KR20160012783A - Organic light emitting diode device and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to an organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof. The organic electroluminescent display device includes: a thin film transistor prepared in a pixel region of a backplane substrate; an overcoat layer formed on a front surface of the backplane substrate including the thin film transistor; an anode electrode formed on an upper portion of the overcoat layer and connected to the thin film transistor; a bus electrode formed on the upper portion of the overcoat layer and spaced from the anode electrode; a bank film formed on the upper portion of the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode; a light emitting layer formed on an upper portion of the anode electrode between the bank films; and a cathode electrode formed on an upper portion of the backplane substrate and in electric contact with the bus electrode.

Description

유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescence display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기전계 발광장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상부 발광박식(top emission type)의 유기전계 발광표시소자(OLED; Organic Light Emitting Diode)의 캐소드전극의 면저항을 줄일 수 있는 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent display device capable of reducing a sheet resistance of a cathode electrode of an organic light emitting diode (OLED) And a manufacturing method thereof.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD: liquid crystal display), 플라즈마 표시장치(PDP: plasma display panel), 유기발광소자(OLED: organic light emitting diode)와 같은 다양한 평판표시장치(flat panel display)가 활용되고 있다.2. Description of the Related Art [0002] As an information-oriented society develops, demands for a display device for displaying an image have increased in various forms. Recently, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP) Various flat panel displays such as organic light emitting diodes (OLEDs) have been utilized.

이와 같은 표시장치중, 유기발광소자는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에, 경량, 박형이 가능하다.Among such display devices, the organic light-emitting device is a self-light-emitting device, and a backlight used in a liquid crystal display device which is a non-light-emitting device is not required.

그리고, 유기발광소자는 액정표시장치에 비해 시야각 및 대조비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고, 사용 온도 범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.In addition, the organic light emitting device has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device, and is advantageous in terms of power consumption. In addition, it can be driven by DC low voltage, has a high response speed, and is resistant to external impact because its internal components are solid, has a wide operating temperature range, and is especially advantageous in terms of manufacturing cost.

이러한 유기발광소자의 특성을 갖는 유기발광 디스플레이장치는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나눠지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 한편, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 오/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터와 전류를 흘려 보내주는 구동 박막 트랜지스터 및 이 구동 박막 트랜지스터에 한 프레임 동안 전압을 유지해 주는 캐패시터가 화소 별로 위치하도록 소자를 구성한다.The organic light emitting display device having the characteristics of such an organic light emitting device is roughly classified into a passive matrix type and an active matrix type. The passive matrix type comprises a matrix of elements crossing the signal lines On the other hand, in the active matrix type, a thin film transistor, which is a switching element for turning on / off a pixel, a driving thin film transistor for flowing a current, and a capacitor for holding a voltage for one frame in the driving thin film transistor, Thereby constituting a device.

최근에는 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 유기발광소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. In recent years, passive matrix type has many limitations such as resolution, power consumption, and lifetime, and active matrix type organic light emitting devices capable of realizing a high resolution and a large screen are being actively studied.

또한, 이러한 유기발광 표시장치는 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉜다.In addition, the organic light emitting display device is classified into a top emission type and a bottom emission type according to the direction of light emission.

이 중에서, 상부 발광 방식을 적용한 기존의 유기전계 발광표시장치에 대해 도 1을 참조하여 개략적으로 설명하면 다음과 같다.Among them, the conventional organic light emitting display device to which the top emission type is applied will be described with reference to FIG. 1 as follows.

도 1은 종래기술에 따른 상부 발광방식의 유기전계 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device of a top emission type according to the related art.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 유기전계 발광표시장치(10)는 복수 개의 박막 트랜지스터(TFT(, 유기발광소자(E) 및 스토리지 캐패시터(미도시)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device 10 according to the related art includes a plurality of thin film transistors (TFTs, organic light emitting devices E and storage capacitors (not shown)).

상기 복수 개의 박막 트랜지스터(TFT)는 스위칭 박막 트랜지스터(미도시)와 구동 박막 트랜지스터(Td)를 포함하여 구성되며, 이들 박막 트랜지스터, 예를 들어 구동 박막 트랜지스터(Td)는 백 플랜 기판(11)의 전면에 게이트 전극(13), 게이트 절연막(15), 액티브층(17), 소스전극(21) 및 드레인 전극(23)으로 구성된다.The plurality of thin film transistors (TFTs) include a switching thin film transistor (not shown) and a driving thin film transistor Td. These thin film transistors, for example, the driving thin film transistor Td, A gate electrode 13, a gate insulating film 15, an active layer 17, a source electrode 21, and a drain electrode 23 on the front surface.

상기 구동 박막 트랜지스터(Td)를 덮도록 상기 백 플랜 기판(11)의 전면에 보호막(24, ILD: inter layer dielectric) 및 오버코트층(25, passivation layer)이 형성된다.An interlayer dielectric (ILD) and a passivation layer 25 are formed on the front substrate 11 so as to cover the driving thin film transistor Td.

상기 오버코트층(25) 상에는 상기 오버코트층(25) 및 보호막(24)의 일부 영역이 식각되어 상기 드레인 전극(23)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)이 형성되고, 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(23)과 접촉되며 인듐-틴-옥사이드 (ITO)와 같은 투명 전도성 물질로 이루어진 애노드전극(27)이 형성된다. A drain contact hole (not shown) is formed on the overcoat layer 25 to partially expose the overcoat layer 25 and the passivation layer 24 to expose the drain electrode 23. Through the drain contact hole An anode electrode 27 made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) is formed in contact with the drain electrode 23.

상기 애노드전극(27) 사이의 오버코트층(25) 상면에는 화상이 표시되는 표시영역 즉, 개구부를 정의하는 뱅크막(29)이 형성된다.On the upper surface of the overcoat layer 25 between the anode electrodes 27, a display region in which an image is displayed, that is, a bank film 29 defining an opening is formed.

상기 애노드전극(27) 상에는 인가된 전류에 의해 발광하는 발광층(31)이 형성되고, 상기 발광층(31)을 포함한 백 플랜 기판(11) 전면에는 투명한 캐소드 전극 (33)이 형성된다. 이때, 상기 발광층 (31)은 각 서브 화소에 형성되는 적색 발광층(31R), 녹색 발광층(31G) 및 청색 발광층(31B)을 포함한다. A light emitting layer 31 is formed on the anode electrode 27 to emit light by an applied current and a transparent cathode electrode 33 is formed on a front substrate 11 including the light emitting layer 31. The light emitting layer 31 includes a red light emitting layer 31R, a green light emitting layer 31G, and a blue light emitting layer 31B formed in each sub-pixel.

상기 애노드 전극(27), 발광층(31) 및 캐소드 전극(33)은 유기발광소자(E)를 구성하며, 박막 트랜지스터(Td)의 스위칭에 의해 상기 유기발광소자(E)에 전류가 공급됨으로써 발광하게 되며, 복수의 픽셀에 형성된 유기발광소자(E)들에 의해 화상을 표시하게 된다. The anode electrode 27, the light emitting layer 31 and the cathode electrode 33 constitute an organic light emitting element E. Current is supplied to the organic light emitting element E by switching of the thin film transistor Td, And displays the image by the organic light emitting devices E formed on the plurality of pixels.

도면에는 도시하지 않았지만, 상기 캐소드 전극(33)을 포함한 백 플랜 기판 (11) 전면에는 봉지 기판(미도시)이 형성되어 유기발광소자(E)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.Although not shown in the drawing, an encapsulating substrate (not shown) is formed on the entire surface of the back plan substrate 11 including the cathode electrode 33 to encapsulate the organic light emitting element E from external factors such as moisture.

이와 같이, 기존의 상부 발광방식(top emission type)의 유기전계 발광표시장치(10)에서는 투명한 캐소드 전극(33)을 사용하기 때문에 전기 전도도가 떨어져 유기전계 발광표시장치(10)의 면 저항이 증가하게 된다.As described above, in the conventional top emission type organic electroluminescent display device 10, since the transparent cathode electrode 33 is used, the electric conductivity is reduced and the surface resistance of the organic electroluminescent display device 10 is increased .

따라서, 유기전계 발광표시장치(10)의 면 저항이 증가하게 되면, 유기전계 발광표시장치의 소비 전력이 증가하게 된다.Accordingly, when the surface resistance of the organic light emitting display device 10 is increased, the power consumption of the organic light emitting display device is increased.

본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 상부 발광박식(top emission type)의 유기전계 발광표시소자(OLED; Organic Light Emitting Diode)의 캐소드 전극의 면 저항 및 표시장치의 소비전력을 감소시킬 수 있는 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) having a top emission type organic electroluminescence display And a method of manufacturing the same.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는, 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서, 복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판; 상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층; 상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극; 상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극; 상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막; 상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 형성된 발광층; 상기 발광층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 버스전극을 노출시키는 제1 캐소드전극; 및 상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a plurality of pixels, the organic light emitting display comprising: a backplane substrate having a plurality of pixel regions and dummy regions defined therein; A thin film transistor provided in a pixel region of the back plan substrate; An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor; An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor; A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region; A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode; A light emitting layer formed on the anode electrode between the bank films; A first cathode electrode formed on the back plane substrate including the light emitting layer, the first cathode electrode exposing the bus electrode; And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and in contact with the bus electrode.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는, 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서, 복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판; 상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층; 상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극; 상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극; 상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막; 상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 형성된 발광층; 상기 발광층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 구비한 제1 캐소드전극; 및 상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 비아홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a plurality of pixels, the organic light emitting display comprising: a backplane substrate having a plurality of pixel regions and dummy regions defined therein; A thin film transistor provided in a pixel region of the back plan substrate; An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor; An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor; A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region; A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode; A light emitting layer formed on the anode electrode between the bank films; A first cathode electrode formed on the back plane substrate including the light emitting layer and having a via hole exposing the bus electrode; And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and contacting the bus electrode through the via hole.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는, 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서, 복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판; 상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층; 상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극; 상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극; 상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막; 상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 적층된 정공주입층, 정공수송층 및 유기층; 상기 유기층, 뱅크막 및 버스전극을 포함한 상기 백 플랜 기판 전면에 적층된 전자수송층 및 전자주입층; 상기 전자주입층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 전자주입층 및 전자수송층을 통해 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 구비한 제1 캐소드전극; 및 상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 비아홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a plurality of pixels, the organic light emitting display comprising: a backplane substrate having a plurality of pixel regions and dummy regions defined therein; A thin film transistor provided in a pixel region of the back plane substrate; An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor; An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor; A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region; A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode; A hole injecting layer, a hole transporting layer, and an organic layer stacked on the anode electrode between the bank films; An electron transport layer and an electron injection layer stacked on the entire surface of the back plan substrate including the organic layer, the bank film, and the bus electrode; A first cathode electrode formed on a back plane substrate including the electron injection layer and having a via hole exposing the bus electrode through the electron injection layer and the electron transport layer; And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and contacting the bus electrode through the via hole.

상술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치제조방법은, 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서, 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판을 제공하는 단계; 상기 픽셀 영역의 백 플랜기판 상부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 오버코트층을 형성하는 단계; 상기 오버코트층에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 상기 드레인 전극과 연결되는 애노드전극을 형성함과 동시에, 상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 버스전극을 형성하는 단계; 상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 뱅크막을 형성하는 단계; 상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 정공주입층, 정공수송층 및 유기물질층을 차례로 적층하는 단계; 상기 유기물질층과 뱅크막을 포함한 백 플랜 기판 전면에 전자수송층 및 전자주입층을 차례로 적층하는 단계; 상기 전자주입층을 포함한 백 플랜 기판 전면에 제1 캐소드전극층을 형성하는 단계; 상기 더미 영역 위의 제1 캐소드전극층, 그 하부의 전자주입층, 전자수송층 및 버스전극에 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1 캐소드전극층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 상기 비어홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display including a plurality of pixels, the method comprising: providing a backplane substrate having pixel regions and dummy regions defined therein; ; Forming a thin film transistor on the back plan substrate of the pixel region; Forming an overcoat layer on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor; Forming a drain contact hole exposing a drain electrode of the thin film transistor in the overcoat layer; Forming an anode electrode connected to the drain electrode on the overcoat layer of the pixel region and forming a bus electrode on the overcoat layer of the dummy region; Forming a bank film over the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode; Depositing a hole injecting layer, a hole transporting layer, and an organic material layer in this order over the anode electrode between the bank films; Stacking an electron transport layer and an electron injection layer on the entire surface of the back substrate including the organic material layer and the bank film; Forming a first cathode electrode layer on the entire surface of the back plane substrate including the electron injection layer; Forming a via hole for exposing the bus electrode to the first cathode electrode layer on the dummy region, the electron injection layer, the electron transport layer, and the bus electrode below the first cathode electrode layer; And forming a second cathode electrode layer on the back plane substrate including the first cathode electrode layer, the second cathode electrode layer being in contact with the bus electrode through the via hole.

본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법은, 픽셀을 구성하는 다수의 서브 픽셀 중 외곽에 위치하는 서브 픽셀과 인접하여 정의된 더미영역에 버스전극(bus electrode)을 형성하여 캐소드 전극과 접촉하도록 함으로써 캐소드 전극의 면저항이 감소되어 표시장치의 소비전력을 줄일 수 있다.The organic electroluminescent display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that a bus electrode is formed in a dummy region defined adjacently to a subpixel located in an outermost one of a plurality of subpixels constituting a pixel, The sheet resistance of the cathode electrode is reduced, and the power consumption of the display device can be reduced.

또한, 본 발명은 캐소드전극과 버스전극의 전기적 접촉으로 인해, 캐소드전극의 면저항이 감소되므로 인해 캐소드전극의 발열이 감소되어 유기전계발광장치 (OLED)의 수명을 증가시킬 수 있다.In addition, since the sheet resistance of the cathode electrode is reduced due to the electrical contact between the cathode electrode and the bus electrode, the heat generation of the cathode electrode can be reduced to increase the lifetime of the organic light emitting device OLED.

도 1은 종래기술에 따른 상부 발광방식의 유기전계 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 회로 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 4m은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조 공정 단면도들이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device of a top emission type according to the related art.
2 is a schematic circuit diagram of an organic light emitting display device according to the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.
4A to 4M are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 유기전계 발광표시장치에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 '상에 또는 상부에' 및 '아래에 또는 하부에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing an embodiment of the present invention, when it is described that a structure is formed on or above another structure, and below or below it, such a substrate may be formed of any of these structures, To the extent that a third structure is interposed between the first and second structures.

도 2는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 회로 구성도이다.2 is a schematic circuit diagram of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는 게이트 라인 (GL), 데이터 라인(DL), 전원 라인(PL), 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA) 그리고 버스 전극(117b)을 포함하여 이루어진다.2, the organic light emitting display includes a gate line GL, a data line DL, a power supply line PL, a red sub pixel region R-PA, a green sub pixel region G, -PA), a blue sub-pixel region (B-PA), and a bus electrode 117b.

상기 게이트 라인(GL)은 기판(미도시) 상에서 제1 방향으로 연장되어 배열되고, 상기 데이트 라인(DL)은 기판 상에서 게이트 라인(GL)과 교차되어 제2 방향으로 연장되어 배열되며, 상기 전원 라인(PL)은 데이터 라인(DL)과 이격되면서 데이터 라인(DL)과 평행하게 배열된다.The gate lines GL extend in a first direction on a substrate (not shown), and the data lines DL are arranged to extend in a second direction intersecting the gate lines GL on the substrate, The lines PL are arranged in parallel with the data lines DL while being spaced apart from the data lines DL.

복수의 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)은 서로 교차 배열되어 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)을 정의한다.The plurality of gate lines GL and the data lines DL are arranged to be intersecting with each other to define a red sub pixel region R-PA, a green sub pixel region G-PA, and a blue sub pixel region B-PA .

박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터(Ts) 및 구동 박막 트랜지스터 (Td)를 포함하는데, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 연결되어 게이트 신호 및 데이터 신호를 입력받는다. The thin film transistor includes a switching thin film transistor Ts and a driving thin film transistor Td which are connected to a gate line GL and a data line DL to receive a gate signal and a data signal.

스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 일단은 구동 박막 트랜지스터(Td)에 연결되며, 상기 구동 박막 트랜지스터(Td)는 전원 라인(PL) 및 유기발광다이오드 (E)에 연결된다. One end of the switching thin film transistor Ts is connected to the driving thin film transistor Td and the driving thin film transistor Td is connected to the power supply line PL and the organic light emitting diode E.

버스전극(117b)은 데이터 라인(DL)와 평행하게 배열되어 상기 유기발광다이오드(E)의 캐소드 전극(미도시, 도 3의 140 참조)에 접촉된다.The bus electrode 117b is arranged in parallel with the data line DL and contacts the cathode electrode (not shown in Fig. 3, not shown) of the organic light emitting diode E.

도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치(100)를 구성하는 복수의 픽셀 각각은 영상 신호에 따라 인가된 전류에 의해 발광하는 유기 발광 다이오드(OLED)(E)와, 상기 유기 발광 다이오드(E)에 전류를 공급하기 위한 복수의 박막 트랜지스터, 즉 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)와 구동 박막 트랜지스터(Td), 및 스토리지 커패시터(미도시; 도 2의 Cst 참조)를 포함한다.Referring to FIG. 3, each of the plurality of pixels constituting the organic light emitting display 100 according to the present invention includes an organic light emitting diode (OLED) E emitting light according to an applied current according to an image signal, A plurality of thin film transistors for supplying current to the light emitting diode E, that is, a switching thin film transistor Ts and a driving thin film transistor Td, and a storage capacitor (not shown, see Cst in FIG. 2).

도 3에서는 복수의 박막 트랜지스터 중에서 스위칭 박막 트랜지스터들은 도시하고 있지 않으며, 상기 유기 발광 다이오드(E)에 공급되는 전류를 스위칭하는 구동 박막 트랜지스터(TD) 만을 도시하고 있다고 가정하여 설명한다.In FIG. 3, switching thin film transistors among the plurality of thin film transistors are not shown, and only a driving thin film transistor TD for switching the current supplied to the organic light emitting diode E is illustrated.

상기 구동 박막 트랜지스터(Td)는 다수의 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)이 정의된 백 플랜 기판(101) 상에 적층되는 게이트 전극(103), 게이트 절연막(105), 액티브층(107), 소스전극 (109a), 및 드레인 전극(109b)을 포함하여 구성된다.The driving thin film transistor Td is formed on a back plane substrate 101 on which a plurality of red sub pixel regions R-PA, a green sub pixel region G-PA, and a blue sub pixel region B- And includes a gate electrode 103, a gate insulating film 105, an active layer 107, a source electrode 109a, and a drain electrode 109b which are stacked.

상기 백 플랜 기판(101)은 투명 재질의 유리기판 또는 플렉시블(flexible) 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. The back plane substrate 101 may be a transparent glass substrate or a flexible plastic substrate.

게이트 전극(103)은 백 플랜 기판(101)의 각 서브 화소 영역에 형성되며, 게이트 라인(미도시, 도 2의 GL 참조)에 연결되어 있다. 게이트 전극(103)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈 (Ni), 네오디늄 (Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.The gate electrode 103 is formed in each sub pixel region of the back plan substrate 101 and is connected to a gate line (not shown in FIG. 2, GL). The gate electrode 103 is formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, And may be a multilayer composed of any one selected or an alloy thereof.

게이트 절연막(105)은 상기 게이트 전극(103)을 포함한 백 플랜 기판(101) 상에 형성된다. 상기 게이트 절연막(105)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막 (SiNx) 또는 이들의 다중 층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A gate insulating film 105 is formed on the back plan substrate 101 including the gate electrode 103. The gate insulating layer 105 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

액티브층(107)은 상기 게이트 전극(103) 위의 게이트 절연막(105) 상에 형성되며, 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.The active layer 107 is formed on the gate insulating film 105 on the gate electrode 103 and may include amorphous silicon or polysilicon crystallized therefrom.

소스 전극(109a) 및 드레인 전극(109b)은 상기 액티브층(107) 상에 형성된다. 상기 소스 전극(109a) 및 드레인 전극(109b)은 단일 층 또는 다중 층으로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디늄 (Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.A source electrode 109a and a drain electrode 109b are formed on the active layer 107. [ The source electrode 109a and the drain electrode 109b may be formed of a single layer or a multilayer and may be formed of one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu), or an alloy thereof.

보호막(112)은 상기 소스 전극(109a) 및 드레인 전극(109b)을 포함한 백 플랜 기판(101) 상에 형성된다. 상기 보호막(113)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중 층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The protective film 112 is formed on the back plan substrate 101 including the source electrode 109a and the drain electrode 109b. The protective layer 113 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

오버코트층(113)은 상기 보호막(112) 상에 형성되며, 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중 층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 즉, 오버코트층(113)은 포토 아크릴(Photo-Acryl), 폴리이미드와 같은 유기 절연물질을 사용할 수도 있다. The overcoat layer 113 is formed on the protective film 112 and may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto. That is, the overcoat layer 113 may be an organic insulating material such as photo-acryl or polyimide.

애노드전극(117a)은 오버코트층(113) 상에 형성되며, 투명한 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide), ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Wox 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 애노드 전극(117a)은 상기 드레인 전극(109b)과 전기적으로 연결되며, 이를 위해 상기 오버코트층(113) 및 그 아래의 보호막(112)의 소정 영역에는 드레인 콘택홀(115)이 형성된다.The anode electrode 117a is formed on the overcoat layer 113 and can be made of transparent ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ITO / Ag, ITO / Ag / ITO or ITO / It is not limited. The anode electrode 117a is electrically connected to the drain electrode 109b and a drain contact hole 115 is formed in a predetermined region of the overcoat layer 113 and the protective film 112 under the overcoat layer 113. [

버스전극(117b)은 상기 오버코트층(113) 상에 형성되며, 상기 애노드전극 (117a)과 동일 물질인 투명한 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide), ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Wox 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 버스전극(117b)은 상기 애노드전극(117a)과 이격되어 형성되며, 애노드전극 (117a)과는 접촉되지 않고 후술하는 캐소드 전극(140)과 접촉된다. 또한, 버스전극 (117b)은 적색 서브화소 영역 (R-PA: Red Pixel Area), 녹색 서브화소 영역 (G-PA: Red Pixel Area) 및 청색 서브화소 영역(B-PA: Red Pixel Area) 중 외곽에 위치하는 청색 서브화소 영역(B-PA: Red Pixel Area)과 인접하여 마련된 더미영역 (DA: Dummy Area)에 형성된다. 상기 버스전극(117b)은 캐소드전극(140)의 제2 투명 도전막(133)과 접촉하게 됨으로 인해 상기 캐소드 전극(140)의 면 저항이 감소하게 된다. 또한, 캐소드전극(140)의 제2 투명 도전막(133)과 버스전극(117b)의 전기적 접촉으로 인해, 캐소드전극(133)의 면저항이 감소되므로 인해 캐소드전극(140)의 발열이 감소되어 유기전계발광장치(OLED)의 수명을 증가시킬 수 있다.The bus electrode 117b is formed on the overcoat layer 113 and is made of transparent ITO (Indium Tin Oxide), IZO (indium zinc oxide), ITO / Ag, ITO / Ag / ITO, ITO / Wox, and the like. The bus electrode 117b is spaced apart from the anode electrode 117a and is not in contact with the anode electrode 117a but in contact with the cathode electrode 140 described later. The bus electrode 117b may be formed in a red pixel area (R-PA), a red pixel area (G-PA), and a red pixel area (B-PA) And is formed in a dummy area (DA) provided adjacent to a blue sub pixel area (B-PA: Red Pixel Area) located on the outer side. The bus electrode 117b is brought into contact with the second transparent conductive film 133 of the cathode electrode 140 so that the surface resistance of the cathode electrode 140 is reduced. The surface resistance of the cathode electrode 133 is reduced due to the electrical contact between the second transparent conductive film 133 and the bus electrode 117b of the cathode electrode 140. This reduces the heat generation of the cathode electrode 140, The lifetime of the electroluminescent device (OLED) can be increased.

뱅크막(119)은 상기 애노드 전극(117b) 사이의 오버코트층(113) 상에 형성되며, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크막(117b)은 발광층(121)에서 발생한 빛이 빠져 나갈 수 있도록 애노드 전극(117a) 상에서 소정의 개구부를 갖고 이격되어 형성된다. The bank film 119 is formed on the overcoat layer 113 between the anode electrodes 117b and may include an organic material such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin or polyimide resin. The bank film 117b is formed so as to have a predetermined opening on the anode electrode 117a so as to allow light emitted from the light emitting layer 121 to escape.

발광층(121)은 상기 뱅크막(119) 상에 형성되며, 도면에는 도시하지 않았지만, 적색 발광층(미도시), 녹색 발광층(미도시) 및 청색 발광층(미도시)을 포함한다. 이들 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층 각각은 적색 서브화소 영역 (R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)마다 형성된다.The light emitting layer 121 is formed on the bank layer 119 and includes a red light emitting layer (not shown), a green light emitting layer (not shown), and a blue light emitting layer (not shown). Each of the red, green and blue luminescent layers is formed for each of the red sub-pixel region R-PA, the green sub-pixel region G-PA, and the blue sub-pixel region B-PA.

상기 발광층(121)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 정공주입층 (Hole Injection Layer: HIL)(121a), 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)(121b), 유기층(Emission Layer: EL)(121c), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)(121d) 및 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL)(121e)을 포함하여 이루어진다.The light emitting layer 121 may include a hole injection layer (HIL) 121a, a hole transport layer (HTL) 121b, an organic layer (EL) 121c, An electron transport layer (ETL) 121d, and an electron injection layer (EIL) 121e.

캐소드 전극(140)은 상기 발광층(121)을 포함한 백 플랜 기판(101) 전면에 형성되며, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), WO3, MnO3과 같은 금속재료를 사용할 수도 있고, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 재료를 사용할 수도 있다. 캐소드 전극(140)은 제1 투명 도전막(123) 및 제2 투명 도전막(133)의 적층 구조로 이루어져 있으며, 상기 버스전극(117b)과 전기적으로 접촉된다. 이렇게 캐소드 전극(140)이 버스전극(117b)과 접촉하게 됨으로 인해 상기 캐소드 전극(140)의 면 저항이 감소하게 된다. The cathode electrode 140 is formed on the front backplane substrate 101 including the light-emitting layer 121, a magnesium (Mg), aluminum (Al), calcium (Ca), WO 3, using a metal material such as MnO 3 Or a transparent material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) may be used. The cathode electrode 140 has a laminated structure of a first transparent conductive film 123 and a second transparent conductive film 133 and is in electrical contact with the bus electrode 117b. The cathode electrode 140 is in contact with the bus electrode 117b, and thus the surface resistance of the cathode electrode 140 is reduced.

봉지기판(135)은 상기 캐소드 전극(133)을 포함한 백 플랜 기판(101) 전면에형성되며, 유기발광 다이오드(E)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.The encapsulation substrate 135 is formed on the entire surface of the back substrate 101 including the cathode 133 and encapsulates the organic light emitting diode E from external factors such as moisture.

따라서, 애노드 전극(117a)과 캐소드 전극(140)에 구동전압이 인가되면 정공수송층(121b)을 통과한 정공과 전자수송층(121d)을 통과한 전자가 유기층(121c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(121)이 가시광을 발산하게 된다.Accordingly, when driving voltage is applied to the anode electrode 117a and the cathode electrode 140, holes passing through the hole transporting layer 121b and electrons passing through the electron transporting layer 121d move to the organic layer 121c to form excitons , And as a result, the light emitting layer 121 emits visible light.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치는 픽셀을 구성하는 다수의 서브 픽셀 중 외곽에 위치하는 서브 픽셀과 인접하여 정의된 더미영역에 버스전극(bus electrode)을 형성하여 캐소드 전극과 전기적으로 접촉하도록 함으로써 캐소드 전극의 면저항이 감소되며, 그로 인해 표시장치의 소비전력을 줄일 수 있다. As described above, in the organic light emitting display according to the present invention, a bus electrode is formed in a dummy region defined adjacently to a sub-pixel located outside the plurality of sub-pixels constituting a pixel, The sheet resistance of the cathode electrode is reduced, thereby reducing the power consumption of the display device.

또한, 본 발명은 캐소드전극의 제2 투명 도전막과 버스전극의 전기적 접촉으로 인해, 캐소드전극의 면저항이 감소되므로 인해 캐소드전극의 발열이 감소되어 유기전계발광장치(OLED)의 수명을 증가시킬 수 있다.In addition, since the sheet resistance of the cathode electrode is reduced due to electrical contact between the second transparent conductive film of the cathode electrode and the bus electrode, heat generation of the cathode electrode is reduced to increase the lifetime of the organic electroluminescent device OLED have.

한편, 상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법에 대해 도 4a 내지 4m을 참조하여 설명하면 다음과 같다. A method of fabricating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 4A to 4M.

도 4a 내지 4m을 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치의 제조 공정 단면도들이다. 4A to 4M are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of an organic light emitting display device according to the present invention.

도 4a 내지 4m에서는 복수의 박막 트랜지스터 중에서 스위칭 박막 트랜지스터들은 도시하고 있지 않으며, 유기 발광 다이오드(E)에 공급되는 전류를 스위칭하는 구동 박막 트랜지스터(TD) 만을 도시하고 있다고 가정하여 설명하기로 한다.4A to 4M, switching thin film transistors among the plurality of thin film transistors are not shown, and only the driving thin film transistor TD for switching the current supplied to the organic light emitting diode E is illustrated.

도 4a에 도시된 바와 같이, 먼저 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA), 청색 서브화소 영역(B-PA) 및 더미영역(DA)이 정의된 백 플랜 기판 (101)을 준비한다. 백 플랜 기판(101)은 투명 재질의 유리기판 또는 플렉시블 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. As shown in FIG. 4A, a back plan substrate (PD) in which a red sub pixel region R-PA, a green sub pixel region G-PA, a blue sub pixel region B- (101). As the back plan substrate 101, a transparent glass substrate or a flexible plastic substrate may be used.

그 다음, 상기 백 플랜 기판(101) 상에 제1 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 백 플랜 기판(101)의 각 서브 픽셀 영역에 게이트 전극(103)을 형성한다. 게이트 전극(103)은 게이트 라인(미도시, 도 2의 GL 참조)에 연결된다. 게이트 전극 (103)용 제1 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈 (Ni), 네오디늄 (Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.Next, a first metal material is deposited on the back plan substrate 101 and then patterned to form gate electrodes 103 in each sub pixel region of the back plan substrate 101. The gate electrode 103 is connected to a gate line (not shown in FIG. 2, GL). The first metal material for the gate electrode 103 may be at least one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, ), Or an alloy thereof.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(103)을 포함한 백 플랜 기판(101) 상에 게이트 절연막(105)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(105)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막 (SiNx) 또는 이들의 다중 층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.4B, a gate insulating film 105 is formed on the back plan substrate 101 including the gate electrode 103. Then, as shown in FIG. The gate insulating layer 105 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

그 다음, 상기 게이트 절연막(105) 상에 반도체층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 상기 게이트 전극(103) 위의 게이트 절연막(105) 상에 액티브층(107)을 형성한다. 반도체층은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.A semiconductor layer (not shown) is formed on the gate insulating layer 105 and patterned to form an active layer 107 on the gate insulating layer 105 on the gate electrode 103. The semiconductor layer may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom.

이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(107)을 포함한 게이트 절연막(105) 상에 제2 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 상기 액티브층(107) 상에 서로 이격된 소스 전극 (109a) 및 드레인 전극(109b)을 형성한다. 상기 소스 전극(109a) 및 드레인 전극 (109b)은 단일 층 또는 다중 층으로 이루어질 수 있다. 상기 제2 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄 (Ti), 니켈 (Ni), 네오디늄(Nd) 및 구리 (Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.4C, a second metal material is deposited on the gate insulating layer 105 including the active layer 107 and is patterned to form a source electrode (not shown) on the active layer 107 109a and a drain electrode 109b are formed. The source electrode 109a and the drain electrode 109b may be a single layer or a multilayer. Wherein the second metal material is selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, neodymium and copper. And may be made of any one selected or an alloy thereof.

상기 게이트 전극(103), 게이트 절연막(105), 액티브층(107), 소스전극 (109a), 및 드레인 전극(109b)은 구동 박막 트랜지스터(Td)를 구성하며, 이 구동 박막 트랜지스터(Td)는 다수의 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역 (G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)에 형성된다. The gate electrode 103, the gate insulating film 105, the active layer 107, the source electrode 109a and the drain electrode 109b constitute a driving thin film transistor Td, Are formed in a plurality of red sub-pixel regions R-PA, green sub-pixel regions G-PA, and blue sub-pixel regions B-PA.

그 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 소스 전극(109a) 및 드레인 전극(109b)을 포함한 백 플랜 기판(101) 상에 보호막(112)과 오버코트층(113)을 순차적으로 형성한다. 상기 보호막(112) 및 오버코트층(113)은 실리콘 산화막 (SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중 층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.4D, a passivation layer 112 and an overcoat layer 113 are sequentially formed on the back plan substrate 101 including the source electrode 109a and the drain electrode 109b. The protective layer 112 and the overcoat layer 113 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof.

이어서, 상기 오버코트층(113) 및 보호막(112)의 일부 영역을 식각하여 각 서브 화소영역의 드레인 전극(109b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(115)을 형성한다. Subsequently, a portion of the overcoat layer 113 and the protective film 112 is etched to form a drain contact hole 115 exposing the drain electrode 109b of each sub pixel region.

그 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 드레인 콘택홀(115)을 포함한 오버코트층(113) 상부에 투명 도전물질층(117)을 증착한다. 이때, 상기 투명한 ITO (Indium Tin Oxide) 또는 IZO (Indium Zinc Oxide), ITO/Ag, ITO/Ag/ITO, ITO/Wox 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. Then, as shown in FIG. 4D, a transparent conductive material layer 117 is deposited on the overcoat layer 113 including the drain contact hole 115. At this time, the transparent ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ITO / Ag, ITO / Ag / ITO and ITO / Wox may be used.

이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 투명 도전물질층(117)을 선택적으로 패터닝하여 상기 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)에 드레인 전극(109b)과 연결되는 애노드전극(117a)과 함께 더미영역(DA)에 버스전극(117b)을 동시에 형성한다. 이때, 상기 버스전극(117b)은 상기 애노드전극(117a)과 전기적으로 접촉되지 않고 분리되어 있다. 또한, 상기 버스전극(117b)은 적색 서브화소 영역 (R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA), 청색 서브화소 영역(B-PA)에 비해 좁은 면적을 차지하는 더미영역(DA)에 형성되며, 표시장치의 개구율에는 영향을 거의 미치지 않는다. 그리고, 상기 애노드전극(117a) 형성시에 상기 버스전극(117b)도 함께 형성하기 때문에, 상기 버스전극(117b)을 형성하기 위한 별도의 추가 공정이 필요하지 않게 됨으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.4E, the transparent conductive material layer 117 is selectively patterned to form the red sub pixel region R-PA, the green sub pixel region G-PA, and the blue sub pixel region B The bus electrode 117b is simultaneously formed in the dummy region DA together with the anode electrode 117a connected to the drain electrode 109b. At this time, the bus electrode 117b is isolated without being in electrical contact with the anode electrode 117a. The bus electrode 117b is formed in a dummy area DA that occupies a smaller area than the red sub pixel area R-PA, the green sub pixel area G-PA, and the blue sub pixel area B-PA. And the aperture ratio of the display device is hardly affected. In addition, since the bus electrode 117b is also formed when the anode electrode 117a is formed, a separate additional process for forming the bus electrode 117b is not required, thereby simplifying the manufacturing process.

그 다음, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 애노드전극(117a) 및 버스전극 (117b) 사이의 오버코트층(113) 상부에 뱅크막(119)을 형성한다. 뱅크막(119)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene; BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크막(117b)은 후술하는 유기발광층(121)에서 발생한 빛이 빠져 나갈 수 있도록 애노드 전극(117a) 상에서 화상이 표시되는 표시영역 즉, 소정의 개구부를 갖고 이격되어 형성된다. Then, as shown in FIG. 4F, a bank film 119 is formed on the overcoat layer 113 between the anode electrode 117a and the bus electrode 117b. The bank layer 119 may include an organic material such as benzocyclobutene (BCB) resin, acrylic resin or polyimide resin. The bank film 117b is formed so as to be spaced apart from a display region, that is, a predetermined opening portion, on which an image is displayed on the anode electrode 117a so that light generated in the organic light emitting layer 121 to be described later can escape.

이어서, 상기 뱅크막(119) 사이의 애노드전극(117a) 상부에 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)용 제1 액상재료 및 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)용 제2 액상재료를 잉크젯 인쇄 방식을 이용하여 순차적으로 토출 및 건조하여 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)(121a) 및 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)(121b)을 순차적으로 형성한다.A first liquid material for a hole injection layer (HIL) and a second liquid material for a hole transport layer (HTL) are formed on the anode electrode 117a between the bank layers 119 by ink jet printing (HIL) layer 121a and a hole transport layer (HTL) layer 121b are sequentially formed on the substrate 100. The hole injection layer (HIL) 121a and the hole transport layer (HTL) 121b are sequentially formed.

그 다음, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 정공수송층(121b) 상에 발광 액상 재료, 예를 들어 적색, 녹색 및 청색 발광 액상 재료를 잉크젯 인쇄 방식을 이용하여 토출 및 건조하여 유기층(121c)을 형성한다. 상기 유기층(121c)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 적색 유기층, 녹색 유기층 및 청색 유기층을 포함한다. 이들 적색 유기층, 녹색 유기층 및 청색 유기층 각각은 적색 서브화소 영역(R-PA), 녹색 서브화소 영역(G-PA) 및 청색 서브화소 영역(B-PA)마다 형성된다.Next, as shown in FIG. 4G, an organic layer 121c is formed by discharging and drying a light emitting liquid material such as red, green, and blue light emitting liquid material on the hole transport layer 121b using an inkjet printing method . The organic layer 121c includes a red organic layer, a green organic layer, and a blue organic layer (not shown). Each of the red organic layer, the green organic layer and the blue organic layer is formed for each of the red sub pixel region R-PA, the green sub pixel region G-PA, and the blue sub pixel region B-PA.

이어서, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 유기층(121c)과 뱅크막(119)을 포함한 백 플랜 기판(101) 전면에 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL) 및 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL) 용 액상 재료를 차례로 증착하여, 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e)을 차례로 형성한다. 이때, 상기 전자수송층 (121d) 및 전자주입층(121e)은 유기층(121c)과 뱅크막(119)은 물론 버스전극(117b) 전면에 형성된다. 상기 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)(121a), 정공수송층 (Hole Transport Layer: HTL)(121b), 유기층(121c), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e)은 발광층(121)을 이룬다. 4H, an electron injection layer (EIL) and an electron transport layer (ETL) are formed on the entire surface of the back substrate 101 including the organic layer 121c and the bank layer 119. Then, Are successively deposited to form an electron transport layer 121d and an electron injection layer 121e in this order. The electron transport layer 121d and the electron injection layer 121e are formed on the entire surface of the bus electrode 117b as well as the organic layer 121c and the bank layer 119. [ The hole injection layer 121a, the hole transport layer 121b, the organic layer 121c, the electron transport layer 121d and the electron injection layer 121e form the light emitting layer 121, Respectively.

그 다음, 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기 전자주입층(121e)을 포함한 백 플랜 기판(101) 전면에 제1 투명 도전막(123)을 증착한다. 이때, 상기 제1 투명 도전막(123)은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), WO3, MnO3과 같은 금속재료를 사용할 수도 있고, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 재료를 사용할 수도 있다. 상기 제1 투명 도전막(123)은 상기 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e) 때문에 상기 더미영역(DA)에 형성된 버스전극(117b)과 접촉되지 않게 된다.Next, as shown in FIG. 4I, a first transparent conductive film 123 is deposited on the entire surface of the back plan substrate 101 including the electron injection layer 121e. The first transparent conductive layer 123 may be formed of a metal material such as magnesium (Mg), aluminum (Al), calcium (Ca), WO 3 or MnO 3 , indium tin oxide (ITO) Indium Zinc Oxide) may also be used. The first transparent conductive film 123 is not brought into contact with the bus electrode 117b formed in the dummy region DA due to the electron transport layer 121d and the electron injection layer 121e.

이어서, 도 4j 및 4k에 도시된 바와 같이, 펀칭도구(125)를 이용한 펀칭 공정 (Punching process)을 실시하여 상기 버스전극(117b) 상부의 제1 투명 도전막 (123)과 그 아래의 전자수송층(121c) 및 전자주입층(121d) 그리고 버스전극(117b)을 차례로 펀칭하여 상기 버스전극(117b) 표면을 노출시키는 비아홀(131)을 형성한다. 이때, 상기 애노드전극(117a)은 그 하부면이 오버코트층(113)이기 때문에 펀칭 깊이에 대한 자유도를 갖는다. 이때, 상기 비아홀(131) 형성시에 별도의 마스크를 이용한 식각 공정 없이도 펀칭 공정을 통해 비아홀을 용이하게 형성할 수 있음으로써 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.4J and 4K, a punching process using a punching tool 125 is performed to form a first transparent conductive film 123 on the bus electrode 117b and an electron transport layer 123 thereunder, Hole 121 for exposing the surface of the bus electrode 117b is formed by sequentially punching the bus electrode 121c, the electron injection layer 121d and the bus electrode 117b. At this time, since the lower surface of the anode electrode 117a is the overcoat layer 113, the anode electrode 117a has a degree of freedom with respect to the punching depth. At this time, the via hole 131 can be easily formed through a punching process without using an additional mask for forming the via hole 131, thereby simplifying the manufacturing process.

그 다음, 도 4l에 도시된 바와 같이, 상기 비아홀(131)이 형성된 제1 투명 도전막(123) 상부에 제2 투명 도전막(133)을 증착하여 상기 비아홀(131)을 통해 상기 버스전극(117b)과 전기적으로 접촉되도록 한다. 상기 제2 투명 도전막(133)은 제1 투명 도전막(133)과 동일한 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), WO3, MnO3과 같은 금속재료를 사용할 수도 있고, ITO (Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 재료를 사용할 수도 있다. 이때, 상기 적층된 제1 투명 도전막(123) 및 제2 투명 도전막(133)은 캐소드 전극(140)을 이룬다. 4L, a second transparent conductive film 133 is deposited on the first transparent conductive film 123 on which the via hole 131 is formed, and the second transparent conductive film 133 is deposited on the bus electrode (not shown) through the via hole 131. Then, 117b. The second transparent conductive film 133 may be made of a metal material such as magnesium (Mg), aluminum (Al), calcium (Ca), WO 3 or MnO 3 , which is the same as the first transparent conductive film 133, (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) may be used. At this time, the first transparent conductive layer 123 and the second transparent conductive layer 133 constitute the cathode electrode 140.

이와 같이, 캐소드 전극(140)을 구성하는 제2 투명 도전막(133)을 비아홀 (131)을 통해 버스전극(117b)과 접촉하도록 함으로써 상기 캐소드 전극(140)의 면 저항이 감소하게 된다. 또한, 캐소드전극(140)의 제2 투명 도전막(133)과 버스전극 (117b)의 전기적 접촉으로 인해, 캐소드전극(133)의 면저항이 감소되므로 인해 캐소드전극(140)의 발열이 감소되어 유기전계발광장치(OLED)의 수명을 증가시킬 수 있다.The surface resistance of the cathode electrode 140 is reduced by making the second transparent conductive film 133 constituting the cathode electrode 140 contact with the bus electrode 117b through the via hole 131. [ The surface resistance of the cathode electrode 133 is reduced due to the electrical contact between the second transparent conductive film 133 and the bus electrode 117b of the cathode electrode 140. This reduces the heat generation of the cathode electrode 140, The lifetime of the electroluminescent device (OLED) can be increased.

이렇게 하여, 애노드 전극(117a)과 캐소드 전극(140)에 구동전압이 인가되면 정공수송층(121b)을 통과한 정공과 전자수송층(121d)을 통과한 전자가 유기층 (121c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(121)이 가시광을 발산하게 된다.When a drive voltage is applied to the anode electrode 117a and the cathode electrode 140, holes passing through the hole transport layer 121b and electrons passing through the electron transport layer 121d move to the organic layer 121c to form excitons And as a result, the light emitting layer 121 emits visible light.

이어서, 도 4m에 도시된 바와 같이, 상기 캐소드 전극(140)을 이루는 제2 투명 도전막(133)을 포함한 백 플랜 기판(101) 전면에 유기발광 다이오드(E)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하기 위해 봉지기판(135)을 형성함으로써, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치(100) 제조 공정을 완료한다. 4M, the organic light emitting diode E is sealed on the entire surface of the back plan substrate 101 including the second transparent conductive film 133 constituting the cathode electrode 140 from external factors such as moisture, The sealing substrate 135 is formed to complete the manufacturing process of the organic light emitting display device 100 according to the present invention.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광표시장치 제조방법은 픽셀을 구성하는 다수의 서브 픽셀 중 외곽에 위치하는 서브 픽셀과 인접하여 정의된 더미영역에 버스전극(bus electrode)을 형성하여 캐소드 전극과 전기적으로 접촉하도록 함으로써 캐소드 전극의 면저항을 감소시킬 수 있으며, 그로 인해 표시장치의 소비전력을 줄일 수 있다.As described above, in the method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention, a bus electrode is formed in a dummy region defined adjacently to a sub-pixel located outside of a plurality of sub- It is possible to reduce the sheet resistance of the cathode electrode by making it electrically contact, thereby reducing the power consumption of the display device.

또한, 본 발명은 캐소드전극의 제2 투명 도전막과 버스전극의 전기적 접촉으로 인해, 캐소드전극의 면저항이 감소되므로 인해 캐소드전극의 발열이 감소되어 유기전계발광장치(OLED)의 수명을 증가시킬 수 있다.In addition, since the sheet resistance of the cathode electrode is reduced due to electrical contact between the second transparent conductive film of the cathode electrode and the bus electrode, heat generation of the cathode electrode is reduced to increase the lifetime of the organic electroluminescent device OLED have.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사항이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 유기전계 발광표시장치 101: 백 플랜 기판
103: 게이트 전극 105: 게이트 절연막 107: 액티브층 109a: 소스전극 109b: 드레인 전극 112: 보호막
113: 오버코트층 115: 드레인 콘택홀 117a: 애노드전극 117b: 버스전극 119: 뱅크막 121a: 정공주입층
121b: 정공수송층 121c: 유기층
121d: 전자수송층 121e: 전자주입층
121: 발광층 123: 제1 투명 도전막
125: 펀칭도구 131: 비아홀
133: 제2 투명 도전막 135: 봉지기판
140: 캐소드 전극 100: organic electroluminescence display device 101: back plane substrate
103: gate electrode 105: gate insulating film 107: active layer 109a: source electrode 109b: drain electrode 112:
113: Overcoat layer 115: Drain contact hole 117a: Anode electrode 117b: Bus electrode 119: Bank film 121a: Hole injection layer
121b: hole transport layer 121c: organic layer
121d: electron transport layer 121e: electron injection layer
121: light emitting layer 123: first transparent conductive film
125: Punching tool 131: Via hole
133: second transparent conductive film 135: sealing substrate
140: cathode electrode

Claims (10)

복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서,
복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판;
상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층;
상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극;
상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극;
상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막;
상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 형성된 발광층;
상기 발광층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 버스전극을 노출시키는 제1 캐소드전극; 및
상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 유기전계 발광표시장치. An organic light emitting display device comprising a plurality of pixels,
A back plane substrate on which a plurality of pixel regions and a dummy region are defined;
A thin film transistor provided in a pixel region of the back plan substrate;
An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor;
An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor;
A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region;
A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode;
A light emitting layer formed on the anode electrode between the bank films;
A first cathode electrode formed on the back plane substrate including the light emitting layer, the first cathode electrode exposing the bus electrode; And
And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and in contact with the bus electrode. 제1 항에 있어서, 상기 버스전극은 애노드전극과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치. The organic light emitting display as claimed in claim 1, wherein the bus electrode is made of the same material as the anode electrode. 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서,
복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판;
상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층;
상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극;
상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극;
상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막;
상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 형성된 발광층;
상기 발광층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 구비한 제1 캐소드전극; 및
상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 비아홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 유기전계 발광표시장치. An organic light emitting display device comprising a plurality of pixels,
A back plane substrate on which a plurality of pixel regions and a dummy region are defined;
A thin film transistor provided in a pixel region of the back plan substrate;
An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor;
An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor;
A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region;
A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode;
A light emitting layer formed on the anode electrode between the bank films;
A first cathode electrode formed on the back plane substrate including the light emitting layer and having a via hole exposing the bus electrode; And
And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and contacting the bus electrode through the via hole. 제3 항에 있어서, 상기 버스전극은 상기 애노드전극과 동일 물질로 이루어진 것을 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치. The organic light emitting display as claimed in claim 3, wherein the bus electrode is made of the same material as the anode electrode. 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치에 있어서,
복수의 픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판;
상기 백 플랜 기판의 픽셀 영역에 구비된 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 노출시키는 오버코트층;
상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드전극;
상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 형성된 버스전극;
상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 형성된 뱅크막;
상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 적층된 정공주입층, 정공수송층 및 유기층;
상기 유기층, 뱅크막 및 버스전극을 포함한 상기 백 플랜 기판 전면에 적층된 전자수송층 및 전자주입층;
상기 전자주입층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 형성되고, 상기 전자주입층 및 전자수송층을 통해 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 구비한 제1 캐소드전극; 및
상기 제1 캐소드전극 상부에 형성되고, 상기 비아홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극;을 포함하여 구성되는 유기전계 발광표시장치. An organic light emitting display device comprising a plurality of pixels,
A back plane substrate on which a plurality of pixel regions and a dummy region are defined;
A thin film transistor provided in a pixel region of the back plan substrate;
An overcoat layer formed on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor and exposing a part of the thin film transistor;
An anode electrode formed on the overcoat layer of the pixel region and connected to the thin film transistor;
A bus electrode formed on the overcoat layer of the dummy region;
A bank film formed on the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode;
A hole injecting layer, a hole transporting layer, and an organic layer stacked on the anode electrode between the bank films;
An electron transport layer and an electron injection layer stacked on the entire surface of the back plan substrate including the organic layer, the bank film, and the bus electrode;
A first cathode electrode formed on a back plane substrate including the electron injection layer and having a via hole exposing the bus electrode through the electron injection layer and the electron transport layer; And
And a second cathode electrode formed on the first cathode electrode and contacting the bus electrode through the via hole. 제5 항에 있어서, 상기 버스전극은 상기 애노드전극과 동일 물질로 이루어진 것을 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치. The organic light emitting display as claimed in claim 5, wherein the bus electrode is made of the same material as the anode electrode. 제5 항에 있어서, 상기 비아홀은 상기 제1 캐소드전극은 물론 전자주입층, 전자정공층 및 버스전극에까지 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치. 6. The organic light emitting display as claimed in claim 5, wherein the via hole is formed to reach the electron injection layer, the electron hole layer, and the bus electrode as well as the first cathode electrode. 복수의 픽셀을 포함하는 유기전계 발광표시장치 제조방법에 있어서,
픽셀 영역과 더미 영역이 정의된 백 플랜 기판을 제공하는 단계;
상기 픽셀 영역의 백 플랜기판 상부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터를 포함한 백 플랜 기판 전면에 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트층에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀을 형성하는 단계;
상기 픽셀 영역의 오버코트층 상부에 상기 드레인 전극과 연결되는 애노드전극을 형성함과 동시에, 상기 더미 영역의 오버코트층 상부에 버스전극을 형성하는 단계;
상기 애노드전극 및 버스전극 사이의 오버코트층 상부에 뱅크막을 형성하는 단계;
상기 뱅크막 사이의 애노드전극 상부에 정공주입층, 정공수송층 및 유기물질층을 차례로 적층하는 단계;
상기 유기물질층과 뱅크막을 포함한 백 플랜 기판 전면에 전자수송층 및 전자주입층을 차례로 적층하는 단계;
상기 전자주입층을 포함한 백 플랜 기판 전면에 제1 캐소드전극층을 형성하는 단계;
상기 더미 영역 위의 제1 캐소드전극층, 그 하부의 전자주입층, 전자수송층 및 버스전극에 상기 버스전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계; 및
상기 제1 캐소드전극층을 포함한 백 플랜 기판 상부에 상기 비어홀을 통해 상기 버스전극과 접촉되는 제2 캐소드전극층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 유기전계 발광표시장치 제조방법. A method of manufacturing an organic light emitting display device including a plurality of pixels,
Providing a backplane substrate defining a pixel region and a dummy region;
Forming a thin film transistor on the back plan substrate of the pixel region;
Forming an overcoat layer on the entire surface of the back plane substrate including the thin film transistor;
Forming a drain contact hole exposing a drain electrode of the thin film transistor in the overcoat layer;
Forming an anode electrode connected to the drain electrode on the overcoat layer of the pixel region and forming a bus electrode on the overcoat layer of the dummy region;
Forming a bank film over the overcoat layer between the anode electrode and the bus electrode;
Depositing a hole injecting layer, a hole transporting layer, and an organic material layer in this order over the anode electrode between the bank films;
Stacking an electron transport layer and an electron injection layer on the entire surface of the back substrate including the organic material layer and the bank film;
Forming a first cathode electrode layer on the entire surface of the back plane substrate including the electron injection layer;
Forming a via hole for exposing the bus electrode to the first cathode electrode layer on the dummy region, the electron injection layer, the electron transport layer, and the bus electrode below the first cathode electrode layer; And
And forming a second cathode electrode layer in contact with the bus electrode through the via hole on the back plan substrate including the first cathode electrode layer. 제8 항에 있어서, 상기 버스전극은 애노드전극과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치 제조방법. 9. The method according to claim 8, wherein the bus electrode is made of the same material as the anode electrode. 제8 항에 있어서, 상기 비아홀을 형성하는 단계는 상기 더미 영역 위의 제1 캐소드 전극층, 그 하부의 전자주입층, 전자수송층 및 버스전극에 펀칭 공정을 실시함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치 제조방법. 9. The organic electroluminescent display device according to claim 8, wherein the step of forming the via hole is performed by performing a punching process on the first cathode electrode layer on the dummy region, the electron injection layer below the first cathode electrode layer, the electron transport layer, Device manufacturing method.
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