KR20160031659A - electronic device, and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 지지 기판 상의 그래핀 산화물을 포함하는 희생막 상에 베이스 기판을 형성하고 상기 희생막을 제거하여 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 방법으로 제조된 전자 소자 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.BACKGROUND OF THE
플렉시블 디스플레이(flexible display)와 같은 플렉시블 소자(flexible device)는 스마트 왓치(smart watch), 스마트 안경(smart glass)와 같은 웨어러블 장치(wearable device)가 대두됨에 따라, 그 필요성이 증가되고 있는 추세이다. Flexible devices such as flexible displays are becoming increasingly in demand as wearable devices such as smart watches and smart glasses are emerging.
특히, 플렉시블 디스플레이와 같은 플렉시블 소자를 구현하기 위해서는, 플렉시블 기판, 구동 소자, 표시 소자, 박막 봉지 등의 구성요소들의 개발이 중요하다. 이러한 구성 요소들 중에서 플렉시블 기판은 플라스틱 재료, 금속 박막 기판, 얇은 유리 기판 등을 이용하여 제조되고 있다.Particularly, in order to realize a flexible element such as a flexible display, development of components such as a flexible substrate, a driving element, a display element, and a thin film encapsulation is important. Among these components, the flexible substrate is manufactured by using a plastic material, a metal thin film substrate, a thin glass substrate, or the like.
플렉시블 기판의 재료로 주로 사용되는 플라스틱 기판의 경우, 온도에 따른 열팽창 정도가 커서, 소자 공정 시에 가해지는 열에 의해 발생하는 플라스틱 기판의 치수 변화로 인하여 미세 패턴의 불일치가 발생하는 문제, 또는 플라스틱 기판과 이를 지지하는 기판 사이의 열 팽창 계수의 차이에 의해 플라스틱 기판의 휨 현상이 발생하기도 한다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 예를 들어, 대한민국 특허 공개 공보 10-2005-0064883(출원번호 10-2003-0096493, 출원인: 삼성전자)에는, 플라스틱 기판의 열 팽창계수의 불일치로 인한 플라스틱 기판의 휨 현상의 방지 및 스트레스 발생을 최소화하기 위해, (a) 플라스틱 기판의 열 평창계수와 상응하는 열 팽창계수를 갖는 캐리어 기판 상에 상기 플라스틱 기판을 적층하는 단계, (b) 상기 플라스틱 기판의 표면에 표시 소자를 형성하는 단계, 및 (c) 상기 플라스틱 기판으로부터 상기 캐리어 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 유연한 디스플레이 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. In the case of a plastic substrate mainly used as a material for a flexible substrate, there is a problem that a degree of thermal expansion depending on the temperature is large, inconsistency of a fine pattern occurs due to a dimensional change of a plastic substrate caused by heat applied during a device process, The plastic substrate may be warped due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the supporting substrate. In order to solve such a problem, for example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2005-0064883 (Application No. 10-2003-0096493, filed by Samsung Electronics) discloses a method of manufacturing a plastic substrate, (A) laminating the plastic substrate on a carrier substrate having a coefficient of thermal expansion corresponding to a thermal expansion coefficient of the plastic substrate, (b) Forming a device, and (c) separating the carrier substrate from the plastic substrate.
또한, 이외에도, 유기물을 이용하여 플라스틱 기판을 지지 기판에 부착시킨 후 레이저를 이용하여 플라스틱 기판을 분리시키는 경우 지지 기판에 유기물이 잔존되어 지지 기판이 오염되는 문제, 점착제를 이용하여 플라스틱 기판을 지지 기판에 부착시키는 경우 점착제로 인해 고온 공정이 제한되는 문제 등이 있다. 이러한 기술적 문제들을 해결하기 위한 연구 개발이 필요한 실정이다. In addition, when a plastic substrate is detached using a laser after attaching a plastic substrate to a support substrate using an organic material, organic matters remain on the support substrate to contaminate the support substrate, There is a problem that the high-temperature process is limited due to the pressure-sensitive adhesive. Research and development are needed to solve these technical problems.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 생산 공정이 간소화된 전자 소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing an electronic device in which a production process is simplified.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 대면적 공정이 용이한 전자 소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic device which is easy to process in a large area.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 지지 기판의 재활용이 용이한 전자 소자의 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an electronic device in which the support substrate can be easily recycled.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 제조 단가가 감소된 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide an electronic device having a reduced manufacturing cost and a manufacturing method thereof.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 접착력이 우수한 희생막을 사용하여 제조된 전자 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다. It is another object of the present invention to provide an electronic device manufactured using a sacrificial film excellent in adhesion and a method of manufacturing the electronic device.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 상술된 것에 제한되지 아니한다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위해, 본 발명은 전자 소자의 제조 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method for manufacturing an electronic device.
일 실시 예에 따르면, 상기 전자 소자의 제조 방법은, 지지 기판(support substrate)을 준비하는 단계, 상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계, 상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계, 및 상기 희생막을 열처리하여 상기 희생막을 열분해시켜, 상기 지지 기판으로부터, 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, a method of manufacturing an electronic device includes providing a support substrate, providing graphene oxide on the support substrate to form a sacrificial film, forming a base substrate; and thermally decomposing the sacrificial layer by heat-treating the sacrificial layer to separate the base substrate from the support substrate.
일 실시 예에 따르면, 상기 희생막을 형성하는 단계는, 상기 그래핀 산화물을 준비하는 단계, 및 상기 그래핀 산화물에 탈착 조절제(debonding control agent)을 첨가하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, forming the sacrificial layer may comprise preparing the graphene oxide, and adding a debonding control agent to the graphene oxide.
일 실시 예에 따르면, 상기 희생막은, 상기 그래핀 산화물 및 상기 탈착 조절제를 포함하고, 상기 탈착 조절제의 첨가량에 따라서, 상기 희생막의 열분해 속도가 조절되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the sacrificial layer may include the graphene oxide and the desorption adjusting agent, and the rate of thermal decomposition of the sacrificial layer may be controlled depending on the amount of the desorption adjusting agent.
일 실시 예에 따르면, 상기 탈착 조절제의 첨가량이 증가될수록, 상기 희생막의 열분해 속도가 증가되는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment, as the amount of the desorption adjusting agent is increased, the rate of thermal decomposition of the sacrificial layer may be increased.
일 실시 예에 따르면, 상기 희생막 내의 상기 그래핀 산화물의 적어도 일부가 상기 열처리 과정에서 환원되어, 환원된 그래핀 산화물이 생성되고, 상기 탈착 조절제는 상기 환원된 그래핀 산화물, 또는 잔존된 상기 그래핀 산화물의 연소에 필요한 활성화 에너지를 감소시키는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, at least a portion of the graphene oxide in the sacrificial layer is reduced in the heat treatment process to produce a reduced graphene oxide, which desorbs the reduced graphene oxide, And reducing the activation energy required for combustion of the pin oxide.
일 실시 예에 따르면, 상기 탈착 조절제는, 알칼리 금속염을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the desorption adjusting agent may comprise an alkali metal salt.
일 실시 예에 따르면, 상기 전자 소자의 제조 방법은, 상기 베이스 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리시키기 전, 상기 베이스 기판 상에 소자 구성층(device element layer)을 제조하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the manufacturing method of the electronic device may further include a step of manufacturing a device element layer on the base substrate before separating the base substrate from the supporting substrate.
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판은 상기 지지 기판보다 플렉시블(flexible)한 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the base substrate may include one that is more flexible than the support substrate.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위해, 본 발명은 전자 소자를 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides an electronic device.
일 실시 예에 따르면, 상기 전자 소자는, 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함하는 베이스 기판, 및 상기 베이스 기판의 상기 제1 면 상의 소자 구성층(device element layer)을 포함하되, 상기 베이스 기판은, 상기 제1 면에 인접한 제1 영역(first region), 및 상기 제2 면에 인접하고 상기 제1 영역보다 높은 알칼리 금속 농도를 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the electronic device includes a base substrate having a first surface and a second surface opposite the first surface, and a device element layer on the first surface of the base substrate, Wherein the base substrate may include a first region adjacent the first side and a second region adjacent the second side and having a higher alkali metal concentration than the first region.
일 실시 예에 따르면, 상기 알칼리 금속은, 상기 베이스 기판을 지지하는 지지 기판으로 분리되기 전, 또는 분리되는 과정에서, 상기 베이스 기판 내로 확산된 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the alkali metal may be diffused into the base substrate before or during separation into a support substrate supporting the base substrate.
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판은 플라스틱 기판이고, 상기 베이스 기판의 상기 제2 면에 인접할수록 상기 알칼리 금속의 농도가 증가되는 것을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the base substrate is a plastic substrate, and the concentration of the alkali metal may be increased as it is adjacent to the second side of the base substrate.
본 발명의 실시 예에 따르면, 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 제공하여 희생막이 형성되고, 상기 희생막 상에 베이스 기판이 형성되고, 상기 희생막을 열분해시켜, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판이 분리될 수 있다. 이에 따라, 생산 공정이 간소화되고, 대면적 적용이 용이하고, 제조 단가가 감소된 전자 소자 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a sacrificial layer is formed by providing graphene oxide on a support substrate, a base substrate is formed on the sacrificial layer, and the sacrificial layer is pyrolyzed to separate the base substrate from the support substrate . Accordingly, an electronic device in which a production process is simplified, a large-area application is easy, and a manufacturing cost is reduced, and a manufacturing method thereof can be provided.
도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법에 따라 그래핀 산화물을 포함하는 희생막의 열분해 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법에 따라 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 이용하여 베이스 기판이 분리된 후 지지 기판의 표면을 촬영한 광학 현미경 사진이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 to 5 are process cross-sectional views for explaining an electronic device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
6 is a view for explaining a thermal decomposition process of a sacrificial layer containing graphene oxide according to a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an optical microscope photograph of a surface of a support substrate after a base substrate is separated using a sacrificial film containing graphene oxide according to a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention. FIG.
8 is a block diagram for explaining an example of an element composition layer included in an electronic device according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the thicknesses of the films and regions are exaggerated for an effective explanation of the technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term "connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자 및 그 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. FIG. 1 is a flow chart for explaining a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are process cross-sectional views for explaining an electronic device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 지지 기판(100, support substrate)이 준비된다(S110). 일 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100)은 유리 기판일 수 있다. 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100)은 반도체 기판, 금속 기판, 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100)은 유연하지 않은(inflexible)한 기판일 수 있다. 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100)은 유연한(flexible)한 기판일 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 2, a
상기 지지 기판(100) 상에 그래핀 산화물을 제공하여, 희생막(110)이 형성될 수 있다(S120). 상기 희생막(110)은 상기 그래핀 산화물 외에, 탈착 조절제(debonding control agent)를 더 포함할 수 있다. The
일 실시 예에 따르면, 상기 그래핀 산화물은 modified Hummer's 방법으로 제조된 것일 수 있다. 또는, 이와는 달리, 상기 그래핀 산화물은 다양한 방법으로 제조될 수 있다.According to one embodiment, the graphene oxide may be made by the modified Hummer's method. Alternatively, the graphene oxide can be prepared in a variety of ways.
상기 탈착 조절제는, 알카리 금속염을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 탈착 조절제는, KMnO4, KOH, K2CO3, KCl, KI, KNO3, CH3COOK, KBr, KCN, KIO3, KH2PO4, K2HPO4, K2S2O8, HOOCC6H4COOK, KSCN, K2SO4, KClO3, KF, K2CrO4, KBrO3, KHCO3, C6H7KO2, KNO2, KH, KIO4, K3PO4, KOCN, C6H11KO7, KPF6, KHSO4, CH3COSK, KBH4, K4P2O7, HCOOK, K3Fe(CN)6, [(CH3)3Si]2NK, K2SO3, KOC2H5, C6H5COOK, K2MnO4, KAl(SO4)2, K2S2O5, (CH3)3SiOK, CH3KO3S, K2S2O3, CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7COOK, K2S2O7, C2H5OCSSK, K2MoO4, K2PtCl4, CH2=CHBF3K, K2Cr2O7, K2Cr2O7, KBF4, K2Ni(CN)4, K2S4O6, (CH3)3COK, KOCH2CH(CH3)2, K3Fe(CN)6, K[Ag(CN)2], KHF2, KH(IO3)2, KReO4, KSeCN, CF3COOK, K2O3Se, C2H5OCOCH2CO2K, C3H5BF3K, KAuCl4, K2CrO4, (C6H5)4BK, C3H5BF3K, CF3SO3K, C3H5KO2, K2WO4, C8H4K2O12Sb2, K2PtCl6, KH2AsO4, K2PdCl4, KHF2, Cl2CHCO2K, C6H5BF3K, CH3BF3K, C6O6K2, C12H14K8O35S8, KAu(CN)2, KRuO4, NaCl, Na2CO3, Na2SO4, Na2SO3, Na2S2O3, Na2C2O4, Na2HPO4, NaCOOH3, NaHCO3, NaOH, NaBH4, HOC(COONa)(CH2COOH)2, Na3PO4, NaH, NaNO2, CH3(CH2)11OSO3Na, CH3(CH2)11OSO3Na, NaOCH3, NaI, Na2S, NaNO3, NaHSO3, CH3COCOONa, C24H39NaO4, NaBr, NaH2PO4, NaF, C6H5COONa, C6H7NaO6, CH3CH2CH2COONa, Na2S2O5, NaBH3CN, Na2B4O7, Na2SeO3, Na3VO4, NaClO4, Na2[Fe(CN)5NO] · 2H2O, CH3CH2ONa, NaIO4, NaCN, Na2MoO4, HOC6H4COONa, NaClO2, (CH3COO)3BHNa, CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7COONa, NaHSO4, Na2SiO3, NaPH2O2, NaSCN, NaClO3, Na2S2O8, Na5P3O10, CH3(CH2)11C6H4SO3Na, NaAlO2, NaNH2, CH3CH2COONa, C26H44NNaO7S, NaIO3, (C6H5)4BNa, Na2WO4, CH3(CH2)14COONa, NaIO4, C6H11NaO7, CH3(CH2)16COONa, NaBrO3, HSCH2COONa, H2C=CHCO2Na, C7H4NNaO3S, NaPF6, CH3(CH2)12COONa, Na2CrO4, NaBF4, C8H15NaO2, CF3COONa, ICH2COONa, NaVO3, NaOCN, CH3(CH2)6COONa, ClCH2COONa, C6H13O3SNa, NaOD, NaClO, KOCOCH(OH)CH(OH)COONa · 4H2O, (CH3)2AsO2Na, NaAsO2, C5H11O3SNa, (C2H5)4BNa, C6H11NHSO3Na, Na2SnO3, NaBD4, CLiN, LiOOCCH3, LiBr, Li2CO3, LiAlH4, LiClO4, LiNO3, [(CH3)2CH]2NLi, LiBH4, Li2SO4, LiF, [(CH3)3Si]2NLi, LiPF6, Li2S, Li2B4O7, LiH, LiNH2, CH3CH(OH)COOLi, LiBF4, (CH3)2NLi, Li3PO4, LiMn2O4, CH3OLi, CH3(CH2)11OSO3Li, CH3CH2OLi, CF3SO3Li, LiBO2, LiAlD4, CH3COCH=C(OLi)CH3, LiNbO3, LiFePO4, (CH3)2CHOLi, Li2TiO3, Li4Ti5O12, CH3COCH2COOLi, C18H35LiO2, LiAlH4, LiMnO2, LiTaO3, LiH2PO4, C8H8LiNO5, LiOCl, (C2H5)2NLi, C6H5COOLi, NH2COOPO3Li2, LiBr, LiD, Li2MoO4, LiBD4, (CH3)3COLi, CF3CO2Li, (C6H11)2NLi, (CH3)3SiOLi, LiAlH[OC(CH3)3]3, HOC(COOLi)(CH2COOLi)2, CH3COOP(O)(OK)(OLi), LiO2CCH2C(OH)(CO2Li)CH2CO2Li, LiAlH[OC(CH3)3]3, C6H5C=CLi, Li2Mn3NiO8, (CH3)3SiC=CLi, Li2WO4, C10H15Li, Li2ZrO3, HOC6H4CO2Li, CH3(CH2)14COOLi, ICH2COOLi, Li2Mn3NiO8, C26H43LiO9, LiCoO2, Li4Ti5O12, C9H18LiN, C3H5LiO3, C7H3I2LiO3, C26H43LiO9, (C6H5)2PLi, CH3CH(OH)CO2Li, Li2Si5O11, LiCoPO4, C3H4LiNO2, HCOOLi, Li2PdCl4, C5H11LiO, C40H32BLiN4O4, (C6H5)4BLi·3CH3O(CH2CH2)OCH3, C6H5OLi, C12H28AlLiO, Li2MnCl, LiCHO, CHAlLiO, LiAlCl4, C2H9BLiN, LiCl, 또는 LiOH 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The desorption adjusting agent may include an alkali metal salt. For example, the desorption modifier may be selected from the group consisting of KMnO 4 , KOH, K 2 CO 3 , KCl, KI, KNO 3 , CH 3 COOK, KBr, KCN, KIO 3 , KH 2 PO 4 , K 2 HPO 4 , K 2 S 2 O 8 , HOOCC 6 H 4 COOK, KSCN, K 2 SO 4, KClO 3 , KF, K 2 CrO 4 , KBrO 3 , KHCO 3 , C 6 H 7 KO 2 , KNO 2 , KH, KIO 4 , K 3 PO 4, KOCN, C 6 H 11 KO 7, KPF 6, KHSO 4, CH 3 COSK, KBH 4, K 4 P 2 O 7, HCOOK, K 3 Fe (CN) 6, [(CH 3) 3 Si] 2 NK, K 2 SO 3, KOC 2 H 5, C 6 H 5 COOK, K 2 MnO 4, KAl (SO 4) 2, K 2 S 2 O 5, (CH 3) 3 SiOK, CH 3 KO 3 S, K 2 S 2 O 3, CH 3 (CH 2) 7 CH = CH (CH 2) 7 COOK, K 2 S 2 O 7, C 2 H 5 OCSSK, K 2 MoO 4, K 2 PtCl 4, CH 2 = CHBF 3 K, K 2 Cr 2 O 7, K 2 Cr 2 O 7, KBF 4, K 2 Ni (CN) 4, K 2 S 4 O 6, (CH 3) 3 COK, KOCH 2 CH (CH 3) 2 , K 3 Fe (CN) 6 , K [Ag (CN) 2 ], KHF 2 , KH (IO 3 ) 2 , KReO 4 , KSeCN, CF 3 COOK, K 2 O 3 Se, C 2 H 5 OCOCH 2 CO 2 K, C 3 H 5 BF 3 K, KAuCl 4, K 2 CrO 4, (C 6 H 5) 4 BK, C 3 H 5 BF 3 K, CF 3 SO 3 K, C 3 H 5 KO 2, K 2 WO 4 , C 8 H 4 K 2 O 12 Sb 2 , K 2 PtCl 6 , KH 2 AsO 4 , K 2 PdC 4 , KHF 2 , Cl 2 CHCO 2 K, C 6 H 5 BF 3 K, CH 3 BF 3 K, C 6 O 6 K 2 , C 12 H 14 K 8 O 35 S 8 , KAu (CN) 2 , 4, NaCl, Na 2 CO 3 , Na 2 SO 4, Na 2 SO 3, Na 2 S 2 O 3, Na 2 C 2 O 4, Na 2 HPO 4, NaCOOH 3, NaHCO 3, NaOH, NaBH 4, HOC (COONa) (CH 2 COOH) 2, Na 3 PO 4, NaH, NaNO 2, CH 3 (CH 2) 11 OSO 3 Na, CH 3 (CH 2) 11 OSO 3 Na, NaOCH 3, NaI, Na 2 S , NaNO 3 , NaHSO 3 , CH 3 COCOONa, C 24 H 39 NaO 4 , NaBr, NaH 2 PO 4 , NaF, C 6 H 5 COONa, C 6 H 7 NaO 6 , CH 3 CH 2 CH 2 COONa, Na 2 Na 2 O 5 , NaBH 3 CN, Na 2 B 4 O 7 , Na 2 SeO 3 , Na 3 VO 4 , NaClO 4 , Na 2 [Fe (CN) 5 NO] 揃 2H 2 O, CH 3 CH 2 ONa, NaIO 4, NaCN, Na 2 MoO 4, HOC 6 H 4 COONa, NaClO 2, (CH 3 COO) 3 BHNa, CH 3 (CH 2) 7 CH = CH (CH 2) 7 COONa, NaHSO 4, Na 2 SiO 3, NaPH 2 O 2, NaSCN , NaClO 3, Na 2 S 2 O 8, Na 5 P 3 O 10, CH 3 (CH 2) 11 C 6 H 4 SO 3 Na, NaAlO 2, NaNH 2, CH 3 CH 2 COONa, C 26 H 44 NNaO 7 S, NaIO 3, (C 6 H 5) 4 BNa, Na 2 WO 4, CH 3 (CH 2) 14 COONa, NaIO 4, C 6 H 11 NaO 7, CH 3 ( CH 2 ) 16 COONa, NaBrO 3, HSCH 2 COONa , H 2 C = CHCO 2 Na, C 7 H 4 NNaO 3 S, NaPF 6, CH 3 (CH 2) 12 COONa, Na 2 CrO 4, NaBF 4, C 8 H 15 NaO (OH) CHO (OH) COONa 4H 2 (CH 2 ) 2 , CF 3 COONa, ICH 2 COONa, NaVO 3 , NaOCN, CH 3 (CH 2 ) 6 COONa, ClCH 2 COONa, C 6 H 13 O 3 SNa, NaOD, NaClO, O, (CH 3) 2 AsO 2 Na, NaAsO 2, C 5 H11O 3 SNa, (C 2 H 5) 4 BNa, C 6 H 11 NHSO 3 Na, Na 2 SnO 3, NaBD 4, CLiN, LiOOCCH 3, LiBr, Li 2 CO 3, LiAlH 4, LiClO 4, LiNO 3, [(CH 3) 2 CH] 2 NLi, LiBH 4, Li 2 SO 4, LiF, [(CH 3) 3 Si] 2 NLi, LiPF 6 , Li 2 S, Li 2 B 4 O 7 , LiH, LiNH 2 , CH 3 CH (OH) COOLi, LiBF 4 , (CH 3 ) 2 NLi, Li 3 PO 4 , LiMn 2 O 4 , CH 3 OLi, CH 3 (CH 2) 11 OSO 3 Li, CH 3 CH 2 OLi, CF 3 SO 3 Li, LiBO 2, LiAlD 4, CH 3 COCH = C (OLi) CH 3, LiNbO 3, LiFePO 4, (CH 3) 2 Li 2 O 3 , LiH 2 PO 4 , C 8 H 8 LiNO 5 , LiOCl, LiClO 4 , Li 2 TiO 3 , Li 4 Ti 5 O 12 , CH 3 COCH 2 COOLi, C 18 H 35 LiO 2 , LiAlH 4 , LiMnO 2 , LiTaO 3 , (C 2 H 5 ) 2 NLi, C 6 H 5 COOLi, NH 2 COOPO 3 Li 2 , LiBr, LiD, Li 2 MoO 4 , LiBD 4 , (CH 3) 3 COLi, CF 3 CO 2 Li, (C 6 H 11) 2 NLi, (CH 3) 3 SiOLi, LiAlH [OC (CH 3) 3] 3, HOC (COOLi) (CH 2 COOLi) 2, CH 3 COOP (O) (OK) (OLi), LiO 2 CCH 2 C (OH) (CO 2 Li) CH 2 CO 2 Li, LiAlH [OC (CH 3) 3] 3, C 6 H 5 C = CLi, Li 2 Mn 3 NiO 8, ( CH 3) 3 SiC = CLi, Li 2 WO 4, C 10 H 15 Li, Li 2 ZrO 3, HOC 6 H 4 CO 2 Li, CH 3 (CH 2) 14 COOLi, ICH 2 COOLi, Li 2 Mn 3 NiO 8 , C 26 H 43 LiO 9 , LiCoO 2 , Li 4 Ti 5 O 12 , C 9 H 18 LiN, C 3 H 5 LiO 3 , C 7 H 3 I 2 LiO 3 , C 26 H 43 LiO 9 , (C 6 H 5 ) 2 PLi, CH 3 CH (OH) CO 2 Li, Li 2 Si 5 O 11 , LiCoPO 4 , C 3 H 4 LiNO 2 , HCOOLi, Li 2 PdCl 4 , C 5 H 11 LiO, C 40 H 32 BLiN 4 O 4 , (C 6 H 5 ) 4 BLi 3 CH 3 O (CH 2 CH 2 ) OCH 3 , C 6 H 5 OLi, C 12 H 28 AlLiO, Li 2 among MnCl, LiCHO, CHAlLiO, LiAlCl 4 , C 2 H 9 BLiN, LiCl, LiOH, or may include at least one.
상기 희생막(110)을 형성하는 단계는, 상기 그래핀 산화물을 준비하는 단계, 상기 그래핀 산화물에 상기 탈착 조절제를 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계, 및 상기 혼합물을 상기 지지 기판(100) 상에 코팅하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 혼합물은, 드롭 캐스팅(drop-casting), 스핀 코팅(spin-coating), 스프레이 코팅(spray coating), 또는 랑뮤어 블러젯(Langmuir blodgette) 등의 방법으로, 상기 지지 기판(100) 상에 코팅될 수 있다. 예를 들어, 상기 탈착 조절제는, 상기 그래핀 산화물 1g 당 0.01M ~10ppm 첨가될 수 있다. The step of forming the
일 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100) 상에 상기 희생막(110)을 형성하기 전, 상기 지지 기판(100)의 상부면을 전처리(pretreatment)하는 공정이 더 수행될 수 있다. According to an embodiment, a process of pretreatment of the upper surface of the supporting
일 실시 예에 따르면, 상기 탈착 조절제는 상기 그래핀 산화물에 포함된 불순물일 수 있다. 이 경우, 상기 탈착 조절제의 함량을 조절하는 단계는, 상기 그래핀 산화물의 세척의 정도에 따라 조절될 수 있다. 다시 말하면, 상기 그래핀 산화물을 세척하는 횟수 및 정도가 증가될수록, 상기 그래핀 산화물에 포함된 불순물(상기 탈착 조절제)의 양이 감소될 수 있다. 예를 들어, 상기 그래핀 산화물을 세척하는 단계는, 상기 그래핀 산화물을 묽은 염산(5~10%)으로 세척 및 건조하는 단계, 및 잔존된 묽은 염산을 제거하기 위해 상기 그래핀 산화물을 아세톤으로 세척 및 건조하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the desorption modifier may be an impurity contained in the graphene oxide. In this case, the step of controlling the content of the desorption adjusting agent may be adjusted according to the degree of washing of the graphene oxide. In other words, as the number and degree of washing of the graphene oxide is increased, the amount of the impurities contained in the graphene oxide (the desorption adjusting agent) can be reduced. For example, the step of washing the graphene oxide comprises washing and drying the graphene oxide with dilute hydrochloric acid (5-10%), and removing the graphene oxide with acetone to remove residual dilute hydrochloric acid Washing and drying.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 희생막(110) 상에 베이스 기판(120, base substrate)가 형성될 수 있다(S130). 상기 베이스 기판(120)은 플렉시블할 수 있다. 상기 베이스 기판(120)은 상기 지지 기판(100)보다 플렉시블할 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 3, a
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(120)은 플라스틱 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 기판(120)은 폴리이미드(polyimide) 기판, 또는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 기판일 수 있다. 이와는 달리, 상기 베이스 기판(120)은, 반도체 기판, 유리 기판, 또는 금속 기판일 수 있다. According to one embodiment, the
일 실시 예에 따르면, 상기 베이스 기판(120)은, 상기 희생막(110) 상에 제공된 용액이 경화되어 생성된 것일 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 희생막(110)이 용액 공정으로 형성되어, 상기 베이스 기판(120)이 형성되는 상기 희생막(110)의 상부면이 실질적으로(substantially) 평평(flat)할 수 있다. 이로 인해, 용액 공정으로 형성된 상기 베이스 기판(120)의 표면 조도가 최소화될 수 있다. According to one embodiment, the
상기 베이스 기판(120)은 제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판(120)의 상기 제2 면이 상기 지지 기판(100)에 인접할 수 있다. 상기 베이스 기판(120)의 상기 제2 면은 상기 희생막(110)과 직접적으로 접촉(directly contact)될 수 있다.The
상기 베이스 기판(120)의 상기 제1 면 상에 소자 구성층(130, device element layer)이 형성될 수 있다. 상기 소자 구성층(130)은 다양한 소자 요소들을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 소자 구성층(130)은 박막 트랜지스터 및 광학층(예를 들어, 액정층, 또는 발광층)을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 소자 구성층(130)은, 메모리 소자, 다이오드, 광전 변환 소자, 태양 전지 소자, 논리 소자 등 다양한 전자 소자들을 포함할 수 있다.A
상술된 바와 같이, 상기 베이스 기판(120)의 표면 조도가 최소화되어, 상기 베이스 기판(120) 상에 형성되는 상기 소자 구성층(130) 내에 포함된 다양한 전자 소자들의 신뢰성이 향상될 수 있다.As described above, the surface roughness of the
상기 소자 구성층(130)을 형성하는 단계를 고온에서 수행될 수 있다. 이로 인해, 상기 소자 구성층(130)을 형성하는 과정에서, 상기 희생막(110)에 포함된 상기 탈착 조절제를 구성하는 원소의 적어도 일부가 상기 베이스 기판(120)으로 확산(diffuse)될 수 있다. 예를 들어, 상기 탈착 조절제가 알칼리 금속 원소를 포함하는 경우, 상기 소자 구성층(130)을 형성하는 과정에서, 상기 알칼리 금속 원소가 상기 베이스 기판(120)의 상기 제2 면으로 확산될 수 있다. 이로 인해, 상기 제1 면에서 상기 제2 면으로 갈수록, 상기 알칼리 금속 원소의 농도가 증가될 수 있다. 다시 말하면, 상기 베이스 기판(120)은, 상기 제1 면에 인접한 제1 영역(first region), 및 상기 제2 면에 인접한 제2 영역을 포함하되, 상기 제2 영역의 상기 알칼리 금속 원소 농도는, 상기 제1 영역의 것보다 더 높을 수 있다. 상기 베이스 기판(120)의 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 상기 알칼리 금속 원소 농도 차이는, X선 회절 분석, 라만 스펙트럼 등 다양한 방법으로 측정될 수 있다. The step of forming the
도 1, 도 4, 및 도 5를 참조하면, 상기 소자 구성층(130)이 형성된 후, 상기 그래핀 산화물 및 상기 탈착 조절제를 포함하는 상기 희생막(110)이 열처리되어 상기 희생막(110)이 열분해될 수 있다. 이로 인해, 상기 지지 기판(100)으로부터, 상기 베이스 기판(120) 및 상기 소자 구성층(130)이 분리될 수 있다(S140). 일 실시 예에 따르면, 상기 희생막은 200~400℃에서 열처리될 수 있다. 1, 4, and 5, after the
상기 희생막(110)에 포함된 상기 탈착 조절제의 함량에 따라서, 상기 희생막(110)의 열분해 속도가 조절될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 희생막(110) 내의 상기 그래핀 산화물의 적어도 일부가 상기 열처리 과정에서 환원되어 환원된 그래핀 산화물이 생성되고, 상기 희생막(110)에 포함된 상기 탈착 조절제는, 상기 환워된 그래핀 산화물 또는 잔존된 상기 그래핀 산화물의 연소에 필요한 활성화 에너지를 감소시킬 수 있다. 이로 인해, 상기 탈착 조절제의 함량이 증가될수록, 상기 희생막(110)의 열분해 속도가 증가될 수 있다. The rate of thermal decomposition of the
또한, 일 실시 예에 따르면, 상술된 바와 같이, 상기 소자 구성층(130)의 형성 과정에서 상기 희생막(110)의 상기 탈착 조절제에 포함된 상기 알칼리 금속 원소가 상기 베이스 기판(120)의 상기 제2 면으로 확산되는 것 외에, 상기 희생막(110)이 상기 열처리에 의해 열분해되는 과정에서, 상기 희생막(110)의 상기 탈착 조절제에 포함된 상기 알칼리 금속 원소가 상기 베이스 기판(120)의 상기 제2 면으로 확산될 수 있다.In addition, according to one embodiment, as described above, in the process of forming the device-constituting
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 지지 기판(100) 상에 상기 그래핀 산화물을 포함하는 상기 희생막(110)이 형성되고, 상기 희생막(110) 상에 베이스 기판(120)이 형성되고, 상기 희생막(110)을 열분해시켜 상기 지지 기판(100)으로부터 상기 베이스 기판(120)이 분리될 수 있다. 상기 그래핀 산화물에 의해, 상기 희생막(110)이 상기 베이스 기판(120) 및/또는 상기 지지 기판(100)과 높은 접착력을 가져, 생산 수율이 향상된 고신뢰성의 전자 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다. 또한, 상기 희생막(110)이 용액 공정을 이용한 간소한 방법으로 형성되는 것은 물론, 상기 희생막(110)이 용이하게 용해되어, 생산 공정이 간소화되고, 대면적화가 용이한 전자 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the
만약, 상술된 본 발명의 실시 예와 달리, 레이저를 조사하거나, 또는 가스 폭발을 유도하여, 지지 기판과 베이스 기판 사이의 희생막을 제거하는 경우, 지지 기판 상에 잔유물이 남아 지지 기판의 재활용이 용이하지 않으며, 레이저 또는 가스 폭발에 의해 발생하는 열에 의해 베이스 기판 및/또는 소자 구성층이 열화되는 문제가 있으며, 대면적화가 용이하지 않은 문제가 있다.If the sacrificial film between the supporting substrate and the base substrate is removed by irradiating a laser or inducing a gas explosion unlike the above-described embodiment of the present invention, residues remain on the supporting substrate and the substrate can be easily recycled There is a problem that the base substrate and / or the component layer is deteriorated by the heat generated by the laser or gas explosion, and there is a problem that it is not easy to increase the area.
또한, 상술된 본 발명의 실시 예와 달리, 유기물 또는 점착제를 포함하는 희생막 이용하여 지지 기판과 베이스 기판을 접착시키는 경우, 베이스 기판의 분리 과정에서 지지 기판 상에 잔유물이 남아 지지 기판의 재활용이 용이하지 않고, 베이스 기판 상에 전자 소자층을 형성하기 위한 공정 온도에서 희생막이 열화되는 문제가 있다.In addition, unlike the above-described embodiments of the present invention, when a support substrate and a base substrate are bonded using a sacrificial film including an organic substance or a pressure-sensitive adhesive, residues remain on the support substrate in the process of separating the base substrate. There is a problem that the sacrificial film is deteriorated at the process temperature for forming the electronic device layer on the base substrate.
하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 그래핀 산화물 및 상기 탈착 조절제를 포함하는 상기 희생막(110)이 용이하고 깨끗하게 열분해되어, 상기 베이스 기판(120)이 상기 지지 기판(100)으로부터 분리된 후, 상기 지지 기판(100)이 재활용될 수 있다. 또한, 상기 전자 소자층(130)을 형성하기 위한 공정 온도에서 상기 희생막(110)이 열화되지 않을 수 있다. 이에 따라, 제조 단가가 감소되고, 대면적화가 용이한 고신뢰성의 전자 소자 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
However, as described above, according to the embodiment of the present invention, the
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법에 따라 그래핀 산화물을 포함하는 희생막의 열분해 과정을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining a thermal decomposition process of a sacrificial layer containing graphene oxide according to a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 유리 기판 상에 형성하였다. 상기 희생막 상에 베이스 기판으로 PI 필름을 형성한 후, 열처리하여, 상기 희생막을 열분해하였다. 도 6에 도시된 것과 같이, 그래핀 산화물을 포함하는 희생막이 열분해되어, Gas Bubble이 발생한 것을 확인할 수 있다. 다시 말하면, 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 열분해시켜, 유리 기판으로부터 PI 필름을 용이하게 분리시킬 수 있음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 6, a sacrificial film containing graphene oxide was formed on a glass substrate. A PI film was formed as a base substrate on the sacrificial layer, followed by heat treatment to pyrolyze the sacrificial layer. As shown in FIG. 6, it can be confirmed that the sacrificial film containing the graphene oxide is pyrolyzed to generate gas bubbles. In other words, it can be confirmed that the PI film can be easily separated from the glass substrate by pyrolyzing the sacrificial film containing graphene oxide.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자의 제조 방법에 따라 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 이용하여 베이스 기판이 분리된 후 지지 기판의 표면을 촬영한 광학 현미경 사진이다. FIG. 7 is an optical microscope photograph of a surface of a support substrate after a base substrate is separated using a sacrificial film containing graphene oxide according to a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention. FIG.
도 7을 참조하면, 도 7의 좌측 사진은 본 발명의 실시 예에 따라 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 열처리하여 베이스 기판을 지지 기판으로부터 분리시킨 후, 지지 기판을 촬영한 것이다. 도 7의 우측 사진은 본 발명의 실시 예에 대한 비교 예로, 접착제를 이용하여 베이스 기판과 지지 기판을 접착시키고, 베이스 기판을 지지 기판으로부터 분리시킨 후, 지지 기판을 촬영한 것이다. Referring to FIG. 7, the left side of FIG. 7 is a photograph of a support substrate after heat treatment of a sacrificial layer containing graphene oxide to separate the base substrate from the support substrate according to an embodiment of the present invention. 7 is a comparative example of an embodiment of the present invention, in which a base substrate and a supporting substrate are adhered to each other by using an adhesive, the base substrate is separated from the supporting substrate, and then the supporting substrate is photographed.
도 7에서 알 수 있듯이, 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 이용하여 베이스 기판 및 지지 기판의 탈착 공정을 수행하는 경우, 접착제를 이용하여 베이스 기판 및 지지 기판의 탈착 공정을 수행하는 것과 비교하여, 지지 기판의 표면이 현저하게 깨끗한 것을 확인할 수 있다. 다시 말하면, 그래핀 산화물을 포함하는 희생막을 이용하여 베이스 기판 및 지지 기판의 탈착 공정을 수행하는 것이, 지지 기판을 재활용하여 생산 단가를 감소시키는 효율적인 방법임을 알 수 있다.
7, in the case of performing the desorption process of the base substrate and the supporting substrate using the sacrificial film containing graphene oxide, as compared with the case of performing the desorption process of the base substrate and the supporting substrate by using the adhesive, It can be confirmed that the surface of the substrate is remarkably clean. In other words, it is understood that the desorption process of the base substrate and the supporting substrate using the sacrificial film containing graphene oxide is an efficient method of reducing the production cost by recycling the supporting substrate.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층의 일 예를 설명하기 위한 블록도이다. 8 is a block diagram for explaining an example of an element composition layer included in an electronic device according to an embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층은, 표시부(300)를 포함할 수 있다. 상기 표시부(300)는 타이밍 컨트롤러(310), 게이트 구동부(330), 데이터 구동부(340), 및 전원부(350)에 의해 구동될 수 있다.Referring to FIG. 8, an element structure layer included in an electronic device according to embodiments of the present invention may include a
상기 표시부(300)는, 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차하여 형성된 데이터 라인, 및 상기 게이트라인과 상기 데이터 라인이 교차하여 정의하는 영역에 형성된 상기 화소 셀을 포함할 수 있다. The
상기 화소 셀은, 본 발명의 실시 예들에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층에 형성된 박막 트랜지스터를 적어도 하나 포함할 수 있다. 상기 화소 셀은, 유기 발광 다이오드, 또는 액정층을 포함할 수 있다. 상기 화소 셀에 상기 박막 트랜지스터는, PMOS, 또는 NMOS로 구현될 수 있다. The pixel cell may include at least one thin film transistor formed in the element structure layer included in the electronic device according to the embodiments of the present invention. The pixel cell may include an organic light emitting diode, or a liquid crystal layer. The thin film transistor in the pixel cell may be implemented as a PMOS transistor or an NMOS transistor.
상기 게이트 라인은 상기 게이트 구동부(330)로부터 공급된 게이트 신호(GS)를 상기 화소 셀에 공급할 수 있다. 상기 상기 게이트 신호(GS)에 응답하여, 상기 화소 셀에 포함된 상기 박막 트랜지스터가 턴온(turn-on)된다. 상기 데이터 라인은 상기 데이터 구동부(340)로부터 공급된 표시 데이터 전압(DDV)을 공급할 수 있다. The gate line may supply the gate signal GS supplied from the
상기 타이밍 컨트롤러(310)는 외부로부터 데이터 신호(I-data)를 입력받아서 상기 데이터 구동부(340)로 공급하고, 외부로부터 공급된 신호에 근거하여 게이트 제어신호(GCS) 및 데이터 제어신호(DCS)를 각각 상기 게이트 구동부(330)와 상기 데이터 구동부(340)로 제공할 수 있다. The
상기 전원부(350)는 상기 게이트 구동부(330)에 게이트 온 전압(VON)/게이트 오프 전압(VOFF)을 공급하고, 상기 데이터 구동부(340)에 아날로그 구동전압(AVDD)을 공급하며, 상기 표시부(100)에 구동전압(VDD) 및 공통전압(Vcom)을 공급할 수 있다. The
도 8에서 본 발명의 실시 예들에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층이 표시 장치를 포함하는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 아니하고, 본 발명의 실시 예들에 따른 전자 소자에 포함된 소자 구성층은 다양한 전자 소자들로 구성될 수 있음은 자명하다.
Although the device constitution layer included in the electronic device according to the embodiments of the present invention is described as including the display device in Fig. 8, the device constituent layer included in the electronic device according to the embodiments of the present invention is not limited thereto. It can be made of electronic devices.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
100: 지지 기판
110: 희생막
120: 베이스 기판
130: 소자 구성층
300: 표시부
310: 타이밍 컨트롤러
330: 게이트 구동부
340: 데이터 구동부
350: 전원부100: Support substrate
110: sacrificial membrane
120: Base substrate
130: Element configuration layer
300:
310: timing controller
330: Gate driver
340: Data driver
350:
Claims (11)
상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계;
상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계; 및
상기 희생막을 열처리하여 상기 희생막을 열분해시켜, 상기 지지 기판으로부터, 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
Preparing a support substrate;
Providing graphene oxide on the support substrate to form a sacrificial film;
Forming a base substrate on the sacrificial layer; And
And thermally decomposing the sacrificial film by heat treating the sacrificial film to separate the base substrate from the support substrate.
상기 희생막을 형성하는 단계는,
상기 그래핀 산화물을 준비하는 단계; 및
상기 그래핀 산화물에 탈착 조절제(debonding control agent)을 첨가하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein forming the sacrificial layer comprises:
Preparing the graphene oxide; And
And adding a debonding control agent to the graphene oxide.
상기 희생막은, 상기 그래핀 산화물 및 상기 탈착 조절제를 포함하고,
상기 탈착 조절제의 첨가량에 따라서, 상기 희생막의 열분해 속도가 조절되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the sacrificial layer comprises the graphene oxide and the desorption adjusting agent,
Wherein the thermal decomposition rate of the sacrificial film is controlled according to an addition amount of the desorption regulating agent.
상기 탈착 조절제의 첨가량이 증가될수록, 상기 희생막의 열분해 속도가 증가되는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
The method of claim 3,
And increasing the rate of thermal decomposition of the sacrificial film as the amount of the desorption adjusting agent is increased.
상기 희생막 내의 상기 그래핀 산화물의 적어도 일부가 상기 열처리 과정에서 환원되어, 환원된 그래핀 산화물이 생성되고,
상기 탈착 조절제는 상기 환원된 그래핀 산화물, 또는 잔존된 상기 그래핀 산화물의 연소에 필요한 활성화 에너지를 감소시키는 것을 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
At least a portion of the graphene oxide in the sacrificial layer is reduced during the heat treatment to produce reduced graphene oxide,
Wherein the desorption modifier comprises reducing the activation energy required for combustion of the reduced graphene oxide, or the remaining graphene oxide.
상기 탈착 조절제는, 알칼리 금속염을 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the desorption adjusting agent comprises an alkali metal salt.
상기 베이스 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리시키기 전, 상기 베이스 기판 상에 소자 구성층(device element layer)을 제조하는 단계를 더 포함하는 전자 소자의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of fabricating a device element layer on the base substrate before separating the base substrate from the support substrate.
상기 베이스 기판은 상기 지지 기판보다 플렉시블(flexible)한 것을 포함하는 전자 소자.
The method according to claim 1,
Wherein the base substrate is flexible more than the support substrate.
상기 베이스 기판의 상기 제1 면 상의 소자 구성층(device element layer)을 포함하되,
상기 베이스 기판은, 상기 제1 면에 인접한 제1 영역(first region), 및 상기 제2 면에 인접하고 상기 제1 영역보다 높은 알칼리 금속 농도를 갖는 제2 영역을 포함하는 전자 소자.
A base substrate including a first surface and a second surface opposite to the first surface; And
And a device element layer on the first side of the base substrate,
Wherein the base substrate comprises a first region adjacent the first side and a second region adjacent the second side and having a higher alkali metal concentration than the first region.
상기 금속은, 상기 베이스 기판을 지지하는 지지 기판으로 분리되는 과정에서, 상기 베이스 기판 내로 확산된 것을 포함하는 전자 소자.
10. The method of claim 9,
Wherein the metal is diffused into the base substrate in a process of being separated into a support substrate supporting the base substrate.
상기 베이스 기판은 플라스틱 기판이고,
상기 베이스 기판의 상기 제2 면에 인접할수록 상기 알칼리 금속의 농도가 증가되는 것을 포함하는 전자 소자.
10. The method of claim 9,
Wherein the base substrate is a plastic substrate,
Wherein the concentration of the alkali metal is increased so as to be closer to the second surface of the base substrate.
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