KR20170009759A - Metal component and process chamber having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a metallic component and a processing chamber having the same, and more specifically, to a metallic component, forming a pore-less anodized barrier layer on a surface of a metallic part used in display or semiconductor manufacturing processes, and a processing chamber including the same, so as to prevent lowering of processing defect and manufacturing yield of displays or semiconductors, and a processing chamber having the same. According to the present invention, the metallic component comprises a metallic mother material and a surface nano-oxidation film formed on the surface of the mother material.

Description

금속부품 및 이를 구비한 공정챔버{Metal component and process chamber having the same}METAL COMPONENTS AND PROCESS CHAMBERS WITH THE SAME

본 발명은 금속부품 및 이를 구비한 공정챔버에 관한 것으로서, 특히, 디스플레이 또는 반도체 제조 공정에 사용되는 공정챔버 및 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 금속부품에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal part and a process chamber having the same, and more particularly, to a process chamber used in a display or semiconductor manufacturing process, and a metal part constituting an inner surface or installed as an inner part.

CVD 장치, PVD 장치, 드라이에칭 장치 등(이하, '공정챔버'라 한다)은 그 공정챔버의 내부에 반응가스, 에칭가스, 또는 클리닝 가스(이하, '공정가스'라 한다)를 이용한다. 이러한 공정가스로는 Cl, F 또는 Br 등의 부식성 가스를 주로 사용하므로, 부식에 따른 내식성이 중요하게 요구되었다. A CVD apparatus, a PVD apparatus, a dry etching apparatus, etc. (hereinafter referred to as a "process chamber") uses a reactive gas, an etching gas, or a cleaning gas (hereinafter, referred to as "process gas") inside the process chamber. As such a process gas, corrosive gas such as Cl, F, or Br is mainly used, so corrosion resistance due to corrosion is important.

이로 인하여 공정챔버용 부품으로 스테인레스 강을 사용한 종래기술도 있었으나, 열전도성이 충분하지 않고, 스테인레스 강의 합금성분인 Cr이나 Ni 등의 중금속이 공정 중에 방출되어 오염원이 되는 일도 있었다. As a result, there has been a conventional technique in which stainless steel is used as a component for the process chamber, but the thermal conductivity is not sufficient and heavy metals such as Cr and Ni, which are alloy components of stainless steel, are released during the process to become a source of contamination.

따라서, 스테인레스 강보다 경량이고, 열전도성이 우수하고, 중금속 오염의 우려가 없는 알루미늄 또는 알루미늄합금을 이용한 공정챔버용 부품이 개발되었다. 그러나 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면은 내식성이 좋지 않아 표면처리를 행하는 방법들이 연구되었다. Thus, parts for process chambers using aluminum or aluminum alloys that are lighter than stainless steel, have excellent thermal conductivity and are free of heavy metal contamination have been developed. However, the surface of aluminum or aluminum alloy is poor in corrosion resistance and methods of surface treatment have been studied.

일례로 도 1 및 도 2(a), 도 2(b) 에 도시된 바와 같이, 알루미늄(10)의 표면에 양극산화처리를 행하는 것에 의해 표면에 뚫린 구멍(Pore)(23)을 다수 가지는 다공질층(22)과 구멍(23)이 없는 경계층(21)으로 이루어진 양극산화 피막을 형성함으로써, 알루미늄 또는 알루미늄합금의 내식성 및 내전압성을 향상시키고자 하였다. 상기 양극산화 피막의 경계층(21)은 다공질층(22)과 달리 구멍(23)이 형성되어 있지 않다. 종래의 양극산화 피막은 경계층(21)의 두께가 수십 ㎚ 미만이나, 내전압성을 위해 다공질층(22)은 수십 ㎛ 에서 수백 ㎛ 로 형성 되었다. For example, as shown in Figs. 1 and 2 (a) and 2 (b), by performing an anodic oxidation treatment on the surface of the aluminum 10, a plurality of pores 23, Layer 22 and the boundary layer 21 without the hole 23, thereby improving the corrosion resistance and withstand voltage of aluminum or an aluminum alloy. Unlike the porous layer 22, the boundary layer 21 of the anodized film has no holes 23 formed therein. The thickness of the boundary layer 21 of the conventional anodic oxide film is less than several tens of nanometers, but the thickness of the porous layer 22 is several tens of micrometers to several hundreds of micrometers for withstand voltage.

종래의 양극산화 피막은 그 두께의 대부분이 다공질층(22)으로 이루어지게 되고, 이에 따라 내부 응력의 변화 또는 열팽창의 영향에 의해 양극산화 피막에 크랙(Crack)이 발생하거나 양극산화 피막이 박리되는 문제가 발생하였고, 노출된 알루미늄 또는 알루미늄합금이 피뢰침과 같은 역할을 하게 되어 순간적으로 노출된 알루미늄 부위로 플라즈마가 몰리는 플라즈마 아킹(Plasma Arcing)이 발생하여 알루미늄 표면이 부분적으로 녹거나 결손되는 문제점이 발생하였다.The conventional anodic oxide film is formed of the porous layer 22 in its thickness, so that cracks are generated in the anodized film due to a change in internal stress or thermal expansion, or an anodic oxide film is peeled off And the exposed aluminum or aluminum alloy plays the role of the lightning rod so that the plasma arc is generated in which the plasma is burnt into the exposed aluminum part instantaneously and the aluminum surface is partially melted or broken .

또한, 양극산화 피막의 다공질층(22)을 형성함에 있어서 다공질층(22)의 구멍(23) 내부에 증착된 이물질이 아웃 가싱(Out-gasing)되어, 기판에 파티클을 형성하거나, 공정 중에 사용되는 플루오르화물이 상기 구멍(23)에 잔류하고 있다가 다음 공정 사용시, 기판 표면으로 떨어져 기판에 파티클이 생성되는 문제가 발생하였고, 이로 인해 공정 불량 및 생산수율 저하와, 공정챔버의 유지보수의 사이클을 단축시키는 문제점을 야기시켰다. In forming the porous layer 22 of the anodized film, foreign substances deposited inside the holes 23 of the porous layer 22 may be outgashed to form particles on the substrate or may be used during the process There is a problem that the fluoride remaining in the hole 23 is separated from the surface of the substrate when the next process is used and particles are generated on the substrate. As a result, a process failure, a decrease in production yield, Resulting in shortening the problem.

이러한 양극산화 피막의 다공질층(22)의 문제점으로 인해, 근래에 알루미늄 또는 알루미늄합금의 부품들에 양극산화 처리를 하지 않은 채 사용하는 방법이 모색되었다(이를, 베어 형태(Bare-type)라 한다). 그러나, 베어 형태의 알루미늄 또는 알루미늄합금의 부품은 공정가스와 알루미늄이 화학반응을 하여, 알루미늄 퓸(Al Fume)이 발생하였으며, 이로 인해, 반도체 소자 또는 액정 표시 소자의 기판에 파티클이 생성되는 문제가 발생하였다.Due to the problem of the porous layer 22 of the anodic oxide coating, a method of using aluminum or aluminum alloy parts without anodizing treatment has been sought recently (this is referred to as bare-type) ). However, in the case of a bare aluminum or aluminum alloy part, the process gas and the aluminum react chemically to generate aluminum fume, which causes particles to be generated on the substrate of the semiconductor element or the liquid crystal display element Respectively.

한국등록특허 제0482862호.Korea Patent No. 0482862. 한국공개특허 제2011-0130750호.Korean Published Patent No. 2011-0130750. 한국공개특허 제2008-0000112호.Korean Patent Publication No. 2008-0000112.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 금속재질의 모재에 대하여 높은 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 갖으면서도, 종래의 양극산화 피막의 다공질층의 구멍(pore)에 의해 발생되는 문제들이 발생하지 않는 표면 나노산화막(SNO)이 형성된 금속부품 및 이를 구비한 공정챔버를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a metal base material having a high corrosion resistance, withstand voltage and plasma resistance, (SNO) on which no problems occur, and a process chamber having the same.

본 발명의 일 특징에 따른 금속부품은 공정가스가 내부로 유입되는 공정챔버 내에 설치되는 금속부품에 있어서, 금속재질로 된 모재;와, 상기 모재의 표면에 형성된 표면 나노산화막(SNO)을 포함하되, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 그 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없도록 상기 모재를 양극산화시켜 형성한 양극산화 배리어층인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a metal part installed in a process chamber in which a process gas flows into a metal part, the metal part comprising: a base material made of a metal; and a surface nano-oxide film (SNO) formed on the surface of the base material , And the surface nano-oxide film (SNO) is an anodic oxidation barrier layer formed by anodizing the base material so that there is no pore on the surface and inside thereof.

또한, 상기 모재의 재질은 알루미늄이고, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 알루미늄을 양극산화하여 형성된 양극산화 알루미늄인 것을 특징으로 한다.The base material is aluminum, and the surface nano-oxide film (SNO) is anodized aluminum formed by anodizing the aluminum.

또한, 상기 모재에는 상, 하를 관통하는 관통홀이 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 관통홀에도 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the base material is provided with through holes passing through the top and the bottom, and the surface nano-oxide film (SNO) is also formed in the through hole.

또한, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재의 전체 표면에 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 상기 모재의 전체 표면에서 실질적으로 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.The surface nano-oxide film (SNO) is formed on the entire surface of the base material, and the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is substantially the same on the entire surface of the base material.

또한, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이인 것을 특징으로 한다.In addition, the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is between 100 nm and less than 1 탆.

또한, 상기 공정챔버는 CVD 공정챔버이며, 상기 금속부품은 상기 CVD 공정챔버의 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the process chamber is a CVD process chamber, and the metal component constitutes the inner surface of the CVD process chamber or is installed as an internal component.

또한, 상기 내부부품으로 설치되는 금속부품은, 디퓨져, 백킹 플레이트, 쉐도우 프레임, 서셉터 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.Further, the metal part provided as the internal part is at least one of a diffuser, a backing plate, a shadow frame, and a susceptor.

또한, 상기 공정챔버는 드라이에칭 공정챔버이며, 상기 금속부품은 상기 드라이에칭 공정챔버의 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 것을 특징으로 한다.Also, the process chamber is a dry etching process chamber, and the metal part constitutes the inner surface of the dry etching process chamber or is installed as an internal part.

또한, 상기 내부부품으로 설치되는 금속부품은, 하부전극, 하부전극의 정전척, 하부전극의 베플, 상부 전극, 월 라이너 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In addition, the metal part provided as the internal part is at least one of a lower electrode, an electrostatic chuck of a lower electrode, a baffle of an lower electrode, an upper electrode, and a wall liner.

본 발명의 일 특징에 따른 공정챔버는 금속재질로 된 모재와, 상기 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없도록 상기 모재를 양극산화시켜 형성한 표면 나노산화막(SNO)을 갖는 금속부품이 챔버의 내부면을 구성하거나 챔버를 구성하는 내부부품으로 설치되며, 그 내부에는 공정가스가 유입되는 것을 특징으로 한다.A process chamber according to one aspect of the present invention includes a base material made of a metal material and a metal part having a surface nano-oxide film (SNO) formed by anodizing the base material so that there is no pore on the surface and inside of the base material, And an inner part constituting the chamber, and the process gas is introduced into the inner part.

또한, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재를 양극산화시켜 형성된 양극산화 배리어층인 것을 특징으로 한다.In addition, the surface nano-oxide film (SNO) is an anodic oxidation barrier layer formed by anodizing the base material.

또한, 상기 모재의 재질은 알루미늄이고, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 알루미늄을 양극산화하여 형성된 양극산화 알루미늄인 것을 특징으로 한다.The base material is aluminum, and the surface nano-oxide film (SNO) is anodized aluminum formed by anodizing the aluminum.

또한, 상기 모재에는 상, 하를 관통하는 관통홀이 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 관통홀에도 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the base material is provided with through holes passing through the top and the bottom, and the surface nano-oxide film (SNO) is also formed in the through hole.

또한, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재의 전체 표면에 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 상기 모재의 전체 표면에서 실질적으로 동일한 두께인 것을 특징으로 한다.Also, the surface nano-oxide film (SNO) is formed on the entire surface of the base material, and the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is substantially the same on the entire surface of the base material.

또한, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이인 것을 특징으로 한다.In addition, the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is between 100 nm and less than 1 탆.

또한, 상기 공정챔버는 CVD 공정챔버인 것을 특징으로 한다.Further, the process chamber is a CVD process chamber.

또한, 상기 CVD 공정챔버는, 상기 CVD 공정챔버 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 서셉터(Susceptor)와, 상기 CVD 공정챔버 상부에 배치되는 백킹 플레이트(Backing plate)와, 상기 백킹 플레이트 하부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 디퓨저(Diffuser)와, 상기 서셉터와 상기 디퓨저 사이에 배치되어 기판(S)의 가장자리를 커버하는 쉐도우 프레임(Shadow frame)을 포함하며, 상기 서셉터, 백킹플레이트, 디퓨져, 쉐도우 프레임 중 적어도 어느 하나는 금속재질로 된 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없는 표면 나노산화막(SNO)이 형성된 것을 특징으로 한다.The CVD process chamber may include a susceptor installed in the CVD process chamber to support the substrate S, a backing plate disposed on the CVD process chamber, And a shadow frame disposed between the susceptor and the diffuser and covering an edge of the substrate S, wherein the shadow frame is disposed between the susceptor and the diffuser, At least one of a susceptor, a backing plate, a diffuser, and a shadow frame is formed on a surface of a base material made of a metal and a surface nano-oxide film (SNO) having no pore therein.

또한, 상기 공정챔버는 드라이에칭 공정챔버인 것을 특징으로 한다.Further, the process chamber is a dry etching process chamber.

또한, 상기 드라이에칭 공정챔버는, 상기 드라이에칭 공정챔버 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 하부 전극(Bottom electrode)(220)과, 상기 하부 전극 상부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 상부 전극(Upper eletrode)과, 상기 드라이에칭 공정챔버의 내벽에 설치되는 월 라이너(Wall liner)를 포함하되, 상기 상부전극, 하부전극, 월 라이너 중 적어도 어느 하나는 금속재질로 된 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없는 표면 나노산화막(SNO)이 형성된 것을 특징으로 한다.The dry etching process chamber may include a bottom electrode 220 disposed inside the dry etching process chamber to support the substrate S and a bottom electrode 220 disposed above the bottom electrode to process the process gas And a wall liner provided on an inner wall of the dry etching process chamber, wherein at least one of the upper electrode, the lower electrode, and the wall liner is made of a metal material And a surface nano-oxide film (SNO) having no pores on the surface and inside thereof.

이상에서 살펴본 바와 같이, 금속부품의 금속 재질의 모재에 구멍(pore)이 없는 표면 산화층이 형성됨으로써, 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 갖으면서도 종래의 양극산화 피막의 구멍(pore)에 의해 발생되는 문제들이 발생하지 않는 효과가 있다. As described above, since the surface oxide layer having no pore is formed in the base material of the metallic material of the metal part, the surface oxide layer is formed by the pores of the conventional anodized film while having the corrosion resistance, the withstand voltage and the plasma resistance. There is an effect that no problems occur.

도 1은 종래 알루미늄의 양극산화 피막을 도시한 도.
도 2(a)는 도 1의 다공질층의 표면을 확대한 확대도.
도 2(b)는 도 1의 다공질층의 단면을 확대한 확대도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품의 배리어층을 도시한 도.
도 4(a)는 도 3의 배리어층의 표면을 확대한 확대도.
도 4(b)는 도 3의 배리어층의 단면을 확대한 확대도.
도 5는 도 3의 금속부품이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 CVD 공정챔버를 도시한 도.
도 6은 도 3의 금속부품이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 드라이에칭 공정챔버를 도시한 도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a view showing an anodized film of a conventional aluminum. FIG.
Fig. 2 (a) is an enlarged view of the surface of the porous layer of Fig. 1 enlarged. Fig.
Fig. 2 (b) is an enlarged view of a cross section of the porous layer of Fig. 1; Fig.
3 is a view showing a barrier layer of a metal part according to a preferred embodiment of the present invention.
Fig. 4 (a) is an enlarged view of the surface of the barrier layer of Fig. 3 enlarged. Fig.
Fig. 4 (b) is an enlarged view of a cross section of the barrier layer of Fig. 3; Fig.
5 shows a CVD process chamber in which the metal part of Fig. 3 constitutes the internal surface thereof or is installed as an internal part; Fig.
Figure 6 shows a dry etch process chamber in which the metal part of Figure 3 constitutes the internal surface or is installed as an internal part.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부한 도면들과 함께 상세히 후술된 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명하는 실시 예에 한정된 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and how to achieve them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in different forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms 'comprises' and / or 'comprising' mean that the stated element, step, operation and / or element does not imply the presence of one or more other elements, steps, operations and / Or additions.

또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다. 본 명세서에서 사용되는 '표면 나노산화막(SNO, Suface Nano Oxidation)'의 의미는 모재의 표면에 형성된 산화막의 의미로 정의되어 사용된다. In addition, since they are in accordance with the preferred embodiment, the reference numerals presented in the order of description are not necessarily limited to the order. As used herein, the meaning of 'Surface Nano Oxidation (SNO)' is defined and used to mean an oxide film formed on the surface of a base material.

또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시 도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.Further, the embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional views and / or plan views which are ideal illustrations of the present invention. In the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective description of the technical content. Thus, the shape of the illustrations can be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include changes in the shapes that are generated according to the manufacturing process. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate specific types of regions of the elements and are not intended to limit the scope of the invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing the various embodiments, the same reference numerals and the same reference numerals will be used for the same functional elements even if the embodiments are different. In addition, the configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for the sake of convenience.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품의 배리어층을 도시한 도이고, 도 4(a)는 도 3의 배리어층의 표면을 확대한 확대도이고, 도 4(b)는 도 3의 배리어층의 단면을 확대한 확대도이고, 도 5는 도 3의 금속부품이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 CVD 공정챔버를 도시한 도이고, 도 6은 도 3의 금속부품이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 드라이에칭 공정챔버를 도시한 도이다.FIG. 3 is a view showing a barrier layer of a metal part according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4 (a) is an enlarged view of the surface of the barrier layer of FIG. 3, FIG. 5 is a view showing a CVD process chamber in which the metal part of FIG. 3 constitutes the inner surface or is provided as an internal part, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the metal part of FIG. And a dry etch process chamber that is configured as an internal component or as an internal component.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)은 금속 재질의 모재와, 상기 모재의 표면에 구멍(pore)이 없이 형성된 표면 나노산화막(SNO)으로 구성된다.The metal part 1 according to a preferred embodiment of the present invention is composed of a metal base material and a surface nano-oxide film (SNO) formed on the surface of the base material without pores.

상기 표면 나노산화막(SNO)은 금속 재질의 모재에 양극산화 처리(anodizing)를 하여 형성되는 양극산화 피막일 수 있다.The surface nano-oxide film (SNO) may be an anodic oxide film formed by performing an anodizing process on a metal base material.

상기 금속 재질의 모재는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn) 등일 수 있으나, 경량이고, 가공이 용이하고, 열전도성이 우수하며, 중금속 오염의 우려가 없는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The base material of the metal may be aluminum (Al), titanium (Ti), tungsten (W), zinc (Zn) or the like, but is lightweight, easy to process, has excellent thermal conductivity, Or an aluminum alloy material.

여기서, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 이를 양극산화시켜 표면에 표면 나노산화막(SNO)이 형성되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이라면 이 모두를 포함한다. 다만, 이하에서는 일례로서 금속재질의 모재가 알루미늄(10) 재질인 경우에 한하여 설명한다. Here, aluminum or an aluminum alloy according to a preferred embodiment of the present invention includes aluminum or an aluminum alloy in which a surface nano-oxide film (SNO) is formed on the surface by anodizing the aluminum or aluminum alloy. Hereinafter, the description will be made only in the case where the base metal material is aluminum (10) as an example.

도 3 및 도 4(a), 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)은 알루미늄(10)과, 알루미늄(10)의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없이 형성되는 배리어층(Barrier layer)(11)을 포함하여 구성된다(도 4(b)에 금속코팅층(12)이 도시되어 있으나, 이는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)의 알루미늄(10)과 배리어층(11)을 투과 전자 현미경(TEM, Transmission Electron Microscope)으로 촬영할 목적으로 배리어층(11)의 표면에 금속코팅층(12)을 임의로 형성시킨 것일 뿐, 알루미늄(10)을 양극산화 처리하여 형성된 것은 아니다).As shown in Figs. 3 and 4 (a) and 4 (b), the metal part 1 according to the preferred embodiment of the present invention comprises aluminum 10, and a barrier layer 11 formed on the metal layer 12 without a pore (refer to FIG. 4 (b)). However, Only the metal coating layer 12 is arbitrarily formed on the surface of the barrier layer 11 for the purpose of imaging the aluminum layer 10 of the barrier layer 11 and the barrier layer 11 by a transmission electron microscope (TEM) 10) is not formed by anodizing.

배리어층(11)은 알루미늄(10)을 양극산화 처리하여 생성되며, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어 진다. 배리어층(11)은 그 내부에 구멍(pore)이 형성되지 않을 뿐만 아니라, 그 표면에도 구멍(pore)이 형성되어 있지 않으며, 모재인 알루미늄(10)의 표면 전체에 걸쳐 동일한 두께(t)를 갖는다. The barrier layer 11 is formed by anodizing aluminum 10 and is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ). The barrier layer 11 is not formed with pores therein but also has no pores and has the same thickness t over the entire surface of the aluminum material 10 as the base material .

또한, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 배리어층(11)은 배리어층(11)의 표면에 구멍(pore)이 형성되어 있지 않으므로, 그 구조가 치밀하여 공정가스가 투과되지 못하며, 이로 인해, 알루미늄(10)의 표면으로 공정가스가 침투할 수 없어 공정가스에 대한 높은 내식성을 갖는 것이다.4 (a), since the barrier layer 11 is not formed with pores on the surface of the barrier layer 11, its structure is dense and the process gas can not be transmitted, , The process gas can not penetrate into the surface of the aluminum (10) and thus has high corrosion resistance to the process gas.

배리어층(11)은 충분한 두께를 갖고, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 구성되어 있으므로, 산화 알루미늄(Al2O3)의 화학적 특성에 의해 높은 내식성 및 내전압성의 특성을 발휘하며, 그 표면 및 내부에 구멍(pore)을 갖고 있지 않으므로 종래의 양극산화 피막의 다공질층으로 인해 발생되는 이물질 등의 증착 및 아웃 가싱으로 인한 문제가 발생하지 않는다.Since the barrier layer 11 has a sufficient thickness and is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), the barrier layer 11 exhibits high corrosion resistance and withstand voltage characteristics due to the chemical characteristics of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) There is no problem caused by deposition and foreign gassing of foreign substances or the like caused by the porous layer of the conventional anodic oxidation coating because there is no pore inside.

위와 같은 배리어층(11)은 모재인 알루미늄(10)의 표면 전체에 걸쳐 일정 두께로 연속적으로 형성된다. The barrier layer 11 as described above is continuously formed to have a constant thickness over the entire surface of the aluminum 10 as the base material.

또한, 배리어층(11)의 두께는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 배리어층(11)의 두께가 100nm 미만인 경우에는 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성 측면에서 불리하고, 배리어층(11)의 두께가 1㎛ 이상인 경우에는 제조 수율이 낮기 때문이다.Further, it is preferable that the thickness of the barrier layer 11 is formed to a thickness between 100 nm and less than 1 탆. This is because the thickness of the barrier layer 11 is less than 100 nm, which is disadvantageous in terms of corrosion resistance, withstand voltage and plasma resistance, and the production yield is low when the thickness of the barrier layer 11 is 1 탆 or more.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)의 알루미늄(10) 표면에 형성된 배리어층(11)의 제조방법의 일례에 대해 설명한다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 배리어층(11)은 모재인 알루미늄(10)을 양극산화시켜 형성된 양극산화 배리어층(11)을 소정의 두께로 성장시켜 형성한 양극산화 배리어층(11)이다.Hereinafter, an example of a method for manufacturing the barrier layer 11 formed on the surface of the aluminum 10 of the metal part 1 according to the preferred embodiment of the present invention will be described. As described above, the barrier layer 11 according to the preferred embodiment of the present invention includes an anodic oxidation barrier layer 11 formed by growing an anodic oxidation barrier layer 11 formed by anodic oxidation of aluminum (10) (11).

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 배리어층(11)을 형성하는 과정에서 사용되는 전해액은 붕산(boric acid), 시트릭산(citric acid), 오붕산암모늄(ammonium pentaborate), 붕사(borax) 전해액 중 어느 하나의 전해액을 사용하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 전해액들 중 어느 하나의 전해액이 포함된 전해액 조 안에서 알루미늄(10)에 전류를 흘러주게 되면, 모재(10)의 표면에 배리어층(11)이 형성된다. 그 후, 전류 밀도를 일정하게 유지하면서 전압을 증가시키되, 해당 전압이 소정의 전압에 도달할 때까지 배리어층(11)을 소정 두께로 성장시킨다. 시간이 지남에 따라 전압이 선형적으로 증가하는 동안, 전류 밀도를 일정하게 유지하기 위해 전기장 강도(Eletric field strength)가 일정하게 유지된다.The electrolyte used in the process of forming the barrier layer 11 according to the preferred embodiment of the present invention may be any one of boric acid, citric acid, ammonium pentaborate, borax electrolyte, It is preferable to use one electrolyte solution. Therefore, when a current flows through the aluminum 10 in the electrolyte solution containing any one of the electrolytic solutions, the barrier layer 11 is formed on the surface of the base material 10. Thereafter, the barrier layer 11 is grown to a predetermined thickness until the voltage reaches a predetermined voltage while the current density is kept constant. As the voltage increases linearly over time, the field strength remains constant to keep the current density constant.

보다 구체적으로는, 알루미늄(10)에서 이온화된 Al3 + 이온들이 기형성된 배리어층(11) 방향, 즉, 알루미늄(10)의 바깥 방향으로 유입되고, 전해액에서 이온화된 O2 - 과 OH- 이온들 또한 기형성된 배리어층(11) 방향, 즉, 알루미늄(10)의 내부 방향으로 유입됨으로써, 배리어층(11)이 소정 두께로 계속 성장하는 것이다. 이로 인하여 알루미늄(10) 및 배리어층(11)의 결합 부분과 배리어층(11) 및 상기 전해액의 경계 부분, 즉, 배리어층(11)의 상부 표면은 구멍(pore)이 없는 상태가 유지되면서 성장하게 된다. More specifically, the Al 3 + ions ionized in the aluminum 10 flow in the direction of the pre-formed barrier layer 11, that is, the outward direction of the aluminum 10, and the O 2 - and OH - ions The barrier layer 11 continues to grow to a predetermined thickness by flowing in the direction of the already formed barrier layer 11, that is, in the direction of the inside of the aluminum 10. [ As a result, the interface between the bonding portion of the aluminum 10 and the barrier layer 11 and the interface between the barrier layer 11 and the electrolyte, that is, the upper surface of the barrier layer 11, .

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)의 배리어층(11)은 종래 표면에 구멍(pore)이 형성된 다공질층이 존재하지 않는 비다공성 특성을 가지며, 그 표면 및 내부는 구멍(pore)이 없도록 형성되고, 배리어층(11)의 두께(t)는 공정가스에 대한 충분한 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 갖도록 형성된다.The barrier layer 11 of the metal part 1 according to the preferred embodiment of the present invention has a non-porous property in which there is no porous layer in which a pore is formed on a conventional surface, And the thickness t of the barrier layer 11 is formed to have sufficient corrosion resistance, withstand voltage and plasma resistance to the process gas.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 배리어층(11)의 두께(t)는, 바람직하게는, 수백 ㎚로 형성되며, 보다 바람직하게는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이로 형성된다. 이러한 배리어층(11)의 두께는 종래 양극산화막(즉, 배리어층과 다공질층을 모두 갖음으로써, 표면에 구멍이 있는 종래의 표면-다공성 양극산화막을 말한다)의 배리어층의 통상적인 두께(100㎚ 이하)보다 충분히 두껍다.The thickness t of the barrier layer 11 according to the preferred embodiment of the present invention is preferably formed to be several hundreds nm, more preferably 100 nm to less than 1 mu m. The thickness of the barrier layer 11 is a conventional thickness of the barrier layer of a conventional anodic oxide film (i.e., a conventional surface-porous anodic oxide film having a hole in its surface by having both a barrier layer and a porous layer) Or less).

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)을 제조하는 제조방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method for manufacturing the metal part 1 according to the preferred embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 금속부품(1)을 제조하는 제조방법은 모재인 알루미늄(10)을 수산처리하는 수산처리 단계와, 수산처리된 알루미늄(10)을 1수세처리하는 제1수세처리 단계와, 제1수세처리된 알루미늄(10)을 질산처리하는 질산처리 단계와, 질산처리된 알루미늄(10)을 수세처리하는 제2수세처리 단계와, 제2수세처리된 알루미늄(10)을 양극산화하여 알루미늄(10)의 표면에 배리어층(11)을 형성하는 배리어층(11) 형성 단계를 포함한다.The manufacturing method for manufacturing the metal part 1 according to the preferred embodiment of the present invention comprises the steps of: a step of subjecting the aluminum (10), which is a base material, to an acid treatment, a first water treatment A nitric acid treatment step of nitric acid treatment of the first water-treated aluminum (10), a second water washing treatment step of washing the nitric acid-treated aluminum (10), and a second water- And forming a barrier layer (11) on the surface of the aluminum (10) by oxidation.

먼저 모재인 알루미늄(10)을 수산처리 하는 수산처리 단계를 수행한다.First, a step of aquatic treatment is performed to subject the aluminum (10), which is a base material, to an acid treatment.

수산처리 단계는 모재인 알루미늄(10)을 수산화나트륨(Sodium Hydroxide) 용액에 담가 알루미늄(10)의 표면을 에칭(Etching)함으로써, 알루미늄(10)의 표면을 평탄하게 만드는 단계이다. 이처럼, 알루미늄(10)에 수산처리를 하게 되면, 알루미늄(10)의 표면이 평탄해지므로, 알루미늄(10)을 양극산화시켜 배리어층(11)을 형성시킬 때, 배리어층(11)이 알루미늄(10)의 표면 전체에 걸쳐 균일한 두께로 형성될 수 있다.In the aquatic treatment step, the surface of the aluminum (10) is flattened by immersing the aluminum (10) as a base material in a sodium hydroxide solution and etching the surface of the aluminum (10). When the aluminum layer 10 is subjected to the acid treatment, the surface of the aluminum layer 10 becomes flat. Therefore, when the barrier layer 11 is formed by anodic oxidation of the aluminum layer 10, 10 may be formed to have a uniform thickness over the entire surface of the substrate.

수산처리 단계가 완료된 후, 수산처리된 알루미늄(10)을 1차로 수세처리하는 제1수세처리 단계를 수행한다.After the water treatment process is completed, the first water washing process for first treating the treated aluminum (10) is carried out.

제1수세처리 단계는 수산처리된 알루미늄(10)을 물로 세척하여 알루미늄(10)의 표면에 잔존하는 이물질 및 수산처리에 사용된 용액을 제거하는 단계이다. 이처럼 제1수세처리 단계를 거치게 되면, 알루미늄(10)의 표면에 잔존하는 이물질 및 수산처리에 사용된 수산화나트륨 등이 제거되므로, 다음 단계인 질산처리 단계가 더욱 용이하게 이루어질 수 있다.The first water washing step is a step of washing the aluminum hydroxide 10 with water to remove the foreign substances remaining on the surface of the aluminum 10 and the solution used for the aquatic treatment. Since the foreign substances remaining on the surface of the aluminum 10 and the sodium hydroxide used for the acid treatment are removed by the first washing step, the nitric acid treatment step as the next step can be more easily performed.

제1수세처리 단계가 완료된 후, 제1수세처리된 알루미늄(10)을 질산처리하는 질산처리 단계를 수행한다.After the first water treatment step is completed, a nitric acid treatment step of nitric acid treatment of the first water-treated aluminum (10) is carried out.

질산처리 단계는 제1수세처리된 알루미늄(10)을 질산(Nitric Acid)용액에 담가 알루미늄(10)의 표면에 일종의 산(Acid)처리를 하는 단계이다. 이와 같은 질산처리 단계는 알루미늄(10)의 표면에 산처리를 함으로써, 알루미늄(10)의 표면에 잔존하는 이물질들을 완전히 제거하고, 이로 인해, 알루미늄(10) 표면에 형성되는 배리어층(11)을 더욱 용이하게 형성하기 위함이다.The nitric acid treatment step is a step of immersing the aluminum 10 subjected to the first water treatment in a nitric acid solution and subjecting the surface of the aluminum 10 to a kind of acid treatment. In this nitric acid treatment step, the surface of the aluminum 10 is subjected to an acid treatment to completely remove the foreign substances remaining on the surface of the aluminum 10, and thereby the barrier layer 11 formed on the surface of the aluminum 10 So as to be more easily formed.

질산처리 단계가 완료된 후, 질산처리된 알루미늄(10)을 2차로 수세처리하는 제2수세처리 단계를 수행한다.After the nitric acid treatment step is completed, the nitric acid-treated aluminum (10) is subjected to a second water washing treatment.

제2수세처리 단계는 질산처리된 알루미늄(10)을 물로 세척하여 알루미늄(10)의 표면에 잔존하는 이물질 및 질산처리에 사용된 용액을 제거하는 단계이다. 이처럼 제2수세처리 단계를 거치게 되면, 알루미늄(10)의 표면에 잔존하는 이물질 및 질산처리에 사용된 질산 등이 제거되므로, 다음 단계인 배리어층(11) 형성 단계가 더욱 용이하게 이루어질 수 있다.The second water washing step is a step of washing the nitric acid-treated aluminum 10 with water to remove the foreign substances remaining on the surface of the aluminum 10 and the solution used for nitric acid treatment. Since the foreign substances remaining on the surface of the aluminum (10) and the nitric acid used for the nitric acid treatment are removed by the second water washing step, the next step of forming the barrier layer (11) can be more easily performed.

제2수세처리 단계가 완료된 후, 제2수세처리된 알루미늄(10)을 양극산화하여 알루미늄(10)의 표면에 배리어층(11)을 형성시키는 배리어층(11) 형성 단계를 수행한다.After the second water treatment step is completed, the barrier layer 11 is formed by anodizing the second water-treated aluminum 10 to form the barrier layer 11 on the surface of the aluminum 10.

배리어층(11) 형성 단계는 붕산(boric acid), 시트릭산(citric acid), 오붕산암모늄(ammonium pentaborate), 붕사(borax) 전해액 중 어느 하나의 전해액이 포함된 전해액 조 안에서 알루미늄(10)에 전류를 흘려 알루미늄(10)의 표면에 비다공성의 양극산화막인 양극산화 배리어층(11)을 형성한 후, 전류 밀도를 일정하게 유지하면서 전압을 증가시키되 해당 전압이 소정의 전압에 도달할 때까지 배리어층(11)을 소정 두께로 성장시킨다. 이러한 배리어층(11)은 알루미늄(10)의 표면 전체에 걸쳐 일정 두께로 연속적으로 형성되며, 이에 대한 설명은 전술하였으므로, 생략한다.The step of forming the barrier layer 11 may include the step of forming the barrier layer 11 on the aluminum 10 in an electrolyte bath containing any one of boric acid, citric acid, ammonium pentaborate, and borax electrolyte. A current is flowed to form an anodic oxidation barrier layer 11 which is a nonporous anodic oxide film on the surface of aluminum 10, and then the voltage is increased while the current density is kept constant until the voltage reaches a predetermined voltage The barrier layer 11 is grown to a predetermined thickness. The barrier layer 11 is continuously formed to have a constant thickness over the entire surface of the aluminum 10, and the description thereof has been described above and therefore will be omitted.

이하, 도 5를 참조하여, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예의 금속부품(1)이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 CVD 공정챔버(Chemical Vapor Deposition process chamber)(100)에 대해 설명한다.5, a description will be given of a CVD (Chemical Vapor Deposition) process chamber 100 in which the metal part 1 of the preferred embodiment of the present invention constitutes the inner surface or is installed as an internal part .

도 5에 도시된 바와 같이, CVD 공정챔버(100)는 CVD 공정챔버(100) 외부에 구비되는 기체 유량 장치(MFC. Mass Flow Controller)(110)와, CVD 공정챔버(100) 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 서셉터(Susceptor)(120)와, CVD 공정챔버(100) 상부에 배치되는 백킹 플레이트(Backing plate)(130)와, 백킹 플레이트(130) 하부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 디퓨저(Diffuser)(140)와, 서셉터(120)와 디퓨저(140) 사이에 배치되어 기판(S)의 가장자리를 커버하는 쉐도우 프레임(Shadow frame)(150)을 포함하여 구성된다.5, the CVD process chamber 100 is equipped with a mass flow controller (MFC) 110 provided outside the CVD process chamber 100, and a mass flow controller A susceptor 120 for supporting the substrate S, a backing plate 130 disposed above the CVD process chamber 100, and a backing plate 130 disposed below the backing plate 130, And a shadow frame 150 disposed between the susceptor 120 and the diffuser 140 and covering an edge of the substrate S, as shown in FIG. .

CVD 공정챔버(100)의 내부에는 서셉터(120) 및 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150) 등이 설치되고, 공정가스에 의한 화학적 기상 증착(CVD)이 일어날 수 있도록 반응 공간을 제공한다.The susceptor 120 and the backing plate 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, and the like are installed in the CVD process chamber 100, and chemical vapor deposition (CVD) Thereby providing a reaction space.

CVD 공정챔버(100) 상부에는 백킹 플레이트(130)와 연통되어, 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(미도시)가 구비될 수 있으며, CVD 공정챔버(100) 하부에는 화학적 기상 증착 공정을 수행한 공정가스가 배기되는 배기부(160)가 구비될 수 있다.A CVD process chamber 100 may be provided with a process gas supply unit (not shown) communicating with the backing plate 130 to supply a process gas, and a chemical vapor deposition process may be performed under the CVD process chamber 100 And an exhaust unit 160 through which the process gas is exhausted.

기체 유량 장치(110)는 CVD 공정챔버(100)의 내부 공간에서 유동하는 기체 즉, 공정가스를 제어하는 역할을 한다.The gas flow rate device 110 serves to control the gas flowing in the interior space of the CVD process chamber 100, that is, the process gas.

서셉터(120)는 CVD 공정챔버(100) 내부의 하부 공간에 설치되어, 화학적 기상 증착 공정 중에 기판(S)을 지지하는 역할을 한다.The susceptor 120 is installed in a lower space inside the CVD process chamber 100 to support the substrate S during the chemical vapor deposition process.

서셉터(120) 내부에는 공정 조건에 따라 기판(S)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다.A heater (not shown) for heating the substrate S may be provided in the susceptor 120 according to process conditions.

백킹 플레이트(130)는 상기 공정가스 공급부와 연통되도록 CVD 공정챔버(100) 상부에 배치되며, 상기 공정가스 공급부에서 공급되는 공정가스를 후술할 디퓨저(140)로 유동시킴으로써, 공정가스가 디퓨저(140)를 통해 고르게 분사되는 것을 도와주는 역할을 한다.The backing plate 130 is disposed above the CVD process chamber 100 to communicate with the process gas supply unit and flows the process gas supplied from the process gas supply unit to a diffuser 140 to be described later, ) To help spray evenly.

디퓨저(140)는 백킹 플레이트(130) 하부에 서셉터(120)와 대향되도록 설치되며, 기판(S)에 공정가스를 균일하게 분사하는 역할을 한다.The diffuser 140 is disposed below the backing plate 130 so as to face the susceptor 120 and serves to uniformly inject the process gas into the substrate S.

또한, 디퓨저(140)에는 디퓨저(140)의 상면과 하면을 관통하는 다수의 관통홀(141)이 형성된다.The diffuser 140 is formed with a plurality of through holes 141 passing through the upper and lower surfaces of the diffuser 140.

관통홀(141)은 상부 지름이 하부 지름보다 큰 오리피스(Orifice) 형상을 갖을 수 있다.The through-hole 141 may have an orifice shape whose upper diameter is larger than the lower diameter.

또한, 관통홀(141)은 디퓨져(140)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성될 수 있으며, 이로 인해, 기판(S)의 전체 영역에 일정하게 가스가 분사될 수 있다.In addition, the through-holes 141 can be formed with a uniform density over the entire area of the diffuser 140, whereby gas can be uniformly injected into the entire area of the substrate S. [

즉, 상기 가스 공급부에서 공급된 공정가스가 백킹 플레이트(130)를 통해 디퓨저(140)로 유입되며, 상기 공정가스는 디퓨저(140)의 관통홀(141)을 통해 기판(S)으로 균일하게 분사되는 것이다.That is, the process gas supplied from the gas supply unit flows into the diffuser 140 through the backing plate 130, and the process gas is uniformly injected into the substrate S through the through holes 141 of the diffuser 140 .

쉐도우 프레임(150)은 기판(S)의 가장자리 부분에 박막이 증착되는 것을 방지하는 역할을 하며, 서셉터(120)와 디퓨저(140) 사이에 배치된다. The shadow frame 150 serves to prevent a thin film from being deposited on the edge portion of the substrate S and is disposed between the susceptor 120 and the diffuser 140.

이 경우, 쉐도우 프레임(150)은 CVD 공정챔버(100)의 측면에 고정될 수 있다. In this case, the shadow frame 150 may be secured to the side of the CVD process chamber 100.

전술한 CVD 공정챔버(100)의 내부면, 서셉터(120), 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150), 배기부(160) 중 적어도 어느 하나의 모재의 재질은 알루미늄(10) 재질인 것이 바람직하다.The base material of at least one of the inner surface of the CVD process chamber 100, the susceptor 120, the backing plate 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, and the exhaust unit 160 may be made of aluminum (10).

또한, CVD 공정챔버(100)에서 사용되는 기판(S)은 웨이퍼(Wafer) 또는 글라스(Glass)일 수 있다.In addition, the substrate S used in the CVD process chamber 100 may be a wafer or a glass.

위와 같은 구성을 갖는 CVD 공정챔버(100)는 상기 공정가스 공급부에서 공급된 공정 가스가 백킹 플레이트(130)로 유입된 후, 디퓨저(140)의 관통홀(141)을 통해 기판(S)으로 분사됨으로써, 기판(S)에 화학적 기상 증착 공정을 수행하게 된다.The CVD process chamber 100 having the above configuration is configured such that the process gas supplied from the process gas supply unit is introduced into the backing plate 130 and then injected into the substrate S through the through holes 141 of the diffuser 140 The substrate S is subjected to a chemical vapor deposition process.

상기 공정가스는 플라즈마 상태의 가스로서 강한 부식성과 침식성을 가지고 있고, CVD 공정챔버(100)의 내부면과 CVD 공정챔버(100) 내부에 설치되는 부품들, 즉, 서셉터(120) 및 백킹 플레이트(130), 디퓨저(140), 쉐도우 프레임(150), 배기부(160) 등은 상기 공정가스와 접촉하게 된다. The process gas is highly corrosive and corrosive as a gas in the plasma state and is used to control the internal surface of the CVD process chamber 100 and the components installed inside the CVD process chamber 100 such as the susceptor 120 and the backing plate 100. [ The light source 130, the diffuser 140, the shadow frame 150, the exhaust unit 160, and the like are brought into contact with the process gas.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른, CVD 공정챔버(100)의 내부면 중 적어도 일부면 및/또는 상기 CVD 공정챔버(100)를 이루는 내부부품들의 적어도 어느 하나의 표면에는 구멍(pore)이 없는 배리어층(11)이 형성된다. In accordance with a preferred embodiment of the present invention, at least one surface of at least one of the inner surfaces of the CVD process chamber 100 and / or at least one of the inner components of the CVD process chamber 100 has a pore- A layer 11 is formed.

CVD 공정챔버(100)는 공정가스가 유동하는 CVD 공정챔버(100)의 내부면에 배리어층(11)이 형성될 수 있으며, CVD 공정챔버(100)의 하부에 구비되는 배기부(160)의 내면에도 배리어층(11)이 형성될 수 있다.The CVD process chamber 100 may include a barrier layer 11 formed on an inner surface of a CVD process chamber 100 through which a process gas flows and a barrier layer 11 formed on an inner surface of the exhaust unit 160 The barrier layer 11 may also be formed on the inner surface.

디퓨저(140)에는 그 상면과 하면을 관통하는 관통홀(41)이 형성되며, 상기 공정가스는 관통홀을 통과하여 흐르게 되므로, 디퓨저(140)의 표면뿐만 아니라 상기 관통홀(41)에도 배리어층(11)이 형성될 수 있다.The diffuser 140 has a through hole 41 penetrating the upper and lower surfaces thereof and the process gas flows through the through hole so that not only the surface of the diffuser 140 but also the through hole 41, (11) may be formed.

위와 같이, CVD 공정챔버(100)의 내부면과 상기 부품들의 표면에 구멍이 없는 배리어층(11)이 충분한 두께로 형성됨으로써, 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 향상시키면서 동시에 종래 구멍(pore)에 따른 아웃가스 및 파티클 생성의 문제가 해소되고, 공정챔버에 의해 제조되는 완제품의 수율이 향상되며, 공정챔버(100)의 공정 효율이 향상되고, 유지 보수 사이클이 높아지게 된다.As described above, since the barrier layer 11 having no holes is formed to a sufficient thickness on the inner surface of the CVD process chamber 100 and on the surfaces of the components, it is possible to improve the corrosion resistance, the withstand voltage and the plasma resistance, The problem of outgassing and particle generation according to the present invention is solved, the yield of the finished product manufactured by the process chamber is improved, the process efficiency of the process chamber 100 is improved, and the maintenance cycle is increased.

이하, 도 6을 참조하여, 전술한 본 발명의 바람직한 실시 예의 금속부품(1)이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 드라이에칭 장비(Dry etching)(200)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 6, a description will be given of a dry etching apparatus 200 in which the metal part 1 of the preferred embodiment of the present invention constitutes the inner surface or is provided as an internal part.

도 6에 도시된 바와 같이, 드라이에칭 공정챔버(200)는 드라이에칭 공정챔버(200)의 외부에 구비되는 기체 유량 장치(210)와, 드라이에칭 공정챔버(200) 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 하부 전극(Bottom electrode)(220)과, 하부 전극(220) 상부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 상부 전극(Upper eletrode)(230)과, 드라이에칭 공정챔버(200)의 내벽에 설치되는 월 라이너(Wall liner)(240)를 포함하여 구성된다.6, the dry etching process chamber 200 includes a gas flow rate device 210 provided on the outside of the dry etching process chamber 200, a substrate S A bottom electrode 220 supporting the bottom electrode 220 and an upper electrode 230 for supplying a process gas to the substrate S disposed on the bottom electrode 220, And a wall liner 240 installed on an inner wall of the housing 200.

드라이에칭 공정챔버(200)에는 하부 전극(220) 및 상부 전극(230), 월 라이너(240)가 설치되고, 공정가스에 의한 드라이에칭이 일어날 수 있도록 반응 공간을 제공한다.A lower electrode 220 and an upper electrode 230 and a wall liner 240 are provided in the dry etching process chamber 200 to provide a reaction space for dry etching by the process gas.

또한, 드라이에칭 공정챔버(200) 상부에는 후술할 상부 전극(230)으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(미도시)가 구비될 수 있으며, 드라이에칭 공정챔버(200) 하부에는 드라이에칭 공정을 수행한 공정가스가 배기되는 배기부(250)가 구비될 수 있다.A process gas supply unit (not shown) for supplying a process gas to the upper electrode 230 to be described later may be provided on the upper portion of the dry etching process chamber 200. A dry etching process may be performed under the dry etching process chamber 200 And an exhaust unit 250 through which the performed process gas is exhausted.

기체 유량 장치(210)는 드라이에칭 공정챔버(200)의 내부 공간에서 유동하는 기체 즉, 공정가스를 제어하는 역할을 한다.The gas flow rate device 210 serves to control the gas flowing in the internal space of the dry etching process chamber 200, that is, the process gas.

하부 전극(220)은 드라이에칭 공정챔버(200) 내부의 하부 공간에 설치되어, 드라이에칭 공정 중에 기판(S)을 지지하는 역할을 한다.The lower electrode 220 is provided in a lower space inside the dry etching process chamber 200 to support the substrate S during the dry etching process.

또한, 하부 전극(220)에는 기판(S)의 정전기 발생을 최소화시키는 정전 척(ESC, Electrode Static Chuck)(미도시)와, 기판(S) 주위의 공정가스의 흐름을 일정하게 유지시켜 주는 배플(Baffle)(미도시)이 구비될 수 있으며, 이로 인해, 기판(S)에 균일한 에칭이 발생할 수 있다.The lower electrode 220 is provided with an electrostatic chuck (ESC) (not shown) for minimizing the generation of static electricity on the substrate S and a baffle (not shown) for keeping the flow of the process gas around the substrate S constant (Not shown) may be provided on the substrate S, so that uniform etching may occur on the substrate S.

상부 전극(230)은 드라이에칭 공정챔버(200) 하부에 서셉터(120)와 대향되도록 설치되며, 기판(S)에 공정가스를 균일하게 분사하는 역할을 한다.The upper electrode 230 is disposed under the dry etching process chamber 200 to face the susceptor 120 and uniformly injects the process gas to the substrate S.

또한, 상부 전극(230)에는 상부 전극(230)의 상면과 하면을 관통하는 다수의 관통홀(231)이 형성된다.The upper electrode 230 is formed with a plurality of through holes 231 passing through the upper surface and the lower surface of the upper electrode 230.

관통홀(231)은 상부 지름이 하부 지름보다 큰 오리피스 형상을 갖을 수 있다.The through hole 231 may have an orifice shape whose upper diameter is larger than the lower diameter.

또한, 관통홀(231)은 상부 전극(230)의 전체 면적에 걸쳐 균일한 밀도로 형성될 수 있으며, 이로 인해, 기판(S)의 전체 영역에 일정하게 가스가 분사될 수 있다.The through hole 231 can be formed at a uniform density over the entire area of the upper electrode 230, whereby gas can be uniformly injected into the entire region of the substrate S.

즉, 상기 가스 공급부에서 공급된 공정가스가 상부 전극(230)으로 유입되며, 상기 공정가스는 상부 전극(230)의 관통홀(231)을 통해 기판(S)으로 균일하게 분사되는 것이다.That is, the process gas supplied from the gas supply unit flows into the upper electrode 230, and the process gas is uniformly injected into the substrate S through the through hole 231 of the upper electrode 230.

월 라이너(240)는 드라이에칭 공정챔버(200)의 내벽에 착탈 가능하게 설치될 수 있으며, 드라이에칭 공정챔버(200)의 오염을 줄여주는 역할을 한다.The wall liner 240 may be removably installed on the inner wall of the dry etching process chamber 200 to reduce contamination of the dry etching process chamber 200.

즉, 장기간 드라이에칭 공정을 수행함에 따라, 드라이에칭 공정챔버(200) 내부에 오염이 발생하게 되면, 월 라이너(240)를 분리하여 세정하거나, 새로운 월 라이너(240)를 설치함으로써 드라이에칭 공정챔버(200) 내부의 환경을 개선해 줄 수 있는 것이다.That is, if contamination occurs in the dry etching process chamber 200 due to long-term dry etching process, the wall liner 240 may be separated and cleaned or a new wall liner 240 may be provided, It is possible to improve the internal environment of the apparatus 200.

전술한 드라이에칭 공정챔버(200)의 내부면, 하부전극(220), 하부전극(220)의 정전척, 하부전극(220)의 베플, 상부 전극(230), 월 라이너(240), 배기부(250) 중 적어도 어느 하나의 모재의 재질은 알루미늄 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. The inner surface of the dry etching process chamber 200, the lower electrode 220, the electrostatic chuck of the lower electrode 220, the baffle of the lower electrode 220, the upper electrode 230, the wall liner 240, (250) is made of an aluminum material.

또한, 드라이에칭 공정챔버(200)에 사용되는 기판(S)은 웨이퍼(Wafer) 또는 글라스(Glass)일 수 있다.The substrate S used in the dry etching process chamber 200 may be a wafer or a glass.

위와 같은 구성을 갖는 드라이에칭 공정챔버(220)는 상기 공정가스 공급부에서 공급된 공정가스가 상부 전극(230)으로 유입되어 상부 전극(230)의 관통홀(231)을 통해 기판(S)으로 분사됨으로써, 기판(S)에 드라이에칭 공정을 수행하게 된다.The process gas supplied from the process gas supply unit flows into the upper electrode 230 and is injected into the substrate S through the through hole 231 of the upper electrode 230. In the dry etching process chamber 220, The substrate S is subjected to a dry etching process.

이 경우, 상기 공정가스는 플라즈마 상태의 가스로서 강한 부식성과 침식성을 가지고 있고, 드라이에칭 공정챔버(200)의 내부면과 드라이에칭 공정챔버(200)의 부품들, 즉, 하부 전극(220), 하부 전극(220)의 정전척, 하부 전극(220)의 베플, 상부 전극(230), 월 라이너(240), 배기부(250) 등은 상기 공정가스와 접촉하게 된다.In this case, the process gas is highly corrosive and corrosive as a gas in a plasma state, and the inner surface of the dry etching process chamber 200 and the components of the dry etching process chamber 200, that is, the lower electrode 220, The electrostatic chuck of the lower electrode 220, the baffle of the lower electrode 220, the upper electrode 230, the wall liner 240, the exhaust unit 250, and the like are brought into contact with the process gas.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른, 드라이에칭 공정챔버(200)의 내부면 중 적어도 일부면 및/또는 상기 드라이에칭 공정챔버(200)를 이루는 내부부품들의 적어도 어느 하나의 표면에는 구멍(pore)이 없는 배리어층(11)이 형성된다.In accordance with a preferred embodiment of the present invention, at least one surface of at least one of the inner surfaces of the dry etch process chamber 200 and / or at least one of the inner components of the dry etch process chamber 200 has a pore Barrier layer 11 is formed.

드라이에칭 공정챔버(200)는 공정가스가 유동하는 CVD 공정챔버(100)의 내부면에 배리어층(11)이 형성될 수 있으며, 드라이에칭 공정챔버(200)의 하부에 구비되는 배기부(250)의 내면에도 배리어층(11)이 형성될 수 있다.The dry etching process chamber 200 may include a barrier layer 11 formed on an inner surface of a CVD process chamber 100 through which a process gas flows and includes an exhaust portion 250 provided at a lower portion of the dry etching process chamber 200 The barrier layer 11 may be formed on the inner surface of the barrier layer 11.

하부 전극(220) 및 하부 전극(220)의 정전척, 하부 전극(220)의 베플, 월 라이너(240)는 각각 그 표면에 배리어층(11)이 형성될 수 있으며, 상부 전극(230)은 상부 전극(230)의 표면과 상부 전극(230)의 관통홀(231)에 모두 배리어층(11)이 형성될 수 있다.The barrier layer 11 may be formed on the surface of the electrostatic chuck of the lower electrode 220 and the lower electrode 220, the baffle of the lower electrode 220 and the wall liner 240, The barrier layer 11 may be formed on both the surface of the upper electrode 230 and the through hole 231 of the upper electrode 230.

위와 같이, 드라이에칭 공정챔버(200)의 내부면과 상기 부품들의 표면에 구멍이 없는 배리어층(11)이 충분한 두께로 형성됨으로써, 내식성, 내전압성 및 내플라즈마성을 향상시키면서 동시에 종래 구멍(pore)에 따른 아웃가스 및 파티클 생성의 문제가 해소되고, 공정챔버(200)에 의해 제조되는 완제품의 수율이 향상되며, 공정챔버(200)의 공정 효율이 향상되고, 유지 보수 사이클이 높아지게 된다.As described above, since the barrier layer 11 having no holes is formed to a sufficient thickness on the inner surface of the dry etching process chamber 200 and the surfaces of the components, it is possible to improve the corrosion resistance, the withstand voltage and the plasma resistance, ), The yield of the finished product manufactured by the process chamber 200 is improved, the process efficiency of the process chamber 200 is improved, and the maintenance cycle is increased.

한편, 금속부품(1)이 그 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 부품으로서 모재가 알루미늄 재질로 이루어지는 모든 부품들, 예를 들어, 샤워헤드(Shower head) 및 챔버 게이트(Chamber gate), 챔버 포트(Chamber port), 쿨링 플레이트(Cooling plate), 챔버 에어 노즐(Chamber air nozzle) 등의 경우에도 본 발명의 바람직한 실시 예의 배리어층(11)이 형성될 수 있다.On the other hand, when the metal part 1 constitutes an inner surface of the metal part 1 or is installed as an inner part, all the parts whose base material is made of aluminum material, for example, a shower head and a chamber gate, The barrier layer 11 of the preferred embodiment of the present invention may be formed in the case of a chamber port, a cooling plate, a chamber air nozzle, and the like.

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims Or modified.

1: 금속부품 10: 알루미늄
11: 배리어층 12: 금속코팅층
21: 경계층 22: 다공질층
23: 구멍 100: CVD 공정챔버
110, 210: 기체 유량 장치 120: 서셉터
130: 백킹 플레이트 140: 디퓨저
141, 231: 관통홀 150: 쉐도우 프레임
160, 250: 배기부 200: 드라이에칭 공정챔버
220: 하부 전극 230: 상부 전극
240: 월 라이너 S: 기판1: metal part 10: aluminum
11: barrier layer 12: metal coating layer
21: boundary layer 22: porous layer
23: hole 100: CVD process chamber
110, 210: gas flow device 120: susceptor
130: backing plate 140: diffuser
141, 231: Through hole 150: Shadow frame
160, 250: exhaust part 200: dry etching process chamber
220: lower electrode 230: upper electrode
240: Wall Liner S: Substrate

Claims (19)

공정가스가 내부로 유입되는 공정챔버 내에 설치되는 금속부품에 있어서,
금속재질로 된 모재;와,
상기 모재의 표면에 형성된 표면 나노산화막(SNO)을 포함하되,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 그 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없도록 상기 모재를 양극산화시켜 형성한 양극산화 배리어층인 것을 특징으로 하는 금속부품.
A metal part installed in a process chamber into which a process gas flows,
A base material made of a metal;
And a surface nano-oxide film (SNO) formed on the surface of the base material,
Wherein the surface nano-oxide film (SNO) is an anodic oxidation barrier layer formed by anodizing the base material so that there is no pore on the surface and inside thereof.
제1항에 있어서,
상기 모재의 재질은 알루미늄이고, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 알루미늄을 양극산화하여 형성된 양극산화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
Wherein the material of the base material is aluminum and the surface nano-oxide film (SNO) is anodized aluminum formed by anodizing the aluminum.
제1항에 있어서,
상기 모재에는 상, 하를 관통하는 관통홀이 형성되며,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 관통홀에도 형성되는 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
The base material is provided with through holes penetrating the upper and lower portions,
Wherein the surface nano-oxide film (SNO) is also formed in the through hole.
제1항에 있어서,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재의 전체 표면에 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 상기 모재의 전체 표면에서 실질적으로 동일한 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
Wherein the surface nano-oxide film (SNO) is formed on the entire surface of the base material, and the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is substantially the same thickness on the entire surface of the base material.
제1항에 있어서,
상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이인 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is between 100 nm and less than 1 mu m.
제1항에 있어서,
상기 공정챔버는 CVD 공정챔버이며,
상기 금속부품은 상기 CVD 공정챔버의 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
The process chamber is a CVD process chamber,
Wherein the metal part comprises an inner surface of the CVD process chamber or is installed as an inner part.
제6항에 있어서,
상기 내부부품으로 설치되는 금속부품은, 디퓨져, 백킹 플레이트, 쉐도우 프레임, 서셉터 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 6,
Wherein the metal part provided as the internal part is at least one of a diffuser, a backing plate, a shadow frame, and a susceptor.
제1항에 있어서,
상기 공정챔버는 드라이에칭 공정챔버이며,
상기 금속부품은 상기 드라이에칭 공정챔버의 내부면을 구성하거나 내부부품으로 설치되는 것을 특징으로 하는 금속부품.
The method according to claim 1,
The process chamber is a dry etching process chamber,
Wherein the metal part comprises an inner surface of the dry etching process chamber or is installed as an inner part.
제8항에 있어서,
상기 내부부품으로 설치되는 금속부품은, 하부전극, 하부전극의 정전척, 하부전극의 베플, 상부 전극, 월 라이너 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속부품.
9. The method of claim 8,
Wherein the metal part provided as the internal part is at least one of a lower electrode, an electrostatic chuck of the lower electrode, a baffle of the lower electrode, an upper electrode, and a wall liner.
금속재질로 된 모재와, 상기 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없도록 상기 모재를 양극산화시켜 형성한 표면 나노산화막(SNO)을 갖는 금속부품이 챔버의 내부면을 구성하거나 챔버를 구성하는 내부부품으로 설치되며, 그 내부에는 공정가스가 유입되는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
A metal part having a surface nano-oxide film (SNO) formed by anodizing the base material so that there is no pore on the surface and inside of the base material constitutes the inner surface of the chamber or constitutes a chamber Wherein the process gas is installed as an internal component, and the process gas flows into the process chamber.
제10항에 있어서,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재를 양극산화시켜 형성된 양극산화 배리어층인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
Wherein the surface nano-oxide layer (SNO) is an anodic oxidation barrier layer formed by anodizing the base material.
제11항에 있어서,
상기 모재의 재질은 알루미늄이고, 상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 알루미늄을 양극산화하여 형성된 양극산화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
12. The method of claim 11,
Wherein the material of the base material is aluminum and the surface nano-oxide film (SNO) is anodized aluminum formed by anodizing the aluminum.
제10항에 있어서,
상기 모재에는 상, 하를 관통하는 관통홀이 형성되며,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 관통홀에도 형성되는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
The base material is provided with through holes penetrating the upper and lower portions,
Wherein the surface nano-oxide film (SNO) is also formed in the through-hole.
제10항에 있어서,
상기 표면 나노산화막(SNO)은 상기 모재의 전체 표면에 형성되며, 상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 상기 모재의 전체 표면에서 실질적으로 동일한 두께인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
Wherein the surface nano oxide film (SNO) is formed on the entire surface of the base material, and the thickness of the surface nano oxide film (SNO) is substantially the same on the entire surface of the base material.
제10항에 있어서,
상기 표면 나노산화막(SNO)의 두께는 100㎚ 이상 ~ 1㎛ 미만 사이인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
Wherein the thickness of the surface nano-oxide film (SNO) is between 100 nm and less than 1 占 퐉.
제10항에 있어서,
상기 공정챔버는 CVD 공정챔버인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
Wherein the process chamber is a CVD process chamber.
제16항에 있어서,
상기 CVD 공정챔버는,
상기 CVD 공정챔버 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 서셉터(Susceptor)와, 상기 CVD 공정챔버 상부에 배치되는 백킹 플레이트(Backing plate)와, 상기 백킹 플레이트 하부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 디퓨저(Diffuser)와, 상기 서셉터와 상기 디퓨저 사이에 배치되어 기판(S)의 가장자리를 커버하는 쉐도우 프레임(Shadow frame)을 포함하며,
상기 서셉터, 백킹플레이트, 디퓨져, 쉐도우 프레임 중 적어도 어느 하나는 금속재질로 된 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없는 표면 나노산화막(SNO)이 형성된 것을 특징으로 하는 공정챔버.
17. The method of claim 16,
The CVD process chamber includes:
A susceptor installed in the CVD process chamber and supporting the substrate S; a backing plate disposed on the CVD process chamber; a substrate S disposed under the backing plate; A diffuser for supplying a process gas; and a shadow frame disposed between the susceptor and the diffuser to cover an edge of the substrate,
Wherein at least one of the susceptor, the backing plate, the diffuser, and the shadow frame is formed on the surface of the base material made of a metal and a surface nano-oxide film (SNO) having no pores therein.
제10항에 있어서,
상기 공정챔버는 드라이에칭 공정챔버인 것을 특징으로 하는 공정챔버.
11. The method of claim 10,
Wherein the process chamber is a dry etch process chamber.
제18항에 있어서,
상기 드라이에칭 공정챔버는,
상기 드라이에칭 공정챔버 내부에 설치되어 기판(S)을 지지하는 하부 전극(Bottom electrode)(220)과, 상기 하부 전극 상부에 배치되어 기판(S)으로 공정가스를 공급하는 상부 전극(Upper eletrode)과, 상기 드라이에칭 공정챔버의 내벽에 설치되는 월 라이너(Wall liner)를 포함하되,
상기 상부전극, 하부전극, 월 라이너 중 적어도 어느 하나는 금속재질로 된 모재의 표면 및 내부에 구멍(pore)이 없는 표면 나노산화막(SNO)이 형성된 것을 특징으로 하는 공정챔버.
19. The method of claim 18,
The dry etching process chamber may include:
A bottom electrode 220 provided inside the dry etching process chamber to support the substrate S and an upper electrode disposed on the lower electrode to supply a process gas to the substrate S, And a wall liner provided on an inner wall of the dry etching process chamber,
Wherein at least one of the upper electrode, the lower electrode and the wall liner has a surface nano oxide film (SNO) having no pore on the surface and inside of the base material made of a metal material.
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