KR20160006537A - Thick film pattern structure and Method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a thick film pattern structure, provided to reduce the taper angle in a pattern edge area after all layers are stacked by gradually expanding the pattern width and stacking the same material layers, when forming a thick film pattern obtained by repeating a stacking process, and to a method for forming the same. The thin film pattern structure comprises: a thick film pattern coating layer having any one pattern width; and other thick film pattern coating layers which are orderly stacked on the thick film pattern coating layer as the size of the pattern width is gradually expanded in an edge area of the thick film pattern coating layer. In addition, the thick film pattern made up of the thick film pattern coating layers has a shape of a round cover covering the thick film pattern coating layer stacked in front thereof.

Description

후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법{Thick film pattern structure and Method for fabricating the same}Thick film pattern structure and method for fabricating the same

본 발명은 적층 공정을 반복하여 형성되는 후막 패턴에 관한 것으로, 구체적으로 패턴폭을 점차 확대시켜 동일 물질층을 적층하여 모든 층이 적층된 이후의 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thick film pattern formed by repeating a lamination process. More specifically, the present invention relates to a thick film pattern which is formed by laminating the same material layers to gradually increase the pattern width and reduce the taper angle in the pattern edge area after all layers are stacked Pattern structure and a method of forming the same.

최근, 터치 센서들은, 용량성 터치 센서들의 제작 기술이 가장 널리 이용되는 모바일 폰, PDA(personal digital assistant) 및 핸드헬드(handheld) 퍼스널 컴퓨터와 같은 여러 전자적 제품에서 널리 적용되고 있다.Recently, touch sensors have been widely applied in various electronic products such as mobile phones, personal digital assistants (PDAs), and handheld personal computers, where the fabrication technology of capacitive touch sensors is most widely used.

현재, 단일 유리 유형의 용량성 터치 센서의 구조가 터치 센서들에 대해 이용되는 주요 구조이다.Presently, the structure of a single glass type capacitive touch sensor is the main structure used for touch sensors.

종래 기술의 단일 유리 유형의 용량성 터치 센서들에 대해, 터치 감지 전극 층을 형성하기 위한 재료는 보통 산화 인듐 주석(ITO: indium tin oxide)이다.For capacitive touch sensors of the prior art single glass type, the material for forming the touch sensing electrode layer is usually indium tin oxide (ITO).

ITO 층은 스퍼터링에 의해 유리 기판상에 직접 형성된 다음 패터닝되어 터치 감지 전극 층의 패턴을 형성한다.The ITO layer is formed directly on the glass substrate by sputtering and then patterned to form a pattern of the touch sensing electrode layer.

터치 감지 전극 층의 패턴은 X축 감지 전극 패턴 및 Y축 감지 전극 패턴을 포함하는데, 이 패턴에서, 감지 전극 패턴의 일 축은 감지 전극 패턴의 또 다른 축을 가로지르는(across) 브릿지 구조(bridge structure)를 형성하기 위해 도전성 층을 이용한다.The pattern of the touch sensing electrode layer includes an X-axis sensing electrode pattern and a Y-axis sensing electrode pattern. In this pattern, one axis of the sensing electrode pattern is a bridge structure across another axis of the sensing electrode pattern, A conductive layer is used.

절연층은 X축 감지 전극 패턴을 Y축 감지 전극 패턴으로부터 전기적으로 절연시키기 위해 서로 십자로 교차하는(crisscross), X축 감지 전극 패턴 및 Y축 감지 전극 패턴의 위치에서 형성된다.The insulating layer is formed at positions of the X-axis sensing electrode pattern and the Y-axis sensing electrode pattern, which are crossed with each other to electrically isolate the X-axis sensing electrode pattern from the Y-axis sensing electrode pattern.

이와 같은 터치 센서는 도 1에서와 같이, 활성 영역(11)과 상기 활성 영역(11)의 테두리인 비활성 영역(12)으로 구획되는 투명기판(10)과, 투명기판(10) 일면에 형성되는 전극부를 포함한다.1, the touch sensor includes a transparent substrate 10 divided into an active region 11 and an inactive region 12, which is a rim of the active region 11, and a transparent substrate 10 formed on one surface of the transparent substrate 10 Electrode portion.

투명기판(10)은 터치 위치 검출을 위한 전극부가 형성되는 영역을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 투명기판(10)은 이러한 전극부를 지지할 수 있는 지지력과 화상표시장치에서 제공되는 화상을 사용자가 인식할 수 있도록 하는 투명성을 갖추어야 한다.The transparent substrate 10 may serve to provide a region where an electrode portion for touch position detection is formed. The transparent substrate 10 should have transparency so that the user can recognize the supporting force capable of supporting the electrode portion and the image provided by the image display device.

이와 같이 터치 센서는 활성 영역(11)과 이 활성 영역(11)의 테두리 영역인 비활성 영역(12)으로 구획될 수 있다.Thus, the touch sensor can be divided into the active area 11 and the inactive area 12, which is the edge area of the active area 11.

활성 영역(11)은 사용자에 의한 터치작용이 이루어지는 영역이며, 사용자가 기기의 동작 장면을 시각적으로 확인하는 화면 영역이다.The active area 11 is a region where a touch operation is performed by the user, and is a screen area in which a user visually confirms an operation scene of the device.

그리고 비활성 영역(12)은 투명기판(10)에 형성되는 베젤부에 의해 가려져 외부로 노출되지 않는 영역이다.The inactive region 12 is a region which is covered by the bezel portion formed on the transparent substrate 10 and is not exposed to the outside.

이와 같은 베젤부에는 활성 영역(11)의 주변부에 위치하는 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 일정 두께 이상으로 형성된다.In such a bezel portion, a shielding layer for shielding the backlight located at the periphery of the active region 11, a protective layer for protecting the lower pattern, and insulating layers for insulating the upper electrode lines do.

이와 같이 일정 두께 이상 형성되는 후막 패턴은 통상적으로 10 ~ 20㎛ 이상의 두께를 갖는 것으로, 한 번의 코팅 공정으로 형성되는 것이 아니고, 일정 두께 이상을 형성하기 위하여 반복 코팅 공정으로 원하는 두께의 후막 패턴을 형성한다.The thick film pattern formed over a predetermined thickness usually has a thickness of 10 to 20 占 퐉 or more and is not formed by a single coating process. Instead, a thick film pattern having a desired thickness is formed by a repeated coating process do.

그러나 도 2에서와 같이 후막 패턴을 형성하기 위하여 동일 패턴폭을 갖고 1,2,3번 이상 적층 코팅 공정을 진행하는데, 이 경우에는 후막 패턴의 테이퍼부(가)에서의 경사각이 20°이상이 되어 이후의 포토리소그래피 공정 등을 진행하는 경우에 (나) 부분에서와 같이 감광액의 흘러 내림 등의 문제가 발생한다.However, in order to form a thick film pattern, as shown in FIG. 2, a lamination coating process having the same pattern width is carried out 1,2,3 times or more. In this case, the inclination angle of the taper portion (A) When the subsequent photolithography process or the like is carried out, there arises a problem such as flowing down of the photosensitive liquid as in (B).

이와 같은 감광액의 흘러 내림에 의해 이후의 공정 진행에서 단선 및 패턴 불량의 문제를 발생시킨다.The flow of the photosensitive liquid causes a problem of disconnection and pattern defect in the subsequent process.

특히, 테이퍼부(가)에서의 큰 경사각에 의해 후막 패턴의 막 두께의 변화 및 패턴 폭의 변화에 의해 소자의 품질 불량을 야기하여 수율을 크게 저하시키는 문제가 있다.Particularly, there is a problem that the quality of the device is deteriorated by the change of the film thickness of the thick film pattern and the change of the pattern width due to the large inclination angle in the taper portion (A), and the yield is greatly lowered.

도 3은 이와 같은 종래 기술에서의 후막 패턴 형성 이후의 공정 진행시에 발생하는 단선 문제를 나타낸 것이다.FIG. 3 shows a problem of burning occurring during the process after the formation of the thick film pattern in the prior art.

따라서, 이와 같은 종래 기술의 후막 패턴 형성의 문제를 해결하기 위한 새로운 후막 패턴 구조 및 공정 방법의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for development of a new thick film pattern structure and a process method for solving the problem of forming the thick film pattern of the prior art.

한국 공개특허 제10-2008-0000736호Korean Patent Publication No. 10-2008-0000736

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 후막 패턴의 문제를 해결하기 위한 것으로, 패턴 폭을 점차 확대시켜 동일 물질층을 적층하여 모든 층이 적층된 이후의 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the problem of the conventional thick film pattern, the present invention provides a thick film structure in which a pattern width is gradually widened to laminate the same material layers to reduce a taper angle in a pattern edge area after all layers are stacked Pattern structure and a method of forming the same.

본 발명은 보호층 및 절연층으로 사용되는 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있도록 한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a thick film pattern structure which can reduce a taper angle in an edge region of a thick film pattern used as a protective layer and an insulating layer to solve problems of film thickness change, pattern width change, And a method for forming the same.

본 발명은 패턴 폭이 점차 확대되어 이전에 적층된 층이 덮어지도록 하는 라운드 커버 방식으로 코팅 공정을 진행하여 후막 패턴 상에서 이루어지는 포토리소그래피 공정시에 감광액이 흘러내리는 것을 억제한 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a thick film pattern structure in which a coating process is performed by a round cover method in which a pattern width is gradually widened to cover a previously laminated layer so as to suppress the flow of a photosensitive liquid during a photolithography process on a thick film pattern, The purpose is to provide.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후막 패턴 구조는 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 코팅층;상기 후막 패턴 코팅층 상에 패턴 폭의 크기가 후막 패턴 코팅층의 에지 영역에서 점차 확대되어 차례로 적층되는 다른 후막 패턴 코팅층들;을 포함하고,이들 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴이 앞에 적층된 후막 코팅층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the thick film pattern structure according to the present invention includes a thick film pattern coating layer having any one of a pattern width, a pattern width on the thick film pattern coating layer is gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern coating layer, And another thick film pattern coating layer, and has a round cover shape covering the thick film coating layer in which the thick film pattern composed of these thick film coating layers is stacked in front.

여기서, 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기는 동일하거나, 적층 될수록 확대되는 폭의 크기가 점차 작아지거나 점차 커지는 것을 특징으로 한다.Here, the size of the enlargement width gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern is the same or the size of the enlargement width becomes smaller or larger as the layer is laminated.

그리고 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 형성 두께는 동일하거나,적층 될수록 코팅되는 두께가 점차 증가되거나 감소되는 것을 특징으로 한다.The thickness of the thick film layers constituting the thick film pattern is the same or the thickness of the thicker layer is gradually increased or decreased as the layers are laminated.

그리고 후막 패턴은, 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 패턴 폭이 점차 확대되는 확대 폭의 크기를 변화시키는 것과 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 변화시키는 것을 조합하여 형성된 것을 특징으로 한다.The thick film pattern is formed by a combination of changing the magnitude of the enlargement width in which the pattern width of the thick film coating layers constituting the thick film pattern is gradually widened and changing the coating thickness of the material layer for forming the thick film pattern.

그리고 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각은 5 ~ 10°인 것을 특징으로 한다.And a taper angle in the edge region of the thick film pattern composed of the thick coating layers is 5 to 10 °.

그리고 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 한다.And the total thickness of the thick film pattern composed of the thick film coating layers is 30 to 35 mu m.

그리고 상기 후막 패턴의 라운드 커버 형상을 갖는 부분은 터치 센서의 베젤 영역에 위치한 것을 특징으로 한다.And a portion of the thick film pattern having a round cover shape is located in a bezel region of the touch sensor.

그리고 상기 후막 패턴은, 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The thick film pattern is one of a shielding layer for blocking backlight, a protective layer for protecting the lower pattern, and an insulating layer for insulating the upper electrode lines.

다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 후막 패턴의 형성 방법은 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 단계;패턴 폭의 크기가 점차 확대되는 마스크들을 순차적으로 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 반복하여 코팅하여 에지 영역에서 앞에 적층된 층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 후막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for forming a thick film pattern, comprising: coating a material for forming a thick film pattern using a mask having a pattern width; Forming a thick film pattern having a round cover shape covering the layer stacked in front of the edge region by repeatedly coating the thick film pattern forming material.

여기서, 후막 패턴이 라운드 커버 형상을 갖도록 확대되는 마스크의 패턴 폭의 확대 크기를 동일하게 하거나, 다르게 하는 것을 특징으로 한다.Here, the enlargement size of the pattern width of the mask that is enlarged so that the thick film pattern has the round cover shape is made the same or different.

그리고 상기 후막 패턴 형성용 물질을, 적층되는 각각의 코팅층의 두께가 동일하도록 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께가 달라지도록 코팅하는 것을 특징으로 한다.The thick film pattern forming material is coated such that the thickness of each of the coating layers to be laminated is the same or the thickness of each coating layer is changed.

그리고 점차 확대되는 패턴 폭 크기는, 후막 패턴 형성용 물질이 반복되어 코팅된 전체 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각이 5 ~ 10°가 되도록 하는 크기인 것을 특징으로 한다.The gradually enlarged pattern width size is such that the taper angle in the edge region of the entire thick film pattern in which the thick film pattern forming material is repeatedly coated is 5 to 10 °.

그리고 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 한다.And the total thickness of the thick film pattern is 30 to 35 mu m.

그리고 후막 패턴 형성용 물질은, 빛을 차단하기 위한 차폐층 형성용 물질, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층 형성용 물질, 전극 라인들과의 절연을 위한 절연 물질의 어느 하나인 것을 특징으로 한다.The thick film pattern forming material is one of a shielding layer forming material for blocking light, a protective layer forming material for protecting a lower pattern, and an insulating material for insulation with electrode lines.

이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법은 다음과 같은 효과를 갖는다.The thick film pattern structure and the method of forming the same according to the present invention have the following effects.

첫째, 모든 층이 적층된 이후의 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄일 수 있다.First, the taper angle in the edge region of the thick film pattern after all the layers are stacked can be reduced.

둘째, 패턴 폭이 점차 확대되는 라운드 커버 방식으로 후막 패턴을 형성하여 후막 패턴 상에서 이루어지는 포토리소그래피 공정시에 감광액이 흘러내리는 것을 억제한다.Second, a thick film pattern is formed by a round cover method in which the pattern width gradually increases, thereby suppressing the flow of the photoresist solution during the photolithography process on the thick film pattern.

셋째, 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있다.Third, the taper angle in the edge region of the thick film pattern can be reduced to solve problems such as film thickness change, pattern width change, and disconnection occurring during the subsequent process.

넷째, 후막 패턴의 테이퍼부에서의 경사각을 줄여 후막 패턴의 막 두께의 변화 및 패턴 폭의 변화를 억제하여 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
Fourth, the inclination angle in the tapered portion of the thick film pattern can be reduced to suppress the change of the film thickness and the pattern width of the thick film pattern, thereby improving the product yield.

도 1은 일반적인 터치 센서의 평면 구성도
도 2는 종래 기술의 후막 패턴 단면 구조를 나타낸 구성도
도 3은 종래 기술의 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시에 발생하는 단선 영역을 나타낸 단면 사진
도 4는 본 발명에 적용되는 일 예를 나타낸 터치 센서의 구성도
도 5는 본 발명에 따른 후막 패턴의 단면 구성도
도 6은 본 발명에 따른 후막 패턴 형성을 위한 공정 순서를 나타낸 플로우 차트
도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시의 단면 사진1 is a plan view of a general touch sensor
2 is a schematic view showing a sectional structure of a thick film pattern of the prior art
Fig. 3 is a cross-sectional view showing a disconnection area occurring at the time of formation of a thick film pattern of the prior art and progress of a subsequent process
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a touch sensor,
5 is a cross-sectional view of a thick film pattern according to the present invention
6 is a flowchart showing a process sequence for forming a thick film pattern according to the present invention
FIGS. 7A and 7B are cross-sectional photographs of a thick film pattern according to the present invention,

이하, 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법의 바람직한 실시 예에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the thick film pattern structure and the method of forming the same according to the present invention will be described in detail as follows.

본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법의 특징 및 이점들은 이하에서의 각 실시 예에 대한 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.The features and advantages of the thick film pattern structure and the method of forming the same according to the present invention will be apparent from the following detailed description of each embodiment.

도 4는 본 발명에 적용되는 일 예를 나타낸 터치 센서의 구성도이고, 도 5는 본 발명에 따른 후막 패턴의 단면 구성도이다.FIG. 4 is a configuration diagram of a touch sensor showing an example of application to the present invention, and FIG. 5 is a sectional view of a thick film pattern according to the present invention.

본 발명은 보호층 및 절연층으로 사용되는 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있도록 한 것으로, 후막 패턴을 형성하기 위한 반복 코팅 공정시에 패턴 폭이 점차 확대되는 라운드 커버 방식으로 후막 패턴을 형성하는 것이다.The present invention reduces the taper angle in the edge region of the thick film pattern used as the protective layer and the insulating layer, thereby solving the problems of film thickness change, pattern width change, The thick film pattern is formed by a round cover method in which the pattern width gradually increases in the repeated coating process for forming the pattern.

이하의 설명에서는 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법이 적용되는 일 예로 터치 센서를 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상이 적용되는 소자가 터치 센서로 제한되는 것이 아님은 명백하다.In the following description, a touch sensor is described as an example in which the thick film pattern structure and the method of forming the same according to the present invention are applied. However, it is apparent that the element to which the technical idea of the present invention is applied is not limited to a touch sensor.

즉, 반복 코팅 공정에 의해 후막 패턴을 형성하는 다른 모든 소자의 제조에 적용될 수 있다.That is, it can be applied to the manufacture of all other devices that form a thick film pattern by a repeated coating process.

본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법이 적용되는 일 예로 설명하는 터치 센서는 도 4에서와 같이, 전극부가 위치하는 활성 영역(11)과 이 활성 영역(11)의 테두리 영역인 비활성 영역(12)으로 구분된다.As shown in FIG. 4, the touch sensor according to an embodiment in which the thick film pattern structure and the method of forming the same according to the present invention is applied includes an active area 11 in which an electrode part is located and an inactive area 12).

비활성 영역(12)은 투명기판(10)에 형성되는 베젤부에 의해 가려져 외부로 노출되지 않는 영역으로, 베젤부에는 활성 영역(11)의 주변부에 위치하는 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 일정 두께 이상으로 형성된다.The non-active region 12 is a region not covered by the bezel portion formed on the transparent substrate 10 and is not exposed to the outside. The bezel portion includes a shielding layer for shielding the backlight located at the periphery of the active region 11, A protective layer for protecting the pattern, and insulating layers for insulation with the upper electrode lines are formed to have a certain thickness or more.

투명기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS;BOPS) 등으로 형성하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The transparent substrate 10 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), cyclic olefin polymer A polyimide (PI) film, polystyrene (PS), or biaxially oriented PS (BOPS) containing biaxially oriented polystyrene (PS) But is not limited thereto.

그리고 전극부는 투명기판(10)의 일면에 형성될 수 있다. 이때, 전극부는 투명기판(10)의 일면의 활성 영역(11)에 형성되는 전극 및 비활성 영역(12)에 형성되어 전극의 테두리와 연결되는 전극배선을 포함하여 이루어질 수 있다.The electrode portion may be formed on one surface of the transparent substrate 10. In this case, the electrode unit may include an electrode formed on the active area 11 on one side of the transparent substrate 10 and an electrode wiring formed on the inactive area 12 and connected to the edge of the electrode.

여기서, 터치센서의 전극부가 형성되는 부분이 투명기판(10)의 일면으로 반드시 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 투명기판(10)의 타면 또는 양면에 전극부가 형성될 수 있음은 물론이다.Here, the portion where the electrode portion of the touch sensor is formed is not necessarily limited to one surface of the transparent substrate 10, and it is needless to say that the electrode portion may be formed on the other surface or both surfaces of the transparent substrate 10, for example.

그리고 전극은 전도성 고분자 또는 금속 산화물로 이루어질 수 있다. The electrode may be made of a conductive polymer or a metal oxide.

전도성 고분자는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS), 폴리아닐린, 폴리아세틸렌 또는 폴리페닐렌비닐렌 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The conductive polymer may be composed of at least one of poly-3,4-ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), polyaniline, polyacetylene or polyphenylene vinylene.

또한, 금속 산화물은 인듐-주석 산화물(Indum-Thin Oxide)로 이루어질 수 있다.In addition, the metal oxide may be made of indium-tin oxide (Indium-Thin Oxide).

여기서, 전극이 전도성 고분자 또는 금속 산화물로 이루어지는 것으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 메시 패턴으로 형성된 금속 또는 은염유제층의 노광/현상하여 형성되는 금속 은으로 이루어질 수 있다.Here, the electrode is not limited to a conductive polymer or a metal oxide. For example, the electrode may be formed of a metal formed by exposure / development of a metal or silver salt emulsion layer formed in a mesh pattern.

또한, 전극배선은 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag),티타늄(Ti), 팔라듐(Pd) 또는 크롬(Cr) 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있지만, 여기에 한정되는 것은 아니다.The electrode wiring may be made of any one or more of, for example, copper (Cu), aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), titanium (Ti), palladium (Pd) , But is not limited thereto.

아울러, 전극은 건식 공정, 습식 공정 또는 다이렉트(direct) 패터닝 공정으로 형성할 수 있다.In addition, the electrode can be formed by a dry process, a wet process, or a direct patterning process.

여기서, 건식공정은 스퍼터링(Sputtering), 증착(Evaporation) 등을 의미하고, 습식 공정은 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 롤 코팅(Roll coating), 스프레이 코팅(Spray coating) 등을 의미하며, 다이렉트 패터닝 공정은 스크린 인쇄법(Screen Printing), 그라비아 인쇄법(Gravure Printing), 잉크젯 인쇄법(Inkjet Printing) 등을 의미하는 것이다.Here, the dry process refers to sputtering, evaporation and the like. The wet process includes dip coating, spin coating, roll coating, spray coating, etc. , And the direct patterning process refers to screen printing, gravure printing, inkjet printing, and the like.

도 4의 (다)(라)(마)(바) 영역은 활성 영역의 주변부에 위치하여 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층들이 주로 형성되는 영역을 나타낸 것이다.(C) (D) (D) (E) (F) region of FIG. 4 (E) is located at the periphery of the active region to shield the backlight and the protection layer for protecting the lower pattern, In which the insulating layers are mainly formed.

물론, 이들 영역 이외에서 후막 패턴이 형성되는 경우에도 본 발명에 따른 후막 패턴 구조가 적용될 수 있다.Of course, the thick film pattern structure according to the present invention can also be applied when a thick film pattern is formed outside these regions.

도 4의 (다)(라)(마)(바)의 어느 하나의 영역에서 형성되는 후막 패턴의 단면 구조는 도 5에서와 같다.The sectional structure of the thick film pattern formed in any one of (C), (D), (D), (E), and (F) of FIG. 4 is as shown in FIG.

본 발명에 따른 후막 패턴은 도 5에서와 같이, 제 1 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 1차 코팅층(50)과, 에지 영역에서 제 1 패턴 폭에서 일정 크기 확대된 제 2 패턴 폭을 갖고 후막 패턴 1차 코팅층(50)상에 형성되는 후막 패턴 2차 코팅층(51)과, 에지 영역에서 제 2 패턴 폭에서 일정 크기 확대된 제 3 패턴 폭을 갖고 후막 패턴 2차 코팅층(51)상에 형성되는 후막 패턴 3차 코팅층(52)을 포함한다.5, the thick film pattern according to the present invention includes a thick film pattern primary coating layer 50 having a first pattern width and a second pattern layer having a second pattern width expanded in a first pattern width by a predetermined magnitude in an edge region, A thick film pattern secondary coat layer 51 formed on the car coating layer 50 and a thick film pattern layer 51 formed on the thick film pattern secondary coat layer 51, And a patterned third coating layer 52.

여기서, 후막 패턴 구조를 후막 패턴용 형성 물질층을 1,2,3차 코팅 공정으로 형성하는 것을 일 예로 설명하였으나, 적층되는 코팅층 개수는 제한되지 않고 다르게 할 수 있다.Here, the thick film pattern structure is formed by forming the thick film pattern forming material layer by the first, second, and third coating processes, but the number of the stacked coating layers is not limited and may be different.

본 발명에서 라운드 커버 방식의 코팅은 도 5에서와 같이 이전 코팅된 코팅층을 일정 크기의 라운드를 갖고 덮는 형태로 코팅되는 것을 의미한다.In the present invention, the coating of the round cover type means that the previously coated coating layer is coated with a round of a predetermined size as shown in FIG.

그리고 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기 B,C는 동일한 것이 바람직하나, 확대되는 폭의 크기를 점차 작게(B > C)하거나, 점차 크게(B < C)할 수 있다.The widths B and C of the enlarged width gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern are preferably the same but the width of the enlarged width can be gradually decreased (B> C) or gradually (B <C).

그리고 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께 a,b,c는 동일한 것이 바람직하나, 코팅 두께를 점차 증가(a > b > c)시키거나, 코팅 두께를 점차 감소(a < b < c)시킬 수 있다.The coating thicknesses a, b, and c of the material layer for forming a thick film pattern are preferably the same, but it is preferable to gradually increase the coating thickness (a> b> c) .

다른 방법의 하나는 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기 및 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께 변화를 조합하여 후막 패턴 구조를 형성할 수도 있다.One of the other methods is to form a thick film pattern structure by combining the magnitude of the enlargement width gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern and the change in the coating thickness of the material layer for forming the thick film pattern.

이와 같은 공정으로 형성된 후막 패턴은 테이퍼 각도가 5 ~ 10°가 되어 이후의 공정에서 증착되는 물질(53)이 흘러내리는 것을 방지할 수 있다.The thick film pattern formed by such a process has a taper angle of 5 to 10 DEG, and it is possible to prevent the material 53 deposited in the subsequent process from flowing down.

예를 들어, 포토리소그래피 공정으로 패터닝을 하는 경우에 감광액이 흘러 내려 발생하는 패턴 폭의 감소 및 단선 등의 문제를 해결할 수 있다.For example, when the patterning is performed by the photolithography process, problems such as reduction in the pattern width caused by the flow of the photosensitive liquid and breakage can be solved.

또한, 요구되는 후막 패턴의 전체 두께가 10㎛ 이상의 두께를 갖는 경우에도 이후의 공정에서 문제가 발생하는 것을 억제하고, 후막 패턴의 전체 두께가 30 ~ 35㎛인 아주 두꺼운 경우에도 후막 패턴의 에지 부분의 테이퍼 각을 효과적으로 줄일 수 있다.Even when the total thickness of the thick film pattern required has a thickness of 10 占 퐉 or more, occurrence of problems in subsequent steps is suppressed, and even when the thick film pattern has a total thickness of 30 to 35 占 퐉, It is possible to effectively reduce the taper angle.

이와 같은 후막 패턴은 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나일 수 있다.The thick film pattern may be a shielding layer for blocking backlight, a protective layer for protecting the lower pattern, and an insulating layer for insulating the upper electrode lines.

차폐층의 경우에는 광 흡수 물질, 색보정 기능을 갖는 물질로 형성될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 차폐를 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.In the case of a shielding layer, it may be formed of a light absorbing material, a material having a color correcting function, but it is natural that it is possible to form a thick film pattern for shielding by using other materials without being limited to these materials.

그리고 보호층의 경우에는 하부의 패턴을 보호하기 위한 것으로, 유전체 박막 등이 사용될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 하부 패턴 보호를 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.In the case of a protective layer, a dielectric thin film or the like may be used for protecting the underlying pattern. However, it is natural that a thick film pattern for protecting a lower pattern can be formed by using other materials without being limited to these materials.

그리고 절연층은 산화막, 질화막 등의 물질로 형성될 수 있는데, 이들 물질로 제한되지 않고 다른 물질을 사용하여 절연을 위한 후막 패턴을 형성할 수 있음은 당연하다.The insulating layer may be formed of a material such as an oxide film or a nitride film. It is natural that a thick film pattern for insulation can be formed using other materials without being limited to these materials.

이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴은 여러 번 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 공정시에 패턴 폭을 다르게 하여 후막 패턴 에지 영역에서의 테이퍼 각을 줄여 이후의 공정에서 증착되는 물질이 흘러내리는 것을 방지할 수 있어 막 두께의 변화, 패턴 폭의 감소 및 단선 등의 발생을 방지한다.In the thick film pattern according to the present invention, the pattern width is varied in the process of coating the thick film pattern forming material several times to reduce the taper angle in the thick film pattern edge region, thereby preventing the deposited material from flowing down in a subsequent process Thereby preventing a change in the film thickness, a decrease in the pattern width and disconnection.

이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴의 형성을 위한 코팅 공정은 다음과 같이 이루어진다.The coating process for forming the thick film pattern according to the present invention is as follows.

도 6은 본 발명에 따른 후막 패턴 형성을 위한 공정 순서를 나타낸 플로우 차트이다.6 is a flowchart showing a process sequence for forming a thick film pattern according to the present invention.

먼저, 하부 패턴이 형성된 이후에(S601), 후막 패턴을 형성하기 위한 제 1 패턴 폭을 갖는 제 1 마스크를 정렬한다.(S602)First, after the lower pattern is formed (S601), the first mask having the first pattern width for forming the thick film pattern is aligned (S602)

그리고 정렬된 제 1 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 1차 코팅한다.(S603)Then, the thick film pattern forming material is primarily coated using the aligned first mask (S603)

이어, 후막 패턴 형성용 물질이 1차 코팅된 영역에 제 1 패턴 폭보다 에지 영역에서 패턴 폭이 확대된 제 2 마스크를 정렬한다.(S604)Subsequently, a second mask having a pattern width expanded in an edge region of the first pattern width is aligned with the first coating region of the thick film pattern forming material (S604)

그리고 정렬된 제 2 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 2차 코팅하여 1차 코팅된 물질층을 라운드 커버 형태로 덮도록 형성한다.(S605)Then, the thick film pattern forming material is secondarily coated using the aligned second mask so that the first coated material layer is formed in a round cover shape (S605).

이어, 후막 패턴 형성용 물질이 1,2차 코팅된 영역에 제 2 패턴 폭보다 에지 영역에서 패턴 폭이 확대된 제 3 마스크를 정렬한다.(S606)Then, a third mask having an expanded pattern width in an edge region than the second pattern width is aligned with the first and second regions coated with the thick film pattern forming material (S606)

그리고 제 3 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 3차 코팅하여 1,2차 코팅된 물질층을 라운드 커버 형태로 덮도록 하여 후막 패턴을 형성한다.(S607)Then, the thick film pattern forming material is thirdly coated using the third mask to cover the first and second coated material layers in a round cover shape to form a thick film pattern (S607).

여기서, 후막 패턴을 형성하기 위하여 후막 패턴용 형성 물질층을 1,2,3차 코팅 공정으로 형성하는 것을 일 예로 설명하였으나, 코팅 공정의 횟수는 제한되지 않고 다르게 할 수 있다.Here, the formation of the thick film pattern forming material layer is performed by the first, second, and third coating processes to form the thick film pattern, but the number of the coating processes is not limited and may be different.

그리고 마찬가지로 이와 같은 공정이 적용되는 본 발명에 따른 후막 패턴은 백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층 및 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나일 수 있다.Similarly, the thick film pattern according to the present invention to which such a process is applied may be any one of a shielding layer for shielding the backlight and a protective layer for protecting the lower pattern and an insulating layer for insulating the upper electrode lines .

그리고 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 제 1,2,3 마스크의 확대 폭의 크기는 동일하거나, 다르게 할 수 있다.The enlargement widths of the first, second, and third masks that are gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern may be the same or different.

그리고 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 동일한 두께로 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께를 다르게 하여 형성할 수도 있다.And the coating thickness of the material layer for forming the thick film pattern may be coated with the same thickness, or the thickness of each coating layer may be different.

그리고 후막 패턴용 형성 물질층을 코팅하는 방식은 딥 코팅(Dip coating), 스핀 코팅(Spin coating), 롤 코팅(Roll coating), 스프레이 코팅(Spray coating) 등이 사용될 수 있고, 이들 방법으로 제한되지 않고 다른 적층 방법을 사용할 수도 있다.Dip coating, spin coating, roll coating, spray coating, or the like may be used for coating the forming material layer for a thick film pattern, But other lamination methods may be used.

이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 형성 방법에 의한 후막 패턴은 10㎛ 이상의 후막 패턴을 형성하는 경우에 점차 패턴 폭을 확대시켜 적층하는 라운드 커버 코팅 방식으로 형성하여 이후의 전극 형성을 위한 포토리소그래피 공정시 전극 및 보호층의 단선 및 벗겨짐에 의한 품질 불량 및 외관 불량을 방지한다.The thick film pattern formed by the thick film pattern structure and the forming method according to the present invention may be formed by a round cover coating method in which the pattern width gradually increases in the case of forming a thick film pattern of 10 탆 or more, Thereby preventing defective quality and defective appearance due to disconnection and peeling of the electrode and the protective layer in the process.

도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 후막 패턴 형성 및 이후의 공정 진행시의 단면 사진이다.FIGS. 7A and 7B are cross-sectional photographs of the thick film pattern according to the present invention and the subsequent processes. FIG.

그리고 여러 가지 코팅 방식 및 후막/박막 패턴이 혼재하는 공정의 경우에 두께가 두꺼워 발생하는 패턴의 단선 및 적층 패턴의 끊어짐 문제를 해결할 수 있다.Also, in the case of various coating methods and thick film / thin film pattern mixed processes, it is possible to solve the problem of disconnection of a pattern which is generated due to a thick thickness and breakage of a laminated pattern.

이와 같은 본 발명에 따른 후막 패턴 구조 및 그의 형성 방법은 후막 패턴을 형성하기 위한 반복 코팅 공정시에 패턴 폭이 확대되는 라운드 커버 코팅 방식으로 후막 패턴을 형성하여 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각도를 줄여 이후의 공정 진행시에 발생하는 막 두께 변화, 패턴 폭 변화 및 단선 등의 발생을 억제한다.The thick film pattern structure and method for forming the thick film pattern according to the present invention are characterized in that a thick film pattern is formed by a round cover coating method in which a pattern width is enlarged during a repeated coating process for forming a thick film pattern, Thereby suppressing the occurrence of film thickness change, pattern width change, disconnection, and the like that occur during the subsequent process.

이상에서의 설명에서와 같이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 본 발명이 구현되어 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it will be understood that the present invention is implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

그러므로 명시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구 범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.It is therefore to be understood that the specified embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense and that the scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description and that all such differences falling within the scope of equivalents are intended to be embraced therein It should be interpreted.

50. 후막 패턴 1차 코팅층 51. 후막 패턴 2차 코팅층
52. 후막 패턴 3차 코팅층50. Thick-film pattern primary coating layer 51. Thick-film pattern Secondary coating layer
52. Thick-film pattern Third coating layer

Claims (14)

어느 하나의 패턴 폭을 갖는 후막 패턴 코팅층;
상기 후막 패턴 코팅층 상에 패턴 폭의 크기가 후막 패턴 코팅층의 에지 영역에서 점차 확대되어 차례로 적층되는 다른 후막 패턴 코팅층들;을 포함하고,
이들 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴이 앞에 적층된 후막 코팅층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.A thick film pattern coating layer having any one of pattern widths;
And other thick film pattern coating layers on the thick film pattern coating layer in which the pattern width is gradually enlarged in the edge region of the thick film pattern coating layer,
And a thick-film pattern formed of the thick-film coating layers has a round cover shape covering the thick-film coating layer stacked in front of the thick-film pattern. 제 1 항에 있어서, 후막 패턴의 에지 영역에서 점차 확대되는 확대 폭의 크기는 동일하거나,
적층 될수록 확대되는 폭의 크기가 점차 작아지거나 점차 커지는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The method according to claim 1, wherein the size of the enlarged width gradually enlarged in the edge area of the thick film pattern is the same,
And the size of the enlarged width gradually becomes smaller or becomes larger as the layer is stacked. 제 1 항에 있어서, 후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 형성 두께는 동일하거나,
적층 될수록 코팅되는 두께가 점차 증가되거나 감소되는 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The method according to claim 1, wherein the thick film coating layers constituting the thick film pattern have the same thickness,
And the thickness of the coating is gradually increased or decreased as the layer is laminated. 제 1 항에 있어서, 후막 패턴은,
후막 패턴을 구성하는 후막 코팅층들의 패턴 폭이 점차 확대되는 확대 폭의 크기를 변화시키는 것과 후막 패턴 형성을 위한 물질층의 코팅 두께를 변화시키는 것을 조합하여 형성된 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the thick film coating layers constituting the thick film pattern is changed by varying the magnitude of the enlargement width, and the thickness of the material layer is changed to form a thick film pattern. 제 1 항에 있어서, 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각은 5 ~ 10°인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The thick film pattern structure according to claim 1, wherein a taper angle in an edge region of the thick film pattern composed of the thick film coating layers is 5 to 10 degrees. 제 1 항에 있어서, 후막 코팅층들로 이루어진 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The thick film pattern structure according to claim 1, wherein the thick film pattern formed of the thick film coating layers has a total thickness of 30 to 35 mu m. 제 1 항에 있어서, 상기 후막 패턴의 라운드 커버 형상을 갖는 부분은 터치 센서의 베젤 영역에 위치한 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The thick film pattern structure according to claim 1, wherein a portion of the thick film pattern having a round cover shape is located in a bezel region of the touch sensor. 제 7 항에 있어서, 상기 후막 패턴은,
백라이트 빛을 차단하기 위한 차폐층, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층, 상부 전극 라인들과의 절연을 위한 절연층의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후막 패턴 구조.The method as claimed in claim 7,
A shielding layer for blocking backlight, a protective layer for protecting the lower pattern, and an insulating layer for insulating the upper electrode lines. 어느 하나의 패턴 폭을 갖는 마스크를 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 코팅하는 단계;
패턴 폭의 크기가 점차 확대되는 마스크들을 순차적으로 이용하여 후막 패턴 형성용 물질을 반복하여 코팅하여 에지 영역에서 앞에 적층된 층을 덮는 라운드 커버 형상을 갖는 후막 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.Coating a material for forming a thick film pattern using a mask having any one of the pattern widths;
Forming a thick film pattern having a round cover shape covering the layer stacked in front of the edge region by repeatedly coating the thick film pattern forming material by sequentially using masks whose pattern widths gradually increase in size To form a thick film pattern. 제 9 항에 있어서, 후막 패턴이 라운드 커버 형상을 갖도록 확대되는 마스크의 패턴 폭의 확대 크기를 동일하게 하거나, 다르게 하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.The method of forming a thick film pattern according to claim 9, wherein the enlarged size of the pattern width of the mask that is enlarged so that the thick film pattern has a round cover shape is made the same or different. 제 9 항에 있어서, 상기 후막 패턴 형성용 물질을,
적층되는 각각의 코팅층의 두께가 동일하도록 코팅하거나, 각각의 코팅층의 두께가 달라지도록 코팅하는 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.10. The method according to claim 9,
Wherein the thickness of each coating layer to be laminated is the same or the thickness of each coating layer is changed. 제 9 항에 있어서, 점차 확대되는 패턴 폭 크기는,
후막 패턴 형성용 물질이 반복되어 코팅된 전체 후막 패턴의 에지 영역에서의 테이퍼 각이 5 ~ 10°가 되도록 하는 크기인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the thickness of the thick film pattern is such that the taper angle in the edge region of the entire thick film pattern in which the thick film pattern forming material is repeatedly coated is 5 to 10 °. 제 9 항에 있어서, 후막 패턴의 전체 두께는 30 ~ 35㎛인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.10. The method according to claim 9, wherein the thick film pattern has a total thickness of 30 to 35 mu m. 제 9 항에 있어서, 후막 패턴 형성용 물질은,
빛을 차단하기 위한 차폐층 형성용 물질, 하부 패턴을 보호하기 위한 보호층 형성용 물질, 전극 라인들과의 절연을 위한 절연 물질의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 후막 패턴의 형성 방법.
The method according to claim 9,
A material for forming a shielding layer for shielding light, a material for forming a protective layer for protecting the lower pattern, and an insulating material for insulating the electrode lines from each other.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195513A (en) * 2001-09-07 2003-07-09 Canon Inc Manufacturing method for patterned member, electron source, and manufacturing method for image display device
KR20060048762A (en) * 2004-06-30 2006-05-18 캐논 가부시끼가이샤 Method of manufacturing thick dielectric pattern and method of manufacturing image displaying apparatus
KR20080000736A (en) 2006-06-28 2008-01-03 한국전기연구원 Apparatus for deposition composition gradient multi - thin film and fabricating method
KR20130135051A (en) * 2012-05-30 2013-12-10 주식회사 엘지화학 Photoresist resin composition and touch panel or display device comprising bezel pattern manufactured by using the photoresist resin composition

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6368696B1 (en) * 1997-04-09 2002-04-09 Dai Nippon Printing Co. Patterned thick laminated film forming method and transfer sheet
DE60134644D1 (en) * 2000-06-30 2008-08-14 Du Pont METHOD FOR FORMING THICK-FILM SWITCHING PATTERNS
JP4213366B2 (en) * 2001-06-12 2009-01-21 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 Method for forming thick film resist pattern

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003195513A (en) * 2001-09-07 2003-07-09 Canon Inc Manufacturing method for patterned member, electron source, and manufacturing method for image display device
KR20060048762A (en) * 2004-06-30 2006-05-18 캐논 가부시끼가이샤 Method of manufacturing thick dielectric pattern and method of manufacturing image displaying apparatus
KR20080000736A (en) 2006-06-28 2008-01-03 한국전기연구원 Apparatus for deposition composition gradient multi - thin film and fabricating method
KR20130135051A (en) * 2012-05-30 2013-12-10 주식회사 엘지화학 Photoresist resin composition and touch panel or display device comprising bezel pattern manufactured by using the photoresist resin composition

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