KR20160122953A - Wafer treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a wafer treatment apparatus. The wafer treatment apparatus comprises: a polishing surface plate in which a chemical mechanical polishing process is performed; a wafer carrier moving in a state in which a wafer is retained such that the chemical mechanical polishing process is performed with respect to the wafer on the polishing surface plate; a transfer unit receiving the wafer on which the chemical mechanical polishing process is performed from the wafer carrier, and rotating the wafer so as to be erected; a wafer transfer tool receiving the wafer from the transfer unit, and transferring the wafer in an erected state; and two or more cleaning modules cleaning the wafer transferred by the wafer transfer tool in multistages. The wafer treatment apparatus can allow a wafer to be cleaned by the two or more cleaning modules while being transferred in an erected state by the wafer transfer tool, thereby configuring a compact arrangement structure in which the chemical mechanical polishing process and the cleaning process are performed, removing a waiting time in the cleaning process, and minimizing the possibility of damage to a wafer by minimizing a moving distance thereof.

Description

웨이퍼 처리 장치 {WAFER TREATMENT APPARATUS}[0001] WAFER TREATMENT APPARATUS [0002]

본 발명은 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 크기가 대직경 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 설비를 정해진 공간 내에 설치하면서 처리 효율을 향상시키고 작동 오류를 최소화하는 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing apparatus, and more particularly, to a wafer processing apparatus which improves a processing efficiency and minimizes an operational error while installing a facility in which a chemical mechanical polishing process of a large- .

반도체 소자를 제조하는 데에는 매우 복잡하고 다양한 공정을 거치게 된다. 이 가운데, 웨이퍼의 집적도를 향상시키기 위해서는 반도체 소자가 다수 안착되는 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정이 필요하다. The fabrication of semiconductor devices is very complicated and involves various processes. In order to improve the degree of integration of wafers, there is a need for a chemical mechanical polishing process and a cleaning process for wafers on which a large number of semiconductor devices are mounted.

화학기계적 연마(CMP) 공정은 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는 공정이다.The chemical mechanical polishing (CMP) process is widely used for planarization to remove the height difference between the cell area and the peripheral circuit area due to the irregularities of the wafer surface generated by repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process, Polishing the surface of the wafer in order to improve the surface roughness of the wafer due to contact / wiring film separation and highly integrated elements.

화학 기계적 연마 공정은 웨이퍼의 구리, 산화물층 등의 증착면이 일정 두께에 도달하도록 평탄화하는 공정인데, 연마 입자나 슬러리 등이 연마면에 묻게 되어, 연마면의 세정 공정은 매우 중요하다.The chemical mechanical polishing process is a process of planarizing the deposition surface of copper, oxide layer, etc. of the wafer so as to reach a certain thickness. Since abrasive particles, slurry, etc. are deposited on the polishing surface, the cleaning process of the polishing surface is very important.

도1에 도시된 종래의 웨이퍼 처리 장치(1)는, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 영역(X1)에 배치된 다수의 연마 정반(P)으로 핸들러(20)에 의해 이동시켜 웨이퍼(W)의 화학 기계적 연마 공정을 행하고, 그 다음에 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼(W)를 적치 공간(55)으로 이동(55)시킨다. 그러면, 적치 공간(55)에서 대기하는 웨이퍼(W)를 그리퍼(Gr)로 집어, 그립퍼(Gr)가 정해진 이송 레일(Rx)을 따라 이동(99d)하면서 그립퍼(Gr)에 파지된 웨이퍼(W)를 세정 영역(X2)에 배치된 다수의 세정 모듈(C1, C2, C3)에서 세정, 헹굼, 건조 공정을 거치도록 구성된다.The conventional wafer processing apparatus 1 shown in Fig. 1 is moved by a handler 20 to a plurality of polishing platens P arranged in a polishing region X1 where a chemical mechanical polishing process is performed, And then the wafer W subjected to the chemical mechanical polishing process is moved (55) to the chucking space 55. The wafer W waiting in the fixed space 55 is picked up by the gripper Gr and the wafer W held on the gripper Gr while the gripper Gr is moved along the predetermined transfer rail Rx Is subjected to cleaning, rinsing and drying processes in a plurality of cleaning modules (C1, C2, C3) arranged in the cleaning area X2.

그러나, 도1에 도시된 웨이퍼 처리 장치(1)는 핸들러(20)에 의하여 연마 정반(P)으로 웨이퍼(W)를 이송하면서 화학 기계적 연마 공정이 행해지므로, 단위 시간당 처리 효율이 낮은 문제가 있었다. 이 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 직경이 커지면, 연마 정반의 크기가 커져야 하고, 이에 따라 수평 이송되는 세정 모듈(C1, C2, C3)의 크기도 커져야 하므로, 종래의 웨이퍼 처리 장치(1)가 차지하였던 공간에 대직경 웨이퍼의 처리 공정을 위한 설비를 설치하는 것이 불가능한 문제도 있었다. However, since the chemical mechanical polishing process is performed while the wafer W is transferred to the polishing platen P by the handler 20, the wafer processing apparatus 1 shown in Fig. 1 has a problem of low processing efficiency per unit time . In addition, the larger the diameter of the wafer W, the larger the size of the polishing platen, and therefore the size of the cleaning modules C1, C2, and C3, which are horizontally transported, There is a problem that it is impossible to install a facility for processing a large diameter wafer in a space occupied by the wafer.

이 뿐만 아니라, 개별적으로 웨이퍼를 이송하여 각각의 세정 모듈(C1, C2, C3)에서 공정이 진행되므로, 상대적으로 오랜 시간이 소요되는 건조 공정에 의해 세정 공정을 마친 웨이퍼가 진행하지 못하고 대기하여야 하므로 전체적인 공정 효율이 낮아지는 문제가 있었다.
In addition, since the wafer is transferred individually and the process proceeds in each of the cleaning modules C1, C2, and C3, the wafer that has been subjected to the cleaning process can not advance due to the drying process that takes a relatively long time, There is a problem that the overall process efficiency is lowered.

한편, 종래의 다른 형태의 웨이퍼 처리 장치(2)는 도1의 장치(1)를 개량한 것으로, 웨이퍼(W)의 이송을 핸들러(20)에 의하면 처리 효율이 저하되므로, 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 개시된 도2에서와 같이, 다수의 레일(R, R')로 이루어진 순환형 경로(55d)를 따라 웨이퍼(W)를 파지하는 웨이퍼 캐리어(C)가 이동하면서, 웨이퍼 캐리어(C)의 이동 경로 상에 배치된 연마 정반(P)에서 화학 기계적 연마 공정을 행하도록 구성된다. 1, the processing efficiency is lowered by the handler 20 in the transfer of the wafer W. Therefore, the wafer processing apparatus 2 of the above- The wafer carrier C holding the wafer W along the circulating path 55d consisting of a plurality of rails R and R 'moves as shown in Fig. C on the polishing surface (P) disposed on the movement path of the polishing pad (C).

즉, 웨이퍼 캐리어(C)는 로딩/언로딩 유닛(LUU)에서 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 제1레일(R)과 제2레일(R')로 연결되는 순환형 경로(55d)를 따라 이동한다. 여기서, 제1레일(R)에서는 웨이퍼 캐리어(C)가 직접 레일을 따라 이동하고, 제2레일(R')에서는 캐리어 홀더(H)와 함께 웨이퍼 캐리어(C)가 이동한다. That is, the wafer carrier C includes a circulating path 55d connected to the first rail R and the second rail R 'with the wafers W mounted thereon in the loading / unloading unit LUU Move along. Here, in the first rail R, the wafer carrier C directly moves along the rail, and in the second rail R ', the wafer carrier C moves together with the carrier holder H.

이와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 처리 장치(2)에서는 웨이퍼(W)가 순환형 경로(55d)를 따라 이동함에 따라, 연마 정반(P)에서 중단없이 웨이퍼(W)의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 잇점을 얻을 수 있다. 그러나, 도1에 도시된 바와 유사하게 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 타측(도2의 오른편)에 세정 모듈이 배치됨에 따라, 웨이퍼(W)는 로딩/언로딩 유닛(LUU)에서 탑재되어 화학 기계적 연마 공정을 행하고, 연마 정반(P)에서 화학 기계적 연마 공정을 마친 웨이퍼(W)가 웨이퍼 캐리어(C)에 탑재된 상태로 로딩/언로딩 유닛(LUU)으로 되돌아와야 하므로, 연마 공정을 마친 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩 유닛(LUU)으로 되돌아오는 경로에서 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 오류를 야기하는 문제가 있었다. In the conventional wafer processing apparatus 2 configured as described above, the advantage that the chemical mechanical polishing process of the wafer W is performed without interruption in the polishing platen P as the wafer W moves along the circulating path 55d Can be obtained. However, similar to that shown in Fig. 1, as the cleaning module is disposed on the other side (the right side in Fig. 2) where the chemical mechanical polishing process is performed, the wafer W is loaded in the loading / unloading unit LUU, Since the polishing process is performed and the wafer W having undergone the chemical mechanical polishing process in the polishing platen P is returned to the loading / unloading unit LUU in a state of being mounted on the wafer carrier C, There has been a problem that the wafer W is dropped on the path where the wafer W is returned to the loading / unloading unit LUU to cause an error.

마찬가지로, 웨이퍼의 크기가 더 커지면 전체적으로 처리 장치(2)의 폭(도2에서 높이)이 더 커져야 하므로, 기존의 설치 공간에서는 설치를 할 수 없는 문제가 있었다.
Similarly, when the size of the wafer is larger, the width (height in FIG. 2) of the processing apparatus 2 as a whole has to be larger, so that the installation can not be performed in the existing installation space.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 대직경 웨이퍼에 대해서도 생산 현장에서 차지하는 종래의 설비 공간에 웨이퍼 처리 장치를 배치할 수 있는 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus capable of placing a wafer processing apparatus in a conventional facility space occupied in a production site even for a large diameter wafer.

또한, 본 발명은 단위 웨이퍼가 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정을 거치는 데 필요한 경로를 최소화하는 것을 목적으로 한다.The present invention also aims at minimizing the path necessary for the unit wafer to undergo a chemical mechanical polishing process and a cleaning process.

그리고, 본 발명은 한꺼번에 다수의 웨이퍼에 대한 건조 공정이 행해져, 상대적으로 소요 시간이 긴 건조 공정에 의해 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 세정 공정 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다. It is another object of the present invention to improve the efficiency of the cleaning process of a wafer in which a drying process is performed on a plurality of wafers at the same time and a chemical mechanical polishing process is performed by a drying process that takes a relatively long time.

또한, 본 발명은 웨이퍼의 세정 공정 중에 웨이퍼를 세워서 이동하고, 세워서 세정하여 콤팩트한 배치 구조를 구현하는 것을 목적으로 한다. It is another object of the present invention to realize a compact arrangement structure by lifting and moving a wafer during a cleaning process of a wafer and cleaning it by standing up.

그리고, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정을 위하여 웨이퍼를 탑재한 상태로 이송되는 거리를 최소화하여, 웨이퍼의 이동 중에 낙하하는 것에 의해 불량이 발생되는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to minimize the distance to be transferred in a state in which a wafer is mounted for a chemical mechanical polishing process and to prevent defects from being caused by falling during movement of the wafer.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 정반과; 상기 연마 정반에서 상기 웨이퍼에 대하여 상기 화학 기계적 연마 공정이 행해지도록 웨이퍼를 보유한 상태로 이동하는 웨이퍼 캐리어와; 상기 화학 기계적 연마 공정이 행해진 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 전달받아 세워진 자세가 되게 회전시키는 전달 유닛과; 상기 전달 유닛에서 웨이퍼를 전달받아 세워진 상태로 이송하는 웨이퍼 이송 기구와; 상기 웨이퍼 이송 기구에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 다단계로 세정하는 2개 이상의 세정 모듈을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a polishing apparatus comprising: a polishing platen on which a chemical mechanical polishing process is performed; A wafer carrier moving in a state of holding the wafer such that the chemical mechanical polishing process is performed on the wafer in the polishing platen; A transfer unit for transferring the wafer subjected to the chemical mechanical polishing process from the wafer carrier to rotate the wafer in a standing posture; A wafer transfer mechanism for transferring the wafer from the transfer unit to a standing state; Two or more cleaning modules for cleaning the wafer transferred by the wafer transfer mechanism in multiple steps; And a wafer processing apparatus including the wafer processing apparatus.

이와 같이, 본 발명은, 연마 정반에서 수평인 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해진 이후에, 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼를 넘겨받은 전달 유닛이 대략 90도만큼 회전시켜 웨이퍼가 세워진 자세가 되게 한 이후에, 웨이퍼 이송 기구에 의해 웨이퍼를 세워진 상태로 이송하면서 세정 모듈에서 세정되게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정이 행해지는 배치 구조를 콤팩트하게 구성하는 것이 가능해진다.
As described above, according to the present invention, after the chemical mechanical polishing process is performed in a horizontal state in the polishing platen, after the transfer unit, which has been transferred from the wafer carrier, is rotated by about 90 degrees to bring the wafer into a standing posture, It is possible to compactly arrange the arrangement structure in which the chemical mechanical polishing process and the cleaning process are performed by causing the cleaning module to clean the wafer while being transported in a standing state by the transfer mechanism.

무엇보다도, 상기 세정 모듈 중 어느 하나는 2개 이상의 웨이퍼를 세로로 적치하는 보유 챔버를; 더 포함하여 구성되어, 상기 세정 모듈이 행해진 상기 웨이퍼가 상기 보유 챔버에 적치되면서 대기한다. 그리고, 상기 보유 챔버에는 2개 이상의 웨이퍼를 적치시키는 적치대를 구비하고, 상기 적치대를 회전시키는 것에 의하여 상기 적치대에 적치된 2개 이상의 웨이퍼를 동시에 세정 공정과, 헹굼 공정과, 건조 공정 중 어느 하나 이상을 행하게 구성된다.Above all, one of the cleaning modules comprises a holding chamber for vertically stacking two or more wafers; And the wafer waiting for the cleaning module is placed in the holding chamber. The holding chamber is provided with an enemy tooth to which two or more wafers are mounted, and two or more wafers mounted on the teeth are simultaneously cleaned, rinsed, and dried It is configured to perform one or more than one.

이와 같이, 한번에 2개 이상의 웨이퍼를 적치해두고 한꺼번에 건조 공정 등을 행함에 따라, 다른 세정 모듈에서의 세정에 소요되는 시간을 보다 더 확보할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. As described above, two or more wafers are stacked at one time and a drying process or the like is performed all at once, thereby obtaining an advantageous effect that a time required for cleaning in another cleaning module can be further secured.

그리고, 상기 적치대는 90도 회전하여 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 회전하는 것에 의하여 다수의 웨이퍼를 동시에 건조시키는 건조 공정이 행해지게 할 수 있다. Then, the table is rotated by 90 degrees, and the wafer is rotated in a horizontal state, so that a drying process for simultaneously drying a plurality of wafers can be performed.

이 때, 상기 적치대는 상기 웨이퍼를 거치하는 안착부가 구비되어, 상기 웨이퍼 이송 기구로부터 이송되는 웨이퍼를 상기 적치대의 입구를 통해 상기 안착부에 하나씩 거치시킨 상태에서, 상기 입구를 개폐하는 덮개가 닫히면, 상기 덮개에 형성된 안착 슬릿에 의해 상기 웨이퍼의 위치가 고정되게 구성될 수 있다.At this time, when the lid for opening and closing the inlet is closed in a state that the wafer placed from the wafer transfer mechanism is mounted one by one to the mounting portion through the entrance of the mounting table, And the position of the wafer can be fixed by the positioning slit formed in the cover.

이에 의해 다수의 웨이퍼가 세워진 상태로 적치대에 수용되면서 덮개가 닫히면서 적치대 내에서 웨이퍼가 요동하지 않고 하나의 자리에 위치 고정되며, 이를 통해, 적치대를 회전시키면서 건조 공정을 원활히 수행할 수 있게 된다. As a result, when the lid is closed while the plurality of wafers are held in the erected state, the wafer is fixed at one position without being rocked in the red teeth, and the drying process can be smoothly performed .

한편, 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서 상면에는 에어 필터가 형성되어, 상측에서의 공기 유동을 허용할 수 있게 구성될 수 있다. 이에 의하여 최상측의 웨이퍼의 건조 효율을 높일 수 있다. On the other hand, an air filter is formed on the upper surface at a position where the wafer is horizontally rotated so that airflow from the upper side can be allowed. Thus, the drying efficiency of the uppermost wafer can be increased.

그리고, 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서, 상기 웨이퍼의 가장자리에 유체 분출공이 형성되어, 적치대가 회전하면서 웨이퍼로부터 튀는 액체가 유체 분출공을 통해 외부로 배출될 수 있게 된다. A fluid jetting hole is formed at an edge of the wafer at a position where the wafer is horizontally rotated, so that the liquid spouting from the wafer can be discharged to the outside while the jetting unit rotates.

그리고, 웨이퍼가 수평인 상태로 위치하면, 상하 방향으로 배치된 다수의 웨이퍼의 사이에 물튐 방지 커버가 배치되어, 상측 웨이퍼로부터 튀긴 액체가 하측 웨이퍼에 묻지 않고 유체 분출공을 통해 외부로 배출되게 한다. 이를 통해, 다수의 웨이퍼를 동시에 건조시키더라도 건조 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. When the wafer is placed in a horizontal state, a dust prevention cover is disposed between a plurality of wafers arranged in the vertical direction, so that liquid splashed from the upper wafer is discharged to the outside through the fluid spout hole without being buried in the lower wafer . This makes it possible to prevent the drying efficiency from being lowered even if a plurality of wafers are simultaneously dried.

이 때, 상기 물튐 방지 커버의 가장자리는 상기 유체 분출공으로부터 상향 경사지게 형성된 지지대에 의해 지지되어, 물튐 방지 커버의 설치를 가능하게 할 뿐만 아니라, 경사진 지지대에 의해 웨이퍼로부터 분리된 액체를 액체 분출공으로 유도하여 바깥으로 신속하게 배출시킨다. At this time, the edge of the dust-proof cover is supported by a support plate formed upwardly inclined from the fluid ejection hole to enable the installation of the dust-proof cover, and the liquid separated from the wafer by the inclined support is returned to the liquid- And discharges it quickly outward.

한편, 상기 세정 모듈은 상기 웨이퍼를 세워진 상태로 세정하게 구성된다. 이와 같은 구성은, 350mm 이상의 직경을 갖는 웨이퍼에 대한 세정 공정에 특히 유리하다. 이와 같이, 세정 모듈의 폭이 더 작아짐에 따라, 상기 연마 정반도 350mm 이상의 직경을 갖는 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 크기로 정해질 수 있다. Meanwhile, the cleaning module is configured to clean the wafer in a standing state. Such a configuration is particularly advantageous for a cleaning process for a wafer having a diameter of 350 mm or more. Thus, as the width of the cleaning module becomes smaller, the polishing table can be set to a size for carrying out a chemical mechanical polishing process of a wafer having a diameter of 350 mm or more.

상기 웨이퍼 캐리어의 이송 경로 상에 상기 연마 정반이 2개 이상 구비되어, 하나의 웨이퍼에 대하여 2단계 이상의 화학 기계적 연마 공정이 행해질 수 있다.Two or more polishing platens are provided on the transfer path of the wafer carrier so that a chemical mechanical polishing process of two or more steps can be performed on one wafer.

그리고, 상기 웨이퍼 캐리어의 연마 이송 경로와 상기 웨이퍼 이송 기구의 세정 이송 경로는 서로 평행하고, 상기 연마 이송 경로의 바깥 일측에 상기 세정 이송 경로가 위치함으로써, 웨이퍼의 이동 경로를 최소화할 수 있게 된다.The polishing and transferring path of the wafer carrier and the cleaning / transferring path of the wafer transferring mechanism are parallel to each other, and the cleaning / transferring path is located at one side of the polishing / transferring path, thereby minimizing the movement path of the wafer.

즉, 세정 이송 경로가 연마 이송 경로와 평행한 일측에 배치됨으로써, 전체적인 배치 구조를 콤팩트하게 구성할 수 있다. 무엇보다도, 상기 웨이퍼 캐리어에 상기 웨이퍼를 로딩하는 로딩 유닛은 상기 전달 유닛과 상기 연마 정반을 사이에 두고 반대측에 위치함으로써, 웨이퍼 캐리어에 탑재된 웨이퍼가 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정을 행한 이후에, 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 로딩하였던 위치로 되돌아가지 않고 곧바로 언로딩하여 세정 공정을 거칠 수 있게 되므로, 웨이퍼의 이동 경로를 단축할 수 있고, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼가 탑재된 상태로 로딩 유닛으로 되돌아오는 동안에 웨이퍼를 떨어뜨려 손상될 가능성을 미연에 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.That is, since the cleaning transfer path is disposed on one side parallel to the polishing transfer path, the overall arrangement structure can be compact. The loading unit for loading the wafer on the wafer carrier is positioned on the opposite side between the transfer unit and the polishing platen so that after the wafer mounted on the wafer carrier performs the chemical mechanical polishing process in the polishing platen, It is possible to shorten the movement path of the wafer because the wafer can be subjected to the cleaning process without unloading the wafer without returning to the position where the wafer is loaded on the wafer carrier. Thus, while returning to the loading unit with the wafer mounted on the wafer carrier, It is possible to prevent the possibility of damage due to dropping of the battery.

그리고, 상기 연마 정반과 상기 웨이퍼 캐리어는 각각 한 쌍으로 이루어져 상기 연마 이송 경로가 2열로 이루어지고, 상기 세정 모듈이 상기 연마 정반의 바깥에 각각 1열씩 대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the polishing table and the wafer carrier each comprise a pair, the polishing transfer path comprises two rows, and the cleaning module is disposed symmetrically with respect to the polishing table.

그리고, 상기 세정 모듈들 중 어느 하나 이상의 내부에는, 상기 웨이퍼가 세워진 상태로 회전 구동되면서, 상기 웨이퍼의 표면에 비접촉 방식으로 세정액을 분사하는 세정액 분사기가 설치되어, 웨이퍼가 세워진 상태로도 회전시키면서 비접촉 세정하는 것이 가능해진다.In addition, a cleaning liquid injector for spraying a cleaning liquid in a non-contact manner on the surface of the wafer while rotating the wafer in a raised state is provided in at least one of the cleaning modules, It becomes possible to clean it.

이를 위하여, 상기 웨이퍼는 회전축과 연통 회전하는 흡입 플레이트에 고정된 상태로 회전축을 회전 구동하는 구동 모터의 회전 구동력에 의하여 세워진 상태로 회전하게 구성될 수 있다. To this end, the wafer may be configured to rotate in a state erected by a rotational driving force of a driving motor for rotationally driving the rotating shaft while being fixed to a suction plate rotating in communication with the rotating shaft.

한편, 상기 세정 모듈들 중 어느 하나 이상의 내부에는, 상기 웨이퍼가 세워진 상태로 회전 구동되면서, 상기 웨이퍼의 표면에 세정 브러쉬가 회전하면서 상기 웨이퍼의 표면을 접촉 방식으로 세정하게 구성될 수도 있다.The cleaning module may be configured to clean the surface of the wafer in a contact manner while the cleaning brush rotates on the surface of the wafer while the wafer is rotated in a raised state.

한편, 상기 웨이퍼 이송기구는 상기 웨이퍼를 2군데 이상에서 접촉하여 집은 형태로 이송할 수도 있고, 웨이퍼를 2군데 이상의 하측에서 걸터놓은 그립부에서 지지하여 이송될 수 있다. On the other hand, the wafer transfer mechanism can transfer the wafer in contact with the wafer at two or more places, or can be transferred while supporting the wafer on a grip portion placed at two or more places below.

그리고, 상기 웨이퍼 캐리어는 상기 순환형 궤도로 이동하여, 로딩 유닛에서 웨이퍼를 탑재한 상태로 이동하면서 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지고 나면 전달 유닛에서 바로 웨이퍼를 언로딩하고, 다시 로딩 유닛으로 되돌아와서 새로운 웨이퍼를 탑재하는 형태로 구동될 수 있다. Then, the wafer carrier moves to the circulating track, and after the chemical mechanical polishing process is performed in the polishing table while the wafer is mounted on the loading unit, the wafer carrier is unloaded immediately from the transfer unit, And can be driven to mount a new wafer.

이 때, 상기 웨이퍼 캐리어가 상기 전달 유닛에서 웨이퍼를 언로딩 한 상태로 상기 로딩 유닛에서 웨이퍼를 로딩받기 이전에, 상기 웨이퍼 캐리어의 저면을 세정하는 세정 기구를; 더 포함하여 구성되어, 새로운 웨이퍼를 탑재하기에 앞서 웨이퍼 캐리어의 상태를 깨끗하게 유지할 수 있다.A cleaning mechanism for cleaning the bottom surface of the wafer carrier before the wafer carrier is loaded in the loading unit with the wafer unloaded from the transfer unit; So that the state of the wafer carrier can be kept clean before mounting a new wafer.

그리고, 상기 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼를 상기 전달 유닛에 전달하기 이전에, 상기 웨이퍼 캐리어에 탑재된 웨이퍼의 연마면을 세정액으로 예비 세정하는 예비 세정기를; 더 포함하여 구성되어, 웨이퍼를 집어 회전시키는 전달 유닛의 파지부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.
And a preliminary cleaner for preliminarily cleaning the polishing surface of the wafer mounted on the wafer carrier with a cleaning liquid before transferring the wafer from the wafer carrier to the transfer unit; So that it is possible to prevent the grasping portion of the transfer unit for picking up and rotating the wafer from being contaminated.

한편, 본 발명은, 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼를 건조시키는 건조기로서, 2개 이상의 웨이퍼를 세로로 적치하여 대기시키는 적치대와; 상기 적치대에 대기 중인 상기 웨이퍼에 질소 가스, 불활성 가스 중 어느 하나 이상을 공급하는 기체 공급부와; 상기 적치대를 회전시켜 상기 적치대에 위치한 2개 이상의 상기 웨이퍼를 동시에 건조시키는 회전 구동부를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조기를 제공한다.
On the other hand, the present invention provides a dryer for drying a wafer on which a chemical mechanical polishing process has been performed, comprising: an enemy tooth for vertically stacking two or more wafers and waiting; A gas supply unit for supplying at least one of a nitrogen gas and an inert gas to the wafer in the standby state; A rotation driving unit for rotating the enemy tooth to simultaneously dry two or more of the wafers located in the enemy tooth; And a wafer drier.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 웨이퍼의 '세워진 상태' 및 이와 유사한 용어는 웨이퍼가 연직 방향으로 직립한 경우를 포함할 뿐만 아니라 경사지게 세워진 상태도 포함하는 것으로 정의한다. 따라서, 웨이퍼의 가장자리에 의하여 지지된다면 세워진 상태에 해당하며, 동시에 웨이퍼의 중심부가 흡입된 상태로 연직 방향 또는 경사진 자세로 있다면 세워진 상태에 해당한다. The " raised state " and similar terms of the wafers described herein and in the claims are defined to include not only the case where the wafer is upright in the vertical direction but also the inclined standing state. Therefore, it corresponds to a standing state if it is supported by the edge of the wafer, and corresponds to a standing state if the central portion of the wafer is sucked in the vertical direction or inclined posture.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '세정' 및 이와 유사한 용어는 세정액 등을 이용하여 깨끗하게 하는 사전적 의미의 세정을 포함할 뿐만 아니라, 헹굼 및 건조를 모두 포함하는 것으로 정의한다. The terms 'cleaning' and similar terms used in this specification and claims are defined to include both rinsing and drying, as well as cleaning in the prior sense of being cleaned using a cleaning liquid or the like.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '처리' 및 이와 유사한 용어는 웨이퍼에 대하여 화학 기계적 연마, 세정을 포함하여 이루어지는 것을 지칭하는 것으로 정의한다.
The terms " treatment " and similar terms used in this specification and claims are defined to refer to those that comprise chemical mechanical polishing, cleaning, and the like for wafers.

본 발명에 따르면, 연마 정반에서 수평인 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해진 이후에, 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼를 넘겨받은 전달 유닛이 대략 90도만큼 회전시켜 웨이퍼가 세워진 자세가 되게 한 이후에, 웨이퍼 이송 기구에 의해 웨이퍼를 세워진 상태로 이송하면서 세정 모듈에서 세정되게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정이 행해지는 배치 구조를 콤팩트하게 구성할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention, after the chemical mechanical polishing process is performed in a horizontal state in the polishing platen, after the transfer unit, which has taken the wafer from the wafer carrier, is rotated by about 90 degrees to bring the wafer into a standing posture, It is possible to obtain a favorable effect that the arrangement structure in which the chemical mechanical polishing process and the cleaning process are performed can be compactly constituted by causing the wafer to be cleaned in the cleaning module while being transported in a standing state.

특히, 본 발명은 세정 이송 경로가 연마 이송 경로와 평행한 일측에 배치됨으로써, 전체적인 배치 구조를 보다 콤팩트하게 구성할 수 있는 효과가 있다. Particularly, the present invention has an effect that the overall arrangement structure can be made more compact by arranging the cleaning transfer path on one side parallel to the polishing transfer path.

즉, 본 발명은, 설비가 차지하는 공간을 증대하지 않고서도, 웨이퍼의 세정 처리 효율을 증대시켜 웨이퍼의 적체 현상 없이 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.That is, according to the present invention, the cleaning efficiency of the wafer can be increased without increasing the space occupied by the facility, and the processing efficiency can be improved without causing the wafer to accumulate.

무엇보다도, 본 발명은, 웨이퍼 캐리어에 상기 웨이퍼를 로딩하는 로딩 유닛은 웨이퍼를 언로딩하는 전달 유닛과 상기 연마 정반을 사이에 두고 반대측에 위치함으로써, 웨이퍼 캐리어에 탑재된 웨이퍼가 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정을 행한 이후에, 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 로딩하였던 위치로 되돌아가지 않고 곧바로 언로딩하여 세정 공정을 거칠 수 있게 되므로, 웨이퍼의 이동 경로를 단축할 수 있고, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼가 탑재된 상태로 로딩 유닛으로 되돌아오는 동안에 웨이퍼를 떨어뜨려 손상될 가능성을 미연에 방지할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention is characterized in that the loading unit for loading the wafers into the wafer carrier includes a transfer unit for unloading the wafers and a transfer unit located on the opposite side between the abrasive plates, so that the wafers mounted on the wafer carrier are chemically After the polishing process, the wafer can be unloaded immediately without returning to the position where it was loaded on the wafer carrier, so that the cleaning process can be performed. Thus, the movement path of the wafer can be shortened, It is possible to obtain an advantageous effect that it is possible to prevent the wafer from being damaged by dropping the wafer while returning to the loading unit.

또한, 본 발명은, 세정 이송 기구에 의하여 세워진 상태로 이송된 웨이퍼를 2개 이상 적치하는 적치대와, 적치대를 회전 구동하여 2개 이상의 웨이퍼를 한번에 건조 공정을 행함으로써, 상대적으로 오랜 시간이 소요되는 건조 공정을 대기하는 웨이퍼를 없앨 수 있게 되어 세정 및 건조 공정 시간을 단축할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention is characterized in that an enemy tooth to which two or more wafers transferred in a standing state by a cleaning and feeding mechanism are mounted and a drying step in which two or more wafers are dried at a time by rotationally driving an enemy tooth, It is possible to eliminate the wafer waiting for the required drying process and to shorten the cleaning and drying process time.

이 때, 본 발명은 상기 물튐 방지 커버의 가장자리는 상기 유체 분출공으로부터 상향 경사지게 형성된 지지대에 의해 지지되어, 물튐 방지 커버의 설치를 가능하게 할 뿐만 아니라, 경사진 지지대에 의해 웨이퍼로부터 분리된 액체를 액체 분출공으로 유도하여 바깥으로 신속하게 배출시킴으로써, 2장 이상의 웨이퍼의 건조 공정을 행하면서도 건조 효율이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.
At this time, the present invention is characterized in that the edge of the dust cover is supported by a support member formed upwardly inclined from the fluid jetting hole to enable the installation of the dust cover, and also the liquid separated from the wafer by the inclined support It is possible to minimize the decrease in drying efficiency while performing the drying process of two or more wafers.

도1은 종래의 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정이 행해지는 웨이퍼 처리 장치를 도시한 평면도,
도2는 다른 형태의 종래의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 웨이퍼 처리 장치를 도시한 평면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치를 도시한 평면도,
도4는 도3에 적용될 수 있는 웨이퍼 이송 기구를 도시한 사시도,
도5a는 도3의 세정 모듈 중 어느 하나에서의 세정 기구를 도시한 횡단면도,
도5b는 도3의 세정 모듈 중 어느 하나에서의 세정 기구를 도시한 횡단면도,
도6a 내지 도6d는 도3의 세정 모듈 중 마지막에 배치된 건조 기구의 구성 및 작동 원리를 설명하기 위한 도면,
도7a 및 도7b는 웨이퍼 이송 기구에 의하여 도6a의 적치대에 웨이퍼를 안착시키는 작용을 설명하기 위한 도면,
도8a 및 도8b는 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼를 탑재한 상태로 웨이퍼의 예비 세정 기구를 도시한 도면이다.
1 is a plan view showing a wafer processing apparatus in which a conventional chemical mechanical polishing process and a cleaning process are performed,
2 is a plan view showing a wafer processing apparatus in which another type of conventional chemical mechanical polishing process is performed;
3 is a plan view showing a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention,
Fig. 4 is a perspective view showing a wafer transfer mechanism that can be applied to Fig. 3,
FIG. 5A is a cross-sectional view showing a cleaning mechanism in any one of the cleaning modules shown in FIG. 3;
Fig. 5B is a cross-sectional view showing the cleaning mechanism in any one of the cleaning modules of Fig. 3,
FIGS. 6A to 6D are views for explaining the configuration and operation principle of a drying mechanism disposed last in the cleaning module of FIG. 3;
Figs. 7A and 7B are diagrams for explaining the action of placing the wafer in the enemy tooth of Fig. 6A by the wafer transfer mechanism,
8A and 8B are diagrams showing a preliminary cleaning mechanism of a wafer in a state where a wafer is mounted on a wafer carrier.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치(100)는, 화학 기계적 연마 공정이 이루어지는 연마 영역(X10)과, 화학 기계적 연마 공정이 이루어진 웨이퍼(W)의 세정 공정이 이루어지는 세정 영역(X20)과, 화학 기계적 연마 공정을 행하기 위한 웨이퍼를 공급하는 공급부(X30)와, 세정 공정이 행해진 웨이퍼를 배출하는 배출부(X40)로 구성된다.
As shown in the figure, the wafer processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a polishing region X10 where a chemical mechanical polishing process is performed, a cleaning process of a wafer W subjected to a chemical mechanical polishing process, A supply section X30 for supplying a wafer for carrying out a chemical mechanical polishing process, and a discharge section X40 for discharging the wafer subjected to the cleaning process.

상기 공급부(X30)는, 처리 공정이 행해질 웨이퍼(W)를 거치시킨 상태로 대기하는 다수의 대기 유닛(110)과, 다수의 대기 유닛(110)에서 대기 중인 웨이퍼(W)들 중 어느 하나를 집어(R1) 연마 영역(X10)으로 전달(R2)하는 제1핸들러(H1)와, 제1핸들러(H1)에서 웨이퍼(W)를 넘겨받아 연마 영역(X10)의 로딩 유닛(120)으로 전달(R3)하는 제2핸들러(H2)로 이루어진다. The supplying unit X30 includes a plurality of waiting units 110 waiting for a state in which a wafer W to be processed is placed and wafers W waiting in a plurality of waiting units 110 The first handler H1 transfers the wafer W from the first handler H1 to the loading unit 120 of the polishing region X10 and transfers the wafer W to the loading unit 120 of the polishing region X10. (R3).

여기서, 제1핸들러(H1)는 다수의 대기 유닛(110) 중 어느 하나에서 대기중인 웨이퍼(W)를 집기 위하여 레일(Hr)을 따라 왕복 이동(H1d) 가능하게 설치된다. 따라서, 제1핸들러(H1)는 다수의 대기 유닛(110)에서 웨이퍼(W)를 집어 전달(R2)하므로, 짧은 시간에도 많은 웨이퍼(W)를 연마 영역(X10)에 공급하는 것이 가능하다. Here, the first handler H1 is installed such that it can reciprocate (H1d) along the rail Hr to pick up waiting wafers W in any one of the plurality of standby units 110. [ Therefore, since the first handler H1 picks up and transfers the wafer W from the plurality of standby units 110, it is possible to supply a large number of wafers W to the polishing region X10 in a short time.

그리고, 제2핸들러(H2)는 제1핸들러(H1)로부터 전달(R2)받은 웨이퍼(W)를 2개의 연마 영역(X10)의 로딩 유닛(120)으로 번갈아가면서 공급한다. The second handler H2 alternately feeds the wafer W transferred from the first handler H1 to the loading unit 120 of the two polishing regions X10.

이와 같이, 하나의 공급부(X30)로부터 2개의 연마 영역(X10)에 웨이퍼(W)를 공급할 수 있게 구성되어, 연마 영역(X10)과 세정 영역(X20)이 2개 이상으로 배치되더라도, 원활히 웨이퍼(W)를 연마 영역(X10)에 공급하여 중단없이 처리 공정을 지속할 수 있으면서, 콤팩트한 배치 구조를 형성하는 잇점을 얻을 수 있다. As described above, even if two or more polishing regions X10 and X20 are arranged so as to be able to supply the wafers W to the two polishing regions X10 from one supply portion X30, The wafer W can be supplied to the polishing zone X10 and the treatment process can be continued without interruption, and an advantage of forming a compact arrangement structure can be obtained.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 필요에 따라 연마 영역(X10)과 세정 영역(X20)이 하나씩만 배치될 수도 있다. 그리고, 경우에 따라서는, 제1핸들러(H1)와 제2핸들러(H2) 중 어느 하나만 구비될 수도 있다. 다만, 웨이퍼(W)를 공급하는 대기 유닛(110)이 다수 배치되면, 연마 영역(X10)에서 웨이퍼(W) 공급을 위해 대기하는 시간을 없앨 수 있다.
According to another embodiment of the present invention, only one polishing zone X10 and one cleaning zone X20 may be arranged as necessary. In some cases, only one of the first handler H1 and the second handler H2 may be provided. However, when a plurality of waiting units 110 for supplying wafers W are arranged, it is possible to eliminate the waiting time for supplying the wafers W in the polishing region X10.

상기 연마 영역(X10)은, 제2핸들러(H2)로부터 웨이퍼(W)를 공급받는 로딩 유닛(120)과, 로딩 유닛(120)에서 웨이퍼(W)를 로딩받아 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 정해진 순환형 경로(Rc, Rc')를 따라 이동하는 웨이퍼 캐리어(C)와, 웨이퍼 캐리어(C)의 이동 경로(Rc, Rc')에 배치되어 웨이퍼(W)의 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 정반(P1, P2'; P)과, 연마 정반(P)에서 화학 기계적 연마(CMP) 공정을 마친 웨이퍼(W)의 연마면을 예비 세정하는 예비세정기구(PC)와, CMP 공정과 예비 세정 공정을 마친 웨이퍼(W)를 웨이퍼 캐리어(C)로부터 전달받아 90도 회전(121r)시켜 세정 영역(X20)으로 전달하는 전달 유닛(140)과, 전달 유닛(140)으로 웨이퍼(W)를 전달한 웨이퍼 캐리어(C)가 로딩 유닛(120)으로 되돌아가서 새로운 웨이퍼(W)를 공급받기 이전에 웨이퍼 캐리어(C)를 세정하는 캐리어 세정기(130)로 구성된다. The polishing area X10 includes a loading unit 120 that receives the wafer W from the second handler H2 and a state in which the wafer W is loaded in the loading unit 120 The wafer carrier C moving along the circulating path Rc and Rc 'defined by the wafer carrier C and the moving path Rc and Rc' of the wafer carrier C to perform the chemical mechanical polishing process of the wafer W A preliminary cleaning mechanism PC for preliminarily cleaning the polished surface of the wafer W that has undergone the chemical mechanical polishing (CMP) process in the polishing platen P, a CMP process step A transfer unit 140 which receives the wafer W after the preliminary cleaning process from the wafer carrier C and transfers the wafer W to the cleaning area X20 by 90 degrees rotation 121r and a transfer unit 140 which transfers the wafer W to the transfer unit 140, (C) for cleaning the wafer carrier (C) before receiving the new wafer (W) by returning to the loading unit (120) (130).

상기 웨이퍼 캐리어(C)는 정해진 경로(Rc, Rc')를 따라 이동하며, 리니어 모터의 작동 원리로 배열된 가이드 레일을 따라 이동한다. 예를 들어, 본 출원인이 출원하여 특허등록된 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호, 제10-1188540호에 기재된 바와 같이 웨이퍼를 공급받고 이동할 수 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호, 제10-1188540호의 기재 사항은 본 명세서의 일부로 포함된다. 또는, 이동 경로(Rc, Rc')의 끝단부가 곡면으로 형성되어, 웨이퍼 캐리어(C)는 캐리어 홀더를 이용하지 않고 가이드 레일을 따라 이동하게 구성될 수도 있다. The wafer carrier C moves along the predetermined paths Rc and Rc 'and moves along the guide rails arranged in accordance with the operation principle of the linear motor. For example, the wafer can be supplied and moved as described in Korean Patent Application Nos. 10-1188579 and 10-1188540 filed by the present applicant and registered as a patent. The disclosures of Korean Patent Registration Nos. 10-1188579 and 10-1188540 are incorporated herein by reference. Alternatively, the ends of the movement paths Rc and Rc 'may be curved so that the wafer carrier C may be configured to move along the guide rails without using the carrier holder.

웨이퍼(W)는 웨이퍼 캐리어(C)의 하측에 위치한 캐리어 헤드(도8a의 CH)의 저면에 탑재된 상태로, 웨이퍼 캐리어(C)의 이동과 함께 이동한다. 그리고, 웨이퍼 캐리어(C)가 연마 정반(P)의 상측에 위치하면, 연마 정반(P)에서 웨이퍼(W)의 화학 기계적 연마 공정이 이루어진다. The wafer W moves together with the movement of the wafer carrier C in a state of being mounted on the bottom of the carrier head (CH in FIG. 8A) located below the wafer carrier C. Then, when the wafer carrier C is positioned above the polishing table P, the chemical mechanical polishing process of the wafer W is performed in the polishing table P.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 하나의 웨이퍼(W)는 하나의 연마 정반(P1이나 P2)에서만 1단계의 화학 기계적 연마 공정이 행해질 수도 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 캐리어(C)에 탑재된 상태로 이동하는 하나의 웨이퍼(W)는 2개 이상의 연마 정반(P1, P2)에서 각각 단계별로 화학 기계적 연마 공정이 행해질 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, one wafer W may be subjected to a single chemical mechanical polishing process in only one polishing table P1 or P2, but according to another embodiment of the present invention, the wafer carrier C may be subjected to a chemical mechanical polishing process stepwise in two or more polishing plates P1 and P2, respectively.

한편, 도3에 도시된 웨이퍼 처리 장치(100)는 현재 양산 중인 직경 300mm인 웨이퍼에 대해서도 적용할 수 있지만, 직경이 350mm 이상인 웨이퍼에 대해서도 처리 공정이 행해질 수 있다. 예를 들어, 직경이 450mm인 대면적 웨이퍼를 연마 정반(P) 상에서 화학 기계적 연마 공정을 하고자 하는 경우에는, 연마 정반(P)의 직경이 웨이퍼(W)의 직경의 2배보다 더 커야 하므로, 연마 정반(P)은 충분히 넓은 면적을 갖게 된다. On the other hand, the wafer processing apparatus 100 shown in Fig. 3 can be applied to wafers having a diameter of 300 mm, which is currently mass-produced. However, wafers having a diameter of 350 mm or more can also be processed. For example, when a large area wafer having a diameter of 450 mm is to be subjected to a chemical mechanical polishing process on the polishing table P, the diameter of the polishing table P must be larger than twice the diameter of the wafer W, The polishing platen P has a sufficiently large area.

따라서, 연마 영역(X10)에서 차지하는 연마 정반(P)은 폭 방향(y)으로 거의 대부분을 차지하게 된다. 이에 따라, 웨이퍼 캐리어(C)는 웨이퍼(W)의 CMP 공정을 위해 이동하는 경로(Rc)에서는 웨이퍼(W)의 중심이 연마 정반(P)의 정해진 위치(대략 중심으로부터 1/2만큼 반경 방향으로 떨어진 위치)를 통과하도록 이동하며, 웨이퍼(W)를 전달 유닛(140)에 옮긴 이후에 로딩 유닛(120)으로 되돌아 오는 경로(Rc')도 연마 정반(P)의 상측을 지나지만 연마 정반(P)의 중심으로부터 1/2만큼의 반경보다 더 바깥쪽으로 이격된 위치를 웨이퍼 캐리어(C)의 중앙부가 통과하게 된다. Therefore, the polishing platen P occupying the polishing area X10 occupies almost all in the width direction y. The center of the wafer W moves to a predetermined position of the polishing platen P in the path Rc where the wafer carrier C moves for the CMP process of the wafer W in a radial direction And a path Rc 'that returns to the loading unit 120 after the wafer W is transferred to the transfer unit 140 also passes over the upper side of the polishing platen P. However, The central portion of the wafer carrier C passes through a position spaced outwardly from the center of the wafer carrier P by a half of the radius.

이와 같이, 웨이퍼 캐리어(C)는 로딩 유닛(120)에서 전달 유닛(140)을 향하는 경로(Rc)와, 전달 유닛(140)에서 로딩 유닛(120)을 향하는 경로(Rc')가 모두 연마 정반(P)의 상측을 통과하게 배치되어, 폭 방향(y)으로의 연마 영역(X10)의 길이를 보다 작게 형성할 수 있다.
As such, the wafer carrier C is configured such that the path Rc from the loading unit 120 to the transfer unit 140 and the path Rc 'from the transfer unit 140 to the loading unit 120 (P), so that the length of the polishing area X10 in the width direction (y) can be made smaller.

상기 예비세정기구(PC)는 도8a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(C)에 탑재되어 있는 웨이퍼(W)의 연마면에 높은 수압으로 세정액(33)를 분사하는 세정 노즐(35)이 구비되고, 세정 노즐(35)이 이동(35d)하면서 웨이퍼(W)의 연마면 전체에 세정액을 고압 분사함으로써, 웨이퍼(W)의 연마면에 묻어있는 슬러리나 연마 입자 등의 큰 이물질(99)을 제거한다. 8A, the pre-cleaning mechanism PC includes a cleaning nozzle 35 for spraying the cleaning liquid 33 with a high water pressure on the polishing surface of the wafer W mounted on the wafer carrier C A large foreign matter 99 such as slurry or abrasive grains on the polishing surface of the wafer W is sprayed to the entire surface of the wafer W while the cleaning nozzle 35 moves (35d) Remove.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 예비 세정 기구(PC')는 도8b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(C)에 탑재되어 있는 웨이퍼(W)의 연마면에 높은 수압으로 세정액(38M)를 분사하되, 메가소닉 발진부(38)에 의하여 가진된 상태로 세정액을 웨이퍼(W)의 연마면에 분사함으로써, 가진된 세정액에 의하여 웨이퍼(W)의 세정 효율을 보다 높일 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the preliminary cleaning mechanism PC 'is provided with a cleaning liquid 38M (see FIG. 8B) with a high water pressure on the polishing surface of the wafer W mounted on the wafer carrier C, By spraying the cleaning liquid on the polishing surface of the wafer W in a state excited by the megasonic oscillation portion 38, the cleaning efficiency of the wafer W can be further enhanced by the excited cleaning liquid.

이와 같이, 예비 세정 장치(PC, PC')에 의하여 웨이퍼(W)의 연마면에 묻어 있는 1차적으로 이물질(99)을 제거함으로써, 웨이퍼 캐리어(C)로부터 전달 유닛(140)으로 웨이퍼(W)를 전달할 때에, 웨이퍼(W)를 붙잡는 전달 유닛(140)의 그립퍼(141)의 오염을 방지할 수 있다. As described above, by removing the foreign matter 99 primarily on the polishing surface of the wafer W by the preliminary cleaning apparatuses PC and PC ', the wafer W is transferred from the wafer carrier C to the transfer unit 140 It is possible to prevent contamination of the gripper 141 of the transfer unit 140 holding the wafer W. [

그리고, 웨이퍼 캐리어(C)가 웨이퍼(W)를 전달 유닛(140)에 넘겨준 이후에, 로딩 유닛(120)을 향하여 정해진 경로(Rc')로 되돌아오면, 연마 정반(P)에서 CMP 공정 중에 이물질이 웨이퍼 캐리어(C)의 저면에 묻기도 하고, 이물질이 묻어 있는 웨이퍼(W)를 탑재하는 과정에서 웨이퍼 캐리어(C)의 저면이 오염된 상태이므로, 웨이 캐리어(C)의 저면은 캐리어 세정기(130)에 의해 세정된다. When the wafer carrier C returns to the predetermined path Rc 'toward the loading unit 120 after transferring the wafer W to the transfer unit 140, Since the bottom of the wafer carrier C is contaminated in the process of mounting the wafer W on which the foreign substance is deposited, the bottom surface of the wafer carrier C may be detached from the bottom surface of the wafer carrier C, (130).

캐리어 세정기(130)는 웨이퍼 캐리어(C)의 저면에 세정액을 분사하는 것에 의해 이물질을 씻어내게 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 출원인에 의해 출원되어 특허등록된 대한민국 등록특허공보 제10-1130888호에 개시된 헤드 세정 유닛과 같이 구성될 수 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-1130888호의 기재 내용은 본 명세서의 일부로 포함된다. The carrier cleaner 130 may be configured to clean the foreign substance by spraying a cleaning liquid onto the bottom surface of the wafer carrier C. For example, it can be configured as a head cleaning unit disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1130888 filed by the present applicant and registered as a patent. The contents of Korean Patent Registration No. 10-1130888 are incorporated herein by reference.

이와 같이, 캐리어 세정기(130)에 의해 저면이 깨끗해진 상태로 새로 공급되는 웨이퍼(W)가 로딩 유닛(120)에서 웨이퍼 캐리어(C)로 탑재되므로, 새로 공급된 웨이퍼(W)는 오염되지 않은 깨끗한 상태로 연마 공정이 행해질 수 있다.
Since the wafer W newly supplied with the bottom cleaned by the carrier cleaner 130 is mounted on the wafer carrier C in the loading unit 120 as described above, the newly supplied wafer W is not contaminated The polishing process can be performed in a clean state.

상기 전달 유닛(140)은 웨이퍼(W)의 가장자리를 집는 그립퍼(141)가 폭 방향으로 배열된 가이드 레일(142)을 따라 이동 가능하게 설치된다. 그리고, 그립퍼(141)는 웨이퍼 캐리어(C)가 전달 유닛(140)에 근접한 정해진 위치에서 웨이퍼(W)를 웨이퍼 캐리어(C)로부터 언로딩하여 파지하고, 가이드 레일(142)을 따라 이동(141d)한 후, 세정 영역(X20)에 배치된 웨이퍼 이송 기구(Go)에 웨이퍼(W)를 전달한다.
The transfer unit 140 is installed to be movable along a guide rail 142 in which grippers 141 for gripping the edges of the wafers W are arranged in the width direction. The gripper 141 unloads and holds the wafer W from the wafer carrier C at a predetermined position close to the transfer unit 140 and moves along the guide rail 142 ), And transfers the wafer W to the wafer transfer mechanism Go disposed in the cleaning area X20.

이와 같이, 연마 영역(X10)은 웨이퍼(W)가 웨이퍼 캐리어(C)에 로딩되는 로딩 유닛(120)과 웨이퍼(W)가 웨이퍼 캐리어(C)로부터 언로딩되는 전달 유닛(140)이 서로 반대측에 위치하게 배치되므로, 웨이퍼 캐리어(C)는 CMP 공정을 위하여 연마 정반(P)을 통과할 때에만 웨이퍼(W)를 탑재한 상태가 되므로, CMP 공정을 마친 웨이퍼(W)를 탑재한 상태로 이동하다가 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 웨이퍼(W)의 손상이나 불량을 야기하는 문제점을 크게 낮출 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the polishing area X10 is formed by the loading unit 120 in which the wafer W is loaded in the wafer carrier C and the transfer unit 140 in which the wafer W is unloaded from the wafer carrier C, The wafer carrier C is in a state in which the wafer W is mounted only when the wafer carrier C passes through the polishing platen P for the CMP process so that the wafer carrier C is placed in a state in which the wafer W having undergone the CMP process is mounted It is possible to obtain an advantageous effect that the problem of causing damage or failure of the wafer W by dropping the wafer W while moving can be greatly reduced.

이 뿐만 아니라, 웨이퍼 캐리어(C)는 순환 경로(Rc, Rc')를 따라 순환 이동하는 데 반하여, 웨이퍼(W)는 연마 영역(X10) 내에서 직선 경로(Rc)만 이동한 후 곧바로 세정 영역(X20)으로 이송되므로, 웨이퍼(W)의 이동 거리가 짧아져 전체적인 공정 효율이 향상되고 이동 중에 웨이퍼(W)의 손상 가능성을 최소화할 수 있다.
In addition to this, the wafer carrier C circulates along the circulation paths Rc and Rc ', while the wafer W moves only within the polishing area X10 after the linear path Rc moves, The moving distance of the wafer W is shortened, thereby improving the overall process efficiency and minimizing the possibility of damaging the wafer W during movement.

상기 세정 영역(X20)은, 연마 영역(X10)의 전달 유닛(140)으로부터 웨이퍼(W)를 전달받아 이송하는 웨이퍼 이송 기구(Go)와, 웨이퍼 이송 기구(Go)에 의해 웨이퍼(W)가 이송되면서 단계적으로 세정 공정(헹굼 및 건조 공정을 포함한다)을 행하는 세정 모듈(C1, C2, C3, C4)로 이루어진다. The cleaning area X20 includes a wafer transfer mechanism Go for transferring a wafer W from the transfer unit 140 of the polishing area X10 and transferring the wafer W to the wafer transfer mechanism G0, (C1, C2, C3, C4) for carrying out a cleaning process (including a rinsing and drying process) step by step while being transferred.

여기서, CMP 공정이 행해진 웨이퍼(W)의 세정 공정이 행해지는 세정 모듈(C1, C2,...)은, 도3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 캐리어(C)의 연마 이송 경로(Rc)와 웨이퍼 이송 기구(Go)의 세정 이송 경로(R5)가 서로 평행하고 연마 이송 경로(Rc)의 바깥측에 배치됨으로써, 콤팩트한 배치 구조를 이루면서도, 웨이퍼(W)가 세정을 위하여 이송되는 이동 거리를 보다 짧게 할 수 있는 잇점을 얻을 수 있다. As shown in Fig. 3, the cleaning modules C1, C2, ... which perform the cleaning process of the wafer W on which the CMP process has been performed are connected to the polishing transfer path Rc of the wafer carrier C The cleaning transfer path R5 of the wafer transfer mechanism Go is parallel to each other and disposed on the outer side of the polishing transfer path Rc so that the wafer W is transferred to the wafer W for cleaning, Can be shortened.

도면에는 세정 모듈(C1, C2, C3, C4)이 모두 4개인 것으로 예시되어 있지만, 웨이퍼의 표면에 잔류하는 이물질의 양과 접착 특성을 고려하여 2개 또는 3개로 설치될 수도 있고, 5개 이상으로 설치될 수도 있다.
Although the cleaning modules C1, C2, C3, and C4 are illustrated as four in the figure, two or three cleaning modules C1, C2, C3, and C4 may be provided in consideration of the amount of foreign substances remaining on the surface of the wafer, May be installed.

도4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 이송 기구(Go)는 전달 기구(140)로부터 웨이퍼(W)를 세워진 상태로 전달받아, 웨이퍼(W)의 가장자리 하측을 경사진 면으로 거치시키는 거치 걸이(30)가 구비된 그립 부재(Gr)와, 그립 부재(Gr)를 정해진 경로(R5)를 따라 길이 방향(도3의 x)으로 이동(88x)시키는 이동 부재(Gx)로 이루어진다.4, the wafer transfer mechanism Go includes a mounting hanger 30 for receiving the wafer W in a standing state from the transfer mechanism 140 and mounting the lower edge of the wafer W on an inclined surface And a moving member Gx for moving the grip member Gr in the longitudinal direction (x in FIG. 3) along the predetermined path R5.

각각의 그립 부재(Gr)는 세정 모듈(C1, C2, C3, C4)간을 이동시키는 역할을 하며, 그립 부재(Gr)의 거치 걸이(30)는 도면부호 77로 표시된 방향으로 왕복 이동 가능하게 설치된다. 예를 들어, 도5a에 도시된 바와 같이, 거치 걸이(30)는 자성체로 형성되고, 이를 감싸는 코일(91)의 전류 제어에 의해 왕복 이동(77)된다. Each of the grip members Gr serves to move between the cleaning modules C1, C2, C3 and C4 and the mounting hanger 30 of the grip member Gr is reciprocally movable in the direction indicated by reference numeral 77 Respectively. For example, as shown in FIG. 5A, the mounting bracket 30 is formed of a magnetic body, and is reciprocated (77) by current control of the coil 91 surrounding it.

그리고, 세정 모듈(C1,..,C4)에서 웨이퍼(W)는 세워진 상태로 세정 공정이 행해진다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 직경이 커지더라도, 세정 모듈(C1,...)과 웨이퍼 이송 기구(Go)의 폭 방향(y)으로의 길이는 짧게 유지된다. 따라서, 웨이퍼 처리 장치(100)에서 세정 모듈(C1,...)이 차지하는 면적이 줄어들어 전체적으로 콤팩트한 구성을 가능하게 한다.
Then, in the cleaning modules C1, ..., C4, the cleaning process is performed with the wafer W standing up. Thus, even if the diameter of the wafer W increases, the lengths of the cleaning modules C1, ... and the wafer transfer mechanism Go in the width direction y are kept short. Accordingly, the area occupied by the cleaning modules C1, ... in the wafer processing apparatus 100 is reduced, thereby enabling a compact construction as a whole.

한편, 각각의 세정 모듈(C1,...)에서 행해지는 웨이퍼(W)의 세정 공정은 웨이퍼(W)를 정지한 상태에서 행할 수도 있고, 웨이퍼를 세워진 상태로 회전시키면서 행할 수도 있다. On the other hand, the cleaning process of the wafer W performed in each of the cleaning modules C1, ... may be performed while the wafer W is stopped, or may be performed while rotating the wafer in a standing state.

예를 들어, 도5a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡입 펌프(P)로 흡입압(41)을 인가하는 흡입 플레이트(45)를 웨이퍼(W)의 반대면에 고정시킨 상태로, 구동 모터(M)에 회전축(43)으로 연결되어 회전하면서 고압 노즐(101)로부터 세정액(11)을 분사하여 비접촉 방식으로 세정할 수도 있다. 5A, the suction plate 45 for applying the suction pressure 41 to the wafer W by the suction pump P is fixed to the opposite surface of the wafer W, The washing liquid 11 may be sprayed from the high-pressure nozzle 101 while being connected to the driving motor M by the rotary shaft 43, and may be cleaned in a non-contact manner.

또한, 도5b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 흡입 펌프(P)로 흡입압(41)을 인가하는 흡입 플레이트(45)를 웨이퍼(W)의 반대면에 고정시킨 상태로, 구동 모터(M)에 회전축(43)으로 연결되어 회전하면서, 액체를 머금는 재질로 형성된 세정 브러쉬(102)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 공정면을 접촉 세정할 수도 있다. 5B, in a state in which the suction plate 45 for applying the suction pressure 41 to the wafer W with the suction pump P is fixed to the opposite surface of the wafer W, The process surface of the wafer W may be cleaned by rotating the cleaning brush 102 formed of a material for immersing the liquid while being connected to the rotating shaft M by the rotating shaft 43 and rotating.

이를 위하여, 그립 부재(Gr)는 이동 부재(Gx)와 함께 왕복 이동(66)하게 구성되어, 흡입 플레이트(45)로 웨이퍼(W)를 흡입 파지하면, 후퇴하여 이동할 수 있다.
To this end, the grip member Gr is configured to reciprocate along with the moving member Gx so that when the wafer W is sucked and held by the suction plate 45, the grip member Gr can move backward.

한편, 세정 모듈(C1, C2, C3, C4) 중 가장 마지막에 공정이 행해지는 세정 모듈(C4)은 2장 이상의 웨이퍼를 세워진 상태로 적치하는 보유 챔버(410)가 구비되어, 이전의 세정 모듈(C1, C2, C3)에서의 세정 공정을 마친 웨이퍼를 2개 이상 대기 상태로 적치시킨다. On the other hand, the cleaning module C4, which is the last of the cleaning modules C1, C2, C3 and C4, is provided with a holding chamber 410 for stacking two or more wafers in a standing state, And two or more wafers which have been subjected to the cleaning process in the cleaning units (C1, C2, C3) are placed in a standby state.

이를 위하여, 보유 챔버(410)의 내부에는 웨이퍼(W)를 세워진 상태로 적치시키는 적치대(420)가 위치하며, 적치대(420)의 안착부(423)에 웨이퍼(W)가 세워진 상태로 거치된다. 여기서, 안착부(423)는 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉하는 홈이 형성되고, 웨이퍼(W)의 하측에 3개 내지 5개로 설치되어, 도6c에 도시된 바와 같이 지지한다. 안착부(423)는 회전 가능한 롤러로 형성될 수도 있다.
The wafer W is placed in the holding chamber 410 and the wafer W is placed on the seating portion 423 of the wafer W Is mounted. Here, the seating portion 423 is formed with grooves which are in contact with the edge of the wafer W, and is provided at three to five positions below the wafer W, and supports the wafer W as shown in Fig. 6C. The seat portion 423 may be formed of a rotatable roller.

적치대(420)의 안착부(423)에 첫번째 웨이퍼(W)를 거치시키는 공정이 도7a에 도시되어 있다. 즉, 그립 부재(Gr)는 웨이퍼(W)를 거치 걸이(30)에 올려둔 상태에서, 적치대(420)의 내부로 내려온다(D1). 그리고, 웨이퍼(W)의 가장자리 하측이 안착부(423)에 위치된 상태에서, 그립 부재(Gr)가 후퇴(D2)하여 상측으로 이동(D3)하는 것에 의하여, 적치대(420)의 안착부(423)에 웨이퍼(W)를 거치시키게 된다. 이와 같이, 안착부(423)에 거치된 웨이퍼(W)의 정면도는 도7c에 도시된 형태가 된다.A process of placing the first wafer W on the seating portion 423 of the red tooth 420 is shown in FIG. 7A. That is, the grip member Gr comes down to the inside of the enemy tooth 420 in a state where the wafer W is placed on the mounting hook 30 (D1). The grip member Gr is retracted (D2) and moved upward (D3) in a state in which the lower edge of the wafer W is positioned on the seating portion 423, And the wafer W is placed on the wafer 423. As described above, the front view of the wafer W placed on the mounting portion 423 is the shape shown in Fig. 7C.

그리고, 적치대(420)의 안착부(423)에 두번째 웨이퍼(W)를 거치시키는 공정이 도7b에 도시되어 있다. 즉, 첫번째 웨이퍼(W)를 거치시키는 것과 유사하게, 그립 부재(Gr)는 웨이퍼(W)를 거치 걸이(30)에 올려둔 상태에서, 첫번째 웨이퍼가 거치된 안착부(423)에 인접한 다른 안착부(423')에 근접한 적치대(420) 내부로 내려온다(D1). 그리고, 웨이퍼(W)의 가장자리 하측이 안착부(423')에 위치된 상태에서, 그립 부재(Gr)가 후퇴(D2)하여 상측으로 이동(D3)하는 것에 의하여, 적치대(420)의 안착부(423')에 웨이퍼(W)를 거치시키게 된다. The step of mounting the second wafer W on the seating portion 423 of the red tooth 420 is shown in Fig. 7B. That is, similarly to placing the first wafer W, the grip member Gr can be moved to the other seat adjacent to the seating portion 423 on which the first wafer is mounted, with the wafer W held on the mounting hook 30 (D1) to the inside of the enemy tooth 420 close to the part 423 '. The grip member Gr is retracted (D2) and moved upward (D3) in a state in which the lower edge of the wafer W is positioned on the seating portion 423 ' And the wafer W is placed on the portion 423 '.

이와 같은 방식으로, 적치대(420)의 다수의 안착부(423)에 웨이퍼(W)를 하나씩 거치시키는 것이 가능해진다. 이를 위하여, 그립 부재(Gr)는 구동부(M)에 의하여 폭방향(y)으로 이동(66)이 가능할 뿐만 아니라, 상하 방향(67)으로도 이동 가능하게 설치된다.
In this way, it becomes possible to mount the wafers W one by one to the plurality of seating portions 423 of the red teeth 420. The grip member Gr can be moved not only in the width direction y by the driving portion M but also in the up and down direction 67 as well.

한편, 도6a에 도시된 바와 같이, 보유 챔버(410) 내에는 가스 제어부(430)의 가스 공급부(431)로부터 아르곤 가스 등의 불활성 가스나 질소 가스가 공급(81)되어, 웨이퍼(W)가 주변 공기와 접촉하는 것을 방지한다. 이에 의해, 웨이퍼(w)의 대기 시간 동안에 웨이퍼 연마면이 산화되는 것이 억제된다. 필요에 따라, 가스 배출부(432)에 의하여 보유 챔버(410) 내부의 공기를 배출(82)시킬 수도 있다.
6A, an inert gas such as argon gas or the like is supplied (81) from the gas supply part 431 of the gas control part 430 into the holding chamber 410, so that the wafer W To prevent contact with ambient air. Thus, the wafer polishing surface is prevented from being oxidized during the waiting time of the wafer w. If necessary, the gas discharging portion 432 may discharge the air inside the holding chamber 410.

그리고, 적치대(420)는 웨이퍼(W)가 유입되는 통로가 되는 입구(420a)를 덮는 덮개(429)가 마련된다. 적치대(420)에 정해진 개수(반드시, 웨이퍼 수용 위치가 모두 채워져야 하는 것은 아님)의 웨이퍼(W)가 수용되면, 도6b에 도시된 바와 같이, 덮개(429)가 이동(429d)하여 적치대(420)의 입구(420a)를 덮는다. The lid 420 is provided with a lid 429 covering the inlet 420a through which the wafer W flows. When the wafer W of the predetermined number (not necessarily all of the wafer receiving positions) is received in the enemy tooth 420, the lid 429 moves 429d as shown in FIG. 6B, And covers the inlet 420a of the tooth 420.

이 때, 덮개(429)에는 웨이퍼(W)가 안착부(423)에 거치된 위치에 웨이퍼(W)의 가장자리를 끼움 형태로 수용하는 안착 슬릿(429c)이 형성되어 있다. 따라서, 적치대(420)의 덮개(429)가 닫히면, 적치대(420)에 거치되어 있는 웨이퍼(W)의 가장자리가 안착부(423)의 V자형 홈과 안착 슬릿(429c)에 의해 끼어져, 웨이퍼(W)는 정해진 하나의 위치에 요동없이 고정된 상태가 된다.
At this time, a seating slit 429c is formed in the lid 429 to accommodate the wafer W in a position where the wafer W is held by the seating portion 423. Therefore, when the lid 429 of the red tooth 420 is closed, the edge of the wafer W held on the red tooth 420 is caught by the V-shaped groove of the seating portion 423 and the seating slit 429c , The wafer W is in a fixed state without swinging at a predetermined position.

그 다음, 도6c에 도시된 바와 같이, 적치대(420)는 기계적인 링크 구조나 그 밖의 공지된 제어 수단(Mr)에 의하여 90도만큼 회전(420r)되어, 세워져있던 웨이퍼(W)가 모두 수평인 자세가 되게 한다. 6C, the red teeth 420 are rotated (rotated) by 90 degrees by a mechanical linkage or other known control means Mr so that all of the wafers W standing up Let it be in a horizontal position.

여기서, 적치대(420)에는 웨이퍼(W)가 안착되는 안착부(423)의 사이마다 도6c를 기준으로 상향 경사진 지지대(421b, 429b)에 의해 물튐 방지 커버(424)가 지지되게 설치된다. 물튐 방지 커버(424)는 상하 방향으로 액체를 완전히 차단하는 막으로 형성될 수도 있고, 공기의 흐름을 통과시키면서 액체를 일부 차단하는 망으로 형성될 수도 있다. 6C, the anti-dust cover 424 is supported by the support bars 421b and 429b, which are inclined upwardly with reference to FIG. 6C, between the mounting portions 423 on which the wafer W is seated . The dust cover 424 may be formed of a film that completely blocks the liquid in the vertical direction or may be formed of a net that partially blocks the liquid while passing a flow of air.

한편, 도6a에 도시된 바와 같이, 물튐 방지 커버(424)는 적치대(420)의 몸체측 지지대(421b)에 고정되어 있지만, 덮개(429)가 적치대(420)의 몸체에 덮이면서 덮개측 지지대(429b)에 의해서도 물튐 방지 커버(424)가 지지되는 형태로 구성될 수 있다. 6A, the dust cover 424 is fixed to the body side support 421b of the enemy tooth 420. However, when the cover 429 is covered on the body of the enemy tooth 420, The dust cover 424 may be supported by the side support table 429b.

그리고, 지지대(421b, 429b)와 적치대(420)의 벽면이 만나는 지점에는 액체 분출공(421a, 429a)이 관통 형성된다. 액체 분출공(421a, 429a)은 슬릿 형태로 길게 형성될 수도 있고, 다수의 구멍으로 형성될 수도 있다. 다만, 액체 분출공(421a, 429a)의 단면은 물방울이 제한없이 통과할 수 있는 크기로 형성된다.Liquid ejection holes 421a and 429a are formed at the positions where the support surfaces 421b and 429b meet the wall surfaces of the red teeth 420. [ The liquid ejection holes 421a and 429a may be formed long in a slit shape or may be formed of a plurality of holes. However, the cross section of the liquid jetting holes 421a and 429a is formed to have a size allowing water droplets to pass without limitation.

한편, 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서 상면에는 벽면으로 형성되는 대신에 에어 필터(422)가 형성되어, 상측에서의 공기 유동을 허용할 수 있게 구성되어, 최상측의 웨이퍼의 건조 효율을 높일 수 있다.
On the other hand, an air filter 422 is formed on the upper surface at the position where the wafer is rotated in a horizontal state, instead of being formed as a wall surface, so as to allow air flow from the upper side, It is possible to increase the drying efficiency.

그리고 나서, 도6d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 수평 자세로 회전된 상태에서 적치대(420)는 구동부(Mr)에 의하여 고속으로 회전 구동(420x)된다. 여기서, '고속'이라는 용어는 5rpm 내지 1000rpm의 범위를 말한다.6D, in a state in which the wafer W is rotated in the horizontal posture, the red tooth 420 is rotationally driven 420x at a high speed by the driving unit Mr. Here, the term " high speed " refers to a range of 5 rpm to 1000 rpm.

이에 따라, 웨이퍼(W)의 판면에 묻어있는 액체는 원심력에 의하여 웨이퍼(W)의 가장자리로 이동하며, 적치대(420)의 측벽에 관통 형성된 액체 분출공(421a, 429a)을 통해 외부로 배출(89)된다. The liquid on the surface of the wafer W moves to the edge of the wafer W by the centrifugal force and is discharged to the outside through the liquid spray holes 421a and 429a formed through the side wall of the blade 420 (89).

더욱이, 웨이퍼(W)의 사이에는 물튐 방지 커버(424)가 개재되어, 물튐 방지 커버(424)에 의하여 상측 웨이퍼에서 튀는 액체가 하측 웨이퍼로 전달되지 않으므로, 다수의 웨이퍼를 동시에 건조 공정을 행하더라도 건조 효율이 저하되지 않는다. Further, since the dust-preventing cover 424 is interposed between the wafers W, the liquid splashed from the upper wafer is not transferred to the lower wafer by the dust-preventing cover 424, so even if a plurality of wafers are simultaneously dried The drying efficiency is not lowered.

그리고, 웨이퍼(W)의 하측에 위치한 물튐 방지 커버(424)는 상향 경사진 지지대(421b, 429b)에 의하여 지지된 상태이므로, 물튐 방지 커버(424)에 떨어진 액체는 적치대(424)의 회전(420x)에 따라 원심력에 의하여 가장자리 영역으로 흘러나가, 지지대(421b, 429b)를 통해 흘러내려 액체 분출공(421a, 429a)을 통해 외부로 쉽게 배출(89)되므로 배출 효율이 높아진다. Since the dust cover 424 located below the wafer W is supported by the upwardly inclined supports 421b and 429b, the liquid that has fallen on the dust cover 424 is rotated by the rotation of the enemy tooth 424 Flows to the edge region by the centrifugal force according to the flow path 420x and flows down through the support rods 421b and 429b and is easily discharged 89 through the liquid spray holes 421a and 429a to the outside.

동시에, 웨이퍼(W)가 수평인 상태가 되도록 회전(420r)한 상태에서, 적치대(420)의 상면은 에어를 통과하는 에어 필터(422)가 형성되어 있으므로, 가스 제어부(430)로부터의 질소 가스(81) 등의 유동이 에어 필터(422)를 통해 적치대(420)의 내부로 유입(85)되면서 최상층 웨이퍼(W)의 건조 효율이 향상된다. 그리고, 물튐 방지 커버(424)가 망 형태로 형성된 경우에는, 질소 가스(81) 등의 유동이 적치대(420)와 웨이퍼(W) 사이의 공간을 통해 하측으로 전달되면서, 하측에 위치한 웨이퍼(W)의 건조 효율도 향상된다.
At the same time, since the air filter 422 through which the air passes is formed on the upper surface of the red tooth 420 in the state in which the wafer W is rotated 420r to be in a horizontal state, the nitrogen from the gas control part 430 The flow of the gas 81 flows into the interior of the blade unit 420 through the air filter 422 and the drying efficiency of the uppermost wafer W is improved. When the dust cover 424 is formed in a net shape, a flow of the nitrogen gas 81 or the like is transmitted downward through the space between the lower teeth 420 and the wafer W, W) is also improved.

도면에 도시된 실시예에서는 웨이퍼가 세워진 상태로 적치대(420)에 적치되어 대기하다가, 적치대(420)를 90도 회전(420r)시켜 웨이퍼가 수평인 상태로 되게 한 이후에, 적치대(420)를 고속 회전(420x)시켜 다수의 웨이퍼(W)를 한꺼번에 건조시키는 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 웨이퍼가 세워진 상태로 적치대(420)에 적치되어 대기하다가, 곧바로 웨이퍼가 세워진 상태로 고속 회전시켜 건조시킬 수도 있다.In the embodiment shown in the figure, after the wafer is standing on the red tooth 420 in a standing state and then the wafer W is horizontally rotated by 90 degrees (420r) of the red tooth 420, 420 are rotated at a high speed 420x to dry a plurality of wafers W at once. However, according to another embodiment of the present invention, the wafers are placed on the red teeth 420 in a standing state, The wafer may be dried at a high speed with the wafer standing upright.

이렇듯, 마지막의 세정 모듈(C4)에서 세정 공정을 마치고 건조 공정이 남은 다수의 웨이퍼(W)를 적치대(420)에 적치하여 대기시키다가, 한꺼번에 다수의 웨이퍼(W)를 건조시킴으로써, 종래에 오랜 시간이 소요되는 건조 공정에 의하여 세정 및 헹굼 공정을 마친 웨이퍼가 대기하는 것에 의하여 공정 효율이 저하되었던 문제점을 해소할 수 있다.
As described above, by mounting a plurality of wafers W remaining in the last cleaning module C4 after the cleaning process and leaving the drying process on the mount 420, waiting for the wafers W to dry, and drying a plurality of wafers W at the same time, It is possible to solve the problem that the process efficiency is lowered due to the waiting of the wafer after the cleaning and rinsing process by the drying process which takes a long time.

상기 배출 영역(X40)에서는, 마지막 세정 모듈(C4)에서 건조 공정이 완료된 웨이퍼(W)를 제3핸들러(H3)로 배출 유닛(150)으로 이동(R6)시킨 후, 도면에 도시되지 않은 수단으로 그 다음 공정으로 이동(R7)된다.
In the discharge area X40, the wafer W having been subjected to the drying process in the last cleaning module C4 is moved to the discharge unit 150 (R6) by the third handler H3, (R7) to the next process.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치(100)는, 연마 정반(P)에서 수평인 상태로 화학 기계적 연마 공정이 행해진 이후에, 웨이퍼 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 넘겨받은 전달 유닛이 대략 90도만큼 회전시켜 웨이퍼(W)가 세워진 자세가 되게 한 이후에, 웨이퍼 이송 기구(Go)에 의해 웨이퍼(W)를 세워진 상태로 이송하면서 세정 모듈(C1, C2, C3, C4)에서 세정되게 함으로써, 화학 기계적 연마 공정과 세정 공정이 행해지는 배치 구조를 콤팩트하게 구성할 수 있고, 특히, 본 발명은 세정 이송 경로(R5)가 연마 이송 경로(Rc)와 평행한 일측에 배치됨으로써, 전체적인 배치 구조를 콤팩트하게 구성할 수 있어서, 설비가 차지하는 공간을 증대하지 않고서도, 웨이퍼의 세정 처리 효율을 증대시켜 웨이퍼의 적체 현상 없이 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The wafer processing apparatus 100 according to one embodiment of the present invention configured as described above is capable of transferring the wafer W from the wafer carrier C after the chemical mechanical polishing process is performed in a horizontal state in the polishing platen P C2 and C3 while transferring the wafer W to the raised state by the wafer transfer mechanism Go after the transferred transfer unit is rotated by about 90 degrees to bring the wafer W into a standing posture , C4), whereby the arrangement structure in which the chemical mechanical polishing process and the cleaning process are carried out can be made compact. Particularly, the present invention is characterized in that the cleaning transfer route R5 is formed on one side parallel to the polishing transfer route Rc It is possible to construct the overall arrangement structure compact so that the cleaning efficiency of the wafer can be increased without increasing the space occupied by the equipment and the processing efficiency can be improved without causing the wafer to float That effect can be obtained.

무엇보다도, 본 발명은, 웨이퍼 캐리어(C)에 웨이퍼(W)를 로딩하는 로딩 유닛(120)은 웨이퍼를 언로딩하는 전달 유닛(140)과 연마 정반(P)을 사이에 두고 반대측에 위치함으로써, 웨이퍼 캐리어(C)에 탑재된 웨이퍼(W)가 2개 이상의 연마 정반(P)에서 화학 기계적 연마 공정을 행한 이후에, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 캐리어(C)에 로딩하였던 위치로 되돌아가지 않고 곧바로 언로딩하여 세정 공정을 거칠 수 있게 되므로, 웨이퍼의 이동 경로를 단축할 수 있고, 종래에 웨이퍼 캐리어(C)에 웨이퍼(W)가 탑재된 상태로 로딩 유닛(120)으로 되돌아오는 경로(Rc') 상에서 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 손상될 가능성을 미연에 방지할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention is characterized in that the loading unit 120 for loading the wafer W into the wafer carrier C is located on the opposite side between the transfer unit 140 for unloading the wafer and the polishing table P , After the wafer W mounted on the wafer carrier C has undergone the chemical mechanical polishing process in two or more polishing platens P, the wafer W is not returned to the position where the wafer W is loaded on the wafer carrier C It is possible to shorten the moving path of the wafer and to reduce the distance Rc (Rc) to the wafer W in the state that the wafers W are mounted on the wafer carrier C The possibility that the wafer W is damaged by dropping the wafer W on the wafer W can be prevented in advance.

또한, 본 발명은, 세정 이송 기구(Go)에 의하여 세워진 상태로 이송된 웨이퍼(W)를 2개 이상 적치하는 적치대(420)와, 적치대(420)를 회전 구동하여 2개 이상의 웨이퍼를 한번에 건조 공정을 행함으로써, 상대적으로 오랜 시간이 소요되는 건조 공정을 대기하는 웨이퍼를 없앨 수 있게 되어, 건조 공정을 행하기 위하여 세정을 마친 웨이퍼가 대기하여야 함에 따른 공정 효율의 저하 현상을 해소할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
Further, the present invention is characterized in that it comprises an elliptical tooth 420 for mounting two or more wafers W transferred in a raised state by the cleaning transfer mechanism Go, By performing the drying process at once, it is possible to eliminate the wafer waiting for the drying process which takes a relatively long time, and it is possible to solve the phenomenon of deterioration of the process efficiency due to the waiting of the cleaned wafer in order to perform the drying process The effect can be obtained.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modified, modified, or improved.

W: 웨이퍼 P: 연마 정반
C: 웨이퍼 캐리어 C1, C2, C3, C4: 세정 모듈
Go: 웨이퍼 이송기구 FR: 프레임
Gr: 그립퍼 PC: 예비 세정 기구
120: 로딩 유닛 130: 캐리어 세정기
140: 전달 유닛 W: wafer P: abrasive plate
C: wafer carrier C1, C2, C3, C4: cleaning module
Go: Wafer transfer mechanism FR: Frame
Gr: gripper PC: preliminary cleaning mechanism
120: loading unit 130: carrier cleaner
140:

Claims (30)

화학 기계적 연마 공정이 행해지는 연마 정반과;
상기 연마 정반에서 상기 웨이퍼에 대하여 상기 화학 기계적 연마 공정이 행해지도록 웨이퍼를 보유한 상태로 이동하는 웨이퍼 캐리어와;
상기 화학 기계적 연마 공정이 행해진 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 전달받아 세워진 상태가 되게 회전시키는 전달 유닛과;
상기 전달 유닛에서 웨이퍼를 전달받아 세워진 상태로 이송하는 웨이퍼 이송 기구와;
상기 웨이퍼 이송 기구에 의하여 이송되는 상기 웨이퍼를 다단계로 세정하는 2개 이상의 세정 모듈을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
A polishing platen on which a chemical mechanical polishing process is performed;
A wafer carrier moving in a state of holding the wafer such that the chemical mechanical polishing process is performed on the wafer in the polishing platen;
A transfer unit for transferring the wafer subjected to the chemical mechanical polishing process from the wafer carrier to a standing state;
A wafer transfer mechanism for transferring the wafer from the transfer unit to a standing state;
Two or more cleaning modules for cleaning the wafer transferred by the wafer transfer mechanism in multiple steps;
The wafer processing apparatus comprising:
제 1항에 있어서,
상기 세정 모듈 중 어느 하나는 2개 이상의 웨이퍼를 세로로 적치하는 보유 챔버를;
더 포함하여 구성되어, 상기 세정 모듈이 행해진 상기 웨이퍼가 상기 보유 챔버에 적치되면서 대기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein one of the cleaning modules comprises a holding chamber for vertically stacking two or more wafers;
Wherein the wafer waiting for the cleaning module is placed in the holding chamber and is waiting.
제 1항에 있어서,
상기 보유 챔버에는 대기 중인 상기 웨이퍼에 질소 가스, 불활성 가스 중 어느 하나 이상이 공급되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of nitrogen gas and inert gas is supplied to the wafer in the waiting chamber.
제 2항에 있어서,
상기 보유 챔버에는 2개 이상의 웨이퍼를 적치시키는 적치대를 구비하고, 상기 적치대를 회전시키는 것에 의하여 상기 적치대에 적치된 2개 이상의 웨이퍼를 동시에 세정 공정과, 헹굼 공정과, 건조 공정 중 어느 하나 이상을 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the holding chamber is provided with an enemy tooth to which two or more wafers are stacked, and at least two of the wafers, which are placed on the enemy tooth by rotating the enemy tooth, are simultaneously cleaned, rinsed, Or more of the thickness of the wafer.
제 4항에 있어서,
상기 적치대는 90도 회전하여 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 회전하여 건조 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the table is rotated by 90 degrees so that the wafer is rotated in a horizontal state to perform a drying process.
제 4항에 있어서,
상기 적치대는 상기 웨이퍼를 거치하는 안착부가 구비되어, 상기 웨이퍼 이송 기구로부터 이송되는 웨이퍼를 상기 적치대의 입구를 통해 상기 안착부에 하나씩 거치시킨 상태에서, 상기 입구를 개폐하는 덮개가 닫히면, 상기 덮개에 형성된 안착 슬릿에 의해 상기 웨이퍼의 위치가 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
5. The method of claim 4,
And a cover for holding the wafer is mounted on the mounting table. When the cover for opening and closing the inlet is closed in a state in which wafers transferred from the wafer transfer mechanism are mounted one by one to the mounting portion through the entrance of the mounting table, And the position of the wafer is fixed by the formed seating slit.
제 5항에 있어서,
상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서 상면에는 에어 필터가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein an air filter is formed on an upper surface of the table at a position where the table is rotated in a horizontal state.
제 5항에 있어서,
상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서, 상기 웨이퍼의 가장자리에 유체 분출공이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein a fluid ejection hole is formed at an edge of the wafer at a position where the table is rotated in a state where the wafer is horizontal.
제 7항에 있어서,
상기 웨이퍼의 사이에는 물튐 방지 커버가 배치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
8. The method of claim 7,
And an anti-dust cover is disposed between the wafers.
제 9항에 있어서,
상기 물튐 방지 커버의 가장자리는 상기 유체 분출공으로부터 상향 경사지게 형성된 지지대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
10. The method of claim 9,
And an edge of the dust-proof cover is supported by a support member formed upwardly inclined from the fluid jetting hole.
제 1항에 있어서,
상기 세정 모듈은 상기 웨이퍼를 세워진 상태로 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the cleaning module cleans the wafer in a standing state.
제 1항에 있어서,
상기 연마 정반은 350mm 이상의 상기 웨이퍼의 화학 기계적 연마 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the polishing platen is subjected to a chemical mechanical polishing process of the wafer of 350 mm or more.
제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어의 이송 경로 상에 상기 연마 정반이 2개 이상 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least two polishing tables are provided on a transfer path of the wafer carrier.
제 11항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어의 연마 이송 경로와 상기 웨이퍼 이송 기구의 세정 이송 경로는 서로 평행하고, 상기 연마 이송 경로의 바깥 일측에 상기 세정 이송 경로가 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the polishing transfer path of the wafer carrier and the cleaning transfer path of the wafer transfer mechanism are parallel to each other and the cleaning transfer path is located at one side of the polishing transfer path.
제 14항에 있어서,
상기 연마 정반과 상기 웨이퍼 캐리어는 각각 한 쌍으로 이루어져 상기 연마 이송 경로가 2열로 이루어지고, 상기 세정 모듈이 상기 연마 정반의 바깥에 각각 1열씩 대칭으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the polishing table and the wafer carrier are each formed of a pair, the polishing transfer path comprises two rows, and the cleaning module is arranged symmetrically with respect to the polishing table, one row at a time.
제 1항에 있어서,
상기 세정 모듈들 중 어느 하나 이상의 내부에는, 상기 웨이퍼가 세워진 상태로 회전 구동되면서, 상기 웨이퍼의 표면에 비접촉 방식으로 세정액을 분사하는 세정액 분사기가 설치된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 다단계 세정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein a cleaning liquid injector for spraying the cleaning liquid in a non-contact manner is provided on the surface of the wafer while the wafer is rotationally driven in a standing state in any one of the cleaning modules.
제 16항에 있어서,
상기 세정액 분사기는 상기 웨이퍼의 중심부와 하측에 세정액을 분사되는 세정액의 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 다단계 세정 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the cleaning liquid injector ejects a cleaning liquid sprayed to the central portion and the lower side of the wafer.
제 15항에 있어서,
상기 웨이퍼는 회전축과 연통 회전하는 흡입 플레이트에 고정된 상태로 회전축을 회전 구동하는 구동 모터의 회전 구동력에 의하여 세워진 상태로 회전하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 다단계 세정 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the wafer is rotated in a state erected by a rotational driving force of a driving motor for rotationally driving the rotating shaft while being fixed to a suction plate rotating in communication with the rotating shaft.
제 15항에 있어서,
상기 세정 모듈들 중 어느 하나 이상의 내부에는, 상기 웨이퍼가 세워진 상태로 회전 구동되면서, 상기 웨이퍼의 표면에 세정 브러쉬가 회전하면서 상기 웨이퍼의 표면을 접촉 방식으로 세정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 다단계 세정 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein a cleaning brush is rotated on the surface of the wafer while the wafer is rotated and driven in the inside of any one of the cleaning modules to clean the surface of the wafer in a contact manner, .
제 15항에 있어서,
상기 웨이퍼 이송기구는 상기 웨이퍼를 2군데 이상의 하측에서 걸리게 하는 그립부에서 지지하여 이송하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 다단계 세정 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the wafer transfer mechanism supports and transfers the wafer at a grip portion for holding the wafer at two or more places below the wafer transfer mechanism.
제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어에 상기 웨이퍼를 로딩하는 로딩 유닛은 상기 전달 유닛과 상기 연마 정반을 사이에 두고 반대측에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
21. The method according to any one of claims 1 to 20,
Wherein the loading unit for loading the wafer into the wafer carrier is located on the opposite side between the transfer unit and the polishing table.
제 21항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어는 상기 순환형 궤도로 이동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
22. The method of claim 21,
Wherein the wafer carrier moves into the circulating track.
제 21항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어가 상기 전달 유닛에서 웨이퍼를 언로딩 한 상태로 상기 로딩 유닛에서 웨이퍼를 로딩받기 이전에, 상기 웨이퍼 캐리어의 저면을 세정하는 세정 기구를;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
22. The method of claim 21,
A cleaning mechanism for cleaning the bottom surface of the wafer carrier before the wafer carrier is loaded in the loading unit with the wafer unloaded from the transfer unit;
Wherein the wafer processing apparatus further comprises:
제 21항에 있어서,
상기 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼를 상기 전달 유닛에 전달하기 이전에, 상기 웨이퍼 캐리어에 탑재된 웨이퍼의 연마면을 세정액으로 예비 세정하는 예비 세정기를;
더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
22. The method of claim 21,
A preliminary cleaner for preliminarily cleaning the polishing surface of the wafer mounted on the wafer carrier with a cleaning liquid before transferring the wafer from the wafer carrier to the transfer unit;
Wherein the wafer processing apparatus further comprises:
화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼를 건조시키는 건조기로서,
2개 이상의 웨이퍼를 세로로 적치하여 대기시키는 적치대와;
상기 적치대에 대기 중인 상기 웨이퍼에 질소 가스, 불활성 가스 중 어느 하나 이상을 공급하는 기체 공급부와;
상기 적치대를 회전시켜 상기 적치대에 위치한 2개 이상의 상기 웨이퍼를 동시에 건조시키는 회전 구동부를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조기.
A dryer for drying a wafer subjected to a chemical mechanical polishing process,
An enemy tooth that vertically stacks two or more wafers and waits;
A gas supply unit for supplying at least one of a nitrogen gas and an inert gas to the wafer in the standby state;
A rotation driving unit for rotating the enemy tooth to simultaneously dry two or more of the wafers located in the enemy tooth;
Wherein the wafer drier comprises:
제 25항에 있어서,
상기 회전 구동부는 상기 적치대를 회전시켜 상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대를 회전 구동하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조기.
26. The method of claim 25,
Wherein the rotary drive unit rotates the enemy tooth to rotationally drive the enemy tooth in a state in which the wafer is horizontal.
제 25항에 있어서,
상기 적치대는 상기 웨이퍼를 거치하는 안착부가 구비되고, 상기 웨이퍼 이송 기구로부터 이송되는 웨이퍼를 상기 적치대의 입구를 통해 상기 안착부에 하나씩 거치시킨 상태에서, 상기 입구를 적치대 덮개로 닫으면, 상기 덮개에 형성된 안착 슬릿에 의해 상기 웨이퍼의 위치가 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조기.
26. The method of claim 25,
And the wafers transferred from the wafer transfer mechanism are mounted on the mounting part one by one through the entrance of the mounting table and the inlet is closed with an elliptical cover, Wherein the position of the wafer is fixed by the formed seating slit.
제 26항에 있어서,
상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서, 상기 웨이퍼의 하측에 유체 분출공이 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
27. The method of claim 26,
Wherein a fluid ejection hole is formed on a lower side of the wafer at a position where the table is rotated in a state where the wafer is horizontal.
제 28항에 있어서,
상기 웨이퍼의 사이에는 물튐 방지 커버가 배치되고, 상기 물튐 방지 커버의 가장자리는 상기 유체 분출공으로부터 상향 경사지게 형성된 지지대에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
29. The method of claim 28,
Wherein an anti-fogging cover is disposed between the wafers, and an edge of the anti-fogging cover is supported by a supporter formed upward from the fluid jetting hole.
제 26항에 있어서,
상기 웨이퍼가 수평인 상태로 상기 적치대가 회전한 위치에서 상면에는 에어 필터가 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.


27. The method of claim 26,
Wherein an air filter is formed on an upper surface of the table at a position where the table is rotated in a horizontal state.


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