KR20160116458A - 터치 센서 - Google Patents

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KR20160116458A
KR20160116458A KR1020150044192A KR20150044192A KR20160116458A KR 20160116458 A KR20160116458 A KR 20160116458A KR 1020150044192 A KR1020150044192 A KR 1020150044192A KR 20150044192 A KR20150044192 A KR 20150044192A KR 20160116458 A KR20160116458 A KR 20160116458A
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최병진
이재현
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동우 화인켐 주식회사
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    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means

Abstract

본 발명은 터치 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴; 양단이 각각 적어도 2개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재되며 컨택홀을 구비한 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 저항의 저항은 낮추면서 이와 동시에 컨택홀이 사용자에게 시인되는 것은 최소화 할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.

Description

터치 센서{TOUCH SENSOR}
본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
통상적으로 터치스크린 패널은 손으로 접촉(touch)하면 그 위치를 입력 받도록 하는 특수한 입력장치를 장착한 스크린 패널이다. 이러한 터치스크린 패널은 키보드를 사용하지 않고 스크린에 나타난 문자나 특정 위치에 사람의 손 또는 물체가 닿으면, 그 위치를 파악하여 저장된 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력자료를 받을 수 있게 한 것으로 다층으로 적층되어 구성된다.
터치 스크린 패널은 화상이 표시되는 표시부와 그렇지 않은 비표시부를 갖는다. 이러한 표시부 영상의 시인성을 저하시키지 않으면서 터치된 부분을 인식하기 위해서는 투명한 터치 감지 전극의 사용이 필수적이며, 통상적으로 소정의 패턴으로 형성된 감지 패턴이 사용된다.
이러한 감지 패턴은 통상 제1 패턴과 제2 패턴으로 형성될 수 있다. 제1 패턴과 제2 패턴은 서로 다른 방향으로 배치되어, 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 패턴, 제2 패턴 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
이와 관련하여, 제1 패턴 및 제2 패턴은 동일한 기판 상에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각 패턴들은 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 패턴은 서로 연결된 형태이지만 제2 패턴은 섬(island) 형태로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 감지 패턴을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극이 필요하다.
또한, 제1 패턴과 제2 패턴은 서로 절연되어야 하므로 절연층이 형성되는데, 절연층은 브릿지 전극과 감지 패턴의 교차부에만 섬 형태로 위치할 수도 있고(island type), 층 형태로 위치할 수도 있다(contact hole type).
절연층이 섬 형태로 위치하는 경우 브릿지 전극은 양단이 감지 패턴에 직접 연결되고, 층 형태로 위치하는 경우 브릿지 전극은 양단이 각각 1개의 컨택홀(절연층에 형성)을 통해 감지 패턴에 연결된다.
그런데, Island type의 경우 컨택홀이 존재하지 않으므로 컨택홀이 사용자에게 시인되는 문제는 발생하지 않지만, 브릿지 전극에서 감지 패턴에 접촉하는 양단 사이의 거리가 길어 저항이 상승하는 문제가 있다. 반대로, hole type의 경우 양단의 컨택홀 사이의 거리(감지 패턴에 접촉하는 부위 사이의 거리)가 island type에 비해 짧으므로 island type에 비해 저항은 낮출 수 있으나, 컨택홀이 사용자에게 시인되는 문제가 있다.
한국공개특허 제2014-0059571호에는 터치 패널 및 이의 제조 방법이 기재되어 있으나, 상기 문제점에 대한 대안을 제시하지 못하였다.
한국공개특허 제2014-0059571호
본 발명은 터치 감도가 우수한 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 브릿지 전극의 컨택홀이 사용자에게 시인되는 것을 줄일 수 있는 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴;
양단이 각각 적어도 2개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된 브릿지 전극; 및
상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재되며 컨택홀을 구비한 절연층;을 포함하는, 터치 센서.
2. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
3. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
4. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 양단이 각각 2 내지 20개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된, 터치 센서.
5. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 양단이 각각 2 내지 6개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된, 터치 센서.
6. 위 1에 있어서, 상기 컨택홀은 장축 길이가 2㎛ 내지 200 ㎛인, 터치 센서.
7. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 무기 절연층이고, 상기 컨택홀은 장축 길이가 2㎛ 내지 20 ㎛인, 터치 센서.
8. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에 최근접한 컨택홀은 제2 패턴 테두리까지의 최단 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
9. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극의 각 단의 컨택홀 간 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
10. 위 1에 있어서, 상기 양단의 컨택홀은 브릿지 전극 양단 테두리까지의 최단 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
11. 위 1에 있어서, 하기 수학식 1을 만족하는, 터치 센서:
[수학식 1]
D≤2A
(식 중, A는 컨택홀의 장축 길이이고, D는 브릿지 전극의 각 단의 컨택홀 간 거리임).
12. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극 양단의 각 컨택홀은 다각형, 원형 및 타원형으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 형상을 가지며, 각 컨택홀의 장변의 길이가 서로 동일하거나 상이한, 터치 센서.
13. 위 1 내지 12 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치.
본 발명의 터치 센서는 낮은 저항값을 갖는 브릿지 전극을 포함하여, 터치 감도가 우수하다.
본 발명의 터치 센서는 브릿지 전극에서 컨택홀이 사용자에게 시인되는 것을 최소화한다.
도 1은 종래 island type의 절연층을 갖는 터치 센서에서 브릿지 전극 부위를 확대한 평면도이다.
도 2는 종래 contact hole type의 절연층을 갖는 터치 센서에서 브릿지 전극 부위를 확대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극 부위를 확대한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극 부위를 확대한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극 부위를 확대한 평면도이다.
본 발명은 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴; 양단이 각각 적어도 2개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된 브릿지 전극; 및 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재되며 컨택홀을 구비한 절연층;을 포함함으로써, 브릿지 저항의 저항은 낮추면서 이와 동시에 컨택홀이 사용자에게 시인되는 것은 최소화 할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 도면은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시되는 바람직한 실시예로서, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
본 발명의 터치 센서는 감지 패턴, 브릿지 전극(30) 및 절연층(40)을 포함한다.
감지 패턴은 제1 방향으로 형성된 제1 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴(20)을 구비할 수 있다.
제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 방향은 X축 방향일 수 있고, 제2 방향은 이와 수직으로 교차하는 Y축 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)은 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 패턴(10), 제2 패턴(20) 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
이와 관련하여, 제1 패턴(10) 및 제2 패턴(20)은 동일층에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 패턴(20)은 단위 패턴들이 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(30)이 필요하다. 브릿지 전극(30)에 대해서는 후술하도록 한다.
감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 20 내지 200nm일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 20nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 200nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.
감지 패턴은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리 산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다.
이 외에도 당 분야에 공지된 투명 전극 소재가 더 사용될 수 있다. 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있다.
브릿지 전극(30)은 제2 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 전기적으로 연결한다. 이때, 브릿지 전극(30)은 감지 패턴 중 제1 패턴(10)과는 전기적으로 차단되어야 하므로, 이를 위해 절연층(40)이 형성된다.
브릿지 전극(30)은 절연층(40)에 형성된 컨택홀(50)을 통해 제2 패턴(20)의 이격된 단위 패턴에 연결된다.
통상 터치 센서에서 절연층(40)은 도 1과 같이 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부에만 섬 형태로 위치할 수도 있고(island type), 도 2와 같이 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이에 층 형태로 위치할 수도 있다(hole type).
절연층(40)이 섬 형태로 위치하는 경우 브릿지 전극(30)은 양단이 감지 패턴에 직접 연결되고, 층 형태로 위치하는 경우 브릿지 전극(30)은 양단이 각각 1개의 컨택홀(50)(절연층(40)에 형성)을 통해 감지 패턴에 연결된다.
Island type의 경우 컨택홀(50)이 존재하지 않으므로 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 문제는 발생하지 않지만, 브릿지 전극(30)에서 감지 패턴에 접촉하는 양단 사이의 거리가 길어 저항이 상승하는 문제가 있다. 반대로, hole type의 경우 양단의 컨택홀(50) 사이의 거리(감지 패턴에 접촉하는 부위 사이의 거리)가 island type에 비해 짧으므로 island type에 비해 저항은 낮출 수 있으나, 컨택홀(50)이 있는 부분과 그렇지 않은 부분 사이의 반사율 차이에 의해 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 문제가 있다.
그러나, 본 발명의 터치 센서는 도 3과 같이 양단이 각각 적어도 2개의 컨택홀(50)을 통해 제2 패턴(20)의 이격된 단위 패턴에 연결된 브릿지 전극(30)을 구비한다. 이에, hole type으로서 낮은 저항은 나타내면서, 컨택홀(50)을 2개 이상으로 분리하여 각 컨택홀(50)의 크기를 작게 조절할 수 있어 컨택홀(50)이 시인되는 것은 억제할 수 있다.
브릿지 전극(30)이 제2 패턴(20)의 단위 패턴에 연결되는 컨택홀(50)의 개수는 양단이 각각 적어도 2개 이상이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 양단이 각각 2 내지 20개의 컨택홀(50)을 통해 제2 패턴(20)의 단위 패턴에 연결될 수 있다. 다만, 컨택홀(50)의 개수가 너무 많아지면 브릿지 전극(30)의 면적이 넓어지거나, 이를 막기 위해 컨택홀(50)을 작은 크기로 정밀하게 형성해야 하는 바, 양단이 각각 2 내지 6개의 컨택홀(50)을 통해 제2 패턴(20)의 이격된 단위 패턴에 연결되는 것이 바람직하다.
컨택홀(50)의 크기는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 장축 길이(A)가 2㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 컨택홀(50)의 장축 길이가 상기 범위 미만이면 정밀한 공정이 요구되어 수율이 저하되고, 저항이 상승할 수 있다. 상기 범위 초과이면 컨택홀(50)이 시인될 수 있고, 브릿지 전극(30)의 면적이 과도하게 넓어질 수 있다. 바람직하게는 2㎛ 내지 60㎛일 수 있고, 절연층(40)이 무기층인 경우 드라이 에칭법에 의해 보다 미세한 컨택홀(50) 형성이 가능한 바, 보다 바람직하게 2㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 각 컨택홀은 장변 길이가 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
전술한 바와 같이 브릿지 전극(30)에서 제2 패턴(20)의 단위 패턴에 접촉하는 사이의 거리가 짧을수록 낮은 저항을 나타내는 바, 양단의 컨택홀(50)들은 상기 거리를 줄일 수 있도록 배치된 것이 바람직하다. 예를 들면 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부에 최근접한 컨택홀(50)의 제2 패턴(20) 테두리까지의 최단 거리(B)가 2㎛ 내지 150㎛일 수 있다. 거리가 상기 범위 미만이면 공정 마진상 불리할 수 있고, 상기 범위 초과이면 저항이 상승할 수 있다. 저항을 최소화한다는 측면에서 바람직하게는 2㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
이와 마찬가지의 측면에서 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부의 제1 패턴(10)과 제2 패턴(20) 테두리 사이의 간격(C)은 짧은 것이 바람직하다. 예를 들면 3㎛ 내지 100㎛일 수 있다. 거리가 상기 범위 미만이면 공정 마진상 불리할 수 있고, 상기 범위 초과이면 저항이 상승할 수 있다. 공정 마진을 개선하고 낮은 저항을 구현한다는 측면에서 바람직하게는 5㎛ 내지 50㎛일 수 있다.
양단에 각각 존재하는 다수의 콘택홀에 있어서 각 단의 컨택홀(50) 간 거리(D)가 멀어지는 경우 넓은 면적의 브릿지 전극(30)이 요구되는 바, 상기 거리는 짧은 것이 바람직하다. 예를 들면, 각 단의 컨택홀(50) 간 거리가 2㎛ 내지 150㎛일 수 있다. 거리가 상기 범위 미만이면 공정 마진상 불리할 수 있고, 상기 범위 초과이면 브릿지 전극(30)의 면적이 넓어져 브릿지 전극(30)이 시인될 수 있다. 시인성 저하 효과 극대화의 측면에서 바람직하게는 2㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
이와 마찬가지의 측면에서 양단의 컨택홀(50)은 브릿지 전극(30) 양단 테두리까지의 거리(E)가 짧은 것이 바람직하다. 예를 들면 상기 거리가 2㎛ 내지 150㎛일 수 있다. 거리가 상기 범위 미만이면 공정 마진상 불리할 수 있고, 상기 범위 초과이면 브릿지 전극(30)의 면적이 넓어져 브릿지 전극(30)이 시인될 수 있다. 시인성 저하 효과 극대화의 측면에서 바람직하게는 2㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
또한, 브릿지 전극(30)에 있어서 컨택홀(50)은 하기 수학식 1을 만족할 수 있다:
[수학식 1]
D≤2A
(식 중, A는 컨택홀(50)의 장축 길이이고, D는 브릿지 전극(30)의 각 단의 컨택홀(50) 간 거리임).
컨택홀(50)이 상기 수학식 1을 만족하는 경우, 낮은 저항을 구현하면서도 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 것을 최소화 할 수 있다.
구체적으로, 브릿지의 선저항(Line Resistance)은 L(브릿지의 길이)/W(브릿지의 높이)에 비저항(ρ)을 곱한 값을 갖는데, D가 지나치게 커져 상기 식을 만족하지 못하는 경우에는 브릿지의 길이가 길어지므로 선저항이 상승하게 된다. 또한, A가 지나치게 작아져 상기 식을 만족하지 못하는 경우에는 컨택홀(50)이 작아져 전체 컨택홀(50)의 면적이 좁아져 마찬가지로 저항이 상승하게 되는 문제가 있다.
컨택홀(50)은 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 각 컨택홀의 형상은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.
브릿지 전극(30)에 사용되는 소재는 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.
이 외에도 당 분야에 공지된 투명 전극 소재가 더 사용될 수 있다. 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있다.
브릿지 전극(30)의 크기는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 장변이 2 내지 500㎛일 수 있고, 바람직하게는 2 내지 300㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 브릿지의 장변이 2 내지 500㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.
절연층(40)은 상기 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이에 개재되어 제1 패턴(10)과 제2 패턴(20)을 절연시키는 기능을 한다.
절연층(40)은 층 형태로 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이 전체에 위치하며, 전술한 컨택홀(50)을 구비한다.
절연층(40)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 기판 상에 형성될 수 있다.
기판은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.
실시예 및 비교예
(1) 두께 40㎛의 폴리이미드 기판 상에 ITO를 두께 35nm로 증착하고 패터닝하여 제1 및 제2 패턴을 포함하는 감지 패턴을 형성하였다.
상기 감지 패턴이 형성된 기판 상에 두께 1.5㎛의 무기 절연층을 형성하고, 정사각형의 컨택홀을 형성하였다.
상기 절연층 상에 ITO를 두께 130nm로 증착하고 패터닝하여 브릿지 전극을 형성하였다.
실시예 1은 도 5와 같은 구조로, 실시예 2 내지 6은 도 4와 같은 구조로 형성하였으며, 컨택홀, 브릿지 전극의 스펙, 길이 등은 하기 표 1과 같다.
구분 컨택홀
가로
(㎛)		 컨택홀 세로
(㎛)		 각 단의 컨택홀 개수 각 단의 컨택홀 총 면적
(㎛2)		 브릿지 전극 가로
(㎛)		 브릿지 전극 세로
(㎛)		 B
(㎛)		 C
(㎛)		 D
(㎛)		 E
(㎛)
실시예 1 20 20 3 1200 360 200 30 30 20 30
실시예 2 20 20 6 2400 440 200 30 30 20 30
실시예 3 30 30 6 5400 520 200 30 30 30 30
실시예 4 40 40 6 9600 600 200 30 30 40 30
실시예 5 50 50 6 15000 680 200 30 30 50 30
실시예 6 60 60 6 21600 760 200 30 30 60 30
비교예 1 50 50 1 2500 640 200 60 30 - 50
비교예 2 75 75 1 5625 790 200 60 30 - 75
비교예 3 125 125 1 15625 1015 200 60 30 - 100
(2) 가로, 세로 길이가 각각 30㎛인 정사각형의 컨택홀을 각 단에 6개씩 도 4와 같이 형성하고, 하기 표 2와 같은 실시예를 제조하였다.
구분 컨택홀
가로
(㎛)		 컨택홀 세로
(㎛)		 각 단의 컨택홀 개수 각 단의 컨택홀 총 면적
(㎛2)		 브릿지 전극 가로
(㎛)		 브릿지 전극 세로
(㎛)		 B
(㎛)		 C
(㎛)		 D
(㎛)		 E
(㎛)
실시예 7 30 30 6 5400 464 200 2 30 5 2
실시예 8 30 30 6 5400 480 200 10 30 10 10
실시예 9 30 30 6 5400 500 200 20 30 20 20
실시예 10 30 30 6 5400 520 200 30 30 30 30
실시예 11 30 30 6 5400 530 200 35 30 35 35
실시예 12 30 30 6 5400 570 200 55 30 55 55
실시예 13 30 30 6 5400 790 200 60 30 60 60
실시예 14 30 30 6 5400 880 200 90 30 90 90
(3) 실시예와 동일하게 기판 상에 감지 패턴을 형성하고, 감지 패턴 상에 island type의 절연층을 형성하였다.
상기 절연층 상에 몰리브덴을 증착하고 패터닝하여 브릿지 전극을 형성하여, 하기 표 3과 같은 비교예를 제조하였다.
구분 가로(㎛) 세로(㎛) 각 단에서 제2 패턴과
접촉하는 부위의 총 면적(㎛2)		 브릿지 전극 가로
(㎛)		 브릿지 전극 세로
(㎛)
비교예 4 200 6 1200 550 200
비교예 5 200 12 2400 550 200
비교예 6 200 27 5400 550 200
비교예 7 200 48 9600 550 200
비교예 8 200 75 15000 550 200
비교예 9 200 108 21600 550 200
실험예
(1) 저항 측정
실시예 및 비교예의 터치 센서의 브릿지 전극의 저항을 측정하였다.
(2) 시인성 평가
실시예 및 비교예의 터치 센서를 100명의 관찰자가 육안으로 관측하여, 컨택홀(밝게 빛나는 부위)이 시인된다고 답한 인원의 수를 기록하였다.
구분 저항(Ω) 컨택홀 시인성
실시예 1 251.77 1/100
실시예 2 257.7 3/100
실시예 3 257.8 4/100
실시예 4 251.67 5/100
실시예 5 247.07 6/100
실시예 6 227.1 7/100
실시예 7 229.1 3/100
실시예 8 238.7 5/100
실시예 9 246.2 5/100
실시예 10 252.5 6/100
실시예 11 255.2 11/100
실시예 12 257.2 14/100
실시예 13 260.1 19/100
실시예 14 271.5 38/100
비교예 1 265.2 85/100
비교예 2 263.1 87/100
비교예 3 259.7 98/100
비교예 4 409.85 -
비교예 5 406.88 -
비교예 6 396.1 -
비교예 7 411.5 -
비교예 8 413.14 -
비교예 9 406.6 -
상기 표 4를 참조하면, 실시예의 터치 센서는 브릿지 전극이 낮은 저항 값을 가지며, 컨택홀 시인 정도가 낮은 것을 확인할 수 있다.
그러나, 비교예의 터치 센서는 컨택홀이 시인되거나, 브릿지 전극의 저항이 현저히 높았다.
10: 제1 패턴 20: 제2 패턴
30: 브릿지 전극 40: 절연층
50: 컨택홀

Claims (13)

  1. 제1 방향으로 형성된 제1 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 패턴을 구비한 감지 패턴;
    양단이 각각 적어도 2개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된 브릿지 전극; 및
    상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재되며 컨택홀을 구비한 절연층;을 포함하는, 터치 센서.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 양단이 각각 2 내지 20개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된, 터치 센서.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 양단이 각각 2 내지 6개의 컨택홀을 통해 제2 패턴의 이격된 단위 패턴에 연결된, 터치 센서.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 컨택홀은 장축 길이가 2㎛ 내지 200 ㎛인, 터치 센서.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 무기 절연층이고, 상기 컨택홀은 장축 길이가 2㎛ 내지 20 ㎛인, 터치 센서.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에 최근접한 컨택홀은 제2 패턴 테두리까지의 최단 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극의 각 단의 컨택홀 간 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 양단의 컨택홀은 브릿지 전극 양단 테두리까지의 최단 거리가 2㎛ 내지 30㎛인, 터치 센서.
  11. 청구항 1에 있어서, 하기 수학식 1을 만족하는, 터치 센서:
    [수학식 1]
    D≤2A
    (식 중, A는 컨택홀의 장축 길이이고, D는 브릿지 전극의 각 단의 컨택홀 간 거리임).
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극 양단의 각 컨택홀은 다각형, 원형 및 타원형으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 형상을 가지며, 각 컨택홀의 장변의 길이가 서로 동일하거나 상이한, 터치 센서.
  13. 청구항 1 내지 12 중 어느 한 항의 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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