJ, Bulk Heterojunction)는 이와 같은 짧은 엑시톤 확산 거리의 문제를 해결하기 위해서 도입된 소자의 구조이다. 전자 수용체와 공여체 역할을 하는 고분자 화합물질들이 벌크상태로 혼합된 상태이며, 약 10 내지 20nm 간격으로 전자 수용체와 전자 공여체가 상호침투 네트워크 구조를 이루고 있으므로 수많은 계면이 엑시톤이 분리되기에 적합한 근거리 내에 위치하고 있어 양자 효율이 향상되며, 효과적으로 전자와 정공의 분리를 이룰 수 있다. 이런 이종접합 구조의 장점을 극대화하기 위해서는 소자 내에서 생성된 엑시톤의 확산과 분리를 유도하는 공여체와 수용체 간의 적합한 접합(junction) 특성이 고려되어야 하며, 이는 유기 수광 소자의 성능을 결정짓는 중요한 요인이 된다.The bulk heterojunction structure (BHJ) is a device structure that is introduced to solve the short exciton diffusion distance problem. Since the polymer compound materials serving as the electron acceptor and the donor are mixed in the bulk state and the electron acceptor and the electron donor form the interpenetrating network structure at intervals of about 10 to 20 nm, many interfaces are located within a short distance suitable for exciton separation The quantum efficiency is improved, and the separation of electrons and holes can be effectively achieved. In order to maximize the advantage of such a heterojunction structure, proper junction characteristics between a donor and a receptor that induce the diffusion and separation of the excitons generated in the device should be considered. This is an important factor determining the performance of the organic light receiving device do.

전자 공여체나 전자 수용체 간의 접합 특성은 재료의 선정과 그 재료들이 이루고 있는 소자 내의 구조에 따라 개선될 수 있다. 기존의 방법은 결합 구조의 고분자와 플러렌(fullerene, C60)의 혼성물에서 효율적이고 빠른 엑시톤 확산과 분리가 일어남을 이용하고 있다. 이때, 플러렌은 소자내의 전극으로서 전하전달 및 수집(charge transfer/collection) 기능을 동시에 수행하게 된다. The bonding characteristics between the electron donor and the electron acceptor can be improved depending on the selection of the material and the structure of the element formed by the materials. The existing method utilizes efficient and fast exciton diffusion and separation in the hybrid of conjugated structure polymer and fullerene (C60). At this time, the fullerene functions as a charge transfer / collection function as an electrode in the device.

플러렌은 몇 가지 그 장점으로 인해 이상적인 n-형 반도체 특성을 구현하게 된다. 먼저, 플러렌은 p-형 반도체 물질에 비해서 상대적으로 낮은 LUMO 에너지 준위를 가지고 있으므로 p-형 반도체 물질에서 생성된 전자가 열역학적인 측면에서 원활하게 플러렌으로 전달되도록 한다. 또한 반응속도론 적인 측면에서 결합구조의 고분자로부터 광유도 전자 이동이 45fs 정도 소요되는데 이는 광여기 상태의 열손실 또는 전자의 역이동에 따른 재결합에 걸리는 시간에 비해 짧다. 결국, 전하 수집 효율(charge collection efficiency)를 향상시킴으로써 소자의 전반적인 성능향상에 기여한다. 뿐만 아니라, 고 반응성을 갖는 여기 상태의 p-형 물질이 산소와 만나서 광산화되는 가능성을 줄이게 되어, 결합 구조의 광안정성 개선효과를 가져오게 된다.Fullerene has some advantages that allow it to achieve ideal n-type semiconductor properties. First, since the fullerene has a relatively low LUMO energy level as compared with the p-type semiconductor material, the electrons generated from the p-type semiconductor material are thermally transferred to the fullerene smoothly. In terms of kinetics, the photoinduced electron transfer from the polymer of the coupled structure takes about 45 fs, which is shorter than the time required for recombination due to the heat loss of the photoexcited state or the reverse movement of electrons. As a result, by improving the charge collection efficiency, it contributes to improvement of the overall performance of the device. In addition, the p-type material having a highly reactive excited state is less likely to be photo-oxidized by oxygen, thereby improving the optical stability of the coupled structure.

그러나 이상적인 n-형 반도체 물질로서의 플러렌의 장점에도 불구하고 소자에 효과적으로 적용되기 위해서는 유기용매에서의 낮은 용해도와 결정화로 인한 문제점들이 선결되어야 한다. 이러한 점을 해결하기 위하여 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM)과 같은 용해성 플러렌 유도체는 벌크 이종접합 소자의 전자수용체 물질로 널리 쓰이고 있다. 단점으로는 구조적 대칭성으로 인해 양자역학적으로 저에너지 전이가 금지되어 가시광선의 제한된 파장영역만을 흡수한다는 것이다. However, in spite of the advantages of fullerene as an ideal n-type semiconductor material, low solubility in an organic solvent and problems due to crystallization must be determined in order to be effectively applied to a device. Soluble fullerene derivatives such as [6,6] -phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) are widely used as electron acceptor materials for bulk heterojunction devices to solve this problem. The disadvantage is that due to the structural symmetry, low energy transfer is prohibited quantitatively and only the limited wavelength region of the visible light is absorbed.

이러한 단점을 극복하기 위하여 최근 단분자 형태의 유기물들이 플러렌 형태의 n-형 반도체를 대체하기 위하여 소개 되고 있다. 이러한 단분자 형태의 유기물들 중에서 최근 인디고를 기반으로 하는 유기 수광소자에 대한 기술이 소개 되었다. 인디고는 천연 상태로 존재하는 염료의 형태를 띄고 있으며 고분자 구조에 비하여 불순물의 함유가 적고, 재현성이 좋아 유기 수광소자에 보다 손쉽게 적용 될 수 있다. 또한 단분자 형태의 인디고는 고분자에 비해 상대적으로 작은 결정을 가지고 있으므로 전자의 이동이 더 높아 상대적으로 높은 효율을 기대하는 전자소자로의 많은 응용이 기대되고 있다. In order to overcome these disadvantages, monomolecular organic compounds have recently been introduced to replace n-type semiconductors in the form of fullerene. Of these organic molecules in the form of monomolecules, recent indigo-based organic light-receiving devices have been introduced. Indigo is in the form of a dye existing in a natural state, has less impurity content than a polymer structure, and is easily reproducible, so that it can be easily applied to an organic light receiving element. Indigo, which is a monomolecular type, has relatively small crystals compared to polymers, and thus it is expected that many applications for electronic devices that are expected to have relatively high efficiency due to higher electron mobility.

현재까지 벌크 이종접합 소자에서 성능과 안정성 측면에서 확립되어온 전자 수용공여체 물질로는 McCullough 등에 의해서 합성된 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 가 있다. P3HT의 에너지 준위는 HOMO가 -5.2 eV이고 LUMO가 -3.2 eV로, 밴드갭은 2.0 eV에 해당하며, P3HT:PCBM 벌크 이종접합 소자의 에너지 변환 효율은 5 % 내외로 벌크 이종접합 소자의 초기 컨셉이었던 PPV:PCBM의 효율이 2 % 내외 임을 감안할 때, 높은 성능향상을 가져왔다. P3HT 기반 소자의 성능 향상은 용매의 선정, 용매의 건조, 열처리 조건 등 여러 전/후 공정 등을 통하여 구현될 수 있다. 특히, 공정 후에 추가적인 열처리 (post calcination)는 P3HT의 광흡수율 증가와 함께 나노 도메인 (domain)의 생성에 의한 전자와 정공의 효율적인 이동에 기여하게 된다. Electron acceptor materials that have been established in terms of performance and stability in bulk heterojunction devices are poly (3-hexylthiophene) (P3HT) synthesized by McCullough et al. The energy level of P3HT corresponds to -5.2 eV of HOMO, -3.2 eV of LUMO and 2.0 eV of bandgap. The energy conversion efficiency of P3HT: PCBM bulk heterojunction device is about 5%, and the initial concept of bulk heterojunction device PPV: PCBM efficiency was about 2%, which resulted in high performance improvement. Performance improvement of P3HT-based devices can be realized through several pre- and post-processes such as solvent selection, solvent drying, heat treatment conditions, and so on. In particular, post-calcination post-processing contributes to the efficient transport of electrons and holes by the formation of nano-domains along with an increase in the photoabsorption of P3HT.

고성능의 유기 수광 소자를 구현하기 위해서는 앞서 기술한 재료의 선정 및 개선과 관련한 재료적인 관점에서의 고려뿐만 아니라 효과적인 전자와 정공의 분리, 효율적인 전하의 이동과 수집 그리고 광학적인 특성을 고려한 엔지니어링 관점에서의 소자의 설계가 뒷받침되어야 한다. 이를 구체화하기 위해서는 전자의 수집과 광흡수를 고려하여 적절하게 패턴된 ITO 혹은 FTO 기판의 설계가 선행되어야 하며, 이를 기반으로 전도층, 활성층, 금속 전극층 등이 밴드갭 에너지를 고려하여 적층되어야 한다. 특히, 적층된 각각의 층 사이에는 전자의 역이동에 의한 전자와 정공의 재결합을 방지하기 위하여 전자와 정공의 효과적인 분리가 필요한데, 이는 넓은 밴드갭을 갖는 탄소계 무기물 또는 Al2O3, TiO2, ZnO와 같은 금속산화물 장벽(barrier layer)을 삽입하여 전자와 정공의 분리를 극대화시킴으로써 해결할 수 있다. 한편, 전자 공여체 또는 전자 수용체 화합물로 이루어진 활성층(active layer)에서 전자의 수명 (electron lifetime)은 고분자 고유의 빠른 전자 이동도와 여전히 제한적인 전자의 확산거리로 인해 무기 반도체 물질에 비해서 현저하게 짧은 문제점이 있다.In order to realize a high-performance organic light-receiving device, it is necessary to consider not only materials from the viewpoint of material selection and improvement described above but also effective electron and hole separation, efficient charge movement and collection, Device design must be supported. In order to realize this, the appropriately patterned ITO or FTO substrate should be designed in consideration of electron collection and light absorption, and the conductive layer, the active layer, and the metal electrode layer should be laminated considering the band gap energy. Particularly, in order to prevent recombination of electrons and holes due to the reverse movement of electrons between the respective layers stacked, it is necessary to effectively separate electrons and holes. This is because a carbon-based inorganic material having a wide bandgap or a metal such as Al2O3, TiO2, ZnO This can be solved by inserting a metal oxide barrier layer to maximize the separation of electrons and holes. On the other hand, electron lifetime in an active layer made of an electron donor or an electron acceptor compound is remarkably shorter than that of an inorganic semiconductor material due to fast electron mobility inherent in a polymer and diffusion distance of an electron still limited have.

이를 극복하기 위해서 전자를 효과적으로 전달하는데 용이한 TiO2 nanotubes와 ZnO nanorods 등을 활성층에 포함시킴으로써 전자의 수명을 연장할 수 있다. 또한 활성층에 적용된 TiO2 nanotubes와 ZnO nanorods와 같은 1차원의 독특한 구조를 갖는 무기 반도체 물질들은 일반적으로 탁월한 광산란 효과(light scattering effect)를 나타내는데, 이로 인한 광수집 효율(light harvesting efficiency)의 향상은 소자의 성능 향상에 직접적으로 기여한다.In order to overcome this problem, TiO2 nanotubes and ZnO nanorods, which are easy to transfer electrons effectively, can be included in the active layer to prolong the lifetime of electrons. In addition, inorganic semiconductor materials having a unique one-dimensional structure such as TiO2 nanotubes and ZnO nanorods applied to the active layer generally exhibit an excellent light scattering effect. As a result, the improvement of the light harvesting efficiency due to the above- It directly contributes to performance improvement.

유기 수광 소자는 기존의 유기 벌크 이종접합 소자의 가용 파장의 범위를 가시광 영역에서 적외선 영역까지 확대함으로써 새로운 적용처를 창출할 수 있다. 특히, 적외선 영역에서 수광 소자의 적용처는 센서와 카메라를 비롯하여 다양하다. 또한 입사되는 광의 선택적인 파장 흡수가 가능하게 되어 기존의 무기 반도체 이미징 소자에서 가장 큰 제약 사항이었던 컬러 필터를 제거할 수 있는 효과까지도 얻을 수 있게 되었다. The organic light receiving device can create a new application by expanding the range of available wavelength of the organic bulk heterojunction device from the visible light region to the infrared region. In particular, the application of the light receiving element in the infrared region is various including the sensor and the camera. In addition, it has become possible to selectively absorb wavelength of incident light, and thus it is possible to remove the color filter which is the biggest restriction in the conventional inorganic semiconductor imaging device.

인디고를 기반으로 한 유기 수광소자는 저가의 용이한 용액 공정을 이용함으로써 role-to-role 공정을 이용한 대량 생산이 가능하며, 기존의 실리콘 및 화합물 수광 소자의 대체 시장이 잠재적으로 존재하고 있다. 그러나 현재까지 유기 반도체에 기반한 소자로는 유기 LED, 유기 가스 센서, 유기 태양전지, 유기 및 무기 하이브리드 태양전지 등으로 한정되어 있다. 또한 천연 염료인 인디고를 기반으로 하여 제작된 소자는 태양전지로의 응용으로 매우 제한적인 응용에 그치고 있으며, 수광센서를 목적으로 인디고를 기반으로 하여 유기 소자를 이용한 예는 전무한 실정이다. 따라서 본 발명에서는 벌크 이종접합 구조를 갖는 유기 수광 소자의 개발을 위하여 기존의 유기 태양전지에서 나타나는 엑시톤 소멸, 전자와 정공의 재결합으로 인한 전자의 수명 단축, 낮은 장파장 광흡광 문제점들을 고려하여 새롭게 설계된 천연염료인 인디고를 기반으로 하는 벌크 이종접합구조를 갖는 유기 수광소자를 제안하고자 한다.Indigo-based organic light-receiving devices can be mass-produced using role-to-role processes by using low-cost and easy solution processes, and there is a potential market for existing silicon and compound light-receiving devices. However, to date, devices based on organic semiconductors have been limited to organic LEDs, organic gas sensors, organic solar cells, and organic and inorganic hybrid solar cells. In addition, the device fabricated based on Indigo, which is a natural dye, is limited in application to solar cell and there is no example using organic device based on indigo for the purpose of receiving light sensor. Accordingly, in order to develop an organic light-receiving device having a bulk heterojunction structure, in the present invention, in consideration of problems of exciton destruction, shortening of the lifetime of electrons due to recombination of electrons and holes, and low wavelength long- An organic light-receiving element having a bulk heterojunction structure based on indigo, which is a dye, is proposed.

KR 1014791570000 AKR 1014791570000 A KR 1011162500000 AKR 1011162500000E KR 1020150002216 AKR 1020150002216 A

Il Ku Kim et al; Advanced Materials, Volume 27, Issue 41 November 4, 2015, Pages 6390-6395 Il Ku Kim et al; Advanced Materials, Volume 27, Issue 41 November 4, 2015, Pages 6390-6395 Il Ku Kim et al; IEEE Sensors Journal, DOI: 0.1109/JSEN.2016.2548985 Il Ku Kim et al; IEEE Sensors Journal, DOI: 0.1109 / JSEN.2016.2548985

본 발명의 목적은 고가의 원료와 장비를 사용하여 제조되는 무기물 기반의 수광소자 및 화합물 기반의 수광소자가 갖는 문제점과 무기물 및 화합물 소자가 갖는 낮은 광 검출능력의 문제점을 개선하면서 천연 염료인 인디고를 기반으로하는 유기 반도체가 갖는 저가형 원료 특성 및 용액에서 제조되는 BHJ(Bulk Heterojunction)의 장점을 모두 가짐과 동시에, 효율성 및 안정성이 우수하고 저가 대응이 가능한 인디고를 기반으로하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an indigo which is a natural dye, while improving the problems of an inorganic-based light-receiving element and a compound-based light-receiving element manufactured using expensive raw materials and equipment, Based bulk organic light emitting diode (OLED) based organic light emitting diode (OLED) based organic light emitting diode (OLED) light emitting diode .

본 발명의 목적은 제1,2 전자 혹은 홀 전달물질, 인디고를 기반으로 하는 전자 주게 혹은 전자 받게 물질 및 전도성 유기 물질을 포함하는 전자 전달 물질과 전도성 유기 물질을 포함하는 전자 받게 물질의 이종 벌크 접합형태가 hard 혹은 flexible기판위에서 광 흡수체를 포함하는 것을 특징으로 하는 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자를 제공함에 의해 달성된다.It is an object of the present invention to provide a process for the preparation of a first or second electron or hole transport material, an electron donor based on indigo, or an electron transport material comprising an electron acceptor material and a conductive organic material, The present invention is achieved by providing an indigo-based organic bulk heterojunction photodetector characterized in that the shape includes a light absorber on a hard or flexible substrate.

본 발명의 바람직한 특징에 따르면, 상기 제1,2 전자 혹은 홀 전달물질은 금속산화물을 포함하는 전자 혹은 홀 전달물질 및 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 전자 혹은 홀을 전달하는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to a preferred aspect of the present invention, the first and second electron or hole transfer materials include electron or hole transfer materials including a metal oxide and transparent or organic conduction polymers.

본 발명의 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 금속산화물을 포함하는 전자 혹은 홀 전달물질은 Mo, V, Cs, Ti, Zn, Pb, O 및 C로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 금속산화막을 포함하는 것으로 한다.According to a further preferred feature of the present invention, the electron or hole transfer material containing the metal oxide comprises a metal oxide film comprising at least one selected from the group consisting of Mo, V, Cs, Ti, Zn, Pb, .

본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 전자 혹은 홀전달물질은 하기 화학식 1로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다. According to a further preferred feature of the present invention, the electron or hole transport material comprising the transparent organic conductive polymer comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (1).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 전자 혹은 홀 전달물질은 하기 화학식 2로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다. According to a further preferred feature of the present invention, the electron or hole transport material comprising the transparent organic conductive polymer comprises an organic photoconductive material represented by the following general formula (2).

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

본 발명의 더욱 바람직한 특징에 따르면, 상기 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 전자 혹은 홀 전달물질은 하기 화학식 3로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다. According to a further preferred feature of the present invention, the electron or hole transport material comprising the transparent organic conductive polymer comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (3).

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 4로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (4).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 5로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (5).

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 6로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron-donating material containing the conductive organic material includes an organic photoconductive material represented by the following formula (6).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pat00006
Figure pat00006

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 7로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (7).

[화학식 7](7)

Figure pat00007
Figure pat00007

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 8로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to a further preferred feature of the present invention, the electron-donating material containing the conductive organic material includes an organic photoconductive material represented by the following formula (8).

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pat00008
Figure pat00008

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 9로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (9).

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pat00009
Figure pat00009

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은 하기 화학식 10으로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (10).

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질은 0.5 내지 4.0eV의 파장대역의 광을 흡수하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the conductive organic material is assumed to absorb light in a wavelength band of 0.5 to 4.0 eV.

[화학식 10] [Chemical formula 10]

Figure pat00010
Figure pat00010

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 11로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following formula (11).

[화학식 11](11)

Figure pat00011
Figure pat00011

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 12로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following formula (12).

[화학식 12] [Chemical Formula 12]

Figure pat00012
Figure pat00012

상기에서 D는 F, Cl, Br, I 혹은 pyridine 일 수 있으며, 각각 독립적으로 선택될 수 있으며, 서로 동일하거나 상이 할 수 있다. Wherein D may be F, Cl, Br, I or pyridine, each independently selected and may be the same or different.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 13로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following formula (13).

[화학식 13] [Chemical Formula 13]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기에서 D는 F, Cl, Br, I 혹은 pyridine 일 수 있으며, 각각 독립적으로 선택될 수 있으며, 서로 동일하거나 상이 할 수 있다. Wherein D may be F, Cl, Br, I or pyridine, each independently selected and may be the same or different.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 14로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material containing the organic photoconductive material based on the indigo includes a substance represented by the following Chemical Formula 14.

[화학식 14] [Chemical Formula 14]

Figure pat00014
Figure pat00014

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 15로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following formula (15).

[화학식 15] [Chemical Formula 15]

Figure pat00015
Figure pat00015

상기에서 D는 F, Cl, Br, I 일 수 있으며, 각각 독립적으로 선택될 수 있으며, 서로 동일하거나 상이 할 수 있다. In the above, D may be F, Cl, Br, I, each independently selected, and may be the same or different.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 16로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다. According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following chemical formula (16).

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure pat00016
Figure pat00016

상기에서 D는 F, Cl, Br, I 일 수 있으며, 각각 독립적으로 선택될 수 있으며, 서로 동일하거나 상이 할 수 있다. In the above, D may be F, Cl, Br, I, each independently selected, and may be the same or different.

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 17로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다. According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following chemical formula (17).

[화학식 17] [Chemical Formula 17]

Figure pat00017
Figure pat00017

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 인디고를 기반으로 하는 유기 광전도 물질을 포함하는 전자 주게 및 받게 물질은 하기의 화학식 18로 표시되는 물질을 포함하는 것으로 한다. According to an even more preferred feature of the present invention, the electron donor and acceptor material comprising the organic photoconductive material based on the indigo comprises a substance represented by the following chemical formula (18).

[화학식 18] [Chemical Formula 18]

Figure pat00018
Figure pat00018

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 받게 물질은 하기의 화학식 19로 표시되는 [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron acceptor material containing the conductive organic material includes [6,6] -phenyl-C61-butyric acid methyl ester organic photoconductive material represented by the following Chemical Formula 19 do.

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure pat00019
Figure pat00019

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 받게 물질은 하기의 화학식 20로 표시되는 [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron acceptor material containing the conductive organic material includes [6,6] -phenyl-C71-butyric acid methyl ester organic photoconductive material represented by the following Chemical Formula 20 do.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure pat00020
Figure pat00020

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기물질을 포함하는 전자 받게 물질은 하기의 화학식 21로 표시되는 유기 광전도 물질을 포함하는 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the electron acceptor material comprising the conductive organic material comprises an organic photoconductive material represented by the following formula (21).

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure pat00021
Figure pat00021

본 발명의 더욱 더 바람직한 특징에 따르면, 상기 전도성 유기 전자 주게 물질 및 전자 받게 물질들의 광 흡수 스펙트럼은 흡수 피크의 중심 파장이 300 내지 2,000nm인 것으로 한다.According to an even more preferred feature of the present invention, the light absorption spectra of the conductive organic electron donor and electron acceptor materials are such that the center wavelength of the absorption peak is 300 to 2,000 nm.

본 발명에 따른 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자는 고가의 원료와 장비를 사용하여 제조되는 무기물 기반의 수광 소자 및 화합물 기반의 수광 소자가 갖는 문제점과 무기물 및 화합물 소자가 갖는 낮은 광 검출능력의 문제점을 개선하면서, 인디고 유기 반도체가 갖는 저가형 원료 특성 및 용액에서 제조되는 BHJ(Bulk Heterojunction)의 장점을 모두 가짐과 동시에, 효율성 및 안정성이 우수하고 저가 대응이 가능한 효과를 나타낸다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The indigo-based organic bulk heterojunction photodetector according to the present invention has problems of inorganic-based photodiodes and compound-based photodiodes manufactured using expensive raw materials and equipment, (BHJ) (Bulk Heterojunction) produced in a solution, while exhibiting the effect of being excellent in efficiency and stability and being able to cope with a low price.

또한, 기존의 실리콘 및 화합물 반도체가 가진 단점을 최소화하며, 보다 넓은 파장 대역의 광을 흡수하고, 높은 감도와 고 효율성을 나타내며, 안정성이 우수하고 저가의 원료 및 완화된 공정 조건으로 대량 생산이 가능한 효과를 나타낸다. 또한 수 nm 부터 수백 μm에 이르는 두께의 기판에도 수광 소자의 제조가 가능하며 휘어지는 기판에도 수광 소자를 제작할 수 있는 장점이 있다. It also minimizes the disadvantages of conventional silicon and compound semiconductors, absorbs light in a broad wavelength band, exhibits high sensitivity and high efficiency, is excellent in stability, can be mass-produced with low cost raw materials and relaxed process conditions Effect. In addition, it is possible to manufacture a light receiving element on a substrate having a thickness of several nanometers to several hundreds of micrometers, and it is also advantageous to manufacture a light receiving element on a bent substrate.

도 1은 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자의 광 검출능력을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자의 파장 감응 정도인 Responsivity를 타나 낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자의 제1,2전극과 제1 전자 혹은 홀 전달물질, 제2 전자 혹은 홀 전달물질, 인디고를 포함하는 전자 주게 물질, 인디고를 포함하는 전자 받게 물질 및 각 물질의 위치와 에너지 밴드 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자를 구성하는 각 물질의 hard 혹은 flexible기판으로부터의 적층 순서를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자의 인디고를 포함하는 유기물 기반의 하는 전도성 전자 주게 물질, 인디고를 포함하는 유기물 기반의 하는 전도성 전자 받게 물질 의 혼합 형태를 나타낸 유기 이종 벌크 접합에 대한 개략도 이다.
도 6은 본 발명의 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자에 따른 광 전류 및 전압의 측정방법을 나타낸 계략도 이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a graph showing the photodetecting capability of an Indigo-based organic bulk heterojunction photodetector according to the present invention. FIG.
FIG. 2 is a graph showing Responsivity, which is the degree of wavelength response of the organic bulk heterojunction photodetector based on the Indigo of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view of an Indigo-based organic bulk heterojunction photodiode according to an embodiment of the present invention. And the position and energy band structure of each substance.
4 is a view showing a stacking order of each material constituting the organic bulk heterojunction photodetector based on an indigo of the present invention from a hard or flexible substrate.
FIG. 5 is a graph showing an organic-based conducting electron donor material including an indigo of an organic halogen heterojunction photodetector based on the indigo of the present invention, an organic heterogeneous material showing a mixed type of an electron donating electroconductive electron acceptor material including an indigo Fig.
6 is a schematic view showing a method of measuring a photocurrent and a voltage according to an Indigo-based organic bulk heterojunction photodetector according to the present invention.

이하에는, 본 발명의 바람직한 실시예와 각 성분의 물성을 상세하게 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention and physical properties of the respective components will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited thereto, And this does not mean that the technical idea and scope of the present invention are limited.

본 발명에 따른 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자는 제1,2전자전달물질, 제1,2광흡수체를 구성하고 있는 인디고를 기반으로 하는 전자 주게 혹은 전자 받게 물질 및 전도성 유기 물질을 포함하는 전자 전달 물질 혹은 전도성 유기 물질을 포함하는 전자 받게 물질의 이종 벌크 접합형태를 갖는다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, an organic-halogen heterojunction light-receiving element based on indigo can be used as an electron donor or electron acceptor material and a conductive organic material based on indigo, which constitute first and second electron transfer materials, And has a heterogeneous bulk junction form of an electron accepting material comprising an electron transporting material or a conductive organic material.

상기 수광소자의 기판으로는 soda lime glass, qurtz, polymer, plastic 의 재료를 모두 포함하고 있으며, 두께는 1 nm 부터 10 mm 사이에서 필요에 의하여 선택 되어진다. The substrate of the light receiving element includes soda lime glass, qurtz, polymer, plastic materials, and the thickness is selected from 1 nm to 10 mm if necessary.

상기 전자 혹은 홀 전달물질은 금속산화물 및 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 제1, 2전자 혹은 홀 전달물질을 포함하여 이루어지는데, 상기 금속산화물을 포함하는 전자 혹은 홀 전달물질은 Mo, V, Cs, Ti, Zn, Pb, O 및 C로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 금속산화막을 포함하는 것이 바람직하다.The electron or hole transport material comprises a first, a second, or a hole transport material comprising a metal oxide and a transparent organic conductive polymer, wherein the electron or hole transport material comprising the metal oxide is selected from the group consisting of Mo, V, Cs, Ti, Zn, Pb, O, and C, as a metal oxide film.

이때, 상기 금속산화물은 MoOx, Cs2CO3 및 V2O5로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.The metal oxide may be at least one selected from the group consisting of MoOx, Cs 2 CO 3, and V 2 O 5 .

상기 금속산화물은 스크린 프린팅, 스핀코팅, 바-코팅, 라비아-코팅, 블레이드 코팅 ,롤-코팅 및 진공 증착법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 코팅방법을 단독 또는 조합하여 수행하는 것이 바람직하며, 금속산화물의 입자는 평균 입자 크기가 5 내지 100nm것을 사용하는 것이 바람직하며, 금속 산화물의 두께는 1 나노미터 부터 1,000 마이크로 미터의 영역내에서 선택되어진다. It is preferable that the metal oxide is carried out by one or more coating methods selected from the group consisting of screen printing, spin coating, bar coating, labia-coating, blade coating, roll coating and vacuum deposition, It is preferable to use particles having an average particle size of 5 to 100 nm, and the thickness of the metal oxide is selected within a range of 1 to 1,000 micrometers.

상기 유기전도 폴리머는 Polyethylenimine, poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, ethoxylated polyethylenimine 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 유기 전도 폴리머를 포함하는 것이 바람직하다.The organic conductive polymer preferably includes at least one organic conductive polymer selected from the group consisting of polyethylenimine, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, and ethoxylated polyethylenimine.

상기 유기 전도 폴리머는 스크린 프린팅, 스핀코팅, 바-코팅, 라비아-코팅, 블레이드 코팅 ,롤-코팅 및 진공 증착법으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 코팅방법을 단독 또는 조합하여 수행하는 것이 바람직하며, 유기 전도 폴리머의 두께는 1 나노미터 부터 1,000 마이크로 미터의 영역내에서 선택되어진다.The organic conductive polymer is preferably subjected to one or more coating methods selected from the group consisting of screen printing, spin coating, bar coating, labia-coating, blade coating, roll coating and vacuum evaporation, The thickness of the polymer is selected within the range of 1 nanometer to 1,000 micrometers.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

인듐 주석 산화물(제1 전극)이 코팅된 유리 기판(ITO; Indium Tin Oxide, 8~15 ohms/sq, Sigma-Aldrich, 이하 ITO 기 판) 혹은 휘어짐을 갖는 폴리머 기판을 25 x 25 mm 크기로 절단한 후, 에칭하여 부분적으로 ITO 를 제거 한 후 패턴을 형성 하였다. A glass substrate (ITO: Indium Tin Oxide, 8 to 15 ohms / sq, Sigma-Aldrich, hereinafter ITO substrate) coated with indium tin oxide (first electrode) or a polymer substrate having a warp was cut into a size of 25 x 25 mm Then, the pattern was formed by partially removing ITO by etching.

제1 전자 전달층의 제조를 위하여 분말형태의 MoO3 를 진공 증착 장비에 적정량을 덜어 낸 후 1x10-6 torr 의 진공 조건에서 패턴 형성된 ITO 기판에 진공 증착하여 전자전달층을 제조 하였다. 제1전자 전달층의 두께는 1 nm에서 1,000 um 사이의 두께에서 필요에 따라 두께를 조절하였다. In order to prepare the first electron transport layer, an appropriate amount of powdery MoO 3 was removed from the vacuum vapor deposition equipment and vacuum evaporated on a patterned ITO substrate under a vacuum of 1 × 10 -6 torr to prepare an electron transport layer. The thickness of the first electron transporting layer was adjusted as needed at a thickness of between 1 nm and 1,000 μm.

제2 전자 전달층의 제조를 위하여 용액상태의 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)를 패턴 형성된 ITO 기판에 스핀 코팅의 방법으로 얇은 필름을 형성 하였다. 스핀코팅은 100~5000rpm에서 필요에 따라 1 나노미터 부터 1,000 마이크로 사이의 두께에서 필요에 따라 두께를 조절하였다. A thin film was formed by spin coating poly (3,4-ethylenedioxythiophene) poly (styrenesulfonate) (PEDOT: PSS) on a patterned ITO substrate to prepare a second electron transport layer. The spin coating was performed at 100 to 5000 rpm and thickness was adjusted as needed at a thickness of 1 to 1,000 microns as required.

유기 벌크 이종접합을 갖는 제1,2 전자 혹은 홀 전달물질을 갖는 광흡수층 제조를 위하여 P3HT [Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)] 과 Pure Indigo 혹은 Indigo를 포함하는 화합물을 1 ~ 100mg/mL 사이의 농도로 1.2-Dichlorobenzene 및 chloroform 에 녹여서 용액상태로 만들었다. 유기 벌크 접합 용액의 농도는 1mg/ml~1,000mg/ml로 필요에 따라 조절하였다. 다른 방법으로는 유기 벌크 이종접합을 갖는 제1,2 전자 혹은 홀 전달물질을 갖는 광 흡수층의 제조를 위하여 Pure Indigo 혹은 Indigo 를 포함하는 화합물과 [6,6]-phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) 혹은 [6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester (PC61BM) 또는 C60 fullerene 를 1 ~ 100mg/mL 사이의 농도로 1.2-Dichlorobenzene 및 chloroform 에 녹여서 용액상태로 만들었다. 유기 벌크 접합 용액의 농도는 1mg/ml~100mg/ml로 필요에 따라 조절하였다. For the preparation of a light absorbing layer having first and second electron or hole transferring materials having organic bulk heterojunctions, a compound containing P3HT [poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl)] and Pure Indigo or Indigo in an amount of 1 to 100 mg / mL in 1.2-Dichlorobenzene and chloroform. The concentration of the organic bulk bonding solution was adjusted from 1 mg / ml to 1,000 mg / ml as needed. Alternatively, a compound containing Pure Indigo or Indigo and [6,6] -phenyl C71 butyric acid methyl ester (PC71BM) for the preparation of a light absorbing layer having first and second electron or hole transfer materials having organic bulk heterojunction ) Or [6,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester (PC61BM) or C60 fullerene was dissolved in 1.2-Dichlorobenzene and chloroform at a concentration of between 1 and 100 mg / mL. The concentration of the organic bulk binding solution was adjusted to 1 mg / ml to 100 mg / ml as needed.

제1,2 전자 혹은 홀 전달물질을 이종 벌크 접합의 형태로 제조한 광흡수체 상부에 전자 혹은 홀 전달층의 제조를 위하여 분말형태의 MoO3 혹은 C60 를 진공 증착 장비에 적정량을 덜어 낸 후 1x10-6 torr 의 진공 조건에서 진공 증착하여 전자 전달층을 제조 하였다. 전달층의 두께는1nm에서 1,000um 사이의 두께에서 필요에 따라 두께를 조절하였다. The first or second electron or hole transfer material was prepared in the form of a heterogeneous bulk bond. In order to prepare an electron or hole transfer layer on the light absorber, a powdery MoO 3 or C 60 was removed from the vacuum deposition equipment, 6 torr vacuum condition to prepare an electron transport layer. The thickness of the transport layer was adjusted as needed at a thickness of between 1 nm and 1000 nm.

제1광흡수체와 제2광흡수체가 상부에 제조된 전자 전달층의 상부에 전극형성을 위하여 Calcium, Samarium, Aluminium, Silver, Gold 를 필요에 따라 1~1,000nm 사이에서 진공 증착하여 전극을 형성하였다. 진공 증착에 필요한 진공은 1x10-6 torr의 조건에서 실시하였다. An electrode was formed by vacuum deposition of calcium, samarium, aluminum, silver, and gold in an amount of 1 to 1,000 nm as needed in order to form an electrode on the electron transport layer on which the first and second light absorbers were formed . The vacuum required for vacuum deposition was performed under the condition of 1 × 10 -6 torr.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT 대신에 PCDTBT Poly[[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl]-2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl] 를 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.The procedure of Example 1 was repeated, except that PCDTBT Poly [[9- (1-octylnonyl) -9H-carbazole-2,7-diyl] -2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole- 4,7-diyl-2,5-thiophenediyl] was used to prepare an indigo-based organic bulk heterojunction photodetector.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT 대신에 PCPDTBT [Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]]를 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.The procedure of Example 1 was repeated except that PCPDTBT [Poly [2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl [4,4-bis (2-ethylhexyl) -4H-cyclopenta [ b: 3,4-b '] dithiophene-2,6-diyl], an indigo-based organic bulk heterojunction light receiving device was prepared.

<실시예 4><Example 4>

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT 대신에 p-DTS(FBTTh2)2 [7,7'-(4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-silolo[3,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl)bis(6-fluoro-4-(5′-hexyl-[2,2'-bithiophen]-5-yl)benzo[c][1,2,5]thiadiazole)]를 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.The procedure of Example 1 was repeated except that p-DTS (FBTTh 2 ) 2 [7,7 '- (4,4-bis (2-ethylhexyl) -4H-silolo [3,2- , 5-b '] dithiophene-2,6-diyl) bis (6-fluoro-4- (5'-hexyl- [2,2'-bithiophen- 5] thiadiazole) was used to produce an indigo-based organic bulk heterojunction.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT대신에 p-DTS(PTh2) 2 [550-bisf(4-(7-hexylthiophen-2-yl)thiophen-2-yl)-[1,2,5]thiadiazolo[3,4-c]pyridineg-330-di-2-ethylhexylsilylene-220-bithiophene]을 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.(PTh 2 ) 2 [550-bisf (4- (7-hexylthiophen-2-yl) thiophen-2-yl) - [1,2,5 ] thiadiazolo [3,4-c] pyridineg-330-di-2-ethylhexylsilylene-220-bithiophene] was used to prepare an indigo-based organic bulk heterojunction light receiving device.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT 대신에 PTB7 [Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]]을 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.[4, 8-bis [(2-ethylhexyl) oxy] benzo [1,2-b: 4,5-b '] dithiophene-2, 6-diyl] [3-fluoro-2 - [(2-ethylhexyl) carbonyl] thieno [3,4-b] thiophenediyl]]] was used to prepare an organic halogen-based light receiving device based on indigo.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

상기 실시예 1과 동일하게 진행하되, P3HT 대신에 MEH-PPV [poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]을 사용하여 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자를 제조하였다.Proceed in the same manner as in Example 1, but using indole-based organic bulk heterojunctions using poly (2-methoxy-5- (2'-ethylhexyloxy) -p-phenylene vinylene] instead of P3HT Device.

상기 실시예 1 내지 7을 통해 제조된 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광소자는 광검출능력이 우수하며, 유기 반도체가 갖는 저가형 원료 특성 및 용액에서 제조되는 BHJ(Bulk Heterojunction)의 장점을 모두 가짐과 동시에, 효율성 및 안정성이 우수하고 저가 대응이 가능하다. 또한 기판의 종류에 관계없이 hard 한 형태 및 flexible 의 형태를 갖는 기판에 모두 대응이 가능하다. The indigo-based organic bulk heterojunction photodetector manufactured through Examples 1 to 7 has excellent photodetecting ability, and has advantages of low cost raw material properties of organic semiconductor and BHJ (Bulk Heterojunction) At the same time, it is excellent in efficiency and stability, and can cope with a low price. Also, it is possible to cope with a substrate having a hard form and a flexible form regardless of the type of the substrate.

또한, 기존의 실리콘 및 화합물 반도체가 가진 단점을 최소화하며, 보다 넓은 파장 대역의 광을 흡수하고, 높은 감도와 고 효율성을 나타내며, 안정성이 우수하고 저가의 원료 및 완화된 공정 조건으로 대량 생산이 가능하다.It also minimizes the disadvantages of existing silicon and compound semiconductors, absorbs light of a broader wavelength band, exhibits high sensitivity and high efficiency, is excellent in stability, can be mass-produced with low cost raw materials and relaxed process conditions Do.

Claims (3)

제1,2 전자 혹은 홀 전달물질, 인디고를 기반으로 하는 전자 주게 혹은 전자 받게 물질 및 전도성 유기 물질을 포함하는 전자 전달 물질과 전도성 유기물질을 포함하는 전자 받게 물질의 이종 벌크 접합 형태가 hard 혹은 flexible 기판 위에서 광흡수체를 포함하는 것을 특징으로 하는 인디고를 포함하는 것을 특징으로 하는 인디고를 기반으로 하는 전도성 유기물질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로써,
[화학식 1]
Figure pat00022

상기 인디고를 기반으로 하는 전자 주게 혹은 받게 물질은 0.5에서 4.0eV 대역의 광을 흡수하며;
상기 인디고를 기반으로 하는 전자 주게 혹은 받게 물질은 광 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크의 중심 파장이 300 내지 2,000nm인 것을 포함하며;
상기 D는 F, Cl, Br, I 혹은 pyridine 이며;
상기 D는 F, Cl, Br, I 및 pyridine 은 각각 독립적으로 선택되며, 서로 상이하거나 동일한 것으로 선택되는 것을 특징으로 하는 인디고 화합물을 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자.
The first and second electron or hole transfer materials, indigo based electron donor or electron donor materials and electron donor materials including conductive organic materials and electron donor materials comprising conductive organic materials are either hard or flexible An indigo-based conductive organic material, which comprises an indigo comprising a light absorber on a substrate, is a compound represented by the following general formula (1)
[Chemical Formula 1]
Figure pat00022

The indigo-based electron donor or acceptor material absorbs light in the 0.5 to 4.0 eV band;
The indigo-based electron donor or acceptor material includes a center wavelength of an absorption peak in a light absorption spectrum of 300 to 2,000 nm;
D is F, Cl, Br, I or pyridine;
Wherein D is independently selected from F, Cl, Br, I, and pyridine, and are selected from the same or different.
청구항 1에 있어서,
상기 제1,2전자 혹은 홀 전달 물질은 금속산화물 및 투명 유기전도 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자로써, 금속 산화물을 포함하는 제1전자전달물질은 Mo, V, Cs, Ti, Zn, Pb, O 및 C로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 이루어지는 금속 산화막을 포함하며 금속 산화막은 각각 독립적으로 선택되며 서로 상이하거나 동일하게 선택되어지며,
투명 유기 전도 폴리머는
Figure pat00023
,
Figure pat00024
Figure pat00025
으로 구성된 군 중에서 선택되며,
상기 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자의 기판으로는 soda lime glass, quartz, polymer, plastic 의 재료를 모두 포함하고 있으며, 각 재료는 독립적 혹은 혼합하여 사용되며, 두께는 1 nm 부터 10 mm 사이 인 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second electron or hole transfer materials comprise a metal oxide and a transparent organic conduction polymer, wherein the first electron transfer material comprising a metal oxide comprises Mo , V, Cs, Ti, Zn, Pb, O, and C, and the metal oxide film is independently selected and selected to be different from or the same as each other,
The transparent organic conductive polymer
Figure pat00023
,
Figure pat00024
Figure pat00025
, &Lt; / RTI &gt;
The indigo-based organic bulk heterojunction light-receiving device includes soda lime glass, quartz, polymer, and plastic materials. Each material is used independently or in combination. The thickness of the material is 1 nm to 10 mm Wherein the organic light-emitting device is an indigo-based organic bulk heterojunction light receiving device.
청구항 1에 있어서,
전도성 유기물질을 포함하는 전자 주게 물질은
Figure pat00026

Figure pat00027

Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
,
Figure pat00031

Figure pat00032
으로 구성된 군 중에서 선택되며,
전도성 유기물질을 포함하는 전자 받게 물질은 C60, [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, [6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester로 구성된 군 중에서 선택 되어진 것을 특징으로 하는 인디고를 기반으로 하는 유기 벌크 이종접합 수광 소자.

The method according to claim 1,
An electron-donating material comprising a conductive organic material
Figure pat00026

Figure pat00027

Figure pat00028
,
Figure pat00029
,
Figure pat00030
,
Figure pat00031

Figure pat00032
, &Lt; / RTI &gt;
The electron acceptor material comprising the conductive organic material is selected from the group consisting of C 60 , [6,6] -phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester, [6,6] -phenyl-C 71 -butyric acid methyl ester Based organic light-emitting device.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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AT521544A3 (en) * 2018-07-31 2020-09-15 Fibrain Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Near infrared detector

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