KR20160056401A - Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method thereof - Google Patents

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KR20160056401A
KR20160056401A KR1020140155723A KR20140155723A KR20160056401A KR 20160056401 A KR20160056401 A KR 20160056401A KR 1020140155723 A KR1020140155723 A KR 1020140155723A KR 20140155723 A KR20140155723 A KR 20140155723A KR 20160056401 A KR20160056401 A KR 20160056401A
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device which includes red, green, and blue sub pixels and a white sub pixel. The red, green, and blue sub pixels are located on a first substrate, and include a transistor part, a color filter and a white organic light emitting diode, respectively. The white sub pixel is located on the first substrate, and includes a transistor part and a white organic light emitting diode. The transmissivity of a transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the white sub pixel is lower than the transmissivity of a transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the red, green, and blue sub pixels. So, the deterioration of field visibility can be prevented.

Description

유기전계발광표시장치와 이의 제조방법{Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display: OLED) 및 플라즈마액정패널(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 평판 표시장치(Flat Panel Display: FPD)의 사용이 증가하고 있다. 그 중 고해상도를 구현할 수 있고 소형화뿐만 아니라 대형화가 가능한 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.As the information technology is developed, the market of display devices, which is a connection medium between users and information, is getting larger. Accordingly, a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED) display and a plasma liquid crystal display (PDP) ) Have been increasing. Among them, liquid crystal display devices capable of realizing high resolution and capable of not only miniaturization but also enlargement are widely used.

앞서 설명한 표시장치 중 일부 유기전계발광표시장치에는 복수의 서브 픽셀을 포함하는 표시패널과 표시패널을 구동하는 구동부가 포함된다. 구동부에는 표시패널에 스캔신호(또는 게이트신호)를 공급하는 스캔구동부 및 표시패널에 데이터신호를 공급하는 데이터구동부 등이 포함된다.Some of the display devices described above include a display panel including a plurality of sub-pixels and a driver for driving the display panel. The driving unit includes a scan driver for supplying a scan signal (or a gate signal) to the display panel, and a data driver for supplying a data signal to the display panel.

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 서브 픽셀들에 스캔신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.In an organic light emitting display, when a scan signal, a data signal, or the like is supplied to sub-pixels arranged in a matrix form, the selected sub-pixel emits light, thereby displaying an image.

종래 제안된 유기전계발광표시장치는 표시면에 대응되는 크기를 갖는 원편광판을 표시패널의 외부에 부착한다. 원편광판은 외광에 의한 반사로 인하여 야외 시인성이 저하되는 문제를 방지한다. 원편광판은 대략 150㎛의 두께를 갖는다. 이 때문에, 종래 제안된 방식은 원편광판의 부착에 따른 다양한 문제가 수반되는바 이를 대체할 수 있는 방안이 요구된다.Conventionally, an organic light emitting display device attaches a circular polarizer having a size corresponding to a display surface to the outside of a display panel. The circularly polarizing plate prevents a problem that outdoor visibility is deteriorated due to reflection by external light. The circularly polarizing plate has a thickness of approximately 150 mu m. Therefore, conventionally proposed methods are accompanied with various problems due to the attachment of the circular polarizer, and therefore, there is a need for a method that can replace them.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 원편광판을 미사용하면서 야외 시인성이 저하되는 문제를 개선하는 것이다. 또한, 본 발명은 유기전계발광표시장치가 연성을 갖도록 구현되어야 하는 경우 원편광판의 부착 특성 등을 고려해야 하는 문제를 생략하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention for solving the problems of the background art described above is to solve the problem that outdoor visibility is deteriorated while the circular polarizer is not used. In addition, the present invention omits the problem of considering the attachment characteristics of the circular polarizer when the organic electroluminescent display device is to be made flexible.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀과 백색 서브 픽셀을 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다. 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀은 제1기판 상에 위치하며 트랜지스터부, 컬러필터 및 백색 유기 발광다이오드를 각각 포함한다. 백색 서브 픽셀은 제1기판 상에 위치하며 트랜지스터부 및 백색 유기 발광다이오드를 포함한다. 백색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율보다 낮다.The present invention relates to an organic light emitting display device including red, green and blue subpixels and white subpixels. The red, green, and blue subpixels are located on the first substrate and each include a transistor portion, a color filter, and a white organic light emitting diode. The white sub-pixel is located on the first substrate and includes a transistor portion and a white organic light emitting diode. The transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the white subpixel is lower than that of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the red, green, and blue subpixels.

백색 서브 픽셀은 투명 산화물 전극에 흑화된 영역을 가질 수 있다.The white subpixel may have a blackened area on the transparent oxide electrode.

흑화된 영역은 백색 서브 픽셀의 발광부에 대응될 수 있다.The blackened region may correspond to the light emitting portion of the white subpixel.

투명 산화물 전극은 애노드전극 또는 캐소드전극 중 빛이 발광되는 방향에 위치하는 전극일 수 있다.The transparent oxide electrode may be an anode electrode or a cathode electrode in a direction in which light is emitted.

다른 측면에서 본 발명은 유기전계발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 유기전계발광표시장치의 제조방법은 제1기판 상에 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 픽셀 영역을 정의하는 단계; 제1기판 상에 정의된 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 픽셀 영역에 트랜지스터부 및 백색 유기 발광다이오드를 각각 형성하는 단계; 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 영역 상에 적색, 녹색 및 청색 컬러필터를 각각 형성하는 단계; 및 백색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율이 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율보다 낮아지도록 백색 서브 픽셀의 투명 산화물 전극을 흑화하는 단계를 포함한다.In another aspect, the present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display. A method of manufacturing an organic light emitting display includes: defining red, green, blue, and white sub-pixel regions on a first substrate; Forming a transistor portion and a white organic light emitting diode in the red, green, blue and white sub-pixel regions defined on the first substrate, respectively; Forming red, green, and blue color filters on the red, green, and blue sub-pixel regions, respectively; The transparent oxide electrode of the white subpixel is blackened so that the transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the white subpixel becomes lower than the transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the red, .

흑화하는 단계에서는 백색 서브 픽셀의 발광부에 대응되는 투명 산화물 전극의 영역을 흑화할 수 있다.The area of the transparent oxide electrode corresponding to the light emitting portion of the white subpixel can be blackened in the step of blackening.

흑화하는 단계에서는 질소 플라즈마를 실시할 수 있다.In the step of blackening, nitrogen plasma can be applied.

흑화하는 단계에서는 질소 플라즈마를 이용한 제1플라즈마 처리를 실시한 이후, 산소 플라즈마를 이용한 제2플라즈마 처리를 실시할 수 있다.In the step of blackening, after the first plasma treatment using nitrogen plasma, the second plasma treatment using oxygen plasma can be performed.

본 발명은 원편광판을 미사용하면서 야외 시인성이 저하되는 문제를 개선할 수 있게 되므로 원편광판의 부착에 따른 투과율 저하와 더불어 출사되는 빛의 효율이 저하되는 문제를 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 원편광판을 제거하고도 야외 시인성이 저하되는 문제를 개선할 수 있게 되므로 유기전계발광표시장치가 연성을 갖도록 구현되어야 하는 경우 원편광판의 부착 특성 등을 고려해야 하는 문제를 생략할 수 있다. 또한, 본 발명은 원편광판 제거에 따라 제조공정 상의 비용 절감을 기대할 수 있다.The present invention can solve the problem that the outdoor visibility is lowered while the circular polarizer is not used, so that it is possible to solve the problem that the transmittance decreases due to the attachment of the circular polarizer and the efficiency of the emitted light decreases. In addition, the present invention can solve the problem that outdoor visibility is deteriorated even when the circular polarizer is removed. Therefore, when the organic electroluminescent display device is to be made flexible, it is possible to omit the problem of considering the attachment characteristics of the circular polarizer have. Further, the present invention can be expected to reduce cost in the manufacturing process by removing the circular polarizer.

도 1은 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도.
도 3은 서브 픽셀의 개략적인 단면 계층도.
도 4는 서브 픽셀의 다양한 배치 예시도.
도 5는 RGB 서브 픽셀로 구현된 표시패널과 RGBW 서브 픽셀로 구현된 표시패널에 대한 야외 시인성 문제를 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 RGBW 서브 픽셀의 평면 배치 예시도.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 도 6의 A1-A2 영역을 나타낸 단면도.
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따라 도 6의 B1-B2 영역을 나타낸 단면도.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따라 도 6의 A1-A2 영역을 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명의 제2실시예에 따라 도 6의 B1-B2 영역을 나타낸 단면도.
도 11은 흑화 공정을 설명하기 위한 서브 픽셀의 일부 층을 나타낸 단면도.
도 12는 흑화 공정에 의한 전극의 투과율 변화를 나타낸 실험 결과 그래프.
도 13은 본 발명에 따른 야외 시인성 개선 정도를 설명하기 위한 도면.1 is a block diagram schematically showing an organic light emitting display device.
Fig. 2 is a schematic view showing the subpixel shown in Fig. 1. Fig.
Figure 3 is a schematic cross-sectional hierarchical view of a subpixel.
4 shows various exemplary arrangements of subpixels.
FIG. 5 is a view for explaining an outdoor viewability problem of a display panel implemented with RGB subpixels and a display panel implemented with RGBW subpixels; FIG.
6 is an exemplary planar layout of RGBW subpixels according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 7 is a cross-sectional view of the region A1-A2 of FIG. 6 according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a region B1-B2 of FIG. 6 according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 9 is a cross-sectional view showing regions A1-A2 of FIG. 6 according to a second embodiment of the present invention;
10 is a cross-sectional view showing regions B1-B2 of FIG. 6 according to a second embodiment of the present invention;
11 is a cross-sectional view showing some layers of subpixels for illustrating the blackening process.
12 is a graph showing an experimental result showing the change in the transmittance of the electrode by the blackening process.
13 is a view for explaining the degree of improvement in outdoor visibility according to the present invention.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 유기전계발광표시장치를 개략적으로 나타낸 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀을 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 3은 서브 픽셀의 개략적인 단면 계층도이고, 도 4는 서브 픽셀의 다양한 배치 예시도이다.FIG. 1 is a block diagram schematically showing an organic light emitting display device, FIG. 2 is a schematic diagram showing the subpixel shown in FIG. 1, FIG. 3 is a schematic cross-sectional hierarchical view of a subpixel, And Fig.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광표시장치에는 영상공급부(110), 타이밍제어부(120), 스캔구동부(130), 데이터구동부(140) 및 표시패널(150)이 포함된다.1, an organic light emitting display includes an image supply unit 110, a timing control unit 120, a scan driving unit 130, a data driving unit 140, and a display panel 150.

영상공급부(110)는 데이터신호를 영상처리하고 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호 및 클럭신호 등과 함께 출력한다. 영상공급부(110)는 수직 동기신호, 수평 동기신호, 데이터 인에이블 신호, 클럭신호 및 데이터신호 등을 타이밍제어부(120)에 공급한다. The image supply unit 110 processes the data signal and outputs the image signal together with a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, and a clock signal. The image supply unit 110 supplies a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a data enable signal, a clock signal, and a data signal to the timing control unit 120.

타이밍제어부(120)는 영상공급부(110)로부터 데이터신호 등을 공급받고, 스캔구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. 타이밍제어부(120)는 데이터 타이밍 제어신호(DDC)와 함께 데이터신호(DATA)를 데이터구동부(140)에 공급한다.The timing controller 120 receives a data signal and the like from the image supply unit 110 and controls the operation timing of the data driver 140 and the gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the scan driver 130 And outputs a data timing control signal DDC. The timing controller 120 supplies the data driver 140 with the data signal DATA along with the data timing control signal DDC.

스캔구동부(130)는 타이밍제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 스캔신호를 출력한다. 스캔구동부(130)에는 레벨 시프터와 시프트 레지스터가 포함된다. 스캔구동부(130)는 스캔라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 스캔신호를 공급한다. 스캔구동부(130)는 집적회로(Integrated Circuit; IC) 형태로 형성되거나 표시패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다. 스캔구동부(130)에서 게이트인패널 방식으로 형성되는 부분은 시프트 레지스터이다.The scan driver 130 outputs a scan signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The scan driver 130 includes a level shifter and a shift register. The scan driver 130 supplies the scan signals to the sub-pixels SP included in the display panel 150 through the scan lines GL1 to GLm. The scan driver 130 is formed in the form of an integrated circuit (IC) or a gate-in-panel type display panel 150. The portion of the scan driver 130 formed in a gate-in-panel manner is a shift register.

데이터구동부(140)은 타이밍제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하며 감마 기준전압에 대응하여 아날로그신호를 디지털신호로 변환하여 출력한다. 데이터구동부(140)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 표시패널(150)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 데이터신호(DATA)를 공급한다. 데이터구동부(140)는 집적회로(IC) 형태로 형성된다.The data driver 140 samples and latches the data signal DATA in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 and converts the analog signal into a digital signal corresponding to the gamma reference voltage and outputs the digital signal . The data driver 140 supplies the data signal DATA to the sub-pixels SP included in the display panel 150 through the data lines DL1 to DLn. The data driver 140 is formed in the form of an integrated circuit (IC).

표시패널(150)은 스캔구동부(130)와 데이터구동부(140)를 포함하는 구동부로부터 공급된 스캔신호와 데이터신호(DATA)에 대응하여 영상을 표시한다. 표시패널(150)은 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식으로 구현된다. 표시패널(150)에는 영상을 표시하기 위해 자체적으로 빛을 발광하는 서브 픽셀들(SP)이 포함된다. 서브 픽셀들(SP)은 제1기판과 제2기판 사이에 형성된다.The display panel 150 displays an image corresponding to the scan signal and the data signal DATA supplied from the driving unit including the scan driver 130 and the data driver 140. The display panel 150 may be implemented as a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type. The display panel 150 includes sub-pixels SP that emit light to display an image. The subpixels SP are formed between the first substrate and the second substrate.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 픽셀에는 스캔라인(GL1)과 데이터라인(DL1)에 연결(또는 교차부에 형성된)된 스위칭 트랜지스터(SW)와 스위칭 트랜지스터(SW)를 통해 공급된 데이터신호(DATA)에 대응하여 동작하는 픽셀회로(PC)가 포함된다.As shown in FIG. 2, one sub-pixel includes a switching transistor SW connected to (or formed at) an intersection of the scan line GL1 and the data line DL1 and the data supplied through the switching transistor SW And a pixel circuit PC that operates in response to the signal DATA.

픽셀회로(PC)에는 구동 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 유기 발광다이오드와 같은 회로가 포함된다. 스위칭 트랜지스터(SW)를 비롯한 구동 트랜지스터 등은 박막 형태로 구현된다.The pixel circuit PC includes circuits such as a driving transistor, a storage capacitor, and an organic light emitting diode. The driving transistor including the switching transistor SW and the like are realized in a thin film form.

픽셀회로(PC)에는 트랜지스터나 유기 발광다이오드의 열화를 보상하기 위한 보상회로가 더 포함될 수도 있다. 보상회로는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터로 구성된다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양한바 이에 대한 구체적인 예시 및 설명은 생략한다.The pixel circuit PC may further include a compensation circuit for compensating for deterioration of the transistor or the organic light emitting diode. The compensation circuit consists of one or more thin film transistors and a capacitor. The configuration of the compensation circuit is very various according to the compensation method, and a detailed illustration and description thereof are omitted.

서브 픽셀은 백색 유기 발광다이오드와 적색, 녹색 및 청색(이하 RGB로 약기함) 컬러필터를 사용하는 방식으로 구현된다. 백색 유기 발광다이오드와 RGB 컬러필터를 사용하는 방식은 다음과 같다.The subpixel is implemented using a white organic light emitting diode and a red, green, and blue (hereinafter RGB) color filter. A method of using a white organic light emitting diode and an RGB color filter is as follows.

도 3에 도시된 바와 같이, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 RGB 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb)은 트랜지스터부(TFT), RGB 컬러필터(CFr, CFg, CFb) 및 백색 유기 발광다이오드(WOLED)를 포함한다. 반면, 백색을 발광하는 백색 (이하 W로 약기함) 서브 픽셀(SPw)은 트랜지스터부(TFT) 및 백색 유기 발광다이오드(WOLED)를 포함한다.3, the RGB sub-pixels SPr, SPg and SPb emitting red, green and blue are respectively connected to the TFTs, the RGB color filters CFr, CFg and CFb and the white organic light emitting diodes WOLED ). On the other hand, a white sub-pixel SPw emitting white light (hereinafter referred to as W) includes a transistor portion TFT and a white organic light emitting diode WOLED.

RGB 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)로부터 출사된 백색의 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환시키므로 RGB 컬러필터(CFr, CFg, CFb)가 포함된다. 이와 달리, W 서브 픽셀(SPw)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)로부터 출사된 백색의 광을 그대로 출사하므로 컬러필터가 미포함되지만 투과율이 높은 W 컬러필터를 사용하기도 한다.The RGB subpixels SPr, SPg and SPb convert the white light emitted from the white organic light emitting diode WOLED to red, green and blue, and therefore include the RGB color filters CFr, CFg and CFb. Alternatively, the W subpixel SPw emits white light emitted from the white organic light emitting diode WOLED as it is, and thus a W color filter having a high transmittance is used although the color filter is not included.

도 3의 (a)와 같이 표시패널이 배면발광(Bottom-Emission) 방식으로 구현된 경우 RGB 컬러필터(CFr, CFg, CFb)는 백색 유기 발광다이오드(WOLED)와 트랜지스터부(TFT)의 사이에 위치한다. 도 3의 (b)와 같이 표시패널이 전면발광(Top-Emission) 방식으로 구현된 경우 RGB 컬러필터(CFr, CFg, CFb)는 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 상부에 위치한다.3 (a), the RGB color filters CFr, CFg, and CFb are formed between the white organic light emitting diode WOLED and the transistor TFT when the display panel is implemented in a bottom- Located. 3 (b), the RGB color filters CFr, CFg, and CFb are positioned above the white organic light emitting diode WOLED when the display panel is implemented in a top emission mode.

RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)을 사용하는 방식은 적색, 녹색 및 청색 발광 물질을 독립적으로 각 서브 픽셀에 증착하던 방식과 달리 백색 발광 물질을 모든 서브 픽셀에 증착한다. 이 때문에, 이 방식은 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)를 미사용하고도 대형화가 용이하다. 또한, 컬러필터의 투과율이 50%라고 가정하면, W 서브 픽셀은 RGB 서브 픽셀 대비 적어도 2배의 효율을 갖게 되므로 W 서브 픽셀의 사용 비율에 따라 수명 연장과 더불어 소비전력을 낮출 수 있게 된다.The method using RGBW subpixels SPr, SPg, SPb, and SPw deposits a white light emitting material on all subpixels unlike the method in which red, green, and blue light emitting materials are independently deposited on each subpixel. Therefore, this method is easy to enlarge even if a fine metal mask is not used. Assuming that the transmittance of the color filter is 50%, the W subpixel is at least twice as efficient as the RGB subpixel, so that the power consumption can be reduced along with the life span according to the usage ratio of the W subpixel.

도 4에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은 표시패널의 색 순도 향상이나 표현력 향상은 물론 목표 색좌표를 맞추기 위해 다양하게 배치할 수 있다.As shown in FIG. 4, the subpixels can be arranged in various ways to improve the color purity of the display panel, improve the expressive power, and match the target color coordinates.

예컨대, 표시패널은 도 4의 (a)와 같이 RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)의 순서로 배치된 구조를 가질 수 있다. 또한, 표시패널은 도 4의 (b)와 같이 WRGB 서브 픽셀(SPw, SPr, SPg, SPb)의 순서로 배치된 구조를 가질 수 있다. 또한, 표시패널은 도 4의 (c)와 같이 WGBR 서브 픽셀(SPw, SPg, SPb, SPr)의 순서로 배치된 구조를 가질 수 있다. 또한, 표시패널은 도 4의 (d)와 같이 RWGB 서브 픽셀(SPr, SPw, SPg, SPb)의 순서로 배치된 구조를 가질 수 있다. 또한, 표시패널은 도 4의 (e)와 같이 BGWR 서브 픽셀(SPb, SPg, SPw, SPr)의 순서로 배치된 구조를 가질 수 있다. 표시패널은 앞서 도시 및 설명한 예시 외에도 다양한 순서로 배치된 서브 픽셀 구조를 가질 수 있다.For example, the display panel may have a structure in which RGBW subpixels (SPr, SPg, SPb, SPw) are arranged in the order of RGBW subpixels as shown in FIG. Also, the display panel may have a structure in which WRGB subpixels (SPw, SPr, SPg, SPb) are arranged in the order of WRGB subpixels as shown in FIG. 4 (b). In addition, the display panel may have a structure in which WGBR subpixels (SPw, SPg, SPb, SPr) are arranged in the order as shown in FIG. 4C. In addition, the display panel may have a structure in which RWGB subpixels (SPr, SPw, SPg, SPb) are arranged in the order of FIG. 4 (d). In addition, the display panel may have a structure in which BGWR subpixels (SPb, SPg, SPw, SPr) are arranged in the order of FIG. 4 (e). The display panel may have a sub-pixel structure arranged in various orders in addition to the examples shown and described above.

이하, 종래 기술에 대한 문제점을 고찰한다.Hereinafter, the problems with the prior art will be discussed.

도 5는 RGB 서브 픽셀로 구현된 표시패널과 RGBW 서브 픽셀로 구현된 표시패널에 대한 야외 시인성 문제를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining an outdoor viewability problem of a display panel implemented with RGB subpixels and a display panel implemented with RGBW subpixels.

도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 종래 제안된 유기전계발광표시장치는 RGB 서브 픽셀로 구현된 표시패널(150)과 원편광판(POL)을 구비한다. 원편광판(POL)은 표시패널(150)의 표시면에 대응되는 크기를 갖는다. 원편광판(POL)은 표시패널(150)의 외부에 부착된다.As shown in FIG. 5A, the conventional organic electroluminescent display device includes a display panel 150 and a circular polarizer POL implemented by RGB sub-pixels. The circular polarizer POL has a size corresponding to the display surface of the display panel 150. [ The circular polarizer POL is attached to the outside of the display panel 150. [

원편광판(POL)은 표시패널(150) 상에서 입사된 외광의 파장을 변환하여 외광이 반사되어 되돌아 나오지 못하도록 하는 기능(누설광 발생 저지 기능: 누설광 미발생)을 수행한다. 이 때문에, 종래 제안된 유기전계발광표시장치는 표시패널(150)의 표시면 상에 원편광판(POL)을 부착하는 방식으로 야외 시인성이 저하되는 문제를 방지할 수 있었다.The circular polarizer POL converts the wavelength of the external light incident on the display panel 150 to perform a function of preventing external light from being reflected and returned (a function of preventing leakage of light). Therefore, in the conventionally proposed organic light emitting display device, the problem that outdoor visibility is degraded by attaching the circular polarizer POL on the display surface of the display panel 150 can be prevented.

그러나, 원편광판(POL)은 대략 150㎛의 두께를 갖는다. 이 때문에, 종래 제안된 방식은 원편광판(POL)의 부착에 따른 투과율 저하와 더불어 출사되는 빛의 효율이 저하되는 문제가 있다. 또한, 유기전계발광표시장치가 연성을 갖도록 구현되어야 하는 경우 원편광판(POL)의 부착 특성을 유지해야 하는 등 난관에 처하게 되는 문제가 있다.However, the circular polarizer POL has a thickness of approximately 150 mu m. For this reason, the conventionally proposed method has a problem that the transmittance decreases due to the attachment of the circular polarizer POL, and the efficiency of the emitted light decreases. In addition, when the organic electroluminescence display device is to be made flexible, there is a problem that it is required to maintain the attachment characteristics of the circular polarizer POL.

도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 종래 제안된 유기전계발광표시장치는 RGBW 서브 픽셀로 구현된 표시패널(150)을 구비한다. RGBW 서브 픽셀은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)와 컬러필터(CF)를 기반으로 구성된다.As shown in FIG. 5 (b), the conventional organic light emitting display device includes a display panel 150 implemented with RGBW subpixels. RGBW subpixels are based on a white organic light emitting diode (WOLED) and a color filter (CF).

컬러필터(CF)는 표시패널(150) 상에서 입사된 외광이 반사되어 되돌아 나오지 못하도록 하는 기능(외광을 흡수 또는 차단하는 기능)을 발현할 수 있다. 이 때문에, 종래 제안된 유기전계발광표시장치는 RGB 서브 픽셀에 위치하는 컬러필터(CF)의 부차적인 기능에 의해 야외 시인성이 저하되는 문제를 해소할 수 있었다.The color filter CF can exhibit a function (a function of absorbing or blocking external light) that prevents external light reflected on the display panel 150 from being reflected back. Therefore, the conventionally proposed organic light emitting display device can solve the problem that the outdoor visibility is deteriorated due to the secondary function of the color filter CF located in RGB sub-pixels.

그러나, 실험결과 컬러필터(CF)의 외광 흡수 및 차단 기능(또는 효과)은 원편광판 대비 낮게 나타났다. 그리고 RGB 서브 픽셀에는 컬러필터가 존재하지만 W 서브 픽셀에는 컬러필터가 미존재(NCF)하는바 야외 시인성이 저하되는 문제를 만족할 만큼 해소하는데 어려움이 있는 것으로 나타났다.However, as a result of the experiment, the external light absorption and blocking function (or effect) of the color filter CF was lower than that of the circular polarizer. In addition, color filters are present in RGB subpixels, but the color filters are not present in the W subpixels (NCF), and it is difficult to solve the problem of degrading the outdoor visibility.

이 때문에, RGB 서브 픽셀은 누설광이 A% 존재하고 W 서브 픽셀은 누설광이 B% 존재한다. 하지만, W 서브 픽셀에는 컬러필터가 미존재(NCF)하는바 RGB 서브 픽셀과 W 서브 픽셀 간의 누설광을 비교하면 A << B와 같은 수식이 성립될 만큼 컬러필터의 유무에 따라 누설광량에 많은 차이가 나타났다.Therefore, the RGB subpixels have A% of the leakage light and the W subpixels have the B% of the leakage light. However, since the color filter is not present in the W subpixel (NCF), when the leakage light between the RGB subpixel and the W subpixel is compared, a large amount of leakage light is generated depending on the presence or absence of the color filter Differences appeared.

본 발명은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)와 컬러필터(CF)를 포함하는 RGBW 서브 픽셀로 표시패널(150)을 구현할 때 발생할 수 있는 외광에 의한 야외 시인성 문제를 개선하기 위해 다음과 같은 구조를 제안한다.The present invention proposes the following structure to improve the outdoor visibility problem caused by external light that may occur when the display panel 150 is implemented with RGBW subpixels including a white organic light emitting diode (WOLED) and a color filter (CF) do.

<제1실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 RGBW 서브 픽셀의 평면 배치 예시도이고, 도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 도 6의 A1-A2 영역을 나타낸 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제1실시예에 따라 도 6의 B1-B2 영역을 나타낸 단면도이다.6 is a plan view of RGBW subpixels according to a first embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view showing regions A1-A2 of FIG. 6 according to the first embodiment of the present invention, 6 is a cross-sectional view showing a region B1-B2 of FIG. 6 according to the first embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 백색 유기 발광다이오드와 컬러필터를 포함하는 RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)로 구성된다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 적색을 발광하는 R 서브 픽셀(SPr)은 다음과 같은 구조를 갖는다.As shown in FIG. 6, the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention includes RGBW subpixels (SPr, SPg, SPb, SPw) including a white organic light emitting diode and a color filter. As shown in FIGS. 6 and 7, the R sub-pixel SPr emitting red light has the following structure.

제1기판(150a)이 마련된다. 제1기판(150a)은 유리나 폴리에스테르설폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI) 및 폴리카보네이트(PC) 등과 같이 연성을 갖는 투명 수지 재료로 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A first substrate 150a is provided. The first substrate 150a may be made of a transparent resin material having flexibility such as glass or polyester sulfone (PES), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI) and polycarbonate But is not limited to.

제1기판(150a) 상에는 광차단층(LS)이 형성된다. 광차단층(LS)은 이후에 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역으로 외광이 입사되어 누설전류가 발생하는 문제를 방지하는 역할을 한다. 광차단층(LS)은 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역은 물론 소오스영역 및 드레인영역을 모두 커버할 수 있는 면적을 가질 수 있다. 광차단층(LS)은 검은색 계열 또는 불투명 계열의 수지나 금속으로 이루어진다. 광차단층(LS)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구조에 따라 생략될 수도 있다.A light blocking layer LS is formed on the first substrate 150a. The light blocking layer LS serves to prevent the leakage current from occurring due to external light incident on the channel region of the thin film transistor (TFT) to be formed later. The light blocking layer LS may have an area covering both the channel region of the thin film transistor (TFT) as well as the source region and the drain region. The light blocking layer (LS) is made of black or opaque resin or metal. The light blocking layer LS may be omitted depending on the structure of the thin film transistor (TFT).

제1기판(150a) 및 광차단층(LS) 상에는 버퍼층(151)이 형성된다. 버퍼층(151)은 스토리지 커패시터가 형성되는 영역과 광차단층(LS)이 형성되는 영역에 구분되어 위치한다. 버퍼층(151)은 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되는 영역에 대응하여 제1기판(150a) 상에 위치하고, 광차단층(LS)이 형성되는 영역에 대응하여 광차단층(LS) 상에 위치한다.A buffer layer 151 is formed on the first substrate 150a and the light blocking layer LS. The buffer layer 151 is divided into a region where the storage capacitor is formed and a region where the light blocking layer LS is formed. The buffer layer 151 is located on the first substrate 150a corresponding to the region where the storage capacitor Cst is formed and on the light blocking layer LS corresponding to the region where the light blocking layer LS is formed.

제1기판(150a) 상에 위치하는 버퍼층(151)은 제1기판(150a)으로부터 유출되는 유해 성분을 차단함과 동시에 이후에 형성되는 막과의 접착력 향상하거나 층간 밸런스를 맞추는 역할 등을 하는데, 이는 생략될 수도 있다. 버퍼층(151)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The buffer layer 151 located on the first substrate 150a blocks the harmful components flowing out from the first substrate 150a and enhances the adhesive strength with the film formed thereafter or matches the interlayer balance. This may be omitted. The buffer layer 151 may be formed of a single layer or a multilayer of a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx).

광차단층(LS)과 대응되는 영역의 버퍼층(151) 상에는 반도체층(152)이 형성된다. 반도체층(152)은 채널영역, 소오스영역 및 드레인영역을 포함한다. 반도체층(152)은 저온 폴리실리콘(LTPS), 아몰포스 실리콘(a-Si), 산화물(Oxide) 또는 유기물(Organic)로 선택된다.A semiconductor layer 152 is formed on the buffer layer 151 in the region corresponding to the light blocking layer LS. The semiconductor layer 152 includes a channel region, a source region, and a drain region. The semiconductor layer 152 is selected from low temperature polysilicon (LTPS), amorphous silicon (a-Si), oxide, or organic.

반도체층(152)의 채널영역과 스토리지 커패시터(Cst)영역에는 제1절연막(153a, 153b)이 형성된다. 제1a절연막(153a)은 반도체층(152)의 채널영역에 위치하고, 제1b절연막(153b)은 스토리지 커패시터(Cst)영역에 위치한다. 제1절연막(153a, 153b)은 섬(Island) 형태로 형성된다. 제1절연막(153a, 153b)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제1절연막(153a, 153b)은 게이트 절연막으로 정의될 수 있다.First insulating films 153a and 153b are formed in the channel region of the semiconductor layer 152 and the storage capacitor Cst region. The first insulating film 153a is located in the channel region of the semiconductor layer 152 and the first insulating film 153b is located in the storage capacitor Cst region. The first insulating films 153a and 153b are formed in an island shape. The first insulating films 153a and 153b may be formed of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof. The first insulating films 153a and 153b may be defined as a gate insulating film.

제1절연막(153a, 153b) 상에는 게이트금속층(154a, 154b)이 형성된다. 제1a게이트금속층(154a)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트전극이 되고, 제1b게이트금속층(154b)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극이 된다. 게이트금속층(154a, 154b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.Gate metal layers 154a and 154b are formed on the first insulating films 153a and 153b. The first 1a gate metal layer 154a becomes the gate electrode of the thin film transistor TFT and the first b gate metal layer 154b becomes the lower electrode of the storage capacitor Cst. The gate metal layers 154a and 154b may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, and Cu, And may be composed of a single layer or multiple layers.

제1기판(150a) 상에는 제2절연막(155)이 형성된다. 제2절연막(155)은 제1기판(150a) 상에 위치하는 버퍼층(151), 반도체층(152) 및 게이트금속층(154a, 154b)을 덮도록 형성된다. 제2절연막(155)은 반도체층(152)의 소오스영역과 드레인영역을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제2절연막(155)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제2절연막(155)은 층간 절연막으로 정의될 수 있다.A second insulating layer 155 is formed on the first substrate 150a. The second insulating layer 155 is formed to cover the buffer layer 151, the semiconductor layer 152, and the gate metal layers 154a and 154b, which are located on the first substrate 150a. The second insulating film 155 has a contact hole exposing a source region and a drain region of the semiconductor layer 152. The second insulating layer 155 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a double layer thereof. The second insulating film 155 may be defined as an interlayer insulating film.

제2절연막(155) 상에는 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)이 형성된다. 제1a데이터금속층(156a)은 제2절연막(155)의 콘택홀을 통해 노출된 반도체층(152)의 소오스영역에 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1a데이터금속층(156a)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소오스전극이 된다. 제1b데이터금속층(156b)은 제2절연막(155)의 콘택홀을 통해 노출된 반도체층(152)의 드레인영역에 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1b데이터금속층(156b)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인전극이 된다.Data metal layers 156a, 156b, 156c and 156d are formed on the second insulating film 155. [ The first data metal layer 156a is positioned to be electrically connected to the source region of the semiconductor layer 152 exposed through the contact hole of the second insulating layer 155. [ The 1a data metal layer 156a becomes the source electrode of the thin film transistor TFT. The first data metal layer 156b is positioned to be electrically connected to the drain region of the semiconductor layer 152 exposed through the contact hole of the second insulating layer 155. [ The first data metal layer 156b becomes the drain electrode of the thin film transistor TFT.

제1c데이터금속층(156c)은 스토리지 커패시터(Cst) 영역에 형성된 제1b게이트금속층(154b)에 대응되도록 위치한다. 제1c데이터금속층(156c)은 제1b게이트금속층(154b)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터를 형성하는 중간전극이 된다. 제1d데이터금속층(156d)은 데이터패드영역에 위치한다. 제1d데이터금속층(156d)은 하부 데이터패드전극이 된다. 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first c data metal layer 156c is positioned to correspond to the first b-gate metal layer 154b formed in the storage capacitor Cst region. The first c data metal layer 156c becomes an intermediate electrode forming the first capacitor of the storage capacitor Cst together with the first b gate metal layer 154b. The first d data metal layer 156d is located in the data pad area. The first d data metal layer 156d becomes the lower data pad electrode. The data metal layers 156a, 156b, 156c and 156d may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Selected one or an alloy thereof, and may be composed of a single layer or multiple layers.

제2절연막(155) 상에는 제3절연막(157)이 형성된다. 제3절연막(157)은 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)을 덮도록 형성된다. 제3절연막(157)은 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제3절연막(157)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제3절연막(157)은 보호막으로 정의될 수 있다.A third insulating layer 157 is formed on the second insulating layer 155. The third insulating film 157 is formed to cover the data metal layers 156a, 156b, 156c, and 156d. The third insulating film 157 has a first b data metal layer 156b serving as a drain electrode and a contact hole exposing a first d data metal layer 156d serving as a data pad electrode. The third insulating film 157 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof. The third insulating film 157 may be defined as a protective film.

제3절연막(157) 상에는 R 컬러필터(CFr)가 형성된다. R 컬러필터(CFr)는 백색의 빛을 적색의 빛으로 변환하는 역할을 한다. R 컬러필터(CFr)는 서브 픽셀의 발광부(또는 개구부)에 대응되는 영역에 위치한다.On the third insulating film 157, an R color filter CFr is formed. The R color filter (CFr) converts white light into red light. The R color filter CFr is located in a region corresponding to the light emitting portion (or the opening portion) of the subpixel.

제3절연막(157) 상에는 제4절연막(158)이 형성된다. 제4절연막(158)은 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 또한, 제4절연막(158)은 스토리지 커패시터(Cst)에 대응되는 영역의 제3절연막(157)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제4절연막(158)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate), 포토아크릴(Photoacrylate) 등의 유기물로 선택될 수 있다. 제4절연막(158)은 표면을 평탄화하는 평탄화막 또는 오버코팅층으로 정의될 수 있다.A fourth insulating film 158 is formed on the third insulating film 157. The fourth insulating film 158 has a first b data metal layer 156b serving as a drain electrode and a contact hole exposing a first d data metal layer 156d serving as a data pad electrode. The fourth insulating film 158 has a contact hole exposing the third insulating film 157 in a region corresponding to the storage capacitor Cst. The fourth insulating film 158 may be selected from organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, and photoacrylate. The fourth insulating film 158 may be defined as a planarization film or an overcoat layer for planarizing the surface.

제4절연막(158) 상에는 제1전극층(159a, 159b, 159c)이 형성된다. 제1a전극층(159a)은 제4절연막(158)의 콘택홀을 통해 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 전기적으로 연결되고 발광부까지 연장되도록 위치한다. 제1a전극층(159a)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 애노드전극이 된다.First electrode layers 159a, 159b, and 159c are formed on the fourth insulating film 158. [ The first electrode layer 159a is electrically connected to the first b data metal layer 156b serving as a drain electrode through the contact hole of the fourth insulating layer 158 and extends to the light emitting portion. The first electrode layer 159a serves as an anode electrode of the white organic light emitting diode WOLED.

제1b전극층(159b)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1c데이터금속층(156c)과 대응되는 영역에 위치한다. 제1b전극층(159b)은 제1c데이터금속층(156c)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)의 제2커패시터를 형성하는 상부전극이 된다. 제1c전극층(159c)은 제4절연막(158)의 콘택홀을 통해 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)과 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1c전극층(159c)은 상부 데이터패드전극이 된다. 제1전극층(159a, 159b, 159c)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)와 같은 투명 산화물 재료로 선택될 수 있다. 제1전극층(159a, 159b, 159c)이 투명 산화물 재료로 선택되므로, 백색 유기 발광다이오드(WOLED)는 제1기판(150a) 방향으로 빛을 출사하는 배면발광(Bottom-Emission) 방식이 된다.The first electrode layer 159b is located in a region corresponding to the first c data metal layer 156c of the storage capacitor Cst. The first electrode layer 159b becomes the upper electrode forming the second capacitor of the storage capacitor Cst together with the first c data metal layer 156c. The first c electrode layer 159c is positioned to be electrically connected to the first d data metal layer 156d that becomes a data pad electrode through the contact hole of the fourth insulating layer 158. [ The first c electrode layer 159c becomes the upper data pad electrode. The first electrode layers 159a, 159b and 159c may be selected from transparent oxide materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium zinc oxide (IGZO) and indium tin zinc oxide . Since the first electrode layers 159a, 159b and 159c are selected as a transparent oxide material, the white organic light emitting diode WOLED is a bottom emission method in which light is emitted toward the first substrate 150a.

제4절연막(158) 상에는 뱅크층(160)이 형성된다. 뱅크층(160)은 제1a, 제1b전극층(159a, 159b)을 덮는다. 뱅크층(160)은 제1a전극층(159a)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는다. 뱅크층(160)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate), 포토아크릴(Photoacrylate) 등의 유기물로 선택될 수 있다.On the fourth insulating film 158, a bank layer 160 is formed. The bank layer 160 covers the first and first electrode layers 159a and 159b. The bank layer 160 has an opening exposing a part of the first electrode layer 159a. The bank layer 160 may be selected from organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, and photoacrylate.

뱅크층(160) 상에는 유기 발광층(161)이 형성된다. 유기 발광층(161)은 백색의 빛을 발광하는 재료로 선택될 수 있다. 유기 발광층(161)은 발광층과 더불어 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광층(161)은 하나 이상의 발광층 그리고 정공과 전자의 균형있는 이동을 조절하는 기능층들을 더 포함할 수 있다.An organic light emitting layer 161 is formed on the bank layer 160. The organic light emitting layer 161 may be selected as a material for emitting white light. The organic light emitting layer 161 may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer, in addition to the light emitting layer. In addition, the organic light emitting layer 161 may further include one or more light emitting layers and functional layers that control the balanced movement of holes and electrons.

유기 발광층(161) 상에는 제2전극층(162)이 형성된다. 제2전극층(162)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 캐소드전극이 된다. 제2전극층(162)은 모든 서브 픽셀의 상부에 공통으로 형성되는 공통전극으로 정의될 수도 있다. 제2전극층(162)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.A second electrode layer 162 is formed on the organic light emitting layer 161. And the second electrode layer 162 becomes the cathode electrode of the white organic light emitting diode WOLED. The second electrode layer 162 may be defined as a common electrode that is formed in common on top of all subpixels. The second electrode layer 162 may be one or an alloy selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), nickel (Ni), and copper (Cu)

도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 백색을 발광하는 W 서브 픽셀(SPw)은 앞서 설명된 R 서브 픽셀(SPr)과 유사한 구조를 갖는다. 다만, W 서브 픽셀(SPw)은 제3절연막(157) 상에 위치하는 컬러필터가 미형성된다. 그 이유는 W 서브 픽셀(SPw)의 경우 백색 유기 발광다이오드(WOLED)로부터 생성된 백색의 빛을 그대로 출사하기 때문이다.As shown in Figs. 6 and 8, the W subpixel SPw emitting white light has a structure similar to the R subpixel SPr described above. However, the W subpixel SPw does not have a color filter located on the third insulating film 157. [ This is because, in the case of the W subpixel (SPw), the white light generated from the white organic light emitting diode (WOLED) is emitted as it is.

또한, W 서브 픽셀(SPw)은 제4절연막(158) 상에 위치하며, 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 애노드전극이 되는 제1a전극층(159a)의 일부가 흑화된다. 구체적으로, 제1a전극층(159a)은 발광부에 대응되는 영역이 흑화된 영역을 갖는다. 발광부에 대응되는 제1a전극층(159a)이 흑화되면 투과율이 감소되므로 외광 반사를 줄일 수 있게 된다.The W subpixel SPw is located on the fourth insulating film 158 and a part of the first electrode layer 159a which becomes the anode electrode of the white organic light emitting diode WOLED is blackened. Specifically, the first electrode layer 159a has a blackened region corresponding to the light emitting portion. When the first electrode layer 159a corresponding to the light emitting portion is blackened, the transmittance is reduced, so that the reflection of external light can be reduced.

<제2실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 9는 본 발명의 제2실시예에 따라 도 6의 A1-A2 영역을 나타낸 단면도이고, 도 10은 본 발명의 제2실시예에 따라 도 6의 B1-B2 영역을 나타낸 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view showing the region A1-A2 of FIG. 6 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a cross-sectional view of the region B1-B2 of FIG. 6 according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예에 따른 유기전계발광표시장치 또한 백색 유기 발광다이오드와 컬러필터를 포함하는 RGBW 서브 픽셀(SPr, SPg, SPb, SPw)로 구성된다. 도 6 및 도 9에 도시된 바와 같이, 적색을 발광하는 R 서브 픽셀(SPr)은 다음과 같은 구조를 갖는다.The organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention also includes RGBW subpixels (SPr, SPg, SPb, SPw) including a white organic light emitting diode and a color filter. As shown in FIGS. 6 and 9, the R sub-pixel SPr emitting red light has the following structure.

제1기판(150a)이 마련된다. 제1기판(150a)은 유리나 폴리에스테르설폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI) 및 폴리카보네이트(PC) 등과 같이 연성을 갖는 투명 수지 재료로 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A first substrate 150a is provided. The first substrate 150a may be made of a transparent resin material having flexibility such as glass or polyester sulfone (PES), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI) and polycarbonate But is not limited to.

제1기판(150a) 상에는 광차단층(LS)이 형성된다. 광차단층(LS)은 이후에 형성되는 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역으로 외광이 입사되어 누설전류가 발생하는 문제를 방지하는 역할을 한다. 광차단층(LS)은 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역은 물론 소오스영역 및 드레인영역을 모두 커버할 수 있는 면적을 가질 수 있다. 광차단층(LS)은 검은색 계열 또는 불투명 계열의 수지나 금속으로 이루어진다. 광차단층(LS)은 박막 트랜지스터(TFT)의 구조에 따라 생략될 수도 있다.A light blocking layer LS is formed on the first substrate 150a. The light blocking layer LS serves to prevent the leakage current from occurring due to external light incident on the channel region of the thin film transistor (TFT) to be formed later. The light blocking layer LS may have an area covering both the channel region of the thin film transistor (TFT) as well as the source region and the drain region. The light blocking layer (LS) is made of black or opaque resin or metal. The light blocking layer LS may be omitted depending on the structure of the thin film transistor (TFT).

제1기판(150a) 및 광차단층(LS) 상에는 버퍼층(151)이 형성된다. 버퍼층(151)은 스토리지 커패시터가 형성되는 영역과 광차단층(LS)이 형성되는 영역에 구분되어 위치한다. 버퍼층(151)은 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되는 영역에 대응하여 제1기판(150a) 상에 위치하고, 광차단층(LS)이 형성되는 영역에 대응하여 광차단층(LS) 상에 위치한다.A buffer layer 151 is formed on the first substrate 150a and the light blocking layer LS. The buffer layer 151 is divided into a region where the storage capacitor is formed and a region where the light blocking layer LS is formed. The buffer layer 151 is located on the first substrate 150a corresponding to the region where the storage capacitor Cst is formed and on the light blocking layer LS corresponding to the region where the light blocking layer LS is formed.

제1기판(150a) 상에 위치하는 버퍼층(151)은 제1기판(150a)으로부터 유출되는 유해 성분을 차단함과 동시에 이후에 형성되는 막과의 접착력 향상하거나 층간 밸런스를 맞추는 역할 등을 하는데, 이는 생략될 수도 있다. 버퍼층(151)은 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The buffer layer 151 located on the first substrate 150a blocks the harmful components flowing out from the first substrate 150a and enhances the adhesive strength with the film formed thereafter or matches the interlayer balance. This may be omitted. The buffer layer 151 may be formed of a single layer or a multilayer of a silicon oxide film (SiOx) or a silicon nitride film (SiNx).

광차단층(LS)과 대응되는 영역의 버퍼층(151) 상에는 반도체층(152)이 형성된다. 반도체층(152)은 채널영역, 소오스영역 및 드레인영역을 포함한다. 반도체층(152)은 저온 폴리실리콘(LTPS), 아몰포스 실리콘(a-Si), 산화물(Oxide) 또는 유기물(Organic)로 선택된다.A semiconductor layer 152 is formed on the buffer layer 151 in the region corresponding to the light blocking layer LS. The semiconductor layer 152 includes a channel region, a source region, and a drain region. The semiconductor layer 152 is selected from low temperature polysilicon (LTPS), amorphous silicon (a-Si), oxide, or organic.

반도체층(152)의 채널영역과 스토리지 커패시터(Cst)영역에는 제1절연막(153a, 153b)이 형성된다. 제1a절연막(153a)은 반도체층(152)의 채널영역에 위치하고, 제1b절연막(153b)은 스토리지 커패시터(Cst)영역에 위치한다. 제1절연막(153a, 153b)은 섬(Island) 형태로 형성된다. 제1절연막(153a, 153b)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제1절연막(153a, 153b)은 게이트 절연막으로 정의될 수 있다.First insulating films 153a and 153b are formed in the channel region of the semiconductor layer 152 and the storage capacitor Cst region. The first insulating film 153a is located in the channel region of the semiconductor layer 152 and the first insulating film 153b is located in the storage capacitor Cst region. The first insulating films 153a and 153b are formed in an island shape. The first insulating films 153a and 153b may be formed of a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof. The first insulating films 153a and 153b may be defined as a gate insulating film.

제1절연막(153a, 153b) 상에는 게이트금속층(154a, 154b)이 형성된다. 제1a게이트금속층(154a)은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트전극이 되고, 제1b게이트금속층(154b)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극이 된다. 게이트금속층(154a, 154b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.Gate metal layers 154a and 154b are formed on the first insulating films 153a and 153b. The first 1a gate metal layer 154a becomes the gate electrode of the thin film transistor TFT and the first b gate metal layer 154b becomes the lower electrode of the storage capacitor Cst. The gate metal layers 154a and 154b may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, and Cu, And may be composed of a single layer or multiple layers.

제1기판(150a) 상에는 제2절연막(155)이 형성된다. 제2절연막(155)은 제1기판(150a) 상에 위치하는 버퍼층(151), 반도체층(152) 및 게이트금속층(154a, 154b)을 덮도록 형성된다. 제2절연막(155)은 반도체층(152)의 소오스영역과 드레인영역을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제2절연막(155)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제2절연막(155)은 층간 절연막으로 정의될 수 있다.A second insulating layer 155 is formed on the first substrate 150a. The second insulating layer 155 is formed to cover the buffer layer 151, the semiconductor layer 152, and the gate metal layers 154a and 154b, which are located on the first substrate 150a. The second insulating film 155 has a contact hole exposing a source region and a drain region of the semiconductor layer 152. The second insulating layer 155 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a double layer thereof. The second insulating film 155 may be defined as an interlayer insulating film.

제2절연막(155) 상에는 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)이 형성된다. 제1a데이터금속층(156a)은 제2절연막(155)의 콘택홀을 통해 노출된 반도체층(152)의 소오스영역에 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1a데이터금속층(156a)은 박막 트랜지스터(TFT)의 소오스전극이 된다. 제1b데이터금속층(156b)은 제2절연막(155)의 콘택홀을 통해 노출된 반도체층(152)의 드레인영역에 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1b데이터금속층(156b)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인전극이 된다.Data metal layers 156a, 156b, 156c and 156d are formed on the second insulating film 155. [ The first data metal layer 156a is positioned to be electrically connected to the source region of the semiconductor layer 152 exposed through the contact hole of the second insulating layer 155. [ The 1a data metal layer 156a becomes the source electrode of the thin film transistor TFT. The first data metal layer 156b is positioned to be electrically connected to the drain region of the semiconductor layer 152 exposed through the contact hole of the second insulating layer 155. [ The first data metal layer 156b becomes the drain electrode of the thin film transistor TFT.

제1c데이터금속층(156c)은 스토리지 커패시터(Cst) 영역에 형성된 제1b게이트금속층(154b)에 대응되도록 위치한다. 제1c데이터금속층(156c)은 제1b게이트금속층(154b)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터를 형성하는 중간전극이 된다. 제1d데이터금속층(156d)은 데이터패드영역에 위치한다. 제1d데이터금속층(156d)은 하부 데이터패드전극이 된다. 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first c data metal layer 156c is positioned to correspond to the first b-gate metal layer 154b formed in the storage capacitor Cst region. The first c data metal layer 156c becomes an intermediate electrode forming the first capacitor of the storage capacitor Cst together with the first b gate metal layer 154b. The first d data metal layer 156d is located in the data pad area. The first d data metal layer 156d becomes the lower data pad electrode. The data metal layers 156a, 156b, 156c and 156d may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Selected one or an alloy thereof, and may be composed of a single layer or multiple layers.

제2절연막(155) 상에는 제3절연막(157)이 형성된다. 제3절연막(157)은 데이터금속층(156a, 156b, 156c, 156d)을 덮도록 형성된다. 제3절연막(157)은 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제3절연막(157)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 이중층으로 이루어질 수 있다. 제3절연막(157)은 보호막으로 정의될 수 있다.A third insulating layer 157 is formed on the second insulating layer 155. The third insulating film 157 is formed to cover the data metal layers 156a, 156b, 156c, and 156d. The third insulating film 157 has a first b data metal layer 156b serving as a drain electrode and a contact hole exposing a first d data metal layer 156d serving as a data pad electrode. The third insulating film 157 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a double layer thereof. The third insulating film 157 may be defined as a protective film.

제3절연막(157) 상에는 제4절연막(158)이 형성된다. 제4절연막(158)은 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 또한, 제4절연막(158)은 스토리지 커패시터(Cst)에 대응되는 영역의 제3절연막(157)을 노출하는 콘택홀을 갖는다. 제4절연막(158)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate), 포토아크릴(Photoacrylate) 등의 유기물로 선택될 수 있다. 제4절연막(158)은 표면을 평탄화하는 평탄화막 또는 오버코팅층으로 정의될 수 있다.A fourth insulating film 158 is formed on the third insulating film 157. The fourth insulating film 158 has a first b data metal layer 156b serving as a drain electrode and a contact hole exposing a first d data metal layer 156d serving as a data pad electrode. The fourth insulating film 158 has a contact hole exposing the third insulating film 157 in a region corresponding to the storage capacitor Cst. The fourth insulating film 158 may be selected from organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, and photoacrylate. The fourth insulating film 158 may be defined as a planarization film or an overcoat layer for planarizing the surface.

제4절연막(158) 상에는 제1전극층(159a, 159b, 159c)이 형성된다. 제1a전극층(159a)은 제4절연막(158)의 콘택홀을 통해 드레인전극이 되는 제1b데이터금속층(156b)과 전기적으로 연결되고 발광부까지 연장되도록 위치한다. 제1a전극층(159a)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 애노드전극이 된다.First electrode layers 159a, 159b, and 159c are formed on the fourth insulating film 158. [ The first electrode layer 159a is electrically connected to the first b data metal layer 156b serving as a drain electrode through the contact hole of the fourth insulating layer 158 and extends to the light emitting portion. The first electrode layer 159a serves as an anode electrode of the white organic light emitting diode WOLED.

제1b전극층(159b)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1c데이터금속층(156c)과 대응되는 영역에 위치한다. 제1b전극층(159b)은 제1c데이터금속층(156c)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)의 제2커패시터를 형성하는 상부전극이 된다. 제1c전극층(159c)은 제4절연막(158)의 콘택홀을 통해 데이터패드전극이 되는 제1d데이터금속층(156d)과 전기적으로 연결되도록 위치한다. 제1c전극층(159c)은 상부 데이터패드전극이 된다. 제1전극층(159a, 159b, 159c)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 캐소드전극이 된다. 제1전극층(159a, 159b, 159c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.The first electrode layer 159b is located in a region corresponding to the first c data metal layer 156c of the storage capacitor Cst. The first electrode layer 159b becomes the upper electrode forming the second capacitor of the storage capacitor Cst together with the first c data metal layer 156c. The first c electrode layer 159c is positioned to be electrically connected to the first d data metal layer 156d that becomes a data pad electrode through the contact hole of the fourth insulating layer 158. [ The first c electrode layer 159c becomes the upper data pad electrode. The first electrode layers 159a, 159b and 159c serve as cathode electrodes of the white organic light emitting diode WOLED. The first electrode layers 159a, 159b and 159c may be one or an alloy selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), nickel (Ni) and copper Lt; / RTI &gt;

제4절연막(158) 상에는 뱅크층(160)이 형성된다. 뱅크층(160)은 제1a, 제1b전극층(159a, 159b)을 덮는다. 뱅크층(160)은 제1a전극층(159a)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는다. 뱅크층(160)은 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate), 포토아크릴(Photoacrylate) 등의 유기물로 선택될 수 있다.On the fourth insulating film 158, a bank layer 160 is formed. The bank layer 160 covers the first and first electrode layers 159a and 159b. The bank layer 160 has an opening exposing a part of the first electrode layer 159a. The bank layer 160 may be selected from organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, and photoacrylate.

뱅크층(160) 상에는 유기 발광층(161)이 형성된다. 유기 발광층(161)은 백색의 빛을 발광하는 재료로 선택될 수 있다. 유기 발광층(161)은 발광층과 더불어 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함할 수 있다. 또한, 유기 발광층(161)은 하나 이상의 발광층 그리고 정공과 전자의 균형있는 이동을 조절하는 기능층들을 더 포함할 수 있다.An organic light emitting layer 161 is formed on the bank layer 160. The organic light emitting layer 161 may be selected as a material for emitting white light. The organic light emitting layer 161 may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer, in addition to the light emitting layer. In addition, the organic light emitting layer 161 may further include one or more light emitting layers and functional layers that control the balanced movement of holes and electrons.

유기 발광층(161) 상에는 제2전극층(162)이 형성된다. 제2전극층(162)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 애노드전극이 된다. 제2전극층(162)은 모든 서브 픽셀의 상부에 공통으로 형성되는 공통전극으로 정의될 수도 있다. 제2전극층(162)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)와 같은 투명 산화물 재료로 선택될 수 있다. 제2전극층(162)이 투명 산화물 재료로 선택되므로, 백색 유기 발광다이오드(WOLED)는 제1기판(150a)과 반대 방향에 위치하는 제2기판(150b)의 방향으로 빛을 출사하는 전면발광(Top-Emission) 방식이 된다.A second electrode layer 162 is formed on the organic light emitting layer 161. And the second electrode layer 162 becomes the anode electrode of the white organic light emitting diode WOLED. The second electrode layer 162 may be defined as a common electrode that is formed in common on top of all subpixels. The second electrode layer 162 may be formed of a transparent oxide material such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide), ITZO (Indium Tin Zinc Oxide) Since the second electrode layer 162 is selected as the transparent oxide material, the white organic light emitting diode WOLED is formed by the entire surface of the first substrate 150a emitting the light in the direction of the second substrate 150b, Top-emission system.

제1기판(150a)과 이격하고 대향하는 방향에는 제2기판(150b)이 마련된다. 제2기판(150b)은 유리나 폴리에스테르설폰(PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI) 및 폴리카보네이트(PC) 등과 같이 연성을 갖는 투명 수지 재료로 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A second substrate 150b is provided in a direction away from and facing the first substrate 150a. The second substrate 150b may be made of a transparent resin material having flexibility such as glass or polyester sulfone (PES), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI) and polycarbonate But is not limited to.

제2기판(150b) 상에는 R 컬러필터(CFr)가 형성된다. R 컬러필터(CFr)는 백색의 빛을 적색의 빛으로 변환하는 역할을 한다. R 컬러필터(CFr)는 제1기판(150a)에 형성된 서브 픽셀의 발광부(또는 개구부)에 대응되는 영역에 위치한다. 한편, R 컬러필터(CFr)는 제2기판(150b)의 재료 및 특성(예컨대, 제2기판이 유기, 무기 복합막으로 구성된 경우)에 따라 제2전극층(162) 상에 위치할 수도 있다.An R color filter CFr is formed on the second substrate 150b. The R color filter (CFr) converts white light into red light. The R color filter CFr is located in a region corresponding to the light emitting portion (or the opening portion) of the subpixel formed on the first substrate 150a. On the other hand, the R color filter CFr may be positioned on the second electrode layer 162 according to the material and characteristics of the second substrate 150b (for example, when the second substrate is composed of an organic or inorganic composite film).

도 6 및 도 10에 도시된 바와 같이, 백색을 발광하는 W 서브 픽셀(SPw)은 앞서 설명된 R 서브 픽셀(SPr)과 유사한 구조를 갖는다.As shown in Figs. 6 and 10, the W subpixel SPw emitting white light has a structure similar to the R subpixel SPr described above.

다만, W 서브 픽셀(SPw)은 제2기판(150b) 상에 위치하는 컬러필터가 미형성된다. 그 이유는 W 서브 픽셀(SPw)의 경우 백색 유기 발광다이오드(WOLED)로부터 생성된 백색의 빛을 그대로 출사하기 때문이다.However, the W subpixel SPw does not have a color filter located on the second substrate 150b. This is because, in the case of the W subpixel (SPw), the white light generated from the white organic light emitting diode (WOLED) is emitted as it is.

또한, W 서브 픽셀(SPw)은 백색 유기 발광다이오드(WOLED)의 애노드전극이 되는 제2전극층(162)의 일부가 흑화된다. 구체적으로, 제1a전극층(159a)은 발광부에 대응되는 영역이 흑화된 영역을 갖는다. 발광부에 대응되는 제2전극층(162)이 흑화되면 투과율이 감소되므로 외광 반사를 줄일 수 있게 된다.In the W subpixel SPw, a part of the second electrode layer 162, which becomes the anode electrode of the white organic light emitting diode WOLED, is blackened. Specifically, the first electrode layer 159a has a blackened region corresponding to the light emitting portion. When the second electrode layer 162 corresponding to the light emitting portion is blackened, the transmittance is reduced, so that the reflection of external light can be reduced.

이하, 앞서 설명된 흑화 공정과 흑화 공정에 의한 전극의 투과율 변화에 대한 설명을 부가한다.The description of the change in the transmittance of the electrode by the blackening step and the blackening step described above is added below.

도 11은 흑화 공정을 설명하기 위한 서브 픽셀의 일부 층을 나타낸 단면도이고, 도 12는 흑화 공정에 의한 전극의 투과율 변화를 나타낸 실험 결과 그래프이고, 도 13은 본 발명에 따른 야외 시인성 개선 정도를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 11 is a cross-sectional view showing some layers of subpixels for explaining the blackening process, FIG. 12 is a graph showing experimental results showing changes in the transmittance of the electrodes by the blackening process, and FIG. 13 is a graph showing the degree of improvement in outdoor visibility according to the present invention Fig.

도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 제4절연막(158) 상에 제1a전극층(159a)을 형성한다. 제1a전극층(159a)은 투명 산화물 재료로 선택된다.The first electrode layer 159a is formed on the fourth insulating film 158 as shown in FIG. 11 (a). The first electrode layer 159a is selected as a transparent oxide material.

도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 제4절연막(158) 상에 제1a전극층(159a)을 노출하는 뱅크층(160)을 형성한다. 이때, 하프톤 마스크를 이용하여 R 서브 픽셀(SPr)(GB 서브 픽셀 포함)의 발광부에 대응되는 영역은 뱅크층의 일부만 제거하는 반면 W 서브 픽셀(SPw)의 영역은 뱅크층을 모두 제거할 수 있다. 이에 따라, RGB 서브 픽셀의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)은 노출되지 않는 반면 W 서브 픽셀(SPw)의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)은 노출된다.A bank layer 160 is formed on the fourth insulating film 158 to expose the first electrode layer 159a, as shown in FIG. 11 (b). At this time, the region corresponding to the light emitting portion of the R subpixel SPr (including the GB subpixel) is partially removed by using the halftone mask, while the region of the W subpixel SPw is removed by removing the entire bank layer . Accordingly, the first electrode layer 159a located in the region corresponding to the light emitting portion of the RGB sub-pixel is not exposed, while the first electrode layer 159a located in the region corresponding to the light emitting portion of the W sub-pixel SPw Exposed.

뱅크층(160)을 위와 같이 패터닝 한 후 제1기판의 표면을 H2(질소) 플라즈마(H2 Plasma) 처리를 한다. H2 플라즈마(H2 Plasma) 처리를 하면, W 서브 픽셀(SPw)의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)을 구성하는 투명 산화물 재료(예: ITO)는 흑화된다.After the bank layer 160 is patterned as above, the surface of the first substrate is subjected to H2 (nitrogen) plasma (H2 plasma) treatment. When the H2 plasma treatment is performed, the transparent oxide material (for example, ITO) constituting the first electrode layer 159a located in the region corresponding to the light emitting portion of the W subpixel SPw is blackened.

도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, W 서브 픽셀(SPw)의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)을 구성하는 투명 산화물 재료를 흑화한 이후 O2(산소) 플라즈마(O2 Plasma) 처리를 한다. O2 플라즈마(O2 Plasma) 처리를 하면, W 서브 픽셀(SPw)의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)을 구성하는 투명 산화물 재료(예: ITO)는 에싱(ashing)됨은 물론 일함수(work function)가 증가된다.11 (c), after the transparent oxide material constituting the first electrode layer 159a located in the region corresponding to the light emitting portion of the W subpixel SPw is blackened, the O2 (oxygen) plasma O2 Plasma) processing. The transparent oxide material (for example, ITO) constituting the first electrode layer 159a positioned in the region corresponding to the light emitting portion of the W subpixel SPw is ashed as well as the second electrode layer 159a is subjected to the O2 plasma treatment The work function is increased.

즉, 본 발명에서는 흑화 공정시 투과율을 낮추기 위해 H2 플라즈마를 이용한 제1플라즈마 처리를 실시한 이후 표면 에싱 및 일함수를 증가하기 위해 O2 플라즈마를 이용한 제2플라즈마 처리를 실시한다.That is, in the present invention, the first plasma treatment using H2 plasma is performed to lower the transmittance in the blackening step, and then the second plasma treatment using O2 plasma is performed to increase surface ashing and work function.

한편, 앞서 설명된 플라즈마 처리의 정도(조건)에 따라 W 서브 픽셀(SPw)의 발광부에 대응되는 영역에 위치하는 제1a전극층(159a)의 투과율은 달라질 수 있다. 예컨대, 도 11의 (c)는 제1a전극층(159a)의 표면으로부터 중심까지 흑화된 것을 보여주는 단면도이고, 도 11의 (d)는 제1a전극층(159a)의 표면으로부터 기저면까지 흑화된 것을 보여주는 단면도이다.On the other hand, the transmittance of the first electrode layer 159a located in the region corresponding to the light emitting portion of the W subpixel SPw may vary depending on the degree of the plasma processing described above. 11 (c) is a sectional view showing blackening from the surface to the center of the first electrode layer 159a, and FIG. 11 (d) is a sectional view showing blackening from the surface of the first electrode layer 159a to the basal plane to be.

한편, 흑화 공정은 표면의 엠보싱(Embossing)화 및 인듐(Indium) 금속의 석출을 통해 투과율을 저하시키게 된다. 이를 식으로 설명하면 "In2O3 + 3H = 2In + 3H2O (H2에 의해 ITO 표면에서 Indium 환원)"로 표현될 수 있다. 그러므로, 흑화 공정은 인듐 성분을 갖는 산화물 재료면 모두 적용이 가능하다.On the other hand, the blackening process lowers the transmittance through the embossing of the surface and the precipitation of the indium metal. This can be expressed as "In 2 O 3 + 3H = 2In + 3H 2 O (Indium reduction at the ITO surface by H 2 )". Therefore, the blackening process can be applied to any oxide material having an indium component.

한편, 위의 설명에서는 본 발명의 제1실시예의 구조에 대한 흑화 공정에 대해 설명하였다. 본 발명의 제2실시예의 구조에 대한 흑화 공정은 제2전극층 상에 포토레지스트를 형성하고 W 서브 픽셀의 발광부에 대응되는 영역만 노출시킨 후 제1실시예와 같이 플라즈마 처리를 실시하는 방식을 선택할 수 있다. 그러나, 이는 하나의 예시일 뿐, 본 발명의 제2실시예의 구조에 대한 흑화 공정은 위의 예외에 다른 방식을 선택할 수도 있다.In the above description, the blackening process for the structure of the first embodiment of the present invention has been described. In the blackening process for the structure of the second embodiment of the present invention, a photoresist is formed on the second electrode layer and a region corresponding to the light emitting portion of the W sub-pixel is exposed, and then plasma processing is performed as in the first embodiment You can choose. However, this is only one example, and the blackening process for the structure of the second embodiment of the present invention may select another method for the above exception.

도 12에 도시된 바와 같이, 기판 상에 인듐 성분을 갖는 제1시료(R1 ~ R4)를 증착하고, 제1시료(R1 ~ R4)에 도 11에서 설명된 방식으로 흑화 처리를 한 결과 이전 대비 투과율이 저하된 제2시료(E1 ~ E4)를 얻을 수 있었다. 즉, 본 발명에서 진행하는 흑화 공정은 이전보다 투과율을 낮추기 위한 공정을 의미한다.As shown in FIG. 12, the first samples (R1 to R4) having indium components were deposited on the substrate and the first samples (R1 to R4) were subjected to blackening treatment in the manner described in FIG. And the second samples (E1 to E4) with reduced transmittance were obtained. That is, the blackening process in the present invention means a process for lowering the transmittance than before.

도 12의 실험 결과를 통해 알 수 있듯이, W 서브 픽셀의 발광부에 위치하는 산화물 성분의 전극을 부분적으로 흑화하면 W 서브 픽셀에서 발생하는 외광의 반사에 따른 누설광량을 현저히 낮출 수 있다.As can be seen from the experimental results of FIG. 12, if the electrode of the oxide component located in the light emitting portion of the W subpixel is partially blackened, the amount of leakage light due to the reflection of external light generated in the W subpixel can be remarkably reduced.

그 결과 도 13에 도시된 바와 같이, RGB 서브 픽셀과 W 서브 픽셀 간의 누설광은 A ≒ B와 같은 수식이 성립될 만큼 누설광량에 차이가 대동소이하게 나타났다. 구체적으로, 도 13의 구조는 앞서 설명된 흑화 공정에 의해 RGB 서브 픽셀의 투명 산화물 전극의 투과율은 W 서브 픽셀의 투명 산화물 전극의 투과율보다 높다. 달리 설명하면, W 서브 픽셀의 투명 산화물 전극의 투과율은 RGB 서브 픽셀의 투명 산화물 전극의 투과율보다 낮다.As a result, as shown in FIG. 13, the leakage light between the RGB subpixel and the W subpixel showed a large difference in the amount of leakage light so that an equation such as A? B was established. Specifically, in the structure of FIG. 13, the transmittance of the transparent oxide electrode of the RGB subpixel is higher than that of the transparent oxide electrode of the W subpixel by the above-described blackening process. In other words, the transmittance of the transparent oxide electrode of the W subpixel is lower than that of the transparent oxide electrode of the RGB subpixel.

수식을 예로 들면, RGBW서브 픽셀 간의 투과율은 RGB 서브 픽셀 > W 서브 픽셀의 관계를 갖지만 외광의 반사에 따른 누설광량의 차이는 A ≒ B와 같이 대동소이하게 나타났다.For example, the transmittance between RGBW subpixels has a relation of RGB subpixel> W subpixel, but the difference in the amount of leakage light due to reflection of external light is as large as A? B.

위의 설명을 통해 알 수 있듯이, 본 발명은 원편광판을 미사용하면서 야외 시인성이 저하되는 문제를 개선할 수 있게 되므로 원편광판의 부착에 따른 투과율 저하와 더불어 출사되는 빛의 효율이 저하되는 문제를 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 원편광판을 제거하고도 야외 시인성이 저하되는 문제를 개선할 수 있게 되므로 유기전계발광표시장치가 연성을 갖도록 구현되어야 하는 경우 원편광판의 부착 특성 등을 고려해야 하는 문제를 생략할 수 있다. 또한, 본 발명은 원편광판 제거에 따라 제조공정 상의 비용 절감을 기대할 수 있다.As can be seen from the above description, the present invention improves outdoor visibility while the circular polarizer is not used. Therefore, the problem that the transmittance decreases due to the attachment of the circularly polarizing plate and the efficiency of emitted light decreases can do. In addition, the present invention can solve the problem that outdoor visibility is deteriorated even when the circular polarizer is removed. Therefore, when the organic electroluminescent display device is to be made flexible, it is possible to omit the problem of considering the attachment characteristics of the circular polarizer have. Further, the present invention can be expected to reduce cost in the manufacturing process by removing the circular polarizer.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

110: 영상공급부 120: 타이밍제어부
130: 스캔구동부 140: 데이터구동부
150: 표시패널 158: 제4절연막
160: 뱅크층 159a: 제1a전극층
161: 유기 발광층 162: 제2전극층110: image supply unit 120: timing control unit
130: scan driver 140:
150: display panel 158: fourth insulating film
160: bank layer 159a: first electrode layer
161: organic light emitting layer 162: second electrode layer

Claims (8)

제1기판;
상기 제1기판 상에 위치하며 트랜지스터부, 컬러필터 및 백색 유기 발광다이오드를 각각 포함하는 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀; 및
상기 제1기판 상에 위치하며 트랜지스터부 및 백색 유기 발광다이오드를 포함하는 백색 서브 픽셀을 포함하되,
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율은 상기 백색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율보다 높은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.A first substrate;
Red, green, and blue subpixels located on the first substrate and each including a transistor portion, a color filter, and a white organic light emitting diode; And
And a white sub-pixel located on the first substrate and including a transistor portion and a white organic light emitting diode,
Wherein the transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the red, green, and blue subpixels is higher than the transmittance of the transparent oxide electrode of the white organic light emitting diode of the white subpixel. . 제1항에 있어서,
상기 백색 서브 픽셀은
상기 투명 산화물 전극에 흑화된 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The method according to claim 1,
The white sub-
Wherein the transparent oxide electrode has a blackened region. 제2항에 있어서,
상기 흑화된 영역은
상기 백색 서브 픽셀의 발광부에 대응되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.3. The method of claim 2,
The blackened region
And the light emitting portion of the white subpixel corresponds to the light emitting portion of the white subpixel. 제1항에 있어서,
상기 투명 산화물 전극은
애노드전극 또는 캐소드전극 중 빛이 발광되는 방향에 위치하는 전극인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The method according to claim 1,
The transparent oxide electrode
Wherein the organic electroluminescent display device is an organic electroluminescent display device. 제1기판 상에 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 픽셀 영역을 정의하는 단계;
제1기판 상에 정의된 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 픽셀 영역에 트랜지스터부 및 백색 유기 발광다이오드를 각각 형성하는 단계;
상기 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀 영역 상에 적색, 녹색 및 청색 컬러필터를 각각 형성하는 단계; 및
상기 백색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율이 상기 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극의 투과율보다 낮아지도록 상기 백색 서브 픽셀의 백색 유기 발광다이오드에 포함된 투명 산화물 전극을 흑화하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.Defining red, green, blue and white sub-pixel regions on a first substrate;
Forming transistor portions and white organic light emitting diodes in the red, green, blue and white sub-pixel regions defined on the first substrate, respectively;
Forming red, green, and blue color filters on the red, green, and blue sub-pixel regions, respectively; And
The white organic light emitting element of the white subpixel is formed so that the transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the white subpixel becomes lower than the transmittance of the transparent oxide electrode included in the white organic light emitting diode of the red, And blackening the transparent oxide electrode included in the diode. 제5항에 있어서,
상기 흑화하는 단계에서는
상기 백색 서브 픽셀의 발광부에 대응되는 투명 산화물 전극의 영역을 흑화하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
In the blackening step
And blackening the region of the transparent oxide electrode corresponding to the light emitting portion of the white subpixel. 제5항에 있어서,
상기 흑화하는 단계에서는
질소 플라즈마를 실시하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.6. The method of claim 5,
In the blackening step
Wherein a nitrogen plasma is performed. 제7항에 있어서,
상기 흑화하는 단계에서는
상기 질소 플라즈마를 이용한 제1플라즈마 처리를 실시한 이후,
산소 플라즈마를 이용한 제2플라즈마 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.

8. The method of claim 7,
In the blackening step
After the first plasma treatment using the nitrogen plasma is performed,
And performing a second plasma process using oxygen plasma.

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