KR20170088557A - 기판 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정시간 및 원가를 절감할 수 있고, 고품질화 추세에 적합한 기판 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)하는 단계와, 상기 기판의 응력이 해소되도록 에칭액을 이용하여 상기 기판을 습식 에칭하는 단계와, 상기 절단된 기판를 마운팅 하는 단계와, 상기 기판의 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자용 기판 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고휘도 발광다이오드(LED)에 사용될 수 있는 기판 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(light emitting diode, LED)는 기존 조명용 광원(형광등, 백열등)과 비교하여 소비전력 대비 밝기가 우수하며, 부피가 작고, 두께가 얇고, 수은 등의 유해 물질이 포함되지 않는 장점이 있다. 그리고 발광다이오드는 방향성 광원으로 영역별 선택 조명이 가능하므로, 각종 조명, 신호등, 전광판 등에 이용되고 있다. 또한, 발광다이오드는 현재 휴대폰과 LCD 등의 디스플레이이의 백라이트유닛(back light unit, BLU)으로 널리 이용되고 있다.
이러한 발광 다이오드는 사이이어 계통의 기판 상에 활성층을 에피 성장시켜 제조되는데, 이때 이용되는 사파이어 기판을 제조하는 방법에 관해서는, 공개특허 10-2011-0009799호 등에 개시된 바 있다.
종래의 사파이어 기판을 제조하는 방법에 관하여 설명하면, 기판은 잉곳을 기판 형태로 절단하는 공정, 기판을 마운팅하는 공정, 그라인딩 공정, 디마운팅 공정, 열처리 공정 및 CMP(chemical mechanical plishing) 공정을 통해 이루어진다.
하지만, 이와 같은 고전적인 제조공정으로는 더 이상의 고품질화 추세의 한계를 극복할 수 없으며, 많은 공정 수로 인하여 공정시간절감 및 원가절감에 한계가 있다.
본 발명은 공정시간 및 원가를 절감할 수 있고, 고품질화 추세에 적합한 기판 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판 제조방법은 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)하는 단계와, 상기 기판의 응력이 해소되도록 에칭액을 이용하여 상기 기판을 습식 에칭하는 단계와, 상기 절단된 기판를 마운팅 하는 단계와, 상기 기판의 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 마운팅 단계는, 진공척 상에 필름을 안착하는 단계와, 상기 필름 상에 광중합(Photopolymerization) 반응이 일어나는 경화수지를 도포하는 단계와, 상기 경화수지 상에 상기 기판을 안착하는 단계와, 상기 기판을 상기 경화수지쪽으로 가압한 후 가압해제하는 단계와, 상기 경화수지로 자외선을 조사하여 상기 경화수지를 경화하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 그라인딩 단계는 거친 연마단계(Rough grinding)와 미세 연마단계(Fine grinding)를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 공정 간소화를 통해 공정시간 및 원가를 절감할 수 있고, 나아가 기판의 고품질화를 도모할 수 있다.
도 1은 종래의 기판 제조방법의 개략적인 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조방법의 흐름도이다.
도 3은 UV 마운팅 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조방법의 흐름도이다.
도 3은 UV 마운팅 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 제조방법에 관하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 제조방법의 흐름도이며, 도 3은 UV 마운팅 공정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 제조방법(M100)은 우선, 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)한다(S10). 잉곳은 사파이어, LiTaO3 및 LiNbO3 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 이 절단단계는 와이어 쏘(wire saw)를 통해 수행될 수 있다. 이때 사용되는 와이어 쏘는 멀티 와이어 쏘(multi wire saw)일 수 있다.
다음으로, 에칭액을 이용하여 기판을 습식 에칭 한다(S15). 습식 에칭 단계(S15)를 통해 절단(slicing) 단계에서 생기는 표면가공응력을 해소하고 동시에 거친 표면 가공 층을 제거한다.
습식 에칭 단계(S15)에 대하여, 더 구체적으로 설명하면, 기판을 에칭액이 담겨 있는 조(Bath)안에 침잠시켜 에칭액과 기판 표면과의 화학반응을 통해 에칭 단계를 수행한다. 이때, 조(Bath)는 석영(Quartz), 테프론(Tefron), 니켈 중 하나로 이루어지는 것이 바람직하며, 히팅 맨틀에 장착함으로써 에칭액을 가열할 수 있는 것이 바람직하다.
그리고, 에칭액은 H2SO4, H3PO4 및 KOH 중에서 하나를 포함하거나 또는 이들의 조합으로 이루어질 수 있다. 이때, H2SO4와 H3PO4으로 조합으로 에칭액을 조성하는 경우, 조성비율을 H2SO4 : H3PO4 = x : y라고 할 때, x, y는 1 ≤ x or y ≤ 10 이 바람직하다. 그리고, 에칭액은 100~380℃의 온도범위에서 유지되고, 에칭시간은 5~240분인 것이 바람직하다. 한편, 에칭액은 화학용액의 분위기 혼합과 온도, 시간 등의 조합으로 에칭 조건을 최적화 할 수 있으며, 이들의 조건들을 이용하여 기판의 두께 및 기판의 표면 거칠기, 또한 에칭된 기판의 표면 Pit의 크기들을 조절할 수 있다.
다음으로, 기판을 마운팅(S20)하는데, 본 실시예에서는 경화반응이 일어나는 경화수지를 사용한 UV 마운팅을 실시한다.
자외선 경화 반응(광중합(Photopolymerization)) 반응은 액체 상태의 경화수지에 강력한 전자기파의 일종인 자외선 형태의 강한 에너지를 공급하면, 액체 상태의 경화수지가 순간적으로 경화되는 현상으로, 경화수지의 종류에 따라 자외선 조사량이 달라질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 먼저 도 3에 도시된 바와 같이 필름(예를 들어, PET 필름)(f)을 진공척(vacuum stage)(c) 상에 펼쳐 놓은 후 진공압을 인가하여 필름(f)을 완벽히 평평하게 편 다음, 필름(f) 위에 경화수지(p)를 도포한다. 이후, 경화수지(p) 상에 절단된 기판(w)을 안착한다. 이때, 기판(w) 절단시 기판 형상은 전면(상면) 및 후면(하면)이 완전히 평평한 것이 아니라, 도 3에 도시된 바와 같이 약간 뒤틀려져(굴곡짐) 있을 수 있는데, 도 3에서는 이해를 돕기 위해 기판(w)의 형상을 과장하여 표현한 것이다. 이후, 프레스 등을 이용하여 기판(w)를 경화수지(p)쪽으로 가압하면, 기판(w)가 살짝 변형되면서 기판 후면(하면) 전체가 경화수지(p)에 부착되고, 이후 가압해제하면 기판(w)의 탄성에 의해 기판의 형상이 초기상태로 회복된다. 이후, 경화수지(p)로 자외선을 조사하면 경화수지(p)이 경화되면서 기판가 마운팅 된다.
UV 마운팅과 관련하여, 종래의 경우에는 유리판 위에 필름을 놓고, 필름 위에 광중합 경화수지를 도포한 후 기판을 광중합 경화수지 위에 놓은 상태에서, 유리판을 통해 자외선을 조사하여 광중합 경화수지를 경화하였다. 하지만, 유리판의 평탄도가 완벽하지 않은 경우, 필름과, 광중합 경화수지 및 기판의 부착 과정에서 들뜸 현상 및 기판이 틀어진 상태에서 광중합 경화수지가 경화될 수 있고, 이 상태에서 후속 공정이 진행되면 기판의 품질(BOW, TTV 등)이 저하되는 문제점이 있었다. 하지만, 본 실시예의 경우에는 진공척(c)을 이용하여 필름(f)을 완벽하게 펴준 상태에서 광중합 경화수지 도포 및 경화가 이루어지므로, 이와 같은 문제가 해결된다.
또한, 본 실시예에 의하면 기판을 프레스로 가압한 후 가압해제하여 기판가 초기형상으로 회복된 상태에서 광중합 경화수지가 경화되므로, 후속하는 연마고정에서 기판 고유의 굴곡면을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
기판을 마운팅 한 후에는, 기판을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)한다(S30). 다이아몬드 휠의 연마 과정에 관하여 설명하면, 마운팅 된 기판의 후면을 진공척을 이용하여 고정하고, 다이아몬드 휠을 회전시키면서 기판의 전면에 접촉시켜 기판의 전면을 그라인딩 하며, 이때 냉각제(coolant)로 물이 공급될 수 있다.
한편, 다이아몬드 휠의 다이아몬드 입자 크기를 변경하거나, 다이아몬드 입자의 크기 별로(즉, 다이아몬드 입자의 크기를 달리함) 복수의 그라인딩 단계를 마련함으로써 연마된 기판의 거칠기 등을 결정하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 경우 그라인딩 단계(S30)는 2단계, 즉 거친 연마단계(Rough grinding)와, 미세 연마단계(Fine grinding)로 그라인딩 공정이 진행된다. 거친 연마단계는 기존의 랩핑 공정을 대체하는 단계로, 다이아몬드 입자 크기가 큰 다이아몬드 휠을 이용하여 기판의 전면을 빠르게 연마한다. 이후, 미세 연마단계는 기존의 다이아몬드 폴리싱을 대체하는 단계로, 다이아몬드 입자 크기가 작은 다이아몬드 휠을 이용하여 기판의 전면을 연마한다.
이후, 기판을 디마운팅하면 모든 공정이 완료된다.
본 발명에 따르면, 종래에 비하여 공정시간 및 공정비용을 절감할 수 있다. 특히, 종래에 수행하던 CMP(chemical mechanical plishing) 공정을 생략할 수 있기 때문에, 공정시간 및 공정비용을 대폭 절감할 수 있고, 나아가 친환경적으로 공정을 수행할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
M100...기판 제조방법 S10...절단단계
S15...에칭 단계 S20...UV 마운팅 단계
S30...그라인딩 단계
S15...에칭 단계 S20...UV 마운팅 단계
S30...그라인딩 단계
Claims (3)
- 잉곳(ingot)을 기판 형태로 절단(slicing)하는 단계;
상기 기판의 응력이 해소되도록 에칭액을 이용하여 상기 기판을 습식 에칭하는 단계;
상기 절단된 기판를 마운팅 하는 단계; 및
상기 기판의 전면을 다이아몬드 휠로 그라인딩(grinding)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 마운팅 단계는,
진공척 상에 필름을 안착하는 단계와,
상기 필름 상에 광중합(Photopolymerization) 반응이 일어나는 경화수지를 도포하는 단계와,
상기 경화수지 상에 상기 기판을 안착하는 단계와,
상기 기판을 상기 경화수지 쪽으로 가압한 후 가압해제하는 단계와,
상기 경화수지로 자외선을 조사하여 상기 경화수지를 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 그라인딩 단계는,
거친 연마단계(Rough grinding)와 미세 연마단계(Fine grinding)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 제조방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR101766578B1 (ko) | 2017-08-08 |
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