KR20160062546A - backlight unit having board adapted for uniform luminance - Google Patents

backlight unit having board adapted for uniform luminance Download PDF

Info

Publication number
KR20160062546A
KR20160062546A KR1020140165445A KR20140165445A KR20160062546A KR 20160062546 A KR20160062546 A KR 20160062546A KR 1020140165445 A KR1020140165445 A KR 1020140165445A KR 20140165445 A KR20140165445 A KR 20140165445A KR 20160062546 A KR20160062546 A KR 20160062546A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
group
emitting diodes
light
guide plate
Prior art date
Application number
KR1020140165445A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김지호
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020140165445A priority Critical patent/KR20160062546A/en
Publication of KR20160062546A publication Critical patent/KR20160062546A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

The present invention relates to a backlight unit having a board for uniform brightness, wherein the backlight unit comprises: a board including a projected part and a recessed part; a first group of multiple light emitting diodes arranged in the recessed part; and a second group of multiple light emitting diodes arranged in the projected part, wherein the most adjacent light emitting diode to each light emitting diode included in the first group can be included in the second group. Accordingly, when the backlight unit is used with a liquid crystal display panel including a diffusion plate or a light guide plate, the distance between the light emitting diodes included in the first group and the diffusion plate or the light guide plate increases, thereby reducing a hot spot phenomenon. In addition, an area of light received by the diffusion plate or the light guide plate from the light emitting diodes included in the first group increases, and an area of light received by the diffusion plate or the light guide plate from the light emitting diodes included in the second group that are alternately arranged is relatively small. Thus, on the surface of the diffusion plate or the light guide plate which receives light, a ratio of relatively dark region (M) to the surface decreases, and an area on which light emitted from adjacent light emitting diodes overlaps each other increases. Therefore, the brightness of light emitted from the backlight unit can be uniform on the entire are of the light receiving surface of the diffusion plate or the light guide plate. Additionally, since there is no need to lean the board in order to mount light emitting diodes thereon in the SMT process, a process can be simplified and a defect such as distortion of a board can be minimized.

Description

균일한 휘도를 위한 기판을 갖는 백라이트 유닛 {backlight unit having board adapted for uniform luminance}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backlight unit having a substrate for uniform brightness,

본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히, 균일한 휘도를 위한 기판을 갖는 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit, and more particularly, to a backlight unit having a substrate for uniform brightness.

액정 디스플레이(liquid crystal display)와 같은 수동 디스플레이 장치는 스스로 광을 발생하지 못하므로, 이미지를 구현하기 위해 광원을 필요로 한다. 예를 들어, 특정 액정 디스플레이는 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원으로부터 방출된 광을 반사하거나 흡수하여 이미지를 구현할 수 있다. 그러나 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원의 광 강도가 액정 디스플레이(LCD) 패널을 조명하기에 충분하지 않을 경우 이미지를 선명하게 디스플레이할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점에 대한 대안으로 디스플레이 패널을 백라이팅하기 위한 백라이트 유닛(back light unit; BLU)이 일반적으로 채택된다. Passive display devices, such as liquid crystal displays, do not generate light by themselves, and thus require a light source to implement the image. For example, a particular liquid crystal display can implement images by reflecting or absorbing light emitted from ambient sunlight or indoor illumination sources. However, there is a problem that the image can not be displayed clearly if the light intensity of the surrounding sunlight or indoor illumination light source is not sufficient to illuminate the liquid crystal display (LCD) panel. As an alternative to such a problem, a backlight unit (BLU) for backlighting a display panel is generally adopted.

백라이트 유닛은 백열 램프, 형광 램프 또는 발광 다이오드(LED)와 같은 광원을 포함한다. 광원에서 방출된 광이 상기 LCD 패널을 조명함으로써 이미지가 구현된다. 한편, LED는 색재현성이 우수하여 백라이트 광원으로 종종 사용되며, 환경친화적이어서 앞으로 그 사용이 더욱 증가할 것으로 기대된다. The backlight unit includes a light source such as an incandescent lamp, a fluorescent lamp, or a light emitting diode (LED). An image is realized by the light emitted from the light source illuminating the LCD panel. On the other hand, LED has excellent color reproducibility and is often used as a backlight light source, and is expected to be used in the future because it is environmentally friendly.

도 1은 종래 기술에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 도 1의 절취선 A-A'따라 취해진 단면도이며, 도 3은 도 1의 B 방향으로 바라본 확산판(20)의 하면을 나타내기 위한 개략도이다. 도 2의 파선은 발광 다이오드(13) 각각에서 방출된 일정 지향각의 광의 경로를 보여준다.도 1을 참조하면, 종래의 백라이트 유닛은 베이스(11), 베이스(11)상의 기판(12), 기판(12) 상의 발광 다이오드들(13), 기판(12)과 일정 거리로 이격되어 배치된 확산판(20)을 포함한다. 상기 발광 다이오드들(13)은 기판(12)의 평평한 면 상에 일정 간격을 두고 배치된다. 발광 다이오드(13)에 전류가 인가되면, 각각의 발광 다이오드(13)에서 광이 방출되어 확산판(20)에 입사된다. FIG. 1 is a perspective view for explaining a conventional backlight unit, FIG. 2 is a sectional view taken along a perforated line A-A 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of a bottom surface of the diffusion plate 20 Fig. 1, the conventional backlight unit includes a base 11, a substrate 12 on a base 11, a light-emitting diode 13, a light- Emitting diodes 13 on the substrate 12, and a diffusion plate 20 spaced apart from the substrate 12 by a certain distance. The light emitting diodes 13 are arranged on the flat surface of the substrate 12 at regular intervals. When a current is applied to the light emitting diode 13, light is emitted from each of the light emitting diodes 13 and is incident on the diffusion plate 20.

도 2 및 도 3을 참조하면, 모든 발광 다이오드(13)와 확산판(20) 사이의 거리가 일정하기 때문에, 확산판(20)으로 입사되는 광의 면적 또한 일정하다. 2 and 3, since the distance between all the light emitting diodes 13 and the diffusion plate 20 is constant, the area of the light incident on the diffusion plate 20 is also constant.

종래의 백라이트 유닛의 경우, 발광 다이오드(13)의 수직 상부에 광도가 크고, 발광 다이오드(13) 사이 영역(M)의 상부에는 광도가 상대적으로 낮아, 휘도 불균일 현상이 발생하여, 백라이트 유닛의 불량을 야기하는 문제가 있다. 더욱이, 지향각이 좁은 발광 다이오드(13)를 사용하는 경우 발광 다이오드(13)의 수직 상부에 핫스팟(hot spot)이 발생하기도 한다.In the case of the conventional backlight unit, the light intensity is large at the vertical upper portion of the light emitting diode 13, the brightness is relatively low at the upper portion of the region M between the light emitting diodes 13, . ≪ / RTI > Furthermore, when the light emitting diode 13 having a narrow directivity angle is used, a hot spot may be generated in the vertical upper portion of the light emitting diode 13.

이러한 문제를 해결하기 위해, 대한민국 공개특허번호 10-2014-0070692 는 기판의 수직방향으로부터 +10°로 기울어져 실장된 발광 다이오드와 -10°로 기울어져 실장된 발광 다이오드를 사용하여, 확산판으로 입사되는 광의 면적을 증가시켜 좁은 지향각을 가지는 발광 다이오드(13)를 사용할 시 발생되는 광 불균일 현상을 개선한다. 다만, 발광 다이오드로부터 확산판에 수직으로 광이 입사되는 것이 아니어서, 발광 다이오드로부터 확산판까지의 광 도달거리가 길어지게 되고, 공기층에서의 광 손실이 유발된다. 또한, 발광 다이오드를 특정 각도로 기울여서 실장하기 위해, SMT(surface mount technology) 공정에서 기판을 특정 각도로 기울여야하는 어려움이 있으며, 기판 뒤틀림 현상 등 SMT 공정 과정에서 불량이 발생할 수 있다.In order to solve this problem, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2014-0070692 discloses a light emitting diode which is mounted at an angle of + 10 ° from the vertical direction of a substrate and a light emitting diode which is mounted at an angle of -10 °, Thereby increasing the area of the incident light and improving the light unevenness phenomenon occurring when the light emitting diode 13 having a narrow directivity angle is used. However, since light is not incident perpendicularly from the light emitting diode to the diffuser plate, the light reaching distance from the light emitting diode to the diffuser plate becomes long, and light loss in the air layer is caused. In addition, in order to mount the light emitting diode at a specific angle, there is a difficulty in tilting the substrate at a certain angle in a surface mount technology (SMT) process, and defects may occur in the SMT process such as substrate distortion.

따라서, 휘도 불균일을 최소화시킬 수 있으면서, 발광 다이오드가 기울여진 상태로 기판에 배치되지 않는 백라이트 유닛이 요구된다.Therefore, a backlight unit which is capable of minimizing luminance unevenness and is not disposed on the substrate with the light emitting diodes tilted is required.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 휘도가 균일한 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.A problem to be solved by the present invention is to provide a backlight unit having uniform brightness.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, SMT 공정이 단순하고, 기판의 뒤틀림 등의 불량을 최소화할 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit which is simple in the SMT process and can minimize defects such as distortion of the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광 다이오드와 확산판, 또는 발광 다이오드와 도광판 사이의 공기층에서의 광 손실을 줄일 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit capable of reducing light loss in the air layer between a light emitting diode and a diffusion plate or between a light emitting diode and a light guide plate.

본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛은 돌출부와 오목부를 포함하는 기판, 및 상기 오목부에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제1 그룹, 및 상기 돌출부에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함하고, 상기 제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속할 수 있다. 이를 통해, 확산판 또는 도광판을 포함하는 액정 디스플레이 패널과 함께 백라이트 유닛을 사용할 시, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들과 확산판 또는 도광판의 간격이 커짐에 따라, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있다. 또한, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판 또는 도광판에 입사되는 광의 면적이 커지게 되고, 교번하여 배치된 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판 또는 도광판에 입사되는 광의 면적은 상대적으로 작다. 따라서, 광이 입사되는 확산판 또는 도광판의 입사면에서, 상대적으로 어두운 부분의 비율이 줄며, 인접한 발광 다이오드들에서 방출된 광들이 겹치는 면적이 증가된다. 그러므로, 백라이트 유닛에서 방출되는 광의 휘도가 확산판 또는 도광판의 입사면의 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다. 뿐만 아니라, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로, 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.A backlight unit according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a protrusion and a concave portion, a first group of a plurality of light emitting diodes disposed in the recess, and a second group of a plurality of light emitting diodes disposed in the protrusion And the light emitting diodes closest to each light emitting diode belonging to the first group may belong to the second group. Accordingly, when the backlight unit is used together with the liquid crystal display panel including the diffusion plate or the light guide plate, the hot spot phenomenon can be reduced as the distance between the light emitting diodes belonging to the first group and the diffusion plate or the light guide plate increases. The area of the light incident on the diffuser plate or the light guide plate from the light emitting diodes belonging to the first group becomes larger and the area of the light incident on the diffuser plate or the light guide plate from the light emitting diodes belonging to the second group alternately arranged is relatively large small. Accordingly, the proportion of the relatively dark portions is reduced on the incident surface of the diffusion plate or the light guide plate on which the light is incident, and the overlapping area of the light emitted from the adjacent light emitting diodes is increased. Therefore, the brightness of the light emitted from the backlight unit can be uniform over the entire region of the light incident surface of the diffusion plate or the light guide plate. In addition, since it is not necessary to tilt the substrate to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified, and defects such as distortion of the substrate can be minimized.

상기 돌출부 및 상기 오목부는 각각 평평한 면을 가질 수 있다. 이를 통해, 상기 발광 다이오드들은 확산판 또는 도광판의 입사면과 대향하여 배치될 수 있다. 따라서, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.The projecting portion and the concave portion may each have a flat surface. Accordingly, the light emitting diodes may be arranged to face the incident surface of the diffusion plate or the light guide plate. Therefore, since there is no need to tilt the substrate to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified and defects such as warping of the substrate can be minimized.

상기 백라이트 유닛은 상기 돌출부의 측면 상에 배치된 반사층을 더 포함할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드들에서 상기 돌출부의 측면을 향해 방출된 광이 상기 돌출부의 측면으로 흡수되는 것이 방지될 수 있으며, 반사층에 의해 반사된 광이 확산판 또는 도광판으로 향할 수 있다.The backlight unit may further include a reflective layer disposed on a side surface of the protrusion. Therefore, the light emitted from the light emitting diodes toward the side surface of the protrusion can be prevented from being absorbed by the side surface of the protrusion, and the light reflected by the reflection layer can be directed to the diffusion plate or the light guide plate.

상기 돌출부의 측면과 상기 오목부의 바닥면이 둔각을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드들에서 방출된 광이 확산판 또는 도광판에 이르기 전에 상기 돌출부의 측면에 의해 손실되는 것이 방지될 수 있다.The side surface of the protruding portion and the bottom surface of the concave portion can be formed to be obtuse. Therefore, the light emitted from the light emitting diodes can be prevented from being lost by the side surface of the protrusion before reaching the diffusion plate or the light guide plate.

상기 기판은 PCB일 수 있다.The substrate may be a PCB.

상기 백라이트 유닛은 베이스를 더 포함할 수 있으며, 상기 기판은 상기 베이스 상에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 베이스는 상기 기판을 지지하는 역할을 할 수 있다.The backlight unit may further include a base, and the substrate may be disposed on the base. Accordingly, the base may serve to support the substrate.

상기 베이스는 상기 기판의 상기 돌출부와 상기 오목부에 대응하는 요철형태를 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 베이스와 상기 기판 사이의 공간이 최소화될 수 있으므로, 상기 발광 다이오드들에서 발생하여 상기 기판으로 전달된 열이 상기 베이스를 통해 효과적으로 방산될 수 있다.The base may include a concavo-convex shape corresponding to the projection and the concave portion of the substrate. Accordingly, since the space between the base and the substrate can be minimized, the heat generated in the light emitting diodes and transferred to the substrate can be effectively dissipated through the base.

본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 상기 기판은 도전성 패드들을 포함한다. 상기 제2 그룹의 발광 다이오드들이 상기 도전성 패드들 상에 배치되며, 상기 제1 그룹의 발광 다이오드들은 상기 도전성 패드들 사이에 배치된다. In some embodiments of the present invention, the substrate comprises conductive pads. The second group of light emitting diodes are disposed on the conductive pads, and the first group of light emitting diodes are disposed between the conductive pads.

상기 백라이트 유닛은 상기 도전성 패드들의 측면 상에 배치된 반사층을 더 포함할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드들에서 상기 도전성 패드들의 측면을 향해 방출된 광이 상기 도전성 패드들의 측면으로 흡수되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 반사층에 의해 반사된 광이 확산판 또는 도광판으로 향할 수 있다.The backlight unit may further include a reflective layer disposed on a side surface of the conductive pads. Therefore, the light emitted from the light emitting diodes toward the sides of the conductive pads can be prevented from being absorbed by the side surfaces of the conductive pads, and the light reflected by the reflective layer can be directed to the diffusion plate or the light guide plate.

상기 도전성 패드들의 측면과 상기 도전성 패드들 사이에 노출된 상기 기판의 상면이 둔각을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드들에서 방출된 광이 확산판 또는 도광판에 이르기 전에 상기 도전성 패드들의 측면에 의해 손실되는 것이 방지될 수 있다.The top surface of the substrate exposed between the side surfaces of the conductive pads and the conductive pads may be an obtuse angle. Therefore, the light emitted from the light emitting diodes can be prevented from being lost by the side surfaces of the conductive pads before reaching the diffusion plate or the light guide plate.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은, 기판, 상기 기판 상에 배치된 복수의 발광 다이오드의 제1 그룹 및 복수의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함하고, 상기 제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속하며, 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들이 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에 비해 상기 기판의 하면으로부터 멀리 떨어질 수 있다. 이를 통해, 도광판을 포함하는 액정 디스플레이 패널과 함께 백라이트 유닛을 사용할 시, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들과 도광판의 간격이 커짐에 따라, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있다. 또한, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 도광판에 입사되는 광의 면적이 커지게 되고, 교번하여 배치된 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 도광판에 입사되는 광의 면적은 상대적으로 작다. 따라서, 광이 입사되는 도광판의 입사면에서, 상대적으로 어두운 부분의 비율이 줄며, 인접한 발광 다이오드들에서 방출된 광이 겹치는 면적이 증가된다. 그러므로, 백라이트 유닛에서 방출되는 광의 휘도가 도광판 입사면의 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다. 뿐만 아니라, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로, 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.A backlight unit according to another embodiment of the present invention includes a substrate, a first group of a plurality of light emitting diodes disposed on the substrate, and a second group of a plurality of light emitting diodes, The light emitting diodes closest to the diode belong to the second group and the light emitting diodes belonging to the second group may be farther from the lower surface of the substrate than the light emitting diodes belonging to the first group. Accordingly, when the backlight unit is used together with the liquid crystal display panel including the light guide plate, the hot spot phenomenon can be reduced as the distance between the light-emitting diodes belonging to the first group and the light guide plate increases. Also, the area of the light incident on the light guide plate from the light emitting diodes belonging to the first group becomes larger, and the area of the light incident on the light guide plate from the light emitting diodes belonging to the second group arranged alternately is relatively small. Therefore, in the incident surface of the light guide plate on which the light is incident, the ratio of the relatively dark portion is reduced, and the overlapping area of the light emitted from the adjacent light emitting diodes is increased. Therefore, the brightness of the light emitted from the backlight unit can be uniform over the entire area of the light incident surface of the light guide plate. In addition, since it is not necessary to tilt the substrate to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified, and defects such as distortion of the substrate can be minimized.

상기 백라이트 유닛은 도광판의 측면에 배치될 수 있으며, 상기 도광판의 입사면은 장축과 상기 장축보다 짧은 단축을 가진다. 나아가, 상기 백라이트 유닛은 상기 장축과 나란하게 배치되고, 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하도록 배치된 영역을 포함하는 반사시트를 더 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에서 방출된 광 중 도광판의 입사면을 향하지 않는 광이 상기 반사시트에 의해 도광판을 향하도록 반사될 수 있다. The backlight unit may be disposed on a side surface of the light guide plate, and the incident surface of the light guide plate has a major axis and a minor axis shorter than the major axis. Furthermore, the backlight unit may further include a reflective sheet disposed in parallel with the major axis, and including an area disposed to face a side surface of the light emitting diodes belonging to the first group. Therefore, among the light emitted from the light emitting diodes belonging to the first group, light not directed to the incident surface of the light guide plate can be reflected by the reflective sheet toward the light guide plate.

상기 반사시트는 상기 도광판과 접할 수 있다. 이 경우, 상기 도광판과 상기 반사시트가 이격된 영역으로 광이 빠져나가는 것을 방지할 수 있으므로, 광 손실을 줄일 수 있다.The reflective sheet may be in contact with the light guide plate. In this case, it is possible to prevent light from escaping to a region where the light guide plate and the reflective sheet are spaced apart from each other, thereby reducing light loss.

상기 반사시트는 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하도록 배치된 영역을 더 포함할 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드에서 방출된 광 중 도광판의 입사면을 향하지 않는 광이 상기 반사시트에 의해 도광판을 향하도록 반사될 수 있다. 또한, 상기 기판의 외곽 일면 상에 배치되는 상기 반사시트가 복수개의 반사시트들이 이격된 것이 아니라 일체를 이루는 반사시트이기 때문에, 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들 각각의 측면에 대향한 반사시트들을 설치해야하는 공정 상의 곤란성이 제거될 수 있다.The reflective sheet may further include a region disposed to face a side surface of the light emitting diodes belonging to the second group. Accordingly, light not directed to the incident surface of the light guide plate among the light emitted from the light emitting diodes belonging to the second group can be reflected by the reflective sheet toward the light guide plate. In addition, since the reflective sheet disposed on the outer surface of the substrate is a reflective sheet integrally formed with the plurality of reflective sheets, not the reflective sheets, the reflective sheets facing the respective side surfaces of the LEDs belonging to the first group The process difficulties to be installed can be eliminated.

상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도가 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도보다 클 수 있다. 이를 통해, 확산판 또는 도광판의 입사면에서 제1 그룹에 속하는 발광 다이오들에서 방출된 광과 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들에서 방출된 광의 광도 차이가 줄어들 수 있으므로, 백라이트 유닛의 휘도가 균일해질 수 있다.The luminances of the light emitting diodes belonging to the first group may be greater than the luminances of the light emitting diodes belonging to the second group. This makes it possible to reduce the difference in the luminance of the light emitted from the light emitting diodes belonging to the first group and the light emitted from the light emitting diodes belonging to the second group on the incident surface of the diffuser plate or the light guide plate so that the brightness of the backlight unit becomes uniform .

본 발명의 실시예들에 따르면, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있으며, 백라이트 유닛에서 방출된 광의 휘도가 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다. 또한, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로, 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the hot spot phenomenon can be reduced and the brightness of the light emitted from the backlight unit can be uniform over the entire area. Further, since there is no need to tilt the substrate in order to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified, and defects such as distortion of the substrate can be minimized.

도 1은 종래 기술에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1의 절취선 A-A'를 따라 취해진 종래 기술에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 1의 종래의 백라이트 유닛을 B 방향에서 바라본 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 도 4의 절취선 C-C'를 따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 4의 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 D 방향에서 바라본 개략도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 도 10의 백라이트 유닛을 E 방향에서 바라본 개략도이다.
도 12는 도 10의 절취선 F-F'를 따라 취해진 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
1 is a perspective view illustrating a backlight unit according to the related art.
2 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to the related art taken along the perforated line A-A 'in Fig.
FIG. 3 is a schematic view of the conventional backlight unit of FIG. 1 viewed from direction B. FIG.
4 is a perspective view illustrating a backlight unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention taken along a perforated line C-C 'in FIG.
FIG. 6 is a schematic view of a backlight unit according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4 in a direction D; FIG.
7 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
10 is a perspective view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
11 is a schematic view of the backlight unit of Fig. 10 viewed from the direction E; Fig.
12 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention taken along the perforated line F-F 'of FIG.
13 is a perspective view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.
14 is a perspective view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can sufficiently convey the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. It is also to be understood that when an element is referred to as being "above" or "above" another element, But also includes the case where there are other components in between. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이고, 도 5는 도 4의 절취선 C-C'를 따라 취해진 단면도이며, 도 6은 도 4의 D 방향으로 바라본 확산판(200)의 하면을 나타내기 위한 개략도이다.4 is a perspective view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the cut-away line C-C 'of FIG. 4, 200). ≪ / RTI >

도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛은 기판(102), 발광 다이오드(110)를 포함한다.4 to 6, a backlight unit according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 102 and a light emitting diode 110.

기판(102)은 기판(102) 상에 실장되는 발광 다이오드(110)에 전류 등의 전기적 신호를 전달하는 역할을 한다. 기판(102)은 절연체 및 도전성 회로를 포함한다. 절연체는 에폭시 수지, 비스말레이미드 등의 폴리이미드 수지, 및 세라믹 물질을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 도전성 회로는 절연체 표면 또는 내부에 형성될 수 있다. 도전성 회로는 Cu, Au 등의 전도도가 높은 금속을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 기판(102)은 PCB(Printed Circuit Board)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate 102 serves to transmit an electric signal such as a current to the light emitting diode 110 mounted on the substrate 102. The substrate 102 includes an insulator and a conductive circuit. The insulator may include, but is not limited to, a polyimide resin such as an epoxy resin, bismaleimide, and a ceramic material. The conductive circuit can be formed on the insulator surface or inside. The conductive circuit may include a metal having high conductivity such as Cu or Au, but is not limited thereto. The substrate 102 may be a printed circuit board (PCB), but is not limited thereto.

발광 다이오드(110)는 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층 사이에 위치하는 활성츨을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ 계열 화합물 반도체를 포함할 수 있고, 예를 들어, (Al, Ga, In)N과 같은 질화물계 반도체를 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층은 n형 불순물(예를 들어, Si)을 포함할 수 있고, 제2 도전형 반도체층은 p형 불순물(예를 들어, Mg)을 포함할 수 있다. 또한, 그 반대일 수 있다.The light emitting diode 110 includes a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer disposed on the first conductive semiconductor layer, an active layer located between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer, . The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer may include a III-V compound semiconductor, for example, a nitride semiconductor such as (Al, Ga, In) N, have. The first conductivity type semiconductor layer may include an n-type impurity (for example, Si), and the second conductivity type semiconductor layer may include a p-type impurity (for example, Mg). It may also be the opposite.

활성층은 다중양자우물구조(MQM)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드(110)에 순방향 바이어스가 가해지면 활성층에서 전자와 정공이 결합하면서 빛을 방출하게 된다. 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층은 금속유기화학기상증착(MOCVD) 또는 분자선에피택시(MBE) 등의 기술을 이용하여 성장 기판 상에 성장될 수 있다. 성장 기판은 이 후 연마 공정 등을 통해 두께가 얇아질 수 있으며, 또는 다양한 리프트 오프 공정을 통해 반도체층들로부터 제거될 수 있다.The active layer may comprise multiple quantum well structures (MQM). When a forward bias is applied to the light emitting diode 110, electrons and holes are combined with each other in the active layer to emit light. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer may be grown on a growth substrate using a technique such as metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). The growth substrate may then be thinned through a polishing process or the like, or may be removed from the semiconductor layers through various lift-off processes.

발광 다이오드(110)는 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제1 전극, 제2 도전형 반도체층 상에 위치하며, 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제2 전극을 더 포함할 수 있다. 제1 전극 및 제2 전극은 Al층과 같은 고반사 금속층을 포함할 수 있으며, 고반사 금속층은 Ti, Cr 또는 Ni 등의 접착층 상에 형성될 수 있다. 또한, 고반사 금속층 상에 Ni, Cr, Au 등의 단층 또는 복합층 구조의 보호층이 형성될 수 있다. 제1 전극 및 제2 전극은 예컨대, Ti/Al/Ti/Ni/Au 의 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 전극 및 제2 전극은 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층 상에 금속 물질을 증착하고, 이를 패터닝하여 형성될 수 있다.The light emitting diode 110 is disposed on the first conductivity type semiconductor layer and includes a first electrode electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, a second electrode electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer, And a second electrode electrically connecting the first electrode and the second electrode. The first electrode and the second electrode may include a highly reflective metal layer such as an Al layer and the highly reflective metal layer may be formed on an adhesive layer such as Ti, Cr, or Ni. Further, a protective layer of a single layer or a multiple layer structure such as Ni, Cr, Au or the like may be formed on the highly reflective metal layer. The first electrode and the second electrode may have a multi-layer structure of Ti / Al / Ti / Ni / Au, for example. The first electrode and the second electrode may be formed by depositing a metal material on the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer and patterning the same.

기판(102)은 돌출부(H)와 오목부(L)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(102)의 상면은 돌출부(H)와 돌출부(H) 사이의 오목부(L)를 포함할 수 있다. 돌출부(H) 및 오목부(L)는 패턴을 가진 마스크를 이용한 식각 공정 또는 금형 스탬핑(stamping) 공정 등을 통해 기판(102)에 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 돌출부(H)와 오목부(L)에 의해, 확산판(200) 또는 도광판과 기판(102)의 각 영역의 간격이 달라질 수 있다.The substrate 102 may include a protrusion H and a recess L. 4 and 5, the upper surface of the substrate 102 may include a concave portion L between the protrusion H and the protrusion H, for example. The projections H and the recesses L may be formed on the substrate 102 through an etching process using a mask having a pattern or a stamping process, but the present invention is not limited thereto. The gap between the diffusion plate 200 or each region of the light guide plate and the substrate 102 can be varied by the projecting portion H and the recessed portion L. [

돌출부(H) 및 오목부(L)는 각각 평평한 면을 가질 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 다이오드(110)들이 돌출부(H) 및 오목부(L)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 발광 다이오드(110)들은 확산판 또는 도광판의 입사면과 대향하여 배치될 수 있다. 따라서, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.The projecting portion H and the recessed portion L may each have a flat surface. 4 and 5, the light emitting diodes 110 may be disposed on the protruding portion H and the concave portion L. Referring to FIG. Specifically, the light emitting diodes 110 may be arranged to face the incident surface of the diffusion plate or the light guide plate. Therefore, since there is no need to tilt the substrate to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified and defects such as warping of the substrate can be minimized.

도시되진 않았지만, 돌출부(H)의 측면 상에 반사층이 더 배치될 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드(110)에서 돌출부(H)의 측면을 향해 방출된 광이 돌출부(H)의 측면으로 흡수되는 것을 방지되며, 반사층에 의해 반사된 광이 확산판(200) 또는 도광판으로 향할 수 있다. 반사층은 Al 등의 반사성 금속, 백색재질의 세라믹 또는 폴리머를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Although not shown, a reflective layer may be further disposed on the side of the projection H. This prevents the light emitted from the light emitting diode 110 toward the side of the protrusion H from being absorbed to the side of the protrusion H and the light reflected by the reflection layer is directed toward the diffusion plate 200 or the light guide plate . The reflective layer may include a reflective metal such as Al, a white ceramic or a polymer, but is not limited thereto.

본 발명의 백라이트 유닛은 오목부(L)에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제1 그룹, 및 돌출부(H)에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드와 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드는 교번하여 기판(102) 상에 배치될 수 있다. 이를 통해, 확산판(200) 또는 도광판을 포함하는 액정 디스플레이 패널과 함께 백라이트 유닛을 사용할 시, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들과 확산판(200) 또는 도광판의 간격이 커짐에 따라, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있다. The backlight unit of the present invention may include a first group of a plurality of light emitting diodes disposed in the concave portion L and a second group of a plurality of light emitting diodes disposed in the protruded portion H. [ Specifically, the light emitting diodes belonging to the first group and the light emitting diodes belonging to the second group can be alternately arranged on the substrate 102. Accordingly, when the backlight unit is used together with the liquid crystal display panel including the diffuser plate 200 or the light guide plate, as the distance between the light emitting diodes belonging to the first group and the diffuser plate 200 or the light guide plate increases, hot spot phenomenon Can be reduced.

제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속할 수 있다. 이 경우, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판 또는 도광판에 입사되는 광의 면적이 커질 수 있고, 교번하여 배치된 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판 또는 도광판에 입사되는 광의 면적은 상대적으로 작다. 따라서, 광이 입사되는 확산판 또는 도광판의 입사면에서, 상대적으로 어두운 부분(M)의 비율이 줄며, 인접한 발광 다이오드들에서 방출된 광이 겹치는 면적이 증가된다. 그러므로, 백라이트 유닛에서 방출되는 광의 휘도가 확산판 또는 도광판의 입사면의 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다.The light emitting diodes closest to each light emitting diode belonging to the first group may belong to the second group. In this case, the area of the light incident on the diffuser plate or the light guide plate from the light emitting diodes belonging to the first group can be large, and the area of the light incident from the light emitting diodes belonging to the second group arranged alternately into the diffuser plate or the light guide plate is relatively Is small. Therefore, the proportion of the relatively dark portion M is reduced on the incident surface of the diffusion plate or the light guide plate on which the light is incident, and the overlapping area of the light emitted from the adjacent light emitting diodes is increased. Therefore, the brightness of the light emitted from the backlight unit can be uniform over the entire region of the light incident surface of the diffusion plate or the light guide plate.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 7을 참조하면, 도 4 및 도 5를 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 기판(102)의 상면 뿐만 아니라 기판(102)의 하면도 돌출부(H)와 오목부(L)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 구체적으로, 기판(102)은 돌출부(H)와 오목부(L)를 포함하는 요철 형태를 포함하기 때문에, 상면의 돌출부(H)는 하면의 오목부(L)을 구성하며, 상면의 오목부(L)은 하면의 돌출부(H)를 구성한다.7 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, similar to the backlight unit described with reference to FIGS. 4 and 5, not only the upper surface of the substrate 102 but also the lower surface of the substrate 102 includes the protruding portion H and the concave portion L There is a difference. Specifically, since the substrate 102 includes the concavo-convex shape including the protruding portion H and the concave portion L, the protruding portion H on the upper surface constitutes the concave portion L of the lower surface, (L) constitutes a projecting portion (H) of the lower surface.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛에 있어서, 돌출부(H)의 측면과 오목부(L)의 바닥면이 둔각을 이룰 수 있다. 도 7을 참조하면, 도 4 및 도 5의 돌출부(H)의 측면이 오목부(L)과 직각인 것과 달리, 둔각이며, 이를 통해, 발광 다이오드(110)에서 방출된 광이 확산판(200) 또는 도광판에 이르기 전에 돌출부(H)의 측면에 의해 손실되는 것을 방지할 수 있다. In the backlight unit according to another embodiment of the present invention, the side surface of the projecting portion H and the bottom surface of the concave portion L may be obtuse. 7, the side surface of the projection H in FIGS. 4 and 5 is at an obtuse angle with respect to the recess L so that the light emitted from the light emitting diode 110 passes through the diffusion plate 200 ) Or by the side surface of the projection H before reaching the light guide plate.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 베이스(101)를 더 포함할 수 있으며, 기판(102)은 베이스(101) 상에 배치될 수 있다. 베이스(101)는 기판(102)을 지지하는 역할을 한다. 본 발명의 백라이트 유닛의 형태는 발광 다이오드(110)에서 방출된 광이 확산판(200)의 하면에 수직으로 입사되는 직하형(direct type) 또는 발광 다이오드(110)에서 방출된 광이 도광판의 측면에 수직으로 입사되는 에지형(edge type)을 포함할 수 있다. 에지형의 경우, 직하형과 달리 발광 다이오드(110)의 출사면이 도광판의 측면을 향해야 하므로, 베이스(101)은 일부 절곡된 형태를 가지며, 도광판의 측면에 대향하는 베이스(101)의 일면 상에 기판(102)이 배치될 수 있다. The backlight unit according to another embodiment of the present invention may further include a base 101 and the substrate 102 may be disposed on the base 101. [ The base 101 serves to support the substrate 102. The backlight unit of the present invention may be a direct type in which light emitted from the light emitting diode 110 is vertically incident on a lower surface of the diffusion plate 200 or light emitted from the light emitting diode 110 is incident on a side surface And may include an edge type that is vertically incident on the substrate. In the case of the edge type, unlike the direct type, since the emitting surface of the light emitting diode 110 must face the side surface of the light guide plate, the base 101 has a partially bent shape and is formed on one surface of the base 101 opposite to the side surface of the light guide plate The substrate 102 may be disposed on the substrate 102. [

도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 8을 참조하면, 도 7을 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 베이스(101)가 기판(102)에 포함된 돌출부(H)와 오목부(L)에 대응하는 요철형태를 포함할 수 있다. 구체적으로, 기판(102)의 하면의 전 영역이 베이스(101)와 접할 수 있다. 따라서, 도 7을 통해 설명한 실시예와 달리, 베이스(101)와 기판(102) 사이의 공간(a)을 제거할 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드(110)에서 발생하여 기판(102)으로 전달된 열이 베이스(101)를 통해 효과적으로 방산될 수 있다. 베이스(101)의 요철형태는 스탬핑 공정을 통해 형성될 수 있다.8 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the backlight unit is similar to the backlight unit described with reference to FIG. 7. However, the base 101 may include protrusions corresponding to the protrusions H and the recesses L included in the substrate 102. FIG. Specifically, the entire area of the lower surface of the substrate 102 can be in contact with the base 101. Therefore, unlike the embodiment described with reference to FIG. 7, the space a between the base 101 and the substrate 102 can be removed. In this case, heat generated in the light emitting diode 110 and transferred to the substrate 102 can be effectively dissipated through the base 101. [ The concave-convex form of the base 101 can be formed through a stamping process.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다. 도 9를 참조하면, 도 4 및 도 5를 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 기판(102)은 도전성 패드(120)들을 포함하며 도전성 패드들(120)에 의해 돌출부와 오목부가 정의된다. 제1 그룹은 도전성 패드(120)들 사이에 배치되며, 제2 그룹은 도전성 패드(120)들 상에 배치된다. 구체적으로, 기판(102)의 상면이 평평하며, 도전성 패드(120)들은 기판(102)의 상면 상에 배치될 수 있다. 도전성 패드(120)에 의해, 제1 그룹과 제2 그룹 간에 단차가 형성될 수 있다. 이를 통해, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들과 확산판(200) 또는 도광판의 간격이 커짐에 따라, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있다. 또한, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판(200) 또는 도광판에 입사되는 광의 면적이 커지게 되고, 교번하여 배치된 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 확산판(200) 또는 도광판에 입사되는 광의 면적은 상대적으로 작다. 따라서, 광이 입사되는 확산판(200) 또는 도광판의 입사면에서, 상대적으로 어두운 부분(M)의 비율이 줄며, 인접한 발광 다이오드들에서 방출된 광이 겹치는 면적이 증가된다 그러므로, 백라이트 유닛에서 방출되는 광의 휘도가 확산판(200) 또는 도광판의 입사면의 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다. 뿐만 아니라, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판을 기울일 필요가 없으므로, 공정이 단순해질 수 있으며, 기판의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다. 더불어, 기판(102) 상에 인쇄된 회로가 굴곡진 형태를 포함하지 않을 수 있어서, 회로의 단선 등의 불량이 방지될 수 있다. 도전성 패드(120)는 Al, Cu 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.9 is a cross-sectional view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9, similar to the backlight unit described with reference to FIGS. 4 and 5, the substrate 102 includes conductive pads 120 and protrusions and depressions are defined by the conductive pads 120. The first group is disposed between the conductive pads 120 and the second group is disposed on the conductive pads 120. Specifically, the top surface of the substrate 102 is flat, and the conductive pads 120 may be disposed on the top surface of the substrate 102. [ By the conductive pad 120, a step can be formed between the first group and the second group. Accordingly, as the distance between the light emitting diodes belonging to the first group and the diffusion plate 200 or the light guide plate increases, the hot spot phenomenon can be reduced. In addition, the light incident from the light emitting diodes belonging to the first group to the diffuser plate 200 or the light guide plate becomes large, and light from the light emitting diodes belonging to the second group alternately arranged enters the diffusion plate 200 or the light guide plate The area of the light is relatively small. Therefore, in the incident plane of the diffuser plate 200 or the light guide plate on which the light is incident, the ratio of the relatively dark portion M is reduced, and the overlapping area of the light emitted from the adjacent light emitting diodes is increased. The brightness of the light can be made uniform over the entire region of the diffusion plate 200 or the incident surface of the light guide plate. In addition, since it is not necessary to tilt the substrate to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified, and defects such as distortion of the substrate can be minimized. In addition, the circuit printed on the substrate 102 may not include a curved shape, so that defects such as disconnection of the circuit can be prevented. The conductive pad 120 may include, but is not limited to, Al, Cu, and the like.

도전성 패드(120)의 높이를 조절하여, 백라이트 유닛의 휘도를 더욱 균일하게 할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(110)가 가로 7mm, 세로 2mm, 높이 0.8mm이며, 발광 다이오드들의 중심 간의 거리가 8.29mm이고, 제2 그룹과 도광판의 간격이 1mm인 경우, 도전성 패드(120)의 높이가 0.8mm 인 경우, 백라이트 유닛의 휘도 차이가 최소가 된다. 도전성 패드(120)는 사진 및 식각 기술 또는 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The brightness of the backlight unit can be made more uniform by adjusting the height of the conductive pad 120. [ For example, when the light emitting diode 110 has a width of 7 mm, a length of 2 mm, a height of 0.8 mm, a distance between centers of light emitting diodes is 8.29 mm, and a distance between the second group and the light guide plate is 1 mm, When the height is 0.8 mm, the luminance difference of the backlight unit is minimized. The conductive pad 120 may be formed using photolithography and etching techniques or lift-off techniques, but is not limited thereto.

도시되진 않았지만, 도전성 패드(120)의 측면 상에 반사층이 더 배치될 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드(110)에서 도전성 패드(120)의 측면을 향해 방출된 광이 도전성 패드(120)의 측면으로 흡수되는 것을 방지되며, 반사층에 의해 반사된 광이 확산판(200) 또는 도광판으로 향할 수 있다. 반사층은 Al 등의 반사성 금속, 백색재질의 세라믹 또는 폴리머를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Although not shown, a reflective layer may be further disposed on the side of the conductive pad 120. The light emitted from the light emitting diode 110 toward the side surface of the conductive pad 120 is prevented from being absorbed by the side surface of the conductive pad 120 and the light reflected by the reflective layer is reflected by the diffusion plate 200 or the light guide plate 120. [ Lt; / RTI > The reflective layer may include a reflective metal such as Al, a white ceramic or a polymer, but is not limited thereto.

도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 도전성 패드(120)들의 측면과 도전성 패드(120)들 사이에 노출된 기판(102)의 상면이 둔각을 이룰 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드(110)에서 방출된 광이 확산판(200) 또는 도광판에 이르기 전에 도전성 패드(120)들의 측면에 의해 손실되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 9, a backlight unit according to another embodiment of the present invention may have an obtuse angle with the top surface of the substrate 102 exposed between the side surfaces of the conductive pads 120 and the conductive pads 120. This can prevent the light emitted from the light emitting diode 110 from being lost by the sides of the conductive pads 120 before reaching the diffusion plate 200 or the light guide plate.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이고, 도 11은 도 10의 백라이트 유닛을 E 방향에서 바라본 개략도이며, 도 12는 도 10의 절취선 F-F'를 따라 취해진 도 10의 백라이트 유닛을 설명하기 위한 단면도이다.10 is a perspective view for explaining a backlight unit according to still another embodiment of the present invention, FIG. 11 is a schematic view of the backlight unit of FIG. 10 viewed from the direction E, FIG. 12 is a cross- 10 is a cross-sectional view illustrating the backlight unit of Fig.

도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은, 기판(102), 기판(102) 상에 배치된 복수의 발광 다이오드의 제1 그룹 및 복수의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함하고, 제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속하며, 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들이 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에 비해 기판(102)의 하면으로부터 멀리 떨어질 수 있다. 이를 통해, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들과 도광판(300)의 간격이 커짐에 따라, 핫스팟 현상이 줄어들 수 있다. 또한, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 도광판(300)에 입사되는 광의 면적이 커지게 되고, 교번하여 배치된 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들로부터 도광판(300)에 입사되는 광의 면적은 상대적으로 작다. 따라서, 광이 입사되는 도광판(300)의 입사면에서, 상대적으로 어두운 부분(M)의 비율이 줄며, 인접한 발광 다이오드들에서 방출된 광이 겹치는 면적이 증가된다. 그러므로, 백라이트 유닛에서 방출되는 광의 휘도가 도광판(300) 입사면의 전 영역에 걸쳐 균일해질 수 있다. 뿐만 아니라, SMT 공정에서 발광 다이오드들을 실장하기 위해 기판(102)을 기울일 필요가 없으므로, 공정이 단순해질 수 있으며, 기판(102)의 뒤틀림 등의 불량도 최소화할 수 있다.Referring to Fig. 10, a backlight unit according to another embodiment of the present invention includes a substrate 102, a first group of a plurality of light emitting diodes disposed on the substrate 102, and a second group of a plurality of light emitting diodes And the light emitting diodes closest to each light emitting diode belonging to the first group belong to the second group and the light emitting diodes belonging to the second group are farther from the lower surface of the substrate 102 than the light emitting diodes belonging to the first group . Accordingly, as the distance between the light emitting diodes belonging to the first group and the light guide plate 300 increases, hot spot phenomenon can be reduced. The area of the light incident on the light guide plate 300 from the light emitting diodes belonging to the first group becomes larger and the area of the light incident on the light guide plate 300 from the light emitting diodes belonging to the second group alternately arranged is relatively larger small. Accordingly, the ratio of the relatively dark portion M is reduced on the incident surface of the light guide plate 300 on which the light is incident, and the overlapping area of the light emitted from the adjacent light emitting diodes is increased. Therefore, the brightness of the light emitted from the backlight unit can be uniform over the entire area of the incident surface of the light guide plate 300. [ In addition, since it is not necessary to tilt the substrate 102 to mount the light emitting diodes in the SMT process, the process can be simplified, and defects such as distortion of the substrate 102 can be minimized.

도 10 내지 12를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛에 있어서, 상기 백라이트 유닛은 도광판(300)의 측면에 배치되며, 도광판(300)의 입사면은 장축과 장축보다 짧은 단축을 가진다.. 한편, 반사시트(130)가 도광판(300)의 장축과 나란하게 배치된다. 상기 반사시트(130)는 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하도록 배치된 영역을 포함한다. 따라서, 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에서 방출된 광 중 도광판의 입사면을 향하지 않는 광이 상기 반사시트에 의해 도광판을 향하도록 반사될 수 있다.10 to 12, in the backlight unit according to another embodiment of the present invention, the backlight unit is disposed on a side surface of the light guide plate 300, and the incident surface of the light guide plate 300 has a short axis The reflective sheet 130 is disposed in parallel with the long axis of the light guide plate 300. [ The reflective sheet 130 includes an area disposed to face the side surfaces of the light emitting diodes belonging to the first group. Therefore, among the light emitted from the light emitting diodes belonging to the first group, light not directed to the incident surface of the light guide plate can be reflected by the reflective sheet toward the light guide plate.

반사시트(130)는 Al 등의 반사성 금속, 백색재질의 세라믹 또는 폴리머를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사시트(130)는 도 10 및 도 11에 도시된 것처럼, 제1 그룹의 발광 다이오드의 측면에 한하여 복수개로 형성될 수 있으며, 장축을 따라 나란하게 배열된 각각의 반사시트(130)들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 발광 다이오드를 사이에 두고 양 측면에 한 쌍으로 반사시트(130)가 형성될 수 있다. 반사시트(130)는 도광판(300)과 접할 수 있다. 이 경우, 도광판(300)과 반사시트(130)가 이격된 영역으로 광이 빠져나가는 것을 방지할 수 있어서, 광 손실을 줄일 수 있다.The reflective sheet 130 may include a reflective metal such as Al, a white ceramic or a polymer, but is not limited thereto. As shown in FIGS. 10 and 11, the reflective sheet 130 may be formed as a plurality of side surfaces of the first group of light emitting diodes, and each of the reflective sheets 130 arranged in parallel along the long axis may be spaced apart from each other . In addition, the reflective sheet 130 may be formed on both sides of the light emitting diodes. The reflective sheet 130 can be in contact with the light guide plate 300. In this case, it is possible to prevent light from escaping to a region where the light guide plate 300 and the reflective sheet 130 are separated from each other, thereby reducing light loss.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다. 도 13을 참조하면, 도 10 내지 도 12를 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 반사시트(130)가 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하여 배치된 영역을 더 포함한다는 점에서 차이가 있다. 구체적으로, 도 10의 백라이트 유닛은 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드의 측면에 한하여 반사시트(130)가 형성되지만, 도 13의 백라이트 유닛은 제1 그룹 및 제2 그룹의 발광 다이오드들 모두에서 방출되는 광을 반사시킬 수 있도록, 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드 측면에도 반사시트(130)가 배치되어 있다. 또한, 도 10의 백라이트 유닛은 장축을 따라 나란하게 배열된 복수개의 반사시트(130)이 서로 이격되어 형성되지만, 도 13의 백라이트 유닛은 장축을 따라 나란하게 배열된 한 쌍의 일체형 반사시트(130)로 형성된다. 따라서, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들 각각의 측면에 대향한 반사시트들을 설치해야 하는 공정상의 곤란성이 제거될 수 있다.13 is a perspective view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention. Referring to Fig. 13, there is a difference in that the reflective sheet 130 is similar to the backlight unit described with reference to Figs. 10 to 12, but further includes a region disposed opposite to the side faces of the light emitting diodes belonging to the second group . Specifically, in the backlight unit of Fig. 10, the reflection sheet 130 is formed only on the side surface of the light emitting diode belonging to the first group, but the backlight unit of Fig. 13 is emitted from both the first group and the second group of light emitting diodes In order to reflect the light, the reflection sheet 130 is also disposed on the side surface of the light emitting diode belonging to the second group. The backlight unit of FIG. 10 is formed by spacing a plurality of reflective sheets 130 arranged in parallel along the longitudinal axis. However, the backlight unit of FIG. 13 includes a pair of integral reflective sheets 130 . Thus, the difficulty in the process of installing the reflective sheets opposite to the side surfaces of each of the light emitting diodes belonging to the first group can be eliminated.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다. 도 14를 참조하면, 도 13을 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드 측면의 반사시트(130) 영역은 도광판(300)과 접하지 않는 점에서 차이가 있다. 제2 그룹과 도광판(300)의 간격은 상대적으로 가깝기 때문에, 방출된 광의 대부분이 도광판(300)을 향하므로, 제1 그룹의 발광 다이오드 측면의 반사시트(130) 영역과 같은 높이로 형성되지 않을 수 있다.14 is a perspective view illustrating a backlight unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 14, similar to the backlight unit described with reference to FIG. 13, the area of the reflective sheet 130 on the side of the light emitting diode belonging to the second group differs in that it does not contact the light guide plate 300. Since the distance between the second group and the light guide plate 300 is relatively close to that of the light guide plate 300, most of the emitted light is directed to the light guide plate 300, .

본 발명의 실시예들에 따른 백라이트 유닛에 있어서, 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도가 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도보다 클 수 있다. 제1 그룹과 확산판(200) 또는 도광판의 간격이 상대적으로 크기 때문에, 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도보다 큰 광도를 가진 발광 다이오드가 제1 그룹에 포함되는 경우, 확산판(200) 또는 도광판의 입사면에서 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에서 방출된 광과 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들에서 방출된 광의 광도 차이가 줄어들 수 있으므로, 백라이트 유닛의 휘도가 균일해질 수 있다.In the backlight unit according to the embodiments of the present invention, the luminances of the light emitting diodes belonging to the first group may be larger than those of the light emitting diodes belonging to the second group. When the first group includes the light emitting diodes having a luminous intensity greater than that of the light emitting diodes belonging to the second group because the interval between the first group and the light diffusing plate 200 or the light guiding plate is relatively large, The brightness of light emitted from the light emitting diodes belonging to the first group and the light emitted from the light emitting diodes belonging to the second group can be reduced at the incident surface of the light guide plate, so that the brightness of the backlight unit can be made uniform.

Claims (15)

돌출부와 오목부를 포함하는 기판; 및
상기 오목부에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제1 그룹, 및 상기 돌출부에 배치된 복수개의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함하고,
상기 제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속하는 백라이트 유닛.
A substrate including a projection and a recess; And
A first group of a plurality of light emitting diodes disposed in the concave portion and a second group of a plurality of light emitting diodes disposed in the protruded portion,
Wherein the light emitting diodes closest to each light emitting diode belonging to the first group belong to the second group.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부 및 상기 오목부는 각각 평평한 면을 가지는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the protruding portion and the concave portion each have a flat surface.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부의 측면 상에 배치된 반사층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
And a reflective layer disposed on a side surface of the protrusion.
청구항 1에 있어서,
상기 돌출부의 측면과 오목부의 바닥면이 둔각을 이루는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the side surface of the protrusion and the bottom surface of the concave portion form an obtuse angle.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은 PCB인 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is a PCB.
청구항 1에 있어서,
베이스를 더 포함하며,
상기 기판은 상기 베이스 상에 배치된 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Further comprising a base,
Wherein the substrate is disposed on the base.
청구항 6에 있어서,
상기 베이스는 상기 기판의 상기 돌출부와 상기 오목부에 대응하는 요철형태를 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 6,
Wherein the base includes a projecting portion corresponding to the projection and the concave portion of the substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 기판은 도전성 패드들을 포함하며,
상기 제2 그룹은 상기 도전성 패드들 상에 배치되고,
상기 제1 그룹은 상기 도전성 패드들 사이에 배치된 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
The substrate includes conductive pads,
The second group being disposed on the conductive pads,
Wherein the first group is disposed between the conductive pads.
청구항 8에 있어서,
상기 도전성 패드들의 측면 상에 배치된 반사층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 8,
And a reflective layer disposed on a side of the conductive pads.
청구항 8에 있어서,
상기 도전성 패드들의 측면과 상기 도전성 패드들 사이에 노출된 상기 기판의 상면이 둔각을 이루는 백라이트 유닛.
The method of claim 8,
Wherein a side of the conductive pads and an upper surface of the substrate exposed between the conductive pads form an obtuse angle.
기판;
상기 기판 상에 배치된 복수의 발광 다이오드의 제1 그룹 및 복수의 발광 다이오드의 제2 그룹을 포함하고,
상기 제1 그룹에 속하는 각 발광 다이오드와 가장 인접한 발광 다이오드는 제2 그룹에 속하며,
상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들이 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들에 비해 상기 기판의 하면으로부터 멀리 떨어진 백라이트 유닛.
Board;
A first group of a plurality of light emitting diodes and a second group of a plurality of light emitting diodes disposed on the substrate,
The light emitting diodes closest to the light emitting diodes belonging to the first group belong to the second group,
Wherein the light emitting diodes belonging to the second group are remote from the lower surface of the substrate as compared to the light emitting diodes belonging to the first group.
청구항 11에 있어서,
반사시트를 더 포함하되,
상기 백라이트 유닛은 도광판의 측면에 배치되고,
상기 도광판의 입사면은 장축과 상기 장축보다 짧은 단축을 가지며,
상기 반사시트는 상기 장축과 나란하게 배치되며, 상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하도록 배치된 영역을 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 11,
Further comprising a reflective sheet,
Wherein the backlight unit is disposed on a side surface of the light guide plate,
Wherein an incident surface of the light guide plate has a major axis and a minor axis shorter than the major axis,
Wherein the reflective sheet includes a region disposed in parallel with the long axis and arranged to face a side surface of the light emitting diodes belonging to the first group.
청구항 12에 있어서,
상기 반사시트는 상기 도광판과 접하는 백라이트 유닛.
The method of claim 12,
Wherein the reflective sheet is in contact with the light guide plate.
청구항 12에 있어서,
상기 반사시트는 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 측면과 대향하도록 배치된 영역을 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 12,
Wherein the reflective sheet further comprises an area disposed to face a side surface of the light emitting diodes belonging to the second group.
청구항 1 내지 청구항 14에 있어서,
상기 제1 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도가 상기 제2 그룹에 속하는 발광 다이오드들의 광도보다 큰 백라이트 유닛.
The method according to any one of claims 1 to 14,
Wherein the luminous intensity of the light emitting diodes belonging to the first group is larger than that of the light emitting diodes belonging to the second group.
KR1020140165445A 2014-11-25 2014-11-25 backlight unit having board adapted for uniform luminance KR20160062546A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140165445A KR20160062546A (en) 2014-11-25 2014-11-25 backlight unit having board adapted for uniform luminance

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140165445A KR20160062546A (en) 2014-11-25 2014-11-25 backlight unit having board adapted for uniform luminance

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160062546A true KR20160062546A (en) 2016-06-02

Family

ID=56135679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140165445A KR20160062546A (en) 2014-11-25 2014-11-25 backlight unit having board adapted for uniform luminance

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160062546A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108983493A (en) * 2018-07-26 2018-12-11 惠州市华星光电技术有限公司 Backlight module and liquid crystal display

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108983493A (en) * 2018-07-26 2018-12-11 惠州市华星光电技术有限公司 Backlight module and liquid crystal display

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6620120B2 (en) Backlight including semiconductor light emitting device
US8247834B2 (en) Light-emitting diode chip for backlight unit, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device including the same
JP5021671B2 (en) Lighting device
TWI440208B (en) Low profile side emitting led
US7322721B2 (en) Side emitting device, backlight unit using the same as light source and liquid crystal display employing the backlight unit
US7553046B2 (en) LCD device with direct backlight unit having light emitting clusters
US8493516B2 (en) Light-emitting module, illumination device, display device, and television receiver
KR100869573B1 (en) Difussion lense, optical device and lighting apparutus thereof
WO2011099328A1 (en) Backlight device, liquid crystal display device and television receiver
KR20060124831A (en) Backlight assembly and lcd having the same
JP2009295560A (en) Planar light source and liquid crystal display device
US20110063543A1 (en) Liquid crystal display device
KR20130005644A (en) Light emitting module, and illumination system
US20110038141A1 (en) Lateral emission led backlight for lcd
JP2009252380A (en) Hollow type surface lighting device
US8488081B2 (en) Plane light source and LCD backlight unit having the same
US8882322B2 (en) Backlight unit
CN108511585A (en) Light emitting module and lens
US20090114930A1 (en) Light-emitting diode and light-emitting diode array light source
JP4716397B2 (en) Flat lighting device
JP2004039778A (en) Light emitting device for illumination
KR20160062546A (en) backlight unit having board adapted for uniform luminance
US8511885B2 (en) Light emitting device assembly, backlight unit and display device having the same
KR101318925B1 (en) Backlight unit for Liquid Crystal Display device
JP5392930B2 (en) Planar light source and liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination