KR20160104849A - 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀 - Google Patents

Abstract

본 발명은,
a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은,
a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다...
또한, 본 발명은
무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,
상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다.
또한, 본 발명은
무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다.
또한, 본 발명은
무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,
해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다.

Description

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀{Manufacturing method of substrate graphene growth without using metal catalyst and substrate graphene growth without using metal catalyst}

본 발명은, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법, 무촉매 기판 성장 그래핀 및 이를 포함하는 전자부품에 관한 것이다.

그래핀은 탄소 원자 한층으로 이뤄진 육각형 구조의 물질로 실리콘보다 100배 이상 빠르게 전자를 전달하는 특성을 지니고 있다.

또한, 그래핀은 높은 전자 이동도, 등과 같은 독특한 성질들 때문에 세계적으로 전기, 전자, 등의 분야에서 광범위하게 연구되어지고 있다.

그러한, 그래핀을 제조하는 방법(그래핀을 성장시키는 방법)에는 촉매층을 이용한 성장 방법을 주로 사용하고 있었다.

종래의 기술에 의해 제조되는 그래핀은, 촉매 금속으로부터 결정이 랜덤으로 성장하기 때문에, 랜덤으로 결정립계가 생긴 불균질한 다결정막이 되어 버린다. 따라서, 그래핀의 성장을 제어함으로써 결정립계가 생긴 개소를 원하는 개소로 한정하고, 가능한 한 큰 단결정의 그래핀을 제조하는 기술이 요구되고 있다.

또한, 촉매 금속을 사용하는 그래핀 성장 방법은 일단 그래핀이 형성되어 버리면, 촉매의 금속은 그래핀과 기판사이에 끼워지게 되기 때문에, 금속의 제거에는, 많은 노력이 필요하며, 완전한 제거도 쉽지가 않다.

또한, 그래핀을 성장시키는 방법이 아닌 그래핀을 전사하는 방법은 그래핀을 전사할 때 결함이 생기기도 쉽다.

따라서, 기판상에 촉매 금속 없이, 직접 기판의 표면에 접하는 그래핀을 제조하는 기술이 필요하다.

본 발명은, 상기와 같은 과제를 해결하는 것으로, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법, 무촉매 기판 성장 그래핀 및 이를 포함하는 전자부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.

따라서, 상기 일면에서 기술한 것을 해결하기 위하여 본 발명은, 기판상에 촉매 금속 없이, 직접 기판의 표면에 접하는 그래핀을 제조하는 기술이 필요했다. 그러한 이유로, 본 발명은,

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제시한다.

또한, 본 발명은,

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제시한다.

또한, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제시한다.

또한, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제시한다.

또한, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제시한다.

또한, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 제시한다.

본 발명은, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다.

또한, 본 발명은, 무촉매 기판 성장 그래핀을 제공한다.

또한, 본 발명은, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법, 무촉매 기판 성장 그래핀 및 이를 포함하는 전자부품을 제공한다.

도 1
도 1 은
(1). 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
(2). 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
(3~4). 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계,
, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3~4) 로 구성되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
또는, 도 1 은
(1). 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
(2). 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
(3~4). 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계,
, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3~4) 로 구성되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a
도 2a 는 아래에 기술되는 (1) 또는 (2) 를 개략적으로 도시한 도면이다.
(1). 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포가 불균일하면, 그래핀의 성장은, 탄소-포함 가스의 농도가 높은 곳으로부터 시작되어, 탄소-포함 가스의 농도가 낮은 곳을 향해 성장하게 된다.
따라서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 적절히 설정함에 따라, 그래핀의 결정이 성장할 방향을 제어할 수 있다.
물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.
(2). 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법.
물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.
도 2b
도 2b 는 아래에 기술되는 (1) 또는 (2) 를 개략적으로 도시한 도면이다.
(1). 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포가 불균일하면, 그래핀의 성장은, 탄소-포함 가스의 농도가 높은 곳으로부터 시작되어, 탄소-포함 가스의 농도가 낮은 곳을 향해 성장하게 된다.
따라서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 적절히 설정함에 따라, 그래핀의 결정이 성장할 방향을 제어할 수 있다.
물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.
(2). 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법.
물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.
도 3
본 발명의 한 실시예에서, 제시하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 구비된 그래핀의 제 1 의 예시를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4
본 발명의 한 실시예에서, 제시하는 기판층이 구비된 기판의 제 1 의 예시를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5
본 발명의 한 실시예에서, 제시하는 기판층이 구비된 기판의 제 2 의 예시를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6
본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서 수행되는 탄소-포함 가스 공급에 구비될 수 있는 제 1 의 예시를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7
본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서 수행되는 탄소-포함 가스 공급에 구비될 수 있는 제 2 의 예시를 개략적으로 도시한 단면도이다.

하기에서 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 일반적으로 통용되는 용어들로서 이는 생산자의 의도 또는 관계에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서의 전반적으로 기술된 설명을 토대로 내려져야 할 것이다.

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 무촉매 기판 성장 그래핀

종래의 기술에 의해 제조되는 그래핀은, 촉매 금속으로부터 결정이 랜덤으로 성장하기 때문에, 랜덤으로 결정립계가 생긴 불균질한 다결정막이 되어 버린다. 따라서, 그래핀의 성장을 제어함으로써 결정립계가 생긴 개소를 원하는 개소로 한정하고, 가능한 한 큰 단결정의 그래핀을 제조하는 기술이 요구되고 있다.

또한, 촉매 금속을 사용하는 그래핀 성장 방법은 일단 그래핀이 형성되어 버리면, 촉매의 금속은 그래핀과 기판사이에 끼워지게 되기 때문에, 금속의 제거에는, 많은 노력이 필요하며, 완전한 제거도 쉽지가 않다.

또한, 그래핀을 성장시키는 방법이 아닌 그래핀을 전사하는 방법은 그래핀을 전사할 때 결함이 생기기도 쉽다.

따라서, 기판상에 촉매 금속 없이, 직접 기판의 표면에 접하는 그래핀을 제조하는 기술이 필요하다.

따라서, 본 발명의 한 실시예에서, 제시하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

(1). 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

(2). 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

(3). 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

다시 설명하자면, 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(ECR-CVD)을 수행하여, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판층은 특별히 기재하지 않더라도 기판층이 형성된 기판을 의미할 수 있다.

본 발명에서 제시되는 "전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)"은 "ECR-CVD"로 표기될 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명에서 제시되는 ECR-CVD 공정은 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로써의 ECR-CVD 공정을 의미할 수 있다.

또는, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명에서 제시되는 ECR-CVD 공정은 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로써의 ECR-CVD 공정을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 ECR-CVD 를 유지한 상태에서, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 ECR-CVD 를 유지한 상태에서, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서 초기 탄화수소 분자(initial hydrocarbon molecules)는 수소 분자와 함께 기판층의 표면에서 낮은 점착 계수(sticking coefficient) 조건을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, C_xH_y, CH_x 및 C₂ 라디칼과 수소는 흡착에 이어서 표면위에서 확산된다.____

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 기판층 표면의 형태와 표면 거칠기(roughness) 및 표면의 온도는, 핵 생성에 중요한 역할을 갖는다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 또한, 아래와 같이 기술된다.

(1). 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

(2). 탄소-포함 가스의 농도를 불균형하게 유지한 상태에서, 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행한다.

그러면, 기판층의 표면에서, 탄소가 그래핀으로 성장한다. 이대로 탄소-포함 가스의 농도를 불균형하게 유지한 상태에서, ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다.

탄소-포함 가스의 농도를 불균형하게 유지한 상태에서, ECR-CVD 를 계속 수행 하므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 따라서, 최종적으로는 그래핀이 형성된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

그러므로, 종래의 금속 촉매를 이용한 제조방법과는 달리, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 그래핀을 기판상에 직접 성장시킬 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판층을 구비하는 방법은, 기판층을 선택적 식각을 수행하여 원하는 형상을 가진 기판층을 구비하는 방법을 구비할 수 있다. 여기서, 선택적 식각이란 식각프로세스를 수행하여 원하는 부위만 남기는 것을 의미한다. 식각프로세스는 당업자에게는 알려져 있고 따라서 여기서는 더 이상 설명하지 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판층을 구비하는 방법은 석택적 식각을 수행하는 방법 이외에도, 레지스트 마스크를 이용하여, 레지스트 마스크가 구비된 위치에 기판층 형성 이후, 레지스트 마스크를 용해함으로써, 레지스트 마스크 및 그 표면에 형성된 기판층을 제거하고, 이에 따라서, 원하는 형상을 가진 기판층을 구비하는 방법을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판층은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 수행 과정에서 변형(전체적 또는 부분적으로) 될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판층은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법 수행 과정에서 형태 변형(전체적 또는 부분적으로) 될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 기판층은 기판층의 증착과 선택적 식각을 수행한 기판층을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 기판은 기판층이 구비되어 있는 상태로 ECR-CVD 챔버내로 위치되어, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 대기압웨이퍼이송시스템, 진공웨이퍼이송시스템, 중 선택되는 이송시스템을 이용할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 로드-잠금 챔버를 이용함으로써 그래핀 형성 전과 후의 과정에서 기판의 환경을 적절히 조절할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 로드-잠금 챔버를 이용함으로써 그래핀 형성 환경을 적절히 조절할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 그래핀 성장 과정을 적절히 조절함으로써 그래핀의 생성 정도를 조절할 수 있다. 따라서 목적하는 그래핀 시트의 두께를 얻기 위해서는 탄소-포함 가스의 종류 및 공급 압력, 공급 범위, 공급량, 기판층의 종류, 챔버의 크기 외에, 온도, 압력, 마이크로웨이브 파워(microwave power), ECR-CVD 공정의 온도 및 유지시간 등이 중요한 요소로서 작용할 수 있다. 이러한 중요한 요소들은, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의하여 선택 및 적절하게 조절되어 수행될 수 있다는 것을 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이를 쉽게 이해할 수 있을 것입니다.__

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 불활성 가스는 특별히 기재하지 않더라도 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행하는 동안에, 불활성 가스가 공급되는 것이 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 포함되어 수행되는 것을 의미할 수 있습니다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 기판의 상부에 구비되는 기판층을 구비하는 단계는 증착, 코팅, 중 선택되는 방법을 구비할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, ECR-CVD 에 의하여 그래핀을 형성하는 것은 낮은 압력 예를 들어, 1x 10^-3 mbar 정도의 압력을 유지하면서 탄소-포함 가스를 주입(또는 공급)하고, 수 십 W 내지 수 백 W 의 마이크로웨이브 파워(microwave power)를 인가함으로써 챔버 내에 플라즈마를 형성하게 되어 상기 챔버 내의 기판층 상에 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀이 성장된다.

따라서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 상기 ECR-CVD 과정은 상기 기판층 영역 전체에서 상기 탄소-포함 가스가 균일하게 분사되어 균일한 플라즈마가 형성되도록 하는 것이 중요하다. 상기 과정을 수행하면 상기 기판층상에 그래핀이 직접 접하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성할 수 있다.

그런데, 탄소-포함 가스의 농도 분포가 불균일하면, 그래핀의 성장은, 탄소-포함 가스의 농도가 높은 곳으로부터 시작되어, 탄소-포함 가스의 농도가 낮은 곳을 향해 성장하게 된다.

따라서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 적절히 설정함에 따라, 그래핀의 결정이 성장할 방향을 제어할 수 있다.

이와 같이 하여, 그래핀의 성장의 방향을 제어하면, 그래핀의 결정립계는 성장 개시점 및 그래핀 끼리 연결되는 성장 종료점에만 형성되기 때문에, 결정립계를 소정의 위치에 제어할 수 있고, 또한 그래핀의 성장 개시점을 줄이는 것으로 큰 결정립경을 실현할 수 있다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, ECR-CVD 에 의하여 그래핀을 형성하는 것은 낮은 압력 예를 들어, 1x 10^-3 mbar 정도의 압력을 유지하면서 탄소-포함 가스를 주입(또는 공급)하고, 수 십 W 내지 수 백 W 의 마이크로웨이브 파워(microwave power)를 인가함으로써 챔버 내에 플라즈마를 형성하게 되어 상기 챔버 내의 기판층 상에 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀이 성장된다.

따라서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 상기 ECR-CVD 과정은 상기 기판층 영역 전체에서 상기 탄소-포함 가스가 균일하게 분사되어 균일한 플라즈마가 형성되도록 하는 것이 중요하다. 상기 과정을 수행하면 상기 기판층상에 그래핀이 직접 접하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성할 수 있다.

그런데, 탄소-포함 가스의 농도 분포가 불균일하면, 그래핀의 성장은, 탄소-포함 가스의 농도가 높은 곳으로부터 시작되어, 탄소-포함 가스의 농도가 낮은 곳을 향해 성장하게 된다.

따라서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 적절히 설정함에 따라, 그래핀의 결정이 성장할 방향을 제어할 수 있다.

이와 같이 하여, 그래핀의 성장의 방향을 제어하면, 그래핀의 결정립계는 성장 개시점 및 그래핀 끼리 연결되는 성장 종료점에만 형성되기 때문에, 결정립계를 소정의 위치에 제어할 수 있고, 또한 그래핀의 성장 개시점을 줄이는 것으로 큰 결정립경을 실현할 수 있다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 그래핀의 기판층상에 있어서의 성장의 개시점이나 방향 등을 제어하는 것이 가능하다. 나아가, 단결정의 그래핀의 면적을, 종래보다 크게 할 수 있다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 소량의 다결정이 적은 수의 단결정과 함께 남아 있을 수는 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 탄소-포함 가스의 공급 환경 및 그래핀의 성장 환경을 적절히 설정하고, 그래핀의 성장을 수행하면, 기판(또는 기판층)에, 적은 수의 단결정의 그래핀을 구비할 수 있다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 소량의 다결정이 적은 수의 단결정과 함께 남아 있을 수는 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 설정하는 것은 탄소-포함 가스의 분사위치를 조절하는 것으로 설정할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 설정하는 것은 탄소-포함 가스의 공급범위를 조절하는 것으로 설정할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 농도 분포는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행하는 도중에 적절히 변화(또는 조절)될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 농도 분포를 설정하는 것은 탄소-포함 가스의 분압을 조절하여 설정할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 분압은, 아르곤 가스에 탄소-포함 가스를 원하는 농도로 희석하면 조정이 가능하다. 또는, 본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스의 분압은, 불활성 가스에 탄소-포함 가스를 원하는 농도로 희석하면 조정이 가능하다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 수소 및 아르곤과 같이 공급될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 ECR-CVD 공정 이후에, 형성된 그래핀에 대하여 냉각공정을 수행할 수 있다. 상기 냉각공정은 형성된 그래핀이 균일하게 성장하여 일정하게 배열될 수 있도록 하기 위한 방법으로서, 급격한 냉각은 그래핀의 균열 등을 야기할 수 있으므로, 일정 속도로 서서히 냉각시키는 것이 좋다. 예를 들자면, 자연 냉각 등의 방법을 사용하는 것도 가능하다. 상기 자연 냉각은 열처리에 사용된 열원을 단순히 제거한 것으로서, 이와 같이 열원의 제거만으로도 충분한 냉각 속도를 얻는 것이 가능하다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 탄소-포함 가스와 함께 환원가스를 더 공급하는 것을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 환원가스는 수소, 헬륨, 아르곤, 또는 질소를 포함하는 것일 수 있다.___

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 그래핀을 구비하기 위한 ECR-CVD 공정은 1 회 이상 수행되는 것을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 그래핀을 구비하기 위한 ECR-CVD 공정 및 냉각공정은 1 회 이상 수행되는 것을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스는 탄화수소(hydrocarbon)를 포함하는 것을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스는 CH₄ 가스를 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스는 CH₄ 및 Ar 가스 의 혼합을 의미할 수 있다.____

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 탄소를 포함하는 화합물과 더불어 아르곤 등과 같은 불활성 가스를 포함하는 것을 의미할 수 있다. 더하여, 본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 ECR-CVD 장치의 챔버 내에서 수소와 함께 존재하는 것도 가능하다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 활성화 탄소를 형성시킬 수 있는 가스와 더불어 아르곤 등과 같은 불활성 가스를 포함하는 것을 의미할 수 있다. 더하여, 본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 ECR-CVD 장치의 챔버 내에서 수소와 함께 존재하는 것도 가능하다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 탄화수소(hydrocarbon) 가스와 더불어 아르곤 등과 같은 불활성 가스를 포함하는 것을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 탄소-포함 가스의 공급 환경 및 그래핀의 성장 환경을 적절히 설정하고, 그래핀의 성장을 수행하면, 대면적의 그래핀을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 ECR-CVD 수행 시간 및 그래핀 형성 환경을 적절히 조절하여 그래핀의 두께를 제어할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 기판상에 기판층을 구비, 그 이후, 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하여, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 기판상에 기판층을 구비, 그 이후, 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하여, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 기판층은 하나 이상의 Piezo(피에조)물질, 자성입자, 전하를갖는입자, 중 선택되는 것을 구비한 이후, 박막을 구비한 기판층을 의미할 수 있다. 본 발명의 한 실시예에서, 박막은 두께가 수천 마이크로미터 이하인 박막을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, Piezo(피에조)는 역압전효과(converse piezoelectric effect)를 의미한다. 즉 전기장을 가해주면 기계적인 변형이 일어난다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판상에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 더하여 본 발명의 한 실시예에서, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판상에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 더하여 본 발명의 한 실시예에서, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판상에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 더하여 본 발명의 한 실시예에서, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판상에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 더하여 본 발명의 한 실시예에서, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 여러 단계들을 추가 포함할 수 있으나, 기본적으로 기판층을 구비, 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(ECR-CVD)을 수행하여, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 수행하는 것이다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 여러 단계들을 추가 포함할 수 있으나, 기본적으로 기판층을 구비, 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(ECR-CVD)을 수행하여, 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 수행하는 것이다.

''--

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을

특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스 공급은, 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여, 그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스 공급은, 기판층의 특정 영역은 탄소-포함 가스의 농도가 낮도록 구성하고, 기판층의 특정 영역은 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여, 그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한 이후, 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한 이후, 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한 이후, 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한 이후, 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을

특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을

특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스의 공급은 ECR-CVD 를 수행하기 이전에 먼저 수행 될 수 있으며, 따라서, 본 발명은 탄소-포함 가스의 공급이 수행되는 도중에 ECR-CVD 를 수행하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에서, 탄소-포함 가스의 공급은 ECR-CVD 장치의 작동 이후에 수행 될 수 있으며, 따라서, 본 발명은 ECR-CVD 장치의 작동을 수행하는 도중에 탄소-포함 가스의 공급을 수행하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 형성된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은,

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은, 상기 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하고, 상기 면상 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비하되,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비하되,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비하되,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품의 제조방법은 트랜지스터(Transistor)의 제조방법을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품의 제조방법은 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)의 제조방법을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품의 제조방법은 메모리(Memory)의 제조방법을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품은 트랜지스터(Transistor)인것; 을 특징으로 하나, 이에 한정되지는 않는다.

본 발명의 한 실시예에서, 트랜지스터(Transistor)는 그래핀 트랜지스터(Transistor)를 포함하는 것을 의미한다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품은 중앙처리장치(Central Processing Unit, CPU)인것; 을 특징으로 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 전자부품은 메모리(Memory)인것; 을 특징으로 한다.

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본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서,

탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은

기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 더하여, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하고, 상기 면상 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 더하여, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 더하여, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 수행할 때, 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

본 실시예는, 상기 실시예 <A>를 2회 반복할 때, 면상 그래핀을 제조하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다.

(1). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 그래핀이 기판층의 특정 영역에서 성장한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(3). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 그래핀이 형성되게 된다.

(4). 이 후, 기판층의 그래핀 상부에 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 그래핀의 긴 방향과 평행하게 되고, 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(5). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 방향으로 성장한다.

(6). 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법의 수행이 끝나면, 면상 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 실시예는, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법이다. 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래의 <A>, <B>, 중 선택되는 것으로 기술된다.

<A>

(1). 기판층에 있어서 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). ECR-CVD 를 수행한다.

(3). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(4). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 선상의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 선상의 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(5). 최종적으로는 그래핀이 형성된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (5) 로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

<B>

(1). 상기 실시예 <A> 의 기술된 설명 이후, 기판층의 그래핀의 긴 방향과는 수직인 쪽의 왼쪽방향의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(2). 이후, 상기 실시예 <A>의 기술된 설명에 근거하여, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 수행한다. 그러면, 잔류하고 있는 그래핀을 개시 위치로 하고, 면상 그래핀이, 그래핀의 긴 방향과는 수직인, 오른쪽에서 왼쪽으로 성장한다.

(3). 최종적으로는 면상 그래핀이, 기판의 표면에 직접 접하게 된다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (3) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 아래와 같이 기술될 수 있다.

(1). 기판층의 형상을 3차원적인 높낮이를 구비하도록 형성한다. 본 발명의 한 실시예에서, 필요 이외의 부분에 기판층이 형성되지 않도록 하기 위하여, 레지스트 마스크 등을 이용하여 제거해도 좋다.

(2). 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높인다.

(3). ECR-CVD 를 수행한다.

(4). 그러면, 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 된다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

(5). 이대로 ECR-CVD 를 계속 수행하면, 성장한 그래핀이 한층 더 성장한다. ECR-CVD 를 유지한 채로 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이므로, 이 때문에, 탄소는, 이미 성장을 끝낸 그래핀과 결정 구조를 이루도록 성장한다. 이때, 그래핀의 성장의 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 된다.

(6). 최종적으로는 그래핀이 3차원적인 높낮이를 구비한다, 로 구성되는 상기 (1) 내지 (6) 으로 구성되는 공정을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 탄소-포함 가스는 탄소를 포함하는 화합물과 더불어 아르곤 등과 같은 불활성 가스를 포함하는 것을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기판은 특별히 기재하지 않더라도 기판층이 형성된 기판을 의미할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

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본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 아래에 기술되는 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<A>

탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

<B>

탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

<C>

탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다, 로 구성되는 상기 기술되는 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 기술된 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비하는 <A-A>, <B-B>, <C-C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<A-A>

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <A> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <A> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법

<B-B>

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <B> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <B> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법

<C-C>

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <C> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <C> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법, 로 구성되는 상기 기술되는 <A-A>, <B-B>, <C-C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 상기 기술되는 <A-A>, <B-B>, <C-C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 상기 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하고, 상기 면상 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 기판층을 구비한 기판 및 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의하여 형성된 그래핀을 구비한다. 본 발명의 한 실시예에서, 상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용할 수 있다

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

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본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 아래에 기술되는 <A>, <B>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<A>

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<B>

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다, 로 구성되는 상기 기술되는 <A>, <B>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 기술되는 <A>, <B>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서,

탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서,

탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서,

탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및

b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및

c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및

d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,

e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및

b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및

c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및

d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계(물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다), 및

e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및

f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 아래에 기술되는 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<A>

탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

<B>

탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

<C>

탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다, 로 구성되는 상기 기술되는 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 기술된 <A>, <B>, <C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비하는 <A-A>, <B-B>, <C-C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<A-A>

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <A> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <A> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<B-B>

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <B> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <B> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

<C-C>

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 상기 기술된 <C> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,

상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 상기 기술된 <C> 에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다, 로 구성되는 상기 기술되는 <A-A>, <B-B>, <C-C>, 중 선택되는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하고, 상기 면상 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,

상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

무촉매 기판 성장 그래핀으로써,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,

해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다. 또한, 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,

c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

탄소-포함 가스를 공급 받아 분출하는 단계, 및

전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및

탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

탄소-포함 가스를 공급 받아 분출하는 단계, 및

전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및

탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,

그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서, 탄소-포함 가스 공급은

기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,

기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 있어서, 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다. 물론, 본 발명의 한 실시예에서, 그래핀의 성장의 개시점은 본 발명에서 제시하고자 하는 위치 뿐만 아니라, 원치않는 위치에서도 그래핀의 핵발생(nucleate)이 발생될 수 있으나, 이러한 원치않는 위치에서 발생되는 그래핀의 핵발생(nucleate)은 적절히 무시하는 것으로 이해될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은

a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 및

b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및

c. 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비할 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 기판층을 구비한 기판 및 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의하여 형성된 그래핀을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법을 구비한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명은 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품을 구비한다.

''__

''___

여기서, "기술되다" 는 "대상이나 과정의 내용과 특징이 있는 그대로 열거되거나 기재되어 서술되다"를 의미한다.

본 발명은 상위 그룹, 그룹, 그룹의 범위, 그룹의 하위 범위, 그룹의 포함 범위로 기술되었다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 일면에서 상세하게 기술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 일면에서 상세하게 기술되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명에 특별히 기술된 것보다, 일반적으로 알려진 방법, 일반적으로 알려진 수학식, 일반적으로 알려진 법칙, 일반적으로 알려진 설명, 일반적으로 알려진 순서 및 일반적으로 알려진 기술은 불필요한 실험에 의지하지 않고 넓게 드러나 있는 본 발명의 실시예에 적용될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명에 특별히 기술된 것과 동일하게 알려진 방법, 순서 그리고 특히 기술적으로 동일하게 알려진 기술은 의도되지 않게 본 발명의 실시예에 적용될 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 일반적으로 알려진 방법, 일반적으로 알려진 수학식, 일반적으로 알려진 법칙, 일반적으로 알려진 설명, 일반적으로 알려진 순서 및 일반적으로 알려진 기술등 과도한 설명에 의지하지 않고도 본 발명이 실현가능하다는 것을 알 수 있을 것이다.

여기서 채용된 용어 및 표현들은 발명의 상세한 설명의 용어로써 사용되나 의미를 제한하는 것은 아니며, 설명되거나 도시된 특징의 용어나 표현을 제한할 의도는 없다. 다만, 본 발명의 청구된 범위 안에서 다양한 변형들이 가능하다. 그러므로, 본 발명이 몇몇 바람직한 실시예들에 의해 기술되었음에도 불구하고 대표적 실시예 및 선택적 특징들, 여기서 기술된 개념의 수정 및 변화가 종래 기술등에 의해 재분류될 수 있다고 이해될 수 있으며, 이러한 수정 및 변화들은 첨부된 청구항에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위 안에서 고려될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 제공된 특정 실시예는 본 발명의 유용한 실시예의 예시이고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 구성요소들, 방법단계들의 변화를 사용하여 수행되어질 수 있다는 점을 이해할 수 있을 것이다.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 특정 실시예가 다양한 선택적 구성 및 방법 및 단계들을 포함하여 사용될 수 있다는 점을 이해할 수 있을 것이다.

여기서 기술되거나 설명된 구성요소의 구체적인 명칭은 본 발명이 속하는 기술분야의 일반적 기술을 가진자가 같은 구성요소의 구체적인 명칭을 다르게 부를 수도 있는 점에서 임의의 예시로서 불려질 수 있다. 따라서, 여기서 기술되거나 설명된 구성요소의 구체적인 명칭은 기술된 본 발명의 전반적인 내용을 토대로 이해되어져야 한다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 기술되거나 설명된 그룹의 조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다고 고려될 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 상위그룹내에 포함 가능한 기술되거나 설명된 그룹의 조합은 달리 언급되지 않더라도 본 발명의 상위그룹내에서 사용되어질 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기술되거나 설명된 그룹의 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에 포함 가능한 개별 값은 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에서 사용되어질 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기술되거나 설명된 그룹의 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에 포함 가능한 그룹의 조합은 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에서 사용되어질 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기술되거나 설명된 그룹의 범위가 상세하게 주어질 때 뿐만 아니라 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에 포함 가능한 그룹은 상기 기술되거나 설명된 그룹의 범위에서 사용되어질 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 기술되거나 설명된 구성요소의 등가적으로 알려진 구성요소 또는 변형물은 달리 언급되지 않더라도 의도되지 않게 본 발명을 실시하기 위하여 사용되어질 수 있다.

본 발명의 한 실시예에서, 본 발명의 내용은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자의 레벨에서 설명되었다.

본 발명의 한 실시예에서, 그룹, 그룹의 범위, 그룹의 하위 범위, 그룹의 포함 범위로 기술된 설명은, 포함 가능한 본 발명의 상위 그룹의 설명의 범위내에서 실현될 수 있다.

본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 본 발명을 실시하기 위한 다양한 방법들이 과도한 실험에 기대지 않고도 본 발명의 실시에 채용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.

또한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자는 본 발명에서 그룹, 그룹의 범위, 그룹의 하위 범위, 그룹의 포함 범위로 기술된 설명이 충분히 포함 가능한 본 발명의 상위 그룹의 실시에 채용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.

이상, 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 내용에 한정되지 않으며, 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다.

또한, 적당하게 도식적으로 설명된 본 발명은 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

본 발명의 한 실시예에서, 기술된 방법들과 등가적으로 알려진 방법들은 의도되지 않게 본 발명의 한 실시예에, 사용되어질 수 있다.............................

100 : 기판층이 구비된 기판
300 : 탄소-포함 가스
500 : 그래핀
1001 : 그래핀 디바이스
1002 : 그래핀
1003 : 기판층이 구비된 기판
2000 : 기판
2100 : 기판층
2500 : 가스 분출부
2600 : 탄소-포함 가스 이동방향

Claims (45)

1. a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
   b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
   c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
2. a. 기판층이 형성된 기판 구비, 그 이후,
   b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
   c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
3. 청구항 1 항 내지 청구항 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄소-포함 가스 공급은
   기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,
   그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
4. 청구항 1 항 내지 청구항 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄소-포함 가스 공급은
   기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,
   기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
5. 청구항 1 항 내지 청구항 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 상기 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
   
6. 청구항 1 항 내지 청구항 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
   
7. a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및
   b. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,
   c. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 상기 증착 챔버 및 ECR-CVD 챔버 내로 순차적으로 로딩되는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
8. a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및
   b. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및
   c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,
   d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
9. a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및
   b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및
   c. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,
   d. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을
   특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
10. a. 기판을 증착 챔버 내로 로딩(loading)하여 상기 기판에 기판층을 형성하는 단계; 및
    b. 상기 기판을 CMP 챔버 내로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층에 CMP 공정을 수행하는 단계; 및
    c. 상기 기판을 선택적 식각을 수행하기 위한 챔버들 내로 순차적으로 로딩하여 상기 기판에 형성된 기판층을 선택적 식각하는 단계; 및
    d. 상기 기판을 ECR-CVD 챔버 내로 로딩하고 탄소-포함 가스를 공급하여 ECR-CVD 에 의하여 무촉매 기판 성장 그래핀을 형성하는 단계; 를 포함하되,
    e. 상기 기판은 로드-잠금 챔버(load-locked chamber)를 이용하여 순차적으로 로딩되는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
11. a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및
    b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및
    c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및
    d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
12. a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및
    b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및
    c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및
    d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계, 및
    e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및
    f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
13. a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및
    b. 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 균일하게 구성하는 단계, 및
    c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및
    d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
14. a. 기판에 기판층을 형성하는 단계, 및
    b. 기판층에 있어서 기판층의 특정 영역에 탄소-포함 가스의 농도를 높이는 단계, 및
    c. ECR-CVD 를 수행하는 단계, 및
    d. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 상기 기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하는 단계, 및
    e. 그래핀의 성장 방향은, 기판층의 특정 영역에서 평행한 방향으로 그래핀이 성장하게 되는 단계, 및
    f. 최종적으로는 그래핀이 형성되는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
15. 기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 청구항 3 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,
    상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 청구항 3 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
16. 기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 청구항 4 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,
    상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 청구항 4 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
17. 기판의 표면에 평행한 제1의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 그래핀을, 청구항 5 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하며,
    상기 그래핀으로부터 상기 표면에 평행한 제2의 방향으로 성장하고, 기판층에 직접 접하는 면상 그래핀을, 청구항 5 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의해 제조하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
18. 청구항 15 항 내지 청구항 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하고,
    상기 면상 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
19. 무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
    상기 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
    상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고,
    상기 무촉매 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀
    
20. 무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 갖는것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀
    
21. 청구항 20 항에 있어서,
    상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀
    
22. 무촉매 기판 성장 그래핀으로써,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 기판층의 표면에 직접 접하고,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며,
    해당 무촉매 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 갖는것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀
    
23. 청구항 22 항에 있어서,
    상기 제1의 방향과, 상기 제2의 방향은, 직교하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀
    
24. 청구항 1 항 또는 청구항 2항 또는 청구항 15항 또는 청구항 16항 또는 청구항 17항에 따른 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법
25. 청구항 1 항 또는 청구항 2항 또는 청구항 15항 또는 청구항 16항 또는 청구항 17항에 따른 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품
26. 청구항 19 항 또는 청구항 20 항 또는 청구항 22 항에 따른 무촉매 기판 성장 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품
    
27. 청구항 1 항 또는 청구항 2항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀
28. 청구항 27 항에 따른 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품
    
    
29. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
30. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
31. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
32. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄소를 포함하는 화합물 라디칼(radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
33. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
34. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 이후
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하되,
    c. 탄소를 포함하는 화합물의 분해물의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
35. 탄소-포함 가스를 공급 받아 분출하는 단계, 및
    전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및
    탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
36. 탄소-포함 가스를 공급 받아 분출하는 단계, 및
    전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및
    탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 기판층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 성장 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
    
37. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄소-포함 가스 공급은
    기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포를 불균일하게 구성하여,
    그래핀의 성장의 방향을 제어하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
38. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄소-포함 가스 공급은
    기판층의 특정 영역에 있어서, 탄소-포함 가스의 농도가 높도록 구성하여,
    기판층의 특정 영역에서 그래핀으로 성장하게 되는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
39. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄소-포함 가스 공급은 기판층에 있어서 탄소-포함 가스의 농도 분포 가운데, 상기 기판의 표면에 평행한 방향의 농도 분포를 불균일하게 함에 따라서, 상기 기판의 표면에 평행한 방향으로 그래핀을 성장시키는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
40. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판층상에 성장된 그래핀을 냉각하는 단계를 추가 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
    
41. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 기재된 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법으로 얻어지는 그래핀
    
42. 기판층을 구비한 기판 및 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법에 의하여 형성된 그래핀
    
43. 청구항 29 항 내지 청구항 36 항 중 어느 한 항에 따른 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법
    
44. 청구항 41 항 내지 청구항 42 항 중 어느 한 항에 따른 그래핀을 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 전자부품
    
45. a. 기판층이 구비된 기판을 위치시키는 단계, 및
    b. 탄소-포함 가스를 공급하고 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 화학기상증착(Microwave Electron Cyclotron Resonance Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; ECR-CVD)을 수행하는 단계, 및
    c. 촉매층을 구비하지 않은 상태로 기판층상에 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것; 을
    특징으로 하는 무촉매 기판 성장 그래핀의 제조방법
    
    
    

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