KR20170092638A - High-frequency switch module - Google Patents

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KR20170092638A
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타카노리 우에지마
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20) 및 인덕터(30)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 Hi 밴드용의 공통 단자(P10), Low 밴드용의 공통 단자(P20), 공통 단자(P10)에 선택적으로 접속되는 복수의 피선택 단자(P11-P14), 및 공통 단자(P20)에 선택적으로 접속되는 복수의 피선택 단자(P21-P24)를 구비한다. 인덕터(30)는 피선택 단자(P11-P14) 내의 제 1 피선택 단자(P14)와, 피선택 단자(P21-P24) 내의 피선택 단자(P21) 사이에 접속된다. 피선택 단자(P14)와 피선택 단자(P21)는 복수의 통신 밴드를 동시에 송신 또는 수신하는 전기 경로에 이용되는 동시 이용 단자이다.The high-frequency switch module 10 includes a switch element 20 and an inductor 30. [ The switch element 20 includes a common terminal P10 for the Hi band, a common terminal P20 for the low band, a plurality of selected terminals P11 to P14 selectively connected to the common terminal P10, And a plurality of selected terminals P21 to P24 which are selectively connected to the second node P20. The inductor 30 is connected between the first selected terminal P14 in the selected terminals P11-P14 and the selected terminal P21 in the selected terminals P21-P24. The selected terminal P14 and the selected terminal P21 are simultaneously used terminals used in an electric path for simultaneously transmitting or receiving a plurality of communication bands.

Description

고주파 스위치 모듈{HIGH-FREQUENCY SWITCH MODULE}[0001] HIGH-FREQUENCY SWITCH MODULE [0002]

본 발명은 무선 통신 장치의 프론트 엔드부 등에 이용되는 고주파 스위치 모듈에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency switch module used in a front end unit or the like of a wireless communication apparatus.

현재, 통신 밴드의 다양화에 따라 휴대 전화기 등의 무선 통신 장치에서는 많은 통신 밴드를 통신가능한 프론트 엔드 회로를 구비하고 있다. 이러한 프론트 엔드 회로에서는 복수의 통신 밴드의 송신 신호 및 수신 신호를, 이들의 통신 밴드에 공통의 안테나를 이용하여 송수신함으로써 소형화를 실현하고 있다. 그리고, 복수의 통신 밴드에서 안테나를 공용하기 때문에 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 스위치 모듈이 많이 채용되고 있다. 2. Description of the Related Art At present, a wireless communication apparatus such as a mobile phone has a front end circuit capable of communicating a large number of communication bands in accordance with diversification of communication bands. In this front-end circuit, transmission and reception signals of a plurality of communication bands are transmitted and received by using a common antenna for these communication bands, thereby achieving miniaturization. Since a plurality of communication bands share an antenna, a large number of switch modules are employed as shown in Patent Document 1.

예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 스위치 모듈은 복수의 통신 밴드의 송수신 회로, 및 SPnT(n은 2 이상의 정수)의 스위치 소자를 구비한다. 스위치 소자의 공통 단자는 안테나에 접속되고, 복수의 피선택 단자는 각 통신 밴드의 송수신 회로에 접속된다. 이 구성에 의해 복수의 통신 밴드의 송수신 회로 중 어느 하나를 안테나로 스위칭하여 접속하고 있다.For example, the switch module disclosed in Patent Document 1 has a plurality of transmission / reception circuits of communication bands and a switch element of SPnT (n is an integer of 2 or more). The common terminal of the switch element is connected to the antenna, and the plurality of selected terminals are connected to the transmission / reception circuit of each communication band. According to this configuration, any one of the transmission / reception circuits of the plurality of communication bands is connected to the antenna by switching.

또한, 현재는 복수의 통신 밴드를 동시에 송신 또는 수신하는 캐리어 어그리게이션이 실용화되어 있다. 캐리어 어그리게이션을 실현하는 스위치 모듈로서는 Hi 밴드용의 안테나 접속 단자와 Low 밴드용의 안테나 접속 단자를 구비하는 스위치를 사용한다. 이 스위치는 Hi 밴드용의 안테나 접속 단자를 Hi 밴드용의 복수의 피선택 단자로 스위칭해서 접속하고, Low 밴드용의 안테나 접속 단자를 Low 밴드용의 복수의 피선택 단자로 스위칭해서 접속한다.At present, carrier aggregation for simultaneously transmitting or receiving a plurality of communication bands is put to practical use. As a switch module for realizing carrier aggregation, a switch having an antenna connection terminal for a Hi band and an antenna connection terminal for a Low band is used. This switch connects and connects the antenna connection terminal for the Hi band to a plurality of select terminals for the Hi band, and connects the antenna connection terminal for the Low band to a plurality of select terminals for the Low band.

일본특허공개 2006-109084호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-109084

캐리어 어그리게이션을 2개의 안테나로 실행하는 경우에서, Low 밴드의 송신과 Hi 밴드의 수신을 동시에 행하는 경우, 다음의 문제가 발생하는 경우가 있다. Low 밴드의 송신 신호의 고조파 주파수가 Hi 밴드의 수신 신호의 기본 주파수에 근접 또는 겹치는 경우, Hi 밴드의 수신 신호의 전송 경로에 Low 밴드의 송신 신호의 고조파 성분이 돌아 들어가 버리는 경우가 있다. 이것은 Hi 밴드의 수신 신호가 출력되는 피선택 단자와 Low 밴드의 송신 신호가 입력되는 피선택 단자가 스위치 내에 있어서 용량성 결합하는 것에 의한다. 이것에 의해 Hi 밴드의 수신 신호의 수신 감도가 열화되어 버린다.In the case where the carrier aggregation is performed with two antennas, when the Low band transmission and the Hi band reception are simultaneously performed, the following problems may occur. When the harmonic frequency of the transmission signal of the low band is close to or overlaps with the fundamental frequency of the reception signal of the Hi band, the harmonic components of the transmission signal of the low band may be transferred to the transmission path of the reception signal of the Hi band. This is because capacitive coupling is performed between the selected terminal to which the reception signal of the Hi band is outputted and the terminal to be selected to which the transmission signal of the low band is inputted. As a result, the reception sensitivity of the reception signal of the Hi band is deteriorated.

또한, Low 밴드용의 스위치와 Hi 밴드용의 스위치를 분리해서 이간하면, 이 용량성 결합은 경감되지만, 고주파 스위치 모듈의 소형화가 저해되어 버린다. If the switch for the low band and the switch for the high band are separated and separated from each other, this capacitive coupling is reduced, but the downsizing of the high-frequency switch module is hindered.

본 발명의 목적은 캐리어 어그리게이션을 행해도 각 통신 밴드의 송수신 특성이 열화되지 않는 소형의 고주파 스위치 모듈을 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a compact high-frequency switch module in which transmission and reception characteristics of each communication band are not deteriorated even when carrier aggregation is performed.

본 발명의 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자, 및 인덕터를 구비한다. 스위치 소자는 Hi 밴드용의 안테나에 접속하는 제 1 공통 단자, Low 밴드용의 안테나에 접속하는 제 2 공통 단자, 상기 제 1 공통 단자에 선택적으로 접속되는 복수의 제 1 피선택 단자, 및 제 2 공통 단자에 선택적으로 접속되는 복수의 제 2 피선택 단자를 구비한다. 인덕터는 복수의 제 1 피선택 단자에 있어서의 1개의 제 1 피선택 단자와, 복수의 제 2 피선택 단자에 있어서의 1개의 제 2 피선택 단자 사이에 접속된다. 특히, 인덕터가 접속되는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자는 복수의 통신 밴드를 동시 송신 또는 동시 수신하는 전기 경로에 이용하는 동시 이용 단자이다.The high-frequency switch module of the present invention includes a switch element and an inductor. The switch element includes a first common terminal connected to the antenna for the Hi band, a second common terminal connected to the antenna for the low band, a plurality of first selectable terminals selectively connected to the first common terminal, And a plurality of second select terminals selectively connected to the common terminal. The inductor is connected between one first selectable terminal of the plurality of first selectable terminals and one second selectable terminal of the plurality of second selectable terminals. In particular, the first selected terminal and the second selected terminal to which the inductor is connected are simultaneously used terminals for use in an electric path for simultaneously transmitting or simultaneously receiving a plurality of communication bands.

이 구성에서는 복수의 제 1 피선택 단자에 있어서의 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자와, 복수의 제 2 피선택 단자에 있어서의 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자 사이의 용량성 결합에 의해 생기는 커패시터와 인덕터에 의해 병렬 공진 회로가 구성된다. 이 병렬 공진 회로에 의해 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자에 접속하는 제 1 접속 도체와 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자에 접속하는 제 2 접속 도체가 근접해 있어도 이들 사이의 아이솔레이션이 높게 확보된다.In this configuration, by the capacitive coupling between the first selected terminal which is a simultaneous use terminal of a plurality of first selected terminals and the second selected terminal which is a simultaneous use terminal of the plurality of second selected terminals A parallel resonant circuit is constituted by a capacitor and an inductor. Even if the first connection conductor connected to the first selected terminal which is the simultaneous use terminal and the second connection conductor connected to the second selected terminal which are the simultaneous use terminals are adjacent to each other by this parallel resonance circuit, the isolation between them is secured to a high level .

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성인 것이 바람직하다. 고주파 스위치 모듈은 스위치 소자와 인덕터가 실장되는 회로 기판을 구비한다. 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자와 인덕터를 접속하는 제 1 접속 도체와, 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자와 인덕터를 접속하는 제 2 접속 도체는 회로 기판에 형성되어 있다. 제 1 접속 도체와 제 2 접속 도체는 회로 기판의 두께방향으로 다른 위치에 배치되어 있다. 회로 기판은 제 1 접속 도체와 제 2 접속 도체 사이에 내층 그라운드 도체를 구비한다.Further, in the high-frequency switch module of the present invention, it is preferable to have the following configuration. The high-frequency switch module includes a circuit board on which the switch element and the inductor are mounted. A first connection conductor for connecting the first selection terminal which is a simultaneous use terminal to the inductor and a second connection conductor for connecting the inductor to the second selection terminal which is a simultaneous use terminal are formed on the circuit board. The first connecting conductor and the second connecting conductor are disposed at different positions in the thickness direction of the circuit board. The circuit board has an innerlayer ground conductor between the first connecting conductor and the second connecting conductor.

이 구성에서는 제 1, 제 2 접속 도체 사이의 용량성 결합이 억제된다. 이것에 의해 병렬 공진 회로에 불필요한 커패시터가 추가되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해 인덕턴스를 크게 할 수 있고, 아이솔레이션을 향상시킬 수 있다.In this configuration, the capacitive coupling between the first and second connecting conductors is suppressed. This makes it possible to suppress the addition of unnecessary capacitors to the parallel resonance circuit. As a result, the inductance can be increased and the isolation can be improved.

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 스위치 소자는 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자와 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자 사이에, 동시 이용 단자가 이용하는 복수의 통신 밴드와는 다른 별도의 통신 밴드를 이용하는 제 3 피선택 단자를 구비한다.Further, in the high-frequency switch module of the present invention, the switch element is provided between the first selected terminal which is the simultaneous use terminal and the second selected terminal which is the simultaneous use terminal, a separate communication band And a third selection terminal which uses the second selection terminal.

이 구성에서는 동시 이용 단자인 제 1, 제 2 피선택 단자 사이의 용량성 결합을 억제할 수 있다. 이것에 의해 아이솔레이션을 향상시킬 수 있다.In this configuration, capacitive coupling between the first and second terminals to be selected which are terminals for simultaneous use can be suppressed. As a result, the isolation can be improved.

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈은 인덕터에 병렬 접속하는 커패시터를 구비하고 있어도 좋다. Further, the high-frequency switch module of the present invention may include a capacitor connected in parallel to the inductor.

이 구성에서는 병렬 공진 회로의 커패시터를 크게 할 수 있고, 이것에 따라 인덕터를 작게 할 수 있다. 이것에 의해 고주파 스위치 모듈을 더 소형으로 형성할 수 있다.In this configuration, the capacitor of the parallel resonance circuit can be made large, and accordingly the inductor can be made small. As a result, the high-frequency switch module can be formed in a smaller size.

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 스위치 모듈은 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자가 접속하는 제 1 RF 단자와, 제 1 RF 단자와 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자를 접속하는 제 1 접속 도체를 구비한다. 고주파 스위치 모듈은 제 1 접속 도체에 있어서의 동시 이용 단자인 제 1 피선택 단자와 인덕터 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있다.Further, the high-frequency switch module of the present invention may have the following configuration. The high-frequency switch module has a first connecting terminal for connecting a first terminal to be selected, which is a simultaneous terminal, and a first connecting conductor for connecting a first RF terminal to a first terminal to be selected which is a simultaneous terminal. In the high-frequency switch module, a matching inductor is connected between an inductor and a first selected terminal which is a simultaneous use terminal in the first connecting conductor.

이 구성에서는 제 1 RF 단자에 접속하는 회로 소자(예를 들면. 탄성파 필터)와 제 1 피선택 단자 사이의 임피던스를 더 정확하게 조정할 수 있다.In this configuration, it is possible to more accurately adjust the impedance between the circuit element (for example, an acoustic wave filter) connected to the first RF terminal and the first selected terminal.

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 고주파 스위치 모듈은 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자가 접속하는 제 2 RF 단자와, 제 2 RF 단자와 동시 이용 단자인 제 2 피선택 단자를 접속하는 제 2 접속 도체를 구비한다. 고주파 스위치 모듈은 제 2 접속 도체에 있어서의 인덕터와 제 2 RF 단자 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있다.Further, the high-frequency switch module of the present invention may have the following configuration. The high-frequency switch module has a second connecting terminal for connecting a second RF terminal to which a second terminal to be selected, which is a simultaneous use terminal, is connected, and a second to-be-selected terminal which is a terminal for simultaneous use. In the high-frequency switch module, the matching inductor is connected between the inductor and the second RF terminal of the second connecting conductor.

이 구성에서는 제 2 RF 단자에 접속하는 회로 소자(예를 들면, 탄성파 필터)와 제 2 피선택 단자 사이의 임피던스를 더 정확하게 조정할 수 있다.In this configuration, the impedance between the circuit element (for example, an acoustic wave filter) connected to the second RF terminal and the second selected terminal can be more accurately adjusted.

또한, 본 발명의 고주파 스위치 모듈에서는 다음의 구성이어도 좋다. 인덕터는 회로 기판에 형성된 스파이럴 형상의 도체 패턴이다. 회로 기판의 내부에 형성되고, 인덕터에 근접하는 그라운드 도체는 스파이럴 형상의 중앙 개구부에 겹치지 않는 형상이다.Further, the high-frequency switch module of the present invention may have the following configuration. The inductor is a spiral conductive pattern formed on a circuit board. The ground conductor formed in the circuit board and adjacent to the inductor has a shape that does not overlap the central opening of the spiral shape.

이 구성에서는 인덕터의 Q의 열화를 억제할 수 있다. 이것에 의해 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자 사이의 아이솔레이션이 더 개선된다.With this configuration, deterioration of Q of the inductor can be suppressed. This further improves the isolation between the first selected terminal and the second selected terminal.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면, 캐리어 어그리게이션 등의 복수의 통신 밴드를 동시 송신 또는 동시 수신하는 통신을 행해도 각 통신 밴드의 송수신 특성이 열화되지 않는 소형의 고주파 스위치 모듈을 실현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize a compact high-frequency switch module in which transmission and reception characteristics of each communication band are not deteriorated even when communication for simultaneous transmission or simultaneous reception of a plurality of communication bands such as carrier aggregation is performed.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 사용하는 병렬 공진 회로를 삽입했을 경우에 통과 특성(감쇠 특성)을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구성과 비교 구성에서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.1 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a graph showing a pass characteristic (attenuation characteristic) when a parallel resonance circuit used in the high-frequency switch module according to the first embodiment of the present invention is inserted.
3 is a graph showing isolation characteristics in a configuration and a comparative configuration of the high-frequency switch module according to the first embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a high-frequency switch module according to a first embodiment of the present invention.
5 is a partial cross-sectional view showing a structure of a high-frequency switch module according to a second embodiment of the present invention.
6 is a plan view showing a structure of a high-frequency switch module according to a third embodiment of the present invention.
7 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a sixth embodiment of the present invention.
10 is a partial cross-sectional view showing a structure of a high-frequency switch module according to a seventh embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.A high-frequency switch module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a first embodiment of the present invention.

본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)은 스위치 소자(20), 인덕터(30)를 구비한다. 고주파 스위치 모듈(10)은 제 1 안테나 접속 단자(Pant1), 제 2 안테나 접속 단자(Pant2), 및 복수의 RF 단자를 구비한다. 복수의 RF 단자는 제 1 RF 단자(Pfe1), 및 제 2 RF 단자(Pfe2)를 구비한다.The high-frequency switch module 10 according to the present embodiment includes a switch element 20 and an inductor 30. [ The high-frequency switch module 10 includes a first antenna connection terminal Pant1, a second antenna connection terminal Pant2, and a plurality of RF terminals. The plurality of RF terminals include a first RF terminal Pfe1 and a second RF terminal Pfe2.

스위치 소자(20)는 제 1 공통 단자(P10), 제 2 공통 단자(P20), 피선택 단자(P11, P12, P13, P14, P21, P22, P23, P24)를 구비한다. 스위치 소자(20)는 반도체 스위치로 이루어지는 DPnT 스위치이다. n은 4 이상의 정수이면 좋다. 제 1 공통 단자(P10)는 피선택 단자(P11, P12, P13, P14) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다. 제 2 공통 단자(P20)는 피선택 단자(P21, P22, P23, P24) 중 어느 하나에 선택적으로 접속된다.The switch element 20 includes a first common terminal P10, a second common terminal P20 and a selected terminal P11, P12, P13, P14, P21, P22, P23 and P24. The switch element 20 is a DPnT switch composed of a semiconductor switch. n may be an integer of 4 or more. The first common terminal P10 is selectively connected to one of the selected terminals P11, P12, P13 and P14. The second common terminal P20 is selectively connected to any one of the selected terminals P21, P22, P23, and P24.

제 1 공통 단자(P10)는 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)에 접속되어 있다. 제 1 안테나 접속 단자(Pant1)는 Hi 밴드용의 안테나(ANT1)에 접속되어 있다. 제 2 공통 단자(P20)는 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)에 접속되어 있다. 제 2 안테나 접속 단자(Pant2)는 Low 밴드용의 안테나(ANT2)에 접속되어 있다.The first common terminal P10 is connected to the first antenna connection terminal Pant1. The first antenna connection terminal Pant1 is connected to the antenna ANT1 for Hi band. And the second common terminal P20 is connected to the second antenna connection terminal Pant2. And the second antenna connection terminal Pant2 is connected to the low band antenna ANT2.

피선택 단자(P14)는 제 1 RF 단자(Pfe1)에 접속되어 있다. 제 1 RF 단자(Pfe1)는 필터 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터에 접속되어 있다.The selected terminal P14 is connected to the first RF terminal Pfe1. The first RF terminal Pfe1 is connected to a filter element, for example, an acoustic wave filter such as a SAW filter or an LC filter.

피선택 단자(P21)는 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속되어 있다. 제 2 RF 단자(Pfe2)는 필터 소자, 예를 들면 SAW 필터 등의 탄성파 필터나 LC 필터에 접속되어 있다.And the selected terminal P21 is connected to the second RF terminal Pfe2. The second RF terminal Pfe2 is connected to a filter element, for example, an acoustic wave filter such as a SAW filter or an LC filter.

인덕터(30)는 피선택 단자(P14)와 피선택 단자(P21) 사이에 접속되어 있다. 보다 구체적으로는 인덕터(30)는 피선택 단자(P14)와 제 1 RF 단자(Pfe1)를 접속하는 접속 도체(901)와, 피선택 단자(P21)와 제 2 RF 단자(Pfe2)를 접속하는 접속 도체(902) 사이에 접속되어 있다.The inductor 30 is connected between the selected terminal P14 and the selected terminal P21. More specifically, the inductor 30 includes a connection conductor 901 connecting the selected terminal P14 and the first RF terminal Pfe1, and a connection conductor 901 connecting the selected terminal P21 and the second RF terminal Pfe2 And is connected between the connection conductors 902.

이러한 회로 구성으로 이루어지는 고주파 스위치 모듈(10)은 다음에 나타내는 바와 같이 이용된다.The high-frequency switch module 10 having such a circuit configuration is used as follows.

Hi 밴드의 통신 신호를 송수신하는 경우, 복수의 피선택 단자(P11, P12, P13, P14)를 송수신하는 통신 밴드에 따라 스위칭하여 제 1 공통 단자(P10)에 접속한다.When a communication signal of the Hi band is transmitted and received, the switching is performed in accordance with a communication band for transmitting and receiving a plurality of selected terminals P11, P12, P13 and P14 to connect to the first common terminal P10.

Low 밴드의 통신 신호를 송수신하는 경우, 복수의 피선택 단자(P21, P22, P23, P24)를 송수신하는 통신 밴드에 따라 스위칭하여 제 2 공통 단자(P20)에 접속한다.When a communication signal of a low band is transmitted and received, it switches according to a communication band for transmitting and receiving a plurality of selected terminals P21, P22, P23 and P24 and connects to the second common terminal P20.

제 1 공통 단자(P10)에 대한 피선택 단자(P11, P12, P13, P14)의 스위칭과, 제 2 공통 단자(P20)에 대한 피선택 단자(P21, P22, P23, P24)의 스위칭은 개별적으로 또한 동시에 행할 수 있다. 따라서, 고주파 스위치 모듈(10)은 Hi 밴드의 통신 신호와 Low 밴드의 통신 신호를 동시에 송수신할 수 있다. 즉, 고주파 스위치 모듈(10)은 캐리어 어그리게이션의 통신이 가능하다. 여기서, 본 실시형태에 의한 동시에 송수신한다라는 개념은 Hi 밴드와 Low 밴드의 양쪽이 송신, Hi 밴드와 Low 밴드의 양쪽이 수신, Hi 밴드와 Low 밴드의 한쪽이 송신이며 다른 쪽이 수신인 경우도 포함한다.The switching of the selected terminals P11, P12, P13 and P14 with respect to the first common terminal P10 and the switching of the selected terminals P21, P22, P23 and P24 with respect to the second common terminal P20 are performed individually Can also be performed simultaneously. Therefore, the high-frequency switch module 10 can simultaneously transmit and receive a Hi-band communication signal and a Low-band communication signal. That is, the high-frequency switch module 10 is capable of communication of carrier aggregation. Here, the concept of simultaneous transmission and reception according to the present embodiment includes transmission of both the Hi band and the Low band, reception of both the Hi band and the Low band, and transmission of one of the Hi band and the Low band and reception of the other .

이러한 구성에 있어서, 스위치 소자(20) 내의 피선택 단자(P14)와 피선택 단자(P21) 사이에서 발생하는 커패시터(210)와 인덕터(30)에 의해 병렬 공진 회로를 구성한다. 이 병렬 공진 회로의 공진 주파수는 캐리어 어그리게이션에서 이용하는 Low 밴드의 송신 신호의 고조파 성분이며, Hi 밴드의 수신 신호의 기본 주파수에 가까운 또는 겹치는 주파수로 설정되어 있다. 예를 들면, BAND17의 송신과 BAND4의 수신을 동시에 행하는 경우에, BAND17의 3배 고조파의 주파수와 BAND4의 기본파의 주파수가 겹치는 주파수로 설정되어 있다.In this configuration, the parallel resonant circuit is constituted by the capacitor 210 and the inductor 30, which are generated between the selected terminal P14 and the selected terminal P21 in the switch element 20. [ The resonance frequency of the parallel resonance circuit is a harmonic component of the transmission signal of the low band used in the carrier aggregation and is set to a frequency near or overlapping with the fundamental frequency of the reception signal of the Hi band. For example, when the transmission of the BAND 17 and the reception of the BAND 4 are performed at the same time, the frequency of the third harmonic of the BAND 17 and the frequency of the fundamental of the BAND 4 are set to overlap each other.

이러한 구성으로 함으로써 이 인덕터(30)와 커패시터(210)로 이루어지는 병렬 공진 회로에 의해 제 2 RF 단자로부터 입력된 Low 밴드의 송신 신호의 고조파 성분이 제 1 RF 단자로부터 출력되는 것을 억제할 수 있다. 바꿔 말하면, 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다.With this configuration, it is possible to suppress the harmonic components of the low-band transmission signal input from the second RF terminal from being output from the first RF terminal by the parallel resonance circuit including the inductor 30 and the capacitor 210. [ In other words, the isolation between the connecting conductor 901 and the connecting conductor 902 can be secured to a high degree.

이것에 의해 Low 밴드의 송신 신호를 송신하면서 Hi 밴드의 수신 신호를 수신하고 있으며(Low 밴드와 Hi 밴드의 캐리어 어그리게이션), 수신 신호의 기본 주파수와 송신 신호의 고조파 성분의 주파수가 근접 또는 겹쳐 있어도 수신 신호의 수신 감도가 열화되는 것을 억제할 수 있다.As a result, the transmission signal of the low band is transmitted while the reception signal of the high band is received (carrier aggregation of the low band and the high band) and the frequency of the harmonic component of the reception signal is close to or overlapped with the fundamental frequency of the reception signal It is possible to suppress deterioration of reception sensitivity of the received signal.

도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 사용하는 병렬 공진 회로를 삽입했을 경우에 통과 특성(감쇠 특성)을 나타내는 그래프이다. 도 2에서는 실선이 본원 구성의 통과 특성이며, 파선이 비교 구성(병렬 공진 회로를 삽입하지 않고 접속한 구성)의 통과 특성이다. 도 2에 나타내는 바와 같이 본 실시형태에 의한 병렬 공진 회로를 구비함으로써 특정 주파수에 감쇠극을 갖고, 완만한 감쇠 특성을 실현할 수 있다. 이것에 의해 감쇠 극주파수를 중심으로 해서 넓은 대역에서 소정량 이상의 감쇠량을 얻을 수 있다. 따라서, Low 밴드의 송신 신호의 고조파의 주파수(주파수 대역)가 Hi 밴드의 수신 신호의 기본 주파수(주파수 대역)에 가까운 또는 부분적으로 겹치는 양태이어도 고조파 신호를 감쇠할 수 있다.Fig. 2 is a graph showing a pass characteristic (attenuation characteristic) when a parallel resonance circuit used in the high-frequency switch module according to the first embodiment of the present invention is inserted. In Fig. 2, the solid line is the passing characteristic of the present configuration, and the broken line is the passing characteristic of the comparative configuration (configuration in which the parallel resonance circuit is not inserted). As shown in Fig. 2, by providing the parallel resonance circuit according to the present embodiment, attenuation characteristics can be realized with attenuation poles at a specific frequency. As a result, attenuation more than a predetermined amount can be obtained in a wide band around the attenuation pole frequency. Therefore, the harmonic signal can be attenuated even if the harmonic frequency (frequency band) of the transmission signal of the low band is close to or partially overlapped with the fundamental frequency (frequency band) of the reception signal of the Hi band.

도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구성과 비교 구성에서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 그래프이다. 또한, 비교 구성은 인덕터(30)를 구비하지 않는 구성이다. 도 3에 나타내는 바와 같이 비교 구성에서는 제 2 RF 단자로부터 입력된 Low 밴드의 송신 신호의 고조파 성분이 제 1 RF 단자로 누설되어 출력되고 있다. 그러나, 본원 구성을 구비함으로써 이 누설이 억제되고 있다.3 is a graph showing isolation characteristics in the configuration and the comparative configuration of the high-frequency switch module according to the first embodiment of the present invention. Also, the comparison configuration is a configuration in which the inductor 30 is not provided. As shown in FIG. 3, the harmonic components of the transmission signal of the low band inputted from the second RF terminal are leaked to the first RF terminal and outputted. However, this leakage is suppressed by having the constitution of the present invention.

이렇게, 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 캐리어 어그리게이션시의 Low 밴드의 송신 신호의 고조파 성분이 Hi 밴드의 수신 신호의 출력 단자에 누설되는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해 캐리어 어그리게이션 시의 Hi 밴드의 수신 신호의 수신 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 실시형태의 구성을 사용함으로써 캐리어 어그리게이션에서 동시에 이용하는 피선택 단자가 근접해 있어도 이들의 피선택 단자에 접속하는 접속 도체 사이에서의 아이솔레이션을 높게 확보할 수 있다. 즉, 캐리어 어그리게이션을 행해도 캐리어 어그리게이션의 대상이 되는 통신 밴드의 송수신 특성이 열화되지 않는 소형의 고주파 스위치 모듈을 실현할 수 있다.By using the configuration of this embodiment, it is possible to suppress leakage of the harmonic component of the transmission signal of the low band at the time of carrier aggregation to the output terminal of the reception signal of the Hi band. This makes it possible to improve the receiving sensitivity of the reception signal of the Hi band at the time of carrier aggregation. Also, by using the configuration of the present embodiment, it is possible to secure a high isolation between the connection conductors connected to the selected terminals even if the selected terminals used simultaneously in the carrier aggregation are close to each other. That is, it is possible to realize a compact high-frequency switch module in which the transmission / reception characteristics of the communication band to be subjected to carrier aggregation does not deteriorate even if carrier aggregation is performed.

이러한 구성으로 이루어지는 고주파 스위치 모듈(10)은 다음에 나타내는 바와 같은 구조에 의해 실현된다. 도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 평면도이다. 또한, 도 4에서는 고주파 스위치 모듈(10)에 있어서의 본원에 특징적인 개소만을 도시하고 있다. The high-frequency switch module 10 having such a configuration is realized by the following structure. 4 is a plan view of a high-frequency switch module according to a first embodiment of the present invention. 4 shows only a characteristic portion of the high-frequency switch module 10 according to the present invention.

고주파 스위치 모듈(10)은 적층체(90), 실장형의 스위치 소자(20), 및 실장형의 인덕터(30)를 구비한다. 적층체(90)는 소정의 위치가 도체 패턴이 형성된 유전체 기판을 적층하여 이루어진다. 실장형의 스위치 소자(20), 및 실장형의 인덕터(30)는 적층체(90)의 표면에 실장되어 있다.The high-frequency switch module 10 includes a laminate 90, a mounting-type switch element 20, and a mounting-type inductor 30. The laminate 90 is formed by laminating a dielectric substrate on which a conductor pattern is formed at a predetermined position. The mounting type switch element 20 and the mounting type inductor 30 are mounted on the surface of the layered structure 90. [

인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE301)와, 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P14)가 실장되는 랜드 도체(LE14)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(901)에 의해 접속되어 있다. 인덕터(30)의 다른 쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE302)와, 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P21)가 실장되는 랜드 도체(LE21)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(902)에 의해 접속되어 있다.The land conductor LE301 on which one of the external conductors of the inductor 30 is mounted and the land conductor LE14 on which the selected terminal P14 of the switch element 20 is mounted is connected to the connecting conductor 901, respectively. The land conductor LE302 on which the other external conductor of the inductor 30 is mounted and the land conductor LE21 on which the selected terminal P21 of the switch element 20 is mounted are connected to the connecting conductor (902).

인덕터(30)는 스위치 소자(20)에 있어서의 피선택 단자(P14, P21)의 근방에 실장되어 있다. 그리고, 접속 도체(901, 902)는 가능한 한 최단 거리에 형성되어 있다.The inductor 30 is mounted in the vicinity of the selected terminals P14 and P21 in the switch element 20. [ The connecting conductors 901 and 902 are formed at the shortest possible distance.

이 구성에 의해, 접속 도체(901, 902)의 용량성 결합을 억제할 수 있다. 이것에 의해 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.With this configuration, capacitive coupling of the connection conductors 901 and 902 can be suppressed. As a result, the isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20 can be further improved.

이어서, 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.Next, a high-frequency switch module according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 is a partial cross-sectional view showing a structure of a high-frequency switch module according to a second embodiment of the present invention.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10A)은 접속 도체(901, 902)의 구조가 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)과 다르다.The high-frequency switch module 10A of the present embodiment differs from the high-frequency switch module 10 of the first embodiment in the structure of the connecting conductors 901 and 902.

접속 도체(901)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)의 유전체층(Ly01)에 상당하는 위치에 배치되어 있다. 접속 도체(902)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)의 유전체층(Ly02)에 상당하는 위치에 배치되어 있다.The portion of the connection conductor 901 extending in the direction perpendicular to the stacking direction of the stacked body 90 is disposed at a position corresponding to the dielectric layer Ly01 of the stacked body 90. [ A portion of the connection conductor 902 extending in the direction perpendicular to the stacking direction of the stacked body 90 is disposed at a position corresponding to the dielectric layer Ly02 of the stacked body 90. [

이 구성에 의해 접속 도체(901)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분과, 접속 도체(902)에 있어서의 적층체(90)의 적층 방향에 직교하는 방향으로 연장되는 부분은 적층체(90)를 평면으로 보아도 측면에서 보아도 다른 위치에 배치된다. 이것에 의해 접속 도체(901)와 접속 도체(902)의 용량성 결합을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.With this configuration, a portion of the connecting conductor 901 extending in the direction perpendicular to the stacking direction of the stacked body 90 and a portion extending in the direction perpendicular to the stacking direction of the stacked body 90 in the connecting conductor 902 Is disposed at another position even when viewed from the side in terms of the plane view or the side view. As a result, the capacitive coupling between the connection conductor 901 and the connection conductor 902 can be further suppressed. Therefore, the isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20 can be further improved.

또한, 적층체(90)의 적층 방향에 있어서, 접속 도체(901)가 배치되는 유전체층(Ly01)과, 접속 도체(902)가 배치되는 유전체층(Ly02) 사이에 유전체층(Ly03)이 배치되어 있다. 유전체층(Ly03)에는 내층 그라운드 도체(911G)가 형성되어 있다.The dielectric layer Ly03 is disposed between the dielectric layer Ly01 in which the connecting conductor 901 is disposed and the dielectric layer Ly02 in which the connecting conductor 902 is disposed in the stacking direction of the layered body 90. [ An innerlayer ground conductor 911G is formed in the dielectric layer Ly03.

이러한 구성에 의해, 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이에 내층 그라운드 도체(911G)가 배치되므로 접속 도체(901)와 접속 도체(902) 사이의 용량성 결합을 방지할 수 있다. 이것에 의해 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.This configuration can prevent the capacitive coupling between the connection conductor 901 and the connection conductor 902 because the innerlayer ground conductor 911G is disposed between the connection conductor 901 and the connection conductor 902. [ As a result, the isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20 can be further improved.

이어서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 평면도이다.Next, a high-frequency switch module according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 6 is a plan view showing a structure of a high-frequency switch module according to a third embodiment of the present invention.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10B)은 인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE301)와, 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P14B)가 실장되는 랜드 도체(LE14B)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(901B)에 의해 접속되어 있다. 인덕터(30)의 다른 쪽의 외부 도체가 실장되는 랜드 도체(LE302)와, 스위치 소자(20)의 피선택 단자(P21)가 실장되는 랜드 도체(LE21)는 적층체(90)에 형성된 접속 도체(902)에 의해 접속되어 있다.The high frequency switch module 10B of the present embodiment includes the land conductor LE301 on which one external conductor of the inductor 30 is mounted and the land conductor LE14B on which the selected terminal P14B of the switch element 20 is mounted. Are connected by a connecting conductor 901B formed in the laminate 90. [ The land conductor LE302 on which the other external conductor of the inductor 30 is mounted and the land conductor LE21 on which the selected terminal P21 of the switch element 20 is mounted are connected to the connecting conductor (902).

피선택 단자(P14B)와 피선택 단자(P21) 사이에는 이들의 단자와 동시에 캐리어 어그리게이션을 행하지 않는 피선택 단자가 배치되어 있다.Between the selected terminal P14B and the selected terminal P21, a terminal to be selected which does not perform carrier aggregation at the same time as these terminals is disposed.

이 구성으로 함으로써 고주파 신호의 누설이 문제가 되는 접속 도체(901B, 902)에 접속하는 피선택 단자가 이간되고, 이들의 피선택 단자 사이에 다른 피선택 단자가 배치된다. 이것에 의해 캐리어 어그리게이션에서 동시에 이용하는 피선택 단자 사이의 용량성 결합이 억제된다. 또한, 이들의 단자에 접속하는 접속 도체(901B)와 접속 도체(902)가 이간된다. 이것에 의해 접속 도체(901B)와 접속 도체(902)의 용량성 결합을 억제할 수 있다. 따라서, 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.With this configuration, the terminals to be selected to be connected to the connection conductors 901B and 902 where the leakage of the high-frequency signal is a problem are separated, and other terminals to be selected are disposed between the terminals to be selected. This suppresses the capacitive coupling between the terminals to be selected which are simultaneously used in the carrier aggregation. Further, the connection conductors 901B and 902, which are connected to these terminals, are separated from each other. Thus, the capacitive coupling between the connection conductor 901B and the connection conductor 902 can be suppressed. Therefore, the isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20 can be further improved.

이어서, 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.Next, a high-frequency switch module according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 7 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a fourth embodiment of the present invention.

본 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10C)은 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)에 대해 커패시터(31)를 추가한 것이다.The high-frequency switch module 10C according to the present embodiment is obtained by adding a capacitor 31 to the high-frequency switch module 10 according to the first embodiment.

커패시터(31)는 인덕터(30)에 대해 병렬 접속되어 있다. 이 구성에 의해 병렬 공진 회로를 구성하는 커패시턴스는 커패시터(31)의 커패시턴스와 피접속 단자 사이의 용량성 결합으로 이루어지는 커패시턴스의 합성 커패시턴스가 된다.The capacitor 31 is connected to the inductor 30 in parallel. According to this configuration, the capacitance constituting the parallel resonance circuit becomes the combined capacitance of the capacitance formed by the capacitive coupling between the capacitance of the capacitor 31 and the to-be-connected terminal.

이렇게 커패시터(31)를 구비함으로써 병렬 공진 회로의 커패시턴스를 크게 할 수 있다. 이것에 의해 인덕터(30)의 인덕턴스를 작게 할 수 있다. 인덕턴스가 작아짐으로써 인덕터(30)를 소형으로 형성할 수 있다. 따라서, 고주파 스위치 모듈(10C)을 보다 소형으로 형성할 수 있다. By providing the capacitor 31 in this manner, the capacitance of the parallel resonance circuit can be increased. Thus, the inductance of the inductor 30 can be reduced. The inductance can be reduced and the inductor 30 can be formed small. Therefore, the high-frequency switch module 10C can be formed in a smaller size.

이어서, 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.Next, a high-frequency switch module according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 8 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a fifth embodiment of the present invention.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10D)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대해 정합용 인덕터(51)를 추가한 것이다.The high-frequency switch module 10D of the present embodiment is obtained by adding the matching inductor 51 to the high-frequency switch module 10 of the first embodiment.

정합용 인덕터(51)는 접속 도체(901)에 있어서의 피선택 단자(P14)와 인덕터(30)의 한쪽의 외부 도체 사이에 접속되어 있다.The matching inductor 51 is connected between the selected terminal P14 of the connecting conductor 901 and one of the outer conductors of the inductor 30. [

이러한 구성으로 함으로써 인덕터(30), 제 1 RF 단자(Pfe1)로부터 스위치 소자(20)를 본 임피던스를 용량성으로부터 유도성으로 시프트할 수 있다. 예를 들면, 제 1 RF 단자(Pfe1)를 통해 전송하는 고주파 신호의 주파수가 제 2 RF 단자(Pfe2)를 통해 전송하는 고주파 신호의 주파수보다 높은 경우, 피선택 단자(P14)를 본 피던스는 피선택 단자(P21)를 본 임피던스보다 용량성이 높아진다. With this configuration, it is possible to inductively shift the impedance of the switch element 20 viewed from the inductor 30 and the first RF terminal Pfe1 from the capacitive state. For example, when the frequency of the high-frequency signal transmitted through the first RF terminal Pfe1 is higher than the frequency of the high-frequency signal transmitted through the second RF terminal Pfe2, The capacitance becomes higher than the impedance seen at the selection terminal P21.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10D)에서는 정합용 인덕터(51)를 구비함으로써 전송하는 고주파 신호의 주파수에 있어서의 피선택 단자(P14)를 본 임피던스와 피선택 단자(P21)를 본 임피던스를 같은 정도로 할 수 있다. 이것에 의해 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 확보하면서 제 1, 제 2 RF 단자(Pfe1, Pfe2)를 통해 전송하는 각 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다.The high frequency switch module 10D of the present embodiment is provided with the matching inductor 51 so that the impedance of the selected terminal P14 at the frequency of the high frequency signal to be transmitted and the impedance of the selected terminal P21 are the same . As a result, each high-frequency signal transmitted through the first and second RF terminals Pfe1 and Pfe2 can be transmitted with low loss while ensuring isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20. [

이어서, 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 도 9는 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 회로도이다.Next, a high-frequency switch module according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 9 is a circuit diagram of a high-frequency switch module according to a sixth embodiment of the present invention.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10E)은 제 1 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10)에 대해 정합용 인덕터(52)를 추가한 것이다.The high-frequency switch module 10E of the present embodiment is obtained by adding the matching inductor 52 to the high-frequency switch module 10 of the first embodiment.

정합용 인덕터(52)는 접속 도체(902)에 있어서의 인덕터(30)의 다른 쪽의 외부도체와 제 2 RF 단자(Pfe2) 사이에 접속되어 있다.The matching inductor 52 is connected between the other external conductor of the inductor 30 of the connecting conductor 902 and the second RF terminal Pfe2.

이러한 구성으로 함으로써 인덕터(30), 스위치 소자(20)로부터 제 2 RF 단자(Pfe2)를 본 임피던스(보다 구체적인 예로서 인덕터(30), 스위치 소자(20)로부터 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속하는 탄성파 필터를 본 임피던스)를 용량성으로부터 유도성으로 시프트할 수 있다. 예를 들면, 제 2 RF 단자(Pfe2)에 접속하는 SAW 필터(42)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수가 제 1 RF 단자(Pfe1)에 접속하는 SAW 필터(41)에 의해 전송되는 고주파 신호의 주파수보다 낮은 경우, 제 2 RF 단자(Pfe2)를 본 피던스는 제 1 RF 단자(Pfe1)을 본 임피던스보다 용량성이 높아진다.With this configuration, it is possible to connect the second RF terminal Pfe2 from the inductor 30 and the switch element 20 to the second RF terminal Pfe2 from the impedance (more specifically, the inductor 30 and the switch element 20) Can be shifted inductively from capacitive. For example, the frequency of the high-frequency signal transmitted by the SAW filter 42 connected to the second RF terminal Pfe2 is the frequency of the high-frequency signal transmitted by the SAW filter 41 connected to the first RF terminal Pfe1 Frequency, the impedance of the second RF terminal Pfe2 is higher than the impedance of the first RF terminal Pfe1.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10E)에서는 정합용 인덕터(52)를 구비함으로써 전송하는 고주파 신호의 주파수에 있어서의 제 1 RF 단자(Pfe1)를 본 임피던스와 제 2 RF 단자(Pfe2)를 본 임피던스를 같은 정도로 할 수 있다. 이것에 의해 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 확보하면서 제 1, 제 2 RF 단자(Pfe1, Pfe2)를 통해 전송하는 각 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다.In the high-frequency switch module 10E of the present embodiment, since the matching inductor 52 is provided, the impedance seen from the first RF terminal Pfe1 and the second RF terminal Pfe2 at the frequency of the transmitted high- To the same extent. As a result, each high-frequency signal transmitted through the first and second RF terminals Pfe1 and Pfe2 can be transmitted with low loss while ensuring isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20. [

이어서, 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 제 7 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈의 구조를 나타내는 부분 단면도이다.Next, a high-frequency switch module according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 10 is a partial cross-sectional view showing a structure of a high-frequency switch module according to a seventh embodiment of the present invention.

본 실시형태의 고주파 스위치 모듈(10F)은 제 1 실시형태에 의한 고주파 스위치 모듈(10)에 대해 인덕터(30F)가 적층체(90) 내에 형성된 점에서 다르다.The high-frequency switch module 10F of the present embodiment differs from the high-frequency switch module 10 of the first embodiment in that an inductor 30F is formed in the layered body 90. [

인덕터(30F)는 적층체(90)에 형성된 도체 패턴에 의해 스파이럴 형상으로 형성되어 있다. 이 때, 인덕터(30F)의 권회축은 적층 방향에 평행이다.The inductor 30F is formed in a spiral shape by a conductor pattern formed on the laminate 90. [ At this time, the winding axis of the inductor 30F is parallel to the stacking direction.

적층체(90)의 내부 그라운드 도체(본 발명의 인덕터에 근접하는 그라운드 도체)(912G)는 적층체(90)를 평면으로 본 대략 전체면에 걸쳐 형성되어 있지만, 개구부(911)를 구비한다.An inner ground conductor (ground conductor close to the inductor of the present invention) 912G of the layered structure 90 is formed over substantially the entire plane viewed from the plane of the layered structure 90, but has an opening 911. [

개구부(911)는 적층체(90)를 평면으로 하여 인덕터(30F)의 스파이럴 형상의 중앙의 개구부에 겹쳐 있다.The opening 911 overlaps the center opening of the spiral shape of the inductor 30F with the laminate 90 as a plane.

이러한 구성으로 함으로써 고주파 스위치 모듈(10F)을 평면으로 본 형상을 고주파 스위치 모듈(10)을 평면을 본 형상보다 작게 할 수 있다. 또한, 인덕터(30F)가 발생하는 자계가 내부 그라운드 도체(910G)에 의해 저해되지 않으므로 인덕터(30F)의 Q의 열화를 억제할 수 있다. 이것에 의해 스위치 소자(20)의 피선택 단자측의 아이솔레이션을 더욱 향상시킬 수 있다.With this configuration, it is possible to make the shape of the high-frequency switch module 10F in a plane view smaller than the shape of the high-frequency switch module 10 in plan view. In addition, since the magnetic field generated by the inductor 30F is not hindered by the internal ground conductor 910G, deterioration of the Q of the inductor 30F can be suppressed. As a result, the isolation on the side of the selected terminal of the switch element 20 can be further improved.

또한, 적층체(90)에 내장된 인덕터를 다른 회로 소자나 회로 패턴과 결합시키지 않는 양태를 필요로 하는 경우에는 인덕터(30F)를 적층 방향으로 끼워 넣도록 한 쌍의 내층 그라운드 도체를 배치하면 좋다. 이것에 의해 인덕터(30F)가 다른 회로 소자나 회로 패턴과 결합하는 것을 방지할 수 있다.When it is required that the inductor built in the laminate 90 is not combined with other circuit elements or circuit patterns, a pair of inner-layer ground conductors may be disposed so as to sandwich the inductor 30F in the stacking direction . Thereby, the inductor 30F can be prevented from being coupled with other circuit elements or circuit patterns.

또한, 상술의 각 실시형태에서는 고조파 성분의 누설을 공진 회로에 의해 억제하는 양태를 나타냈지만, 기본 주파수 성분의 누설도 공진 회로에 의해 억제하는 구성으로 해도 좋다. 이 경우, 공진 회로는 복수의 LC 병렬 공진 회로를 직렬로 접속하는 회로 등을 사용하면 좋다.In each of the embodiments described above, the resonance circuit suppresses the leakage of the harmonic components. However, the resonance circuit may suppress leakage of the fundamental frequency components. In this case, a circuit for connecting a plurality of LC parallel resonance circuits in series may be used as the resonance circuit.

10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F 고주파 스위치 모듈
20 스위치 소자 30, 30D, 30F 인덕터
31 커패시터 51, 52 정합용 인덕터
53 특성 조정용 인덕터 90 적층체
901, 902, 901B 접속 도체 911G, 912G 내부 그라운드 도체
911 개구부10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F High frequency switch module
20 switch element 30, 30D, 30F inductor
31 Capacitors 51 and 52 Matching inductor
53 Inductors for characteristic adjustment 90 Laminate
901, 902, 901B Connection conductors 911G, 912G Internal ground conductors
911 opening

Claims (8)

Hi 밴드용의 안테나에 접속하는 제 1 공통 단자, Low 밴드용의 안테나에 접속하는 제 2 공통 단자, 상기 제 1 공통 단자에 선택적으로 접속되는 복수의 제 1 피선택 단자, 및 제 2 공통 단자에 선택적으로 접속되는 복수의 제 2 피선택 단자를 구비하는 스위치 소자와,
상기 복수의 제 1 피선택 단자에 있어서의 1개의 제 1 피선택 단자와, 상기복수의 제 2 피선택 단자에 있어서의 1개의 제 2 피선택 단자 사이에 접속되는 인덕터를 구비하는 고주파 스위치 모듈.A first common terminal connected to the antenna for the Hi band, a second common terminal connected to the antenna for the low band, a plurality of first selected terminals selectively connected to the first common terminal, A switch element having a plurality of second selected terminals selectively connected,
And an inductor connected between one first selectable terminal of the plurality of first selected terminals to be selected and one second selected terminal of the plurality of second selected terminals to be selected. 제 1 항에 있어서,
상기 인덕터가 접속되는 제 1 피선택 단자와 제 2 피선택 단자는 복수의 통신 밴드를 동시 송신 또는 동시 수신하는 전기 경로에 이용하는 동시 이용 단자인 고주파 스위치 모듈.The method according to claim 1,
Wherein the first selected terminal and the second selected terminal to which the inductor is connected are simultaneously used terminals for use in an electric path for simultaneously transmitting or simultaneously receiving a plurality of communication bands. 제 2 항에 있어서,
상기 스위치 소자와 상기 인덕터가 실장되는 회로 기판을 구비하고,
상기 동시 이용 단자인 상기 제 1 피선택 단자와 상기 인덕터를 접속하는 제 1 접속 도체와, 상기 동시 이용 단자인 상기 제 2 피선택 단자와 상기 인덕터를 접속하는 제 2 접속 도체는 상기 회로 기판에 형성되어 있고,
상기 제 1 접속 도체와 상기 제 2 접속 도체는 상기 회로 기판의 두께방향으로 다른 위치에 배치되어 있고,
상기 회로 기판은,
상기 제 1 접속 도체와 상기 제 2 접속 도체 사이에 내층 그라운드 도체를 구비하는 고주파 스위치 모듈.3. The method of claim 2,
And a circuit board on which the switch element and the inductor are mounted,
A first connection conductor for connecting the first selection terminal and the inductor which are the simultaneous use terminals, and a second connection conductor for connecting the second selection terminal, which is the simultaneous use terminal, to the inductor, And,
The first connecting conductor and the second connecting conductor are disposed at different positions in the thickness direction of the circuit board,
The circuit board includes:
And an inner layer ground conductor between the first connecting conductor and the second connecting conductor. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 스위치 소자는,
상기 동시 이용 단자인 상기 제 1 피선택 단자와 상기 동시 이용 단자인 상기 제 2 피선택 단자 사이에, 상기 동시 이용 단자가 이용하는 상기 복수의 통신 밴드와는 다른 별도의 통신 밴드를 이용하는 제 3 피선택 단자를 구비하는 고주파 스위치 모듈.The method according to claim 2 or 3,
The switch element includes:
And a third selection circuit that uses a communication band different from the plurality of communication bands used by the simultaneous use terminal, between the first selected terminal that is the simultaneous use terminal and the second selected terminal that is the simultaneous use terminal Terminal. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인덕터에 병렬 접속하는 커패시터를 구비하는 고주파 스위치 모듈.5. The method according to any one of claims 2 to 4,
And a capacitor connected in parallel to the inductor. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 동시 이용 단자인 상기 제 1 피선택 단자가 접속하는 제 1 RF 단자와, 상기 제 1 RF 단자와 상기 동시 이용 단자인 상기 제 1 피선택 단자를 접속하는 제 1 접속 도체를 구비하고,
상기 제 1 접속 도체에 있어서의 상기 동시 이용 단자인 상기 제 1 피선택 단자와 상기 인덕터 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있는 고주파 스위치 모듈.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
A first RF terminal to which the first selected terminal which is the simultaneous use terminal is connected and a first connecting conductor which connects the first RF terminal and the first selected terminal which is the simultaneous use terminal,
And a matching inductor is connected between the inductor and the first selected terminal which is the simultaneous use terminal of the first connecting conductor. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 동시 이용 단자인 상기 제 2 피선택 단자가 접속하는 제 2 RF 단자와, 상기 제 2 RF 단자와 상기 동시 이용 단자인 상기 제 2 피선택 단자를 접속하는 제 2 접속 도체를 구비하고,
상기 제 2 접속 도체에 있어서의 상기 인덕터와 상기 제 2 RF 단자 사이에 정합용 인덕터가 접속되어 있는 고주파 스위치 모듈.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
A second RF terminal to which the second selected terminal which is the simultaneous use terminal is connected and a second connecting conductor which connects the second RF terminal and the second selected terminal which are the simultaneous use terminal,
And a matching inductor is connected between the inductor and the second RF terminal of the second connecting conductor. 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인덕터는 회로 기판에 형성된 스파이럴 형상의 도체 패턴이며,
상기 회로 기판의 내부에 형성되고, 상기 인덕터에 근접하는 그라운드 도체는 상기 스파이럴 형상의 중앙 개구부에 겹치지 않는 형상인 고주파 스위치 모듈.8. The method according to any one of claims 2 to 7,
The inductor is a spiral conductive pattern formed on a circuit board,
Wherein a ground conductor formed in the circuit board and adjacent to the inductor has a shape that does not overlap the spiral-shaped central opening.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6024857B1 (en) * 2015-02-05 2016-11-16 株式会社村田製作所 High frequency switch module

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003204284A (en) * 2001-10-30 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd High frequency switch and high frequency radio equipment
EP1361649B1 (en) * 2001-12-17 2011-01-26 Panasonic Corporation Dc/dc buck-boost converter
JP2004042374A (en) * 2002-07-10 2004-02-12 Canon Inc Recorder
JP2005260806A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd High frequency switch circuit
JP2006109084A (en) * 2004-10-05 2006-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Switching module and radio communication apparatus therewith
US8000737B2 (en) * 2004-10-15 2011-08-16 Sky Cross, Inc. Methods and apparatuses for adaptively controlling antenna parameters to enhance efficiency and maintain antenna size compactness
JP5293762B2 (en) * 2011-03-04 2013-09-18 株式会社村田製作所 High frequency switch module
US9100060B2 (en) * 2011-12-14 2015-08-04 Infineon Technologies Ag System and method for a radio frequency switch
JP5859399B2 (en) * 2012-08-10 2016-02-10 太陽誘電株式会社 High frequency circuit and communication device.
WO2014119046A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 株式会社村田製作所 Switch ic and high-frequency module equipped with same
US9621327B2 (en) * 2013-09-17 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to carrier aggregation front-end module applications
US10091087B2 (en) * 2015-07-20 2018-10-02 Cisco Technology, Inc. Methods and systems for load balancing based on data shard leader

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