KR20170070159A - Method for manufacturing a surface mount device - Google Patents

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KR20170070159A
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마리오 쥐. 세풀베다
마틴 쥐. 피네다
안토니 브라니카
케달 브이. 브하타와데카
민 브이. 엔고
도브 니트잔
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리텔퓨즈 인코퍼레이티드
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Abstract

표면 실장 장치(100, 900)을 제조하는 방법은 적어도 하나의 코어 장치(120, 920) 및 적어도 하나의 리드 프레임(310)을 제공하는 단계를 포함한다. 코어 장치는 리드 프레임에 부착된다. 코어 장치 및 리드 프레임은 캡슐제(125, 925) 내부에서 캡슐화된다. 캡슐제는 경화될 때 대략 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 작은 산소 투과도를 가지는 액체 에폭시를 포함한다. 표면 실장 장치를 제조하는 또 다른 방법은 재료로부터 플라크(1105)를 형성하는 단계, 플라크의 상단 표면 및 하단 표면 상에 복수 개의 전도성 돌출부들(915)을 형성하는 단계, 및 플라크의 상단 표면의 적어도 일부 및 하단 표면을 적어도 일부 위에 액체 캡슐제를 적용하는 단계를 포함한다. 경화될 때, 캡슐제는 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 적은 산소 투과도를 가진다. 어셈블리는 복수 개의 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c) 제공하도록 절단된다. 절단 후에, 각 구성요소의 상단 표면은 적어도 하나의 전도성 돌출부를 포함하고, 각 구성요소의 하단표면은 적어도 하나의 전도성 돌출부를 포함하며, 각 구성요소의 상단 표면 및 하단 표면은 경화된 캡슐제를 포함하고, 각 구성요소의 코어는 재료를 포함한다.A method of fabricating a surface mount device (100, 900) includes providing at least one core device (120, 920) and at least one leadframe (310). The core device is attached to the lead frame. The core device and the lead frame are encapsulated within the encapsulant 125, 925. The encapsulant comprises a liquid epoxy which when cured has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day. Another method of fabricating a surface mount device includes forming a plaque 1105 from a material, forming a plurality of conductive protrusions 915 on the upper and lower surfaces of the plaque, And applying a liquid encapsulant over at least a portion of the lower and the lower surface. When cured, the capsules have an oxygen permeability of less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day. The assembly is cut to provide a plurality of components 1120a, 1120b, and 1120c. After cutting, the top surface of each component includes at least one conductive protrusion, and the bottom surface of each component includes at least one conductive protrusion, and the top surface and bottom surface of each component are coated with a cured capsule , And the core of each component includes a material.

Description

표면 실장 장치를 제조하기 위한 방법{METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE MOUNT DEVICE}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING A SURFACE MOUNT DEVICE [0002]

본 발명은 일반적으로 전자 회로(electronic circuitry)에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명의 표면 실장 장치(surface mount device; SMD)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates generally to electronic circuitry. More particularly, the present invention relates to a method for manufacturing a surface mount device (SMD) of the present invention.

표면 실장 장치들(SMDs)은 그것의 작은 크기 때문에 전자 회로에서 이용된다. 일반적으로, SMD들은 플라스틱 또는 에폭시와 같은, 하우징 재료(housing material) 내에 내장되는(embedded) 코어 장치(core device)를 포함한다. 예를 들어, 저항 특성(resistive properties)을 구비하는 코어 장치는 표면 실장 레지스터(surface mount resistor)를 제작하는 하우징 재료 내에 내장될 수 있다.Surface mount devices (SMDs) are used in electronic circuits because of their small size. Generally, SMDs include a core device embedded within a housing material, such as plastic or epoxy. For example, a core device with resistive properties can be embedded in a housing material that makes a surface mount resistor.

현존하는 SMD들이 구비하는 일 단점은 코어 장치를 캡슐화(encapsulate)하는 데에 이용되는 재료가 코어 장치 그것 스스로의 안으로 퍼지(permeate)도록 산소를 허용하는 경향이 있다는 것이다. 예를 들어, 산소가 코어 장치로 들어가는 것이 허용되면, 포지티브-온도-계수 코어 장치(positive-temperature-coefficient core device)의 저항은 시간이 지남에 따라 상승하는 경향이 있다. 몇몇 경우에, 기본 저항(base resistance)은 5 배로(factor of five (5))로 증가할 수 있고, 코어 장치 스펙(spec)을 벗어날 수 있다. One disadvantage of existing SMDs is that the material used to encapsulate the core device tends to allow oxygen to permeate into the core device itself. For example, if oxygen is allowed to enter the core device, the resistance of the positive-temperature-coefficient core device tends to rise over time. In some cases, the base resistance may increase to a factor of five (5) and may deviate from the core device spec.

이러한 문제점들을 극복하기 위하여, 코어 장치는, 2013년 9월 3일 출원된 미국 특허번호 제 8,525,635호 (나바로 외) 및 2011년 1월 20일 공개된, 미국 공개번호 제 2011/0011533에서 개시된 산소 베리어 재료(oxygen barrier material)과 같은 저 산소 투과도(low oxygen permeability)으로 캡슐화될 수 있다. To overcome these problems, the core device is disclosed in U.S. Patent No. 8,525,635 (Navarro et al.), Filed September 3, 2013, and in U.S. Patent Application Publication No. 2006/0011533, published January 20, And can be encapsulated with low oxygen permeability such as oxygen barrier material.

위에서 언급된 것과 같은 SMD들을 제조하는 현재의 방법들은 SMD의 총 부피와 비교하여 상대적으로 큰 캡슐제(encapsulant)의 부피로 SMD를 산출한다. 예를 들어 캡슐제의 부피는 총 부피의 35 ~ 40%에 해당될 수 있다. Current methods of manufacturing SMDs such as those mentioned above yield SMDs with a relatively large encapsulant volume compared to the total volume of SMDs. For example, the volume of the capsule may be 35-40% of the total volume.

일 양태에서, 표면 실장 장치를 제조하는 것의 방법은 적어도 하나의 코어 장치 및 적어도 하나의 리드 프레임(lead frame)을 제공하는 단계를 포함한다. 코어 장치는 리드 프레임에 부착된다. 코어 장치 및 리드 프레임은 캡슐제 내부에서 캡슐화된다. 캡슐제는 경화되었을 때 대략 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 적은 산소투과도를 가지는 액체 에폭시를 포함한다. In one aspect, a method of fabricating a surface mount device includes providing at least one core device and at least one lead frame. The core device is attached to the lead frame. The core device and the lead frame are encapsulated within the capsule. The encapsulant contains a liquid epoxy which, when cured, has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day.

두 번째 양태에서 표면 실장 장치는 코어 장치, 및 코어 장치에 부착되는 리드 프레임의 일부를 포함한다. 캡슐제는 일부 리드 프레임 및 코어 장치의 적어도 일부를 둘러싼다(surrounds). 캡슐제는 코어 장치와 리드 프레임 주위로 분사되는(injected) 액체 에폭시의 경화된 버전(cured version)에 해당된다. 캡슐제는 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 작은 산소 투과도를 가진다.In a second aspect, a surface mount device includes a core device, and a portion of a lead frame attached to the core device. The encapsulant surrounds at least a portion of the lead frame and the core device. The encapsulant corresponds to a cured version of a liquid epoxy injected around the core device and the leadframe. The capsule has an oxygen permeability less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day.

세 번째 양태에서, 표면 실장 장치를 제조하는 방법은 재료로부터 플라크(plaque)를 형성하는 단계, 플라크의 하단 표면 및 상단 표면 상에 복수 개의 전도성 돌출부(conductive protrusions)를 형성하는 단계, 플라크의 하단 표면의 적어도 일부 및 상단 표면의 적어도 일부 위에 액체 캡슐제를 적용하는 단계를 포함한다. 액체 캡슐제는 경화되고 경화될 때 캡슐제는 대략 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 작은 산소 투과도를 가진다. 어셈블리(assembly)는 복수 개의 구성요소들(components)을 제공하도록 절단된다. 절단된 후에 각 구성요소의 상단 표면은 적어도 하나의 돌출부를 포함하고, 각 구성요소의 하단 표면 및 상단 표면은 경화된 캡슐제를 포함하며, 각 구성요소의 코어는 재료를 포함한다.In a third aspect, a method of fabricating a surface mount apparatus includes forming a plaque from a material, forming a plurality of conductive protrusions on a lower surface and a top surface of the plaque, And applying a liquid encapsulant over at least a portion of the top surface. When the liquid encapsulant is cured and cured, the encapsulant has an oxygen permeability less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day. The assembly is cut to provide a plurality of components. After cutting the top surface of each component comprises at least one protrusion, the bottom surface and the top surface of each component comprise a hardened capsule, and the core of each component comprises a material.

네 번째 양태에서, 표면 실장 장치(SMD)는 재료로부터 형성되는 코어, 코어의 상단 표면 상에 형성되는 적어도 하나의 전도성 돌출부와 코어의 하단 표면 상에 형성되는 적어도 하나의 전도성 돌출부, 및 코어의 하단 표면의 및 상탄표면의 적어도 일부를 덮는 캡슐제를 포함한다. 캡슐제는 대략 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 작은 산소 투과도를 가진다.In a fourth aspect, a surface mount device (SMD) comprises a core formed from a material, at least one conductive protrusion formed on an upper surface of the core, at least one conductive protrusion formed on a lower surface of the core, And a capsule which covers at least a part of the surface and the surface of the titanium carbide. The capsules have an oxygen permeability less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day.

본 명세서에 개시되어 있음.Lt; / RTI >

도 1은 예시적인 표면 실장 장치(SMD)의 단면도이다.
도 2는 도 1의 SMD를 제조하도록 이용될 수 있는 동작의 예시적인 그룹을 도시한다.
도 3은 복수 개의 SMD들의 구성요소 단면들을 도시한다.
도 4a 및 도 4b는 도 3 에서 도시되는 구성요소 단면들의 캡슐화를 위한 몰딩 시스템을 도시한다.
도 5 내지 도 8은 도 2에서 기술된 제조 동작을 통해 제작될 수 있는 예시적인 SMD의 완성을 도시한다.
도 9는 다른 예시적인 SMD의 단면을 도시한다.
도 10은 도 9의 SMD를 제조하는 데 이용될 수 있는 동작들의 예시적인 그룹을 도시한다.
도 11a는 전도성 돌출부들의 그룹을 구비하는 플라크를 도시한다.
도 11b는 도 11a의 플라크의 단면도이다.
도 11c는 캡슐제의 하단 층 및 상단층으로 덮이는 플라크를 도시한다.
도 11d는 도 11c의 플라크 및 캡슐제 층들의 단면도이다.
도 11e는 캡슐제 층들 및 플라크로부터 절단되는 구성요소들의 단면도이다.
도 11f는 캡슐제로 채워진 구성요소들 사이의 공간의 단면도이다.
도 11g는 구성요소들 사이의 공간 내로 채워지는 캡슐제를 절단한 공의 구성요도들의 단면도이다.
도 11h는 단부들에 추가되는 전도성 층들을 구비하는 구성요소들의 정면도이다.
1 is a cross-sectional view of an exemplary surface mount device (SMD).
FIG. 2 illustrates an exemplary group of operations that may be utilized to fabricate the SMD of FIG.
3 shows component cross-sections of a plurality of SMDs.
4A and 4B illustrate a molding system for encapsulation of the component cross-sections shown in FIG.
5-8 illustrate the completion of an exemplary SMD that may be fabricated through the fabrication operation described in FIG.
Figure 9 shows a cross section of another exemplary SMD.
10 illustrates an exemplary group of operations that may be utilized to fabricate the SMD of FIG.
11A shows a plaque having a group of conductive protrusions.
11B is a cross-sectional view of the plaque of FIG.
Figure 11C shows a plaque covering the lower and upper layers of the capsule.
11D is a cross-sectional view of the plaque and capsule layers of FIG. 11C.
11E is a cross-sectional view of the components being cut from the encapsulating layers and plaque.
11F is a cross-sectional view of the space between the capsule-filled components.
Figure 11G is a cross-sectional view of the constituent urethra that cuts the capsule filled into the space between the components.
11H is a front view of components having conductive layers added to the ends.

위에서 언급된 문제들을 극복하기 위하여, SMD를 제조하기 위한 새로운 방법은 제공된다. 일 구현예에서, 공정은 액체 에폭시 또는 다른 형상(form)으로 낮은 산소 투과도를 가지는 캡슐제를 제공함으로써 시작한다. 하나 이상의 코어 장치들, 코어 장치들을 위한 전기 접촉부(electrical contacts)를 정의하는 리드 프레임, 및 최종SMD의 부품(part)인 다른 구성요소 섹션들(sections)는 트랜스퍼 몰딩 시스템(transfer molding system)의 공동(cavity) 내로 인입된다. 캡슐제는 몰딩 시스템 내로 인입되고 다양한 구성요소들 주위에 분사된다. 경화(curing) 후에, 어셈블리는 몰딩 시스템으로부터 제거되고 독립적인 SMD들을 제공하도록 절단된다. 다양한 최종 동작들(도금(plating), 끝손질(finishing), 연삭(polishing) 등)은 SMD들이 분리되기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 이러한 공정을 이용하여, 종래의 SMD들보다 더 작은 폼 팩터를 가지는 SMD들을 제조하는 것은 가능하다. 또한, 생산 비용은 종래의 SMD들 전체의 제조와 관련된 비용들 보다 낮다.In order to overcome the problems mentioned above, a new method for manufacturing SMDs is provided. In one embodiment, the process begins by providing a capsule with low oxygen permeability in liquid epoxy or other form. Other component sections, which are one or more core devices, a lead frame that defines electrical contacts for core devices, and a final SMD, are connected to a joint of a transfer molding system into the cavity. The encapsulant is introduced into the molding system and is dispensed around various components. After curing, the assembly is removed from the molding system and cut to provide independent SMDs. Various final operations (plating, finishing, polishing, etc.) may be performed before or after the SMDs are separated. Using this process, it is possible to manufacture SMDs with smaller form factors than conventional SMDs. In addition, the production cost is lower than the costs associated with the manufacture of the entire conventional SMDs.

다른 구현예에서, 위에서 언급된 코어 장치를 형성하는 재료는 플라크 내에 제공된다. 전도성 돌출부들의 그룹은 플라크의 상단 및 하단 표면들에 적용된다. 스크린-프린팅 공정(screen-printing process)은 상단 및 하단 표면들 위로 액체 에폭시를 스크린-프린트 하도록 이용된다. 어셈블리는 경화되고 구성요소들 내로 단일화(singulated)된다. 각 구성요소는 최초 플라크(original plaque)의 일부에 대응되는 코어, 코어의 상단으로부터 연장하는 적어도 하나의 전도성 돌출부, 및 코어의 하단으로부터 연장하는 적어도 하나의 전도성 돌출부를 포함한다. 코어의 노출되는 표면은 전체 코어를 캡슐화하도록 추가적인 캡슐제로 덮인다. 캡슐화된 코어의 단부들은 제1 및 제2 전도성 층들(first and second conductive layers)로 덮인다. 전도성 층의 각각은 코어의 하단 또는 상단 중하나로부터 연장하는 전도성 돌출부들 중 하나를 구비하는 전기 접촉부에 있도록 형성된다. In another embodiment, the material forming the above-mentioned core device is provided in a plaque. A group of conductive protrusions is applied to the upper and lower surfaces of the plaque. A screen-printing process is used to screen-print the liquid epoxy onto top and bottom surfaces. The assembly is cured and singulated into the components. Each component includes a core corresponding to a portion of the original plaque, at least one conductive protrusion extending from the top of the core, and at least one conductive protrusion extending from the bottom of the core. The exposed surface of the core is covered with an additional encapsulant to encapsulate the entire core. The ends of the encapsulated core are covered with first and second conductive layers. Each of the conductive layers is formed to be an electrical contact having one of the conductive protrusions extending from the bottom or bottom of the core.

앞에서 언급된 캡슐제 재료들은 저 산소 투과도를 나타내는 표면 실장 장치 또는 다른 작은 장치들의 생산을 가능하게 한다. 예를 들어, 캡슐제는 폼 팩터(form factor)에 따라서 0.4밀리 내지 14 밀리 사이의 벽 두께를 구비하는 저 산소 투과도 표면 실장 장치들을 제조하기에 용이하다.The aforementioned encapsulating materials enable the production of surface mount devices or other small devices that exhibit low oxygen permeability. For example, the encapsulant is easy to fabricate low oxygen permeability surface mount devices having a wall thickness between 0.4 millimeters and 14 millimeters depending on the form factor.

도 1은 표면 실장 장치(SMD; 100)의 일 구현예의 단면을 도시한다. SMD(100)는 상단 표면(105a), 하단 표면(105b), 제1 단부(110a), 제2 단부(110b), 제 1접촉 패드(115a), 및 제2 접촉 패드(115b)를 구비하는 일반적으로 직사각형 바디를 정의한다. SMD(100)는 코어 장치(120) 및 내에 코어 장치(120)가 내장되는 절연 재료(insulator material)를 포함한다. 일 구현예에서, 제1 및 제2 단부들(110a, 110b) 사이의 간격은 약 3.0mm(0.118in)일 수 있고, SMD(100)의 너비는 약 2.35mm(0.092in)일 수 있으며, 상단 및 하단 표면들(105a, 105b) 사이의 간격은 약 0.5mm(0.019in)일 수 있다. Figure 1 shows a cross section of one embodiment of a surface mount device (SMD) 100. The SMD 100 has a top surface 105a, a bottom surface 105b, a first end 110a, a second end 110b, a first contact pad 115a, and a second contact pad 115b It generally defines a rectangular body. The SMD 100 includes a core device 120 and an insulator material in which the core device 120 is embedded. In one embodiment, the spacing between the first and second ends 110a, 110b may be about 0.118 inches, and the width of the SMD 100 may be about 0.092 inches, The spacing between the top and bottom surfaces 105a, 105b may be about 0.019 inches.

코어 장치(120)는 상단 표면(120a), 하단 표면(120b), 제1 단부(122a), 및 제2 단부(122b)를 포함한다. 코어 장치(120)는 일반적으로 직사각형 모양을 가질 수 있다. 제1 및 제2 단부들(122a, 122b) 사이 간격은 약 3.0mm(0.118in)일 수 있다. 상단 및 하단 표면들(120a, 120b) 사이의 간격은 약 0.62mm(0.024)일 수 있다. 전방 및 후방 표면들 사이의 간격은 약 1.37mm(0.054in)일 수 있다. 전도성 층(124a, 124b)는 코어 장치(120)의 상단 및 하단 표면들(120a, 120b)을 덮을(overlay) 수 있다. 예를 들어, 전도성 층(124a, 124b)는 니켈(Ni)의 0.025mm(0.001in) 두께 층에 및/또는 구리(Cu)의 0.025mm(0.001in) 두께 층에 상응할 수 있다. 전도성 재료는 코어 장치(120)의 전체 상단 및 하단 표면들(120a, 120b) 또는 상단 및 하단 표면들(120a, 120b)의 더 작은 일부를 덮는다. The core device 120 includes a top surface 120a, a bottom surface 120b, a first end 122a, and a second end 122b. The core device 120 may have a generally rectangular shape. The spacing between the first and second ends 122a, 122b may be about 0.118 inches. The spacing between the top and bottom surfaces 120a, 120b may be about 0.62 mm (0.024). The spacing between the front and rear surfaces may be about 0.054 inches. The conductive layers 124a and 124b may overlay the top and bottom surfaces 120a and 120b of the core device 120. [ For example, the conductive layers 124a and 124b may correspond to a 0.001 inch thick layer of nickel (Ni) and / or a 0.025 mm (0.001 inch) thick layer of copper (Cu). The conductive material covers the entire upper and lower surfaces 120a, 120b of the core device 120 or a smaller portion of the upper and lower surfaces 120a, 120b.

일 구현예에서, 코어 장치(120)는 산소의 존재(presence of oxygen) 하에 악화되는(deteriorate) 특성(properties)을 가지는 장치에 해당한다. 예를 들어, 코어 장치(120)는 전도성 폴리머 구성(conductive polymer composition)을 포함하는 저-저항(low-resistance) 양의-온도-계수(PTC) 장치에 해당할 수 있다. 전도성 폴리머 구성의 전기적인 특성은 시간 흐름에 따라 악화되는 경향이 있다. 예를 들어, 니켈을 수용하는 그러한, 메탈-충진된 전도성 폴리머 구조들(metal-filled conductive polymer compositions)에서, 구조가 주변공기와 접촉할 때 금속 입자들의 표면들은 산화되는 경향이 있고, 결과로서 생기는 산화 층(oxidation layer)은 서로 접촉할 때에 입자들의 전도성을 줄인다. 다중의 산화된 접촉 지점들은 PTC장치의 전기 저항을 5배 또는 그 이상으로 증가시킬 수 있다. 이는 PTC장치가 원래의 사양을 제한하는 것을 초과하는 것을 야기한다. 전도성 폴리머 구조들을 수용하는 장치들의 전기 성능은 산소로 구조의 노출을 최소화함으로써 개선될 수 있다. In one embodiment, the core device 120 corresponds to a device having properties that deteriorate under the presence of oxygen. For example, the core device 120 may correspond to a low-resistance positive-temperature-coefficient (PTC) device comprising a conductive polymer composition. The electrical properties of the conductive polymer composition tend to deteriorate over time. For example, in such metal-filled conductive polymer compositions that house nickel, the surfaces of the metal particles tend to oxidize when the structure contacts ambient air, and the resulting The oxidation layer reduces the conductivity of the particles when in contact with each other. Multiple oxidized contact points can increase the electrical resistance of the PTC device to five times or more. This causes the PTC device to exceed the limit of the original specification. The electrical performance of devices that accommodate conductive polymer structures can be improved by minimizing the exposure of the structure to oxygen.

캡슐제(125)는 2013년 9월 3일 출원된(나바로 외), 미국 특허번호 제 8,525,635호와, 2011년 1월 20일에 출원된 미국 출원번호 제2011/0011533호에서 개시된 것과 유사한 특징들을 구비하는 산소-베리어 재료들과 같은 산소-베리어 재료에 해당할 수 있고, 이들의 개시내용은 본 원에서 참조로써 포함된다. 이러한 재료는 코어 장치(120) 내로 퍼지는 것으로부터 산소를 방지할 수 있고, 따라서 코어 장치(120)의 특성들의 악화는 방지된다. 예를 들어, 산소-베리어 재료는 일 제곱미터의 면적에 일 밀리미터의 두께를 가지는 샘플(sample)을 통해 퍼지는 산소의 입방 센티미터(cubic centimeters)로써 측정되는, 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day(1 cm3·il/100 in2·atm·day)보다 작은 것의 산소 투과도를 가질 수 있다. 투과 속도(permeation rate)는, 0% 상대습도(relative humidity)에서, 및 1기압(one atmosphere)의 분압 차동(partial pressure differential) 하의23 °C온도에서, 24시간 동안 측정된다. 산소 투과도는 미국, 미네소타, 미네아폴리스의 Mocon, Inc에 의해 공급되는 장비로 ASTM F-1927을 이용하여 측정될 수 있다.Capsule 125 is similar to that disclosed in U.S. Patent No. 8,525,635, filed September 3, 2013 (Nabaros et al.), And U.S. Application No. 2011/0011533, filed January 20, 2011 Barrier materials, such as oxygen-barrier materials, including those disclosed herein, and the disclosures of which are incorporated herein by reference. This material can prevent oxygen from spreading into the core device 120, and thus deterioration of the characteristics of the core device 120 is prevented. For example, the oxygen-barrier material may have a surface area of about 0.4 cm < 3 > .mm / m < 2 >.atm, measured as cubic centimeters of oxygen diffusing through a sample having a thickness of one millimeter, Oxygen permeability of less than 1 day (1 cm 3 · yl / 100 in 2 · atm · day). The permeation rate is measured at a relative humidity of 0% and at a temperature of 23 [deg.] C under one partial pressure differential (differential pressure) for 24 hours. Oxygen permeability can be measured using ASTM F-1927 as equipment supplied by Mocon, Inc. of Minneapolis, Minnesota.

일 구현예에서, 캡슐제(125)는 경화 이전에 약 1500cps 및 70,000cps 사이의 점도, 5 내지 95 중량% 의 충진 내용물 지니는 경화된 열경화성 에폭시에 해당한다. In one embodiment, the encapsulant 125 corresponds to a cured thermoset epoxy having a viscosity between about 1500 cps and 70,000 cps, and a filler content between 5 and 95% by weight prior to curing.

코어 장치(120)의 상단 표면(120a)에서 SMD(100)의 상단 표면(105a)으로의 캡슐제(125)의 두께는 0.01 내지 0.125mm(0.0004 내지 0.005in)의 범위, 예를 들어 대략 0.056mm(0.0022in)에 있을 수 있다. 코어 장치(125)의 제1 및 제2 단부들(110a, 110b)에서부터 SMD(100)의, 각각의, 제1 및 제2 단부들(122a, 122b)까지의 캡슐제(125)의 두께는 0.025 내지 0.63mm (0.001 내지 0.025in)의 범위, 예를 들어 대략 0.056mm(0.0022in)에 있을 수 있다.The thickness of the encapsulant 125 from the top surface 120a of the core device 120 to the top surface 105a of the SMD 100 may range from 0.01 to 0.125 mm (0.0004 to 0.005 in) mm (0.0022 in). The thickness of the capsule 125 from the first and second ends 110a and 110b of the core device 125 to the respective first and second ends 122a and 122b of the SMD 100 is And may be in the range of 0.025 to 0.63 mm (0.001 to 0.025 in), for example, approximately 0.0022 inches.

제1 및 제2 접촉 패드들(115a, 115b)은 SMD(100)의 하단 표면(105b) 상에 배열된다. 제1 접촉 패드(115a)은 코어 장치(120)의 하단 표면(105b)에 전기적으로 결합된(coupled)다. 제2 접촉 패드(115b)는 코어 장치(120)의 일측 주위를 감싸는 전도성 클립(conductive clip; 112), 웨지 본드(wedge bond), 와이어 본드(wire bond) 등을 통해 코어 장치(120)의 상단 표면(120a)에 전기적으로 결합되고 이에 의해 제2 접촉 패드(115b)로 코어 장치(120)의 상단 표면(120)을 결합한다.The first and second contact pads 115a and 115b are arranged on the lower surface 105b of the SMD 100. [ The first contact pad 115a is electrically coupled to the bottom surface 105b of the core device 120. [ The second contact pad 115b is electrically connected to the upper end of the core device 120 through a conductive clip 112, a wedge bond, a wire bond, And is electrically coupled to surface 120a thereby coupling top surface 120 of core device 120 to second contact pad 115b.

제1 및 제2 접촉 패드들(115a, 115b)은 프린트된 회로 보드(circuit board) 또는 기판(substrate)(미 도시된)에 SMD(100)를 고정하도록 이용된다. 예를 들어, SMD(100)는 제1 및 제2 접촉 패드들(115a, 115b)을 통해 프린트된 회로 보드 및/또는 기판 상에 패드들로 납땜(substrate)될 수 있다. 각 접촉 패드(115a, 115b)는, 구리와 같은, 전도성 재료들로 도금될 수 있다. 도금은 SMD(100)의 외측으로부터 코어 장치(120)으로 전기적인 경로(pathway)를 제공할 수 있다. The first and second contact pads 115a and 115b are used to secure the SMD 100 to a printed circuit board or substrate (not shown). For example, the SMD 100 may be soldered to pads on printed circuit boards and / or substrates via first and second contact pads 115a and 115b. Each contact pad 115a, 115b may be plated with conductive materials, such as copper. Plating may provide an electrical pathway from the outside of the SMD 100 to the core device 120.

도 2는 도 1에서 개시되는 SMD(100)를 제조하도록 이용될 수 있는 동작들의 예시적인 그룹을 도시한다. 도 1에서 도시된 동작들은 도 3 및 도 4에 참조로 기술된다.FIG. 2 illustrates an exemplary group of operations that may be utilized to fabricate the SMD 100 disclosed in FIG. The operations shown in Fig. 1 are described with reference to Figs. 3 and 4. Fig.

블록 200에서, 하나 또는 이상의 코어 장치들은 제공될 수 있다. 도 3을 참조하여, 몇몇 코어 장치들(305)은 제공될 수 있다. 코어 장치들(305)은 위에서 언급된 PTC장치 또는 다른 장치에 해당할 수 있다. PTC장치들을 얻기 위해, PTC재료는 플라크 상으로 먼저 밀려날(extruded) 수 있고, 그 후 경화된다. 구리 또는 니켈 도금은 컨택 패드들 및/또는 상호접속부들(interconnects)을 정의하도록 경화된 재료들의 특정 섹션들에 종래의 공정들을 통해 적용될 수 있다. 그 후 PTC 재료는 재료로부터 PTC장치들을 분리하도록(separate) 종래의 공정들을 이용하여 절단(즉, 톱, 레이저 등등)된다. 몇몇 구현예들에서, 전도성 에폭시 또는 다른 끝손질의 다른 타입은 분리 후에 각각의 PTC 장치의 특정 섹션들에 적용될 수 있다.At block 200, one or more core devices may be provided. Referring to FIG. 3, several core devices 305 may be provided. The core devices 305 may correspond to the above-mentioned PTC device or other device. To obtain PTC devices, the PTC material can be extruded first onto the plaque and then cured. Copper or nickel plating may be applied through conventional processes to specific sections of the cured materials to define contact pads and / or interconnects. The PTC material is then cut (i.e., sawed, laser, etc.) using conventional processes that separate the PTC devices from the material. In some embodiments, conductive epoxy or other types of other finishes may be applied to specific sections of each PTC device after separation.

블록 205에서, 코어 장치들(305)은 리드 프레임(310)에 고정될 수 있다. 예를 들어, 코어 장치들(305)은 리드 프레임(310) 위에 위치될 수 있다. 코어 장치들(305)은 손에 의해, 픽-앤-플레이스 기계를 통해, 및/또는 다른 공정들을 통해 고정될 수 있다. At block 205, the core devices 305 may be secured to the lead frame 310. For example, the core devices 305 may be located on the leadframe 310. [ The core devices 305 may be fixed by hand, via a pick-and-place machine, and / or through other processes.

리드 프레임(310)은 복수 개의 접촉 패드들(315a, 315b)을 정의할 수 있다. 접촉 패드들(315a, 315b)은 도 1에서 도시된 제1 및 제2 접촉 패드들(315a, 315b)에 해당할 수 있다. 예를 들어, 코어 장치들(305)의 하단 표면들은 접촉 패드들(315a, 315b)의 상단 표면들에 납땜될 수 있다. 블록 210에서 클립 상호접속부들(clip interconnects; 300)은 코어 장치들(305) 및 리드 프레임(310)에 고정될 수 있다. 클립 상호접속부들(300)의 수평적인 섹션들은 코어 장치들(305)의 상단 표면에 고정될 수 있고, 클립 상호접속부들(300)의 반대 단부는 접촉 패드들(315a) 중 하나에 고정될 수 있다. 예를 들어, 클립 상호접속부들(300)은 코어 장치들(305) 및 접촉 패드들(315a)의 상단 표면들에 납땜될 수 있다. The lead frame 310 may define a plurality of contact pads 315a and 315b. The contact pads 315a and 315b may correspond to the first and second contact pads 315a and 315b shown in FIG. For example, the bottom surfaces of the core devices 305 may be soldered to the top surfaces of the contact pads 315a, 315b. At block 210, clip interconnects 300 may be secured to core devices 305 and lead frame 310. The horizontal sections of the clip interconnections 300 may be secured to the top surface of the core devices 305 and the opposite end of the clip interconnections 300 may be secured to one of the contact pads 315a have. For example, the clip interconnects 300 may be soldered to the top surfaces of the core devices 305 and contact pads 315a.

블록(215)에서, 코어 장치들(305), 상호접속부들(300) 및 리드 프레임(310)의 상단은 도 4a 및 도 4b에서 도시된 바와 같이 캡슐제에서 캡슐화될 수 있다. At block 215, the tops of the core devices 305, interconnects 300, and leadframe 310 may be encapsulated in a capsule as shown in FIGS. 4A and 4B.

도 4a를 참조하여, 캡슐화 재료(encapsulation material; 407)는 트랜스퍼 몰딩 공정(transfer molding process)을 통해 적용될 수 있다. 이와 관련하여, 코프(cope; 410a)와 드래그(drag; 410b)를 포함하는 몰드 시스템(400)이 제공된다. 공동(418)은 하나 또는 이상의 코어 장치들, 상호접속부들, 및 리드 프레임 주위에서 캡슐제(407)을 형성하도록 코프(410a) 및 드래그(410b) 사이에 형성된다. 구멍(vent)가 탈출(escape)하는 공기를 허용하도록 드래그 내에 제공된다. 구멍은 20 μm보다 크기 않아야 하고 공동 내에, 예를 들어 공동의 임의의 코너들에, 위치될 수 있다. 코프(410a)는 이내로 캡슐제(407)가 추가되는 트랜스퍼 팟(transfer pot; 408)을 포함한다. 캡슐제(407)는 약 1500cps 및70,000cps 사이의 점도(viscosity)를 구비하는 액체 몰딩 열경화성 에폭시(liquid molding thermoset epoxy)의 형상일 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 에폭시는 5 내지 95중량%의 충진 내용물을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the encapsulation material 407 may be applied through a transfer molding process. In this regard, a mold system 400 is provided that includes a cop 410a and a drag 410b. Cavity 418 is formed between cop 410a and drag 410b to form encapsulant 407 around one or more core devices, interconnects, and leadframe. A vent is provided in the drag to permit air escaping. The hole should not be larger than 20 μm and may be located in the cavity, for example at any corner of the cavity. The COP 410a includes a transfer pot 408 to which the capsule 407 is added. The encapsulant 407 may be in the form of a liquid molding thermoset epoxy having a viscosity of between about 1500 cps and 70,000 cps. In some embodiments, the epoxy may comprise from 5 to 95 weight percent of the filler content.

도 4b에서 도시된 바와 같이, 몰드 시스템(400)의 플런져(plunger; 405)는 및 공동(418) 내로 및 스프루(sprue; 407)를 통해 캡슐제(407)를 강제하는 코프 내로 가압된다. 트랜스퍼 팟(408)은 캡슐제(407)의 낮은 점도로 약 20°C ~ 30°C의 온도로 플런져의 삽입 이전에 가열될 수 있다. 약 150psi 및 300psi 사이의 트랜스퍼 압력은 플런져(405)에 적용될 수 있다.4B, a plunger 405 of the mold system 400 is pressed into the cavity and into the cavity 418 and through the sprue 407 to force the encapsulant 407 . The transfer pod 408 may be heated prior to insertion of the plunger to a temperature of about 20 ° C to 30 ° C with a low viscosity of the encapsulant 407. Transfer pressures between about 150 psi and 300 psi can be applied to the plunger 405.

도 2를 참조하여, 블록(220)에서, 캡슐제(407)은 부분적으로 또는 완전하게 경화된다. 예를 들어, 캡슐제(407)는 경화하는 캡슐제(407)를 허용하는 약 1-5분 동안 몰드 시스템(400) 내에서 남겨질(left) 수 있다. 몇몇 구현례들에서, 트랜스퍼 팟(몰드; 408)은 경화를 가속하도록 약 120-180°C으로 가열될 수 있다.Referring to Fig. 2, at block 220, the encapsulant 407 is partially or fully cured. For example, the encapsulant 407 may be left in the mold system 400 for about 1-5 minutes allowing the encapsulating material 407 to cure. In some implementations, the transfer pot (mold) 408 may be heated to about 120-180 ° C to accelerate the cure.

블록(225)에서, 몰드 시스템(400)의 코프(410a) 및 드래그(410b)는 개방된다. 몰드 시스템(400)의 이젝터 핀(ejector pin; 415)은 몰드 시스템(400)의 밖으로 어셈블리를 점도록 공동의 하부측 내로 가압될 수 있다. 제거 후에 니켈 합금(nickel alloy) 및/또는 구리 피니시(copper finish)는 어셈블리의 섹션들에 적용될 수 있다. SMD들은 어셈블리로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, SMD들은 톱, 레이저 또는 다른 도구로 경화된 구성으로부터 절단될 수 있다. 추가적인 끝손실 및/또는 연삭 단계들은 SMD들의 최종 버전을 생산하도록 수행될 수 있다. 예를 들어 납땜할 수 있는 니켈 합금 피니시(solderable nickel alloy finish)는 분리 후에 적용될 수 있다(도 8에서 도시).At block 225, the cop 410a and drag 410b of the mold system 400 are opened. The ejector pin 415 of the mold system 400 may be pushed into the lower side of the cavity to seal the assembly out of the mold system 400. After removal, a nickel alloy and / or a copper finish may be applied to the sections of the assembly. The SMDs may be separated from the assembly. For example, SMDs can be cut from a cured configuration with a saw, laser, or other tool. Additional end losses and / or grinding steps may be performed to produce the final version of the SMDs. For example, a solderable nickel alloy finish can be applied after separation (as shown in FIG. 8).

도 5-8은 위에서 언급된 공정 또는 그것의 변형들을 통해 제조될 수 있는 다양한 대안적인 SMD 구현예들을 도시한다. 도 5를 참조하여, SMD(500)는 캡슐제(125) 내에 캡슐화되는 코어 장치(120)를 포함할 수 있고, 이는 위에서 언급된 바와 같이 캡슐제에 해당할 수 있다. 이러한 구현예에서, 및 상호접속부는 이용되지 않는다. 오히려, 제1 및 제2 구리 플레이트들(505a, 505b)는 코어 장치(120)의 반대 단부들에 적용될 수 있다. 구리 플레이트들(505a, 505b)는 NiSN 또는 NiAu와 같은, 납땝 가능한 니켈 합금 피니시로 마무리될 수 있다. 구리 플레이트들은 캡슐화 이전에 코어 장치들(120)에 적용될 수 있다. 5-8 illustrate various alternative SMD implementations that may be fabricated through the above-described process or variations thereof. 5, the SMD 500 may include a core device 120 encapsulated within a capsule 125, which may correspond to a capsule as described above. In this embodiment, and interconnections are not used. Rather, the first and second copper plates 505a, 505b may be applied to opposite ends of the core device 120. The copper plates 505a, 505b may be finished with a pourable nickel alloy finish, such as NiSN or NiAu. The copper plates may be applied to the core devices 120 prior to encapsulation.

도 6을 참조하여, SMD(700)는 캡슐제 내에서 캡슐화되는 코어 장치(120)를 포함할 수 있다. 이는 위에서 언급된, 캡슐제에 해당할 수 있다. 제1 및 제2 전도성 에폭시 코팅들(conductive epoxy coatings; 605a, 605b)은 캡슐화 이전에 코어 장치(120)의 각각의 단부들에 적용될 수 있다. 비아들(Vias; 607a, 607b)은, 코어 장치들(120)의 각 단부 아래에서, SMD(600)의 하부 측에 형성될 수 있고 SMD(100)의 외측으로부터 코어 장치(120)와 전기 접촉을 용이하게 하는 전도성 재료로 도금될 수 있다. 납땜가능한 니켈 합금 피니시드 패드들(solderable nickel alloy finished pads; 609a, 609b)은 SMD(600)의 하단 측 내에 비아 개구들(via openings) 주위에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the SMD 700 may include a core device 120 that is encapsulated within a capsule. This may correspond to the capsules mentioned above. The first and second conductive epoxy coatings 605a and 605b may be applied to the respective ends of the core device 120 prior to encapsulation. The vias 607a and 607b may be formed on the underside of the SMD 600 under each end of the core devices 120 and electrically contact the core device 120 from the outside of the SMD 100. [ Gt; and / or < / RTI > Solderable nickel alloy finished pads 609a and 609b may be formed around the via openings in the bottom side of the SMD 600. The solderable nickel alloy finished pads 609a and 609b may be formed around the via openings.

도 7을 참조하여, SMD(700)는 캡슐제(125) 내에서 캡슐화된 코어 장치(120)를 포함할 수 있다. 위에서 기술된 캡슐제에 해당하는, 캡슐제(125)는 SMD(700)의 각 단부들 상에 제공된다. 갭(gap; 705)은 전도성 층들(124a, 124b) 내에 형성되고, 이는 코어 장치(120)의 상단 및 하단 표면들을 덮는다.Referring to FIG. 7, the SMD 700 may include a core device 120 encapsulated within a capsule 125. Capsule 125, corresponding to the capsules described above, is provided on each end of SMD 700. A gap 705 is formed in the conductive layers 124a and 124b, which covers the top and bottom surfaces of the core device 120. [

도 8을 참조하여, SMD(800)는, 위에서 언급되는, 캡슐제에 해당할 수 있는, 캡슐제(125) 내에서 캡슐화되는 코어 장치(120)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전도성 에폭시 코팅들(805a, 805b)는 캡슐화 이전에 코어 장치(120)의 각 단부들에 적용될 수 있다. 납땜가능한 니켈 합금 피니시(810a, 801b)는 제1 및 제2 전도성 에폭시 코팅들(805a, 805b) 위에 제공될 수 있다.8, the SMD 800 may include a core device 120 encapsulated within a capsule 125, which may correspond to a capsule, as described above. The first and second conductive epoxy coatings 805a and 805b may be applied to each end of the core device 120 prior to encapsulation. Solderable nickel alloy finishes 810a, 801b may be provided over the first and second conductive epoxy coatings 805a, 805b.

도시된 바와 같이, 새로운 제조 방법은 다양한 구성들의 SMD를 생산하는 것이 가능하다. 또한, 이러한 방법은 종래의 공정을 이용하여 제조되는 그러한 것보다 작은 폼 팩터들을 구비하는 SMD들을 생산하는 것이 가능하다. SMD와 SMD를 제조하기 위한 방법이 특정 실시예들에서 참조로 기술된 반면에, 다양한 변형들이 만들어지고 동등한 것들이 출원서의 청구범위의 범위로부터 벗어남 없이 대체될 수 있는 것은 당업자들에게 이해될 것이다. 많은 다른 변경들은 청구항의 범위로부터 벗어나지 않는 가르침에 특정 상황이나 재료들을 맞출 것이다. 따라서, SMD 및 SMD를 제조하기 위한 방법이 개시된 특정 실시예들 하지만, 청구범위의 범위 내에 있는 임의의 실리예를 제한하기 않는 것은 의도된다.As shown, the new fabrication method is capable of producing SMDs of various configurations. In addition, this method is capable of producing SMDs with smaller form factors than those produced using conventional processes. It will be understood by those skilled in the art that while the method for fabricating SMD and SMD is described in the specific embodiments, various modifications may be made and equivalents may be substituted without departing from the scope of the claims of the claims. Many other modifications will tailor certain situations or materials to teachings that do not depart from the scope of the claims. Accordingly, it is intended that specific embodiments disclosed in which a method for manufacturing SMDs and SMDs are disclosed, but are not intended to limit any practical examples that are within the scope of the claims.

도 9는 도 10에서 개시되는 동작들을 통해 형성될 수 있는 예시적인 표면 실장 장치(SMD; 900)의 단면도이다. SMD(900)는 일반적으로 직사각형 바디로 정의되고 코어 장치(920)와 코어 장치(920)의 상단 및 하단 표면들에 각각 전기 접촉되는 상단 및 하단 전도성 돌출부들(915a, 915b)을 포함한다. 전도성 돌출부들(915a, 915b)은 캡슐제(925)를 통해 연장한다. 제1 및 제2 전도성 단부들(910a, 910b)는 코어 장치(920)의 캡슐화된 단부들 위에서 형성된다. 제1 및 제2 전도성 단부들(910a, 910b)의 각각은 상단 및 하단 전도성 돌출부들(915)과 전기적으로 접촉하는 제1 및 제2 전도성 단부들(910a, 910b)을 이끄는 상단 및 하단 전도성 돌출부들(915) 중 하나를 적어도 부분적으로 중첩한다. 일 구현예에서, SMD(900)의 경계(bounds)들은 약 3.0mm(.118 in)의 길이, 약 0.5 mm (.019 in)의 높이, 및 약 2.35 mm (0.092 in)의 깊이를 가지는 직사각형 부피를 정의 내린다.FIG. 9 is a cross-sectional view of an exemplary surface mount device (SMD) 900 that may be formed through the operations described in FIG. The SMD 900 includes top and bottom conductive protrusions 915a and 915b that are generally defined as rectangular bodies and are in electrical contact with the top and bottom surfaces of the core device 920 and the core device 920, respectively. The conductive protrusions 915a and 915b extend through the capsule 925. [ First and second conductive ends 910a and 910b are formed above the encapsulated ends of the core device 920. [ Each of the first and second conductive ends 910a and 910b includes upper and lower conductive protrusions 910a and 910b leading to first and second conductive ends 910a and 910b in electrical contact with the upper and lower conductive protrusions 915, Lt; RTI ID = 0.0 > 915 < / RTI > In one implementation, the bounds of the SMD 900 are rectangular with a length of about 3.0 mm (.118 in), a height of about 0.5 mm (.019 in), and a depth of about 2.35 mm (0.092 in) Define the volume.

코어 장치(920)는 위에서 언급된 코어 장치(120)와 같이 많은 동일한 특징들을 포함한다. 예를 들어, 전도성 층(명확하게 도시되지 않은)은 코어 장치(920)의 상단 및 하단 표면들을 덮을 수 있고, 이러한 경우에 상간 및 하단 전도성 돌출부들(915a, 915b)는 전도성 층에 결합된다. 코어 장치(920)는 위에서 언급된 코어 장치(120)의 재료 특성들을 지닐 수 있다. The core device 920 includes many of the same features as the core device 120 mentioned above. For example, a conductive layer (not explicitly shown) may cover the top and bottom surfaces of the core device 920, in which case the top and bottom conductive protrusions 915a, 915b are coupled to the conductive layer. The core device 920 may have the material properties of the core device 120 mentioned above.

캡슐제(926)는 위에서 언급된 캡슐제(925)의 재료 특성들을 지닐 수 있다. 그러나, 이러한 경우에, 캡슐제(125)는 경화 이전에 약 1500cps 및 70,000cps 사이의 점도, 및 5 내지 95중량%의 충진 내용물을 지니는 경화된 열경화성 에폭시에 해당할 수 있다.Capsule 926 may have the material properties of capsule 925 mentioned above. In this case, however, the encapsulant 125 may correspond to a cured thermosetting epoxy having a viscosity between about 1500 cps and 70,000 cps prior to curing, and a fill content between 5 and 95% by weight.

캡슐제(125)의 벽 두께 또는 두께는 0.4미리 내지 14미리 사이에 있을 수 있다. 벽 두께는 모든 측이 균일하거나 다를 수 있다.The wall thickness or thickness of the capsule 125 may be between 0.4 and 14 millimeters. The wall thickness can be uniform or different on all sides.

도 10은 도 9에서 개시되는 SMD(900)를 제조하는 것에 이용될 수 있는 예시적인 동작들을 도시한다. 도 10에서 도시되는 동작들은 도 11a 내지 h에서 참조로 하여 가장 잘 이해된다. FIG. 10 illustrates exemplary operations that may be used to fabricate the SMD 900 disclosed in FIG. The operations shown in Figure 10 are best understood with reference to Figures 11a-h.

블록(1000)에서, PTC 플라크는 제공될 수 있다. 예를 들어, PTC 재료는 도 11a 및 도 11b에서 도시된 PTC 플라크(1105)로 도시된 바와 같이, 바람직한 단면을 구비하는 PTC 재료의 시트(sheet)를 형성하도록 다이(die)를 통해 밀릴(extruded) 수 있다. At block 1000, a PTC plaque may be provided. For example, the PTC material may be extruded through a die to form a sheet of PTC material having a desired cross-section, as shown by the PTC plaque 1105 shown in FIGS. 11A and 11B. ).

블록(1005)에서, 전도성 표면은 플라크의 상단 및 하단 표면들 위에 형성될 수 있다. 전도성 표면은 구리 또는 다른 전도성 재료일 수 있다. At block 1005, a conductive surface may be formed on top and bottom surfaces of the plaque. The conductive surface may be copper or other conductive material.

블록(1010)에서, 전도성 돌출부들(1110, 도 11a 및 도 11b)은 개별적인 코어들 내로 결국 단일화될 플라크(1105)의 센션들에서 플라크(1105)의 상단 및 하단 표면들 상에 형성될 수 있다. 전도성 돌출부들(1110)은 전도성 표면이 플라크의 상단 및 하단 표면들 상에 형성된 후에 형성될 수 있다. 또는, 블록(1105)에서 형성된 전도성 표면의 처음 두께는 전도성 돌출부들(1110)의 바람직한 높이에 따라 동일한 것으로 선택될 수 있다. 그 후 전도성 표면의 두께는 화학적 및/또는 기계적인 공정과 같은 감소 공정(subtractive process)을 통해 섹션 내에서 감소될 수 있으며, 다른 섹션들은 영향을 받지 않는다. 영향을 받지 않는 영역은 전도성 돌출부들(1110)에 대응할 것이다. In block 1010, conductive protrusions 1110 (FIGS. 11A and 11B) may be formed on the top and bottom surfaces of plaque 1105 in the receptions of plaque 1105 which will eventually be singulated into individual cores . Conductive protrusions 1110 may be formed after a conductive surface is formed on the top and bottom surfaces of the plaque. Alternatively, the initial thickness of the conductive surface formed in block 1105 may be chosen to be the same according to the preferred height of conductive protrusions 1110. [ The thickness of the conductive surface can then be reduced in the section through a subtractive process such as a chemical and / or mechanical process, and the other sections are unaffected. The unaffected area will correspond to the conductive protrusions 1110.

블록(1015)에서, 플라크는 도 11c 및 도 11d에서 도시된 바와 같이 캡슐제(1115) 내에서 캡슐화되고, 경화하는 것이 허용된다. 캡슐제(1115)는 스크린-프린팅 공정을 통해 플라크 위에 적용될 수 있고 이에 의해 캡슐제는 액체 형상으로 제공되고 플라크(1105)의 상단 및 하단 표면 상으로 및 스크린을 통해 압착된다. 캡슐제의 액체 형상은 약 1500 및 70,000cps 사이의 점도를 가질 수 있다. 스크린은 액체 캡슐제가 흐르는 개방 섹션들을 가지고, 플라크로 도달하는 것으로부터 액체 캡슐제를 막는 폐쇄된 섹션을 가진다. 섹션들은 전도성 돌출부들(1110)를 제외하고 플라크(1105)의 전체 표면 영역을 덮는 캡슐제를 허용하도록 구성될 수 있다. 다른 구현예들에서, 전도성 돌출부들(1110)은 액체 캡슐제로 덮일 수 있으며 그 후에 캡슐제가 경화된 후에 캡슐제를 연마함으로써 노출된다.At block 1015, the plaque is encapsulated within the capsule 1115 as shown in Figures 11C and 11D, and allowed to cure. Capsule 1115 can be applied over the plaque through a screen-printing process whereby the capsule is provided in liquid form and pressed onto the top and bottom surfaces of plaque 1105 and through the screen. The liquid form of the capsule may have a viscosity between about 1500 and 70,000 cps. The screen has open sections through which the liquid capsule flows and has a closed section that closes the liquid capsule from reaching the plaque. The sections may be configured to allow encapsulant to cover the entire surface area of the plaque 1105 except for the conductive protrusions 1110. [ In other embodiments, the conductive protrusions 1110 may be covered with a liquid capsule and then exposed by polishing the capsule after the capsule is cured.

블록(1020)에서, 테이프 층(tape layer; 1125)은 플라크(1105)의 하단으로부터 연장하는 전도성 돌출부 위에 적용될 수 있다. 그 후 플라크(1105)는 도 11e에서 도시된 바와 같은 섹션들(1120a. 1120b, 1120c) 내로 플라크(1105)를 단일화하도록 절단될 수 있다. 플라크(1105)는 분리 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c) 내로 플라크를 단일화하도록 종래의 공정들을 이용하여 절단(즉 톱, 레이저 등)될 수 있다. 각 구성요소(1120a, 1120b, 1120c)는, 캡슐화를 통해 연장하는, 코어(1105a)의 상단 표면 상의 하나 및 코어(1105a)의 하단 표면 상의 또 다른 하나, 전도성 돌출부들(1110)의 적어도 한 쌍, 코어(1105a)의 상단 표면 및 하단 표면 상의 캡슐제의 층을 가진다. 테이프 층(1125)은 다음의 공덩 동작들을 위해 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c0)을 함께 고정시키도록 이용된다. At block 1020, a tape layer 1125 may be applied over the conductive protrusions extending from the lower end of the plaque 1105. The plaque 1105 may then be cut to unify the plaque 1105 into the sections 1120a, 1120b, 1120c as shown in Figure 11e. The plaque 1105 can be cut (i.e., sawed, laser, etc.) using conventional processes to unify the plaque into the separate components 1120a, 1120b, 1120c. Each of the components 1120a, 1120b and 1120c includes at least one pair of conductive protrusions 1110, one on the top surface of the core 1105a and the other on the bottom surface of the core 1105a, A top surface of core 1105a, and a layer of encapsulant on the bottom surface. The tape layer 1125 is used to secure the components 1120a, 1120b, 1120c0 together for subsequent plucking operations.

블록(1025)에서, 캡슐제 충진제(encapsulant filler; 1130)는 도 11f에서 도시된 바와 같이, 절단에 의해 노출되었던 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c) 내부의 코어(1105)의 그러한 표면들을 덮도록 단일화된 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c) 사이에 형성되는 절단부들(cuts)에 삽입된다. 캡슐제 충진제(1130)가 경화된 후에, 도 11g에서 도시된 바와 같이, 캡슐제 충진제(1130)는 절단되고 테이프 레이어(1125)는 제거된다. 캡슐제 충진제(1130)는 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c)의 코어들(1105a)의 이전에 노출된 측벽들 위에 캡슐제의 일부를 남기는 방식으로 절단된다.At block 1025 the encapsulant filler 1130 covers such surfaces of the core 1105 within the components 1120a, 1120b and 1120c that were exposed by cutting, as shown in Figure 11f. Are inserted into cuts formed between the unified components 1120a, 1120b, and 1120c. After the capsule filler 1130 is cured, the capsule filler 1130 is cut and the tape layer 1125 is removed, as shown in Fig. 11G. The encapsulant 1130 is cut in a manner that leaves a portion of the encapsulant over the previously exposed sidewalls of the cores 1105a of the components 1120a, 1120b, 1120c.

블록(1030)에서, 단일화된 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c)의 단부들은 위에서 언급된 제1 및 제2 전도성 단부들(910a, 910ㅠ)를 제공하도록 도금될 수 있다. 예를 들어, 전도성 에폭시 층(1130a, 1130b)은 단일화된 구성요소들(1120a, 1120b, 1120c)의 단부들 위에 적용될 수 잇다. 전도성 에폭시 층들(1130a, 1130b)은 전도성 돌출부들(1110)의 일부 또는 전부를 덮을 수 있다. 몇몇 구현예들에서 납땜가능한 니켈 합금 피니시는 전도성 에폭시 측(1130a, 1130b) 위에 제공될 수 있다. At block 1030, the ends of the singulated components 1120a, 1120b, 1120c may be plated to provide the first and second conductive ends 910a, 910g, as noted above. For example, the conductive epoxy layers 1130a and 1130b may be applied over the ends of the unified components 1120a, 1120b, and 1120c. The conductive epoxy layers 1130a and 1130b may cover some or all of the conductive protrusions 1110. In some embodiments, a brazeable nickel alloy finish can be provided on the conductive epoxy sides 1130a and 1130b.

도시된 바와 같이, 새로운 제조 방법들은 다양한 구성들의 SMD를 생산할 수 있다. 또한, 이러한 방법들은 종래의 공정들을 이용하여 제조되는 것들보다 더 유지전류들(hold currents)을 유지할 수 있는 작은 폼 팩터들을 구비하는 SMD들을 생산할 수 있다. 예를 들어, 도 10에서 개시되는 동작들은 도 7 및 도 8에서 도시되는 것들과 같은, SMD들을 제조하기 위해 어느 정도 맞춰질 수 있다. SMD들 및 SMD들을 제조하기 위한 방법들이 특정 실시예들을 참조로 기술된 반면에, 다양한 변화들이 만들어질 수 있고 동등물들이 본 출원서의 청구범위의 범위로부터 벗어남 없이 대체될 수 있는 것은 당업자들에게 이해될 것이다. 많은 다른 변경들은 청구항의 범위로부터 벗어나지 않는 가르침에 특정 상황이나 물질들을 맞출 것이다. 따라서, SMD들 및 SMD들을 제조하기 위한 방법이 개시된 특정 실시예들 하지만, 청구범위의 범위 내에 있는 임의의 실시예를 제한하기 않는 것은 의도된다.As shown, the new fabrication methods can produce SMDs of various configurations. In addition, these methods can produce SMDs with small form factors that can maintain more hold currents than those manufactured using conventional processes. For example, the operations described in FIG. 10 may be tailored to some extent to fabricate SMDs, such as those shown in FIGS. 7 and 8. It should be understood by those skilled in the art that while the methods for fabricating SMDs and SMDs are described with reference to specific embodiments, various changes may be made and equivalents may be substituted without departing from the scope of the claims herein Will be. Many other modifications will tailor certain situations or materials to teachings that do not depart from the scope of the claims. Thus, it is intended that specific embodiments disclosed in which the method for fabricating SMDs and SMDs are disclosed, but not limit any embodiment within the scope of the claims.

100 : 실장장치
105a : 상단 표면
105b : 하단 표면
110a : 제1 단부
110b : 제2 단부
112 : 전도성 클립
115a : 제1 접촉 패드
115b : 제2 접촉 패드
120 : 코어 장치
120a : 상단 표면
120b : 하단 표면
122a : 제1 단부
122b : 제2 단부
124a, 124b : 전도성 층
125 : 캡슐제
300 : 상호접속부
305 : 코어 장치
310 : 리드 프레임
315a, 315b : 접촉 패드
400 : 몰드 시스템
405 : 플런져
407 : 캡슐화 재료
408 : 프랜스퍼 팟
410a : 코프
410b : 드래그
415 : 이젝터 핀
418 : 공동
100: mounting device
105a: upper surface
105b: bottom surface
110a: first end
110b: second end
112: conductive clip
115a: first contact pad
115b: second contact pad
120: Core device
120a: upper surface
120b: bottom surface
122a: first end
122b: second end
124a, 124b: conductive layer
125: Capsule
300:
305: Core device
310: Lead frame
315a, 315b: contact pad
400: Mold system
405: Plunger
407: encapsulating material
408: Frasperpot
410a:
410b: Drag
415: Ejector pin
418:

Claims (17)

코어 장치;
상기 코어 장치에 부착되는 리드 프레임의 일부; 및
적어도 상기 코어 장치의 일부 및 상기 리드 프레임의 일부를 둘러싸는 캡슐제;
를 포함하고,
상기 캡슐제는 액체 에폭시의 경화 버전에 해당하고, 약 0.4 cm3·mm/matm·day보다 작은 산소 투과도를 가지는, 표면 실장 장치.
Core device;
A portion of the lead frame attached to the core device; And
A capsule encapsulating at least a part of the core device and a part of the lead frame;
Lt; / RTI >
Wherein said encapsulant corresponds to a cured version of a liquid epoxy and has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm < 3 > .mm / m < 2 >
제 1항에 있어서,
상기 캡슐제는 열경화성 에폭시에 해당하고, 특히 경화 이전에 에폭시는 약 1500cps과 3000cps 사이의 점도를 가지는, 표면 실장 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the encapsulant corresponds to a thermosetting epoxy, and in particular the epoxy has a viscosity between about 1500 cps and 3000 cps prior to curing.
제 2항에 있어서,
상기 에폭시는 약 10 내지 50중량% 사이로 충진 내용물을 포함하는, 표면 실장 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the epoxy comprises between about 10 and 50 weight percent filler content.
제 1항에 있어서,
상기 리드 프레임은 제1 및 제2 접촉 패드를 정의하고, 바람직하게, 상기 제1 접촉 패드는 상기 코어 장치의 제1 단부와 전기적으로 접촉하고, 상기 표면 실장 장치는 상기 코어 장치의 일 측 주위를 감싸는 전도성 클립을 포함하여 이에 의해 상기 코어 장치의 제2 단부로 상기 제2 접촉 패드를 전기적으로 결합시키는, 표면 실장 장치.
The method according to claim 1,
The lead frame defines first and second contact pads, and preferably the first contact pads are in electrical contact with the first end of the core device, And a conductive clipping wrap to thereby electrically couple the second contact pad to a second end of the core device.
제1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 코어 장치는 양의-온도-계수(PTC) 장치인, 표면 실장 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the at least one core device is a positive-temperature-coefficient (PTC) device.
제 1항에 따른 표면 실장 장치를 제조하는 방법에 있어서,
적어도 하나의 코어 장치 및 적어도 하나의 리드 프레임을 제공하는 단계;
상기 리드 프레임에 상기 코어 장치를 부착시키는 단계;
캡슐제 내부에 적어도 하나의 코어 장치의 적어도 일부 및 적어도 하나의 리드 프레임의 일부를 캡슐화하는 단계,
를 포함하고,
상기 캡슐제는 경화될 때 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 적은 산소 투과도를 가지는 액체 에폭시를 포함하는, 방법.
A method of manufacturing a surface mount apparatus according to claim 1,
Providing at least one core device and at least one leadframe;
Attaching the core device to the lead frame;
Encapsulating at least a portion of at least one core device and a portion of at least one leadframe within the capsule,
Lt; / RTI >
Wherein the encapsulant comprises a liquid epoxy that when cured has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day.
제 6항에 있어서,
캡슐제 내부의 적어도 하나의 코어 장치의 적어도 일부 및 적어도 하나의 리드 프레임의 일부를 캡슐화하는 단계는 상기 적어도 하나의 코어 장치의 적어도 일부 및 상기 적어도 하나의 리드 프레임의 일부 주위의 상기 캡슐제를, 트랜스퍼 몰딩 시스템을 통해, 트랜스퍼 몰딩하는 단계를 포함하는 방법.
The method according to claim 6,
Encapsulating at least a portion of the at least one core device within the capsule and a portion of the at least one leadframe includes inserting the capsule around at least a portion of the at least one core device and a portion of the at least one leadframe, Transfer molding through a transfer molding system.
제 7항에 있어서,
상기 트랜스퍼 몰딩 시스템의 팟 내로 상기 캡슐제를 삽입하는 단계 및 약 20°C-30°C 사이에 상기 팟을 가열하는 단계를 더 포함하고, 바람직하게 상기 적어도 하나의 리드 프레임의 일부 및 상기 적어도 하나의 코어 장치의 상기 적어도 일부의 주위 및 상기 몰딩 시스템의 스프루를 통해 상기 캡슐제를 강제하도록 약 150psi 및 300psi 사이의 압력을 생성하는 상기 팟 내로 상기 트랜스퍼 몰딩 시스템의 플런져를 삽입하는 단계를 더 포함하는, 방법.
8. The method of claim 7,
Further comprising inserting the capsule into a pot of the transfer molding system and heating the pot between about 20 ° C and 30 ° C, preferably wherein the portion of the at least one lead frame and the at least one Inserting a plunger of the transfer molding system into the pot creating a pressure between about 150 psi and about 300 psi to force the capsule through the at least a portion of the core device of the core device and through the sprue of the molding system / RTI >
제 6항에 있어서,
상기 트랜스퍼 몰딩 시스템은 코프 및 드래그를 포함하고, 상기 드래그는 20 μm보다 크지 않은 높이를 가지는 적어도 하나의 구멍을 포함하는, 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the transfer molding system comprises a cop and a drag, the drag comprising at least one hole having a height no greater than 20 [mu] m.
재료로부터 형성되는 코어;
상기 코어의 상단 표면 상에 형성되는 적어도 하나의 전도성 돌출부와 상기 코어의 하단 표면 상에 형성되는 적어도 하나의 전도성 돌출부;
상기 코어의 상단 표면의 및 하단 표면의 적어도 일부를 덮는 캡슐제;
를 포함하고,
상기 캡슐제는 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 적은 산소 투과도를 가지는, 표면 실장 장치(SMD).
A core formed from a material;
At least one conductive protrusion formed on a top surface of the core and at least one conductive protrusion formed on a bottom surface of the core;
A capsule covering at least a portion of an upper surface and a lower surface of the core;
Lt; / RTI >
Wherein the encapsulant has an oxygen permeability of less than about 0.4 cm 3 · mm / m 2 · atm · day.
제 10항에 있어서,
상기 코어는 양의-온도-계수(PTC) 장치로부터 형성되고, 상기 캡슐제는 열경화성 에폭시에 해당하는, SMD.
11. The method of claim 10,
The core is formed from a positive-temperature-coefficient (PTC) device, and the encapsulant is a thermosetting epoxy.
제 10항에 있어서,
상기 코어의 캡슐화된 단부들 위로 형성되는 제1 및 제2 전도성 층들을 더 포함하여서, 상기 제1 전도성 층은 구성요소의 상기 상단 표면 상에 형성되는 적어도 하나의 전도성 돌출부와 전기 연통하고 상기 제2 전도성 층은 구성요소의 상기 하단 표면 상에 형성된 상기 적어도 하나의 전도성 돌출부와 전기 연통하는, SMD.
11. The method of claim 10,
Further comprising first and second conductive layers formed over the encapsulated ends of the core such that the first conductive layer is in electrical communication with at least one of the conductive protrusions formed on the top surface of the component, Wherein the conductive layer is in electrical communication with the at least one conductive protrusion formed on the lower surface of the component.
제 10항에 따른 표면 실장 장치를 제조하는 방법에 있어서,
재료로부터 플라크를 형성하는 단계;
상기 플라크의 상단 표면 및 하단 표면 상에 복수 개의 전도성 돌출부들을 형성하는 단계;
상기 플라크의 상기 상단 표면의 적어도 일부 및 상기 하단 표면의 적어도 일부 위에 액체 캡슐제를 적용하는 단계;
상기 액체 캡슐제를 경화시키는 단계, 상기 경화된 캡슐제는 약 0.4 cm3·mm/m2·atm·day보다 작은 산소 투과도를 가짐; 및
복수 개의 구성요소들을 제공하도록 상기 경화된 캡슐제 및 플라크를 통해 절단하는 단계;
를 포함하고,
절단 후에, 각 구성요소의 상기 상단 표면은 적어도 하나의 전도성 돌출부를 포함하고, 각 구성요소의 상기 하단 표면은 적어도 하나의 전도성 돌출부를 포함하며, 각 구성요소의 상기 상단 표면 및 상기 하단 표면은 경화된 캡슐제를 포함하고, 각 구성요소의 코어는 재료를 포함하는, 방법.
A method of manufacturing a surface mount apparatus according to claim 10,
Forming a plaque from the material;
Forming a plurality of conductive protrusions on an upper surface and a lower surface of the plaque;
Applying a liquid encapsulant over at least a portion of the upper surface of the plaque and over at least a portion of the lower surface;
Curing the liquid encapsulant, the cured capsule having an oxygen permeability of less than about 0.4 cm < 3 > mm / m < 2 > And
Cutting through the cured capsule and plaque to provide a plurality of components;
Lt; / RTI >
After cutting, the top surface of each component includes at least one conductive protrusion, the bottom surface of each component includes at least one conductive protrusion, and the top surface and bottom surface of each component are cured Wherein the core of each component comprises a material.
제 13항에 있어서,
상기 플라크 재료는 양의-온도-계수(PTC) 장치에 해당하는, 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the plaque material corresponds to a positive-temperature-coefficient (PTC) device.
제 1항에 있어서,
상기 캡슐제는, 액체 상태에 있을 때, 약 1500cps 및 70,000 cps의 점도를 가지는, 열경화성 에폭시에 해당하며, 바람직하게 상기 에폭시는 5 내지 95중량% 사이로 중진 내용물을 포함하는, 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the encapsulant, when in a liquid state, corresponds to a thermosetting epoxy having a viscosity of about 1500 cps and 70,000 cps, preferably the epoxy comprises between 5 and 95 weight percent of the heavy content.
제 13항에 있어서,
절단 후에, 상기 방법은 절단 후에 노출되는 각 구성요소의 측벽들에 추가적인 액체 캡슐제를 적용하는 단계, 및 상기 노출된 측벽들이 상기 경화된 캡슐제로 완전히 덮이도록 상기 액체 캡슐제를 경화시키는 단계를 더 포함하고, 바람직하게 상기 경화된 추가적인 캡슐제는 인접한 구성요소들을 서로 결합시키는 인접한 구성요소들의 측벽들 사이 공간을 채우며, 상기 방법은 상기 결합된 구성요소들을 분리하도록 상기 경화된 추가적인 캡슐제의 중간 섹션을 통해 절단시키는 단계를 더 포함하는, 방법.
14. The method of claim 13,
After cutting, the method further comprises applying an additional liquid encapsulant to the sidewalls of each component exposed after cutting, and curing the liquid encapsulant such that the exposed sidewalls are completely covered with the cured capsule And preferably the cured additional capsule fills the space between the sidewalls of adjacent components joining the adjacent components to one another, the method further comprising the step of forming the intermediate section of the cured additional capsule RTI ID = 0.0 > 1, < / RTI >
제 13항에 있어서,
상기 액체 캡슐제를 적용하는 단계는 상기 플라크 상에 상기 액체 캡슐제를 스크린-프린팅하는 단계를 포함하고, 바람직하게 스크린-프린팅에서 이용되는 스크린은 상기 각각의 복수 개의 전도성 돌출부들의 적어도 일부를 덮는 것으로부터 상기 액체 캡슐제를 방지하도록 구성되는, 방법.

14. The method of claim 13,
Wherein applying the liquid encapsulant comprises screen-printing the liquid encapsulant on the plaque, and preferably the screen used in screen-printing covers at least a portion of each of the plurality of conductive protrusions To prevent said liquid encapsulant.

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