KR20170008169A

KR20170008169A - Optical member and display device comprising the same

Info

Publication number: KR20170008169A
Application number: KR1020160087353A
Authority: KR
Inventors: 윤승철; 안철흥; 김도형
Original assignee: 신화인터텍 주식회사
Priority date: 2015-07-13
Filing date: 2016-07-11
Publication date: 2017-01-23
Also published as: KR101836841B1

Abstract

An optical member for improving color reproducibility and luminance and a display device including the same are provided. The optical member includes a first polarizing element having one surface and the other surface, a first base material disposed on the one surface of the first polarizing element, and a first bonding layer which is interposed between the first polarizing element and the first base material, directly bonds the first polarizing element and the first base material, and includes a binder and wavelength control particles dispersed in the binder.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an optical member and a display device including the optical member.

본 발명은 광학 부재 및 광학 부재를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device including an optical member and an optical member.

액정 표시 장치는 널리 사용되고 있는 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 개재된 액정층을 포함하는 표시 패널, 및 표시 패널의 배면에 배치된 광원을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 화소 내의 액정 분자를 배열하고, 이를 통해 광원으로부터 제공되어 액정층을 투과하는 광의 양을 제어함으로써 영상을 표시한다.2. Description of the Related Art A liquid crystal display device is one of widely used display devices, and includes a display panel including two substrates on which electric field generating electrodes such as a pixel electrode and a common electrode are formed, a liquid crystal layer interposed therebetween, Lt; / RTI > A liquid crystal display displays images by arranging liquid crystal molecules in a pixel by applying a voltage to an electric field generating electrode, and controlling the amount of light transmitted from the light source through the liquid crystal layer.

액정 표시 장치의 각 화소는 색 표시를 구현하기 위해서 기본색 중 하나의 색상을 고유하게 표시할 수 있다. 각 화소가 하나의 기본색을 표시하도록 하기 위한 하나의 방법으로, 가시광선 파장 대역의 광을 제공하는 광원으로부터 시청자에 이르는 광 경로 상에 각 화소마다 특정 파장 대역의 광만을 투과시키는 컬러 필터를 배치하는 방법을 예시할 수 있다. 한편, 일반적인 액정 표시 장치에서 표시되는 광은 유기 발광 소자를 이용한 표시 장치에 비해 색 재현성이 좋지 않은 실정이다.Each pixel of the liquid crystal display device can uniquely display one of the basic colors to realize color display. As one method for allowing each pixel to display one basic color, a color filter is provided for transmitting only light of a specific wavelength band for each pixel on a light path from a light source for providing light in a visible light wavelength band to a viewer Can be exemplified. On the other hand, light displayed in a general liquid crystal display device has a poor color reproducibility as compared with a display device using an organic light emitting element.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 색 재현율이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다. 동시에, 휘도 특성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device with improved color reproduction rate. At the same time, a display device with improved luminance characteristics is provided.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 표시 품질이 향상된 표시 장치에 사용되는 광학 부재를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an optical member for use in a display device having improved display quality.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing the same.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재는 일면 및 타면을 갖는 제1 편광소자, 상기 제1 편광소자의 일면 상에 배치되는 제1 기재, 및 상기 제1 편광소자와 상기 제1 기재 사이에 개재되어 상기 제1 편광소자와 상기 제1 기재를 직접 결합하고, 바인더 및 상기 바인더 내에 분산된 파장조절입자를 포함하는 제1 결합층을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an optical member comprising a first polarizing element having a first surface and a second surface, a first substrate disposed on one surface of the first polarizing element, And a first bonding layer interposed between the first base material and the first polarizing element and directly bonding the first base material and including a binder and wavelength tuning particles dispersed in the binder.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 부재는 반사필름, 및 상기 반사필름 상에 배치되고, 제1 바인더 및 상기 제1 바인더 내에 분산된 파장조절입자를 포함하는 파장조절층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an optical member comprising a reflection film, and a wavelength adjusting layer disposed on the reflection film and including a first binder and wavelength tuning particles dispersed in the first binder, .

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 반사필름, 상기 반사필름 상에 배치되고, 제1 바인더 및 상기 제1 바인더 내에 분산된 제1 파장조절입자를 포함하는 제1 파장조절층, 상기 제1 파장조절층 상에 배치되는 제1 기재, 및 상기 제1 기재 상에 배치되고, 제2 바인더 및 상기 제2 바인더 내에 분산된 제2 파장조절입자를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a reflection film, a first wavelength-adjusting particle disposed on the reflection film, the first wavelength being dispersed in the first binder and the first wavelength- A first substrate disposed on the first wavelength tuning layer, and a second wavelength tuning particle disposed on the first substrate and dispersed in the second binder and the second binder.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.The embodiments of the present invention have at least the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광학 부재를 투과하는 광의 색 재현성을 개선할 수 있다. 또, 색 재현성이 향상됨에도 불구하고 휘도 저하가 최소화된 표시 장치를 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the color reproducibility of light transmitted through the optical member can be improved. In addition, it is possible to provide a display device in which luminance degradation is minimized even though color reproducibility is improved.

본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the embodiments of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 부재의 단면도이다.
도 3 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광학 부재의 단면도들이다.
도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 23은 도 22의 표시 장치의 반사 부재에 의한 반사광과 광학 부재를 투과한 광의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 25는 도 24의 표시 장치의 반사 부재에 의한 반사광과 편광 부재를 투과한 광의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 28은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 색 재현성 개선 효과를 설명하기 위한 표시 장치의 출광 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 29는 실험예 1에 따라 반사 부재의 휘도와 색 재현율 특성을 측정한 그래프이다.
도 30은 실험예 2에 따라 광학 부재의 휘도와 색 재현율 특성을 측정한 그래프이다.
도 31은 제조예 10 내지 제조예 27의 광학 부재의 투과율에 따른 휘도 저하율과 색 재현 상승율을 나타낸 그래프이다.
도 32는 제조예 10 내지 제조예 27의 광학 부재의 투과율에 따른 색 재현 상승율 대비 휘도 저하율을 나타낸 그래프이다.
도 33은 실험예 3에 따라 결합층 조성물에 따른 투과율을 측정한 그래프이다.1 is a cross-sectional view of an optical member according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of an optical member according to another embodiment of the present invention.
3 to 20 are sectional views of an optical member according to still another embodiment of the present invention.
21 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.
22 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present invention.
Fig. 23 is a graph showing the spectrum of light transmitted through the optical member and the reflected light by the reflecting member of the display device of Fig. 22;
24 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present invention.
25 is a graph showing a spectrum of light transmitted through a polarizing member and reflected light by a reflecting member of the display device of Fig.
26 and 27 are sectional views of a display device according to still another embodiment of the present invention.
28 is a graph showing an outgoing spectrum of a display device for explaining an effect of improving the color reproducibility of the display device according to the embodiments of the present invention.
FIG. 29 is a graph showing the luminance and color reproduction rate characteristics of a reflective member according to Experimental Example 1. FIG.
30 is a graph showing the luminance and color reproduction rate characteristics of the optical member according to Experimental Example 2. FIG.
31 is a graph showing the rate of decrease in luminance and the rate of color reproduction increase according to the transmittance of the optical member of Production Example 10 to Production Example 27;
32 is a graph showing the rate of decrease in brightness with respect to the color reproduction increasing rate according to the transmittance of the optical member of Production Example 10 to Production Example 27;
33 is a graph showing transmittance according to the bonding layer composition measured according to Experimental Example 3. FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention will now be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, in which preferred embodiments of the invention are shown. However, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. To fully disclose the scope of the invention to a person skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. It is to be understood that elements or layers are referred to as being "on " other elements or layers, including both intervening layers or other elements directly on or in between. On the other hand, a device being referred to as "directly on" refers to not intervening another device or layer in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. "And / or" include each and any combination of one or more of the mentioned items.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용되는 용어인 "~시트", "~필름", "~판" 등은 서로 동일한 의미로 혼용될 수 있다. 또한, 본 명세서의 용어인 광학 부재는 광학 시트, 광학필름, 광학판, 광학필름 패키지 등을 포함하는 의미로 사용될 수 있다.As used herein, the terms "to sheet "," to film ", "to plate ", and the like may be used interchangeably. In addition, the optical member, which is a term in this specification, can be used to mean an optical sheet, an optical film, an optical plate, an optical film package and the like.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an optical member according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 부재(11)는 편광소자(201), 편광소자(201)의 일면 상에 배치되는 제1 기재(101), 및 편광소자(201)와 제1 기재(101) 사이에 개재되는 제1 결합층(311)을 포함하고, 편광소자(201)의 타면 상에 배치되는 제2 기재(102) 및 편광소자(201)와 제2 기재(102) 사이에 개재되는 제2 결합층(321)을 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 기재(102) 및 제2 결합층(321)은 생략될 수도 있다.1, an optical member 11 according to an embodiment of the present invention includes a polarizing element 201, a first substrate 101 disposed on one side of the polarizing element 201, and a polarizing element 201, A second base material 102 and a polarizing element 201 which are disposed on the other surface of the polarizing element 201 and a first coupling layer 311 interposed between the first base material 101 and the first base material 101, And a second coupling layer 321 interposed between the first and second coupling layers 321 and 322. In some embodiments, the second substrate 102 and the second bonding layer 321 may be omitted.

편광소자(201)는 일 방향의 편광을 투과시킬 수 있고, 광학 부재(11)는 편광 특성을 갖는 편광 부재일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 편광소자(201)는 반사형 편광소자이고, 광학 부재(11)는 반사편광 특성을 갖는 편광 부재일 수 있다. 반사편광 특성이란 일 방향의 편광은 투과시키고 다른 방향의 편광은 반사시키는 특성을 의미한다. The polarizing element 201 can transmit polarized light in one direction and the optical member 11 can be a polarizing member having polarizing characteristics. In an exemplary embodiment, the polarizing element 201 is a reflection type polarizing element, and the optical member 11 may be a polarizing element having a reflection polarizing characteristic. The reflective polarized light characteristic means a property of transmitting polarized light in one direction and reflecting polarized light in the other direction.

편광소자(201)는 상호 교번적으로 적층된 제1 굴절률층(201a) 및 제2 굴절률층(201b)을 포함할 수 있다. 제1 굴절률층(201a)과 제2 굴절률층(201b)은 면내 일 방향의 굴절률은 실질적으로 동일하고, 면내 다른 방향의 굴절률은 상이할 수 있다. 예컨대, 제1 굴절률층(201a)은 일축연신된 PEN으로 이루어진 층이고, 제2 굴절률층(201b)은 일축연신된 coPEN으로 이루어진 층일 수 있다. 도 1 은 편광소자(201)가 제1 굴절률층(201a)과 제2 굴절률층(201b)이 교번적으로 적층된 반사형 편광소자인 경우를 예시하고 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 편광소자(201)는 콜레스테릭 액정을 사용한 반사형 편광소자, 분산형 반사형 편광소자 또는 흡수형 편광소자일 수도 있다.The polarizing element 201 may include a first refractive index layer 201a and a second refractive index layer 201b which are alternately stacked. The refractive indexes of the first refractive index layer 201a and the second refractive index layer 201b in one direction in the plane are substantially the same and refractive indexes in the other direction in the plane may be different. For example, the first refractive index layer 201a may be a layer made of uniaxially stretched PEN, and the second refractive index layer 201b may be a layer made of uniaxially stretched coPEN. 1 illustrates a case where the polarizing element 201 is a reflection type polarizing element in which the first refractive index layer 201a and the second refractive index layer 201b are alternately stacked. However, the present invention is not limited thereto, and the polarizing element 201 ) May be a reflection type polarizing element using a cholesteric liquid crystal, a dispersion type reflection type polarizing element, or an absorption type polarizing element.

편광소자(201)의 일면(도면상 상면) 상에는 제1 기재(101)가 배치된다. 제1 기재(101)는 편광소자(201)의 물리적인 손상을 방지하고, 수분 등의 침투를 방지하도록 편광소자(201)를 일측에서 보호하는 보호필름일 수 있다. 제1 기재(101)는 광을 투과시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 기재(101)는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 트리아세틸셀룰로오스(triacetyl cellulose, TAC), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA) 계열의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 기재(101)의 적어도 일면은 프라이머층이 형성되어 있거나 코로나 처리되어 있을 수 있다.The first base material 101 is disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the polarizing element 201. The first base material 101 may be a protective film that protects the polarizing element 201 from one side to prevent physical damage to the polarizing element 201 and prevent penetration of moisture or the like. The first base material 101 may be made of a material capable of transmitting light. For example, the first substrate 101 may be made of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), triacetyl cellulose (TAC), polymethyl methacrylate (PMMA) And the like. At least one surface of the first base material 101 may have a primer layer formed thereon or corona-treated.

예시적인 실시예에서, 제1 기재(101)는 광학적 이방성을 가질 수 있다. 면내 굴절률 이방성 값은 약 80nm 이하, 60nm 이하, 40nm 이하, 또는 20nm 이하일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 기재(101)는 무연신 기재이거나, 또는 일축 연신 기재일 수 있다. 제1 기재(101)의 연신축과 편광소자(201)의 투과축은 실질적으로 평행하거나 수직할 수 있다. 예를 들어, 제1 기재(101)의 연신축과 편광소자(201)의 투과축이 이루는 각도는 약 0도 또는 약 90도일 수 있다. 이를 통해 편광소자(201) 및 제1 기재(101)를 투과하는 편광의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In an exemplary embodiment, the first substrate 101 may have optical anisotropy. The in-plane refractive index anisotropy value may be about 80 nm or less, 60 nm or less, 40 nm or less, or 20 nm or less. In another embodiment, the first substrate 101 may be a non-drawn substrate or a uniaxially stretched substrate. The stretching axis of the first base material 101 and the transmission axis of the polarizing element 201 may be substantially parallel or perpendicular to each other. For example, the angle formed between the stretching axis of the first base material 101 and the transmission axis of the polarizing element 201 may be about 0 degree or about 90 degrees. It is possible to prevent the polarization characteristics of the polarizing element 201 and the first base material 101 from being degraded.

제1 기재(101)의 일면(도면상 상면)에는 제1 요철 패턴(101p)이 형성되어 있을 수 있다. 제1 요철 패턴(101p)은 정형화된 패턴 또는 무정형의 패턴일 수 있다. 제1 요철 패턴(101p)은 제1 기재(101)의 상기 일면에 소정의 표면 조도를 형성하여 제1 기재(101)의 일면에 헤이즈를 부여할 수 있다. 예를 들어, 제1 기재(101) 일면에 의해 발생하는 헤이즈는 약 50% 이상, 또는 60% 이상일 수 있다. 이를 통해 광학 부재(11)가 표시 장치 등에 적용될 경우 무아레 현상 등과 같은 광학적 왜곡 현상을 완화할 수 있다.A first irregular pattern 101p may be formed on one surface (upper surface in the drawing) of the first base material 101. [ The first irregular pattern 101p may be a regular pattern or an amorphous pattern. The first concavo-convex pattern 101p can impart haze to one surface of the first substrate 101 by forming a predetermined surface roughness on the one surface of the first substrate 101. [ For example, the haze generated by one surface of the first substrate 101 may be about 50% or more, or 60% or more. When the optical member 11 is applied to a display device or the like, optical distortion such as a moiré phenomenon can be alleviated.

편광소자(201)와 제1 기재(101) 사이에는 제1 결합층(311)이 개재되어 편광소자(201)와 제1 기재(101)를 직접 결합할 수 있다. 제1 결합층(311)은 편광소자(201) 및 제1 기재(101)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 제1 결합층(311)의 두께는 후술할 제2 결합층(321)의 두께와 실질적으로 동일하거나 더 클 수 있다. 제1 결합층(311)이 충분히 두꺼울 경우 후술할 파장조절입자(311b)를 포함함에도 제1 기재(101)와 편광소자(201) 사이에 강한 결합력을 확보할 수 있고, 광학 부재(11) 타면(도면상 하면)에 후술할 충진 패턴(102a)이 배치되는 경우 광학 부재(11)의 휨 불량을 방지할 수 있다. 제1 결합층(311)은 제1 바인더(311a) 및 제1 바인더(311a) 내에 분산된 파장조절입자(311b)를 포함하여 이루어질 수 있다.A first bonding layer 311 is interposed between the polarizing element 201 and the first base 101 to directly couple the polarizing element 201 and the first base 101 to each other. The first bonding layer 311 can directly contact and engage with the polarizing element 201 and the first base material 101. [ The thickness of the first bonding layer 311 may be substantially equal to or greater than the thickness of the second bonding layer 321 described later. A strong coupling force can be ensured between the first base material 101 and the polarizing element 201 even when the first coupling layer 311 is thick enough to include a wavelength adjusting particle 311b to be described later, Defective deflection of the optical member 11 can be prevented when the filling pattern 102a to be described later is disposed on the upper surface (lower surface in the drawing). The first bonding layer 311 may include the first binder 311a and the wavelength tuning particles 311b dispersed in the first binder 311a.

구체적으로, 제1 바인더(311a)는 열 경화성 수지 조성물, 또는 약 400nm 이상의 파장에서 최대 피크를 갖는 광에 의해 경화되는 광 경화성 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 제1 바인더(311a)를 경화하여 제1 결합층(311)을 형성하는 공정에서 파장조절입자(311b)의 손상을 유발할 수 있는 약 400nm 미만의 파장 대역에서 최대 피크를 갖는 자외선을 사용하지 않음으로써 파장조절입자(311b)에 의한 색 재현성 개선 효과가 저하되는 것을 미연에 방지할 수 있다. Specifically, the first binder 311a may be made of a thermosetting resin composition or a photocurable resin composition which is cured by light having a maximum peak at a wavelength of about 400 nm or more. By not using the ultraviolet ray having the maximum peak in the wavelength band of less than about 400 nm which can cause the damage of the wavelength adjusting particles 311b in the step of curing the first binder 311a to form the first bonding layer 311 It is possible to prevent the effect of improving the color reproducibility by the wavelength adjusting particles 311b from being lowered in advance.

파장조절입자(311b)는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 파장조절입자(311b)는 제1 결합층(311) 내에 대략 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 파장조절입자(311b)의 예로는 염료(dye), 안료(pigment), 형광체(phosphor) 및 양자점(quantum dot) 물질 등을 들 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절입자(311b)는 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 파장조절입자(311b)의 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치할 경우 제1 결합층(311)을 투과하는 백색 광 중 적색과 녹색에 해당하는 피크 파장을 선명하게 할 수 있고, 이를 통해 색 재현율을 향상시킬 수 있다.The wavelength tuning particles 311b may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. The wavelength tuning particles 311b may be dispersed substantially uniformly in the first bonding layer 311. [ Examples of the wavelength-tunable particles 311b include a dye, a pigment, a phosphor, and a quantum dot material. In an exemplary embodiment, the wavelength tuning particles 311b may be a light absorbing material having a maximum absorption wavelength peak within a range of about 580 nm to 600 nm, but the present invention is not limited thereto. When the maximum absorption wavelength peak of the wavelength tuning particle 311b is within the range of about 580 nm to 600 nm, the peak wavelength corresponding to red and green of the white light transmitted through the first coupling layer 311 can be made clear, The color reproduction rate can be improved.

파장조절입자(311b)는 제1 결합층(311) 전체 중량에 대하여 약 28.6 중량% 이하로 포함될 수 있다. 파장조절입자(311b)의 함량이 28.6 중량% 이하이면 휘도 저하율 대비 효과적인 색 재현성 상승율을 나타낼 수 있다. 이 경우 광학 부재(11) 자체의 광 투과율은 약 30% 이상일 수 있다.The wavelength tuning particles 311b may be included in an amount of about 28.6% by weight or less based on the total weight of the first bonding layer 311. When the content of the wavelength-adjusting particles 311b is 28.6% by weight or less, it is possible to exhibit an effective color reproducibility with respect to the rate of decrease in luminance. In this case, the light transmittance of the optical member 11 itself may be about 30% or more.

몇몇 실시예에서, 제1 결합층(311)은 금속 입자, 도전성 비금속 입자, 중공 입자, 유기 입자, 무기 입자, 또는 자외선 흡수제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 금속 입자, 도전성 비금속 입자, 중공 입자, 유기 입자, 또는 무기 입자의 크기는 파장조절입자(311b)의 크기보다 크고, 제1 결합층(311)의 두께보다 작을 수 있다.In some embodiments, the first bonding layer 311 may further comprise at least one of metal particles, conductive nonmetal particles, hollow particles, organic particles, inorganic particles, or ultraviolet absorbers. The size of the metal particles, the conductive nonmetal particles, the hollow particles, the organic particles, or the inorganic particles may be larger than the size of the wavelength adjusting particles 311b and smaller than the thickness of the first bonding layer 311.

편광소자(201)의 타면(도면상 하면) 상에는 제2 기재(102)가 배치된다. 제2 기재(102)는 편광소자(201)를 타측에서 보호하는 보호필름일 수 있다. 제2 기재(102)는 제1 기재(101)와 마찬가지로 광을 투과시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 기재(102)는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 트리아세틸셀룰로오스(triacetyl cellulose, TAC), 폴리(메틸 메타크릴레이트)(poly(methyl methacrylate), PMMA) 계열의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 제2 기재(102)의 적어도 일면은 프라이머층이 형성되어 있거나 코로나 처리되어 있을 수 있다.A second base material 102 is disposed on the other surface (lower surface in the drawing) of the polarizing element 201. The second base material 102 may be a protective film for protecting the polarizing element 201 from the other side. The second base material 102 may be made of a material capable of transmitting light in the same manner as the first base material 101. For example, the second substrate 102 may be formed of a material selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), triacetyl cellulose (TAC), poly (methyl methacrylate) methacrylate (PMMA), and the like. At least one side of the second base material 102 may be formed with a primer layer or corona treated.

제2 기재(102)의 타면(도면상 하면)에는 제2 요철 패턴(102p)이 형성되어 있을 수 있다. 제2 요철 패턴(102p)은 정형화된 패턴 또는 무정형의 패턴일 수 있다. 제2 요철 패턴(102p)은 제2 기재(102)의 상기 타면에 소정의 표면 조도를 형성하여 제2 기재(102)의 타면에 헤이즈를 부여할 수 있다. 제2 요철 패턴(102p)의 높이, 폭 및 피치 등의 크기는 제1 요철 패턴(101p)의 크기와 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 요철 패턴(102p)의 크기는 제1 요철 패턴(101p)의 크기보다 작고, 제2 기재(102)의 타면의 표면 조도는 제1 기재(101)의 일면의 표면 조도보다 작을 수도 있다. The second concavo-convex pattern 102p may be formed on the other surface (lower surface of the drawing) of the second base material 102. [ The second concavo-convex pattern 102p may be a regular pattern or an amorphous pattern. The second concavo-convex pattern 102p can impart a haze to the other surface of the second base material 102 by forming a predetermined surface roughness on the other surface of the second base material 102. [ The height, width, and pitch of the second irregular pattern 102p may be substantially the same as the first irregular pattern 101p. In another embodiment, the size of the second concavo-convex pattern 102p is smaller than the size of the first concavo-convex pattern 101p, and the surface roughness of the other surface of the second substrate 102 is smaller than the surface roughness Lt; / RTI >

예시적인 실시예에서, 제2 기재(102)는 제2 요철 패턴(102p)의 요부에 적어도 부분적으로 충진된 충진 패턴(102a)을 더 포함하고, 이를 통해 제2 기재(102)의 타면의 표면 조도를 제1 기재(101)의 일면의 표면 조도보다 작게 형성할 수 있다. 즉, 충진 패턴(102a)의 최대 두께는 제2 요철 패턴(102p)의 높이보다 작거나 같고, 노출된 제2 요철 패턴(102p)의 크기는 제1 요철 패턴(101p)의 크기보다 작을 수 있다. 이 경우 광학 부재(11)의 일면(도면상 상면)의 헤이즈는 광학 부재(11)의 타면(도면상 하면)의 헤이즈보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 기재(102) 및 제2 기재(102)의 제2 요철 패턴(102p)의 요부에 충진된 충진 패턴(102a)에 의해 발생하는 헤이즈는 약 50% 미만, 또는 10% 미만일 수 있다. 광학 부재(11)의 일면과 타면의 헤이즈를 상이하게 하여 높은 휘도 특성과 광시야각 특성을 구현할 수 있다.In an exemplary embodiment, the second substrate 102 further includes a fill pattern 102a at least partially filled in the recessed portion of the second concavo-convex pattern 102p, through which the surface of the other surface of the second substrate 102 The roughness can be formed to be smaller than the surface roughness of one surface of the first base material 101. [ That is, the maximum thickness of the filling pattern 102a is smaller than or equal to the height of the second concavo-convex pattern 102p, and the size of the exposed second concavo-convex pattern 102p may be smaller than the size of the first concavo-convex pattern 101p . In this case, the haze of one surface (upper surface in the drawing) of the optical member 11 may be larger than the haze of the other surface (lower surface of the drawing) of the optical member 11. [ For example, the haze generated by the filling pattern 102a filled in the concave portions of the second base material 102 and the second concave-convex pattern 102p of the second base material 102 is less than about 50%, or less than 10% . The haze of one surface of the optical member 11 is different from that of the other surface, thereby realizing high luminance characteristics and wide viewing angle characteristics.

충진 패턴(102a)의 굴절률은 제2 기재(102)의 굴절률과 실질적으로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 충진 패턴(102a)의 굴절률은 제2 기재(102)의 굴절률보다 작을 수 있다. 이 경우 광학 부재(11) 타면의 헤이즈를 효과적으로 제어할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 충진 패턴(102a)은 기능성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 충진 패턴(102a)은 대전방지제를 포함하여 약 1×10¹⁴ 이하, 1×10¹³ 이하, 1×10¹² 이하, 또는 1×10¹¹ 이하의 표면 저항값을 가질 수 있다. 이를 통해 이물에 의해 야기될 수 있는 광학 특성 불량을 방지할 수 있다.The refractive index of the filling pattern 102a may be substantially the same as or different from the refractive index of the second base material 102. [ For example, the refractive index of the filling pattern 102a may be smaller than the refractive index of the second base material 102. [ In this case, the haze of the other surface of the optical member 11 can be effectively controlled. In some embodiments, the fill pattern 102a may comprise a functional material. For example, the filling pattern (102a) is from about 1 × 10 ¹⁴ or less, 1 × 10 ¹³ or less, 1 × 10 ¹² or less, or 1 may have a surface resistance of less than ¹¹ × 10, including an antistatic agent. This makes it possible to prevent defective optical characteristics caused by foreign matter.

다른 실시예에서, 제2 기재(102)의 타면은 실질적으로 평탄하고 제2 기재(102)의 타면에 고분자 수지 및/또는 미세 입자를 포함하는 조성물을 코팅하여 형성된 코팅층이 배치될 수도 있다. 이를 통해 광학 부재(11)의 타면의 헤이즈를 제어할 수 있다.In another embodiment, a coating layer formed by coating a composition comprising polymer resin and / or fine particles on the other surface of the second substrate 102 may be disposed on the other surface of the second substrate 102, and the other surface of the second substrate 102 may be substantially flat. Whereby the haze of the other surface of the optical member 11 can be controlled.

편광소자(201)와 제2 기재(102) 사이에는 제2 결합층(321)이 개재되어 편광소자(201)와 제2 기재(102)를 직접 결합할 수 있다. 제2 결합층(321)은 편광소자(201) 및 제2 기재(102)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 제2 결합층(321)은 제2 바인더를 포함하여 이루어지되, 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제2 결합층(321) 내 파장조절입자의 농도는 제1 결합층(311) 내 파장조절입자(311b)의 농도보다 작을 수 있다.A second bonding layer 321 is interposed between the polarizing element 201 and the second base 102 to directly couple the polarizing element 201 and the second base 102 to each other. The second bonding layer 321 can directly contact and bond with the polarizing element 201 and the second substrate 102. The second bonding layer 321 may include a second binder and may include no wavelength tuning particles or the concentration of the wavelength tuning particles in the second bonding layer 321 may be adjusted within the first bonding layer 311 May be smaller than the concentration of the particles 311b.

제2 바인더는 제1 바인더(311a)와 상이한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 바인더는 약 400nm 미만의 파장에서 최대 피크를 갖는 자외선에 의해 경화되는 자외선 경화성 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 바인더는 열 경화성 수지 조성물 또는 약 400nm 이상의 파장에서 최대 피크를 갖는 광에 의해 경화되는 광 경화성 수지 조성물로 이루어질 수도 있다.The second binder may be made of a material different from that of the first binder 311a. For example, the second binder may be composed of an ultraviolet ray curable resin composition which is cured by ultraviolet rays having a maximum peak at a wavelength of less than about 400 nm. In some embodiments, the second binder may comprise a thermosetting resin composition or a photocurable resin composition that is cured by light having a maximum peak at a wavelength of about 400 nm or greater.

예시적인 실시예의 광학 부재(11)를 투과한 광의 스펙트럼 측정에서, 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 반사광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 투과율)의 세기는 입사광의 약 50% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 투과율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In the spectral measurement of the light transmitted through the optical member 11 of the exemplary embodiment, the intensity of the peak (minimum transmittance) having the minimum value among the reflected light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm may be about 50% or less of the incident light. The half width of the minimum transmittance peak may be about 70 nm or less.

이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 광학 부재들을 설명한다. 다만, 전술한 일 실시예에 따른 광학 부재와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성에 대한 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야의 통상의 기술자들에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Hereinafter, optical members according to other embodiments of the present invention will be described. However, descriptions of substantially identical or similar components to the optical member according to the above-described embodiment will be omitted, and these will be clearly understood by those skilled in the art from the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 부재의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an optical member according to another embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(12)는 편광소자(202), 편광소자(202)의 일면 상에 배치되는 제1 기재(103), 및 편광소자(202)와 제1 기재(103) 사이에 개재되는 제1 결합층(312)을 포함하고, 편광소자(202)의 타면 상에 배치되는 제2 기재(104), 편광소자(202)와 제2 기재(104) 사이에 개재되는 제2 결합층(322) 및 제2 기재(104)의 타면 상에 배치되는 제3 결합층(332)을 더 포함할 수 있다.2, the optical member 12 according to the present embodiment includes a polarizing element 202, a first substrate 103 disposed on one surface of the polarizing element 202, and a polarizing element 202, A second substrate 104 including a first bonding layer 312 interposed between the polarizing element 202 and the substrate 103 and disposed on the other surface of the polarizing element 202; And a third bonding layer 332 disposed on the other surface of the second base 104. The second bonding layer 322 may be formed on the second base layer 104,

편광소자(202)는 일 방향의 편광을 투과시킬 수 있고, 광학 부재(12)는 액정 표시 패널의 상측 및/또는 하측에 부착되는 편광 부재일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예시적인 실시예에서, 편광소자(202)는 PVA 필름에 요오드를 흡착시킨 후 연신시킨 흡수형 편광소자일 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 반사형 편광소자일 수도 있다. 편광소자(202)의 일면(도면상 상면) 상에는 제1 기재(103)가 배치된다. 제1 기재(103)는 편광소자(202)를 일측에서 보호하는 편광소자 보호필름일 수 있다. 제1 기재(103)의 적어도 일면은 프라이머층이 형성되어 있거나 코로나 처리되어 있을 수 있다. 제1 기재(103)의 일면(도면상 상면)은 실질적으로 평탄할 수 있다.The polarizing element 202 may transmit polarized light in one direction, and the optical member 12 may be a polarizing member attached on the upper side and / or the lower side of the liquid crystal display panel, but the present invention is not limited thereto. In an exemplary embodiment, the polarizing element 202 may be an absorption type polarizing element in which iodine is adsorbed on a PVA film and then stretched. However, the present invention is not limited to this, and may be a reflective polarizing element. The first base material 103 is disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the polarizing element 202. The first base material 103 may be a polarizing element protective film for protecting the polarizing element 202 from one side. At least one surface of the first base material 103 may be formed with a primer layer or corona treated. One surface (the upper surface in the drawing) of the first base material 103 may be substantially flat.

편광소자(202)와 제1 기재(103) 사이에는 제1 결합층(312)이 개재되어 편광소자(202)와 제1 기재(103)를 직접 결합할 수 있다. 제1 결합층(312)은 편광소자(202) 및 제1 기재(103)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 제1 결합층(312)은 제1 바인더(312a) 및 제1 바인더(312a) 내에 분산된 파장조절입자(312b)를 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 결합층(312)의 두께는 후술할 제2 결합층(322)의 두께와 실질적으로 동일하거나 더 클 수 있다. 제1 결합층(312)이 충분히 두꺼울 경우 파장조절입자(312b)를 포함함에도 기재(103)와 편광소자(202) 사이에 강한 결합력을 확보할 수 있고, 제1 결합층(312)의 두께와 제2 결합층(322)의 두께가 동일할 경우 광학 부재(12)의 휨 불량을 방지할 수 있다. The first coupling layer 312 is interposed between the polarizing element 202 and the first base 103 to directly couple the polarization element 202 and the first base 103 to each other. The first bonding layer 312 can directly contact and engage with the polarizing element 202 and the first substrate 103. The first bonding layer 312 may include the first binder 312a and the wavelength tuning particles 312b dispersed in the first binder 312a. The thickness of the first bonding layer 312 may be substantially equal to or greater than the thickness of the second bonding layer 322 to be described later. When the first bonding layer 312 is thick enough, a strong bonding force can be secured between the substrate 103 and the polarizing element 202 even though the wavelength adjusting particles 312b are included, and the thickness of the first bonding layer 312 Defective deflection of the optical member 12 can be prevented when the thickness of the second bonding layer 322 is the same.

편광소자(202)의 타면(도면상 하면) 상에는 제2 기재(104)가 배치된다. 제2 기재(104)는 편광소자(202)를 타측에서 보호하는 보호필름일 수 있다. 제2 기재(104)의 타면(도면상 하면)은 실질적으로 평탄할 수 있다.A second base material 104 is disposed on the other surface (lower surface in the figure) of the polarizing element 202. The second base material 104 may be a protective film for protecting the polarizing element 202 from the other side. The other surface (lower surface in the figure) of the second substrate 104 may be substantially flat.

편광소자(202)와 제2 기재(104) 사이에는 제2 결합층(322)이 개재되어 편광소자(202)와 제2 기재(104)를 직접 결합할 수 있다. 제2 결합층(322)은 편광소자(202) 및 제2 기재(104)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 제2 결합층(322)은 제2 바인더를 포함하여 이루어지되, 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제2 결합층(322) 내 파장조절입자의 농도는 제1 결합층(312) 내 파장조절입자(312b)의 농도보다 작을 수 있다.A second bonding layer 322 is interposed between the polarizing element 202 and the second base 104 to directly couple the polarizing element 202 and the second base 104 to each other. The second bonding layer 322 can directly abut and engage the polarizing element 202 and the second substrate 104. The second bonding layer 322 includes a second binder and the concentration of the wavelength tuning particles in the second bonding layer 322 does not include the wavelength tuning particles, May be less than the concentration of the particles 312b.

제2 기재(104)의 타면(도면상 하면) 상에는 제3 결합층(332)이 배치된다. 제3 결합층(332)은 제2 기재(104)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제3 결합층(332) 타면(도면상 하면)에는 이형필름(미도시)이 더 배치될 수 있다. 제3 결합층(332)의 상기 타면은 피부착 대상, 예컨대 표시 패널 등과 부착되는 면일 수 있다. 제3 결합층(332)은 제3 바인더를 포함하여 이루어지되, 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제3 결합층(332) 내 파장조절입자의 농도는 제1 결합층(312) 내 파장조절입자(312b)의 농도보다 작을 수 있다.A third bonding layer 332 is disposed on the other surface (lower surface) of the second base 104. The third bonding layer 332 can directly contact and bond with the second substrate 104. In some embodiments, a release film (not shown) may be further disposed on the other surface (lower surface) of the third bonding layer 332. The other surface of the third bonding layer 332 may be a surface to be adhered to an object to be adhered, for example, a display panel or the like. The third bonding layer 332 may include a third binder and may include no wavelength tuning particles or the concentration of the wavelength tuning particles in the third bonding layer 332 may be adjusted within the first bonding layer 312 May be less than the concentration of the particles 312b.

도 3 내지 도 19는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 광학 부재의 단면도들이다.Figs. 3 to 19 are sectional views of an optical member according to still another embodiment of the present invention. Fig.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(13)는 제2 결합층(323)은 제2 바인더(323a) 및 제2 바인더(323a) 내에 분산된 파장조절입자(323b)를 포함하여 이루어지고, 제1 결합층(313)은 제1 바인더를 포함하여 이루어지되 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제1 결합층(313) 내 파장조절입자의 농도는 제2 결합층(323) 내 파장조절입자(323b)의 농도보다 작은 점이 도 2의 실시예에 따른 광학 부재(12)와 상이한 점이다. 이 경우 제2 결합층(323)의 두께는 제1 결합층(313)의 두께와 실질적으로 동일하거나 더 클 수 있다. 제2 결합층(323)이 충분히 두꺼울 경우 파장조절입자(323b)를 포함함에도 광학 부재(13)와 피부착 대상 간에 강한 결합력을 확보할 수 있고, 제1 결합층(313)의 두께와 제2 결합층(323)의 두께가 동일할 경우 광학 부재(13)의 휨 불량을 방지할 수 있다.3, the optical member 13 according to the present embodiment includes the second bonding layer 323 including the second binder 323a and the wavelength adjusting particles 323b dispersed in the second binder 323a And the first bonding layer 313 includes a first binder and does not include wavelength tuning particles or the concentration of the wavelength tuning particles in the first bonding layer 313 is higher than the concentration of the wavelength tuning particles in the second bonding layer 323 Is smaller than the concentration of the wavelength-tunable particles 323b in the optical member 12 according to the embodiment of Fig. In this case, the thickness of the second bonding layer 323 may be substantially equal to or greater than the thickness of the first bonding layer 313. It is possible to secure a strong coupling force between the optical member 13 and the object to be attached even though the second coupling layer 323 is thick enough to contain the wavelength adjusting particle 323b and the thickness of the first coupling layer 313 and the thickness of the second Defective deflection of the optical member 13 can be prevented when the thickness of the bonding layer 323 is the same.

도 2 및 도 3은 각각 제1 결합층 또는 제2 결합층이 파장조절입자를 포함하는 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 제3 결합층(332)이 파장조절입자를 포함할 수도 있다.FIGS. 2 and 3 illustrate the case where the first bonding layer or the second bonding layer includes the wavelength tuning particles, but in other embodiments, the third bonding layer 332 may include the wavelength tuning particles.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(14)는 기재(105) 및 기재(105) 상에 배치되는 파장조절층(401)을 포함한다. 예시적인 실시예에서, 광학 부재(14)는 일면에 형성된 요철 패턴을 갖는 광학 부재일 수 있다.4, the optical member 14 according to the present embodiment includes a base 105 and a wavelength tuning layer 401 disposed on the base 105. [ In the exemplary embodiment, the optical member 14 may be an optical member having a concavo-convex pattern formed on one surface.

기재(105)는 기재(105) 측으로 입사되는 광을 반사하는 반사필름이고, 광학 부재(14)는 반사 특성을 갖는 반사 부재일 수 있다. 상기 반사 부재는 예컨대, 액정 표시 장치의 광원의 배면측에 배치되어 누설된 광을 표시 패널 측으로 반사시키거나, 또는 반사편광 부재에 의해 반사된 광을 표시 패널 측으로 반사시킬 수 있다.The substrate 105 is a reflective film that reflects light incident on the substrate 105 side, and the optical member 14 may be a reflective member having reflective characteristics. The reflecting member may be disposed, for example, on the back side of the light source of the liquid crystal display device so as to reflect the leaked light toward the display panel side or reflect the light reflected by the reflective polarizing member toward the display panel side.

기재(105)는 자체의 반사율이 50% 이상이 되도록 구성될 수 있다. 예를 들어 기재(105)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 물질로 이루어지거나, 금속 입자 등의 무기 입자 또는 유기 입자를 포함하여 이루어지거나, 기재(105)의 일면은 금속 코팅되거나, 또는 반사편광 특성을 갖는 기재로 이루어질 수 있다.The substrate 105 may be configured so that its reflectance is 50% or more. For example, the substrate 105 may be made of a material such as polyethylene terephthalate, or may include inorganic particles or organic particles such as metal particles, or may be formed by coating a surface of the substrate 105 with a metal, .

예시적인 실시예에서, 파장조절층(401)은 바인더(401a), 바인더(401a) 내에 분산된 파장조절입자(401b), 및 바인더(401a) 내에 분산된 비드(401c)를 포함하여 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, the wavelength tuning layer 401 may comprise a binder 401a, wavelength tuning particles 401b dispersed within the binder 401a, and beads 401c dispersed within the binder 401a .

구체적으로, 바인더(401a)는 폴리아크릴계, 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 폴리카보네이트계, 폴리아미드계, 폴리스티렌계, 폴리아크릴로니트릴계, 또는 이들의 공중합체 수지 조성물과 유기 용매의 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 유기 용매로는 톨루엔, 자일렌, 프로필알코올, 이소프로필알코올, 에틸 아세테이트, 디메틸 포름아미드, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 및 메틸에틸케톤 등을 예시할 수 있다.Specifically, the binder 401a may be formed of a mixture of a polyacrylic, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyamide, polystyrene, polyacrylonitrile, or copolymer resin composition thereof with an organic solvent have. Examples of the organic solvent include toluene, xylene, propyl alcohol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, dimethylformamide, acetone, tetrahydrofuran, and methyl ethyl ketone.

파장조절입자(401b)는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절입자(401b)는 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질일 수 있다. 즉, 파장조절층(401)은 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 비드(401c)는 유기 물질 또는 무기 물질일 수 있다. 비드(401c)는 구형, 평판형, 코어-쉘 구조 등과 같은 정형화된 입자이거나, 무정형 입자일 수도 있다. 비드(401c)의 크기는 파장조절입자(401b)의 크기보다 클 수 있다. 비드(401c)의 평균 크기(구형인 경우 평균 직경)은 약 1 내지 50㎛일 수 있다. 파장조절입자(401b)와 비드(401c)는 파장조절층(401) 내에 전체적으로 균일하게 분산되어 있을 수 있다.The wavelength tuning particles 401b may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the wavelength tuning particles 401b may be a light absorbing material with a maximum absorption wavelength peak located within a range of about 580 nm to 600 nm. That is, the wavelength tuning layer 401 may have a relatively low light transmittance with respect to light having a wavelength band of about 580 nm to 600 nm. Bead 401c may be an organic material or an inorganic material. Bead 401c may be a shaped particle such as a spherical, planar, core-shell, or the like, or may be amorphous. The size of the beads 401c may be larger than the size of the wavelength tuning particles 401b. The average size of the beads 401c (average diameter in the case of a spherical shape) may be about 1 to 50 mu m. The wavelength tuning particles 401b and the beads 401c may be uniformly dispersed in the wavelength tuning layer 401 as a whole.

파장조절입자(401b)는 파장조절층(401) 전체 중량에 대하여 약 5.5 중량% 이하로 포함될 수 있다. 파장조절입자(401b)의 함량이 5.5 중량% 이하이면 우수한 휘도 특성을 가질 뿐만 아니라 휘도 저하율 대비 효과적인 색 재현성 상승율을 나타낼 수 있다. 이 경우 광학 부재(14) 자체의 광 반사율은 약 40% 이상일 수 있다. The wavelength tuning particles 401b may be included in an amount of about 5.5% by weight or less based on the total weight of the wavelength tuning layer 401. When the content of the wavelength-tunable particles 401b is 5.5% by weight or less, not only excellent brightness characteristics but also effective color reproducibility can be obtained. In this case, the optical reflectance of the optical member 14 itself may be about 40% or more.

파장조절층(401)의 일면(도면상 상면)은 평탄하지 않고 요철 패턴(14p)이 형성되어 있을 수 있다. 요철 패턴(14p)에 의해 광학 부재(14) 측으로 입사된 광을 산란하거나 편광을 해소할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절층(401) 일면의 요철 패턴(14p)은 비드(401c)에 의해 형성될 수 있다. 즉, 비드(401c)의 크기는 파장조절층(401)의 최소 두께보다 크고, 파장조절층(401)의 최대 두께는 비드(401c)에 의해 형성될 수 있다. 다시 말해서, 비드(401c)는 요철 패턴(14p)의 철부 부근에 위치할 수 있다. 반면 파장조절입자(401b)는 요철 패턴(14p)의 요부 및 철부에 대략 균일하게 위치할 수 있다.One surface (upper surface in the drawing) of the wavelength tuning layer 401 may be uneven and may have a concave-convex pattern 14p. The light incident on the optical member 14 side can be scattered or the polarization can be eliminated by the uneven pattern 14p. In the exemplary embodiment, the concavo-convex pattern 14p on one surface of the wavelength tuning layer 401 may be formed by the bead 401c. That is, the size of the bead 401c may be larger than the minimum thickness of the wavelength tuning layer 401, and the maximum thickness of the wavelength tuning layer 401 may be formed by the bead 401c. In other words, the bead 401c can be positioned near the convex portion of the concavo-convex pattern 14p. On the other hand, the wavelength tuning particles 401b can be positioned substantially uniformly on the recesses and protrusions of the concavo-convex pattern 14p.

예시적인 실시예의 파장조절층(401)을 투과하여 기재(105)에 의해 반사된 광의 스펙트럼 측정에서, 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 반사광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 반사율)의 세기는 입사광의 약 90% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 반사율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In the spectrum measurement of the light reflected by the substrate 105 through the wavelength tuning layer 401 of the exemplary embodiment, the intensity of the peak (minimum reflectance) having the minimum value among the reflected light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm is about Can be less than 90%. The half width of the minimum reflectance peak may be about 70 nm or less.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(15)는 기재(105) 및 기재(105) 상에 배치되고 일면에 요철 패턴이 형성된 파장조절층(402)을 포함하되, 파장조절층(402)은 바인더(402a) 및 바인더(402a) 내에 분산된 파장조절입자(402b)를 포함하고, 비드를 포함하지 않는 점이 도 4의 실시예에 따른 광학 부재(14)와 상이한 점이다.5, the optical member 15 according to the present embodiment includes a base 105 and a wavelength tuning layer 402 disposed on the base 105 and having a concavo-convex pattern formed on one surface thereof, 402 differs from the optical member 14 according to the embodiment of FIG. 4 in that it includes the wavelength adjusting particles 402b dispersed in the binder 402a and the binder 402a, and does not include beads.

예시적인 실시예에서, 파장조절층(402)의 일면(도면상 상면)은 평탄하지 않고 요철 패턴(15p)이 형성되어 있을 수 있다. 파장조절층(402) 일면의 요철 패턴(15p)은 패턴 몰드에 의해 형성된 정형화된 패턴 또는 무정형 패턴일 수 있다. 파장조절입자(402b)는 파장조절층(402) 내에 대략 균일하게 분산되어 있을 수 있다. 또 파장조절입자(402b)는 요철 패턴(15p)의 요부 및 철부에 대략 균일하게 위치할 수 있다.In an exemplary embodiment, one surface (upper surface in the drawing) of the wavelength tuning layer 402 is not planar and the irregular pattern 15p may be formed. The concavo-convex pattern 15p on one surface of the wavelength tuning layer 402 may be a regular pattern or an amorphous pattern formed by the pattern mold. The wavelength tuning particles 402b may be dispersed substantially uniformly in the wavelength tuning layer 402. The wavelength-regulating particles 402b may be substantially uniformly positioned on the recesses and protrusions of the concavo-convex pattern 15p.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(16)는 기재(105), 기재(105) 상에 배치되는 파장조절층(403) 및 파장조절층(403) 상에 배치되고 일면에 요철 패턴이 형성된 비드층(450)을 포함하되, 파장조절층(403)의 일면은 대략 평탄한 점이 도 4의 실시예에 따른 광학 부재(14)와 상이한 점이다.6, the optical member 16 according to the present embodiment includes a base 105, a wavelength adjusting layer 403 disposed on the base 105, and a wavelength adjusting layer 403, And a patterned bead layer 450, wherein one surface of the wavelength tuning layer 403 is substantially flat at a point different from the optical member 14 according to the embodiment of FIG.

예시적인 실시예에서, 파장조절층(403)은 기재(105)과 비드층(450)을 결합시키기 위한 결합층일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 파장조절층(403)은 기재(105) 및 비드층(450)과 직접 맞닿아 결합할 수 있다.In an exemplary embodiment, the wavelength tuning layer 403 may be a bonding layer for bonding the substrate 105 and the bead layer 450, but the present invention is not limited thereto. The wavelength tuning layer 403 can directly contact and bond with the substrate 105 and the bead layer 450.

비드층(450)의 일면(도면상 상면)은 평탄하지 않고 요철 패턴(16p)이 형성되어 있을 수 있다. 비드층(450) 일면의 요철 패턴(16p)은 비드(450c)에 의해 형성될 수 있다. 즉, 비드(450c)의 크기는 비드층(450)의 최소 두께보다 크고, 비드층(450)의 최대 두께는 비드(450c)에 의해 형성될 수 있다. 다시 말해서, 비드(450c)는 요철 패턴(16p)의 철부 부근에 위치할 수 있다.One surface (the upper surface in the drawing) of the bead layer 450 is not planar and the uneven pattern 16p may be formed. The concavo-convex pattern 16p on one side of the bead layer 450 may be formed by the bead 450c. That is, the size of the bead 450c is larger than the minimum thickness of the bead layer 450, and the maximum thickness of the bead layer 450 can be formed by the bead 450c. In other words, the bead 450c can be positioned near the convex portion of the concavo-convex pattern 16p.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(17)는 기재(106), 기재(106)의 일면 상에 배치되는 제1 중간층(501), 및 제1 중간층(501) 상에 배치되는 파장조절층(601)을 포함하고, 기재(105)의 타면 상에 배치되는 백코팅층(700)을 더 포함할 수 있다.7, the optical member 17 according to the present embodiment includes a substrate 106, a first intermediate layer 501 disposed on one side of the substrate 106, and a second intermediate layer 501 disposed on the first intermediate layer 501 A backcoating layer 700 including a wavelength adjusting layer 601 and disposed on the other surface of the base material 105. [

기재(106)는 광을 투과시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기재(106)는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리이미드(polyimide, PI), 시클로올레핀폴리머(cyclo-olefin polymer, COP) 계열, 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN) 등의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 기재(106)는 반사형 또는 흡수형 편광소자, 위상차층, 보상층 등의 광 기능층일 수도 있다.The substrate 106 may be made of a material capable of transmitting light. For example, the substrate 106 may be formed of a material selected from the group consisting of polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyimide (PI), cyclo-olefin polymer (COP) And a material such as polyethylene naphthalate (PEN). In some embodiments, the substrate 106 may be an optical functional layer, such as a reflective or absorptive polarizing element, a retardation layer, a compensation layer, or the like.

파장조절층(601)은 바인더(601a) 및 바인더(601a) 내에 분산된 파장조절입자(601b)를 포함하고, 자외선 차단제를 더 포함하여 이루어질 수 있다. 바인더(601a)는 폴리아크릴계, 폴리에스테르계, 폴리우레탄계, 폴리카보네이트계, 폴리아미드계, 폴리스티렌계, 폴리아크릴로니트릴계, 또는 이들의 공중합체 수지 조성물과 유기 용매의 혼합물로 이루어질 수 있다. 상기 유기 용매로는 톨루엔, 자일렌, 프로필알코올, 이소프로필알코올, 에틸 아세테이트, 디메틸 포름아미드, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 및 메틸에틸케톤 등을 예시할 수 있다.The wavelength tuning layer 601 includes the binder 601a and the wavelength tuning particles 601b dispersed in the binder 601a, and may further include a UV blocking agent. The binder 601a may be made of a polyacrylic, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyamide, polystyrene, polyacrylonitrile, or a mixture of the copolymer resin composition and an organic solvent. Examples of the organic solvent include toluene, xylene, propyl alcohol, isopropyl alcohol, ethyl acetate, dimethylformamide, acetone, tetrahydrofuran, and methyl ethyl ketone.

파장조절입자(601b)는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절입자(601b)는 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질일 수 있다. 즉, 파장조절층(601)은 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. The wavelength tuning particles 601b may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the wavelength tuning particles 601b may be a light absorbing material with a maximum absorption wavelength peak located within a range of about 580 nm to 600 nm. That is, the wavelength tuning layer 601 may have a relatively small light transmittance with respect to light having a wavelength band of about 580 nm to 600 nm.

파장조절입자(601b)는 파장조절층(601) 전체 중량에 대하여 약 20.0 중량% 이하로 포함될 수 있다. 파장조절입자(601b)의 함량이 20.0 중량% 이하이면 휘도 저하율 대비 효과적인 색 재현성 상승율을 나타낼 수 있다. 이 경우 광학 부재(17) 자체의 광 투과율은 약 40% 이상일 수 있다.The wavelength tuning particles 601b may be included in an amount of about 20.0% by weight or less based on the total weight of the wavelength tuning layer 601. When the content of the wavelength-tunable particles 601b is 20.0% by weight or less, an effective color reproducibility can be exhibited with respect to the rate of decrease in luminance. In this case, the light transmittance of the optical member 17 itself may be about 40% or more.

몇몇 실시예에서, 파장조절층(601)은 금속 입자, 도전성 비금속 입자, 중공 입자, 유기 입자, 무기 입자, 또는 자외선 흡수제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 금속 입자, 도전성 비금속 입자, 중공 입자, 유기 입자, 또는 무기 입자의 크기는 파장조절입자(601b)의 크기보다 크고, 파장조절층(601)의 두께보다 작을 수 있다.In some embodiments, the wavelength tuning layer 601 may further include one or more of metal particles, conductive non-metallic particles, hollow particles, organic particles, inorganic particles, or ultraviolet absorbers. The size of the metal particles, the conductive nonmetal particles, the hollow particles, the organic particles, or the inorganic particles may be larger than the size of the wavelength tuning particles 601b and smaller than the thickness of the wavelength tuning layer 601.

제1 중간층(501)은 기재(106)와 파장조절층(601)을 직접 결합시키기 위한 프라이머층일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 확산 입자를 포함하는 확산층, 반사 방지/저감층 또는 광변조 패턴층 등의 광 기능층일 수 있다. 제1 중간층(501)이 프라이머층일 경우 제1 중간층(501)은 기재(106) 및 파장조절층(601)과 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 다른 실시예에서 제1 중간층(501)은 생략되어 기재(106) 상에 파장조절층(601)이 직접 배치될 수도 있다.The first intermediate layer 501 may be a primer layer for directly bonding the base 106 and the wavelength tuning layer 601. However, the present invention is not limited thereto, and the diffusion layer including the diffusion particles, the anti-reflection / Pattern layer, or the like. When the first intermediate layer 501 is a primer layer, the first intermediate layer 501 can directly contact and bond with the substrate 106 and the wavelength adjusting layer 601. [ In another embodiment, the first intermediate layer 501 may be omitted, and the wavelength tuning layer 601 may be disposed directly on the substrate 106.

제1 중간층(501)은 파장조절층(601)과 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절층(601)의 굴절률은 제1 중간층(501)의 굴절률보다 약 0.01 이상 클 수 있다. 파장조절층(601)의 굴절률이 제1 중간층(501)의 굴절률보다 약 0.01 이상 클 경우 광학 부재(17)의 광학 특성을 개선할 수 있다.The first intermediate layer 501 may have a different refractive index from the wavelength adjusting layer 601. In an exemplary embodiment, the refractive index of the wavelength tuning layer 601 may be about 0.01 or more larger than the refractive index of the first intermediate layer 501. The optical characteristic of the optical member 17 can be improved when the refractive index of the wavelength adjusting layer 601 is larger than the refractive index of the first intermediate layer 501 by about 0.01 or more.

백코팅층(700)은 반사 방지층 및/또는 정전기 방지층일 수 있다. 백코팅층(700)의 타면(도면상 하면)은 평탄하지 않고 소정의 표면 조도를 가질 수 있다. 백코팅층(700)은 대전방지제 및/또는 슬립제 등을 포함하여 이물에 의해 야기될 수 있는 광학 특성 불량을 방지하고, 광학 부재(17) 하부에 배치될 수 있는 다른 부재와의 마찰에 의한 손상을 방지할 수 있다.The back coating layer 700 may be an antireflection layer and / or an antistatic layer. The other surface (lower surface in the drawing) of the back coating layer 700 is not flat and can have a predetermined surface roughness. The back coating layer 700 includes an antistatic agent and / or a slip agent to prevent defects in optical characteristics that may be caused by foreign matter and to prevent damage due to friction with other members that can be disposed under the optical member 17 Can be prevented.

몇몇 실시예에서, 파장조절층(601) 상에 배치된 오버코팅층(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 상기 오버코팅층은 자외선 흡수제를 포함할 수 있다. 상기 오버코팅층은 하드코팅층일 수 있다. 상기 오버코팅층은 2H 이상의 경도, 내화학성 및 내오염성 등의 특성을 가질 수 있으며, 약 0.3 내지 3 ㎛의 두께를 가질 수 있다.In some embodiments, it may further comprise an overcoat layer (not shown) disposed on the wavelength tuning layer 601. The overcoat layer may comprise an ultraviolet absorber. The overcoat layer may be a hard coat layer. The overcoat layer may have properties such as hardness, chemical resistance, stain resistance and the like of 2H or higher, and may have a thickness of about 0.3 to 3 占 퐉.

예시적인 실시예의 광학 부재(17)를 투과한 광의 스펙트럼 측정에서, 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 투과광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 투과율)의 세기는 입사광의 약 70% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 투과율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In the spectral measurement of the light transmitted through the optical member 17 of the exemplary embodiment, the intensity of the peak (minimum transmittance) having the smallest value of the transmitted light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm may be about 70% or less of the incident light. The half width of the minimum transmittance peak may be about 70 nm or less.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(18)는 기재(107)의 제1 중간층(502)과 대면하는 일면에 요철 패턴(107p)이 형성된 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다. 이 경우 요철 패턴(107p)을 따라 요부와 철부 상에 제1 중간층(502) 및 파장조절층(602)이 배치되되, 파장조절층(602)의 두께는 대략 균일할 수 있다. 기재(107)의 일면에 경사각이 0도 이상 90도 이하인 요철 패턴(107p)을 형성하여 기재(107) 자체에 헤이즈를 부여할 수 있고 광학 부재(18)가 표시 장치에 적용될 경우 시야각을 향상시킬 수 있으며 별도의 코팅 공정을 생략할 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다. 아울러 광학 부재(18) 상부에 배치될 수 있는 다른 부재와의 블러킹을 방지하거나 마찰력을 감쇠하여 광학 부재(18) 표면의 손상을 최소화할 수 있다. 또한 파장조절층(602)의 표면적을 광학 부재(18)의 평면상 면적에 비해 크게 할 수 있는 효과가 있다.8, the optical member 18 according to the present embodiment is different from the optical member 18 according to the embodiment of FIG. 7 in that the concavo-convex pattern 107p is formed on one surface of the substrate 107 facing the first intermediate layer 502, (17). In this case, the first intermediate layer 502 and the wavelength adjusting layer 602 are disposed on the concave and convex portions along the uneven pattern 107p, and the thickness of the wavelength adjusting layer 602 can be substantially uniform. It is possible to form a concavo-convex pattern 107p having an inclination angle of 0 to 90 degrees on one surface of the substrate 107 to impart haze to the substrate 107 itself and to improve the viewing angle when the optical member 18 is applied to a display device And a separate coating process can be omitted, thereby reducing manufacturing costs. In addition, it is possible to minimize the damage to the surface of the optical member 18 by preventing the blocking with the other member that can be disposed on the optical member 18 or attenuating the frictional force. And the surface area of the wavelength tuning layer 602 can be made larger than the area on the plane of the optical member 18.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(19)는 제1 중간층(503)의 파장조절층(603)과 대면하는 일면에 요철 패턴(503p)이 형성된 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다. 이 경우 요철 패턴(503p)을 따라 요부와 철부 상에 파장조절층(603)이 배치되되, 파장조절층(603)의 두께는 대략 균일할 수 있다.9, the optical member 19 according to the present embodiment has a concavo-convex pattern 503p formed on one surface of the first intermediate layer 503 facing the wavelength-tunable layer 603, Is different from the optical member (17). In this case, the wavelength adjusting layer 603 is disposed on the concave and convex portions along the uneven pattern 503p, and the thickness of the wavelength adjusting layer 603 can be substantially uniform.

도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(20)는 파장조절층(604)의 일면(도면상 상면)에 요철 패턴(604p)이 형성된 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다.10, the optical member 20 according to the present embodiment differs from the optical member 17 according to the embodiment of FIG. 7 in that a concave-convex pattern 604p is formed on one surface (upper surface in the drawing) of the wavelength- ). &Lt; / RTI >

도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(21)는 제1 중간층(501)과 파장조절층(605) 사이에 개재된 제2 중간층(505)을 더 포함하는 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다.11, the optical member 21 according to the present embodiment further includes a second intermediate layer 505 interposed between the first intermediate layer 501 and the wavelength adjusting layer 605, And the optical member 17 according to the second embodiment.

제2 중간층(505)은 산부와 골부를 갖는 패턴을 포함하는 광변조 패턴층일 수 있다. 도 11은 제2 중간층(505)이 단면이 삼각형인 프리즘 패턴층인 경우를 예시하고 있으나 제2 중간층(505)은 렌티큘러 패턴층, 마이크로렌즈 패턴층 또는 확산 입자를 포함하거나 요철 패턴이 형성된 확산층일 수도 있다. 인접한 프리즘 패턴 간의 골부는 서로 맞닿거나 이격될 수 있다.The second intermediate layer 505 may be a light modulation pattern layer including a pattern having a peak portion and a valley portion. 11 illustrates a case where the second intermediate layer 505 is a prism pattern layer having a triangular section. However, the second intermediate layer 505 may include a lenticular pattern layer, a microlens pattern layer, or a diffusion layer It is possible. The valleys between adjacent prism patterns can be in contact with or spaced from each other.

제2 중간층(505)은 파장조절층(605)과 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절층(605)의 굴절률은 제2 중간층(505)의 굴절률보다 0.01 이상 클 수 있다. 이를 통해 광학 부재(21)의 집광 특성과 시야각 특성을 개선할 수 있다. 또 제2 중간층(505) 내부에는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등의 금속 입자 또는 이산화티타늄(TiO₂), 산화알루미늄(ZnO), 이산화규소(SiO₂), 산화인듐(In₂O₃) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다.The second intermediate layer 505 may have a refractive index different from that of the wavelength adjusting layer 605. In an exemplary embodiment, the refractive index of the wavelength tuning layer 605 may be larger than the refractive index of the second intermediate layer 505 by 0.01 or more. Accordingly, the light converging characteristic and the viewing angle characteristic of the optical member 21 can be improved. In the second intermediate layer 505 inside the gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al) metal particles or titanium dioxide, such as (TiO _2), aluminum (ZnO), silicon dioxide (SiO _2), indium oxide (In ₂ O ₃ ), and the like.

파장조절층(605)은 제2 중간층(505)의 산부와 골부 상에 대략 균일한 두께로 배치될 수 있다. 파장조절층(605)의 두께는 약 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다. 파장조절층(605)의 두께가 0.5㎛ 이상이면 제2 중간층(505)의 산부와 골부 영역 상에 균일한 두께의 파장조절층(605)을 형성할 수 있으며, 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광에 대한 효율적인 흡수가 가능하다. 제2 중간층(505)의 산부가 첨단을 형성할 경우 파장조절층(605) 또한 첨단을 형성할 수 있다.The wavelength tuning layer 605 may be disposed on the peak and valleys of the second intermediate layer 505 to have a substantially uniform thickness. The thickness of the wavelength tuning layer 605 may be about 0.5 μm or more and 5 μm or less. When the thickness of the wavelength tuning layer 605 is 0.5 탆 or more, the wavelength tuning layer 605 having a uniform thickness can be formed on the peak and valley regions of the second intermediate layer 505, Efficient absorption is possible. When the peaks of the second intermediate layer 505 form apices, the wavelength tuning layer 605 can also form apices.

제2 중간층(505)의 탄성율은 파장조절층(605)의 탄성율보다 클 수 있다. 이를 통해 광학 부재(21) 상부에 배치될 수 있는 다른 부재와의 간섭에도 파장조절층(605)의 손상이 최소화될 수 있다.The elastic modulus of the second intermediate layer 505 may be greater than that of the wavelength adjusting layer 605. The damage to the wavelength tuning layer 605 can be minimized even with interference with other members that can be disposed on the optical member 21.

도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(22)의 제2 중간층(506)은 프리즘 패턴(506a) 및 프리즘 패턴(506a)을 서로 연결하는 완화부(506b)를 포함하는 프리즘 패턴층인 점이 도 11의 실시예에 따른 광학 부재(21)와 상이한 점이다.12, the second intermediate layer 506 of the optical member 22 according to the present embodiment includes a prism pattern 506a including a prism pattern 506a and a relaxation portion 506b connecting the prism patterns 506a to each other. 11 is different from the optical member 21 according to the embodiment of Fig.

도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(23)는 파장조절층(607)이 첨단을 형성하지 않는 점이 도 11의 실시예에 따른 광학 부재(21)와 상이한 점이다. 이 경우 광학 부재(23) 상부에 배치될 수 있는 다른 부재와의 간섭에도 파장조절층(607)의 손상이 더욱 최소화될 수 있다.13, the optical member 23 according to the present embodiment differs from the optical member 21 according to the embodiment of FIG. 11 in that the wavelength adjusting layer 607 does not form a peak. In this case, the damage of the wavelength tuning layer 607 can be further minimized even with interference with other members that can be disposed on the optical member 23.

도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(24)는 파장조절층(608)이 제2 중간층(505) 상에 배치된 제1 파장조절층(608a), 제1 파장조절층(608a) 상에 배치되는 제2 파장조절층(608b) 및 제2 파장조절층(608b) 상에 배치되는 제3 파장조절층(608c)을 포함하여 이루어지는 점이 도 11의 실시예에 따른 광학 부재(21)와 상이한 점이다. 도 14는 파장조절층(608)이 세 개의 파장조절층으로 이루어진 경우를 예시하고 있으나, 파장조절층(608)은 두 개, 또는 네 개 이상의 파장조절층으로 이루어질 수도 있다.14, the optical member 24 according to the present embodiment includes a first wavelength tuning layer 608a, a first wavelength tuning layer 608a, and a second tuning layer 608b. The wavelength tuning layer 608 is disposed on the second intermediate layer 505, And a third wavelength adjusting layer 608c disposed on the second wavelength adjusting layer 608b. The optical member 21 (21) according to the embodiment of FIG. 11 is different from the first wavelength adjusting layer 608b ). &Lt; / RTI > FIG. 14 illustrates a case where the wavelength tuning layer 608 is composed of three wavelength tuning layers, but the wavelength tuning layer 608 may be composed of two or four or more wavelength tuning layers.

예시적인 실시예에서, 제1 파장조절층(608a), 제2 파장조절층(608b) 및 제3 파장조절층(608c)은 각각 서로 상이한 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 파장조절층(608a)은 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질인 제1 파장조절입자를 포함하고, 제2 파장조절층(608b)은 최대 방출파장 피크가 약 545nm 내지 565nm 범위 내에 위치하는 광 방출 물질인 제2 파장조절입자를 포함하며, 제3 파장조절층(608c)은 최대 방출파장 피크가 약 600nm 내지 620nm 범위 내에 있는 광 방출 물질인 제3 파장조절입자를 포함할 수 있다. 즉, 파장조절층(608)은 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작고, 약 545nm 내지 565nm 및 약 600nm 내지 620nm 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 클 수 있다.In an exemplary embodiment, the first wavelength tuning layer 608a, the second wavelength tuning layer 608b, and the third wavelength tuning layer 608c may absorb or emit light of different wavelength bands, respectively. For example, the first wavelength tuning layer 608a includes first wavelength tuning particles that are light absorbing materials having a maximum absorption wavelength peak within a range of about 580 nm to 600 nm, and the second wavelength tuning layer 608b includes a maximum wavelength And the third wavelength tuning layer 608c is a light emitting material having a maximum emission wavelength peak within a range of about 600 nm to 620 nm, the second wavelength tuning particle being a light emitting material whose wavelength peak is located within a range of about 545 nm to 565 nm. 3 wavelength-tunable particles. That is, the wavelength tuning layer 608 has a relatively small light transmittance for light of a wavelength band of about 580 nm to 600 nm, and a light transmittance for light of a wavelength band of about 545 nm to 565 nm and about 600 nm to 620 nm may be relatively large.

또, 제1 파장조절층(608a)과 제2 파장조절층(608b)은 상이한 굴절률을 가지고, 제2 파장조절층(608b)과 제3 파장조절층(608c)은 상이한 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 파장조절층(608a)의 굴절률 및 제3 파장조절층(608c)의 굴절률은 양자의 사이에 개재된 제2 파장조절층(608b)의 굴절률보다 크거나, 또는 제1 파장조절층(608a)의 굴절률 및 제3 파장조절층(608c)의 굴절률은 제2 파장조절층(608b)의 굴절률보다 작을 수 있다. 이를 통해 파장조절층(608)은 반사 방지 또는 반사 저감 효과를 가질 수 있고 휘도를 향상시킬 수 있다.In addition, the first and second wavelength tuning layers 608a and 608b may have different refractive indices, and the second and third tuning layers 608b and 608c may have different refractive indices. For example, the refractive index of the first wavelength adjusting layer 608a and the refractive index of the third wavelength adjusting layer 608c may be greater than the refractive index of the second wavelength adjusting layer 608b interposed therebetween, The refractive index of the adjusting layer 608a and the refractive index of the third wavelength adjusting layer 608c may be smaller than the refractive index of the second wavelength adjusting layer 608b. Thus, the wavelength adjusting layer 608 can have an anti-reflection or anti-reflection effect and improve the brightness.

도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(25)는 파장조절층(605) 상에 적어도 부분적으로 배치되는 파장조절패턴(609)을 더 포함하는 점이 도 11의 실시예에 따른 광학 부재(21)와 상이한 점이다. 파장조절패턴(609)은 제2 중간층(505)의 골부에 적어도 부분적으로 충진될 수 있다. 즉, 파장조절패턴(609)의 최대 두께는 제2 중간층(505)의 높이보다 작거나 같을 수 있다.15, the optical member 25 according to the present embodiment further includes a wavelength adjusting pattern 609 that is at least partly disposed on the wavelength adjusting layer 605, (21). The wavelength tuning pattern 609 may be at least partially filled in the valleys of the second intermediate layer 505. That is, the maximum thickness of the wavelength adjustment pattern 609 may be less than or equal to the height of the second intermediate layer 505.

예시적인 실시예에서, 파장조절층(605)과 파장조절패턴(609)은 각각 서로 동일하거나 상이한 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출할 수 있다. 예를 들어, 파장조절층(605)과 파장조절패턴(609)은 상이한 파장 대역에 대한 광 흡수 물질 또는 광 방출 물질을 포함할 수 있다. 또, 파장조절층(605)과 파장조절패턴(609)은 상이한 굴절률을 가질 수 있다.In an exemplary embodiment, the wavelength tuning layer 605 and the wavelength tuning pattern 609 may absorb or emit light of the same or different wavelength bands, respectively. For example, the wavelength tuning layer 605 and the wavelength tuning pattern 609 may include a light absorbing material or a light emitting material for different wavelength bands. In addition, the wavelength tuning layer 605 and the wavelength tuning pattern 609 may have different refractive indices.

평면 시점에서, 파장조절패턴(609)은 상호 이격되어 배치될 수 있다. 도 15는 파장조절층(605) 상에 파장조절패턴(609)이 배치된 경우를 예시하고 있으나, 파장조절층(605)과 파장조절패턴(609)은 중첩하지 않고 제2 중간층(505)의 골부 상에 직접 파장조절패턴(609)이 배치될 수 있으며, 이 경우 상호 상이한 광 흡수 및/또는 광 방출 특성을 갖는 파장조절층(605)과 파장조절패턴(609)은 평면상 상호 교번적으로 배치될 수 있다.At the plan view, the wavelength adjustment patterns 609 can be disposed apart from each other. 15 illustrates a case where the wavelength tuning pattern 609 is disposed on the wavelength tuning layer 605. However, the wavelength tuning layer 605 and the wavelength tuning pattern 609 do not overlap, The wavelength tuning layer 605 and the wavelength tuning pattern 609 having mutually different light absorption and / or light emission characteristics may be arranged in a mutually alternating manner in plan view .

도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(26)는 제1 중간층(501)과 파장조절패턴(610) 사이에 개재된 제2 중간층(510)을 더 포함하되, 제2 중간층(510)은 골부를 갖는 음각 패턴(510p)을 갖는 패턴층이고, 파장변환패턴(610)은 음각 패턴(510p) 내에 충진된 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다.16, the optical member 26 according to the present embodiment further includes a second intermediate layer 510 interposed between the first intermediate layer 501 and the wavelength tuning pattern 610, and the second intermediate layer 510 Is a pattern layer having an engraved pattern 510p having a valley portion and the wavelength conversion pattern 610 is different from the optical member 17 according to the embodiment of Fig. 7 in that it is filled in the engraved pattern 510p.

제2 중간층(510)은 광을 투과시킬 수 있는 물질로 이루어질 수 있다. 음각 패턴(510p)은 두께 방향(도면상 상하방향)을 따라 폭이 상이한 음각 패턴일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 음각 패턴(510p)은 기재(105)에 가까워지는 방향으로 갈수록(도면상 하측) 폭이 좁아지는 역삼각형 형상인 음각 패턴일 수 있다. 또, 음각 패턴(510p)은 폭(w1)보다 깊이가 클 수 있다. The second intermediate layer 510 may be made of a material capable of transmitting light. The engraved patterns 510p may be engraved patterns having different widths along the thickness direction (up and down direction in the drawing). In the exemplary embodiment, the engraved pattern 510p may be an engraved pattern having an inverted triangular shape that becomes narrower in the direction toward the base 105 (lower side in the drawing). Further, the engraved pattern 510p may be deeper than the width w1.

파장조절패턴(610)은 내부에 분산된 파장조절입자를 포함한다. 상기 파장조절입자는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 파장조절입자는 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질일 수 있다. 즉, 파장조절패턴(610)은 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다.The wavelength tuning pattern 610 includes internally dispersed wavelength tuning particles. The wavelength tuning particle may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the wavelength tuning particles may be a light absorbing material with a maximum absorption wavelength peak located within a range of about 580 nm to 600 nm. That is, the wavelength tuning pattern 610 may have a relatively small light transmittance with respect to light having a wavelength band of about 580 nm to 600 nm.

파장조절패턴(610)은 음각 패턴(510p) 내에 충진되어 평면 시점에서 상호 이격될 수 있다. 즉, 제2 중간층(510)과 파장조절패턴(610)은 평면상 상호 교번적으로 배치될 수 있다. 또, 평면 시점에서 제2 중간층(510)이 차지하는 평면상 면적은 파장조절패턴(610)이 차지하는 평면상 면적보다 클 수 있다. 예컨대, 음각 패턴(510p)의 상부 폭(w1)은 인접한 음각 패턴(510p) 간의 이격 거리(w2)보다 작을 수 있다.The wavelength adjustment patterns 610 may be filled in the engraved pattern 510p and spaced apart from each other at a plan view. That is, the second intermediate layer 510 and the wavelength tuning pattern 610 may be alternately arranged on a plane. In addition, the planar area occupied by the second intermediate layer 510 at the plan view may be larger than the planar area occupied by the wavelength adjustment pattern 610. For example, the upper width w1 of the engraved pattern 510p may be smaller than the separation distance w2 between the adjacent engraved patterns 510p.

파장조절패턴(610)은 특정 파장대의 광을 흡수하거나 방출하는 파장조절입자를 포함할 수 있다. 예컨대, 하나의 파장조절패턴은 광 흡수 물질을 포함하고, 상기 파장조절패턴과 인접한 다른 파장조절패턴은 광 방출 물질을 포함할 수 있다. The wavelength tuning pattern 610 may include wavelength tuning particles that absorb or emit light of a specific wavelength band. For example, one wavelength control pattern includes a light absorbing material, and another wavelength control pattern adjacent to the wavelength control pattern may include a light emitting material.

예시적인 실시예에서, 음각 패턴(510p)의 최대 깊이는 파장조절패턴(610)의 최대 두께보다 클 수 있다. 즉, 파장조절패턴(610)의 상면은 파장조절패턴(610) 측으로 오목한 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 파장조절패턴(610)은 음각 패턴(510p) 내에 완전히 충진되지 않고 소정의 저굴절 영역(AG)을 정의할 수 있다. 저굴절 영역(AG)에 의해 투과광의 산란을 발생시킬 수 있고, 광학 부재(26)가 표시 장치에 적용될 경우 표시 장치의 외부에서 파장조절패턴(610)이 시인되는 문제를 최소화할 수 있다.In an exemplary embodiment, the maximum depth of the engraved pattern 510p may be greater than the maximum thickness of the wavelength tuning pattern 610. [ That is, the upper surface of the wavelength tuning pattern 610 may have a concave shape toward the wavelength tuning pattern 610 side. In other words, the wavelength adjustment pattern 610 can define a predetermined low refractive index area AG without being completely filled in the engraved pattern 510p. The scattering of the transmitted light can be generated by the low refractive index area AG and the problem that the wavelength adjustment pattern 610 is visible outside the display device when the optical member 26 is applied to the display device can be minimized.

도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(27)는 백코팅층 대신에 실질적으로 평탄한 표면을 갖는 저반사층(710)이 배치되는 점이 도 16의 실시예에 따른 광학 부재(26)와 상이한 점이다. 17, the optical member 27 according to the present embodiment differs from the optical member 26 according to the embodiment of FIG. 16 in that a low reflection layer 710 having a substantially flat surface is disposed in place of the back coating layer It is a point.

도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(28)는 음각 패턴(511p)이 골부를 갖지 않고 실질적으로 평탄한 기저면을 갖는 점이 도 16의 실시예에 따른 광학 부재(26)와 상이한 점이다. 도 18은 음각 패턴(511p)이 기재(106)에 가까워지는 방향으로 갈수록(도면상 하측) 폭이 좁아지는 역사다리꼴 형상의 기저면을 갖는 음각 패턴인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 음각 패턴(511p)은 기재(106)에 가까워지는 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 형상의 음각 패턴일 수도 있다.18, the optical member 28 according to the present embodiment differs from the optical member 26 according to the embodiment of Fig. 16 in that the engraved pattern 511p has a substantially flat base without a valley . FIG. 18 illustrates an engraved pattern having an inverted trapezoidal basal plane which is narrowed toward the base 106 in the direction of approaching the base 106. However, in another embodiment, The pattern 511p may be an engraved pattern having a shape that becomes wider as it gets closer to the base material 106. [

도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(29)는 제1 기재(106)의 타면(도면상 하면) 상에 백코팅층 대신에 배치되는 결합층(720)을 포함하고, 결합층(720)과 결합하는 광변조 부재(800)를 더 포함하는 점이 도 7의 실시예에 따른 광학 부재(17)와 상이한 점이다.19, the optical member 29 according to the present embodiment includes a bonding layer 720 disposed on the other surface (lower surface) of the first base material 106 instead of the back coating layer, 7 is different from the optical member 17 according to the embodiment of Fig.

광변조 부재(800)는 제2 기재(810) 및 제2 기재(810) 상에 배치되는 광변조 패턴층(820)을 포함한다. 도 19는 광변조 패턴층(820)이 단면이 삼각형인 프리즘 패턴인 경우를 예시하고 있으나 광변조 패턴층(820)은 렌티큘러 패턴층, 마이크로렌즈 패턴층 또는 확산 패턴층일 수도 있다. 광변조 패턴층(820)의 산부는 적어도 부분적으로 결합층(720) 내부로 침투하여 제1 기재(106)와 접하거나 이격될 수 있다.The light modulation member 800 includes a second base material 810 and a light modulation pattern layer 820 disposed on the second base material 810. 19 illustrates a case where the light modulation pattern layer 820 is a prism pattern having a triangular section. However, the light modulation pattern layer 820 may be a lenticular pattern layer, a micro lens pattern layer, or a diffusion pattern layer. The peak of the light modulation pattern layer 820 may at least partially penetrate into the bonding layer 720 to contact or be spaced from the first substrate 106.

도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 광학 부재(30)는 광변조 패턴을 포함하는 제2 중간층(512)의 타면(도면상 하면) 상에 직접 결합층(730)을 배치하고, 광변조 패턴층(820)의 산부가 적어도 부분적으로 결합층(730) 및 제2 중간층(512) 내부로 침투하여 결합한 점이 도 19의 실시예에 따른 광학 부재(29)와 상이한 점이다.20, the optical member 30 according to the present embodiment includes a bonding layer 730 directly disposed on the other surface (lower surface in the figure) of the second intermediate layer 512 including a light modulation pattern, And differs from the optical member 29 according to the embodiment of FIG. 19 in that the peak portion of the pattern layer 820 at least partly penetrates and bonds into the bonding layer 730 and the second intermediate layer 512.

이하, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치에 대해서 설명한다.Hereinafter, a display device according to embodiments of the present invention will be described.

도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.21 is a cross-sectional view of a display device according to an embodiment of the present invention.

도 21을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1001)는 반사 부재(14), 반사 부재(14) 상에 배치된 광원부(31), 광원부(31) 상에 배치된 광변조 부재(32), 광변조 부재(32) 상에 배치되는 제1 편광 부재(33) 및 제1 편광 부재(33) 상에 배치되는 표시 패널(34)을 포함하고, 표시 패널(34)과 제1 편광 부재(33) 사이에 배치되는 제2 편광 부재(35) 및 표시 패널(34) 상에 배치되는 제3 편광 부재(36)를 더 포함할 수 있다.21, a display device 1001 according to an embodiment of the present invention includes a reflective member 14, a light source unit 31 disposed on the reflective member 14, a light modulation unit (not shown) disposed on the light source unit 31, A first polarizing member 33 disposed on the light modulating member 32 and a display panel 34 disposed on the first polarizing member 33. The display panel 34 includes a first polarizing member 33, A second polarizing member 35 disposed between the first polarizing members 33 and a third polarizing member 36 disposed on the display panel 34. [

반사 부재(14)는 제1 기재(105) 및 제1 파장조절층(401)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 기재(105)는 반사필름이고, 반사 부재(14)는 도 4의 실시예에 따른 반사 부재일 수 있다. The reflective member 14 may include a first base 105 and a first wavelength tuning layer 401. In an exemplary embodiment, the first substrate 105 is a reflective film, and the reflective member 14 may be a reflective member according to the embodiment of FIG.

제1 기재(105)는 광원부(31)로부터 누설된 광을 표시 패널(34) 측으로 반사하거나 또는 제1 편광 부재(33)에 의해 반사 부재(14) 측으로 반사된 광을 표시 패널(34) 측으로 다시 반사할 수 있다. The first base material 105 reflects the light leaked from the light source unit 31 toward the display panel 34 or the light reflected toward the reflective member 14 by the first polarizing member 33 toward the display panel 34 It can be reflected again.

제1 파장조절층(401)은 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 파장조절입자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 파장조절층(401)은 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질을 포함하여 상기 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 제1 파장조절층(401)을 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율이 작아짐으로써 반사 부재(14)에 의해 반사되는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 광원부(31)로부터 누설되어 반사 부재(14)에 의해 반사되는 광 또는 제1 편광 부재(33)에 의해 반사되어 반사 부재(14)에 의해 다시 반사되는 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량을 감소시킬 수 있다.The first wavelength tuning layer 401 may include wavelength tuning particles that absorb or emit light of a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the first wavelength tuning layer 401 may include a light absorbing material having a maximum absorption wavelength peak within a range of about 580 nm to 600 nm, so that the light transmittance for light in the wavelength band may be relatively small. The transmittance of the light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the first wavelength tuning layer 401 is reduced, so that the reflectance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm reflected by the reflecting member 14 can be reduced. The light reflected by the reflecting member 14 or the light reflected by the first polarizing member 33 and reflected by the reflecting member 14 can be reflected by the reflecting member 14 in a wavelength band of about 580 nm to 600 nm The amount of light can be reduced.

한편, 제1 기재(105) 및 제1 파장조절층(401)에 관하여는 도 4와 함께 전술한 바 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.Meanwhile, the first base 105 and the first wavelength tuning layer 401 have been described above with reference to FIG. 4, so a detailed description thereof will be omitted.

광원부(31)는 광원(31b) 및 도광 부재(31a)를 포함할 수 있다. 도광 부재(31a)는 광원(31b)으로부터 제공된 광을 가이드하여 주로 표시 패널(34) 측으로 출사시킬 수 있다. 광원(31b)은 도광 부재(31a)의 일측에 배치될 수 있다. 광원(31b)은 예를 들어, LED(Light Emitting Diode), CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp), HCFL(Hot Cathode Fluorescent Lamp), EEFL(External Electrode Fluorescent Lamp) 등이 적용될 수 있다. 광원(31b)은 약 450nm 파장 부근의 청색 광, 약 540nm 파장 부근의 녹색 광 및 약 600nm 파장 부근의 적색 광이 혼합된 백색 광을 제공할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 도 21은 엣지형 광원부(31)를 예시하고 있으나, 이에 제한되지 않으며 도광 부재(31a)의 하측에 광원이 배치되는 직하형 또는 이들이 혼합된 하이브리드형 광원부일 수도 있다.The light source unit 31 may include a light source 31b and a light guiding member 31a. The light guiding member 31a guides the light provided from the light source 31b and can be emitted mainly to the display panel 34 side. The light source 31b may be disposed on one side of the light guide member 31a. For example, the light source 31b may be a light emitting diode (LED), a cold cathode fluorescent lamp (CCFL), a hot cathode fluorescent lamp (HCFL), or an external electro fluorescent lamp (EEFL). The light source 31b may provide blue light near the wavelength of about 450 nm, green light near the wavelength of about 540 nm, and white light mixed with the red light about the wavelength of about 600 nm, but the present invention is not limited thereto. 21 illustrates the edge-type light source unit 31. However, the present invention is not limited thereto, and the light source unit may be a direct-type or a hybrid type light source unit in which a light source is disposed below the light guide member 31a.

광변조 부재(32)는 광원부(31)로부터 제공되는 투과광을 집광/확산하여 광의 경로, 편광 특성 등을 변화시키는 광학 부재일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광변조 부재(32)는 제2 기재(32a), 제2 기재(32a) 상에 배치되는 제1 광변조 패턴(32b), 제1 광변조 패턴(32b) 상에 배치되는 제3 기재(32c) 및 제3 기재(32c) 상에 배치되는 제2 광변조 패턴(32d)을 포함할 수 있다. 도 21은 제1 광변조 패턴(32b)과 제2 광변조 패턴(32d)이 모두 단면이 삼각형인 프리즘 패턴이되, 제1 광변조 패턴(32b)과 제2 광변조 패턴(32d)의 연장 방향이 교차하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 광변조 패턴(32b)과 제2 광변조 패턴(32d)의 연장 방향은 실질적으로 동일하거나, 제1 광변조 패턴(32b) 및 제2 광변조 패턴(32d) 중 하나 이상은 렌티큘러 렌즈 패턴, 마이크로 렌즈 패턴이거나, 또는 광변조 부재는 확산 패턴층 또는 편광소자를 더 포함할 수도 있다. 또한 광변조 부재(32)와 제1 편광 부재(33)를 이격되게 도시한 도 21과 달리, 광변조 부재(32)는 제1 편광 부재(33)와 결합되어 일체화될 수도 있다.The light modulating member 32 may be an optical member that changes the path of light, polarization characteristics, and the like by condensing / diffusing the transmitted light provided from the light source unit 31. In an exemplary embodiment, the light modulating member 32 includes a second substrate 32a, a first light modulating pattern 32b disposed on the second substrate 32a, a second light modulating pattern 32b disposed on the first light modulating pattern 32b And a second light modulation pattern 32d disposed on the third base material 32c. 21 shows a prism pattern in which both the first and second light modulation patterns 32b and 32d are triangular in cross section and the extension of the first light modulation pattern 32b and the second light modulation pattern 32d However, the present invention is not limited thereto. The directions of extension of the first light modulation pattern 32b and the second light modulation pattern 32d may be substantially the same or may be substantially the same as the first light modulation pattern 32d 32b and the second light modulation pattern 32d may be a lenticular lens pattern or a micro lens pattern, or the light modulating member may further include a diffusion pattern layer or a polarizing element. Unlike Fig. 21 in which the light modulating member 32 and the first polarizing member 33 are shown to be spaced apart from each other, the light modulating member 32 may be combined with the first polarizing member 33 and integrated.

제1 편광 부재(33)는 제1 편광소자(201), 제1 편광소자(201)의 일면(도면상 상면) 상에 배치되는 제4 기재(108), 제1 편광소자(201)와 제4 기재(108) 사이에 개재되는 제1 결합층(314), 제1 편광소자(201)의 타면(도면상 하면) 상에 배치되는 제5 기재(109) 및 제1 편광소자(201)와 제5 기재(109) 사이에 개재되는 제2 결합층(324)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 편광소자(201)는 반사형 편광소자이고, 제4 기재(108) 및 제5 기재(109)는 편광소자 보호필름일 수 있다.The first polarizing member 33 includes a first polarizing element 201, a fourth substrate 108 disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the first polarizing element 201, a first polarizing element 201, A first base layer 109 and a first polarizing element 201 disposed on the other surface (lower surface in the figure) of the first polarizing element 201, And a second bonding layer 324 interposed between the fifth base material 109. In an exemplary embodiment, the first polarizing element 201 is a reflective polarizing element, and the fourth substrate 108 and the fifth substrate 109 may be polarizing element protective films.

제1 편광 부재(33)는 반사편광 특성을 갖는 편광 부재일 수 있다. 편광 부재(33)는 광원부(31)로부터 제공된 광 중 일 방향의 편광은 투과시키고 다른 방향의 편광은 반사 부재(14) 측으로 반사시킬 수 있다.The first polarizing member 33 may be a polarizing member having a reflective polarizing characteristic. The polarizing member 33 can transmit the polarized light in one direction out of the light provided from the light source unit 31 and reflect the polarized light in the other direction to the reflecting member 14 side.

표시 패널(34)은 제6 기재(34a)와 제7 기재(34b) 및 제6 기재(34a)와 제7 기재(34b) 사이에 개재되는 액정층(34c)을 포함하는 액정 표시 패널일 수 있다. 제6 기재(34a) 및 제7 기재(34b)는 투명한 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제6 기재(34a) 및 제7 기재(34b)는 유리 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 제6 기재(34a) 및 제7 기재(34b) 상에는 각각 화소 전극 및 공통 전극과 같은 전계 생성 전극이 배치되어 액정층(34c)에 전계를 형성할 수 있다.The display panel 34 is a liquid crystal display panel including a sixth substrate 34a and a seventh substrate 34b and a liquid crystal layer 34c interposed between the sixth substrate 34a and the seventh substrate 34b have. The sixth substrate 34a and the seventh substrate 34b may be a transparent insulating substrate. For example, the sixth substrate 34a and the seventh substrate 34b may be a glass substrate or a plastic substrate. Although not shown, electric field generators such as pixel electrodes and common electrodes are disposed on the sixth substrate 34a and the seventh substrate 34b, respectively, so that an electric field can be formed on the liquid crystal layer 34c.

제2 편광 부재(35)는 표시 패널(34) 하측에 부착되는 편광 부재일 수 있다. 제2 편광 부재(35)는 제2 편광소자(203), 제2 편광소자(203)의 타면(도면상 하면) 상에 배치되는 제8 기재(110), 제2 편광소자(203)와 제8 기재(110) 사이에 개재되는 제3 결합층(315), 제2 편광소자(203)의 일면(도면상 상면) 상에 배치되는 제9 기재(111), 제2 편광소자(203)와 제9 기재(111) 사이에 개재되는 제4 결합층(325) 및 제9 기재(111)의 일면(도면상 상면) 상에 배치되는 제5 결합층(335)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 편광소자(203)는 흡수형 편광소자이고, 제8 기재(110) 및 제9 기재(111)는 편광소자 보호필름일 수 있다. 제3 결합층(315)은 제2 편광소자(203) 및 제8 기재(110)와 직접 맞닿아 결합하고, 제4 결합층(325)은 제2 편광소자(203) 및 제9 기재(111)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 또, 제5 결합층(335)은 제9 기재(111) 및 제7 기재(34b)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다.The second polarizing member 35 may be a polarizing member attached to the lower side of the display panel 34. The second polarizing member 35 includes a second polarizing element 203, an eighth substrate 110 disposed on the other surface (lower surface in the drawing) of the second polarizing element 203, a second polarizing element 203, A third bonding layer 315 interposed between the first substrate 101 and the second substrate 101, a ninth substrate 111 disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the second polarizing element 203, a second polarizing element 203 A fourth bonding layer 325 interposed between the ninth substrate 111 and a fifth bonding layer 335 disposed on one surface of the ninth substrate 111 (upper surface in the drawing). In an exemplary embodiment, the second polarizing element 203 is an absorption type polarizing element, and the eighth substrate 110 and the ninth substrate 111 may be polarizing element protective films. The third bonding layer 315 directly contacts and abuts the second polarizing element 203 and the eighth substrate 110 and the fourth bonding layer 325 is bonded to the second polarizing element 203 and the ninth substrate 111 ) To directly engage. In addition, the fifth bonding layer 335 can directly contact and bond to the ninth substrate 111 and the seventh substrate 34b.

제3 편광 부재(36)는 표시 패널(34) 상측에 부착되는 편광 부재일 수 있다. 제3 편광 부재(36)는 제3 편광소자(204), 제3 편광소자(204)의 일면(도면상 상면) 상에 배치되는 제10 기재(112), 제3 편광소자(204)와 제10 기재(112) 사이에 개재되는 제6 결합층(316), 제3 편광소자(204)의 타면(도면상 하면) 상에 배치되는 제11 기재(113), 제3 편광소자(204)와 제11 기재(113) 사이에 개재되는 제7 결합층(326) 및 제11 기재(113)의 타면(도면상 하면) 상에 배치되는 제8 결합층(336)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제3 편광소자(204)는 흡수형 편광소자이고, 제10 기재(112) 및 제11 기재(113)는 편광소자 보호필름일 수 있다. 제6 결합층(316)은 제3 편광소자(204) 제10 기재(112)와 직접 맞닿아 결합하고, 제7 결합층(326)은 제3 편광소자(204) 및 제11 기재(113)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다. 또, 제8 결합층(336)은 제11 기재(113) 및 제6 기재(34a)와 직접 맞닿아 결합할 수 있다.The third polarizing member 36 may be a polarizing member attached on the upper side of the display panel 34. The third polarizing member 36 includes a third polarizing element 204, a tenth substrate 112 disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the third polarizing element 204, a third polarizing element 204, A sixth bonding layer 316 interposed between the first substrate 101 and the second substrate 110, an eleventh substrate 113 disposed on the other surface (lower surface in the drawing) of the third polarizing element 204, a third polarizing element 204, A seventh bonding layer 326 interposed between the eleventh substrate 113 and an eighth bonding layer 336 disposed on the other surface of the eleventh substrate 113. In an exemplary embodiment, the third polarizing element 204 is an absorption type polarizing element, and the tenth substrate 112 and the eleventh substrate 113 may be polarizing element protective films. The sixth bonding layer 316 directly contacts and contacts the tenth substrate 112 of the third polarizing element 204 and the seventh bonding layer 326 is bonded to the third polarizing element 204 and the eleventh substrate 113, So that they can be directly engaged with each other. The eighth bonding layer 336 can directly contact and bond to the eleventh substrate 113 and the sixth substrate 34a.

도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 23은 도 22의 표시 장치의 반사 부재에 의한 반사광과 광학 부재를 투과한 광의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.22 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present invention. Fig. 23 is a graph showing the spectrum of light transmitted through the optical member and the reflected light by the reflecting member of the display device of Fig. 22;

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1002)는 광변조 부재(32)와 제1 편광 부재(33) 사이에 배치된 광학 부재(17)를 더 포함하는 점이 도 21의 실시예에 따른 표시 장치(1001)와 상이한 점이다. 이 경우 광변조 부재(32)와 광학 부재(17)를 이격되게 도시한 도 22와 달리, 광변조 부재(32)는 광학 부재(17)와 결합되어 일체화될 수도 있다.22, the display device 1002 according to the present embodiment further includes an optical member 17 disposed between the light modulating member 32 and the first polarizing member 33, Is different from the display device 1001 according to the first embodiment. In this case, the light modulating member 32 may be combined with and integrated with the optical member 17, unlike FIG. 22, which shows the light modulating member 32 and the optical member 17 spaced apart.

광학 부재(17)는 제12 기재(106), 제12 기재(106)의 일면(도면상 상면) 상에 배치되는 중간층(501), 중간층(501) 상에 배치되는 제2 파장조절층(601) 및 제12 기재(106)의 타면(도면상 하면) 상에 배치되는 백코팅층(700)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 광학 부재(17)는 도 7의 실시예에 따른 광학 부재일 수 있다.The optical member 17 includes an intermediate layer 501 disposed on one surface (upper surface in the drawing) of the twelfth substrate 106 and the twelfth substrate 106, a second wavelength adjusting layer 601 disposed on the intermediate layer 501 And a back coating layer 700 disposed on the other surface (lower surface of the drawing) of the twelfth substrate 106. In an exemplary embodiment, the optical member 17 may be an optical member according to the embodiment of Fig.

제2 파장조절층(601)은 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 파장조절입자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 파장조절층(601)은 최대 흡수파장 피크가 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자와 실질적으로 동일한 물질, 즉 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질을 포함하여 상기 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 제2 파장조절층(601)을 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율이 작아짐으로써 광학 부재(17)를 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 광원부(30)로부터 제공되어 광학 부재(17)를 투과하는 광, 반사 부재(14)에 의해 반사되어 광학 부재(17)를 투과하는 광, 또는 제1 편광 부재(32)에 의해 반사되어 광학 부재(17)를 투과하는 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량을 감소시킬 수 있다. 아울러, 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양은 제2 파장조절층(601) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양보다 작을 수 있다. 이를 통해 휘도의 급격한 저하를 방지할 수 있다.The second wavelength tuning layer 601 may include wavelength tuning particles that absorb or emit light of a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the second wavelength tuning layer 601 has a structure in which the maximum absorption wavelength peak is substantially the same as the wavelength tuning particle in the first wavelength tuning layer 401, that is, within the range of about 580 nm to 600 nm The light transmittance to the light of the wavelength band including the light absorbing material located therebetween may be relatively small. The transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the optical member 17 can be reduced by reducing the transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the second wavelength tuning layer 601. The light transmitted through the optical member 17 provided from the light source unit 30 and reflected by the reflecting member 14 and transmitted through the optical member 17 or reflected by the first polarizing member 32 The amount of light in the wavelength band of approximately 580 nm to 600 nm among the light transmitted through the optical member 17 can be reduced. In addition, the amount per unit area of the wavelength tuning particles in the first wavelength tuning layer 401 may be smaller than the amount per unit area of the wavelength tuning particles in the second wavelength tuning layer 601. Thus, it is possible to prevent a drastic decrease in luminance.

본 실시예의 경우 광학 부재(17)가 광변조 부재(31)와 제1 편광 부재(32) 사이에 배치됨으로써, 반사형 편광소자인 제1 편광소자(201)와 반사필름인 제1 기재(104) 사이에 적어도 두 개의 파장조절층(401, 601)이 배치될 수 있다. 한편, 제12 기재(106), 중간층(501), 제2 파장조절층(601) 및 백코팅층(700)에 관하여는 도 7과 함께 전술한 바 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.In this embodiment, the optical member 17 is disposed between the light modulating member 31 and the first polarizing member 32, so that the first polarizing element 201, which is a reflective polarizing element, and the first substrate 104 At least two wavelength tuning layers 401 and 601 may be disposed. Meanwhile, the twelfth substrate 106, the intermediate layer 501, the second wavelength adjusting layer 601, and the back coating layer 700 have been described above with reference to FIG. 7, and a detailed description thereof will be omitted.

도 22 및 도 23을 참조하면, 제1 파장조절층(401)을 포함하는 반사 부재(14)에 의해 반사된 가시광선 파장 대역의 광 스펙트럼(A) 및 제2 파장조절층(601)을 포함하는 광학 부재(17)를 투과한 가시광선 파장 대역의 광 스펙트럼(B)은 모두 약 580nm 내지 600nm 범위에서 최소 반사율 피크(P_A) 및 최소 투과율 피크(P_B)를 가짐을 확인할 수 있다. 즉 도 22의 표시 장치(1002)의 광학 부재(17) 상측으로 출사되는 가시광선 파장 대역의 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량이 가장 작으며, 이를 통해 표시 장치(1002)의 색 재현성을 개선할 수 있다.Referring to FIGS. 22 and 23, an optical spectrum A and a second wavelength tuning layer 601 in the visible light wavelength band reflected by the reflecting member 14 including the first wavelength tuning layer 401 are included The optical spectrum B of the visible light wavelength band transmitted through the optical member 17 having the minimum reflectance peak P _A and the minimum light transmittance peak P _B in the range of about 580 nm to 600 nm. That is, the amount of light in the wavelength band of approximately 580 nm to 600 nm among the light of the visible light wavelength band emitted to the image side of the optical member 17 of the display device 1002 of FIG. 22 is the smallest, Can be improved.

예시적인 실시예에서, 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광의 스펙트럼 측정에서 580nm 내지 600nm 파장 대역의 반사광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 반사율, P_A)의 세기는 입사광의 약 90% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 반사율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In an exemplary embodiment, the first wavelength control layer 401 is transmitted through the first peak (minimum reflectivity has a minimum value of the reflected light of the 580nm to 600nm wavelength region in the light spectrum measured is reflected by the substrate 105, a, P _A ) May be about 90% or less of the incident light. The half width of the minimum reflectance peak may be about 70 nm or less.

또, 제2 파장조절층(601)을 포함하는 광학 부재(17)를 투과한 광의 스펙트럼 측정에서, 580nm 내지 600nm 파장 대역의 투과광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 투과율, P_B)의 세기는 입사광의 약 70% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 투과율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In the spectrum measurement of the light transmitted through the optical member 17 including the second wavelength tuning layer 601, the intensity of the peak (minimum transmittance, P _B ) having the minimum value among the transmitted light in the wavelength band of 580 nm to 600 nm, &Lt; / RTI > The half width of the minimum transmittance peak may be about 70 nm or less.

또한, 본 실시예에 따른 표시 장치는 하기 식 Ⅰa와 식 Ⅱa를 만족하거나, 또는 하기 식 Ⅰa와 식 Ⅲa를 만족하도록 구성하여 색 재현성을 개선함과 동시에 휘도 저하를 최소화할 수 있다.Further, the display device according to the present embodiment can be configured to satisfy the following formulas Ia and IIa, or to satisfy the following formulas Ia and IIIa, thereby improving the color reproducibility and minimizing the luminance degradation.

<식 Ⅰa><Formula Ia>

Δ590a > Δ610a? 590a>? 610a

<식 Ⅱa><Formula IIa>

Δ590a > Δ450a? 590a>? 450a

<식 Ⅲa><Formula IIIa>

Δ590a > Δ540a? 590a>? 540a

Δ590a: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 580nm 내지 600nm 파장 대역의 최소 광량(최소 반사율 피크)과 광학 부재(17)의 제2 파장조절층(601)을 투과한 광 중 580nm 내지 600nm 파장 대역의 최소 광량(최소 투과율 피크)의 차(The minimum reflectance peak) in the wavelength band of 580 nm to 600 nm and the second wavelength tuning layer of the optical member 17 in the wavelength band of 580 nm to 600 nm among the light transmitted through the first wavelength tuning layer 401 and reflected by the first base 105, (Minimum transmittance peak) in the wavelength band of 580 nm to 600 nm among the light transmitted through the light guide plate 601

Δ610a: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 600nm 내지 620nm 파장 대역의 평균 광량과 광학 부재(17)의 제2 파장조절층(601)을 투과한 광 중 600nm 내지 620nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 610a: an average light quantity in a wavelength band of 600 nm to 620 nm among the light transmitted through the first wavelength tuning layer 401 and reflected by the first base 105, and the second wavelength tuning layer 601 of the optical member 17 The difference in the average light quantity in the 600 nm to 620 nm wavelength band

Δ450a: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 440nm 내지 460nm 파장 대역의 평균 광량과 광학 부재(17)의 제2 파장조절층(601)을 투과한 광 중 440nm 내지 460nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 450a: an average light quantity in the wavelength band of 440-460 nm of the light reflected by the first base 105 through the first wavelength adjustment layer 401 and the second light quantity of the second wavelength adjustment layer 601 of the optical member 17 The difference in the average light quantity in the wavelength band from 440 nm to 460 nm in one light

Δ540a: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 530nm 내지 550nm 파장 대역의 평균 광량과 광학 부재(17)의 제2 파장조절층(601)을 투과한 광 중 530nm 내지 550nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 540a: an average light quantity in a wavelength band of 530 nm to 550 nm among the light transmitted through the first wavelength tuning layer 401 and reflected by the first base 105, and the second wavelength tuning layer 601 of the optical member 17 The difference in the average light quantity in the wavelength band from 530 nm to 550 nm in one light

도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 25는 도 24의 표시 장치의 반사 부재에 의한 반사광과 편광 부재를 투과한 광의 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.24 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present invention. 25 is a graph showing a spectrum of light transmitted through a polarizing member and reflected light by a reflecting member of the display device of Fig.

도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1003)는 제1 편광 부재(11)의 제1 결합층(311)이 파장조절입자를 포함하는 점이 도 21의 실시예에 따른 표시 장치(1001)와 상이한 점이다. 이 경우 제1 결합층(311)은 파장조절층으로 기능할 수 있다.24, the display device 1003 according to the present embodiment differs from the display device 1003 according to the embodiment of FIG. 21 in that the first coupling layer 311 of the first polarizing member 11 includes wavelength- 1001). In this case, the first bonding layer 311 may function as a wavelength tuning layer.

예시적인 실시예에서, 제1 편광소자(201)는 반사형 편광소자이고, 제1 편광 부재(11)는 반사편광 특성을 갖는 도 1의 실시예에 따른 편광 부재일 수 있다. 제1 결합층(311)은 바인더 및 바인더 내에 분산된 파장조절입자를 포함하여 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, the first polarizing element 201 is a reflective polarizing element, and the first polarizing element 11 may be a polarizing element according to the embodiment of Fig. 1 having reflective polarizing properties. The first bonding layer 311 may include a binder and wavelength controlling particles dispersed in the binder.

구체적으로, 제1 결합층(311) 내 파장조절입자는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 결합층(311)은 최대 흡수파장 피크가 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자와 실질적으로 동일한 물질, 즉 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질을 포함하여 상기 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 제1 결합층(311)을 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율이 작아짐으로써 제1 편광 부재(11)를 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 광원부(31)로부터 제공되어 제1 편광 부재(11)를 투과하는 광 또는 반사 부재(14)에 의해 반사되어 제1 편광 부재(11)를 투과하는 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량을 감소시킬 수 있다. Specifically, the wavelength tuning particles in the first bonding layer 311 may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the first bonding layer 311 is formed of a material having a maximum absorption wavelength peak that is substantially the same as the wavelength adjusting particles in the first wavelength adjustment layer 401, that is, within a range of about 580 nm to 600 nm The light transmittance of the light of the wavelength band may be relatively small. The transmittance of light in a wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the first polarizing member 11 can be reduced by decreasing the transmittance of light having a wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the first bonding layer 311. A light amount of about 580 nm to 600 nm in a wavelength band of about 580 nm to 600 nm of light transmitted through the first polarizing member 11 and reflected by the reflecting member 14 and reflected by the first polarizing member 11, Can be reduced.

반면, 제2 결합층(321)은 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제2 결합층(321) 내 파장조절입자의 농도는 제1 결합층(311) 내 파장조절입자의 농도보다 작을 수 있다. 즉, 반사형 편광소자인 제1 편광소자(201)를 기준으로 광원부(31)의 반대측에 위치하는 제1 결합층(311)은 파장변환입자를 포함하고, 광원부(31) 측에 위치하는 제2 결합층(321)은 파장변환입자를 포함하지 않거나 그 농도를 작게 하여 휘도, 색 재현율을 개선할 수 있다. 본 실시예의 경우, 반사형 편광소자인 제1 편광소자(201)와 반사필름인 제1 기재(105) 사이에 적어도 하나의 파장조절층(401)을 배치하고, 제1 편광소자(201) 상측에 적어도 하나의 파장조절층(311)을 배치할 수 있다.On the other hand, the second bonding layer 321 does not include the wavelength tuning particles, or the concentration of the wavelength tuning particles in the second bonding layer 321 may be smaller than the concentration of the wavelength tuning particles in the first bonding layer 311 . That is, the first coupling layer 311 located on the opposite side of the light source section 31 on the basis of the first polarization element 201, which is a reflection type polarization element, includes the wavelength conversion particles, 2 bonding layer 321 does not contain the wavelength converting particles or the concentration thereof is made smaller, thereby improving the brightness and the color gamut. In this embodiment, at least one wavelength-adjusting layer 401 is disposed between the first polarizing element 201, which is a reflective polarizing element, and the first substrate 105, which is a reflective film, At least one wavelength tuning layer 311 may be disposed.

아울러, 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양은 제1 결합층(311) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양보다 작을 수 있다. 이를 통해 휘도의 급격한 저하를 방지할 수 있다.The amount of the wavelength tuning particles in the first wavelength tuning layer 401 may be smaller than the amount of the wavelength tuning particles in the first coupling layer 311. Thus, it is possible to prevent a drastic decrease in luminance.

제1 편광 부재(11)의 일면(도면상 상면)의 헤이즈는 타면(도면상 하면)의 헤이즈보다 클 수 있다. 예를 들어, 제3 기재(101) 일면에 의해 발생하는 헤이즈는 약 50% 이상, 또는 60% 이상이고, 충진 패턴이 충진된 제4 기재(102)의 타면에 의해 발생하는 헤이즈는 약 50% 미만, 또는 10% 미만일 수 있다. 반사형 편광소자인 제1 편광소자(201)를 기준으로 광원부(31)의 반대측에 위치하는 제3 기재(101)의 일면의 헤이즈를 상대적으로 크게 하고, 광원부(31) 측에 위치하는 제4 기재(102)의 타면의 헤이즈를 상대적으로 작게 하여 높은 휘도 특성과 광시야각 특성을 구현할 수 있다.The haze of one surface (upper surface in the drawing) of the first polarizing member 11 can be larger than the haze of the other surface (lower surface in the drawing). For example, the haze generated by one surface of the third base material 101 is about 50% or more, or 60% or more, and the haze generated by the other surface of the fourth base material 102 filled with the filling pattern is about 50% , Or less than 10%. The haze of one surface of the third base material 101 located on the opposite side of the light source section 31 is relatively increased with respect to the first polarizing element 201 which is a reflection type polarizing element and the haze of the fourth base material 101 located on the light source section 31 side The haze of the other surface of the base material 102 can be relatively reduced to realize high luminance characteristics and wide viewing angle characteristics.

한편, 제3 기재(101), 제4 기재(102), 제1 결합층(311) 및 제2 결합층(321)에 관하여는 도 1과 함께 전술한 바 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.Since the third base material 101, the fourth base material 102, the first bonding layer 311 and the second bonding layer 321 have been described above together with FIG. 1, their detailed description is omitted.

도 24 및 도 25를 참조하면, 제1 파장조절층(401)을 포함하는 반사 부재(14)에 의해 반사된 가시광선 파장 대역의 광 스펙트럼(A) 및 제1 결합층(311)을 포함하는 제1 편광 부재(11)를 투과한 가시광선 파장 대역의 광 스펙트럼(C)은 모두 약 580nm 내지 600nm 범위에서 최소 반사율 피크(P_A) 및 최소 투과율 피크(P_C)를 가짐을 확인할 수 있다. 즉 도 24의 표시 장치(1003)의 제1 편광 부재(11) 상측으로 출사되는 가시광선 파장 대역의 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량이 가장 작으며, 이를 통해 표시 장치(1003)의 색 재현성을 개선할 수 있다.Referring to FIGS. 24 and 25, an optical spectrum A including a first visible light wavelength band and a first coupling layer 311 reflected by a reflective member 14 including a first wavelength- It can be seen that the optical spectrum C of the visible light wavelength band transmitted through the first polarizing member 11 has the minimum reflectance peak P _A and the minimum light transmittance peak P _C in the range of about 580 nm to 600 nm. That is, the amount of light in the wavelength band of approximately 580 nm to 600 nm among light in the visible light wavelength band emitted to the upper side of the first polarizing member 11 of the display device 1003 of FIG. 24 is the smallest, Reproducibility can be improved.

또, 제1 결합층(311)을 포함하는 제1 편광 부재(11)를 투과한 광의 스펙트럼 측정에서, 580nm 내지 600nm 파장 대역의 투과광 중 최소 값을 갖는 피크(최소 투과율, P_C)의 세기는 입사광의 약 50% 이하일 수 있다. 또, 상기 최소 투과율 피크의 반치폭은 약 70nm 이하일 수 있다.In the spectrum measurement of the light transmitted through the first polarizing member 11 including the first bonding layer 311, the intensity of the peak (minimum transmittance, P _C ) having the minimum value of the transmitted light in the wavelength band of 580 nm to 600 nm is And may be about 50% or less of the incident light. The half width of the minimum transmittance peak may be about 70 nm or less.

또한, 본 실시예에 따른 표시 장치는 하기 식 Ⅰb와 식 Ⅱb를 만족하거나, 또는 하기 식 Ⅰb 와 식 Ⅲb를 만족하도록 구성하여 색 재현성을 개선함과 동시에 휘도 저하를 최소화할 수 있다.Further, the display device according to the present embodiment can be configured to satisfy the following formulas (Ib) and (IIb), or to satisfy the following formulas (Ib) and (IIIb), thereby improving the color reproducibility and minimizing the luminance degradation.

<식 Ⅰb><Expression Ib>

Δ590b > Δ610b? 590b>? 610b

<식 Ⅱb><Formula IIb>

Δ590b > Δ450b? 590b>? 450b

<식 Ⅲb><Formula IIIb>

Δ590b > Δ540b? 590b>? 540b

Δ590b: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 580nm 내지 600nm 파장 대역의 최소 광량(최소 반사율 피크)과 제1 편광 부재(11)의 제1 결합층(311)을 투과한 광 중 580nm 내지 600nm 파장 대역의 최소 광량(최소 투과율 피크)의 차(Minimum reflectance peak) in the wavelength band of 580 nm to 600 nm among the light transmitted through the first wavelength tuning layer 401 and reflected by the first base 105, and the first coupling of the first polarizing member 11 (Minimum transmittance peak) of the wavelength band from 580 nm to 600 nm in the light transmitted through the layer 311,

Δ610b: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 600nm 내지 620nm 파장 대역의 평균 광량과 제1 편광 부재(11)의 제1 결합층(311)을 투과한 광 중 600nm 내지 620nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 610b: an average light quantity in a wavelength band of 600 nm to 620 nm and an average light quantity in a wavelength band of 600 nm to 620 nm of the light reflected by the first base 105 through the first wavelength control layer 401 and the first coupling layer 311 of the first polarizing member 11 The difference in the average light quantity in the wavelength band of 600 nm to 620 nm among the transmitted light

Δ450b: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 440nm 내지 460nm 파장 대역의 평균 광량과 제1 편광 부재(11)의 제1 결합층(311)을 투과한 광 중 440nm 내지 460nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 450b: the average light quantity in the wavelength band of 440-460 nm of the light reflected by the first base 105 through the first wavelength tuning layer 401 and the average light quantity of the first coupling layer 311 of the first polarizing member 11 The difference in the average light quantity in the wavelength band from 440 nm to 460 nm in the transmitted light

Δ540b: 제1 파장조절층(401)을 투과하여 제1 기재(105)에 의해 반사된 광 중 530nm 내지 550nm 파장 대역의 평균 광량과 제1 편광 부재(11)의 제1 결합층(311)을 투과한 광 중 530nm 내지 550nm 파장 대역의 평균 광량의 차? 540b: an average amount of light in the wavelength band of 530-550 nm of the light transmitted through the first wavelength tuning layer 401 and reflected by the first base 105 and the average light quantity of the first coupling layer 311 of the first polarizing member 11 The difference in the average light quantity in the wavelength band from 530 nm to 550 nm in the transmitted light

도 26 및 도 27은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 단면도들이다.26 and 27 are sectional views of a display device according to still another embodiment of the present invention.

도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1004)는 제6 결합층(312)이 파장조절입자를 포함하는 점이 도 21에 따른 실시예의 표시 장치(1001)와 상이한 점이다. 이 경우 제6 결합층(312)은 파장조절층으로 기능할 수 있다.Referring to Fig. 26, the display device 1004 according to the present embodiment differs from the display device 1001 according to the embodiment shown in Fig. 21 in that the sixth bonding layer 312 includes wavelength tuning particles. In this case, the sixth bonding layer 312 may function as a wavelength tuning layer.

예시적인 실시예에서, 제3 편광 부재(12)는 도 2의 실시예에 따른 편광 부재일 수 있다. 제6 결합층(312)은 바인더 및 바인더 내에 분산된 파장조절입자를 포함하여 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, the third polarizing member 12 may be a polarizing member according to the embodiment of Fig. The sixth bonding layer 312 may comprise a binder and wavelength tuning particles dispersed in the binder.

구체적으로, 제6 결합층(312) 내 파장조절입자는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제6 결합층(312)은 최대 흡수파장 피크가 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자와 실질적으로 동일한 물질, 즉 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질을 포함하여 상기 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 제6 결합층(312)을 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율이 작아짐으로써 제3 편광 부재(12)를 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 광원부(31)로부터 제공되어 제3 편광 부재(12)를 투과하는 광 또는 반사 부재(14)에 의해 반사되어 제3 편광 부재(12)를 투과하는 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량을 감소시킬 수 있다. 반면, 제7 결합층(322) 및 제8 결합층(332)은 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제7 결합층(322) 및 제8 결합층(332) 내 파장조절입자의 농도는 제6 결합층(312) 내 파장조절입자의 농도보다 작을 수 있다. 아울러, 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양은 제6 결합층(312) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양보다 작을 수 있다. 이를 통해 휘도의 급격한 저하를 방지할 수 있다.Specifically, the wavelength tuning particles in the sixth bonding layer 312 may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the sixth bonding layer 312 has a maximum absorption wavelength peak that is substantially the same as the wavelength tuning particles in the first wavelength adjustment layer 401, that is, the maximum absorption wavelength peak is within a range of about 580 nm to 600 nm The light transmittance of the light of the wavelength band may be relatively small. The transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the third polarizing member 12 can be reduced by reducing the transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the sixth bonding layer 312. A light amount of about 580 nm to 600 nm in a wavelength band of about 580 nm to 600 nm of light transmitted through the third polarizing member 12 and reflected by the reflective member 14 and provided through the third polarizing member 12, Can be reduced. On the other hand, the seventh bonding layer 322 and the eighth bonding layer 332 do not include the wavelength tuning particles or the concentration of the wavelength tuning particles in the seventh bonding layer 322 and the eighth bonding layer 332 is 6 binding layer 312. In this case, In addition, the amount of the wavelength tuning particles in the first wavelength tuning layer 401 may be smaller than the amount of the wavelength tuning particles in the sixth bonding layer 312. Thus, it is possible to prevent a drastic decrease in luminance.

한편, 제3 편광소자(202), 제10 기재(103), 제6 결합층(312), 제11 기재(104), 제7 결합층(322) 및 제8 결합층(332)에 관하여는 도 2와 함께 전술한 바 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.As for the third polarizing element 202, the tenth substrate 103, the sixth bonding layer 312, the eleventh substrate 104, the seventh bonding layer 322 and the eighth bonding layer 332, Since it has been described above with reference to FIG. 2, a detailed description thereof will be omitted.

도 27을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1005)는 제7 결합층(323)이 파장조절입자를 포함하되 제6 결합층(313)은 파장조절입자를 포함하지 않거나, 또는 제6 결합층(313) 내 파장조절입자의 농도는 제7 결합층(323) 내 파장조절입자의 농도보다 작은 점이 도 26에 따른 실시예의 표시 장치(1004)와 상이한 점이다. 이 경우 제7 결합층(323)은 파장조절층으로 기능할 수 있다.27, the display device 1005 according to the present embodiment may be configured such that the seventh bonding layer 323 includes the wavelength tuning particles and the sixth bonding layer 313 does not include the wavelength tuning particles, The point that the concentration of the wavelength adjusting particles in the bonding layer 313 is smaller than the concentration of the wavelength adjusting particles in the seventh bonding layer 323 is different from the display device 1004 of the embodiment according to FIG. In this case, the seventh bonding layer 323 can function as a wavelength tuning layer.

예시적인 실시예에서, 제3 편광 부재(13)는 도 3의 실시예에 따른 편광 부재일 수 있다. 제7 결합층(323)은 바인더 및 바인더 내에 분산된 파장조절입자를 포함하여 이루어질 수 있다.In an exemplary embodiment, the third polarizing member 13 may be a polarizing member according to the embodiment of Fig. The seventh bonding layer 323 may include a binder and wavelength controlling particles dispersed in the binder.

구체적으로, 제7 결합층(323) 내 파장조절입자는 특정 파장 대역의 광을 흡수하거나 방출하는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제7 결합층(323)은 최대 흡수파장 피크가 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자와 실질적으로 동일한 물질, 즉 최대 흡수파장 피크가 약 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 광 흡수 물질을 포함하여 상기 파장 대역의 광에 대한 광 투과율이 상대적으로 작을 수 있다. 제7 결합층(323)을 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율이 작아짐으로써 제3 편광 부재(13)를 투과하는 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광의 투과율을 감소시킬 수 있다. 이를 통해 광원부(31)로부터 제공되어 제3 편광 부재(13)를 투과하는 광 또는 반사 부재(14)에 의해 반사되어 제3 편광 부재(13)를 투과하는 광 중 약 580nm 내지 600nm 파장 대역의 광량을 감소시킬 수 있다. 아울러, 제1 파장조절층(401) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양은 제7 결합층(323) 내 파장조절입자의 단위 면적당 양보다 작을 수 있다. 이를 통해 휘도의 급격한 저하를 방지할 수 있다.Specifically, the wavelength tuning particles in the seventh bonding layer 323 may be a substance that absorbs or emits light in a specific wavelength band. In an exemplary embodiment, the seventh bonding layer 323 has a structure in which the maximum absorption wavelength peak is substantially the same as the wavelength adjustment particles in the first wavelength adjustment layer 401, that is, the maximum absorption wavelength peak is within a range of about 580 nm to 600 nm The light transmittance of the light of the wavelength band may be relatively small. The transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the third polarizing member 13 can be reduced by reducing the transmittance of light in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm transmitted through the seventh bonding layer 323. The light reflected from the third polarizing member 13 is reflected by the light or the reflective member 14 provided from the light source unit 31 and transmitted through the third polarizing member 13 so that the light amount in the wavelength band of about 580 nm to 600 nm Can be reduced. In addition, the amount per unit area of the wavelength tuning particles in the first wavelength tuning layer 401 may be smaller than the amount per unit area of the wavelength tuning particles in the seventh bonding layer 323. Thus, it is possible to prevent a drastic decrease in luminance.

도 26 및 도 27은 모두 표시 패널(34)의 상측에 부착되는 제3 편광 부재(12,13)의 결합층이 파장조절입자를 포함하는 경우를 예시하고 있으나, 몇몇 실시예에서 표시 패널(34)의 하측에 부착되는 제2 편광 부재(35) 내 하나 이상의 결합층이 파장조절입자를 포함할 수도 있다.26 and 27 illustrate the case where the coupling layer of the third polarizing member 12, 13 attached to the upper side of the display panel 34 includes the wavelength-tunable particles, but in some embodiments, the display panel 34 ) May be included in the second polarizing member 35. The at least one bonding layer in the second polarizing member 35 attached to the lower side of the first polarizing member 35 may include the wavelength adjusting particles.

도 28은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 색 재현성 개선 효과를 설명하기 위한 표시 장치의 출광 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.28 is a graph showing an outgoing spectrum of a display device for explaining an effect of improving the color reproducibility of the display device according to the embodiments of the present invention.

도 28을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 종래의 표시 장치에 비해 약 580nm 내지 600nm 파장 대역에서 상대적으로 낮은 광 투과율을 갖는 반면 약 545nm 내지 565nm 및 약 600nm 내지 620nm 파장 대역에서 상대적으로 높은 광 투과율을 갖는 표시 장치를 구현할 수 있어 색 재현성을 향상시킬 수 있다.28, a display device according to embodiments of the present invention has a relatively low light transmittance in a wavelength band of about 580 nm to 600 nm, as compared with a conventional display device, and has a relatively low light transmittance in a wavelength band of about 545 nm to 565 nm and about 600 nm to 620 nm A display device having a relatively high light transmittance can be realized and the color reproducibility can be improved.

구체적으로, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 하기 식 Ⅳ 내지 하기 식 Ⅵ을 모두 만족하도록 구성하여 색 재현성을 더욱 향상시킬 수 있다. 즉, 하기 h2 및 h3 값을 크게 하여 h1과의 차이를 줄일 수 있다.Specifically, the display device according to the embodiments of the present invention can be configured to satisfy all of the following equations (IV) to (VI) to further improve the color reproducibility. That is, the values of h2 and h3 can be increased to reduce the difference from h1.

<식 Ⅳ><Equation Ⅳ>

h1 < h2 + h3h1 < h2 + h3

<식 Ⅴ><Formula V>

2×h2 > h1 + h32 x h2 > h1 + h3

<식 Ⅵ><Equation Ⅵ>

2×h3 < h1 + h22 x h3 < h1 + h2

h1: 420nm 내지 490nm 파장 대역에 위치하는 최대 강도(p1)와 450nm 내지 540nm 파장 대역에 위치하는 최소 강도(v1)의 차(h1 = p1 - v1)h1 is the difference (h1 = p1 - v1) between the maximum intensity p1 located in the 420 nm to 490 nm wavelength band and the minimum intensity v1 located in the 450 nm to 540 nm wavelength band,

h2: 490nm 내지 590nm 파장 대역에 위치하는 최대 강도(p2)와 450nm 내지 540nm 파장 대역에 위치하는 최소 강도(v1)의 차(h2 = p2 - v1)h2 is the difference (h2 = p2 - v1) between the maximum intensity p2 located in the 490 nm to 590 nm wavelength band and the minimum intensity v1 located in the 450 nm to 540 nm wavelength band,

h3: 490nm 내지 590nm 파장 대역에 위치하는 최대 강도(p2)와 540nm 내지 610nm 파장 대역에 위치하는 최소 강도(v2)의 차(h3 = p2 - v2)h3 is the difference (h3 = p2 - v2) between the maximum intensity p2 located in the 490 nm to 590 nm wavelength band and the minimum intensity v2 located in the 540 nm to 610 nm wavelength band,

이하, 구체적인 실시예와 비교예 및 실험예를 참고로 하여 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples, comparative examples and experimental examples.

<제조예 1>&Lt; Preparation Example 1 &

최대 흡수파장 피크가 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 파장조절입자를 이용하여 도 4에 도시된 것과 같은 광학 부재를 제조하였다. 상기 파장조절입자는 파장조절층 전체 중량에 대하여 0.2 중량%로 포함되었다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 90.0%였다.An optical member as shown in Fig. 4 was produced using the wavelength-tunable particles whose maximum absorption wavelength peak was located within the range of 580 nm to 600 nm. The wavelength tuning particles were contained in an amount of 0.2% by weight based on the total weight of the wavelength tuning layer. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 90.0%.

<제조예 2>&Lt; Preparation Example 2 &

상기 파장조절입자가 0.5 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 80.96%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 0.5% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 80.96%.

<제조예 3>&Lt; Preparation Example 3 &

상기 파장조절입자가 0.9 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 70.0%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 0.9 wt%. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 70.0%.

<제조예 4>&Lt; Preparation Example 4 &

상기 파장조절입자가 2.0 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 60.14%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 2.0% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 60.14%.

<제조예 5>&Lt; Production Example 5 &

상기 파장조절입자가 3.3 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 49.83%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 3.3% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 49.83%.

<제조예 6>&Lt; Production Example 6 &

상기 파장조절입자가 5.5 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 39.61%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 5.5% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 39.61%.

<제조예 7>&Lt; Production Example 7 >

상기 파장조절입자가 9.1 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 29.31%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 9.1% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 29.31%.

<제조예 8>&Lt; Production Example 8 &

상기 파장조절입자가 13.6 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 20.63%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength-adjusting particles were contained in an amount of 13.6% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 20.63%.

<제조예 9>&Lt; Production Example 9 &

상기 파장조절입자가 29.1 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 반사율은 약 9.16%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the wavelength-tunable particles were contained in an amount of 29.1% by weight. At this time, the reflectance of the optical member with respect to 590 nm light was about 9.16%.

<제조예 10>&Lt; Production Example 10 &

기재 표면에 프라이머층을 형성하고, 프라이머층 상에 최대 흡수파장 피크가 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 파장조절입자를 이용한 파장조절층을 배치하여 도 7에 도시된 것과 같은 광학 부재를 제조하였다. 상기 파장조절입자는 파장조절층 전체 중량에 대하여 0.6 중량%로 포함되었다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 89.95%였다.A primer layer was formed on the surface of the substrate and a wavelength controlling layer using wavelength tuning particles having a maximum absorption wavelength peak within a range of 580 nm to 600 nm was disposed on the primer layer to produce an optical member as shown in Fig. The wavelength tuning particles were contained in an amount of 0.6% by weight based on the total weight of the wavelength tuning layer. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 89.95%.

<제조예 11>&Lt; Production Example 11 &

상기 파장조절입자가 3.1 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 79.77%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 3.1% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 79.77%.

<제조예 12>&Lt; Production Example 12 &

상기 파장조절입자가 5.3 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 72.03%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 5.3% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 72.03%.

<제조예 13>&Lt; Production Example 13 >

상기 파장조절입자가 9.5 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 60.17%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 9.5% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 60.17%.

<제조예 14>&Lt; Production Example 14 >

상기 파장조절입자가 15.3 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 49.26%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 15.3% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 49.26%.

<제조예 15>&Lt; Production Example 15 >

상기 파장조절입자가 20.0 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 40.00%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 20.0% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 40.00%.

<제조예 16>&Lt; Production Example 16 &

상기 파장조절입자가 28.6 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 29.26%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 28.6% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 29.26%.

<제조예 17><Production Example 17>

상기 파장조절입자가 42.0 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 20.12%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 42.0% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 20.12%.

<제조예 18>&Lt; Production Example 18 >

상기 파장조절입자가 64.8 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 10과 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 11.01%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 10, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 64.8% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 11.01%.

<제조예 19>&Lt; Production Example 19 &

최대 흡수파장 피크가 580nm 내지 600nm 범위 내에 위치하는 파장조절입자를 이용하여 도 1에 도시된 것과 같은 광학 부재를 제조하였다. 상기 파장조절입자는 결합층(상부 결합층) 전체 중량에 대하여 0.6 중량%로 포함되었다. 파장조절입자를 포함하는 결합층(상부 결합층)의 바인더로 열 경화성 수지 (H-1)를 사용하고 파장조절입자를 포함하지 않는 결합층(하부 결합층)의 바인더로 자외선 경화성 수지 (UV-1)를 이용하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 89.95%였다.An optical member as shown in Fig. 1 was prepared using the wavelength-tunable particles whose maximum absorption wavelength peak was located within the range of 580 nm to 600 nm. The wavelength tuning particles were contained in an amount of 0.6% by weight based on the total weight of the bonding layer (upper bonding layer). (UV-V) as a binder of a bonding layer (lower bonding layer) which does not contain wavelength tuning particles and a thermosetting resin (H-1) is used as a binder of a bonding layer (upper bonding layer) 1) was used. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 89.95%.

<제조예 20>&Lt; Production Example 20 &

상기 파장조절입자가 3.1 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 79.77%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 3.1% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 79.77%.

<제조예 21>&Lt; Preparation Example 21 &

상기 파장조절입자가 5.3 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 72.03%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19 except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 5.3% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 72.03%.

<제조예 22>&Lt; Production Example 22 >

상기 파장조절입자가 9.5 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 60.17%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 9.5% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 60.17%.

<제조예 23>&Lt; Production Example 23 >

상기 파장조절입자가 15.3 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 49.26%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 15.3% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 49.26%.

<제조예 24>&Lt; Production Example 24 &

상기 파장조절입자가 20.0 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 40.00%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 20.0% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 40.00%.

<제조예 25>&Lt; Production Example 25 >

상기 파장조절입자가 28.6 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 29.26%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 28.6% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 29.26%.

<제조예 26>&Lt; Production Example 26 >

상기 파장조절입자가 42.0 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 20.12%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 42.0% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 20.12%.

<제조예 27>&Lt; Production Example 27 >

상기 파장조절입자가 64.8 중량%로 포함된 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다. 이 때 광학 부재의 590nm 광에 대한 투과율은 약 11.01%였다.An optical member was prepared in the same manner as in Production Example 19, except that the wavelength controlling particles were contained in an amount of 64.8% by weight. At this time, the transmittance of the optical member to 590 nm light was about 11.01%.

<제조예 28>&Lt; Production Example 28 >

파장조절입자를 포함하는 결합층(상부 결합층)의 바인더로 제조예 19에서 사용한 열 경화성 수지 (H-1)와 동일한 조성으로 이루어지되 생산 시점이 상이한 열 경화성 수지 (H-2)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.A thermosetting resin (H-2) having the same composition as the thermosetting resin (H-1) used in Production Example 19 but different in production time was used as the binder of the bonding layer (upper bonding layer) , An optical member was produced in the same manner as in Production Example 19. [

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

파장조절입자를 포함하는 결합층(상부 결합층)의 바인더로 자외선 경화성 수지 (UV-1)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.An optical member was produced in the same manner as in Production Example 19, except that an ultraviolet-curable resin (UV-1) was used as a binder of a bonding layer (upper bonding layer) containing wavelength controlling particles.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

파장조절입자를 포함하는 결합층(상부 결합층)의 바인더로 비교예 1에서 사용한 자외선 경화성 수지 (UV-1)와 동일한 조성으로 이루어지되 생산 시점이 상이한 자외선 경화성 수지 (UV-2)를 사용한 것을 제외하고는 제조예 19와 동일한 방법으로 광학 부재를 제조하였다.(UV-2) having the same composition as that of the UV-curable resin (UV-1) used in Comparative Example 1 but different in production time was used as the binder for the bonding layer (upper bonding layer) , An optical member was produced in the same manner as in Production Example 19. [

상기 제조예 1 내지 제조예 27에서 제조된 광학 부재의 파장조절층 내 파장조절입자 함량과 그 때의 590nm 광에 대한 투과율/반사율을 하기 표 1에 정리하였다.The wavelength tunable particle contents in the wavelength tuning layers of the optical members prepared in Preparation Examples 1 to 27 and the transmittance / reflectance for 590 nm light at that time are summarized in Table 1 below.

제조예 1Production Example 1 제조예 2Production Example 2 제조예 3Production Example 3 제조예 4Production Example 4 제조예 5Production Example 5 제조예 6Production Example 6 제조예 7Production Example 7 제조예 8Production Example 8 제조예 9Production Example 9 함량(중량%)Content (% by weight) 0.20.2 0.50.5 0.90.9 2.02.0 3.33.3 5.55.5 9.19.1 13.613.6 29.129.1 반사율(%)reflectivity(%) 90.090.0 80.9680.96 70.070.0 60.1460.14 49.8349.83 39.6139.61 29.3129.31 20.6320.63 9.169.16 제조예 10Production Example 10 제조예 11Production Example 11 제조예 12Production Example 12 제조예 13Production Example 13 제조예 14Production Example 14 제조예 15Production Example 15 제조예 16Production Example 16 제조예 17Production Example 17 제조예 18Production Example 18 함량(중량%)Content (% by weight) 0.60.6 3.13.1 5.35.3 9.59.5 15.315.3 20.020.0 28.628.6 42.042.0 64.864.8 투과율(%)Transmittance (%) 89.9589.95 79.7779.77 72.0372.03 60.1760.17 49.2649.26 40.0040.00 29.2629.26 20.1220.12 11.0111.01 제조예 19Production Example 19 제조예 20Production example 20 제조예 21Production Example 21 제조예 22Production Example 22 제조예 23Production Example 23 제조예 24Production Example 24 제조예 25Production example 25 제조예 26Production Example 26 제조예 27Production Example 27 함량(중량%)Content (% by weight) 0.60.6 3.13.1 5.35.3 9.59.5 15.315.3 20.020.0 28.628.6 42.042.0 64.864.8 투과율(%)Transmittance (%) 89.9589.95 79.7779.77 72.0372.03 60.1760.17 49.2649.26 40.0040.00 29.2629.26 20.1220.12 11.0111.01

<실험예 1: 파장조절입자 함량에 따른 반사 부재의 반사 특성 측정>EXPERIMENTAL EXAMPLE 1 Measurement of Reflective Characteristics of Reflection Member According to Wavelength-Adjusted Particle Content [

상기 제조예 1 내지 9에서 제조된 광학 부재(반사 부재)의 휘도와 색 재현율을 정량화하기 위한 실험을 수행하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.Experiments were performed to quantify the luminance and color reproduction rate of the optical member (reflective member) manufactured in Production Examples 1 to 9, and the results are shown in Table 2 below.

구체적으로, 제조예 1 내지 9에서 제조된 반사 부재 중 어느 하나를 이용하여 도 21에 도시된 것과 같은 표시 장치를 제조한 후 표시 장치의 화이트 모드에서 BM7 광특성 측정 장비를 이용하여 휘도(nit) 및 CIE 색 좌표를 측정하고, DCI 기준에 따라 색 재현율을 정량화하였다. Specifically, after a display device as shown in FIG. 21 was manufactured using any one of the reflection members manufactured in Production Examples 1 to 9, a luminance (nit) was measured using a BM7 optical property measuring device in a white mode of the display device, And CIE color coordinates were measured, and the color recall rate was quantified according to the DCI standard.

또, 제조예 1 내지 9에서 제조된 반사 부재 중 어느 하나와 제조예 14에서 제조된 광학 부재(투과율=49.26%)를 조합하여 도 22에 도시된 것과 같은 표시 장치를 제조한 후, 상기의 방법으로 휘도를 측정하고 색 재현율을 정량화하였다.In addition, a display device as shown in Fig. 22 was produced by combining any one of the reflection members manufactured in Production Examples 1 to 9 and the optical member (transmittance = 49.26%) manufactured in Production Example 14, And the color reproduction rate was quantified.

또한, 제조예 1 내지 9에서 제조된 반사 부재 중 어느 하나와 제조예 24에서 제조된 광학 부재(투과율=40.00%)를 조합하여 도 24에 도시된 것과 같은 표시 장치를 제조한 후, 상기의 방법으로 휘도를 측정하고 색 재현율을 정량화하였다.In addition, a display device as shown in Fig. 24 was produced by combining any one of the reflection members manufactured in Production Examples 1 to 9 and the optical member (transmittance = 40.00%) manufactured in Production Example 24, And the color reproduction rate was quantified.

반사 부재Reflective member 제조예 1
(R=90.0%)Production Example 1
(R = 90.0%) 제조예 2
(R=80.96%)Production Example 2
(R = 80.96%) 제조예 3
(R=70.0%)Production Example 3
(R = 70.0%) 제조예 4
(R=60.14%)Production Example 4
(R = 60.14%) 제조예 5
(R=49.83%)Production Example 5
(R = 49.83%) 제조예 6
(R=39.61%)Production Example 6
(R = 39.61%) 제조예 7
(R=29.31%)Production Example 7
(R = 29.31%) 제조예 8
(R=20.63%)Production Example 8
(R = 20.63%) 제조예 9
(R=9.16%)Production Example 9
(R = 9.16%) --- 휘도(nit)Brightness (nit) 251.7251.7 232.7232.7 211.7211.7 201.8201.8 193.6193.6 161.9161.9 132.0132.0 122.9122.9 89.889.8 색 재현율(%)Color recall (%) 80.4580.45 82.2182.21 83.8183.81 84.5084.50 84.9384.93 85.4485.44 84.9084.90 84.5884.58 82.7282.72 제조예 14
(T=49.26%)Production Example 14
(T = 49.26%) 휘도(nit)Brightness (nit) 177.7 177.7 166.6 166.6 156.0 156.0 150.9 150.9 145.5 145.5 123.8 123.8 105.3 105.3 95.7 95.7 75.0 75.0 색 재현율(%)Color recall (%) 87.44 87.44 88.41 88.41 88.80 88.80 89.03 89.03 88.95 88.95 88.93 88.93 87.84 87.84 87.41 87.41 85.86 85.86 제조예 24
(T=40.00%)Production Example 24
(T = 40.00%) 휘도(nit)Brightness (nit) 183.3183.3 172.3172.3 158.0158.0 150.8150.8 142.2142.2 121.5121.5 102.8102.8 92.592.5 73.773.7 색 재현율(%)Color recall (%) 88.2088.20 88.9788.97 89.7089.70 90.0290.02 89.8689.86 89.9189.91 88.8788.87 88.2088.20 86.5886.58

도 29는 실험예 1에 따라 반사 부재의 휘도(nit)와 색 재현율(%) 특성을 측정한 그래프이다.FIG. 29 is a graph showing the luminance (nit) and color recall (%) characteristics of a reflective member according to Experimental Example 1. FIG.

상기 표 2 및 도 29를 참조하면, 제조예 1 내지 제조예 9의 반사 부재만을 적용한 경우, 제조예 1 내지 제조예 9의 반사 부재와 제조예 14의 광학 부재를 조합한 경우 및 제조예 1 내지 제조예 9의 반사 부재와 제조예 24의 광학 부재를 조합한 경우 모두 파장조절입자 함유량이 증가함에 따라(즉, 반사율이 감소함에 따라) 휘도가 감소하는 경향성을 확인할 수 있다. 특히 반사 부재의 반사율이 약 50%보다 작아지면 휘도가 급격하게 감소하는 것을 확인할 수 있다.Referring to Table 2 and FIG. 29, when only the reflective members of Production Examples 1 to 9 were applied, the reflective members of Production Examples 1 to 9 and the optical members of Production Example 14 were combined, The combination of the reflection member of Production Example 9 and the optical member of Production Example 24 can confirm the tendency that the luminance decreases as the wavelength tuning particle content increases (i.e., the reflectance decreases). In particular, it can be seen that when the reflectance of the reflecting member is smaller than about 50%, the brightness sharply decreases.

또, 반사 부재만을 적용한 경우, 반사 부재와 제조예 14의 광학 부재를 조합한 경우 및 반사 부재와 제조예 24의 광학 부재를 조합한 경우 모두 파장조절입자의 함유량이 증가함에 따라 색 재현율이 증가하다가 감소하는 경향성을 확인할 수 있다. 특히 반사 부재의 반사율이 약 50 내지 40%인 구간에서 최대 색 재현율을 나타내고, 반사율이 약 40%보다 작아지면 색 재현율이 감소하는 것을 확인할 수 있다.In the case of using only the reflecting member, the case of combining the reflecting member and the optical member of Production Example 14, and the case of combining the reflecting member and the optical member of Production Example 24, the color reproduction ratio increases as the content of the wavelength- Can be confirmed. In particular, the maximum color reproducibility is shown in a region where the reflectance of the reflective member is about 50 to 40%, and the color reproduction rate is reduced when the reflectance is less than about 40%.

따라서 파장조절입자를 포함하는 반사 부재의 반사율은 약 40% 이상, 또는 약 50% 이상이고, 이 때 파장조절입자가 약 5.5 중량% 이하, 또는 약 3.3 중량% 이하로 포함될 때 효과적으로 색 재현성과 함께 휘도 특성을 개선할 수 있는 것을 알 수 있다.Thus, when the reflectance of the reflective member comprising the wavelength tuning particles is at least about 40%, or at least about 50%, and when the wavelength tuning particles are included at about 5.5 wt% or less, or about 3.3 wt% It can be seen that the luminance characteristic can be improved.

<실험예 2: 파장조절입자 함량에 따른 광학 부재의 투과 특성 측정>EXPERIMENTAL EXAMPLE 2 Measurement of Permeation Characteristics of Optical Member According to Wavelength Controlled Particle Content [

상기 제조예 10 내지 18에서 제조된 광학 부재 및 상기 제조예 19 내지 27에서 제조된 광학 부재의 휘도와 색 재현율을 정량화하기 위한 실험을 수행하여 그 결과를 각각 하기 표 3 및 표 4에 나타내었다.Experiments were carried out to quantify the brightness and color gamut of the optical members manufactured in Production Examples 10 to 18 and the optical members prepared in Production Examples 19 to 27, respectively, and the results are shown in Tables 3 and 4, respectively.

구체적으로, 제조예 10 내지 18에서 제조된 광학 부재 중 어느 하나를 이용하되, 반사 부재로서 광학 부재 하측에 백색광을 반사하는 반사 부재(WHITE 반사)를 배치한 것을 제외하고는 도 22에 도시된 것과 같은 표시 장치를 제조한 후 표시 장치의 화이트 모드에서 BM7 광특성 측정 장비를 이용하여 휘도(nit) 및 CIE 색 좌표를 측정하고, DCI 기준에 따라 색 재현율을 정량화하였다.Specifically, except that one of the optical members manufactured in Production Examples 10 to 18 was used, and a reflecting member (WHITE reflection) for reflecting white light under the optical member was arranged as a reflecting member, After the same display device was manufactured, the brightness (nit) and CIE color coordinates were measured using the BM7 optical property measuring device in the white mode of the display device, and the color recall rate was quantified according to the DCI standard.

또, 제조예 19 내지 제조예 27에서 제조된 광학 부재 중 어느 하나를 이용하되, 반사 부재로서 광학 부재 하측에 백색광을 반사하는 반사 부재를 배치한 것을 제외하고는 도 24에 도시된 것과 같은 표시 장치를 제조한 후, 상기의 방법으로 휘도를 측정하고 색 재현율을 정량화하였다.24, except that any one of the optical members manufactured in Production Examples 19 to 27 was used, and a reflecting member for reflecting white light was disposed below the optical member as a reflecting member, The luminance was measured by the above method and the color reproduction rate was quantified.

제조예 10
(T=89.95%)Production Example 10
(T = 89.95%) 제조예 11
(T=79.77%)Production Example 11
(T = 79.77%) 제조예 12
(T=72.03%)Production Example 12
(T = 72.03%) 제조예 13
(T=60.17%)Production Example 13
(T = 60.17%) 제조예 14
(T=49.26%)Production Example 14
(T = 49.26%) 제조예 15
(T=40.00%)Production Example 15
(T = 40.00%) 제조예 16
(T=29.26%)Production Example 16
(T = 29.26%) 제조예 17
(T=20.12%)Production Example 17
(T = 20.12%) 제조예 18
(T=11.01%)Production Example 18
(T = 11.01%) 휘도(nit)Brightness (nit) 236.4236.4 220.1220.1 204.3204.3 189.8189.8 175.2175.2 159.0159.0 146.0146.0 121.7121.7 105.2105.2 색 재현율(%)Color recall (%) 78.5978.59 80.9580.95 82.9682.96 84.4784.47 86.3586.35 87.7887.78 89.0289.02 90.5990.59 91.3591.35

제조예 19
(T=89.95%)Production Example 19
(T = 89.95%) 제조예 20
(T=79.77%)Production example 20
(T = 79.77%) 제조예 21
(T=72.03%)Production Example 21
(T = 72.03%) 제조예 22
(T=60.17%)Production Example 22
(T = 60.17%) 제조예 23
(T=49.26%)Production Example 23
(T = 49.26%) 제조예 24
(T=40.00%)Production Example 24
(T = 40.00%) 제조예 25
(T=29.26%)Production example 25
(T = 29.26%) 제조예 26
(T=20.12%)Production Example 26
(T = 20.12%) 제조예 27
(T=11.01%)Production Example 27
(T = 11.01%) 휘도(nit)Brightness (nit) 233.0233.0 224.8224.8 214.0214.0 203.5203.5 192.6192.6 178.5178.5 166.8166.8 143.3143.3 126.5126.5 색 재현율(%)Color recall (%) 78.7078.70 80.0080.00 81.6781.67 83.3183.31 84.9384.93 86.8586.85 88.4588.45 90.7590.75 92.0592.05

도 30은 실험예 2에 따라 광학 부재의 휘도(nit)와 색 재현율(%) 특성을 측정한 그래프이다.30 is a graph showing the characteristics of the brightness (nit) and the color recall ratio (%) of the optical member according to Experimental Example 2. FIG.

상기 표 3, 표 4 및 도 30을 참조하면, 제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재 및 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재 모두 파장조절입자의 함유량이 증가함에 따라(즉, 투과율이 감소함에 따라) 휘도가 감소하되, 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재를 적용한 경우가 제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재를 적용한 경우에 비해 휘도가 상대적으로 높은 것을 확인할 수 있다.Referring to Tables 3, 4, and 30, it can be seen that both the optical members of Production Examples 10 to 18 and the optical members of Production Examples 19 to 27 have an increase in transmittance , It is confirmed that the luminance is relatively low in the case of applying the optical members of Production Examples 19 to 27 compared to the case of applying the optical members of Production Examples 10 to 18. [

또, 제조예 10 내지 제조예 27의 광학 부재 모두 파장조절입자의 함유량이 증가함에 따라 색 재현율이 증가하는 것을 확인할 수 있다.It is also confirmed that the color reproducibility increases as the content of the wavelength-tunable particles increases in all the optical members of Production Example 10 to Production Example 27.

도 31은 제조예 10 내지 제조예 27의 광학 부재의 투과율에 따른 휘도 저하율과 색 재현 상승율을 나타낸 그래프이다. 도 32는 제조예 10 내지 제조예 27의 광학 부재의 투과율에 따른 색 재현 상승율 대비 휘도 저하율을 나타낸 그래프이다.31 is a graph showing the rate of decrease in luminance and the rate of color reproduction increase according to the transmittance of the optical member of Production Example 10 to Production Example 27; 32 is a graph showing the rate of decrease in brightness with respect to the color reproduction increasing rate according to the transmittance of the optical member of Production Example 10 to Production Example 27;

도 31을 참조하면, 제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재 및 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재 모두 투과율이 약 30 내지 20%인 구간에서 최대 휘도 저하율을 가짐을 확인할 수 있다.Referring to Fig. 31, it can be confirmed that the optical members of Production Examples 10 to 18 and the optical members of Production Examples 19 to 27 have maximum luminance lowering ratios in a section where the transmittance is about 30 to 20%.

제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재는 파장조절입자의 함유량이 증가함에 따라(즉, 투과율이 감소함에 따라) 색 재현 상승율이 감소하는 경향을 갖는 반면, 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재는 파장조절입자의 함유량이 증가함에 따라 색 재현 상승율이 증가하는 경향을 갖는 것을 확인할 수 있다.The optical members of Production Examples 10 to 18 tend to decrease in color reproduction increasing rate as the content of the wavelength-adjusting particles increases (i.e., as the transmittance decreases), while the optical members of Production Examples 19 to 27 It is confirmed that the color reproduction increasing rate tends to increase as the content of the wavelength tuning particles increases.

도 32를 참조하면, 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재는 제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재에 비해 색 재현 상승율 대비 휘도 저하율이 상대적으로 작은 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 32, it can be seen that the optical members of Production Examples 19 to 27 have a relatively lower rate of decrease in the color reproduction rate as compared with the optical members of Production Examples 10 to 18.

또, 제조예 10 내지 제조예 18의 광학 부재 및 제조예 19 내지 제조예 27의 광학 부재 모두 투과율이 약 40 내지 30%인 구간에서 색 재현 상승율 대비 휘도 저하율이 급격하게 증가하는 것을 확인할 수 있다.It is also confirmed that the optical members of Production Examples 10 to 18 and the optical members of Production Examples 19 to 27 sharply increase the rate of decrease in the color reproducibility relative to the color reproduction rate in the range where the transmittance is about 40 to 30%.

따라서 파장조절입자를 포함하는 광학 부재의 투과율은 약 30% 이상, 또는 약 40% 이상이고, 이 때 파장조절입자가 약 28.6 중량% 이하, 또는 약 20.0 중량% 이하로 포함될 때 우수한 색 재현성을 가지고, 휘도 저하를 최소화할 수 있음을 알 수 있다.Therefore, when the transmittance of the optical member including the wavelength tuning particles is about 30% or more, or about 40% or more, and when the wavelength tuning particles are included at about 28.6 wt% or less, or about 20.0 wt% or less, , It can be seen that the decrease in luminance can be minimized.

<실험예 3: 결합층 조성물에 따른 결합층의 투과율 특성 측정>EXPERIMENTAL EXAMPLE 3 Measurement of Transmittance Characteristic of Bonding Layer According to Binding Layer Composition [

결합층 내에 파장조절입자가 분산된 광학 부재의 상기 결합층 조성물에 따른 투과율 특성을 정량화하기 위한 실험을 수행하여 그 결과를 도 33에 나타내었다. 도 33은 실험예 3에 따라 결합층 조성물에 따른 투과율을 측정한 그래프이다.Experiments were conducted to quantify the transmittance characteristics of the optical member in which the wavelength tuning particles were dispersed in the bonding layer according to the bonding layer composition, and the results are shown in Fig. 33 is a graph showing transmittance according to the bonding layer composition measured according to Experimental Example 3. FIG.

도 33을 참조하면, 파장조절입자를 포함하는 결합층(상부 결합층)으로서 열 경화성 수지 (H-1, H-2)을 사용한 제조예 19 및 제조예 28에 비해 파장조절입자를 포함하는 결합층으로서 자외선 경화성 수지(UV-1, UV-2)를 사용한 비교예 1 및 비교예 2의 경우 약 400nm 내지 560nm 구간 및 약 620nm 내지 700nm 구간에서 투과율 저하가 발생하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 33, compared with those of Production Example 19 and Production Example 28 using the thermosetting resin (H-1, H-2) as the bonding layer (upper bonding layer) It can be seen that the transmittance decreases in the range of about 400 nm to 560 nm and the range of about 620 nm to 700 nm in the case of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in which ultraviolet curing resin (UV-1, UV-2) was used as the layer.

본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 자외선 경화성 수지를 사용할 경우 경화 공정 중에 사용되는 자외선에 의해 상기 자외선 경화성 수지 내에 함유된 파장조절입자가 손상되어 투과율 저하가 발생되고, 이로 인해 휘도 및/또는 색 재현율을 야기하는 것일 수 있다.The present invention is not limited thereto. However, when the ultraviolet ray hardening resin is used, the ultraviolet rays used during the hardening process damage the wavelength adjusting particles contained in the ultraviolet ray hardening resin, resulting in a decrease in transmittance, . &Lt; / RTI >

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. It will be appreciated that many variations and applications not illustrated above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

11: 광학 부재
101: 제1 기재
102: 제2 기재
201: 제1 편광소자
311: 제1 결합층
321: 제2 결합층11: optical member
101: first substrate
102: second substrate
201: first polarizing element
311: first bonding layer
321: second bonding layer

Claims

A first polarizing element having a first surface and a second surface;
A first substrate disposed on one surface of the first polarizing element; And
And a first bonding layer interposed between the first polarizing element and the first base material and directly bonding the first polarizing element and the first base material and including a binder and wavelength tuning particles dispersed in the binder, absence.

The method according to claim 1,
A second substrate disposed on the other surface of the first polarizing element; And
And a second bonding layer interposed between the first polarizing element and the second substrate to directly bond the first polarizing element and the second substrate.

3. The method of claim 2,
The first polarizing element is a reflection type polarizing element,
Wherein the wavelength tuning particles are contained in an amount of 28.6 wt% or less based on the total weight of the first bonding layer.

3. The method of claim 2,
Wherein the second bonding layer does not contain the wavelength tuning particles or the concentration of the wavelength tuning particles in the second bonding layer is smaller than the concentration of the wavelength tuning particles in the first bonding layer,
And the thickness of the first bonding layer is larger than the thickness of the second bonding layer.

3. The method of claim 2,
Wherein the first bonding layer comprises a thermosetting resin composition or a photocurable resin composition which is cured by light having a maximum peak in a wavelength band of 400 nm or more,
Wherein the second bonding layer comprises an ultraviolet-curable resin composition which is cured by light having a maximum peak in a wavelength band of less than 400 nm.

3. The method of claim 2,
Wherein the first substrate has a first surface having a first concavo-convex pattern and an opposite surface that engages with the first bonding layer,
Wherein the second substrate has a first surface that engages with the second bonding layer, and a second surface that has a second concavo-
Wherein the surface roughness of one surface of the first substrate is larger than the surface roughness of the other surface of the second substrate.

The method according to claim 6,
The content of the wavelength tuning particles in the second bonding layer is less than the content of the wavelength tuning particles in the first bonding layer,
The haze generated by one surface of the first substrate is 50% or more,
And the haze generated by the other surface of the second substrate is less than 50%.

The method according to claim 6,
And a filling pattern filled in recesses of the second concave-convex pattern.

The method according to claim 1,
Wherein the first base material has optical anisotropy, the in-plane refractive index anisotropy value of the first base material is 80 nm or less, and the angle formed between the stretching axis of the first base material and the transmission axis of the first polarizing element is 0 degree or 90 degrees absence.

The method according to claim 1,
Wherein the maximum absorption wavelength peak of the wavelength tuning particles is within a range of 580 nm to 600 nm.

11. The method of claim 10,
In the spectral measurement of the light transmitted through the optical member,
The value of the minimum transmittance among transmitted light in the wavelength band of 580 nm to 600 nm is 50% or less of the incident light,
Wherein the half width is 70 nm or less.

Reflective film; And
And a wavelength-adjusting layer disposed on the reflecting film and including a first binder and wavelength-tuning particles dispersed in the first binder.

13. The method of claim 12,
Wherein the wavelength tuning layer further comprises beads dispersed in the first binder,
Wherein one surface of the wavelength tuning layer has the uneven pattern,
And the concavo-convex pattern is formed by the bead.

13. The method of claim 12,
Further comprising a bead layer disposed on the wavelength tuning layer and including a second binder and beads dispersed in the second binder,
Wherein one surface of the bead layer has the concavo-convex pattern,
And the concavo-convex pattern is formed by the bead.

13. The method of claim 12,
Wherein the wavelength tuning particles are contained in an amount of 20 wt% or less based on the total weight of the wavelength tuning layer.

13. The method of claim 12,
In the spectral measurement of the light transmitted through the wavelength tuning layer and reflected by the reflecting film,
The value of the minimum reflectance of the reflected light in the wavelength band of 580 nm to 600 nm is 90% or less of the incident light,
Wherein the half width is 70 nm or less.

Reflective film;
A first wavelength tuning layer disposed on the reflective film, the first wavelength tuning layer including a first binder and first wavelength tuning particles dispersed in the first binder;
A first substrate disposed on the first wavelength tuning layer; And
And a second wavelength tuning layer disposed on the first substrate and including a second binder and second wavelength tuning particles dispersed in the second binder.

18. The method of claim 17,
And a light modulating layer disposed between the first wavelength tuning layer and the first substrate,
Wherein the light modulating layer includes at least one of a prism pattern layer, a micro lens pattern layer, and a diffusion layer.

18. The method of claim 17,
And a liquid crystal layer disposed on the second wavelength tuning layer,
Wherein the first substrate is a first polarizing element.

20. The method of claim 19,
A second substrate disposed between the second wavelength tuning layer and the liquid crystal layer and disposed directly on the second wavelength tuning layer; And
And a second polarizing element disposed between the second substrate and the liquid crystal layer,
Wherein the first polarizing element is a reflective polarizing element.

21. The method of claim 20,
A third substrate disposed between the reflective polarizing element and the first wavelength tuning layer and having a concavo-convex pattern formed on one surface thereof;
A bonding layer interposed between the reflective polarizing element and the third substrate to directly bond the reflective polarizing element and the third substrate; And
And a filling pattern filled in recesses of the concavo-convex pattern.

20. The method of claim 19,
The reflectance of the reflective film and the first wavelength tuning layer is 40% or more,
Wherein a transmittance of light passing through the first polarizing element and the second wavelength tuning layer is 30% or more.

18. The method of claim 17,
A reflective polarizing element disposed on the second wavelength tuning layer; And
And a liquid crystal layer disposed on the reflective polarizing element,
Wherein the first substrate is made of any one of polycarbonate, polyethylene terephthalate, cycloolefin polymer, and polyethylene naphthalate,
The reflectance of the reflective film and the first wavelength tuning layer is 40% or more,
Wherein a transmittance of light passing through the first base material and the second wavelength adjustment layer is 40% or more.

19. The method of claim 18,
A liquid crystal layer disposed between the first wavelength tuning layer and the first substrate; And
And a third polarizing element disposed on the second wavelength tuning layer,
The first base material and the second wavelength adjustment layer are in direct contact with each other,
And the second wavelength control layer and the third polarizing element are in direct contact with each other.

19. The method of claim 18,
And a liquid crystal layer disposed between the first wavelength tuning layer and the first substrate,
The first substrate is a polarizing element,
And the first base material and the second wavelength adjustment layer are in direct contact with each other.

18. The method of claim 17,
Wherein the first wavelength tuning particle and the second wavelength tuning particle have the same maximum absorption wavelength peak.

27. The method of claim 26,
And a light guide portion disposed between the first wavelength tuning layer and the first substrate,
Wherein the amount of the first wavelength tuning particles per unit area is smaller than the amount of the second wavelength tuning particles per unit area.

18. The method of claim 17,
Satisfies the following formula I and the following formula II, or
And satisfies the following formula (I) and the following formula (III).
<Equation Ⅰ>
? 590>? 610
<Expression Ⅱ>
? 590>? 450
<Formula III>
? 590>? 540
? 590: a minimum value of the light quantity in the wavelength band of 580 nm to 600 nm among the light reflected by the reflective film transmitted through the first wavelength-tunable layer and a minimum value of the light quantity in the wavelength band of 580 nm to 600 nm among the light transmitted through the second wavelength- Car
? 610: an average light quantity in the wavelength band of 600 nm to 620 nm among the light reflected by the reflective film transmitted through the first wavelength-tunable layer and an average light quantity in the wavelength band of 600 nm to 620 nm among the light transmitted through the second wavelength- car
? 450: an average light quantity in a wavelength band of 440-460 nm in the light reflected by the reflective film transmitted through the first wavelength-adjusting layer and an average light quantity in a wavelength band of 440-460 nm of light transmitted through the second wavelength- car
? 540: an average light quantity in a wavelength band of 530 nm to 550 nm in the light reflected by the reflective film transmitted through the first wavelength-tunable layer and an average light quantity in a wavelength band of 530 nm to 550 nm in the light transmitted through the second wavelength- car

18. The method of claim 17,
In the spectral measurement of the white light displayed on the display device,
A difference (h1) between the maximum intensity of the light in the 420 nm to 490 nm wavelength band and the minimum intensity in the light in the 450 nm to 540 nm wavelength band,
A difference (h2) between the maximum intensity of light in the 490 nm to 590 nm wavelength band and the minimum intensity of light in the 450 nm to 540 nm wavelength band, and
The difference (h3) between the maximum intensity among the light in the 490 nm to 590 nm wavelength band and the minimum intensity among the light in the wavelength band from 540 nm to 610 nm satisfies the following formulas (IV) to (VI).
<Equation Ⅳ>
h1 < h2 + h3
<Formula V>
2 x h2 > h1 + h3
<Equation Ⅵ>
2 x h3 < h1 + h2