KR20160063480A

KR20160063480A - 곡면 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR20160063480A
Application number: KR1020140166437A
Authority: KR
Inventors: 이회관; 김승호; 김승; 박익형; 염종훈
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-11-26
Filing date: 2014-11-26
Publication date: 2016-06-07
Also published as: US20160145138A1

Abstract

본 발명은 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계; 곡면으로 형성된 상기 기판을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 기판을 평면 형태로 복원시키는 단계, 및 평면 형태의 상기 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계를 포함하는 곡면 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 유리 기판에 예비 열처리를 수행함으로써, 곡면 패널의 내구성 및 신뢰성이 개선될 수 있는 장점이 있다.

Description

곡면 표시 장치의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF CURVED DISPLAY DEVICE}

본 발명은 곡면 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 예비 열처리를 통해 곡면 유리 기판의 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

근래에 가장 대표적으로 사용되는 표시 장치로는 액정 표시 장치(liquid crystal display; LCD) 및 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display; OLED) 등이 있다.

액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다. 이와 다르게, 유기 발광 표시 장치는 자발광 특성을 갖고 별도의 광원을 필요로 하지 않으며, 박막 트랜지스터와 유기 발광 소자가 형성된 표시 기판을 통해 영상을 표시한다.

이러한 표시 장치는 텔레비전 수신기의 표시 장치로 사용되면서, 화면의 크기가 커지고 있다. 이처럼 표시 장치의 크기가 커짐에 따라, 시청자가 화면의 중앙부를 보는 경우와 화면의 좌우 양단을 보는 경우에 따라 시각차가 커지는 문제가 발생 된다.

이러한 시각차를 보상하기 위하여, 표시 장치를 오목형 또는 볼록형으로 굴곡시켜 곡면형으로 형성할 수 있다. 표시 장치는 시청자 기준으로, 가로 길이보다 세로 길이가 길고, 세로 방향으로 굴곡된 포트레이트(portrait) 타입일 수 있고, 가로 길이보다 세로 길이가 짧고, 가로 방향으로 굴곡된 랜드스케이프(landscape) 타입일 수도 있다.

그러나, 표시 장치를 굴곡시켜 곡면형으로 형성하는 경우, 기판에서 곡면 안쪽는 압축 응력이, 바깥쪽은 인장 응력이 가해진다. 이에 따라 기판에 크랙(crack)이 발생할 수 있으며, 크랙으로 인해 패널의 손상이 발생되는 문제점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유리 기판의 예비 열처리를 통해 곡면 표시 장치의 내구성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일실시예에 따르면, 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계; 곡면으로 형성된 상기 기판을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 기판을 평면 형태로 복원시키는 단계, 및 평면 형태의 상기 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계를 포함하는 곡면 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

상기 기판은 유리(glass)일 수 있다.

상기 기판을 열처리하는 단계는 곡면으로 형성된 상기 기판에서 인장 응력(tensile stress)이 발생하고 있는 면을 열처리할 수 있다.

상기 기판을 열처리 하는 단계는 곡면으로 형성된 상기 기판의 볼록한 면을 열처리할 수 있다.

상기 기판을 열처리하는 단계는 습식 열처리 방법으로 수행할 수 있다.

상기 습식 열처리는 수증기를 이용할 수 있다.

상기 수증기를 이용한 습식 열처리는 200~600℃에서 수행할 수 있다.

상기 수증기를 이용한 습식 열처리는 10~30분간 수행 할 수 있다.

상기 기판을 열처리하는 단계는 건식 열처리 방법으로 수행 할 수 있다.

상기 건식 열처리는 복사열을 이용 할 수 있다.

상기 건식 열처리는 600~800℃에서 수행 할 수 있다.

상기 복사열을 이용한 건식 열처리는 10~30분간 수행 할 수 있다.

상기 기판을 열처리하는 단계는 고주파를 통한 열처리 방법으로 수행 할 수 있다.

상기 고주파를 통한 열처리는 극초단파(VFM) 또는 레이저를 이용 할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 유리 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 위에 공통 전극을 형성하는 단계, 상기 유리 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계, 곡면으로 형성된 상기 유리 기판에서 인장 응력이 발생하는 면을 열처리하는 단계, 및 열처리된 상기 유리 기판을 평면 형태로 복원시키는 단계, 및 평면 형태의 상기 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계를 포함하는 곡면 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.

이상과 같이 본 발명은 유리 기판에 예비 열처리를 수행함으로써, 곡면 패널의 내구성 및 신뢰성이 개선될 수 있는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 곡면 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 흐름도이다.
도 2 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 곡면 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 표시 장치의 신뢰성을 실험한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 7은 도 6의 곡면 표시 장치의 화소의 평면 배치도이다.
도 8은 도 6의 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

먼저, 도 1 내지 도 4를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 표시 장치의 제조 방법에 대해서 개략적으로 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 곡면 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 나타낸 흐름도이며, 도 2 내지 4는 본 발명의 일 실시예에 곡면 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.

도 1 및 도 2를 참고하면, 유리 기판(110)을 구부러뜨려 곡면으로 형성한다(S100). 여기서, 곡면은 사각형의 형태를 가진 유리 기판(110)에서 어느 일축만을 기준으로 구부러지는 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 유리 기판(110)의 다축을 기준으로 구부러지도록 형성할 수도 있다.

이 때, 유리 기판(110)에는 바깥쪽 면에서 유리 기판(110)의 외곽부로 인장 응력(tensile stress)이 발생하고, 유리 기판(110)의 안쪽 면에서 유리 기판(110)의 중심부로 압축 응력(compressive stress)이 발생하게 된다.

여기서 유리 기판(110)의 바깥쪽 면이라 함은 유리 기판(110)이 곡면으로 형성된 형상을 기준으로 볼록한 형상을 이루는 면을 의미하고, 유리 기판(110)의 안쪽 면이라 함은 유리 기판(110)이 곡면으로 형성된 형상을 기준으로 오목한 형상을 이루는 면을 의미한다.

인장 응력(tensile stress)은 유리 기판(110)이 외력을 받아 늘어날 때, 재료 내에서 이 힘과 대등하게 하기 위해 내부에 발생하는 저항력(㎏/㎟)을 의미하고, 물체의 면을 생각할 경우, 면을 양측에서 밀어붙이는 것과 같은 힘이 작용하고 있는 경우를 의미한다.

그 다음, 도 1 및 도 3을 참고하면, 유리 기판(110)에서 인장 응력이 발생되고 있는 유리 기판(110)의 바깥쪽 면을 열처리(600)한다(S200).

열처리(600)라 함은 건식, 습식, 고주파 또는 레이저 등 다양한 방법으로 열처리(600) 할 수 있으며, 열처리(600)의 수단은 이에 한정되지 않는다.

일반적으로 유리 기판(110)의 경우 크랙(crack)이 발생하는 부위는 인장 응력이 가해지고 있는 부위에서 쉽게 발생하며, 유리 기판(110)이 완전히 깨지는 에너지의 근원 역시 인장 응력이다. 이에 압축 응력이 발생되고 있는 유리 기판(110)의 안쪽 면이 아닌 인장 응력이 발생되고 있는 유리 기판(110)의 바깥쪽 면에 열처리(600)를 수행함으로써 인장 응력이 완화될 수 있다.

인장 응력이 완화됨으로 인해 유리 기판(110)에 크랙이 발생하는 것을 방지하거나 지연시킬 수 있을 뿐만 아니라, 크랙이 성장할 수 있는 에너지를 미연에 열처리(600)를 통해 완화 또는 제거함으로써 곡면으로 형성된 유리 기판(110)의 내구성 및 신뢰성을 강화할 수 있는 것이다.

구체적으로, 습식 열처리(600)로서는 수증기(water vapor)를 통한 열처리(600)를 할 수 있으며, 이 경우 200~ 600℃에서 10~ 30분간 열처리할 수 있으나, 온도나 시간 조건은 이에 한정되지 않으며 다양하게 변경할 수 있다.

건식 열처리(600)로는 복사열 처리를 통한 열처리(600)를 할 수 있으며, 이 경우 습식 열처리(600)와는 다르게 조금 더 고온에 해당하는 600~ 800℃에서 10~ 30분간 열처리(600)할 수 있으나, 온도나 시간 조건은 이에 한정 되지 않으며 다양하게 변경할 수 있다.

또한, 습식 또는 건식 열처리(600) 이 외에도 고주파를 통한 열처리(600)로서 극초단파(VFM) 처리나 레이저 처리를 통한 열처리(600)를 수행할 수 있다.

이렇게 열처리 된 유리 기판(110)은 유리 표면 강도가 200MPa 이상, 유리의 가장자리(edge) 강도가 120MPa 이상 될 수 있다.

마지막으로, 도 1 및 도 4를 참고하면, 이렇게 열처리된 유리 기판(110)을 평면 형태로 다시 복원시킨다(S300).

이는 곡면 표시 장치를 제조하기 위한 유리 기판(110)을 곡면 형태로 고정시켜둘 경우 생산, 이동 등에 불편하기 때문에 곡면을 형성하기 위한 유리 기판(110)도 대부분의 과정에서는 평면 형태로 유통하는 것이 효율적, 경제적이기 때문이다.

이 후, 곡면 표시 장치를 형성하기 위해 유리 기판(110)을 필요한 곡률에 따라 구부려서 곡면 표시 장치로 제조할 수 있다(S400).

이렇게 곡면 형태로 구부려서 열처리(600)를 한 경우, 이미 열처리(600)된 유리 기판(110)에서는 인장 응력이 완화 또는 제거되었기 때문에 유리 기판(110)을 평면으로 되돌렸다가, 다시 곡면으로 형성하더라도 인장 응력이 완화 또는 제거된 효과는 그대로 발현될 수 있기에 평면으로 다시 복원하더라도 문제가 없다.

그러면, 도 5를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판의 내구성 및 신뢰도의 실험 결과에 대해서 살펴본다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 표시 장치의 신뢰성을 실험한 결과를 나타낸 그래프이다.

세로축은 신뢰성(reliability)을 나타내는 것으로서, 예를 들어 유리 기판(110) 특정 개수를 지정된 곡률 반경에 따라 구부렸을 때 크랙이 발생하여 파손되는 개수, 즉 파손되지 않을 확률을 나타내고 있다. 가로축은 곡면 유리 기판(110)의 곡률 반경(mm)을 나타내고 있다.

도 5를 살펴보면, 예비 열처리(600)를 하지 않은 유리 기판(110)의 경우 곡률 반경이 2100mm 정도만 되도 크랙이 발생하고 파손되어 신뢰성이 떨어지는 것을 알 수 있다.

이와 반대로, 예비 열처리(600)를 한 유리 기판(110)의 경우 곡률 반경이 2100mm 정도에서는 신뢰성이 99.9% 정도로서 유리 기판(110)이 거의 파손되지 않음을 알 수 있고, 곡률 반경이 1800mm로 줄었음에도 99.3% 정도의 신뢰성을 나타내고 있음을 알 수 있다.

따라서, 예비 열처리(600)를 거친 유리 기판(110)의 경우 더 저곡률의 구현이 가능할 뿐 아니라, 신뢰성 및 내구성도 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

이하에서는, 도 6내 지 도 8을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유리 기판(110)이 적용된 표시 장치의 일 적용예에 대하여 상세하게 설명한다.

여기서는 편의상 유기 발광 표시 장치(OLED)를 일례로 들고 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 예비 열처리된 유리 기판이 사용되는 경우라면 이에 한정되지 않으며, 표시 장치는 유기 발광 표시 장치가 아닌 액정 표시 장치(LCD)가 적용될 수도 있다.

도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡면 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 7은 도 6의 곡면 표시 장치의 화소의 평면 배치도이며, 도 8은 도 6의 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

먼저 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널은 유리 기판(110) 및 이에 대향하는 봉지 기판(210)을 포함하고, 이들은 실런트(300)에 의하여 접합된다.

유리 기판(110)은 화상을 표시하기 위한 것으로, 유리 기판(110) 상에는 유기 발광 소자(70)와 이를 구동하기 위한 박막 트랜지스터 등을 포함하는 구동 회로(DC)가 형성된다. 봉지 기판(210)은 유기 발광 소자(70) 등을 보호하기 위하여 유리 기판(110)을 밀봉하는 것으로, 본 실시예에서는 봉지 기판(210)이 메탈로 형성된다.

다음으로, 도 7 및 도 8을 참고하면, 도 7 및 도 8에서는 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM) 유기 발광 표시 패널을 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 유기 발광 표시 패널은 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 배선의 배치를 변경하여 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기에서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 패널은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.

유리 기판(110)은 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80) 및 유기 발광 소자(70)를 포함한다. 그리고, 유리 기판(110)은 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.

유기 발광 소자(70)는 화소 전극(710), 화소 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720) 및 유기 발광층(720) 상에 형성된 공통 전극(730)을 포함한다. 본 실시예에서, 화소 전극(710)은 정공 주입 전극인 양극이며, 공통 전극(730)은 전자 주입 전극인 음극이 되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 화소 전극(710) 및 공통 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 여기자(exiton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.

축전 소자(80)는 유전체 역할을 하는 게이트 절연막(140)을 사이에 두고 배치된 제1 축전판(158) 및 제2 축전판(178)을 포함한다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함하고, 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결되며, 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되고 제1 축전판(158)과 연결된다.

구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 제1 축전판(158)과 연결되고, 구동 소스 전극(176) 및 제2 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결되며, 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)(182)을 통해 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710)과 연결된다.

이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광하게 된다.

이하에서는, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널을 적층 순서에 따라 설명한다.

유리 기판(110)의 기판 부재(111)는 투명한 절연성 기판으로 형성되는데 본 실시예에서는 기판 부재(111)가 유리(glass)로 형성된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 패널의 유리 기판(110)은 앞서 설명한 예비 열처리를 통해 제조된 유리 기판(110)이 사용된다.

예비 열처리에 대해서는 전술한 내용과 동일한 바 중복되는 설명은 생략한다.

제1 기판 부재(111) 상에는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성되는데, 버퍼층(120)은 기판 부재(111)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.

버퍼층(120) 상에는 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 및 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이다.

본 실시예에서는 구동 박막 트랜지스터(20)로 P형 불순물을 사용하는 PMOS 구조의 박막 트랜지스터가 사용되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고, NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터를 사용할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서 구동 박막 트랜지스터(20)는 다결정 규소막을 포함하는 다결정 박막 트랜지스터이지만, 도 3에 도시되지 않은 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 다결정 박막 트랜지스터이거나 비정질 규소막을 포함하는 비정질 박막 트랜지스터일 수 있다.

구동 반도체층(132) 상에는 질화규소 또는 산화규소 등으로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성되는데, 게이트 배선은 게이트 라인(151), 제1 축전판(158) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 그리고, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.

게이트 절연막(140) 상에는 구동 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성되고, 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)에는 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 홀(hole)이 형성된다. 층간 절연막(160)은, 게이트 절연막(140)과 마찬가지로, 질화규소, 산화규소 등으로 형성된다.

층간 절연막(160) 상에는 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성되고, 데이터 배선은 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 축전판(178) 및 그 밖의 배선을 더 포함한다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 각각 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 홀을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.

이와 같이, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성되는데, 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당업자에 의하여 다양하게 변형이 가능할 것이다.

층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(180)이 형성되고, 평탄화막(180)에는 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀(contact hole)(182)이 형성된다. 한편, 층간 절연막(160) 및 평탄화막(180)은 어느 하나를 생략할 수 있다.

평탄화막(180) 상에는 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710)이 형성되고, 화소 전극(710)은 컨택홀(182)을 통해 드레인 전극(177)과 연결된다. 또한, 평탄화막(180) 상에 각 화소 전극(710)을 드러내는 복수의 개구부(199)를 갖는 화소 정의막(190)이 형성된다. 화소 정의막(190)이 형성된 부분은 실질적으로 비발광 영역이 되고, 화소 정의막(190)의 개구부(199)가 형성된 부분은 실질적으로 발광 영역이 된다.

화소 전극(710) 상에는 유기 발광층(720)이 형성되고, 유기 발광층(720) 상에는 공통 전극(730)이 형성되어, 유기 발광 소자(70)를 구성한다. 유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어지고, 유기 발광층(720)은 정공 주입층(Hole Injection Later, HIL), 정공 수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다.

한편, 본 실시예에 때른 유기 발광 표시 패널은 배면 발광형, 즉 유리 기판(110) 방향으로 빛이 출사되도록 형성된다. 따라서, 본 실시예에서 화소 전극(710)은 투명한 도전성 물질로 형성되는데, 투명 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용할 수 있다. 배면 발광형에서 발광 효율을 높이기 위하여 공통 전극(730)을 반사형 도전성 물질로 형성할 수 있고, 반사형 도전성 물질로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다.

공통 전극(730) 상에는 봉지 기판(210)이 유리 기판(110)과 대향하여 배치되고, 양 기판(110, 210)은 그 사이에 개재된 실런트(300)를 통해 접합된다.

본 실시예에서 봉지 기판(210)은 메탈로 형성되어 유기 발광 소자(70) 등을 밀봉하여 보호한다. 봉지 기판(210)을 구성하는 메탈로는 알루미늄, 구리, 스테인리스 스틸, 티타늄, 텅스텐, 인바(invar), 카본복합재료 등을 사용할 수 있다. 이와 같이, 메탈로 봉지 기판(210)을 형성함으로써 봉지 기판(210)의 두께를 얇게 형성할 수 있어, 슬림한 유기 발광 표시 패널을 구현할 수 있다.

유리 기판(110)과 봉지 기판(210)은 실런트(300)를 통해 접합되는데, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지를 사용할 수 있다.

이상과 같이 본 발명의 일실시예에 따른 곡면 표시 장치는 유리 기판에 예비 열처리를 수행함으로써, 곡면 패널의 내구성 및 신뢰성이 개선될 수 있는 장점이 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

70: 유기 발광 소자 110: 유리 기판
210: 봉지 기판 300: 실런트
DC: 구동 회로 600: 열처리

Claims

기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계;
곡면으로 형성된 상기 기판을 열처리하는 단계;
열처리된 상기 기판을 평면 형태로 복원시키는 단계, 및
평면 형태의 상기 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계를 포함하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제1항에서,
상기 기판은 유리(glass)인 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제2항에서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 곡면으로 형성된 상기 기판에서 인장 응력(tensile stress)이 발생하고 있는 면을 열처리하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제3항에서,
상기 기판을 열처리 하는 단계는 곡면으로 형성된 상기 기판의 볼록한 면을 열처리하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제3항에서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 습식 열처리 방법으로 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제5항에서,
상기 습식 열처리는 수증기를 이용하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제6항에서,
상기 수증기를 이용한 습식 열처리는 200~600℃에서 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제7항에서,
상기 수증기를 이용한 습식 열처리는 10~30분간 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제7항에서,
상기 수증기를 이용한 습식 열처리는 10~30분간 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제9항에서,
상기 건식 열처리는 복사열을 이용하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제10항에서,
상기 건식 열처리는 600~800℃에서 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제11항에서,
상기 복사열을 이용한 건식 열처리는 10~30분간 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제3항에서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 고주파를 통한 열처리 방법으로 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제13항에서,
상기 고주파를 통한 열처리는 극초단파(VFM) 또는 레이저를 이용하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
유리 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계,
상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계,
상기 유기 발광층 위에 공통 전극을 형성하는 단계,
상기 유리 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계;
곡면으로 형성된 상기 유리 기판에서 인장 응력이 발생하는 면을 열처리하는 단계;
열처리된 상기 유리 기판을 평면 형태로 복원시키는 단계, 및
평면 형태의 상기 기판을 구부려 곡면으로 형성하는 단계를 포함하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제15항에서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 수증기를 이용하여 200~600℃에서 10~30분간 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제15항에서,
상기 기판을 열처리하는 단계는 복사열을 이용하여 600~800℃에서 10~30분간 수행하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.
제15항에서,
상기 기판을 열처리 하는 단계는 극초단파(VFM) 또는 레이저를 이용하는 곡면 표시 장치의 제조 방법.