KR20160029641A - Image sensor and electronic device having the same - Google Patents

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Abstract

An embodiment of the present invention provides an image sensor having improved performance, and an electronic device comprising the same. The image sensor according to the embodiment of the present invention includes: a photoelectric conversion device which is formed on a substrate to correspond to a first pixel and a second pixel; a first pixel lens which is formed on an upper part of the photoelectric conversion device of the first pixel, and includes a first lower light condensing layer and a first upper light condensing layer having a narrower linewidth than the first lower light condensing layer; a first color filter which covers the first pixel lens, and filters a visible light of a first wavelength band; a second pixel lens which is formed on an upper part of the photoelectric conversion device of the second pixel, and includes a second lower light condensing layer and a second upper light condensing layer having a narrower linewidth than the second lower light condensing layer, and has a linewidth different from the first pixel lens; and a second color filter which covers the second pixel lens, and filters a visible light of a second wavelength longer than the first wavelength band.

Description

이미지 센서 및 이를 구비하는 전자장치{IMAGE SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME}IMAGE SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME [0002]

본 발명은 반도체 장치 제조 기술에 관한 것으로, 보다 구체적으로 다층의 계단 형상을 갖는 집광부재를 포함하는 이미지 센서 및 이를 구비한 전자장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing technology, and more particularly, to an image sensor including a light-converging member having a multi-layered step shape and an electronic device having the same.

이미지 센서(image sensor)는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 소자이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임 기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 로보트 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대되고 있다.
An image sensor is an element that converts an optical image into an electrical signal. Recently, with the development of the computer industry and the communication industry, there has been an increase in demand for image sensors with improved performance in various fields such as digital cameras, camcorders, personal communication systems (PCS), game devices, light cameras, medical micro cameras and robots have.

본 발명의 실시예는 성능이 향상된 이미지 센서 및 이를 구비한 전자장치를 제공한다.
Embodiments of the present invention provide an image sensor with improved performance and an electronic apparatus having the same.

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 제1픽셀 및 제2픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈; 상기 제1픽셀렌즈를 덮고, 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터; 상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하며, 상기 제1픽셀렌즈와 상이한 선폭을 갖는 제2픽셀렌즈; 및 상기 제2픽셀렌즈를 덮고, 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터를 포함할 수 있다. An image sensor according to an embodiment of the present invention includes a photoelectric conversion element formed on a substrate to correspond to a first pixel and a second pixel; A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer; A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band; And a second upper condensing layer formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer and the second lower condensing layer, A second pixel lens having a line width different from that of the lens; And a second color filter covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band.

또한, 실시예에 따른 이미지 센서는 상기 광전변환소자와 상기 제1 및 제2픽셀렌즈 사이에 삽입된 포커싱층; 및 상기 제1 및 제2컬러필터 상에 형성된 반사방지 구조물을 더 포함할 수 있다. 상기 포커싱층은 상기 제1 및 제2픽셀렌즈보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 상기 포커싱층은 상기 제1 및 제2픽셀렌즈보다 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 반사방지 구조물은, 서로 다른 굴절률을 갖는 둘 이상의 물질층이 1회 이상 교번 적층된 반사방지층 또는 반구형 렌즈를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, there is provided an image sensor comprising: a focusing layer inserted between the photoelectric conversion element and the first and second pixel lenses; And an anti-reflection structure formed on the first and second color filters. The focusing layer may have a larger refractive index than the first and second pixel lenses. The focusing layer may have a larger area than the first and second pixel lenses. The anti-reflection structure may include an antireflection layer or hemispherical lens in which two or more material layers having different refractive indices are alternately laminated one or more times.

상기 제1 및 제2픽셀렌즈는 다층의 계단 형상을 가질 수 있다. 상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 클 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭은 상기 제2상부집광층의 선폭과 동일할 수 있다. 상기 제1컬러필터는 그린필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭과 동일할 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭이 상기 제2상부집광층의 선폭보다 클 수 있다. 상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 클 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭도 상기 제2상부집광층의 선폭보다 클 수 있다. 상기 제1픽셀렌즈에서 상기 제1상부집광층에 의해 노출된 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제1컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작을 수 있고, 상기 제2픽셀렌즈에서 상기 제2상부집광층에 의해 노출된 상기 제2하부집광층의 선폭은 상기 제2컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작을 수 있다.
The first and second pixel lenses may have a multi-layered step shape. Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a green filter, the line width of the first lower condensing layer may be larger than the line width of the second lower condensing layer, The line width of the light-collecting layer may be the same as the line width of the second upper light-collecting layer. The line width of the first lower condensing layer may be equal to the line width of the second lower condensing layer when the first color filter includes a green filter and the second color filter includes a red filter, The line width of the upper condensing layer may be larger than the line width of the second upper condensing layer. Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a red filter, the line width of the first lower condensing layer may be larger than the line width of the second lower condensing layer, The line width of the light-collecting layer may be larger than the line width of the second upper light-collecting layer. The line width of the first lower condensing layer exposed by the first upper condensing layer in the first pixel lens may be smaller than the wavelength of the incident light passing through the first color filter and color-separated, The line width of the second lower condensing layer exposed by the second upper condensing layer may be smaller than the wavelength of the incident light that has been color-separated through the second color filter.

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 제1픽셀, 제2픽셀 및 제3픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈; 상기 제1픽셀렌즈를 덮고, 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터; 상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하는 제2픽셀렌즈; 상기 제2픽셀렌즈를 덮고, 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터; 상기 제3픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제3하부집광층 및 상기 제3하부집광층 상에서 상기 제3하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제3상부집광층을 포함하는 제3픽셀렌즈; 및 상기 제3픽셀렌즈를 덮고, 상기 제2파장대역보다 긴 제3파장대역의 가시광을 필터링하는 제3컬러필터를 포함하고, 상기 제1픽셀렌즈, 상기 제2픽셀렌즈 및 상기 제3픽셀렌즈는 각각 서로 상이한 선폭을 가질 수 있다. An image sensor according to an embodiment of the present invention includes a photoelectric conversion element formed on a substrate to correspond to a first pixel, a second pixel, and a third pixel; A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer; A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band; A second pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and including a second lower condensing layer and a second upper condensing layer having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer; A second color filter covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band; A third pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the third pixel and including a third lower condensing layer and a third upper condensing layer having a smaller line width than the third lower condensing layer on the third lower condensing layer; And a third color filter that covers the third pixel lens and filters visible light of a third wavelength band longer than the second wavelength band, wherein the third color filter covers the first pixel lens, the second pixel lens, May have different line widths from each other.

상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하며, 상기 제3컬러필터는 레드필터를 포함할 수 있다. 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭 및 상기 제3하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제2하부집광층의 선폭 및 상기 제3하부집광층의 선폭은 서로 동일할 수 있다. 상기 제1상부집광층의 선폭 및 상기 제2상부집광층의 선폭은 서로 동일하고, 상기 제1상부집광층의 선폭 및 상기 제2상부집광층의 선폭은 상기 제3상부집광층의 선폭보다 클 수 있다.
The first color filter may include a blue filter, the second color filter may include a green filter, and the third color filter may include a red filter. The line width of the first lower light-collecting layer is larger than the line width of the second lower light-collecting layer and the line width of the third lower light-condensing layer, and the line width of the second lower light- . The line width of the first upper condensing layer and the line width of the second upper condensing layer are equal to each other and the line width of the first upper condensing layer and the line width of the second upper condensing layer are larger than the line width of the third upper condensing layer .

본 발명의 실시예에 따른 전자장치는 광학시스템; 상기 광학 시스템으로부터 광을 수신하는 이미지 센서; 및 상기 이미지 센서로부터 출력된 신호에 대해 신호 처리 동작을 수행하는 신호 처리부를 포함하고, 상기 이미지 센서는, 제1픽셀 및 제2픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자; 상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈; 상기 제1픽셀렌즈를 덮고 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터; 상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하며, 상기 제1픽셀렌즈와 상이한 선폭을 갖는 제2픽셀렌즈; 및 상기 제2픽셀렌즈를 덮고 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터를 포함할 수 있다. An electronic device according to an embodiment of the present invention includes an optical system; An image sensor for receiving light from the optical system; And a signal processing unit for performing a signal processing operation on a signal output from the image sensor, wherein the image sensor comprises: a photoelectric conversion element formed on the substrate to correspond to the first pixel and the second pixel; A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer; A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band; And a second upper condensing layer formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer and the second lower condensing layer, A second pixel lens having a line width different from that of the lens; And a second color filter covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band.

또한, 실시예에 따른 전자장치는 상기 광전변환소자와 상기 제1 및 제2픽셀렌즈 사이에 삽입된 포커싱층; 및 상기 제1 및 제2컬러필터 상에 형성된 반사방지 구조물을 더 포함할 수 있다. Further, an electronic device according to an embodiment may include a focusing layer inserted between the photoelectric conversion element and the first and second pixel lenses; And an anti-reflection structure formed on the first and second color filters.

상기 제1 및 제2픽셀렌즈는 다층의 계단 형상을 가질 수 있다. 상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 클 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭은 상기 제2상부집광층의 선폭과 동일할 수 있다. 상기 제1컬러필터는 그린필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭과 동일할 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭이 상기 제2상부집광층의 선폭보다 클 수 있다. 상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 클 수 있고, 상기 제1상부집광층의 선폭도 상기 제2상부집광층의 선폭보다 클 수 있다. 상기 제1픽셀렌즈에서 상기 제1상부집광층에 의해 노출된 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제1컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작을 수 있고, 상기 제2픽셀렌즈에서 상기 제2상부집광층에 의해 노출된 상기 제2하부집광층의 선폭은 상기 제2컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작을 수 있다.
The first and second pixel lenses may have a multi-layered step shape. Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a green filter, the line width of the first lower condensing layer may be larger than the line width of the second lower condensing layer, The line width of the light-collecting layer may be the same as the line width of the second upper light-collecting layer. The line width of the first lower condensing layer may be equal to the line width of the second lower condensing layer when the first color filter includes a green filter and the second color filter includes a red filter, The line width of the upper condensing layer may be larger than the line width of the second upper condensing layer. Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a red filter, the line width of the first lower condensing layer may be larger than the line width of the second lower condensing layer, The line width of the light-collecting layer may be larger than the line width of the second upper light-collecting layer. The line width of the first lower condensing layer exposed by the first upper condensing layer in the first pixel lens may be smaller than the wavelength of the incident light passing through the first color filter and color-separated, The line width of the second lower condensing layer exposed by the second upper condensing layer may be smaller than the wavelength of the incident light that has been color-separated through the second color filter.

상술한 과제의 해결 수단을 바탕으로 하는 본 기술은 픽셀렌즈를 구비함으로써, 단위픽셀에서의 집광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 컬러필터가 픽셀렌즈를 덮는 형상을 가짐으로써, 단위픽셀에서의 집광효율을 더욱더 향상시킬 수 있다. 또한, 컬러필터에 의해 색분리된 입사광의 파장에 대응하도록 픽셀렌즈의 선폭을 조절함으로써, 단위픽셀에서의 집광효율을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. The present technology based on the solution of the above-mentioned problems can improve the light converging efficiency in the unit pixel by providing the pixel lens. Further, the color filter has a shape covering the pixel lens, so that the light collection efficiency in the unit pixel can be further improved. Further, by adjusting the line width of the pixel lens so as to correspond to the wavelength of the incident light separated by the color filter, the light collection efficiency in the unit pixel can be improved more effectively.

이처럼, 단위픽셀에서의 집광효율이 향상됨에 따라 광전변환소자에서의 양자효율도 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 이미지 센서의 성능을 향상시킬 수 있다.
As such, the efficiency of light collection in a unit pixel is improved, so that the quantum efficiency in the photoelectric conversion element can be improved. As a result, the performance of the image sensor can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 블럭도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀을 도시한 단면도.
도 2b는 본 발명의 실시예에 대한 변형예를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서에서 픽셀 어레이 일부를 도시한 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 도 3에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도.
도 5 내지 도 7은 각각 블루픽셀, 그린픽셀 및 레드픽셀에서의 픽셀렌즈 조건에 따른 양자효율을 나타낸 시뮬레이션 결과 도표.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치를 간략히 도시한 도면.1 is a block diagram schematically illustrating an image sensor according to an embodiment of the present invention;
2A is a sectional view showing a unit pixel of an image sensor according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2B is a sectional view showing a modification to the embodiment of the present invention. FIG.
3 is a plan view showing a part of a pixel array in an image sensor according to an embodiment of the present invention;
4 is a cross-sectional view of the image sensor according to an embodiment of the present invention along the A-A 'perforation line shown in FIG. 3;
5 to 7 are simulation result charts showing quantum efficiency according to pixel lens conditions in blue pixels, green pixels, and red pixels, respectively.
8 is a view schematically illustrating an electronic device having an image sensor according to an embodiment of the present invention.

이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예컨대, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. The drawings are not necessarily drawn to scale and in some instances the proportions of at least some of the structures shown in the figures may be exaggerated to clearly show the features of the embodiments. When a multi-layer structure having two or more layers is disclosed in the drawings or the detailed description, the relative positional relationship or arrangement order of the layers as shown is only a specific example and the present invention is not limited thereto. The order of relationships and arrangements may vary. In addition, a drawing or a detailed description of a multi-layer structure may not reflect all layers present in a particular multi-layer structure (e.g., there may be more than one additional layer between the two layers shown). For example, if the first layer is on the substrate or in the multilayer structure of the drawings or the detailed description, the first layer may be formed directly on the second layer or may be formed directly on the substrate As well as the case where more than one other layer is present between the first layer and the second layer or between the first layer and the substrate.

후술하는 본 발명의 실시예는 성능이 향상된 이미지 센서 및 이를 구비하는 전자장치를 제공한다. 여기서, 성능이 향상된 이미지 센서는 단위픽셀(Unit pixel)에서의 집광효율이 향상된 것을 의미할 수 있다. 일반적으로, 이미지 센서는 복수의 단위픽셀들을 구비하고, 복수의 단위픽셀들 각각에 대응하도록 반구형(semi-spherical type)의 마이크로 렌즈(Micro Lens, ML)가 광전변환소자(photoelectric conversion element) 상부에 설치되어 있다. 마이크로 렌즈를 통해 입사광을 광전변환소자로 집광시키며, 마이크로 렌즈에 의해 단위픽셀에서의 집광효율이 결정된다. 여기서, 집광효율은 마이크로 렌즈와 광전변환소자 사이의 초점거리에 따라 제어될 수 있다. The embodiments of the present invention described below provide an image sensor with improved performance and an electronic apparatus having the same. Here, the image sensor having improved performance may mean that the light-condensing efficiency in a unit pixel is improved. In general, an image sensor has a plurality of unit pixels, and a semi-spherical type micro lens (ML) is formed on a photoelectric conversion element to correspond to each of a plurality of unit pixels. Is installed. The incident light is condensed to the photoelectric conversion element through the microlens, and the condensing efficiency in the unit pixel is determined by the microlens. Here, the light collection efficiency can be controlled according to the focal distance between the microlens and the photoelectric conversion element.

그러나, 공지된 마이크로 렌즈는 곡률을 변화시키는 방법으로 마이크로 렌즈와 광전변환소자 사이의 초점거리를 가변하기 때문에 초점거리 조절이 쉽지 않다. 이는, 마이크로 렌즈가 렌즈 형성 물질 예컨대, 레지스트(resist)를 리플로우(reflow) 시키는 방법으로 형성하기 때문에 공정이 복잡하고 원하는 곡률을 갖는 반구 형상을 구현하기 어렵다. 또한, 마이크로 렌즈가 컬러필터층 상에 형성되기 때문에 적용 가능 물질이 제한적인 것도 다른 이유이다. 아울러, 리플로우 방법은 고비용이 소요되고, 반구 형상만 구현이 가능하며, 대칭적이고 균일한 형상의 마이크로 렌즈를 형성하기 어렵다. 이는, 크로스토크를 증가시키는 원인으로 작용하기도 한다. 그리고, 마이크로 렌즈는 컬러필터층 상에 형성되기 때문에 적용물질이 제한적이다. However, in the known microlenses, the focal distance between the microlenses and the photoelectric conversion elements can be varied by changing the curvature, which makes it difficult to adjust the focal length. This is because it is difficult to realize a hemispherical shape having a complicated process and a desired curvature because a microlens is formed by reflowing a lens forming material such as a resist. Another reason is that the applicable materials are limited because the microlenses are formed on the color filter layer. In addition, the reflow method requires a high cost, and only hemispherical shape can be realized, and it is difficult to form a microlens having a symmetric and uniform shape. This also serves as a cause of increasing crosstalk. And since the microlenses are formed on the color filter layer, the application materials are limited.

따라서, 후술하는 실시예는 상술한 마이크로 렌즈의 단점을 극복하여 단위픽셀에서의 집광효율이 향상된 이미지 센서 및 이를 구비한 전자장치를 제공한다. 이를 위해, 복수의 단위픽셀들 각각은 광전변환소자 상부에 형성되고 상부층보다 하부층의 면적 또는 선폭이 더 큰 복수의 집광층들으로 구성된 픽셀렌즈를 포함할 수 있다. 따라서, 픽셀렌즈는 다층의 계단 형상을 가질 수 있다. 다층의 계단 형상을 갖는 픽셀렌즈는 서브-웨이브랭스 광학(Sub-wavelength optics) 또는 서브-웨이브랭스 효과(Sub-wavelength effect)에 따라 반구형의 마이크로 렌즈와 같이 입사광의 집광이 가능하다. 아울러, 이미지 센서의 집적도 증가에 대응하여 제한된 면적내에서도 효과적인 집광이 가능하며, 초점거리 또한 쉽게 가변할 수 있다. 참고로, 서브-웨이브랭스 광학은 파장보다 작은 공간 스케일에서의 광학적 효과에 대한 연구로서, 광학적 효과를 얻을 수 있는 최소 공간 스케일은 파장의 절반(λ/2)에 해당하는 것으로 알려져 있으나, 서브-웨이브랭스 광학에 따르면 파장의 절반보다 더 작은 공간 스케일에서도 광학적 효과를 얻을 수 있다.
Therefore, the embodiments described below provide an image sensor in which the light converging efficiency in a unit pixel is improved by overcoming the disadvantages of the above-mentioned microlens, and an electronic apparatus having the image sensor. To this end, each of the plurality of unit pixels may include a pixel lens formed on the photoelectric conversion element and composed of a plurality of light-converging layers having a larger area or a larger line width than the upper layer. Thus, the pixel lens may have a multi-layered step shape. A pixel lens having a multi-layered step shape is capable of focusing incident light like a hemispherical microlens according to sub-wavelength optics or a sub-wavelength effect. In addition, effective focusing can be achieved even within a limited area in response to an increase in the degree of integration of the image sensor, and the focal distance can be easily changed. For reference, sub-wavelet optics is a study of the optical effect in a spatial scale smaller than a wavelength. It is known that the minimum spatial scale at which an optical effect can be obtained corresponds to half of the wavelength (? / 2) According to Wavelength optics, optical effects can be obtained even at a spatial scale smaller than half of the wavelength.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 블럭도이다. 1 is a block diagram schematically illustrating an image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서는 복수의 단위픽셀(110)들이 매트릭스 구조로 배열된 픽셀 어레이(pixel array, 100), 상관 이중 샘플링(correlated double sampling, CDS, 120), 아날로그-디지털 컨버터(analog digital converter, ADC, 130), 버퍼(Buffer, 140), 로우 드라이버(row driver, 150), 타이밍 제너레이터(timing generator, 160), 제어 레지스터(control register, 170) 및 램프 신호 제너레이터(ramp signal generator, 180)를 포함할 수 있다. 1, an image sensor according to an embodiment includes a pixel array 100, a correlated double sampling (CDS) 120, and a plurality of unit pixels 110 arranged in a matrix structure. An analog-to-digital converter (ADC) 130, a buffer 140, a row driver 150, a timing generator 160, a control register 170, A ramp signal generator 180 may be included.

타이밍 제너레이터(160)는 로우 드라이버(150), 상관 이중 샘플링(120), 아날로그-디지털 컨버터(130) 및 램프 신호 제너레이터(180) 각각의 동작을 제어하기 위한 하나 이상의 제어 신호를 생성할 수 있다. 제어 레지스터(170)는 램프 신호 제너레이터(180), 타이밍 제너레이터(160) 및 버퍼(140) 각각의 동작을 제어하기 위한 하나 이상의 제어 신호를 생성할 수 있다. Timing generator 160 may generate one or more control signals for controlling the operation of row driver 150, correlated double sampling 120, analog-to-digital converter 130 and ramp signal generator 180, respectively. The control register 170 may generate one or more control signals for controlling the operation of each of the ramp signal generator 180, the timing generator 160 and the buffer 140.

로우 드라이버(150)는 픽셀 어레이(100)를 로우라인(row line) 단위로 구동할 수 있다. 예를 들어, 로우 드라이버(150)는 복수의 로우라인(row line)들 중에서 어느 하나의 로우라인(row line)을 선택할 수 있는 선택 신호를 생성할 수 있다. 복수의 단위픽셀(110)들 각각은 입사광을 감지하여 이미지 리셋 신호와 이미지 신호를 컬럼라인(column line)을 통해 상관 이중 샘플링(120)으로 출력할 수 있다. 상관 이중 샘플링(120)은 수신된 이미지 리셋 신호와 이미지 신호 각각에 대하여 샘플링을 수행할 수 있다. The row driver 150 may drive the pixel array 100 in a row line unit. For example, the row driver 150 may generate a selection signal capable of selecting any one row line among a plurality of row lines. Each of the plurality of unit pixels 110 may sense incident light and output an image reset signal and an image signal to a correlated double sampling unit 120 through a column line. The correlated double sampling 120 may perform sampling on each of the received image reset signal and the image signal.

아날로그-디지털 컨버터(130)는 램프 신호 제너레이터(180)로부터 출력된 램프 신호와 상관 이중 샘플링(120)으로부터 출력되는 샘플링 신호를 서로 비교하여 비교 신호를 출력할 수 있다. 타이밍 제너레이터(160)로부터 제공되는 클럭 신호에 따라 비교 신호의 레벨 전이(transition) 시간을 카운트하고, 카운트 값을 버퍼(140)로 출력할 수 있다. 램프 신호 제너레이터(180)는 타이밍 제너레이터(160)의 제어 하에 동작할 수 있다.The analog-to-digital converter 130 may compare the sampled signals output from the correlated double sampling 120 with the ramp signal output from the ramp signal generator 180 to output a comparison signal. The level transition time of the comparison signal may be counted according to the clock signal provided from the timing generator 160 and the count value may be output to the buffer 140. [ The ramp signal generator 180 may operate under the control of a timing generator 160.

버퍼(140)는 아날로그-디지털 컨버터(130)로부터 출력된 복수의 디지털 신호 각각을 저장한 후 이들 각각을 감지 증폭하여 출력할 수 있다. 따라서, 버퍼(140)는 메모리(미도시)와 감지증폭기(미도시)를 포함할 수 있다. 메모리는 카운트 값을 저장하기 위한 것이며, 카운트 값은 복수의 단위픽셀(110)들로부터 출력된 신호에 연관된 카운트 값을 의미한다. 감지증폭기는 메모리로부터 출력되는 각각의 카운트 값을 감지하여 증폭할 수 있다. The buffer 140 stores each of the plurality of digital signals output from the analog-digital converter 130, and can sense and amplify the digital signals, respectively. Accordingly, the buffer 140 may include a memory (not shown) and a sense amplifier (not shown). The memory is for storing a count value, and the count value means a count value associated with a signal output from a plurality of unit pixels 110. [ The sense amplifier can sense and amplify each count value output from the memory.

상술한 이미지 센서에서 복수의 단위픽셀들은 각각의 집광효율을 향상시킬 수 있는 픽셀렌즈를 포함할 수 있다. 이하, 픽셀렌즈를 포함한 단위픽셀에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
In the above-described image sensor, the plurality of unit pixels may include a pixel lens capable of improving the light condensing efficiency. Hereinafter, a unit pixel including a pixel lens will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀을 도시한 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 실시예에 대한 변형예를 도시한 단면도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a unit pixel of an image sensor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a modification of the embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 복수의 단위픽셀(110)들 각각은 광전변환소자(220)를 포함한 기판(210), 기판(210)상에 형성된 포커싱층(230), 포커싱층(230) 상에 형성되고 상부층이 하부층보다 작은 면적 또는 선폭을 갖는 복수의 집광층들을 포함하는 픽셀렌즈(240), 포커싱층(230) 상에 형성되어 픽셀렌즈(240)를 덮는 컬러필터층(250) 및 컬러필터층(250) 상에 형성된 반사방지 구조물(260, 270)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 픽셀렌즈(240)는 포커싱층(230) 상에 형성된 제1집광층(241) 및 제1집광층(241) 상에 형성되고 제1집광층(241)보다 작은 면적을 갖는 제2집광층(242)으로 구성된 픽셀렌즈(240)를 예시하였다. 여기서, 제1집광층(241)이 하부층이고, 제2집광층(242)이 상부층이다. 따라서, 제1집광층(241)과 하부층 및 제2집광층(242)과 상부층은 서로 동일한 도면부호를 사용하기로 한다. As shown in FIGS. 2A and 2B, each of the plurality of unit pixels 110 includes a substrate 210 including a photoelectric conversion element 220, a focusing layer 230 formed on the substrate 210, a focusing layer 230 And a color filter layer 250 formed on the focusing layer 230 and covering the pixel lens 240. The color filter layer 250 is formed on the focusing layer 230 and includes a plurality of light- And anti-reflection structures 260 and 270 formed on the color filter layer 250. The pixel lens 240 includes a first condensing layer 241 formed on the focusing layer 230 and a second condensing layer 241 formed on the first condensing layer 241 and having a smaller area than the first condensing layer 241. [ 2 light-converging layer 242 as shown in FIG. Here, the first light-collecting layer 241 is a lower layer and the second light-collecting layer 242 is an upper layer. Accordingly, the first and second light-collecting layers 241 and 242 and the upper layer are denoted by the same reference numerals.

기판(210)은 반도체 기판을 포함할 수 있다. 반도체 기판은 단결정 상태(Single crystal state)일 수 있으며, 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 즉, 기판(210)은 단결정의 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. The substrate 210 may comprise a semiconductor substrate. The semiconductor substrate may be in a single crystal state, and may include a silicon-containing material. That is, the substrate 210 may comprise a single crystal silicon containing material.

광전변환소자(220)는 포토다이오드(Photo Diode)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(210)에 형성된 광전변환소자(220)는 수직적으로 중첩되는 복수의 광전변환층(미도시)을 포함할 수 있으며, 복수의 광전변환층 각각은 N형 불순물영역과 P형 불순물영역을 포함하는 포토다이오드일 수 있다.The photoelectric conversion element 220 may include a photodiode. For example, the photoelectric conversion element 220 formed on the substrate 210 may include a plurality of vertically overlapping photoelectric conversion layers (not shown), and each of the plurality of photoelectric conversion layers may include an N-type impurity region and a P- And may be a photodiode including an impurity region.

포커싱층(230)은 픽셀렌즈(240)를 통해 집광된 입사광이 광전변환소자(220)에 도달하는 거리 즉, 초점거리를 조절하는 역할을 수행한다. 포커싱층(230)을 구비함으로써, 반구형의 마이크로 렌즈와 같이 곡률을 가변하지 않고도 초점거리를 조절할 수 있으며, 제한된 공간내에서 보다 짧은 초점거리를 구현할 수 있다. 여기서, 초점거리는 포커싱층(230)의 두께(T)에 반비례할 수 있다. 예를 들어, 포커싱층(230)의 두께(T)가 증가할수록 초점거리는 짧아질 수 있고, 포커싱층(230)의 두께(T)가 얇아질수록 초점거리가 길어질 수 있다. The focusing layer 230 functions to adjust the distance, that is, the focal distance, of the incident light condensed through the pixel lens 240 to the photoelectric conversion element 220. By providing the focusing layer 230, the focal distance can be adjusted without varying the curvature like a hemispherical microlens, and a shorter focal distance can be realized in a limited space. Here, the focal distance may be inversely proportional to the thickness T of the focusing layer 230. For example, as the thickness T of the focusing layer 230 increases, the focal length may become shorter and the focal length may become longer as the thickness T of the focusing layer 230 becomes thinner.

픽셀렌즈(240)를 통해 집광된 입사광을 효과적으로 광전변환소자(220)에 전달하기 위해 포커싱층(230)은 픽셀렌즈(240)보다 큰 면적을 가질 수 있다. 포커싱층(230)은 각각의 단위픽셀(110)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 따라서, 인접한 단위픽셀(110) 사이에서 포커싱층(230)은 서로 접할 수 있다. 일례로, 포커싱층(230)은 사각형일 수 있다. The focusing layer 230 may have a larger area than the pixel lens 240 in order to effectively transmit the incident light condensed through the pixel lens 240 to the photoelectric conversion element 220. [ The focusing layer 230 may have a shape corresponding to each unit pixel 110. Accordingly, the focusing layer 230 can be in contact with each other between adjacent unit pixels 110. [ For example, the focusing layer 230 may be rectangular.

픽셀렌즈(240)를 통해 집광된 입사광을 보다 효과적으로 광전변환소자(220)에 전달하기 위해 포커싱층(230)은 픽셀렌즈(240)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다. 포커싱층(230)으로는 픽셀렌즈(240)보다 큰 굴절률을 갖는 투광성 물질을 모두 적용할 수 있다. 여기서, 포커싱층(230)은 컬러필터층(250) 하부에 위치하기 때문에 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 물질을 적용할 수 있다. 예를 들어, 포커싱층(230)으로 적용 가능한 투광성 물질은 무기물질일 수 있으며, 무기물질로는 실리콘산화물, 실리콘질화물, 티타늄질화물등을 사용할 수 있다. 포커싱층(230)은 단일층이거나, 또는 서로 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질들이 적층된 다중층일 수 있다. 포커싱층(230)이 다중층인 경우에 포커싱층(230)의 굴절률은 기울기를 가질 수 있으며, 광전변환소자(220)에 인접할수록 또는 픽셀렌즈(240)에서 멀어질수록 포커싱층(230)의 굴절률이 증가할 수 있다.The focusing layer 230 may have a larger refractive index than the pixel lens 240 in order to more effectively transmit the incident light condensed through the pixel lens 240 to the photoelectric conversion element 220. [ As the focusing layer 230, a light transmitting material having a refractive index larger than that of the pixel lens 240 may be applied. Here, since the focusing layer 230 is located under the color filter layer 250, various materials used in a typical semiconductor manufacturing process can be applied. For example, the light transmitting material applicable to the focusing layer 230 may be an inorganic material, and examples of the inorganic material may include silicon oxide, silicon nitride, titanium nitride, and the like. The focusing layer 230 may be a single layer, or it may be a multi-layered layer of transmissive materials having different refractive indices. The index of refraction of the focusing layer 230 may have a slope when the focusing layer 230 is multilayered and the refractive index of the focusing layer 230 may decrease as the distance from the photoelectric conversion element 220 or the distance from the pixel lens 240 increases. The refractive index can be increased.

픽셀렌즈(240)는 입사광을 집광하는 집광부재로 작용할 수 있다. 집광효율을 향상시키기 위해 픽셀렌즈(240)는 상부층(242)이 하부층(241)보다 작은 면적 또는 선폭을 갖는 둘 이상의 집광층들(241, 242)이 적층된 다중층일 수 있다. 따라서, 픽셀렌즈(240)는 다층의 계단 형상을 가질 수 있다. 픽셀렌즈(240)가 다층의 계단 형상을 가짐에 따라 상부층(242)에 의해 노출된 하부층(241)의 선폭(W1, W2) 또는 어느 하나의 일측 측벽을 기준으로 상부층(242)과 하부층(241) 사이의 선폭(W1, W2)은 입사광의 파장보다 작을 수 있다. 보다 구체적으로, 상부층(242)과 하부층(241) 사이의 선폭(W1, W2)은 컬러필터층(250)을 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작을 수 있다. 이를 통해, 다층의 계단 형상을 갖는 픽셀렌즈(240)도 반구형 렌즈와 같은 집광이 가능하다. 이는, 서브-웨이브랭스 광학에 따른 것이다. 상부층(242)과 하부층(241) 사이의 선폭(W1, W2)은 기준이 되는 측벽에 따라 서로 동일하거나(W1=W2), 또는 서로 상이할 수 있다(W1≠W2). The pixel lens 240 may function as a light-converging member for converging the incident light. The pixel lens 240 may be a multilayer in which two or more light-converging layers 241 and 242 having an area or line width smaller than that of the lower layer 241 are stacked. Accordingly, the pixel lens 240 may have a multi-layered step shape. The upper layer 242 and the lower layer 241 are formed on the basis of the line widths W1 and W2 or any one side wall of the lower layer 241 exposed by the upper layer 242 as the pixel lens 240 has a multi- Can be smaller than the wavelength of the incident light. More specifically, the line widths W1 and W2 between the upper layer 242 and the lower layer 241 may be smaller than the wavelength of the incident light that has passed through the color filter layer 250 and is color-separated. Accordingly, the pixel lens 240 having a multi-layered step shape can be condensed as a hemispherical lens. This is in accordance with sub-wave range optics. The line widths W1 and W2 between the upper layer 242 and the lower layer 241 may be equal to each other (W1 = W2) or may be different from each other (W1? W2) according to the reference sidewall.

복수의 집광층들(241, 242)은 서로 동일한 형상을 가질 수 있고, 복수의 집광층들(241, 242) 각각은 서로 평행하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 복수의 집광층들(241, 242)은 사각형 이상의 다각형 또는 원형일 수 있다. The plurality of light-collecting layers 241 and 242 may have the same shape and the plurality of light-collecting layers 241 and 242 may be arranged in parallel with each other. Specifically, the plurality of light-converging layers 241 and 242 may be polygonal or circular in a square or more.

집광효율을 더 향상시키기 위해 상부층(242)의 두께(t2)는 하부층(241)의 두께(t1)와 동일하거나(t1=t2), 또는 더 얇을 수 있다(t1>t2). 아울러, 집광효율을 더욱더 향상시키기 위해 상부층(242)의 굴절률은 하부층(241)의 굴절률과 동일하거나, 또는 더 작을 수 있다. 복수의 집광층들(241, 242)은 투광성 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 상부층(242)과 하부층(241)의 굴절률이 동일한 경우에 이들은 서로 동일한 물질일 수 있다. 복수의 집광층들(241, 242) 즉, 픽셀렌즈(240)는 컬러필터층(250) 하부에 위치하기 때문에 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 물질을 적용할 수 있다. 예를 들어, 복수의 집광층들(241, 242)로 적용 가능한 투광성 물질은 무기물질일 수 있으며, 무기물질로는 실리콘산화물, 실리콘질화물, 티타늄질화물등을 사용할 수 있다. 그리고, 복수의 집광층들(241, 242) 각각은 단일층이거나, 또는 서로 다른 굴절률을 갖는 투광성 물질들이 적층된 다중층일 수 있다. 집광층이 다중층인 경우에 집광층의 굴절률은 기울기를 가질 수 있으며, 광전변환소자(220) 또는 포커싱층(230)에 인접할수록 집광층의 굴절률이 증가할 수 있다.The thickness t2 of the upper layer 242 may be equal to (t1 = t2) or thinner (t1> t2) than the thickness t1 of the lower layer 241 to further improve the light collection efficiency. In addition, the refractive index of the upper layer 242 may be equal to or smaller than the refractive index of the lower layer 241 to further improve the light-condensing efficiency. The plurality of light-collecting layers 241 and 242 may include a light-transmitting material. Here, when the refractive indexes of the upper layer 242 and the lower layer 241 are the same, they may be the same material. Since the plurality of light-collecting layers 241 and 242, that is, the pixel lens 240 are located under the color filter layer 250, various materials used in a typical semiconductor manufacturing process can be applied. For example, the light-transmitting material applicable to the plurality of light-collecting layers 241 and 242 may be an inorganic material, and examples of the inorganic material include silicon oxide, silicon nitride, titanium nitride, and the like. Each of the plurality of light-collecting layers 241 and 242 may be a single layer, or may be a multilayer in which light-transmitting materials having different refractive indices are laminated. The refractive index of the light-collecting layer may have a slope when the light-collecting layer is a multilayer, and the refractive index of the light-collecting layer may increase as the position of the light-converging layer is closer to the photoelectric converter 220 or the focusing layer 230.

컬러필터층(250)은 색분리(color seperation)를 위한 것으로, 포커싱층(230) 상에 형성되어 픽셀렌즈(240)의 전면을 덮고, 평탄한 표면을 가질 수 있다. 여기서, 컬러필터층(250)이 픽셀렌즈(240)에 접하여 픽셀렌즈(240)를 덮는 형태를 갖기 때문에 컬러필터층(250)과 픽셀렌즈(240) 사이의 광투과율을 향상시킬 수 있다. 즉, 집광효율을 향상시킬 수 있다. 컬러필터층(250)은 레드필터, 그린필터, 블루필터, 사이언필터, 옐로우필터, 마젠타필터, 적외선패스필터, 적외선차단필터 및 화이트필터를 포함하는 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 집광효율을 더욱더 향상시키기 위해 컬러필터층(250)은 픽셀렌즈(240)보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. The color filter layer 250 is for color seperation and may be formed on the focusing layer 230 to cover the entire surface of the pixel lens 240 and have a flat surface. Since the color filter layer 250 covers the pixel lens 240 in contact with the pixel lens 240, the light transmittance between the color filter layer 250 and the pixel lens 240 can be improved. That is, the light collection efficiency can be improved. The color filter layer 250 may include at least one selected from the group consisting of a red filter, a green filter, a blue filter, a cyan filter, a yellow filter, a magenta filter, an infrared pass filter, an infrared cut filter and a white filter. The color filter layer 250 may have a refractive index smaller than that of the pixel lens 240 to further improve the light-condensing efficiency.

반사방지 구조물(260, 270)은 컬러필터층(250) 상에 형성되어 서로 다른 굴절률을 갖는 둘 이상의 물질층이 1회 이상 교번 적층된 반사방지층(260) 또는 반구형 렌즈(270)를 포함할 수 있다. 반구형 렌즈(270)는 입사광의 반사방지 기능과 더불어서 픽셀렌즈(240)로 입사광을 집광시키는 기능도 수행할 수 있다. The antireflective structures 260 and 270 may include an antireflective layer 260 or a hemispherical lens 270 formed on the color filter layer 250 and alternately stacked one or more layers of two or more material layers having different indices of refraction . The hemispherical lens 270 may function to focus the incident light on the pixel lens 240 in addition to the function of preventing reflection of incident light.

상술한 구조를 갖는 이미지 센서는 다층의 계단 형상을 갖는 픽셀렌즈(240)를 구비함으로써, 단위픽셀(110)에서의 집광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 컬러필터층(250)이 픽셀렌즈(240)를 덮는 형상을 가짐으로써, 단위픽셀(110)에서의 집광효율을 더욱더 향상시킬 수 있다. 이처럼, 단위픽셀(110)에서의 집광효율이 향상됨에 따라 광전변환소자(220)에서의 양자효율도 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 이미지 센서의 성능을 향상시킬 수 있다.
The image sensor having the above-described structure includes the pixel lens 240 having a multi-layered step shape, so that the light collection efficiency in the unit pixel 110 can be improved. Further, the color filter layer 250 has a shape covering the pixel lens 240, so that the light-condensing efficiency in the unit pixel 110 can be further improved. As such, the efficiency of light collection in the unit pixel 110 is improved, and thus the quantum efficiency in the photoelectric conversion element 220 can be improved. As a result, the performance of the image sensor can be improved.

앞서, 도 1에서 살펴본 바와 같이 이미지 센서는 복수의 단위픽셀들이 2차원 배열된 픽셀 어레이를 구비하며, 픽셀 어레이 내 복수의 단위픽셀들은 적어도 서로 다른 세 종류 이상의 픽셀들로 구분할 수 있다. 여기서, 서로 다른 세 종류의 픽셀은 레드픽셀, 그린픽셀 및 블루픽셀일 수 있다. 레드픽셀, 그린픽셀 및 블루픽셀은 각각 서로 다른 컬러필터 즉, 블루필터, 그린필터 및 레드필터를 포함할 수 있다. 각각의 컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광은 서로 다른 파장을 갖기 때문에 색분리된 입사광에 최적화된 픽셀렌즈를 제공하면, 보다 향상된 집광효율을 구현할 수 있다. 1, the image sensor includes a pixel array in which a plurality of unit pixels are two-dimensionally arranged, and a plurality of unit pixels in the pixel array can be divided into at least three different types of pixels. Here, three different kinds of pixels may be red pixels, green pixels, and blue pixels. The red pixel, the green pixel, and the blue pixel may each include a different color filter, i.e., a blue filter, a green filter, and a red filter. Since the incident light having passed through each color filter has different wavelengths, it is possible to realize a more enhanced light-condensing efficiency by providing a pixel lens optimized for color-separated incident light.

이하에서는, 도 3 내지 도 7을 참조하여 색분리된 입사광에 최적화된 픽셀렌즈를 구비한 이미지 센서에 대하여 설명하기로 한다. 설명의 편의를 위해 동일한 구성에 대해 동일한 도면부호를 사용하기로 한다. Hereinafter, an image sensor having a pixel lens optimized for incident light separated by color will be described with reference to FIGS. 3 to 7. FIG. For convenience of description, the same reference numerals are used for the same components.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서에서 픽셀 어레이 일부를 도시한 평면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 도 3에 도시된 A-A'절취선을 따라 도시한 단면도이다. 그리고, 도 5 내지 도 7은 각각 블루픽셀, 그린픽셀 및 레드픽셀에서의 픽셀렌즈 조건에 따른 양자효율을 나타낸 시뮬레이션 결과 도표이다. FIG. 3 is a plan view showing a part of a pixel array in an image sensor according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A ' to be. 5 to 7 are simulation result charts showing quantum efficiency according to pixel lens conditions in blue pixels, green pixels, and red pixels, respectively.

도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이는 블루픽셀(110B), 그린픽셀(110G) 및 레드픽셀(110R)을 포함할 수 있고, 이들은 베이어 패턴(bayer pattern)으로 배치될 수 있다. 3 and 4, the pixel array of the image sensor according to the embodiment may include a blue pixel 110B, a green pixel 110G and a red pixel 110R, which may be a bayer pattern ).

블루픽셀(110B), 그린픽셀(110G) 및 레드픽셀(110R) 각각은 기판(210)에 형성된 광전변환소자(220), 포커싱층(230), 상부집광층(242B, 242G, 242R)이 하부집광층(241B, 241G, 241R)보다 작은 면적 또는 선폭을 갖는 픽셀렌즈(240B, 240G, 240R), 복수의 컬러필터(250B, 250G, 250R)를 포함한 컬러필터(250B, 250G, 250R)층, 컬러필터(250B, 250G, 250R)층 상의 평탄화층(280) 및 평탄화층(280) 상의 반사방지 구조물을 포함할 수 있다. 포커싱층(230)은 각각의 픽셀들에서 모두 동일한 두께를 가질 수 있다. 복수의 컬러필터(250B, 250G, 250R)는 각각의 픽셀에 대응하도록 블루필터(250B), 그린필터(250G) 및 레드필터(250R)일 수 있다. 평탄화층(280)은 컬러필터(250B, 250G, 250R)의 단차를 제거하기 위한 것으로, 컬러필터(250B, 250G, 250R)가 평탄한 표면을 갖는 경우에 생략할 수도 있다. 그리고, 반사방지 구조물은 서로 다른 굴절률을 갖는 둘 이상의 물질층이 1회 이상 교번 적층된 반사방지층(260) 또는 반구형 렌즈를 포함할 수 있다.Each of the blue pixel 110B, green pixel 110G and red pixel 110R includes a photoelectric conversion element 220, a focusing layer 230 and an upper condensing layer 242B, 242G and 242R formed on a substrate 210, The color filters 250B, 250G, and 250R including the pixel lenses 240B, 240G, and 240R and the plurality of color filters 250B, 250G, and 250R having an area or line width smaller than that of the light-condensing layers 241B, 241G, and 241R, Anti-reflective structures on the planarization layer 280 and the planarization layer 280 on the color filters 250B, 250G, 250R layers. The focusing layer 230 may have the same thickness in each of the pixels. The plurality of color filters 250B, 250G, and 250R may be a blue filter 250B, a green filter 250G, and a red filter 250R to correspond to respective pixels. The planarization layer 280 is for removing the step of the color filters 250B, 250G and 250R and may be omitted when the color filters 250B, 250G and 250R have a flat surface. The anti-reflection structure may include an antireflection layer 260 or a hemispherical lens in which two or more material layers having different refractive indices are alternately stacked one or more times.

각각의 픽셀에 대응하는 픽셀렌즈(240B, 240G, 240R)는 복수의 집광층들(241, 242)이 적층된 다층의 계단 형상을 갖되, 색분리된 입사광에 대응하도록 이들의 선폭은 서로 상이할 수 있다. 여기서, 복수의 집광층들(241, 242) 각각의 두께는 서로 동일할 수 있다. The pixel lenses 240B, 240G, and 240R corresponding to the respective pixels have a multi-layered step shape in which a plurality of the light-converging layers 241 and 242 are stacked, and their line widths are different from each other to correspond to color- . Here, the thicknesses of the plurality of light-converging layers 241 and 242 may be the same.

블루픽셀(110B)의 픽셀렌즈(이하, 블루픽셀렌즈)(240B)는 제1하부집광층(241B) 및 제1하부집광층(241B) 상의 제1상부집광층(242B)을 포함할 수 있다. 도 5를 참조하면, 블루픽셀렌즈(240B)는 제1하부집광층(241B)의 선폭 및 제1상부집광층(242B)의 선폭이 증가할수록 특성이 개선되는 것을 확인할 수 있다. 참고로, 블루픽셀렌즈(240B)에 대한 시뮬레이션 조건은 픽셀 사이즈가 1.12㎛이고, 입사광의 파장이 450nm이며, CRA(Chief Ray Angle)는 30°이다.The pixel lens (hereinafter referred to as a blue pixel lens) 240B of the blue pixel 110B may include a first lower condensing layer 241B and a first upper condensing layer 242B on the first lower condensing layer 241B . Referring to FIG. 5, it can be seen that the blue pixel lens 240B has improved characteristics as the line width of the first lower condensing layer 241B and the line width of the first upper condensing layer 242B increase. For reference, the simulation conditions for the blue pixel lens 240B are a pixel size of 1.12 mu m, a wavelength of incident light of 450 nm, and a CRA (chief ray angle) of 30 DEG.

그린픽셀(110G)의 픽셀렌즈(이하, 그린픽셀렌즈)(240G)는 제2하부집광층(241G) 및 제2하부집광층(241G) 상의 제2상부집광층(242G)을 포함할 수 있다. 도 6을 참조하면, 그린픽셀렌즈(240G)는 제2하부집광층(241G)의 선폭이 감소할수록, 제2상부집광층(242G)의 선폭은 증가할수록 특성이 개선되는 것을 확인할 수 있다. 참고로, 그린픽셀렌즈(240G)에 대한 시뮬레이션 조건은 픽셀 사이즈가 1.12㎛이고, 입사광의 파장이 530nm이며, CRA는 30°이다. The green pixel lens 240G of the green pixel 110G may include a second lower condensing layer 241G and a second upper condensing layer 242G on the second lower condensing layer 241G . Referring to FIG. 6, it can be seen that as the line width of the second lower condensing layer 241G decreases, the characteristics of the green pixel lens 240G improve as the line width of the second upper condensing layer 242G increases. For reference, the simulation conditions for the green pixel lens 240G are a pixel size of 1.12 mu m, a wavelength of incident light of 530 nm, and a CRA of 30 DEG.

블루픽셀렌즈(240B)와 그린픽셀렌즈(240G)를 비교하면, 제1하부집광층(241B)은 제2하부집광층(241G)보다 큰 선폭을 가질 수 있고, 제1상부집광층(242B)은 제2상부집광층(242G)과 서로 동일한 선폭을 가질 수 있다. Comparing the blue pixel lens 240B with the green pixel lens 240G, the first lower condensing layer 241B may have a line width larger than that of the second lower condensing layer 241G, May have the same line width as the second upper light-condensing layer 242G.

레드픽셀(110R)의 픽셀렌즈(이하, 레드픽셀렌즈)(240R)는 제3하부집광층(241R) 및 제3하부집광층(241R) 상의 제3상부집광층(242R)을 포함할 수 있다. 도 7을 참조하면, 레드픽셀렌즈(240R)는 제3하부집광층(241R)의 선폭 및 제3상부집광층(242R)의 선폭이 감소할수록 특성이 개선되는 것을 확인할 수 있다. 참고로, 레드픽셀렌즈(240R)에 대한 시뮬레이션 조건은 픽셀 사이즈가 1.12㎛이고, 입사광의 파장이 620nm이며, CRA는 30°이다. The pixel lens (hereinafter referred to as a red pixel lens) 240R of the red pixel 110R may include a third lower condensing layer 241R and a third upper condensing layer 242R on the third lower condensing layer 241R . Referring to FIG. 7, it can be seen that the red pixel lens 240R has improved characteristics as the line width of the third lower condensing layer 241R and the line width of the third upper condensing layer 242R decrease. For reference, the simulation conditions for the red pixel lens 240R are a pixel size of 1.12 mu m, a wavelength of an incident light of 620 nm, and a CRA of 30 DEG.

블루픽셀렌즈(240B)와 레드픽셀렌즈(240R)를 비교하면, 제1하부집광층(241B)은 제3하부집광층(241R)보다 큰 선폭을 가질 수 있고, 제1상부집광층(242B)도 제3상부집광층(242R)보다 큰 선폭을 가질 수 있다. 이어서, 그린픽셀렌즈(240G)와 레드픽셀렌즈(240R)를 비교하면, 제2하부집광층(241G)은 제3하부집광층(241R)과 서로 동일한 선폭을 가질 수 있고, 제2상부집광층(242G)은 제3상부집광층(242R)보다 큰 선폭을 가질 수 있다.The first lower condensing layer 241B may have a line width larger than that of the third lower condensing layer 241R and the first upper condensing layer 242B may have a line width larger than that of the third lower condensing layer 241R. May have a line width larger than that of the third upper light-condensing layer 242R. When the green pixel lens 240G and the red pixel lens 240R are compared with each other, the second lower condensing layer 241G may have the same line width as the third lower condensing layer 241R, The third upper light-collecting layer 242G may have a larger line width than the third upper light-collecting layer 242R.

상술한 구조를 갖는 이미지 센서는 컬러필터(250B, 250G, 250R)를 통해 색분리된 입사광에 대응하도록 선폭이 조절된 픽셀렌즈(240B, 240G, 240R)를 제공함으로써, 단위픽셀(110B, 110G, 110R)에서의 집광효율을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다. 이처럼, 단위픽셀(110B, 110G, 110R)에서의 집광효율이 향상됨에 따라 광전변환소자(220)에서의 양자효율도 향상시킬 수 있다. 결과적으로, 이미지 센서의 성능을 향상시킬 수 있다.
The image sensor having the above-described structure provides pixel lenses 240B, 240G, and 240R whose line widths are adjusted to correspond to incident light that is color-separated through the color filters 250B, 250G, and 250R, 110R can be improved more effectively. As such, the efficiency of light collection in the unit pixels 110B, 110G, and 110R is improved, and the quantum efficiency in the photoelectric conversion element 220 can be improved. As a result, the performance of the image sensor can be improved.

상술한 실시예에 따른 이미지 센서는 다양한 전자장치 또는 시스템에 이용될 수 있다. 이하에서는, 도 8을 참조하여 카메라에 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 적용한 경우를 예시하여 설명하기로 한다. The image sensor according to the above-described embodiment can be used in various electronic devices or systems. Hereinafter, a case where the image sensor according to the embodiment of the present invention is applied to a camera will be described with reference to FIG.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치를 간략히 도시한 도면이다. 8 is a view briefly showing an electronic device having an image sensor according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하여, 실시예에 따른 이미지 센서를 구비한 전자장치는 정지영상 또는 동영상을 촬영할 수 있는 카메라일 수 있다. 전자장치는 광학 시스템(310, 또는, 광학 렌즈), 셔터 유닛(311), 이미지 센서(300) 및 셔터 유닛(311)을 제어/구동하는 구동부(313) 및 신호 처리부(312)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, an electronic device having an image sensor according to an embodiment may be a camera capable of capturing a still image or a moving image. The electronic device may include a driving unit 313 and a signal processing unit 312 for controlling / driving the optical system 310 or the optical lens, the shutter unit 311, the image sensor 300 and the shutter unit 311 have.

광학 시스템(310)은 피사체로부터의 이미지 광(입사광)을 이미지 센서(300)의 픽셀 어레이(도 1의 도면부호 '100' 참조)로 안내한다. 광학 시스템(310)은 복수의 광학 렌즈로 구성될 수 있다. 셔터 유닛(311)은 이미지 센서(300)에 대한 광 조사 기간 및 차폐 기간을 제어한다. 구동부(313)는 이미지 센서(300)의 전송 동작과 셔터 유닛(311)의 셔터 동작을 제어한다. 신호 처리부(312)는 이미지 센서(300)로부터 출력된 신호에 관해 다양한 종류의 신호 처리를 수행한다. 신호 처리 후의 이미지 신호(Dout)는 메모리 등의 저장 매체에 저장되거나, 모니터 등에 출력된다.
The optical system 310 guides the image light (incident light) from the object to the pixel array (see reference numeral 100 in FIG. 1) of the image sensor 300. The optical system 310 may be composed of a plurality of optical lenses. The shutter unit 311 controls the light irradiation period and the shield period for the image sensor 300. [ The driving unit 313 controls the transmission operation of the image sensor 300 and the shutter operation of the shutter unit 311. The signal processing unit 312 performs various kinds of signal processing on the signal output from the image sensor 300. [ The image signal Dout after the signal processing is stored in a storage medium such as a memory or outputted to a monitor or the like.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
The technical idea of the present invention has been specifically described according to the above preferred embodiments, but it should be noted that the above embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. In addition, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various embodiments within the scope of the technical idea of the present invention are possible.

210 : 기판 220 : 광전변환소자
230 : 포커싱층 240 : 픽셀렌즈
250 : 컬러필터층 260, 270 : 반사방지 구조물210: substrate 220: photoelectric conversion element
230: focusing layer 240: pixel lens
250: color filter layer 260, 270: antireflection structure

Claims (20)

제1픽셀 및 제2픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자;
상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈;
상기 제1픽셀렌즈를 덮고, 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터;
상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하며, 상기 제1픽셀렌즈와 상이한 선폭을 갖는 제2픽셀렌즈; 및
상기 제2픽셀렌즈를 덮고, 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터
를 포함하는 이미지 센서.
A photoelectric conversion element formed on the substrate to correspond to the first pixel and the second pixel;
A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer;
A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band;
And a second upper condensing layer formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer and the second lower condensing layer, A second pixel lens having a line width different from that of the lens; And
A second color filter for covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band,
.
제1항에 있어서,
상기 광전변환소자와 상기 제1 및 제2픽셀렌즈 사이에 삽입된 포커싱층; 및
상기 제1 및 제2컬러필터 상에 형성된 반사방지 구조물
을 더 포함하는 이미지 센서.
The method according to claim 1,
A focusing layer inserted between the photoelectric conversion element and the first and second pixel lenses; And
An anti-reflection structure formed on the first and second color filters
Further comprising an image sensor.
제2항에 있어서,
상기 포커싱층은 상기 제1 및 제2픽셀렌즈보다 큰 굴절률을 갖는 이미지 센서.
3. The method of claim 2,
Wherein the focusing layer has a larger refractive index than the first and second pixel lenses.
제2항에 있어서,
상기 포커싱층은 상기 제1 및 제2픽셀렌즈보다 큰 면적을 갖는 이미지 센서.
3. The method of claim 2,
Wherein the focusing layer has a larger area than the first and second pixel lenses.
제2항에 있어서,
상기 반사방지 구조물은,
서로 다른 굴절률을 갖는 둘 이상의 물질층이 1회 이상 교번 적층된 반사방지층 또는 반구형 렌즈를 포함하는 이미지 센서.
3. The method of claim 2,
The anti-
An image sensor, comprising: an antireflection layer or hemispherical lens in which two or more material layers having different refractive indices are alternately laminated one or more times.
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2픽셀렌즈는 다층의 계단 형상을 갖는 이미지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second pixel lenses have a multi-layered step shape.
제1항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제1상부집광층의 선폭은 상기 제2상부집광층의 선폭과 동일한 이미지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a green filter, the line width of the first lower condensing layer is larger than the line width of the second lower condensing layer, Is equal to the line width of the second upper condensing layer.
제1항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 그린필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭과 동일하고, 상기 제1상부집광층의 선폭이 상기 제2상부집광층의 선폭보다 큰 이미지 센서.
The method according to claim 1,
The line width of the first lower condensing layer is equal to the line width of the second lower condensing layer when the first color filter includes a green filter and the second color filter includes a red filter, Wherein the line width of the layer is larger than the line width of the second upper condensing layer.
제1항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제1상부집광층의 선폭도 상기 제2상부집광층의 선폭보다 큰 이미지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a red filter, the line width of the first lower condensing layer is larger than the line width of the second lower condensing layer, And the line width of the second upper condensing layer is larger than the line width of the second upper condensing layer.
제1항에 있어서,
상기 제1픽셀렌즈에서 상기 제1상부집광층에 의해 노출된 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제1컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작고,
상기 제2픽셀렌즈에서 상기 제2상부집광층에 의해 노출된 상기 제2하부집광층의 선폭은 상기 제2컬러필터를 통과하여 색분리된 입사광의 파장보다 작은 이미지 센서.
The method according to claim 1,
Wherein a line width of the first lower condensing layer exposed by the first upper condensing layer in the first pixel lens is smaller than a wavelength of incident light that has passed through the first color filter and is color-
Wherein the line width of the second lower condensing layer exposed by the second upper condensing layer in the second pixel lens is smaller than the wavelength of the incident light which has passed through the second color filter and is color-separated.
제1픽셀, 제2픽셀 및 제3픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자;
상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈;
상기 제1픽셀렌즈를 덮고, 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터;
상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하는 제2픽셀렌즈;
상기 제2픽셀렌즈를 덮고, 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터;
상기 제3픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제3하부집광층 및 상기 제3하부집광층 상에서 상기 제3하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제3상부집광층을 포함하는 제3픽셀렌즈; 및
상기 제3픽셀렌즈를 덮고, 상기 제2파장대역보다 긴 제3파장대역의 가시광을 필터링하는 제3컬러필터를 포함하고,
상기 제1픽셀렌즈, 상기 제2픽셀렌즈 및 상기 제3픽셀렌즈는 각각 서로 상이한 선폭을 갖는 이미지 센서.
A photoelectric conversion element formed on the substrate to correspond to the first pixel, the second pixel and the third pixel;
A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer;
A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band;
A second pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and including a second lower condensing layer and a second upper condensing layer having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer;
A second color filter covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band;
A third pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the third pixel and including a third lower condensing layer and a third upper condensing layer having a smaller line width than the third lower condensing layer on the third lower condensing layer; And
And a third color filter covering the third pixel lens and filtering visible light of a third wavelength band longer than the second wavelength band,
Wherein the first pixel lens, the second pixel lens, and the third pixel lens have different line widths from each other.
제11항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하며, 상기 제3컬러필터는 레드필터를 포함하는 이미지 센서.
12. The method of claim 11,
Wherein the first color filter comprises a blue filter, the second color filter comprises a green filter, and the third color filter comprises a red filter.
제11항에 있어서,
상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭 및 상기 제3하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제2하부집광층의 선폭 및 상기 제3하부집광층의 선폭은 서로 동일한 이미지 센서.
12. The method of claim 11,
The line width of the first lower light-collecting layer is larger than the line width of the second lower light-collecting layer and the line width of the third lower light-condensing layer, and the line width of the second lower light- sensor.
제13항에 있어서,
상기 제1상부집광층의 선폭 및 상기 제2상부집광층의 선폭은 서로 동일하고, 상기 제1상부집광층의 선폭 및 상기 제2상부집광층의 선폭은 상기 제3상부집광층의 선폭보다 큰 이미지 센서.
14. The method of claim 13,
The line width of the first upper condensing layer and the line width of the second upper condensing layer are equal to each other and the line width of the first upper condensing layer and the line width of the second upper condensing layer are larger than the line width of the third upper condensing layer Image sensor.
광학시스템;
상기 광학 시스템으로부터 광을 수신하는 이미지 센서; 및
상기 이미지 센서로부터 출력된 신호에 대해 신호 처리 동작을 수행하는 신호 처리부를 포함하고,
상기 이미지 센서는,
제1픽셀 및 제2픽셀에 대응하도록 기판에 형성된 광전변환소자;
상기 제1픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제1하부집광층 및 상기 제1하부집광층 상에서 상기 제1하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제1상부집광층을 포함하는 제1픽셀렌즈;
상기 제1픽셀렌즈를 덮고 제1파장대역의 가시광을 필터링하는 제1컬러필터;
상기 제2픽셀의 광전변환소자 상부에 형성되고, 제2하부집광층 및 상기 제2하부집광층 상에서 상기 제2하부집광층보다 작은 선폭을 갖는 제2상부집광층을 포함하며, 상기 제1픽셀렌즈와 상이한 선폭을 갖는 제2픽셀렌즈; 및
상기 제2픽셀렌즈를 덮고 상기 제1파장대역보다 긴 제2파장대역의 가시광을 필터링하는 제2컬러필터
를 포함하는 전자장치.
Optical system;
An image sensor for receiving light from the optical system; And
And a signal processing unit for performing a signal processing operation on a signal output from the image sensor,
Wherein the image sensor comprises:
A photoelectric conversion element formed on the substrate to correspond to the first pixel and the second pixel;
A first pixel lens formed on the photoelectric conversion element of the first pixel and including a first lower condensing layer and a first upper condensing layer having a line width smaller than that of the first lower condensing layer on the first lower condensing layer;
A first color filter covering the first pixel lens and filtering visible light of a first wavelength band;
And a second upper condensing layer formed on the photoelectric conversion element of the second pixel and having a line width smaller than that of the second lower condensing layer on the second lower condensing layer and the second lower condensing layer, A second pixel lens having a line width different from that of the lens; And
A second color filter covering the second pixel lens and filtering visible light of a second wavelength band longer than the first wavelength band;
≪ / RTI >
제15항에 있어서,
상기 광전변환소자와 상기 제1 및 제2픽셀렌즈 사이에 삽입된 포커싱층; 및
상기 제1 및 제2컬러필터 상에 형성된 반사방지 구조물
을 더 포함하는 전자장치.
16. The method of claim 15,
A focusing layer inserted between the photoelectric conversion element and the first and second pixel lenses; And
An anti-reflection structure formed on the first and second color filters
Further comprising:
제15항에 있어서,
상기 제1 및 제2픽셀렌즈는 다층의 계단 형상을 갖는 전자장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the first and second pixel lenses have a multi-layered step shape.
제15항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 그린필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제1상부집광층의 선폭은 상기 제2상부집광층의 선폭과 동일한 전자장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a green filter, the line width of the first lower condensing layer is larger than the line width of the second lower condensing layer, Is equal to the line width of the second upper condensing layer.
제15항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 그린필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭은 상기 제2하부집광층의 선폭과 동일하고, 상기 제1상부집광층의 선폭이 상기 제2상부집광층의 선폭보다 큰 전자장치. 16. The method of claim 15,
The line width of the first lower condensing layer is equal to the line width of the second lower condensing layer when the first color filter includes a green filter and the second color filter includes a red filter, And the line width of the layer is larger than the line width of the second upper condensing layer. 제15항에 있어서,
상기 제1컬러필터는 블루필터를 포함하고, 상기 제2컬러필터는 레드필터를 포함하는 경우 상기 제1하부집광층의 선폭이 상기 제2하부집광층의 선폭보다 크고, 상기 제1상부집광층의 선폭도 상기 제2상부집광층의 선폭보다 큰 전자장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the first color filter includes a blue filter, and when the second color filter includes a red filter, the line width of the first lower condensing layer is larger than the line width of the second lower condensing layer, Is larger than the line width of the second upper light-condensing layer.
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Citations (4)

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JP2006018256A (en) * 2005-06-13 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lens array
JP2009272422A (en) * 2008-05-07 2009-11-19 Panasonic Corp Method of manufacturing optical semiconductor device
JP2014090172A (en) * 2011-02-09 2014-05-15 Canon Inc Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device using the same, and imaging system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030039238A (en) * 2001-11-12 2003-05-17 주식회사 하이닉스반도체 Image sensor and method of manufacturing the same
JP2006018256A (en) * 2005-06-13 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lens array
JP2009272422A (en) * 2008-05-07 2009-11-19 Panasonic Corp Method of manufacturing optical semiconductor device
JP2014090172A (en) * 2011-02-09 2014-05-15 Canon Inc Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device using the same, and imaging system

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