KR20160132658A - Light emitting diode and light emitting diode package - Google Patents

Light emitting diode and light emitting diode package Download PDF

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KR20160132658A
KR20160132658A KR1020150065485A KR20150065485A KR20160132658A KR 20160132658 A KR20160132658 A KR 20160132658A KR 1020150065485 A KR1020150065485 A KR 1020150065485A KR 20150065485 A KR20150065485 A KR 20150065485A KR 20160132658 A KR20160132658 A KR 20160132658A
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light emitting
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KR1020150065485A
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송현돈
이진욱
홍은주
홍이랑
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention discloses a light emitting diode comprising: a substrate; a light emitting structure disposed on the substrate; and an electrode layer electrically coming into contact with the light emitting structure, wherein the light emitting structure is provided with a first region including a non-ohmic characteristic on a non-junction region which is not bonded to a sub-mount through the electrode layer.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE [0002]

실시 예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and a light emitting device package.

발광 소자(Light Emitting Diode: LED)는 전류가 인가되면 광을 방출하는 발광소자 중 하나이다. 발광 소자는 고효율의 광을 방출할 수 있어 에너지 절감 효과가 뛰어나다. A light emitting diode (LED) is one of light emitting devices that emits light when current is applied. The light emitting element can emit light with high efficiency, and thus has excellent energy saving effect.

최근, 발광 소자의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정 표시 장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다. In recent years, the luminance problem of the light emitting device has been greatly improved, and it has been applied to various devices such as a backlight unit (backlight unit) of a liquid crystal display device, a display board, a display device, and a home appliance.

특히, 질화물 계열의 반도체 발광 소자는 전자 친화력, 전자 이동도, 전자포화 속도 및 전계파괴 전압 특성이 우수하여 고효율, 고출력을 실현할 수 있고, 비소(As), 수은(Hg) 같은 유해물질을 포함하지 않기 때문에 환경 친화적인 소자로서 많은 주목을 받고 있다.In particular, the nitride-based semiconductor light-emitting device is excellent in electron affinity, electron mobility, electron saturation velocity, and electric field breakdown voltage characteristics and can realize high efficiency and high output, and does not contain harmful substances such as arsenic (As) It has attracted much attention as an environmentally friendly device.

그러나 형광등 백열등과 같은 일반 조명기구가 열과 빛이 함께 발생하는데 반하여, 발광 소자의 경우 동작시 빛은 외부로 방사되고 발생하는 열은 모듈 내부로 향하게 되어 LED칩, PCB등의 부품 파손 및 변형을 일으키는 요인이 된다. 또한, 발열이 심해지는 경우 접합부에서의 크랙이 발생하거나 발광 소자 패키지 자체에 손상을 줄 수 있다. 이렇게 패키징, 제품화 된 발광 소자의 발열 문제는 발광 소자의 동작 특성과 수명에 직결하는 중요한 문제로 그 중요성이 부각되고 있다.However, in the case of a light emitting device, the light is radiated to the outside, and the generated heat is directed to the inside of the module, thereby causing damage and deformation of parts such as an LED chip and a PCB. . In addition, when the heat generation becomes severe, cracks may occur in the junction portion or damage may be caused to the light emitting device package itself. The heat generation problem of the light emitting device packaged and manufactured in this way is considered to be important because it directly affects the operation characteristics and lifetime of the light emitting device.

실시 예는 발열 문제를 개선하여 동작 전압 특성과 소자 동작 특성을 향상시킬 수 있는 발광 소자 및 발광 소자 패키지를 제공한다.Embodiments provide a light emitting device and a light emitting device package capable of improving an operating voltage characteristic and a device operation characteristic by improving a heat generation problem.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판; 상기 기판상에 배치되는 발광 구조체; 상기 발광 구조체와 전기적으로 접촉하는 전극층을 포함하고, 상기 발광 구조체에는 상기 전극층을 통하여 서브마운트와 접합하지 않는 비접합 영역 상에 비선형 임피던스(non-ohmic)특성을 포함하는 제1영역이 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, A light emitting structure disposed on the substrate; And a first region including a non-ohmic characteristic on a non-junction region that is not bonded to the sub-mount through the electrode layer, may be disposed in the light emitting structure in electrical contact with the light emitting structure. have.

상기 발광 구조체는 제1 반도체층과 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 상기 전극층은 상기 제1 반도체층과 제2반도체층에 각각 전기적으로 접하는 제1전극 및 제2전극을 포함하여 구성될 수 있다.Wherein the light emitting structure includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, wherein the electrode layer is electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, And may include a first electrode and a second electrode which are in contact with each other.

상기 제1전극 및 제2전극 상에는 소정 간격 이격하여 제1범프와 제2범프가 배치되어 상기 서브마운트의 전극과 접할 수 있다.The first bump and the second bump may be disposed on the first electrode and the second electrode at a predetermined distance to be in contact with the electrode of the submount.

상기 비접합 영역은 상기 제1범프와 제2범프 사이의 이격된 영역을 포함하여 구성될 수 있다.The non-junction region may comprise a spaced-apart region between the first bump and the second bump.

상기 제1영역은 상기 비접합 영역과 동일 수직선상에 배치될 수 있다.The first region may be disposed on the same vertical line as the non-junction region.

상기 제1전극 및 제2전극 상에는 중간층이 배치되며, 상기 중간층이 배치되지 않은 영역을 통하여 상기 제1범프와 제2범프는 각각 상기 제1전극과 제2전극에 접할 수 있다.An intermediate layer may be disposed on the first electrode and the second electrode, and the first bump and the second bump may contact the first electrode and the second electrode, respectively, through a region where the intermediate layer is not disposed.

상기 발광 구조체는 상기 전극층과의 접합면에 배치되는 오믹 접합층을 포함하며, 상기 제1영역은 상기 오믹 접합층에 배치될 수 있다.The light emitting structure may include an ohmic contact layer disposed on a bonding surface with the electrode layer, and the first region may be disposed on the ohmic contact layer.

상기 제1영역은 p형 반도체층의 오믹 접합층에 배치될 수 있다.The first region may be disposed in the ohmic contact layer of the p-type semiconductor layer.

상기 제1영역은 산화물, 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.The first region may include at least one of oxide, nitride, and metal.

실시 예에 따른 발광 소자 및 발광 소자 패키지는 발열 문제를 개선하여 동작 전압 특성과 소자 동작 특성을 향상시킬 수 있다.The light emitting device and the light emitting device package according to the embodiment can improve the operating voltage characteristics and device operation characteristics by improving the heat generation problem.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 평면도,
도2는 도1에 따른 발광 소자를 A-A' 방향으로 절단한 도면,
도3은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 단면도,
도4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도,
도5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도,
도6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도,
도7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도,
도8은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 동작 전압 특성 그래프 및
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법의 흐름도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a sectional view of the light emitting device according to FIG. 1 taken along the line AA '
3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention,
4 is a sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention,
5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention,
6 is a sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention,
7 is a sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention,
8 is a graph showing the operating voltage characteristics of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention,
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated and described in the drawings. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. The terms including ordinal, such as second, first, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as a first component, and similarly, the first component may also be referred to as a second component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.

도1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 평면도이고, 도2는 도1에 따른 발광 소자를 A-A' 방향으로 절단한 도면이다. 도1 및 도2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 발광 구조체(20), 전극층(52, 54) 및 범프(151, 152)를 포함하여 구성될 수 있다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 1 and 2, a light emitting device according to an embodiment of the present invention may include a light emitting structure 20, electrode layers 52 and 54, and bumps 151 and 152.

발광 구조체(20)는 기판(10)상에 배치될 수 있다. 발광 구조체(20)는 제1반도체층(22), 활성층(24) 및 제2반도체층(26)을 포함하여 구성될 수 있다.The light emitting structure 20 may be disposed on the substrate 10. The light emitting structure 20 may include a first semiconductor layer 22, an active layer 24, and a second semiconductor layer 26.

제1반도체층(22)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체일 수 있으며, 제1 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1반도체층(22)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 만족할 수 있다. 예시적으로 제1반도체층(22)은 AlGaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. The first semiconductor layer 22 may be a compound semiconductor such as Group III-V, Group II-VI, and the like, and the first dopant may be doped. The first semiconductor layer 22 may satisfy a composition formula of AlxInyGa (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? For example, the first semiconductor layer 22 may include one or more of AlGaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제1반도체층(22)이 p형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트일 수 있다. 제1반도체층(22)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정되지 않는다.When the first semiconductor layer 22 is a p-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may be a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr, or Ba. The first semiconductor layer 22 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

제1반도체층(22)과 제2반도체층(26) 사이에 배치된 활성층(24)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(MQW, Multi Quantum Well) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. The active layer 24 disposed between the first semiconductor layer 22 and the second semiconductor layer 26 may have a single well structure, a multiple well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) Structure or a proton beam structure.

활성층(24)은 Ⅲ-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어(pair) 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다. InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

제2반도체층(26)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2반도체층(26)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 만족할 수 있다. 예시적으로 제2반도체층(26)은 AlGaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.The second semiconductor layer 26 may be formed of a compound semiconductor such as group III-V, group II-VI, or the like, and the second dopant may be doped. The second semiconductor layer 26 may satisfy a composition formula of AlxInyGa (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? Illustratively, the second semiconductor layer 26 may include one or more of AlGaN, InAlGaN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP.

제2반도체층(26)이 n형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함할 수 있다. 제2반도체층(26)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정되지 않는다. When the second semiconductor layer 26 is an n-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, and Te. The second semiconductor layer 26 may be formed as a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

발광 구조체(20)에는 전극층(52, 54)을 통하여 서브마운트와 접합하지 않는 비접합 영역(171) 상에 비선형 임피던스(non-ohmic)특성을 포함하는 제1영역(31)이 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예에서 비접합 영역(171)은 제1범프(151)와 제2범프(152)사이의 이격된 영역을 포함하여 구성될 수 있다. The light emitting structure 20 may be provided with a first region 31 including non-ohmic characteristics on the non-junction region 171 that is not bonded to the submount via the electrode layers 52 and 54 . In an embodiment of the present invention, the non-junction region 171 may comprise a spaced-apart region between the first bump 151 and the second bump 152.

제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 배치될 수 있으며, 제1반도체층(22)과 1전극(52)이 접하는 접합면에 배치될 수 있다. 제1영역(31)은 예를 들면 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)상에 배치될 수 있다. 제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)의 일부 또는 전부에 걸쳐 배치될 수 있다.The first region 31 may be disposed on the same vertical line as the non-junction region 171 and may be disposed on a junction surface where the first semiconductor layer 22 and the one electrode 52 are in contact with each other. The first region 31 may be disposed on the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171, for example. The first region 31 may be disposed over part or all of the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. [

제1영역(31)의 길이는 비접합 영역(171)의 길이와 동일하거나 짧을 수 있다. 제1영역(31)의 길이가 비접합 영역(171)의 길이보다 길게 배치되면 발광 구조체(20)와 오믹 접합층(30)에서 발광에 기여하는 부분이 줄어들게 되어 발광 효율이 떨어진다는 문제가 있다. 따라서, 제1영역(31)의 길이는 비접합 영역(171)보다 짧게 배치함으로써 발열을 방지함과 동시에 발광 효율을 최대로 할 수 있다.The length of the first region 31 may be equal to or shorter than the length of the non-junction region 171. If the length of the first region 31 is longer than the length of the non-junction region 171, a portion contributing to light emission in the light emitting structure 20 and the ohmic junction layer 30 is reduced, . Therefore, by arranging the first region 31 shorter than the non-junction region 171, heat generation can be prevented and the light emission efficiency can be maximized.

제1영역(31)은 산화물, 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있으며, 활성층(24)으로부터 나오는 빛의 파장에 대하여 높은 투과율과 높은 반사율을 가지는 물질을 포함하여 구성될 수 있다.The first region 31 may include at least one of oxide, nitride, and metal. The first region 31 may include a material having a high transmittance and a high reflectance with respect to a wavelength of light emitted from the active layer 24.

제1영역(31)은 비선형 임피던스 특성을 포함하는 영역으로 제1반도체층(22)과 제1전극(52) 사이에 오믹 접합을 구성하지 않음으로써 발광에 기여하지 않는다. 즉, 발광 소자 동작시 오믹 특성을 가지지 않은 제1영역(31)은 발열이 발생하지 않은 영역이 되어 발광 소자의 동작 특성을 향상시키고, 소자의 수명을 연장시킬 수 있다.The first region 31 does not contribute to light emission by not forming an ohmic junction between the first semiconductor layer 22 and the first electrode 52 in the region including the nonlinear impedance characteristic. That is, the first region 31 having no ohmic characteristic during the operation of the light emitting element becomes a region where no heat is generated, thereby improving the operation characteristics of the light emitting element and extending the lifetime of the element.

전극층(52, 54)은 발광 구조체(20)와 전기적으로 접촉한다. 제1전극(52)과 제2전극(54)은 발광 구조체(20)의 일 측에 배치되며, 여기서 일 측은 발광 구조체(20)의 주발광면과 반대측일 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 발광 소자(300)는 제1전극(52)과 제2전극(54)이 동일 평면상에 배치되는 플립칩(Flip Chip) 또는 박막 플립칩(TFFC)일 수 있다. The electrode layers 52 and 54 are in electrical contact with the light emitting structure 20. The first electrode 52 and the second electrode 54 are disposed on one side of the light emitting structure 20, and one side thereof may be opposite to the main light emitting surface of the light emitting structure 20. The light emitting device 300 according to an embodiment of the present invention may be a flip chip or a thin flip chip (TFFC) in which the first electrode 52 and the second electrode 54 are disposed on the same plane .

본 발명에 따른 발광소자는 플립칩(Flip Chip)형태에 한정되지 않으며, 수평칩(Lateral Chip)와 수직형칩(Vertical Chip)형태에도 적용될 수 있다. 수평칩과 수직형팁 구조체에서는 발광 구조체와 제1전극, 제2전극의 배치 관계가 상이하다.The light emitting device according to the present invention is not limited to a flip chip type and may be applied to a lateral chip and a vertical chip. In the horizontal chip and vertical tip structure, the arrangement relationship of the light emitting structure, the first electrode and the second electrode is different.

제1전극(52)은 발광 구조체(20)의 제1반도체층(22)과 전기적으로 연결되고, 제2전극(54)은 제2반도체층(26)과 전기적으로 연결될 수 있다. The first electrode 52 may be electrically connected to the first semiconductor layer 22 of the light emitting structure 20 and the second electrode 54 may be electrically connected to the second semiconductor layer 26.

또는, 제1전극(52)은 반사층(미도시)을 통해 제1반도체층(22)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2전극(54)은 콘택홀을 통해 제2반도체층(26)과 전기적으로 연결될 수 있다. 콘택홀에 채워지는 제2전극(26)의 연장부(40)는 중간층(210)에 의해 활성층(24) 및 제1반도체층(22)과 전기적으로 절연된다.Alternatively, the first electrode 52 may be electrically connected to the first semiconductor layer 22 through a reflective layer (not shown), and the second electrode 54 may be electrically connected to the second semiconductor layer 26 through the contact hole . The extended portion 40 of the second electrode 26 filled in the contact hole is electrically insulated from the active layer 24 and the first semiconductor layer 22 by the intermediate layer 210.

제1전극(52)과 제2전극(54)은 발광 구조체(20)의 일 측에서 서로 이웃하게 배치된다. 이때, 제1전극(52)과 제2전극(54)은 전기적 절연을 위해 소정 간격으로 이격될 수 있다. 제1전극(52)과 제2전극(54)의 두께는 동일할 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.The first electrode 52 and the second electrode 54 are disposed adjacent to each other on one side of the light emitting structure 20. [ At this time, the first electrode 52 and the second electrode 54 may be spaced apart by a predetermined distance for electrical insulation. The thicknesses of the first electrode 52 and the second electrode 54 may be the same, but are not limited thereto.

오믹 접합층(30)은 제1전극(52)과 발광 구조체(20) 사이에 배치된다. 오믹 접합층(30)의 일측 표면은 제1전극(52)과 전기적으로 연결되어 있으며, 타측 표면을 통하여 제1반도체층(22)과 전기적으로 연결된다. 오믹 접합층(30)의 측면은 중간층(210)에 의하여 감싸질 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.The ohmic junction layer 30 is disposed between the first electrode 52 and the light emitting structure 20. [ One surface of the ohmic contact layer 30 is electrically connected to the first electrode 52 and is electrically connected to the first semiconductor layer 22 through the other surface. The side surface of the ohmic contact layer 30 may be surrounded by the intermediate layer 210, but is not limited thereto.

제1범프(151)와 제2범프(152)는 서브마운트의 전극과 접하도록 제1전극(52)과 제2전극(54)상에 소정 간격 이격하여 배치될 수 있다.The first bump 151 and the second bump 152 may be spaced apart from the first electrode 52 and the second electrode 54 by a predetermined distance so as to be in contact with the electrodes of the submount.

제1범프(151)는 제1전극(52)과 전기적으로 연결되고, 제2범프(152)는 제2전극(54)과 전기적으로 연결된다. 제1범프와 제2범프는 중간층(210)이 배치되지 않은 영역을 통하여 각각 제1전극(52)과 제2전극(54)에 접할 수 있다.The first bump 151 is electrically connected to the first electrode 52 and the second bump 152 is electrically connected to the second electrode 54. The first bump and the second bump can be in contact with the first electrode 52 and the second electrode 54 through the region where the intermediate layer 210 is not disposed.

제1범프(151)와 제2범프(152)의 두께는 제1전극(52)과 제2전극(54)의 두께보다 두꺼울 수 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다. 제1범프(151)와 제2범프(152)의 두께는 상호간의 이격 거리에 따라 상이할 수 있다. 제1범프(151)와 제2범프(152)는 외부 전원과 접속하기 위해서 외부로 노출될 수 있는 두께를 가질 수 있다.Thicknesses of the first bump 151 and the second bump 152 may be thicker than the thickness of the first electrode 52 and the second electrode 54, but are not limited thereto. The thicknesses of the first bump 151 and the second bump 152 may differ depending on the mutual separation distance. The first bump 151 and the second bump 152 may have a thickness that can be exposed to the outside for connection to an external power source.

도3은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도3을 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자는 기판(10), 발광 구조체(20), 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151) 및 제2범프(152)를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 도1 및 도2와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.3 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 3, a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a substrate 10, a light emitting structure 20, a first electrode 52, a second electrode 54, a first bump 151, (Not shown). In the present embodiment, a description overlapping with FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도3에서 제1범프(151)와 제2범프(152)는 소정의 간격을 가지고 상호간 이격하여 제1전극(52)과 제2전극(54)상에 배치되어 있다. 제1범프(151)와 제2범프(152)의 길이는 각각 제1전극(52)과 제2전극(54)과 소정의 오차를 가지고 동일하며, 제1범프(151)와 제2범프(152)의 사이에는 비접합 영역(171)이 배치되어 있다. 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)에는 비선형 임피던스 특성을 포함하는 제1영역(31)이 배치되어 있다. 제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에서 오믹 접합층(30)의 전 영역에 배치되어 있다. 도3에서 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151), 제2범프(152), 제1영역(31)의 측면이 수직면으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다.In FIG. 3, the first bump 151 and the second bump 152 are disposed on the first electrode 52 and the second electrode 54 with a predetermined spacing therebetween. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152 are equal to each other with a predetermined error between the first electrode 52 and the second electrode 54 and the lengths of the first bump 151 and the second bump 152 152, a non-junction region 171 is disposed. A first region 31 including a nonlinear impedance characteristic is disposed on the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is arranged in the entire region of the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. Although the side surfaces of the first electrode 52, the second electrode 54, the first bump 151, the second bump 152, and the first region 31 are shown as vertical planes in FIG. 3, Do not.

도4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도4를 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 소자는 기판(10), 발광 구조체(20), 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151) 및 제2범프(152)를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 도1 및 도2와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 4, a light emitting device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 10, a light emitting structure 20, a first electrode 52, a second electrode 54, a first bump 151, Bump 152 as shown in FIG. In the present embodiment, a description overlapping with FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도4에서 제1범프(151)와 제2범프(152)는 소정의 간격을 가지고 상호간 이격하여 제1전극(52)과 제2전극(54)상에 배치되어 있다. 제1범프(151)와 제2범프(152)의 길이는 각각 제1전극(52)과 제2전극(54)과 소정의 오차를 가지고 동일하며, 제1범프(151)와 제2범프(152)의 사이에는 비접합 영역(171)이 배치되어 있다. 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)에는 비선형 임피던스 특성을 포함하는 제1영역(31)이 배치되어 있다. 제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에서 오믹 접합층(30)의 일부 영역에 배치되어 있다. 제1영역(31)은 오믹 접합층(30) 상에서 제1반도체층에 인접한 영역에 배치되어 있다. 도4에서 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151), 제2범프(152), 제1영역(31)의 측면이 수직면으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다.In FIG. 4, the first bump 151 and the second bump 152 are disposed on the first electrode 52 and the second electrode 54 with a predetermined gap therebetween. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152 are equal to each other with a predetermined error between the first electrode 52 and the second electrode 54 and the lengths of the first bump 151 and the second bump 152 152, a non-junction region 171 is disposed. A first region 31 including a nonlinear impedance characteristic is disposed on the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is disposed on a part of the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is disposed on the ohmic contact layer 30 in the region adjacent to the first semiconductor layer. Although the side surfaces of the first electrode 52, the second electrode 54, the first bump 151, the second bump 152, and the first region 31 are shown as vertical planes in FIG. 4, Do not.

도5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도5를 참조하면 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자는 기판(10), 발광 구조체(20), 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151) 및 제2범프(152)를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 도1 및 도2와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 5, a light emitting device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 10, a light emitting structure 20, a first electrode 52, a second electrode 54, a first bump 151, And two bumps 152 as shown in FIG. In the present embodiment, a description overlapping with FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도5에서 제1범프(151)와 제2범프(152)는 소정의 간격을 가지고 상호간 이격하여 제1전극(52)과 제2전극(54)상에 배치되어 있다. 제1범프(151)와 제2범프(152)의 길이는 각각 제1전극(52)과 제2전극(54)보다 ?게 형성되어 있으며, 제1범프(151)와 제2범프(152)의 사이에는 비접합 영역(171)이 배치되어 있다. 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)에는 비선형 임피던스 특성을 포함하는 제1영역(31)이 배치되어 있다. 제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에서 오믹 접합층(30)의 전 영역에 배치되어 있다. 도5에서 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151), 제2범프(152), 제1영역(31)의 측면이 수직면으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다.In FIG. 5, the first bump 151 and the second bump 152 are disposed on the first electrode 52 and the second electrode 54 with a predetermined distance therebetween. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152 are formed to be shorter than those of the first electrode 52 and the second electrode 54. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152, A non-junction region 171 is disposed between the non-junction regions. A first region 31 including a nonlinear impedance characteristic is disposed on the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is arranged in the entire region of the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. Although the side surfaces of the first electrode 52, the second electrode 54, the first bump 151, the second bump 152, and the first region 31 are shown as vertical planes in FIG. 5, Do not.

도6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도6을 참조하면 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 소자는 기판(10), 발광 구조체(20), 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151) 및 제2범프(152)를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 도1 및 도2와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention. 6, a light emitting device according to another embodiment of the present invention includes a substrate 10, a light emitting structure 20, a first electrode 52, a second electrode 54, a first bump 151, And two bumps 152 as shown in FIG. In the present embodiment, a description overlapping with FIGS. 1 and 2 will be omitted.

도6에서 제1범프(151)와 제2범프(152)는 소정의 간격을 가지고 상호간 이격하여 제1전극(52)과 제2전극(54)상에 배치되어 있다. 제1범프(151)와 제2범프(152)의 길이는 각각 제1전극(52)과 제2전극(54)보다 ?게 형성되어 있으며, 제1범프(151)와 제2범프(152)의 사이에는 비접합 영역(171)이 배치되어 있다. 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에 있는 오믹 접합층(30)에는 비선형 임피던스 특성을 포함하는 제1영역(31)이 배치되어 있다. 제1영역(31)은 비접합 영역(171)과 동일 수직선상에서 오믹 접합층(30)의 일부 영역에 배치되어 있다. 제1영역(31)은 오믹 접합층(30) 상에서 제1반도체층에 인접한 영역에 배치되어 있다. 도6에서 제1전극(52), 제2전극(54), 제1범프(151), 제2범프(152), 제1영역(31)의 측면이 수직면으로 도시되어 있지만 반드시 이에 한정되지는 않는다.In FIG. 6, the first bump 151 and the second bump 152 are disposed on the first electrode 52 and the second electrode 54 with a predetermined distance therebetween. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152 are formed to be shorter than those of the first electrode 52 and the second electrode 54. The lengths of the first bump 151 and the second bump 152, A non-junction region 171 is disposed between the non-junction regions. A first region 31 including a nonlinear impedance characteristic is disposed on the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is disposed on a part of the ohmic contact layer 30 on the same vertical line as the non-junction region 171. The first region 31 is disposed on the ohmic contact layer 30 in the region adjacent to the first semiconductor layer. Although the side surfaces of the first electrode 52, the second electrode 54, the first bump 151, the second bump 152, and the first region 31 are shown as vertical planes in FIG. 6, Do not.

도7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다. 도7을 참조하면 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 서브 마운트 및 발광 소자를 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서 도1 및 도2와 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may include a submount and a light emitting device. In the present embodiment, a description overlapping with FIGS. 1 and 2 will be omitted.

서브 마운트는 몸체(110), 제1금속층(115), 제2금속층(116), 반사층(130), 제3전극(122), 제4전극(124)을 포함하여 구성될 수 있다.The submount may include a body 110, a first metal layer 115, a second metal layer 116, a reflective layer 130, a third electrode 122, and a fourth electrode 124.

서브마운트(400)는 제1 범프(151) 및 제2 범프(152) 아래에 배치된다. 서브 마운트의 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PolyPhthal Amide, PPA), 액정 고분자(Liquid Crystal Polymer, LCP), 폴리아미드9T(PolyAmide9T, PA9T), 등과 같은 수지, 금속, 감광성 유리(photo sensitive glass), 사파이어, 세라믹, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board) 등을 포함할 수 있다. 그러나 실시 예에 따른 서브 마운트의 몸체(110)가 이러한 물질로 한정되는 것은 아니다.The submount 400 is disposed below the first bump 151 and the second bump 152. The body 110 of the submount is made of resin such as polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T (PA9T), metal, photo sensitive glass, , Sapphire, ceramics, a printed circuit board (PCB), and the like. However, the body 110 of the submount according to the embodiment is not limited to such a material.

제1 금속층(115) 및 제2 금속층(116)은 몸체(110) 상면에 서로 이격하여 배치된다. 여기서 몸체(110)의 상면은 발광 소자(300)에 대향하는 면일 수 있다.The first metal layer 115 and the second metal layer 116 are spaced apart from each other on the upper surface of the body 110. Here, the upper surface of the body 110 may be a surface facing the light emitting device 300.

제1 금속층(115)과 제1 범프(151)는 서로 수직 방향으로 정렬되고, 제2 금속층(116)과 제2 범프(152)는 서로 수직 방향으로 정렬될 수 있다. 여기서 수직 방향은 몸체(110)로부터 발광 소자(300)로 향하는 방향일 수 있다.The first metal layer 115 and the first bump 151 may be aligned in a direction perpendicular to each other and the second metal layer 116 and the second bump 152 may be aligned in a direction perpendicular to each other. Here, the vertical direction may be a direction from the body 110 to the light emitting device 300.

제1 금속층(115) 및 제2 금속층(116)은 전도성 금속, 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 로듐(Rh)일 수 있다.The first metal layer 115 and the second metal layer 116 may be a conductive metal such as aluminum (Al) or rhodium (Rh).

반사층(130)은 제1 금속층(115), 제2 금속층(116), 및 몸체(110)의 상면을 덮는다. 반사층(130)은 발광 소자로부터 입사하는 빛을 반사시킨다.The reflective layer 130 covers the top surface of the first metal layer 115, the second metal layer 116, and the body 110. The reflective layer 130 reflects light incident from the light emitting device.

반사층(130)은 제1 금속층(115) 및 제2 금속층(116) 각각의 상면과 측면을 덮고, 제1 금속층(115)과 제2 금속층(116) 사이의 몸체(110) 부분을 덮는다.The reflective layer 130 covers the upper surface and side surfaces of the first metal layer 115 and the second metal layer 116 and covers a portion of the body 110 between the first metal layer 115 and the second metal layer 116.

반사층(130)은 굴절률이 서로 다른 적어도 두 개의 층을 적어도 1회 이상 교대로 적층한 복층 구조를 가지는 분산 브래그 반사층(Distributed Bragg Reflective layer)일 수 있으며, 발광 소자(300)로부터 입사되는 빛을 반사시킨다. 즉 반사층(130)은 굴절률이 상대적으로 큰 제1 층 및 굴절률이 상대적으로 낮은 제2 층이 교대로 적층된 구조일 수 있다.The reflective layer 130 may be a distributed Bragg reflective layer having a multilayer structure in which at least two layers having different refractive indexes are alternately stacked at least once. The reflective layer 130 may reflect light incident from the light- . That is, the reflective layer 130 may have a structure in which a first layer having a relatively high refractive index and a second layer having a relatively low refractive index are alternately stacked.

제1 층은 TiO2와 같은 제1 유전체층을 포함하며, 제2 층은 SiO2와 같은 제2 유전체층을 포함할 수 있다. 예컨대, 반사층(130)은 TiO2/SiO2층이 적어도 1회 이상 적층된 구조일 수 있다. 또한 분산 브래그 반사층은 제1 금속층(115) 및 제2 금속층(116)이 산화되는 것을 방지할 수 있다. 그리고 제1층 및 제2층 각각의 두께는 λ/4이고, λ은 발광 소자에서 발생하는 광의 파장을 의미한다.The first layer comprises a first dielectric layer, such as TiO 2, the second layer may include a second dielectric layer such as SiO 2. For example, the reflective layer 130 may have a structure in which a TiO 2 / SiO 2 layer is laminated at least once. Also, the dispersion Bragg reflection layer can prevent the first metal layer 115 and the second metal layer 116 from being oxidized. The thickness of each of the first and second layers is? / 4, and? Means the wavelength of light generated in the light emitting device.

제3 전극(122)은 반사층(130)을 관통하여 제1 금속층(115)과 접촉하고, 제4 전극(124)은 반사층(130)을 관통하여 제2 금속층(116)과 접촉할 수 있다.The third electrode 122 may be in contact with the first metal layer 115 through the reflective layer 130 and the fourth electrode 124 may be in contact with the second metal layer 116 through the reflective layer 130.

제3 전극(122)은 제1 금속층(115) 상에 배치되고, 하면이 제1 금속층(115)과 접촉하며, 상면이 반사층(130)으로부터 노출될 수 있다.The third electrode 122 may be disposed on the first metal layer 115 and the lower surface may contact the first metal layer 115 and the upper surface may be exposed from the reflective layer 130.

제4 전극(124)은 제2 금속층(116) 상에 배치되고, 하면이 제2 금속층(116)과 접촉하며, 상면이 반사층(130)으로부터 노출될 수 있다.The fourth electrode 124 may be disposed on the second metal layer 116 and the bottom surface may contact the second metal layer 116 and the top surface may be exposed from the reflective layer 130.

발광 소자(300)의 범프(151, 152)는 와이어 본딩, 공융 본딩(eutectic bondng)등 다양한 방식을 통하여 서브 마운트의 접착층(143, 154)에 연결되어 서브 마운트에 실장될 수 있다.The bumps 151 and 152 of the light emitting device 300 may be connected to the adhesive layers 143 and 154 of the submount through various methods such as wire bonding and eutectic bonding to be mounted on the submount.

도8은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 동작 전압 특성 그래프이다. 도8에서 사각형 마크가 표시된 선은 와이어 스터드 범프(stud bump)방식을 사용한 발광 소자 패키지의 동작 전압 특성이고, 원형 마크가 표시된 선은 공융 본딩방식을 사용한 발광 소자 패키지의 동작 전압 특성이고, 삼각형 마크가 표시된 선은 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 동작 전압 특성이다. 그래프를 보면 와이어 스터드 범프 방식의 경우 공융 본딩 방식에 비하여 서브마운트와 범프 사이의 접촉 면적이 좁기 때문에 열방출 효율이 낮아 동작 전압이 환경 온도에 따라 급격하게 감소되는 것을 확인할 수 있다.8 is a graph showing the operating voltage characteristics of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. In FIG. 8, a line marked with a square mark is an operating voltage characteristic of a light emitting device package using a wire stud bump method, a line marked with a circle mark is an operating voltage characteristic of a light emitting device package using a eutectic bonding method, Is an operating voltage characteristic of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention. In the graph, the contact area between the submount and the bump is narrower than that of the eutectic bonding method in the case of the wire stud bump method. Therefore, it is confirmed that the operating voltage is drastically reduced according to the environmental temperature because the heat emission efficiency is low.

본 발명의 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 초기 동작 전압 특성은 공융 본딩 방식에 비하여 다소 크게 나타나지만, 동작 전압 특성이 주변 환경 온도에 거의 영향을 받지 않는 것을 확인할 수 있다. 이러한 효과는 발광소자의 동작시 주요 발열부에 해당하는 비접합 영역을 비선형 임피던스 특성을 가지는 영역으로 대체하여 발광에 기여하지 않게 함으로써 발열 특성이 개선되었기 때문에 나타난다.The initial operating voltage characteristic of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention is somewhat larger than that of the eutectic bonding method, but it can be confirmed that the operating voltage characteristic is hardly affected by the ambient temperature. Such an effect appears because the non-junction region corresponding to the main heating portion is replaced with the region having the nonlinear impedance characteristic during the operation of the light emitting element, and the heat generation characteristic is improved by not contributing to light emission.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 제조방법의 흐름도이다.9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 9a를 참조하면, 기판(10)상에 발광 구조체(20)를 형성한다. 발광 구조체(20)는 제2반도체층(26), 활성층(24), 및 제1반도체층(22)을 순차적으로 형성한다.First, referring to FIG. 9A, a light emitting structure 20 is formed on a substrate 10. The light emitting structure 20 sequentially forms the second semiconductor layer 26, the active layer 24, and the first semiconductor layer 22.

여기서 기판(10)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 대해 한정되지는 않는다. 기판(S)은 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.Here, the substrate 10 may be formed of at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. The substrate S may have a mechanical strength enough to separate into a separate chip through a scribing process and a breaking process without causing a warp in the nitride semiconductor.

이후, 도 9b와 같이 오믹 접합층(30) 상에 제1영역(31)을 배치한다. 제1영역(31)은 오믹 접합층(30)상에 덮여 씌워지거나 또는 오믹 접합층(30)형성 전에 배치될 수 있다. Thereafter, the first region 31 is disposed on the ohmic contact layer 30 as shown in FIG. 9B. The first region 31 may be covered on the ohmic contact layer 30 or disposed before the ohmic contact layer 30 is formed.

이후 도9c와 같이 발광 구조체(20)에 콘택홀(H)을 형성하고, 발광 구조체(20)의 외면에 보호층(210)을 형성한다. 콘택홀(H)의 내측은 보호층(210)에 의해 제1반도체층(22) 및 활성층(24)과 절연된다.A contact hole H is formed in the light emitting structure 20 and a protective layer 210 is formed on the outer surface of the light emitting structure 20 as shown in FIG. The inside of the contact hole H is insulated from the first semiconductor layer 22 and the active layer 24 by the protective layer 210.

이후, 도 9d와 같이 제1반도체층(22)과 접속되는 제1전극(52), 및 제1반도체층(22)과 접촉되는 제2전극(54)을 형성한다. 전극은 전극용 물질층을 도금 형성한 후 패터닝할 수 있다. 전극용 물질은 전도성이 우수한 Cu, Ag 등을 포함할 수 있다.9D, a first electrode 52 connected to the first semiconductor layer 22 and a second electrode 54 contacting the first semiconductor layer 22 are formed. The electrode can be patterned after plating the electrode material layer. The electrode material may include Cu, Ag or the like having excellent conductivity.

이후, 도 9e와 같이 제1전극(52)상에 형성되는 제1패드(151), 및 제2전극(54)상에 형성되는 제2패드(152)를 형성한다. 제1패드(151) 및 제2패드(152)는 제1전극(52)과 동일한 재질일 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 9E, a first pad 151 formed on the first electrode 52 and a second pad 152 formed on the second electrode 54 are formed. The first pad 151 and the second pad 152 may be made of the same material as the first electrode 52.

이후, 제1패드(151) 및 제2패드(152)가 형성된 발광소자의 일면에 지지층(170)을 충전한 후 경화시킨다. 지지층(170)은 제1패드(151)와 제2패드(152)의 사이, 제1전극(52)과 제2전극(54)의 측면, 및 발광구조물의 측면에 적어도 일부가 형성될 수 있다.Then, the supporting layer 170 is filled on one surface of the light emitting device having the first pad 151 and the second pad 152, and is then cured. The support layer 170 may be formed at least partially between the first pad 151 and the second pad 152, the side surfaces of the first electrode 52 and the second electrode 54, and the side surface of the light emitting structure .

이후 도 9f와 같이, 기판을 제거하고, 발광 구조체(20), 제1전극(52), 제2전극(54), 제1패드(151), 제2패드(152) 중 적어도 일부에 광학층(190)을 형성하여 발광소자 패키지를 제작할 수 있다. 광학층(190)은 파장변환체를 포함할 수 있다. 기판은 소정의 파장을 갖는 레이저를 조사하여 분리할 수 있다. 기판은 레이저 리프트 오프 공법(LLO)으로 제거될 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.9F, the substrate is removed, and at least a part of the light emitting structure 20, the first electrode 52, the second electrode 54, the first pad 151, and the second pad 152, A light emitting device package 190 may be formed. The optical layer 190 may include a wavelength converter. The substrate can be separated by irradiating a laser having a predetermined wavelength. The substrate may be removed by a laser lift off method (LLO), but is not necessarily limited thereto.

본 도면에서는 하나의 발광소자만을 도시하였으나, 하나의 기판에 복수 개의 발광소자를 연속적으로 형성한 후 복수 개로 분리하는 웨이퍼 레벨 패키지로 제작할 수도 있다.Although only one light emitting element is shown in this figure, it may be manufactured as a wafer level package in which a plurality of light emitting elements are continuously formed on one substrate and then separated into a plurality of light emitting elements.

본 발명에 따른 발광소자는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting devices according to the present invention may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on the light path of the light emitting device package. The light emitting device package, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또한, 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치로 구현될 수 있다.Further, the display device, the indicating device, and the lighting device including the light emitting device package can be realized.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module for emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflector for guiding light emitted from the light emitting module forward, An image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; and a color filter disposed in front of the display panel, . Here, the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다.In addition, the illumination device may include a light source module including a substrate and a light emitting device package according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and a power supply unit for processing or converting an electric signal provided from the outside, . For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a streetlight.

해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp includes a light emitting module including light emitting device packages disposed on a substrate, a reflector for reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, a lens for refracting light reflected by the reflector forward And a shade that reflects off or reflects a portion of the light reflected by the reflector and directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 기판
20: 발광 구조체
22: 제1반도체층
24: 활성츠
26: 제2반도체층
30: 오믹 접합층
52: 제1전극
54: 제2전극
151: 제1범프
152: 제2범프10: substrate
20: light emitting structure
22: first semiconductor layer
24: Activation
26: second semiconductor layer
30: Ohmic bonding layer
52: first electrode
54: Second electrode
151: First bump
152: second bump

Claims (11)

발광 구조체;
상기 발광 구조체와 전기적으로 접촉하는 전극층을 포함하고,
상기 발광 구조체에는 상기 전극층을 통하여 서브마운트와 접합하지 않는 비접합 영역 상에 비선형 임피던스(non-ohmic)특성을 포함하는 제1영역이 배치되는 발광 소자.
A light emitting structure;
And an electrode layer in electrical contact with the light emitting structure,
Wherein the first region including a non-ohmic characteristic is disposed on the non-junction region that is not bonded to the sub-mount through the electrode layer.
제1항에 있어서,
상기 발광 구조체는 제1 반도체층과 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 상기 전극층은 상기 제1 반도체층과 제2반도체층에 각각 전기적으로 접하는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, wherein the electrode layer is electrically connected to the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, The first electrode and the second electrode being in contact with each other.
제2항에 있어서,
상기 제1전극 및 제2전극 상에는 소정 간격 이격하여 제1범프와 제2범프가 각각 배치되어 상기 서브마운트의 전극과 접하는 발광 소자.
3. The method of claim 2,
And a first bump and a second bump are disposed on the first electrode and the second electrode, respectively, and are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are in contact with the electrodes of the submount.
제3항에 있어서,
상기 비접합 영역은 상기 제1범프와 제2범프 사이의 이격된 영역을 포함하는 발광 소자.
The method of claim 3,
Wherein the non-junction region comprises a spaced-apart region between the first bump and the second bump.
제4항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 비접합 영역과 동일 수직선상에 배치되는 발광 소자.
5. The method of claim 4,
And the first region is disposed on the same vertical line as the non-junction region.
제5항에 있어서,
상기 제1영역의 길이는 상기 비접합 영역의 길이와 동일하거나 짧은 발광 소자.
6. The method of claim 5,
And the length of the first region is equal to or shorter than the length of the non-junction region.
제3항에 있어서,
상기 제1전극 및 제2전극 상에는 중간층이 배치되며, 상기 중간층이 개방된은 부분을 통하여 상기 제1범프와 제2범프는 각각 상기 제1전극과 제2전극에 접하는 발광 소자.
The method of claim 3,
Wherein an intermediate layer is disposed on the first electrode and the second electrode, and the first bump and the second bump contact the first electrode and the second electrode, respectively, through a silver portion with the intermediate layer opened.
제1항에 있어서,
상기 발광 구조체는 상기 전극층과의 접합면에 배치되는 오믹 접합층을 포함하며, 상기 제1영역은 상기 오믹 접합층에 배치되는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting structure includes an ohmic contact layer disposed on a bonding surface with the electrode layer, and the first region is disposed on the ohmic contact layer.
제8항에 있어서,
상기 제1영역은 p형 반도체층의 오믹 접합층에 배치되는 발광 소자.
9. The method of claim 8,
And the first region is disposed in the ohmic contact layer of the p-type semiconductor layer.
제1항에 있어서,
상기 제1영역은 산화물, 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함하여 구성되는 발광 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first region comprises at least one of an oxide, a nitride, and a metal.
청구항 제1항 내지 제10항에 따른 발광 소자 및 서브마운트를 포함하는 발광소자 패키지.A light emitting device package comprising the light emitting device and the submount according to any one of claims 1 to 10.
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