KR20160081463A - Cross-coupled-oscillator for generating a high frequency signal - Google Patents

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Abstract

Provided is a cross-coupled oscillator to generate a high frequency signal, capable of separately applying a bias to a base and a collector without a DC blocking capacitor. The disclosed cross-coupled oscillator includes: a first transistor which includes a first collector which receives a bias voltage from a collector bias, a first base which receives a bias voltage from a base bias through a (1-1)-th transmission line, and a first emitter; and a second transistor which includes a second collector which receives a bias voltage from the collector bias, a second base which receives a bias voltage from the base bias through a (2-1)-th transmission line, and a second emitter.

Description

고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기{Cross-coupled-oscillator for generating a high frequency signal}[0001] The present invention relates to a cross-coupled oscillator for generating a high frequency signal,

본 발명의 실시예들은 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 발진기의 효율을 개선하여 높은 주파수에 동작시킬 수 있는 크로스 커플드 발진기에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to a cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal, and more particularly, to a cross-coupled oscillator capable of improving the efficiency of the oscillator to operate at a high frequency.

고주파, 특히 테라헤르츠 THz 주파수 대역은 이미징, 분광학, 생화학 검출, 천문학, 광대역 통신 등 다양한 분야에 응용될 수 있다. 테라헤르츠 대역을 향한 관심은 점점 증가하는 추세이고 작은 크기, 저비용, 저전력 구동 등과 같은 장점이 있는 반도체 소자를 기반으로 한 테라헤르츠 시스템 구현에 동기 부여가 된다. The high frequency, especially the THz frequency band, can be applied to various fields such as imaging, spectroscopy, biochemical detection, astronomy, and broadband communication. Interest in the terahertz band is growing and is motivated by the implementation of terahertz systems based on semiconductor devices with advantages such as small size, low cost and low power driving.

테라헤르츠 시스템에서 중요한 역할을 수행하는 컴퍼넌트로 발진기가 있는데, 이는 송신단의 신호원 혹은 헤테로다인 구조에서 로컬 발진기로 쓰인다. 특히, 높은 주파수 대역에서 동작하는 발진기의 구현은 어려움이 많아 발진기의 동작 주파수, 출력 전력, 위상 잡음 등의 성능을 개선하기 위한 연구가 활발하게 진행 중이다. 이 때, 발진기를 고주파에서 동작시키기 위해서는 발진기를 구성하는 트랜지스터를 최대의 성능으로 동작할 수 있게 구성해야 한다. A component that plays an important role in a terahertz system is an oscillator, which is used as a local oscillator in the source or heterodyne structure of the transmitter. Particularly, it is difficult to implement an oscillator operating in a high frequency band, and researches are actively conducted to improve performance of an oscillator such as an operation frequency, an output power, and phase noise. At this time, in order to operate the oscillator at a high frequency, the transistors constituting the oscillator must be configured to operate with maximum performance.

도 1는 종래의 기술에 따른 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기의 개락적인 구성을 도시한 도면이다. 1 is a diagram showing a conventional configuration of a cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal according to a conventional technique.

도 1을 참조하면, 최대의 소자 성능을 얻기 위해서는 베이스 바이어스와 컬렉터 바이어스를 따로 인가해야 한다. 따라서, DC 블로킹 캐패시터(DC blocking capacitor)를 사용하여 베이스와 컬렉터를 분리하여 따로 바이어스를 인가해야 한다. Referring to FIG. 1, in order to obtain maximum device performance, a base bias and a collector bias must be separately applied. Therefore, a DC blocking capacitor is used to separate the base and the collector, and the bias must be applied separately.

그러나, 상기한 DC 블로킹 캐패시터는 기생 인덕턴스 성분을 가지고 있으므로 고주파 동작을 제한하는 요소가 되고, 추가적으로 칩 면적을 차지하게 되는 단점이 있다. However, since the DC blocking capacitor has a parasitic inductance component, it has a disadvantage that it limits the high-frequency operation and further occupies a chip area.

상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 DC 블로킹 캐패시터 없이 베이스와 컬렉터에 따로 바이어스를 인가할 수 있는 크로스 커플드 발진기를 제안하고자 한다.In order to solve the problems of the related art as described above, the present invention proposes a cross-coupled oscillator capable of separately applying a bias to a base and a collector without a DC blocking capacitor.

또한, 본 발명의 다른 목적은 DC 블로킹 캐패시터에서 발생되는 기생 인덕턴스 성분의 영향을 제거함으로써 발진기를 높은 주파수에서 동작시킬 수 있는 크로스 커플드 발진기를 제안하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a cross-coupled oscillator capable of operating an oscillator at a high frequency by eliminating the influence of a parasitic inductance component generated in a DC blocking capacitor.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 칩 면적을 줄일 수 있는 크로스 커플드 발진기를 제안하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a cross-coupled oscillator capable of reducing a chip area.

본 발명의 다른 목적들은 하기의 실시예를 통해 당업자에 의해 도출될 수 있을 것이다.Other objects of the invention will be apparent to those skilled in the art from the following examples.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 컬렉터, 제1-1 트랜스미션 라인을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 베이스, 및 제1 이미터를 포함하는 제1 트랜지스터; 및 상기 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 컬렉터, 제2-1 트랜스미션 라인을 통해 상기 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 베이스, 및 제2 이미터를 포함하는 제2 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기가 제공된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of driving a plasma display panel including a first collector receiving a bias voltage from a collector bias, a first base receiving a bias voltage from a base bias through a 1-1 transmission line, A first transistor including a first emitter; And a second transistor including a second collector receiving a bias voltage from the collector bias, a second base receiving a bias voltage from the base bias through a second-1 transmission line, and a second emitter; And a cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal.

상기 베이스 바이어스, 상기 제1-1 트랜스미션 라인, 상기 제2-1 트랜스미션 라인 및 상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 제1 노드에서 연결될 수 있다. The base bias, the 1-1 transmission line, the 2-1 transmission line, and the output terminal of the cascaded oscillator may be connected at a first node.

상기 베이스 바이어스는 저항을 통해 상기 제1 노드와 연결될 수 있다. The base bias may be coupled to the first node through a resistor.

상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 캐패시터를 통해 상기 제1 노드와 연결될 수 있다. The output terminal of the cross-coupled oscillator may be coupled to the first node through a capacitor.

상기 제1 컬렉터는 제1-2 트랜스미션 라인을 통해 상기 컬렉터 바이어스와 연결되고, 상기 제2 컬렉터는 제2-2 트랜스미션 라인을 통해 상기 컬렉터 바이어스와 연결될 수 있다. The first collector may be coupled to the collector bias through a first to second transmission line and the second collector may be coupled to the collector bias through a second to second transmission line.

상기 제1 이미터 및 제2 이미터는 접지와 연결될 수 있다. The first and second emitters may be coupled to ground.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기에 있어서, 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 컬렉터, 제1-1 트랜스미션 라인을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 베이스, 및 접지와 연결되는 제1 이미터를 포함하는 제1 트랜지스터; 및 상기 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 컬렉터, 제2-1 트랜스미션 라인을 통해 상기 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 베이스, 및 접지와 연결되는 제2 이미터를 포함하는 제2 트랜지스터;를 포함하되, 상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 상기 제1-1 트랜스미션 라인 및 상기 제1-2 트랜스미션 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기가 제공된다. According to another embodiment of the present invention, there is provided a cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal, comprising: a first collector receiving a bias voltage from a collector bias; a first collector receiving a bias voltage from the base bias through a first- A first transistor including a first base to be applied, and a first emitter connected to ground; And a second transistor coupled to the ground, the second transistor receiving a bias voltage from the base bias through a second-1 transmission line, a second transistor receiving a bias voltage from the collector bias, Wherein the output terminal of the cross-coupled oscillator is connected to the transmission line 1-1 and the transmission line 1-2. The cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal is provided.

본 발명에 따른 크로스 커플드 발진기는 DC 블로킹 캐패시터 없이 베이스와 컬렉터에 따로 바이어스를 인가할 수 있는 장점이 있다. The cross-coupled oscillator according to the present invention is advantageous in that a bias can be separately applied to the base and the collector without a DC blocking capacitor.

또한, 본 발명에 따른 크로스 커플드 발진기는 DC 블로킹 캐패시터에서 발생되는 기생 인덕턴스 성분의 영향을 제거함으로써 발진기를 높은 주파수에서 동작시킬 수 있는 장점이 있다. Also, the cross-coupled oscillator according to the present invention is advantageous in that the oscillator can be operated at a high frequency by eliminating the influence of the parasitic inductance component generated in the DC blocking capacitor.

또한, 본 발명에 따른 크로스 커플드 발진기는 칩 면적을 줄일 수 있는 장점이 있다. In addition, the cross-coupled oscillator according to the present invention has an advantage that the chip area can be reduced.

도 1는 종래의 기술에 따른 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기의 개락적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 크로스 커플드 발진기의 상세한 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 트랜스미션 라인의 종류의 하나인 마이크로스트립 라인의 개략적인 구조를 도시한 도면이다. 1 is a diagram showing a conventional configuration of a cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal according to a conventional technique.
2 is a diagram illustrating a detailed configuration of a cross-coupled oscillator according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a schematic structure of a microstrip line which is one of the types of transmission lines.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다. "및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.The terms "first "," second ", and the like can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The term "and / or" includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 크로스 커플드 발진기의 상세한 구성을 도시한 도면이다. 2 is a diagram illustrating a detailed configuration of a cross-coupled oscillator according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 크로스 커플드 발진기(200)는 두 개의 트랜지스터(M1, M2), 4개의 트랜스미션 라인(T1, T2, T3, T4), 저항(R) 및 캐패시터(C)를 포함한다. 2, a cross-coupled oscillator 200 according to an embodiment of the present invention includes two transistors M1 and M2, four transmission lines T1, T2, T3 and T4, a resistor R, (C).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 크로스 커플드 발진기(200)는 푸쉬-푸쉬 크로스 커플드 발진기일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 푸쉬- 푸쉬 방식이란 주파수가 fo/2 이고 위상차가 180°인 신호를 발생시키는 발진기의 두 출력 신호를 이용하여 fo의 주파수를 가지는 발진 신호를 만드는 발진기를 의미한다. According to an embodiment of the present invention, the cross-coupled oscillator 200 may be a push-push cross-coupled oscillator, but the present invention is not limited thereto. Here, the push-push method refers to an oscillator that generates an oscillation signal having a frequency of f o by using two output signals of an oscillator that generates a signal having a frequency of f o / 2 and a phase difference of 180 °.

이하, 각 구성요소 별로 그 기능을 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the function of each component will be described in detail.

제1 트랜지스터(M1)와 제2 트랜지스터(M2)는 크로스 커플드되어 연결된다. The first transistor M1 and the second transistor M2 are cross-coupled to each other.

또한, 제1 트랜지스터(M1)의 컬렉터(즉, 제1 컬렉터)는 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받고, 제1 트랜지스터(M1)의 베이스(즉, 제1 베이스)는 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받으며, 제1 트랜지스터(M1)의 이미터(즉, 제1 이미터)는 접지와 연결될 수 있다. In addition, the collector of the first transistor M1 (i.e., the first collector) receives a bias voltage from the collector bias, and the base (i.e., the first base) of the first transistor M1 receives a bias voltage from the base bias And the emitter of the first transistor M1 (i.e., the first emitter) may be coupled to ground.

이와 유사하게, 제2 트랜지스터(M2)의 컬렉터(즉, 제2 컬렉터)는 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받고, 제2 트랜지스터(M2)의 베이스(즉, 제2 베이스)는 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받으며, 제2 트랜지스터(M2)의 이미터(즉, 제2 이미터)는 접지와 연결될 수 있다. Similarly, the collector of the second transistor M2 (i.e., the second collector) receives a bias voltage from the collector bias, and the base of the second transistor M2 (i.e., the second base) And the emitter of the second transistor M2 (i.e., the second emitter) may be coupled to ground.

여기서, 제1 베이스는 트랜스미션 라인(T3)(이하, "제1-1 트랜스미션 라인(T3)"이라 함)을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받으며, 제2 베이스 역시 트랜스미션 라인(T2)(이하, "제2-1 트랜스미션 라인(T2)"이라 함)을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는다. Here, the first base receives a bias voltage from the base bias via a transmission line T3 (hereinafter referred to as "1-1 transmission line T3"), and the second base also receives a transmission line T2 , "2nd-1 transmission line T2"), the bias voltage is applied from the base bias.

이 때, 베이스 바이어스, 제1-1 트랜스미션 라인(T3), 제2-1 트랜스미션 라인(T2) 및 크로스 커플드 발진기의 출력 단자(OUT)는 제1 노드(N1)에서 연결된다. 이 경우, 베이스 바이어스는 저항(R)을 통해 제1 노드(N1)와 연결되고, 출력 단자(OUT)는 캐패시터를 통해 제1 노드와 연결된다. At this time, the base bias, the 1-1 transmission line T3, the 2-1 transmission line T2, and the output terminal OUT of the cross-coupled oscillator are connected at the first node N1. In this case, the base bias is connected to the first node N1 through the resistor R, and the output terminal OUT is connected to the first node through the capacitor.

또한, 제1 컬렉터는 트랜스미션 라인(T1)(이하, "제1-2 트랜스미션 라인(T1)"이라 함)을 통해 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받으며, 제2 컬렉터 역시 트랜스미션 라인(T4)(이하, "제2-2 트랜스미션 라인(T4)"이라 함)을 통해 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는다. The first collector is also supplied with a bias voltage from the collector bias through a transmission line Tl (hereinafter referred to as "1-2 transmission line Tl"), and the second collector is also connected to a transmission line T4 , And a "2-2 transmission line (T4)").

한편, 트랜스미션 라인은 전기를 통과시키는 도체로 이루어진 도선 근처에 그라운드 메탈이 위치되어 있는 구조를 의미한다. 일례로, 도 3에서는 트랜스미션 라인의 종류의 하나인 마이크로스트립 라인의 개략적인 구조를 도시하고 있다. On the other hand, the transmission line means a structure in which a ground metal is located near a conductor made of a conductor that passes electricity. For example, FIG. 3 shows a schematic structure of a microstrip line, which is one type of transmission line.

정리하면, 도 1에 도시된 종래의 크로스 커플드 발진기의 경우, 컬렉터와 베이스를 분리하여 바이어스를 인가하기 위한 DC 블로킹 캐패시터가 커플링 라인에 위치하고 있으며, 이로 인해 발진기를 높은 주파수에서 동작시킬 수 없고, 칩 면적이 큰 단점이 존재하였다. In summary, in the conventional cross-coupled oscillator shown in FIG. 1, a DC blocking capacitor for separating the collector and the base to apply a bias is located in the coupling line, thereby failing to operate the oscillator at a high frequency , And the chip area is large.

그러나. 도 2에 도시한 본 발명의 크로스 커플드 발진기의 경우, DC 블로킹 캐패시터를 제거하고, 두 개의 커플드 트랜스미션 라인을 이용하여 베이스 및 컬렉터 바이어스를 따로 인가하였다. 따라서, 높은 주파수에서의 발진 신호의 생성이 가능하며, 칩 면적을 소형화할 수 있는 장점이 있다. But. In the case of the cross-coupled oscillator of the present invention shown in FIG. 2, the DC blocking capacitor was removed and the base and collector biases were separately applied using two coupled transmission lines. Therefore, an oscillation signal can be generated at a high frequency, and the chip area can be miniaturized.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to particular embodiments, such as specific elements, and limited embodiments and drawings. However, it should be understood that the present invention is not limited to the above- Various modifications and variations may be made thereto by those skilled in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .

Claims (7)

컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 컬렉터, 제1-1 트랜스미션 라인을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 베이스, 및 제1 이미터를 포함하는 제1 트랜지스터; 및
상기 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 컬렉터, 제2-1 트랜스미션 라인을 통해 상기 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 베이스, 및 제2 이미터를 포함하는 제2 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기. A first transistor including a first collector receiving a bias voltage from a collector bias, a first base receiving a bias voltage from a base bias through a first transmission line, and a first emitter; And
And a second transistor including a second collector receiving a bias voltage from the collector bias, a second base receiving a bias voltage from the base bias through a second-1 transmission line, and a second transistor including a second emitter A cross-coupled oscillator for generating a high frequency signal. 제1항에 있어서,
상기 베이스 바이어스, 상기 제1-1 트랜스미션 라인, 상기 제2-1 트랜스미션 라인 및 상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 제1 노드에서 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기. The method according to claim 1,
Wherein the base bias, the first transmission line, the second transmission line, and the output terminal of the cross-coupled oscillator are connected at a first node. 제2항에 있어서,
상기 베이스 바이어스는 저항을 통해 상기 제1 노드와 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기. 3. The method of claim 2,
Wherein the base bias is coupled to the first node through a resistor. ≪ RTI ID = 0.0 >< / RTI > 제2항에 있어서,
상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 캐패시터를 통해 상기 제1 노드와 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기. 3. The method of claim 2,
And the output terminal of the cross-coupled oscillator is connected to the first node through a capacitor. 제1항에 있어서,
상기 제1 컬렉터는 제1-2 트랜스미션 라인을 통해 상기 컬렉터 바이어스와 연결되고, 상기 제2 컬렉터는 제2-2 트랜스미션 라인을 통해 상기 컬렉터 바이어스와 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기.The method according to claim 1,
Wherein the first collector is coupled to the collector bias through a first to second transmission line and the second collector is coupled to the collector bias through a second to second transmission line. Coupled oscillator. 제1항에 있어서,
상기 제1 이미터 및 제2 이미터는 접지와 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기.The method according to claim 1,
Wherein the first and second emitters are coupled to ground. ≪ RTI ID = 0.0 > 8. The < / RTI > 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기에 있어서,
컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 컬렉터, 제1-1 트랜스미션 라인을 통해 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제1 베이스, 및 접지와 연결되는 제1 이미터를 포함하는 제1 트랜지스터; 및
상기 컬렉터 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 컬렉터, 제2-1 트랜스미션 라인을 통해 상기 베이스 바이어스로부터 바이어스 전압을 인가받는 제2 베이스, 및 접지와 연결되는 제2 이미터를 포함하는 제2 트랜지스터;를 포함하되,
상기 크로스 커플드 발진기의 출력 단자는 상기 제1-1 트랜스미션 라인 및 상기 제1-2 트랜스미션 라인과 연결되는 것을 특징으로 하는 고주파 신호의 생성을 위한 크로스 커플드 발진기. A cross-coupled oscillator for generating a high-frequency signal,
A first transistor including a first collector receiving a bias voltage from a collector bias, a first base receiving a bias voltage from a base bias through a first transmission line, and a first emitter connected to ground; And
A second transistor having a second collector receiving a bias voltage from the collector bias, a second base receiving a bias voltage from the base bias through a second-1 transmission line, and a second emitter connected to ground; , ≪ / RTI &
And the output terminal of the cross-coupled oscillator is connected to the transmission line 1-1 and the transmission line 1-2.
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