KR20170032016A - Ceramic package and crystal device package - Google Patents

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KR20170032016A
KR20170032016A KR1020150129741A KR20150129741A KR20170032016A KR 20170032016 A KR20170032016 A KR 20170032016A KR 1020150129741 A KR1020150129741 A KR 1020150129741A KR 20150129741 A KR20150129741 A KR 20150129741A KR 20170032016 A KR20170032016 A KR 20170032016A
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이택정
김용석
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삼성전기주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present disclosure, a ceramic package changes the width of a cavity-side inner wall surface of a support part, wherein the support part has a sidewall structure forming a cavity, so that an area closer to a base board has a relatively narrower width. Therefore, alignment defect of a passive vibrator is reduced and frequency deviation and ESR are mitigated, thereby improving the electrical characteristics of a passive device package.

Description

세라믹 패키지 및 수정 소자 패키지 {CERAMIC PACKAGE AND CRYSTAL DEVICE PACKAGE}CERAMIC PACKAGE AND CRYSTAL DEVICE PACKAGE [0001]

본 개시는 세라믹 패키지 및 이를 이용한 수정 소자 패키지에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a ceramic package and a crystal device package using the same.

세라믹 패키지의 일 종인 수정 소자 패키지는 패키지 바디, 수정 진동자 및 리드(lid) 등을 포함하여 구성된다. 수정 소자 패키지의 경우, 캐비티(cavity)가 형성된 것과 형성되지 않는 것이 있으며, 캐비티가 형성된 키지의 경우 캐비티 내부 영역의 폭에 따라 패키지의 전기적 특성이 달라질 수 있다.
A modification element package, which is one type of ceramic package, comprises a package body, a crystal oscillator, and a lid. In the case of a modification device package, a cavity may not be formed, and in the case of a cavity in which a cavity is formed, the electrical characteristics of the package may vary depending on the width of the cavity interior region.

세라믹 패키지는 베이스 기판 및 베이스 기판의 가장자리를 따라 형성된 지지부를 포함함으로써 캐비티를 포함할 수 있다.
The ceramic package may include a cavity by including a base substrate and a support formed along an edge of the base substrate.

상기 세라믹 패키지에서 캐비티의 내부에 수정 진동자를 배치할 경우, 지지부와 수정 진동자 사이의 거리가 작으면 전기적 특성 중의 하나인 ESR(Equivalent Serial Resistance, 등가 직렬 저항)이 증가하며, 이로 인해 패키지의 불량을 발생시킬 수 있다.
When the quartz crystal resonator is disposed in the cavity of the ceramic package, if the distance between the quartz crystal support and the quartz crystal resonator is small, ESR (Equivalent Serial Resistance), which is one of electrical characteristics, is increased. .

따라서, 수정 진동자와 지지부 사이의 거리를 증가시켜 ESR을 감소시키는 것이 매우 중요한 실정이다.
Therefore, it is very important to reduce the ESR by increasing the distance between the quartz vibrator and the support.

하기의 선행기술문헌에 기재된 특허문헌 1 및 2는 수정 소자 패키지에 관한 설명이다.
Patent Documents 1 and 2 described in the following prior art documents describe the modification device package.

일본공개특허공보 제2009-160840호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-160840 일본공개특허공보 제2011-134739호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-134739

한편, 세라믹 패키지에서 캐비티 내의 유효 면적이 작으면, 수동진동자의 정렬 불량이 발생할 수 있으며 수동진동자의 주파수 편차 및 ESR이 증가될 수 있다.
On the other hand, if the effective area in the cavity in the ceramic package is small, misalignment of the passive oscillator may occur, and the frequency deviation and ESR of the passive oscillator may be increased.

본 개시의 여러 목적 중 하나는 세라믹 패키지의 유효 면적을 증가시킬 수 있으며, 이로 인해 수동 진동자의 정렬이 용이하며, 수동진동자의 주파수 편차 및 ESR을 감소시킬 수 있어 수정 소자 패키지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
One of the objects of the present disclosure is to increase the effective area of the ceramic package, thereby facilitating the alignment of the passive oscillator and reducing the frequency deviation and ESR of the passive oscillator, thereby improving the electrical characteristics of the modifying device package .

본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 캐비티(cavity)를 형성하는 측벽 구조를 갖는 지지부 중 캐비티를 향하는 내벽면이 측벽의 폭이 변화하되 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화함으로써, 수동 진동자의 정렬 불량을 감소시킬 수 있으며, 주파수 편차 및 ESR이 감소되어 수정 소자 패키지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 것이다.
One of the solutions proposed through the present disclosure is that the inner wall surface facing the cavity of the supporting portion having the sidewall structure forming the cavity has a shape having a relatively small width in the region near the base substrate, Thereby reducing the misalignment of the passive oscillator and reducing the frequency deviation and the ESR, thereby improving the electrical characteristics of the modification package.

본 개시의 일 실시 예에 따른 세라믹 패키지는 캐비티 내에서 수정 진동자를 실장할 수 있는 유효 면적이 증가될 수 있으며, 수정 진동자의 주파수 편차 및 ESR을 감소시켜 수정 소자 패키지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 것이다.
The ceramic package according to one embodiment of the present disclosure can increase the effective area of mounting the quartz vibrator in the cavity and improve the electrical characteristics of the quartz crystal package by reducing the frequency deviation and ESR of the quartz crystal. .

도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 세라믹 패키지의 평면도 및 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 수정 소자 패키지의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 수정 소자 패키지의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4 내지 도 8은 본 개시의 다른 실시 예에 따른 세라믹 패키지의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a top view and a cross-sectional view of a ceramic package according to one embodiment of the present disclosure;
2 schematically illustrates a perspective view of a modification element package according to one embodiment of the present disclosure;
3 schematically illustrates a cross-sectional view of a modification element package according to one embodiment of the present disclosure;
4 to 8 schematically illustrate cross-sectional views of a ceramic package according to another embodiment of the present disclosure.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 보다 상세히 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
Hereinafter, the present disclosure will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

이하, 본 개시에 의한 세라믹 패키지에 대하여 설명한다.Hereinafter, the ceramic package according to the present disclosure will be described.

도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 세라믹 패키지의 평면도 및 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
1 schematically shows a top view and a cross-sectional view of a ceramic package according to one embodiment of the present disclosure;

도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 세라믹 패키지(10)는 베이스 기판(10a), 캐비티(cavity)를 형성하는 측벽 구조를 갖는 지지부(10b)를 포함하며, 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화한다.
1, a ceramic package 10 according to an embodiment of the present disclosure includes a base substrate 10a, a support portion 10b having a sidewall structure for forming a cavity, and a support portion 10b The shape of the inner wall surface facing the cavity changes such that the width of the side wall changes and the region near the base substrate has a relatively small width.

상기 베이스 기판(10a)은 절연 세라믹 재질일 수 있다.The base substrate 10a may be an insulating ceramic material.

상기 베이스 기판(10a)은 평평한(flat) 세라믹 그린시트를 적층한 산화 알루미늄 소결체 또는 단일 산화 알루미늄 소결체일 수 있다.
The base substrate 10a may be an aluminum oxide sintered body or a single aluminum oxide sintered body in which a flat ceramic green sheet is laminated.

상기 지지부(10b)는 측벽 구조를 가지며, 상기 베이스 기판(10a)의 상면에 배치되어 캐비티(미도시)를 형성할 수 있다. The support portion 10b has a sidewall structure and is disposed on the upper surface of the base substrate 10a to form a cavity (not shown).

상기 지지부(10b)는 베이스 기판(10a)과 동일한 재질인 절연 세라믹 재질일 수 있다.The support portion 10b may be an insulating ceramic material which is the same material as the base substrate 10a.

상기 지지부(10b)는 서로 다른 측벽의 폭을 갖는 측벽 구조의 세라믹 그린시트를 적층하여 형성될 수 있거나, 단일 세라믹 그린시트에 레이저(laser), 금형 등의 방법으로 홈을 내어 개구부를 형성함으로써 얻을 수 있다.
The support portion 10b may be formed by laminating a ceramic green sheet having a sidewall structure having different widths of sidewalls, or may be formed by forming an opening through a single ceramic green sheet by a method such as laser, .

상기 세라믹 패키지(10)는 상기 베이스 기판(10a)에 상기 지지부(10b)를 배치하여 접합한 후 고온에서의 소성 공정을 진행하여 형성될 수 있다.The ceramic package 10 may be formed by arranging and supporting the support portion 10b on the base substrate 10a, and then performing a sintering process at a high temperature.

상기 베이스 기판(10a)과 상기 지지층(10b)은 동일한 물질로서 소성 공정 이후 그 경계는 육안으로 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
The base substrate 10a and the support layer 10b are the same material, and their boundaries after the firing process can be integrated so that they can not be visually confirmed.

종래의 캐비티가 형성된 세라믹 패키지에 캐비티 내부에 수정 진동자를 배치할 경우, 상기 캐비티 내부가 협소하면 수정 진동자 실장을 위한 유효면적이 감소할 수 있다. 이로 인해, 캐비티 내에 수정 진동자 실장시 정렬이 어려울 수 있으며, 전극 패드간의 쇼트(short)가 발생할 수 있다. 또한, 기계적 진동에너지를 통하여 주파수를 발진하는 수정 진동자의 경우, 주파수의 편차가 클 수 있으며, 이로 인해 ESR이 크게 발생하여 주파수 발진오류에 의한 불량이 발생할 수 있다.
When the quartz resonator is disposed in the cavity of the conventional ceramic package with the cavity formed therein, the effective area for mounting the quartz crystal vibrator may be reduced if the cavity is narrow. As a result, alignment may be difficult in mounting the quartz vibrator in the cavity, and a short between the electrode pads may occur. Also, in the case of a quartz oscillator that oscillates the frequency through the mechanical vibration energy, a frequency deviation may be large, which may cause ESR to be large, resulting in a failure due to a frequency oscillation error.

본 개시의 일 실시 형태에 따른 세라믹 패키지(10)는 상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화한다. 이로 인해, 패키지 기판에서 캐비티 내의 유효 면적을 증가시킬 수 있어 정렬 불량에 대한 어려움을 감소시킬 수 있으며, 수정 진동자의 주파수 편차 및 ESR 이 감소될 수 있다.In the ceramic package 10 according to the embodiment of the present disclosure, the inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity has a shape such that the width of the side wall is changed and the region near the base substrate has a relatively small width Change. This can increase the effective area in the cavity in the package substrate, thereby reducing the difficulty in misalignment, and the frequency deviation and ESR of the quartz crystal can be reduced.

상기 지지부(10b) 중 상기 측벽의 하부면을 상기 베이스 기판에 가까운 영역이라고 할 때, 상기 측벽의 상부면의 폭은 상기 하부면의 폭의 1.5 배 내지 2배일 수 있다.The width of the upper surface of the sidewall may be 1.5 to 2 times the width of the lower surface when the lower surface of the supporting portion 10b is a region near the base substrate.

상기 지지부(10b) 중 상기 측벽의 하부면은 상기 지지부와 상기 베이스 기판이 접합에 용이한 면적을 가질 수 있다.The lower surface of the support portion 10b may have an easy area for bonding the support portion and the base substrate.

상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면이 측벽의 폭이 변화하되 베이스 기판에 가까운 영역에서부터 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화하므로, 상기 캐비티는 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 큰 폭을 갖도록 형상이 변화할 수 있다.
Since the shape of the inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity changes so as to have a relatively small width from the region near the base substrate while the width of the side wall changes, The shape may change.

상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울기를 가질 수 있다.An inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity may have a slope with respect to the base substrate.

상기 내벽면의 기울기 각도는 상기 베이스 기판에 대하여 60 내지 85°일 수 있다.The inclination angle of the inner wall surface may be 60 to 85 ° with respect to the base substrate.

상기 내벽면의 기울기 각도가 60 °미만이면, 상기 지지부의 하면의 면적이 작아질 수 있어 베이스 기판과의 접합이 어려울 수 있다.If the inclination angle of the inner wall surface is less than 60 °, the area of the lower surface of the support portion may be reduced, and bonding with the base substrate may be difficult.

상기 내벽면의 기울기 각도가 85°를 초과하면, 캐비티 내의 유효 면적 확보가 어려우므로 수정 진동자의 주파수 편차 및 ESR이 증가될 수 있다.If the inclination angle of the inner wall surface exceeds 85 degrees, it is difficult to secure an effective area in the cavity, so that the frequency deviation and the ESR of the quartz crystal can be increased.

도 4 내지 도 8은 본 개시의 다른 실시 예에 따른 세라믹 패키지의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.4 to 8 schematically illustrate cross-sectional views of a ceramic package according to another embodiment of the present disclosure.

도 4 내지 도 8에 도시된 구성 요소 중에서 도 1에 도시된 구성요소와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하도록 한다.
4 to 8, the description of the same components as those shown in Fig. 1 will be omitted.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 지지부(110b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 계단 형상을 가질 수 있다. 상기 계단 형상은 1단 내지 3단을 개시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
4 to 6, an inner wall surface of the support portion 110b facing the cavity may have a stepped shape. Although the stepped shape has been described in the first to third steps, it is not limited thereto.

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 지지부(110b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 하부에 홈이 형성될 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, an inner wall surface of the support portion 110b facing the cavity may have a groove formed at a lower portion thereof.

상기 지지부 중 캐비티를 향하는 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울어질 수 있으며, 이와 동시에 하부에 홈이 형성될 수 있다.
An inner wall surface of the support portion facing the cavity may be inclined with respect to the base substrate, and at the same time, a groove may be formed in the lower portion.

이하, 본 개시의 수정 소자 패키지에 대하여 설명한다.Hereinafter, the modification element package of the present disclosure will be described.

도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 수정 소자 패키지의 사시도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 수정 소자 패키지의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
Figure 2 schematically illustrates a perspective view of a quartz crystal package in accordance with one embodiment of the present disclosure, and Figure 3 schematically illustrates a cross-sectional view of a quartz crystal package in accordance with one embodiment of the present disclosure.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 베이스 기판(10a) 및 상기 베이스 기판(10a) 상에 배치되며 캐비티를 형성하는 측벽 구조를 갖는 지지부(10b)를 포함하는 세라믹 패키지(10), 캐비티(미도시)의 내부에 배치된 수정 진동자(20, 22) 및 지지부 (10b)상에 배치되며 캐비티를 덮는 리드(50)를 포함하며, 상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판(10a)에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화한다.
A ceramic package 10 including a base substrate 10a and a support portion 10b disposed on the base substrate 10a and having a side wall structure for forming a cavity as shown in Figures 2 and 3, And a lid (50) disposed on the support portion (10b) and covering the cavity, wherein an inner wall surface of the support portion (10b) facing the cavity The width of the sidewall changes and the shape of the region near the base substrate 10a changes to have a relatively small width.

상기 베이스 기판(10a)은 절연 세라믹 재질일 수 있다.The base substrate 10a may be an insulating ceramic material.

상기 베이스 기판(10a)은 평평한(flat) 세라믹 그린시트를 적층한 산화 알루미늄 소결체 또는 단일 산화 알루미늄 소결체일 수 있다.
The base substrate 10a may be an aluminum oxide sintered body or a single aluminum oxide sintered body in which a flat ceramic green sheet is laminated.

상기 지지부(10b)는 측벽 구조를 가지며, 상기 베이스 기판(10a)의 상면에 배치되어 캐비티(미도시)를 형성할 수 있다. The support portion 10b has a sidewall structure and is disposed on the upper surface of the base substrate 10a to form a cavity (not shown).

상기 지지부(10b)는 베이스 기판(10a)과 동일한 재질인 절연 세라믹 재질일 수 있다.The support portion 10b may be an insulating ceramic material which is the same material as the base substrate 10a.

상기 지지부(10b)는 서로 다른 측벽의 폭을 갖는 측벽 구조의 세라믹 그린시트를 적층하여 형성될 수 있거나, 단일 세라믹 그린시트에 레이저(laser), 금형 등의 방법으로 홈을 내어 개구부를 형성함으로써 얻을 수 있다.
The support portion 10b may be formed by laminating a ceramic green sheet having a sidewall structure having different widths of sidewalls, or may be formed by forming an opening through a single ceramic green sheet by a method such as laser, .

상기 세라믹 패키지(10)는 상기 베이스 기판(10a)에 상기 지지부(10b)를 배치하여 접합한 후 고온에서의 소성 공정을 진행하여 형성될 수 있다.The ceramic package 10 may be formed by arranging and supporting the support portion 10b on the base substrate 10a, and then performing a sintering process at a high temperature.

상기 베이스 기판(10a)과 상기 지지층(10b)은 동일한 물질로서 소성 공정 이후 그 경계는 육안으로 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
The base substrate 10a and the support layer 10b are the same material, and their boundaries after the firing process can be integrated so that they can not be visually confirmed.

상기 캐비티 내의 상기 베이스 기판(10a) 상에는 제1 및 제2 전극 패드(30)가 배치될 수 있다.The first and second electrode pads 30 may be disposed on the base substrate 10a in the cavity.

상기 제1 및 제2 전극 패드(30)의 일측은 수정 진동자(20, 22)와 연결될 수 있다.
One side of the first and second electrode pads 30 may be connected to the quartz crystal vibrators 20 and 22.

상기 수정 진동자(20, 22)는 수정편을 포함하는 수정체(20)와 상기 수정체의 양면에 형성된 제1 전극(20a) 및 제2 전극(20b)을 포함할 수 있다.The quartz oscillators 20 and 22 may include a lens 20 including a quartz crystal and a first electrode 20a and a second electrode 20b formed on both sides of the quartz crystal.

상기 수정체(20)는 발진 주파수 등에 따라 소정의 두께로 연마된 압전 기판으로 수정 웨이퍼를 포토리소그래피 기술 등으로 절단 가공하여 제조할 수 있다.The lens 20 can be manufactured by cutting a quartz wafer with a photolithography technique or the like with a piezoelectric substrate polished to a predetermined thickness according to an oscillation frequency or the like.

상기 수정체(20)는 직사각 형상으로 형성될 수 있으며, 중심에 배치되는 진동부(20a)와 진동부(20a)의 가장자리 부분에 배치되는 주변부(20b)를 포함할 수 있다.The lens 20 may be formed in a rectangular shape and may include a vibrating portion 20a disposed at the center and a peripheral portion 20b disposed at an edge portion of the vibrating portion 20a.

상기 주변부(20b)는 상기 진동부(20a)보다 두께가 얇게 형성될 수 있으며, 이 경우 수정체(20)는 메사(mesa)형으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The peripheral portion 20b may be formed to be thinner than the vibrating portion 20a. In this case, the lens 20 may be formed in a mesa shape, but the present invention is not limited thereto.

상기 수정체(20)는 전기적 신호에 의해 압전 효과를 발생시키며, SiO2로 구성된 수정편을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The crystalline body 20 generates a piezoelectric effect by an electrical signal, and a crystal piece made of SiO 2 can be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 전극(22a) 및 제2 전극(22b)은 수정체(20)의 양면에 형성되며, 제1 전극(22a)은 제1 전극 패드(30a)와 제2 전극(22b)은 제2 전극 패드(30b)와 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.The first electrode 22a and the second electrode 22b are formed on both sides of the lens 20 and the first electrode pad 22a is electrically connected to the first electrode pad 30a and the second electrode 22b, And may be formed to be electrically connected to the pad 30b.

상기 제1 전극(22a) 및 제2 전극(22b)은 수정체(20)에 전기 신호를 가하여 수정체를 진동시킬 수 있다.The first electrode 22a and the second electrode 22b may apply an electric signal to the lens 20 to vibrate the lens.

상기 제1 및 제2 전극(22a, 22b)은 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속물질을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The first and second electrodes 22a and 22b may be formed of a conductive metal material and may be formed of a metal such as gold (Au), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum But it is not limited thereto. ≪ tb >< TABLE >

상기 수정 진동자(20, 22)는 제1 및 제2 전극 패드(30)와 수정 진동자의 하면 끝단이 전기적으로 연결될 수 있도록 도전성 접착제(40)에 의해 접합될 수 있다.The quartz oscillators 20 and 22 may be joined by a conductive adhesive 40 so that the first and second electrode pads 30 and the bottom ends of the quartz crystal may be electrically connected.

상기 도전성 접착제(40)는 도전성 필러 및 수지를 포함할 수 있다.The conductive adhesive 40 may include a conductive filler and a resin.

상기 도전성 필러는 은(Ag) 필러 및 은(Ag)을 도금한 구리(Cu) 필러 중 선택된 하나일 수 있으며, 상기 수지는 에폭시계 수지 및 실리콘계 수지 중 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The conductive filler may be selected from the group consisting of a silver (Ag) filler and a copper (Cu) filler plated with silver (Ag), and the resin may be selected from epoxy resin and silicone resin, but is not limited thereto .

본 개시의 수정 소자 패키지는 상기 캐비티를 덮도록 상기 세라믹 패키지(10) 상에 리드(50)를 배치할 수 있다.The correction element package of the present disclosure may arrange the lid 50 on the ceramic package 10 to cover the cavity.

상기 리드(50)는 도전성 금속 재질일 수 있으며, 금(Au), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 또는 둘 이상의 금속의 합금 물질을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lead 50 may be made of a conductive metal and may be an alloy of at least one or more metals selected from the group consisting of gold (Au), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), and molybdenum But is not limited thereto.

상기 리드(50)를 배치함으로써, 수정 진동자(20, 22)가 외부로부터 패키징될 수 있으며, 상기 리드(50)가 덮힌 내부공간은 진공상태일 수 있다.
By arranging the leads 50, the quartz oscillators 20 and 22 can be packaged from the outside, and the inner space in which the leads 50 are covered can be in a vacuum state.

상기 리드와 세라믹 패키지 사이의 틈이 형성된 경우, 내부 공간의 진공이 유지될 수 없다. 이러한 틈이 생기는 원인으로는 수동진동자와 지지부 사이의 거리가 충분하게 확보되지 않으면 수동진동자의 진동이 지지부에 영향을 미쳐 지지부의 상면과 상기 리드 사이의 틈이 형성될 수 있다.When a gap is formed between the lead and the ceramic package, the vacuum of the inner space can not be maintained. This clearance is caused by the vibration of the passive vibrator being affected by the vibration of the passive vibrator and the gap between the upper surface of the passive portion and the lead unless a sufficient distance is secured between the passive vibrator and the support.

상기 내부공간이 진공이 유지되지 않을 경우, 수정 진동자의 주파수 편차가 증가하게 되며 이로 인해 ESR이 증가할 수 있다.
If the vacuum is not maintained in the internal space, the frequency deviation of the quartz crystal oscillator is increased, thereby increasing the ESR.

본 개시의 일 실시 형태에 따른 세라믹 패키지(10)는 상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화한다.In the ceramic package 10 according to the embodiment of the present disclosure, the inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity has a shape such that the width of the side wall is changed and the region near the base substrate has a relatively small width Change.

상기 지지부(10b)의 측벽의 폭이 변화하면, 캐비티 내부의 유효 면적을 증가시킬 수 있다.When the width of the side wall of the support portion 10b is changed, the effective area inside the cavity can be increased.

이로 인해, 수동 진동자의 정렬이 용이하여 조립 불량을 감소시킬 수 있으며, 수정 진동자의 주파수 편차 감소로 인하여 주파수 발진 정확성이 가능할 수 있다. 또한, ESR 이 감소됨으로, 수정 소자 패키지의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.Therefore, it is possible to easily arrange the passive vibrator to reduce the assembly failure, and the frequency oscillation accuracy can be achieved due to the reduction of the frequency deviation of the crystal oscillator. In addition, since the ESR is reduced, the electrical characteristics of the modification element package can be improved.

상기 지지부(10b) 중 상기 측벽의 하부면을 상기 베이스 기판에 가까운 영역이라고 할 때, 상기 측벽의 상부면의 폭은 상기 하부면의 폭의 1.5 배 내지 2배일 수 있다.The width of the upper surface of the sidewall may be 1.5 to 2 times the width of the lower surface when the lower surface of the supporting portion 10b is a region near the base substrate.

상기 지지부(10b) 중 상기 측벽의 하부면은 상기 지지부와 상기 베이스 기판이 접합에 용이한 면적을 가질 수 있다.The lower surface of the support portion 10b may have an easy area for bonding the support portion and the base substrate.

상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면이 측벽의 폭이 변화하되 베이스 기판에 가까운 영역에서부터 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화하므로, 상기 캐비티는 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 큰 폭을 갖도록 형상이 변화할 수 있다.
Since the shape of the inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity changes so as to have a relatively small width from the region near the base substrate while the width of the side wall changes, The shape may change.

상기 지지부(10b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울기를 가질 수 있다.An inner wall surface of the support portion 10b facing the cavity may have a slope with respect to the base substrate.

상기 내벽면의 기울기 각도는 상기 베이스 기판에 대하여 60 내지 85°일 수 있다.The inclination angle of the inner wall surface may be 60 to 85 ° with respect to the base substrate.

상기 내벽면의 기울기 각도가 60 °미만이면, 상기 지지부의 하면의 면적이 작아질 수 있어 베이스 기판과의 접합이 어려울 수 있다.If the inclination angle of the inner wall surface is less than 60 °, the area of the lower surface of the support portion may be reduced, and bonding with the base substrate may be difficult.

상기 내벽면의 기울기 각도가 85°를 초과하면, 캐비티 내의 유효 면적 확보가 어려우므로 수정 진동자의 주파수 편차 및 ESR이 증가될 수 있다.If the inclination angle of the inner wall surface exceeds 85 degrees, it is difficult to secure an effective area in the cavity, so that the frequency deviation and the ESR of the quartz crystal can be increased.

상기 세라믹 패키지의 다른 실시예로서, 상기 지지부(110b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 계단 형상을 가질 수 있다. 상기 계단 형상은 1단 내지 3단을 개시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In another embodiment of the ceramic package, an inner wall surface of the support portion 110b facing the cavity may have a stepped shape. Although the stepped shape has been described in the first to third steps, it is not limited thereto.

상기 지지부(110b) 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 하부에 홈이 형성될 수 있다.An inner wall surface of the support portion 110b facing the cavity may have a groove formed at a lower portion thereof.

상기 지지부 중 캐비티를 향하는 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울어질 수 있으며, 이와 동시에 하부에 홈이 형성될 수 있다.
An inner wall surface of the support portion facing the cavity may be inclined with respect to the base substrate, and at the same time, a groove may be formed in the lower portion.

상기 지지부(10b)와 상기 리드(50) 사이에 접착층(52)을 배치하여 상기 리드(50)와 상기 세라믹 패키지의 지지부(10b)의 상면을 접합할 수 있다.An adhesive layer 52 may be disposed between the support portion 10b and the lead 50 to bond the lead 50 to the upper surface of the support portion 10b of the ceramic package.

상기 접착층(52)은 다층으로 적층된 형태일 수 있으며, 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 몰리브덴(Mo)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 금속 재료로 이루어진 금속층이 적층된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The adhesive layer 52 may be in the form of a multilayer stacked layer and may be at least one selected from the group consisting of Au, Ag, Ni, W, Cu, A metal layer made of one metal material may be laminated, but the present invention is not limited thereto.

본 개시는 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.The present disclosure is not limited by the above-described embodiment and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims.

따라서, 청구범위에 기재된 본 개시의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 개시의 범위에 속한다고 할 것이다.
Accordingly, various modifications, substitutions, and alterations can be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present disclosure, which is also within the scope of the present disclosure something to do.

10, 110: 세라믹 패키지
20; 수정 진동자
22; 제1 및 제2 전극
30; 전극 패드
40: 도전성 접착제
50; 리드
52: 접착층10, 110: Ceramic package
20; Crystal oscillator
22; The first and second electrodes
30; Electrode pad
40: Conductive adhesive
50; lead
52: Adhesive layer

Claims (16)

베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되며, 캐비티를 형성하는 측벽 구조를 갖는 지지부;를 포함하며,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화하는 세라믹 패키지.
A base substrate;
And a support disposed on the base substrate and having a side wall structure for forming a cavity,
Wherein an inner wall surface of the support portion facing the cavity changes in shape such that a width of the side wall changes and an area close to the base substrate has a relatively small width.
제1항에 있어서,
상기 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울기를 갖는 세라믹 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the inner wall surface has a slope with respect to the base substrate.
제2항에 있어서,
상기 내벽면의 기울기 각도는 상기 베이스 기판에 대하여 60 내지 85°인 세라믹 패키지.
3. The method of claim 2,
Wherein a tilt angle of the inner wall surface is 60 to 85 DEG with respect to the base substrate.
제1항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 측벽의 하부면을 상기 베이스 기판에 가까운 영역이라고 할 때, 상기 측벽의 상부면의 폭은 상기 하부면의 폭의 1.5 배 내지 2배인 세라믹 패키지.
The method according to claim 1,
And the width of the upper surface of the side wall is 1.5 to 2 times the width of the lower surface when the lower surface of the supporting portion is a region near the base substrate.
제1항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 큰 폭을 갖도록 형상이 변화하는 세라믹 패키지.
The method according to claim 1,
Wherein the cavity is shaped so that a region close to the base substrate has a relatively large width.
제1항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 계단 형상을 갖는 세라믹 패키지.
The method according to claim 1,
And an inner wall surface of the support portion facing the cavity has a stepped shape.
제1항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 하부에 홈이 형성된 세라믹 패키지.
The method according to claim 1,
And an inner wall surface of the support portion facing the cavity is formed with a groove at a lower portion thereof.
베이스 기판 및 상기 베이스 기판 상에 배치되며 캐비티를 형성하는 측벽 구조를 갖는 지지부를 포함하는 세라믹 패키지;
상기 캐비티의 내부에 배치된 수정 진동자; 및
상기 지지부 상에 배치되며 상기 캐비티를 덮는 리드;를 포함하며,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은, 상기 측벽의 폭이 변화하되 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 작은 폭을 갖도록 형상이 변화하는 수정 소자 패키지.
A ceramic package comprising: a base substrate; and a support having a sidewall structure disposed on the base substrate and defining a cavity;
A quartz crystal disposed inside the cavity; And
And a lead disposed on the support and covering the cavity,
Wherein an inner wall surface of the support portion facing the cavity changes in shape such that a width of the side wall changes and an area close to the base substrate has a relatively small width.
제8항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 상기 베이스 기판에 대하여 기울기를 갖는 수정 소자 패키지.
9. The method of claim 8,
And an inner wall surface of the support portion facing the cavity has a slope with respect to the base substrate.
제9항에 있어서,
상기 내벽면의 기울기 각도는 상기 베이스 기판에 대하여 60 내지 85°인 수정 소자 패키지.
10. The method of claim 9,
Wherein a tilt angle of the inner wall surface is 60 to 85 DEG with respect to the base substrate.
제8항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 측벽의 하부면을 상기 베이스 기판에 가까운 영역이라고 할 때, 상기 측벽의 상부면의 폭은 상기 하부면의 폭의 1.5 배 내지 2배인 수정 소자 패키지.
9. The method of claim 8,
Wherein a width of the upper surface of the side wall is 1.5 to 2 times the width of the lower surface when the lower surface of the side wall is a region near the base substrate.
제8항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 베이스 기판에 가까운 영역이 상대적으로 큰 폭을 갖도록 형상이 변화하는 수정 소자 패키지.
9. The method of claim 8,
Wherein the cavity is shaped so that a region close to the base substrate has a relatively large width.
제8항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 계단 형상을 갖는 수정 소자 패키지
9. The method of claim 8,
Wherein an inner wall surface of the support portion facing the cavity is a modified element package
제8항에 있어서,
상기 지지부 중 상기 캐비티를 향하는 내벽면은 하부에 홈이 형성된 수정 소자 패키지.
9. The method of claim 8,
And an inner wall surface of the support portion facing the cavity has a groove formed at a lower portion thereof.
제8항에 있어서,
상기 지지부와 상기 리드 사이에 배치된 접착층;을 포함하는 수정 소자 패키지.
9. The method of claim 8,
And an adhesive layer disposed between the support and the lead.
제15항에 있어서,
상기 접착층은 금속 재료를 포함하는 수정 소자 패키지.
16. The method of claim 15,
Wherein the adhesive layer comprises a metallic material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009160840A (en) 2008-01-08 2009-07-23 Mitsubishi Electric Corp Ceramic substrate and method for production thereof
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