KR20160116656A - Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules - Google Patents

Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules Download PDF

Info

Publication number
KR20160116656A
KR20160116656A KR1020150044736A KR20150044736A KR20160116656A KR 20160116656 A KR20160116656 A KR 20160116656A KR 1020150044736 A KR1020150044736 A KR 1020150044736A KR 20150044736 A KR20150044736 A KR 20150044736A KR 20160116656 A KR20160116656 A KR 20160116656A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulation resistance
iso
value
voltage value
resistance
Prior art date
Application number
KR1020150044736A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101682929B1 (en
Inventor
금만희
김한석
조영균
황의선
Original Assignee
(주) 다쓰테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 다쓰테크 filed Critical (주) 다쓰테크
Priority to KR1020150044736A priority Critical patent/KR101682929B1/en
Publication of KR20160116656A publication Critical patent/KR20160116656A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101682929B1 publication Critical patent/KR101682929B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/025—Measuring very high resistances, e.g. isolation resistances, i.e. megohm-meters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/08—Measuring resistance by measuring both voltage and current
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
    • H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

Disclosed is an insulation resistance measurement method of photovoltaic modules. The insulation resistance measurement method of photovoltaic modules includes connecting a measurement resistance whose resistance value is known in parallel to one of two insulation resistances, connecting one end part of the measurement resistance to the other end part of a switch, and measuring a first and a second insulation resistance value by using the total voltage value of a circuit and a value of a measurement resistance when a chassis is connected to one end part of the switch, a first measurement voltage value as a voltage value when the switch is opened, and a second measurement voltage value as a voltage value when the switch is closed. So, the insulation resistance can be easily and simply measured.

Description

태양광 모듈의 절연저항 측정 방법{INSULATION RESISTANCE MEASUREMENT METHOD OF PHOTOVOLTAIC MODULES}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an insulation resistance measuring method for a solar module,

본 발명은 절연저항의 측정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양광 모듈의 절연저항 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of measuring insulation resistance, and more particularly, to a method of measuring insulation resistance of a solar module.

절연저항(絶緣抵抗, Insulation Resistance)은 전압 인가시에 발생하는 전류에 대하여, 그 절연물에 의하여 주어지는 저항 및 이의 저항 값으로, 상기 절연물은 전하를 흡장하는 성질을 가지므로 외부의 온도 및 습도, 흡수 속도 등에 따라 상기 절연 저항의 영향은 달라지게 된다.Insulation resistance is a resistance given by the insulator and a resistance value of the insulator against a current generated when a voltage is applied and the insulator has a property of storing charge so that external temperature and humidity, The influence of the insulation resistance varies depending on the speed and the like.

상기 절연저항은 접지(기계 장치의 외피)와 도전체 사이의 저항으로서 상기 절연저항이 높다는 뜻은 누설 전류가 적다는 것을 의미하므로, 상기 절연저항은 일정 값 이상으로 유지할 수 있도록 하여, 해당 장치의 안전성을 담보하도록 하는 것이 일반적이다.Since the insulation resistance is a resistance between the ground (the outer surface of the mechanical device) and the conductor and the insulation resistance is high, it means that the leakage current is small. Therefore, the insulation resistance can be maintained at a predetermined value or more, It is common to ensure safety.

여기서 태양광 발전을 실시하는 태양광 모듈용 절연저항에 대하여는, 누설전류로 인한 화재 및 인명 보호를 위하여 특히 중요한데 일반적인 태양광 모듈(Photovoltaic Module, PV Module)용 절연저항 R은, 상기 태양광 모듈 표면 영역 1제곱미터(1㎡) 당 40MΩ이 되도록 하는 것이 바람직하다.The insulating resistance R for a photovoltaic module that performs solar power generation is particularly important for protecting fire and lifespan due to leakage current. The insulation resistance R for a general photovoltaic module (PV module) It is preferable to set the area to 40 M? Per 1 square meter area (1 m 2).

따라서 태양광 모듈을 설치함에 있어서 안정적인 동작 및 유지보수의 용이함은 물론, 안전사고를 미연에 방지하기 위해서라도 상기 절연저항을 정확하게 측정하여 설치하도록 하는 것이 중요하다.Therefore, in installing the solar module, it is important to accurately measure and install the insulation resistance even in order to prevent a safety accident as well as to ensure stable operation and maintenance.

상기와 같은 태양광 모듈의 절연저항 관련 선행기술로서, 등록특허 10-1303597호는 DFT(Discrete Fourier Transformation)를 적용한 활선 절연저항 측정장치를 제공하고 있으며, 또한 등록특허 10-1248592호 및 등록특허 10-1225547호는 태양광 모듈의 절연저항 및 누설전류 계측 시스템을 제공하고 있고, 등록특허 10-0995672호는 전기시설물의 누전위치 검출장치 및 그 방법을 제공하고 있다. 상기의 기술들은 본 발명과는 그 구성 및 동작 등이 모두 완전히 상이한 기술들로 판단된다.As a prior art relating to the insulation resistance of the solar module as described above, Japanese Patent Laid-Open No. 10-1303597 proposes a device for measuring a live insulation resistance using DFT (Discrete Fourier Transformation) No. 1225547 provides an insulation resistance and leakage current measurement system of a solar module, and a patent document 10-0995672 provides an apparatus and method for detecting an electrical leakage position of an electrical installation. It is to be understood that the above-described techniques are completely different from the present invention in terms of structure, operation, and the like.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술들과는 다른 방법으로. 태양광 모듈의 절연저항을 측정하는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention is different from the above-described conventional techniques. And a method of measuring an insulation resistance of a solar module.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여,In order to accomplish the object of the present invention as described above,

태양광 모듈에 설치되고 제1, 제2절연저항으로 구분되어 있는 절연저항을 측정하기 위하여 저항값을 알고 있는 하나의 측정저항을 상기 두 절연저항 중 어느 하나에 병렬로 연결하고, 상기 측정저항의 일단부에 스위치의 타단부를 연결하고, 상기 스위치의 일단부에는 섀시와 연결한 상태에서, 회로의 전체전압값과 상기 측정저항의 값, 상기 스위치가 열렸을때의 전압값인 제1계측전압값, 상기 스위치가 닫혔을때의 전압값인 제2계측전압값을 이용하여 상기 제1, 제2절연저항값을 측정하여 태양광 모듈의 절연저항을 측정하도록 한다.A measuring resistor, which is installed in the solar module and is divided into first and second insulating resistances, is connected in parallel to one of the two insulating resistors, And the other end of the switch is connected to one end of the switch and connected to the chassis at one end of the switch, the total voltage value of the circuit, the value of the measurement resistance, and the first measurement voltage value And the first and second insulation resistance values are measured using a second measured voltage value that is a voltage value when the switch is closed to measure the insulation resistance of the solar module.

상기에서, 상기 제1, 제2절연저항값을 측정하여 발생하는 선형적인 오차에 대하여 보정을 실시하여 상기 측정한 제1, 제2절연저항값을 상기 절연저항의 실제 제1, 제2절연저항값에 유효하게 근접할 수 있도록 해야 한다.The first and second insulation resistance values may be corrected based on linear errors generated by measuring the first and second insulation resistance values, and the first and second insulation resistance values may be corrected to actual first and second insulation resistance values So that the value can be effectively approximated.

본 발명에 의하면, 별도의 장치 없이도 간편하면서도 정확하게 해당 절연 저항을 측정할 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to measure the insulation resistance easily and accurately without a separate device.

도 1은 본 발명의 절연저항 및 측정을 위한 구성요소가 도시된 회로도.
도 2는 실제 절연저항 대비 측정 절연저항을 도시한 그래프.
도 3은 실제 절연저항을 시간대별로 측정한 표.
도 4는 파손된 태양광 모듈의 사진.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a circuit diagram showing components of the insulation resistance and measurement of the present invention. Fig.
2 is a graph showing the measured insulation resistance versus the actual insulation resistance.
3 is a table showing the actual insulation resistance measured by time.
4 is a photograph of a broken photovoltaic module.

이하에서는 본 발명을 첨부되는 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다. 하기의 설명은 본 발명의 실시와 이해를 돕기 위한 것이지 본 발명을 이에 한정하는 것은 아니다. 당업자들은 이하의 특허등록청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 내에서 다양한 변형 및 변경이 있을 수 있음을 이해할 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The following description is intended to assist in the understanding and understanding of the present invention, but is not to be construed as limiting the invention thereto. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made within the spirit of the invention as set forth in the following claims.

도 1은 태양광 패널에 연결되고, 일측이 접지(FG)와 연결되어 있는 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정하기 위한 구성요소들의 회로도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 측정저항(RG)을 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N) 중 제1절연저항(Riso-P)의 양단에 병렬로 설치하고, 또한 상기 측정저항(RG)을 활성화시키기 위한 스위치(SW)가 상기 측정저항(RG)의 일측에 연결된다. 또한 상기 스위치(SW)가 연결되는 상기 측정저항(RG)의 말단으로는 접지(FG)가 연결된다.1 is a circuit diagram of components for measuring insulation resistances R iso-P and R iso-N connected to a solar panel and one side connected to ground FG. As shown in FIG. 1, one measurement resistor R G is installed in parallel at both ends of the first insulation resistor R iso-P among the insulation resistances R iso-P and R iso-N , A switch SW for activating the measuring resistor RG is connected to one side of the measuring resistor R G. In addition to the ends of the measuring resistor (R G) at which the switch (SW) connection is connected to the ground (FG).

여기서 상기 접지(FG)는 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)의 저항값 가변에 따른 회로상의 전압 및 전류 변동을 완충하는 역할을 한다.Here, the ground FG serves to buffer voltage and current fluctuations on the circuit according to the resistance value of the insulation resistances R iso-P and R iso-N .

또한 상기 스위치(SW)는 주된 역활은 측정자가 측정을 실시하고자 할 때에 상기 스위치(SW)를 활성화시켜 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정하기 위한 용도이지만, 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정하지 않을 때에는 상기 스위치(SW)를 열어 비활성화시킴으로서 누설전류 발생을 방지하는 누설전류 저감 역할 또한 수행하게 된다.The switch SW is mainly used for measuring the insulation resistances R iso-P and R iso-N by activating the switch SW when the user intends to perform measurement, (R iso-P , R iso-N ) is not measured, the switch SW is opened and deactivated to perform a leakage current reduction function for preventing leakage current.

이하에서는 도 1을 통하여 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 실측하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of actually measuring the insulation resistances Riso-P and Riso-N will be described with reference to FIG.

우선 상기 도 1에 도시된 회로도에서, 상기 측정저항(RG)은 본 발명의 구성요소로써 이미 설정된 값을 알고 있는 저항을 사용하게 되며, 여기서 상기 측정저항(RG)의 값은 일반적인 태양광 모듈용 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 효과적으로 측정하기 위하여 940k~1410k 값 범위 내로 설정된 저항을 사용하는 것이 바람직하다.First, in the circuit diagram shown in FIG. 1, the measuring resistor R G uses a resistor which is already known as a constituent element of the present invention, and the value of the measuring resistor R G is a value In order to effectively measure the insulation resistance (R iso-P , R iso-N ) for the module, it is preferable to use a resistance set within the range of 940k to 1410k.

또한 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)과 연결된 회로 전체에 가하는 전체입력전압값(Vpv) 역시 측정자가 임의적으로 그 값을 정하여 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)에 가하는 전압으로써 이하에서는 측정의 용이함 및 설명의 편의성 등을 고려하여, 상기 전체입력전압값(Vpv)는 200V, 700V로 하여 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정하는 것을 일예시로 하여 설명하도록 한다.In addition, the insulating resistance (R iso-P, R iso -N) total input applied to the entire circuit is connected to the voltage value (Vpv) also measured self optionally appointed the value of the insulating resistance (R iso-P, R iso -N (R iso-P , R iso-N ) with the total input voltage value Vpv set to 200 V and 700 V in consideration of the ease of measurement and the convenience of explanation As an example.

그리고 이하에서 설명할 제1계측전압값(Vpfg_SWoff) 및 제2계측전압값(Vpfg_SWon)은 측정자가 별도의 장치를 이용하여 상기 측정저항(RG)에 걸리는 전압을 측정한 값으로서, 상기 제1계측전압값(Vpfg_SWoff)은 상기 스위치(SW)가 비활성화된 상태(OFF)일때 상기 측정전압값(RG)에 걸리는 전압값을 의미하고, 상기 제2계측전압값(Vpfg_SWon)는 상기 스위치(SW)는 상기 스위치(SW)가 활성화된 상태(ON)일때 상기 측정전압값(RG)에 걸리는 전압값을 의미한다. 상기 제1, 제2계측전압값(Vpfg_SWoff, Vpfg_SWon)을 측정하는 방법은 종래의 측정장치 등을 이용하여 측정하면 되므로, 이에 대해서는 설명을 생략하도록 한다.The first measured voltage value (V pfg_SWoff ) and the second measured voltage value (V pfg_SWon ) to be described below are values obtained by measuring the voltage applied to the measuring resistor (R G ) The first measured voltage value V pfg_SWoff means a voltage value applied to the measured voltage value R G when the switch SW is in an inactive state and the second measured voltage value V pfg_SWon is The switch SW means a voltage value applied to the measured voltage value R G when the switch SW is in the ON state. The method of measuring the first and second measured voltage values (V pfg_SWoff and V pfg_SWon ) can be measured using a conventional measuring device or the like, and thus a description thereof will be omitted.

상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정하기 위하여, 우선 측정해야 하는 값은 상기 스위치(SW)가 OFF 상태일 때의 계측전압값인 제1계측전압값(Vpfg_SWoff), 그리고 상기 스위치(SW)가 ON 상태일때의 계측전압값인 제2계측전압값(Vpfg_SWon)인데, 이미 측정자가 그 값을 알고 있는 상기 제1계측전압값(Vpfg_SWoff)과, 상기 제1계측전압값(Vpfg_SWoff)을 이용하여 측정할 수 있는 제2절연저항값(Riso-N)은 이하의 수학식 1 및 수학식 2로 표현할 수 있다.In order to measure the insulation resistances R iso-P and R iso-N , a first measurement voltage value (V pfg_SWoff ), which is a measurement voltage value when the switch SW is OFF, and the switch (SW) is inde the second measurement voltage (V pfg_SWon) measuring voltage values of the oN state when, with the first measured voltage value (V pfg_SWoff) already measured self-aware of its value, the first measurement The second insulation resistance value R iso-N that can be measured using the voltage value V pfg_SWoff can be expressed by the following Equation 1 and Equation 2.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

따라서 상기 제2절연저항값(Riso-N)은 상기 수학식 2를 통하여 측정할 수 있다. 하지만 상기 수학식 2에 따르면, 상기 제2절연저항값(Riso-N)은 상기 제1절연저항값(Riso-P)을 측정해야 계산 가능함을 알 수 있다.Accordingly, the second insulation resistance value R iso-N can be measured through Equation (2). However, according to Equation (2), it can be understood that the second insulation resistance value R iso-N can be calculated by measuring the first insulation resistance value R iso-P .

이하에서는 상기 제1절연저항값(Riso-P)을 측정하기 위한 방법을 설명한다.Hereinafter, a method for measuring the first insulation resistance value R iso-P will be described.

우선 사용자가 그 값을 알고 있는 상기 제2계측전압값(Vpfg_SWon)은 다음 수학식 3으로 표현할 수 있다.First, the second measured voltage value (V pfg_SWon ) for which the user knows the value can be expressed by the following equation (3).

Figure pat00003
Figure pat00003

이를 정리하여 다음 수학식 4와 같이 표현할 수 있다.This can be summarized as shown in Equation 4 below.

Figure pat00004
Figure pat00004

여기서 상기 제2절연저항값(Riso-N)은 수학식 2로 표현할 수 있으므로, 이를 대입하여 수학식 5를 얻을 수 있다.Since the second insulation resistance value R iso-N can be expressed by Equation (2), Equation (5) can be obtained by substituting it.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 수학식 5에서, 양 변에

Figure pat00006
를 곱하게 되면 이하의 수학식 6을 얻을 수 있다.In the above Equation 5,
Figure pat00006
The following equation (6) can be obtained.

Figure pat00007
Figure pat00007

상기의 수학식 6을 정리하면 이하의 수학식 7을 얻을 수 있다.The above Equation (6) can be summarized as the following Equation (7).

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 수학식 7에서, 양 변에

Figure pat00009
을 곱하여 상기 수학식 7을 정리하면 이하의 수학식 8을 얻을 수 있다.In the above Equation 7,
Figure pat00009
(7), the following equation (8) can be obtained.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기의 수학식 8에서, 구하고자 하는 제1절연저항값(Riso-P)을 좌변으로 이항하여 정리하면 이하의 수학식 9를 얻을 수 있다.In Equation (8), if the first insulation resistance value R iso-P to be obtained is shifted to the left side, the following Equation (9) can be obtained.

Figure pat00011
Figure pat00011

상기의 수학식 9에서, 양 변에

Figure pat00012
을 곱하여 정리하면 이하의 수학식 10을 얻을 수 있다.In the above Equation 9,
Figure pat00012
The following equation (10) can be obtained.

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 수학식 10에서, 우변 측의 각 전압값(Vpv, Vpfg_SWoff, Vpfg_SWon) 및 측정저항(RG)은 측정자가 모두 알고 있는 값이므로, 상기 수학식 10을 통하여 제1절연저항값(Riso-P)을 구할 수 있으며, 또한 상기 제1절연저항값(Riso-P)이 측정되면 상기 수학식 2를 통하여 제2절연저항값(Riso-N)을 구할 수 있다.In the equation (10), each voltage value of the right-side (Vpv, V pfg_SWoff, V pfg_SWon) and measurement resistance (R G) is so values known to both self-measurement, isolated first through the equation (10) resistance (R P iso-P can be obtained. If the first insulation resistance value R iso-P is measured, the second insulation resistance value R iso-N can be obtained through Equation (2).

상기와 같이 절연저항(Riso-P, Riso-N)에 대하여, 도 1에서와 같이 회로를 구성함으로서 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정할 수 있다.With respect to the insulation resistance (R iso-P, R iso -N) as described above, it is possible to measure the insulation resistance (R iso-P, R iso -N) by a circuit as shown in Fig.

상술한 바와 같이 측정자가 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정할 수 있는데, 이하에서는 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)에 대하여 측정자가 상기한 방법으로 측정한 절연저항(Riso-P, Riso-N)의 값을 제1측정절연저항(측정Riso-P), 제2측정절연저항(측정Riso-N)으로 칭하고, 실제 태양광 패널에 설치된 저항의 실제적인 값을 제1실제절연저항(실제Riso-P), 제2실제절연저항(실제Riso-N)으로 칭하기로 한다.As described above, the measurer can measure the insulation resistance ( Riso-P , Riso-N ). Hereinafter, the insulation resistance ( Riso-P , Riso- the insulation resistance refers to a value of (R iso-P, R iso -N) by first measuring the insulation resistance (measured R iso-P), a second measuring insulation resistance (measured R iso-N), the actual solar panel The actual value of the installed resistance will be referred to as a first actual insulation resistance (actual R iso-P ) and a second actual insulation resistance (actual R iso-N ).

이하에서는 본 발명의 방법을 통하여 측정한 측정절연저항값이 실제적인 저항값에 비해 차이가 어느 정도 발생하는지를 설명한다.Hereinafter, how the measured insulation resistance value measured through the method of the present invention is different from the actual resistance value will be described.

이하의 표 1 및 표 2는 상기 절연저항(Riso-P, Riso-N)에 대하여, 상기 제1, 제2실제절연저항(실제Riso-P, 실제Riso-N)과 측정한 제1, 제2측전절연저항(측정Riso-P, 측정Riso-N), 그리고 이들 간의 오차를 퍼센트 단위로 표시한 값을 정리한 표이다. 상기 표 1은 상기 전체입력전압(Vpv)을 200V로 설정하였을 때이고, 상기 표 2는 상기 전체입력전압(Vpv)을 700V로 설정하였을 때이다.The following Table 1 and Table 2 is the insulation resistance with respect to (R iso-P, R iso-N), the first and second actual insulation resistance (actual R iso-P, the actual R iso-N) as measured by It is a table summarizing the first and second transverse insulation resistance (measured R iso-P , measured R iso-N ), and the error between them in percentage. Table 1 shows when the total input voltage Vpv is set to 200 V and Table 2 shows when the total input voltage Vpv is set to 700 V. [

Figure pat00014
Figure pat00014

Figure pat00015
Figure pat00015

표 1 및 표 2에서 도시된 바와 같이, 상기 전체입력전압(Vpv)의 값과는 관계 없이 상기 제1, 제2실제절연저항(실제Riso-P, 실제Riso-N)대비 제1, 제2측전절연저항(측정Riso-P, 측정Riso-N)의 값의 오차는 일정하게, 선형적으로 발생함을 알 수 있으며, 상기 선형적으로 발생하는 오차의 그래프는 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 절연저항 측정 방법을 통하여 측정한 값으로써 도 2에서 붉은색으로 도시되어 있는 절연저항(측정Riso-P, 측정Riso-N)의 값은 도 2에서 푸른색으로 도시되어 있는 실제 절연저항(실제Riso-P, 실제Riso-N)과 비교해 일정한 선형적 오차를 발생시키고 있으므로, 이는 별도의 보정(Calibration)을 실시하여 상기 측정 절연저항(측정Riso-P, 측정Riso-N) 값에 대하여 보정을 가함으로서 실제 절연저항(실제Riso-P, 실제Riso-N) 값에 유효하게 근접할 수 있도록 한다.As shown in Tables 1 and 2, the first and second actual insulation resistances (the actual R iso-P and the actual R iso-N ) in relation to the first and second actual insulation resistances are independent of the values of the total input voltage Vpv. It can be seen that the error of the value of the second lateral insulation resistance (measurement R iso-P , measurement R iso-N ) occurs constantly and linearly, and the graph of the linearly occurring error is shown in Fig. . 2, the value of the insulation resistance (measurement R iso-P , measurement R iso-N ), which is shown in red in FIG. 2 as a value measured through the insulation resistance measuring method of the present invention, (The actual R iso-P , the actual R iso-N ), which is shown in blue in FIG. 6B , (Actual R iso-P , actual R iso-N ) value by applying a correction to the value of R iso-P , measurement R iso-N .

상기와 같이 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 측정함으로서 연결된 태양광 모듈의 파손 여부를 확인할 수 있는데, 도 3 및 도 4를 통하여 설명하면, 도 3은 어느 태양광 모듈에 연결된 절연저항(Riso-P, Riso-N)을 시간대별로 측정한 값이 도시되어 있는데, 도 3에서 확인할 수 있듯이 상기 제1절연저항(Riso-P)은 값의 변동이 심하여 고장(F)이 발생하였음을 확인할 수 있으며, 또한 상대적으로 상기 제2절연저항(Riso-N)은 값의 변동이 거의 없어서 정상(T)임을 알 수 있다.May identify the damage of the photovoltaic modules connected by the insulation resistance (R iso-P, R iso -N) measured as described above, will be described through Figs. 3 and 4, Figure 3 is connected to any solar module the insulation resistance (R iso-P, R iso -N) for there is a value measured in each period of time is shown, as can be see in Figure 3 the first insulating resistance (R iso-P) is severe is the value variation failure (F ), And it can be seen that the second insulation resistance R iso-N is normal (T) because there is little fluctuation in the value.

그리고 도 4에서 확인할 수 있듯이, 고장(F)이 발생하였으리라 추정되는 제1절연저항(Riso-P) 부분의 태양광 모듈이 실제로 붉은색 원 부분이 파손되어 고장(F) 상태임을 확인할 수 있다.As can be seen from FIG. 4, the photovoltaic module of the first insulation resistance (R iso-P ) portion, which is supposed to have generated the fault F, can be confirmed that the red color circle is broken and is in the fault F state .

Riso-P : 제1절연저항. Riso-N : 제2절연저항.
RG : 측정저항. Vpv : 전체입력전압.
Vpfg_SWoff : 제1계측전압값. Vpfg_SWon : 제2계측전압값
SW : 스위치. FG : 접지.R iso-P : first insulation resistance. R iso-N : Second insulation resistance.
R G : Measuring resistance. Vpv: Total input voltage.
V pfg_SWoff : first measured voltage value. V pfg_SWon : second measured voltage value
SW: Switch. FG: Ground.

Claims (2)

태양광 모듈에 설치되고 제1, 제2절연저항으로 구분되어 있는 절연저항을 측정하기 위한 방법으로서, 저항값을 알고 있는 하나의 측정저항을 상기 두 절연저항 중 어느 하나에 병렬로 연결하고, 상기 측정저항의 일단부에 스위치의 타단부를 연결하고, 상기 스위치의 일단부에는 섀시와 연결한 상태에서, 회로의 전체전압값과 상기 측정저항의 값, 상기 스위치가 열렸을때의 전압값인 제1계측전압값, 상기 스위치가 닫혔을때의 전압값인 제2계측전압값을 이용하여 상기 제1, 제2절연저항값을 측정하는 것을 특징으로 하는 태양광 모듈의 절연저항 측정 방법.A method for measuring an insulation resistance installed in a solar module and divided into first and second insulation resistances, comprising the steps of: connecting one measurement resistance having a known resistance value to one of the two insulation resistances in parallel; And the other end of the switch is connected to one end of the measuring resistor and connected to the chassis at one end of the switch, the total voltage value of the circuit, the value of the measuring resistor, the voltage value when the switch is opened, Wherein the first and second insulation resistance values are measured using a measured voltage value and a second measured voltage value that is a voltage value when the switch is closed. 제 1항에 대하여, 상기 제1, 제2절연저항값을 측정하여 발생하는 선형적인 오차에 대하여, 보정을 실시하여 상기 측정한 제1, 제2절연저항값을 상기 절연저항의 실제 제1, 제2절연저항값에 유효하게 근접할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는, 태양광 모듈의 절연저항 측정 방법The method of claim 1, further comprising: correcting a linear error generated by measuring the first and second insulation resistance values so that the measured first and second insulation resistance values correspond to actual first, So as to effectively come close to the second insulation resistance value.
KR1020150044736A 2015-03-31 2015-03-31 Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules KR101682929B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150044736A KR101682929B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150044736A KR101682929B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160116656A true KR20160116656A (en) 2016-10-10
KR101682929B1 KR101682929B1 (en) 2016-12-06

Family

ID=57145843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150044736A KR101682929B1 (en) 2015-03-31 2015-03-31 Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101682929B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102145926B1 (en) * 2019-04-02 2020-08-20 가보 주식회사 Voltage-type ground detection apparatus and method using multiple DC power supply voltages mixed together
KR102457053B1 (en) * 2021-11-29 2022-10-21 주식회사 에스엠전자 System for integrated monitoring of photovoltaic power generation
CN115656637A (en) * 2022-10-24 2023-01-31 中南大学 Low-cost photovoltaic panel ground insulation impedance detection circuit and detection method
WO2023204515A1 (en) * 2022-04-18 2023-10-26 한화솔루션(주) Apparatus for inspecting insulation state of photovoltaic module, and method for inspecting insulation state by using same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07191072A (en) * 1993-12-27 1995-07-28 Nec Corp Method for measuring line insulation resistance
KR20130109066A (en) * 2012-03-26 2013-10-07 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for measuring isolation resistance of battery
KR20130127828A (en) * 2012-05-15 2013-11-25 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for measuring isolation resistance of battery using extended kalman filter
KR20150026334A (en) * 2013-09-02 2015-03-11 엘에스산전 주식회사 Photovoltaic inverter

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07191072A (en) * 1993-12-27 1995-07-28 Nec Corp Method for measuring line insulation resistance
KR20130109066A (en) * 2012-03-26 2013-10-07 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for measuring isolation resistance of battery
KR20130127828A (en) * 2012-05-15 2013-11-25 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for measuring isolation resistance of battery using extended kalman filter
KR20150026334A (en) * 2013-09-02 2015-03-11 엘에스산전 주식회사 Photovoltaic inverter

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102145926B1 (en) * 2019-04-02 2020-08-20 가보 주식회사 Voltage-type ground detection apparatus and method using multiple DC power supply voltages mixed together
KR102457053B1 (en) * 2021-11-29 2022-10-21 주식회사 에스엠전자 System for integrated monitoring of photovoltaic power generation
WO2023204515A1 (en) * 2022-04-18 2023-10-26 한화솔루션(주) Apparatus for inspecting insulation state of photovoltaic module, and method for inspecting insulation state by using same
CN115656637A (en) * 2022-10-24 2023-01-31 中南大学 Low-cost photovoltaic panel ground insulation impedance detection circuit and detection method
CN115656637B (en) * 2022-10-24 2024-03-26 中南大学 Low-cost photovoltaic panel ground insulation resistance detection circuit and detection method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101682929B1 (en) 2016-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101682929B1 (en) Insulation resistance measurement method of photovoltaic modules
CN105137163B (en) The resistive leakage current on-line monitoring method of metal oxide piezoresistive arrester or Surge Protector
USRE44455E1 (en) Measuring array
EP2741094A1 (en) Ground fault detection device, ground fault detection method, solar energy system, and ground fault detection program
US9383405B2 (en) Transient voltage suppression protection circuit including built in testing
US10073141B2 (en) Detecting method and apparatus for abnormal electrical connection in main circuit of switchgear
US20130300426A1 (en) Battery system with cell voltage detecting units
CN105021967A (en) Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element
US10632855B2 (en) Device and method for measuring isolation resistance of battery powered systems
KR20140133937A (en) Shunt resistance type current sensor
WO2015079161A3 (en) Device and method for a power security exchange between a consumer and a power source
JP6421498B2 (en) Ground fault detection device and ground fault detection method
KR101715742B1 (en) Voltage detection apparatus, battery and voltage detection method
JP6328054B2 (en) Temperature measurement method
US9568518B2 (en) Power measuring device with internal calibration of diode detectors
US10379149B2 (en) System and method for detecting connector faults in power conversion system
US11143560B2 (en) Electronic circuit for driving a thermocouple element, temperature sensing device, and method for observing a leakage resistance of the thermocouple element
GB2507093A (en) Method and circuit for measuring the electrical resistance of a thermocouple
US20150357968A1 (en) Pv junction unit, pv junction box and method for monitoring current in pv string
KR20190052056A (en) A monitoring device and method for monitoring the impedance of a protective conductor, and a charge control unit
RU2578123C1 (en) Device for protection of electric circuits from single-phase ground faults
JP7193244B2 (en) orientation system
CN111766495A (en) Detection circuit and method of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) on-resistance, chip and battery management system
MX2019000605A (en) Electronic overload breaker with built-in shunt calibration (bisc) and methods of operating same.
US8786361B1 (en) High accuracy analog interface processing circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190819

Year of fee payment: 4