KR20160075113A - Process chamber cleaning method - Google Patents

Process chamber cleaning method Download PDF

Info

Publication number
KR20160075113A
KR20160075113A KR1020140184672A KR20140184672A KR20160075113A KR 20160075113 A KR20160075113 A KR 20160075113A KR 1020140184672 A KR1020140184672 A KR 1020140184672A KR 20140184672 A KR20140184672 A KR 20140184672A KR 20160075113 A KR20160075113 A KR 20160075113A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
process chamber
gas
cleaning
cleaning gas
forming step
Prior art date
Application number
KR1020140184672A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101650104B1 (en
Inventor
이용현
김도형
유광수
정철우
최원조
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020140184672A priority Critical patent/KR101650104B1/en
Publication of KR20160075113A publication Critical patent/KR20160075113A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101650104B1 publication Critical patent/KR101650104B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

A method to clean a process chamber according to an embodiment can comprise: a cleaning gas forming step of forming cleaning gas in which NF_3 gas and N_2 gas mixed at a preset ratio; a first cleaning gas introducing step of introducing a first cleaning gas into a reactor; a first plasma forming step of applying power supply to the cleaning gas to convert at least part of the cleaning gas into a plasma state; a second cleaning gas introducing step of introducing the cleaning gas into the process chamber; and a cleaning step of allowing the cleaning gas, which has been introduced into the process chamber, to etch and remove deposited materials inside the process chamber. The method to clean a process chamber can increase cleaning efficiency when cleaning the inside of the process chamber.

Description

공정챔버 세척방법{Process chamber cleaning method}[0001] The present invention relates to a process chamber cleaning method,

실시예는, 공정챔버 내부의 세척작업시 세척효율을 높일 수 있는 공정챔버 세척방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a process chamber cleaning method that can enhance cleaning efficiency during a cleaning operation inside a process chamber.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The contents described in this section merely provide background information on the embodiment and do not constitute the prior art.

일반적으로 반도체 메모리 소자, 액정표시장치, 유기발광장치 등은 기판상에 복수회의 반도체 공정을 실시하여 원하는 형상의 구조물을 적층하여 제조한다.In general, a semiconductor memory device, a liquid crystal display device, an organic light emitting device, and the like are manufactured by stacking a structure having a desired shape by performing a plurality of semiconductor processes on a substrate.

반도체 제조공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 포함한다. 이러한 반도체를 제조하는 기판 처리공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 공정챔버를 포함하는 기판 처리장치에서 진행된다.The semiconductor manufacturing process includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected region of the thin film, an etching process of removing a thin film of the selected region, and the like. A substrate processing process for manufacturing such a semiconductor is performed in a substrate processing apparatus including a process chamber having an optimal environment for the process.

공정챔버 내부는 기판상의 박막 증착에 사용되는 소스물질 등이 기판 처리공정 중 기판 이외의 공정챔버 내부와 그 내부에 비치되는 다른 장비에 증착되어 불필요한 증착막을 형성할 수 있다.The source material used for depositing the thin film on the substrate may be deposited inside the process chamber other than the substrate and other equipment provided therein during the substrate processing process to form an unnecessary deposition film.

이러한 불필요한 증착막은 공정챔버와 이를 포함하는 기판 처리장치 전체의 오작동, 수명단축, 증착 공정에 의해 생산되는 제품의 불량 등을 발생시키는 원인이 될 수 있다.Such unnecessary vapor deposition films may cause malfunction of the process chamber and the entire substrate processing apparatus including the process chamber, shortening the life span, defective products produced by the deposition process, and the like.

따라서, 이러한 불필요한 증착막을 제거하기 위해 공정챔버 내부는 정기적 또는 비정기적으로 세척작업을 진행해야 할 필요가 있다.Therefore, it is necessary to perform the cleaning operation periodically or irregularly in the process chamber in order to remove such unnecessary vapor deposition film.

따라서, 실시예는, 공정챔버 내부의 세척작업시 세척효율을 높일 수 있는 공정챔버 세척방법을 제공하는 데 목적이 있다.Therefore, the embodiment aims to provide a process chamber cleaning method capable of enhancing the cleaning efficiency in the cleaning operation inside the process chamber.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

공정챔버 세척방법의 일 실시예는, NF3 가스와 N2 가스가 설정된 비율로 혼합된 세척가스를 형성하는 세척가스형성단계; 상기 세척가스를 반응기로 유입하는 제1세척가스유입단계; 상기 세척가스에 전원을 인가하여 상기 세척가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 변환하는 제1플라즈마형성단계; 상기 세척가스를 공정챔버로 유입하는 제2세척가스유입단계; 및 상기 공정챔버에 유입된 상기 세척가스가 상기 공정챔버 내부의 증착물을 식각하여 제거하는 세척단계를 포함할 수 있다.One embodiment of the process chamber cleaning method comprises: a cleaning gas forming step of forming a cleaning gas mixed with a predetermined ratio of NF 3 gas and N 2 gas; A first cleaning gas inflow step of introducing the cleaning gas into the reactor; A first plasma forming step of applying power to the cleaning gas to convert at least a part of the cleaning gas into a plasma state; A second cleaning gas inflow step of introducing the cleaning gas into the process chamber; And a cleaning step in which the cleaning gas introduced into the processing chamber etches and removes the deposition material in the processing chamber.

상기 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율은, 중량비로, NF3 : N2 가 14 : 0.5 내지 12 : 3인 것일 수 있다.The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas may be NF 3 : N 2 in a weight ratio of 14: 0.5 to 12: 3.

상기 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율은, 중량비로, NF3 : N2 가 14 : 0.5 내지 12 : 1인 것일 수 있다.The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas may be NF 3 : N 2 in a weight ratio of 14: 0.5 to 12: 1.

공정챔버 세척방법의 일 실시예는, 상기 제2세척가스유입단계 이후, 상기 공정챔버에 유입된 상기 세척가스에 전원을 인가하여 상기 세척가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 변환하는 제2플라즈마형성단계를 더 포함할 수 있다.One embodiment of the process chamber cleaning method comprises a second plasma forming step of applying power to the cleaning gas introduced into the process chamber after the second cleaning gas inflow step to convert at least a portion of the cleaning gas into a plasma state As shown in FIG.

공정챔버 세척방법의 일 실시예는, 상기 제2세척가스유입단계 이후, 상기 공정챔버의 내부압력을 조절하는 압력조절단계를 더 포함할 수 있다.One embodiment of the process chamber cleaning method may further include a pressure adjustment step of adjusting the internal pressure of the process chamber after the second cleaning gas introduction step.

상기 공정챔버의 내부압력은, 0 Torr 내지 3 Torr로 조절되는 것일 수 있다.The internal pressure of the process chamber may be adjusted to 0 Torr to 3 Torr.

상기 공정챔버의 내부압력은, 0.6 Torr 내지 2.5 Torr로 조절되는 것일 수 있다.The internal pressure of the process chamber may be adjusted to 0.6 Torr to 2.5 Torr.

상기 반응기는, 상기 공정챔버의 상측에 탈착가능하도록 구비되고, 상기 공정챔버의 내부와 연통되도록 구비되는 것일 수 있다.The reactor may be detachably mounted on the upper side of the process chamber, and may be provided to communicate with the inside of the process chamber.

상기 세척가스형성단계와 제1세척가스유입단계는 상기 반응기에 상기 NF3 가스와 N2 가스가 서로 독립적으로 유입되면서 하나의 단계로 수행되는 것일 수 있다.The cleaning gas forming step and the first cleaning gas introducing step may be performed in one step while the NF 3 gas and the N 2 gas are independently introduced into the reactor.

공정챔버 세척방법의 일 실시예어서, 상기 제1플라즈마형성단계는 상기 반응기에서 수행되고, 상기 제2플라즈마형성단계는 상기 공정챔버에서 수행될 수 있다.In one embodiment of the process chamber cleaning method, the first plasma forming step is performed in the reactor, and the second plasma forming step is performed in the process chamber.

실시예에서, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율을 적절하게 선택하여 세척가스를 만들어 공정챔버 내부를 세척하면 세척율을 높일 수 있다.In the embodiment, the cleaning rate can be increased by appropriately selecting the mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas based on the weight ratio and cleaning the interior of the process chamber by using a cleaning gas.

또한, 공정챔버 외부 또는 공정챔버 내부에서 상기 세척가스에 플라즈마를 형성하여 공정챔버 내부를 세척하면 세척율을 더욱 높일 수 있다.Further, the cleaning rate can be further increased by forming a plasma in the cleaning gas outside the process chamber or inside the process chamber to clean the inside of the process chamber.

또한, 공정챔버 내부압력을 적절히 조절하여 공정챔버 내부를 세척하면 세척율을 더욱 높일 수 있다.In addition, if the inside of the process chamber is cleaned by appropriately adjusting the pressure inside the process chamber, the cleaning rate can be further increased.

도 1은 일 실시예에 따른 공정챔버 세척방법을 나타낸 순서도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 공정챔버 세척방법이 수행되는 공정챔버 및 반응기를 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 공정챔버 세척방법에서 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율에 따른 공정챔버 내부의 세척률의 변화추이를 나타낸 그래프이다.
도 4는 일 실시예에 따른 공정챔버 세척방법에서 공정챔버의 내부압력에 따른 세척율의 변화추이와, 제2플라즈마형성단계를 수행하는 경우의 세척율의 증가를 나타낸 그래프이다.1 is a flow chart illustrating a process chamber cleaning method according to one embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a process chamber and a reactor in which a process chamber cleaning method according to one embodiment is performed.
FIG. 3 is a graph illustrating a change in the cleaning rate in the process chamber according to the mixing ratio of NF 3 gas and N 2 gas in the process chamber cleaning method according to one embodiment.
FIG. 4 is a graph showing a change in the cleaning rate according to the internal pressure of the process chamber and an increase in the cleaning rate in the case of performing the second plasma formation step in the process chamber cleaning method according to one embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments are to be considered in all aspects as illustrative and not restrictive, and the invention is not limited thereto. It is to be understood, however, that the embodiments are not intended to be limited to the particular forms disclosed, but are to include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments. The sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.The terms "first "," second ", and the like can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the constitution and operation of the embodiment are only intended to illustrate the embodiments and do not limit the scope of the embodiments.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when it is described as being formed on the "upper" or "on or under" of each element, the upper or lower (on or under Quot; includes both that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "top / top / top" and "bottom / bottom / bottom", as used below, do not necessarily imply nor imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, But may be used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 1은 일 실시예에 따른 공정챔버(100) 세척방법을 나타낸 순서도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 공정챔버(100) 세척방법이 수행되는 공정챔버(100) 및 반응기(200)를 나타낸 단면도이다.1 is a flow chart illustrating a process chamber 100 cleaning method according to one embodiment. 2 is a cross-sectional view illustrating a process chamber 100 and a reactor 200 in which a process chamber 100 cleaning method according to one embodiment is performed.

실시예의 공정챔버(100) 세척방법은 세척가스형성단계(S110), 제1세척가스유입단계(S120), 제1플라즈마형성단계(S130), 제2세척가스유입단계(S140), 세척단계(S150)를 포함할 수 있다. 또한, 실시예의 공정챔버(100) 세척방법은 제2플라즈마형성단계(S160), 압력조절단계(S170)를 더 포함할 수 있다.The process chamber 100 cleaning method of the embodiment includes a cleaning gas forming step S110, a first cleaning gas inflow step S120, a first plasma forming step S130, a second cleaning gas inflow step S140, S150). In addition, the process chamber 100 cleaning method of the embodiment may further include a second plasma forming step (S160) and a pressure adjusting step (S170).

세척가스형성단계(S110)에서는, NF3 가스와 N2 가스가 설정된 비율로 혼합된 세척가스를 형성할 수 있다. 다만, NF3 가스는 F를 포함하는 다른 가스도 포함될 수 있다. 이때, NF3 가스와 N2 가스의 설정비율은 일정범위에서 임의로 선택할 수 있는데, 이에 대해서는 도 3을 참조하여 하기에 구체적으로 설명한다.In the cleaning gas formation step (S110), a cleaning gas mixed with NF 3 gas and N 2 gas at a predetermined ratio can be formed. However, the NF 3 gas may include other gases including F. At this time, the setting ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas can be arbitrarily selected within a certain range, which will be described in detail below with reference to FIG.

세척가스형성단계(S110)에서 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율 조절은 다양한 방법으로 가능하다. 예를 들어 별도의 혼합기를 사용하여 선택된 혼합비율의 세척가스를 형성할 수 있다. 이때, 혼합비율은 중량비를 기준으로 한다.The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas can be controlled in various ways in the cleaning gas formation step (S110). For example, a separate mixer can be used to form a cleaning gas of a selected mixing ratio. At this time, the mixing ratio is based on the weight ratio.

또한, 반응기(200)를 혼합기로 사용할 수도 있다. 즉, 반응기(200)에 NF3 가스와 N2 가스를 별도의 유입구를 통해 각각 유입하거나, 하나의 유입구를 통해 시간차를 두고 NF3 가스와 N2 가스를 각각 유입할 수 있다. 이때, 각각의 가스의 유입량을 조절하여 선택된 혼합비율의 세척가스를 형성할 수 있다.Also, the reactor 200 may be used as a mixer. That is, the NF 3 gas and the N 2 gas may be respectively introduced into the reactor 200 through separate inlets or the NF 3 and N 2 gases may be introduced into the reactor 200 with a time difference through one inlet. At this time, the inflow amount of each gas may be adjusted to form a cleaning gas having a selected mixing ratio.

따라서, 상기 세척가스형성단계(S110)와 제1세척가스유입단계(S120)는 상기 반응기(200)에 상기 NF3 가스와 N2 가스가 서로 독립적으로 유입되면서 하나의 단계로 수행될 수도 있다.Therefore, the cleaning gas forming step (S110) and the first cleaning gas introducing step (S120) may be performed in one step while the NF 3 gas and the N 2 gas are independently introduced into the reactor 200.

제1세척가스유입단계(S120)에서는, NF3 가스와 N2 가스가 설정된 비율로 혼합된 세척가스를 반응기(200)로 유입할 수 있다. 이때, 상기 반응기(200)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100)의 상측에 탈착가능하도록 구비되고, 상기 공정챔버(100)의 내부와 연통되도록 구비될 수 있다.In the first cleaning gas introduction step S120, the cleaning gas mixed with the NF 3 gas and the N 2 gas in a predetermined ratio may be introduced into the reactor 200. 2, the reactor 200 may be detachably mounted on the upper side of the process chamber 100, and may be provided to communicate with the interior of the process chamber 100.

한편, 상기 반응기(200)는 공정챔버(100)에 장착되어 보수, 유지 기타 필요한 경우에 상기 공정챔버(100)로부터 분리될 수 있다. 따라서, 공정챔버(100)에서 기판 가공공정이 수행되는 과정에도 공정챔버(100)에 장착되어 있고, 다만, 공정챔버(100) 내부의 세척공정을 수행할 경우 상기 반응기(200)에 상기 세척가스가 유입될 수 있다.Meanwhile, the reactor 200 may be installed in the process chamber 100 to be separated from the process chamber 100 when necessary for maintenance, maintenance or the like. Therefore, when the substrate processing process is performed in the process chamber 100, the process chamber 100 is also mounted in the process chamber 100. However, when performing the cleaning process inside the process chamber 100, Can be introduced.

한편, 도시되지 않았으나 상기 세척가스를 유입하기 위한 유입구가 상기 반응기(200)에 형성될 수 있고, 상기 유입구를 통해 상기 세척가스는 별도의 주입장치를 사용하여 상기 반응기(200)에 유입될 수 있다.Although not shown, an inlet for introducing the cleaning gas may be formed in the reactor 200, and the cleaning gas may be introduced into the reactor 200 using a separate injection device .

제1플라즈마형성단계(S130)에서는, 상기 반응기(200)에서 수행될 수 있고, 상기 세척가스에 전원을 인가하여 플라즈마를 켜고, 이에 따라 상기 세척가스의 적어도 일부가 N이온과 F이온으로 해리될 수 있다.In the first plasma forming step (S130), it may be performed in the reactor 200, and power is applied to the cleaning gas to turn on the plasma, so that at least a portion of the cleaning gas is dissociated into N and F ions .

따라서, 상기 제1플라즈마형성단계(S130)에서는 세척가스에 포함되는 NF3와 N2는 중 일부는 N이온과 F이온으로 해리되어 존재하게 된다. 물론, 상기 세척가스 일부는 해리되지 않고, NF3 가스와 N2 가스의 혼합물 상태로 존재할 수 있다.Therefore, in the first plasma forming step (S130), some of NF 3 and N 2 contained in the cleaning gas are dissociated into N ions and F ions. Of course, the part of the cleaning gas is not dissociated but may exist in a mixture state of NF 3 gas and N 2 gas.

상기 반응기(200)는 세척가스가 해리된 상태로 변환할 수 있도록, 전원인가 장치를 별도로 구비할 수 있다. 즉, 공정챔버(100)에 플라즈마를 형성하는 RF 전력공급부(300)와 별도의 전원인가 장치를 구비할 수 있고, 이러한 전원인가 장치도 RF 전력을 이용하는 방식이 될 수도 있다.The reactor 200 may be equipped with a power application device so that the cleaning gas can be converted into a dissociated state. That is, the RF power supply unit 300, which forms the plasma in the process chamber 100, may be provided separately from the RF power supply unit 300, and the RF power supply may be used.

상기 반응기(200)는 플라즈마를 발생시킬 수 있는 가스 저장장치라면 어떠한 것도 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 반응기(200)는 독립적인 플라즈마 발생장치를 구비하는 매처(matcher) 등으로 형성될 수 있다.The reactor 200 may be any gas storage device capable of generating plasma. For example, the reactor 200 may be formed by a matcher or the like having an independent plasma generator.

제1플라즈마형성단계(S130)에서 형성된 N이온과 F이온은 상기 공정챔버(100) 내부로 유입되어 상기 공정챔버(100) 내부에 증착된 증착물과 F이온이 결합하여 SiF4 등으로 형성될 수 있다. 이에 따라 공정챔버(100) 내부의 증착물은 기체 상태가 되어 배기될 수 있다.The N ions and F ions formed in the first plasma forming step S130 may be introduced into the process chamber 100 to be combined with the F ions deposited in the process chamber 100 to form SiF 4 or the like have. Accordingly, the deposition material in the process chamber 100 can be evacuated to a gaseous state.

제2세척가스유입단계(S140)에서는, 적어도 일부가 해리된 상기 세척가스를 공정챔버(100)로 유입할 수 있다. 이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응기(200)는 공정챔버(100)의 가스 유입구(110)를 통해 공정챔버(100) 내부와 연통될 수 있다.In the second cleaning gas introduction step (S140), the cleaning gas at least partially dissociated can be introduced into the process chamber (100). 2, the reactor 200 may communicate with the interior of the process chamber 100 through the gas inlet 110 of the process chamber 100. In this case,

따라서, 상기 반응기(200)에서 해리된 이온을 포함하는 상기 세척가스는 상기 공정챔버(100)의 가스 유입구(110)를 통해 공정챔버(100) 내부로 유입될 수 있다.Accordingly, the cleaning gas containing ions dissociated in the reactor 200 can be introduced into the process chamber 100 through the gas inlet 110 of the process chamber 100.

세척단계(S150)에서는, 상기 공정챔버(100)에 유입된 해리된 이온을 포함하는 상기 세척가스가 상기 공정챔버(100) 내부의 증착물과 반응할 수 있다. 이때, 상기 증착물이 단위시간에 대해 식각되는 두께를 본 명세서에서는 편의상 세척율로 명명한다.In the cleaning step S150, the cleaning gas containing dissociated ions introduced into the process chamber 100 may react with the deposition material in the process chamber 100. At this time, the thickness at which the deposition material is etched with respect to the unit time is referred to as a cleaning rate for convenience in the present specification.

상기 식각율은 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율, 세척단계(S150)가 수행되는 공정챔버(100) 내부의 압력, 공정챔버(100) 내부에 반응기(200)에서와 별도의 플라즈마를 장치의 유무에 따라 달라질 수 있다. 이에 대해서는 도 3, 도 4의 그래프를 참조하여 하기에 구체적으로 설명한다.The etch rate can be controlled by controlling the mixing ratio of NF 3 gas and N 2 gas, the pressure inside the process chamber 100 in which the cleaning step S150 is performed, the plasma inside the process chamber 100, And the like. This will be specifically described below with reference to the graphs of FIG. 3 and FIG.

또한, 제2플라즈마형성단계(S160)에서는, 상기 공정챔버(100)에 유입된 상기 세척가스에 전원을 인가하여 상기 세척가스의 적어도 일부를 이온이 해리된 상태로 변환할 수 있다.In addition, in the second plasma forming step S160, power is applied to the cleaning gas introduced into the process chamber 100 to convert at least a part of the cleaning gas into a state in which ions are dissociated.

상기 제2플라즈마형성단계(S160)는 공정챔버(100)내부에 플라즈마를 형성하는 단계이다. 이때, 플라즈마 형성에 필요한 전원은 RF 전력공급부(300)에서 공급할 수 있다.The second plasma forming step (S160) is a step of forming a plasma in the process chamber 100. At this time, the power required for plasma formation can be supplied from the RF power supply unit 300.

RF 전력공급부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 임피던스 매칭박스(310)(Impedance Matching Box)와 RF전원(320)을 포함할 수 있다. RF 전력공급부(300)(600)는 공정챔버(100)의 상부판(120)을 플라즈마 전극으로 사용하여 공정가스에 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The RF power supply unit 300 may include an impedance matching box 310 and an RF power supply 320, as shown in FIG. The RF power supplies 300 and 600 may generate a plasma in the process gas using the top plate 120 of the process chamber 100 as a plasma electrode.

이를 위해 상부판(120)에는 RF전력을 공급하는 RF전원(320)이 전기적으로 연결되고, 상부판(120)과 RF전원(320) 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스(310)가 구비될 수 있다.An RF power source 320 for supplying RF power is electrically connected to the top plate 120 and an impedance matching is performed for matching the impedance so that the maximum power can be applied between the top plate 120 and the RF power source 320. [ A box 310 may be provided.

제2플라즈마형성단계(S160)에서는, 반응기(200)에서 해리되지 않고 공정챔버(100)로 유입되는 일부 NF3 가스 또는 N2 가스를 해리시키는 역할을 할 수 있고, 또한, 반응기(200)에서 해리되었지만 공정챔버(100)로 유입된 후 다시 분자 상태로 재결합된 NF3 또는 N2 를 다시 해리시키는 역할을 할 수 있다.In the second plasma forming step S160, the NF 3 gas or N 2 gas introduced into the process chamber 100 can be dissociated without dissociation in the reactor 200, Dissociated into the process chamber 100, and then re-dissociated again into the molecular state, NF 3 or N 2 .

이때, 상기 제2플라즈마형성단계(S160)는 공정챔버(100)에서 수행되므로 세척가스가 공정챔버(100)로 유입되는 상기 제2세척가스유입단계(S140) 이후에 진행되는 것이 적절하다.At this time, since the second plasma forming step S160 is performed in the process chamber 100, it is appropriate to proceed after the second cleaning gas inflow step S140 in which the cleaning gas flows into the process chamber 100.

한편, 해리된 이온상태로 존재하는 N이온 또는 F이온이 공정챔버(100)에 많이 존재할수록 플라즈마에 의한 증착막의 세척율은 증가할 수 있다. 특히, 해리된 F이온이 NF3로 다시 재결합되는 것을 N2가 방해할 수 있어 세척율이 증가될 수 있다.On the other hand, the greater the N ion or F ion existing in the dissociated ion state exists in the process chamber 100, the greater the cleaning rate of the deposited film due to the plasma may be. In particular, the N 2 may interfere with the recombination of dissociated F ions back to NF 3 , which may increase the cleaning rate.

따라서, 제1플라즈마형성단계(S130)와 제2플라즈마형성단계(S160)에서 NF3를 이온으로 해리된 상태로 변환하여 F이온의 양을 증가시켜 결과적으로 세척가스에서 N이온과 F이온의 양을 증가시켜 증착막의 세척율을 증가시킬 수 있다.Therefore, in the first plasma forming step (S130) and the second plasma forming step (S160), the amount of F ions is increased by converting NF 3 into a state dissociated with ions, and as a result, the amount of N ions and F ions To increase the cleaning rate of the deposited film.

제2플라즈마형성단계(S160)를 수행하는 경우와 제1플라즈마형성단계(S130)만을 수행하는 경우의 세척율의 변화추이와 제2플라즈마형성단계(S160)까지 수행한 효과는 도 4를 참조하여 하기에 구체적으로 설명한다.The effects of performing the second plasma forming step S160 and the first plasma forming step S130 and the second plasma forming step S160 are described with reference to FIG. This will be specifically described below.

압력조절단계(S170)에서는, 상기 공정챔버(100)의 내부압력을 조절하는 작업을 수행할 수 있다. 공정챔버(100)의 내부압력은 공정챔버(100)에 유입된 세척가스의 압력을 의미하므로, 상기 압력조절단계(S170)는 세척가스가 공정챔버(100)로 유입되는 상기 제2세척가스유입단계(S140) 이후에 진행되는 것이 적절하다.In the pressure control step S170, an operation of adjusting the internal pressure of the process chamber 100 may be performed. Since the internal pressure of the process chamber 100 refers to the pressure of the cleaning gas introduced into the process chamber 100, the pressure control step S170 may be performed such that the cleaning gas is introduced into the process chamber 100 through the second cleaning gas inlet It is appropriate to proceed after step S140.

공정챔버(100)의 내부압력에 따라 공정챔버(100) 내부에 존재하는 증착막의 세척율은 변화하며, 이에 따라 세척율이 증가하는 압력범위가 존재할 수 있는데, 이에 대해서는 도 4를 참조하여 하기에 구체적으로 설명한다.The cleaning rate of the deposition film existing in the process chamber 100 changes according to the internal pressure of the process chamber 100 and thus there may be a pressure range in which the cleaning rate is increased. This will be described in detail.

도 3은 일 실시예에 따른 공정챔버(100) 세척방법에서 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율에 따른 공정챔버(100) 내부의 세척률의 변화추이를 나타낸 그래프이다.3 is a graph illustrating a change in the cleaning rate in the process chamber 100 according to the mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas in the process chamber 100 cleaning method according to one embodiment.

도 3의 그래프는 실시예의 효과를 증명하기 위해 수행된 실험의 결과이다. 이때, 상기 실험은 공정챔버(100) 내부온도를 80℃, 공정챔버(100) 내부압력 즉, 세척가스의 압력을 1.3Torr로 맞춘 일정한 온도 및 압력조건에서 진행되었다.The graph of Figure 3 is the result of an experiment performed to demonstrate the effect of the embodiment. At this time, the experiment was conducted at a constant temperature and pressure condition in which the internal temperature of the process chamber 100 was set at 80 ° C, the internal pressure of the process chamber 100, that is, the pressure of the cleaning gas was set at 1.3 Torr.

도 3에 도시된 바와 같이, NF3 가스와 N2 가스의 중량비를 기준으로 하는 혼합비율 즉, NF3 : N2 에서 N2가 차지하는 비율이 감소할수록 세척율은 증가하는 경향을 보이고, 혼합비율이 약 14 : 1인 경우에 세척율이 최대가 됨을 알 수 있다.In N 2 cleaning rate decreases the rate at which N 2 occupied by showing a tendency to increase, mixing ratio: A, NF 3 mixture ratio relative to the weight of the gas and the N 2 gas that is, NF 3 as shown in Figure 3 It can be seen that the cleaning rate becomes the maximum at about 14: 1.

또한, 혼합비율이 약 14 : 1인 경우보다 N2가 차지하는 비율이 더욱 감소할수록 세척율은 급격히 감소함을 알 수 있다. 이때, 14 : 0의 비율은 N2가 포함되지 않은 가스를 사용하여 공정챔버(100)를 세척하는 경우를 의미한다.Also, it can be seen that the cleaning rate sharply decreases as the ratio of N 2 occupies more than the mixing ratio of about 14: 1. At this time, the ratio of 14: 0 means that the process chamber 100 is cleaned using a gas not containing N 2 .

그래프에서 알 수 있듯이, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율이 A구간인 경우 세척율이 다른 구간에 비해 현저한 증가추세를 보이므로, A구간에서 다른 구간에 대해 임계적 의의가 있음을 알 수 있다.As can be seen from the graph, when the mixing ratio based on the weight ratio of NF 3 gas and N 2 gas is in the region A, the cleaning rate shows a marked increase compared to the other regions. Therefore, the region A has a critical significance for the other regions Able to know.

따라서, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율은 A구간의 혼합비율 즉, 14 : 0.5 내지 12 : 3으로 선택하는 것이 적절하다. 상기 혼합비율의 범위에서 적절하게 선택하여 NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율을 설정하여 공정챔버(100) 세척공정을 진행할 수 있다.Therefore, it is appropriate that the mixing ratio based on the weight ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas is selected from the mixing ratio of the section A, that is, from 14: 0.5 to 12: 3. The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas may be appropriately selected in the range of the mixing ratio, and the process chamber 100 cleaning process may be performed.

한편, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율이 A구간 중 A1구간인 경우 세척율이 특히 증가추세를 보이므로, A1구간에서도 다른 구간에 대해 임계적 의의가 있음을 알 수 있다.On the other hand, in the case where the mixing ratio based on the weight ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas is A1 in the section A, the cleaning rate shows an especially increasing tendency. Therefore, it can be seen that the section A1 has a critical significance for the other sections.

따라서, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율은 A1구간의 혼합비율 즉, 14 : 0.5 내지 12 : 1로 선택하는 것이 더욱 적절할 수 있다. 마찬가지로, 이러한 혼합비율의 범위에서 적절하게 선택하여 NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율을 설정하여 공정챔버(100) 세척공정을 진행할 수 있다.Therefore, it may be more appropriate to select the mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas based on the weight ratio as the mixing ratio of the A1 section, that is, 14: 0.5 to 12: 1. Likewise, the process chamber 100 cleaning process can be performed by properly selecting the mixing ratio in such a range and setting the mixing ratio based on the weight ratio of NF 3 gas and N 2 gas.

도 4는 일 실시예에 따른 공정챔버(100) 세척방법에서 공정챔버(100)의 내부압력에 따른 세척율의 변화추이와, 제2플라즈마형성단계(S160)를 수행하는 경우의 세척율의 증가를 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing changes in the cleaning rate depending on the internal pressure of the process chamber 100 in the process chamber 100 cleaning method according to the embodiment and an increase in the cleaning rate in the case of performing the second plasma forming step S160 Fig.

도 4의 그래프는 실시예의 효과를 증명하기 위해 수행된 실험의 결과이다. 이때, 상기 실험은 공정챔버(100) 내부온도를 80℃로 맞춘 일정한 온도조건에서 진행되었다.The graph of Figure 4 is the result of an experiment performed to demonstrate the effect of the embodiment. At this time, the experiment was conducted under a constant temperature condition in which the internal temperature of the process chamber 100 was adjusted to 80 ° C.

도 4에 도시된 바와 같이, 그래프 우측 세로축의 세척율은 공정챔버(100)에서 제2플라즈마형성단계(S160)를 진행한 상태에서의 세척율의 추이를 나타내는 L1곡선 즉, L1세척율을 나타낸다.As shown in FIG. 4, the cleaning rate on the vertical axis on the right side of the graph represents the L1 curve, that is, the L1 cleaning rate, indicating the change in the cleaning rate in the state where the second plasma forming step (S160) is performed in the process chamber 100 .

또한, 그래프 좌측 세로축의 세척율은 공정챔버(100)에서 제2플라즈마형성단계(S160)를 진행하지 않고, 제1플라즈마형성단계(S130) 만을 진행한 상태에서의 세척율의 추이를 나타내는 L2곡선 즉, L2세척율을 나타낸다.The cleaning rate on the ordinate axis in the left side of the graph is the L2 curve indicating the change in the cleaning rate in the state where only the first plasma forming step S130 is performed without proceeding to the second plasma forming step S160 in the process chamber 100, That is, it represents the L2 cleaning rate.

L1곡선과 L2곡선을 서로 비교하면, L1곡선이 L2곡선의 상측에 존재하고, 각 곡선의 세척율을 전체적으로 비교해도 L1곡선이 나타내는 세척율이 L2곡선이 나타내는 세척율보다 현저히 높음을 알 수 있다.Comparing the L1 curve and the L2 curve, it can be seen that the L1 curve is on the upper side of the L2 curve, and the cleaning rate indicated by the L1 curve is significantly higher than the cleaning rate indicated by the L2 curve even when the cleaning rates of the respective curves are compared as a whole .

따라서, 공정챔버(100)의 세척공정을 진행하는 경우, 제2플라즈마형성단계(S160)를 진행하는 경우에 공정챔버(100)의 세척효율이 현저히 높음을 알 수 있다.Accordingly, it can be seen that the cleaning efficiency of the process chamber 100 is remarkably high when the cleaning process of the process chamber 100 is performed, and when the second plasma forming process S160 is performed.

이는 상기한 바와 같이, 제2플라즈마형성단계(S160)를 진행하는 경우, 공정챔버(100) 내부에 상기 세척가스 중 이온이 해리된 상태로 존재하는 비율이 제2플라즈마형성단계(S160)를 진행하지 않는 경우보다 현저히 높고, N이온 또는 F이온이 공정챔버(100)에 많이 존재할수록 증착막의 세척율이 증가할 수 있기 때문이다.As described above, when the second plasma forming step (S160) is performed, the ratio of ions contained in the cleaning gas in the process chamber 100 in the disassociated state is subjected to the second plasma forming step S160 And the more the N ion or F ion is present in the process chamber 100, the more the cleaning rate of the deposited film may be increased.

한편, 공정챔버(100)의 내부압력 즉, 공정챔버(100) 내부에 유입된 이온화된 가스를 일부 포함하는 세척가스의 압력이 낮은 경우 대체로 세척율이 증가함을 할 수 있다.On the other hand, when the internal pressure of the process chamber 100, that is, the pressure of the cleaning gas including a part of the ionized gas introduced into the process chamber 100, is low, the cleaning rate can be generally increased.

그래프에서 알 수 있듯이, 세척가스의 압력이 B구간인 경우 세척율이 B구간 보다 압력이 높은 다른 구간에 비해 높으므로, B구간에서 다른 구간에 대해 임계적 의의가 있음을 알 수 있다.As can be seen from the graph, the cleaning rate is higher in the B section than in the other sections where the pressure is higher than the B section, so that the B section has a critical significance for the other sections.

따라서, 공정챔버(100) 내부의 압력은 B구간의 압력 즉, 0 Torr 내지 3 Torr로 선택하는 것이 적절하다. 상기 압력의 범위에서 적절하게 선택하여 공정챔버(100) 내부압력을 설정하여 공정챔버(100) 세척공정을 진행할 수 있다.Therefore, it is appropriate to select the pressure in the process chamber 100 to be in the range B, that is, 0 Torr to 3 Torr. The pressure within the process chamber 100 can be set appropriately in the range of the pressure to perform the process chamber 100 cleaning process.

한편, 공정챔버(100) 내부의 압력은 B구간 중 B1구간인 경우 세척율이 특히 증가하므로, B1구간에서도 다른 구간에 대해 임계적의의가 있음을 알 수 있다.On the other hand, the pressure inside the process chamber 100 increases in particular in the case of the section B1 in the section B1, so that it can be seen that the section B1 has a critical effect on the other sections.

한편, 0 Torr 즉, 진공상태에서도 높은 세척율을 보이지만, 현실적으로 공정챔버(100) 내부압력을 진공으로 만드는 것은 어려울 수 있고, 작업이 용이하지 않을 수 있다.On the other hand, although it shows a high cleaning rate even at 0 Torr, that is, in a vacuum state, it may be difficult to make the internal pressure of the process chamber 100 vacuum, and the operation may not be easy.

따라서, 진공인 경우를 제외한 B1구간의 압력 즉, 0.6 Torr 내지 2.5 Torr로 선택하는 것이 더욱 적절할 수 있다. 마찬가지로, 상기 압력의 범위에서 적절하게 선택하여 공정챔버(100) 내부압력을 설정하여 공정챔버(100) 세척공정을 진행할 수 있다.Therefore, it may be more appropriate to select the pressure in the section B1, that is, 0.6 Torr to 2.5 Torr except for the case of vacuum. Likewise, the process chamber 100 cleaning process can be performed by appropriately selecting the pressure within the range of the pressure to set the pressure inside the process chamber 100.

공정챔버(100) 내부압력이 증가하는 경우 세척가스가 공정챔버(100) 내부에 머무는 시간을 증가시켜 공정챔버(100) 내부의 증착물과 반응할 수 있는 시간이 증가하여 세척률이 커질 수 있다. 반면에, 공정챔버(100) 내부압력이 계속해서 증가하는 경우에는 세척률이 커지면서 생기는 SF4 등의 가스에 의해 내부압력이 너무 커져서 오히려 해리된 F이온 등이 공정챔버(100) 내부로 유입되기 어려워져 세척률이 감소할 수 있다.When the internal pressure of the process chamber 100 is increased, the time for the cleaning gas to stay inside the process chamber 100 is increased, and the time for reacting with the deposition material inside the process chamber 100 is increased, thereby increasing the cleaning rate. On the other hand, if the internal pressure of the process chamber 100 continuously increases, the internal pressure becomes too large due to the gas such as SF 4 generated due to the increase of the cleaning rate, so that the dissociated F ions flow into the process chamber 100 And the cleaning rate may be reduced.

실시예에서, NF3 가스와 N2 가스의 중량비 기준 혼합비율을 적절하게 선택하여 세척가스를 만들어 공정챔버(100) 내부를 세척하면 세척율을 높일 수 있다.In the embodiment, the cleaning rate can be increased by appropriately selecting the mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas based on the weight ratio and cleaning the inside of the process chamber 100 by using a cleaning gas.

또한, 공정챔버(100) 외부 또는 공정챔버(100) 내부에서 상기 세척가스에 플라즈마를 형성하여 공정챔버(100) 내부를 세척하면 세척율을 더욱 높일 수 있다.The cleaning rate can be further increased by forming a plasma in the cleaning gas outside the process chamber 100 or inside the process chamber 100 to clean the inside of the process chamber 100.

또한, 공정챔버(100) 내부압력을 적절히 조절하여 공정챔버(100) 내부를 세척하면 세척율을 더욱 높일 수 있다.In addition, if the inside of the process chamber 100 is cleaned by appropriately adjusting the pressure inside the process chamber 100, the cleaning rate can be further increased.

실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.While only a few have been described above with respect to the embodiments, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the embodiments described above may be combined in various forms other than mutually incompatible technologies, and may be implemented in a new embodiment through the same.

100: 공정챔버
110: 가스 유입구
120: 상부판
200: 반응기
300: RF 전력공급부
310: 임피던스 매칭박스
320: RF전원100: Process chamber
110: gas inlet
120: Top plate
200: reactor
300: RF power supply
310: Impedance matching box
320: RF power source

Claims (10)

NF3 가스와 N2 가스가 설정된 비율로 혼합된 세척가스를 형성하는 세척가스형성단계;
상기 세척가스를 반응기로 유입하는 제1세척가스유입단계;
상기 세척가스에 전원을 인가하여 상기 세척가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 변환하는 제1플라즈마형성단계;
상기 세척가스를 공정챔버로 유입하는 제2세척가스유입단계; 및
상기 공정챔버에 유입된 상기 세척가스가 상기 공정챔버 내부의 증착물을 식각하여 제거하는 세척단계
를 포함하는 공정챔버 세척방법.A cleaning gas forming step of forming a cleaning gas mixed with NF 3 gas and N 2 gas in a predetermined ratio;
A first cleaning gas inflow step of introducing the cleaning gas into the reactor;
A first plasma forming step of applying power to the cleaning gas to convert at least a part of the cleaning gas into a plasma state;
A second cleaning gas inflow step of introducing the cleaning gas into the process chamber; And
Wherein the cleaning gas introduced into the process chamber is removed by etching the deposition material in the process chamber
≪ / RTI > 제1항에 있어서,
상기 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율은,
중량비로, NF3 : N2 가 14 : 0.5 내지 12 : 3인 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 1,
The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas,
Wherein the weight ratio of NF 3 : N 2 is 14: 0.5 to 12: 3. 제2항에 있어서,
상기 NF3 가스와 N2 가스의 혼합비율은,
중량비로, NF3 : N2 가 14 : 0.5 내지 12 : 1인 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.3. The method of claim 2,
The mixing ratio of the NF 3 gas and the N 2 gas,
Wherein the weight ratio of NF 3 : N 2 is 14: 0.5 to 12: 1. 제1항에 있어서,
상기 제2세척가스유입단계 이후,
상기 공정챔버에 유입된 상기 세척가스에 전원을 인가하여 상기 세척가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 변환하는 제2플라즈마형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 1,
After the second cleaning gas inflow step,
Further comprising: a second plasma forming step of applying power to the cleaning gas introduced into the process chamber to convert at least a portion of the cleaning gas into a plasma state. 제1항에 있어서,
상기 제2세척가스유입단계 이후,
상기 공정챔버의 내부압력을 조절하는 압력조절단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 1,
After the second cleaning gas inflow step,
Further comprising a pressure adjusting step of adjusting an internal pressure of the process chamber. 제5항에 있어서,
상기 공정챔버의 내부압력은,
0 Torr 내지 3 Torr로 조절되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.6. The method of claim 5,
The internal pressure of the process chamber,
Lt; RTI ID = 0.0 > Torr < / RTI > to 3 Torr. 제6항에 있어서,
상기 공정챔버의 내부압력은,
0.6 Torr 내지 2.5 Torr로 조절되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 6,
The internal pressure of the process chamber,
Lt; RTI ID = 0.0 > Torr < / RTI > to 2.5 Torr. 제1항에 있어서,
상기 반응기는,
상기 공정챔버의 상측에 탈착가능하도록 구비되고, 상기 공정챔버의 내부와 연통되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 1,
The reactor comprises:
Wherein the process chamber is detachably mounted on the upper side of the process chamber, and is connected to the inside of the process chamber. 제1항에 있어서,
상기 세척가스형성단계와 제1세척가스유입단계는 상기 반응기에 상기 NF3 가스와 N2 가스가 서로 독립적으로 유입되면서 하나의 단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.The method according to claim 1,
Wherein the cleaning gas forming step and the first cleaning gas introducing step are performed in one step while the NF 3 gas and the N 2 gas are independently introduced into the reactor. 제4항에 있어서,
상기 제1플라즈마형성단계는 상기 반응기에서 수행되고, 상기 제2플라즈마형성단계는 상기 공정챔버에서 수행되는 것을 특징으로 하는 공정챔버 세척방법.5. The method of claim 4,
Wherein the first plasma forming step is performed in the reactor and the second plasma forming step is performed in the process chamber.
KR1020140184672A 2014-12-19 2014-12-19 Process chamber cleaning method KR101650104B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140184672A KR101650104B1 (en) 2014-12-19 2014-12-19 Process chamber cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140184672A KR101650104B1 (en) 2014-12-19 2014-12-19 Process chamber cleaning method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160075113A true KR20160075113A (en) 2016-06-29
KR101650104B1 KR101650104B1 (en) 2016-08-22

Family

ID=56365655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140184672A KR101650104B1 (en) 2014-12-19 2014-12-19 Process chamber cleaning method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101650104B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022225326A1 (en) * 2021-04-21 2022-10-27 주식회사 피에스에스 Device for treating semiconductor process exhaust gas

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318579A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Fuji Electric Co Ltd Dry cleaning method
KR100794661B1 (en) * 2006-08-18 2008-01-14 삼성전자주식회사 Substrate treatment apparatus and method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318579A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Fuji Electric Co Ltd Dry cleaning method
KR100794661B1 (en) * 2006-08-18 2008-01-14 삼성전자주식회사 Substrate treatment apparatus and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022225326A1 (en) * 2021-04-21 2022-10-27 주식회사 피에스에스 Device for treating semiconductor process exhaust gas

Also Published As

Publication number Publication date
KR101650104B1 (en) 2016-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10062579B2 (en) Selective SiN lateral recess
TWI699831B (en) Method and apparatus for anisotropic tungsten etching
US10304668B2 (en) Localized process control using a plasma system
KR102402866B1 (en) Contact clean in high-aspect ratio structures
US9378969B2 (en) Low temperature gas-phase carbon removal
US9779961B2 (en) Etching method
TWI416614B (en) Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement
KR20200028490A (en) Selective deposition of SiN on horizontal surfaces
KR102291986B1 (en) Method and apparatus of remote plasmas flowable cvd chamber
KR101937727B1 (en) Etching method
US10615047B2 (en) Systems and methods to form airgaps
US10283324B1 (en) Oxygen treatment for nitride etching
KR101650104B1 (en) Process chamber cleaning method
US20210111033A1 (en) Isotropic silicon nitride removal
US10128086B1 (en) Silicon pretreatment for nitride removal
US20220246443A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6920309B2 (en) Hydrogen plasma based cleaning process for etching hardware
US11631589B2 (en) Metal etch in high aspect-ratio features
US11328909B2 (en) Chamber conditioning and removal processes
US20210320004A1 (en) Nitride films with improved etch selectivity for 3d nand integration
WO2022234640A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
US8975190B2 (en) Plasma processing method
US20220301867A1 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
JP7321059B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20240120210A1 (en) Isotropic silicon nitride removal

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 4