KR20170028258A - Method of peeling optical device layer - Google Patents

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KR20170028258A
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다스쿠 고야나기
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

An object of the present invention is to enable an epitaxy substrate to be reused rather than discarded when an optical device layer is not evenly grown on the epitaxy substrate. A method for peeling an optical device layer according to the present invention comprises: a tape attachment process of attaching a tape (5) to an epitaxial layer (4); an epitaxial layer destruction process of destroying the epitaxial layer (4) by radiating a laser beam (8) having a wavelength, configured to be transparent to an epitaxy substrate (2) and to be absorbed by the epitaxial layer (4), onto the epitaxial layer (4) from a rear surface (2b) of the epitaxy substrate (2); and a peeling process of removing the epitaxial layer (4), together with the tape (5), from the epitaxy substrate (2). Accordingly, the epitaxy substrate (2) can be reused rather than discarded. Furthermore, grinding and the like are not performed, and thus a thickness of the epitaxy substrate (2) is maintained after the epitaxial layer (4) has been removed, thereby being reusable.

Description

광 디바이스층의 박리 방법{METHOD OF PEELING OPTICAL DEVICE LAYER}METHOD OF PEELING OPTICAL DEVICE LAYER [0002]

본 발명은, 사파이어 기판이나 탄화규소 기판 등의 에피택시 기판으로부터 광 디바이스층을 박리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for peeling an optical device layer from an epitaxial substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate.

광 디바이스 제조 공정에 있어서는, 예컨대 원판 형상의 사파이어 기판이나 탄화규소 기판 등의 결정 성장용 기판(에피택시 기판)의 표면에, 버퍼층을 매개로 GaN(질화갈륨), InGaP(인듐·갈륨·인) 또는 ALGaN(알루미늄·질화갈륨)으로 구성되는 n형 반도체층 및 p형 반도체층으로 이루어진 광 디바이스층을 적층한 후, 에피택시 기판의 표면에 있어서의 격자형의 복수의 스트리트에 의해 구획되는 각 영역에 발광 다이오드나 레이저 다이오드 등의 광 디바이스를 형성하여 광 디바이스 웨이퍼를 구성한다. 그리고, 광 디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할함으로써, 개개의 광 디바이스를 제조할 수 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 1을 참조).In the optical device manufacturing process, GaN (gallium nitride), InGaP (indium-gallium phosphorus), or the like is formed on the surface of a substrate for crystal growth (epitaxial substrate) such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate, Or an optical device layer composed of an n-type semiconductor layer made of ALGaN (aluminum-gallium nitride) and a p-type semiconductor layer are stacked, and then the respective regions partitioned by a plurality of lattice-like streets on the surface of the epitaxial substrate An optical device such as a light emitting diode or a laser diode is formed to constitute an optical device wafer. Then, by dividing the optical device wafer along the streets, individual optical devices can be manufactured (for example, refer to Patent Document 1 below).

또한, 광 디바이스의 휘도를 향상시키는 기술로서, 광 디바이스 웨이퍼의 광 디바이스층을 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 실리콘(Si) 등의 이설(移設) 기판으로 다시 옮기는 리프트 오프라고 불리는 제조 방법이 있다. 리프트 오프는, 예컨대 에피택시 기판의 표면에서 버퍼층을 매개로 적층된 광 디바이스층을, AuSn(금주석) 등의 접합재를 통해 이설 기판에 접합한 후, 에피택시 기판의 이면측으로부터 에피택시 기판을 투과하여 버퍼층에 흡수되는 파장의 레이저 광선을 조사하여 버퍼층을 파괴하고, 에피택시 기판을 광 디바이스층으로부터 박리함으로써, 광 디바이스층을 이설 기판으로 이설하는 방법이다(예컨대, 하기의 특허문헌 2를 참조).As a technique for improving the brightness of an optical device, there is a manufacturing method called lift-off in which an optical device layer of an optical device wafer is transferred to a transferred substrate such as molybdenum (Mo), copper (Cu), silicon . The lift-off is performed by, for example, bonding an optical device layer stacked via a buffer layer on the surface of an epitaxial substrate to a detached substrate via a bonding material such as AuSn (gold tin), and then forming an epitaxial substrate from the back side of the epitaxial substrate A buffer layer is broken by irradiating a laser beam having a wavelength that is absorbed by the buffer layer and the optical device layer is removed from the optical device layer, thereby transferring the optical device layer to the detached substrate (see, for example, Patent Document 2 below) ).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제10-305420호 공보[Patent Document 1] JP-A-10-305420 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 제2004-72052호 공보[Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-72052

여기서, 예컨대 에피택셜 성장법에 의해 에피택시 기판의 표면에 광 디바이스층을 성장시킬 때에, 광 디바이스층이 에피택시 기판의 표면 전면(全面)에 성장하지 않아, 광 디바이스층의 두께에 불균일이 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 종래에 있어서는, 광 디바이스층이 적층된 에피택시 기판을 폐기하고 있었다.Here, for example, when the optical device layer is grown on the surface of the epitaxial substrate by the epitaxial growth method, the optical device layer does not grow on the entire surface of the epitaxial substrate, and the thickness of the optical device layer is not uniform . In this case, conventionally, the epitaxial substrate on which the optical device layers are stacked has been discarded.

또한, 광 디바이스층측으로부터 연삭하여 광 디바이스층을 제거하고, 에피택시 기판을 재이용하는 등의 대책이 강구되고 있지만, 이 경우는, 에피택시 기판의 두께가 원래의 사파이어 등의 두께보다도 얇아져 버리고, 에피택시 기판을 재이용하는 데에도 문제점이 발생하고 있었다.Further, countermeasures such as grinding from the optical device layer side to remove the optical device layer and reuse of the epitaxial substrate have been proposed. However, in this case, the thickness of the epitaxial substrate becomes thinner than the thickness of the original sapphire or the like, There has been a problem in reusing the cab board.

본 발명은, 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 에피택시 기판 상에 광 디바이스층이 균등하게 성장하지 않은 경우에도, 에피택시 기판을 폐기하지 않고 재이용할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to enable reuse of an epitaxial substrate without disposing of the epitaxial substrate even when the optical device layer is not uniformly grown on the epitaxial substrate.

본 발명은, 에피택시 기판의 표면에 성장한 에피택셜층을, 상기 에피택시 기판으로부터 박리하는 광 디바이스층의 박리 방법으로서, 상기 에피택셜층에 테이프를 접착하는 테이프 접착 공정과, 상기 에피택시 기판의 이면측으로부터 에피택셜층에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 에피택셜층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 상기 에피택셜층을 파괴하는 에피택셜층 파괴 공정과, 상기 테이프의 박리와 함께 상기 에피택셜층을 에피택시 기판으로부터 제거하는 박리 공정으로 이루어진다.The present invention is a method for peeling an optical device layer for peeling an epitaxial layer grown on a surface of an epitaxial substrate from the epitaxial substrate, the method comprising: a tape adhering step of adhering a tape to the epitaxial layer; An epitaxial layer destruction step for irradiating a laser beam having a transmittance to the epitaxial layer from the back side to the epitaxial layer and a wavelength of absorption with respect to the epitaxial layer to destroy the epitaxial layer; And a peeling step of removing the epitaxial layer from the epitaxial substrate.

본 발명에 따른 광 디바이스층의 박리 방법은, 에피택시 기판의 표면에 성장한 에피택셜층에 테이프를 접착한 후, 에피택셜층 파괴 공정을 실시함으로써 에피택셜층을 파괴하고, 그 후, 상기 테이프와 함께 상기 에피택셜층을 에피택시 기판으로부터 제거하는 박리 공정을 실시하기 때문에, 가령 에피택시 기판의 표면에 상기 에피택셜층이 균등하게 성장하지 않아, 그 두께에 불균일이 발생하였다고 해도, 상기 에피택셜층을 에피택시 기판으로부터 제거할 수 있기 때문에, 에피택시 기판을 폐기하지 않고 재이용할 수 있다.A method for peeling an optical device layer according to the present invention is a method for peeling an epitaxial layer grown on a surface of an epitaxial substrate and then destructing the epitaxial layer by performing an epitaxial layer destruction step after bonding a tape to the epitaxial layer, And the epitaxial layer is removed from the epitaxial substrate. Therefore, even if the epitaxial layer does not uniformly grow on the surface of the epitaxial substrate and the thickness of the epitaxial layer is uneven, Can be removed from the epitaxial substrate, the epitaxial substrate can be reused without being discarded.

또한, 에피택셜층이 제거된 후의 에피택시 기판은, 연삭 등이 행해지지 않아 얇아지지 않았기 때문에, 재이용하는 것이 가능하다. 만일, 박리 공정 후의 에피택시 기판에 에피택셜층이 약간 남아 있으면, 예컨대 1 ㎜ 정도 에피택시 기판을 연마하는 경우도 있지만, 이 경우라도, 에피택셜층을 연삭하여 제거하는 종래의 연삭 방법보다도, 에피택시 기판이 제거되는 양이 적기 때문에, 에피택시 기판을 재이용하는 것에 문제점은 발생하지 않는다.Further, the epitaxial substrate after the epitaxial layer is removed can be reused because the epitaxial substrate is not thinned due to no grinding or the like. If an epitaxial layer is slightly left on the epitaxial substrate after the peeling process, for example, an epitaxial substrate of about 1 mm may be polished. In this case, however, the epitaxial layer may be removed by grinding the epitaxial layer, Since the amount of the taxi board to be removed is small, there is no problem in reusing the epitaxial substrate.

도 1은 광 디바이스 웨이퍼의 구성의 일부를 도시한 확대 단면도이다.
도 2는 테이프 접착 공정을 도시한 사시도이다.
도 3은 테이프가 에피택셜층에 접착된 광 디바이스 웨이퍼의 일부를 도시한 확대 단면도이다.
도 4는 에피택셜층 파괴 공정을 도시한 단면도이다.
도 5는 박리 공정을 도시힌 사시도이다.1 is an enlarged cross-sectional view showing a part of the configuration of an optical device wafer.
2 is a perspective view showing a tape adhering step.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of an optical device wafer to which a tape is adhered to an epitaxial layer.
4 is a cross-sectional view showing an epitaxial layer destruction process.
5 is a perspective view showing a peeling process.

도 1에 도시된 광 디바이스 웨이퍼(1)는, 피가공물의 일례로서, 에피택시 기판(2)의 표면(2a)에, 광 디바이스층인 에피택셜층(4)이 예컨대 에피택셜 성장법에 의해 형성되어 있다. 에피택시 기판(2)은, 결정 성장용의 기판으로서, 예컨대, 사파이어 기판이나 탄화규소 기판 등이다. 에피택시 기판(2)의 두께 및 크기는, 특별히 한정되지 않는다.The optical device wafer 1 shown in Fig. 1 is an example of a workpiece in which the epitaxial layer 4 as the optical device layer is formed on the surface 2a of the epitaxial substrate 2 by, for example, epitaxial growth Respectively. The epitaxial substrate 2 is, for example, a sapphire substrate or a silicon carbide substrate as a substrate for crystal growth. The thickness and the size of the epitaxial substrate 2 are not particularly limited.

에피택셜층(4)은, n형 질화갈륨 반도체층(40)과 p형 질화갈륨 반도체층(41)에 의해 구성된다. 에피택시 기판(2)의 표면(2a)에 에피택셜층(4)을 적층할 때에는, 에피택시 기판(2)의 표면(2a)과 n형 질화갈륨 반도체층(40) 사이에 버퍼층(3)이 형성된다. 버퍼층(3)의 두께는, 예컨대 1 ㎛이다. 에피택시 기판(2)의 이면(2b)은, 특별히 아무것도 형성되어 있지 않고, 후기하는 에피택셜층 파괴 공정에서 레이저 광선이 입사되는 면으로 되어 있다. 이하에서는, 에피택시 기판(2)의 표면(2a)에서 성장한 에피택셜층(4)을 에피택시 기판(2)으로부터 박리하는 방법에 대해서 설명한다.The epitaxial layer 4 is composed of an n-type gallium nitride semiconductor layer 40 and a p-type gallium nitride semiconductor layer 41. The buffer layer 3 is formed between the surface 2a of the epitaxial substrate 2 and the n-type gallium nitride semiconductor layer 40 when the epitaxial layer 4 is laminated on the surface 2a of the epitaxial substrate 2. [ . The thickness of the buffer layer 3 is, for example, 1 mu m. The back surface 2b of the epitaxial substrate 2 is not particularly formed and is a surface on which a laser beam is incident in a subsequent epitaxial layer destruction step. Hereinafter, a method of separating the epitaxial layer 4 grown from the surface 2a of the epitaxial substrate 2 from the epitaxial substrate 2 will be described.

(1) 테이프 접착 공정(1) Tape bonding process

도 2에 도시된 바와 같이, 광 디바이스 웨이퍼(1)의 표면측에, 점착성을 갖는 테이프(5)를 접착한다. 테이프(5)의 사이즈는, 특별히 한정되지 않지만, 적어도 도 1에 도시된 에피택셜층(4) 전면을 덮는 면적을 갖고 있다. 이 테이프(5)를, 도 3에 도시된 바와 같이, 광 디바이스 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성된 에피택셜층(4) 전면을 덮도록 접착한다. 그 결과, 에피택셜층(4) 전면이 테이프(5)에 의해 보호된다. 테이프(5)는, 레이저 광선의 열에 견디는 정도의 내열성을 갖는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 2, a tape 5 having adhesiveness is adhered to the surface side of the optical device wafer 1. Fig. The size of the tape 5 is not particularly limited, but has at least an area covering the whole surface of the epitaxial layer 4 shown in Fig. The tape 5 is adhered to cover the entire surface of the epitaxial layer 4 formed on the surface 2a of the optical device wafer 1 as shown in Fig. As a result, the entire surface of the epitaxial layer 4 is protected by the tape 5. It is preferable that the tape 5 has heat resistance enough to withstand the heat of the laser beam.

(2) 에피택셜층 파괴 공정(2) epitaxial layer destruction process

테이프 접착 공정을 실시한 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 에피택시 기판(2)의 이면(2b)측이 상향으로 노출되도록 회전 가능한 유지 테이블(6)에 광 디바이스 웨이퍼(1)를 반송하고, 유지 테이블(6)의 상방측에 배치된 레이저 조사 수단(7)을 이용하여 광 디바이스 웨이퍼(1)의 에피택셜층(4)을 파괴한다. 유지 테이블(6)에는, 도시하고 있지 않지만, 흡인원이 접속되어 있다.The optical device wafer 1 is transported to the holding table 6 which is rotatable so that the back surface 2b side of the epitaxial substrate 2 is exposed upward as shown in Fig. The epitaxial layer 4 of the optical device wafer 1 is destroyed by using the laser irradiation means 7 arranged on the upper side of the holding table 6. [ A suction source is connected to the holding table 6 although not shown.

레이저 조사 수단(7)은, 레이저 광선 발진기(도시하지 않음)와, 상기 레이저 발진기로부터 발진되는 레이저 광선을 피가공물의 내부에 집광하기 위한 집광 렌즈(70)를 적어도 구비하고 있다. 실시형태에서는, 에피택셜층(4) 전면에 효율적으로 레이저 광선을 조사할 수 있도록, 집광 렌즈(70)의 개구수(NA)가 작은 것을 사용한다. 본 공정에 있어서의 가공 조건으로는, 예컨대 하기의 조건으로 설정한다.The laser irradiating means 7 includes at least a laser beam oscillator (not shown) and a condenser lens 70 for condensing a laser beam emitted from the laser oscillator inside the work. In the embodiment, a material having a small numerical aperture (NA) of the condenser lens 70 is used so that the entire surface of the epitaxial layer 4 can be irradiated with a laser beam efficiently. The processing conditions in this step are set under the following conditions, for example.

[가공 조건][Processing conditions]

광원 : YAG 레이저Light source: YAG laser

파장 : 257 ㎚Wavelength: 257 nm

반복 주파수 : 50 kHzRepetition frequency: 50 kHz

평균 출력 : 0.12 WAverage power: 0.12 W

펄스폭 : 5∼100 psPulse width: 5 to 100 ps

스폿 직경 : 70 ㎛Spot diameter: 70 탆

가공 이송 속도 : 600 ㎜/초Feeding speed: 600 mm / sec

도 4에 도시된 바와 같이, 유지 테이블(6)로 광 디바이스 웨이퍼(1)를 유지하였다면, 레이저 조사 수단(7)의 아래쪽으로 유지 테이블(6)을 이동시킨다. 레이저 조사 수단(7)은, 레이저 광선의 집광 위치를 에피택시 기판(2)으로부터 1∼2 ㎜ 위의 공간 중에 위치시킨다. 이에 따라, 버퍼층(3)에 조사되는 레이저 광선의 스폿 직경이 최적의 사이즈가 된다.4, if the optical device wafer 1 is held by the holding table 6, the holding table 6 is moved to the lower side of the laser irradiating means 7. The laser irradiating means 7 positions the condensing position of the laser beam in a space 1 to 2 mm above the epitaxial substrate 2. Thus, the spot diameter of the laser beam irradiated on the buffer layer 3 becomes the optimum size.

계속해서, 유지 테이블(6)을 소정의 가공 이송 속도(600 ㎜/초)로 예컨대 X1 방향으로 이동시키면서, 레이저 조사 수단(7)은, 에피택시 기판(2)에 대해서는 투과성을 가짐과 더불어 에피택셜층(4)에 대해서는 흡수성을 갖는 파장(257 ㎚)의 레이저 광선(8)을, 에피택시 기판(2)의 이면(2b)측으로부터 입사시켜, 버퍼층(3)을 파괴한다. 이와 같이 하여, 레이저 조사 수단(7)에 의해 버퍼층(3) 전면에 레이저 광선(8)을 조사하여 버퍼층(3)을 파괴함으로써, 에피택시 기판(2)과 에피택셜층(4)과의 결합력을 저하시킨다.Subsequently, while moving the holding table 6 at a predetermined processing feed rate (600 mm / sec), for example, in the X1 direction, the laser irradiation means 7 has permeability to the epitaxial substrate 2, A laser beam 8 having a wavelength of 257 nm having absorbency is incident on the back layer 2b side of the epitaxial substrate 2 to break the buffer layer 3. In this way, the laser beam 8 is irradiated to the entire surface of the buffer layer 3 by the laser irradiation means 7 to break the buffer layer 3 so that the bonding force between the epitaxial substrate 2 and the epitaxial layer 4 .

에피택셜층 파괴 공정의 다른 예로는, 레이저 조사 수단(7)을 에피택시 기판(2)의 최외주에 위치시키고, 유지 테이블(6)을 회전시키면서, 레이저 조사 수단(7)을 에피택시 기판(2)의 최외주로부터 중심을 향해 이동시키면서 레이저 광선(8)을 에피택시 기판(2)의 이면(2b)측으로부터 입사시켜, 버퍼층(3) 전면에 레이저 광선(8)을 조사하도록 하여도 좋다.Another example of the epitaxial layer destruction step is to place the laser irradiation means 7 on the epitaxial substrate 2 while positioning the laser irradiation means 7 on the outermost periphery of the epitaxial substrate 2 and rotating the holding table 6 The laser beam 8 may be incident on the back surface 2b side of the epitaxial substrate 2 while irradiating the entire surface of the buffer layer 3 with the laser beam 8 while moving the laser beam 8 toward the center from the outermost periphery of the buffer layer 3 .

광 디바이스 웨이퍼(1)의 에피택셜층(4)을 파괴한 후, 유지 테이블(6)로부터 광 디바이스 웨이퍼(1)를 반출할 때에, 유지 테이블(6)의 흡인 유지를 정지했다고 해도, 에피택셜층(4)에는 테이프(5)가 접착되어 있기 때문에, 파괴된 에피택셜층(4)이 날아올라 집광 렌즈(70)에 부착되는 일은 없다.Even if suction holding of the holding table 6 is stopped when the optical device wafer 1 is taken out from the holding table 6 after destroying the epitaxial layer 4 of the optical device wafer 1, Since the tape 5 is adhered to the web layer 4, the destroyed epitaxial layer 4 is not blown up and attached to the condenser lens 70.

(3) 박리 공정(3) Peeling process

에피택셜층 파괴 공정을 실시한 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 에피택시 기판(2)으로부터 에피택셜층(4)을 제거한다. 구체적으로는, 테이프(5)를 에피택시 기판(2)으로부터 박리함으로써, 테이프(5)와 함께 에피택셜층(4)을 에피택시 기판(2)의 표면(2a)으로부터 박리할 수 있다. 이와 같이 하여 테이프(5) 전체를 에피택시 기판(2) 전면으로부터 박리하여 에피택셜층(4)을 표면(2a)에서 제거하면, 에피택시 기판(2)이 잔존한다.After the epitaxial layer destruction step is performed, the epitaxial layer 4 is removed from the epitaxial substrate 2, as shown in Fig. The epitaxial layer 4 can be peeled from the surface 2a of the epitaxial substrate 2 together with the tape 5 by peeling the tape 5 from the epitaxial substrate 2. [ When the entirety of the tape 5 is peeled from the entire surface of the epitaxial substrate 2 and the epitaxial layer 4 is removed from the surface 2a in this way, the epitaxial substrate 2 remains.

이상과 같이, 본 발명에 따른 광 디바이스층의 박리 방법에서는, 에피택셜층 파괴 공정을 실시하여 에피택셜층(4)을 파괴한 후, 점착성을 갖는 테이프(5)와 함께 에피택셜층(4)을 에피택시 기판(2)으로부터 박리하여 제거하는 박리 공정을 실시하기 때문에, 가령 에피택시 기판(2)의 표면(2a)에 에피택셜층(4)이 균등하게 성장하지 않은 경우에도, 에피택시 기판(2)을 폐기하지 않고 재이용할 수 있다.As described above, in the method for peeling the optical device layer according to the present invention, after the epitaxial layer 4 is broken by performing the epitaxial layer destruction step, the epitaxial layer 4 is formed together with the adhesive tape 5, Even if the epitaxial layer 4 does not grow uniformly on the surface 2a of the epitaxial substrate 2 because the epitaxial substrate 2 is peeled and removed from the epitaxial substrate 2, (2) can be reused without being discarded.

또한, 에피택셜층(4)이 제거된 후의 에피택시 기판(2)은, 연삭 등이 행해지지 않아 얇아지지 않았기 때문에, 재이용하는 것이 가능하다. 만일, 박리 공정을 실시한 후의 에피택시 기판(2)에 에피택셜층(4)이 약간 남아 있으면, 예컨대 1 ㎜ 정도 에피택시 기판(2)을 연마하는 경우도 있지만, 에피택셜층을 연삭하여 에피택시 기판으로부터 제거하는 종래의 연삭 방법을 이용하는 경우보다도, 에피택시 기판(2)이 제거되는 양이 적기 때문에, 에피택시 기판(2)을 재이용하는 것에 문제점은 발생하지 않는다.Further, since the epitaxial substrate 2 after the epitaxial layer 4 is removed is not thinned because grinding or the like is not performed, it can be reused. If the epitaxial layer 4 slightly remains on the epitaxial substrate 2 after the peeling step, for example, the epitaxial substrate 2 may be polished by about 1 mm. However, the epitaxial layer 2 may be ground, There is no problem in reusing the epitaxial substrate 2 because the amount of the epitaxial substrate 2 to be removed is smaller than that in the case of using the conventional grinding method of removing it from the substrate.

실시형태에 나타낸 테이프(5)는, 내열성을 갖는 타입이지만, 유지 테이블(6)이 냉각 기능을 갖고 있으면, 내열성을 갖지 않는 테이프를 사용하여도 좋다.The tape 5 shown in the embodiment is a type having heat resistance. However, if the holding table 6 has a cooling function, a tape having no heat resistance may be used.

1: 광 디바이스 웨이퍼 2: 에피택시 기판
2a: 표면 2b: 이면
3: 버퍼층 4: 에피택셜층
40: n형 질화갈륨 반도체층 41: p형 질화갈륨 반도체층
5: 테이프 6: 유지 테이블
7: 레이저 조사 수단 70: 집광 렌즈
8: 레이저 광선1: optical device wafer 2: epitaxial substrate
2a: Surface 2b:
3: buffer layer 4: epitaxial layer
40: n-type gallium nitride semiconductor layer 41: p-type gallium nitride semiconductor layer
5: tape 6: retention table
7: laser irradiation means 70: condensing lens
8: laser beam

Claims (1)

에피택시 기판의 표면에 성장한 에피택셜층을, 상기 에피택시 기판으로부터 박리하는 광 디바이스층의 박리 방법으로서,
상기 에피택셜층에 테이프를 접착하는 테이프 접착 공정과,
상기 에피택시 기판의 이면측으로부터 에피택셜층에 에피택시 기판에 대해서는 투과성을 가지며 에피택셜층에 대해서는 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 상기 에피택셜층을 파괴하는 에피택셜층 파괴 공정과,
상기 테이프의 박리와 함께 상기 에피택셜층을 에피택시 기판으로부터 제거하는 박리 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 디바이스층의 박리 방법.A method for peeling an optical device layer for peeling an epitaxial layer grown on a surface of an epitaxial substrate from the epitaxial substrate,
A tape adhering step of adhering a tape to the epitaxial layer,
An epitaxial layer destruction step of irradiating a laser beam having a transmittance to the epitaxial layer from the back side of the epitaxial substrate to the epitaxial layer and a wavelength of absorption with respect to the epitaxial layer to destroy the epitaxial layer,
The peeling of the tape and the peeling step of removing the epitaxial layer from the epitaxial substrate
Gt; of < / RTI > the optical device layer.
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