KR20170016426A - 발광장치 - Google Patents

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Abstract

발광장치가 개시된다. 이 발광장치는 상면과 저면을 포함하는 투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 상면 상에 배치되는 적어도 하나의 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자의 상측에 배치되어, 상기 반도체 발광소자로부터의 광을 상기 투광성 기판을 향해 반사시키는 반사부와, 상기 투광성 기판과 상기 반사부 사이에 위치하는 제1 파장변환부를 포함한다.

Description

발광장치{LIGHTING APPARATUS}
본 발명은 발광다이오드 등과 같은 반도체 발광소자를 광원으로 이용하는 발광장치에 관한 것이다.
오랜 기간 동안, “형광등”이라 칭해지는 냉음극 형광램프가 건축물의 실내 또는 옥외의 조명장치로 많이 이용되어 왔다. 그러나, 냉음극 형광램프는 짧은 수명, 열악한 내구성, 광의 제한된 컬러 선택 범위 및 낮은 에너지 효율과 같은 단점이 있다.
발광다이오드는, 우수한 응답성, 높은 에너지 효율, 긴 수명 등 여러 이점에도 불구하고, 낮은 휘도와 낮은 출력으로 인해, 소형 디스플레이 장치의 백라이트 광원 등에 제한적으로 이용되어 왔었다. 하지만, 근래 들어, 고휘도, 고출력의 백색 엘이디가 개발됨에 따라 새롭게 조명용 발광장치의 광원으로 각광받고 있다.
종래의 조명용 발광장치는, 발광다이오드 등과 같은 반도체 발광소자와, 인쇄회로기판 등과 같은 기판을 포함한다. 반도체 발광소자가 인쇄회로기판 상에 직접 실장될 수 있으며, 또는, 반도체 발광소자를 내장한 패키지가 인쇄회로기판 상에 실장될 수 있다. 반도체 발광소자가 기판 또는 패키지 상에 실장될 때, 반도체 발광소자와 기판 또는 패키지 사이의 경계면에서 많은 광 손실이 발생한다. 특히, 사파이어 기판 등과 같은 투광성 기판을 반도체 성장기판 또는 지지기판으로 이용하는 발광다이오드 칩의 경우, 투광성 기판을 통해 많은 양의 광을 활용할 수 있음에도 불구하고, 그러한 광은 인쇄회로기판 또는 패키지에 막혀 손실된다.
기판 등과 같은 임의의 객체에 대해 부착되는 면, 즉, 칩 실장면에서의 광 손실을 최소화할 필요성이 당해기술분야에 존재한다.
반도체 발광소자의 칩 실장면에서 나온 광을 활용하면, 반도체 발광소자로부터 발광 범위가 대폭 넓어지며, 이 경우, 넓은 범위로 방출되는 광을 소망하는 영역 또는 공간으로 집중시키는 기술이 요구된다.
더 나아가, 위와 같이 넓은 범위로 방출되는 광을 파장 변환하여 소망하는 색의 광, 예컨대, 백색광을 얻기 위해서는, 새로운 형광체 배치 기술이 요구된다.
본 발명의 일측면에 따른 발광장치는, 상면과 저면을 포함하는 투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 상면 상에 배치되는 적어도 하나의 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자의 상측에 배치되어, 상기 반도체 발광소자로부터의 광을 상기 투광성 기판을 향해 반사시키는 반사부와, 상기 투광성 기판과 상기 반사부 사이에 위치하는 제1 파장변환부를 포함한다.
상기 제1 파장변환부는 상기 반사부에 형성될 수 있고, 상기 반사부는 오목면을 포함할 수 있다. 상기 발광장치는 상기 반사부를 거치지 않고 상기 투광성 기판을 통해 직접 방출되는 광을 파장변환하는 제2 파장변환부를 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 발광소자는 투광성을 갖는 저면을 통해 광을 방출하되, 상기 제2 파장변환부는 상기 반도체 발광소자의 저면을 통해 방출된 광을 파장변환하도록 상기 투광성 기판에 형성된다. 더 바람직하게는, 상기 제2 파장변환부는 상기 반도체 발광소자의 위치에 대응되게 상기 투광성 기판의 저면 측에 위치한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사부는 상기 투광성 기판의 상측에 배치되는 반사기에 포함되고, 상기 반사기와 상기 투광성 기판 사이의 공간은 비어 있을 수 있다. 상기 발광장치는, 상기 공간 내에서 상기 반도체 발광소자를 개별적으로 덮는 봉지재를 더 포함할 수 있다. 대안적인 실시예에 따라, 상기 반사부는 상기 투광성 기판의 상측에 배치되는 반사기에 포함되고, 상기 반사기와 상기 투광성 기판 사이의 공간 전체가 투광성 수지가 채워질 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 발광장치는 상기 투광성 기판의 저면 측에 위치하는 광 확산부를 더 포함할 수 있다. 상기 광 확산부는 상기 투광성의 기판의 저면 측에서 상기 제2 파장변환부를 덮도록 층상으로 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환부와 상기 투광성 기판의 저면 사이에 광 회귀 방지층이 개재될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투광성 기판의 저면에는 광 추출을 높이는 요철 패턴이 형성될 수 있다.
일 실시예에 따라, 상기 투광성 기판의 상면에는 반도체 발광소자에 대응되게 전극 패턴이 형성되며, 상기 전극 패턴은 투광성을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 발광장치는, 상면과 저면을 포함하는 투광성 기판과; 상기 투광성 기판의 상면 상에 배치되는 복수의 반도체 발광소자와; 상기 복수의 반도체 발광소자로부터 방출된 광을 상기 투광성 기판을 향해 반사시키는 반사기와; 상기 반사기를 거치는 경로의 광을 파장변환하기 위한 제1 파장변환부와; 상기 반도체 발광소자의 저면으로부터 나와 상기 반사기를 거치지 않는 광을 파장변환하는 제2 파장변환부를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 반사기에는 상기 복수의 반도체 발광소자에 대응되는 복수의 제1 파장변환부가 형성되고, 상기 투광성 기판의 저면에는 상기 복수의 반도체 발광소자에 대응되는 복수의 제2 파장변환부가 형성된다. 상기 투광성 기판의 상면에는 상기 복수의 발광소자 각각에 대하여 두개 이상의 전극 패턴이 제공된다.
일 실시예에 따라, 상기 복수의 반도체 발광소자는 직렬로 연결될 수 있다.
상세한 설명 및 특허청구범위에서 쓰인, "상면", "저면, "상측", "상부", "하부" 등 방위 또는 방향을 나타내는 용어들은 도면에 보여지는 대로 단지 상대적인 위치 관계 또는 방위를 나타낸 것에 불과하다. 예컨대, "상면"으로 기재된 요소는 실제로는 "저면"이 될 수 있고, 이러한 경우, 그에 반대되게 "저면"으로 기재된 요소는 실제로 "상면"이 될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 발광소자의 저면을 통해 나오는 광의 활용도를 높일 수 있어, 발광 효율을 높일 수 있다. 또한, 반도체 발광소자의 상면을 통해 방출되는 광과 반도체 발광소자의 저면을 통해 방출되는 광을 균일하게 파장변환하여 조명 등에 이용할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도.
도 2는 도 1의 I-I를 따라 취해진 일 실시예에 따른 발광장치의 종단면도.
도 3 내지 도 9는 다양한 다른 실시예들을 설명하기 위한 단면도들.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이고, 도 2는 도 1의 I-I를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치의 종단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광장치(1)는 유리 재질의 투광성 기판(10)과, 반도체 발광소자(20)와, 반사기(30)와, 제1 및 제2 파장변환부(40, 50)를 포함한다.
상기 투광성 기판(10)은, 상기 반도체 발광소자(20)가 배치되는 상면(10a)과, 그 반대편의 저면(10b )을 포함한다. 상기 투광성 기판(10)의 상면(10a)에는 상기 반도체 발광소자(20)에 전력을 인가할 수 있도록 전극 패턴(11a, 11b)이 형성된다. 상기 전극 패턴(11a, 11b)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같이 도전성 및 투광성을 갖는 재료로 형성될 수 있다. 상기 전극 패턴(11a, 11b)은 인쇄 기법 등에 의해 형성될 수 있다. 상기 투광성 기판(10)으로는 유리 기판 외에도 투광성을 갖는 다양한 재료로 된 기판, 예를 들면, 수지 기판, 석영 기판, 세라믹 기판 등이 이용될 수 있다.
상기 반도체 발광소자(20)는 투광성 기판(10)의 상면(10a) 상에 배치된다. 본 실시예에 있어서, 상기 반도체 발광소자(20)는 p형 반도체층과 n형 반도체층을 포함하고, 그 사이의 발광 영역(또는, 활성 영역)에서 광을 발하는 발광다이오드 칩인 것이 바람직하다. 상기 반도체 발광소자(20)는 투광성을 갖는 접착물질(21)에 의해 상기 투광성 기판(10)의 상면(10a)에 부착된다. 상기 반도체 발광소자(20)는 상면과 측면들은 물론이고 저면을 통해서도 광을 방출할 수 있는 구조로 이루어진다. 예를 들면, 사파이어 기판과 같은 투광성 기판을 반도체 성장기판 또는 반도체 지지기판으로 포함하는 하는 발광다이오드 칩의 경우, 상면 및 측면은 물론이고 저면을 통해서도 광을 방출할 수 있다. 상기 반도체 발광소자(20)의 저면을 통해 나온 광은 상기 투광성 접착물질(21)과 상기 투광성 기판(10)을 지나 아래로 방출된다. 반도체 발광소자의 측면을 덮도록 반사성을 갖는 절연막을 형성하는 것도 고려될 수 있다.
상기 발광장치(1)가 광을 보내고자 하는 방향 또는 조명 방향은 상기 투광성 기판(10)의 저면 아래쪽 방향, 즉, 반도체 발광소자(20)가 실장되는 방향과 반대편 방향이다.
본 실시예에 있어서, 투광성 기판(10)의 상면(10a)에 반도체 발광소자(20)가 복수개로 배치된다. 상기 투광성 기판(10) 상에 반도체 발광소자(20)가 매트릭스 배열로 배치될 수 있으며, 도면에 도시된 바에 따르면, 복수의 반도체 발광소자(20)는 2열로 배치되어 있다. 하나의 반도체 발광소자(20)에 대해 두개의 전극 패턴(11a, 11b)들이 제공된다. 각 반도체 발광소자(20)의 전극들과 전극 패턴(11a, 11b)들은 본딩와이어(W, W)에 의해 연결된다.
상기 반사기(30)는 상기 투광성 기판(10)의 상면(10a )으로부터 이격되도록 상기 투광성 기판(10)의 상측에 배치된다. 상기 반사기(30)와 투광성 기판(10) 사이에는 반도체 발광소자(20)가 위치한다. 상기 반사기(30)와 상기 반도체 발광소자(20)와도 이격되어 있으며, 그 사이의 공간은 비어 있다. 상기 반사기(30)는 복수의 반도체 발광소자(20)에 대응되게 제공되는 복수의 반사부(32)를 포함한다. 본 실시예에 있어서, 상기 복수의 반사부(32) 각각은 오목한 곡면 형상의 반사면을 포함하며, 해당 반도체 발광소자(20)로부터 방출된 광을 투광성 기판(10)을 향해 반사시키는 역할을 한다. 반사부(32)의 형상 및 크기에 따라 발광장치(1)의 발광 효율이 달라질 수 있으며, 상기 반사부(32)는, 반도체 발광소자(20)의 광 지향각, 반도체 발광소자(20)들의 간격 등을 고려하여, 적절한 크기 및 형상으로 설계되어야 할 것이다. 상기 반사기(30)는 상기 반사부(32) 영역만이 광을 반사시키는 성능을 가질 수도 있고, 전체적으로 광을 반사시키는 성능을 가질 수도 있다.
상기 제1 파장변환부(40)는 투광성 기판(10)과 반사기(30) 사이의 광 경로에 위치하는데, 이는 제1 파장변환부(40)에 의해 파장변환된 광이 반사기(30)에 의해 넓게 반사되어 외부로 향하게 함으로서, 제1 파장변환부(40)의 배치 면적, 더 나아가서는, 형광체의 양을 줄이는데에도 기여한다. 더 나아가, 도시된 바와 같이, 광이 주로 집중되는 반사기(30)의 반사부(32) 영역에 제1 파장변환부(40)를 둠으로써, 적은 형광체의 양으로 파장변환 효율을 더 높일 수 있다.
상기 제1 파장변환부(40)에 더하여 제2 파장변환부(50)가 더 제공되며, 이 제2 파장변환부(50)는 투광성 기판(10)에 배치된다. 본 실시예에 있어서, 상기 제2 파장변환부(50)는 상기 반도체 발광소자(20)의 저면으로부터 나온 광을 파장변환하도록 투광성 기판(10)의 저면에 위치한다. 상기 제2 파장변환부(50)는 복수의 반도체 발광소자(20) 각각의 직하에 위치하며, 반도체 발광소자(20)의 저면에서 나온 광이 상기 투광성 기판(10)을 통과하면서 더 넓게 퍼지는 것을 고려하여, 상기 반도체 발광소자(20)의 저면 면적보다 약간 넓은 면적으로 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환부(50)는 형광체를 투광성 기판(10)의 저면 해당 영역에 코팅하여 형성될 수 있다.
제1 파장변환부(40)가 반사기(30)를 거치는 광의 파장변환에 참여하고 제2 파장변환부(50) 반사기(30)를 거치지 않는 광의 파장변환 참여하므로, 반도체 발광소자(10)로부터 나온 광을 거의 균일하게 파장변환하여 외부로 방출하는 것이 가능하다.
본 실시예에 따른 발광장치(1)는 반사기(30)와 제1 파장변환부(40)를 갖춘 구조물에 대해 반도체 발광소자(20) 등을 구비한 투광성 기판(10)을 적절히 배치하는 것에 의해 구현될 수 있다. 예컨대, 반사기(30) 등을 포함하는 구조물이 실내 또는 실외에 고정 배치된 상태에서, 반도체 발광소자(20) 등을 갖춘 투광성 기판(10)을 교체식으로 상기 구조물에 결합하여 상기 발광장치(1)를 구현할 수 있다. 이 경우, 상기 구조물에는 전원 공급단자가 제공되고, 상기 투광성 기판(10) 또는 그것을 포함하는 임의의 다른 구조물에는 투광성 기판(10) 상의 전극 패턴(11a, 11b)을 상기 전원 공급단자와 전기적으로 연결하는 단자 또는 소켓이 제공될 수 있다. 그러나, 상기 발광장치(1)는, 유리 재질의 투광성 기판(10)과, 반도체 발광소자(20)와, 반사기(30)와, 제1 및 제2 파장변환부(40, 50) 등이 미리 일체화되어, 전원 및/또는 전원 공급단자를 포함하는 임의의 구조물에 설치될 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 다양한 실시예들에 대해 설명이 이루어질 것이며, 이하 실시예들을 설명함에 있어서, 앞선 실시예와 중복되는 설명은 생략될 것이고, 알선 실시예의 구성요소들과 동일 또는 유사한 기능을 하는 구성요소는 앞선 실시예의 설명에 쓰인 도면부호를 그대로 쓸 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 다른 발광장치(1)는 투광성 기판(10)의 저면(10b)에 층 형태로 형성된 광 확산부(16)를 더 포함한다. 상기 광 확산부(16)는 상기 투광성 기판(10)의 저면(10b)에 적층된 형태로 제공되어, 상기 투광성 기판(10)으로 거쳐 외부로 나가는 광을 더 넓게 확산시켜 내보낸다. 본 실시예에 있어서, 상기 광 확산부(16)는 제2 파장변환부(50)를 수용할 수 있도록 오목한 홈을 포함한다. 상기 광 확산부(16)는 확산 필름을 투광성 기판(10)의 저면(10b)에 부착하거나, 확산 물질을 투광성 기판(10)의 저면(10b)에 코팅하거나 하는 등 다양한 방식으로 제공될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 투광성 기판(10)의 저면(10b)에 광 회귀 방지층(17)이 형성된다. 광 회귀 방지층(17)은 광 확산부(16) 및 제2 파장변환부(50)와 그 위쪽의 투광성 기판(10) 사이에 개재되어 있다. 상기 광 회귀 방지층(17)은 투광성 기판(10)을 통과하여 나간 광이 제2 파장변환부(50)의 형광체 또는 다른 요소에 의해 반사되어 다시 투광성 기판(10)으로 회귀되는 것을 억제한다. 상기 광 회귀 방지층(17)은 투광성 기판(10)의 저면(10b) 전체 영역에 걸쳐 형성될 수도 있고, 반도체 발광소자(20)에 대응되는 영역에만 형성될 수도 있다. 또한, 광 회귀 방지층(17)의 특정 파장대의 광을 반사시키는DBR(Distributed Bragg Reflector)로 형성할 수 있는데, 이 경우, 제2 파장변환부(50)는 형광체에 부딪혀 회귀하는 광은 DBR 구조의 광 회귀 방지층(17)에 의해 반사되어 발광장치 내부로 회귀하지 못한다. 도또한, 전술한 것과 같거나 유사한 광 회귀 방지층을 투광성 기판(10)의 상면과 전극 패턴 사이에 형성할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광장치(1)는 투광성 기판(10)의 상면(10a) 상에 형성되어 해당 반도체 발광소자(20) 및 본딩와이어(W)를 개별적으로 봉지하는 투광성 봉지재(18)를 포함한다. 상기 봉지재(18)는 예를 들면 에폭시 수지 또는 실리콘 수지에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 봉지재(18)는 상기 반도체 발광소자(20)로부터 나온 광을 해당 반사부(32)에 집중시킬 수 있는 렌즈 형상을 가질 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광장치(1)는 앞선 실시예와 마찬가지로 반도체 발광소자(20)와 본딩와이어(W)를 봉지하는 투광성 봉지재(18')를 포함하되, 이 투광성 봉지재(18')는 투광성 기판(10)과 반사기(30) 사이를 모두 메우도록 채워져 있다. 상기 투광성 봉지재(18')는 투광성 기판(10)과 비슷한 굴절율을 갖는 것이 선호된다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광장치(1)는 하나의 반도체 발광소자(20)에 대하여 서로 다른 극성을 갖는 두개 또는 그 이상의 전극 패턴(11a, 11b)들이 제공되며, 이 전극 패턴(11a, 11b) 들 중 하나에 상기 반도체 발광소자(20)가 직접 실장된다. 이는 대향 전극들 중 적어도 하나의 전극이 반도체 발광소자의 하부에 존재하는, 수직형 발광다이오드 칩 등을 반도체 발광소자로 이용하는 경우에 적합할 수 있다. 이때, 반도체 발광소자(20)의 하부 전극 구조는 적어도 일부가 투광성을 갖는 것이 선호된다. 도 7에 도시된 구조에서는 투광성 기판(10)의 상면과 전극 패턴 사이에 광 회귀 방지층을 형성하는 것이 유리하다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 다른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광장치(1)는 투광성 기판(10)의 상면(10a) 상에서 복수의 반도체 발광소자(20)가 직렬로 연결되어 하나의 직렬 어레이를 구성한다. 발광소자(20) 각각에 대하여 전극 패턴이 있어야만 했던 앞선 실시예와 달리 어레이의 양단에만 전극이 있으면 된다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광장치를 도시한 횡단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광장치(1)는 투광성 기판(10)은 상면(10a)와 저면(10b)을 포함하되, 외부의 공기 등 매질과 경계를 이루는 저면(10b)에 광 추출 향상을 위한 패턴(101)들이 형성된다. 이 패턴(101)들은 규칙적일 수 있고 대안적으로 비규칙적일 수 있다. 또한, 상기 패턴(101)들 러프닝 가공, 텍스쳐링 가공, 에칭 가공 등에 의해 형성될 수 있다. 더 나아가, 투광성 기판(10)이 몰딩 등의 성형 방식으로 만들어지는 것이라면, 성형 과정에서 상기 패턴(101)들을 형성할 수도 있을 것이다.
도시되지는 않았지만, 반사기(30; 도 1 내지 도 8 참조)의 저면과 기판(10; 도 1 내지 도 8 참조)의 상면 이격되지 않고 접촉될 수도 있으며, 이 경우, 반사기의 일부 영역, 예컨대, 파장변환부가 형성되는 오목한 반사부 영역만이 기판의 상면으로부터 이격되게 하여, 상기 오목한 반사부와 기판 사이의 공간에 반도체 발광소자와 도전성 패턴, 더 나아가 봉지재 등을 배치할 수도 있다.
10: 투광성 기판
20: 반도체 발광소자
30: 반사기
32: 반사부
40: 제1 파장변환부
50: 제2 파장변환부
11a, 11b: 전극 패턴

Claims (24)

  1. 상면과 저면을 포함하는 투광성 기판;
    상기 투광성 기판의 상면에 배치되는 반도체 발광소자;
    상기 반도체 발광소자의 상부에 배치되는 광학 부재;
    상기 반도체 발광소자에서 방출되어 상기 광학 부재로 향하는 제1 방향으로 방출되는 광의 파장을 변환하는 제1 파장변환부;
    상기 투광성 기판의 저면에 배치되고, 상기 반도체 발광소자에서 방출되어 상기 투광성 기판으로 향하는 제2 방향으로 방출된 광의 파장을 변환하는 제2 파장변환부; 및
    상기 반도체 발광소자를 봉지하는 봉지재;를 포함하며,
    상기 제1 파장변화부 및 상기 봉지재는 상기 투광성 기판 및 상기 광학 부재 사이에 배치되며, 곡면을 갖는 발광장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광학 부재는 반사기인 발광장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 파장변환부는 상기 반사기에 배치되며,
    상기 반사기는 상기 제1 파장변환부를 통과한 광을 상기 투광성 기판을 향해 반사시키는 발광장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 파장변환부는 상기 투광성 기판의 저면에서 상기 반도체 발광소자에 대응하는 위치에 배치되는 발광장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 봉지재는 상기 반도체 발광소자에서 방출된 광을 상기 반사기로 집중시킬 수 있는 렌즈 형상으로 형성되는 발광장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 파장변환부는 봉지재 상에 배치되는 발광장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 광학 부재와 상기 봉지재 사이의 공간은 비어있는 발광장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 파장변환부와 상기 투광성 기판 사이의 공간은 봉지재로 채워지는 발광장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 봉지재는 에폭시 수지, 실리콘 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 투광성 물질로 형성되는 발광장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 투광성 기판의 저면에 위치하는 광 확산부를 더 포함하는 발광장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 투광성 기판의 상면에는 적어도 하나의 전극 패턴이 형성되며,
    상기 전극 패턴은 본딩와이어로 상기 반도체 발광소자와 연결되는 발광장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 투광성 기판에 상기 반도체 발광소자를 접착시키는 접착물질을 더 포함하는 발광장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 투광성 기판의 저면과 상기 제2 파장변환부 사이에 개재된 광 회귀 방지층을 더 포함하는 발광장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    광 추출 향상을 위해 상기 투광성 기판의 저면에 형성된 요철 패턴을 더 포함하는 발광장치.
  15. 상면과 저면을 포함하는 투광성 기판;
    상기 투광성 기판의 상면에 배치되는 복수개의 반도체 발광소자들;
    상기 복수개의 반도체 발광소자들에서 방출된 광의 파장을 변환하는 제1 파장변환부;
    상기 투광성 기판의 저면에 배치되고, 상기 복수개의 반도체 발광소자들에서 방출되어 상기 투광성 기판으로 향하는 광의 파장을 변환하는 제2 파장변환부; 및
    상기 복수개의 반도체 발광소자들을 봉지하고, 상기 투광성 기판과 상기 제1 파장변환부 사이에 배치되는 봉지재;를 포함하며,
    상기 복수개의 반도체 발광소자들은 직렬로 연결되어 어레이를 구성하고,
    상기 투광성 기판은 상면에 배치된 한쌍의 전극 패턴들을 포함하고, 상기 전극 패턴들 각각은 상기 어레이의 양단에 배치되는 발광장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 봉지재 상부에 배치되는 광학 부재를 더 포함하는 발광장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 광학 부재는 상기 복수개의 반도체 발광소자들로부터 방출되고 상기 제1 파장변환부를 통과하는 광의 경로를 변경하는 발광장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 광학 부재는 상기 복수개의 반도체 발광소자들에서 방출된 광을 상기 투광성 기판을 항해 반사시키는 반사기인 발광장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 봉지재는 상기 복수개의 반도체 발광소자들 각각에 대해 곡면을 갖는 발광장치.
  20. 청구항 16에 있어서,
    상기 광학 부재와 상기 봉지재 사이의 공간은 비어있는 발광장치.
  21. 청구항 15에 있어서,
    상기 봉지재는 에폭시 수지, 실리콘 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 투광성 물질로 형성되고, 상기 제1 파장변환부와 상기 투광성 기판의 공간에 전체적으로 채워지는 발광장치.
  22. 청구항 15에 있어서,
    상기 복수개의 반도체 발광소자 각각은 본딩와이어로 전기적으로 연결되는 발광장치.
  23. 청구항 15에 있어서,
    상기 투광성 기판의 상면에 상기 복수개의 반도체 발광소자들을 접착시키는 접착물질을 더 포함하는 발광장치.
  24. 청구항 15에 따른 발광장치; 및
    상기 발광장치를 실내 또는 실외에 배치된 구조물에 교체식으로 장착하기 위한 소켓;을 포함하며,
    상기 소켓은 상기 발광장치의 상기 한쌍의 전극 패턴들과 상기 구조물의 전원 공급단자를 전기적으로 연결하는 조명장치.
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