KR20170043220A - Apparatus of polishing bared wafer - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an apparatus for polishing a bare wafer. The apparatus for polishing a bare wafer which does not have a deposition film comprises: a polishing pad covered on an upper side of a polishing surface plate; a polishing head to press the bare wafer having an electrically conductive material formed on at least a portion of a non-polishing surface to form a conductive layer downwards; a rotational drive unit to rotate one or more among the polishing pad and the polishing head; and an eddy current sensor to induce an eddy current in the conductive layer to detect a distance to the conductive material to receive a signal having thickness information of the bare wafer. An eddy current is induced in the conductive layer formed on the non-polishing surface of the bare wafer, and eddy current loss in the conductive layer is detected by the eddy current sensor to obtain the distance to the conductive layer from the eddy current sensor by an in situ method.

Description

베어 웨이퍼의 연마 장치 {APPARATUS OF POLISHING BARED WAFER}[0001] APPARATUS OF POLISHING BARED WAFER [0002]

본 발명은 베어 웨이퍼의 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 비접촉 방식으로 높은 정밀도로 베어 웨이퍼(bared wafer)의 연마 종료 시점을 감지하는 베어 웨이퍼의 연마 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bare wafer polishing apparatus, and more particularly, to a bare wafer polishing apparatus that detects a polishing end point of a bare wafer with high precision in a non-contact manner during a bare wafer polishing process.

일반적으로 태양광 패키지나 반도체 패키지(이하, '반도체 패키지'라고 함)를 제조하기 위해서는, 잉곳(ingot)을 일정한 두께로 슬라이싱하여 얇은 두께(t)의 베어 웨이퍼(bare wafer)로 절단한 후, 절단된 베어 웨이퍼에 다수의 디바이스를 형성하는 소자를 실장하고, 소자를 실장하여 형성된 디바이스를 적층하여 집적시킨 후, 디바이스가 하나씩 분리되게 절단하는 것에 의하여 반도체 패키지를 제조한다.In general, in order to manufacture a solar package or a semiconductor package (hereinafter referred to as a "semiconductor package"), an ingot is sliced into a predetermined thickness and cut into a thin wafer (bare wafer) A device for forming a plurality of devices is mounted on a cut bare wafer, devices formed by mounting the devices are stacked and integrated, and the devices are cut one by one to produce a semiconductor package.

즉, 잉곳(80)을 슬라이싱하여 만들어진 베어 웨이퍼의 몸체가 되는 원판을 베어 웨이퍼(W)라고 하며, 베어 웨이퍼(W)에 소자를 실장하는 공정이나 패턴을 형성하는 공정 등을 거치면서, 반도체 패키지를 제조하는 베어 웨이퍼가 된다. That is, the original plate, which is the body of the bare wafer made by slicing the ingot 80, is referred to as a bare wafer W. Through the step of mounting the element on the bare wafer W and the step of forming the pattern, Which is a bare wafer.

최근에는 반도체 패키지의 집적도가 점점 높아짐에 따라, 베어 웨이퍼(W)의 두께를 정해진 값으로 성형하는 것이 매우 중요해지고 있다. 이에 따라, 잉곳(80)을 슬라이싱 절단한 이후에 연마 공정을 거치면서 베어 웨이퍼(W)의 두께를 타겟 두께에 정확하게 맞추는 시도가 행해지고 있다.In recent years, as the degree of integration of semiconductor packages increases, it becomes very important to form the thickness of the bare wafer W to a predetermined value. Accordingly, an attempt has been made to precisely match the thickness of the bare wafer W to the target thickness while performing the polishing process after slicing the ingot 80.

그런데, 베어 웨이퍼(W)는 화학 증착 등에 의한 막이 형성되지 않은 상태이어서, 두께 전체에 걸쳐 균일한 성분으로 이루어져 있다. 이에 따라, 금속층에서 와전류를 유도하는 것을 전제로 하는 와전류 센서나, 증착막과 원판의 재질 차이에 의한 광 반사의 차이를 전제로 하는 와전류 센서에 의하여 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정하는 시도는 전혀 이루어지지 않았다. However, the bare wafer W is in a state in which no film is formed by chemical vapor deposition or the like, and is composed of uniform components throughout the thickness. Thus, there is no attempt to measure the thickness of the bare wafer (W) by an eddy current sensor based on induction of an eddy current in the metal layer or an eddy current sensor based on the difference in light reflection due to the difference in material between the evaporation film and the disk It was not done.

따라서, 베어 웨이퍼(W)의 두께를 타겟 두께로 연마 하기 위해서는, 정해진 시간 동안 베어 웨이퍼(W)를 연마한 이후에 측정자로 두께를 측정하는 방식이 사용됨에 따라, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정에 소요되는 시간이 길어져 공정 효율이 저하될 뿐만 아니라, 베어 웨이퍼의 두께를 측정한 이후에 다시 연마 공정에 투입될 때에 셋팅 위치가 변동되어 연마 조건을 그대로 유지하면서 연마하지 못하게 되는 문제가 있었다.Therefore, in order to polish the thickness of the bare wafer W to a target thickness, a method of measuring the thickness of the bare wafer W after polishing the bare wafer W for a predetermined time is used, The process time is prolonged and the process efficiency is reduced. Further, there is a problem that the setting position is changed when the thickness of the bare wafer is measured again after the measurement of the thickness of the bare wafer.

한편, 베어 웨이퍼(W)의 저면과 상면에서 발생되는 광의 간섭에 의하여 베어 웨이퍼의 표면 두께를 검출하고자 하는 제안이 있었지만, 베어 웨이퍼의 양 표면에서 반사되는 광량이 충분히 확보되지 않아 측정 정확성에 한계가 있었다. On the other hand, there is a proposal to detect the surface thickness of the bare wafer due to the interference of light generated from the bottom and top surfaces of the bare wafer W. However, since the amount of light reflected from both surfaces of the bare wafer is insufficient, there was.

상기 기재된 사항이 모두 공지된 구성은 아니며, 본 발명을 도출하기 위하여 새롭게 발견된 사실도 포함하고 있다. The above-described matters are not all known constitutions, and include newly discovered facts for deriving the present invention.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 증착막이 형성되지 아니한 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 비접촉 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 베어 웨이퍼의 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a bare wafer polishing apparatus for measuring the thickness of a bare wafer in a non-contact manner during a bare wafer polishing process in which a vapor deposition film is not formed.

또한, 본 발명은 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 인시츄 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 것을 목적으로 한다.The present invention also aims at measuring the thickness of a bare wafer in an in-situ process during a bare wafer polishing process.

이를 통해, 본 발명은 베어 웨이퍼의 두께를 타겟 두께에 도달하는 과정을 실시간으로 감시하면서 타겟 두께로 베어 웨이퍼를 연마하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to polish a bare wafer with a target thickness while real-time monitoring the process of reaching a target thickness of the bare wafer.

상술한 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 증착막이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 장치로서, 연마 정반의 상측에 입혀진 연마 패드와; 비연마면의 일부 이상에 전기 전도성 물질이 형성되어 전도 층(conductive layer)이 형성된 상기 베어 웨이퍼를 하방으로 가압하는 연마 헤드와; 상기 연마 패드와 상기 연마 헤드 중 어느 하나 이상을 회전시키는 회전 구동부와; 상기 전도층에 와전류를 유도하여 상기 전도성 물질까지의 거리를 감지하는 것에 의하여 상기 베어 웨이퍼의 두께 정보를 갖는 신호를 수신하는 와전류 센서를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for polishing a bare wafer on which a deposited film is not formed, the apparatus comprising: a polishing pad on the polishing table; A polishing head for pressing down the bare wafer on which an electrically conductive material is formed on at least a portion of the non-polished surface to form a conductive layer; A rotation driving unit for rotating at least one of the polishing pad and the polishing head; An eddy current sensor that receives a signal having thickness information of the bare wafer by inducing an eddy current in the conductive layer and sensing a distance to the conductive material; The present invention also provides a polishing apparatus for a bare wafer.

이는, 전자기 신호를 인가하더라도 와전류가 표면에 형성되지 아니하는 베어 웨이퍼에 대하여, 베어 웨이퍼의 비연마면에 전기 전도성 물질로 형성되는 전도층이 구비됨으로써, 베어 웨이퍼의 연마면을 향하여 와전류 센서로부터 전자기 신호가 인가되면, 전도층에서 와전류가 형성되면서 전도층에서의 임피던스나 리액턴스, 위상각, 인덕턴스 중 어느 하나 이상의 변동을 와전류 센서에서 감지하는 것에 의하여, 와전류 센서로부터 전도층까지의 거리를 산출할 수 있도록 하기 위함이다.This is because a conductive layer formed of an electrically conductive material is provided on a non-polished surface of a bare wafer for which an eddy current is not formed on the surface even if an electromagnetic signal is applied to the bare wafer, When a signal is applied, an eddy current is formed in the conductive layer, and a change in at least one of impedance, reactance, phase angle, and inductance in the conductive layer is detected by the eddy current sensor, so that the distance from the eddy current sensor to the conductive layer can be calculated .

이와 같이, 베어 웨이퍼의 비연마면에 전기 전도성 물질로 이루어진 전도층이 형성됨으로써, 와전류 센서에서 감지되는 와전류 신호(임피던스, 리액턴스, 인덕턴스, 위상각 중 어느 하나 이상)의 변동값으로부터 와전류 센서로부터 전도층 까지의 거리를 산출하여, 와전류 센서로부터 전도층까지의 거리로부터 베어 웨이퍼의 두께를 얻을 수 있다.As described above, the conductive layer made of the electrically conductive material is formed on the non-polished surface of the bare wafer, so that the change in the eddy current signal (impedance, reactance, inductance, phase angle or the like) The thickness of the bare wafer can be obtained from the distance from the eddy current sensor to the conductive layer.

이를 위하여, 상기 연마 패드의 바깥에서 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 상기 전도층을 형성하는 전도층 형성기구를; 더 포함하여 구성될 수 있다. 이는, 잉곳으로부터 절단하여 제작한 베어 웨이퍼에 전도층을 형성하는 기구가 연마 장치와 이격되게 배치되는 것을 포함한다. A conductive layer forming mechanism for forming the conductive layer on the non-polished surface of the bare wafer outside the polishing pad; And the like. This includes arranging the mechanism for forming the conductive layer on the bare wafer produced by cutting from the ingot so as to be spaced apart from the polishing apparatus.

여기서, 상기 전도층은 전도성 물질을 도포하여 입혀지는 코팅막일 수 있다. 예를 들어, 전기 전도성 산화물 세라믹 코팅막일 수도 있고, 전기 전도성 에폭시 등 다양하게 적용될 수 있다. 또한, 상기 전도층은 전도성 물질이 테이프 형태로 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 부착하는 것에 의해 형성될 수도 있다. Here, the conductive layer may be a coating film coated with a conductive material. For example, it may be an electroconductive oxide ceramic coating film, an electroconductive epoxy, or the like. Further, the conductive layer may be formed by attaching a conductive material to a non-polished surface of the bare wafer in a tape form.

그리고, 상기 전도층은 베어 웨이퍼의 비연마면의 전체 표면에 분포되는 것이 바람직하지만, 베어 웨이퍼의 비연마면의 일부 표면에만 분포될 수도 있다. 베어 웨이퍼의 비연마면의 일부 표면에만 전도층을 형성하는 경우에는 다수의 스트립 형태로 분포되거나, 다수의 스폿 형태로 분포될 수 있다. 베어 웨이퍼의 비연마면의 일부 표면에만 전도층이 형성되면, 와전류 센서로부터 인가되는 와전류가 전도층에 형성되면서 전도층까지의 거리를 산출할 수 있다. The conductive layer is preferably distributed over the entire surface of the non-polished surface of the bare wafer, but may be distributed only on a part of the surface of the non-polished surface of the bare wafer. In the case where the conductive layer is formed only on a part of the non-polished surface of the bare wafer, the conductive layer may be distributed in a plurality of strip shapes or in a plurality of spot shapes. When the conductive layer is formed only on a part of the non-polished surface of the bare wafer, the eddy current applied from the eddy current sensor is formed in the conductive layer, and the distance to the conductive layer can be calculated.

한편, 상기 연마 패드에는 투명창이 형성되어 있고, 상기 와전류 센서는 상기 베어 웨이퍼의 하측에 위치하여, 상기 베어 웨이퍼의 정해진 위치에서의 두께를 측정하게 구성될 수 있다. Meanwhile, a transparent window is formed on the polishing pad, and the eddy current sensor is positioned below the bare wafer, and the thickness of the bare wafer at a predetermined position can be measured.

이와 별개로 또는 이와 병행하여, 상기 와전류 센서는 상기 연마 패드에 고정되어 상기 연마 패드와 함께 회전하면서 상기 베어 웨이퍼의 하측을 통과하는 경로 상에서의 상기 베어 웨이퍼의 두께를 측정하게 구성될 수도 있다. Alternatively or concurrently, the eddy current sensor may be configured to measure the thickness of the bare wafer on a path passing under the bare wafer while being fixed to the polishing pad and rotating with the polishing pad.

그리고, 상기 와전류 센서는 2개 이상 배치되어 상기 베어 웨이퍼의 두께를 2군데 이상에서 측정하여, 베어 웨이퍼의 두께 분포를 각각 또는 평균화하여 구할 수도 있다. 또한, 이에 의하여, 베어 웨이퍼의 반경 방향으로 두께 편차가 발생되지 않고 정교한 두께로 조절하면서 연마할 수 있게 된다. The eddy-current sensors may be disposed at two or more positions so that the thickness of the bare wafer is measured at two or more points, and the thickness distributions of the bare wafers are each averaged or averaged. In this way, it is possible to polish the bare wafer while adjusting the thickness of the bare wafer in a radial direction without causing a thickness deviation.

한편, 상기 베어 웨이퍼는 규소를 포함하는 재질로 형성되고, 태양광 베어 웨이퍼나 반도체 베어 웨이퍼 중 어느 하나를 제조하는 데 사용되는 베어 웨이퍼일 수 있다. 그리고, 상기 베어 웨이퍼의 타겟 두께는 70㎛ 내지 800㎛의 두께로 정해질 수 있다.Meanwhile, the bare wafer may be a bare wafer formed of a material containing silicon and used for manufacturing either a solar bare wafer or a semiconductor bare wafer. The target thickness of the bare wafer may be set to a thickness of 70 to 800 탆.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 증착막이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 방법으로서, 베어 웨이퍼의 비연마면에 전도성 물질을 형성하여 전도층을 형성하는 전도층 형성단계와; 상기 베어 웨이퍼를 연마 헤드의 하측에 위치시킨 상태에서 상기 베어 웨이퍼의 연마면이 자전하는 연마 패드와 접촉하면서 연마 공정을 행하는 연마 단계와; 상기 연마 단계가 행해지는 도중에 상기 베어 웨이퍼의 하측으로부터 상기 전도성 물질까지의 거리를 와전류 센서로 감지하여 상기 베어 웨이퍼의 두께를 측정하는 웨이퍼 두께측정단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of polishing a bare wafer having no deposited film formed thereon, the method comprising: forming a conductive layer on a non-polished surface of a bare wafer to form a conductive layer; A polishing step of polishing the bare wafer in contact with the polishing pad rotating the bare wafer while the bare wafer is positioned below the polishing head; Measuring a thickness of the bare wafer by sensing a distance from the lower side of the bare wafer to the conductive material during the polishing step using an eddy current sensor; The present invention also provides a method of polishing a bare wafer.

여기서, 상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면의 일부에 형성될 수도 있고, 베어 웨이퍼의 비연마면의 전체 표면에 형성될 수도 있다.Here, the conductive layer may be formed on a part of the non-polished surface of the bare wafer, or on the entire surface of the non-polished surface of the bare wafer.

그리고, 상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 전도성 물질을 도포하여 형성될 수도 있고, 베어 웨이퍼의 비연마면에 전도층을 부착하여 형성될 수도 있다. The conductive layer may be formed by applying a conductive material to the non-polished surface of the bare wafer or by attaching a conductive layer to the non-polished surface of the bare wafer.

그리고, 베어 웨이퍼의 연마 공정이 종료되면, 상기 전도층을 상기 베어 웨이퍼로부터 제거하는 단계를 더 포함하여 구성될 수도 있다. The method may further include removing the conductive layer from the bare wafer when the polishing process of the bare wafer is completed.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '동일한 성분' 또는 '동일한 재질'의 베어 웨이퍼이라는 용어는, 광이 베어 웨이퍼를 관통하여 진행하다가 내부에서 급작스럽게 반사되는 면 또는 층이 없는 재질 또는 성분으로 이루어져 있다는 것으로 정의하기로 한다. The term "bare wafer" of the "same component" or "the same material" described in the present specification and claims means that the light consists of a surface or layerless material or component that propagates through the bare wafer and is suddenly reflected internally .

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '베어 웨이퍼'라는 용어는 반도체 웨이퍼나 태양광 웨이퍼를 제조하기 위한 기재(base substrate)를 형성하는 것으로, 회로 등의 소자가 실장되지 아니한 웨이퍼를 지칭하는 것으로 정의한다. The term "bare wafer" as used in this specification and claims is defined as a wafer that forms a base substrate for manufacturing a semiconductor wafer or a solar photovoltaic wafer, and refers to a wafer on which elements such as circuits are not mounted .

상술한 바와 같이 본 발명은, 전자기 신호를 인가하더라도 와전류가 표면에 형성되지 아니하는 베어 웨이퍼에 대하여, 베어 웨이퍼의 비연마면에 전기 전도성 물질로 형성되는 전도층을 형성하여, 베어 웨이퍼의 연마면을 향하여 와전류 센서로부터 전자기 신호를 인가하여, 전도층에서 와전류를 유도하면서 전도층에서의 임피던스나 리액턴스, 위상각, 인덕턴스 중 어느 하나 이상의 변동(손실)을 와전류 센서로 감지하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 감지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, a conductive layer formed of an electrically conductive material is formed on a non-polished surface of a bare wafer on which an eddy current is not formed even when an electromagnetic signal is applied, (Loss) of at least one of impedance, reactance, phase angle, and inductance in the conductive layer while inducing an eddy current in the conductive layer by applying an electromagnetic signal from the eddy current sensor toward the conductive layer, An advantageous effect of accurately sensing the thickness of the bare wafer can be obtained.

또한, 본 발명은 연마 공정 중에 마모가 발생되는 연마 패드의 두께 변동을 전기 전도성 금속면이 형성된 컨디셔너에서 와전류를 유도하여 와전류 신호의 변동으로부터 감지한 후, 연마 패드의 두께 변동분을 베어 웨이퍼의 두께 산출에 반영하여 보상함으로써, 연마 공정 중에 연마 패드의 마모에도 불구하고 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 얻을 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, the thickness variation of the polishing pad where abrasion occurs during the polishing process is detected from the fluctuation of the eddy current signal by inducing the eddy current in the conditioner having the electroconductive metal surface, It is possible to obtain an advantageous effect that the thickness of the bare wafer can be accurately obtained despite the wear of the polishing pad during the polishing process.

이를 통해, 본 발명은, 베어 웨이퍼의 연마 공정 중에 인-시츄(in-situ) 방식으로 베어 웨이퍼의 두께를 실시간으로 비접촉 측정할 수 있으며, 베어 웨이퍼의 타겟 두께에 정확하게 연마 종료하여 정확한 두께로 베어 웨이퍼의 두께를 가공하는 잇점이 얻어진다.Accordingly, it is possible to measure the thickness of the bare wafer in real-time in a non-contact manner in an in-situ manner during the polishing process of the bare wafer, and it is possible to precisely polish the target thickness of the bare wafer, An advantage of processing the thickness of the wafer is obtained.

도1은 잉곳으로부터 베어 웨이퍼를 슬라이싱 절단하여 생성하는 구성을 도시한 도면,
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 베어 웨이퍼의 연마 장치의 구성을 도시한 정면도,
도3은 도2의 연마 헤드의 구성을 도시한 도면,
도4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 베어 웨이퍼의 연마 장치의 구성을 도시한 평면도,
도5는 도2 또는 도4의 와전류 센서를 이용하여 베어 웨이퍼의 두께 분포를 감지하기 위한 원리를 설명하기 위한 도면,
도6은 와전류 센서에 수신된 광 강도를 시간 변화에 따라 도시한 그래프,
도7은 와전류 센서를 이용하여 베어 웨이퍼의 두께 분포를 감지하기 위한 원리를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a view showing a configuration in which a bare wafer is sliced and cut from an ingot,
2 is a front view showing a configuration of a bare wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a view showing the configuration of the polishing head of FIG. 2,
4 is a plan view showing a configuration of a bare wafer polishing apparatus according to another embodiment of the present invention,
FIG. 5 is a view for explaining a principle for sensing a thickness distribution of a bare wafer using the eddy current sensor of FIG. 2 or FIG. 4;
FIG. 6 is a graph showing the intensity of light received by the eddy current sensor according to a change in time;
FIG. 7 is a view for explaining a principle for detecting a thickness distribution of a bare wafer using an eddy current sensor.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 베어 웨이퍼(W)의 연마 장치(100, 100')에 대하여 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하며, 동일하거나 유사한 기능 혹은 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 도면 부호를 부여하기로 한다.Hereinafter, a polishing apparatus 100, 100 'of a bare wafer W according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, well-known functions or constructions will be omitted for the sake of clarity of the present invention, and the same or similar function or configuration will be given the same or similar reference numerals.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 베어 웨이퍼의 연마 장치(100)는, 잉곳(80)을 슬라이싱 절단하여 생성된 베어 웨이퍼(bare wafer, W)의 비연마면에 전기 전도성 물질을 입혀 전도층(Lm)을 형성하는 전도층 형성기구(70)와, 연마 정반(110)의 상면에 연마 패드(111)가 입혀지고 회전 구동부(119)에 의하여 회전(111r) 구동되는 연마 정반(110)과, 연마 패드(111)에 베어 웨이퍼(W)를 하방으로 가압하면서 회전 구동부(129)에 의해 회전(120r)시키는 연마 헤드(120)와, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼(W)의 두께를 측정하기 위하여 베어 웨이퍼(W)의 전도층(Lm)에 와전류를 인가(Si)하여 수신되는 신호(So)를 감지하는 와전류 센서(50)와, 와전류 센서(50)에서 수신한 수신 신호(Si)로부터 전도층(Lm)까지의 거리를 산출하는 것에 의하여 연마 공정 중의 베어 웨이퍼(W)의 두께(t)를 얻는 제어부(150)로 구성된다.As shown in the drawing, a bare wafer polishing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a bare wafer W produced by slicing and cutting an ingot 80, A conductive layer forming mechanism 70 for forming a conductive layer Lm by depositing a material on the polishing pad 110 and a polishing pad 111 on the upper face of the polishing pad 110 and driven by a rotation 111r A polishing head 120 for rotating the bare wafer W by the rotation driving unit 129 while pressing the bare wafer W downward to the polishing pad 111 and a polishing head 120 for rotating the bare wafer W An eddy current sensor 50 that senses a signal So received by applying an eddy current to the conductive layer Lm of the bare wafer W to measure the thickness of the conductive layer Lm of the bare wafer W, By calculating the distance from the conductive layer (Si) to the conductive layer (Lm) And a control unit 150 that obtains the value of t (t).

상기 베어 웨이퍼(W)는 반도체 웨이퍼나 태양광 웨이퍼를 성형하기 위하여 규소를 포함하는 재질의 잉곳(80)을 정해진 두께(t)로 슬라이싱 절단하여 생성된다. 그러나, 잉곳(80)의 슬라이싱 절단이 기계적인 쏘(saw)에 의하여 이루어지므로, 예를 들어 700㎛ 내지 800㎛의 타겟 두께로 정확하게 절단하는 것이 곤란할 뿐만 아니라, 잉곳(80)을 슬라이싱 절단하는 과정에서 잉곳(80)이나 슬라이싱 쏘(saw)가 조금이라도 틀어지면, 슬라이싱 절단된 베어 웨이퍼(W)의 두께 편차가 발생된다.The bare wafer W is produced by slicing the ingot 80 made of silicon into a predetermined thickness t to form a semiconductor wafer or a solar wafer. However, since the slicing cutting of the ingot 80 is performed by a mechanical saw, it is difficult to accurately cut the target ingot 80 to a target thickness of, for example, 700 to 800 占 퐉, If the ingot 80 or the slicing saw is slightly twisted, the thickness deviation of the sliced bare wafer W is generated.

따라서, 베어 웨이퍼(W)는 정해진 용도에 사용할 수 있도록 두께 편차를 허용 범위 내로 조절하면서 타겟 두께로 연마하는 공정이 필요하게 된다.Therefore, the bare wafer W needs to be polished to a target thickness while controlling the thickness deviation within a permissible range so that it can be used for a given application.

상기 전도층 형성기구(70)는, 도2a에 도시된 바와 같이 잉곳(80)으로부터 슬라이싱 절단된 베어 웨이퍼(W)를 이동(51, 52)하여 베어 웨이퍼(W)의 비연마면에 전기 전도성 물질(Mc)을 도포하여 부착시키는 것에 의해 전도층(Lm)을 형성한다. 여기서, 전도층(Lm)은 전기 전도성 산화물 세라믹이나 전기 전도성 에폭시 등을 분사하여 형성되는 코팅막으로 형성될 수 있다. 이에 의하여, 전도층(Lm)은 연마 공정에 투입되기 이전에 베어 웨이퍼(W)의 비연마면에 형성된다. 2A, the conductive layer forming mechanism 70 moves (51, 52) a sliced bare wafer W from the ingot 80 to form an electrically conductive layer (not shown) on the non-polished surface of the bare wafer W The conductive layer Lm is formed by applying and attaching the material Mc. Here, the conductive layer Lm may be formed of a coating film formed by spraying an electrically conductive oxide ceramic, an electrically conductive epoxy, or the like. Thus, the conductive layer Lm is formed on the non-polished surface of the bare wafer W before being put into the polishing process.

한편, 도2b에 도시된 바와 같이, 전기 전도성 물질(Mc')이 입혀진 스티커를 베어 웨이퍼(W)의 비연마면에 접착시키는 것에 의하여 전도층(Lm)을 형성할 수도 있다. On the other hand, as shown in FIG. 2B, the conductive layer Lm may be formed by sticking the sticker on which the electrically conductive material Mc 'is worn to the non-polished surface of the bare wafer W.

이와 같이 전기 전도성 물질(Mc)로 형성된 전도층(Lm)은 웨이퍼의 사용 목적에 따라 연마 공정이 행해진 이후에 그대로 남겨둘 수도 있고 제거될 수도 있다. 접착제에 의하여 전도층(Lm)이 형성됨에 따라 연마 공정이 행해진 다음에 용제에 의하여 베어 웨이퍼(W)로부터 전도층(Lm)을 간편하게 제거할 수 있고 원하는 형태로 베어 웨이퍼(W)에 전도층(Lm)을 형성할 수 있는 잇점이 얻어진다. The conductive layer Lm formed of the electroconductive material Mc may be left or removed after the polishing process is performed depending on the intended use of the wafer. The conductive layer Lm can be easily removed from the bare wafer W by the solvent after the polishing process is performed by forming the conductive layer Lm by the adhesive and the conductive layer Lm can be easily removed from the bare wafer W Lm) can be formed.

베어 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 전도층(Lm)은 도3a에 도시된 바와 같이 비연마면의 전체 표면에 걸쳐 형성될 수도 있고, 도3b에 도시된 바와 같이 다수의 스폿 형태로 배치되거나 도3c에 도시된 바와 같이 다수의 스트립 형태로 배치되어 비연마면의 일부 표면에만 형성될 수도 있다. The conductive layer Lm formed on the surface of the bare wafer W may be formed over the entire surface of the non-polished surface as shown in FIG. 3A, or may be arranged in a plurality of spot shapes as shown in FIG. 3B But may be formed in a plurality of strip shapes as shown in Fig. 3C and formed only on a part of the surface of the non-polishing surface.

상기 연마 정반(110)은 도4a에 도시된 바와 같이 구동 모터 등으로 이루어진 회전 구동부(119)에 의하여 회전 구동되며, 상면에 연마 패드(111)가 입혀져 베어 웨이퍼(W)의 연마면과 접촉하면서 연마시키는 데 사용된다. 이에 따라, 연마 패드(111)는 연마 공정 중에 회전(111r)하게 된다. 4A, the polishing table 110 is rotated and driven by a rotation driving unit 119 such as a driving motor, and a polishing pad 111 is coated on an upper surface of the polishing table 110 to contact the polishing surface of the bare wafer W Used to polish. Thereby, the polishing pad 111 is rotated 111r during the polishing process.

상기 연마 헤드(120)는 외부의 회전 구동부(129)에 의하여 회전 구동되고, 저면에 베어 웨이퍼(W)를 위치시킨 상태로 베어 웨이퍼(W)를 회전(120d) 구동시킨다. 도면에 도시되지 않았지만, 연마 헤드(120)는 베어 웨이퍼(W)를 가압하는 가요성 멤브레인의 상측에 다수로 분할된 압력 챔버를 구비하여, 압력 챔버의 공압을 조절하는 것에 의하여 베어 웨이퍼(W)를 구간별로 가압력을 조절하면서 연마 두께를 제어한다. The polishing head 120 is rotationally driven by an external rotation drive unit 129 and rotates the bare wafer W in a state in which the bare wafer W is positioned on the bottom surface. Although not shown in the drawing, the polishing head 120 has a plurality of pressure chambers divided on the upper side of a flexible membrane for pressing the bare wafer W, and by controlling the pneumatic pressure of the pressure chambers, And the polishing thickness is controlled by controlling the pressing force for each section.

도면에는 연마 정반(110)과 연마 헤드(120)가 함께 회전 구동부(119, 129)에 의하여 회전 구동되는 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에서는 연마 정반(110)과 연마 헤드(120) 중 어느 하나만 회전 구동될 수도 있다. The polishing table 110 and the polishing head 120 are rotationally driven together by the rotation driving units 119 and 129. In another embodiment of the present invention, the polishing table 110 and the polishing head 120 May be rotationally driven.

경우에 따라, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정을 촉진하기 위하여 슬러리가 슬러리 공급부(130)로부터 공급되어, 베어 웨이퍼(W)의 화학적 연마 공정이 기계적 연마 공정과 함께 행해질 수도 있다.A slurry may be supplied from the slurry supply unit 130 to facilitate the polishing process of the bare wafer W so that the chemical polishing process of the bare wafer W may be performed together with the mechanical polishing process.

베어 웨이퍼(W)의 화학적 연마 공정이 이루어지는 경우에는, 연마 패드(111)의 표면 상태를 개질하는 컨디셔너(140)가 구비될 수 있다. 컨디셔너(140)는 컨디셔닝 디스크를 연마 패드(111)에 접촉시킨 상태로 가압하면서 회전하여, 연마 패드(111)의 표면에 형성된 미세 홈이 막히지 않도록 유지한다. When the bare wafer W is chemically polished, a conditioner 140 for modifying the surface condition of the polishing pad 111 may be provided. The conditioner 140 rotates while pressing the conditioning disk in contact with the polishing pad 111 to keep the fine grooves formed on the surface of the polishing pad 111 from clogging.

상기 와전류 센서(50)는, 도4a에 도시된 바와 같이 연마 패드(111)와 연마 정반(110)를 관통하는 관통부(110a)의 하측에 위치한 와전류 센서(50)에 의하여, 연마 공정 중의 베어 웨이퍼(W)의 두께(t)를 측정할 수도 있고, 도6a에 도시된 바와 같이 연마 정반(110)과 함께 회전하게 연마 정반(110)에 설치되어, 베어 웨이퍼(W)의 하측을 통과할 때마다 베어 웨이퍼(W)의 두께를 통과 궤적을 따라 측정할 수도 있다. 관통부(110a)의 하측에 와전류 센서(50)가 배치되는 경우에는, 관통부(110a)에 투명창이 설치되어 와전류 신호(Si, So)가 왕래할 수 있으면서, 연마 입자나 슬러리 등이 관통부(110a)를 통해 하방 배출되는 것을 방지한다.4A, the eddy current sensor 50 is provided with an eddy current sensor 50 located below the penetration portion 110a penetrating the polishing pad 111 and the polishing platen 110, The thickness t of the wafer W may be measured and may be set on the polishing platen 110 to rotate together with the polishing platen 110 as shown in Fig. The thickness of the bare wafer W may be measured along the passing locus. When the eddy current sensor 50 is disposed below the penetrating portion 110a, a transparent window is provided in the penetrating portion 110a so that the eddy current signals Si and So can pass through and the abrasive particles, slurry, (110a).

와전류 센서(50)가 관통부(110a)를 통해 베어 웨이퍼(W)의 두께를 얻는 경우에는, 도5에 도시된 바와 같이, 회전하는 연마 정반(110)의 관통부(110a)가 와전류 센서(50)의 상측을 통과하는 동안에, 와전류 센서(50)로부터 인가되는 입력 신호(Si)가 관통부(110a)를 통과하면서 베어 웨이퍼(W)에 도달하고, 베어 웨이퍼(W)에 도달한 상태에서의 와전류 출력신호(So)를 제2수신 신호로 수신한다. 5, when the eddy current sensor 50 obtains the thickness of the bare wafer W through the penetration portion 110a, the penetration portion 110a of the rotating polishing surface plate 110 is inserted into the eddy current sensor The input signal Si applied from the eddy current sensor 50 reaches the bare wafer W while passing through the penetration portion 110a and reaches the bare wafer W Current output signal So of a second reception signal.

이와 유사하게, 와전류 센서(50)가 연마 정반(110)에 위치하여 함께 회전하면서 베어 웨이퍼(W)의 두께(tw)를 얻는 경우에도, 도7a에 도시된 바와 같이, 와전류 센서(50)는 회전하는 연마 정반(110)과 함께 회전하면서 베어 웨이퍼(W)의 하측을 통과하는 A1위치에 있는 동안에, 베어 웨이퍼(W)의 전도층(Lm)에 와전류 신호(Si)를 인가하고 와전류 출력 신호를 제2수신신호(So)로 수신한다. 도면에는 와전류 센서(50)가 연마 패드(111)의 회전 중심으로부터 하나의 반경 길이만큼 이격된 위치에 배치된 구성이 예시되어 있지만, 연마 패드(111)의 회전 중심으로부터 서로 다른 반경 길이만큼 이격된 2개 이상의 위치에 배치되어, 베어 웨이퍼(W)의 두께 분포를 구할 수도 있다. Similarly, even when the eddy current sensor 50 is positioned on the polishing platen 110 and rotates together to obtain the thickness tw of the bare wafer W, the eddy current sensor 50, as shown in Fig. 7A, Current signal Si is applied to the conductive layer Lm of the bare wafer W and the eddy current signal Si is applied to the bare wafer W while the bare wafer W is rotated at the A1 position passing through the lower side of the bare wafer W, To the second received signal So. The eddy current sensor 50 is disposed at a position spaced apart by one radial distance from the center of rotation of the polishing pad 111. However, the eddy current sensor 50 may be spaced apart from the center of rotation of the polishing pad 111 by a different radial length The thickness distribution of the bare wafer W can be obtained.

여기서, 입력 신호(Si)는 금속층에서 와전류를 생성하기 위한 전자기 신호일 수 있다. Here, the input signal Si may be an electromagnetic signal for generating an eddy current in the metal layer.

와전류 센서(50)로부터 와전류 신호(Si)가 베어 웨이퍼(W)에 도달하면, 베어 웨이퍼(W) 자체는 전기 전도성 물질이 원래 구비되어 있지 아니하여 베어 웨이퍼(W)에 와전류가 생성되지 않지만, 전도층 형성기구(70) 등에 의하여 베어 웨이퍼(W)의 비연마면에 전기가 통전되는 전도층(Lm)이 형성되어 있으므로, 도5에 도시된 바와 같이 전도층(Lm)에서 50E로 표시된 영역에서 와전류가 유도된다. When the eddy current signal Si reaches the bare wafer W from the eddy current sensor 50, an eddy current is not generated in the bare wafer W because the bare wafer W itself is not provided with the electrically conductive material, Since the conductive layer Lm electrically conducting is formed on the non-polished surface of the bare wafer W by the conductive layer forming mechanism 70 or the like, the area indicated by 50E in the conductive layer Lm as shown in FIG. An eddy current is induced.

즉, 와전류 센서(50)로부터 와전류 신호(Si)가 베어 웨이퍼(W)에 인가되면, 베어 웨이퍼(W) 상측의 비연마면에 형성된 전도층(Lm)이 전기가 통전되므로 와전류가 유도된다. 베어 웨이퍼(W)의 비연마면의 일부 표면에만 전도층(Lm)이 형성된 경우에도, 전도층(Lm)에 와전류가 유도되면서 전도층(Lm)에서의 와전류 손실량에 따른 제2수신 신호(So)가 와전류 센서(50)에 전송된다. That is, when the eddy current signal Si is applied from the eddy current sensor 50 to the bare wafer W, the eddy current is induced because electricity is conducted through the conductive layer Lm formed on the non-polished surface on the upper side of the bare wafer W. Even when the conductive layer Lm is formed only on a part of the non-polished surface of the bare wafer W, the eddy current is induced in the conductive layer Lm and the second reception signal So Is transmitted to the eddy current sensor 50. [

이 때, 와전류 센서(50)로부터의 신호(Si)에 의하여 전도층(Lm)에 와전류가 유도되면, 유도된 와전류의 일부(임피던스, 리액턴스, 인덕턴스 중 어느 하나 이상)가 손실된 제2수신 신호(So)를 와전류 센서(50)가 수신하게 된다. 또한, 도7b에 도시된 바와 같이, 와전류 센서(50)의 상측에 전기 전도성 전도층(Lm)이 없는 A2 위치에서는, 와전류가 유도되지 아니하므로 손실된 수신신호(So)가 수신되지 아니하여 상측에 도전성 물질로 이루어진 층이 형성되지 않은 상태라는 것을 확인할 수 있다. At this time, if an eddy current is induced in the conductive layer Lm by the signal Si from the eddy current sensor 50, a second reception signal (a signal) having a part of the induced eddy current (at least one of impedance, reactance and inductance) The eddy current sensor 50 receives the signal So. 7B, at the A2 position where the electroconductive conductive layer Lm is not provided on the upper side of the eddy current sensor 50, the eddy current is not induced, so that the lost reception signal So is not received, It can be confirmed that a layer made of a conductive material is not formed.

그리고, 와전류의 손실량은 와전류 센서(50)로부터 전도층(Lm)까지의 거리에 반비례하므로, 와전류의 손실량을 제2수신 신호(So)로 와전류 센서(50)에서 감지하는 것에 의하여, 와전류 센서(50)로부터 전도층(Lm)까지의 거리(50d)를 검출할 수 있게 된다. Since the loss of the eddy current is inversely proportional to the distance from the eddy current sensor 50 to the conductive layer Lm, the eddy current sensor 50 detects the loss of the eddy current with the second received signal So, 50) to the conductive layer (Lm).

여기서, 제어부(150)는 와전류 센서(50)로부터 수신 신호(So)를 전송받아, 반복 시험에 의하여 수신 신호(So)에 따른 거리 데이터를 토대로 와전류 센서(50)로부터 전도층(Lm)까지의 거리(50d)를 얻을 수도 있고, 수신 신호(So)로부터 미리 정해진 연산 방법으로 와전류 센서(50)로부터 전도층(Lm)까지의 거리(50d)를 얻을 수도 있다. Here, the control unit 150 receives the received signal So from the eddy current sensor 50 and calculates the distance from the eddy current sensor 50 to the conductive layer Lm based on the distance data according to the received signal So The distance 50d can be obtained and the distance 50d from the eddy current sensor 50 to the conductive layer Lm can be obtained from the received signal So in a predetermined calculation method.

따라서, 연마 공정이 진행될수록 점점 얇아지는 베어 웨이퍼(W)의 두께(tw)에 의해, 와전류 센서(50)와 전도층(Lm)까지의 거리(d)를 실시간으로 감지할 수 있고, 이를 통해, 연마 공정 중인 베어 웨이퍼(W)의 두께(tw)를 얻을 수 있다.Therefore, the distance d to the eddy current sensor 50 and the conductive layer Lm can be detected in real time by the thickness tw of the bare wafer W which gradually becomes thinner as the polishing process proceeds. , And the thickness tw of the bare wafer W in the polishing process can be obtained.

한편, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정 중에 연마 패드(111)의 두께(tp)가 감소하므로, 베어 웨이퍼(W)의 두께(tw)를 측정하는 데 연마 패드(111)의 두께 변동분만큼의 오차를 갖는 한계가 있다. Since the thickness tp of the polishing pad 111 is reduced during the polishing process of the bare wafer W, the thickness tw of the bare wafer W can be measured by measuring the error of the thickness variation of the polishing pad 111 .

이와 같은 오차를 보정하기 위하여, 도6a 및 도6b에 도시된 구성의 베어 웨이퍼의 연마 장치(100')는, 와전류 센서(50)가 연마 정반(110)과 함께 회전하므로, 회전 경로(P) 상에는 컨디셔너(140)의 하측을 통과하는 A3위치를 지나게 된다. 그런데, A3위치에서는, 도7c에 도시된 바와 같이, 컨디셔닝 디스크 또는 컨디셔닝 디스크를 고정시키는 홀더에 전기 전도성 물질로 이루어진 금속면(141)이 존재하고 그 두께가 충분히 크므로, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정을 진행하는 과정(S110)에서, A3위치에서도 와전류 센서(50)로부터 와전류 신호(Si)를 인가(S120)한다. 6A and 6B, since the eddy current sensor 50 rotates together with the polishing platen 110, the rotation path P is formed in the polishing apparatus 100 'of the bare wafer shown in Figs. 6A and 6B, Passes through the A3 position passing through the lower side of the conditioner 140. [ 7C, a metal surface 141 made of an electrically conductive material exists in the holder for fixing the conditioning disk or the conditioning disk, and the thickness thereof is sufficiently large, so that the bare wafer W Current signal Si is applied from the eddy-current sensor 50 (S120) also in the position A3 in the step S110 of performing the polishing process.

이에 따라, 컨디셔너(140)의 컨디셔닝 디스크 또는 컨디셔닝 디스크를 고정하고 있는 금속면(141)에서 와전류가 유도되고, 컨디셔너(140)의 금속면(141)에서 유도된 와전류의 임피던스 등의 손실에 따른 출력 신호로서 제1수신신호(So')가 금속면(141)으로부터 와전류 센서(50)에 수신된다. The eddy current is induced in the metal surface 141 of the conditioner 140 or the conditioning disk of the conditioner 140 and the output of the eddy current induced by the metal surface 141 of the conditioner 140 The first received signal So 'is received as a signal from the metal surface 141 to the eddy current sensor 50.

이 때, 컨디셔너(140)의 컨디셔닝 디스크는 연마 패드(111)에 비하여 훨씬 높은 경도를 가지므로, 베어 웨이퍼(W)의 연마 공정 중에 두께(td)의 변동이 거의 없게 된다. 따라서, 컨디셔너(140)의 하측을 통과하는 A3위치에서 와전류 센서(50)에 수신된 제1수신신호로부터 제어부(150)는 와전류 센서(50)에서 컨디셔너(140)의 금속면(141)까지의 거리(50dx)를 측정할 수 있으며, 이로부터 연마 패드(111)의 두께 변동량을 검출할 수 있다(S130).At this time, since the conditioning disk of the conditioner 140 has a much higher hardness than the polishing pad 111, the thickness td hardly changes during the polishing process of the bare wafer W. Therefore, from the first reception signal received at the A3 position passing through the lower side of the conditioner 140, the control unit 150 controls the flow rate of the air from the eddy current sensor 50 to the metal surface 141 of the conditioner 140 The distance 50dx can be measured, and the variation in the thickness of the polishing pad 111 can be detected (S130).

그리고, 와전류 센서(50)가 연마 정반(110)과 함께 회전하면서 베어 웨이퍼(W)의 하측을 통과하는 A1위치에서, 전술한 바와 같이 전도층(Lm)까지의 거리를 산출하는 것에 의하여 제어부(150)는 베어 웨이퍼(W)의 두께를 검출하되, S130 단계에서 얻은 연마 패드(111)의 두께 변동량을 반영하여 베어 웨이퍼(W)의 두께를 보상하여 구한다(S140). The distance from the position A1 where the eddy current sensor 50 passes under the bare wafer W to the conductive layer Lm as described above is calculated by rotating the eddy current sensor 50 together with the polishing platen 110, 150 detects the thickness of the bare wafer W and obtains the thickness of the bare wafer W by compensating the thickness variation of the polishing pad 111 obtained in step S130 at step S140.

이와 같은 과정을 지속하면서, 베어 웨이퍼(W)의 두께(tw)가 정해진 700㎛ 내지 800㎛의 타겟 두께에 도달하면, 연마 공정을 종료한다. When the thickness tw of the bare wafer W reaches the target thickness of 700 mu m to 800 mu m, which is determined in this manner, the polishing process is terminated.

그리고, 베어 웨이퍼(W)의 비연마면에 부착되거나 도포되어 형성된 전도층(Lm)은 필요에 따라 떼어내거나 용제(solvent)를 도포하여 제거한다. Then, the conductive layer Lm formed by applying or coating to the non-polished surface of the bare wafer W is removed or applied with a solvent if necessary.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 베어 웨이퍼(W)의 연마 장치(100, 100') 및 연마 방법(S1)은, 증착막이 형성되지 않아 전기 전도성이 없는 성분으로 전체가 형성된 베어 웨이퍼(W)에 대해서도, 비연마면에 형성한 전도층(Lm)에서 와전류를 유도할 수 있도록 함으로써, 전도층(Lm)에서 유도된 와전류의 손실을 와전류 센서(50)에서 읽어들어 전도층(Lm)까지의 거리(50d)를 구함으로써, 연마 공정 중에 베어 웨이퍼의 두께를 인시츄 방식으로 정확하게 감지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The polishing apparatuses 100 and 100 'and the polishing method S1 of the bare wafer W according to an embodiment of the present invention configured as described above are configured such that the entire surface of the bare wafer W having no vapor- It is possible to induce an eddy current in the conductive layer Lm formed on the non-polished surface so that the loss of the eddy current induced in the conductive layer Lm is read from the eddy current sensor 50 and the conductive layer Lm , It is possible to obtain an advantageous effect of accurately detecting the thickness of the bare wafer in the in-situ method during the polishing process.

무엇보다도, 본 발명은 연마 공정 중에 마모가 발생되는 연마 패드(111)의 두께(tp) 변동을 전기 전도성 금속면(141)이 형성된 컨디셔너(140)에서 와전류를 유도하여 와전류 신호의 변동으로부터 감지한 후, 연마 패드(111)의 두께 변동분을 베어 웨이퍼(W)의 두께 산출에 반영하여 보상함으로써, 연마 공정 중에 연마 패드의 마모에도 불구하고 베어 웨이퍼의 두께를 정확하게 얻을 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention relates to a method of polishing a polishing pad (111) having a polishing pad (111) having a thickness (tp) fluctuation caused by abrasion during a polishing process by inducing an eddy current in a conditioner (140) having an electrically conductive metal surface It is possible to obtain an advantageous effect that the thickness of the bare wafer can be accurately obtained despite the abrasion of the polishing pad during the polishing process by compensating the variation in the thickness of the polishing pad 111 after the reflection of the thickness variation of the bare wafer W .

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 상기와 같은 특정 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And can be appropriately changed within the scope of the claims.

100: 베어 웨이퍼의 연마 장치 110: 연마 정반
11: 연마 패드 110a: 관통부
120: 연마 헤드 50: 와전류 센서
150: 제어부 W: 베어 웨이퍼 100: bare wafer polishing apparatus 110: polishing plate
11: polishing pad 110a:
120: polishing head 50: eddy current sensor
150: control unit W: bare wafer

Claims (18)

증착막이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 장치로서,
연마 정반의 상측에 입혀진 연마 패드와;
비연마면의 일부 이상에 전기 전도성 물질이 형성되어 전도 층(conductive layer)이 형성된 상기 베어 웨이퍼를 하방으로 가압하는 연마 헤드와;
상기 연마 패드와 상기 연마 헤드 중 어느 하나 이상을 회전시키는 회전 구동부와;
상기 전도층에 와전류를 유도하여 상기 전도성 물질까지의 거리를 감지하는 것에 의하여 상기 베어 웨이퍼의 두께 정보를 갖는 신호를 수신하는 와전류 센서를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
1. A polishing apparatus for a bare wafer on which a vapor deposition film is not formed,
A polishing pad on the upper side of the polishing platen;
A polishing head for pressing down the bare wafer on which an electrically conductive material is formed on at least a portion of the non-polished surface to form a conductive layer;
A rotation driving unit for rotating at least one of the polishing pad and the polishing head;
An eddy current sensor that receives a signal having thickness information of the bare wafer by inducing an eddy current in the conductive layer and sensing a distance to the conductive material;
Wherein the bare wafer includes a plurality of bare wafers.
제 1항에 있어서,
상기 연마 패드의 바깥에서 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 상기 전도층을 형성하는 전도층 형성기구를;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
The method according to claim 1,
A conductive layer forming mechanism for forming the conductive layer on the non-polished surface of the bare wafer outside the polishing pad;
Wherein the bare wafer is polished.
제 2항에 있어서,
상기 전도층은 전도성 물질을 도포하여 입혀지는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive layer is coated with a conductive material.
제 2항에 있어서,
상기 전도층은 전도성 물질을 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 부착하는 것에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive layer is formed by attaching a conductive material to a non-polished surface of the bare wafer.
제 2항에 있어서,
상기 전도층은 다수의 스트립 형태로 분포된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the conductive layer is distributed in the form of a plurality of strips.
제 1항에 있어서,
상기 전도층은 다수의 스폿 형태로 분포된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive layer is distributed in the form of a plurality of spots.
제 1항에 있어서,
상기 와전류 센서는 상기 베어 웨이퍼의 중심으로부터 서로 다른 거리만큼 이격된 위치에 2개 이상 배치되는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least two eddy-current sensors are disposed at positions spaced apart from each other by a distance from the center of the bare wafer.
제 1항에 있어서,
상기 베어 웨이퍼는 규소를 포함하는 재질로 형성되고, 태양광 베어 웨이퍼나 반도체 베어 웨이퍼 중 어느 하나를 제조하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the bare wafer is made of a material containing silicon and is used for manufacturing either a solar bare wafer or a semiconductor bare wafer.
제 1항에 있어서,
상기 베어 웨이퍼의 타겟 두께는 700㎛ 내지 800㎛의 두께인 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the target thickness of the bare wafer is 700 占 퐉 to 800 占 퐉.
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 와전류 센서는 상기 연마 정반과 함께 회전하게 설치된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
Wherein the eddy current sensor is installed to rotate together with the polishing table.
제 10항에 있어서,
상기 연마 패드에는 투명창이 형성되어 있고, 상기 와전류 센서는 상기 베어 웨이퍼의 하측에 위치하여, 상기 베어 웨이퍼의 정해진 위치에서의 두께를 측정하는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein a transparent window is formed on the polishing pad and the eddy current sensor is positioned below the bare wafer and the thickness of the bare wafer at a predetermined position is measured.
증착막이 형성되지 않은 베어 웨이퍼의 연마 방법으로서,
베어 웨이퍼의 비연마면에 전도성 물질을 형성하여 전도층을 형성하는 전도층 형성단계와;
상기 베어 웨이퍼를 연마 헤드의 하측에 위치시킨 상태에서 상기 베어 웨이퍼의 연마면이 자전하는 연마 패드와 접촉하면서 연마 공정을 행하는 연마 단계와;
상기 연마 단계가 행해지는 도중에 상기 베어 웨이퍼의 하측으로부터 상기 전도성 물질까지의 거리를 와전류 센서로 감지하여 상기 베어 웨이퍼의 두께를 얻는 웨이퍼 두께측정단계를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
A method for polishing a bare wafer on which a vapor deposition film is not formed,
Forming a conductive layer on the non-polished surface of the bare wafer to form a conductive layer;
A polishing step of polishing the bare wafer in contact with the polishing pad rotating the bare wafer while the bare wafer is positioned below the polishing head;
Measuring a distance from the lower side of the bare wafer to the conductive material during the polishing step with an eddy current sensor to obtain a thickness of the bare wafer;
And polishing the bare wafer.
제 12항에 있어서,
상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면의 일부에 형성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the conductive layer is formed on a part of the non-polished surface of the bare wafer.
제 12항에 있어서,
상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면의 전체 표면에 형성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the conductive layer is formed on the entire surface of the non-polished surface of the bare wafer.
제 12항에 있어서,
상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 전도성 물질을 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the conductive layer is formed by applying a conductive material to the non-polished surface of the bare wafer.
제 12항에 있어서,
상기 전도층은 상기 베어 웨이퍼의 비연마면에 전도층을 부착하여 형성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the conductive layer is formed by attaching a conductive layer to a non-polished surface of the bare wafer.
제 12항에 있어서,
상기 전도층을 상기 베어 웨이퍼로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.
13. The method of claim 12,
Further comprising the step of removing the conductive layer from the bare wafer.
제 12항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 와전류 센서가 컨디셔너의 하측을 통과하는 위치에서 수신된 수신 신호로부터 상기 연마 패드의 두께를 감지하는 패드두께 감지단계와;
상기 패드두께 감지단계에서 얻어진 상기 연마 패드의 두께의 변동분을 상기 두께측정단계에서 얻은 상기 베어 웨이퍼의 두께값에 반영하여 보상하는 베어 웨이퍼두께 보상단계를;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 베어 웨이퍼의 연마 방법.

18. The method according to any one of claims 12 to 17,
Sensing a thickness of the polishing pad from a received signal at a position where the eddy current sensor passes under the conditioner;
A bare wafer thickness compensating step of compensating for a variation in the thickness of the polishing pad obtained in the pad thickness sensing step by reflecting the variation in thickness of the bare wafer obtained in the thickness measuring step;
The method of polishing a bare wafer according to claim 1,

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