KR20160054832A - Method for manufacturing piezoelectric thin element with flexible material and piezoelectric thin element of the same - Google Patents

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KR20160054832A
KR20160054832A KR1020140154343A KR20140154343A KR20160054832A KR 20160054832 A KR20160054832 A KR 20160054832A KR 1020140154343 A KR1020140154343 A KR 1020140154343A KR 20140154343 A KR20140154343 A KR 20140154343A KR 20160054832 A KR20160054832 A KR 20160054832A
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piezoelectric
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곽준혁
허신
박수아
김진환
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한국기계연구원
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Abstract

The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric thin film element where flexible materials are applied and a piezoelectric thin film element using the same. The objective of the present invention is to provide an piezoelectric element by applying flexible materials during the process. The manufacturing method comprises: (S1) a supporting film laminating step for laminating a supporting film (200) on a substrate (100); (S2) a first electrode film laminating step for laminating a first electrode film (300) on the supporting film (200); (S3) a piezoelectric element laminating step (S3) for depositing or laminating the piezoelectric element (400) on the first electrode film (300); (S4) a second electrode laminating step for laminating a second electrode film (500) on the piezoelectric element (400); (S5) a flexible element coating step for coating flexible materials (600) to surround the films laminated on the supporting film (200); and a substrate removing step (S6) for removing the whole or part of substrate (100).

Description

유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법 및 이를 이용한 압전 박막소자{METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN ELEMENT WITH FLEXIBLE MATERIAL AND PIEZOELECTRIC THIN ELEMENT OF THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a piezoelectric thin film device using a flexible material, and a piezoelectric thin film device using the same. [0002]

본 발명은 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법 및 이를 이용한 압전 박막소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied, and a piezoelectric thin film element using the same.

압전 소자는 기계적 압력을 인가하면 전압이 발생하고, 전압을 인가하면 기계적 변형이 생기는 소자로써, 하부 전극 및 상부 전극을 포함하는 벌크형 또는 필름형으로 형성된다. 또한, 압전 소자는 세라믹 재료인 티탄산지르코늄산납(Pb(Zr,Ti)O3 : 이하, "PZT"라고 지칭한다.)을 일반적으로 사용하고 있으며, 현재 활발히 연구 및 개발되고 있다.A piezoelectric element is a device in which a voltage is generated when a mechanical pressure is applied and a mechanical deformation occurs when a voltage is applied. The piezoelectric element is formed in a bulk or film shape including a lower electrode and an upper electrode. The piezoelectric element generally uses lead zirconate titanate (Pb (Zr, Ti) O 3 ( hereinafter referred to as "PZT"), which is a ceramic material, and is currently being actively researched and developed.

다만, 압전 소자는 유연성이 낮다는 것이 가장 큰 문제점으로 나타나고 있다. 이를 극복하기 위해 종래의 압전 소자는 제작 방법에서 압전 박막소자를 완전히 제작한 후, 유연기판(PET 필름) 위에 압전 박막소자를 적층하는 방법으로 압전소자를 제작하였다. 그러나, PET 필름 상에 직접적으로 접합하는 것은 공정 시 온도의 영향으로 인해, PET 필름의 변형 및 파손을 야기하여, 유연성을 갖는 압전소자 제작에 많은 어려움을 가지고 있다.However, it is the biggest problem that the flexibility of the piezoelectric element is low. In order to overcome this problem, a conventional piezoelectric element is manufactured by completely manufacturing a piezoelectric thin film element, and then a piezoelectric element is manufactured by laminating a piezoelectric thin film element on a flexible substrate (PET film). However, the direct bonding on the PET film causes deformation and breakage of the PET film due to the influence of the temperature during the process, and thus has a great difficulty in producing a flexible piezoelectric element.

이와 관련하여, 한국등록특허 제10-0897783호 ("압전소자 제조방법", 등록일 2009.05.08., 이하 선행기술1)는 유연한 압전소자를 제조하는 제조방법에 기재되고 있으나, 상기 선행기술 1은 압전소자를 얇게 제조하는 방법으로, 단순히 얇게 제조하였기 때문에 내구성이 약하다는 문제점이 있다.In this connection, Korean Patent No. 10-0897783 ("Piezoelectric Device Manufacturing Method ", filed on May 5, 2009, hereinafter referred to as Prior Art 1) describes a manufacturing method for manufacturing a flexible piezoelectric device, There is a problem in that the durability is weak because the piezoelectric element is made thin and simply made thin.

따라서, 최근에는 유연성, 내구성 및 압전 특성이 높은 압전소자 및 제작방법에 대해 요구되고 있는 실정이다.
Therefore, in recent years, there has been a demand for a piezoelectric element and a manufacturing method which are high in flexibility, durability and piezoelectric characteristics.

한국등록특허 제10-1276645호 제10-0897783호 ("압전소자 제조방법", 등록일 2009.05.08.)Korean Patent No. 10-1276645 No. 10-0897783 ("Method of manufacturing piezoelectric element ", registered on May 25, 2009).

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 공정 시 유연소재를 적용하여 압전 소자를 제작하는, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제조 방법 및 이를 이용한 유연성 있는 압전 박막소자를 제공함에 있다.
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied and a flexible piezoelectric thin film element using the same, .

본 발명은, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법에 관한 것으로 기판(100) 상에 지지막(200)을 적층하는 지지막 적층 단계(S1); 상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하는 제1 전극막 적층 단계(S2); 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착 또는 적층하는 압전소재 적층 단계(S3); 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층하는 제2 전극막 적층 단계(S4); 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)를 코팅하는 유연소재 코팅 단계(S5); 및 상기 기판(100)의 일부 또는 전체를 제거하는 기판 제거 단계(S6);로 이루어진다.The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied, comprising: a supporting film laminating step (S1) of laminating a supporting film (200) on a substrate (100); A first electrode film deposition step (S2) of depositing a first electrode film (300) on the support film (200); A piezoelectric material laminating step (S3) of depositing or laminating a piezoelectric material (400) on the first electrode film (300); A second electrode film laminating step (S4) of laminating the second electrode film (500) on the piezoelectric material (400); A flexible material coating step (S5) of coating a flexible material (600) so as to surround a layer stacked on the support film (200); And a substrate removing step (S6) for removing a part or the whole of the substrate (100).

또한, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법은 상기 제2 전극막(500) 상의 유연소재(600) 일부를 제거하는 유연소재 제거 단계(S7)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the piezoelectric thin film device using the flexible material further includes a flexible material removing step S7 for removing a part of the flexible material 600 on the second electrode film 500. [

또한, 상기 제2 전극막 적층 단계(S4)는 상기 제2 전극막(500) 상에 리소그래피 공정을 통해 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계(S5a)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The second electrode film deposition step S4 further includes a pattern formation step S5a for forming a pattern on the second electrode film 500 through a lithography process.

또한, 상기 유연소재 코팅 단계(S5) 이후 상기 제2 전극막(500) 상의 패턴 부분의 일부 또는 전체를 제거하는 유연소재 제거 단계(S7)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the method may further include a flexible material removing step (S7) for removing a part or all of the pattern portion on the second electrode film (500) after the flexible material coating step (S5).

또한, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법은 상기 지지막(200)의 일부 또는 전체를 제거하는 지지막 제거 단계(S8)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the piezoelectric thin film device to which the flexible material is applied may further include a supporting film removing step (S8) for removing a part or the whole of the supporting film (200).

한편, 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 상기 유연소재(600)가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법을 이용하여 제작하는 것을 특징으로 한다.
Meanwhile, the piezoelectric thin film element to which the flexible material is applied is fabricated by using the method of manufacturing the piezoelectric thin film element to which the flexible material 600 is applied.

본 발명에 의하면, 압전소자 제작 공정 중에 유연소재를 적용하여 압전소자를 제작하였기 때문에, 압전소자는 유연성이 높은 장점을 가지고 있다. 또한, 압전소자는 유연소재로 코팅하여 내구성이 높은 장점을 가지고 있다.
According to the present invention, since the piezoelectric element is manufactured by applying the flexible material during the piezoelectric element manufacturing process, the piezoelectric element has a high flexibility. In addition, the piezoelectric element is coated with a flexible material and has a high durability.

도1 내지 도5는 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법의 실시예들의 순서도
도6은 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법을 이용하여 제작되는 압전 박막소자의 개략도
도7 내지 도9는 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법들을 이용하여 다양하게 제작된 압전 박막소자의 실시예1 to 5 are flowcharts of embodiments of a method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which the flexible material of the present invention is applied
6 is a schematic view of a piezoelectric thin film element manufactured by using the method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which the flexible material of the present invention is applied
FIGS. 7 to 9 show examples of piezoelectric thin film devices manufactured variously by using the manufacturing methods of the piezoelectric thin film device to which the flexible material of the present invention is applied

이하, 본 발명의 기술적 사상을 첨부된 도면을 사용하여 더욱 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the technical idea of the present invention will be described more specifically with reference to the accompanying drawings.

첨부된 도면은 본 발명의 기술적 사상을 더욱 구체적으로 설명하기 위하여 도시한 일예에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상이 첨부된 도면의 형태에 한정되는 것은 아니다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the technical concept of the present invention, are incorporated in and constitute a part of the specification, and are not intended to limit the scope of the present invention.

도1 내지 도5는 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법의 실시예들의 순서도이며, 도6은 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법을 이용하여 제작되는 압전 박막소자의 개략도이고, 도7 내지 도9는 본 발명의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작방법들을 이용하여 다양하게 제작된 압전 박막소자 실시예이다.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a piezoelectric thin film element manufactured by using the manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which the flexible material of the present invention is applied. FIG. And FIGS. 7 to 9 are examples of piezoelectric thin film devices manufactured variously by using the manufacturing methods of the piezoelectric thin film device to which the flexible material of the present invention is applied.

본 발명은 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법 및 이를 이용한 압전 박막소자에 관한 것이다. 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법은 기판(100) 상에 지지막(200)을 적층하는 지지막 적층 단계(S1); 상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하는 제1 전극막 적층 단계(S2); 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 적층하는 압전소재 적층 단계(S3); 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층하는 제2 전극막 적층 단계(S4); 유연소재(600)로 상기 기판(100) 상에 적층된 층들을 코팅하는 유연소재 코팅 단계(S5); 및 상기 기판(100)의 일부 또는 전체를 제거하는 기판 제거 단계(S6)로 이루어진다.The present invention relates to a method of manufacturing a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied, and a piezoelectric thin film element using the same. A method of fabricating a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied includes a support film laminating step (S1) of laminating a support film (200) on a substrate (100); A first electrode film deposition step (S2) of depositing a first electrode film (300) on the support film (200); A piezoelectric material laminating step (S3) of laminating the piezoelectric material (400) on the first electrode film (300); A second electrode film laminating step (S4) of laminating the second electrode film (500) on the piezoelectric material (400); A flexible material coating step (S5) of coating layers stacked on the substrate (100) with a flexible material (600); And a substrate removing step (S6) for removing a part or all of the substrate (100).

또한, 유연소재(600)의 일부를 제거하는 유연소재 제거 단계(S7)와 지지막(200)의 일부 또는 전체를 제거하는 지지막 제거 단계(S8)를 더 포함하여 이루어질 수 있다.Further, the method may further include a flexible material removing step S7 for removing a part of the flexible material 600 and a supporting film removing step S8 for removing a part or all of the supporting film 200. [

하기 실시예들을 통해 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법에 대해 설명한다.
A manufacturing method of a piezoelectric thin film device to which a flexible material is applied will be described with reference to the following embodiments.

[실시예 1][Example 1]

도1을 참조하여 설명하면, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법의 실시예 1은 지지막 적층 단계(S1), 제1 전극막 적층 단계(S2), 압전소재 적층 단계(S3), 제2 전극막 적층 단계(S4), 유연소재 코팅 단계(S5), 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어진다. 1, a first embodiment of a manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied includes a support film laminating step S1, a first electrode film laminating step S2, a piezoelectric material laminating step S3, A two-electrode film laminating step S4, a flexible material coating step S5, a substrate removing step S6, and a flexible material removing step S7.

더욱 상세하게 설명하면, 도6 (a)에서 보는 바와 같이, 지지막 적층 단계(S1)를 통해, 기판(100) 상에 지지막을 적층한다. 이때, 상기 기판(100)은 Si 기판과 같은 단단한 기판을 사용하며, 상기 지지막(200)은 500nm 정도의 두께를 갖도록 SiOx 또는 SiNx 재질을 적층한다.More specifically, as shown in FIG. 6 (a), a supporting film is laminated on the substrate 100 through a supporting film laminating step S1. At this time, the substrate 100 uses a rigid substrate such as a Si substrate, and the support film 200 stacks SiO x or SiN x material to have a thickness of about 500 nm.

이 후, 도6 (b)에서 보는 바와 같이, 제1 전극막 적층 단계(S2)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 Pt(백금:platinum) 또는 Au(금:gold) 재질로 이루어진 제1 전극막(300)을 적층한다. Thereafter, as shown in FIG. 6 (b), a first electrode film is formed on the support film 200 through a first electrode film deposition step (S2), and a Pt (platinum) or Au The one-electrode film 300 is laminated.

이 후, 압전소재 적층단계(S3)를 통해, 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착한 후 열처리를 통해 적층한다. 이 때 압전소재(400)의 온도가 500 ~ 1000 ℃까지 올라가며, 압전소재(400)의 소재에 따라 온도가 더 상승할 수도 있다. 상기 압전소재(400)는 PZT, Pmn, PVDF 와 같은 소재를 사용하며, 20㎛ 정도의 두께로 적층한다. 적층 방법은 도금, 증착 및 프린팅 등 다양한 방법을 통해 적층할 수 있다.Thereafter, the piezoelectric material 400 is deposited on the first electrode film 300 through the piezoelectric material laminating step S3, and then laminated through heat treatment. At this time, the temperature of the piezoelectric material 400 rises to 500-1000 캜, and the temperature may further increase depending on the material of the piezoelectric material 400. The piezoelectric material 400 uses materials such as PZT, Pmn, and PVDF, and is laminated to a thickness of about 20 μm. The lamination method can be laminated through various methods such as plating, vapor deposition and printing.

압전소재(400)를 적층한 후, 제2 전극막 적층 단계(S4)를 통해 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층한다. 이 때 상기 제2 전극막(500)은 제1 전극막(300)과 동일한 재질인 백금 또는 금 재질을 사용한다. 예를 들어 설명하면, 상기 압전소재(400)를 PZT 또는 Pmn 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 백금 재질을 사용하며, 압전소재(400)를 PVDF 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 금 재질을 사용한다.After the piezoelectric material 400 is laminated, the second electrode film 500 is laminated on the piezoelectric material 400 through the second electrode film laminating step S4. At this time, the second electrode layer 500 is made of platinum or gold, which is the same material as the first electrode layer 300. For example, when the piezoelectric material 400 is used as a PZT or Pmn material, the first and second electrode films 300 and 500 are made of platinum, and the piezoelectric material 400 is used as a PVDF material. The first and second electrode films 300 and 500 use a gold material.

이 후, 도6 (c)에서 보는 바와 같이, 유연소재 코팅 단계(S5)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)로 코팅하여 적층한다. 상기 유연소재(600)는 페릴린 c(Parylene c) 소재를 사용하며, 적층된 층들의 측면은 1 ㎛이하로 코팅하고, 상단은 20㎛정도로 코팅한다.Thereafter, as shown in FIG. 6C, the flexible material 600 is coated and stacked to surround the layer stacked on the support film 200 through the flexible material coating step S5. The flexible material 600 is made of a material of parylene c, and the side surfaces of the laminated layers are coated to a thickness of 1 μm or less and the top thereof is coated to a thickness of about 20 μm.

이 후, 기판 제거 단계(S6) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어질 수 있는데, 상기 기판 제거 단계(S6)와 유연소재 제거 단계(S7)의 순서를 서로 바뀌어서 사용할 수도 있다. 즉, 기판 제거 단계(S6)가 먼저 적용될 경우, 유연소재(600)가 코팅된 상태에서 기판(100)을 제거한 후, 상기 유연소재 제거 단계(S7)를 통해 상단의 유연소재 일부를 제거한다. 반면, 유연소재 제거 단계(S7)가 먼저 적용될 경우, 상단의 유연소재 일부를 제거한 후, 하단의 기판(100)을 제거한다.Subsequently, the substrate removing step S6 and the flexible material removing step S7 may be performed. However, the order of the substrate removing step S6 and the flexible material removing step S7 may be reversed. That is, if the substrate removing step S6 is first applied, the substrate 100 is removed in a state in which the flexible material 600 is coated, and then a part of the upper flexible material is removed through the flexible material removing step S7. On the other hand, if the flexible material removal step S7 is first applied, a part of the uppermost flexible material is removed, and then the lower substrate 100 is removed.

실시예1의 제작 방법으로 제작된 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 도7에서 보는 바와 같이 상부전극용 압전 박막소자이다.
The piezoelectric thin film device to which the flexible material manufactured by the manufacturing method of the first embodiment is applied is a piezoelectric thin film device for an upper electrode as shown in FIG.

[실시예 2][Example 2]

도2를 참조하여 설명하면, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법의 실시예 2는 지지막 적층 단계(S1), 제1 전극막 적층 단계(S2), 압전소재 적층 단계(S3), 제2 전극막 적층 단계(S4), 유연소재 코팅 단계(S5), 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7), 지지막 제거 단계(S8)로 이루어진다. 2, a method of manufacturing a piezoelectric thin film device using a flexible material according to a second embodiment of the present invention includes a supporting film laminating step S1, a first electrode film laminating step S2, a piezoelectric material laminating step S3, A two-electrode film laminating step S4, a flexible material coating step S5, a substrate removing step S6, a flexible material removing step S7, and a supporting film removing step S8.

더욱 상세하게 설명하면, 도6 (a)에서 보는 바와 같이, 지지막 적층 단계(S1)를 통해, 기판(100) 상에 지지막을 적층한다. 이때, 상기 기판(100)은 Si 기판과 같은 단단한 기판을 사용하며, 상기 지지막(200)은 500nm 정도의 두께를 갖도록 SiOx 또는 SiNx 재질을 적층한다. More specifically, as shown in FIG. 6 (a), a supporting film is laminated on the substrate 100 through a supporting film laminating step S1. At this time, the substrate 100 uses a rigid substrate such as a Si substrate, and the support film 200 stacks SiO x or SiN x material to have a thickness of about 500 nm.

이 후, 도6 (b)에서 보는 바와 같이, 제1 전극막 적층 단계(S2)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 백금 또는 금 재질로 이루어진 제1 전극막(300)을 적층한다.6 (b), the first electrode film 300 made of platinum or gold is laminated on the supporting film 200 through the first electrode film laminating step S2.

이 후, 압전소재 적층단계(S3)를 통해, 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착한 후 열처리를 통해 적층한다. 이 때 압전소재(400)의 온도가 500 ~ 1000 ℃까지 올라가며, 압전소재(400)의 소재에 따라 온도가 더 상승할 수도 있다. 상기 압전소재(400)는 PZT, Pmn, PVDF 와 같은 소재를 사용하며, 20㎛ 정도의 두께로 적층한다. 적층 방법은 도금, 증착 및 프린팅 등 다양한 방법을 통해 적층할 수 있다.Thereafter, the piezoelectric material 400 is deposited on the first electrode film 300 through the piezoelectric material laminating step S3, and then laminated through heat treatment. At this time, the temperature of the piezoelectric material 400 rises to 500-1000 캜, and the temperature may further increase depending on the material of the piezoelectric material 400. The piezoelectric material 400 uses materials such as PZT, Pmn, and PVDF, and is laminated to a thickness of about 20 μm. The lamination method can be laminated through various methods such as plating, vapor deposition and printing.

압전소재(400)를 적층한 후, 제2 전극막(500) 적층 단계(S4)를 통해 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층한다. 이 때 상기 제2 전극막(500)은 제1 전극막(300)과 동일한 재질인 백금 또는 금 재질을 사용한다. 예를 들어 설명하면, 상기 압전소재(400)를 PZT 또는 Pmn 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 백금 재질을 사용하며, 압전소재(400)를 PVDF 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 금 재질을 사용한다.After the piezoelectric material 400 is laminated, the second electrode film 500 is laminated on the piezoelectric material 400 through the second electrode film 500 laminating step S4. At this time, the second electrode layer 500 is made of platinum or gold, which is the same material as the first electrode layer 300. For example, when the piezoelectric material 400 is used as a PZT or Pmn material, the first and second electrode films 300 and 500 are made of platinum, and the piezoelectric material 400 is used as a PVDF material. The first and second electrode films 300 and 500 use a gold material.

이 후, 도6 (c)에서 보는 바와 같이, 유연소재 코팅 단계(S5)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)로 코팅하여 적층한다. 또한, 상기 유연소재(600)는 페릴린 c(Parylene c) 소재를 사용하며, 적층된 층들의 측면은 1 ㎛이하로 코팅하고, 상단은 20㎛정도로 코팅한다.Thereafter, as shown in FIG. 6C, the flexible material 600 is coated and stacked to surround the layer stacked on the support film 200 through the flexible material coating step S5. In addition, the flexible material 600 is made of a material of parylene c, and the side surfaces of the laminated layers are coated to a thickness of 1 μm or less and the top thereof is coated to a thickness of about 20 μm.

이 후, 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7) 및 지지막(200) 제거 단계(S8)로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100) 제거 단계(S6), 지지막(200) 제거 단계(S8) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어지기도 하며, 유연소재 제거 단계(S7), 기판 제거 단계(S6) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지기도 한다. Subsequently, the substrate removing step S6, the flexible material removing step S7, and the supporting film 200 removing step S8 may be performed. The substrate removing step S6, the supporting film 200 removing step S8 and the flexible material removing step S7 may also be performed. The flexible material removing step S7, the substrate removing step S6, And a supporting film removing step (S8).

먼저 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지는 경우, 기판(100)을 먼저 제거한 후 압전 박막소자 상단의 유연소재 일부를 제거하고, 하단의 지지막(200) 일부를 제거한다.When the substrate 100 is firstly removed (S6), the flexible material removing step (S7), and the supporting film removing step (S8), the substrate 100 is first removed and then a part of the flexible material at the top of the piezoelectric thin film device is removed, A part of the film 200 is removed.

또한, 기판 제거 단계(S6), 지지막 제거 단계(S8) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어지는 경우, 기판(100)을 먼저 제거한 후, 압전 박막소자 하단의 지지막(200) 일부를 제거하고, 상단의 유연소재(600) 일부를 제거한다.In the case of the substrate removing step S6, the supporting film removing step S8 and the flexible material removing step S7, the substrate 100 is removed first, and then a part of the supporting film 200 at the bottom of the piezoelectric thin film element is removed And a part of the upper flexible material 600 is removed.

또한, 유연소재 제거 단계(S7), 기판 제거 단계(S6) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지는 경우, 압전 박막소자 하단의 지지막(200) 일부를 제거하고, 상단의 유연소재 일부를 제거한 후, 기판(100)을 제거한다.In the case of the flexible material removing step S7, the substrate removing step S6 and the supporting film removing step S8, a part of the supporting film 200 at the lower end of the piezoelectric thin film element is removed, Then, the substrate 100 is removed.

실시예2의 제작 방법으로 제작된 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 도8에서 보는 바와 같이 상하부전극용 압전 박막소자이다.
The piezoelectric thin film element to which the flexible material manufactured by the manufacturing method of the second embodiment is applied is a piezoelectric thin film element for upper and lower electrodes as shown in FIG.

[실시예 3][Example 3]

도3을 참조하여 설명하면, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법의 실시예 3은 지지막 적층 단계(S1), 제1 전극막 적층 단계(S2), 압전소재 적층 단계(S3), 제2 전극막 적층 단계(S4), 유연소재 코팅 단계(S5), 기판 제거 단계(S6), 지지막 제거 단계(S8)로 이루어진다. 3, a third embodiment of a manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied includes a support film laminating step S1, a first electrode film laminating step S2, a piezoelectric material laminating step S3, A two-electrode film laminating step S4, a flexible material coating step S5, a substrate removing step S6, and a supporting film removing step S8.

더욱 상세하게 설명하면, 도6 (a)에서 보는 바와 같이, 지지막 적층 단계(S1)를 통해, 기판(100) 상에 지지막을 적층한다. 이때, 상기 기판(100)은 Si 기판과 같은 단단한 기판을 사용하며, 상기 지지막(200)은 500nm 정도의 두께를 갖도록 SiOx 또는 SiNx 재질을 적층한다.More specifically, as shown in FIG. 6 (a), a supporting film is laminated on the substrate 100 through a supporting film laminating step S1. At this time, the substrate 100 uses a rigid substrate such as a Si substrate, and the support film 200 stacks SiO x or SiN x material to have a thickness of about 500 nm.

이 후, 도6 (b)에서 보는 바와 같이, 제1 전극막 적층 단계(S2)를 통해 상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하며, 상기 제1 전극막(300)은 백금 또는 금 재질로 이루어진다. 6 (b), the first electrode film 300 is laminated on the supporting film 200 through the first electrode film laminating step S2, and the first electrode film 300 ) Is made of platinum or gold.

이 후, 압전소재 적층단계(S3)를 통해, 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착한 후 열처리를 통해 적층한다. 이 때 압전소재(400)의 온도가 500 ~ 1000 ℃까지 올라가며, 압전소재(400)의 소재에 따라 온도가 더 상승할 수도 있다. 상기 압전소재(400)는 PZT, Pmn, PVDF 와 같은 소재를 사용하며, 20㎛ 정도의 두께로 적층한다. 적층 방법은 도금, 증착 및 프린팅 등 다양한 방법을 통해 적층할 수 있다. Thereafter, the piezoelectric material 400 is deposited on the first electrode film 300 through the piezoelectric material laminating step S3, and then laminated through heat treatment. At this time, the temperature of the piezoelectric material 400 rises to 500-1000 캜, and the temperature may further increase depending on the material of the piezoelectric material 400. The piezoelectric material 400 uses materials such as PZT, Pmn, and PVDF, and is laminated to a thickness of about 20 μm. The lamination method can be laminated through various methods such as plating, vapor deposition and printing.

압전소재(400)를 적층한 후, 제2 전극막 적층 단계(S4)를 통해 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층한다. 이 때 상기 제2 전극막(500)은 제1 전극막(300)과 동일한 재질인 백금 또는 금 재질을 사용한다. 예를 들어 설명하면, 상기 압전소재(400)를 PZT 또는 Pmn 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 백금 재질을 사용하며, 압전소재(400)를 PVDF 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 금 재질을 사용한다.After the piezoelectric material 400 is laminated, the second electrode film 500 is laminated on the piezoelectric material 400 through the second electrode film laminating step S4. At this time, the second electrode layer 500 is made of platinum or gold, which is the same material as the first electrode layer 300. For example, when the piezoelectric material 400 is used as a PZT or Pmn material, the first and second electrode films 300 and 500 are made of platinum, and the piezoelectric material 400 is used as a PVDF material. The first and second electrode films 300 and 500 use a gold material.

이 후, 도6 (c)에서 보는 바와 같이, 유연소재 코팅 단계(S5)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)로 코팅하여 적층한다. 상기 유연소재(600)는 페릴린 c(Parylene c) 소재를 사용하며, 적층된 층들의 측면은 1 ㎛이하로 코팅하고, 상단은 20㎛정도로 코팅한다. Thereafter, as shown in FIG. 6C, the flexible material 600 is coated and stacked to surround the layer stacked on the support film 200 through the flexible material coating step S5. The flexible material 600 is made of a material of parylene c, and the side surfaces of the laminated layers are coated to a thickness of 1 μm or less and the top thereof is coated to a thickness of about 20 μm.

이 후, 기판 제거 단계(S6) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어질 수 있다. 이때, 유연소재(600)를 제거하지 않고, 상기 유연소재(600)가 코팅된 상태에서 기판(100)을 제거한 후, 지지막(200)의 일부를 제거한다.Thereafter, a substrate removing step S6 and a supporting film removing step S8 may be performed. At this time, the substrate 100 is removed in a state in which the flexible material 600 is coated without removing the flexible material 600, and then a part of the support film 200 is removed.

실시예3의 제작 방법으로 제작된 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 도9에서 보는 바와 같이 하부전극용 압전 박막소자이다.
The piezoelectric thin film element to which the flexible material manufactured by the manufacturing method of the third embodiment is applied is a piezoelectric thin film element for the lower electrode as shown in FIG.

[실시예 4][Example 4]

도4를 참조하여 설명하면, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법의 실시예 4는 지지막 적층 단계(S1), 제1 전극막 적층 단계(S2), 압전소재 적층 단계(S3), 제2 전극막 적층 단계(S4), 패턴 형성 단계(S5a), 유연소재 코팅 단계(S5), 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어진다. 4, a fourth embodiment of a manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied includes a support film laminating step S1, a first electrode film laminating step S2, a piezoelectric material laminating step S3, A two-electrode film laminating step S4, a pattern forming step S5a, a flexible material coating step S5, a substrate removing step S6, and a flexible material removing step S7.

더욱 상세하게 설명하면, 도6 (a)에서 보는 바와 같이, 지지막 적층 단계(S1)를 통해, 기판(100) 상에 지지막을 적층한다. 이때, 상기 기판(100)은 Si 기판과 같은 단단한 기판을 사용하며, 상기 지지막(200)은 500nm 정도의 두께를 갖도록 SiOx 또는 SiNx 재질을 적층한다. More specifically, as shown in FIG. 6 (a), a supporting film is laminated on the substrate 100 through a supporting film laminating step S1. At this time, the substrate 100 uses a rigid substrate such as a Si substrate, and the support film 200 stacks SiO x or SiN x material to have a thickness of about 500 nm.

이 후, 도6 (b)에서 보는 바와 같이, 제1 전극막 적층 단계(S2)를 통해 상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하며, 상기 제1 전극막(300)은 백금 또는 금 재질로 이루어진다. 6 (b), the first electrode film 300 is laminated on the supporting film 200 through the first electrode film laminating step S2, and the first electrode film 300 ) Is made of platinum or gold.

이 후, 압전소재 적층단계(S3)를 통해, 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착한 후 열처리를 통해 적층한다. 이 때 압전소재(400)의 온도가 500 ~ 1000 ℃까지 올라가며, 압전소재(400)의 소재에 따라 온도가 더 상승할 수도 있다. 상기 압전소재(400)는 PZT, Pmn, PVDF 와 같은 소재를 사용하며, 20㎛ 정도의 두께로 적층한다. 적층 방법은 도금, 증착 및 프린팅 등 다양한 방법을 통해 적층할 수 있다. Thereafter, the piezoelectric material 400 is deposited on the first electrode film 300 through the piezoelectric material laminating step S3, and then laminated through heat treatment. At this time, the temperature of the piezoelectric material 400 rises to 500-1000 캜, and the temperature may further increase depending on the material of the piezoelectric material 400. The piezoelectric material 400 uses materials such as PZT, Pmn, and PVDF, and is laminated to a thickness of about 20 μm. The lamination method can be laminated through various methods such as plating, vapor deposition and printing.

압전소재(400)를 적층한 후, 제2 전극막 적층 단계(S4)를 통해 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층한다. 이 때 상기 제2 전극막(500)은 제1 전극막(300)과 동일한 재질인 백금 또는 금 재질을 사용한다. 예를 들어 설명하면, 상기 압전소재(400)를 PZT 또는 Pmn 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 백금 재질을 사용하며, 압전소재(400)를 PVDF 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 금 재질을 사용한다. After the piezoelectric material 400 is laminated, the second electrode film 500 is laminated on the piezoelectric material 400 through the second electrode film laminating step S4. At this time, the second electrode layer 500 is made of platinum or gold, which is the same material as the first electrode layer 300. For example, when the piezoelectric material 400 is used as a PZT or Pmn material, the first and second electrode films 300 and 500 are made of platinum, and the piezoelectric material 400 is used as a PVDF material. The first and second electrode films 300 and 500 use a gold material.

이 후, 패턴 형성 단계(S5a)로 이루어지는데, 상기 패턴 형성 단계(S5a)는 리소그래피(lithography) 공정을 통해 패턴을 형성한다. Thereafter, a pattern forming step S5a is performed. In the pattern forming step S5a, a pattern is formed through a lithography process.

이 후, 도6 (c)에서 보는 바와 같이, 유연소재 코팅 단계(S5)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)로 코팅하여 적층한다. 상기 유연소재(600)는 페릴린 c(Parylene c) 소재를 사용하며, 적층된 층들의 측면은 1 ㎛이하로 코팅하고, 상단은 20㎛정도로 코팅한다. Thereafter, as shown in FIG. 6C, the flexible material 600 is coated and stacked to surround the layer stacked on the support film 200 through the flexible material coating step S5. The flexible material 600 is made of a material of parylene c, and the side surfaces of the laminated layers are coated to a thickness of 1 μm or less and the top thereof is coated to a thickness of about 20 μm.

이 후, 기판 제거 단계(S6) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어질 수 있는데, 상기 기판 제거 단계(S6)와 유연소재 제거 단계(S7)의 순서를 서로 바뀌어서 사용할 수도 있다. 즉, 기판 제거 단계(S6)가 먼저 적용될 경우, 유연소재(600)가 코팅된 상태에서 기판(100)을 제거한 후, 상기 유연소재 제거 단계(S7)를 통해 상단의 유연소재(600) 일부를 제거한다. 반면, 유연소재 제거 단계(S7)가 먼저 적용될 경우, 상단의 유연소재(600) 일부를 제거한 후, 하단의 기판(100)을 제거한다.Subsequently, the substrate removing step S6 and the flexible material removing step S7 may be performed. However, the order of the substrate removing step S6 and the flexible material removing step S7 may be reversed. That is, if the substrate removing step S6 is applied first, the substrate 100 is removed in a state in which the flexible material 600 is coated, and then a part of the upper flexible material 600 is removed through the flexible material removing step S7 Remove. On the other hand, when the flexible material removing step S7 is first applied, a part of the upper flexible material 600 is removed, and then the lower substrate 100 is removed.

실시예4의 제작 방법으로 제작된 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 도7에서 보는 바와 같이 상부전극용 압전 박막소자이다.
The piezoelectric thin film device to which the flexible material manufactured by the manufacturing method of the fourth embodiment is applied is a piezoelectric thin film device for an upper electrode as shown in FIG.

[실시예 5][Example 5]

도5를 참조하여 설명하면, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법의 실시예 5는 지지막 적층 단계(S1), 제1 전극막 적층 단계(S2), 압전소재 적층 단계(S3), 제2 전극막 적층 단계(S4), 패턴 형성 단계(S5a), 유연소재 코팅 단계(S5), 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7), 지지막 제거 단계(S8)로 이루어진다. 5, a fifth embodiment of a manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied includes a support film laminating step S1, a first electrode film laminating step S2, a piezoelectric material laminating step S3, A two-electrode film laminating step S4, a pattern forming step S5a, a flexible material coating step S5, a substrate removing step S6, a flexible material removing step S7, and a supporting film removing step S8.

더욱 상세하게 설명하면, 도6 (a)에서 보는 바와 같이, 지지막 적층 단계(S1)를 통해, 기판(100) 상에 지지막을 적층한다. 이때, 상기 기판(100)은 Si 기판과 같은 단단한 기판을 사용하며, 상기 지지막(200)은 500nm 정도의 두께를 갖도록 SiOx 또는 SiNx 재질을 적층한다. More specifically, as shown in FIG. 6 (a), a supporting film is laminated on the substrate 100 through a supporting film laminating step S1. At this time, the substrate 100 uses a rigid substrate such as a Si substrate, and the support film 200 stacks SiO x or SiN x material to have a thickness of about 500 nm.

이 후, 도6 (b)에서 보는 바와 같이, 제1 전극막 적층 단계(S2)를 통해 상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하며, 상기 제1 전극막(300)은 백금 또는 금 재질로 이루어진다. 6 (b), the first electrode film 300 is laminated on the supporting film 200 through the first electrode film laminating step S2, and the first electrode film 300 ) Is made of platinum or gold.

이 후, 압전소재 적층단계(S3)를 통해, 상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착한 후 열처리를 통해 적층한다. 이 때 압전소재(400)의 온도가 500 ~ 1000 ℃까지 올라가며, 압전소재(400)의 소재에 따라 온도가 더 상승할 수도 있다. 상기 압전소재(400)는 PZT, Pmn, PVDF 와 같은 소재를 사용하며, 20㎛ 정도의 두께로 적층한다. 적층 방법은 도금, 증착 및 프린팅 등 다양한 방법을 통해 적층할 수 있다. Thereafter, the piezoelectric material 400 is deposited on the first electrode film 300 through the piezoelectric material laminating step S3, and then laminated through heat treatment. At this time, the temperature of the piezoelectric material 400 rises to 500-1000 캜, and the temperature may further increase depending on the material of the piezoelectric material 400. The piezoelectric material 400 uses materials such as PZT, Pmn, and PVDF, and is laminated to a thickness of about 20 μm. The lamination method can be laminated through various methods such as plating, vapor deposition and printing.

압전소재(400)를 적층한 후, 제2 전극막 적층 단계(S4)를 통해 상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층한다. 이 때 상기 제2 전극막(500)은 제1 전극막(300)과 동일한 재질인 백금 또는 금 재질을 사용한다. 예를 들어 설명하면, 상기 압전소재(400)를 PZT 또는 Pmn 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 백금 재질을 사용하며, 압전소재(400)를 PVDF 소재로 사용할 경우, 제1 및 제2 전극막(300, 500)은 금 재질을 사용한다. After the piezoelectric material 400 is laminated, the second electrode film 500 is laminated on the piezoelectric material 400 through the second electrode film laminating step S4. At this time, the second electrode layer 500 is made of platinum or gold, which is the same material as the first electrode layer 300. For example, when the piezoelectric material 400 is used as a PZT or Pmn material, the first and second electrode films 300 and 500 are made of platinum, and the piezoelectric material 400 is used as a PVDF material. The first and second electrode films 300 and 500 use a gold material.

이 후, 패턴 형성 단계(S5a)로 이루어지는데, 상기 패턴 형성 단계(S5a)는 리소그래피(lithography) 공정을 통해 패턴을 형성한다. Thereafter, a pattern forming step S5a is performed. In the pattern forming step S5a, a pattern is formed through a lithography process.

이 후, 도6 (c)에서 보는 바와 같이, 유연소재 코팅 단계(S5)를 통해, 상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)로 코팅하여 적층한다. 상기 유연소재(600)는 페릴린 c(Parylene c) 소재를 사용하며, 적층된 층들의 측면은 1 ㎛이하로 코팅하고, 상단은 20㎛정도로 코팅한다.Thereafter, as shown in FIG. 6C, the flexible material 600 is coated and stacked to surround the layer stacked on the support film 200 through the flexible material coating step S5. The flexible material 600 is made of a material of parylene c, and the side surfaces of the laminated layers are coated to a thickness of 1 μm or less and the top thereof is coated to a thickness of about 20 μm.

이 후, 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어질 수 있다. 또한, 기판 제거 단계(S6), 지지막 제거 단계(S8) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어지기도 하며, 유연소재 제거 단계(S7), 기판 제거 단계(S6) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지기도 한다. Thereafter, a substrate removing step S6, a flexible material removing step S7, and a supporting film removing step S8 may be performed. The substrate removing step S6, the supporting film removing step S8 and the flexible material removing step S7 may be performed. The flexible material removing step S7, the substrate removing step S6, and the supporting film removing step S8 ).

먼저 기판 제거 단계(S6), 유연소재 제거 단계(S7) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지는 경우, 기판(100)을 먼저 제거한 후 압전 박막소자 상단의 유연소재 일부를 제거하고, 하단의 지지막(200) 일부를 제거한다.When the substrate 100 is firstly removed (S6), the flexible material removing step (S7), and the supporting film removing step (S8), the substrate 100 is first removed and then a part of the flexible material at the top of the piezoelectric thin film device is removed, A part of the film 200 is removed.

또한, 기판 제거 단계(S6), 지지막 제거 단계(S8) 및 유연소재 제거 단계(S7)로 이루어지는 경우, 기판(100)을 먼저 제거한 후, 압전 박막소자 하단의 지지막(200) 일부를 제거하고, 상단의 유연소재(600) 일부를 제거한다.In the case of the substrate removing step S6, the supporting film removing step S8 and the flexible material removing step S7, the substrate 100 is removed first, and then a part of the supporting film 200 at the bottom of the piezoelectric thin film element is removed And a part of the upper flexible material 600 is removed.

또한, 유연소재 제거 단계(S7), 기판 제거 단계(S6) 및 지지막 제거 단계(S8)로 이루어지는 경우, 압전 박막소자 하단의 지지막(200) 일부를 제거하고, 상단의 유연소재 일부를 제거한 후, 기판(100)을 제거한다.In the case of the flexible material removing step S7, the substrate removing step S6 and the supporting film removing step S8, a part of the supporting film 200 at the lower end of the piezoelectric thin film element is removed, Then, the substrate 100 is removed.

실시예5의 제작 방법으로 제작된 유연소재가 적용된 압전 박막소자는 도8에서 보는 바와 같이 상하부전극용 압전 박막소자이다.
The piezoelectric thin film element to which the flexible material manufactured by the manufacturing method of Example 5 is applied is a piezoelectric thin film element for upper and lower electrodes as shown in FIG.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

S1 : 지지막 적층 단계
S2 : 제1 전극막 적층 단계
S3 : 압전소재 적층 단계
S4 : 제2 전극막 적층 단계
S5 : 유연소재 코팅 단계
S5a : 패턴 형성 단계
S6 : 기판 제거 단계
S7 : 유연소재 제거 단계
S8 : 지지막 제거 단계
100 : 기판
200 : 지지막
300 : 제1 전극막
400 : 압전소재
500 : 제2 전극막
600 : 유연소재S1: support film laminating step
S2: First electrode film laminating step
S3: piezoelectric material laminating step
S4: Second electrode film laminating step
S5: Flexible material coating step
S5a: pattern formation step
S6: Substrate removal step
S7: Flexible material removal step
S8: Support film removal step
100: substrate
200:
300: first electrode film
400: Piezoelectric material
500: Second electrode film
600: Flexible material

Claims (7)

기판(100) 상에 지지막(200)을 적층하는 지지막 적층 단계(S1);
상기 지지막(200) 상에 제1 전극막(300)을 적층하는 제1 전극막 적층 단계(S2);
상기 제1 전극막(300) 상에 압전소재(400)를 증착 또는 적층하는 압전소재 적층 단계(S3);
상기 압전소재(400) 상에 제2 전극막(500)을 적층하는 제2 전극막 적층 단계(S4);
상기 지지막(200) 상에 적층된 층을 둘러싸도록 유연소재(600)를 코팅하는 유연소재 코팅 단계(S5); 및
상기 기판(100)의 일부 또는 전체를 제거하는 기판 제거 단계(S6);
로 이루어지는 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법.
A support film laminating step (S1) of laminating a support film (200) on a substrate (100);
A first electrode film deposition step (S2) of depositing a first electrode film (300) on the support film (200);
A piezoelectric material laminating step (S3) of depositing or laminating a piezoelectric material (400) on the first electrode film (300);
A second electrode film laminating step (S4) of laminating the second electrode film (500) on the piezoelectric material (400);
A flexible material coating step (S5) of coating a flexible material (600) so as to surround a layer stacked on the support film (200); And
A substrate removing step (S6) of removing a part or all of the substrate (100);
Wherein the piezoelectric material is a piezoelectric material.
제 1항에 있어서, 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법은
상기 제2 전극막(500) 상의 유연소재(600) 일부를 제거하는 유연소재 제거 단계(S7)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법.
The method of manufacturing a piezoelectric thin film device according to claim 1,
And removing a part of the flexible material (600) on the second electrode film (500).
제 1항에 있어서, 상기 제2 전극막 적층 단계(S4)는
상기 제2 전극막(500) 상에 리소그래피 공정을 통해 패턴을 형성하는 패턴 형성 단계(S5a)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법.
The method according to claim 1, wherein the second electrode film deposition step (S4)
And forming a pattern on the second electrode film (500) through a lithography process (S5a).
제 3항에 있어서, 상기 유연소재 코팅 단계(S5)는
상기 제2 전극막(500) 상의 패턴 부분의 일부 또는 전체를 제거하는 유연소재 제거 단계(S7)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법.
4. The method according to claim 3, wherein the flexible material coating step (S5)
Further comprising a flexible material removing step (S7) of removing part or all of a pattern portion on the second electrode film (500).
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법은
상기 지지막(200)의 일부 또는 전체를 제거하는 지지막 제거 단계(S8)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
A manufacturing method of a piezoelectric thin film element to which a flexible material is applied
Further comprising a support film removing step (S8) of removing a part or the entirety of the support film (200).
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법을 이용하여 제작되는 유연소재가 적용된 압전 박막소자.
A piezoelectric thin film device using a flexible material manufactured by the manufacturing method of a piezoelectric thin film device to which the flexible material of any one of claims 1 to 4 is applied.
제 5항의 유연소재가 적용된 압전 박막소자의 제작 방법을 이용하여 제작되는 유연소재가 적용된 압전 박막소자.A piezoelectric thin film device using a flexible material fabricated by the manufacturing method of the piezoelectric thin film device to which the flexible material of claim 5 is applied.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220026840A (en) 2020-08-26 2022-03-07 한국화학연구원 Piezoelectric Nanogenerator

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