KR20160095872A - Heater Block and Substrate Processing Apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a heater block which comprises: a body part including an upper side, a lower side facing the upper side, and a lateral side to connect the upper side and the lower side; and a support unit installed on the upper side of the body unit to support a plurality of substrates, and coming in contact with the edge and a plurality of positions of each substrate. The present invention can improve the quality of the substrate by heating the entire area of the substrate at a uniform temperature.

Description

히터블록 및 이를 구비하는 기판처리장치{Heater Block and Substrate Processing Apparatus having the same}[0001] The present invention relates to a heater block and a substrate processing apparatus having the heater block.

본 발명은 히터블록 및 이를 구비한 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수 기판의 전체영역을 균일한 온도로 가열하여 기판의 품질을 향상시킬 수 있는 히터블록 및 이를 구비한 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heater block and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly to a heater block capable of heating a whole area of a plurality of substrates to a uniform temperature to improve the quality of the substrate, .

일반적으로 웨이퍼는 사진공정, 확산공정, 식각공정, 증착공정 등의 공정들을 반복 수행하여 반도체 소자인 칩으로 제조된다. 이러한 공정 중에서, 증착공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 공정으로서 증착방법에 따라 크게 물리기상증착법과 화학기상증착법으로 구분된다. 최근에는 기체상태의 화합물을 기체분자로 분해한 후 화학적 반응에 의해 웨이퍼 상에 증착시켜 다결정실리콘막이나 산화막, 또는 질화막 등을 형성하는 화학기상증착법이 널리 사용되고 있다.Generally, the wafer is manufactured by a chip, which is a semiconductor device, by repeating processes such as a photolithography process, a diffusion process, an etching process, and a deposition process. Among these processes, the deposition process is a process of forming a thin film on a wafer, and it is divided into physical vapor deposition and chemical vapor deposition depending on the deposition method. Recently, a chemical vapor deposition method has been widely used in which a gaseous compound is decomposed into gaseous molecules and then deposited on a wafer by a chemical reaction to form a polysilicon film, an oxide film, a nitride film, or the like.

화학기상증착 공정을 수행하는 반도체 제조설비에는 화학기상증착 공정이 수행되는 프로세서 챔버가 구비되고, 상기 프로세서 챔버의 내부 상측에는 반응가스를 분사하기 위한 샤워헤드가 설치되고, 상기 프로세서 챔버의 내부 하측에는 복수의 웨이퍼가 안착되면 웨이퍼를 소정의 온도로 가열하기 위한 히터블록(Heater Block)이 설치된다.A semiconductor manufacturing facility for performing a chemical vapor deposition process is provided with a processor chamber in which a chemical vapor deposition process is performed, a showerhead for spraying a reaction gas is disposed inside the processor chamber, When a plurality of wafers are mounted, a heater block for heating the wafers to a predetermined temperature is provided.

이러한 히터블록은 바디와 상하운동 및 회전운동이 가능한 스핀들포크 어셈블리를 구비하며, 상기 스핀들포크 어셈블리의 스핀들포크가 상기 바디에 형성된 홈에 삽입 장착된다. 따라서, 스핀들포크 어셈블리는 상하운동 및 회전운동을 하면서 프로세서 챔버 내부로 로딩된 웨이퍼를 바디에 안착시키거나 회전 이송시킬 수 있다. 이러한 스핀들포크는, 바디의 중심부에서 외측방향으로 연장형성되는 한 쌍의 바를 포함한다. 그리고, 스핀들포크의 한 쌍의 바가 하나의 웨이퍼를 지지하도록 웨이퍼의 하부와 면접촉한다.Such a heater block includes a spindle fork assembly capable of moving up and down with respect to the body and rotating, and a spindle fork of the spindle fork assembly is inserted into a groove formed in the body. Thus, the spindle fork assembly can seat or rotate the loaded wafer within the processor chamber while vertically moving and rotating. Such a spindle fork includes a pair of bars extending outwardly from a central portion of the body. Then, a pair of bars of the spindle fork are in surface contact with the lower portion of the wafer so as to support one wafer.

그러나, 종래의 반도체 제조설비는 다음과 같은 문제가 있다. 첫째, 스핀들포크와 웨이퍼의 접촉면적 때문에, 웨이퍼의 전체영역을 동일한 온도로 가열하기가 어렵다. 즉, 바디에는 스핀들포크가 삽입되는 홈이 형성되는데, 이러한 홈의 면적만큼 바디와 웨이퍼의 접촉면적이 감소한다. 이에, 바디와 접촉하는 웨이퍼의 부분은 가열이 용이하지만 홈과 접촉하는 웨이퍼의 부분은 가열이 용이하지 않다. 따라서, 웨이퍼의 전체영역을 동일한 온도로 가열하기 어렵기 때문에, 웨이퍼의 품질 및 웨이퍼 상부에 증착되는 막의 품질이 저하될 수 있다.However, conventional semiconductor manufacturing facilities have the following problems. First, because of the contact area of the spindle fork and the wafer, it is difficult to heat the entire area of the wafer to the same temperature. That is, the body is formed with a groove into which the spindle fork is inserted, and the contact area between the body and the wafer is reduced by the area of the groove. Thus, the portion of the wafer in contact with the body is easy to heat, but the portion of the wafer in contact with the groove is not easily heated. Therefore, since it is difficult to heat the entire area of the wafer to the same temperature, the quality of the wafer and the quality of the film deposited on the wafer can be lowered.

둘째, 스핀들포크의 형상 때문에, 웨이퍼가 파손될 수 있다. 즉, 스핀들포크의 한 쌍의 바가 레일처럼 배치되기 때문에, 웨이퍼가 스핀들포크 상에 올려지는 경우 웨이퍼의 슬라이딩이 발생할 수 있다. 이에, 웨이퍼 하부에 스크래치가 발생하거나 웨이퍼가 스핀들포크 상에서 추락하여 파손될 수 있다.Second, due to the shape of the spindle fork, the wafer may be damaged. That is, since a pair of bars of the spindle fork are arranged like a rail, sliding of the wafer can occur when the wafer is placed on the spindle fork. Thus, scratches may occur on the bottom of the wafer or the wafer may fall on the spindle fork and be damaged.

KRKR 2005-00248072005-0024807 AA

본 발명은 포크와 기판의 접촉면적을 최소화할 수 있는 히터블록 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a heater block capable of minimizing a contact area between a fork and a substrate, and a substrate processing apparatus having the heater block.

본 발명은 기판의 전체영역을 균일한 온도로 가열할 수 있는 히터블록 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a heater block capable of heating an entire region of a substrate to a uniform temperature, and a substrate processing apparatus having the same.

본 발명은 기판 및 기판 상의 박막 품질을 향상시킬 수 있는 히터블록 및 이를 구비한 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a heater block capable of improving the quality of a substrate and a thin film on the substrate, and a substrate processing apparatus having the same.

본 발명은 복수의 기판이 안착되는 히터블록으로서, 상면, 상기 상면에 대향하는 하면, 상기 상면과 하면을 연결해주는 측면을 구비하는 바디부, 및 상기 복수의 기판을 지지하도록 상기 바디부의 상면에 설치되고, 상기 각 기판의 가장자리 부분과 복수의 위치에서 접촉가능한 지지부를 포함한다.The present invention relates to a heater block on which a plurality of substrates are mounted, the heater block having a top surface, a bottom surface facing the top surface, a body portion having a side surface connecting the top surface and the bottom surface, And a support portion capable of contacting the edge portion of each substrate at a plurality of positions.

상기 지지부는, 상하로 서로 결합되는 상부 및 하부 플레이트와, 상기 기판 하면의 상호 이격된 세 지점 이상과 접촉가능하고 상기 상부 및 하부 플레이트 사이에 결합되며 방사형으로 배치되는 복수의 포크를 포함한다.The support portion includes upper and lower plates coupled to each other in an up-and-down direction, and a plurality of forks that are in contact with at least three mutually spaced apart portions of the lower surface of the substrate and are radially disposed and coupled between the upper and lower plates.

상기 포크는, 일단이 상기 상부 및 하부 플레이트에 결합되는 연결부재, 일측이 상기 연결부재의 타단에 연결되고 상기 기판을 감싸도록 형성되는 지지부재, 및 상기 기판과 접촉하도록 상기 지지부재의 세 지점 이상에서 상기 지지부재 내측으로 돌출형성되는 접촉부재를 포함한다.Wherein the fork includes a connecting member having one end coupled to the upper and lower plates, a support member having one side connected to the other end of the connecting member and configured to surround the substrate, And a contact member protruding inward from the support member.

상기 접촉부재의 높이가 상기 지지부재의 높이보다 낮다.And the height of the contact member is lower than the height of the support member.

상기 지지부재의 상기 기판과 마주보는 부분에 상기 접촉부재를 향하여 하향경사지는 경사면 또는 라운딩면이 형성된다.An inclined surface or a rounded surface inclined downward toward the contact member is formed at a portion of the support member facing the substrate.

상기 지지부재는 사각형의 링 또는 원형의 링 형태로 형성되고, 타측이 개방된다.The support member is formed into a rectangular ring or circular ring shape, and the other side is opened.

상기 바디부에 상기 지지부가 삽입가능한 삽입홈이 형성되고, 상기 지지부는 상하이동 및 회전이동이 가능하다.The body portion is formed with an insertion groove into which the support portion can be inserted, and the support portion can move up and down and rotate.

상기 삽입홈은 상기 기판의 둘레를 감싸도록 형성된다.The insertion groove is formed to surround the periphery of the substrate.

본 발명은 복수의 기판을 처리하는 기판처리장치로서, 내부에 상기 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버 내부로 가스를 공급하도록 상기 챔버의 상부에 연결되는 가스공급기, 및 상기 기판을 가열하도록 상기 챔버 내부에 상기 가스공급기와 대향되어 배치되는 히터블록을 포함하고, 상기 히터블록은, 상면, 상기 상면에 대향하는 하면, 상기 상면과 하면을 연결해주는 측면을 구비하는 바디부, 및 상기 각 기판의 가장자리 부분을 세 지점 이상에서 접촉하도록 상기 바디부 상면에 설치되는 지지부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates, comprising: a chamber for forming a space in which the substrate is processed, a gas supply unit connected to an upper portion of the chamber to supply gas into the chamber, Wherein the heater block includes a body having a top surface, a bottom surface facing the top surface, and a side surface connecting the top surface and the bottom surface, And a support portion provided on the upper surface of the body portion to contact edge portions of the substrate at three points or more.

상기 지지부는, 상기 기판을 지지하도록 방사형으로 배치되는 복수의 포크를 포함하고, 상기 포크는, 상기 기판을 감싸도록 형성되는 지지부재, 및 상기 기판과 접촉하도록 상기 지지부재의 세 지점 이상에서 상기 지지부재 내측으로 돌출형성되는 접촉부재를 포함한다.Wherein the support comprises a plurality of forks radially disposed to support the substrate, the forks comprising: a support member configured to enclose the substrate; and a support member that supports the substrate at three or more points of the support member to contact the substrate, And a contact member protruding from the inside of the member.

상기 챔버에 상기 기판이 출입가능한 게이트가 구비되고, 상기 지지부재는 상기 챔버 내벽과 마주보는 부분이 개방된다.The chamber is provided with a gate through which the substrate can enter and exit, and the supporting member is opened at a portion facing the chamber inner wall.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 복수의 기판을 가열하는 경우, 포크와 각 기판의 접촉면적을 최소화할 수 있다. 즉, 히터블록의 바디부와 각 기판의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 기판의 전체영역이 바디부와 용이하게 접촉할 수 있기 때문에, 기판의 전체영역을 균일한 온도로 가열될 수 있다. 이에, 기판에 대한 처리공정이 효과적으로 수행되어 생산되는 기판 및 기판 상의 박막 품질이 향상될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, when heating a plurality of substrates, the contact area between the fork and each substrate can be minimized. That is, the contact area between the body portion of the heater block and each substrate can be increased. Thus, the entire area of the substrate can be heated to a uniform temperature, since the entire area of the substrate can easily contact the body part. Thus, the processing process for the substrate can be effectively performed, and the quality of the substrate and the thin film on the substrate can be improved.

또한, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 포크가 기판을 안정적으로 지지해줄 수 있다. 따라서, 기판이 포크 상에서 슬라이딩되는 것을 억제할 수 있다. 이에, 기판에 스크래치가 발생하거나 기판이 포크 상에서 추락하여 파손되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.Further, according to the embodiments of the present invention, the fork can stably support the substrate. Therefore, it is possible to prevent the substrate from sliding on the fork. Thus, it is possible to suppress or prevent scratches on the substrate or damage of the substrate due to falling on the fork.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 히터블록의 구조를 나타내는 분해사시도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 포크를 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포크를 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 히터블록을 나타내는 평면도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 히터블록의 작동을 나타내는 도면.1 schematically shows a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view showing a structure of a heater block according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing a fork according to an embodiment of the present invention;
4 is a perspective view showing a fork according to another embodiment of the present invention;
5 is a plan view showing a heater block according to another embodiment of the present invention.
6 illustrates operation of a heater block according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. To illustrate the invention in detail, the drawings may be exaggerated and the same reference numbers refer to the same elements in the figures.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 히터블록의 구조를 나타내는 분해사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 포크를 나타내는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포크를 나타내는 사시도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 히팅블록을 나타내는 평면도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 히팅블록의 작동을 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a structure of a heater block according to an embodiment of the present invention. 4 is a perspective view showing a fork according to another embodiment of the present invention, FIG. 5 is a plan view showing a heating block according to another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a perspective view showing a fork according to an embodiment of the present invention And Fig.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치(1000)는, 복수의 기판(S)을 처리하는 기판처리장치로서, 내부에 상기 기판(S)이 처리되는 공간을 형성하는 챔버(1100), 상기 챔버(1100) 내부로 가스를 공급하도록 상기 챔버(1100)의 상부에 연결되는 가스공급기(1300), 및 상기 기판(S)을 가열하도록 상기 챔버(1100) 내부에 상기 가스공급기(1300)와 대향되어 배치되는 히터블록(1200)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates S, including a chamber (not shown) A gas supply unit 1300 connected to the upper portion of the chamber 1100 to supply gas into the chamber 1100 and a gas supply unit 1300 disposed inside the chamber 1100 to heat the substrate S, And a heater block 1200 arranged to be opposed to the heater 1300.

챔버(1100)는, 중공형의 원통 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(1100)의 일측에는 챔버(1100)의 내부공간을 개폐시키며 기판(S)을 챔버(1100) 내부로 출입시키는 게이트(1110)가 구비된다. 이에, 챔버(1100) 외부의 이송로봇(미도시)이 개방된 게이트(1110)를 통해 챔버(1100) 내부의 공간으로 기판(S)을 이송시킬 수 있다. 그리고, 게이트(1110)를 폐쇄하여 밀폐된 챔버(1100)의 내부공간에서 기판(S)에 대한 처리공정을 수행할 수 있다. 한편, 챔버(1100)는 상부가 개폐가능한 구조로 형성될 수 있다. 이에, 챔버(1100)의 상부를 개방한 상태에서 챔버(1100) 내부에 히터블록(1200) 등을 설치하거나 챔버(1100)의 내부공간을 청소할 수 있다. The chamber 1100 may be formed in a hollow cylindrical shape. One side of the chamber 1100 is provided with a gate 1110 that opens and closes the internal space of the chamber 1100 and allows the substrate S to enter and exit the chamber 1100. Accordingly, the substrate S can be transferred to the space inside the chamber 1100 through the gate 1110, which is opened by a transfer robot (not shown) outside the chamber 1100. Then, the gate 1110 may be closed to perform the process for the substrate S in the inner space of the sealed chamber 1100. On the other hand, the chamber 1100 can be formed in a structure in which an upper portion thereof can be opened and closed. The heater block 1200 may be installed inside the chamber 1100 or the inner space of the chamber 1100 may be cleaned while the upper portion of the chamber 1100 is opened.

또한, 챔버(1100)는, 챔버(1100)에 연결되어 챔버(1100)로 전원을 인가하는 전원공급기(미도시)와, 챔버(1100)에 연결되어 챔버(1100) 내부의 압력을 적정 압력으로 유지 및 변경시켜주는 압력조절기(미도시) 등과 연결될 수 있다. 그러나, 챔버(1100)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The chamber 1100 further includes a power supply (not shown) connected to the chamber 1100 to apply power to the chamber 1100 and a power supply connected to the chamber 1100 to apply the pressure inside the chamber 1100 to an appropriate pressure And a pressure regulator (not shown) for maintaining and changing the pressure regulator. However, the structure and the shape of the chamber 1100 are not limited to this and may vary.

가스공급기(1300)는 챔버(1100)의 상부에 연결되어 챔버(1100)의 내부공간으로 공정가스를 공급하는 역할을 한다. 가스공급기(1300)는, 챔버(1100) 내부의 상측에 배치되는 복수의 분사유닛(1310)과 상기 분사유닛(1310)과 연결되어 상기 분사유닛(1310)으로 공정가스를 공급하는 가스공급라인(1320)을 포함한다.The gas supplier 1300 is connected to the upper part of the chamber 1100 and serves to supply the process gas to the inner space of the chamber 1100. The gas supplier 1300 includes a plurality of injection units 1310 disposed on the upper side of the chamber 1100 and a gas supply line 1310 connected to the injection unit 1310 to supply the process gas to the injection unit 1310 1320).

분사유닛(1310)은 하측의 히터블록(1200)과 이격되어 배치되며, 하부방향으로 공정가스를 분사한다. 예를 들어, 분사유닛(1310)은 샤워헤드 타입으로 형성되어 기판(S)을 향하여 공정가스를 공급할 수 있다. 또한, 복수의 기판(S)으로 동시에 공정가스를 공급할 수 있도록 복수의 분사유닛(1310)이 히터블록(1200)의 기판(S)이 안착되는 위치들을 따라 방사형으로 배치될 수 있다. 그러나, 분사유닛(1310)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The injection unit 1310 is disposed apart from the lower heater block 1200 and injects the process gas in a downward direction. For example, the injection unit 1310 may be formed of a showerhead type to supply the process gas toward the substrate S. In addition, a plurality of injection units 1310 can be radially arranged along the positions where the substrate S of the heater block 1200 is seated so that the process gas can be supplied to the plurality of substrates S at the same time. However, the structure and shape of the injection unit 1310 are not limited to this and may vary.

가스공급라인(1320)은 복수의 분사유닛(1310)과 연결되어 분사유닛(1310)들을 지지해주고 분사유닛(1310)으로 공정가스를 공급해준다. 예를 들어, 가스공급라인(1320)은 배관 형태로 형성되어 챔버(1100)의 상부를 관통하고 챔버(1100) 내부의 분사유닛(1310)들과 연결될 수 있다. 공정가스로 챔버(1100) 내에서 수행되는 작업에 따라 원료물질, 캐리어 가스, 반응가스, 세정가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 공정 가스는 단일 원료 가스를 사용할 수도 있고, 복수 개의 원료를 함께 사용할 수도 있다. 그러나, 가스공급라인(1320)의 구조와 형상 및 분사유닛(1310)과의 연결관계는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The gas supply line 1320 is connected to a plurality of injection units 1310 to support the injection units 1310 and supply the process gas to the injection units 1310. For example, the gas supply line 1320 may be formed in the form of a pipe to penetrate the upper portion of the chamber 1100 and be connected to the injection units 1310 inside the chamber 1100. A raw material, a carrier gas, a reactive gas, a cleaning gas, and the like may be used depending on the operation performed in the chamber 1100 with the process gas. Further, a single raw material gas may be used as the process gas, or a plurality of raw materials may be used together. However, the structure and shape of the gas supply line 1320 and the connection relationship between the gas supply unit 1310 and the gas supply line 1320 are not limited to this, and may vary.

히터블록(1200)은 챔버(1100) 내부의 하측에 배치되고 상부에 안착된 복수의 기판(S)을 가열하는 역할을 한다. 기판(S)은 히터블록(1200)에 구비되는 후술될 포크 상에 올려지거나 포크에 의해 회전이송된다. 그러나, 포크와 기판(S)의 접촉면적이 크면 기판(S)의 전체영역을 균일한 온도로 가열하기가 어렵다. 이에, 기판(S)의 전체영역이 불균일하게 가열되어 생산되는 기판의 품질이 저하될 수 있다. 한편, 포크가 기판(S)을 안정적으로 지지해주지 못하면, 기판(S)이 슬라이딩되면서 스크래치가 발생하거나 포크 상에서 추락하여 파손될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 히터블록(1200)을 구비하여 기판(S)의 전체영역을 균일한 온도로 가열하고 기판(S)의 파손을 억제하거나 방지할 수 있다.
The heater block 1200 serves to heat a plurality of substrates S placed on the lower side inside the chamber 1100 and seated on the upper side. The substrate S is placed on a fork to be described later provided in the heater block 1200 or rotated by a fork. However, if the contact area between the fork and the substrate S is large, it is difficult to heat the entire region of the substrate S to a uniform temperature. Thus, the entire area of the substrate S may be unevenly heated, and the quality of the produced substrate may be deteriorated. On the other hand, if the fork can not stably support the substrate S, the substrate S may slide while being scratched or fall on the fork and may be broken. Therefore, the heater block 1200 according to the embodiment of the present invention can be provided to heat the entire region of the substrate S to a uniform temperature, thereby suppressing or preventing the breakage of the substrate S.

하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 히터블록(1200)을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a heater block 1200 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2를 참조하면, 히터블록(1200)은 복수의 기판이 안착되는 히터블록으로서, 상면, 상기 상면에 대향하는 하면, 상기 상면과 하면을 연결해주는 측면을 구비하는 바디부(1210), 및 상기 복수의 기판(S)을 지지하도록 상기 바디부(1210)의 상면에 설치되고, 상기 각 기판의 가장자리 부분과 복수의 위치에서 접촉가능한 지지부(1220)를 포함한다.2, the heater block 1200 includes a body portion 1210 having a top surface, a bottom surface facing the top surface, and a side surface connecting the top surface and the bottom surface, And a support part 1220 which is provided on the upper surface of the body part 1210 to support the plurality of substrates S and which can contact the edge part of each substrate at a plurality of positions.

바디부(1210)는 상면, 하면, 측면을 구비하는 원판 형태로 형성될 수 있다. 바디부(1210)는 챔버(1100) 내부의 하측에 배치된다. 바디부(1210)의 상면에는 후술될 지지부(1220)의 포크(1222)와 및 하부 플레이트(1221b)의 형상을 따라 형성되는 삽입홈(1212)이 구비된다. 따라서, 지지부(1220)가 하측으로 이동하면 삽입홈(1212)과 하부 플레이트(1221b)가 바디부(1210)의 삽입홈(1212)에 삽입될 수 있다. 이때, 삽입홈(1212)의 깊이는 포크(1222)의 높이 이상이다. 즉, 지지부(1220)가 하측으로 이동하면 포크(1222)의 상부면이 바디부(1210) 상면과 동일한 높이 또는 바디부(1210) 상면보다 하측에 위치한다. 이에, 지지부(1220)가 하측으로 이동하여 바디부(1210)에 삽입되면 포크(1222) 상에 올려진 기판(S)이 바디부(1210) 상면에 안착될 수 있다.The body part 1210 may be formed in a disc shape having an upper surface, a lower surface, and a side surface. The body part 1210 is disposed on the lower side inside the chamber 1100. The upper surface of the body part 1210 is provided with a fork 1222 of the support part 1220 and an insertion groove 1212 formed along the shape of the lower plate 1221b. Therefore, when the support portion 1220 moves downward, the insertion groove 1212 and the lower plate 1221b can be inserted into the insertion groove 1212 of the body portion 1210. At this time, the depth of the insertion groove 1212 is not less than the height of the fork 1222. That is, when the support portion 1220 moves downward, the upper surface of the fork 1222 is positioned at the same height as the upper surface of the body portion 1210 or below the upper surface of the body portion 1210. When the support part 1220 moves downward and is inserted into the body part 1210, the substrate S placed on the fork 1222 can be seated on the upper surface of the body part 1210.

바디부(1210)의 하부에는 상하방향으로 연장형성되는 지지축(1211)이 구비되어 바디부(1210)를 지지해줄 수 있다. 지지축(1211)의 상단이 바디부(1210)의 하부에 연결되고, 지지축(1211)의 하단이 챔버(1100)의 바닥면에 연결될 수 있다. 예를 들어, 바디부(1210) 하부에는 3개의 지지축(1211)이 120도 간격으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 즉, 바디부(1210)의 중량이 크기 때문에, 챔버(1100) 내에서 바디부(1210)를 안정적으로 지지해주기 위해 복수의 지지축(1211)을 구비할 수 있다.A support shaft 1211 extending in the vertical direction is provided at a lower portion of the body part 1210 to support the body part 1210. The upper end of the support shaft 1211 may be connected to the lower portion of the body portion 1210 and the lower end of the support shaft 1211 may be connected to the bottom surface of the chamber 1100. [ For example, three support axes 1211 may be spaced apart from each other by 120 degrees on the lower part of the body part 1210. That is, since the weight of the body part 1210 is large, a plurality of support axes 1211 may be provided to stably support the body part 1210 in the chamber 1100.

또한, 바디부(1210)의 내부 또는 하부에는 열선(미도시)이 구비된다. 열선은 바디부(1210) 상면에 기판(S)이 안착되는 위치에 맞추어 배치될 수 있다. 열선에서 발생된 열은 바디부(1210)의 하면 또는 내부에서부터 바디부(1210)의 상면으로 전달될 수 있다. 따라서, 바디부(1210) 상면에 안착된 기판(S)이 열선에서 발생한 열에 의해 가열될 수 있다. 한편, 열선에서 발생한 열을 기판(S)에 효과적으로 전달하기 위해 바디부(1210)를 알루미늄 등의 열전달이 용이한 재질로 제작할 수 있다. 그러나, 바디부(1210)의 구조와 형상 및 재질은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, 지지축(1211)의 구조나 구비되는 개수 및 열선의 구비되는 위치는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.Also, a heat ray (not shown) is provided inside or below the body part 1210. The heating wire may be disposed at a position where the substrate S is seated on the upper surface of the body part 1210. The heat generated from the hot wire can be transmitted to the upper surface of the body part 1210 from the lower surface or the inside of the body part 1210. Therefore, the substrate S placed on the upper surface of the body part 1210 can be heated by the heat generated from the heating wire. Meanwhile, in order to effectively transfer the heat generated from the hot wire to the substrate S, the body part 1210 can be made of a material that facilitates heat transfer such as aluminum. However, the structure, shape, and material of the body portion 1210 are not limited to these, and may vary. In addition, the structure of the support shaft 1211, the number of the support shaft 1211, and the position where the heat ray is provided are not limited thereto and may vary.

이때, 바디부(1210)의 삽입홈(1212)이 구비된 부분으로는 열선에서 발생한 열이 용이하게 전달되지 못할 수 있다. 따라서, 기판(S)의 바디부(1210) 상면과 접촉하는 부분 및 바디부(1210) 삽입홈(1212)에 접촉하는 부분 사이에 가열온도 차이가 발생할 수 있다. 기판(S)과 포크(1222)의 접촉면적을 최소화하면, 포크(1222)의 형상을 따라 형성되는 삽입홈(1212)과 기판(S)의 접촉면적도 감소하여 기판(S)과 바디부(1210) 상면의 접촉면적이 증가할 수 있다. 이에, 바디부(1210)와 기판(S)의 접촉면적이 증가한 만큼 기판(S)을 동일한 온도로 가열할 수 있는 면적이 증가하여 기판(S)의 전체 영역을 균일한 온도로 가열할 수 있다.At this time, the heat generated from the hot wire may not be easily transmitted to the portion where the insertion groove 1212 of the body part 1210 is provided. Therefore, a heating temperature difference may occur between the portion of the substrate S that is in contact with the upper surface of the body portion 1210 and the portion of the substrate S that is in contact with the insertion portion 1212 of the body portion 1210. The contact area between the substrate S and the fork 1222 is minimized so that the contact area between the substrate S and the insertion groove 1212 formed along the shape of the fork 1222 is reduced, 1210) may be increased. As the contact area between the body part 1210 and the substrate S increases, the area where the substrate S can be heated to the same temperature increases, and the entire area of the substrate S can be heated to a uniform temperature .

지지부(1220)는, 상하로 서로 결합되는 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와, 상기 기판(S) 하면의 상호 이격된 세 지점 이상과 접촉가능하고 상기 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b) 사이에 결합되며 방사형으로 배치되는 복수의 포크(1222)를 포함하고, 상기 하부 플레이트(1221b)의 하부와 연결되고 상기 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와 상기 복수의 포크(1222)를 상하이동 및 회전이동시키는 구동축(1229)을 포함할 수 있다. 이에, 지지부(1220)는 상하이동 및 회전이동이 가능하다.The supporting portion 1220 includes upper and lower plates 1221a and 1221b which are vertically coupled to each other and at least three positions spaced apart from each other on the lower surface of the substrate S and between the upper and lower plates 1221a and 1221b And includes a plurality of forks 1222 disposed radially and coupled to a lower portion of the lower plate 1221b to move the upper and lower plates 1221a and 1221b and the plurality of forks 1222 up and down, And may include a drive shaft 1229 that rotates and moves. Thus, the support portion 1220 can move up and down and rotate.

상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)는 원판 형태로 형성될 수 있다. 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)는 복수의 제1 체결볼트(1225)에 의해 상하로 결합된다. 즉, 제1 체결볼트(1225)가 상부 플레이트(1221a)를 관통하여 하부 플레이트(1221b)에 체결될 수 있다. 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b) 측면에는 포크(1222)의 일단이 삽입될 수 있는 공간이 형성될 수 있다. 상부 플레이트(1221a)의 하부 및 하부 플레이트(1221b)하부 플레이트(1221b)도 어느 한 부분에 방사형으로 포크(1222)의 개수만큼 복수의 홈이 구비될 수 있다. 이에, 복수의 포크(1222)가 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)의 측면에 형성된 공간에 삽입되어 결합될 수 있다. The upper and lower plates 1221a and 1221b may be formed in a disc shape. The upper and lower plates 1221a and 1221b are vertically coupled by a plurality of first fastening bolts 1225. [ That is, the first fastening bolt 1225 passes through the upper plate 1221a and can be fastened to the lower plate 1221b. A space through which one end of the fork 1222 can be inserted may be formed on the side surfaces of the upper and lower plates 1221a and 1221b. The lower plate 1221b of the lower plate 1221b and the lower plate 1221b of the upper plate 1221a may be provided with a plurality of grooves by the number of the forks 1222 in a radial manner. Accordingly, a plurality of forks 1222 can be inserted and coupled into the space formed in the side surfaces of the upper and lower plates 1221a and 1221b.

처리하는 기판(S)의 크기에 따라 구비되는 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b) 형성되는 홈의 개수와 구비되는 포크(1222)의 개수가 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판(S)의 직경이 150mm인 경우, 여덟개의 홈과 포크(1222)가 구비될 수 있다. 또한, 기판(S)의 직경이 200mm인 경우, 여섯개의 홈과 포크(1222)가 구비될 수 있다. 즉, 한정된 크기의 챔버(1100) 내에서 기판(S)의 크기에 따라 처리할 수 있는 기판(S)의 개수가 달라지므로, 기판(S)의 크기가 증가할수록 처리할 수 있는 기판(S)의 양이 감소한다. 이에, 기판(S)의 크기가 증가할수록 구비되는 포크(1222)의 개수도 감소한다. 그러나, 구비되는 홈이나 포크(1222)의 개수는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The number of the grooves formed by the upper and lower plates 1221a and 1221b and the number of the forks 1222 provided according to the size of the substrate S to be processed can be changed. For example, if the diameter of the substrate S is 150 mm, then eight grooves and forks 1222 may be provided. Further, when the diameter of the substrate S is 200 mm, six grooves and a fork 1222 may be provided. That is, since the number of substrates S that can be processed depends on the size of the substrate S in the chamber 1100 of a limited size, the substrate S, which can be processed as the size of the substrate S increases, . Accordingly, as the size of the substrate S increases, the number of the forks 1222 provided decreases. However, the number of grooves or forks 1222 provided is not limited to this, and may vary.

상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)의 중심부는 상하방향으로 연장형성되는 구동축(1229)의 상단과 결합된다. 구동축(1229)은 히터블록(1200)의 중심부를 관통하여 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와 연결되며 상하로 이동가능하고 횡방향으로 회전가능한다. 예를 들어, 구동축(1229)은 실린더와 같이 상하로 신장수축할 수 있고, 모터와 연결되어 회전운동을 할 수 있다. 따라서, 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와 이에 결합된 포크(1222)는 구동축(1229)에 의해 수직방향으로 승하강되고 회전할 수 있다. The center portions of the upper and lower plates 1221a and 1221b are engaged with the upper ends of the drive shaft 1229 extending in the vertical direction. The driving shaft 1229 is connected to the upper and lower plates 1221a and 1221b through the center of the heater block 1200 and is movable up and down and rotatable in the horizontal direction. For example, the drive shaft 1229 can be stretched and contracted up and down like a cylinder, and can be connected to a motor to perform rotational motion. Thus, the upper and lower plates 1221a and 1221b and the fork 1222 coupled thereto can be vertically moved up and down by the drive shaft 1229 and rotated.

예를 들어, 바디부(1210)의 상면에는 원주방향을 따라 일정간격으로 기판(S)이 로딩되어 증착이 이루어지게 되는 복수의 로딩영역이 형성될 수 있다. 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와 포크(1222) 즉, 지지부(1220)는 구동축(1229)에 의해 승하강되고 회전되면서 바디부(1210)의 로딩영역들로 기판(S)을 순차적으로 이송하여 로딩시킨다. 즉, 일 로딩영역에 로딩되어 있는 기판에 대하여 포크(1222)가 일 삽입홈(1212)으로부터 상승하면서 상기 기판(S)을 들어올린 후, 일정간격 수평회전하여 상기 포크(1222)가 다음의 타 로딩영역에 위치하도록 한다. 그런 후, 상기 포크(1222)를 하강시켜 상기 기판(S)은 타 로딩영역에 내려놓게 되며, 상기 포크(1222)는 타 삽입홈(1212) 내로 삽입된다.For example, on the upper surface of the body part 1210, a plurality of loading areas may be formed in which the substrate S is loaded at predetermined intervals along the circumferential direction to be deposited. The upper and lower plates 1221a and 1221b and the fork 1222 or the support 1220 are moved upward and downward by the drive shaft 1229 to sequentially transfer the substrate S to the loading areas of the body part 1210 . That is, the fork 1222 is elevated from the one insertion groove 1212 with respect to the substrate loaded in the one loading area, and then the substrate S is lifted up and rotated horizontally at a predetermined interval, To be placed in the loading area. Thereafter, the fork 1222 is lowered to place the substrate S in the loading area, and the fork 1222 is inserted into the other insertion groove 1212.

그러나, 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)의 형상이나 연결관계 및 포크(1222)와 결합되는 방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, 구동축(1229)의 형상과 이동방법 및 결합구조도 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.However, the shape and connection relationship of the upper and lower plates 1221a and 1221b and the method of coupling with the fork 1222 are not limited to these and may vary. Also, the shape, moving method, and coupling structure of the drive shaft 1229 are not limited to this, and may vary.

본 발명의 실시 예에 따른 포크(1222)는 기판(S)을 지지하는 역할을 한다. 도 3을 참조하면, 포크(1222)는, 일단이 상기 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)에 결합되는 연결부재(1222a), 일측이 상기 연결부재(1222a)의 타단에 연결되고 상기 기판(S)을 감싸도록 형성되는 지지부재(1222b), 및 상기 기판(S)과 접촉하도록 상기 지지부재(1222b)의 세 지점 이상에서 상기 지지부재(1222b) 내측으로 돌출형성되는 접촉부재(1222c)를 포함한다.The fork 1222 according to the embodiment of the present invention serves to support the substrate S. 3, the fork 1222 includes a connecting member 1222a having one end coupled to the upper and lower plates 1221a and 1221b, one end connected to the other end of the connecting member 1222a, And a contact member 1222c protruding inward from the support member 1222b at three or more points of the support member 1222b so as to come into contact with the substrate S do.

연결부재(1222a)는 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 연결부재(1222a)는 일단이 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)에 연결되고 타단이 지지부재(1222b)와 연결된다. 예를 들어, 연결부재(1222a)의 일단은 'ㄷ'형태로 형성되어 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b) 사이로 삽입될 수 있다. 또한, 제2 체결볼트(1226)가 상부 플레이트(1221a)를 관통하여 연결부재(1222a)의 일단에 체결될 수 있다. 이에, 연결부재(1222a)가 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)와 결합될 수 있다. 그러나, 연결부재(1222a)의 구조나 형상 및 플레이트들(1221a, 1221b)과의 연결방법은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The connecting member 1222a may be formed in a plate shape. One end of the connecting member 1222a is connected to the upper and lower plates 1221a and 1221b, and the other end is connected to the supporting member 1222b. For example, one end of the connecting member 1222a may be formed in a 'C' shape and inserted between the upper and lower plates 1221a and 1221b. Also, the second fastening bolt 1226 may penetrate the upper plate 1221a and be fastened to one end of the connecting member 1222a. Thus, the connecting member 1222a can be engaged with the upper and lower plates 1221a and 1221b. However, the structure and shape of the connecting member 1222a and the connection method with the plates 1221a and 1221b are not limited to these and may vary.

지지부재(1222b)는 기판(S)의 둘레를 감싸는 형상으로 형성되고, 내측면이 기판(S)의 둘레와 이격될 수 있다. 즉, 지지부재(1222b)와 기판(S)이 접촉하게 되는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 지지부재(1222b)는 사각형의 링 형상으로 형성되어 기판(S)의 둘레를 감쌀 수 있다. 지지부재(1222b)는 일측이 연결부재(1222a)에 연결되고, 타측이 개방될 수 있다. 즉, 지지부재는 챔버(1100) 내벽과 마주보는 부분이 개방되어 'ㄷ'형태로 형성될 수 있다. The support member 1222b may be formed in a shape to surround the periphery of the substrate S and the inner side may be spaced from the periphery of the substrate S. [ That is, contact between the support member 1222b and the substrate S can be minimized. For example, the support member 1222b may be formed in a rectangular ring shape so as to surround the periphery of the substrate S. [ One side of the support member 1222b may be connected to the connection member 1222a, and the other side thereof may be opened. That is, the support member may be formed in a 'C' shape with a portion facing the inner wall of the chamber 1100 being opened.

예를 들어, 기판(S)을 이송시키는 이송로봇(미도시)이 기판(S)을 포크(1222)의 상측에 위치시킨 후 포크(1222)의 상측에서 하측으로 이동하면 기판(S)이 포크(1222)에 올려진다. 이때, 이송로봇이 지지부재(1222b)의 개방된 부분을 통과할 수 있기 때문에, 이송로봇이 기판(S)을 포크(1222)에 올려놓을 수 있다. 즉, 지지부재(1222b)의 개방된 부분 때문에, 포크(1222) 상에 기판(S)을 올려놓는 작업이 용이하게 수행될 수 있다. 그러나, 지지부재(1222b)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.For example, when a transfer robot (not shown) for transferring the substrate S moves the substrate S from the upper side to the lower side of the fork 1222 after positioning the substrate S on the upper side of the fork 1222, Lt; / RTI > At this time, since the transfer robot can pass through the open portion of the support member 1222b, the transfer robot can place the substrate S on the fork 1222. [ That is, an operation of placing the substrate S on the fork 1222 can be easily performed because of the open portion of the support member 1222b. However, the structure and shape of the support member 1222b are not limited to this and may vary.

접촉부재(1222c)는 기판(S)과 접촉하여 기판(S)을 지지할 수 있도록 상기 지지부재(1222b)의 복수 지점으로부터 상기 지지부재(1222b) 내측으로 돌출되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 접촉부재(1222c)는 지지부재(1222b)의 세 지점에서 내측으로 돌출되어 형성될 수 있다. 이러한 접촉부재(1222c)는 기판(S)의 가장자리 부분과 접촉하여 기판(S)을 지지한다. 즉, 지지부재(1222b)는 기판(S) 하면의 상호 이격된 세 지점 이상과 접촉할 수 있다. The contact member 1222c may protrude from the plurality of points of the support member 1222b to the inside of the support member 1222b to support the substrate S in contact with the substrate S. [ For example, the contact member 1222c may be formed protruding inward at three points of the support member 1222b. The contact member 1222c contacts the edge portion of the substrate S to support the substrate S. [ That is, the support member 1222b can contact at least three mutually spaced apart points on the lower surface of the substrate S. [

접촉부재(1222c)가 기판(S)의 가장자리를 하나의 지점 또는 상호 이격된 두 지점에서 지지하는 경우, 기판(S)의 균형을 유지하기가 어렵다. 따라서, 접촉부재(1222c)가 이동하는 경우, 기판(S)이 접촉부재(1222c)로부터 쉽게 추락할 수 있다. 반면, 접촉부재(1222c)가 상호 이격된 세 지점에서 기판(S)의 가장자리를 지지하는 경우, 기판(S)을 안정적으로 지지해줄 수 있다. It is difficult to maintain the balance of the substrate S when the contact member 1222c supports the edge of the substrate S at one point or two mutually spaced points. Therefore, when the contact member 1222c moves, the substrate S can easily fall from the contact member 1222c. On the other hand, when the contact members 1222c support the edge of the substrate S at three mutually spaced points, the substrate S can be stably supported.

예를 들어, 세 개의 접촉부재(1222c)는 삼각형의 꼭지점들이 배치되는 위치로 배치될 수 있다. 즉, 기판(S)의 가장자리 중 세 지점만 접촉부재(1222c)와 접촉한다. 이에, 접촉부재(1222c)는 기판(S)과 접촉면적은 최소화하면서 기판(S)을 안정적으로 지지해줄 수 있다. 또한, 접촉부재(1222c)가 삽입되는 바디부(1210)의 삽입홈(1212)의 크기도 최소화시킬 수 있다. 따라서, 기판(S)과 삽입홈(1212)의 접촉면적은 감소시키고 기판(S)과 바디부(1210) 상면의 접촉면적은 증가시킬 수 있다. 이에, 기판(S)의 전체영역을 균일한 온도로 가열할 수 있다. 그러나, 접촉부재(1222c)의 구조나 구비되는 개수는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, 연결부재(1222a), 지지부재(1222b), 접촉부재(1222c)는 일체형으로 제작될 수도 있고, 별도로 제작되어 용접 등의 방법으로 결합될 수도 있다.For example, the three contact members 1222c may be arranged in a position where the vertexes of the triangle are arranged. That is, only three of the edges of the substrate S are in contact with the contact member 1222c. Accordingly, the contact member 1222c can stably support the substrate S while minimizing the contact area with the substrate S. Also, the size of the insertion groove 1212 of the body portion 1210 into which the contact member 1222c is inserted can be minimized. Therefore, the contact area between the substrate S and the insertion groove 1212 can be reduced, and the contact area between the substrate S and the upper surface of the body portion 1210 can be increased. Thus, the entire region of the substrate S can be heated to a uniform temperature. However, the structure and the number of the contact members 1222c are not limited to these, and may vary. The connecting member 1222a, the supporting member 1222b, and the contact member 1222c may be integrally formed or separately manufactured and may be coupled by welding or the like.

접촉부재(1222c)는 반원모양으로 형성될 수 있다. 반원모양은 사각형보다 기판(S)과의 접촉면적을 감소시킬 수 있다. 한편, 반원모양은 삼각형보다 기판(S)을 안정적으로 지지해줄 수 있다. 따라서, 접촉부재(1222c)는 기판(S)과의 접촉면적을 최소화하면서 기판(S)을 안정적으로 지지해줄 수 있는 반원모양으로 형성될 수 있다. The contact member 1222c may be formed in a semicircular shape. The semicircular shape can reduce the contact area with the substrate S rather than the square. On the other hand, the semicircular shape can stably support the substrate S more than the triangular shape. Therefore, the contact member 1222c can be formed in a semicircular shape capable of stably supporting the substrate S while minimizing the contact area with the substrate S. [

또한, 직경이 100mm인 기판(S)을 지지하는 경우, 접촉부재(1222c)의 돌출길이는 1~6mm사이로 형성될 수 있다. 즉, 접촉부재(1222c)의 돌출길이가 1mm미만이면, 접촉부재(1222c)의 길이가 너무 짧아 기판(S)과의 접촉면적이 너무 적어질 수 있다. 이에, 접촉부재(1222c)가 기판(S)을 안정적으로 지지해주지 못해 기판(S)이 추락할 수 있다. 반대로, 접촉부재(1222c)의 길이가 6mm를 초과하면 접촉부재(1222c)와 기판(S)의 접촉면적이 너무 많이 증가할 수 있다. 이에, 접촉부재(1222c)가 삽입되는 삽입홈(1212)의 면적이 커져, 기판(S)과 바디부(1210) 상면의 접촉면적이 감소하고, 기판(S)의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하기가 어려워진다. 따라서, 접촉부재(1222c)는 기판(S)을 안정적으로 지지해주면서 기판(S)과의 접촉면적을 최소화할 수 있는 길이로 돌출되어야 한다. 그러나, 접촉부재(1222c)의 형상이나 길이는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.Further, when the substrate S having a diameter of 100 mm is supported, the projecting length of the contact member 1222c may be formed to be between 1 and 6 mm. That is, if the protruding length of the contact member 1222c is less than 1mm, the contact member 1222c may be too short and the contact area with the substrate S may be too small. Accordingly, the substrate S can fall because the contact member 1222c does not stably support the substrate S. Conversely, if the length of the contact member 1222c exceeds 6mm, the contact area between the contact member 1222c and the substrate S may be excessively increased. This increases the area of the insertion groove 1212 into which the contact member 1222c is inserted so that the contact area between the substrate S and the upper surface of the body portion 1210 decreases and the entire area of the substrate S is maintained at a uniform temperature It becomes difficult to heat. Therefore, the contact member 1222c should protrude to a length that can minimize the contact area with the substrate S while stably supporting the substrate S. However, the shape and length of the contact member 1222c are not limited to this and may vary.

이처럼, 포크(1222)와 기판(S)의 접촉면적을 최소화하여, 기판(S)의 전체영역을 균일한 온도로 가열할 수 있다. 이에, 기판(S)에 대한 처리공정이 효과적으로 수행되어 생산되는 기판 및 기판 상의 박막 품질이 향상될 수 있다. 또한, 포크(1222)가 기판(S)을 안정적으로 지지해주어 기판(S)이 포크 상에서 슬라이딩되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판(S)에 스크래치가 발생하거나 기판(S)이 포크(1222) 상에서 추락하여 파손되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
In this manner, the contact area between the fork 1222 and the substrate S can be minimized, and the entire region of the substrate S can be heated to a uniform temperature. Thus, the processing process for the substrate S can be effectively performed, and the quality of the thin film formed on the substrate and the substrate to be produced can be improved. In addition, the fork 1222 stably supports the substrate S, so that the substrate S can be prevented from sliding on the fork. Therefore, it is possible to suppress or prevent the scratches on the substrate S or the substrate S falling down on the fork 1222 to be damaged.

하기에서는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포크(1222)에 대해 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the fork 1222 according to another embodiment of the present invention will be described in detail.

도 4의 (a)를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포크(1222)는 일단이 상기 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)에 결합되는 연결부재(1222a), 일측이 상기 연결부재(1222a)의 타단에 연결되고 상기 기판(S)을 감싸도록 형성되는 지지부재(1222b), 및 상기 기판(S)과 접촉하도록 상기 지지부재(1222b)의 세 지점 이상에서 상기 지지부재(1222b) 내측으로 돌출형성되는 접촉부재(1222c)를 포함하고, 상기 접촉부재(1222c)의 높이가 상기 지지부재(1222b)의 높이보다 낮게 형성된다. 즉, 접촉부재(1222c)와 지지부재(1222b) 사이에 단차가 형성될 수 있다. 4 (a), the fork 1222 according to another embodiment of the present invention includes a connecting member 1222a having one end coupled to the upper and lower plates 1221a and 1221b, A support member 1222b connected to the other end of the support member 1222a and formed to surround the substrate S and a support member 1222b at three or more points of the support member 1222b to be in contact with the substrate S, And the height of the contact member 1222c is formed to be lower than the height of the support member 1222b. That is, a step may be formed between the contact member 1222c and the support member 1222b.

이러한 접촉부재(1222c)와 지지부재(1222b) 사이의 단차로 인해 기판(S)이 접촉부재(1222c) 상에 올려지면 지지부재(1222b)의 접촉부재(1222c)보다 높이가 높은 부분이 기판(S)의 측면을 둘러쌀 수 있다. 이에, 기판(S)이 접촉부재(1222c) 상에서 슬라이딩되려고 하면, 기판(S)의 측면이 지지부재(1222b)의 내측벽과 접촉하면서 기판(S)의 슬라이딩이 멈출 수 있다. 따라서, 접촉부재(1222c)와 지지부재(1222b) 사이의 높이 차이로 인해 포크(1222)가 기판(S)을 더욱 안정적으로 지지해줄 수 있다.When the substrate S is lifted up on the contact member 1222c due to the step between the contact member 1222c and the support member 1222b, a portion higher in height than the contact member 1222c of the support member 1222b contacts the substrate S). Thus, when the substrate S tries to slide on the contact member 1222c, the sliding of the substrate S can be stopped while the side surface of the substrate S contacts the inner wall of the support member 1222b. The fork 1222 can more stably support the substrate S due to the difference in height between the contact member 1222c and the support member 1222b.

한편, 접촉부재(1222c)와 지지부재(1222b) 사이의 단차를 가공할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 (b)와 같이 단차를 가공하여 경사면을 형성하거나, 도 4의 (c)와 같이 단차를 가공하여 라운딩면을 형성할 수 있다. 즉, 지지부재(1222b)의 기판(S)과 마주보는 부분에 접촉부재(1222c)를 향하여 하향경사지는 경사면 또는 오목한 형태의 라운딩면을 형성할 수 있다. On the other hand, the step between the contact member 1222c and the support member 1222b can be processed. For example, it is possible to form the inclined surface by processing the stepped portion as shown in FIG. 4B, or to form the rounded surface by processing the stepped portion as shown in FIG. 4C. That is, an inclined surface or a concave rounding surface inclined downward toward the contact member 1222c may be formed at a portion of the support member 1222b facing the substrate S.

따라서, 기판(S)이 접촉부재(1222c) 상에서 슬라이딩되려고 하면, 기판(S)이 경사면 또는 라운딩면에 의해 접촉부재(1222c) 상의 정위치로 안내할 수 있다. 또는, 포크(1222)가 바디부(1210)에 삽입되고 상승하여 기판(S)을 이송시키는 경우, 기판(S)이 위치가 바디부(1210) 상에서 틀어지더라도 접촉부재(1222c)와 지지부재(1222b) 사이의 경사면 또는 라운딩면으로 인해 기판(S)이 정위치로 안내될 수 있다. 그러나, 경사면 또는 라운딩면의 형상과 구조는 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.Therefore, when the substrate S tries to slide on the contact member 1222c, the substrate S can be guided to the correct position on the contact member 1222c by the inclined surface or the rounded surface. Or when the fork 1222 is inserted into the body portion 1210 and moves upward to transfer the substrate S, even if the substrate S is rotated on the body portion 1210, The substrate S can be guided to the correct position due to the inclined surface or the rounded surface between the substrate S and the substrate 1222b. However, the shapes and structures of the inclined surface or the rounded surface are not limited to these, and may vary.

이처럼 포크(1222)가 최소한의 면적으로 기판(S)을 지지하면서도 기판(S)을 안정적으로 지지해주어 기판(S)이 포크 상에서 슬라이딩되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판(S)에 스크래치가 발생하거나 기판(S)이 포크(1222) 상에서 추락하여 파손되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다.
The fork 1222 can support the substrate S with a minimum area while stably supporting the substrate S so that the substrate S can be prevented from sliding on the fork. Therefore, it is possible to suppress or prevent the scratches on the substrate S or the substrate S falling down on the fork 1222 to be damaged.

하기에서는 또 다른 실시 예에 따른 포크(1222)에 대해 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the fork 1222 according to another embodiment will be described in detail.

도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 포크(1222)는, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 포크(1222)는 일단이 상기 상부 및 하부 플레이트(1221a, 1221b)에 결합되는 연결부재(1222a), 일측이 상기 연결부재(1222a)의 타단에 연결되고 상기 기판(S)을 감싸도록 형성되는 지지부재(1222b'), 및 상기 기판(S)과 접촉하도록 상기 지지부재(1222b')의 세 지점 이상에서 상기 지지부재(1222b') 내측으로 돌출형성되는 접촉부재(1222c)를 포함하고, 상기 지지부재(1222b')의 형상이 원형의 링 형태로 형성될 수 있다. 5, a fork 1222 according to another embodiment of the present invention may include a fork 1222 having one end connected to the upper and lower plates 1221a and 1221b A support member 1222b which is connected to the other end of the connection member 1222a and is formed so as to surround the substrate S and a support member 1222b ' , And the support member 1222b 'may be formed in a circular ring shape. The support member 1222b' may include a contact member 1222c protruding from the support member 1222b 'at three or more points.

지지부재(1222b')의 형상이 원판 형상의 기판(S) 형태를 따라 형성될 수 있다. 즉, 지지부재(1222b')와 기판(S)의 가장자리들 사이의 이격거리가 모두 일정할 수 있다. 따라서, 지지부재(1222b')와 접촉부재(1222c) 사이에 단차를 형성하는 경우, 지지부재(1222b')가 기판(S)의 측면을 모두 일정한 간격으로 둘러쌓을 수 있다. 이에, 지지부재(1222b')가 기판(S)의 슬라이딩을 더욱 효과적으로 억제하거나 방지할 수 있다. 이때, 지지부재(1222b')는 챔버(1100) 내벽과 마주보는 부분이 개방될 수 있다.The shape of the support member 1222b 'may be formed along the shape of the disk-shaped substrate S. That is, the distance between the support member 1222b 'and the edges of the substrate S may be constant. Therefore, when the step is formed between the support member 1222b 'and the contact member 1222c, the support member 1222b' can surround the side surface of the substrate S at regular intervals. Thus, the support member 1222b 'can more effectively suppress or prevent the sliding of the substrate S. At this time, a portion of the support member 1222b 'facing the inner wall of the chamber 1100 may be opened.

한편, 바디부(1210)에 구비되는 삽입홈(1212')도 기판(S)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있다. 즉, 삽입홈(1212')은 개방된 부분 없이 원판의 기판(S)을 둘러쌓도록 원형의 링 형태로 형성될 수 있다. 바디부(1210)의 상면과 삽입홈(1212')은 전달하는 열에너지에 차이가 있다. 즉, 삽입홈(1212') 및 삽입홈(1212') 주변의 바디부(1210) 상면은 바디부(1210)의 다른 상면보다 전달하는 열에너지의 양이 더 적을 수 있다. 따라서, 이러한 차이를 감소시키 위해 삽입홈(1212')을 기판(S)의 둘레를 따라 기판(S)을 감싸도록 형성할 수 있다.Meanwhile, the insertion groove 1212 'provided in the body part 1210 may also be formed so as to surround the periphery of the substrate S. That is, the insertion groove 1212 'may be formed in a circular ring shape so as to surround the substrate S of the circular plate without the open portion. The upper surface of the body part 1210 and the insertion groove 1212 'have different thermal energy to be transmitted. That is, the upper surface of the body portion 1210 around the insertion groove 1212 'and the insertion groove 1212' may have a smaller amount of thermal energy to be transmitted than the other upper surface of the body portion 1210. Therefore, the insertion groove 1212 'may be formed to surround the substrate S along the periphery of the substrate S to reduce this difference.

예를 들어, 기판(S)과 삽입홈(1212')의 이격거리가 기판(S)의 가장자리 위치에 따라 차이가 있으면, 기판(S)의 가장자리들의 가열조건이 서로 다를 수 있다. 따라서, 기판(S)을 가열조건을 동일하게 하기 위해 기판(S)의 가장자리들 모두와 일정한 이격거리를 가지는 삽입홈(1212')을 형성할 수 있다. 이에, 기판(S)의 가장자리들의 가열조건이 모두 동일해져 기판(S)을 균일한 온도로 가열할 수 있다.For example, if the distance between the substrate S and the insertion groove 1212 'is different depending on the edge position of the substrate S, the heating conditions of the edges of the substrate S may be different from each other. Accordingly, the substrate S may be formed with an insertion groove 1212 'having a predetermined distance from all the edges of the substrate S to equalize the heating conditions. Thus, the heating conditions of the edges of the substrate S are all the same, and the substrate S can be heated to a uniform temperature.

또한, 지지부재(1222b')를 원형의 링 형상으로 형성하는 경우, 사각형의 링 형상으로 형성하는 경우보다 넓이가 감소할 수 있다. 따라서, 지지부재(1222b')의 무게가 감소하여 포크(1222)를 상하이동 또는 회전이동시키기가 용이해질 수 있다. 그러나, 지지부재(1222b')의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.In addition, when the support member 1222b 'is formed into a circular ring shape, the area can be reduced compared with a case where the support member 1222b' is formed into a rectangular ring shape. Accordingly, the weight of the support member 1222b 'may be reduced, and the fork 1222 may be easily moved up and down or rotated. However, the structure and shape of the support member 1222b 'are not limited thereto and may vary.

한편, 기판(S) 가장자리들의 가열조건을 모두 동일하게 하기 위해 삽입홈(1212')의 포크(1222)가 삽입되지 않는 부분에 삽입부재(미도시)를 설치할 수도 있다. 삽입부재는 포크(1222)와 동일한 재질로 형성되고, 지지부재(1222b')와 동일한 폭과 높이로 형성된다. 이에, 기판(S)이 바디부(1210) 상에 안착되는 경우, 기판(S)의 가장자리 전체를 지지부재(1222b')와 삽입부재가 둘러쌀 수 있다. 따라서, 바디부(1210) 상에서 기판(S)의 가장자리 영역이 모두 동일한 조건에서 가열될 수 있다.
An insertion member (not shown) may be provided in a portion of the insertion groove 1212 'where the fork 1222 is not inserted in order to make the heating conditions of the edges of the substrate S all the same. The insertion member is formed of the same material as the fork 1222, and is formed to have the same width and height as the support member 1222b '. Thus, when the substrate S is placed on the body portion 1210, the entire edge of the substrate S can be surrounded by the supporting member 1222b 'and the insertion member. Thus, the edge regions of the substrate S on the body portion 1210 can all be heated under the same conditions.

하기에서 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리공정에 대해 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing process according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

이송로봇(미도시)에 의해 기판(S)이 챔버(1100) 내로 이송된다. 게이트(1110)를 통과한 이송로봇(미도시)이 기판(S)을 포크(1222)의 상측에 위치시킨 후 포크(1222)의 상측에서 하측으로 이동하면 기판(S)이 포크(1222)에 올려진다. 이송로봇이 챔버(1100) 외부로 이동하면, 게이트(1110)가 폐쇄되어 챔버(1100) 내부가 밀폐된다. 바디부(1210)의 상면에는 원주방향을 따라 일정간격으로 기판(S)이 로딩되어 증착이 이루어지게 되는 복수의 로딩영역이 형성될 수 있다. The substrate S is transferred into the chamber 1100 by a transfer robot (not shown). When the transfer robot (not shown) having passed through the gate 1110 moves the substrate S on the upper side of the fork 1222 and then moves from the upper side to the lower side of the fork 1222, the substrate S is transferred to the fork 1222 Is raised. When the transfer robot moves outside the chamber 1100, the gate 1110 is closed and the inside of the chamber 1100 is sealed. A plurality of loading regions may be formed on the upper surface of the body portion 1210 to deposit the substrate S at regular intervals along the circumferential direction.

도 6과 같이 포크(1222)는 구동축(1229)에 의해 승하강되고 회전되면서 바디부(1210)의 로딩영역들로 기판(S)을 순차적으로 이송하여 로딩시킨다. 즉, 일 로딩영역에 로딩되어 있는 기판에 대하여 포크(1222)가 일 삽입홈(1212)으로부터 상승하면서 상기 기판(S)을 들어올린 후, 일정간격 수평회전하여 상기 포크(1222)가 다음의 타 로딩영역에 위치하도록 한다. 그런 후, 상기 포크(1222)를 하강시켜 상기 기판(S)은 타 로딩영역에 내려놓게 되며, 상기 포크(1222)는 타 삽입홈(1212) 내로 삽입된다. 예를 들어, 포크(1222)의 개수가 6개인 경우, 포크(1222)는 구동축(1229)을 중심으로 30도 간격으로 회전될 수 있다. 기판(S)이 바디부(1210) 상에 안착되면, 바디부(1210)에 구비된 열선에 의해 가열된다. As shown in FIG. 6, the fork 1222 is moved up and down by the drive shaft 1229 and sequentially rotates and transfers the substrate S to the loading areas of the body part 1210. That is, the fork 1222 is elevated from the one insertion groove 1212 with respect to the substrate loaded in the one loading area, and then the substrate S is lifted up and rotated horizontally at a predetermined interval, To be placed in the loading area. Thereafter, the fork 1222 is lowered to place the substrate S in the loading area, and the fork 1222 is inserted into the other insertion groove 1212. For example, when the number of the forks 1222 is six, the fork 1222 may be rotated about the drive shaft 1229 at intervals of 30 degrees. When the substrate S is placed on the body part 1210, the substrate S is heated by the heat wire provided on the body part 1210.

이때, 포크(1222)는 각 기판(S)의 가장자리 부분과 복수의 위치에서 접촉가능하다. 즉, 포크(1222)와 기판(S)의 접촉면적을 최소화하였다. 따라서, 바디부(1210) 상에 형성된 포크(1222)가 삽입되는 삽입홈(1212)의 크기가 감소할 수 있다. 이에, 기판(S)이 바디부(1210) 상에 안착되는 경우, 기판(S)이 삽입홈(1212)과 접촉하는 면적은 감소하고, 기판(S)의 상면과 접촉하는 면적을 증가한다. 기판(S)과 바디부(1210)의 접촉면적이 증가하면 바디부(1210)가 전달하는 열이 기판(S) 전체영역에 용이하게 전달될 수 있다. At this time, the fork 1222 can contact the edge portion of each substrate S at a plurality of positions. That is, the contact area between the fork 1222 and the substrate S is minimized. Therefore, the size of the insertion groove 1212 into which the fork 1222 formed on the body portion 1210 is inserted can be reduced. Thus, when the substrate S is placed on the body portion 1210, the area in which the substrate S contacts the insertion groove 1212 decreases, and the area in contact with the upper surface of the substrate S is increased. When the contact area between the substrate S and the body part 1210 is increased, the heat transferred from the body part 1210 can be easily transferred to the entire area of the substrate S.

이처럼, 포크(1222)와 기판(S)의 접촉면적을 최소화하여, 기판(S)의 전체영역을 균일한 온도로 가열할 수 있다. 이에, 기판(S)에 대한 처리공정이 효과적으로 수행되어 생산되는 기판 및 기판 상의 박막 품질이 향상될 수 있다. 또한, 포크(1222)가 세 지점에서 기판(S)의 가장자리를 지지해주기 때문에, 포크(1222)가 기판(S)을 안정적으로 지지해줄 수 있다. 이에, 기판(S)이 포크 상에서 슬라이딩되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판(S)에 스크래치가 발생하거나 기판(S)이 포크(1222) 상에서 추락하여 파손되는 것을 억제하거나 방지할 수 있다. 이러한 과정을 거쳐 기판(S)에 대한 처리 공정이 완료되면, 게이트(1110)가 개방되고 이송로봇이 기판(S)을 챔버(1100) 외부로 이송시킨다.
In this manner, the contact area between the fork 1222 and the substrate S can be minimized, and the entire region of the substrate S can be heated to a uniform temperature. Thus, the processing process for the substrate S can be effectively performed, and the quality of the thin film formed on the substrate and the substrate to be produced can be improved. Further, since the fork 1222 supports the edge of the substrate S at three points, the fork 1222 can stably support the substrate S. Thus, the substrate S can be prevented from sliding on the fork. Therefore, it is possible to suppress or prevent the scratches on the substrate S or the substrate S falling down on the fork 1222 to be damaged. When the process for the substrate S is completed through this process, the gate 1110 is opened and the transfer robot transfers the substrate S to the outside of the chamber 1100.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in detail with reference to the specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims, as well as the appended claims.

S: 기판 1000: 기판처리장치
1100: 챔버 1110: 게이트
1200: 히터블록 1210: 바디부
1220: 지지부 1222: 포크
1222a: 연결부재 1222b: 지지부재
1222c: 접촉부재 1300: 가스공급기S: substrate 1000: substrate processing apparatus
1100: chamber 1110: gate
1200: heater block 1210:
1220: Support part 1222: Fork
1222a: connecting member 1222b: supporting member
1222c: contact member 1300: gas supplier

Claims (11)

복수의 기판이 안착되는 히터블록으로서,
상면, 상기 상면에 대향하는 하면, 상기 상면과 하면을 연결해주는 측면을 구비하는 바디부; 및
상기 복수의 기판을 지지하도록 상기 바디부의 상면에 설치되고, 상기 각 기판의 가장자리 부분과 복수의 위치에서 접촉가능한 지지부;를 포함하는 히터블록.As a heater block on which a plurality of substrates are placed,
A body portion having an upper surface, a lower surface facing the upper surface, and a side surface connecting the upper surface and the lower surface; And
And a support portion provided on an upper surface of the body portion to support the plurality of substrates, the support portion being capable of contacting the edge portions of the respective substrates at a plurality of positions. 청구항 1에 있어서,
상기 지지부는, 상하로 서로 결합되는 상부 및 하부 플레이트와, 상기 기판 하면의 상호 이격된 세 지점 이상과 접촉가능하고 상기 상부 및 하부 플레이트 사이에 결합되며 방사형으로 배치되는 복수의 포크를 포함하는 히터블록.The method according to claim 1,
The support portion includes upper and lower plates coupled to each other in an up-and-down manner, and a heater block including a plurality of forks radially disposed in contact with at least three mutually spaced apart positions on the lower surface of the substrate, . 청구항 2에 있어서,
상기 포크는, 일단이 상기 상부 및 하부 플레이트에 결합되는 연결부재, 일측이 상기 연결부재의 타단에 연결되고 상기 기판을 감싸도록 형성되는 지지부재, 및 상기 기판과 접촉하도록 상기 지지부재의 세 지점 이상에서 상기 지지부재 내측으로 돌출형성되는 접촉부재를 포함하는 히터블록.The method of claim 2,
Wherein the fork includes a connecting member having one end coupled to the upper and lower plates, a support member having one side connected to the other end of the connecting member and configured to surround the substrate, And a contact member protruding from the support member to the inside of the support member. 청구항 3에 있어서,
상기 접촉부재의 높이가 상기 지지부재의 높이보다 낮은 히터블록.The method of claim 3,
And the height of the contact member is lower than the height of the support member. 청구항 4에 있어서,
상기 지지부재의 상기 기판과 마주보는 부분에 상기 접촉부재를 향하여 하향경사지는 경사면 또는 라운딩면이 형성되는 히터블록.The method of claim 4,
And a sloped surface or a rounded surface inclined downward toward the contact member is formed at a portion of the support member facing the substrate. 청구항 3에 있어서,
상기 지지부재는 사각형의 링 또는 원형의 링 형태로 형성되고, 타측이 개방되는 히터블록.The method of claim 3,
Wherein the support member is formed in a rectangular ring or circular ring shape and the other side is opened. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바디부에 상기 지지부가 삽입가능한 삽입홈이 형성되고,
상기 지지부는 상하이동 및 회전이동이 가능한 히터블록.The method according to any one of claims 1 to 3,
An insertion groove into which the support portion can be inserted is formed in the body portion,
Wherein the support portion is movable up and down and rotated. 청구항 7에 있어서,
상기 삽입홈은 상기 기판의 둘레를 감싸도록 형성되는 히터블록.The method of claim 7,
And the insertion groove is formed so as to surround the periphery of the substrate. 복수의 기판을 처리하는 기판처리장치로서,
내부에 상기 기판이 처리되는 공간을 형성하는 챔버;
상기 챔버 내부로 가스를 공급하도록 상기 챔버의 상부에 연결되는 가스공급기; 및
상기 기판을 가열하도록 상기 챔버 내부에 상기 가스공급기와 대향되어 배치되는 히터블록;을 포함하고,
상기 히터블록은, 상면, 상기 상면에 대향하는 하면, 상기 상면과 하면을 연결해주는 측면을 구비하는 바디부, 및 상기 각 기판의 가장자리 부분을 세 지점 이상에서 접촉하도록 상기 바디부 상면에 설치되는 지지부를 포함하는 기판처리장치.A substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates,
A chamber defining a space in which the substrate is processed;
A gas supply connected to an upper portion of the chamber to supply gas into the chamber; And
And a heater block disposed inside the chamber so as to face the gas supply unit to heat the substrate,
The heater block includes a body portion having an upper surface, a lower surface opposed to the upper surface, a side surface connecting the upper surface and the lower surface, and a support portion provided on the upper surface of the body portion, And the substrate processing apparatus. 청구항 9에 있어서,
상기 지지부는, 상기 기판을 지지하도록 방사형으로 배치되는 복수의 포크를 포함하고,
상기 포크는, 상기 기판을 감싸도록 형성되는 지지부재, 및 상기 기판과 접촉하도록 상기 지지부재의 세 지점 이상에서 상기 지지부재 내측으로 돌출형성되는 접촉부재를 포함하는 기판처리장치.The method of claim 9,
Wherein the support includes a plurality of forks radially disposed to support the substrate,
Wherein the fork includes a support member formed to surround the substrate and a contact member protruding inward from the support member at three or more points of the support member in contact with the substrate. 청구항 10에 있어서,
상기 챔버에 상기 기판이 출입가능한 게이트가 구비되고,
상기 지지부재는 상기 챔버 내벽과 마주보는 부분이 개방되는 기판처리장치.The method of claim 10,
Wherein a gate is provided in the chamber so that the substrate can be taken in and out,
Wherein the support member opens a portion facing the chamber inner wall.
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