KR20160116300A - Functionalization method for carbon materials by heat plasma procoessing, compositions manufactured by the method and emi shelidng materials using the compositions - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a method for functionalizing carbon materials using heat plasma treatment, a composition produced by the method, and an electromagnetic interference (EMI) shielding material using the composition. According to an embodiment of the present invention, the method for functionalizing the carbon materials using heat plasma treatment comprises the following steps: preparing at least one first raw material selected from silver graphene or thin graphite; mixing the first raw material with a second raw material which includes a sulfur (S) functional group; inserting the mixture mixed in the previous step into a heat plasma reactor and then doping the first raw material with the sulfur-functional group via the heat plasma treatment; and collecting the graphene fusion or the thin graphite fusion of which the functionalization has been conducted by the doping process.

Description

열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재{FUNCTIONALIZATION METHOD FOR CARBON MATERIALS BY HEAT PLASMA PROCOESSING, COMPOSITIONS MANUFACTURED BY THE METHOD AND EMI SHELIDNG MATERIALS USING THE COMPOSITIONS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a carbon material functionalization method using a thermal plasma treatment, a composition prepared by the method, and an EMI shielding material using the composition. [0003] 2. Description of the Related Art [0004]

본 발명은 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열 플라즈마 처리를 통해 기능기를 그래핀이나 Thin-그래파이트에 도핑하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a carbon material functionalization method using thermal plasma treatment, a composition manufactured through the method, and an EMI shielding material using the composition, and more particularly, A method of functionalizing a carbon material using a doping thermal plasma process, a composition manufactured by the method, and an EMI shielding material using the composition.

그래핀(graphene), 그래파이트(graphite), 플로렌, 나노튜브, 나노섬유 등의 탄소소재는 금속, 화학, 세라믹과 같은 정통 소재의 특성을 복합적으로 가지고 있는 물질로서 반도체, 콘덴서, 이차전지, 바이오, 의약 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. Carbon materials such as graphene, graphite, fluorene, nanotubes, and nanofibers are materials that combine the characteristics of authentic materials such as metals, chemicals, and ceramics. They are used as semiconductors, capacitors, , And medicine.

나노 소재들 중 그래핀(Graphene)을 예로 들면, 그래핀은 탄소원자가 단일층으로 서로 연결되어 벌집 모양(육각)의 평면 구조를 이루고 있어 구조적으로나 화학적으로 안정화되어 있고 물리적, 화학적, 전기적 성질이 우수하여 다양한 분야에 중요한 소재로 쓰일 수 있는 것으로 밝혀져 있는데 그 응용에서는 여러 특성을 동시에 요구하기도 하지만 용도나 이용 목적에 따라 정해진 특성만을 요구하는 경우도 있다.Graphene is one of the nanomaterials. Graphene is structurally and chemically stabilized because it has a honeycomb (hexagonal) planar structure in which the carbon atoms are connected to each other by a single layer. The graphene has excellent physical, chemical and electrical properties And it can be used as an important material in various fields. In some applications, it may require several characteristics simultaneously, but it may require only predetermined characteristics depending on purpose of use or use.

실제로 탄소계열로 분류되는 그래핀은 표면 에너지가 낮아 안정된 화학적 구조를 보이기 때문에 고분자 기질 내에서 쉽게 뭉쳐져 고분자와의 낮은 분산성(dispersion), 높은 접촉저항 및 접착성(adhesion) 문제로 좋은 특성을 얻지 못하고 있다.In fact, graphene, which is classified as carbon-based, has a stable chemical structure due to its low surface energy. Therefore, it easily aggregates in a polymer matrix and has good properties due to low dispersion with polymers, high contact resistance and adhesion. I can not.

그래핀을 특정 용도와 이용 목적 등에 적합한 특성을 나타내도록 하기 위해서는 그래핀에 용도와 이용 목적 등에 상응하는 기능기를 부여하는 것으로 해결하였다. 이와 관련하여 예를 들면, 대한민국 공개특허 제10-2011-110538호에는 그래핀의 물리 화학적 표면 개질 없이 면 상에 전도성을 띠는 물질을 전기 증착하여 그래핀에 나노입자를 합성하는 방법이 기재되어 있고, 일본 공개특허 제2012-206924호에는 그래핀 구조체가 일정한 면적을 가지는 2차원의 일체형 구조체로서 카본 나노튜브의 복수의 구멍을 커버하는 그래핀-카본 나노 튜브 복합 구조체에 관하여 기재되어 있다.In order to make the graphene exhibit characteristics suitable for a specific purpose and purpose of use, graphene is provided with a functional group corresponding to the purpose and purpose of use. In this connection, Korean Patent Laid-Open No. 10-2011-110538 discloses a method for synthesizing nanoparticles in graphene by electro-depositing a substance having conductivity on a surface without modifying the physicochemical surface of graphene And Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-206924 discloses a graphene-carbon nanotube composite structure that covers a plurality of holes of a carbon nanotube as a two-dimensional integrated structure having a constant area of the graphene structure.

일반적으로 그래핀 또는 Thin-그래파이트는 2차원 구조의 육각 구조물로 안정한 상태로 존재하기 때문에 기능기 도입이 까다롭고 쉽지 않다. 따라서, 기존에는 주로 강산을 이용한 습식 방식을 통해 육각 구조의 C 결합을 강제로 끊고 다른 Nitrogen, Phosphorus, Oxygen, metal 등의 필요한 원소의 이온을 결합시켜 기능성을 부여하는데, 이와 같이 화학반응에 의존하는 습식 방식은 복잡한 공정과 낮은 생산성, 친환경적이지 못한 문제 등에 의해 상용화에 어려움을 겪고 있으며 공정시간도 오래 걸려 양산화가 어렵다. 그리고 복잡한 형상을 완벽하게 제어하기 힘들며 입자 간의 높은 접촉저항을 낮춰야 하는 문제도 있다.In general, graphene or thin graphite is a hexagonal structure of two-dimensional structure and is present in a stable state, so introduction of functional groups is difficult and difficult. Therefore, in the past, the hexagonal C bond is forcibly broken through the wet process mainly using the strong acid, and the functionalities are imparted by binding the ions of the necessary elements such as Nitrogen, Phosphorus, Oxygen, and metal. Wet process is difficult to commercialize due to complicated process, low productivity, and environment-friendly problem, and it takes a lot of time to mass-produce it. And it is difficult to control complex shapes completely, and there is also a problem that a high contact resistance between particles must be lowered.

한편, 최근 IT, 자동차 부품 기술 분야에서는 경령화 및 센서를 이용한 자동화가 주요 화두로 떠오르고 있는데, 이와 관련하여 초경량인 동시에 자동화를 위한 전자파 차폐 특성을 가지는 소재가 요구되고 있다. 기존의 전자파 차폐 소재로 이용되는 금속 소재는 일반적으로 초경량 조건을 만족시키기 어려울 뿐 아니라 생산 단가 면에서도 불리하여 이를 대체할 소재의 개발이 필요한 실정이다. In recent years, in the field of IT and automobile parts technology, automation using sensors and sensors has become a hot topic. In this regard, there is a demand for a material having an electromagnetic shielding characteristic for light weight and automation. The metal material used as the electromagnetic shielding material is generally difficult to satisfy the light weight condition, and is also disadvantageous in terms of the production unit cost.

본 발명의 일 과제는 기능화 처리에서 열 플라즈마를 이용하여 그래핀이나 Thin-그래파이트의 육각 구조 중 탄소 결합을 끊어내고 원하는 기능기를 도핑시켜 그래핀의 기능화를 구현하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a carbon material functionalization method using a thermal plasma process in which functionalization of graphene or thin graphite is cut out and carbon functionalities of graphene or graphite are doped by doping a desired functional group using functional thermal processing , A composition prepared by the method, and an EMI shielding material using the composition.

본 발명의 다른 과제는 기능화 처리에서 기존의 습식 처리 방식이 아닌 열 플라즈마 처리 방식을 이용하여 보다 간단한 공정과 높은 생산성으로 양산화 가능한 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a carbon material functionalization method using a thermal plasma treatment capable of mass production with a simpler process and a higher productivity by using a thermal plasma processing method instead of a conventional wet processing method in a functionalization process, And to provide an EMI shielding material using the composition.

본 발명의 또 다른 과제는 열 플라즈마를 이용하여 그래핀이나 Thin-그래파이트에 황 기능기를 도핑하여 EMI(Electro Magnetic Interference) 차폐에 적용이 가능하도록 전기 전도성이 향상되는 그래핀이나 Thin-그래파이트을 제조하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법, 그 방법을 통해 제조되는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 EMI 차폐 소재를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a graphene or a thin film of graphite which is improved in electric conductivity so that graphene or thin graphite can be doped with a sulfur functional group and can be applied to EMI (Electro Magnetic Interference) A carbon material functionalization method using a plasma treatment, a composition manufactured by the method, and an EMI shielding material using the composition.

본 발명의 다시 또 다른 과제는 기존의 금속 소재의 단점을 해결하는 초경량, 저생산비용의 탄소 소재를 원료로 이용하며 다른 기능기 대비 전기 전도도 및 차폐율이 우수하도록 열 플라즈마 처리를 통해 탄소 소재 기능화를 구현함으로써 제조되는 EMI 차폐 소재 및 그 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to utilize a carbon material having an ultra light weight and low production cost to solve the disadvantages of the conventional metal material as a raw material and to function as a carbon material through thermal plasma treatment so as to have excellent electric conductivity and shielding ratio And an object of the present invention is to provide an EMI shielding material and a composition thereof.

본 발명의 일 양상에 따르면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계; 상기 제1 원료와 황(S)-기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계; 상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 황-기능기를 도핑하는 단계; 및 상기 도핑을 통해 기능화가 진행된 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법이 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a first raw material selected from graphene or Thin-graphite; Mixing the first raw material with a second raw material comprising a sulfur (S) functional group; Introducing the mixture mixed in the mixing step into a thermal plasma reactor, and doping the first raw material with the sulfur-functional group through thermal plasma treatment; And collecting a functionalized graphene fused material or a Thin-graphite fused material through the doping, the carbon material functionalizing method using the thermal plasma treatment.

본 발명의 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 황-기능기가 융합체로 복합된 그래핀이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there can be provided graphene grains treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method, and graphenes grafted with a sulfur-functional group.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 황-기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, Thin-graphite treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method and Thin-graphite in which the sulfur-functional group is fused together can be provided.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래핀 90~99wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 그래핀 조성물이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention there is provided a graphene composition wherein the graft treated by the graphene and Thin-graphite functionalization method described above has a graphene content of 90 to 99 wt% and a sulfur-functional group content of 1 to 10 wt% .

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래파이트 90~99wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 Thin-그래파이트 조성물이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention there is provided a Thin-graphite composition, wherein the graft treated with the graphene and Thin-graphite functionalization process described above has a content ratio of 90 to 99 wt% graphite and 1 to 10 wt% sulfur- .

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체를 도포하여 형성되는 EMI 차폐 소재가 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there can be provided an EMI shielding material formed by applying the graft treated with the graphene and the Thin-graphite functionalization method described above.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계; 상기 제1 원료와 기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계; 상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 기능기를 도핑하는 단계; 및 상기 도핑을 통해 기능화가 진행된 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a first raw material selected from graphene or Thin-graphite; Mixing a first raw material and a second raw material comprising a functional group; Introducing the mixture mixed in the mixing step into a thermal plasma reactor and doping the first raw material with the functional raw material through thermal plasma treatment; And collecting a functionalized graphene fused material or a Thin-graphite fused material through the doping, the carbon material functionalizing method using the thermal plasma treatment.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 기능기가 융합체로 복합된 그래핀이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there can be provided a graphene graft treated with the graphene and a Thin-graphite functionalization method described above and a graphene grafted with the functional graft.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트가 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, Thin-graphite treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method and Thin-graphite in which the functional group is fused with the functional group can be provided.

본 발명에 의하면, 기능화 처리에서 열 플라즈마를 이용하여 그래핀이나 Thin-그래파이트의 육각 구조 중 탄소 결합을 끊어내고 원하는 기능기를 도핑시켜 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 원하는 특성의 기능화를 구현할 수 있다. According to the present invention, in the functionalization process, the carbon bond in the hexagonal structure of graphene or thin graphite is cut off by using a thermal plasma, and a desired functional group is doped to realize functionalization of desired characteristics in graphene or thin graphite.

본 발명에 의하면, 열 플라즈마 처리 방식을 이용하여 기존의 습식 처리 방식에 비하여 보다 간단한 공정과 높은 생산성으로 기능화 처리가 가능하여 원하는 특성을 가지는 그래핀 및 Thin-그래파이트를 대량으로 양산할 수 있다. According to the present invention, functionalization can be performed with a simpler process and a higher productivity by using a thermal plasma processing system, compared with the conventional wet processing system, and mass production of graphene and thin graphite having desired characteristics can be achieved.

본 발명에 의하면, 열 플라즈마를 이용하여 그래핀이나 Thin-그래파이트에 황 기능기를 용이하게 도핑하여 기존의 금속 소재보다 저렴하게 전자기파 차폐(EMI shielding)를 할 수 있다. According to the present invention, electromagnetic shielding (EMI shielding) can be performed at a lower cost than conventional metal materials by easily doping a sulfur functional group into graphene or thin graphite using thermal plasma.

본 발명에 의하면, 열 플라즈마 처리를 통해 탄소 소재 기능화를 구현하여 저렴한 비용으로 기존의 금속 소재에 비하여 경량이면서도 우수한 전기 전도도와 EMI 차폐 기능을 구현할 수 있다.According to the present invention, since the carbon material is functionalized by thermal plasma treatment, it is possible to realize a lightweight, excellent electric conductivity and EMI shielding function at a low cost compared with the conventional metal material.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법의 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화를 위한 원료 혼합의 제1 예와 및 그에 따른 기능화 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화를 위한 원료 혼합의 제2 예와 그에 따른 기능화 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리 장치의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 도핑 과정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리의 공정 조건에 관한 표이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 원재료의 관측 사진이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리된 그래핀 및 Thin-그래파이트 융합체의 관측 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리된 그래핀 및 Thin-그래파이트 융합체의 XPS 성분 분석 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법의 다른 예의 공정 순서도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법에 따른 기능화 시트의 제조 과정에 관한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 기능화 시트의 성능에 관한 표이다.1 is a process flow diagram of a carbon material functionalization method using thermal plasma treatment according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a functional block diagram of a first example of raw material mixing for graphene and thin-graphite functionalization according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a functional block diagram of a second example of material mixing for graphene and thin-graphite functionalization according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic diagram of a thermal plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a view illustrating a doping process according to an embodiment of the present invention.
6 is a table of process conditions of a functionalization process according to an embodiment of the present invention.
7 is a photograph of graphene and thin graphite raw materials according to an embodiment of the present invention.
8 is an observation photograph of functionalized graphene and a thin graphite fused body according to an embodiment of the present invention.
9 is an XPS component analysis graph of functionalized graphene and Thin-graphite fusions according to an embodiment of the present invention.
10 is a process flow chart of another example of a carbon material functionalization method using a thermal plasma treatment according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram illustrating a process of manufacturing a functionalized sheet according to a carbon material functionalization method using thermal plasma processing according to an embodiment of the present invention.
12 is a table relating to the performance of the functionalized sheet manufactured according to the embodiment of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to be illustrative of the present invention and not to limit the scope of the invention. Should be interpreted to include modifications or variations that do not depart from the spirit of the invention.

본 명세서에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하여 가능한 현재 널리 사용되고 있는 일반적인 용어를 선택하였으나 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 의도, 관례 또는 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다. 다만, 이와 달리 특정한 용어를 임의의 의미로 정의하여 사용하는 경우에는 그 용어의 의미에 관하여 별도로 기재할 것이다. 따라서 본 명세서에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가진 실질적인 의미와 본 명세서의 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 한다.Although the terms used in the present invention have been selected in consideration of the functions of the present invention, they are generally used in general terms. However, the present invention is not limited to the intention of the person skilled in the art to which the present invention belongs . However, if a specific term is defined as an arbitrary meaning, the meaning of the term will be described separately. Accordingly, the terms used herein should be interpreted based on the actual meaning of the term rather than on the name of the term, and on the content throughout the description.

본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것으로 도면에 도시된 형상은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 필요에 따라 과장되어 표시된 것일 수 있으므로 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The drawings attached hereto are intended to illustrate the present invention easily, and the shapes shown in the drawings may be exaggerated and displayed as necessary in order to facilitate understanding of the present invention, and thus the present invention is not limited to the drawings.

본 명세서에서 본 발명에 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 이에 관한 자세한 설명은 필요에 따라 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a detailed description of known configurations or functions related to the present invention will be omitted when it is determined that the gist of the present invention may be obscured.

본 발명의 일 양상에 따르면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계; 상기 제1 원료와 황-기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계; 상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 황-기능기를 도핑하는 단계; 및 상기 도핑을 통해 기능화가 진행된 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법이 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a first raw material selected from graphene or Thin-graphite; Mixing the first raw material with a second raw material comprising a sulfur-functional group; Introducing the mixture mixed in the mixing step into a thermal plasma reactor, and doping the first raw material with the sulfur-functional group through thermal plasma treatment; And collecting a functionalized graphene fused material or a Thin-graphite fused material through the doping, the carbon material functionalizing method using the thermal plasma treatment.

또 상기 제2 원료는, 황화수소(H2S), 황을 포함하는 파우더, 이황화 탄소 용액(CS2) 및 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 액상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The second raw material may include at least one of hydrogen sulfide (H 2 S), a powder containing sulfur, a carbon disulfide solution (CS 2 ), and a liquid phase in which benzyldisulfide powder is dissolved in ethanol.

또 상기 제1 원료는, 고형 분말 상으로 제공될 수 있다. The first raw material may be provided as a solid powder phase.

또 상기 제2 원료는, 고형 분말 상으로 제공될 수 있다. The second raw material may be provided as a solid powder phase.

또 상기 제2 원료는, 기체 상의 기상 원료로 제공될 수 있다. The second raw material may be provided as a gaseous vapor phase raw material.

또 상기 제2 원료는, 액체 상의 액상 원료로 제공될 수 있다.The second raw material may be provided as a liquid raw material in a liquid phase.

또 상기 융합체에 접합 물질을 교반하여 페이스트화하는 단계;를 더 포함할 수 있다. Further, the method may further include the step of mixing the fused material with the bonding material to form a paste.

또 상기 도핑하는 단계는, 상기 열 플라즈마에 의해 상기 제1 원료에 디펙트를 형성하는 단계 및 상기 황-기능기가 상기 디펙트와 결합하는 단계를 포함할 수 있다. The doping can also include forming a defect in the first source material by the thermal plasma and combining the sulfur-functional group with the defect.

본 발명의 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 황-기능기가 융합체로 복합된 그래핀이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there can be provided graphene grains treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method, and graphenes grafted with a sulfur-functional group.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 황-기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, Thin-graphite treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method and Thin-graphite in which the sulfur-functional group is fused together can be provided.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래핀 90~99wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 그래핀 조성물이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention there is provided a graphene composition wherein the graft treated by the graphene and Thin-graphite functionalization method described above has a graphene content of 90 to 99 wt% and a sulfur-functional group content of 1 to 10 wt% .

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래파이트 90~99 wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 Thin-그래파이트 조성물이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention there is provided a Thin-graphite composition, wherein the graft treated by the graphene and Thin-graphite functionalization process described above has a content ratio of graphite 90 to 99 wt% and sulfur-functional group 1 to 10 wt% .

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체를 도포하여 형성되는 EMI 차폐 소재가 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there can be provided an EMI shielding material formed by applying the graft treated with the graphene and the Thin-graphite functionalization method described above.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계; 상기 제1 원료와 기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계;; 상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 기능기를 도핑하는 단계; 및 상기 도핑을 통해 기능화가 진행된 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법이 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a first raw material selected from graphene or Thin-graphite; Mixing a first raw material and a second raw material including a functional group; Introducing the mixture mixed in the mixing step into a thermal plasma reactor and doping the first raw material with the functional raw material through thermal plasma treatment; And collecting a functionalized graphene fused material or a Thin-graphite fused material through the doping, the carbon material functionalizing method using the thermal plasma treatment.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 기능기가 융합체로 복합된 그래핀이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there can be provided a graphene graft treated with the graphene and a Thin-graphite functionalization method described above and a graphene grafted with the functional graft.

본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트가 제공될 수 있다. According to another aspect of the present invention, Thin-graphite treated with the above-described graphene and Thin-graphite functionalization method and Thin-graphite in which the functional group is fused with the functional group can be provided.

<열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법>&Lt; Method of functionalizing carbon material using thermal plasma treatment >

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, a carbon material functionalization method using thermal plasma treatment according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법의 공정 순서도이다.1 is a process flow diagram of a carbon material functionalization method using thermal plasma treatment according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 방법에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법은 그래핀 또는 Thin-그래파이트 원료를 준비하는 단계(S110), 그래핀 또는 Thin-그래파이트 원료에 기능기를 가지는 원료를 혼합하는 단계(S120), 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 처리 장치(1000)의 반응기에 투입하는 단계(S130), 열 플라즈마 처리를 통해 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 기능기가 도핑되는 단계(S140) 및 도핑이 완료되어 기능화가 진행된 그래핀 또는 Thin-그래파이트 융합체를 수득하는 단계(S150)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the method for functionalizing graphene and thin graphite according to the present invention includes the steps of preparing a graphene or a thin graphite raw material (S110), mixing raw materials having a functional group into graphene or a thin graphite raw material (S140), a step S140 of injecting the mixed mixture into the reactor of the thermal plasma processing apparatus 1000 (S130), a step S140 of doping the functional group to the graphene or the thin graphite through the thermal plasma treatment and the doping To obtain a functionalized graphene or Thin-graphite fused product (S150).

구체적으로 먼저 그래핀 및 Thin-그래파이트 원료가 준비될 수 있다(S110).Specifically, graphene and a thin graphite raw material may first be prepared (S110).

여기서, 그래핀 및 Thin-그래파이트 원료는 주로 고상의 판상 분말 형태로 제공될 수 있다.Here, the graphene and the thin graphite raw material can be provided mainly in the form of solid phase plate-like powder.

이러한 그래핀과 Thin-그래파이트는 동일한 탄소소재로서 모두 그래파이트(graphite)로부터 추출될 수 있다. 구조 형상으로 구분하면, 그래핀은 Thin-그래파이트에 비하여 미세화 정도가 더 진행된 것일 수 있다. 구체적으로 그래핀은 통상적으로 탄소가 단층(single-layer) 구조로 배치된 형태를 의미할 수 있으며, Thin-그래파이트는 수 내지 수십 개의 다층(multi-layer) 구조로 탄소가 배치되는 형태를 의미할 수 있다. Such graphene and Thin-graphite can all be extracted from graphite as the same carbon material. By dividing into the structural form, graphene may be more finer than Thin-graphite. Specifically, graphene may mean a shape in which carbon is arranged in a single-layer structure, and Thin-graphite refers to a shape in which carbon is arranged in several to several tens of multi-layer structures .

일 예에 따르면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트로는 미국 'XGS'사(액상법으로 흑연에서 그래핀을 대량으로 제조하는 방법을 상용화한 미국 제조 업체, http://xgsciences.com)에서 제조된 제품이 사용될 수 있다. According to one example, graphene or thin-graphite may be manufactured from products manufactured in the US 'XGS' (a US manufacturer that has commercialized a method of mass-producing graphene in graphite by liquid phase method, http://xgsciences.com) Can be used.

물론, 그래핀 또는 Thin-그래파이트로는 상술한 'XGS'사의 제품 이외의 다양한 그래 및 Thin-그래파이트가 사용될 수 있음은 물론이다.Needless to say, various grains and thin graphites other than the above-mentioned 'XGS' products may be used as graphene or thin graphite.

'XGS'사 제조의 그래핀 및 Thin-그래파이트가 유용한 이유는 대량 생산이 가능하다는 점이다. 대량 생산이 가능하다는 것은 그만큼 생산 단가가 저렴한 것과 같다. 물론 'XGS'사 제조의 그래핀이 타 제조업체 예를 들면 미국 Angstron materials에 비해 그래핀 고유의 물리적, 화학적, 전기적 특성 등이 뛰어나다고 볼 수는 없으나 'XGS' 사의 그래핀은 'http://xgsciences.com'을 참조하면; M grade, H grade, C grade로 나뉘고 각 grade 별로 각 3 종류의 그래핀이 상용 판매되고 있으며 각 grade 별로 그래핀의 두께의 차이를 나타내고, C grade 의 경우 비표면적의 값으로 종류를 구별하고 있다. 이러한 여러 종류의 'XGS' 사의 그래핀은 일반적으로 논문이나 문헌들에서 접하는 그래핀과는 차이가 있다.The reason why graphene and thin graphite manufactured by XGS are useful is that they can be mass-produced. The fact that mass production is possible means that the production cost is cheap. Of course, graphene manufactured by XGS does not have excellent physical, chemical and electrical properties of graphene compared to other manufacturers such as Angstron materials in the USA. However, XGS graphene is known as' http: // xgsciences.com '; M grade, H grade, and C grade. Three types of graphene are commercially available for each grade. Differences in the thickness of graphene are shown for each grade, and for grade C, the type is distinguished by the specific surface area . These various types of 'XGS' graphenes are generally different from graphens in the literature or literature.

즉 그래핀보다는 흑연을 이용하여 제조되었기 때문에 CVD와 같은 단일 층의 그래핀은 아니고 얇은 흑연과 같다. 그렇기 때문에 고성능의 그래핀 성능을 끌어낼 수는 없지만 일반적인 흑연이나 탄소소재에 비해 전기적, 물리적, 화학적 성질은 뛰어나다고 할 수 있다. 물론 절대적으로 우수한 특성이 있다고 단정할 수 없음에도 'XGS' 사의 그래핀은 이를 어떻게 응용하느냐에 따라서 가치가 달라진다.That is, since it is made of graphite rather than graphene, it is not a single layer of graphene such as CVD but thin graphite. Therefore, it can not draw high-performance graphene performance, but it has excellent electrical, physical, and chemical properties compared to ordinary graphite or carbon materials. Of course, it can not be said that there is absolutely excellent characteristics, but the value of 'XGS' graphen varies depending on how it is applied.

본 발명에서 'XGS' 사의 그래핀을 기능화 처리 대상 원료로 사용하는 이유는 상대적으로 저렴한 가격으로 구매가 가능하다는 점이고 이를 본 발명에서 제시하는 RF 열플라즈마 도핑을 이용하여 특성을 용도에 맞게 맞출 수 있기 때문이다. 논문 등을 참조하면, 이러한 'XGS'사의 그래핀을 '그래핀 플레이크(graphene flakes)'로 부르기도 한다. 저렴한 가격 그리고 비교적 우수한 특성으로 응용분야는 다양하지만 기능화를 위한 기술이 다양하지 못했기 때문에 응용분야에서 원래 성능을 발휘하지 못하고 있는 실정이다. 참고로 Thin-그래파이트는 이러한 그래핀과 비교하면 미세화 정도에서 차이를 나타낸다.In the present invention, 'XGS' graphene is used as a raw material for functionalization because it can be purchased at a relatively low price, and the RF thermal plasma doping proposed in the present invention can be used to tailor characteristics Because. The XGS graphene flakes are also referred to as graphene flakes. Low price and comparatively excellent characteristics. However, since the technology for functionalization is not diversified, it is not able to exert its original performance in an application field. For reference, Thin-graphite differs in the degree of refinement compared to graphene.

또한 후술할 RF 열 플라즈마 처리에 의한 도핑은 'XGS'사에서 양산되는 그래핀의 고성능화를 충족시킬 수 있으며 다른 특성의 일반 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 대해서도 그 특성을 이용 용도와 목적에 맞는 기능화 처리가 가능하다.In addition, doping by the RF thermal plasma process described below can satisfy the high performance of graphene produced by XGS, and it can be applied to general graphene or thin graphite of other characteristics by functionalization Is possible.

그래핀 또는 Thin-그래파이트가 준비되면, 여기에 원하는 기능기를 가지는 원료를 혼합한다(S120).When graphene or thin graphite is prepared, a raw material having a desired functional group is mixed therein (S120).

여기서, 기능기는 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 도핑되어 그래핀 또는 Thin-그래파이트와 융합체를 형성함에 따라 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 목적하는 특성을 부여할 수 있다. Here, functional groups can impart desired properties to graphene or Thin-graphite as they are doped into graphene or Thin-graphite to form fusions with graphene or Thin-graphite.

일 예로 기능기는 질소(N)-기능기일 수 있다. 이러한 질소-기능기가 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 도핑되면 전기 전도성을 향상시킬 수 있으며 이에 따라 질소-기능기가 도핑된 그래핀 또는 Thin-그래파이트가 전자파간섭 차폐(EMI shielding) 소재에 적용될 수 있다. 질소-기능기 원료의 구체적인 예로는 유레아(Urea, CO(NH2)2), 질소(N2) 및 암모니아(NH3) 등이 있다. For example, the functional group may be a nitrogen (N) -function group. When such nitrogen-functional groups are doped into graphene or thin graphite, electrical conductivity can be improved, and thus graphene or thin graphite doped with nitrogen-functional groups can be applied to electromagnetic interference shielding materials. Specific examples of nitrogen-functional group raw materials include urea (Urea, CO (NH 2 ) 2 ), nitrogen (N 2 ), and ammonia (NH 3 ).

이중 유레아, 즉 요소는 색이나 냄새가 없고 기둥 모양의 결정을 만드는 물질로서, 분자량 60.047, 녹는 점 132.7(1atm), 비중 1.335이며, 극성이 강한 물질이어서 물과 알코올에 잘 녹지만 에테르에는 녹지 않는 특성을 가진다. Double urea, that is, urea has no color or odor and makes columnar crystals. Its molecular weight is 60.047, its melting point is 132.7 (1 atm), its specific gravity is 1.335 and its polarity is strong and it is soluble in water and alcohol but not soluble in ether .

이외에도 질소-기능기로는 카바마이드(Carbamide), 다이아마이노메탄알(Diaminomethanal) 등과 같이 일반적으로 저렴하고 쉽게 구할 수 있는 재료를 이용할 수도 있다. 이러한 재료를 열 플라즈마 처리에서 질소-기능기 원료로 이용하게 되면 경제적으로 그래핀 및 Thin-그래파이트의 기능화를 수행할 수 있다. In addition, nitrogen-functional groups may be generally inexpensive and readily available materials such as carbamide, diaminomethanal, and the like. If such a material is used as a nitrogen-functional group material in a thermal plasma treatment, it can economically perform functionalization of graphene and thin graphite.

물론, 기능기가 질소-기능기로 한정되는 것은 아니며 그 외의 다양한 기능기가 사용되는 것도 가능하다. 질소-기능기 이외의 다른 기능기의 예로는 인산(P)-기능기가 있다. 인산은 인의 산소산의 일종으로 일반적으로 'phosphoric acide'로 표기되는 5산화인 P2O5의 수화생성물의 총칭이며 인산염(phosphate) 및 인산에스테르로 널리 생물계에 분포하여 저렴하고 쉽게 구할 수 있는 재료이다.Of course, the functional group is not limited to the nitrogen-functional group, and various other functional groups may be used. An example of a functional group other than a nitrogen-functional group is a phosphoric acid (P) -function group. Phosphoric acid is a kind of phosphoric acid of phosphorus and is generally a generic name of the hydrated product of P 2 O 5 which is a phosphoric acid labeled with phosphoric acid. Phosphoric acid and phosphate ester are widely distributed in the biosystem and are cheap and easily obtainable .

한편, 기능기는 황(S)-기능기를 사용할 수도 있다. 이러한 황-기능기가 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 도핑되면 전기 전도성을 향상시킬 수 있으며 이에 따라 질소-기능기가 도핑된 그래핀 또는 Thin-그래파이트가 전자파간섭 차폐(EMI shielding) 소재에 적용될 수 있다. 후술할 도 12에 관한 도면을 참조하면, 황 기능기를 이용하여 시트를 생성하는 경우에는, 질소 기능기를 이용하는 경우와 비교하여 EMI 차폐율은 거의 유사한 성능을 가지지만, 전기 전도도는 보다 뛰어난 특징이 있다. 이러한 점을 고려하면, 전기 전도도가 더 중요한 경우에는 황 기능기를 이용하는 것이 바람직할 수 있다. 황 기능기와 질소 기능기 간의 선택은 환경적 요인, 가격적 용인, EMI 차폐율 등과의 관계를 종합적으로 고려하여 적절히 선택될 수 있다.On the other hand, the functional group may use a sulfur (S) -function group. If such a sulfur-functional group is doped into graphene or thin graphite, the electrical conductivity can be improved, so that graphene or thin graphite doped with nitrogen-functional groups can be applied to electromagnetic interference shielding materials. Referring to FIG. 12, which will be described later, in the case of producing a sheet using a sulfur functional group, the EMI shielding ratio has almost similar performance as in the case of using a nitrogen functional group, but the electrical conductivity is more excellent . Considering this point, it may be desirable to use a sulfur functional group when electrical conductivity is more important. The choice between the sulfur and nitrogen functional groups can be appropriately selected taking into consideration the environmental factors, the price applicability, the EMI shielding ratio, etc.

황-기능기 원료의 구체적인 예로는 황화수소(H2S), 황 파우더(sulfur popwer)나 기타 황을 함유하는 각종 파우더, 이황화 탄소 용액(CS2) 및 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 액상 등이 있을 수 있다.Specific examples of sulfur-functional group raw materials include various powders containing hydrogen sulfide (H 2 S), sulfurpowder or other sulfur, a carbon disulfide solution (CS 2 ) and a benzyldisulfide powder in ethanol And so on.

상술한 것과 같은 기능기를 가지는 원료는 파우더 형태, 즉 고상의 분말 형태로 제공될 수 있다.The raw material having a functional group as described above may be provided in the form of powder, that is, solid powder.

이러한 기능기 원료를 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 혼합할 시에는 목적하는 기능화 정도에 따라 그 혼합비율을 조정할 수 있다. When mixing these functional raw materials into graphene or thin graphite, the mixing ratio can be adjusted according to the desired degree of functionalization.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화를 위한 원료 혼합의 제1 예와 및 그에 따른 기능화 블록도이다. 도 2를 참조하면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트와 기능기 원료의 물리적 혼합은 파우더 믹서, 볼밀, planetary mill 등의 다양한 혼합 장치에 의해 이루어질 수 있다.FIG. 2 is a functional block diagram of a first example of raw material mixing for graphene and thin-graphite functionalization according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, physical mixing of graphene or thin graphite and functional raw material may be performed by various mixing devices such as a powder mixer, a ball mill, and a planetary mill.

이와 달리 기능기 원료는 가스 형태, 즉 기체 상의 기상 원료로 제공될 수도 있다. Alternatively, the functional feedstock may be provided in a gaseous form, i.e., a gaseous feedstock.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화를 위한 원료 혼합의 제2 예와 그에 따른 기능화 블록도이다. 도 3을 참조하면, 기능기 원료로 가스 형태가 이용되는 경우에는 물리적 혼합 과정이 생략되고 대신 열 플라즈마 처리 장치(1000)에 투입 시 기능기 원료가 그래핀 또는 Thin-그래파이트와 함께 캐리어 가스에 실려 투입될 수 있다.FIG. 3 is a functional block diagram of a second example of material mixing for graphene and thin-graphite functionalization according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, when a gaseous form is used as the functional material, the physical mixing process is omitted. Instead, the functional material is loaded onto the carrier gas along with graphene or thin graphite Can be injected.

기능기 원료로 파우더 형태를 이용할지 가스 형태를 이용할지의 여부는 공정의 편이성, 기능화에따라 원하는 기질 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. Whether the powder form or the gas form is used as the functional material can be appropriately selected in consideration of the desired substrate depending on the convenience and functionalization of the process.

또는 기능기 원료는 액상 형태를 이용할 수도 있다. 예를 들어, 황(S) 기능기를 사용하려는 경우에는 이황화 탄소 용액(CS2) 또는 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 용액 등을 이용할 수 있다.Alternatively, the functional material may be in the form of a liquid. For example, when a sulfur (S) functional group is to be used, a solution obtained by dissolving a carbon disulfide solution (CS 2 ) or a benzyldisulfide powder in ethanol may be used.

이와 같이 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 처리 장치(1000)의 반응기에 투입할 수 있다(S130). The mixture thus mixed can be introduced into the reactor of the thermal plasma processing apparatus 1000 (S130).

구체적으로 물리적 혼합이 이루어지면 정량 분말 공급기(feeder)의 호퍼에 혼합된 분말을 넣은 후 정량 분말 공급기에 담겨 있는 혼합 분말을 캐리어 가스에 실어 열 플라즈마 처리 장치(1000)로 투입할 수 있다. 여기서, 캐리어 가스로는 주로 아르곤(Ar)이 사용될 수 있다. 물론, 캐리어 가스가 아르곤으로 한정되는 것은 아니며 이외의 다양한 가스가 이용되는 것도 가능하다. 캐리어 가스의 종류는 도핑 공정에 이용되는 그래핀, Thin-그래파이트, 기능기 원료, 최종적으로 수득될 융합체의 목적 특성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. Specifically, when physical mixing is performed, the powder mixed in the hopper of the quantitative powder feeder may be inserted, and the mixed powder contained in the quantitative powder feeder may be loaded into the carrier gas and introduced into the thermal plasma processing apparatus 1000. Here, argon (Ar) may be mainly used as the carrier gas. Of course, the carrier gas is not limited to argon, and various other gases may be used. The kind of the carrier gas can be appropriately selected in consideration of graphene used in the doping process, the thin-graphite, the functional group material, the objective characteristics of the finally obtained fusion body, and the like.

<열 플라즈마 처리 장치><Thermal Plasma Processing Apparatus>

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리 장치(1000)의 개략도이다. 도 4를 참조하면, 열 플라즈마 처리 장치는 기본적으로 실린더 형태로 형성되는 반응기, 그리고 그 반응기 주변을 감싸는 코일, 반응기 내로 가스 및 혼합물을 주입하는 유입로 및 반응이 완료된 물질이 배출되는 배출로를 포함할 수 있다. 4 is a schematic diagram of a thermal plasma processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the thermal plasma processing apparatus includes a reactor formed basically in the form of a cylinder, a coil surrounding the reactor, an inlet path for injecting gas and mixture into the reactor, and an exhaust path for discharging the reacted material can do.

실린더 형태의 반응기는 주로 고온에서 견딜 수 있는 세라믹 소재로 제공될 수 있다. 반응기 내부는 플라즈마 생성을 위해 진공 상태로 유지될 수 있다. The reactor in the form of a cylinder can be provided mainly with a ceramic material which can withstand high temperatures. The reactor interior can be kept in a vacuum for plasma generation.

이를 위해 열 플라즈마 처리 장치(1000)는 반응기 내부에 음압을 인가하여 반응기 내부를 진공으로 만들어주는 진공 펌프를 추가로 더 포함할 수 있다. 진공 펌프는 반응기 내부와 음압 라인으로 연결되어 플라즈마 처리에 앞서 반응기 내에 진공을 형성할 수 있다.To this end, the thermal plasma processing apparatus 1000 may further include a vacuum pump for applying a negative pressure to the inside of the reactor to make the inside of the reactor vacuum. The vacuum pump is connected to the inside of the reactor and the negative pressure line to form a vacuum in the reactor prior to the plasma treatment.

반응기 주변을 둘러쌓는 코일은 외부로부터 RF 전원을 인가받아 반응기 내로 유입되는 캐리어 가스에 에너지를 인가할 수 있다. 코일은 주로 구리 소재로 제공될 수 있다. The coil surrounding the reactor can apply energy to the carrier gas flowing into the reactor by receiving RF power from the outside. The coil may be provided mainly in copper material.

캐리어 가스는 유입로를 통해 반응기 내로 주입되며, 코일로부터 전기 에너지를 인가받아 진공 상태에서 플라즈마 불꽃 형태로 천이될 수 있다. 본 발명에서는 열 플라즈마 처리를 위해 10,000K 이상의 고온이 요구되며 캐리어 가스로는 아르곤이 이용될 수 있다.The carrier gas is injected into the reactor through the inlet path and can be transferred from the coil into a plasma flame in a vacuum state. In the present invention, a high temperature of at least 10,000 K is required for the thermal plasma treatment, and argon may be used as the carrier gas.

또 캐리어 가스는 유입로로 주입 시 혼합물(예를 들어, 그래핀이나 Thin-그래파이트 또는 기능기 파우더나 기능화 가스 등)을 반응로로 운반하는 역할도 가진다.The carrier gas also has the role of transporting a mixture (for example, graphene, graphite, graphite powder, functionalized gas, etc.) into the reactor when injected into the inlet furnace.

이외에도 캐리어 가스 대신 센트랄 가스에 혼합물을 실어 반응기 내로 주입시키고, 캐리어 가스는 온전히 플라즈마 불꽃의 형성을 위해 이용될 수도 있다. 다시 말해, 캐리어 가스는 플라즈마 불꽃 현상을 위한 기능을 수행하고, 혼합물의 운반은 센트럴 가스가 그 역할을 하는 것이다.In addition, the mixture may be injected into the reactor in a central gas instead of the carrier gas, and the carrier gas may be used exclusively for the formation of the plasma flame. In other words, the carrier gas functions for the plasma flame phenomenon, and the delivery of the mixture is the central gas.

한편, 반응기에는 캐리어 가스 이외에도 플라즈마로부터 반응기 내벽을 보호하기 위한 쉬스 가스가 더 주입될 수 있다. In addition to the carrier gas, a sheath gas may be further introduced into the reactor to protect the inner wall of the reactor from the plasma.

플라즈마 불꽃이 형성되면 반응기로 투입되는 혼합물이 플라즈마 불꽃의 열에 의해 열 플라즈마 처리가 이루어져 기능화가 수행될 수 있다.When the plasma flame is formed, the mixture to be supplied to the reactor can be thermally plasma treated by the heat of the plasma flame to perform the functionalization.

혼합물이 열 플라즈마 처리를 거치면 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 기능기가 도핑될 수 있다(S140).If the mixture is subjected to thermal plasma treatment, functional groups may be doped into graphene or thin graphite (S140).

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 도핑 과정을 도시한 도면이다.5 is a view illustrating a doping process according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 혼합물 중 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 열 플라즈마 처리가 가해지면, 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 디펙트가 발생하게 된다. 여기서, 디펙트란 그래핀 또는 Thin-그래파이트를 구성하는 벌집 구조 형태에서 탄소가 빠져나간 것을 의미할 수 있다. 고온의 열 플라즈마가 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 에너지를 인가하면 육각 구조 중 탄소(C) 결합을 끊어내고 이에 따라 디펙트가 발생할 수 있다.Referring to FIG. 5, when thermal plasma treatment is applied to graphene or thin graphite in the mixture, defects occur in graphene or thin graphite. Here, the defect may mean that the carbon has escaped from the honeycomb structure constituting the graphene or the thin graphite. When high-temperature thermal plasma is applied to graphene or thin graphite, the carbon bonds in the hexagonal structure are cut off, resulting in a defect.

혼합물 기능기를 가지는 원료에 열 플라즈마 처리가 가해지면, 그 원료로부터 기능기가 분리될 수 있다. 고온의 열 플라즈마가 기능기를 가지는 원료에 에너지를 인가하면 그 원료의 결합이 끊어져 기능기가 분리될 수 있다. When a thermal plasma treatment is applied to a raw material having a mixture functional group, the functional group can be separated from the raw material. When a high temperature thermal plasma is applied to a raw material having a functional group, the bonding of the raw materials is broken and the functional group can be separated.

예를 들어, 유레아의 경우에는 열 플라즈마 처리를 통해 질소-기능기가 분리될 수 있다. 이는 질소(N2)나 암모니아의 경우도 마찬가지이다. 또 나아가 질소-기능기 이외의 다른 기능기를 가지는 원료의 경우에도 해당 기능기가 그 원료로부터 분리될 수 있다.For example, in the case of urea, nitrogen-functional groups can be separated through thermal plasma treatment. This is also the case for nitrogen (N 2 ) and ammonia. Furthermore, even in the case of a raw material having a functional group other than the nitrogen-functional group, the functional group can be separated from the raw material.

다른 예를 들면, S-도핑의 경우에는 황화수소(H2S)의 경우, 열 플라즈마 처리를 통해 황-기능기가 분리될 수 있다. 이는 황 파우더나 그외의 황을 함유하는 각종 파우더, 이황화 탄소 용액(CS2) 및 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 용액의 경우에도 마찬가지이다.In another example, in the case of S-doping, in the case of hydrogen sulfide (H 2 S), the sulfur-functional group can be separated through thermal plasma treatment. This is also true in the case of various powders containing sulfur powder or other sulfur, carbon disulfide solution (CS 2 ) and benzyldisulfide powder dissolved in ethanol.

이와 같이 분리된 기능기는 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 형성된 디펙트에 결합될 수 있다. 이로써, 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 기능기 도핑이 이루어질 수 있으며, 이에 따라 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 목적하는 특성이 부여될 수 있다. 일 예로, 그래핀 또는 Thin-그래파이트에 질소 도핑이 이루어진 경우에는 전기 전도성이 향상될 수 있다. 다른 예로, 황 도핑이 이루어진 경우에는 질소 도핑의 경우보다 뛰어난 전기 전도성을 가질 수 있다. 한편, 목적하는 특성이 상이한 경우에는 질소-기능기 대신 인(P), 산소(Oxygen)이나 기타 메탈을 디펙트와 결합시켜 도핑하는 것도 가능하다.The thus-separated functional groups may be bonded to a defect formed in graphene or thin graphite. Thereby, functional group doping can be achieved in graphene or thin-graphite, thereby imparting desired properties to graphene or thin graphite. For example, if nitrogen doping is applied to graphene or Thin-graphite, the electrical conductivity can be improved. As another example, when sulfur doping is performed, it may have better electrical conductivity than in the case of nitrogen doping. On the other hand, when the desired characteristics are different, it is also possible to dope (P), oxygen (Oxygen) or other metal in combination with the defect instead of the nitrogen-functional group.

한편, 이러한 도핑을 통해 기능화는 그래핀이나 Thin-그래파이트 이외의 유사 탄소소재에 대해서도 적용이 가능하다. 예를 들어, 동일한 열 플라즈마 처리를 통해 기능기를 카본 블랙(carbon black)이나 그래파이트(graphite)에 대해서도 도핑할 수 있다. On the other hand, through such doping, the functionalization is also applicable to a similar carbon material other than graphene or thin graphite. For example, functional groups can be doped to carbon black or graphite through the same thermal plasma treatment.

이와 같이 열 플라즈마 처리를 이용하면 기능화된 그래핀 또는 Thin-그래파이트 융합체가 대량으로 양산될 수 있다. 이는 기존의 습식 도핑 방식에 비하여 공정이 간단하고, 비용이 저렴할 뿐 아니라 환경 오염 물질의 발생이 억제되는 장점을 가지고 있다. Using such a thermal plasma treatment, functionalized graphene or Thin-graphite fusions can be mass-produced in large quantities. This is advantageous in that the process is simple, the cost is low, and the generation of environmental pollutants is suppressed as compared with the conventional wet doping method.

한편, 이와 같은 열 플라즈마 처리를 통한 기능화는 목적하는 그래핀 또는 Thin-그래파이트의 특성의 정도에 따라 반복적으로 수행될 수도 있다. 예를 들어, 그래핀 또는 Thin-그래파이트의 전기 전도성을 향상시키기 위하여 1회의 열 플라즈마 처리 도핑 공정을 통해 질소-기능기를 도핑한 경우 충분한 전기 전도성을 확보하지 못한 경우에는 이를 반복 수행함으로써 원하는 레벨의 전기 전도성을 부여할 수 있다.On the other hand, the functionalization through the thermal plasma treatment may be repeatedly performed depending on the degree of the characteristics of the desired graphene or thin graphite. For example, when the nitrogen-functional group is doped through one thermal plasma doping process to improve the electrical conductivity of graphene or thin graphite, if sufficient electrical conductivity can not be ensured, Conductivity can be imparted.

마지막으로 도핑이 완료되면 기능화가 진행된 그래핀 또는 Thin-그래파이트 융합체를 수득할 수있다(S150).Finally, when the doping is completed, a functionalized graphene or thin-graphite fused material can be obtained (S150).

<실험예 1><Experimental Example 1>

이하에서는 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법에 따른 일 실험예에 관하여 설명한다.Hereinafter, one experimental example according to the graphene and thin-graphite functionalization method will be described.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리의 공정 조건에 관한 표이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 원재료의 관측 사진이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리된 그래핀 및 Thin-그래파이트 융합체의 관측 사진이고, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 기능화 처리된 그래핀 및 Thin-그래파이트 융합체의 XPS 성분 분석 그래프이다.FIG. 6 is a table of process conditions of the functionalization process according to the embodiment of the present invention, FIG. 7 is a photograph of raw materials of graphene and thin graphite according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 9 is an XPS component analysis graph of functionalized graphene and Thin-graphite fusions according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a photograph of functionalized graphene and Thin-graphite fusions according to the present invention.

도 6의 공정 조건에 따라 도 7에 도시된 XGS사의 Thin-그래파이트에 유레아를 기능화 원료로 이용하여 기능화처리를 수행한 경우, 도 8과 같이 질소-기능기가 Thin-그래파이트와 융합체를 이루도록 도핑된 것을 확인할 수 있었다. 이때 질소 비율은 최대 5.77%까지 도핑된 것을 확인할 수 있었다.When functionalization is carried out by using the urea as the functionalization material in the Thin-graphite of XGS company shown in FIG. 7 according to the process conditions of FIG. 6, the nitrogen-functional group doped so as to form a fused body with the Thin- I could confirm. At this time, it was confirmed that the nitrogen ratio was doped up to 5.77%.

이와 같이 5.77%로 질소가 도핑된 Thin-그래파이트에 대하여 XPS 성분 분석을 수행한 결과 도 9에 도시된 것과 같이 N 피크값이 399.8eV에 1.13%, 401eV에 2.76%, 402.2eV에 1.88%를 가지는 것으로 분석되었다.As a result of XPS component analysis for nitrogen-doped 5.9% nitrogen-doped Thin-graphite, the N peak value was 1.13% at 399.8 eV, 2.76% at 401 eV, and 1.88% at 402.2 eV Respectively.

이러한 결과를 이용하면 그래핀 및 Thin-그래파이트를 질소-기능화한 융합체가 EMI 차폐 소재로 사용될 수 있음을 알 수 있다. Using these results, it can be seen that nitrogen-functionalized fusions of graphene and thin-graphite can be used as EMI shielding materials.

이러한 융합체는 그래핀을 이용하는 경우, 그래핀 90~99wt%, 질소-기능기 1~7wt%의 함량비를 가질 수 있으며, Thin-그래파이트를 이용하는 경우 그래파이트 90~99wt%, 질소-기능기 1~7wt%의 함량비를 가질 수 있다. Such a fused material may have a content ratio of 90 to 99 wt% of graphene and 1 to 7 wt% of nitrogen-functional group when graphene is used, 90 to 99 wt% of graphite and 1 to 10 wt% of nitrogen- It can have a content ratio of 7 wt%.

<열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법의 다른 예>&Lt; Another Example of Method of Functionalizing Carbon Material Using Thermal Plasma Treatment >

이상에서는 그래핀 및 Thin-그래파이트에 기능기를 도핑하는 방법에 대하여 설명하였는데, 결과물로 수득되는 융합체를 페이스트화하는 것이 가능하다.In the foregoing, a method of doping functional groups onto graphene and thin graphite has been described. It is possible to paste the resultant fused product.

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법의 다른 예의 공정 순서도이다. 도 10을 참조하면, 상술한 단계 S110 내지 S150을 거쳐 수득된 기능화 융합체를 접합 물질과 교반하여 페이스트화 할 수 있다(S200). 10 is a process flow diagram of another example of a graphene and thin-graphite functionalization method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 10, the functionalized fusion material obtained through steps S110 to S150 may be agitated with a bonding material to form a paste (S200).

구체적으로 페이스트화는 그래핀 또는 Thin-그래파이트 융합체에 바인더 물질을 교반함으로써 이루어질 수 있다. 페이스트화된 융합체는 PET 등의 필름에 도포되거나 또는 직접 목적 대상 제품에 도포될 수 있다. 예를 들어, 질소-기능화를 통해 EMI 차폐 성능을 확보한 융합체를 페이스트화함으로써 전자기기의 하우징에 이를 도포하여 EMI 차폐 성능을 확보할 수 있을 것이다.Specifically, the pasting can be achieved by agitating the binder material with a graphene or a Thin-Graphite fusing material. The pasteurized fusant may be applied to a film such as PET or directly applied to the intended product. For example, it is possible to apply EMI shielding performance to a housing of an electronic device by pasting a fused material obtained through nitrogen-functionalization to secure EMI shielding performance.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법에 따른 기능화 시트의 제조 과정에 관한 도면이다. 11 is a diagram illustrating a process of manufacturing a functionalized sheet according to a carbon material functionalization method using thermal plasma processing according to an embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 도 10에서 설명한 공정에 따라 제조되는 기능화 시트는 슬롯 다이 방식으로 생성될 수 있다. 구체적으로 도 10에서 따라 페이스트화된 융합체를 필름이나 시트에 도포함에 있어서, 먼저 도포될 필름이나 시트를 다이에 안착시킨다. 다음으로 페이스트화된 융합체를 슬롯으로 이송한다. 슬롯에서는 펌프를 통해 페이스트화된 융합체가 시트로 도포되며, 이때 시트와 슬롯 간의 간격을 조절하여, 즉 다이의 갭 간격을 조절하여 일정 두께의 인쇄막을 코팅하는 방식으로 페이스트화된 융합체를 시트에 도포할 수 있다. 이러한 과정에 따르면, 도 11의 좌측 그림과 같이 기능화 융합체가 도포된 시트가 마련되며, 이후 이를 건조하면 공정이 완료된다. 예를 들어, N-도핑 시에는 이러한 시트를 EMI 차폐 시트로 활용할 수 있게 되는 것이다. 판매나 보관 시에는 도 11의 우측과 같이 롤 형태로 말아서 보관하는 것이 가능하다. 다른 예를 들어, S-도핑 시에는 이러한 시트를 N-도핑 시트와 유사한 EMI 차폐 성능을 가지면서도 보다 뛰어난 전기 전도성을 가지는 시트로 활용할 수 있다.Referring to FIG. 11, the functionalized sheet manufactured according to the process described with reference to FIG. 10 may be produced by a slot die method. Specifically, in applying the fused paste to the film or sheet in accordance with FIG. 10, the film or sheet to be coated is first placed on the die. Next, the pasted fusion body is transferred to the slot. In the slot, the fused paste is applied as a sheet through the pump, and the paste is applied to the sheet in such a manner that the gap between the sheet and the slot is adjusted, that is, can do. According to this process, a sheet coated with a functionalized fusion material is provided as shown in the left side of FIG. 11, and then the process is completed when it is dried. For example, in N-doping, such a sheet can be utilized as an EMI shielding sheet. When sold or stored, it can be rolled and stored as shown in the right side of Fig. In another example, for S-doping, such a sheet can be utilized as a sheet having better electrical conductivity while having an EMI shielding performance similar to an N-doped sheet.

<실험예 2><Experimental Example 2>

이하에서는 상술한 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법에 따른 다른 실험예에 관하여 설명한다. Hereinafter, another experimental example according to the graphene and thin-graphite functionalization method described above will be described.

다른 실험예에서는 그래핀 또는 Thin-그래파이트로서, 팽창흑연의 일종인 ES350을 사용하여 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한 방식에 따라 EMI 차폐 시트를 제조한 뒤, 그 성능을 시험해 보았다. 이러한 제2 실험예에서는 질소-기능기와 함께 황-기능기를 이용하여 실험을 구현해 보았다.In another experimental example, an EMI shielding sheet was manufactured according to the method described with reference to FIGS. 10 and 11 by using ES350, which is one kind of expanded graphite, as graphene or thin graphite, and then tested for its performance. In this second experimental example, experiments were carried out using a sulfur-functional group together with a nitrogen-functional group.

도 12는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 기능화 시트의 성능에 관한 표이다. 실험 조건은 실험예 1과 유사하게 아르곤 가스를 캐리어로 사용하여 진행되었다.12 is a table relating to the performance of the functionalized sheet manufactured according to the embodiment of the present invention. Experimental conditions were similar to those of Experimental Example 1 using argon gas as a carrier.

도 12를 참조하면, N-도핑한 ES350의 성능에 대하여 아무런 처리하지 않은 ES350 필름, MWNT(다층 카본 나노 튜브, Multi-Walled Nano Tube) 필름, 그리고 기능기를 도핑하지 않고 단순히 열 플라즈마 처리만 거친 ES350과 대비하여 보았다.Referring to FIG. 12, an untreated ES350 film, an MWNT (Multi-Walled Nano Tube) film, and an ES350 (non-doped carbon nanotube) In comparison with.

먼저 아무런 처리를 하지 않은 ES350 필름의 경우에는 44.6S/m의 전도도를 가지며, EMI 차폐율은 약 35.8dB를 가지고 있다.The ES350 film, which has no treatment at all, has a conductivity of 44.6 S / m and an EMI shielding rate of about 35.8 dB.

이에 반해 열 플라즈마 처리만 거친 ES350 필름의 경우에는 전기 전도도가 149S/m으로 개선되며, 그 차폐율은 46.0dB로, 아무런 처리를 하지 않은 ES350과 비교하여 약 29%의 성능이 향상되었다. On the other hand, the ES350 film with only thermal plasma treatment improved the electrical conductivity to 149S / m and its shielding rate was 46.0dB, which is about 29% better than ES350 without any treatment.

이에 비하여 열 플라즈마 처리를 통해 N-도핑한 경우에는 전도도는 155S/m을 가지며, 차폐율은 47.4dB로 아무런 처리를 거치지 않은 ES350에 비해 약 32%의 성능 향상이 있었다. 추가적으로, N-도핑된 ES350은 단순히 열 플라즈마처리만 거친 ES350과 비교해서도 면 저항값이 0.67Ω/sq에서 0.49Ω/sq로 향상되며, 10㎛ 두께를 기준으로 하는 환산 저항값은 1.48Ω/sq@10㎛에서 1.42Ω/sq@10㎛로 개선되었으며, 전도도가 149S/m에서 155S/m으로 개선되며, 차폐율은 46.0dB에서 47.4dB로 개선되어, 결과적으로 EMI 차폐특성에 있어서 약 3%의 추가 개선이 있었다.On the other hand, in the case of N-doping through thermal plasma treatment, the conductivity was 155S / m, and the shielding rate was 47.4dB, which was about 32% higher than that of ES350 without any treatment. In addition, the N-doped ES350 improves the surface resistance value from 0.67 Ω / sq to 0.49 Ω / sq compared to the ES350 which has only undergone thermal plasma treatment, and the conversion resistance value based on 10 μm thickness is 1.48 Ω / sq @ 10 μm to 1.42 Ω / sq@10 μm, the conductivity is improved from 149 S / m to 155 S / m, the shielding ratio is improved from 46.0 dB to 47.4 dB, resulting in about 3 There was an additional improvement of%.

이러한 개선 결과는 다층 탄소 나노 튜브와 비교해서도 뛰어난 것이다. 다층 탄소 나노 튜브 필름의 경우에는 그 전도도가 약 143S/m으로 차폐율이 41.0dB인데, N-도핑된 ES350은 이에 비하여 아무런 처리되지 않은 ES350기준으로 약 17%의 차폐율이 더 개선된 것이다. 또 이 둘을 직접적으로 비교시에는 N-도핑된 그래핀 필름은 MWNT 필름 대비 약 16% 가량 EMI 차폐율이 우수한 것이다.These improvements are superior to multi-layer carbon nanotubes. In the case of the multilayer carbon nanotube film, its conductivity is about 143 S / m, which is a shielding rate of 41.0 dB, whereas the N-doped ES350 has an improved shielding ratio of about 17% based on an untreated ES350. Direct comparison of the two shows that the N-doped graphene film is superior to the MWNT film by about 16% in terms of EMI shielding.

다시 도 12를 참조하면, S-도핑한 ES350의 성능에 대하여 아무런 처리하지 않은 ES350 필름, MWNT(다층 카본 나노 튜브, Multi-Walled Nano Tube) 필름, 기능기를 도핑하지 않고 단순히 열 플라즈마 처리만 거친 ES350, 그리고 N-도핑한 ES350과 대비하여 보았다.Referring again to FIG. 12, the ES350 film, the MWNT (Multi-Walled Nano Tube) film, and the ES350 , And N-doped ES350.

S-도핑한 ES350은 면 저항면이 약 0.51로 N-도핑의 경우보다 약간 높지만, 그 두께가 N-도핑 시의 29.1㎛에 비해 21.08㎛로 상당량 작아 결과적으로 전기 전도도는 N-도핑의 경우 155S/m에 비하여 206S/m으로 크게 향상되었다.The S-doped ES350 has a surface resistance of about 0.51, which is slightly higher than that of the N-doping, but its thickness is significantly smaller than that of the N-doping of 29.1 μm to 21.08 μm. As a result, / m and 206S / m, respectively.

EMI 차폐율의 경우에는 N-도핑의 경우 47.4dB의 차폐율 대비 47.1dB로 거의 유사한 정도를 나타내었다.In the case of EMI shielding ratio, 47.4dB compared to 47.4dB shielding ratio in N-doping was almost similar.

종합적으로는 S-도핑된 ES350은 N-도핑된 ES350과 비교하여 EMI 차폐율은 거의 유사하고, 전기 전도도는 약 33% 가량 개선된 결과를 보였다.Overall, the S-doped ES350 showed similar EMI shielding rates and improved electrical conductivity by 33% compared to N-doped ES350.

이를 아무런 처리 없는 ES350과 비교하면, 전기 전도도 측면에서 N-도핑의 경우, 전기 전도도가 3.47배로 향상된 것과 비교하여 S-도핑의 경우에는 4.61배로 S-도핑 시 N-도핑에 비하여 약 120% 정도의 추가적인 전도도 향상이 있는 것이다.Compared with the non-treated ES350, the electric conductivity of N-doping is 4.61 times that of S-doping, compared with the electric conductivity of 3.47 times that of N-doping. There is an additional conductivity enhancement.

또 MWNT 필름과 비교 시 N-도핑 시의 전기 전도도가 MWNT의 약 8%(155/143)향상된 것임에 반해 S-도핑의 경우에는 44%(206/143)의 성능 향상이 있는 것이다.In comparison with the MWNT film, the electric conductivity at the N-doping is improved by about 8% (155/143) of the MWNT, while the S-doping is improved by 44% (206/143).

추가적으로 도핑된 그래핀(혹은 Thin-그래파이트)의 두께가 S-도핑 시 N-도핑에 비하여 상당히 작아 (약 72%) 보다 박막 처리가 용이한 장점 역시 가지고 있다. In addition, the thickness of the doped graphene (or thin graphite) is much smaller (about 72%) than that of N-doping in the case of S-doping.

이러한 황 기능기의 그래핀을 이용하는 경우, 그래핀 90~99wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 것이 바람직하다. 황-기능기의 함량이 이보다 작은 경우에는 전체적인 성능이 저하되는 면이 있을 수 있으며, 함량이 이보다 많은 경우에는 비용대비 추가적인 성능 향상이 작고, 기능기 분산이 잘 안이루어지는 면이 있을 수 있다.When graphene of such a sulfur functional group is used, it is preferable to have a content ratio of graphene of 90 to 99 wt% and sulfur-functional group of 1 to 10 wt%. If the content of sulfur-functional group is smaller than the above range, the overall performance may deteriorate. If the content of sulfur-functional group is larger than this range, there is a possibility that the performance improvement is small and the functional group dispersion is not good.

상술한 본 발명의 실시예에 따른 방법에 있어서 각 실시예를 구성하는 단계는 필수적인 것은 아니며, 따라서 각 실시예는 상술한 단계를 선택적으로 포함할 수 있다. 또 각 실시예를 구성하는 각 단계는 반드시 설명된 순서에 따라 수행되어야 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계보다 먼저 수행될 수도 있다.In the method according to the embodiment of the present invention described above, the steps constituting each embodiment are not essential, and therefore, each embodiment can selectively include the above-described steps. Moreover, each step constituting each embodiment is not necessarily performed according to the order described, and the step described later may be performed before the step described earlier.

이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한 본 문서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다. 나아가, 각 실시예를 구성하는 단계들은 다른 실시예를 구성하는 단계들과 개별적으로 또는 조합되어 이용될 수 있다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described in this document can be applied to not only the present invention, but also all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made. Further, the steps constituting each embodiment can be used separately or in combination with the steps constituting the other embodiments.

1000: 열 플라즈마 처리 장치
.1000: Thermal plasma processing apparatus
.

Claims (13)

그래핀 또는 Thin-그래파이트 중 선택된 어느 하나의 제1 원료를 준비하는 단계;
상기 제1 원료와 황(S)-기능기를 포함하는 제2 원료를 혼합하는 단계;
상기 혼합 단계에서 혼합된 혼합물을 열 플라즈마 반응기에 투입하여 열 플라즈마 처리를 통해 상기 제1 원료에 상기 황-기능기를 도핑하는 단계; 및
상기 도핑을 통해 기능화가 진행된 그래핀 융합체 또는 Thin-그래파이트 융합체를 포집하는 단계;를 포함하는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
Preparing a first raw material selected from graphene or Thin-graphite;
Mixing the first raw material with a second raw material comprising a sulfur (S) functional group;
Introducing the mixture mixed in the mixing step into a thermal plasma reactor, and doping the first raw material with the sulfur-functional group through thermal plasma treatment; And
And collecting the functionalized graphene fusions or thin-graphite fusions through the doping
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제2 원료는, 황화수소(H2S), 황을 포함하는 파우더, 이황화 탄소 용액(CS2) 및 이황화 벤질(benzyldisulfide) 분말을 에탄올에 녹인 액상 중 적어도 하나를 포함하는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
The second raw material includes at least one of hydrogen sulfide (H 2 S), a powder containing sulfur, a carbon disulfide solution (CS 2 ), and a liquid phase in which benzyldisulfide powder is dissolved in ethanol
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제1 원료는, 고형 분말 상으로 제공되는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
The first raw material may be provided as a solid powder phase
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제2 원료는, 고형 분말 상으로 제공되는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
The second raw material is supplied as a solid powder phase
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제2 원료는, 기체 상의 기상 원료로 제공되는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
The second raw material is supplied as a gaseous vapor phase raw material
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 제2 원료는, 액체 상의 액상 원료로 제공되는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
The second raw material is supplied as a liquid raw material in a liquid phase
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 융합체에 접합 물질을 교반하여 페이스트화하는 단계;를 더 포함하는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
And agitating and fusing the bonding material to the fusion body
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항에 있어서,
상기 도핑하는 단계는, 상기 열 플라즈마에 의해 상기 제1 원료에 디펙트를 형성하는 단계 및 상기 황-기능기가 상기 디펙트와 결합하는 단계를 포함하는
열 플라즈마 처리를 이용하는 탄소 소재 기능화 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the doping comprises forming a defect in the first material by the thermal plasma and combining the sulfur-functional group with the defect
A method of functionalizing a carbon material using thermal plasma treatment.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 그래핀과 황-기능기가 융합체로 복합된 그래핀.
9. A graphene according to any one of claims 1 to 8 and graphene treated with a Thin-graphite functionalization method and graphene complexed with a sulfur-functional group.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 Thin-그래파이트와 황-기능기가 융합체로 복합된 Thin-그래파이트.
9. Thin-graphite according to any one of claims 1 to 8, wherein Thin-graphite treated with the method of functionalizing Thin-graphite and Thin-graphite compounded with a sulfur-functional group by fusing.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래핀 90~99wt%, 황-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 그래핀 조성물.
9. A graphene composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the fused material treated with the graphene and Thin-graphite functionalization method has a graphene content of 90 to 99 wt% and a sulfur-functional group content of 1 to 10 wt%.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체가 그래파이트 90~99wt%, 질소-기능기 1~10wt%의 함량비를 가지는 Thin-그래파이트 조성물.
9. A Thin-graphite composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the fused material treated with the graphene and Thin-graphite functionalization method has a content ratio of 90 to 99% by weight of graphite and 1 to 10% by weight of nitrogen-functional groups.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 그래핀 및 Thin-그래파이트 기능화 방법으로 처리된 융합체를 도포하여 형성되는 EMI 차폐 소재. 9. An EMI shielding material formed by applying the fused material treated by the graphene and Thin-graphite functionalization method of any one of claims 1-8.
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