KR20160081398A - View port and ingot growing apparatus including the same - Google Patents

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KR20160081398A
KR20160081398A KR1020140195175A KR20140195175A KR20160081398A KR 20160081398 A KR20160081398 A KR 20160081398A KR 1020140195175 A KR1020140195175 A KR 1020140195175A KR 20140195175 A KR20140195175 A KR 20140195175A KR 20160081398 A KR20160081398 A KR 20160081398A
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김정열
박형국
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

The present invention relates to a view port and an ingot growing apparatus comprising the same. The view port comprises: a body part communicated with an inner chamber; a first window arranged on the body part and transmitting lights inputted from the outside of the chamber; a window purge mounting the first window and forming an air curtain by using gas sprayed internally; and a second window disposed between the window purge and the body part and fixed by an intermediate structure. It is possible to prevent contamination sources from being deposited to the inner wall of the chamber and the first window as the flow of the sprayed gas is circulated easily in a lower portion of the first window, and the sprayed gas is concentrated to be discharged into the inner chamber through the second window.

Description

뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치{VIEW PORT AND INGOT GROWING APPARATUS INCLUDING THE SAME}VIEW PORT AND INGOT GROWING APPARATUS INCLUDING THE SAME

실시예는 뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a view pot and an ingot growing apparatus including the same.

일반적으로 웨이퍼의 재료가 되는 실리콘 단결정 잉곳은 초크랄스키법(CZ 법)에 의해 제조된다. CZ 법이란, 석영도가니에 실리콘을 넣고 석영도가니를 가열하여 실리콘을 용융시킨 후, 종자 결정(seed crystal)을 실리콘 융액에 접촉시켜 종자 단결정 표면에서 융액을 고체로 응고시킴에 따라 소정의 직경을 갖는 잉곳을 성장시키는 방법을 의미한다.In general, a silicon single crystal ingot to be a material of a wafer is manufactured by the Czochralski method (CZ method). The CZ method is a method in which silicon is put into a quartz crucible and the quartz crucible is heated to melt the silicon and then the seed crystal is brought into contact with the silicon melt to solidify the melt on the surface of the seed crystal, It means a method of growing an ingot.

이러한 잉곳을 성장시키는 장치는 챔버 내부에 구성되며, 상기 챔버는 반도체 등의 전자 부품 소재로 사용되는 웨이퍼용 잉곳을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공하였다.The apparatus for growing such an ingot is configured inside the chamber, and the chamber provided a space in which predetermined processes for growing an ingot for a wafer used as an electronic component material such as a semiconductor are performed.

또한 챔버는 오염물질 유입 방지 및 내부 분위기를 유지하기 위하여 밀봉되어 있기 때문에, 챔버 내부에서 성장하는 잉곳을 관찰하기 위한 별도의 뷰 포트(view port) 및 상기 뷰 포트를 포함하고 있으며, 이외에 이러한 뷰 포트를 통해 잉곳의 직경과 멜트 갭과 같은 공정 데이터를 측정하는 측정 센서들을 더 포함하고 있다.In addition, since the chamber is sealed to prevent inflow of contaminants and to maintain an inner atmosphere, the chamber includes a separate view port for observing the ingot growing inside the chamber and the view port. In addition, To measure process data such as the diameter of the ingot and the melt gap.

이러한 측정 센서를 이용한 공정 데이터의 정확한 측정은 잉곳의 품질을 결정하는 중요한 요소가 된다.Accurate measurement of process data using these measurement sensors is an important factor in determining the quality of the ingot.

그러나, 챔버 내부에서 발생된 다량의 가스 또는 기화된 산화물 입자가 챔버 내벽과 더불어, 뷰 포트 글래스(윈도우)에 증착됨으로써, 챔버 내벽과 뷰 포트 글래스를 오염시키는 원인을 제공하며, 이러한 뷰 포트 글래스의 오염으로 정확한 공정 데이터를 얻을 수 없는 문제를 가진다.However, a large amount of gas or vaporized oxide particles generated inside the chamber, along with the chamber inner wall, is deposited on the viewport glass (window), thereby providing a cause of contamination of the chamber inner wall and the view port glass, There is a problem that accurate process data can not be obtained due to contamination.

실시예는 뷰 포트 글래스로 진입하는 오염원 증착 현상을 막을 수 있는 뷰 포트 및 이를 포함한 잉곳 성장 장치를 제공한다.The embodiment provides a view port capable of preventing a contamination deposition phenomenon entering the view port glass and an ingot growing apparatus including the same.

실시예는 챔버 내부와 연통되는 바디부; 상기 바디부 상에 배치되며 상기 챔버 외부에서 유입되는 빛을 투과시키는 제1 윈도우; 상기 제1 윈도우를 안착시키고, 내부로 분사된 가스를 이용하여 에어 커튼을 형성하는 윈도우 퍼지; 및 상기 윈도우 퍼지와 상기 바디부 사이에 배치되며 중간 구조물에 의하여 고정되는 제2 윈도우; 를 포함하는 뷰 포트를 제공한다.The embodiment includes a body portion communicating with the interior of the chamber; A first window disposed on the body and allowing light to flow outside the chamber; Window purging to seat the first window and form an air curtain using the gas injected into the interior; And a second window disposed between the window purging and the body and fixed by an intermediate structure; As shown in FIG.

상기 제1 윈도우는 상기 윈도우 퍼지의 상부에 결합되는 윈도우 바디; 및 상기 윈도우 바디에 삽입되는 제1 글라스; 를 포함할 수 있다.The first window including a window body coupled to an upper portion of the window purge; And a first glass inserted into the window body; . ≪ / RTI >

상기 제2 윈도우는 상기 중간 구조물에 안착되는 제2 글래스; 및 상기 제2 글래스 상에 수직 방향으로 연결되어 배치된 가스 집중관; 을 포함할 수 있다.The second window is a second glass that is seated on the intermediate structure; And a gas concentration pipe vertically disposed on the second glass; . ≪ / RTI >

상기 가스 집중관의 표면은 블라스트 처리된 것일 수 있다.The surface of the gas concentration pipe may be blasted.

상기 챔버로 향하는 상기 글래스의 하부면과 상기 가스 집중관의 외부 표면은 블라스트 처리된 것일 수 있다.The lower surface of the glass toward the chamber and the outer surface of the gas concentration tube may be blasted.

상기 가스 집중관은 상기 제2 윈도우의 중심에서 일측 방향으로 치우쳐 배치되며, 상기 일측 방향은 상기 윈도우의 최대 폭 방향일 수 있다.The gas concentration pipe is disposed to be offset in one direction from the center of the second window, and the one direction may be the maximum width direction of the window.

상기 가스 집중관의 중심은 상기 제2 윈도우의 중심에서 상기 일측 방향으로 20mm 내지 25mm 이격되어 배치될 수 있다.The center of the gas concentration pipe may be disposed at a distance of 20 mm to 25 mm from the center of the second window in the one direction.

상기 제2 윈도우는 'T'자 형상을 가지며, 상기 가스 집중관의 수평 단면은 사각형 형상을 가질 수 있다.The second window has a 'T' shape, and the horizontal cross section of the gas concentration pipe may have a rectangular shape.

상기 제2 글래스에 대하여 수직하는 상기 가스 집중관의 높이는 30mm 내지 50mm일 수 있다.The height of the gas concentration pipe perpendicular to the second glass may be 30 mm to 50 mm.

상기 가스 집중관의 최대 폭은 40mm 내지 60mm일 수 있다.The maximum width of the gas concentration pipe may be 40 mm to 60 mm.

상기 가스 집중관은 2.5mm 내지 3.5mm의 두께를 가질 수 있다.The gas concentration pipe may have a thickness of 2.5 mm to 3.5 mm.

상기 중간 구조물은 상기 바디부와 플랜지 결합되며, 상기 제2 윈도우는 상기 중간 구조물에 플랜지 결합될 수 있다.The intermediate structure may be flanged to the body portion and the second window may be flanged to the intermediate structure.

상기 윈도우 퍼지는 상기 중간 구조물 상측에 결합되는 퍼지 바디; 및 상기 퍼지 바디의 일측에서 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 가스 분사부; 를 포함할 수 있다.A purge body coupled to the upper side of the intermediate structure to spread the window; And a gas spraying part for spraying gas from one side of the purge body to form an air curtain; . ≪ / RTI >

상기 중간 구조물과 상기 퍼지 바디 사이 및 상기 중간 구조물과 상기 제2 윈도우 사이는 오링 또는 삽입형 오링을 끼운 상태로 각각 체결될 수 있다.The intermediate structure and the purge body, and the intermediate structure and the second window may be fastened with an O-ring or an O-ring inserted therebetween, respectively.

상기 가스 분사부는 상기 가스의 분사 방향을 조절하는 가스 노즐을 포함할 수 있다.The gas injection unit may include a gas nozzle that adjusts the direction of gas injection.

상기 퍼지 바디는 상기 가스 분사부로부터 공급된 가스의 이동 통로가 되는 가스 안내부; 및 상기 가스 안내부와 상기 퍼지 바디 사이에 배치되며 상기 이동된 가스를 분사하는 복수 개의 가스 분출구; 를 포함할 수 있다.Wherein the purge body comprises: a gas guide portion serving as a passage for gas supplied from the gas spray portion; And a plurality of gas ejection openings disposed between the gas guide and the purge body for ejecting the moved gas; . ≪ / RTI >

상기 가스 분출구는 넓은 면적으로 상기 가스가 분사되도록 가로 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다.The gas outlet may have a shape extending in the transverse direction such that the gas is injected in a wide area.

상기 윈도우 퍼지는 분사된 상기 가스를 분개하는 경사진 턱; 을 더 포함할 수 있다.A slanting jaw that resists the injected gas of the window spreading; As shown in FIG.

다른 실시예는 챔버; 상기 챔버의 내부에 배치되며 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니; 상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상 수단; 및 상기 챔버의 일측에 배치되는 상술한 실시예의 뷰 포트; 를 포함하는 잉곳 성장 장치를 제공한다.Another embodiment includes a chamber; A quartz crucible disposed within the chamber and containing a silicon melt; A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot; And a view port of the above-described embodiment disposed at one side of the chamber; The ingot growing apparatus comprising:

잉곳 성장 장치의 실시예에서 상기 뷰 포트를 통해 상기 잉곳의 직경을 측정하는 센서부; 를 더 포함할 수 있다.A sensor unit for measuring the diameter of the ingot through the view port in the embodiment of the ingot growing apparatus; As shown in FIG.

상기 석영도가니는 안티모니(Sb)를 도펀트로 함유한 상기 실리콘 멜트를 수용할 수 있다.The quartz crucible may contain the silicon melt containing antimony (Sb) as a dopant.

실시예의 뷰 포트와 이를 포함한 잉곳 성장 장치는 제1 윈도우 및 제2 윈도우를 포함하여 윈도우 퍼지에서 분사된 가스의 흐름을 제1 윈도우 하부에서 원활하게 순환시키고, 챔버로부터 도입되는 불순물 유입을 제2 윈도우에서 물리적으로 차단하고 또한 분사된 가스를 집중시켜 배출시킴으로써 챔버 내벽과 제1 윈도우에 오염원이 증착되는 것을 억제시키는 효과가 있다.The view port of the embodiment and the ingot growing apparatus including the same can circulate the gas flow injected from the window purging smoothly in the lower portion of the first window including the first window and the second window, And it is also effective to suppress the deposition of contaminants on the inner wall of the chamber and the first window by discharging the injected gas.

이로써 실시예의 뷰 포트 및 이를 포함하는 잉곳 성장 장치를 이용하여 챔버 내부에서 성장하는 잉곳을 명확히 관찰할 수 있으며, 성장되는 잉곳의 직경 등의 챔버 내부의 공정 데이터를 정확하게 측정하며, 정확하게 측정된 공정 데이터를 통해 잉곳 성장 공정 조건을 결정하여, 고품질의 잉곳을 생산하고, 장비 운용 시간에 제한되지 않은 장점들을 제공한다.Thus, it is possible to clearly observe the ingot growing inside the chamber by using the view port of the embodiment and the ingot growing apparatus including the same, and accurately measure the process data in the chamber such as the diameter of the ingot to be grown, To determine ingot growth process conditions to produce high quality ingots and provide advantages not limited to equipment run time.

도 1은 일 실시예에 따른 잉곳 성장 장치(1000)를 도식화하여 나타낸 도면이고,
도 2는 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 구조(A)를 보다 상세하게 나타낸 도면이고,
도 3은 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 제2 윈도우(140) 구조를 보다 상세하게 나타낸 사시도이고,
도 4는 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 제2 윈도우(140) 구조를 보다 상세하게 나타낸 단면도이고,
도 5는 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 포함한 뷰 포트(100)의 평면 상태를 나타낸 도면이고,
도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 보다 상세하게 나타낸 사시도이고,
도 7은 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 절단한 상태를 나타낸 절단 사시도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 분리한 분리 사시도이다.
1 is a schematic diagram illustrating an ingot growing apparatus 1000 according to an embodiment,
2 is a more detailed view of structure A of view port 100 according to one embodiment,
3 is a perspective view illustrating the structure of the second window 140 of the view port 100 according to an exemplary embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view illustrating the structure of the second window 140 of the view port 100 according to an exemplary embodiment of the present invention,
5 is a plan view of a view port 100 including a window purge 130 according to an embodiment,
6 is a perspective view illustrating window purge 130 according to one embodiment in more detail,
7 is a cutaway perspective view showing a state in which the window purge 130 according to the embodiment is cut,
8 is an exploded perspective view illustrating a window purge 130 according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 일 실시예에 따른 잉곳 성장 장치(1000)를 도식화하여 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an ingot growing apparatus 1000 according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 잉곳 성장 장치(1000)는 챔버(10), 석영도가니(20), 히터(30), 인상수단(미도시), 열차폐체(40), 불활성 가스 주입부(50), 시드 척(70, seed chuck), 뷰 포트(100) 및 센서부(200)를 포함하여 구성된다.1, an ingot growing apparatus 1000 according to an embodiment includes a chamber 10, a quartz crucible 20, a heater 30, a lifting means (not shown), a heat shield 40, A seed chuck 70, a view port 100, and a sensor unit 200, as shown in FIG.

일 실시예의 잉곳 성장 장치에서, 챔버(10)는 반도체 등의 전자 부품 소재로 사용되는 웨이퍼용 잉곳을 성장시키기 위한 소정의 공정들이 수행되는 공간을 제공한다. 이러한 챔버(10)는 오염물질 유입 방지 및 내부 분위기를 유지하기 위하여 밀봉된 상태를 유지할 수 있다.In the ingot growing apparatus of one embodiment, the chamber 10 provides a space in which predetermined processes for growing a wafer ingot used as an electronic component material such as a semiconductor are performed. Such a chamber 10 can be kept sealed to prevent contaminant inflow and maintain an internal atmosphere.

다음으로, 본 발명에 따른 석영도가니(20)는 챔버(10)의 내부에 구비되어 실리콘 멜트(S)를 수용할 수 있다.Next, the quartz crucible 20 according to the present invention is provided inside the chamber 10 to receive the silicon melt S.

또한, 도 1에 도시된 실시예의 잉곳 성장 장치에서 히터(30)는 앞서 설명한 실리콘 멜트가 석영도가니(20)에 수용될 경우, 석영도가니(20)를 가열하여 실리콘을 용융시킬 수 있다.1, the heater 30 can heat the quartz crucible 20 to melt the silicon when the silicon melt described above is accommodated in the quartz crucible 20. In the case of the ingot growth apparatus shown in Fig.

이 경우, 히터(30)는 실리콘을 용융 시킨 후, 종자 결정(seed crystal)을 실리콘 융액에 접촉시킨 상태에서 회전하면서 서서히 끌어올려 종자 단결정 표면에서 융액을 고체로 응고시킬 수 있다. 이를 통해 소정의 직경을 갖는 잉곳을 챔버(10)내에서 성장시킬 수 있게 한다.In this case, the heater 30 may cause the melt to solidify on the surface of the seed crystal by melting the silicon, then gradually raising the seed crystal while rotating the seed crystal in contact with the silicon melt. Thereby allowing an ingot having a predetermined diameter to grow in the chamber 10.

시드척(70, seed chuck)은 실리콘 멜트에서 접하여 잉곳을 인상하는 시드(seed)를 고정할 수 있다. 또한, 인상 수단은 시드 척(70)을 승강 및 회전시키는 역할을 할 수 있다.The seed chuck 70 can be fixed to a seed for pulling the ingot in contact with the silicon melt. In addition, the lifting means can serve to raise and lower the seed chuck 70.

열차폐체(40)는 석영도가니(20) 상측에서 실리콘 멜트와 멜트 갭(M/G)을 형성시킨다.The heat shield 40 forms a silicon melt and a melt gap (M / G) on the quartz crucible 20.

또한, 불활성 가스 주입부(50)는 챔버(10) 내부에 불활성 가스, 예컨대 아르곤 가스(Ar gas)를 공급하여 불활성 가스의 흐름과 분위기를 제어할 수 있다.In addition, the inert gas injection unit 50 can control the flow and the atmosphere of the inert gas by supplying an inert gas such as Ar gas into the chamber 10.

도 1의 잉곳 성장 장치에서, 뷰 포트(100)는 챔버(10)의 일측에 구비되어 외부로부터 유입되는 빛을 투과시켜 챔버(10) 내부에서 진행되는 잉곳(ingot) 성장을 육안으로 관찰할 수 있도록 한다.1, the view port 100 is provided at one side of the chamber 10 to allow light from the outside to pass therethrough to allow ingot growth progressing inside the chamber 10 to be visually observed .

또한, 도 1에 도시된 센서부(200)는 앞서 설명한 뷰 포트(100)를 통해 잉곳의 성장 공정의 상황을 측정하는 역할을 할 수 있다. 이때, 잉곳의 직경과 같은 공정 상황을 측정하여 공정 데이터(raw data)로 출력하면, 공정 데이터에 기반하여 인상 속도와 같은 공정 조건이 결정되므로, 정확한 공정 데이터를 측정하는 것은 성장한 잉곳 품질에 큰 영향을 미칠 수 있다.In addition, the sensor unit 200 shown in FIG. 1 can measure the state of the growing process of the ingot through the view port 100 described above. At this time, if the process conditions such as the ingot diameter are measured and output as raw data, the process conditions such as the pulling rate are determined based on the process data. Therefore, accurate process data measurement has a great influence on the quality of the grown ingot Lt; / RTI >

특히, 잉곳 성장 공정 진행 중에 잉곳의 직경이 균일한지 여부는 잉곳의 품질을 결정하는 중요한 요소이므로, 뷰 포트(100)를 통해 성장하는 잉곳의 직경 등을 정확하게 측정하여야만 균일한 직경의 잉곳을 생산할 수 있다.In particular, whether or not the diameter of the ingot is uniform during the progress of the ingot growing process is an important factor for determining the quality of the ingot. Therefore, it is necessary to precisely measure the diameter of the ingot growing through the view port 100, have.

이러한 잉곳의 직경을 측정하는 센서부(200)로는 적외선 센서(IR sensor), CCD 카메라 또는 고온계(pyrometer) 다양한 센서가 사용될 수 있으며, 출력된 공정 데이터를 분석하여 인상 속도(P/S) 변경을 통해 잉곳의 직경을 제어하는 제어부로 ADC(Automatic Diameter Control) 센서가 사용될 수 있다.As the sensor unit 200 for measuring the diameter of the ingot, various sensors such as an infrared sensor (IR sensor), a CCD camera or a pyrometer can be used. The output process data is analyzed to change the pulling rate (P / S) An Automatic Diameter Control (ADC) sensor may be used as a control unit for controlling the diameter of the ingot.

뷰 포트(110)에 구비된 윈도우는 잉곳 성장 공정 진행 중에 불투명하게 오염될 수 있다.The window provided in the view port 110 may be opaquely contaminated during the progress of the ingot growing process.

예를 들면, 안티모니(Sb) 도펀트를 함유하는 실리콘 멜트에서 잉곳을 성장시키는 공정 중에는 기화된 안티모니가 윈도우에 흡착되어, 챔버(10) 내부를 전혀 관찰할 수 없을 정도로 윈도우(110)를 오염시킬 수 있다.For example, during the process of growing an ingot in a silicon melt containing an antimony (Sb) dopant, the vaporized antimony is adsorbed on the window, and the window 110 is contaminated to such an extent that the inside of the chamber 10 can not be observed at all .

이하에서는, 상술한 잉곳 성장 장치에 포함되는 뷰 포트(100)의 구조에 대하여 보다 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the structure of the view port 100 included in the above-described ingot growing apparatus will be described in more detail.

일 실시예에 따른 뷰 포트(100)는 앞서 설명한 기화된 안티모니 또는 산화물 입자를 포함하는 오염원이 윈도우에 흡착되지 않도록 오염원의 상승을 억제하고 챔버 내부(10)의 가스 흐름을 원활하게 하고자 복수 개의 윈도우, 예컨대 제1 윈도우(120) 및 제2 윈도우(140) 등을 포함할 수 있다.The view port 100 according to one embodiment may include a plurality of vanes (not shown) to suppress the rise of contaminants and smooth the gas flow in the interior of the chamber 10 so that the source of contamination containing the vaporized antimony or oxide particles, For example, a first window 120, a second window 140, and the like.

도 2는 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 구조(A)를 보다 상세하게 나타낸 도면이다.Figure 2 is a more detailed view of structure (A) of view port 100 according to one embodiment.

도 2를 참조하면, 일 실시예의 뷰 포트(100)는 바디부(110), 제1 윈도우(120), 윈도우 퍼지(130) 및 제2 윈도우(140)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, the view port 100 of one embodiment includes a body 110, a first window 120, a window purge 130, and a second window 140.

일 실시예에 따른 바디부(110)는 챔버(10)의 일측, 예컨대 챔버의 상부 일측에 배치되어 내부의 공정 상황을 관찰할 수 있도록 하는 챔버 내부와 연통되는 원통형 관으로 구성될 수 있다.The body 110 according to one embodiment may be configured as a cylindrical tube which is disposed at one side of the chamber 10, for example, at an upper side of the chamber, and communicates with the interior of the chamber to observe the process status therein.

예를 들면, 성장되는 잉곳과 실리콘 멜트의 표면이 만나는 지점의 메니스커스(meniscus)를 향할 수 있도록, 챔버(10)의 상부에서 상측으로 연장되며, 내경이 45cm 정도로 형성된 원통형 관 구조를 가질 수 있다.For example, it may have a cylindrical tube structure extending upward from the upper portion of the chamber 10 and having an inner diameter of about 45 cm so as to be able to face a meniscus at the point where the surface of the silicon melt and the ingot to be grown meet. have.

이러한 바디부(110)의 상측에는 윈도우 홀을 구비하며 상기 윈도우의 홀에는 빛을 투과할 수 있는 제1 윈도우(120)를 포함할 수 있다.The body 110 may have a window hole on the upper side thereof and may include a first window 120 through which light can pass.

제1 윈도우(120)는 챔버 외부에서 유입되는 빛을 투과할 수 있다.The first window 120 can transmit light entering from outside the chamber.

즉, 도 2의 실시예에서, 제1 윈도우(120)는 이후에 설명될 윈도우 퍼지(130)에 결합되는 윈도우 바디(122)와 상기 윈도우 바디(122)에 삽입되는 투명한 재질의 제1 글라스(121)를 포함할 수 있다.That is, in the embodiment of FIG. 2, the first window 120 includes a window body 122 coupled to the window purge 130 to be described later, and a first glass (e.g., 121).

이때, 제1 글라스(121)는 유리뿐만 아니라 빛을 투과할 수 있는 다양한 재질로 구성될 수 있으며, 예를 들어 열에 강하고 잉곳을 오염시키지 않는 석영 유리로 제작될 수 있다.At this time, the first glass 121 may be made of various materials capable of transmitting light as well as glass, for example, a quartz glass which is resistant to heat and does not contaminate the ingot.

도 2를 참조하면, 실시예의 뷰 포트(100)는 바디부(110)와 제1 윈도우(120) 사이에 제1 윈도우(120)로 오염물질이 접근하는 것을 막기 위하여 불활성 가스를 분사하는 윈도우 퍼지(130, window purge)를 포함할 수 있다. 이때, 분사되는 불활성 가스는 아르곤(Ar) 가스일 수 있다.Referring to FIG. 2, the view port 100 of the embodiment includes a window purge 100 for spraying an inert gas to prevent contaminants from approaching the first window 120 between the body 110 and the first window 120, (130, window purge). At this time, the injected inert gas may be argon (Ar) gas.

실시예에서 윈도우 퍼지(130)는 상술한 제1 윈도우(120)를 안착시키고, 이후에 설명될 중간 구조물(141) 상측에 결합되는 퍼지 바디(132) 및 퍼지 바디(132)의 일측에 배치된 가스 분사부(131)를 포함할 수 있다.The window purge 130 in the embodiment includes a purge body 132 and a purge body 132 disposed on one side of the purge body 132 to seat the first window 120 described above and to be coupled to the intermediate structure 141 to be described later And a gas jetting unit 131.

이중에서 가스 분사부(131)는 제1 윈도우(120)의 제1 글라스(121)의 하측으로 불활성 가스를 분사함으로써, 제1 글라스(121)로 오염 물질의 유입되는 것을 방지하고, 챔버에서 제1 윈도우(120)로 향하는 공기와 단절되도록 에어 커튼을 형성할 수 있다.The gas injection part 131 prevents the contaminants from flowing into the first glass 121 by injecting the inert gas into the lower side of the first glass 121 of the first window 120, The air curtain can be formed so as to be disconnected from the air directed to the first window 120. [

이와 같이, 불활성 가스를 분사하는 가스 분사부(131)는 노즐의 각도를 조절하여 제1 글라스(121)를 향해 가스를 분사함으로써, 제1 글라스(121)에 흡착된 오염 물질을 제거할 수도 있다.As described above, the gas spraying unit 131 for spraying the inert gas may remove the contaminants adsorbed in the first glass 121 by injecting gas toward the first glass 121 by adjusting the angle of the nozzle .

이러한 윈도우 퍼지(130)의 하부에는 제2 윈도우(140)가 배치될 수 있다.A second window 140 may be disposed under the window purge 130.

실시예에서 제2 윈도우(140)는 중간 구조물(141)을 매개로 윈도우 퍼지(130)와 바디부(110)의 사이에 배치될 수 있다.The second window 140 may be disposed between the window purge 130 and the body portion 110 via the intermediate structure 141. In this case,

제2 윈도우(140)는 윈도우 퍼지(130)에서 공급된 불활성 가스를 집중시켜 챔버(10) 쪽으로 배출되도록 할 수 있다.The second window 140 can concentrate the inert gas supplied from the window purge 130 and discharge the gas toward the chamber 10.

일 실시예의 뷰 포트에서 제2 윈도우(140)는 중간 구조물(141)에 안착되는 제2 글래스(142) 및 제2 글래스(142)의 수직 방향으로 연결되어 배치된 가스 집중관(143)을 포함할 수 있다.The second window 140 in the view port of the embodiment includes a second glass 142 that is seated in the intermediate structure 141 and a gas concentration tube 143 that is vertically connected and arranged in the second glass 142 can do.

이때, 수직 방향은 제2 글래스(142)의 수평면에 수직되는 일측 방향일 수 있다.In this case, the vertical direction may be one direction perpendicular to the horizontal plane of the second glass 142.

제2 윈도우의 제2 글래스(142)는 챔버로부터 제1 윈도우(120)로 유입되는 불순물을 물리적으로 차단할 수 있다.The second glass 142 of the second window can physically block impurities entering the first window 120 from the chamber.

또한, 제2 윈도우의 가스 집중관(143)은 윈도우 퍼지(130)의 가스 분사부(131)에서 분사하는 불활성 가스가 에어 커튼을 형성하면서 동시에 챔버 쪽으로 불활성 가스가 집중되어 흐를 수 있도록 할 수 있다.In addition, the gas concentration tube 143 of the second window may allow the inert gas injected from the gas injection part 131 of the window purge 130 to form an air curtain while at the same time allowing inert gas to flow toward the chamber .

이때, 제2 글라스(142) 및 가스 집중관(143)은 앞서 설명한 제1 윈도우(120)의 제1 글라스(121)와 마찬가지로 석영 유리로 제작될 수 있으나, 제2 윈도우(140)의 재질은 이에 한정되지 않는다.At this time, the second glass 142 and the gas concentration tube 143 may be made of quartz glass in the same manner as the first glass 121 of the first window 120 described above, but the material of the second window 140 is But is not limited thereto.

제2 윈도우(140)의 표면은 블라스트(Blast) 처리될 수 있다.The surface of the second window 140 may be blasted.

예를 들어, 제2 윈도우(140)의 외부 표면은 샌드블라스트(sand blast) 처리되어 제1 윈도우(120)를 통해 투과된 빛의 산란 현상을 막을 수 있다.For example, the outer surface of the second window 140 may be sandblasted to prevent scattering of light transmitted through the first window 120.

또한, 제2 윈도우의 가스 집중관(143)의 외부 표면, 즉 불활성 가스의 배출관이 되는 내부가 아닌 챔버쪽으로 향한 외부 표면은 블라스트 처리된 표면일 수 있다.In addition, the outer surface of the gas concentration tube 143 of the second window, that is, the outer surface facing the non-interior chamber, which is the discharge pipe of the inert gas, may be a blasted surface.

이때, 가스 집중관(143)의 표면을 블라스트 처리함으로써 뷰 포트를 통하여 챔버 외부에서 잉곳의 직경을 센싱할 때, 가스 집중관(143)의 표면에서의 빛 산란을 최대한 억제시킬 수 있어 측정에 대한 오류, 예컨대 잉곳의 직경 측정 오류를 최소화할 수 있다.At this time, when the diameter of the ingot is sensed from the outside of the chamber through the view port by blasting the surface of the gas concentration tube 143, light scattering on the surface of the gas concentration tube 143 can be suppressed as much as possible, Errors, for example errors in measuring the diameter of the ingot, can be minimized.

한편, 가스 집중관(143)의 외부 표면뿐 아니라 가스 집중관(143)의 내부도 블라스트 처리할 수 있으며, 또한 제2 윈도우(140)의 제2 글라스(142)도 블라스트 처리할 수도 있다. 이러한 제2 글라스(142)의 표면을 블라스트 처리함으로써, 상술한 바와 같이 빛의 산란에 의한 측정 오류를 최소화할 수 있다.The inner surface of the gas concentration tube 143 may be blasted as well as the outer surface of the gas concentration tube 143. The second glass 142 of the second window 140 may also be blasted. By blasting the surface of the second glass 142, measurement errors due to light scattering can be minimized as described above.

상술한 제2 윈도우(140)는 바디부(110)와 플랜지(Flange) 결합된 중간 구조물(141)에 안착되어 중간 구조물(141)에 플랜지 결합될 수 있다.The second window 140 may be seated on the intermediate structure 141 coupled to the flange part of the body part 110 and may be flanged to the intermediate structure 141.

이때, 중간 구조물(141)은 제2 윈도우(140)를 안착시켜 플랜지 결합될 뿐만 아니라 앞서 설명한 윈도우 퍼지(130)의 퍼지 바디(132)와도 플랜지 결합될 수도 있다.At this time, the intermediate structure 141 may be flanged to the purge body 132 of the window purge 130 as well as to be flanged by seating the second window 140.

이 경우, 중간 구조물(141)과 퍼지 바디(132) 사이 및 중간 구조물(141)과 제2 윈도우(140) 사이에는 플랜지 결합된 부위에 오링(150) 또는 삽입형 오링(160)을 끼운 상태로 각각 플랜지 결합 함으로써, 뷰 포트(100)의 홀을 완전하게 밀폐시켜 챔버(10)의 밀봉 상태를 유지시켜 줄 수 있다.In this case, an O-ring 150 or an insertion-type O-ring 160 is inserted between the intermediate structure 141 and the purge body 132 and between the intermediate structure 141 and the second window 140, By the flange coupling, the hole of the view port 100 can be completely closed to maintain the sealed state of the chamber 10.

그러나, 위와 같은 오링(150) 또는 삽입형 오링(160)은 다양한 형태를 가질 수 있음은 물론이다.However, it goes without saying that the O-ring 150 or the O-ring 160 may have various shapes.

더욱이, 윈도우 퍼지(130), 중간 구조물(141) 및 바디부(110)에는 나사 홈이 마련되고 이 나사홈에 볼트(180)가 체결됨으로써, 윈도우 퍼지(130), 중간 매개물(141) 및 바디부(110) 사이는 단단하게 고정 및 결합될 수 있다.The window purge 130, the intermediate structure 141, and the body 110 are provided with screw grooves, and the bolts 180 are fastened to the screw holes. Thus, the window purge 130, the intermediate medium 141, And the portions 110 can be firmly fixed and coupled.

또한, 도 2를 참조하면 볼트(180)는 제1 윈도우의 윈도우 바디(122)와 윈도우 퍼지(130), 중간 구조물(141)까지 관통하여 삽입될 수 있으며, 제1 윈도우(120), 윈도우 퍼지(130) 및 제2 글래스(132)가 안착된 중간 구조물(141)까지 결합하여 고정할 수 있다.2, the bolt 180 may be inserted through the window body 122 of the first window, the window purge 130, the intermediate structure 141, and the first window 120, To the intermediate structure 141 on which the first glass 130 and the second glass 132 are seated.

한편, 도 2에서 볼트(180)는 뷰 포트(100) 단면에서 일측에만 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정하지 않으며 적어도 하나 이상의 볼트(180)가 더 배치될 수 있다.2, the bolts 180 are disposed on only one side of the view port 100. However, the present invention is not limited thereto, and at least one or more bolts 180 may be further disposed.

또한, 도 2를 참조하면, 윈도우 퍼지의 퍼지 바디(132)와 제2 윈도우의 중간 구조물(141)은 직경 방향으로 돌출 부위를 가질 수 있으며, 돌출된 부위에서 서로 볼트(180a)에 의하여 결합될 수 있다.2, the purge body 132 of the window purge and the intermediate structure 141 of the second window may have protruding portions in the radial direction, and the protruded portions may be coupled to each other by the bolts 180a .

제2 윈도우(140)는 볼트(180, 180a)의 체결에 의하여 뷰 포트의 다른 구성과 결합될 수 있으며, 볼트(180, 180a) 체결을 해체하여 용이하게 교체될 수 있다.The second window 140 can be coupled with other configurations of the view port by fastening the bolts 180 and 180a and can be easily replaced by disassembling the bolts 180 and 180a.

또한, 상술한 바와 같이 각 구성들 간에는 플랜지 결합이 이루어졌으나 이에 한정되지 않고 다양한 체결 구조를 가짐은 물론이다.In addition, as described above, flanges are coupled between the respective components, but it is needless to say that they have various fastening structures.

일 실시예의 뷰 포트는 제2 윈도우(140) 구성을 포함함으로써, 제1 윈도우(120)의 글라스 오염을 방지할 수 있어 챔버 내부의 공정 상황을 정확하게 관찰 및 측정할 수 있으며, 정확하게 측정된 데이터로 공정 조건을 제어하여 고품질의 잉곳을 생산할 수 있다.By including the second window 140 configuration, the view port of one embodiment can prevent glass contamination of the first window 120, allowing accurate observation and measurement of process conditions within the chamber, It is possible to produce high quality ingots by controlling process conditions.

또한, 제2 윈도우(140)는 중간 구조물(141)에 결합되어 뷰 포트에 포함될 수 있어 제2 윈도우(140)만을 탈착하는 것이 용이하므로 제2 윈도우(140)가 오염된 경우 세척 또는 교환을 용이하게 할 수 있다.The second window 140 may be coupled to the intermediate structure 141 and may be included in the view port to facilitate detachment of the second window 140 and thus facilitate cleaning or replacement when the second window 140 is contaminated .

한편, 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)는 메니스커스를 향하기 위하여 비스듬하게 기울어져 형성될 수 있다. 이렇게 기울어진 뷰 포트(100)에 효과적인 에어 커튼을 형성하기 위해 뷰 포트(100)의 상부에서 뷰 포트(100)의 하부로 가스를 분사할 수 있다.Meanwhile, the view port 100 according to one embodiment may be formed to be inclined at an oblique angle to direct the meniscus. In order to form an effective air curtain on the inclined view port 100, gas may be injected from the upper portion of the view port 100 to the lower portion of the view port 100.

또한, 챔버(10)의 내부에서 불활성 가스의 흐름은 잉곳이 성장하는 상부 챔버에서 하부 챔버로 흐르기 때문에, 이러한 가스의 흐름을 방해하지 않기 위해 가스 분사부(131)는 뷰 포트(100)의 상부에서 하부로 가스를 분사할 수 있다.Since the flow of the inert gas in the chamber 10 flows from the upper chamber to the lower chamber in which the ingot grows, the gas jetting portion 131 does not interfere with the flow of the gas, The gas can be injected to the lower part of the chamber.

이 경우, 뷰 포트(100)에서 불활성 가스의 순환이 보다 원활하게 이루어질 수 있고, 제2 윈도우(140)의 가스 집중관(143)으로 순환된 불활성 가스를 보다 확실하게 집중시켜 챔버(10) 쪽으로 배출시킬 수 있다.In this case, the inert gas can be smoothly circulated in the view port 100, and the inert gas circulated to the gas concentration pipe 143 of the second window 140 can be concentrated more reliably toward the chamber 10 Can be discharged.

또한, 실시예의 뷰 포트에서는 가스 집중관(143)의 불활성 가스 집중을 통해 챔버(10)의 내부로 배출되면 기존에 남아 있던 챔버 내부 가스 흐름(예: Ar gas)이 셀(cell) 형태를 가지고 있던 것을 파괴시켜 챔버(10)의 내부에 흐르는 가스 흐름을 보다 원활하게 함으로써, 챔버(10)의 내벽에서의 오염원의 증착을 억제하거나 증착된 오염원을 제거할 수 있다.In the view port of the embodiment, when the gas concentration pipe 143 is discharged into the chamber 10 through the concentration of the inert gas, the existing gas flow (for example, Ar gas) existing in the chamber has a cell shape It is possible to suppress the deposition of the contamination source on the inner wall of the chamber 10 or to remove the deposited source by making the gas flow flowing inside the chamber 10 more smooth.

도 3은 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 제2 윈도우(140) 구조를 보다 상세하게 나타낸 사시도이고, 도 4는 뷰 포트(100)의 제2 윈도우(140)를 상측에서 바라본 단면도이다.3 is a perspective view illustrating the structure of the second window 140 of the view port 100 according to an exemplary embodiment of the present invention and FIG. 4 is a sectional view of the second window 140 of the view port 100 as viewed from above .

도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)의 제2 윈도우(140)는 제2 글래스(142) 및 제2 글래스(142)의 일측 수평면, 예를 들어 제2 글래스의 하부면에 연결되어 형성된 가스 집중관(143)을 포함한다.As shown, the second window 140 of the view port 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first glass 142 and a second glass 142 on one horizontal side of the second glass 142, for example, And a gas concentration tube 143 formed to be connected thereto.

가스 집중관(143)은 제2 윈도우의 중심에서 일측 방향으로 치우쳐서 배치될 수 있다. 이때, 일측 방향은 제2 윈도우의 최대 폭 방향일 수 있다.The gas concentration tube 143 may be disposed biased in one direction from the center of the second window. At this time, one direction may be the maximum width direction of the second window.

도 4를 참조하면, 가스 집중관(143)의 중심(O1)은 제2 윈도우의 중심(O2)에서 일측 방향으로 이격되어 배치될 수 있으며, 도 4에서 두 개의 중심(O1 및 O2) 사이의 간격은 X일 수 있다.4, the center O1 of the gas concentration tube 143 may be spaced away from the center O2 of the second window in one direction, and between the two centers O1 and O2 in FIG. The spacing can be X.

이때, 이격 된 간격 X는 20mm 내지 25mm일 수 있다.At this time, the spaced distance X may be 20 mm to 25 mm.

이격 된 간격이 20mm 내지 25mm를 벗어날 경우, 센서부(200)에서 잉곳 직경 측정시 제2 윈도우(140)가 간섭 현상을 야기할 수 있다.When the spacing distance is out of the range of 20 mm to 25 mm, the second window 140 may cause an interference phenomenon when measuring the ingot diameter in the sensor unit 200.

도 3을 참조하면, 제2 윈도우에 포함된 제2 글래스(142)는 가로 및 세로 폭이 다르고, 가로 및 세로 폭 중 넓은 폭을 사이에 두고 마주 보는 양측에서 곡면을 갖는 형상을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3, the second glass 142 included in the second window may have a shape having a curved surface on both sides facing each other with a width and a width different from each other and a wide width between the width and the width.

제 2 윈도우(140)는 석영 유리로 제작될 수 있다.The second window 140 may be made of quartz glass.

이때, 제2 글래스(142)의 두께(t)는 0.1mm 내지 20mm 범위를 가질 수 있다. 제2 글래스(142)의 두께가 0.1mm보다 작을 경우 제2 글래스의 가공이 어려울 수 있으며, 또한 강도(strength)가 확보되지 못할 수 있다. 또한 제1 윈도우(120)를 통과한 빛을 다시 투과시킬 수 있도록 하기 위하여 두께(t)는 20mm 이하일 수 있다.At this time, the thickness t of the second glass 142 may range from 0.1 mm to 20 mm. If the thickness of the second glass 142 is less than 0.1 mm, the processing of the second glass may be difficult and the strength may not be ensured. Also, the thickness t may be less than or equal to 20 mm so that light passing through the first window 120 can be transmitted again.

또한, 가스 집중관(143)은 제2 글래스(142)와 연통되어 배치되어 사각형 형상을 가질 수 있다.In addition, the gas concentration tube 143 may be disposed in communication with the second glass 142 to have a rectangular shape.

도 3을 참조하면, 일 실시예의 뷰 포트에서 가스 집중관(143)의 수평 단면은 직사각형 형상일 수 있다.Referring to FIG. 3, the horizontal cross section of the gas concentration tube 143 in the view port of one embodiment may have a rectangular shape.

하지만, 가스 집중관(143)의 형상은 도면에 도시된 실시예에 한정하지 않으며, 다양한 형상을 가질 수 있다.However, the shape of the gas concentration tube 143 is not limited to the embodiment shown in the drawings, and may have various shapes.

도 3을 참조하면, 제2 글래스(142) 및 가스 집중관(143)을 포함한 제2 윈도우(140)를 측면에서 바라보면, 'T'자 형상을 가질 수 있다. 이러한 “T”자 형상의 제2 윈도우(140)에서 가스 집중관(143)은 제2 글래스(142)를 기준으로 30mm 내지 50mm의 높이(H)를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3, the second window 140 including the second glass 142 and the gas concentration tube 143 may have a 'T' shape when viewed from the side. In this second window 140 of the " T " shape, the gas concentration tube 143 may have a height H of 30 mm to 50 mm with respect to the second glass 142.

또한, 도 3의 실시예에서 가스 집중관(143)의 최대 폭(L)은 40mm 내지 60mm일 수 있다. 이때, 가스 집중관에서 최대 폭은 챔버 외부에 배치된 센서부(도 1에서 200)의 이동 범위일 수 있다.Further, in the embodiment of FIG. 3, the maximum width L of the gas concentration pipe 143 may be 40 mm to 60 mm. At this time, the maximum width of the gas concentration pipe may be the moving range of the sensor unit (200 in FIG. 1) disposed outside the chamber.

한편, 도 3에 도시된 실시예에서 가스 집중관(143)은 도면의 도시를 기준으로 제2 글래스(142)의 우측 끝단으로부터 좌측 방향으로 40mm 내지 50mm 떨어져 위치하고(S1), 제2 글래스(142)의 상측 끝단으로부터 하측 방향으로 30mm 내지 38mm 떨어져 위치(S2)할 수 있다. 이는 센서부(200)의 센싱 범위와 일치되도록 형성되는 것일 수 있다.3, the gas concentration tube 143 is positioned at a distance of 40 to 50 mm from the right end of the second glass 142 in the left direction (S1), and the second glass 142 (S2) at a distance of 30 mm to 38 mm in the downward direction. Which may be formed to coincide with the sensing range of the sensor unit 200.

또한, 도 3에 도시된 실시예에서, 가스 집중관(143)은 2.5mm 내지 3.5mm의 두께(T)으로 제작될 수 있다. 두께(T)가 2.5mm보다 작을 경우 빛의 산란 현상이 일어날 수 있으며, 3.5mm 이하의 두께로 제작될 경우 제작 비용을 절감할 수 있다.Further, in the embodiment shown in FIG. 3, the gas concentration tube 143 may be manufactured with a thickness T of 2.5 mm to 3.5 mm. If the thickness (T) is less than 2.5 mm, scattering of light may occur, and if the thickness is less than 3.5 mm, the manufacturing cost may be reduced.

도 5는 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 포함한 뷰 포트(100)의 평면 상태를 나타낸 도면이고, 도 6은 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 보다 상세하게 나타낸 사시도이며, 도 7은 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 절단한 상태를 나타낸 단면 사시도이다.FIG. 5 is a plan view of a view port 100 including a window purge 130 according to an exemplary embodiment. FIG. 6 is a perspective view illustrating a window purge 130 according to an exemplary embodiment in more detail. 7 is a cross-sectional perspective view illustrating a state in which the window purge 130 according to an embodiment is cut.

도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 뷰 포트(100)는 가스 분사부(131)로 가스를 공급하기 위하여, 가스 공급부(170)를 더 구비할 수 있다. 가스 공급부(170)는 가스 라인(171)을 통해 가스 분사부(131)와 연결되어 불활성 가스를 공급할 수 있다.As shown, the view port 100 according to an embodiment may further include a gas supply unit 170 to supply gas to the gas injection unit 131. The gas supply unit 170 may be connected to the gas injection unit 131 through the gas line 171 to supply the inert gas.

이때, 가스 라인(171)에는 가스 벨브(172) 및 가스 플로우 미터(gas flow meter)가 설치되어 공급 압력을 조절하고 분사된 가스 유량을 확인함으로써, 적절한 가스 공급 압력과 분사된 총 가스 유량을 제어할 수도 있다.At this time, a gas valve 172 and a gas flow meter are installed in the gas line 171 to control the supply pressure and the flow rate of the injected gas, thereby controlling the proper gas supply pressure and the total gas flow rate You may.

예를 들어, 윈도우 퍼지(130)에서 분사되는 가스는 불활성 가스로 아르곤 가스(Ar gas)가 사용될 수 있으며, 아르곤 가스의 공급 압력은 2.5kg/cm2 내지 2.8 kg/cm2 사이에서 형성될 수 있다. 그리고, 총 분사된 가스 유량은 20 lpm 이하일 수 있다.For example, argon gas (Ar gas) may be used as an inert gas to be injected from the window purge 130, and a supply pressure of argon gas may be formed between 2.5 kg / cm 2 and 2.8 kg / cm 2. And, the total injected gas flow rate may be less than 20 lpm.

이러한 가스 공급부(170)는 윈도우 퍼지(130)에 가스를 공급하도록 별도로 구성되는 것도 가능하나, 설비의 편의를 위하여 불활성 가스 주입부(50)로 불활성 가스를 공급하는 라인을 분개하여 가스 라인(171)을 구성할 수도 있다.The gas purifier 170 may be separately configured to supply the gas to the window purge 130. However, for the sake of convenience, the line for supplying the inert gas to the inert gas injecting unit 50 is branched to the gas purge line 170 ).

이 경우, 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)는 플랜지로 형성되는데, 플랜지를 이루는 퍼지 바디(132)의 내부에는 앞서 설명한 가스 공급부(170)로부터 공급된 가스가 이동하는 통로인 가스 안내부(133)를 포함하고, 상기 가스 안내부(133)와 퍼지 바디(132) 사이에는 이동된 가스를 분사하는 가스 분출구(134)를 포함할 수 있다.In this case, the window purge 130 according to the embodiment is formed as a flange. Inside the purge body 132 forming the flange, a gas guide 133 (see FIG. 1), which is a passage through which the gas supplied from the gas supply unit 170 is moved, And a gas jet port 134 for jetting the moved gas between the gas guide 133 and the purge body 132. [

이를 통해, 가스 분사부(131)가 퍼지 바디(132)의 일측에서 내부로 가스를 공급하면, 공급된 가스는 가스 안내부(133)를 따라 가스 분출구(134)로 이동됨으로써, 가스 분출구(134)에서 이동된 가스가 분출되어 에어 커튼을 형성할 수 있게 된다.When the gas injecting section 131 supplies the gas from one side of the purge body 132 to the inside thereof, the supplied gas moves to the gas jetting port 134 along the gas guiding section 133, whereby the gas jetting port 134 The gas can be ejected to form an air curtain.

즉, 퍼지 바디(132)에서 가스를 분사하고자 하는 위치에 가스 분출구(134)가 형성되고, 가스 분사부(131)와 가스 분출구(134)가 가스 안내부(133)를 통해 연결되면, 가스 분사부(131)가 가스를 공급하는 위치에 관계없이 원하는 위치에서 가스를 분사할 수 있게 된다.That is, when the gas injection port 134 is formed at a position where the gas is to be injected in the purge body 132 and the gas injection port 131 and the gas injection port 134 are connected through the gas guide part 133, The gas can be injected at a desired position irrespective of the position at which the gasket 131 supplies gas.

다시 말해, 실시예에서 윈도우 퍼지(130)는 가스 분사부(131)가 뷰 포트(100)의 하부측 퍼지 바디(132)에 구비되고, 가스 분출구(134)가 뷰 포트(100)의 상부측 퍼지 바디(132)에 구비되도록 함으로써, 가스 분사부(131)와 가스 분출구(134)는 퍼지 바디(132)를 따라 형성된 가스 안내부(133)를 통해 연결되는 구조를 가질 수 있다. In other words, in the embodiment, the window purge 130 is provided in the lower purge body 132 of the view port 100, and the gas jet port 134 is provided on the upper side of the view port 100 The gas injection unit 131 and the gas injection port 134 may be connected to each other through the gas guide unit 133 formed along the purge body 132. [

이러한 구조로 인하여, 뷰 포트(100)의 하부 측에서 분사된 가스는 가스 안내부(133)를 따라 이동하여 뷰 포트(100)의 상부측으로 분사될 수 있다. 이때, 가스 분출구(134)는 에어 커튼의 면적을 넓히기 위하여, 복수 개로 구성될 수 있으며, 도시된 바와 다르게 가로 방향으로 연장된 홀 형상으로 구성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.Due to such a structure, the gas injected from the lower side of the view port 100 can be moved along the gas guide portion 133 and injected toward the upper side of the view port 100. [ In this case, in order to increase the area of the air curtain, a plurality of gas outlets 134 may be formed. Alternatively, the gas outlets 134 may be formed in a shape extending in the transverse direction.

이와 같이, 에어 커튼을 형성하는 윈도우 퍼지(130)의 구조로 인하여, 실시예에서는 제1 윈도우(120)의 글라스(121)의 오염을 차단할 수 있고, 동시에 제2 윈도우(140)의 가스 집중관(143)으로 불활성 가스를 집중시키는데 도움을 줄 수 있다.In this embodiment, the contamination of the glass 121 of the first window 120 can be prevented, and at the same time, the gas concentration of the second window 140 can be prevented from being caused by the structure of the window purge 130 forming the air curtain, Lt; RTI ID = 0.0 > 143 < / RTI >

도 8은 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)를 분리한 분리 사시도이다.8 is an exploded perspective view illustrating the window purge 130 according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)는 앞서 도 2에서 설명한 실시예에서 윈도우 퍼지(130)의 구조만 변형된 것일 수 있다. 이하, 상술한 실시예의 설명과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으나, 상술한 실시예의 윈도우 퍼지(130)와 공통되는 부분에 대해서는 후술하는 실시예서도 동일하게 적용됨은 물론이다.Referring to FIG. 8, the window purge 130 according to one embodiment may be a modification of the structure of the window purge 130 in the embodiment described above with reference to FIG. Hereinafter, the same elements as those of the above-described embodiment will be described again. However, the same parts as those of the window purging 130 of the above-described embodiment are also applied to the following embodiments.

일 실시예에 따른 윈도우 퍼지(130)는 가스 분출구(134)와 제1 윈도우(120)에 구비된 글라스(121)의 하면 사이에서 분사된 가스를 분개하는 경사진 턱(135)을 더 포함할 수 있다.The window purge 130 according to an embodiment further includes a tilted jaw 135 that resigns gas injected between the gas jet port 134 and the lower surface of the glass 121 provided in the first window 120 .

이러한 경사진 턱(135)이 구비되면, 가스 분출구(134)에서 분출된 가스가 경사진 턱을(135)을 거치면서 분개되므로, 제1 윈도우(120)에 구비된 글라스(121)의 하측 수평면에 균일하고 조밀하게 에어 커튼을 형성하는데 효과적일 수 있다.When the inclined jaw 135 is provided, the gas ejected from the gas ejection port 134 is resigned through the inclined jaw 135, so that the lower horizontal surface of the glass 121 provided in the first window 120 So that the air curtain can be uniformly and densely formed.

보다 구체적으로, 도 8에 도시된 윈도우 퍼지(130) 실시예에서는 가스를 분사하는 제1 윈도우 퍼지(130a)와 그 하면에 결합되는 제2 윈도우 퍼지(130b)를 포함할 수 있다.More specifically, the window purge 130 embodiment shown in FIG. 8 may include a first window purge 130a for injecting gas and a second window purge 130b coupled to a lower surface thereof.

이때, 제 1 윈도우 퍼지(130a)는 가스를 공급하는 가스 분사부(131), 공급된 가스를 안내하는 가스 안내부(133), 안내된 가스를 수직 방향으로 분사하는 가스 분출구(134) 및 분출된 가스를 분개하는 경사진 턱(135)을 포함할 수 있다.At this time, the first window purge 130a includes a gas spraying part 131 for supplying gas, a gas guide part 133 for guiding the supplied gas, a gas spouting part 134 for spraying the guided gas in the vertical direction, And an inclined jaw 135 that resigns the gas.

이러한 제1 윈도우 퍼지(130a)의 하면에는 제2 윈도우 퍼지(130b)가 결합되는데, 경사진 턱(135)과 소정의 간격을 두도록 결합되어 분출된 가스가 간격을 통해 제1 윈도우(120)의 글라스(121) 하측으로 분사되도록 할 수 있다. The second window purge 130b is coupled to the lower surface of the first window purge 130a so that the gas ejected from the inclined jaw 135 is spaced apart from the inclined jaw 135 by a predetermined distance, So that it can be sprayed to the lower side of the glass 121.

이로 인하여, 가스 분출구(134)에서 수직 방향으로 분출된 가스는 제2 윈도우 퍼지(130b)의 바디에 막혀서 경사진 턱(135)과 바디 사이에서 소정의 간격으로 분개된 후 분사되어 조밀하고 균일한 에어 커튼을 형성하게 되는 것이다. 이로써, 좀더 효과적으로 제1 윈도우(120)의 글라스(121)의 하면에 오염을 방지하는데 도움을 줄 수 있다.Accordingly, the gas ejected in the vertical direction from the gas ejection port 134 is injected into the body of the second window purge 130b at a predetermined interval between the inclined jaw 135 and the body, and then injected to form a dense and uniform Thereby forming an air curtain. Thus, it is possible to more effectively prevent contamination on the lower surface of the glass 121 of the first window 120. [

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

1000 : 잉곳 성장 장치 10 : 챔버
20 : 석영도가니 30 : 히터
40 : 열차폐체 50 : 불활성 가스 주입부
60 : 수냉관 70 : 시드 척
100 : 뷰 포트 200 : 센서부
110 : 바디부 120 : 제1 윈도우
121 : 제1 글라스 122 : 윈도우 바디
130 : 윈도우 퍼지 131 : 가스 분사부
132 : 퍼지 바디 133 : 가스 안내부
134 : 가스 분출구 135 : 경사진 턱
140 : 제2 윈도우 141 : 중간 구조물
142 : 제2 글라스 143 : 가스 집중관
150 : 오링 160 : 삽입형 오링
170 : 가스 공급부 171 : 가스 라인
172 : 가스 벨브 180, 180a : 볼트
1000: Ingot growth apparatus 10: Chamber
20: quartz crucible 30: heater
40: heat shield 50: inert gas injection part
60: water cooling tube 70: seed chuck
100: view port 200: sensor unit
110: Body part 120: First window
121: first glass 122: window body
130: Window purge 131:
132: purge body 133: gas guide part
134: gas outlet 135: inclined jaw
140: second window 141: intermediate structure
142: second glass 143: gas concentration tube
150: O-ring 160: Insertion type O-ring
170: gas supply unit 171: gas line
172: gas valve 180, 180a: bolt

Claims (21)

챔버 내부와 연통되는 바디부;
상기 바디부 상에 배치되며 상기 챔버 외부에서 유입되는 빛을 투과시키는 제1 윈도우;
상기 제1 윈도우를 안착시키고, 내부로 분사된 가스를 이용하여 에어 커튼을 형성하는 윈도우 퍼지; 및
상기 윈도우 퍼지와 상기 바디부 사이에 배치되며 중간 구조물에 의하여 고정되는 제2 윈도우;를 포함하는 뷰 포트.
A body portion communicating with the interior of the chamber;
A first window disposed on the body and allowing light to flow outside the chamber;
Window purging to seat the first window and form an air curtain using the gas injected into the interior; And
And a second window disposed between the window purging and the body part and fixed by an intermediate structure.
제 1항에 있어서,상기 제1 윈도우는 상기 윈도우 퍼지의 상부에 결합되는 윈도우 바디; 및
상기 윈도우 바디에 삽입되는 제1 글라스; 를 포함 하는 뷰 포트.
2. The apparatus of claim 1, wherein the first window is a window body coupled to an upper portion of the window purging; And
A first glass inserted into the window body; A viewport containing.
제 1항에 있어서, 상기 제2 윈도우는 상기 중간 구조물에 안착되는 제2 글래스; 및
상기 제2 글래스 상에 수직 방향으로 연결되어 배치된 가스 집중관; 을 포함하는 뷰 포트.
2. The apparatus of claim 1, wherein the second window comprises: a second glass seated on the intermediate structure; And
A gas concentration pipe vertically connected to the second glass; A viewport containing.
제 3항에 있어서, 상기 가스 집중관의 표면은 블라스트 처리된 뷰 포트.4. The view port according to claim 3, wherein the surface of the gas concentration tube is blasted. 제 3항에 있어서, 상기 챔버로 향하는 상기 제2 글래스의 하부면과 상기 가스 집중관의 외부 표면은 블라스트 처리 된 뷰 포트.4. The view port according to claim 3, wherein the lower surface of the second glass toward the chamber and the outer surface of the gas concentration tube are blasted. 제 3항에 있어서, 상기 가스 집중관은 상기 제2 윈도우의 중심에서 일측 방향으로 치우쳐 배치되며,
상기 일측 방향은 상기 윈도우의 최대 폭 방향인 뷰 포트.
[5] The apparatus of claim 3, wherein the gas concentration tube is biased in one direction from the center of the second window,
Wherein the one direction is a maximum width direction of the window.
제 6항에 있어서, 상기 가스 집중관의 중심은 상기 제2 윈도우의 중심에서 상기 일측 방향으로 20mm 내지 25mm 이격되어 배치된 뷰 포트.The view port according to claim 6, wherein the center of the gas concentration pipe is disposed at a distance of 20 mm to 25 mm from the center of the second window in the one direction. 제 3항에 있어서,
상기 제2 윈도우는 'T'자 형상을 가지며,
상기 가스 집중관의 수평 단면은 사각형 형상을 갖는 뷰 포트.
The method of claim 3,
The second window has a 'T' shape,
Wherein the horizontal cross section of the gas concentration pipe has a rectangular shape.
제 3항에 있어서,
상기 제2 글래스에 대하여 수직하는 상기 가스 집중관의 높이는 30mm 내지 50mm인 뷰 포트.
The method of claim 3,
And the height of the gas concentration pipe perpendicular to the second glass is 30 mm to 50 mm.
제 3항에 있어서, 상기 가스 집중관의 최대 폭은 40mm 내지 60mm인 뷰 포트.The view port according to claim 3, wherein the maximum width of the gas concentration pipe is 40 mm to 60 mm. 제 3항에 있어서, 상기 가스 집중관은 2.5mm 내지 3.5mm의 두께를 갖는 뷰 포트.4. The view port according to claim 3, wherein the gas concentration pipe has a thickness of 2.5 mm to 3.5 mm. 제 1항에 있어서,
상기 중간 구조물은 상기 바디부와 플랜지 결합되며,
상기 제2 윈도우는 상기 중간 구조물에 플랜지 결합된 뷰 포트.
The method according to claim 1,
Wherein the intermediate structure is flanged to the body portion,
And the second window is flanged to the intermediate structure.
제 12항에 있어서,
상기 윈도우 퍼지는 상기 중간 구조물 상측에 결합되는 퍼지 바디; 및
상기 퍼지 바디의 일측에서 가스를 분사하여 에어 커튼을 형성하는 가스 분사부; 를 포함하는 뷰 포트.
13. The method of claim 12,
A purge body coupled to the upper side of the intermediate structure to spread the window; And
A gas spraying part for spraying gas from one side of the purge body to form an air curtain; A viewport containing.
제 13항에 있어서,
상기 중간 구조물과 상기 퍼지 바디 사이 및 상기 중간 구조물과 상기 제2 윈도우 사이는
오링 또는 삽입형 오링을 끼운 상태로 각각 체결되는 뷰 포트.
14. The method of claim 13,
Between the intermediate structure and the purge body and between the intermediate structure and the second window
View port which is fastened with O-ring or O-ring inserted.
제 13항에 있어서,
상기 가스 분사부는 상기 가스의 분사 방향을 조절하는 가스 노즐을 포함 하는 뷰 포트.
14. The method of claim 13,
Wherein the gas injection portion includes a gas nozzle for regulating an injection direction of the gas.
제 13항에 있어서,
상기 퍼지 바디는 상기 가스 분사부로부터 공급된 가스의 이동 통로가 되는 가스 안내부; 및
상기 가스 안내부와 상기 퍼지 바디 사이에 배치되며 상기 이동된 가스를 분사하는 복수개의 가스 분출구; 를 포함 하는 뷰 포트.
14. The method of claim 13,
Wherein the purge body comprises: a gas guide portion serving as a passage for gas supplied from the gas spray portion; And
A plurality of gas ejection openings disposed between the gas guide and the purge body for ejecting the moved gas; A viewport containing.
제 16항에 있어서,
상기 가스 분출구는 넓은 면적으로 상기 가스가 분사되도록 가로 방향으로 연장된 형상을 갖는 뷰 포트.
17. The method of claim 16,
Wherein the gas jetting port has a shape extending in the transverse direction so that the gas is jetted over a large area.
제 13항에 있어서,
상기 윈도우 퍼지는 분사된 상기 가스를 분개하는 경사진 턱; 을 더 포함 하는 뷰 포트.
14. The method of claim 13,
A slanting jaw that resists the injected gas of the window spreading; A viewport that further includes a viewport.
챔버;
상기 챔버의 내부에 배치되며 실리콘 멜트를 수용하는 석영도가니;
상기 실리콘 멜트에 시드를 침지하고 회전 및 인상하여 상기 잉곳을 성장시키는 인상 수단; 및
상기 챔버의 일측에 배치되는 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항의 뷰 포트;를 포함하는 잉곳 성장 장치.
chamber;
A quartz crucible disposed within the chamber and containing a silicon melt;
A pulling means for immersing the seed in the silicon melt and rotating and pulling the seed to grow the ingot; And
18. The ingot growing apparatus according to any one of claims 1 to 17, wherein the view port is disposed at one side of the chamber.
제 19항에 있어서,
상기 뷰 포트를 통해 상기 잉곳의 직경을 측정하는 센서부;를 더 포함하는 잉곳 성장 장치.
20. The method of claim 19,
And a sensor unit for measuring the diameter of the ingot through the view port.
제 19항에 있어서,
상기 석영도가니는,
안티모니(Sb)를 도펀트로 함유한 상기 실리콘 멜트를 수용하는 잉곳 성장 장치.
20. The method of claim 19,
In the quartz crucible,
An ingot growing apparatus for accommodating the silicon melt containing antimony (Sb) as a dopant.
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