KR20170037344A - Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof - Google Patents

Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20170037344A
KR20170037344A KR1020150136817A KR20150136817A KR20170037344A KR 20170037344 A KR20170037344 A KR 20170037344A KR 1020150136817 A KR1020150136817 A KR 1020150136817A KR 20150136817 A KR20150136817 A KR 20150136817A KR 20170037344 A KR20170037344 A KR 20170037344A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light receiving
electrode
optical signal
pattern
Prior art date
Application number
KR1020150136817A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102442045B1 (en
Inventor
이호민
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020150136817A priority Critical patent/KR102442045B1/en
Priority to PCT/KR2015/014299 priority patent/WO2017043706A1/en
Priority to CN201590001591.2U priority patent/CN208093578U/en
Publication of KR20170037344A publication Critical patent/KR20170037344A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102442045B1 publication Critical patent/KR102442045B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L27/288—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L51/442—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

The present invention relates to a sensing device, which is a photodiode comprising: a substrate; a light emitting unit disposed on the substrate; and a light receiving unit disposed on the light emitting unit. The light emitting unit emits a first light signal to an object. The light receiving unit receives a second light signal absorbed into or reflected from the object, which is located above the light receiving unit. The light receiving unit includes a light transmissive pattern, through which the first light signal passes, and a light receiving pattern, which receives the second light signal.

Description

유기 박막 포토다이오드 및 이를 포함하는 감지 장치 {Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic thin film photodiode and a sensing device including the organic thin film photodiode,

본 발명은, 기판, 기판 상의 발광부, 발광부 상의 수광부를 포함하고, 발광부는 대상물에 제1 광 신호를 조사하며, 수광부는 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하며, 대상물은 수광부 상에 위치하며, 수광부는 제1 광 신호가 통과할 수 있는 광 투과 패턴 및 제2 광 신호를 수신하는 수광 패턴을 포함하는 유기 박막 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 감지 장치에 관한 것이다.A light receiving unit irradiates a first optical signal to an object, and a light receiving unit receives a second optical signal absorbed or reflected from the object, and the object is a light receiving unit And the light receiving unit is an organic thin film photodiode including a light transmitting pattern through which the first optical signal can pass and a light receiving pattern for receiving the second optical signal.

스마트 단말기, 휴대폰, 모니터, TV 등 여러 전자 장치의 터치 패널에 사용하는 센서에는 여러 가지 종류가 있으며, 최근에는 빛을 발생하는 발광부와 빛을 감지하는 수광부를 포함하는 광센서를 이용하여 여러 기능을 구현하고 있다.There are various kinds of sensors used in touch panels of smart electronic devices such as smart terminals, mobile phones, monitors, TVs, etc. Recently, there have been various types of sensors using light sensors including a light emitting portion for emitting light and a light receiving portion for sensing light .

특히 포토다이오드의 경우, 빛에너지를 수신하면 이를 전기에너지로 변환하게 되어, 전기에너지를 빛에너지로 전환하는 발광다이오드와 반대의 기능을 수행한다. 포토다이오드는 응답속도가 빠르고, 감도 파장이 넓으며, 광전류의 직진성이 양호하다는 특징이 있어, 전자제품 소자에 폭넓게 사용하려는 연구가 꾸준하게 진행되고 있다.Particularly, in the case of a photodiode, when receiving light energy, it converts the light energy into electric energy, and performs a function opposite to that of a light emitting diode that converts electrical energy into light energy. The photodiodes are characterized by high response speed, high sensitivity wavelength, and good linearity of photocurrent, and research is being conducted to widely use them in electronic devices.

그런데, 종래의 포토다이오드의 경우, 수광부와 발광부가 격벽으로 인하여 분리되어 있어서, 수광부가 한쪽 영역으로 치우쳐 있음으로 인하여 광 신호의 수신 감도 편차가 발생하는 문제점이 존재하고 있었다.However, in the conventional photodiode, the light receiving portion and the light emitting portion are separated due to the partition wall, so that there is a problem that the light receiving portion is biased to one region, which causes a deviation in receiving sensitivity of the optical signal.

본 발명은 상술한 바와 같이 종래의 포토다이오드가 가지고 있는 단점을 해소하기 위하여, 수광부와 발광부를 수직 일체형 구조로 구성하고, 발광부가 조사하는 제1 광 신호가 통과할 수 있도록 수광부에 다수의 수광 패턴을 포함하여 광 투과 영역을 형성한 감지 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the disadvantages of conventional photodiodes as described above, the present invention is characterized in that a light receiving unit and a light emitting unit are formed in a vertically integrated structure, and a plurality of light receiving patterns are formed on a light receiving unit so that a first optical signal irradiated by the light emitting unit can pass therethrough. And an object of the present invention is to provide a sensing device in which a light transmitting region is formed.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 이하에서 설명할 내용으로부터 통상의 기술자에게 자명한 범위 내에서 다양한 기술적 과제가 포함될 수 있다. The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned technical problems, and various technical problems can be included within the scope of what is well known to a person skilled in the art from the following description.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 기판, 기판 상의 발광부, 발광부 상의 수광부를 포함하고, 발광부는 대상물에 제1 광 신호를 조사하며, 수광부는 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하며, 대상물은 수광부 상에 위치하며, 수광부는 제1 광 신호가 통과할 수 있는 광 투과 패턴 및 제2 광 신호를 수신하는 수광 패턴을 포함하는 유기 박막 포토다이오드인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a sensing apparatus including a substrate, a light emitting unit on the substrate, and a light receiving unit on the light emitting unit, the light emitting unit irradiating the object with a first optical signal, And the light receiving unit includes an organic thin film including a light transmitting pattern through which the first optical signal can pass and a light receiving pattern for receiving the second optical signal, And is a photodiode.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 발광부가 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 적외선 발광 다이오드(Infrared Emitting Diode), 레이저 다이오드(Laser Diode) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The sensing device may include at least one of a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), an infrared light emitting diode (LED), and a laser diode .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 수광 패턴이 이격된 다수의 패턴 조각을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 감지 장치는, 상기 수광 패턴의 패턴 형상이 랜덤 또는 의사-랜덤인 것을 특징으로 한다.In addition, the sensing device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pattern pieces spaced apart from the light receiving pattern. Further, the sensing device of the present invention is characterized in that the pattern shape of the light receiving pattern is random or pseudo-random.

아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 수광부의 수광 패턴은 메쉬 형상이며, 상기 메쉬 형상의 개구부를 통하여 상기 제1 광 신호가 통과하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 상기 메쉬 형상의 개구부는, 삼각형, 정사각형, 직사각형, 평행사변형, 육각형 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.In addition, the sensing device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the light receiving pattern of the light receiving portion is a mesh shape, and the first optical signal passes through the mesh-shaped opening portion. In this case, the opening of the mesh shape is at least one of a triangle, a square, a rectangle, a parallelogram, and a hexagon.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 수광부가 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 적층된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 적층된 활성화 층, 상기 활성화 층 상에 적층된 제2 전극으로 형성된 유기 박막 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the sensing device according to an embodiment of the present invention may include a transparent substrate, a first electrode stacked on the transparent substrate, an activation layer stacked on the first electrode, a second electrode stacked on the activation layer, And an organic thin film photodiode formed of two electrodes.

이 때, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 유기 박막 포토다이오드가 상기 활성화 층 및 상기 제1 전극 사이에 적층된 버퍼층, 상기 제2 전극 상에 적층된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제2 전극은 제1 서브 전극, 제2 서브 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 전극을 구성하는 재료의 일함수 차이가 0.5 내지 1.5 eV인 것을 특징으로 한다.At this time, the sensing device according to an embodiment of the present invention may further include a buffer layer in which the organic thin film photodiode is stacked between the activation layer and the first electrode, and a protective layer stacked on the second electrode . Further, the second electrode may further include a first sub-electrode and a second sub-electrode, wherein the first electrode and the second electrode have a work function difference of 0.5 to 1.5 eV .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치는, 상기 수광부가 상기 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하고, 광전류 신호를 생성하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 본 발명의 감지 장치는, 상기 수광부가 생성한 광전류 신호를 수신하여, 상기 광전류 신호를 분석하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 수광부는, 상기 수광부를 일정 영역으로 분할하여, 상기 흡수 또는 반사된 상기 제2 광 신호를 수신한 수광부의 영역 정보를 상기 제어부로 전송하는 것을 특징으로 한다.The sensing device according to an embodiment of the present invention is characterized in that the light receiving unit receives the absorbed or reflected second optical signal and generates a photocurrent signal. In this case, the sensing device of the present invention may further include a control unit for receiving the photocurrent signal generated by the light-receiving unit and analyzing the photocurrent signal. The light receiving unit may divide the light receiving unit into a predetermined area and transmit the area information of the light receiving unit that has received the second optical signal absorbed or reflected to the control unit.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 박막 포토다이오드는, 투명 기판, 발광부에서 대상물로 조사되는 제1 광 신호가 통과하는, 상기 투명 기판 상의 광 투과 패턴, 상기 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하는, 상기 투명 기판 상의 수광 패턴을 포함하고, 상기 수광 패턴은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 적층된 활성화 층 및 상기 활성화 층 상에 적층된 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.Meanwhile, the organic thin film photodiode according to an embodiment of the present invention includes a transparent substrate, a light transmission pattern on the transparent substrate through which the first optical signal irradiated to the object passes, a light absorbing or reflecting material The light receiving pattern comprising a first electrode, an activation layer stacked on the first electrode, and a second electrode stacked on the activation layer, .

본 발명의 감지 장치는 수신 감도를 증가시킬 수 있으며, 수광부와 발광부 간의 거리가 감소하므로 광거리 감소 효과를 가질 수 있으며, 이로 인하여 감지 장치 자체의 구조가 단순화되고 손실을 줄일 수 있는 장점이 있다.The sensing device of the present invention can increase the reception sensitivity and reduce the distance between the light receiving part and the light emitting part, thereby reducing the light distance, thereby simplifying the structure of the sensing device itself and reducing loss .

또한, 본 발명의 감지 장치는 수광부를 유기 박막 포토다이오드로 형성하여, 면적과 형상의 제약이 없는 수광부의 구조 설계가 가능하다. 특히, 종래에는 포토다이오드 모듈을 실리콘 웨이퍼 상에 각각 실장하여 제작하였으나, 본 발명의 유기 박막 포토다이오드의 경우 기판 상 인쇄 공정을 통하여 한번에 만들 수 있으므로 제작 시간 및 공정이 단축될 수 있는 효과가 있다.In addition, the sensing device of the present invention can design the structure of the light-receiving portion without the restriction of the area and shape by forming the light-receiving portion with the organic thin film photodiode. In particular, in the past, photodiode modules were mounted on silicon wafers, respectively. However, since the organic thin film photodiodes of the present invention can be formed at one time through a printing process on a substrate, the manufacturing time and process can be shortened.

또한, 본 발명의 감지 장치의 수광부는, 발광부가 조사하는 제1 광 신호가 통과할 수 있는 광 투과 패턴과 대상물로부터 흡수 또는 반사되는 제2 광 신호를 수신하는 수광 패턴을 포함하고, 발광부와 수광부가 수직 구조로 이루어져, 센싱 반응 속도 증가가 되는 장점이 있다.The light receiving portion of the sensing device of the present invention includes a light transmitting pattern through which a first optical signal irradiated by the light emitting portion can pass and a light receiving pattern that receives a second optical signal absorbed or reflected from the object, The light receiving part is formed in a vertical structure, and the sensing reaction speed is increased.

또한, 본 발명의 감지 장치는, 수광부의 수광 패턴이 메쉬 형상, 이격된 다수의 패턴 조각 형태등 수광부의 일부만이 대상물로부터 흡수 또는 반사되는 제2 광 신호를 수신하도록 하며, 수광부의 나머지 일부는 발광부가 조사하는 제1 광 신호가 통과하도록 하여, 수광부 자체를 절삭 또는 에칭 등의 별도 공정 없이도 센싱 반응 속도를 증가할 수 있다.In addition, the sensing device of the present invention allows a light receiving pattern of the light receiving portion to receive a second optical signal such that only a part of the light receiving portion such as a mesh shape, a plurality of spaced apart pattern pieces or the like is absorbed or reflected from the object, It is possible to allow the first optical signal for additional irradiation to pass therethrough so that the sensing reaction rate can be increased without a separate process such as cutting or etching.

또한, 본 발명의 감지 장치는 원형 수광부를 일정 영역으로 분할하여 수광부에 감지된 위치를 제어부로 송신하여 제스처 센서로 사용할 수도 있다.In addition, the sensing device of the present invention may divide the circular light receiving part into a predetermined area, transmit the sensed position to the control part, and use it as a gesture sensor.

도 1은 종래 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치를 나타내는 구성도이다.
도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치의 수광부에 형성된 수광 패턴의 여러 실시예를 나타내는 예시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치의 수광부가 일정 영역으로 분할되어 제어부가 감지 영역을 판단하는 구성을 나타내는 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치의 수광부에 적용 가능한 유기 박막 포토다이오드의 예시도이다.1 is a block diagram showing a sensing device according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram illustrating a sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 3A, 3B, 3C and 3D are views illustrating various embodiments of a light receiving pattern formed on a light receiving portion of a sensing device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration in which a light receiving unit of a sensing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention is divided into a predetermined area and a control unit determines a sensing area.
5 is an exemplary view of an organic thin film photodiode applicable to a light receiving unit of a sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 '감지 장치'를 상세하게 설명한다. 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 통상의 기술자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.Hereinafter, a 'sensing device' according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. In addition, the matters described in the attached drawings may be different from those actually implemented by the schematic drawings to easily describe the embodiments of the present invention.

한편, 이하에서 표현되는 각 구성부는 본 발명을 구현하기 위한 예일 뿐이다. 따라서, 본 발명의 다른 구현에서는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다른 구성부가 사용될 수 있다.In the meantime, each constituent unit described below is only an example for implementing the present invention. Thus, in other implementations of the present invention, other components may be used without departing from the spirit and scope of the present invention.

또한, 어떤 구성요소들을 '포함'한다는 표현은, '개방형'의 표현으로서 해당 구성요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭할 뿐이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. Also, the expression " comprising " is intended to merely denote that such elements are present as an expression of " open ", and should not be understood to exclude additional elements.

또한, '제1, 제2' 등과 같은 표현은, 복수의 구성들을 구분하기 위한 용도로만 사용된 표현으로써, 구성들 사이의 순서나 기타 특징들을 한정하지 않는다. Also, the expressions such as 'first, second', etc. are used only to distinguish between plural configurations, and do not limit the order or other features among the configurations.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. When a part is "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" with another part in between. Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.

도 1은 종래 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치를 나타내는 구성도이다.1 is a block diagram showing a sensing device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 종래의 감지장치는 벌크 형태의 발광부와 수광부를 PCB 기판에 실장(mounting)한 뒤에 커버기판을 씌워 조립하는 형태로 구현되었다. 한편, 일반적으로 감지장치를 제조하는 공정상 PCB기판과 커버기판 사이에 공간이 발생하는데, 도 1에 나타난 것과 같이 발광부(130) 또는 수광부(140)와 커버기판(120) 사이의 간격(Air gap; 142)이 존재하게 된다. 그러나 이러한 간격은 발광부로부터 조사된 빛이 수광부에 이르기까지의 경로, 즉 센싱 거리의 증가로 이어져 감지장치의 정확도를 감소시킴과 동시에 감지장치의 구동 전력도 많이 소모하게 되는 문제점들을 야기한다. Referring to FIG. 1, a conventional sensing device is implemented by mounting a light emitting portion and a light receiving portion in a bulk shape on a PCB substrate, and then covering and assembling the cover substrate. Generally, a space is formed between the PCB substrate and the cover substrate in the process of manufacturing the sensing device. As shown in FIG. 1, the gap between the light emitting unit 130 or the light receiving unit 140 and the cover substrate 120 gap 142 is present. However, such an interval may lead to an increase in the path from the light emitted from the light emitting portion to the light receiving portion, that is, the sensing distance, thereby reducing the accuracy of the sensing device and consuming a large amount of driving power of the sensing device.

특히, 발광부로부터 조사된 빛은 여러 경로를 통해 수광부에 도달할 수 있는데, 위와 같이 PCB 기판과 커버기판 사이에 간격이 존재하는 경우, 상기 커버기판의 하면에 반사된 빛이 수광부에 도달할 수도 있게 된다. 그러나 이러한 경로를 따라 수광부에 도달한 빛은 소위 크로스토크라 일컬어지는 잡음신호(도 1의 점선 화살표)에 해당하는 것으로, 대상물에 반사된 뒤 수광부에 도달한 빛과 달리 감지시 배제되어야 할 신호에 해당한다. Particularly, the light emitted from the light emitting part can reach the light receiving part through various paths. When there is a gap between the PCB substrate and the cover substrate, light reflected on the bottom surface of the cover substrate may reach the light receiving part . However, the light reaching the light receiving portion along this path corresponds to a so-called crosstalk noise signal (indicated by the dotted arrow in Fig. 1). Unlike light arriving at the light receiving portion after being reflected by the object, .

본 발명은 이와 같이 종래의 포토다이오드가 가지고 있는 단점을 해소하기 위하여, 기존의 근접 센서의 편향된 수광 영역을 광원을 기준으로 하여 전 영역으로 확장하고, 수광부의 면적을 증가시켜 수신 감도를 증가시킬 수 있는 감지 장치에 관한 것으로서, 이하 도 2를 참조하여 상세히 살펴보기로 한다. In order to solve the disadvantages of the conventional photodiode, the present invention extends the biased light receiving area of the conventional proximity sensor to the entire area based on the light source, increases the receiving sensitivity by increasing the area of the light receiving part Which will be described in detail with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치를 나타내는 구성도이다.2 is a configuration diagram illustrating a sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 감지 장치는 기판(210), 발광부(220), 수광부(230) 를 포함할 수 있다.2, the sensing apparatus of the present invention may include a substrate 210, a light emitting unit 220, and a light receiving unit 230.

기판(210)은 배선을 변경할 수 있는 전기 회로가 편성되어 있는 판으로, 절연기판 표면에 도체 패턴을 형성할 수 있는 절연 재료로 만들어진, 프린트, 배선판 및 절연기판을 모두 포함할 수 있다. The substrate 210 is a plate on which an electric circuit capable of changing wiring is knitted. The substrate 210 may include both a printed circuit board, a wiring board, and an insulating substrate made of an insulating material capable of forming a conductor pattern on the surface of the insulating substrate.

또한, 본 발명의 감지 장치는, 커버 기판(241)을 더 포함할 수 있다. 커버 기판은 기판 위에 형성되며, 사용자의 터치 신호 또는 심박 신호 등 여러 입력 신호들을 입력 받을 수 있다. 이러한 커버 기판는 기판(210) 위에 바로 형성될 수도 있고, 커버 기판과 기판 사이에 발광부, 수광부, 그외 여러 반도체 소자 등 감지 장치에 필요한 부품들이 포함될 수도 있다. Further, the sensing device of the present invention may further include a cover substrate 241. The cover substrate is formed on the substrate, and can receive various input signals such as a user's touch signal or a heartbeat signal. Such a cover substrate may be directly formed on the substrate 210, and parts necessary for a sensing device such as a light emitting portion, a light receiving portion, and various other semiconductor devices may be included between the cover substrate and the substrate.

또한, 커버 기판은 기판(210) 위에 형성되는 별도의 격벽에 의해 지지되어 고정될 수도 있다. 이 때, 격벽은 발광부에 의해 조사되는 빛이 곧장 수광부로 도달하는 것을 차단할 수도 있으며, 또 다른 용도로서 격벽은 상기 기판과 상기 커버기판 사이에 위치하여 상기 발광부 또는 상기 수광부가 배치될 수 있는 공간을 형성할 수도 있다.Further, the cover substrate may be supported and fixed by a separate partition formed on the substrate 210. [ In this case, the barrier rib may block the light emitted by the light emitting portion from reaching the light receiving portion directly. As another use, the barrier rib may be located between the substrate and the cover substrate so that the light emitting portion or the light receiving portion Space may be formed.

상기 기판(210) 또는 커버 기판(241)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기판은 소다라임유리(soda lime glass) 또는 알루미노실리케이트유리 등의 화학 강화/반강화유리를 포함하거나, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등의 강화 혹은 연성 플라스틱을 포함하거나 사파이어를 포함할 수 있다. The substrate 210 or the cover substrate 241 may be rigid or flexible. For example, the substrate may comprise glass or plastic. In detail, the substrate may include chemically reinforced / semi-tempered glass such as soda lime glass or aluminosilicate glass, or may include polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), propylene glycol (PPG), polycarbonate (PC), or the like, or may include sapphire.

또한, 상기 기판 또는 커버 기판은 광등방성 필름을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 기판은 COC(Cyclic Olefin Copolymer), COP(Cyclic Olefin Polymer), 광등방 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 광등방 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있다.In addition, the substrate or the cover substrate may comprise an optically isotropic film. For example, the substrate may include a cyclic olefin copolymer (COC), a cyclic olefin polymer (COP), a polycarbonate (PC), a light polymethyl methacrylate (PMMA), or the like.

또한, 상기 기판 또는 커버 기판은 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 기판은 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 자세하게, 상기 기판의 끝단이 곡면을 가지면서 휘어지거나 Random한 곡률을 포함한 표면을 가지며 휘어지거나 구부러질 수 있다. In addition, the substrate or the cover substrate may be curved with a partially curved surface. That is, the substrate may be partially flat and partially curved with a curved surface. In detail, the end of the substrate may be curved with a curved surface or may have a surface including a random curvature, and may be bent or bent.

또한, 상기 기판 또는 커버 기판은 유연한 특성을 가지는 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판은 커브드(curved) 또는 벤디드(bended) 기판일 수 있다.한편, 본 발명의 기판 또는 커버 기판은 PCB(인쇄 회로 기판; printed circuit board) 또는 세라믹 기판으로 이루어질 수 있다. 이 때, PCB 기판은 회로 설계를 근거로 회로부품을 접속하는 전기배선을 배선 도형으로 표현하며, 절연물 상에 전기도체를 재현할 수 있다. 또한, 전기부품을 탑재하고 이들을 회로적으로 연결하는 배선을 형성할 수 있으며, 부품의 전기적 연결기능 외의 부품들을 기계적으로 고정시켜줄 수 있다.In addition, the substrate or the cover substrate may be a flexible substrate having flexible characteristics. In addition, the substrate may be a curved or bended substrate. The substrate or the cover substrate of the present invention may be a printed circuit board (PCB) or a ceramic substrate. At this time, the PCB board expresses the electric wiring connecting the circuit parts based on the circuit design with the wiring diagram, and the electric conductor can be reproduced on the insulating material. In addition, it is possible to form wiring for mounting electric components and connecting them in a circuit, and mechanically fixing components other than the electrical connection function of the components.

발광부(220)는 기판 상에 형성되며, 광 신호를 조사하는 역할을 수행한다. 이 때, 발광부는 기본적으로 모든 방향으로 제1 광 신호(221)을 조사하는 기능을 하며, 이렇게 조사된 제1 광 신호(221)은 커버기판 상에 존재하는 대상물(240)에 의해 흡수 또는 반사되어, 제2 광 신호(222)로 변환된다. 이 때, 발광부는 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 적외선 발광 다이오드(Infrared Emitting Diode), 레이저 다이오드(Laser Diode) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.The light emitting portion 220 is formed on the substrate and serves to irradiate an optical signal. At this time, the light emitting unit basically functions to irradiate the first optical signal 221 in all directions, and the first optical signal 221 thus irradiated is absorbed or reflected by the object 240 existing on the cover substrate And is converted into a second optical signal 222. In this case, the light emitting unit may include at least one of a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), an infrared light emitting diode, and a laser diode.

또한, 발광부(220)는 감지장치를 포함하는 전자 장치로부터 전력을 공급받아, 받은 에너지를 특정 파장의 제1 광 신호(221)로 방출하며, 나아가 상기 발광부(220)는 조사하는 광 신호의 파장을 필요에 따라 변경하기 위하여 다양한 재료를 사용할 수 있다.The light emitting unit 220 receives power from the electronic device including the sensing device and emits the received energy as the first optical signal 221 having a specific wavelength. Further, the light emitting unit 220 emits an optical signal A variety of materials can be used to change the wavelength of light.

수광부(230)는 기판 상에 형성되며, 발광부(220)가 조사하는 제1 광 신호(221)가 대상물에 흡수 또는 반사되는 경우, 흡수 또는 반사된 제2 광 신호(222)를 수신한다. 이러한 수광부(230)는, 도 2와 같이 기판(210) 상에 형성되는 발광부(220)의 위에 위치하는 것이 바람직하며, 수광부는 커버 기판(241) 하면에 형성되어, 기판 상에 형성되는 발광부와 밀착하여 위치할 수도 있으며, 커버 기판이 없는 경우 발광부가 형성된 후 그 위에 형성될 수도 있다. The light receiving unit 230 is formed on the substrate and receives the second optical signal 222 absorbed or reflected when the first optical signal 221 irradiated by the light emitting unit 220 is absorbed or reflected by the object. 2, the light receiving unit 230 is formed on the lower surface of the cover substrate 241, and the light receiving unit 230 is formed on the lower surface of the cover substrate 241, Or may be formed on the light emitting portion after the light emitting portion is formed in the absence of the cover substrate.

이 때, 수광부(230)는 상기 흡수 또는 반사된 제2 광 신호(222)를 수신하고 광전류 신호를 생성한다. 이 때, 수광부(230)는 광 다이오드(Photodiode), 광 전자 증배관, 광 트랜지스터(Phototransistor) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 특히, 수광부(230)는 본 발명의 유기 박막 포토다이오드로 이루어지는 것이 바람직하다. 수광부가 유기 박막 포토다이오드로 이루어지는 경우, 면적과 형상의 제약이 없이 수광부의 구조 설계가 가능하게 된다.At this time, the light receiving unit 230 receives the absorbed or reflected second optical signal 222 and generates a photocurrent signal. In this case, the light receiving unit 230 may be implemented by at least one of a photodiode, an optical amplifying tube, and a phototransistor. In particular, the light receiving portion 230 preferably comprises the organic thin film photodiode of the present invention. In the case where the light receiving portion is formed of an organic thin film photodiode, the structure of the light receiving portion can be designed without restriction of area and shape.

유기 박막 포토다이오드는 유기 재료를 기반으로 하며, 광 검지기를 대체할 수 있는 소자이다. 이러한 유기 박막 포토다이오드는 카메라 등 전자 장치의 광 민감도를 향상시키며, 균일한 색상 조성으로 디스플레이가 될 수 있는지 조사할 때 사용될 수 있다. 또한, 유기 박막 포토다이오드는 무기 물질들과 비교하여 매우 가볍고, 생산하는데 비용이 적게 들며, 유연한 응용분야에 사용될 수 있는 장점을 가진다. Organic thin film photodiodes are based on organic materials and can replace photodetectors. Such an organic thin film photodiode improves the light sensitivity of electronic devices such as cameras and can be used to investigate whether a display can be made with a uniform color composition. In addition, organic thin film photodiodes are very light compared to inorganic materials, are less expensive to produce, and can be used in flexible applications.

유기 재료는 특히, 유기 재료의 소재에 따라서 특별한 파장 영역(ex; 적색 광, 녹색 광, 청색 광 등)에서만 민감성을 가질 수 있으므로, 사용처에 대한 적절한 재료를 선택하여 광학 센서의 스펙트럼 민감도를 조절할 수 있다. 또한, UV로부터 IR까지 흡수 스펙트럼이 좋은 특징을 가지며, 높은 photogeneration yield, 무기 재료와 비교하여 상대적으로 낮은 온도의 공정 능력을 통한 거의 대부분의 기판 공정 수용이 가능한 점 등 많은 장점을 가진다.Organic materials can be sensitive only to specific wavelength regions (ex. Red light, green light, blue light, etc.) depending on the material of the organic material, so that the spectral sensitivity of the optical sensor can be adjusted by selecting an appropriate material have. In addition, it has many advantages such as good absorption spectrum from UV to IR, high photogeneration yield, ability to accommodate almost all substrate processes through relatively low temperature processing ability as compared with inorganic materials.

한편, 도 3a, 도 3b, 도 3c, 도 3d를 참조하면, 수광부(230)는 발광부(220) 상에 형성되어, 발광부(220)가 대상물에 조사하는 제1 광 신호(221)가 통과할 수 있는 광 투과 패턴 및 제2 광 신호(222)를 수신하는 수광 패턴을 포함할 수 있다. 3A, 3B, 3C and 3D, the light receiving unit 230 is formed on the light emitting unit 220, and the first optical signal 221 irradiated to the object by the light emitting unit 220 And a light-receiving pattern for receiving the second optical signal 222. The light-

본 발명의 수광부는 유기 박막 포토다이오드로 구성되며, 유기 박막 포토다이오드는 투명 기판 상에 여러 개의 전극과 활성화층, 버퍼층 등으로 형성하게 되는데, 전극에 제2 광 신호가 도달하게 되면 광전류 신호가 생성되어 감지하게 되는 것이다. 이 때, 이러한 전극의 형상이 여러 모양의 수광 패턴으로 형성될 수 있어, 수광부의 수광 패턴을 자신이 원하는 모양으로 형성할 수 있다.The photodetector of the present invention is formed of an organic thin film photodiode, and the organic thin film photodiode is formed of a plurality of electrodes, an activation layer, a buffer layer, and the like on a transparent substrate. When a second optical signal reaches the electrode, . At this time, the shape of such an electrode can be formed into a light receiving pattern of various shapes, and the light receiving pattern of the light receiving portion can be formed into a desired shape.

또한, 투명 기판 상에 전극이 형성되지 않은 부분은 그대로 투명 기판으로 남게 되는데, 이 부분은 별도의 패턴을 형성하지 않더라도, 수광 패턴의 형성에 따라 투명 기판의 남은 부분이 패턴 모양처럼 보이게 된다. 예를 들어, 도 3b를 참조하면, 투명 기판에 메쉬 형상으로 수광 패턴(231)을 형성하게 되면, 수광 패턴이 없는 다른 부분은 그냥 투명 기판 그 자체이지만 정사각형이 행렬을 이루어 정렬된 모양으로 광 투과 패턴(232)을 형성하게 되는 것이다.In addition, the portion where the electrode is not formed on the transparent substrate remains as the transparent substrate, and the remaining portion of the transparent substrate looks like a pattern shape according to the formation of the light receiving pattern even if no separate pattern is formed. For example, referring to FIG. 3B, when a light receiving pattern 231 is formed in a mesh shape on a transparent substrate, the other portion having no light receiving pattern is a transparent substrate itself, but a square- The pattern 232 is formed.

따라서, 수광부의 투명 기판에 제1 전극, 제2 전극 등 여러 전극의 형태를 통해 이루어지는 수광 패턴과, 투명 기판에서 수광 패턴을 형성할 때 형성되는 투명 부분이 광 투과 패턴을 형성하게 되며, 수광 패턴과 광 투과 패턴은 여러 형태를 만들어낼 수 있다. 따라서, 발광부에서 제1 광 신호를 조사하면 수광부의 광 투과 패턴을 거쳐 대상물에 도달하게 되고, 대상물에 흡수 또는 반사된 제2 광 신호가 다시 수광부에 도달하여, 수광부의 수광 패턴에 의하여 빛을 감지하게 된다.Therefore, a light receiving pattern formed through the shape of various electrodes such as the first electrode and the second electrode, and a transparent portion formed when the light receiving pattern is formed on the transparent substrate form a light transmitting pattern on the transparent substrate of the light receiving unit, And the light transmission pattern can produce various shapes. Therefore, when the first light signal is emitted from the light emitting portion, the light reaches the object through the light transmission pattern of the light receiving portion, and the second light signal absorbed or reflected by the object reaches the light receiving portion again, .

이 때, 수광부의 수광 패턴은 이격된 다수의 패턴 조각을 포함하여 일정한 간격과 형상을 가지고 배열될 수도 있으며, 패턴 형상이 랜덤 또는 의사-랜덤으로 이루어져 불규칙적인 간격과 형상을 가지고 배열될 수도 있다. 또한, 수광부의 수광 패턴은 메쉬 형상으로 형성되어, 메쉬 형상의 개구부를 통하여 제1 광 신호가 통과하도록 할 수도 있다. 이로 인하여, 발광부와 수광부 사이의 거리가 감소하고, 광 신호의 수신 감도 및 센싱 반응 속도가 증가될 수 있으며, 제조상의 용이성이 증대되어 감지 장치의 생산성이 증가하는 장점이 있다.In this case, the light-receiving pattern of the light-receiving unit may be arranged with a predetermined interval and shape including a plurality of spaced pattern pieces, and the pattern shapes may be randomly or pseudo-randomly arranged with irregular intervals and shapes. Further, the light receiving pattern of the light receiving portion may be formed in a mesh shape so that the first optical signal passes through the mesh-shaped opening portion. Therefore, the distance between the light emitting portion and the light receiving portion can be reduced, the receiving sensitivity of the optical signal and the sensing reaction speed can be increased, and the ease of manufacturing can be increased, thereby increasing the productivity of the sensing device.

수광 패턴은 수광부의 투명 기판상에 형성되는 제1 전극 및 제2 전극으로 이루어질 수 있으며, 전극을 통하여 제2 광 신호를 수신함으로써 감지할 수 있다. 또한, 광 투과 영역(232)는 수광부가 형성되는 투명 기판 또는 그 외 기타 광 투과성 물질로 이루어지므로, 발광부가 대상물에 조사하는 제1 광 신호가 통과할 수 있다.The light receiving pattern may include a first electrode and a second electrode formed on the transparent substrate of the light receiving unit, and may be detected by receiving the second optical signal through the electrode. Further, since the light transmitting region 232 is made of a transparent substrate on which the light receiving portion is formed or other light transmitting material, the first light signal irradiated to the object by the light emitting portion can pass through.

도 3a를 참조하면, 본 발명의 감지 장치는 수광부(230)의 수광 패턴이 이격된 다수의 패턴 조각을 포함하여, 이 때 다수의 수광 패턴간 이격되어 있는 패턴을 통하여 제1 광 신호가 통과할 수 있다. 다수의 패턴 조각은 도 3a와 같이 행렬 형태로 각각이 분리된 형태를 형성할 수도 있으며, 감지 장치의 설계자가 필요로 하는 구성에 따라서 규칙적/불규칙적인 이격 영역을 형성할 수도 있다.3A, the sensing apparatus of the present invention includes a plurality of pattern pieces spaced apart from each other by a light receiving pattern of the light receiving unit 230. In this case, the first optical signal passes through a pattern spaced apart from the plurality of light receiving patterns . As shown in FIG. 3A, a plurality of pattern pieces may be separated into a matrix shape or a regular / irregular spacing region according to a configuration required by a designer of the sensing device.

도 3b, 도 3c, 도 3d를 참조하면, 본 발명의 감지 장치는, 수광부의 수광 패턴이 메쉬 형상이며 메쉬 형상의 개구부를 통하여 제1 광 신호가 통과할 수 있다. 메쉬 형상의 개구부(232)는, 실질적으로 제2 광 신호를 감지하도록 하는 수광 패턴(231)이 수광부(230)에 형성되지 않은 영역(232)을 말하며, 도 3b와 같이 삼각형 형태, 도 3c와 같이 정사각형 또는 직사각형 형태, 도 3d와 같이 육각형 형태로 이루어질 수 있다. 또한, 메쉬 형상의 개구부가 각각 서로 다른 모양을 가지고 이루어질 수도 있고, 사각형/삼각형의 복합 패턴 등 감지 장치의 설계자가 필요로 하는 다양한 메쉬 개구부의 형상을 사용하여 이루어질 수 있다.3B, 3C, and 3D, the sensing device of the present invention is capable of passing a first optical signal through a mesh-shaped opening with a light-receiving pattern of a light-receiving portion formed in a mesh shape. The mesh-shaped opening 232 refers to a region 232 in which the light receiving pattern 231 for sensing the second optical signal is not formed in the light receiving portion 230. The opening 232 has a triangular shape as shown in FIG. A square or a rectangular shape, and a hexagonal shape as shown in FIG. 3D. In addition, the mesh-shaped openings may have different shapes, or may be formed using various shapes of mesh openings required by a designer of a sensing device such as a square / triangle composite pattern.

또한, 본 발명의 발광부(220) 또는 수광부(230)는, 기판에 밀착하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 이 때, 바람직한 실시예로서 발광부(220)는 기판(210) 상에 형성되며, 수광부(230)는 커버 기판(241) 상에 형성될 수 있다. 이 때, 발광부(220)와 수광부(230) 사이에는 별도의 공간이 형성될 수도 있으며, 감지 장치 자체의 두께를 줄이기 위하여 발광부와 수광부가 공간 없이 직접 맞닿아 형성될 수도 있다. 발광부(220)가 기판(210)에 형성되거나 수광부(230)가 커버 기판(241)에 형성되는 일 실시예로서, 발광부(220) 또는 수광부(230)는 페이스트 상태의 물질을 소성 공정에 의해 소결시키는 방식으로 기판(210) 또는 커버 기판(241)에 형성시킬 수 있다. Further, the light emitting portion 220 or the light receiving portion 230 of the present invention is formed in close contact with the substrate. In this case, the light emitting unit 220 may be formed on the substrate 210, and the light receiving unit 230 may be formed on the cover substrate 241 as a preferred embodiment. In this case, a separate space may be formed between the light emitting unit 220 and the light receiving unit 230, and the light emitting unit and the light receiving unit may be directly contacted without space to reduce the thickness of the sensing device itself. The light emitting part 220 or the light receiving part 230 may be formed by a method in which the paste material is subjected to a firing process in an embodiment in which the light emitting part 220 is formed on the substrate 210 or the light receiving part 230 is formed on the cover substrate 241 The substrate 210 or the cover substrate 241 can be formed by sintering.

더 구체적으로, 상기 발광부 또는 수광부는 진공증착법, CVD, 인쇄공법 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 기판 또는 커버 기판의 상면에 밀착하여 형성될 수 있다. 이와 같이 진공 증착이나 패터닝 등을 이용하여 기판 또는 커버 기판 위에 매우 얇은 피박인 박막을 형성하는 경우 사이의 간격을 최소화할 수 있으며 센서를 포함하는 전자 장치 자체의 두께를 얇게 하며 무게를 가볍게 만들 수 있는 장점이 있다. 또한, 커버기판 위의 대상물과의 센싱 거리가 가까워지므로, 수광부(230)의 감도(sensitivity)가 증가할 수 있다. 또한, 종래의 감지장치와 동일한 구동전압으로 감지 효율을 높일 수 있으므로 낮은 구동전압으로 기존과 동일한 성능을 구현할 수 있게 되는 효과가 있다. More specifically, the light emitting portion or the light receiving portion may be formed in close contact with the upper surface of the substrate or the cover substrate using at least one of vacuum deposition, CVD, and printing. As described above, it is possible to minimize the interval between the case where a very thin foil thin film is formed on a substrate or a cover substrate by using vacuum deposition, patterning or the like, and the thickness of the electronic device itself including the sensor can be made thin, There are advantages. Further, since the sensing distance with respect to the object on the cover substrate is shortened, the sensitivity of the light receiving unit 230 can be increased. In addition, since the detection efficiency can be increased with the same driving voltage as that of the conventional sensing device, the same performance as the conventional one can be realized with a low driving voltage.

한편, 본 발명의 감지 장치는, 수광부와 기판 사이에 형성되는 광 차폐층을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 감지장치를 살펴볼 때, 발광부가 수광부를 통과하여 제1 광 신호를 조사하게 되므로, 수광부가 제1 광 신호를 직접 감지하게 되는 문제점이 생길 수 있다. Meanwhile, the sensing apparatus of the present invention may further include a light shielding layer formed between the light receiving unit and the substrate. In the sensing apparatus of the present invention, since the light emitting unit irradiates the first optical signal through the light receiving unit, the light receiving unit may directly detect the first optical signal.

이러한 신호들은 모두 결과적으로 크로스토크에 해당하는 신호들로서 향후 노이즈 신호로 분류되므로, 위와 같은 문제점을 극복하기 위하여, 수광부(230)의 일부 또는 바람직하게는 수광부의 수광 패턴에 해당하는 영역을 광차폐층으로 형성하여 원천적으로 발광부(220)로부터의 직접적인 광 신호를 차단하게 한다.In order to overcome such a problem, a part of the light receiving unit 230 or preferably a region corresponding to the light receiving pattern of the light receiving unit is divided into a light shielding layer So that a direct optical signal from the light emitting part 220 is cut off.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치의 수광부가 일정 영역으로 분할되어 제어부가 감지 영역을 판단하는 구성을 나타내는 예시도이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration in which a light receiving unit of a sensing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention is divided into a predetermined area and a control unit determines a sensing area.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 감지 장치는 제어부를 더 포함할 수 있는데, 제어부는 수광부가 생성한 광전류 신호를 수신하여, 기 설정된 조건에 따라 광전류 신호를 분석할 수 있다. 이 때, 제어부는 센서를 포함하는 전자 장치의 목적 및 사용 방법에 따라서 광전류 신호를 용도에 맞는 적절한 분석을 수행할 수 있다. Referring to FIG. 4, the sensing apparatus according to the present invention may further include a controller. The controller receives the photocurrent signal generated by the photodetector, and analyzes the photocurrent signal according to predetermined conditions. At this time, the controller can perform an appropriate analysis of the photocurrent signal according to the purpose and the usage method of the electronic device including the sensor.

예를 들어, 발광부와 수광부를 포함하는 센서가 심박 센서인 경우, 발광부가 조사한 광 신호가 커버 글래스커버 기판 위에상에 위치하는 손가락/손목/팔목에서 흡수/반사되면, 흡수/반사된 광 신호를 수광부가 수신하여 수신한 광 신호의 세기에 따라서 광 전류를 발생하게 된다. 이 때, 심박 신호 센싱의 경우 발생된 광 전류 신호가 맥박에 따라서 강/약을 반복하게 되므로, 제어부는 광전류 신호의 강약 주기에 따라서 맥박을 측정할 수 있다. 이러한 제어부는 바람직하게는 상기 기판(210)에 구비된 집적회로(ASIC. Application Specific Integrated Circuit)의 형태로 구현될 수 있다.For example, when the sensor including the light emitting portion and the light receiving portion is a heartbeat sensor, when the light signal irradiated by the light emitting portion is absorbed / reflected by the finger / wrist / cuff located on the cover glass cover substrate, And the photocurrent is generated according to the intensity of the received optical signal. At this time, since the photocurrent signal generated in the case of the heartbeat signal sensing repeats the strength / weakness according to the pulse, the control unit can measure the pulse according to the intensity period of the photocurrent signal. The control unit may be implemented in the form of an application specific integrated circuit (ASIC) provided on the substrate 210.

또한, 본 발명의 감지 장치의 수광부는 기 설정된 일정 영역으로 분할하여, 상기 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신한 영역 정보를 상기 제어부로 전송할 수 있으며, 제어부는 상기 영역 정보를 수신하고, 상기 수광부의 광 신호 수신 위치를 확인할 수 있다.In addition, the light receiving unit of the sensing apparatus of the present invention may divide the light receiving unit into predetermined areas and transmit the area information on which the second optical signal is absorbed or reflected to the control unit. The control unit receives the area information, Receiving position of the light receiving unit can be confirmed.

예를 들어, 수광부(230)를 기 설정된 영역으로 나누어, 수광부 상층(233), 수광부 하측(234), 수광부 좌측(235), 수광부 우측(236)으로 나눌 수 있다. 이 때, 발광부(220)로부터 조사된 광 신호가 대상물에 반사되어 수광부 상층(233)에 감지되는 경우, 수광부 상층에 감지되었음을 나타내는 영역 정보를 제어부로 전송하고, 제어부는 수광부 상층에 광 신호가 수신되었음을 바로 확인할 수 있다.For example, the light receiving unit 230 can be divided into a predetermined area, and the light receiving unit upper layer 233, the light receiving unit lower side 234, the light receiving unit left side 235, and the light receiving unit right side 236. At this time, when the optical signal irradiated from the light emitting unit 220 is reflected by the object and is detected by the light receiving unit upper layer 233, the control unit transmits the area information indicating that the light signal is detected to the upper layer of the light receiving unit, It can be immediately confirmed that it has been received.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 장치의 수광부에 적용 가능한 유기 박막 포토다이오드의 예시도이다.5 is an exemplary view of an organic thin film photodiode applicable to a light receiving unit of a sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 수광부(230)는 투명 기판(251), 제1 전극(252), 활성화 층(253), 제2 전극(254, 255)를 포함할 수 있으며, 버퍼층(256) 및 보호층(257)을 더 포함할 수도 있다. 이 때, 유기 박막 포토다이오드를 형성하는 방법은, 투명 기판 상에 제1 전극을 형성하고, 표면 처리 후 버퍼층과 활성화 층을 형성하고, 제2 전극을 형성하게 된다. 또한, 수광부의 제1 전극(252), 제2 전극(254, 255)는 상술한 수광 패턴의 형상으로 투명 기판 상에 형성하도록 하여, 수광 패턴과 광 투과 패턴을 형성할 수도 있다.5, the light receiving portion 230 may include a transparent substrate 251, a first electrode 252, an activation layer 253, a second electrode 254 and 255, and may include a buffer layer 256 and a protection Layer 257 as shown in FIG. At this time, in the method of forming the organic thin film photodiode, the first electrode is formed on the transparent substrate, the buffer layer and the activation layer are formed after the surface treatment, and the second electrode is formed. The first electrode 252 and the second electrodes 254 and 255 of the light receiving unit may be formed on the transparent substrate in the form of the light receiving pattern described above to form a light receiving pattern and a light transmitting pattern.

또한, 제2 전극(254, 255)은 하나의 전극으로 이루어질 수도 있으며, 제1 서브 전극(254), 제2 서브 전극(255)을 포함하여 이루어질 수도 있다. 이 때, 제1 서브 전극(254)은 제1 전극(252)과 같이 글라스 위에 형성될 수 있으며, 제2 서브 전극(255)은 제1 서브 전극(254)과 연결되어 전극의 역할을 수행함과 동시에, 제1 서브 전극(254)을 산화/부식 등으로부터 보호하는 역할을 수행한다. 또한, 제2 서브 전극은 이 때, 제1 서브 전극(254)과 제2 서브 전극(255)의 일함수 차이가 큰 물질을 포함할 수 있도록 형성될 수 있으며, 제1 서브 전극(254)은 LiF, 제2 서브 전극(255)은 칼슘(Ca), 알루미늄(Al)등의 물질을 사용하여 형성될 수 있다.The second electrodes 254 and 255 may be one electrode and may include a first sub electrode 254 and a second sub electrode 255. In this case, the first sub-electrode 254 may be formed on the glass like the first electrode 252, and the second sub-electrode 255 may be connected to the first sub-electrode 254 to serve as an electrode At the same time, it serves to protect the first sub-electrode 254 from oxidation / corrosion and the like. The second sub-electrode 254 may be formed to include a material having a large work function difference between the first sub-electrode 254 and the second sub-electrode 255, and the first sub- LiF and the second sub electrode 255 may be formed using a material such as calcium (Ca) or aluminum (Al).

먼저, ITO 패턴을 설계하고 마스크를 제작하여 유리(Glass) 또는 투명 기판(251) 위에 제1 전극(252)을 형성한다. ITO(Indium Tin Oxide)는 인듐 주석 산화물을 말하는 것으로, 보편적으로 사용되는 도전성 투명 전극이다. 이러한 ITO는 가시광선 영역에서는 투광 영역이 나타나며, 적외선 영역에서는 반사 특성이 우수하며 낮은 전기저항을 갖는 산화물이다. 또한, ITO 패터닝 시, 레이저 프린트(Laser Writer) 패터닝, 마스크(Mask) 적용 패터닝의 방법을 사용할 수 있다.First, an ITO pattern is designed and a mask is formed to form the first electrode 252 on the glass or the transparent substrate 251. ITO (Indium Tin Oxide) refers to indium tin oxide, and is a commonly used conductive transparent electrode. Such ITO is an oxide having a light-transmitting region in the visible light region, an excellent reflection characteristic in the infrared region, and a low electric resistance. In ITO patterning, a method of patterning using a laser printer or masking can be used.

이어, 제1 전극(252)의 표면을 세정하고 친수 처리한다. 이 때, 아세톤과 알코올을 이용하여 세정하고, 플라스마(Plasma) 처리하여 코팅성을 확보할 수 있다. 이 때, i)세제(detergent)와 증류수를 혼합한 용액에 음파처리(sonication)하고, ii)아세톤(Acetone) 용액에 가열(heating)하며, iii)IPA 용액에 가열하며, iv)자외선-오존(UV-ozone) 처리한다.Then, the surface of the first electrode 252 is cleaned and subjected to hydrophilic treatment. At this time, cleaning is performed using acetone and alcohol, and plasma treatment can be performed to secure coatability. In this case, i) sonication of a mixture of detergent and distilled water, ii) heating in an acetone solution, iii) heating in an IPA solution, iv) ultraviolet-ozone (UV-ozone) treatment.

또한, 제1 전극(252) 위에 버퍼층(256)를 형성할 수 있다. 버퍼층은 제2 전극 위에 PEDOT:PSS(PolyEthylene DiOxy Thiophene:PolyStyrene Sulfonate)을 코팅하여 형성할 수 있으며, PEDOT층은 전도성이 높은 고분자 물질로 내열성과 내광성 등의 화학안정성이 뛰어나다. 또한, 버퍼층을 형성하는 인쇄 공정에서 스핀 코팅(Spin Coating)을 사용할 수 있다. 이 때, i)스핀 코팅을 실시하고, ii)Hot Plate 에서 열처리(baking)한다.In addition, the buffer layer 256 may be formed on the first electrode 252. The buffer layer can be formed by coating PEDOT: PSS on the second electrode. The PEDOT layer is a highly conductive polymer material and has excellent chemical stability such as heat resistance and light resistance. Spin coating may be used in the printing process for forming the buffer layer. At this time, i) spin coating is performed, and ii) baking is performed on a hot plate.

이어, 활성화 층(253)을 형성할 수 있다. 이 때, 활성화 층에 사용되는 유기물을 합성하고 활성화 층을 코팅한다. 활성화 층은 빛을 직접적으로 흡수하여 감지하는 층으로, 스핀 코팅(Spin Coating), 잉크젯 프린팅(Ink Jet Printing), 슬롯 다이 코팅(Slot Die Coating) 등의 인쇄 공정을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 활성화 층(253)은 플로렌 계열의 고분자 물질을 사용할 수도 있고, PC60BM, PC70BM 등 여러 물질을 사용할 수 있다.Then, the activation layer 253 can be formed. At this time, the organic material used for the activation layer is synthesized and the activation layer is coated. The activation layer is a layer for directly sensing and absorbing light, and may be formed using a printing process such as spin coating, ink jet printing, and slot die coating. The active layer 253 may be formed of a fluorene-based polymer material, or may be made of various materials such as PC60BM and PC70BM.

이 때, i)스핀 코팅을 실시하고, ii)Hot Plate 에서 열처리(baking)한다. iii)이어, 활성화 영역 이외의 부분을 아세톤(Acetone)을 이용하여 제거한다. 활성화 층 용액을 제조하는 경우, P3HT와 PC60BM을 1/0.7 중량비와 ODCB(1, 2-dichlorobenzene)로 용해한 후 교반한다.At this time, i) spin coating is performed, and ii) baking is performed on a hot plate. iii) Subsequently, portions other than the activated region are removed using acetone. For the preparation of the activating layer solution, P3HT and PC60BM are dissolved in ODCB (1, 2-dichlorobenzene) at a weight ratio of 1 / 0.7 and stirred.

활성화 층(253) 형성 이후, 제2 전극(254, 255)을 형성할 수 있다. 제2 전극을 증착하고 형성하여 마이크로전극을 제작할 수 있으며, 증착시에는 섀도우 마스크(Shadow Mask)를 사용하여 증착할 수 있으며, 제2 전극의 재료에는 Ag, Ca/Ag, Al 등 전극에 사용될 수 있는 모든 재료가 가능하다. 이어, 캡슐화된 보호층(257)을 형성할 수 있다. 이 때, 자외선 타입 레진인 에폭시 계열 레진을 사용할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 제2 전극(254, 255)은 하나의 전극으로 이루어질 수도 있으며, 제1 서브 전극(254), 제2 서브 전극(255)을 포함하여 이루어질 수도 있다.After the activation layer 253 is formed, the second electrodes 254 and 255 can be formed. The second electrode may be deposited and formed to form a microelectrode. The deposition may be performed using a shadow mask. The material of the second electrode may be used for an electrode such as Ag, Ca / Ag, or Al. All the materials available are available. The encapsulated protective layer 257 may then be formed. At this time, an epoxy resin which is an ultraviolet type resin can be used. Also, as described above, the second electrodes 254 and 255 may be one electrode, and may include a first sub electrode 254 and a second sub electrode 255.

제2 전극을 형성하는 경우, i)LiF층, Al층을 금속 용착(metal deposition)하고, ii)어닐링(Annealing)하며, iii)글래스층에 배리어 시트(Barrier Sheet)를 장착하고 자외선 레진(UV resin)을 글래스층에 바른 후 자외선(UV) 처리를 실행한다. 또한, 제2 전극이 제1 서브 전극 및 제2 서브 전극으로 이루어지는 경우, 제1 서브 전극(254)은 LiF층, 제2 서브 전극(255)은 칼슘(Ca)층 또는 알루미늄(Al)층의 물질을 사용하여 형성될 수 있다.(Ii) annealing the LiF layer and the Al layer, (iii) attaching a barrier sheet to the glass layer, and (ii) applying ultraviolet resin (UV) resin is applied to the glass layer and ultraviolet (UV) treatment is performed. When the second electrode is composed of the first sub electrode and the second sub electrode, the first sub electrode 254 is a LiF layer and the second sub electrode 255 is a calcium (Ca) layer or an aluminum (Al) layer. Materials can be used.

이 때, 제1 전극은 양극으로, 제2 전극은 음극으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 전극을 구성하는 재료의 일함수 차이가 0.5 내지 1.5 eV 인 것을 특징으로 한다. 제1 전극과 제2 전극을 구성하는 재료의 일함수 차이가 크면 클수록 효율이 높아진다. At this time, the first electrode may be used as an anode and the second electrode may be used as a cathode. The first electrode and the second electrode are characterized in that the work function difference of the material constituting the electrode is 0.5 to 1.5 eV. The greater the work function difference of the materials constituting the first and second electrodes, the higher the efficiency.

한편, 본 발명은 심박 센서에도 적용될 수 있다. 심박 센서는, 기판, 기판 상의 발광부, 발광부 상의 수광부, 수광부 상의 커버 기판을 포함하고, 발광부는 대상물에 제1 광 신호를 조사하며, 수광부는 제1 광 신호가 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하며, 대상물은 커버 기판 상에 위치하며, 수광부는 다수의 수광 패턴을 포함하여, 제1 광 신호가 통과할 수 있는 광 투과 영역을 포함하는 유기 박막 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 감지 장치에 관한 것이다.The present invention can also be applied to a heart rate sensor. The heartbeat sensor includes a substrate, a light emitting portion on the substrate, a light receiving portion on the light emitting portion, and a cover substrate on the light receiving portion. The light emitting portion irradiates the object with a first optical signal, 2 optical signal, the object being located on a cover substrate, and the light receiving portion including a plurality of light receiving patterns, wherein the light receiving portion is an organic thin film photodiode including a light transmitting region through which the first optical signal can pass Sensing device.

심박 센서의 경우, 발광부에서 발생하는 제1 광 신호가 커버 기판 위의 손가락/손바닥/신체의 혈관이나 피부에 흡수 또는 반사되어 제2 광 신호를 발생하게 된다. 이어, 흡수 또는 반사되는 제2 광 신호가 수광부의 수광 패턴에 도달하며, 수광부는 제2 광 신호를 수신하고 광전류 신호를 생성하여 제어부로 송신하게 된다.In the case of the heartbeat sensor, the first optical signal generated by the light emitting unit is absorbed or reflected by the finger, palm, or skin of the body on the cover substrate to generate the second optical signal. Then, the second optical signal that is absorbed or reflected reaches the light receiving pattern of the light receiving unit, and the light receiving unit receives the second optical signal, generates a photocurrent signal, and transmits the photocurrent signal to the control unit.

이 때, 심장이 뛸 때마다 피부 속에서 피가 움직이기 때문에 손가락/손바닥/신체의 투명도가 조금씩 변하게 되며, 제2 광 신호가 달라지게 되므로 수광부가 생성하는 광전류 신호의 크기가 달라지게 되어, 심장이 얼마나 빠른 속도로 뛰고 있는지 계산할 수 있다.At this time, since the blood moves in the skin every time the heart runs, the transparency of the finger / palm / body changes little and the second optical signal changes, so that the magnitude of the photocurrent signal generated by the light- You can calculate how fast you are running.

위에서 설명된 본 발명의 실시 예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 이들에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정 및 변경을 가할 수 있을 것이며, 이러한 수정 및 변경은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.The embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention.

110: 종래 기판 120: 종래 커버기판
130: 종래 발광부 140: 종래 수광부
142: 종래 수광부 또는 발광부와 커버기판 사이의 간격(Air gap)
150: 종래격벽 160: ASIC
210: 기판 220: 발광부
221: 제1 광 신호 222: 제2 광 신호
230: 수광부 231: 수광 패턴
232: 광 투과 영역
233, 234, 235, 236: 수광부가 분할된 감지 영역
240: 대상물 241: 커버 기판
251: 투명 기판 252: 제1 전극
253: 활성화 층 254: 제1 서브 전극
255: 제2 서브 전극 254, 255: 제2 전극
256: 버퍼층 257: 보호층110: conventional substrate 120: conventional cover substrate
130: conventional light emitting unit 140: conventional light receiving unit
142: Conventional light receiving portion or air gap between the light emitting portion and the cover substrate
150: Conventional barrier 160: ASIC
210: substrate 220:
221: first optical signal 222: second optical signal
230: light receiving section 231: light receiving pattern
232: light transmitting region
233, 234, 235, and 236:
240: object 241: cover substrate
251: transparent substrate 252: first electrode
253: Activation layer 254: First sub-electrode
255: second sub-electrode 254, 255: second electrode
256: buffer layer 257: protective layer

Claims (15)

기판;
상기 기판 상의 발광부;
상기 발광부 상의 수광부;
를 포함하고,
상기 발광부는 대상물에 제1 광 신호를 조사하며,
상기 수광부는 상기 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하며,
상기 대상물은 상기 수광부 상에 위치하며,
상기 수광부는 상기 제1 광 신호가 통과할 수 있는 광 투과 패턴 및 상기 제2 광 신호를 수신하는 수광 패턴을 포함하는 유기 박막 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 감지 장치.
Board;
A light emitting portion on the substrate;
A light receiving unit on the light emitting unit;
Lt; / RTI >
Wherein the light emitting unit irradiates the object with a first optical signal,
Wherein the light receiving unit receives a second optical signal absorbed or reflected from the object,
Wherein the object is located on the light receiving portion,
Wherein the light receiving unit is an organic thin film photodiode including a light transmitting pattern through which the first optical signal can pass and a light receiving pattern for receiving the second optical signal.
제 1항에 있어서,
상기 발광부는,
발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED), 적외선 발광 다이오드(Infrared Emitting Diode), 레이저 다이오드(Laser Diode) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
The light-
Wherein the sensing device includes at least one of a light emitting diode (LED), an organic light emitting diode (OLED), an infrared light emitting diode, and a laser diode.
제 1항에 있어서,
상기 수광 패턴은,
이격된 다수의 패턴 조각을 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
The light-
And a plurality of spaced apart pattern pieces.
제 1항에 있어서,
상기 수광 패턴은,
패턴 형상이 랜덤 또는 의사-랜덤인 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
The light-
Wherein the pattern shape is random or pseudo-random.
제 1항에 있어서,
상기 수광부의 수광 패턴은 메쉬 형상이며, 상기 메쉬 형상의 개구부를 통하여 상기 제1 광 신호가 통과하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light receiving pattern of the light receiving portion is a mesh shape, and the first optical signal passes through the opening of the mesh shape.
제 5항에 있어서,
상기 메쉬 형상의 개구부는,
삼각형, 정사각형, 직사각형, 평행사변형, 육각형 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 감지 장치.
6. The method of claim 5,
The mesh-
A triangle, a square, a rectangle, a parallelogram, or a hexagon.
제 1항에 있어서,
상기 수광부는,
투명 기판;
상기 투명 기판 상에 적층된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 적층된 활성화 층; 및
상기 활성화 층 상에 적층된 제2 전극;
으로 형성된 유기 박막 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
The light-
A transparent substrate;
A first electrode stacked on the transparent substrate;
An activation layer stacked on the first electrode; And
A second electrode stacked on the activation layer;
And an organic thin film photodiode formed on the substrate.
제 7항에 있어서,
상기 유기 박막 포토다이오드는,
상기 활성화 층 및 상기 제1 전극 사이에 적층된 버퍼층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
8. The method of claim 7,
The organic thin-film photodiode includes:
A buffer layer stacked between the activation layer and the first electrode;
The sensing device further comprising:
제 7항에 있어서,
상기 유기 박막 포토다이오드는,
상기 제2 전극 상에 적층된 보호층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
8. The method of claim 7,
The organic thin-film photodiode includes:
A protective layer stacked on the second electrode;
The sensing device further comprising:
제 7항에 있어서,
상기 제2 전극은,
제1 서브 전극;
제2 서브 전극;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the second electrode comprises:
A first sub-electrode;
A second sub-electrode;
The sensing device further comprising:
제 7항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은,
전극을 구성하는 재료의 일함수 차이가 0.5 내지 1.5 eV인 것을 특징으로 하는 감지 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the first electrode and the second electrode are connected to each other,
Wherein the work function difference of the material constituting the electrode is 0.5 to 1.5 eV.
제 1항에 있어서,
상기 수광부는,
상기 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하고, 광전류 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
The method according to claim 1,
The light-
Receiving the absorbed or reflected second optical signal, and generating a photocurrent signal.
제 12항에 있어서,
상기 수광부가 생성한 광전류 신호를 수신하여, 상기 광전류 신호를 분석하는 제어부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
13. The method of claim 12,
A control unit for receiving the photocurrent signal generated by the light receiving unit and analyzing the photocurrent signal;
Wherein the sensing device further comprises:
제 13항에 있어서,
상기 수광부는,
상기 수광부를 일정 영역으로 분할하여, 상기 흡수 또는 반사된 상기 제2 광 신호를 수신한 수광부의 영역 정보를 상기 제어부로 전송하는 것을 특징으로 하는 감지 장치.
14. The method of claim 13,
The light-
Wherein the control unit divides the light receiving unit into a predetermined area and transmits the area information of the light receiving unit that has received the second optical signal absorbed or reflected to the control unit.
투명 기판;
발광부에서 대상물로 조사되는 제1 광 신호가 통과하는, 상기 투명 기판 상의 광 투과 패턴;
상기 대상물로부터 흡수 또는 반사된 제2 광 신호를 수신하는, 상기 투명 기판 상의 수광 패턴;
을 포함하고,
상기 수광 패턴은,
제1 전극;
상기 제1 전극 상에 적층된 활성화 층; 및
상기 활성화 층 상에 적층된 제2 전극;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 포토다이오드.A transparent substrate;
A light transmission pattern on the transparent substrate through which a first optical signal irradiated to an object in the light emitting portion passes;
A light receiving pattern on said transparent substrate for receiving a second optical signal absorbed or reflected from said object;
/ RTI >
The light-
A first electrode;
An activation layer stacked on the first electrode; And
A second electrode stacked on the activation layer;
And an organic thin film photodiode.
KR1020150136817A 2015-09-07 2015-09-25 Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof KR102442045B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150136817A KR102442045B1 (en) 2015-09-25 2015-09-25 Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof
PCT/KR2015/014299 WO2017043706A1 (en) 2015-09-07 2015-12-28 Sensing device
CN201590001591.2U CN208093578U (en) 2015-09-07 2015-12-28 Sensing device further

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150136817A KR102442045B1 (en) 2015-09-25 2015-09-25 Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170037344A true KR20170037344A (en) 2017-04-04
KR102442045B1 KR102442045B1 (en) 2022-09-08

Family

ID=58588509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150136817A KR102442045B1 (en) 2015-09-07 2015-09-25 Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102442045B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098305A (en) * 2018-02-13 2019-08-22 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US11317866B2 (en) 2018-07-27 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor, optical sensor array and apparatus and method for measuring bio-signal
US11754869B1 (en) 2022-02-18 2023-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003232967A (en) * 2002-02-13 2003-08-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Parallel transmission/reception module
JP2007175416A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical sensor and sensor part thereof
JP2009218243A (en) * 2008-03-07 2009-09-24 Stanley Electric Co Ltd Optical lens, and illuminator and photodetector using the optical lens
JP2010539474A (en) * 2007-09-10 2010-12-16 ネーデルランデ オルガニサティー ヴール トゥーヘパストナツールウェテンスハペライク オンデルズーク テーエヌオー Optical sensor for force distribution measurement
JP2015038859A (en) * 2013-07-17 2015-02-26 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, light emitting and receiving device, and electronic apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003232967A (en) * 2002-02-13 2003-08-22 Sumitomo Electric Ind Ltd Parallel transmission/reception module
JP2007175416A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical sensor and sensor part thereof
JP2010539474A (en) * 2007-09-10 2010-12-16 ネーデルランデ オルガニサティー ヴール トゥーヘパストナツールウェテンスハペライク オンデルズーク テーエヌオー Optical sensor for force distribution measurement
JP2009218243A (en) * 2008-03-07 2009-09-24 Stanley Electric Co Ltd Optical lens, and illuminator and photodetector using the optical lens
JP2015038859A (en) * 2013-07-17 2015-02-26 セイコーエプソン株式会社 Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, light emitting and receiving device, and electronic apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190098305A (en) * 2018-02-13 2019-08-22 삼성디스플레이 주식회사 Display device
US11726618B2 (en) 2018-02-13 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11317866B2 (en) 2018-07-27 2022-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Optical sensor, optical sensor array and apparatus and method for measuring bio-signal
US11754869B1 (en) 2022-02-18 2023-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102442045B1 (en) 2022-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5470398B2 (en) Arrangement for touch screen and associated manufacturing method
CN107392168B (en) Fingerprint identification structure and manufacturing method thereof
JP2013175773A (en) Optical sensor and method of optically detecting object
KR102462995B1 (en) Light receiving module and Dust sensor including thereof
KR102375812B1 (en) Sensing apparatus with light-detecting sensor attached to cover-glass
KR102442045B1 (en) Organic thin film photodiode and Sensing Apparatus including thereof
US9116046B2 (en) Device and method for determining a direction from a surface of one or more photodetector elements of an integrated circuit to a source providing electromagnetic waves and method for manufacturing an device
CN110012198A (en) A kind of terminal device
CN208093578U (en) Sensing device further
US9813594B2 (en) Photon-drive fingerprint identification module
WO2017003160A1 (en) Sensing device having cover substrate-integrated light receiving part
KR20150093738A (en) Organic optoelectronic component with infrared detector
KR20170003044A (en) Sensing apparatus comprising photo-detector with light-blocking layer
KR102421068B1 (en) Apparatus for Sensing Dust
CN208189615U (en) Have the acceptance part of concaveconvex structure and the sensing device of light collecting part
KR20180017481A (en) Optical sensor module and Method for manufacturing optical sensor module
KR102496006B1 (en) Apparatus for Sensing
KR20170081972A (en) Light receiving module and Dust sensor including thereof
KR102527098B1 (en) Sensing apparatus with light-detecting sensor attached to cover-glass
KR102625035B1 (en) Device for sinsing
KR102436331B1 (en) Sensor and detection apparatus including the same
KR20170004642A (en) Sensing apparatus with light-detecting sensor attached to cover-glass
US20190204870A1 (en) Touch panel and display device
KR20170003043A (en) Low power consumption sensor
KR20170053336A (en) Sensing apparatus which dummy pattern formed

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant