KR20160028380A - Method of depositing thin film - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 박막 증착 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition method.
원자층 증착공정(Atomic Layer Deposition: ALD)은 자기 제어(self-limiting)방식의 증착 공정으로, 반도체 기판상의 종회비가 큰(high-aspect ratio) 단차 구조에서 우수한 단차 피복성(step coverage)을 구현할 수 있을 뿐만 아니라 박막의 두께 등을 정밀하게 제어하여 증착 가능하다.Atomic Layer Deposition (ALD) is a self-limiting deposition process that provides excellent step coverage in high-aspect ratio stepped structures on semiconductor substrates. But also the thickness of the thin film can be precisely controlled and deposited.
원자층 증착 공정에는 통상 무기소스(inorganic precursor)가 사용 되었으나 최근 들어 유기 소스(organic precursor 혹은 polymer precursor)를 이용한 원자층 증착에 대한 연구가 진행되고 있다. 특히 탄소(carbon)을 포함하는 폴리머 전구체(polymer precursor)는 반도체 포토(photo) 공정에서 비반사막(anti-reflective layer; ARL)을 위한 비정질 탄소막(amorphous carbon layer) 증착에 사용될 수 있다.Inorganic layer precursors have been used in the atomic layer deposition process. Recently, atomic layer deposition using organic precursors or polymer precursors has been studied. In particular, polymer precursors including carbon can be used for amorphous carbon layer deposition for anti-reflective layer (ARL) in semiconductor photo processes.
미국 등록특허 US6852474, US7132219와 미국 공개특허US 2002/0132190는 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비반사막 증착방법을 공개하고 있으나 모두 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 혹은 CVD(Chemical Vapor Depostion) 공정으로 진행한 결과를 보여 주고 있다.US Patent Nos. 6,852,474 and 7,132,219 and US Patent Application 2002/0132190 disclose a non-reflective film deposition method using a polymer precursor. However, all of these methods are performed by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition) It shows the result of the proceeding.
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion) 혹은 CVD(Chemical Vapor Depostion) 공정의 경우 성막 속도가 높아 생산성 향상에 유리한 측면이 있으나, 점점 미세화 되어가는 반도체 소자의 특성을 고려할 때 박막의 균일성(uniformity), 우수한 단차 피복성(step coverage)등의 정밀한 박막제어가 필요하다.In the case of PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition) process, the deposition rate is high, which is advantageous for improving productivity. However, considering the characteristics of the semiconductor device becoming increasingly finer, the uniformity, Precise thin film control such as step coverage is required.
본 발명은 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비정질 탄소막을 증착하면서도, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있는 박막 증착 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a thin film deposition method capable of increasing the uniformity and step coverage of a thin film while depositing an amorphous carbon film using a polymer precursor.
본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법은 제1 시간 동안, 반응기에 제1 소스 기체를 공급하는 단계, 제2 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계, 제3 시간 동안, 상기 반응기에 제2 소스 기체를 공급하는 단계, 그리고 제4 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 폴리머 전구체이다.A thin film deposition method according to an embodiment of the present invention includes the steps of supplying a first source gas to a reactor for a first time period, supplying a purge gas to the reactor for a second time period, Supplying a second source gas and supplying purge gas to the reactor for a fourth time period, wherein the first source gas and the second source gas are polymer precursors.
상기 제1 소스 기체는 Ethylenediamine(C2H4(NH2)2)이고, 상기 제2 소스 기체는 1,4-Phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2)일 수 있다.The first source gas may be Ethylenediamine (C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ) and the second source gas may be 1,4-Phenylene diisocyanate (C 6 H 2 (CNO) 2 ).
상기 퍼지 기체는 상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간 동안 연속하여 공급될 수 있다.The purge gas may be continuously supplied during the first time period to the fourth time period.
상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복할 수 있다.The first gas supply period including the first time to the fourth time may be repeated a plurality of times.
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마가 공급될 수 있다.Plasma may be supplied simultaneously with at least a part of the first time and the third time.
상기 플라즈마 공급은 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하의 온도에서 공급될 수 있다.The plasma supply may be supplied at a temperature of about 100 DEG C or less.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 길 수 있다.The second time and the fourth time may be longer than the first time and the third time.
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간을 포함하는 제2 기체 공급 주기를 복수 회 반복하고, 상기 제3 시간 및 상기 제4 시간을 포함하는 제3 기체 공급 주기를 복수 회 반복할 수 있다.The second gas supply period including the first time and the second time may be repeated a plurality of times, and the third gas supply period including the third time and the fourth time may be repeated a plurality of times.
상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 Hexamethylene diamine(C6H16N2), Ethylenediamine(C2H4(NH2)2), 1,6-Diisocyanatohexane(C8H12N2O2), 1,4-phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2) 중 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.Wherein the first source gas and the second source gas are selected from the group consisting of hexamethylene diamine (C 6 H 16 N 2 ), Ethylenediamine (C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ), 1,6-Diisocyanatohexane (C 8 H 12 N 2 O 2 ), And 1,4-phenylene diisocyanate (C 6 H 2 (CNO) 2 ).
본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 원자층 증착법으로 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용하여 비정질 탄소막을 증착함으로써, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있다.According to the thin film deposition method according to the embodiment of the present invention, the amorphous carbon film is deposited using a polymer precursor by the atomic layer deposition method, thereby increasing the uniformity of the thin film and the step coverage.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.1 is a view showing a gas supply cycle according to a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a gas supply cycle according to a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention.
4 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention.
5 is a diagram showing the results of an experimental example of the present invention.
6 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다.A thin film deposition method according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings.
먼저, 도 1을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.First, referring to FIG. 1, a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention will be described. 1 is a view showing a gas supply cycle according to a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 증착 방법은 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체와 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 교대로 반응기에 공급하여 막을 층착한다.1, a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention includes a step of depositing a polymer precursor of ethylenediamine (EDA; C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ) and a polymer precursor of 1,4-phenylene diisocyanate (1,4- Polymer precursors of Phenylene diisocyanate (PDIC) and C 6 H 2 (CNO) 2 are alternately supplied to the reactor to deposit the membrane.
이러한 두 개의 폴리머 전구체는 기판 위에서 상호 반응하여 폴리우레아(polyuria)를 형성한다.These two polymer precursors react with each other on the substrate to form polyuria.
보다 구체적으로, 제1 시간(t1) 동안, 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제1 소스 기체인 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제2 시간(t2) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하고, 제3 시간(t3) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제2 소스 기체인 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제4 시간(t4) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급한다.More specifically, during the first time (t1), a first source gas, Ethylenediamine (EDA; C 2 H 4 (NH 2 )), is supplied while supplying purge gas and carrier gas. 2) the purge gas (purge gas) and the carrier gas (purge gas (purge gas) for supplying a carrier gas), and a third time (t3) for supplying a polymer precursor, and a second time (t2) of the carrier gas ( a polymer precursor of 1,4-phenylene diisocyanate (PDIC; C 6 H 2 (CNO) 2 ), which is a second source gas, is supplied while supplying a carrier gas, purge gas and carrier gas are supplied during the period t4.
퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)는 제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4) 동안 지속적으로 공급되지만, 퍼지 기체(purge gas)는 제1 시간(t1)과 제3 시간(t3) 동안에는 공급되지 않고, 제2 시간(t2)과 제4 시간(t4) 동안에만 공급될 수 있다.The purge gas and the carrier gas are continuously supplied during the first time period t1 to the fourth time period t4 while the purge gas is supplied during the first time period t1 and the third time period t2, (t3), and can be supplied only during the second time (t2) and the fourth time (t4).
이 때, 박막이 증착되는 기판의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 40℃이고, PDIC 소스 용기(source vessel) 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 65℃, EDA 소스 용기(source vessel)의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 30℃에서 제1 소스 기체와 제2 소스 기체(vapor)를 발생시켜 반응기로 공급한다.At this time, the temperature of the substrate on which the thin film is deposited is about 100 DEG C or less, more specifically about 40 DEG C, the PDIC source vessel temperature is about 100 DEG C or less, more specifically about 65 DEG C, The temperature of the source vessel is supplied to the reactor by generating a first source gas and a second source gas at a temperature of about 100 캜 or less, more specifically about 30 캜.
제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4)을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복하여, 원하는 두께의 박막을 증착한다.The first gas supply period including the first time t1 to the fourth time t4 is repeated a plurality of times to deposit a thin film having a desired thickness.
제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)에 비하여, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)이 더 길다. 예를 들어, 제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)은 약 1초, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)은 약 5초일 수 있다. 이처럼, 제1 소스 기체를 퍼지하는 단계와 제2 소스 기체를 퍼지하는 단계의 지속 시간을 길게 함으로써, 분자량이 큰 소스 기체의 퍼지 효율을 높일 수 있다.The second time t2 and the fourth time t4 are longer than the first time t1 and the third time t3. For example, the first time t1 and the third time t3 may be about 1 second, the second time t2 and the fourth time t4 may be about 5 seconds. As described above, the purge efficiency of the source gas having a large molecular weight can be increased by lengthening the duration of the step of purging the first source gas and the step of purging the second source gas.
본 실시예에서는 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)을 이용하여, 박막을 증착하였으나, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 제1 소스 기체를 공급하는 제1 시간(t1)과 제2 소스 기체를 공급하는 제3 시간(t3) 중 적어도 하나의 기체 공급 주기 동안 플라즈마를 함께 공급할 수 있다. 플라즈마 공급 시 기판의 온도는 약 100℃ 이하일 수 있다. In this embodiment, a thin film is deposited using thermal ALD, but according to another embodiment of the present invention, a first time t1 for supplying a first source gas, And a third time (t3) for supplying a second source gas. The temperature of the substrate at the time of plasma supply may be about 100 DEG C or less.
플라즈마는 인시튜(in-situ) 또는 원격(remote) 방식으로 공급할 수 있고, UV를 펄스 형태로 공급할 수도 있다. 이처럼 플라즈마를 공급함으로써, 상대적으로 낮은 온도에서 박막 형성 공정을 진행할 수 있고, 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)보다 막질 제어가 쉽고 폴리머 필름에 손상이 적을 수 있다. Plasma can be supplied in-situ or remotely, and UV can be supplied in pulsed form. By supplying the plasma as described above, the thin film forming process can be performed at a relatively low temperature, the film quality can be controlled more easily than the thermal ALD method, and the damage to the polymer film can be less.
그러면, 도 2를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 기체 공급 주기를 도시한 도면이다.Referring to FIG. 2, a thin film deposition method according to another embodiment of the present invention will be described. 2 is a view illustrating a gas supply cycle according to a thin film deposition method according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 박막 증착 방법은 제1 시간(t1) 동안, 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제1 소스 기체인 에틸렌다이아민 (Ethylenediamine; EDA; C2H4(NH2)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제2 시간(t2) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하는 제2 기체 공급 주기(x cycle)를 복수 회 반복한 후, 제3 시간(t3) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하면서, 제2 소스 기체인 1, 4- 페닐렌 디이소시아네이트 (1,4-Phenylene diisocyanate; PDIC; C6H2(CNO)2)의 폴리머 전구체를 공급하고, 제4 시간(t4) 동안 퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)를 공급하는 제3 기체 공급 주기(y cycle)을 복수 회 반복하는 기체 공급 주기를 복수 회 반복한다.Referring to FIG. 2, the thin film deposition method according to the present embodiment includes supplying a purge gas and a carrier gas during a first time period t1, while supplying a first source gas such as Ethylenediamine ; A second gas supply cycle (x) for supplying a polymer precursor of EDA; C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ) for supplying a purge gas and a carrier gas during a second time (t 2) cycle) is repeated a plurality of times and a purge gas and a carrier gas are supplied for a third time (t3), while the second source gas, 1,4-phenylene diisocyanate (1,4 A third gas supply cycle for supplying a polymer precursor of Phenylene diisocyanate (PDIC) C 6 H 2 (CNO) 2 ) and supplying a purge gas and a carrier gas during a fourth time period (t 4) (y cycle) is repeated a plurality of times.
퍼지 기체(purge gas)와 캐리어 기체(carrier gas)는 제1 시간(t1) 내지 제4 시간(t4) 동안 지속적으로 공급되지만, 퍼지 기체(purge gas)는 제1 시간(t1)과 제3 시간(t3) 동안에는 공급되지 않고, 제2 시간(t2)과 제4 시간(t4) 동안에만 공급될 수 있다.The purge gas and the carrier gas are continuously supplied during the first time period t1 to the fourth time period t4 while the purge gas is supplied during the first time period t1 and the third time period t2, (t3), and can be supplied only during the second time (t2) and the fourth time (t4).
이 때, 박막이 증착되는 기판의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 40℃이고, PDIC 소스 용기(source vessel) 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 65℃, EDA 소스 용기(source vessel)의 온도는 약 100℃ 이하의 온도, 보다 구체적으로 약 30℃에서 제1 소스 기체와 제2 소스 기체(vapor)를 발생시켜 반응기로 공급한다.At this time, the temperature of the substrate on which the thin film is deposited is about 100 DEG C or less, more specifically about 40 DEG C, the PDIC source vessel temperature is about 100 DEG C or less, more specifically about 65 DEG C, The temperature of the source vessel is supplied to the reactor by generating a first source gas and a second source gas at a temperature of about 100 캜 or less, more specifically about 30 캜.
제1 시간(t1) 및 제2 시간(t2)을 포함하는 제2 기체 공급 주기(x cycle)를 복수 회 반복하고, 제3 시간(t3)과 제4 시간(t4)을 포함하는 제3 기체 공급 주기(y cycle)를 복수 회 반복하는 기체 공급 주기(n cycle)을 원하는 회수만큼 반복하여, 원하는 두께의 박막을 증착한다.The second gas supply cycle (x cycle) including the first time t1 and the second time t2 is repeated a plurality of times and the third gas supply cycle including the third time t3 and the fourth time t4, The gas supply cycle (n cycles) in which the supply cycle (y cycle) is repeated a plurality of times is repeated a desired number of times to deposit a thin film having a desired thickness.
제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)에 비하여, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)이 더 길다. 예를 들어, 제1 시간(t1) 및 제3 시간(t3)은 약 1초, 제2 시간(t2) 및 제4 시간(t4)은 약 5초일 수 있다. 이처럼, 제1 소스 기체를 퍼지하는 단계와 제2 소스 기체를 퍼지하는 단계의 지속 시간을 길게함 으로써, 분자량이 큰 소스 기체의 퍼지 효율을 높일 수 있다.The second time t2 and the fourth time t4 are longer than the first time t1 and the third time t3. For example, the first time t1 and the third time t3 may be about 1 second, the second time t2 and the fourth time t4 may be about 5 seconds. By thus lengthening the duration of the step of purging the first source gas and the step of purging the second source gas, the purging efficiency of the source gas having a large molecular weight can be increased.
본 실시예에서는 열적 원자층 증착 방법(thermal ALD)을 이용하여, 박막을 증착하였으나, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 제1 소스 기체를 공급하는 제1 시간(t1)과 제2 소스 기체를 공급하는 제3 시간(t3) 중 적어도 하나의 기체 공급 주기 동안 플라즈마를 함께 공급할 수 있다. 플라즈마 공급 시 기판의 온도는 약 100℃ 이하일 수 있다. In this embodiment, a thin film is deposited using thermal ALD, but according to another embodiment of the present invention, a first time t1 for supplying a first source gas, And a third time (t3) for supplying a second source gas. The temperature of the substrate at the time of plasma supply may be about 100 DEG C or less.
플라즈마는 인시튜(in-situ) 또는 원격(remote) 방식으로 공급할 수 있고, UV를 펄스 형태로 공급할 수도 있다.Plasma can be supplied in-situ or remotely, and UV can be supplied in pulsed form.
도 1 및 도 2를 참고로 설명한 실시예들에 따른 증착 방법에 따르면, PDIC와 EDA를 폴리머 전구체(polymer precursor)로 이용하였으나, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에서는 아래 표 1에 나타낸 다양한 폴리머 전구체(polymer precursor)를 이용할 수 있다.According to the deposition method according to the embodiments described with reference to FIGS. 1 and 2, PDIC and EDA are used as a polymer precursor. However, in the thin film deposition method according to the embodiment of the present invention, A polymer precursor may be used.
그러면, 도 3 내지 도 6을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따른 박막 증착 결과에 대하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다. 도 4는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다. 도 5는 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 도면이다. 도 6은 본 발명의 한 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.The results of the thin film deposition according to the thin film deposition method according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6. FIG. 3 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention. 4 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention. 5 is a diagram showing the results of an experimental example of the present invention. 6 is a graph showing the results of an experimental example of the present invention.
먼저 도 3을 참고하여 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.First, the results of an experimental example of the present invention will be described with reference to FIG.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기와 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하면서, 증착되는 박막의 두께를 측정하여, 그 결과를 도 3에 도시하였다. 도 3을 참고하면, 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기와 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복할수록 박막의 두께가 선형적으로(linearly) 증가하고 있음을 알 수 있었다. 즉, 폴리머 전구체를 이용하여, 원자층 증착 방법으로 박막을 증착할 경우, 기체 공급 주기를 반복함에 따라서 박막의 두께가 두꺼워지도록 박막이 잘 증착됨을 알 수 있었다.In the present experimental example, while repeating the first gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 1 and the gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 2, And the results are shown in Fig. Referring to FIG. 3, as the first gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 1 and the gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 2 are repeated, It was found that there was a linear increase. That is, when the thin film was deposited by the atomic layer deposition method using the polymer precursor, the thin film was deposited well so that the thickness of the thin film became thicker as the gas supply cycle was repeated.
다음으로, 도 4를 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.Next, the results of one experimental example of the present invention will be described with reference to Fig.
본 실험예에서는 산소 플라즈마 분위기에서 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, 증착된 박막의 식각 특성을 측정하여, 그 결과를 도 4에 도시하였다. 식각 특성은 산소 라디칼에 의한 식각 특성을 나타낸다.In this experimental example, the first gas supply cycle of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 1 is repeated in the oxygen plasma atmosphere, or the gas supply cycle of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 2 is repeated After the thin film was deposited, the etched characteristics of the deposited thin film were measured. The results are shown in FIG. Etch characteristics show the etching properties by oxygen radicals.
원자층 증착법에 의해 폴리머 전구체를 이용하여 폴리우레아(polyuria) 막을 증착하고, 증착한 박막들에 대해, 산소 라디칼 분위기하에서 플라즈마 세기에 따른 플라즈마 식각 특성을 측정하였다.A polyuria film was deposited using a polymer precursor by atomic layer deposition and the plasma etching characteristics were measured according to the plasma intensity under the oxygen radical atmosphere for the deposited thin films.
도 4를 참고하면, 인가되는 플라즈마 전원(plasma power)의 세기가 클수록 산소 라디칼에 의한 식각 속도가 커짐을 알 수 있었다. 즉, 인가되는 플라즈마 전원(plasma power)의 크기와 산소 라디칼에 의한 식각 속도가 일정하게 비례하고 있음을 알 수 있었다.Referring to FIG. 4, it can be seen that the greater the intensity of the applied plasma power, the larger the etching rate due to oxygen radicals. In other words, it was found that the magnitude of the applied plasma power and the etch rate due to the oxygen radical are proportional to each other.
다음으로, 도 5를 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.Next, the results of one experimental example of the present invention will be described with reference to Fig.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, 증착된 박막의 굴절율(refractive index; n)과 흡수계수(absorption coefficient; k)를 측정하여, 그 결과를 도 5에 도시하였다.In the present experimental example, the first gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 1 is repeated, or the gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 2 is repeated, After deposition, the refractive index (n) and the absorption coefficient (k) of the deposited thin film were measured. The results are shown in Fig.
굴절율(refractive index; n)과 흡수계수(absorption coefficient; k)는 비가시광(non-visible light) 영역과 가시광(visible light)에서 측정하였다.The refractive index (n) and the absorption coefficient (k) were measured in a non-visible light region and a visible light.
도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따라 증착된 박막의 광학적 특성은 모두 기준을 충족하고 있음을 알 수 있다. 비정질 탄소막으로 사용되기 위해서는 비가시광영역에서 굴절율(n)이 0.1이상, 가시광 영역에서의 흡수계수(k)가 0.1이하이어야 한다. 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 증착 방법에 의하여 증착된 막에 대하여 248nm의 비가시광 파장영역에서 측정된 굴절율(n)은 1.72로 측정되었고, 이는 0.1 이상의 기준 값을 만족한 것이었다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 방법에 의하여 증착된 막에 대하여 633nm의 가시광 파장영역에서 측정된 흡수계수(k)는 0.005로서, 이는 0.1 이하의 기준 값을 만족한 것이었다. Referring to FIG. 5, it can be seen that the optical characteristics of the thin film deposited according to the thin film deposition method according to the embodiment of the present invention meet all the criteria. In order to be used as an amorphous carbon film, the refractive index (n) should be 0.1 or more in an invisible light region and the absorption coefficient (k) in a visible light region should be 0.1 or less. More specifically, for the film deposited by the deposition method according to the embodiment of the present invention, the refractive index (n) measured in the non-visible light wavelength region of 248 nm was measured to be 1.72, which satisfied the reference value of 0.1 or more . In addition, the absorption coefficient (k) measured in the visible light wavelength region of 633 nm with respect to the film deposited by the deposition method according to the embodiment of the present invention was 0.005, which satisfied the reference value of 0.1 or less.
다음으로, 도 6을 참고하여, 본 발명의 한 실험예의 결과를 설명한다.Next, the results of an experimental example of the present invention will be described with reference to Fig.
본 실험예에서는 도 1을 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 제1 기체 공급 주기를 반복하거나, 도 2를 참고로 설명한 실시예에 따른 박막 증착 방법의 기체 공급 주기를 반복하여, 박막을 증착한 후, FT-IR(Fourier-Transform Infrared Spectroscopy)를 분석하여, 그 결과를 도 6에 도시하였다.In the present experimental example, the first gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 1 is repeated, or the gas supply period of the thin film deposition method according to the embodiment described with reference to FIG. 2 is repeated, After the deposition, FT-IR (Fourier-Transform Infrared Spectroscopy) was analyzed. The results are shown in FIG.
도 6을 참고하면, 증착된 박막의 FT-IR 분석에서 카본 피크(Carbon peak)(C=C, C=O, CHx)가 나타남을 알 수 있었고, 이에 따라 증착된 박막이 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)임을 알 수 있었다.Referring to FIG. 6, carbon peaks (C = C, C = O, CHx) were observed in FT-IR analysis of the deposited thin films. As a result, the deposited thin films showed amorphous carbon layer).
이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 방법에 따르면, 폴리머 전구체를 사용하여, 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 증착할 수 있다. 또한, 폴리머 전구체를 이용하여, 원자층 증착 방법으로 비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 증착함으로써, 박막의 균일성 및 단차 피복성을 높일 수 있다.As described above, according to the thin film deposition method according to the embodiment of the present invention, an amorphous carbon layer can be deposited using a polymer precursor. Also, by depositing an amorphous carbon layer using an atomic layer deposition method using a polymer precursor, the uniformity of the thin film and the step coverage can be improved.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.
Claims (14)
제2 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계,
제3 시간 동안, 상기 반응기에 제2 소스 기체를 공급하는 단계, 그리고
제4 시간 동안, 상기 반응기에 퍼지 기체를 공급하는 단계를 포함하고,
상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 폴리머 전구체인 박막 증착 방법.Supplying a first source gas to the reactor for a first time,
Supplying purge gas to the reactor for a second time,
Supplying a second source gas to the reactor for a third time, and
Supplying a purge gas to the reactor for a fourth time,
Wherein the first source gas and the second source gas are polymer precursors.
상기 제1 소스 기체는 Ethylenediamine(C2H4(NH2)2)이고, 상기 제2 소스 기체는 1,4-Phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2)인 박막 증착 방법.
The method of claim 1,
Wherein the first source gas is Ethylenediamine (C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ) and the second source gas is 1,4-Phenylene diisocyanate (C 6 H 2 (CNO) 2 ).
상기 퍼지 기체는 상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간 동안 연속하여 공급되는 박막 증착 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the purge gas is supplied continuously for the first time period to the fourth time period.
상기 제1 시간 내지 상기 제4 시간을 포함하는 제1 기체 공급 주기를 복수 회 반복하는 박막 증착 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the first gas supply period including the first time to the fourth time is repeated a plurality of times.
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하고,
상기 플라즈마는 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하인 상태에서 공급하는 박막 증착 방법.
5. The method of claim 4,
Supplying a plasma simultaneously with at least a part of the first time and the third time,
Wherein the plasma is supplied in a state where the temperature of the substrate is not higher than about 100 占 폚.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.
The method of claim 5,
Wherein the second time and the fourth time are longer than the first time and the third time.
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하고,
상기 플라즈마는 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하인 상태에서 공급하는 박막 증착 방법.
3. The method of claim 2,
Supplying a plasma simultaneously with at least a part of the first time and the third time,
Wherein the plasma is supplied in a state where the temperature of the substrate is not higher than about 100 占 폚.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the second time and the fourth time are longer than the first time and the third time.
상기 제1 시간 및 상기 제2 시간을 포함하는 제2 기체 공급 주기를 복수 회 반복하고,
상기 제3 시간 및 상기 제4 시간을 포함하는 제3 기체 공급 주기를 복수 회 반복하는 박막 증착 방법.
3. The method of claim 2,
Repeating a second gas supply cycle including the first time and the second time a plurality of times,
The third gas supply period including the third time and the fourth time is repeated a plurality of times.
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하고,
상기 플라즈마는 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하인 상태에서 공급하는 박막 증착 방법.
The method of claim 9,
Supplying a plasma simultaneously with at least a part of the first time and the third time,
Wherein the plasma is supplied in a state where the temperature of the substrate is not higher than about 100 占 폚.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the second time and the fourth time are longer than the first time and the third time.
상기 제1 소스 기체와 상기 제2 소스 기체는 Hexamethylene diamine(C6H16N2), Ethylenediamine(C2H4(NH2)2), 1,6-Diisocyanatohexane(C8H12N2O2), 1,4-phenylene diisocyanate(C6H2(CNO)2) 중 선택된 어느 하나를 포함하는 박막 증착 방법.
The method of claim 1,
Wherein the first source gas and the second source gas are selected from the group consisting of hexamethylene diamine (C 6 H 16 N 2 ), Ethylenediamine (C 2 H 4 (NH 2 ) 2 ), 1,6-Diisocyanatohexane (C 8 H 12 N 2 O 2 ), And 1,4-phenylene diisocyanate (C 6 H 2 (CNO) 2 ).
상기 제1 시간과 상기 제3 시간 중 적어도 일부와 동시에 플라즈마를 공급하고,
상기 플라즈마는 상기 기판의 온도가 약 100℃ 이하인 상태에서 공급하는 박막 증착 방법.
The method of claim 12,
Supplying a plasma simultaneously with at least a part of the first time and the third time,
Wherein the plasma is supplied in a state where the temperature of the substrate is not higher than about 100 占 폚.
상기 제1 시간 및 상기 제3 시간보다 상기 제2 시간 및 상기 제4 시간이 더 긴 박막 증착 방법.The method of claim 12,
Wherein the second time and the fourth time are longer than the first time and the third time.
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| KR20030058271A (en) * | 2001-12-31 | 2003-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Atomic layer deposition process using plasma |
| US20080254231A1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-16 | Darfon Electronics Corp. | Method of forming protection layer on contour of workpiece |
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