KR20170107273A - 열전 모듈 - Google Patents

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KR20170107273A
KR20170107273A KR1020160031016A KR20160031016A KR20170107273A KR 20170107273 A KR20170107273 A KR 20170107273A KR 1020160031016 A KR1020160031016 A KR 1020160031016A KR 20160031016 A KR20160031016 A KR 20160031016A KR 20170107273 A KR20170107273 A KR 20170107273A
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thermoelectric
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electrode
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KR1020160031016A
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노명래
윤상인
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엘지이노텍 주식회사
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    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상호 대향하는 상부 기판과 하부 기판 및 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 대향면에 마련되는 제1전극과 제2전극을 통하여 전기적으로 연결되는 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 포함하는 복수개의 열전소자가 적층 마련되며, 상기 열전소자의 측면 둘레를 따라 마련되는 방열판을 포함하는 열전모듈을 제공한다.

Description

열전 모듈{THERMOELECTRIC MODULE}
본 발명은 열전 모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열전 발전 또는 전자 냉동 등에 이용되는 열전 모듈에 관한 것이다.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.
열전소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, 전기저항의 온도 변화를 이용하거나, 온도 차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하거나, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용할 수 있다.
한편, 열전소자는 발전용 열전소자와 냉각용 열전소자로 구분될 수 있다. 일반적인 냉각용 열전소자는 N형/P형 셀, N형/P형 셀을 연결하는 전극, N형/P형 셀과 전극을 지지하며 열교환 기능을 가지는 상/하부 기판을 포함한다.
이러한 열전소자를 상하로 적층시킴으로써 열전도율을 향상시키고 방열효율을 높이는 구조가 논의되고 있다. 그러나 적층 열전소자의 상부 기판과 하부 기판의 단면적 차이로 인하여 상층 열전소자의 방열량과 하층 열전소자의 흡열량의 차이가 발생하고 이로 인한 전력 및 열전도율의 비효율이 발생한다는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 복수개의 열전 소자가 적층되어 이루어지는 열전 모듈에 있어서 열전 효율을 향상시킬 수 있는 열전 모듈을 제공하는데 있다.
또한, 열전 효율의 상승에 따른 반도체 소자의 필요 개수를 감소시킴에 따라 전체 면적 및 제조원가를 저감시킬 있는 열전 모듈을 제공하는데 있다.
또한, 전력 효율이 향상된 열전 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상호 대향하는 상부 기판과 하부 기판 및 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 대향면에 마련되는 제1전극과 제2전극을 통하여 전기적으로 연결되는 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 포함하는 복수개의 열전소자가 적층 마련되며, 상기 열전소자의 측면 둘레를 따라 마련되는 방열판을 포함하는 열전모듈을 제공한다.
적층된 복수개의 열전소자에서 하층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적은 인접한 상층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적보다 클 수 있다.
상기 방열판은 상기 하부 기판의 측면 둘레를 따라 마련될 수 있다.
상기 방열판의 일측은 상기 상부 기판의 하면에 면접하고 타측은 상기 하부 기판의 하면과 소정 간격 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 방열판의 높이는 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이 거리의 0.5 내지 0.9배일 수 있다.
상기 방열판은 상기 하부기판과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
상기 방열판은 AlN 및 Al2O3 계 물질 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질의 혼합물로 이루어질 수 있다.
상기 방열판의 표면에는 방열 패턴이 형성될 수 있다.
상기 방열판의 높이, 두께 및 재질 중 적어도 하나는 하층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적은 인접한 상층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적 비율에 따라 결정될 수 있다.
본 발명인 열전 모듈은 복수개의 열전 소자가 적층되어 이루어지는 열전 모듈에 있어서 열전 효율 및 전력 효율을 향상시킬 수 있고, 열전 효율의 상승에 따른 반도체 소자의 필요 개수를 감소시킴에 따라 전체 면적 및 제조원가를 저감시킬 있다.
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자의 단면도이고,
도2 는 본 발명의 일실시예에 따른 열전 모듈의 사시 개념도이고,
도3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이고,
도4는 도3의 부분 확대도이고,
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 사시도이고,
도6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 사시도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자의 단면도이다.
도1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 열전 소자(1)는 상부 기판(10), 하부 기판(20), 제1반도체 소자(51), 제2반도체 소자(52), 제1전극(30), 제2전극(40)을 포함하여 구성될 수 있다.
상부 기판(10)의 일면에는 제1전극(30)이 배치될 수 있다. 상부 기판(10)은 예를 들면 Cu 기판, Cu 합금 기판, Cu-Al 합금 기판, Al2O3 기판 등일 수 있다. 제1전극(30)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극 재료를 포함할 수 있으며, 두께는 0.01mm 내지 0.3mm 범위일 수 있다. 도시되지 않았으나, 상부 기판(10)과 제1 전극(30) 사이에는 유전체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 상부 기판(10)의 타면에는 열원(heat source)(미도시)이 마련될 수 있다.
유전체층의 경우 고방열 성능을 가지는 유전소재로서 냉각용 열전모듈의 열전도도를 고려하면 5~10W/K의 열전도도를 가지는 물질을 사용하며, 두께는 0.01mm~0.1mm의 범위에서 형성될 수 있다. 이 경우, 두께가 0.01mm 미만에서는 절연효율(혹은 내전압 특성)이 크게 저하되며, 0.1mm를 초과하는 경우에는 열전도도가 낮아져 방열효율이 떨어지게 된다.
제1반도체 소자(51)와 제2반도체 소자(52)는 상부 기판(10)과 하부 기판(20) 사이에 배치되며 제1전극(30)과 제2전극(40)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(40)은 하부 기판(20)과 제1반도체 소자(51) 및 제2반도체 소자(52)의 하부 바닥면 사이에 배치되고, 상부 전극(30)은 상부 기판(10)과 제1반도체 소자(51) 및 제2반도체 소자(52)의 상부 바닥면 사이에 배치될 수 있다. 제1전극(30)과 제2전극(40)은 각각 상부 기판(10)과 하부 기판(20)의 대향면상에서 소정 간격 이격되어 배치됨으로써 복수의 제1반도체 소자(51)와 제2반도체 소자(52)는 제1전극(30) 및 제2전극(40)에 의하여 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.
제1전극(30) 및 제2전극(40)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극재료를 이용하여 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 전기적으로 연결하며, 도시된 단위셀이 다수 연결되는 경우 인접하는 단위셀과 전기적으로 연결을 형성하게 된다. 제1전극(30) 및 제2전극(40)의 두께는 0.01mm~0.3mm의 범위에서 형성될 수 있다. 제1전극(30)및 제2전극(40)의 두께가 0.01mm 미만에서는 전극으로서 기능이 떨어져 전기 전도율이 불량하게 되며, 0.3mm를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도효율이 낮아지게 된다.
제1반도체 소자(51) 및 제2반도체 소자(52)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Ti)를 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계의 반도체 소자일 수 있다.
예를 들어, 제1반도체 소자(51)는 P형 반도체 소자로써 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 주원료물질은 Bi-Sb-Te 물질로 하고, 여기에 Bi 또는 Te를 Bi-Sb-Te전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다. 즉, Bi-Sb-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1g의 범위에서 투입될 수 있다. 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.
그리고, 제2반도체 소자(52)는 N형 반도체 소자로써 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 주원료물질은 Bi-Se-Te 물질로 하고, 여기에 Bi또는 Te를 Bi-Se-Te 전체 중량의 00.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다. 즉, Bi-Se-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1.0g의 범위에서 투입될 수 있다. 상술한 바와 같이, 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.
제1반도체 소자(51) 및 제2반도체 소자(52)의 직경은 1~3mm일 수 있다.
하부 기판(20)은 상부 기판(10)과 대향하도록 배치될 수 있다. 상부 기판(10)과 대향하는 하부 기판(20)의 일면에는 제2전극(40)이 소정 간격으로 이격하여 배치될 수 있다.
하부 기판(20)은 예를 들면 Cu 기판, Cu 합금 기판, Cu-Al 합금 기판, Al2O3 기판 등일 수 있다. 제2전극(40)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극 재료를 포함할 수 있으며, 두께는 0.01mm 내지 0.3mm 범위일 수 있다. 도시되지 않았으나, 하부 기판(20)과 제2 전극(40) 사이에는 유전체층이 형성될 수도 있다.
도시되지 않았으나, 제1반도체 소자(51) 및 제2반도체 소자(52)의 외표면을 따라 반도전층(60) 및 절연층(70)이 마련될 수 있다.
도2 는 본 발명의 일실시예에 따른 열전 모듈의 사시 개념도이고, 도3은 본 발명의 일실시예에 따른 열전 모듈의 단면도이고, 도4는 도3의 부분 확대도이다.
도2 내지 도4를 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 열전 모듈은 상호 대향하는 상부 기판(11, 21)과 하부 기판(21, 22) 및 상부 기판(11, 21)과 하부 기판(12, 22)의 대향면에 마련되는 제1전극(31, 131)과 제2전극(41, 141)을 통하여 전기적으로 연결되는 제1반도체 소자(51,151) 및 제2반도체 소자(52, 152)를 포함하는 복수개의 열전소자가 적층 마련되며, 열전소자의 측면 둘레를 따라 마련되는 방열판(61, 62)을 포함하여 구성될 수 있다.
열전소자는 도1에서 설명한 열전 소자를 일예로 들어 설명하기로 한다. 다만, 도2 내지 도4에서 열전소자 하부 기판(12, 22)의 수평 단면적은 상부 기판(11, 21)의 수평 단면적보다 크게 형성될 수 있다. 즉, 적층된 복수개의 열전소자에서 하층 열전소자 상부 기판(21)의 수평 단면적은 인접한 상층 열전소자 상부 기판(11)수평 단면적보다 크게 형성된다.
열전소자는 펠티어 효과에 의해 냉각영역(Cold side)을 이루는 상부기판(11, 21)의 면적보다 방열영역(Hot side)을 이루는 하부기판(21, 22)의 면적을 넓게 형성하여, 열전도율을 높이고, 방열효율을 높일 수 있다. 구체적으로, 상부 기판(11, 21) 및 하부 기판(21, 22)은 냉각용 열전모듈의 경우 통상 절연기판, 이를테면 알루미나 기판을 사용할 수 있으며, 또는 금속기판을 사용하여 방열효율 및 박형화를 구현할 수 있도록 할 수 있다. 금속기판으로 형성하는 경우에는 상부 기판(11, 21) 및 하부 기판에 형성되는 전극층과의 사이에 유전체층이 더 포함될 수 있다.
예를 들면 하부 기판(21, 22)의 면적을 상부 기판(11, 21)의 면적대비 1.2 ~ 5배의 범위로 형성할 수 있다. 이는 하부 기판(21, 22)의 면적이 상부 기판(11, 21)에 비해 1.2배 미만으로 형성되는 경우, 기존의 열전도 효율과 큰 차이가 없어 박형화의 의미가 없으며, 5배를 초과하는 경우에는 열전 모듈의 형상(이를 테면, 상호 마주하는 대향구조을 유지하기가 어려우며, 열 전달 효율이 현저하게 떨어지게 된다.
방열판(61, 62)은 하부 기판(21, 22)의 측면 둘레를 따라 마련될 수 있다. 방열판(61, 62)은 하부 기판(21, 22)의 가장자리를 따라 마련되어 제1반도체 소자 (51, 151)및 제2반도체 소자(52, 152)를 감싸는 형태로 마련될 수 있다.
방열판(61, 62)의 일측은 하부 기판(12, 22)의 상면에 면접하고 타측은 상부 기판(11, 21)의 하면과 소정 간격 이격되도록 배치될 수 있다. 방열판(61, 62)은 방열 기능을 수행하는 하부 기판(12, 22)과는 면접하도록 형성되지만 흡열 기능을 수행하는 상부 기판(11, 21)과는 소정 간격 이격되어 열의 방사가 열전 소자의 측면을 통하여 이루어 질 수 있도록 한다.
방열판(61, 62)의 높이는 상부 기판(11, 21)과 하부 기판(12, 22) 사이 거리의 0.5 내지 0.9배일 수 있다. 즉, 방열판(61, 62)은 하부 기판(12, 22)의 가장자리를 따라 마련되어 상부 기판(11, 21) 방향으로 연장되며 상부 기판(11, 21)과 직접 면접하지 않는 높이로 형성될 수 있다.
방열판(61, 62)은 하부 기판(12, 22)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 방열판(61, 62)은 하부 기판(12, 22)과 일체로 형성되어 하부 기판(12, 22)의 가장자리로부터 상부 기판(11, 21) 방향으로 연장 형성될 수 있다. 또는 별도의 방열판(61, 62)이 하부 기판(12, 22)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 방열판(61, 62)은 예를 들면, AlN 및 Al2O3 계 물질 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질의 혼합물로 이루어 질 수 있다.
방열판(61, 62)의 높이, 두께 및 재질 중 적어도 하나는 하층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적과 인접한 상층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적 비율에 따라 결정될 수 있다. 방열판(61, 62)은 상부 기판(11, 21)과 하부 기판(12, 22)의 면적 차이에 따라 발생하는 상층 열전소자의 방열량과 하층 열전소자의 흡열량의 차이를 열전 소자의 측면으로 방열되는 열을 통하여 균형을 맞추는 역할을 할 수 있다. 따라서, 방열판(61, 62)의 높이와 두께, 재질 등은 상부 기판(11, 21)과 하부 기판(12, 22)의 면적 차이에 따라 발생하는 상층 열전소자의 방열량과 하층 열전소자의 흡열량의 차이에 따라 결정될 수 있다. 즉, 상부 기판의 면적과 하부 기판의 면적 비율이 상이할 수록 열전 소자의 측면을 통하여 많은 열이 방출될 수 있도록 방열판(61, 62)의 높이와 두께, 재질이 결정될 수 있다.
또한, 방열판(61, 62)의 높이, 두께 및 재질 중 적어도 하나는 열전 소자에 포함된 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자의 개수에 따라 결정될 수 있다. 상부 기판과 하부 기판의 면적 차이에 따른 상층 열전 소자의 방열량과 하층 열전의 흡열량의 차이를 보완하기 위하여 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 복수개 배치하게 되는데, 방열판(61, 62)은 열전 소자의 측면을 통하여 열을 방출시킴으로써 상층 열전소자의 방열량과 하층 열전소자의 흡열량의 균형을 맞추게 된다. 따라서, 방열판(61, 62)의 높이, 두께 및 재질은 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자의 개수를 감소시킬 수 있으며, 열전 소자의 측면으로 방출시키고자 하는 열의 양에 따라 방열판의 파라미터가 결정될 수 있다.
도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 사시도이다. 도5를 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전 모듈에서 방열판(61, 62)의 표면에는 방열 패턴이 형성될 수 있다. 방열판(61, 62)의 표면에는 예를 들면, 요철패턴이 형성될 수 있으며, 방열판(61, 62)을 통한 방열 특성이 극대화될 수 있도록 할 수 있다. 이 경우 방열 패턴은 방열판(61, 62) 표면의 어느 한쪽 또는 양쪽 모두에 형성될 수 있다.
도6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전 모듈의 사시도이다. 도6을 참고하면 열전 소자가 제1층, 제2층, 제3층으로 적층되어 있으며, 각 열전 소자하부 기판의 수평 단면적은 상부 기판 수평 단면적보다 크게 되어 있다. 각 열전 소자의 측면에는 하부 기판의 가장자리를 따라 방열판(61, 62, 63)이 마련되어 열전 소자 내부을 열이 측면을 통하여 외부로 방출될 수 있도록 한다.
최상부 기판이 가로 길이10mm, 세로 길이10mm이고, 최하부 기판의 가로 길이가 40mm, 세로 길이는 40mm인 3개의 열전소자가 적층된 구조에서 방열판에 의하여 약 10% 열전 효율이 상승될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 상부 기판
20: 하부 기판
30: 제1전극
40: 제2전극
51: 제1반도체 소자
52: 제2반도체 소자
61, 62: 방열판

Claims (9)

  1. 상호 대향하는 상부 기판과 하부 기판 및 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 대향면에 마련되는 제1전극과 제2전극을 통하여 전기적으로 연결되는 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 포함하는 복수개의 열전소자가 적층 마련되며,
    상기 열전소자의 측면 둘레를 따라 마련되는 방열판을 포함하는 열전모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    적층된 복수개의 열전소자에서 하층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적은 인접한 상층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적보다 큰 열전모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 방열판은 상기 하부 기판의 측면 둘레를 따라 마련되는 열전모듈.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 방열판의 일측은 상기 하부 기판의 상면에 면접하고 타측은 상기 상부 기판의 하면과 소정 간격 이격되도록 배치되는 열전모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방열판의 높이는 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이 거리의 0.5 내지 0.9배인 열전모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 방열판은 상기 하부기판과 동일한 재질로 형성되는 열전모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 방열판은 AlN 및 Al2O3 계 물질 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질의 혼합물로 이루어지는 열전모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 방열판의 표면에는 방열 패턴이 형성되어 있는 열전모듈.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 방열판의 높이, 두께 및 재질 중 적어도 하나는 하층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적과 인접한 상층 열전소자 상부 기판의 수평 단면적 비율에 따라 결정되는 열전모듈.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190058232A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 금오공과대학교 산학협력단 열전소자를 이용한 온도 가감 제어 장치

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