KR20160096828A - End point detector and method for controlling the same - Google Patents

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KR20160096828A
KR20160096828A KR1020150018379A KR20150018379A KR20160096828A KR 20160096828 A KR20160096828 A KR 20160096828A KR 1020150018379 A KR1020150018379 A KR 1020150018379A KR 20150018379 A KR20150018379 A KR 20150018379A KR 20160096828 A KR20160096828 A KR 20160096828A
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강성용
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에스케이하이닉스 주식회사
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Abstract

An end-point detecting device according to the present technology includes: a filter unit divided into multiple transmission regions and selectively transmitting multiple plasma beams generated when plasma-processing in a process chamber per region; a photoelectric conversion unit including a sensor unit sensing the intensity of the multiple plasma beams transmitted through the filter unit, an amplification unit amplifying signals outputted by the sensor unit after sensing the intensity of the plasma beams, and an A/D converter unit converting the signals transmitted from the amplification unit into electronic signals; an end-point detecting unit receiving the electronic signals of the multiple plasma beams from the photoelectric conversion unit, outputting light intensity graphs of each plasma beam, and detecting an end point for plasma-processing generating the plasma beams based on the graphs; and a screen unit reducing the light amount of the multiple plasma beams to be transmitted through each region of the filter unit by adjusting areas of each transmission region of the filter unit. The photoelectric conversion unit and the screen unit can be operated to increase or decrease the intensity of the multiple plasma beams if the intensity of the multiple plasma beams is out of a measurement range of the end-point detecting unit. The purpose of the present invention is to provide the end-point detecting device capable of easily detecting the intensity of the multiple plasma beams with different wavelengths.

Description

종점 검출장치 및 이의 제어 방법{END POINT DETECTOR AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an endpoint detection apparatus,

본 발명은 플라즈마 처리 시 사용되는 종점 검출장치 및 이의 제어 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an end point detection apparatus used in plasma processing and a control method thereof.

통상적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정을 거치게 된다. 상기의 다양한 공정 중에는 웨이퍼 상의 단위층에 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피(Photo lithography) 공정이 있다. 포토리소그래피 공정은 포토 레지스트(Photo resist) 도포, 노광, 현상을 사용하여 포토 레지스트 마스크(Photo resist mask)를 형성하는 공정이며 이후에 식각공정을 진행한다. 그리고 식각 공정 후 불필요해진 웨이퍼 상의 포토 레지스트 마스크는 제거되며, 이러한 포토 레지스트 마스크를 제거하는 공정을 포토 레지스트 스트립(Photo resist strip) 또는 애싱(Ashing)공정이라 한다.Conventionally, various steps are required to manufacture a semiconductor device. Among the above various processes, there is a photolithography process for forming a pattern on a unit layer on a wafer. The photolithography process is a process of forming a photoresist mask using photoresist application, exposure, and development, and then the etching process is carried out. The photoresist mask on the wafer which is unnecessary after the etching process is removed, and the process of removing the photoresist mask is called a photoresist strip or an ashing process.

상기의 포토 레지스트 스트립 공정에서 중요한 사항은 공정을 마무리하는 종점(End point)이라는 시간을 결정하는 것이다. 이 시간은 포토 레지스트 마스크가 대상막 상에서 완전히 제거될 수 있도록 결정되어야 한다. 이는 포토 레지스트 마스크를 제거하는 시간이 부족할 경우 포토 레지스트 마스크가 잔존하여 집적회로에 결함을 야기할 수 있는 원인이 되고, 포토 레지스트 마스크를 제거하는 시간이 초과할 경우 집적회로의 제조수율 및 생산성 저하를 초래하게 된다.An important point in the above photoresist strip process is to determine the time, which is the end point at which the process is completed. This time should be determined so that the photoresist mask can be completely removed on the target film. This is because if the time for removing the photoresist mask is insufficient, the photoresist mask may remain and cause defects in the integrated circuit. If the time for removing the photoresist mask is exceeded, the production yield and productivity of the integrated circuit may be deteriorated .

상기 종점을 결정하기 위해 사용하는 장치는 여러 가지가 있으나, 그 중 단파장 종점 검출장치(End point detector;EPD)가 주로 사용되고 있다. 종점 검출장치는 공정 챔버 내에서 플라즈마 처리 시 발생되는 플라즈마광의 광강도(Light-intensity)를 지정된 측정범위 내에서 감지하고 이를 토대로 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출한다.There are various devices used for determining the end point, but an end point detector (EPD) is mainly used among them. The end point detection apparatus detects the light intensity of the plasma light generated in the plasma processing in the process chamber within a specified measurement range, and detects the end point for the plasma processing based on the detected light-intensity.

한편, 공정 챔버 내에서는 플라즈마 처리 시 다양한 파장을 갖는 복수의 플라즈마광이 발생될 수 있다. 예를 들어, 포토 레지스트 마스크는 C, O, H로 이루어진 조합물일 수 있으며, 이와 같은 포토 레지스트 마스크 제거를 위한 플라즈마 처리 시 서로 다른 파장을 갖는 플라즈마광이 발생될 수 있다. In the process chamber, a plurality of plasma lights having various wavelengths can be generated during plasma processing. For example, the photoresist mask may be a combination of C, O, and H, and plasma light having different wavelengths may be generated during the plasma treatment for removing the photoresist mask.

그러나, 종래의 종점 검출장치는 복수의 플라즈마광 중 지정된 파장의 플라즈마광의 광강도를 감지하여 이에 대한 종점을 검출할 수 있으므로, 복수의 플라즈마광에 대한 광강도를 감지하기 위해서는 복수의 종점 검출장치를 조립하는 형태로 사용해야 하는 번거로움이 있다.However, the conventional end point detection apparatus can detect the intensity of plasma light of a designated wavelength among a plurality of plasma lights and detect the end point of the plasma light. Therefore, in order to detect the intensity of light for a plurality of plasma lights, There is a need to use it in the form of assembly.

본 발명의 실시예는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광의 광강도를 용이하게 감지할 수 있는 종점 검출장치를 제공한다.An embodiment of the present invention provides an end point detection apparatus capable of easily detecting light intensity of a plurality of plasma lights having different wavelengths.

본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치는 복수의 투과영역으로 분할되며, 공정 챔버에서 플라즈마 처리 시 발생되는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광을 각 파장 별로 선택적으로 투과시키는 필터부와, 상기 필터부를 투과한 상기 복수의 플라즈마광 각각을 전기신호로 변환하는 광전변환부와, 상기 광전변환부로부터 상기 각각의 전기신호를 전달받아 상기 복수의 플라즈마광의 광강도 그래프를 출력하고, 상기 광강도 그래프를 이용하여 상기 복수의 플라즈마광이 발생되는 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출하는 종점검출부와, 상기 필터부로 입사될 상기 복수의 플라즈마광의 광량을 각각 조절하는 스크린부를 포함하고, 상기 광전변환부와 상기 스크린부는 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점 검출부의 측정범위를 벗어날 경우 상기 복수의 플라즈마광의 광강도를 높이거나 낮추도록 작동될 수 있다.An end point detection apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a filter unit that is divided into a plurality of transmission regions and selectively transmits a plurality of plasma lights having different wavelengths generated in the plasma processing in each process chamber, A photoelectric conversion unit that converts each of the plurality of plasma lights transmitted through the plurality of plasma lights into an electric signal; and a control unit that receives the respective electric signals from the photoelectric conversion unit and outputs a light intensity graph of the plurality of plasma lights, An end point detection unit for detecting an end point for the plasma processing in which the plurality of plasma lights are generated and a screen unit for adjusting the light amount of the plurality of plasma lights to be incident on the filter unit, When the light intensity of the plurality of plasma lights deviates from the measurement range of the end point detection unit It may be operated to raise or lower the plurality of plasma light intensity.

본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치의 제어 방법은, 필터부를 선택적으로 투과한 복수의 플라즈마광의 광강도가 종점검출부의 측정범위 미만인지 확인하는 단계와, 증폭부를 제어하여 상기 복수의 플라즈마광의 광강도 전체를 높이는 단계와, 상기 광강도 전체를 높인 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점검출부의 측정범위를 초과했는지 확인하는 단계 및 스크린부를 제어하여 상기 복수의 플라즈마광 중 일부 플라즈마광의 광량을 줄이는 단계를 포함할 수 있다.A control method of an end point detection apparatus according to an embodiment of the present invention includes the steps of: confirming whether a light intensity of a plurality of plasma lights selectively passing through a filter section is less than a measurement range of an end point detection section; Determining whether the intensity of a plurality of plasma lights having increased total light intensity exceeded the measurement range of the end point detection unit, and controlling the screen unit to reduce the amount of plasma light of a part of the plurality of plasma lights . ≪ / RTI >

본 기술에 의하면, 플라즈마 처리 시 발생되는 복수의 플라즈마광의 광강도를 하나의 종점 검출장치에서 측정하여 분석할 수 있다.According to this technique, the optical intensity of a plurality of plasma lights generated during the plasma treatment can be measured and analyzed by one end-point detection device.

도 1은 본 발명의 종점 검출장치가 적용된 기판처리장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치를 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치의 정면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 종점 검출장치를 도시한 부분 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 스크린부의 분해사시도이다.
도 6은 도 4에 도시된 스크린부의 다른 실시예를 도시한 분해사시도이다.
도 7은 도 4에 도시된 스크린부의 또 다른 실시예를 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치의 다른 실시예의 블록도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따란 종점 검출장치의 제어 방법을 설명한 순서도이다.
도 10은 본 발명의 실시예의 종점검출부에서 표시되는 그래프의 일예이다.1 is a sectional view of a substrate processing apparatus to which an end point detecting apparatus of the present invention is applied.
2 is a block diagram illustrating an endpoint detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a front view of an end point detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a partial perspective view showing the end point detecting apparatus shown in Fig.
5 is an exploded perspective view of the screen portion shown in Fig.
6 is an exploded perspective view showing another embodiment of the screen portion shown in FIG.
7 is a perspective view showing another embodiment of the screen unit shown in Fig.
8 is a block diagram of another embodiment of the end point detection apparatus according to the embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a control method of the end point detecting apparatus according to the embodiment of the present invention.
10 is an example of a graph displayed on the end point detection unit in the embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 통해 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 본 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and how to accomplish it, will be described with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments are provided so that those skilled in the art can easily carry out the technical idea of the present invention to those skilled in the art.

그리고 본 발명의 요지와 무관한 공지의 구성은 생략될 수 있다. 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다
And a known configuration irrelevant to the gist of the present invention may be omitted. It should be noted that, in adding the reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements have the same number as far as possible even if they are displayed on different drawings

이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 종점 검출장치를 갖는 기판처리장치에 대해 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 실시예의 기판처리장치는 반도체 기판 상에 형성된 포토 레지스트 마스크를 제거하는 애싱 공정이 수행되는 장치를 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a substrate processing apparatus having an end point detection apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail. In the substrate processing apparatus of the embodiment of the present invention, an ashing process for removing a photoresist mask formed on a semiconductor substrate is performed, but the present invention is not limited thereto.

도 1을 참고하면, 기판처리장치는 플라즈마 처리가 수행되는 밀폐공간인 공정 챔버(10)와, 공정 챔버(10) 내에 마련되고 반도체 기판이 거치되는 거치대로서 기능하는 하부 전극(20)과, 공정 챔버(10) 내에 마련되고 하부 전극과 대향하도록 배치되는 상부 전극(30)과, 공정 챔버(10) 내부로 공정가스를 공급하는 가스 공급부(40)와, 공정 챔버(10) 내부를 진공환경으로 조성하는 진공펌프부(50)와, 공정 챔버(10) 내부에서 플라즈마 처리 시 발생되는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광의 광강도(Light-intensity)를 검출하여 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출하는 종점 검출장치(100)를 포함할 수 있다.1, the substrate processing apparatus includes a process chamber 10 as a closed space in which a plasma process is performed, a lower electrode 20 provided in the process chamber 10 and serving as a mount for mounting the semiconductor substrate, An upper electrode 30 provided in the chamber 10 and arranged to face the lower electrode, a gas supply unit 40 for supplying a process gas into the process chamber 10, Intensity detecting means for detecting a light intensity of a plurality of plasma lights having different wavelengths generated in plasma processing in the process chamber 10 and detecting an end point for the plasma processing; Detection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

상기 기판처리장치의 구성 중 상부 전극(30)과 하부 전극(20) 중 하나는 접지되고, 다른 하나는 RF(Radio frequency) 파워 소스가 연결될 수 있다. 즉, RF 파워 소스에 의해 양 전극(20,30) 사이에 고주파 전압을 인가할 수 있게 된다. One of the upper electrode 30 and the lower electrode 20 may be grounded and the other may be connected to an RF (radio frequency) power source. That is, a high frequency voltage can be applied between the electrodes 20 and 30 by an RF power source.

상기 상부 전극(30)은 상술한 바와 같이 플라즈마 형성을 위한 RF 파워 소스가 연결될 뿐만 아니라 공정 챔버(10) 내부로 공정가스를 공급하기 위한, 예컨대, 샤워헤드일 수 있다.The upper electrode 30 may be, for example, a showerhead for supplying a process gas into the process chamber 10 as well as an RF power source for plasma formation as described above.

상기 하부 전극(20)은 상술한 바와 같이 반도체 기판을 거치하기 위한 거치대 역할을 하며, 반도체 기판을 확실하게 거치하기 위해, 예컨대, 정전척, 클램프 등의 고정 수단이 마련될 수 있다. The lower electrode 20 serves as a mount for mounting the semiconductor substrate as described above, and fixing means such as an electrostatic chuck, a clamp, or the like may be provided in order to reliably hold the semiconductor substrate.

또, 공정 챔버(10)의 측면에는 양 전극 사이에서 발생된 플라즈마광이 투과되는 뷰포트(Viewport,15)가 형성될 수 있다. 그리고 종점 검출장치(100)는 뷰포트(15)가 형성된 공정 챔버(10)의 외측에 설치될 수 있다.A viewport 15 through which the plasma light generated between the electrodes is transmitted may be formed on the side surface of the process chamber 10. The end point detection apparatus 100 may be installed outside the process chamber 10 where the viewport 15 is formed.

도 2를 참고하면, 상기 종점 검출장치(100)는 공정 챔버(10) 내에서 발생되어 뷰포트(15, 도 1 참고)를 투과하는 복수의 플라즈마광을 각 파장별로 선택적으로 투과시키는 필터부(110)와, 필터부(110)에 앞서 배치되어 필터부(110)를 투과할 플라즈마광의 투과영역을 조절하는 스크린부(120)와, 필터부(110)를 투과한 플라즈마광을 전달받아 전기신호로 변환하는 광전변환부(130)와, 광전변환부(130)로부터 전기신호를 전달받아 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출하는 종점검출부(140)를 포함할 수 있다.2, the end point detection apparatus 100 includes a filter unit 110 (see FIG. 1) for selectively transmitting a plurality of plasma lights generated in the process chamber 10 through a viewport 15 (see FIG. 1) A screen unit 120 disposed in front of the filter unit 110 to adjust the transmission area of the plasma light to be transmitted through the filter unit 110 and a plasma display unit 120 receiving the plasma light transmitted through the filter unit 110, And an end point detection unit 140 for receiving an electric signal from the photoelectric conversion unit 130 and detecting an end point for the plasma process.

먼저, 필터부(110)는 상술한 바와 같이 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광을 각 파장 별로 투과시킬 수 있다. 이를 위해 필터부(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 일체로 형성되되 복수의 투과영역인 복수의 필터부(111,113a,113b)로 분할될 수 있다. First, the filter unit 110 can transmit a plurality of plasma lights having different wavelengths for each wavelength as described above. 3, the filter unit 110 may be divided into a plurality of filter units 111, 113a, and 113b, which are integrally formed as a plurality of transmission areas.

예를 들면, 필터부(110)는 C, O, H로 이루어진 유기물로 구성되는 포토 레지스트 마스크 제거를 위한 O2 플라즈마 처리 시 OH 물질에 대한 플라즈마광을 투과시키는 제1필터부(111)와, CO 및 CO2 물질에 대한 플라즈마광을 투과시키는 제2필터부(113a,113b)를 포함할 수 있다. For example, the filter unit 110 includes a first filter unit 111 for transmitting plasma light for an OH material in an O 2 plasma process for removing a photoresist mask, which is composed of organic materials consisting of C, O, and H, And second filter units 113a and 113b that transmit plasma light for CO and CO 2 materials.

상기 제1,2필터부(113a,113b)를 포함하는 필터부(110)는 도 4에 도시된 바와 같이 뷰포트(15, 도 1 참고)가 설치된 공정 챔버(10, 도 1 참고)의 일측에 결합되는 케이스(101) 내부에 배치될 수 있다. 부연하면, 케이스(101)에는 뷰포트(15)를 투과하는 광이 케이스(101) 내부로 통과될 수 있도록 개구부(103)가 형성되어 있고, 상기 필터부(110)는 개구부(103)가 형성된 케이스(101)의 내면에 배치될 수 있다.The filter unit 110 including the first and second filter units 113a and 113b is disposed on one side of a process chamber 10 (see FIG. 1) provided with a viewport 15 (see FIG. 1) And can be disposed inside the case 101 to be coupled. An opening 103 is formed in the case 101 so that the light passing through the viewport 15 can be passed into the case 101. The filter 110 includes a case 101 having the opening 103 formed therein, (Not shown).

스크린부(120)는 후술할 종점검출부(140, 도 2 참고)의 측정범위를 넘는 플라즈마광의 광강도가 측정 범위 내에 들어올 수 있도록, 필터부(110)의 투과영역 즉, 필터부(110)를 투과할 예정인 플라즈마광의 투과면적을 조절하는 역할을 한다.The screen unit 120 is disposed in the transmission area of the filter unit 110, that is, the filter unit 110, so that the light intensity of the plasma light exceeding the measurement range of the end point detection unit 140 (see FIG. 2) And controls the transmission area of the plasma light to be transmitted.

도 4 및 도 5를 참고하면, 상기 스크린부(120)는 개구부(103)가 형성된 케이스(101)의 일면에 형성된 수납부(105)에 슬라이딩 가능하게 수납될 수 있다. 이러한 스크린부(120)는 필터부(110)를 구성하는 복수의 필터부(111,113a,113b)에 대응되는 차단부를 갖는 복수의 스크린부재(121,123,125)를 포함할 수 있다. 각 스크린부재(121,123,125)는 완전히 광을 차단하는 재질 또는 플라즈마광의 투과율을 조절할 수 있는 물질로 이루어질 수 있다.4 and 5, the screen unit 120 may be slidably received in a storage unit 105 formed on one surface of a case 101 having an opening 103 formed therein. The screen unit 120 may include a plurality of screen members 121, 123, and 125 having blocking portions corresponding to the plurality of filter units 111, 113a, and 113b constituting the filter unit 110. Each of the screen members 121, 123, and 125 may be made of a material that completely blocks light or a material that can control the transmittance of plasma light.

또, 상기의 복수의 스크린부재(121,123,125)는 케이스(101)의 수납부(105)에서 서로 중첩되도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 스크린부(120)는 필터부(110)의 중앙 영역 즉, 제1필터부(111)의 투과영역에 대응되는 차단부를 갖는 제1스크린부재(121)와, 필터부(110)의 좌측 영역 즉, 제2필터부(113a)의 투과영역에 대응되는 차단부를 갖는 제2스크린부재(123)와, 필터부(110)의 우측 영역 즉, 제2필터부(113b)의 투과영역에 대응되는 차단부를 갖는 제3스크린부재(125)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1스크린부재(121)는 OH 물질에 대한 플라즈마광을 차단하거나 투과율을 조절할 수 있고, 제2,3스크린부재(123,125)는 CO 및 CO2 물질에 대한 플라즈마광을 차단하거나 투과율을 조절할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 각 스크린부재(121,123,125)의 위치를 상하방향으로 조절하는 과정을 통해 필터부(110)의 투과영역를 투과하는 각 플라즈마광의 광량을 조절할 수 있게 된다.The plurality of screen members 121, 123, and 125 may be disposed so as to overlap each other in the storage unit 105 of the case 101. [ For example, the screen unit 120 includes a first screen member 121 having a cutout corresponding to a central area of the filter unit 110, that is, a transmission area of the first filter unit 111, A second screen member 123 having a shielding portion corresponding to the left region of the second filter portion 113a, that is, the shielding portion corresponding to the transmission region of the second filter portion 113a; And a third screen member 125 having a blocking portion corresponding to the region. Here, the first screen member 121 may block or transmit the plasma light to the OH material, and the second and third screen members 123 and 125 may block the plasma light for the CO and CO 2 materials or adjust the transmittance . That is, in the embodiment of the present invention, the amount of each plasma light transmitted through the transmissive region of the filter unit 110 can be adjusted through the process of adjusting the positions of the screen members 121, 123, and 125 in the vertical direction.

또한, 상기 스크린부(120)는 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 스크린부재(221,223,225)를 포함할 수 있다. 상기의 복수의 스크린부재(221,223,225)는 개구부(103, 도 4 참조)가 형성된 케이스(101, 도 4 참조)의 일면에 형성된 수납부(105, 도 4 참조)에 서로 중첩되도록 수납될 수 있다. 이러한 복수의 스크린부재(221,223,225)는 도 5에 도시된 각 스크린부재(121,123,125)와 달리 차단부가 일부 오픈된 형태로 구성될 수 있다. In addition, the screen unit 120 may include a plurality of screen members 221, 223, and 225 as shown in FIG. The plurality of screen members 221, 223 and 225 may be housed so as to overlap with each other in the storage unit 105 (see FIG. 4) formed on one surface of the case 101 (see FIG. 4) in which the opening 103 (see FIG. 4) is formed. The plurality of screen members 221, 223, and 225 may be configured such that the blocking portions are partially opened, unlike the screen members 121, 123, and 125 shown in FIG.

또한, 상기의 스크린부(120)는 도 7에 도시된 바와 같이, 하나의 스크린부재(320)를 포함할 수 있다. 스크린부재(320)는 필터부(110)의 각 투과영역과 대응되는 복수의 차단부를 가지며, 이 복수의 차단부는 각 필터부(111,113a,113b)로 플라즈마광이 투과될 수 있도록 일부 오픈된 형태로 구성될 수 있다. In addition, the screen unit 120 may include one screen member 320, as shown in FIG. The screen member 320 has a plurality of shielding portions corresponding to the respective transmission regions of the filter portion 110. The shielding member 320 has a plurality of shielding portions that are formed in a partially opened shape so that the plasma light can be transmitted to the respective filter portions 111, ≪ / RTI >

다시 도 2를 참고하면, 광전변환부(130)는 필터부(110)를 투과한 복수의 플라즈마광의 광강도를 감지하는 센서부(131)와, 센서부(131)에서 출력된 아날로그 신호를 증폭하는 증폭부(133)와, 증폭부(133)에서 전달되는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 컨버터부(135)와, A/D 컨버터부(135)에서 변환된 디지털 신호의 입력 및 출력을 콘트롤하는 입출력부(137)를 포함할 수 있다. 다만, 광전변환부(130)는 A/D 컨버터부 없이 증폭부(133)에서 전달되는 아날로그 신호를 그대로 사용할 수도 있다.2, the photoelectric conversion unit 130 includes a sensor unit 131 for sensing the intensity of a plurality of plasma lights transmitted through the filter unit 110, an amplifying unit 130 for amplifying the analog signal output from the sensor unit 131, An A / D converter 135 for converting an analog signal transmitted from the amplifying unit 133 into a digital signal, an A / D converter 135 for converting an analog signal transmitted from the A / D converter 135, And an input / output unit 137 for controlling the output. However, the photoelectric conversion unit 130 may use the analog signal transmitted from the amplification unit 133 without using the A / D converter unit.

상기 센서부(131)와, 증폭부(133)와, A/D 컨버터부(135)와, 입출력부(137)를 포함하는 광전변환부(130)는 공지된 구성이므로 구체적인 설명을 생략한다. The photoelectric conversion unit 130 including the sensor unit 131, the amplification unit 133, the A / D converter unit 135 and the input / output unit 137 has a well-known structure, and a detailed description thereof will be omitted.

종점검출부(140)는 상술한 바와 같이 광전변환부(130)에서 출력된 디지털 신호에 응답하여 광강도 그래프를 출력하고, 이 광강도 그래프를 분석하여 각 플라즈마광이 발생되는 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출한다.The end point detection unit 140 outputs a light intensity graph in response to the digital signal output from the photoelectric conversion unit 130 as described above and analyzes the light intensity graph to determine an end point for plasma processing in which each plasma light is generated .

이때, 종점검출부(140)는 지정된 측정범위(Dynamic range) 내에서 광강도 그래프를 출력하게 된다. At this time, the end point detection unit 140 outputs the light intensity graph within the designated dynamic range.

또, 본 발명의 실시예는 도 8에 도시된 바와 같이 제어부(150)를 더 포함할 수 있다. In addition, the embodiment of the present invention may further include a control unit 150 as shown in FIG.

본 발명의 실시예와 같이 복수의 플라즈마광이 투과되어 각 플라즈마광의 광강도 차이가 클 경우 측정범위를 벗어나는 광강도를 갖는 플라즈마광에 관해서는 종점 검출이 용이하지 않게 되는데, 상기 제어부(150)는 필터부(110)를 투과한 복수의 플라즈마광의 광강도 일부가 종점검출부(140)의 측정범위를 벗어난 것으로 확인될 때 증폭부(133)와 스크린부(120)를 조절하여 상기 측정범위를 벗어난 플라즈마광의 광강도를 상기 측정범위에 들어오게 할 수 있다.When a plurality of plasma lights are transmitted and the difference in optical intensity between plasma lights is large as in the embodiment of the present invention, the end point detection is not easy for plasma light having a light intensity deviating from the measurement range. When it is confirmed that a part of the intensity of a plurality of plasma lights transmitted through the filter unit 110 is out of the measurement range of the end point detection unit 140, the amplification unit 133 and the screen unit 120 are adjusted, So that the light intensity of the light can enter the measurement range.

한편, 본 발명의 실시예에서는 본격적인 플라즈마 처리에 앞서 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 측정범위에 있는지 확인하고, 일부 광강도가 상기 측정범위를 벗어날 경우 광전변환부(130)와 스크린부(120)의 조절을 통해 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 측정범위에 들어오게 한다. In the embodiment of the present invention, it is checked whether the intensity of a plurality of plasma lights is within the measurement range prior to the full plasma treatment. When the light intensity is out of the measurement range, the photoelectric conversion unit 130 and the screen unit 120, So that the intensity of the plurality of plasma lights enters the measurement range.

구체적으로, 도 2, 도 8, 도 9 및 도 10을 참고하면, 필터부(110)를 투과한 복수의 플라즈마광의 광강도가 종점검출부(140)의 측정범위 미만인지를 확인한다(S110). Specifically, referring to FIGS. 2, 8, 9, and 10, it is confirmed whether the light intensity of a plurality of plasma lights transmitted through the filter unit 110 is less than the measurement range of the end point detection unit 140 (S110).

이때, 상기 S110 과정에서 광강도가 상기 측정범위 미만인지를 확인하는 것은 종점검출부(140)에서 출력되는 그래프에서 확인할 수 있다. 예를 들면, 각 플라즈마광의 광강도 차이가 커 일부 플라즈마광의 광강도가 상기 측정범위 미만인 경우 도 10에 표시된 종점검출부(140)에서 출력되는 그래프에 나타나지 않아 이를 확인할 수 있다. At this time, it can be confirmed in the graph output from the end point detector 140 whether the light intensity is less than the measurement range in step S110. For example, if the light intensity of each plasma light is large and the light intensity of some plasma light is less than the measurement range, it can be confirmed that it is not displayed on the graph output from the end point detector 140 shown in FIG.

부연 하면, 그래프에 나타나는 실선은 상기 측정범위 내에서 출력되는 광강도이고, 점선은 상기 측정범위 미만이여서 출력되지 않는 광강도이다. 이때, 상기 측정범위는 이해의 편의를 위해 과장해서 설정하였음을 주의해야 한다. In addition, the solid line shown in the graph indicates the light intensity output within the measurement range, and the dotted line indicates the light intensity that is less than the measurement range and is not output. At this time, it should be noted that the measurement range is exaggeratedly set for convenience of understanding.

이후, 상기와 같이 광강도 일부가 상기 측정범위 미만인 것으로 확인되면, 광전변환부(130)의 증폭부(133)를 조절하여 복수의 플라즈마광의 광강도 중 최소 광강도가 상기 측정범위에 들어올 수 있게 한다(S120). Thereafter, when it is confirmed that a part of the light intensity is less than the measurement range, the amplification unit 133 of the photoelectric conversion unit 130 is adjusted so that the minimum light intensity among the light intensities of the plurality of plasma lights can be within the measurement range (S120).

예를 들면, 상기 S120 과정은 증폭부(133)의 가변저항을 조절하여 종점검출부(140)에 출력되는 전체 광강도를 설정만큼 높인 후, 종점검출부(140)에 출력되는 최소 광강도가 상기 측정범위 인지를 확인하는 것을 포함할 수 있다. 그리고 상기 과정은 상기 최소 광강도가 상기 측정범위에 들어올 때까지 반복 수행할 수 있다. 이때, 상기 증폭부(133)의 가변저항의 조절은 제어부(150)의 제어에 의해 조절할 수도 있다.For example, in step S120, the variable light intensity of the amplification unit 133 is adjusted to increase the total light intensity output to the end point detection unit 140 by a predetermined value, and then the minimum light intensity output to the end point detection unit 140 is measured Lt; RTI ID = 0.0 > range. ≪ / RTI > The process may be repeated until the minimum light intensity reaches the measurement range. At this time, the adjustment of the variable resistance of the amplification unit 133 may be controlled by the control unit 150.

이후, 상기 측정범위에 상기 최소 광강도가 들어오도록 전체 광강도를 높인 플라즈마광의 최대 광강도가 측정범위를 초과했는지 확인한다(S130).Then, it is determined whether the maximum light intensity of the plasma light whose total light intensity is increased exceeds the measurement range so that the minimum light intensity is included in the measurement range (S130).

이때, 상기 S130 과정은 종점검출부(140)에 출력되는 그래프에서 확인할 수 있다. 예를 들면, 상기 최대 광강도가 상기 측정범위를 초과한 경우 도 9에 표시된 종점검출부(140)에서 출력되는 그래프에 나타나지 않아 이를 확인할 수 있다. 부연 하면, 그래프에 나타나는 일점 쇄선은 실제 복수의 플라즈마광의 광강도의 일부지만 감지 가능한 측정범위를 초과하여서 출력되지 않는 부분이다.At this time, the process of S130 may be confirmed in a graph output to the end point detection unit 140. FIG. For example, when the maximum light intensity exceeds the measurement range, it can be confirmed that the graph is not displayed on the graph output from the end point detector 140 shown in FIG. In other words, the one-dot chain line shown in the graph is a part of the light intensity of a plurality of actual plasma lights, but is not outputted because it exceeds the detectable measurement range.

이후, 상기 최대 광강도가 상기 측정범위를 초과한 것으로 확인되면, 스크린부(120)를 움직여 상기 최대 광강도가 상기 측정범위에 들어오도록 상기 최대 광강도를 갖는 플라즈마광의 광량을 줄인다(S140). If it is determined that the maximum light intensity exceeds the measurement range, the amount of the plasma light having the maximum light intensity is decreased (S140) by moving the screen unit 120 so that the maximum light intensity falls within the measurement range.

상기 S140 과정은 상기 최대 광강도를 갖는 플라즈마광이 투과되는 필터부(110)의 투과영역을 필터부(110)와 대응되는 스크린부(120)를 이용하여 줄여 해당 플라즈마광의 광량을 줄이는 과정을 통해 이루어질 수 있다.In step S140, the transmission area of the filter unit 110 through which the plasma light having the maximum light intensity is transmitted is reduced by using the screen unit 120 corresponding to the filter unit 110, thereby reducing the amount of the plasma light. Lt; / RTI >

예를 들면, 상기 S140 과정은 상기 최대 광강도를 갖는 플라즈마광을 투과시키는 필터부(110)와 대응되는 스크린부(120)를 움직여 필터부(110)의 투과영역을 지정된 만큼 차단하여 해당 플라즈마광의 광량을 줄이고, 상기 광량을 줄인 플라즈마광의 최대 광강도가 종점검출부(140)의 측정범위인지를 확인하는 것을 포함할 수 있다. 여기서, 해당 플라즈마광의 광량을 줄이면 해당 플라즈마광의 최대 광강도가 낮아질 수 있다. 그리고 상기 과정은 상기 최대 광강도가 상기 측정범위에 들어올 때까지 반복 수행할 수 있다. 이때, 스크린부(120)는 제어부(150)의 제어에 의해 움직일 수 있다.
For example, in step S140, the screen unit 120 corresponding to the filter unit 110 transmitting the plasma light having the maximum light intensity is moved to block the transmission area of the filter unit 110 by a specified amount, And confirming whether the maximum light intensity of the plasma light for reducing the light amount is the measurement range of the end point detection unit 140. [ Here, when the light amount of the plasma light is reduced, the maximum light intensity of the plasma light can be lowered. The process may be repeated until the maximum light intensity reaches the measurement range. At this time, the screen unit 120 can be moved under the control of the control unit 150.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 실시예는 플라즈마 처리 시 발생되는 복수의 플라즈마광의 광강도 차이가 커 광강도 일부가 종검검출부(140)의 측정범위를 벗어나는 경우라도, 증폭부(133)와 스크린부(120)를 조절하여 복수의 플라즈마광의 최대 광강도와 최소 광강도가 측정범위 내에 들어오게 함에 따라, 복수의 플라즈마광의 종점을 원활하게 검출할 수 있다.As described above, according to the embodiment of the present invention, even when a difference in optical intensity between a plurality of plasma lights generated during plasma processing is large and a part of the light intensity deviates from the measurement range of the slave detection unit 140, It is possible to smoothly detect the end points of a plurality of plasma lights by adjusting the unit 120 to cause the maximum light intensity and the minimum light intensity of the plurality of plasma lights to fall within the measurement range.

한편, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as set forth in the appended claims. It should be understood as. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 종점 검출장치 110: 필터부
120: 스크린부 130: 광전변환부
131: 센서부 133: 증폭부
135: A/D 컨버터부 137: 입출력부
140: 종점검출부 150: 제어부100: End point detection device 110:
120: screen unit 130: photoelectric conversion unit
131: Sensor unit 133: Amplification unit
135: A / D converter section 137: input /
140: end point detection unit 150:

Claims (15)

복수의 투과영역으로 분할되며, 공정 챔버에서 플라즈마 처리 시 발생되는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광을 각 파장 별로 선택적으로 투과시키는 필터부;
상기 필터부를 투과한 상기 복수의 플라즈마광 각각을 전기신호로 변환하는 광전변환부;
상기 광전변환부로부터 상기 각각의 전기신호를 전달받아 상기 복수의 플라즈마광의 광강도 그래프를 출력하고, 상기 광강도 그래프를 이용하여 상기 복수의 플라즈마광이 발생되는 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출하는 종점검출부; 및
상기 필터부로 입사될 상기 복수의 플라즈마광의 광량을 각각 조절하는 스크린부를 포함하고,
상기 광전변환부와 상기 스크린부는 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점 검출부의 측정범위를 벗어날 경우 상기 복수의 플라즈마광의 광강도를 높이거나 낮추도록 작동되는 종점 검출장치.A filter unit that is divided into a plurality of transmission areas and selectively transmits a plurality of plasma lights having different wavelengths generated in a plasma process in each process chamber;
A photoelectric conversion unit for converting each of the plurality of plasma lights transmitted through the filter unit into an electric signal;
An end point detector for receiving the respective electric signals from the photoelectric conversion unit and outputting a graph of the intensity of the plurality of plasma lights and detecting an end point for plasma processing in which the plurality of plasma lights are generated using the light intensity graph, ; And
And a screen unit for adjusting a light amount of the plurality of plasma lights to be incident on the filter unit,
Wherein the photoelectric conversion unit and the screen unit are operated to raise or lower the light intensity of the plurality of plasma lights when the light intensity of the plurality of plasma lights is out of the measurement range of the end point detection unit. 제1항에 있어서,
상기 광전변환부는 상기 필터부를 투과한 상기 복수의 플라즈마광의 광강도를 감지하는 센서부와, 상기 센서부에서 감지되어 출력된 신호를 증폭하는 증폭부와, 상기 증폭부에서 전달되는 신호를 전기신호로 변환하는 A/D 컨버터부를 포함하는 종점 검출장치.The method according to claim 1,
Wherein the photoelectric conversion unit comprises: a sensor unit for sensing the intensity of the plurality of plasma lights transmitted through the filter unit; an amplifying unit for amplifying a signal sensed and output from the sensor unit; And an A / D converter section for converting the A / D converter section. 제2항에 있어서,
상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점 검출부의 측정범위에 포함되는지 여부에 따라 상기 광전변환부와 상기 스크린부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 종점 검출장치.3. The method of claim 2,
And a control unit for controlling operations of the photoelectric conversion unit and the screen unit according to whether or not the light intensity of the plurality of plasma lights is included in the measurement range of the end point detection unit. 제3항에 있어서,
상기 제어부는 상기 광강도 그래프를 통해 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 측정범위에 포함되는지 확인하는 종점 검출장치.The method of claim 3,
Wherein the control unit confirms whether the light intensities of the plurality of plasma lights are included in the measurement range through the light intensity graph. 제1항에 있어서,
상기 종점 검출장치는 상기 필터부와, 상기 광전변환부와, 상기 종점검출부가 내부에 구비된 케이스를 포함하고,
상기 케이스에는 상기 공정 챔버에서 발생된 복수의 플라즈마광이 상기 필터부를 투과하도록 개구된 개구부가 형성된 종점 검출장치.The method according to claim 1,
Wherein the end point detection device includes a filter portion, the photoelectric conversion portion, and a case having the end point detection portion therein,
Wherein the case is provided with an opening portion through which a plurality of plasma lights generated in the process chamber penetrate through the filter portion. 제5항에 있어서,
상기 케이스에는 상기 스크린부가 수납되는 수납부가 마련되고,
상기 수납부는 상기 개구부와 대응되는 종점 검출장치. 6. The method of claim 5,
Wherein the case is provided with a storage portion for storing the screen portion,
And the accommodating portion corresponds to the opening. 제6항에 있어서,
상기 스크린부는 상기 필터부의 각 투과영역의 투과면적을 조절하는 차단부를 갖는 복수의 스크린부재를 포함하고,
상기 복수의 스크린부재는 상기 수납부에서 슬라이딩 가능하게 중첩 배치되는 종점 검출장치.The method according to claim 6,
Wherein the screen portion includes a plurality of screen members having a blocking portion for adjusting a transmitting area of each transmitting region of the filter portion,
Wherein the plurality of screen members are disposed so as to be slidably overlapped in the receiving portion. 제6항에 있어서,
상기 스크린부는 상기 필터부의 각 투과영역의 투과면적을 조절하는 차단부를 갖는 복수의 스크린부재를 포함하고,
상기 복수의 스크린부재는 상기 수납부에서 중첩되도록 배치되고,
상기 차단부는 상기 투과면적의 일부를 각각 차단하는 종점 검출장치.The method according to claim 6,
Wherein the screen portion includes a plurality of screen members having a blocking portion for adjusting a transmitting area of each transmitting region of the filter portion,
Wherein the plurality of screen members are arranged to overlap with each other in the receiving portion,
And the blocking portion blocks each of a part of the permeated area. 제6항에 있어서,
상기 스크린부는 상기 필터부의 각 투과영역의 투과면적을 조절하는 하나의 스크린부재를 포함하고,
상기 스크린부재는 상기 투과면적의 일부를 각각 차단하는 복수의 차단부를 갖는 종점 검출장치.The method according to claim 6,
Wherein the screen portion includes one screen member for adjusting a transmission area of each transmission region of the filter portion,
Wherein the screen member has a plurality of shielding portions for shielding a part of the transmitting area. 복수의 투과영역으로 분할되며, 공정 챔버에서 플라즈마 처리 시 발생되는 서로 다른 파장을 갖는 복수의 플라즈마광을 각 파장 별로 선택적으로 투과시키는 필터부;
상기 필터부를 투과한 상기 복수의 플라즈마광 각각을 전기신호로 변환하는 광전변환부;
상기 광전변환부로부터 상기 각각의 전기신호를 전달받아 상기 복수의 플라즈마광의 광강도 그래프를 출력하고, 상기 광강도 그래프를 이용하여 상기 복수의 플라즈마광이 발생되는 플라즈마 처리에 대한 종점을 검출하는 종점검출부; 및
상기 필터부로 입사될 상기 복수의 플라즈마광의 광량을 각각 조절하는 스크린부를 포함하고,
상기 광전변환부와 상기 스크린부는 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점 검출부의 측정범위를 벗어날 경우 상기 복수의 플라즈마광의 광강도를 높이거나 낮추도록 작동되는 종점 검출장치를 제어하는 방법에 있어서,
상기 필터부를 선택적으로 투과한 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점검출부의 측정범위 미만인지 확인하는 단계;
상기 광전변환부를 이용하여 상기 복수의 플라즈마광의 광강도 전체를 높이는 단계;
상기 광강도 전체를 높인 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점검출부의 측정범위를 초과했는지 확인하는 단계; 및
상기 스크린부를 이용하여 상기 복수의 플라즈마광 중 일부 플라즈마광의 광량을 줄이는 단계를 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.A filter unit that is divided into a plurality of transmission areas and selectively transmits a plurality of plasma lights having different wavelengths generated in a plasma process in each process chamber;
A photoelectric conversion unit for converting each of the plurality of plasma lights transmitted through the filter unit into an electric signal;
An end point detector for receiving the respective electric signals from the photoelectric conversion unit and outputting a graph of the intensity of the plurality of plasma lights and detecting an end point for plasma processing in which the plurality of plasma lights are generated using the light intensity graph, ; And
And a screen unit for adjusting a light amount of the plurality of plasma lights to be incident on the filter unit,
Wherein the photoelectric conversion unit and the screen unit are operated to raise or lower a light intensity of the plurality of plasma lights when a light intensity of the plurality of plasma lights is out of a measurement range of the end point detection unit,
Confirming whether the optical intensity of the plurality of plasma lights selectively transmitted through the filter unit is less than the measurement range of the end point detection unit;
Increasing the total light intensity of the plurality of plasma lights using the photoelectric conversion unit;
Confirming whether the light intensity of a plurality of plasma lights having the whole light intensity increased exceeds a measurement range of the end point detection unit; And
And reducing the amount of plasma light of some of the plurality of plasma lights using the screen unit. 제10항에 있어서,
상기 측정범위 미만인지 확인하는 단계는,
상기 종점검출부에서 출력되는 광강도 그래프를 통해 상기 복수의 플라즈마광의 최소 광강도를 확인하는 과정을 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.11. The method of claim 10,
The step of confirming that the measurement range is less than the measurement range,
And checking the minimum light intensity of the plurality of plasma lights through a light intensity graph output from the end point detection unit. 제10항에 있어서,
상기 광전변환부는 상기 필터부를 투과한 상기 복수의 플라즈마광을 감지하는 센서부와, 상기 센서부에서 감지되어 출력된 신호를 증폭하는 증폭부와, 상기 증폭부에서 전달되는 신호를 전기신호로 변환하는 A/D 변환부를 포함하고,
상기 종점 검출장치는 상기 복수의 플라즈마광의 광강도가 상기 종점 검출부의 측정범위에 포함되는지 여부에 따라 상기 광전변환부와 상기 스크린부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하고,
상기 광강도 전체를 높이는 단계는,
상기 제어부를 통해 상기 증폭부의 가변저항을 제어하여 상기 종점검출부에서 출력되는 전체 광강도를 높이는 과정을 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.11. The method of claim 10,
The photoelectric conversion unit includes a sensor unit for sensing the plurality of plasma lights transmitted through the filter unit, an amplification unit for amplifying a signal sensed and output from the sensor unit, And an A / D conversion unit,
Wherein the end point detection apparatus further comprises a control section for controlling operations of the photoelectric conversion section and the screen section in accordance with whether or not the light intensity of the plurality of plasma lights is included in the measurement range of the end point detection section,
Wherein the step of raising the entire light intensity comprises:
And controlling the variable resistor of the amplification unit through the control unit to increase the total light intensity output from the end point detection unit. 제10항에 있어서,
상기 측정범위를 초과했는지 확인하는 단계는,
상기 전체 광강도를 높인 후 상기 종점검출부에서 출력되는 광강도 그래프를 통해 상기 복수의 플라즈마광의 최대 광강도를 확인하는 과정을 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the step of verifying that the measurement range is exceeded,
And checking the maximum light intensity of the plurality of plasma lights through the light intensity graph output from the end point detection unit after increasing the total light intensity. 제10항에 있어서,
상기 광량을 줄이는 단계는,
상기 스크린부를 이용하여 상기 필터부의 각 투과영역의 투과면적을 줄여 상기 투과면적을 통해 투과되는 플라즈마광의 광량을 줄이는 과정을 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.11. The method of claim 10,
The step of reducing the amount of light includes:
And reducing a transmission area of each transmission region of the filter unit using the screen unit to reduce the amount of plasma light transmitted through the transmission area. 제12항에 있어서,
상기 광량을 줄이는 단계는,
상기 제어부를 통해 상기 스크린부의 움직임을 제어하여 상기 필터부의 각 투과영역의 투과면적을 줄여 상기 투과면적을 통해 투과되는 플라즈마광의 광량을 줄이는 과정을 포함하는 종점 검출장치의 제어 방법.13. The method of claim 12,
The step of reducing the amount of light includes:
And controlling the movement of the screen unit through the control unit to reduce a transmission area of each transmission area of the filter unit to reduce an amount of plasma light transmitted through the transmission area.
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