KR20170135094A - Control method for skyrmion magnetization state and using the control method for magnetic memory device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a method of controlling a skyrmion magnetization state for controlling the magnetization state by adjusting a position where the light is focused, and a method of controlling a magnetic memory element capable of processing data by controlling the magnetization state of a magnetic structure using the control method. To this end, the present invention includes: introducing light in a direction perpendicular to a surface of a magnetic structure; generating a magnetic field in a direction parallel to a traveling direction of the light by the light; and aligning the magnetization state of a part of the magnetic structure by the magnetic field in the direction of the magnetic field.

Description

스커미온 자화상태를 제어하는 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자의 제어 방법{Control method for skyrmion magnetization state and using the control method for magnetic memory device} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of controlling a magnetization state of a magnetic memory device,

본 발명은 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 빛을 이용하여 자성 스커미온을 안정하게 형성할 수 있는 스커미온 자화상태를 제어하는 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자의 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for controlling a skewed magnetization state, and more particularly, to a method for controlling a skewed magnetization state capable of stably forming a magnetic skewness using light and a method for controlling the magnetic memory element using the method .

정보 산업이 발달함에 따라 대용량의 정보 처리가 요구되며, 고용량의 정보를 저장할 수 있는 정보 저장매체에 관한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 일반적으로 정보 저장매체로 널리 사용되는 하드디스크 드라이버는 저장 정보를 읽고 쓰기 위해 디스크를 회전시킨다. 이런 물리적인 운동이 필요한 장비는 진동에 약해 휴대용 기기에 활용하면 안정성과 에너지 효율이 떨어지는 문제점이 있다.As the information industry develops, large-volume information processing is required, and demand for information storage media capable of storing a large amount of information is continuously increasing. A hard disk drive, commonly used as an information storage medium, rotates the disk to read and write storage information. Equipment requiring such physical movement is susceptible to vibration, which causes stability and energy efficiency when used in portable devices.

이런 문제를 해결하기 위해 디스크 회전 운동을 디스크의 자화 상태를 이동시키는 것으로 대체하려는 연구가 활발히 이루어지고 있다. 최근 가장 주목받는 기술로 소용돌이 모양으로 배열된 스핀들의 구조체로 안정적인 메모리 단위인 스커미온(skyrmion)을 이용한 기술이 있다. 스커미온은 크기가 매우 작고 이동 속도가 빨라 스커미온의 배열 상태를 디지털 신호화하면 초고밀도 · 초고속 메모리 소자를 개발할 수 있다. 스커미온의 배열 상태를 제어하기 위해서 전류를 이용하는 방법을 주로 사용하고 있다.In order to solve this problem, studies have been actively made to replace the disk rotation motion by moving the magnetization state of the disk. Recently, the most remarkable technology is a structure of a spindle arranged in a spiral shape, and there is a technique using a stable memory unit skyrmion. Skyrimon is very small in size and fast in movement. By digitizing the arrangement state of skewness, it is possible to develop ultra-high-density and ultra-fast memory devices. A method of using an electric current is mainly used to control the arrangement state of skewness.

하지만 전류를 이용해 스커미온을 이동시키는 방법은 전자들에 의해 자화상태가 한쪽으로 휩쓸려가는 현상을 이용한 것으로서, 집중된 전류로 열이 발생하고, 시료의 자화상태가 바뀔 수 있는 문제점이 있다.However, the method of moving the skewer using the current is a phenomenon in which the magnetization state is swept to one side by electrons, so that heat is generated by the concentrated current and the magnetization state of the sample may be changed.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 전류로 제어하지 않아 시료의 열손상을 방지하고, 대면적에 적용이 가능한 스커미온 자화상태를 제어하는 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자의 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for controlling thermal shocks of a sample without controlling current, And a control method of the device. However, these problems are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 제공한다. 상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법은 자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 빛을 입사시키는 단계; 상기 빛에 의해 상기 빛의 진행방향과 나란한 방향으로 자기장이 발생하는 단계; 및 상기 자기장에 의해 상기 자성구조체의 어느 일부분의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;를 포함하되, 상기 빛의 포커싱되는 위치를 조절함으로써 상기 자화상태를 제어할 수 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a skyrimagnetization state. The method of controlling the skewed magnetization state includes the steps of: injecting light in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure; Generating a magnetic field in a direction parallel to a traveling direction of the light by the light; And aligning a magnetization state of a part of the magnetic structure by the magnetic field in the direction of the magnetic field, wherein the magnetization state can be controlled by adjusting a position where the light is focused.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 자기장의 세기는 상기 빛의 세기에 의해 변화되며, 상기 빛의 세기는 렌즈를 사용함으로써 제어될 수 있다.In the method of controlling the skirmish magnetization state, the intensity of the magnetic field is changed by the intensity of the light, and the intensity of the light can be controlled by using a lens.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 빛과 상기 렌즈에 의해 정해진 초점거리에 맞는 위치에 상기 자성구조체가 배치될 경우, 제 1 방향으로 정렬된 상기 자성구조체의 상기 자화상태가 상기 자기장에 의해 제 2 방향으로 정렬되되, 상기 제 2 방향으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭 또는 비대칭된 상태로 형성될 수 있다.Wherein when the magnetic structure is disposed at a position corresponding to the focal distance defined by the light and the lens, the magnetization state of the magnetic structure aligned in the first direction is the magnetic field of the magnetic field, And the magnetization state aligned in the second direction may be formed as a symmetrical or asymmetrical state when the incident light is rotated about the center axis as the center axis.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 빛과 상기 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근에 상기 자성구조체가 배치될 경우, 제 1 방향으로 정렬된 상기 자성구조체의 상기 자화상태가 상기 자기장에 의해 제 2 방향으로 정렬되되, 상기 제 2 방향으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭된 상태로 형성될 수 있다.Wherein the magnetization state of the magnetic structure aligned in the first direction is changed by the magnetic field when the magnetic structure is arranged in the vicinity of the focal distance defined by the light and the lens, And the magnetization state aligned in the second direction may be formed in a symmetrical state when the magnetization state aligned in the second direction is rotated around the incident light as a center axis.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 렌즈를 사용하여 상기 빛을 집속시킬 때 발생하는 수평벡터 성분과 수직벡터 성분에 의해 기울어진 상기 빛을 이용하여 상기 자화상태를 형성할 수 있다.In the method of controlling the skirmish magnetization state, the magnetization state can be formed using the light that is inclined by a horizontal vector component and a vertical vector component generated when the light is focused using the lens.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 자성구조체는 수직자성체를 포함할 수 있다.In the method of controlling the skirmish magnetization state, the magnetic structure may include a perpendicular magnetic body.

상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 있어서, 상기 빛은 원형 편광된 레이저를 포함할 수 있다.In the method of controlling the skyrimagnetization state, the light may comprise a circularly polarized laser.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 제공한다. 상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법은 자성구조체를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리만큼 이격되도록 배치하는 단계; 및 상기 자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장을 발생시켜 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;를 포함하고, 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계는, 상기 수직한 방향에서 입사되는 상기 빛에 의해 수직 자기장이 상기 자성구조체에 인가되며, 상기 수직 자기장에 의해 상기 자성구조체의 자화상태가 안정한 상태 또는 불안정한 상태로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a skyrimagnetization state. The method of controlling the skewed magnetization state includes disposing the magnetic structure so as to be spaced apart by a predetermined focal distance by a laser beam and a lens; And generating a magnetic field by causing the laser light to be incident in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure to align the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field, Wherein a vertical magnetic field is applied to the magnetic structure by the light incident in the vertical direction and the magnetization state of the magnetic structure is formed in a stable or unstable state by the vertical magnetic field, . ≪ / RTI >

본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 제공한다. 상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법은 자성구조체를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근에 이격되도록 배치하는 단계; 및 상기 자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장을 발생시켜 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;를 포함하고, 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계는, 기울어진 상기 빛에 의해 수직방향에서 기울어진 자기장이 상기 자성구조체에 인가되며, 상기 자기장에 의해 상기 자성구조체의 자화상태가 안정한 상태로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a skyrimagnetization state. The method of controlling the skirmish magnetization state includes disposing a magnetic structure so as to be spaced apart from a laser light and a lens by a predetermined focal distance; And generating a magnetic field by causing the laser light to be incident in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure to align the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field, May include a step in which a magnetic field inclined in a vertical direction by the tilted light is applied to the magnetic structure and the magnetization state of the magnetic structure is formed in a stable state by the magnetic field .

본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 상술한 방법을 이용하여 상기 자성구조체의 자화상태를 제어함으로써 데이터를 처리할 수 있는 자기 메모리 소자의 제어 방법이 제공된다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a magnetic memory device capable of processing data by controlling the magnetization state of the magnetic structure using the above-described method.

상기 자기 메모리 소자의 제어방법은 상기 데이터를 처리하기 위하여, 상기 자성구조체와 연결된 데이터 기록 소자 및 읽기 헤드를 이용하여, 상기 데이터를 기록하거나 삭제할 수 있다.The control method of the magnetic memory device may write or erase the data using a data recording element and a read head connected to the magnetic structure to process the data.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 자기 메모리 소자에 가해지는 전류로 인해 발생되는 줄 열에 의한 자기 메모리 소자의 파괴없이, 스커미온을 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 대면적 시료 전체의 스커미온들을 동시에 이동시킬 수 있는 스커미온 자화상태를 제어하는 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자의 제어 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, the skewness can be stably controlled without destroying the magnetic memory element due to the string of lines generated due to the current applied to the magnetic memory element. Also, it is possible to implement a method of controlling the skewed magnetization state capable of moving the skewnesses of the entire large-area sample at the same time, and a method of controlling the magnetic memory element using the method. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성구조체의 자화구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성구조체의 자화상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에서 자기장의 발생과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 단계별로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a magnetization structure of a magnetic structure according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 and 6 are views schematically showing a magnetization state of a magnetic structure according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 7 and 8 are views schematically illustrating a process of generating a magnetic field in a method of controlling a skirmish magnetization state according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 9 and 10 are diagrams illustrating steps of controlling a skirmish magnetization state according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성구조체의 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자성구조체의 자화상태를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 1 is a view schematically showing the structure of a magnetic structure according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 6 are views schematically showing a magnetization state of a magnetic structure according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 자성체는 구성 원자들이 각각 막대자석과 같은 특성을 가지고 있다. 상기 막대자석은 S극에서부터 N극으로의 방향이 있고, 이 방향은 임의의 방향을 향할 수 있는 자유도가 있다. 자성체의 원자 역시 막대자석처럼 자유도가 있는데, 이를 '자화방향' 또는 '스핀방향'이라고 한다. 각각의 자성원자들의 자화방향이 배열되어 있는 상태를 '자화상태' 또는 '스핀상태'라고 한다. 자성체가 존재할 때 인접한 원자들의 자화방향이 서로 나란하게 정렬하려는 성질을 가진 물질을 '강자성'이라고 한다. 이 경우, 강자성이 충분히 커서 인접한 원자들의 자화방향이 나란하게 되어 있는 자성체를 '강자성체'라고 한다.Referring to FIG. 1, the constituent atoms of the magnetic body have the same properties as the rod magnets. The bar magnet has a direction from the S pole to the N pole, and this direction has a degree of freedom that can be directed to an arbitrary direction. The atoms of a magnetic body also have degrees of freedom like rod magnets, which are called "magnetization directions" or "spin directions". The state in which the magnetization directions of the respective magnetic atoms are arranged is referred to as a " magnetization state " or a " spin state ". A substance with the property of aligning the magnetization directions of adjacent atoms in parallel when the magnetic body exists is called 'ferromagnetic'. In this case, a ferromagnetic substance having a sufficiently large ferromagnetism such that adjacent magnetization directions of the adjacent atoms are aligned is referred to as a 'ferromagnetic substance'.

한편, 자화방향들이 나란하게 되어 있는 영역을 '자구(자화구역, magnetic domain)'라고 한다. 강자성체(이하, 자성구조체(10)라고 함)는 복수개의 자구들(12, 16)로 나누어져 있고, 각 자구들(12, 16) 사이에는 자화방향이 점진적으로 변화하는 '자구벽(magnetic domain wall, 14)'이 존재한다. 자구벽(14)에서 자화방향(20)이 점진적으로 변화하는 이유는 인접한 원자들간의 자화방향(20)이 나란하게 되기를 에너지적으로 선호하기 때문이다. 강자성 때문에 인접한 자화방향(20)끼리 서로 반대방향을 향하는 것은 극히 불안정하고 도달하기도 어렵다.On the other hand, the area in which the magnetization directions are aligned is called a magnetic domain. A ferromagnetic body (hereinafter referred to as a magnetic structure 10) is divided into a plurality of magnetic domains 12 and 16, and between the magnetic domains 12 and 16, a magnetic domain wall, 14) 'exists. The reason why the magnetization direction 20 gradually changes in the magnetic domain wall 14 is because the magnetization direction 20 between the adjacent atoms is energetically favored to be parallel to each other. Due to the ferromagnetism, it is extremely unstable and difficult for the adjacent magnetization directions 20 to face each other in opposite directions.

도 2를 참조하면, 2차원 평면에 동일한 원자로 이루어진 자성구조체(10)를 얇고 균일하게 배열한 경우를 가정할 수 있다. 자성구조체(10)의 두께가 충분히 얇으면 '자성박막'이라고 한다. 상기 자성박막의 두께가 수나노미터 이하로 얇을 경우, 두께방향으로는 균일한 자화상태라고 가정할 수 있다. 자성구조체(10)의 상면과 하면에 적합한 물질들을 적층하면 2차원 평면에 수직인 자화방향(20)을 선호하도록 만들 수 있다. 이러한 성질을 '수직자성'이라고 하며, 자성구조체(10)가 수직자성박막일 경우, 자성구조체(10) 위에서 자성구조체(10)를 내려다 보면 제 1 자구(12, N극) 또는 제 2 자구(16, S극)만 보이게 된다. 만약, 아래에서 본다면 제 1 자구(12, N극) 또는 제 2 자구(16, S극)과 상반된 제 2 자구(16, S극) 또는 제 1 자구(12, N극)이 보인다. 예를 들어, 도 2처럼 자성구조체(10)의 위에서 내려다 본 경우, 제 1 자구(12, N극)가 보이는 자구를 편의상 '업자구', 제 2 자구(16, S극)가 보이는 자구를 '다운자구'라고 하며, 이 때, 면에 나란한 방향의 자화상태는 자구벽(14)에서만 존재하게 된다.Referring to FIG. 2, it can be assumed that the magnetic structures 10 made of the same atoms in a two-dimensional plane are thinly and uniformly arranged. If the thickness of the magnetic structure 10 is sufficiently thin, it is referred to as a "magnetic thin film". When the thickness of the magnetic thin film is thinner than several nanometers, it can be assumed that the magnetic thin film has a uniform magnetization state in the thickness direction. By stacking materials suitable for the upper and lower surfaces of the magnetic structure 10, the magnetization direction 20 perpendicular to the two-dimensional plane can be preferred. When the magnetic structure 10 is a perpendicular magnetic thin film, when the magnetic structure 10 is looked down on the magnetic structure 10, the first magnetic domain 12 (N pole) or the second magnetic domain 16, S pole). If viewed from below, the second magnetic domain (16, S pole) or the first magnetic domain (12, N pole) which is opposite to the first magnetic domain (12, N pole) or the second magnetic domain For example, when viewed from the top of the magnetic structure 10 as shown in FIG. 2, a magnetic domain in which the first magnetic domain 12 (N pole) Here, the magnetization state in the direction parallel to the plane is present only in the magnetic domain wall 14. In this case,

도 3 내지 도 6을 참조하면, 수직자성박막을 갖는 자성구조체(10)의 전체 자화상태가 한쪽 수직방향으로 균일하게 자화되어 있는 상태에서(다운자구(16)라고 가정함), 박막의 작은 부분이 반대 수직방향(업자구(12)라고 가정함)을 가진다고 가정할 수 있다. 이 때, 업자구(12)와 다운자구(16) 사이에 존재하는 자구벽(14)에서 자화방향(20)은 점진적으로 변화하는데, 변화하는 방식은 다양하다. 위상학적인 관점에서 자화상태는 크게 두 가지로 구분된다. 업자구(12)의 가운데에서 가장자리방향으로 바라보았을 때, 자화방향(20)의 배치가 항상 같게 보이는지, 다르게 보이는지에 따라 구분된다. 여기서, 항상 같은 형태로 자구벽(14)이 존재하는 자화상태를 스커미온이라고 한다. 이 경우, 강자성에 의해 인접한 원자들간의 자화방향(20)은 가능한 서로 나란하게 있으려고 하기 때문에 자화방향(20)들이 배열되어 있는 상태는 매우 안정적인 상태가 된다. 3 to 6, in a state where the entire magnetization state of the magnetic structure 10 having a vertical magnetic thin film is uniformly magnetized in one vertical direction (assuming that the down magnetic field 16 is formed), a small portion (Assumed to be the supplier 12) in the opposite direction. At this time, the magnetization direction 20 of the magnetic domain wall 14 existing between the supplier 12 and the down magnetization 16 gradually changes. From a topological point of view, the magnetization state is divided into two types. When the magnetization direction 20 is viewed from the center to the edge of the furnace aperture 12, the arrangement of the magnetization directions 20 is always determined to be the same or different. Here, the magnetization state in which the magnetic domain walls 14 are always present in the same shape is referred to as skewness. In this case, since the magnetization directions 20 between adjacent atoms are likely to be parallel to each other due to the ferromagnetism, the state in which the magnetization directions 20 are arranged becomes a very stable state.

이와 다르게 스커미온이 아닌 자화상태는 상대적으로 쉽게 균일한 자화상태로 변화할 수 있다. 인접한 원자들간의 자화방향(20)이 약간 어긋나는 것은 일부 허용 가능하지만, 인접한 원자들간의 자화방향이 완전히 반대방향을 향하게 되는 것은 아주 불안정한 상태가 된다. 따라서 인접한 원자들의 자화방향(20)이 약간 어긋나는 범위 안에서 자화방향(20)들을 점진적으로 변화시켜주면, 스커미온 자화상태가 아닌 것을 균일하고 안정한 자화상태로 변화시킬 수 있다. 스커미온 자화상태는 인접한 원자들간의 자화방향이 약간 어긋나는 정도의 변화로는 균일한 자화상태로 변화하기는 사실상 어려우며, 스커미온 자화상태를 없애거나 형성시키기 위해서는 반드시 인접한 원자들의 자화방향(20)이 완전히 반대인 자화상태를 지나가야하는데 이것은 만들기 매우 힘든 자화상태이다.Alternatively, the non-skirmish magnetization state can change to a relatively easy uniform magnetization state. It is partially acceptable that the magnetization direction 20 between adjacent atoms slightly deviates. However, it is very unstable that the magnetization direction between adjacent atoms is completely opposite to each other. Therefore, if the magnetization directions 20 are gradually changed within a range in which the adjacent atoms are slightly shifted in the magnetization direction 20, it is possible to change the non-squath magnetization state to a uniform and stable magnetization state. It is practically difficult for the skyrimonization state to change into a uniform magnetization state by a slight degree of deviation of the magnetization direction between adjacent atoms. In order to eliminate or form the skyrimonization state, the magnetization direction (20) It has to go through a completely opposite magnetization state, which is a very difficult magnetization state.

이를 해결하기 위해 본 발명은, 전류를 사용하지 않으며, 레이저 빛을 이용하여 자성구조체(10)에 자기장을 발생시켜 자성구조체(10)에 열 손상을 방지하고, 안정성이 우수한 스커미온 자화상태를 제어하는 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자(미도시)를 구현할 수 있다.  In order to solve the above problems, the present invention provides a method of controlling a skirmish magnetization state in which a magnetic field is generated in a magnetic structure (10) by using a laser beam without using a current to prevent thermal damage to the magnetic structure (10) And a magnetic memory device using the same (not shown).

도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에서 자기장의 발생과정을 개략적으로 도시한 도면이다.FIGS. 7 and 8 are views schematically illustrating a process of generating a magnetic field in a method of controlling a skirmish magnetization state according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 자화상태를 제어하는 방법은 자성구조체(10)의 표면에 수직한 방향으로 빛을 입사시키는 단계, 상기 빛에 의해 빛의 진행방향(30)과 나란한 방향으로 자기장(40)이 발생하는 단계 및 자기장(40)에 의해 자성구조체(10)의 어느 일부분의 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 빛의 포커싱되는 위치를 조절함으로써 자화상태(20)를 제어할 수 있다. 여기서, 자성구조체(10)는 수직자성체를 포함할 수 있으며, 상기 빛은 원형 편광된 레이저를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, a method of controlling the skewed magnetization state according to an embodiment of the present invention includes the steps of: injecting light in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure 10; 30 and aligning the magnetization state of a portion of the magnetic structure 10 with the magnetic field 40 by the magnetic field 40. In this case, The magnetization state 20 can be controlled by adjusting the position where the light is focused. Here, the magnetic structure 10 may include a perpendicular magnetic body, and the light may include a circularly polarized laser.

예를 들면, 자기장(40)의 방향은 빛의 진행방향(30)과 나란하거나 반대방향일 수 있다. 원형편광된 빛을 자성구조체(10)의 표면에 수직한 방향으로 넣는 경우, 수직자기장이 발생하고, 충분히 센 자기장(40)이 발생하면 상기 빛을 맞은 자성구조체(10)의 일부가 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시킬 수 있다. 따라서 수직자성박막을 갖는 자성구조체(10)에 빛을 쪼이는 경우 빛의 편광에 따라 국소적으로 원하는 위치 또는 부근에 수직자화상태를 형성할 수 있다. For example, the direction of the magnetic field 40 may be parallel or anti-parallel to the direction of travel 30 of light. When a circularly polarized light is placed in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure 10, a vertical magnetic field is generated, and when a sufficiently strong magnetic field 40 is generated, a part of the magnetic structure 10, Can be aligned in the direction of the magnetic field (40). Accordingly, when light is applied to the magnetic structure 10 having a perpendicular magnetic thin film, a perpendicular magnetization state can be locally formed at or near a desired position in accordance with the polarization of light.

도 8을 참조하면, 자기장(40)의 세기는 상기 빛의 세기에 의해 변화되며, 상기 빛의 세기는 렌즈(미도시)를 사용함으로써 제어된다. 즉, 빛의 세기를 높이기 위해서 렌즈(미도시)를 사용함으로써 빛을 집중시킬 수 있다. 이 때, 상기 빛과 상기 렌즈(미도시)에 의해 정해진 초점거리(P2)에서 빛이 최대한 모인다. 빛이 최대한 모이는 위치부근(빛이 최대한 모이는 위치 전(P1)/후(P3))에서 빛은 퍼져서 분포하게 된다. 상기 렌즈(미도시)의 가운데에서 벗어난 곳에 입사된 빛은 경로가 소정의 각도를 갖고 꺾어지게 되며, 이 때문에 빛이 최대한 모인 위치부근에는 기울어진 자기장(40) 성분이 발생하게 된다. 따라서 상기 렌즈(미도시)를 사용하여 상기 빛을 집속시킬 때 발생하는 수평벡터 성분(41)과 수직벡터 성분(미도시)에 의해 기울어진 상기 빛을 이용하여 상기 자화상태를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 8, the intensity of the magnetic field 40 is changed by the intensity of the light, and the intensity of the light is controlled by using a lens (not shown). That is, the light can be concentrated by using a lens (not shown) to increase the intensity of light. At this time, light is gathered at the focal distance (P2) defined by the light and the lens (not shown) as much as possible. In the vicinity of the position where the light reaches the maximum (the position before the light reaches the maximum (P1) / after (P3)), the light is spread and distributed. The light incident on a position deviated from the center of the lens (not shown) is bent at a predetermined angle so that a tilted magnetic field component 40 is generated near the position where the light is maximally gathered. Therefore, the magnetization state can be formed by using the light inclined by the horizontal vector component (41) and the vertical vector component (not shown) generated when the light is focused using the lens (not shown).

도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 단계별로 도시한 도면이다.FIGS. 9 and 10 are diagrams illustrating steps of controlling a skirmish magnetization state according to an embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9를 참조하면, 빛과 렌즈(미도시)에 의해 정해진 초점거리에 맞는 위치(P2)에 자성구조체(10)가 배치될 경우, 제 1 방향(20)으로 정렬된 자성구조체(10)의 상기 자화상태가 자기장(40)에 의해 제 2 방향(20a)으로 정렬되되, 상기 제 2 방향(20a)으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭 또는 비대칭된 상태로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제 1 방향(20)은 예를 들어, 업방향 자화상태를 갖고 있다면, 상기 제 2 방향(20a)은 다운방향 자화상태를 갖는 것을 의미한다.8 and 9, when the magnetic structure 10 is disposed at a position P2 that matches the focal distance defined by the light and the lens (not shown), the magnetic structure 10 aligned in the first direction 20 10 are aligned in the second direction 20a by the magnetic field 40. When the magnetized state aligned in the second direction 20a is rotated around the incident light as a central axis, The magnetization state may be formed in a symmetrical or asymmetrical state. Here, if the first direction 20 has the up direction magnetization state, for example, the second direction 20a means that the down direction magnetization state exists.

예를 들어, 도 8의 초점거리(P2)에 수직자성박막을 갖는 자성구조체(10)를 배치할 경우, 자성구조체(10)에는 수직 자기장만 인가되게 된다. 초기 자화상태(20)가 다운방향 자화상태를 가진 자성구조체(10)에 입사된 빛에 의해 충분히 강한 수직 자기장이 발생된다면 업방향(20a)을 가진 자화상태를 만들 수 있다. 하지만 업방향(20a) 자화상태와 다운방향(20) 자화상태 중간에 위치한 자화방향은 어느 한쪽으로 결정되지 않고, 스커미온 자화상태인 경우와 스커미온 자화상태가 아닌 경우(20b)로 랜덤하게 형성될 수 있다. 스커미온 상태를 안정적으로 형성하기 위해서는 업방향 자화상태와 다운방향 자화상태 중간 위치에서의 자화방향을 어느 한쪽으로 결정해줘야 한다.For example, when the magnetic structure 10 having the vertical magnetic thin film is disposed at the focal distance P2 in FIG. 8, only the perpendicular magnetic field is applied to the magnetic structure 10. [ If a sufficiently strong vertical magnetic field is generated by the light incident on the magnetic structure 10 having the down magnetization state in the initial magnetization state 20, the magnetization state with the up direction 20a can be made. However, the magnetization direction located between the magnetization state in the up direction 20a and the magnetization direction in the down direction 20 is not determined either, and is randomly formed in the case of the skyrimetric magnetization state or in the case of the non-magnetization state 20b . In order to stably form the skirting state, the magnetization direction at the intermediate position between the up direction magnetization state and the down direction magnetization state must be determined.

도 8 및 도 10을 참조하면, 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근(P1, P3)에 자성구조체(10)가 배치될 경우, 제 1 방향(20)으로 정렬된 자성구조체(10)의 상기 자화상태가 상기 자기장에 의해 제 2 방향(20a)으로 정렬되되, 제 2 방향(20a)으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭된 상태로 형성될 수 있다. 여기서, 제 1 방향(20)은 예를 들어, 업방향 자화상태를 갖고 있다면, 제 2 방향(20a)은 다운방향 자화상태를 갖는 것을 의미한다.8 and 10, when the magnetic structure 10 is disposed in the vicinity of the focal lengths P1 and P3 determined by the light and the lens, the magnetic structures 10 aligned in the first direction 20, When the magnetization state is aligned in the second direction (20a) by the magnetic field and the magnetization state aligned in the second direction (20a) is rotated with the incident light as the center axis, the magnetization state is symmetrical . ≪ / RTI > Here, if the first direction 20 has, for example, an up direction magnetization state, then the second direction 20a has a down direction magnetization state.

예를 들어, 도 8의 초점거리 전(P1)에 수직자성박막을 갖는 자성구조체(10)를 배치할 경우, 자성구조체(10)에는 기울어진 빛에 의해서 수직방향에서 소정의 각도만큼 기울어진 자기장(40)이 인가된다. 기울어진 자기장(40)은 수직벡터 성분(미도시)의 자기장과 수평벡터 성분(41)의 자기장(40)이 존재하게 되는데, 이 때, 수평벡터 성분(41)의 자기장(40)은 스커미온의 자화상태를 안정하게 형성하기에 적합한 방향성분을 가지고 있다. For example, when the magnetic structure 10 having the perpendicular magnetic thin film is disposed on the focal distance P1 in FIG. 8, the magnetic structure 10 is inclined by a tilted light beam at a predetermined angle in the vertical direction (40) is applied. The oblique magnetic field 40 has a magnetic field 40 of a horizontal vector component 41 and a magnetic field of a vertical vector component (not shown) And has a direction component suitable for stably forming the magnetization state of the magnet.

또한, 도 8의 초점거리 후(P3)에 수직자성박막을 갖는 자성구조체(10)를 배치할 경우, 상술한 바와 같이 기울어진 빛에 의해서 수직방향에서 소정의 각도만큼 기울어진 자기장(40)이 인가되어 안정적으로 스커미온 자화상태를 안정하게 형성할 수 있다. When the magnetic structure 10 having the vertical magnetic thin film is disposed after the focal distance P3 in FIG. 8, the magnetic field 40 inclined by a predetermined angle in the vertical direction due to the tilted light as described above It is possible to stably form the skyrimagnetization state stably.

구체적으로, 자성구조체(10)를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리만큼 이격되도록 배치하는 단계 및 자성구조체(10)의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장(40)을 발생시켜 자성구조체(10)의 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 자성구조체(10)의 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시키는 단계는, 상기 수직한 방향에서 입사되는 상기 빛에 의해 수직 자기장(40)이 자성구조체(10)에 인가되며, 수직 자기장(40)에 의해 자성구조체(10)의 자화상태가 안정한 상태 또는 불안정한 상태로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.Specifically, the magnetic structure 40 is generated by disposing the magnetic structure 10 so as to be spaced apart from the laser light by a predetermined focal distance by the lens and by making the laser light incident in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure 10 And aligning the magnetization state of the magnetic structure (10) in the direction of the magnetic field (40). The step of aligning the magnetization state of the magnetic structure 10 in the direction of the magnetic field 40 may include applying a vertical magnetic field 40 to the magnetic structure 10 by the light incident in the vertical direction, And the magnetization state of the magnetic structure 10 is formed in a stable or unstable state by the magnetic field 40.

또는, 자성구조체(10)를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근(P1, P3)에 이격되도록 배치하는 단계 및 자성구조체(10)의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장(40)을 발생시켜 자성구조체(10)의 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 자성구조체(10)의 자화상태를 자기장(40)의 방향으로 정렬시키는 단계는, 기울어진 상기 빛에 의해 수직방향에서 기울어진 자기장이 자성구조체(10)에 인가되며, 자기장(40)에 의해 자성구조체(10)의 자화상태가 안정한 상태로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.Alternatively, the magnetic structure 10 may be arranged so as to be spaced apart from the laser light and near the focal distance (P1, P3) determined by the lens, and by applying the laser light in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure 10 40) to align the magnetization state of the magnetic structure 10 in the direction of the magnetic field 40. The step of aligning the magnetization state of the magnetic structure 10 in the direction of the magnetic field 40 is such that a magnetic field inclined in the vertical direction by the tilted light is applied to the magnetic structure 10, Thereby forming the magnetization structure of the magnetic structure 10 in a stable state.

즉, 자성구조체(10)에 입사되는 레이저 빛, 상기 레이저 빛을 집중시키는 렌즈와 자성구조체(10)의 거리에 따라서 스커미온 자화상태를 안정한 상태 또는 불안정한 상태로 제어할 수 있다. 또, 자성구조체(10)를 구성하는 물질의 종류에 따라서 상기 거리는 가변적이며, 도 8의 위치 1 또는 위치 3에서 스커미온 자화상태를 안정적으로 제어할 수 있다.That is, it is possible to control the skewed magnetization state to a stable state or an unstable state according to the distance between the laser light incident on the magnetic structure 10 and the lens 10 concentrating the laser light. The distance is variable depending on the kind of material constituting the magnetic structure 10, and the skirmish magnetization state can be stably controlled at the position 1 or 3 in Fig.

상술한 내용을 토대로 자성구조체(10)에 입사되는 빛에 의해 발생된 자기장(40)을 이용하여 스커미온 자화상태를 안정한 상태로 형성하거나 불안정한 상태로 제어할 수 있다. 상술한 스커미온 자화상태를 제어하는 방법에 따른 자성구조체(10)를 포함하는 자기 메모리 소자(미도시)에도 쉽게 적용할 수 있다. 자성구조체(10)의 형태는 예를 들어, 박막형태일 수 있으며, 이 밖에도 자성구조체(10)의 물질에 따라 리본 또는 라인 등과 같이 다양한 형태를 가질 수 있다. 즉, 자성구조체(10)와 연결된 데이터 기록 소자 및 읽기 헤드를 포함하여, 데이터를 기록하거나 읽고, 삭제할 수 있는 구조가 간단한 자기 메모리 소자를 구현할 수 있다. Based on the above description, it is possible to form the skirmish magnetization state in a stable state or to control it in an unstable state by using the magnetic field 40 generated by the light incident on the magnetic structure 10. (Not shown) including the magnetic structure 10 according to the method of controlling the skewed magnetization state described above. The shape of the magnetic structure 10 may be, for example, a thin film shape, and may have various shapes such as a ribbon or a line depending on the material of the magnetic structure 10. That is, a magnetic memory device having a simple structure capable of recording, reading, and erasing data, including a data recording element and a read head connected to the magnetic structure 10, can be implemented.

상술한 바와 같이 본 발명에서는 원형 편광된 빛을 이용하여 수직자성물질로 이루어진 자성구조체에 스커미온 자화방향들의 특수한 배열을 형성할 수 있다. 이 때, 빛을 포커싱(focusing)할 때 발생하는 기울어진 빛을 이용하여 스커미온 자화상태를 형성할 수 있다. 예를 들어, 빛의 포커싱 위치에서 벗어날 때 발생하는 기울어진 빛을 이용하는 것과 같이, 포커싱 된 빛의 포커스(focus) 위치를 조정함으로써 스커미온 자화상태를 안정적으로 형성할 수 있다.As described above, in the present invention, it is possible to form a special arrangement of the directions of the skirting magnetization in the magnetic structure made of the perpendicular magnetic material by using the circularly polarized light. At this time, the skewed magnetization state can be formed by using the oblique light generated when the light is focused. For example, by adjusting the focus position of the focused light, such as using an oblique light generated when the light exits from the focusing position of the light, the skewed magnetization state can be stably formed.

또한, 크기가 수십나노미터 수준인 스커미온 자화상태가 교류자기장에 의해 이동할 수 있다. 이 방법은 외부 전자석에 의해 공간상에 균일하게 발생한 자기장을 시간에 따라 진동시켜 스커미온 자화상태를 이동시킬 수 있다. 스커미온의 이동으로 특정 위치에 스커미온이 없어지면 '0(off 상태)', 스커미온이 있으면 '1(on 상태)'로 표시하게 된다. 이러한 기술을 응용하여 개발되는 메모리소자를 포함한 모든 자성소자에 적용이 가능하다.In addition, the skyrimagnetization state with a size of several tens of nanometers can be moved by the alternating magnetic field. In this method, a magnetic field generated uniformly in space can be oscillated with time by an external electromagnet to move the skewed magnetization state. If a skirmish is lost at a certain position due to movement of a skirmon, it is displayed as '0 (off state)', and if there is a skirmish, it is displayed as '1 (on state)'. It can be applied to all magnetic elements including a memory element developed by applying this technique.

종래의 전류 대신 자기장을 이용하여 스커미온 자화상태를 제어하면 자성구조체의 열손상을 막고, 자성구조체 전체의 스커미온을 동시에 이동시킬 수 있어 대면적에 유용하게 적용할 수 있으며, 자기 메모리 소자를 장시간 운용함에 있어서, 매우 안정적이며, 정보 산업이 발달함에 따라 대용량의 정보 처리가 가능한 스핀메모리와 같은 자기 메모리 소자를 제어할 수 있다.By controlling the skirmish magnetization state using a magnetic field instead of the conventional current, heat damage to the magnetic structure can be prevented and the skirmish of the entire magnetic structure can be moved simultaneously, which can be usefully applied to a large area. It is possible to control a magnetic memory element such as a spin memory which is very stable and can process a large amount of information as the information industry develops.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

10 : 자성구조체
12 : 제 1 자구(업자구)
14 : 자구벽
16 : 제 2 자구(다운자구)
20 : 자화방향
20a : 빛에 의해 결정되는 자화방향
20b : 빛에 의해 결정되지 않는 자화방향
30 : 빛의 진행 방향
40 : 자기장
41 : 수평벡터 성분10: magnetic structure
12: First foreign player (dealer)
14:
16: The second bullet (down bulge)
20: Direction of magnetization
20a: direction of magnetization determined by light
20b: direction of magnetization not determined by light
30: Direction of light progression
40: magnetic field
41: Horizontal vector component

Claims (11)

자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 빛을 입사시키는 단계;
상기 빛에 의해 상기 빛의 진행방향과 나란한 방향으로 자기장이 발생하는 단계; 및
상기 자기장에 의해 상기 자성구조체의 어느 일부분의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;
를 포함하되,
상기 빛의 포커싱되는 위치를 조절함으로써 상기 자화상태를 제어하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.Introducing light in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure;
Generating a magnetic field in a direction parallel to a traveling direction of the light by the light; And
Aligning a magnetization state of a part of the magnetic structure by the magnetic field in the direction of the magnetic field;
, ≪ / RTI &
And controlling the magnetization state by adjusting the focused position of the light,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 1 항에 있어서,
상기 자기장의 세기는 상기 빛의 세기에 의해 변화되며, 상기 빛의 세기는 렌즈를 사용함으로써 제어되는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the intensity of the magnetic field is varied by the intensity of the light and the intensity of the light is controlled by using a lens,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 2 항에 있어서,
상기 빛과 상기 렌즈에 의해 정해진 초점거리에 맞는 위치에 상기 자성구조체가 배치될 경우,
제 1 방향으로 정렬된 상기 자성구조체의 상기 자화상태가 상기 자기장에 의해 제 2 방향으로 정렬되되, 상기 제 2 방향으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭 또는 비대칭된 상태로 형성되는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.3. The method of claim 2,
When the magnetic structure is disposed at a position corresponding to the focal distance defined by the light and the lens,
When the magnetized state of the magnetic structure aligned in the first direction is aligned in the second direction by the magnetic field and the magnetized state aligned in the second direction is rotated around the incident light as a central axis, Wherein the magnetization state is formed in a left-right symmetrical or asymmetric state,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 2 항에 있어서,
상기 빛과 상기 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근에 상기 자성구조체가 배치될 경우,
제 1 방향으로 정렬된 상기 자성구조체의 상기 자화상태가 상기 자기장에 의해 제 2 방향으로 정렬되되, 상기 제 2 방향으로 정렬된 상기 자화상태가 입사된 상기 빛을 중심축으로 하여 회전시켰을 때, 상기 자화상태가 좌우 대칭된 상태로 형성되는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.3. The method of claim 2,
When the magnetic structure is arranged near the light and the focal distance defined by the lens,
When the magnetized state of the magnetic structure aligned in the first direction is aligned in the second direction by the magnetic field and the magnetized state aligned in the second direction is rotated around the incident light as a central axis, Wherein the magnetization state is formed in a symmetrical state,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 2 항에 있어서,
상기 렌즈를 사용하여 상기 빛을 집속시킬 때 발생하는 수평벡터 성분과 수직벡터 성분에 의해 기울어진 상기 빛을 이용하여 상기 자화상태를 형성하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.3. The method of claim 2,
And a second lens unit for focusing the light using the lens to form the magnetized state using the light that is inclined by a horizontal vector component and a vertical vector component,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 1 항에 있어서,
상기 자성구조체는 수직자성체를 포함하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the magnetic structure comprises a perpendicular magnetic body,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 1 항에 있어서,
상기 빛은 원형 편광된 레이저를 포함하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.The method according to claim 1,
Wherein the light comprises a circularly polarized laser,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 자성구조체를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리만큼 이격되도록 배치하는 단계; 및
상기 자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장을 발생시켜 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;
를 포함하고,
상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계는,
상기 수직한 방향에서 입사되는 상기 빛에 의해 수직 자기장이 상기 자성구조체에 인가되며, 상기 수직 자기장에 의해 상기 자성구조체의 자화상태가 안정한 상태 또는 불안정한 상태로 형성되는 단계를 포함하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.Disposing the magnetic structure so as to be spaced apart by a predetermined focal distance by the laser beam and the lens; And
Generating a magnetic field by causing the laser light to enter in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure to align the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field;
Lt; / RTI >
Wherein aligning the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field comprises:
Wherein a vertical magnetic field is applied to the magnetic structure by the light incident in the vertical direction and the magnetization state of the magnetic structure is formed in a stable state or an unstable state by the vertical magnetic field,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 자성구조체를 레이저 빛과 렌즈에 의해 정해진 초점거리 부근에 이격되도록 배치하는 단계; 및
상기 자성구조체의 표면에 수직한 방향으로 상기 레이저 빛을 입사함으로써 자기장을 발생시켜 상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계;
를 포함하고,
상기 자성구조체의 자화상태를 상기 자기장의 방향으로 정렬시키는 단계는,
기울어진 상기 빛에 의해 수직방향에서 기울어진 자기장이 상기 자성구조체에 인가되며, 상기 자기장에 의해 상기 자성구조체의 자화상태가 안정한 상태로 형성되는 단계를 포함하는,
스커미온 자화상태를 제어하는 방법.Disposing the magnetic structure so as to be spaced near the focal distance defined by the laser light and the lens; And
Generating a magnetic field by causing the laser light to enter in a direction perpendicular to the surface of the magnetic structure to align the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field;
Lt; / RTI >
Wherein aligning the magnetization state of the magnetic structure in the direction of the magnetic field comprises:
Wherein a magnetic field inclined in the vertical direction by the inclined light is applied to the magnetic structure and the magnetization state of the magnetic structure is formed in a stable state by the magnetic field,
A method for controlling the state of skewed magnetization. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 의한, 상기 스커미온 자화상태를 제어하는 방법을 이용하여 상기 자성구조체의 자화상태를 제어함으로써 데이터를 처리할 수 있는,
자기 메모리 소자의 제어 방법.A magnetoresistance effect element according to any one of claims 1 to 9, which is capable of processing data by controlling a magnetization state of the magnetic structure by using a method of controlling the skirmish magnetization state,
A method of controlling a magnetic memory device. 제 10 항에 있어서,
상기 자성구조체와 연결된 데이터 기록 소자 및 읽기 헤드를 이용하여, 상기 데이터를 기록하거나 삭제할 수 있는,
자기 메모리 소자의 제어 방법.11. The method of claim 10,
A data recording element and a read head connected to the magnetic structure,
A method of controlling a magnetic memory device.
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