KR20150143640A - Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut-off filter and production method using same, and camera module and method for producing same - Google Patents

Near-infrared-absorbing composition, near-infrared cut-off filter and production method using same, and camera module and method for producing same Download PDF

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KR20150143640A
KR20150143640A KR1020157032252A KR20157032252A KR20150143640A KR 20150143640 A KR20150143640 A KR 20150143640A KR 1020157032252 A KR1020157032252 A KR 1020157032252A KR 20157032252 A KR20157032252 A KR 20157032252A KR 20150143640 A KR20150143640 A KR 20150143640A
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타카시 카와시마
세이이치 히토미
히데노리 타카하시
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성 가능한 근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 그리고 카메라 모듈 및 그 제조 방법을 제공한다. 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.A near infrared ray absorbing composition capable of forming a cured film having excellent heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property, a near infrared ray shielding filter using the same, a camera module, and a manufacturing method thereof. A compound obtained by a reaction of a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and an acid group or a salt thereof with a copper component.

Description

근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 그리고 카메라 모듈 및 그 제조 방법{NEAR-INFRARED-ABSORBING COMPOSITION, NEAR-INFRARED CUT-OFF FILTER AND PRODUCTION METHOD USING SAME, AND CAMERA MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a near infrared ray absorbent composition, a near infrared ray absorbing composition using the same, a manufacturing method thereof, and a camera module and a manufacturing method thereof. }

본 발명은, 근적외선 흡수성 조성물, 이를 이용한 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 그리고 카메라 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a near-infrared light absorbing composition, a near-infrared ray blocking filter using the same, a method of manufacturing the same, a camera module, and a manufacturing method thereof.

비디오 카메라, 디지털 스틸 카메라, 카메라 기능이 있는 휴대전화 등에는 컬러 화상의 고체 촬상 소자인 CCD나 CMOS 이미지 센서가 이용되고 있다. 고체 촬상 소자는 그 수광부에 있어서 근적외선에 감도를 갖는 실리콘 포토다이오드를 사용하고 있기 때문에, 시감도 보정을 행하는 것이 필요하여, 근적외선 차단 필터(이하, IR 차단 필터라고도 함)를 이용하는 경우가 많다.2. Description of the Related Art A CCD or CMOS image sensor, which is a solid-state image pickup device for a color image, is used for a video camera, a digital still camera, or a mobile phone having a camera function. Since the solid-state image pickup device uses a silicon photodiode having sensitivity to near-infrared rays in the light-receiving portion, it is necessary to perform visibility correction, and a near-infrared cutoff filter (hereinafter also referred to as an IR cutoff filter) is often used.

근적외선 차단 필터의 재료로서, 특허문헌 1에는, (메트)아크릴아마이드와 인산과의 반응물 또는 그 가수분해물과, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과의 공중합체에, 금속 화합물을 첨가하여 이루어지는 적외선 차단성 수지를 포함하는 적외선 차단성 필름이 개시되어 있다.As a material of the near-infrared ray cut filter, Patent Document 1 discloses a material for infrared blocking property which is obtained by adding a metal compound to a copolymer of a reaction product of (meth) acrylamide and phosphoric acid or a hydrolyzate thereof and a compound having an ethylenic unsaturated bond Discloses an infrared shielding film comprising a resin.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2010-134457호Patent Document 1: JP-A-2010-134457

여기에서, 상기 특허문헌 1에 개시된 적외선 차단성 수지를 검토한 바, 내열성이 불충분하다는 것을 알 수 있었다.Here, when examining the infrared blocking resin disclosed in Patent Document 1, it was found that the heat resistance is insufficient.

본 발명은, 이러한 과제를 해결하는 것으로서, 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성 가능한 근적외선 흡수성 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a near infrared absorbing composition capable of forming a cured film excellent in heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property.

본 발명자가 예의검토를 행한 결과, 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및 방향족 헤테로환기 중 적어도 한쪽을 갖고, 또한 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 채용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 구체적으로는, 이하의 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는, <2> 내지 <17>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.As a result of intensive studies conducted by the present inventors, it has been found that by employing a compound obtained by reacting a polymer (A1) having at least one of an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group in its main chain with an acid group or a salt thereof and a copper component, I found that I could solve the problem. Concretely, the above problem is solved by the following means <1>, preferably by <2> to <17>.

<1> 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.<1> A near infrared ray absorbing composition comprising a compound obtained by reacting a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and an acid group or a salt thereof with a copper component.

<2> 중합체 (A1)이, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, <1>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물;<2> The near infrared absorbing composition according to <1>, wherein the polymer (A1) comprises a constitutional unit represented by the following formula (A1-1);

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (A1-1) 중, Ar1은 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 나타내고, Y1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, X1은 산기 또는 그 염을 나타낸다.In the formula (A1-1), Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group, Y 1 represents a single bond or a divalent linking group, and X 1 represents an acid group or a salt thereof.

<3> 중합체 (A1)이, 하기 식 (A1-2)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, <1> 또는 <2>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물;<3> The near infrared absorbing composition according to <1> or <2>, wherein the polymer (A1) comprises a constitutional unit represented by the following formula (A1-2)

[화학식 2](2)

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (A1-2) 중, Ar2는 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 나타내고, Y2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, X2는 산기 또는 그 염을 나타내고, Y3은 단결합, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -C(=O)O-, -O-C(=O)O-, -P(=O)R0-, -CR1R2- 또는 -C(=O)NR3-을 나타낸다; R0은 수소 원자, 탄화 수소기, 또는 하이드록실기를 나타낸다; R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다; R3은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다.Formula (A1-2) of, Ar 2 represents an aromatic hydrocarbon group and / or aromatic heterocyclic group, Y 2 denotes a single bond or a divalent connecting group, X 2 represents an acid group or a salt thereof, Y 3 represents a single bond, -O-, -S-, -SO 2 - , -CO-, -C (= O) O-, -OC (= O) O-, -P (= O) R 0 -, -CR 1 R 2 - or -C (= O) NR 3 -; R 0 represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group, or a hydroxyl group; R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group; R 3 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group.

<4> 2가의 연결기가, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -S-, -C(=O)-, -C(=O)O-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 나타내는, <2> 또는 <3>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.The divalent linking group may be a linear, branched or cyclic alkylene group, an arylene group, -O-, -S-, -C (= O) -, -C (= O) O-, The near infrared absorbing composition according to < 2 > or < 3 >

<5> 산기 또는 그 염이, 카복실산기 및 그 염, 인산기 및 그 염, 포스폰산 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 선택되는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<5> The method according to any one of <1> to <4>, wherein the acid group or its salt is selected from at least one member selected from a carboxylic acid group and a salt thereof, a phosphoric acid group and a salt thereof, a phosphonic acid and a salt thereof, Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt;

<6> 산기 또는 그 염이, 카복실산기 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 선택되는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<6> The near infrared ray absorbing composition according to any one of <1> to <5>, wherein the acid group or a salt thereof is selected from at least one selected from a carboxylic acid group and a salt thereof, and a sulfonic acid group and a salt thereof.

<7> 중합체 (A1)의 중량 평균 분자량이 1000~1000만인, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<7> The near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <6>, wherein the polymer (A1) has a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000.

<8> 추가로 물을 함유하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<8> The near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <7>, further containing water.

<9> 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 이온을 함유하는 중합체 (A2)의 산기 이온 부위를 배위자로 하는 구리 착체를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.<9> A near-infrared absorbing composition comprising a copper complex having an acid group ion site of a polymer (A2) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and containing an acid group ion as a ligand.

<10> 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1) 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 화합물과,&Lt; 10 > A polymer obtained by reacting a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain with an acid group or a salt thereof and a copper component,

산기 또는 그 염을 함유하는 저분자 화합물 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 구리 착체A low molecular weight compound containing an acid group or a salt thereof and a copper complex obtained by a reaction of a copper component

를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.Absorbent composition.

<11> 저분자 화합물의 분자량이 1000 이하인, <10>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<11> The near infrared absorbing composition according to <10>, wherein the molecular weight of the low molecular weight compound is 1000 or less.

<12> 저분자 화합물이 설폰산기, 카복실산기 및 인 원자를 함유하는 산기 중 적어도 하나를 포함하는, <10> 또는 <11>에 기재된 근적외선 흡수성 조성물.<12> The near infrared absorbing composition according to <10> or <11>, wherein the low molecular compound comprises at least one of a sulfonic acid group, a carboxylic acid group and an acid group containing a phosphorus atom.

<13> <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 얻어진 근적외선 차단 필터.<13> A near infrared ray blocking filter obtained by using the near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <12>.

<14> 200℃에서 5분간 가열한 전후에 있어서의, 하기 식으로 구해지는 흡광도비의 변화율이 모두 5% 이하인, <13>에 기재된 근적외선 차단 필터.<14> The near infrared ray blocking filter according to <13>, wherein a rate of change in absorbance ratio obtained by the following equation before and after heating at 200 ° C for 5 minutes is 5% or less.

[(가열 전에 있어서의 흡광도비-가열 후에 있어서의 흡광도비)/가열 전에 있어서의 흡광도비][(Absorbance ratio before heating - Absorbance ratio after heating) / Absorbance ratio before heating]

여기에서, 흡광도비란, 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도를 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도로 나눈 값을 말한다.Here, the term "absorbance ratio" refers to a value obtained by dividing the maximum absorbance at a wavelength of 700 to 1400 nm by the minimum absorbance at a wavelength of 400 to 700 nm.

<15> 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, <1> 내지 <12> 중 어느 한 항에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 막을 형성하는 공정을 포함하는, 근적외선 차단 필터의 제조 방법.<15> A method for manufacturing a near-infrared light blocking filter, comprising the step of forming a film on the light receiving side of a solid-state imaging element substrate by applying the near infrared absorbing composition according to any one of <1> to <12>.

<16> 고체 촬상 소자 기판과, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖고, 근적외선 차단 필터가 <13> 또는 <14>에 기재된 근적외선 차단 필터인, 카메라 모듈.<16> A camera module having a solid-state imaging element substrate and a near-infrared ray blocking filter disposed on a light receiving side of the solid-state imaging element substrate, wherein the near-infrared ray blocking filter is a near-infrared ray blocking filter described in <13> or <14>.

<17> 고체 촬상 소자 기판과, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖는 카메라 모듈의 제조 방법으로서, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, 청구항 1 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 막을 형성하는 공정을 포함하는, 카메라 모듈의 제조 방법.A manufacturing method of a camera module having a solid-state imaging element substrate and a near-infrared cut-off filter disposed on a light-receiving side of the solid-state imaging element substrate is characterized in that, on the light-receiving side of the solid-state imaging element substrate, And a step of forming a film by applying the near infrared absorbing composition described in the first aspect of the present invention.

본 발명에 의하면, 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 제공하는 것이 가능해졌다.According to the present invention, it becomes possible to provide a cured film excellent in heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property.

도 1은 본 발명에 있어서의 중합체 (A2)와 구리 이온을 함유하는 화합물의 일례를 나타내는 이미지 도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 관한 고체 촬상 소자를 구비한 카메라 모듈의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 관한 고체 촬상 소자 기판의 개략 단면도이다.
1 is an image diagram showing an example of a compound containing a polymer (A2) and a copper ion in the present invention.
2 is a schematic sectional view showing a configuration of a camera module including a solid-state image pickup device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a solid-state imaging element substrate according to an embodiment of the present invention.

이하에 있어서, 본 발명의 내용에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail.

본 명세서에 있어서 "~"란 그 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로 하여 포함하는 의미로 사용된다.In the present specification, "~" is used to mean that the numerical values described before and after the lower limit and the upper limit are included.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acryl" refers to acrylic and methacryl, "(meth) acryloyl" Represents &lt; / RTI &gt;

본 명세서에 있어서, "단량체"와 "모노머"는 동의이며, 또한 "중합체"와 "폴리머"는 동의이다.As used herein, "monomer" and "monomer" are synonyms, and "polymer" and "polymer" are synonyms.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent.

본 발명에 있어서의 근적외선이란, 극대 흡수 파장 영역이 700~2500nm, 특히 700~1000nm를 말한다.The near infrared ray in the present invention means the maximum absorption wavelength region of 700 to 2500 nm, particularly 700 to 1000 nm.

본 발명에 있어서의 근적외선 흡수성이란, 근적외선 영역에 극대 흡수 파장을 갖는 것을 말한다.The near infrared ray absorbency in the present invention means that the near infrared ray region has the maximum absorption wavelength.

본 발명에 있어서의 중합체의 주쇄란, 중합체의 골격(장쇄)을 형성하는 데에 필요한 원자 또는 원자단을 말하며, 상기 골격의 일부 또는 전부가 환상의 기(예를 들면 아릴기)인 경우, 이 환상의 기도 주쇄의 일부로 한다. 또, 이 주쇄에 직접 결합한 원자도, 주쇄의 일부로 한다. 본 발명에 있어서의 중합체의 측쇄란, 주쇄 이외의 부분을 말한다. 단, 주쇄에 직접 결합한 관능기(예를 들면, 후술하는 산기 또는 그 염)도 측쇄로 한다.The main chain of the polymer in the present invention refers to an atom or an atomic group necessary for forming a skeleton (long chain) of a polymer. When a part or the whole of the skeleton is a cyclic group (for example, an aryl group) As part of the prayer chain. The atom directly bonded to the main chain is also part of the main chain. The side chain of the polymer in the present invention refers to a portion other than the main chain. However, the side chain is also a functional group directly bonded to the main chain (for example, an acid group or salt thereof described later).

<본 발명의 근적외선 흡수성 조성물><Near infrared absorptive composition of the present invention>

본 발명의 제1 근적외선 흡수성 조성물은, 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The first near infrared absorbing composition of the present invention is characterized by comprising a compound obtained by reacting a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and an acid group or a salt thereof with a copper component do.

또, 본 발명의 제2 근적외선 흡수성 조성물은, 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1) 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 화합물과, 산기 또는 그 염을 함유하는 저분자 화합물 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 구리 착체를 포함하는 것을 특징으로 한다.The second near IR absorptive composition of the present invention is a composition comprising a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and having an acid group or a salt thereof and a compound obtained by the reaction of a copper component, A low molecular weight compound containing a salt and a copper complex obtained by a reaction of a copper component.

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 함유하기 때문에, 경화막으로 했을 때에 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다. 이 이유는 추정이지만, 이하와 같이 생각된다.Since the near infrared absorbing composition of the present invention contains a compound obtained by the reaction of the polymer (A1) with a copper component, a cured film having excellent heat resistance can be formed while maintaining a high near infrared ray shielding property as a cured film. This reason is presumed, but is considered as follows.

중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물은, 예를 들면 산기 이온을 포함하는 중합체 (A2) 및 구리 이온을 함유하는 화합물이며, 바람직한 양태는, 중합체 (A2) 중의 산기 이온 부위를 배위자로 하는 구리 착체이다. 도 1은, 산기 이온을 포함하는 중합체 (A2) 및 구리 이온을 함유하는 화합물의 일례를 나타내는 이미지 도로서, 1은 산기 이온을 포함하는 중합체 (A2) 및 구리 이온을 함유하는 화합물을, 2는 구리 이온을, 3은 중합체 (A2)의 주쇄를, 4는 중합체 (A2)의 측쇄를, 5는 산기 또는 그 염에 유래하는 산기 이온 부위를 각각 나타내고 있다. 본 발명에서는, 산기 이온 부위(5)가 구리 이온(2)에 결합(예를 들면, 배위 결합)하여, 구리를 기점으로 하여, 중합체 (A2)의 측쇄(4) 사이에 가교 구조를 형성한다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 가열해도, 화합물(1)의 구조가 붕괴되기 어렵고, 결과적으로, 내열성이 우수한 경화막이 얻어진다고 추정된다. 중합체 (A2)는, 그 주쇄(3)에 방향족 탄화 수소기 및 방향족 헤테로환기 중 적어도 한쪽을 가지기 때문에, 또한 내열성이 보다 우수한 경화막이 얻어진다.The compound obtained by the reaction of the polymer (A1) with the copper component is, for example, a polymer (A2) containing an acid group ion and a compound containing a copper ion. In a preferred embodiment, . &Lt; / RTI &gt; 1 is an image showing an example of a polymer (A2) containing an acid group ion and a compound containing a copper ion, wherein 1 denotes a polymer (A2) containing an acid group ion and a compound containing a copper ion, 2 3 represents a main chain of the polymer (A2), 4 represents a side chain of the polymer (A2), and 5 represents an acid ion site derived from an acid group or a salt thereof. In the present invention, the acid ion site 5 bonds to the copper ion 2 (for example, coordinate bond) to form a crosslinked structure between the side chains 4 of the polymer A2 starting from copper . With such a constitution, even when heated, it is presumed that the structure of the compound (1) is hardly collapsed and, as a result, a cured film excellent in heat resistance is obtained. Since the polymer (A2) has at least one of an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group in its main chain (3), a cured film excellent in heat resistance can be obtained.

또, 본 발명에서는, 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 이용함으로써, 조성물 중의 구리의 함유량을 보다 많게 할 수 있고, 또한 가열해도 구리가 탈락되기 어렵다는 이점도 있다.Further, in the present invention, by using the compound obtained by the reaction of the polymer (A1) and the copper component, the content of copper in the composition can be increased, and copper is not easily removed even when heated.

또, 중합체 (A1)과 구리 성분을 반응시켜 얻어지는 화합물을 함유하는 근적외선 흡수성 조성물 중의 구리의 함유량은, 5~25질량%가 바람직하고, 7~20질량%가 보다 바람직하며, 8~15질량%가 더 바람직하다.The content of copper in the near infrared absorbing composition containing the compound obtained by reacting the polymer (A1) with the copper component is preferably 5 to 25% by mass, more preferably 7 to 20% by mass, and more preferably 8 to 15% Is more preferable.

중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물의 함유량은, 본 발명의 조성물 중 전체 고형분에 대하여 70~100질량%인 것이 바람직하고, 80~100질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the compound obtained by the reaction of the polymer (A1) with the copper component is preferably 70 to 100% by mass, more preferably 80 to 100% by mass, based on the total solid content in the composition of the present invention.

또, 본 발명의 제2 근적외선 흡수성 조성물 중, 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물의 함유량은, 조성물 중 전체 고형분에 대하여 10~90질량%가 바람직하고, 15~80질량%가 보다 바람직하며, 15~70질량%가 더 바람직하고, 20~70질량%가 보다 더 바람직하다.The content of the compound obtained by the reaction of the polymer (A1) and the copper component in the second near infrared absorbing composition of the present invention is preferably 10 to 90% by mass, more preferably 15 to 80% by mass, relative to the total solid content in the composition , More preferably from 15 to 70 mass%, and even more preferably from 20 to 70 mass%.

중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물의 반응 조건에 대해서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 0~140℃에서, 10분 이상으로 하는 것을 들 수 있다.The reaction conditions of the compound obtained by the reaction of the polymer (A1) with the copper component are not particularly limited, but for example, the reaction conditions are 0 to 140 ° C for 10 minutes or more.

<<구리 성분>><< Copper Ingredients >>

구리 성분으로서는, 2가의 구리를 포함하는 화합물이 보다 바람직하다. 본 발명에 이용되는 구리 성분 중의 구리 함유량은, 바람직하게는 2~90질량%이며, 보다 바람직하게는 10~70질량%이다. 구리 성분은, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다.As the copper component, a compound containing divalent copper is more preferable. The copper content in the copper component used in the present invention is preferably 2 to 90 mass%, and more preferably 10 to 70 mass%. The copper component may be used alone, or two or more copper components may be used.

본 발명에 이용되는 구리 성분으로서는, 예를 들면 구리 또는 구리를 포함하는 화합물을 이용할 수 있다. 구리를 포함하는 화합물로서는, 예를 들면 산화 구리나 구리염을 이용할 수 있다. 구리염은, 1가 또는 2가의 구리가 바람직하고, 2가의 구리가 보다 바람직하다. 구리염으로서는, 예를 들면 수산화 구리, 아세트산 구리, 염화 구리, 폼산 구리, 스테아르산 구리, 벤조산 구리, 에틸아세토아세트산 구리, 파이로인산 구리, 나프텐산 구리, 시트르산 구리, 질산 구리, 황산 구리, 탄산 구리, 염소산 구리, (메트)아크릴산 구리, 과염소산 구리가 예시되며, 수산화 구리, 아세트산 구리, 염화 구리, 황산 구리, 벤조산 구리, (메트)아크릴산 구리가 더 바람직하고, 수산화 구리, 아세트산 구리 및 황산 구리가 특히 바람직하다.As the copper component used in the present invention, for example, a compound containing copper or copper can be used. As the compound containing copper, for example, copper oxide or copper salt can be used. The copper salt is preferably a monovalent or divalent copper, and more preferably a divalent copper. Examples of the copper salts include copper salts such as copper hydroxide, copper acetate, copper chloride, copper formate, copper stearate, copper benzoate, copper ethylacetoacetate, copper pyrophosphate, copper naphthenate, copper citrate, copper nitrate, (Meth) acrylate and copper perchlorate are exemplified, and copper hydroxide, copper acetate, copper chloride, copper sulfate, copper benzoate and copper (meth) acrylate are more preferable, and copper hydroxide, copper acetate and copper sulfate Is particularly preferable.

중합체 (A1)과 반응시키는 구리 성분의 양은, 중합체 (A1)의 산기 또는 그 염 1당량에 대하여, 0.01~1당량이 바람직하고, 0.1~0.6당량이 보다 바람직하며, 0.4~0.5당량이 더 바람직하다. 구리 성분 중의 구리의 양을 이러한 범위로 함으로써, 보다 높은 근적외선 차폐성을 갖는 경화막이 얻어지는 경향이 있다.The amount of the copper component to be reacted with the polymer (A1) is preferably 0.01 to 1 equivalent, more preferably 0.1 to 0.6 equivalent, and more preferably 0.4 to 0.5 equivalent per 1 equivalent of the acid group or the salt thereof of the polymer (A1) Do. When the amount of copper in the copper component is within this range, a cured film having higher near infrared ray shielding property tends to be obtained.

<<주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)>><< Polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or aromatic heterocyclic group in its main chain and having an acid group or a salt thereof >>

중합체 (A1)은, 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖는다. 중합체 (A1)은, 주쇄에, 방향족 탄화 수소기 및 방향족 헤테로환기 중 적어도 1종을 갖고 있으면 되고, 2종 이상 갖고 있어도 된다. 중합체 (A1)은, 1종만을 이용해도 되지만, 2종 이상을 이용해도 된다.The polymer (A1) has an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain. The polymer (A1) may contain at least one of an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group in the main chain, or may have two or more kinds thereof. As the polymer (A1), only one type may be used, but two or more types may be used.

방향족 탄화 수소기로서는, 예를 들면 탄소수 6~20의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~15의 아릴기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~12의 아릴기가 더 바람직하고, 페닐기, 나프틸기 또는 바이페닐기가 특히 바람직하다. 방향족 탄화 수소기는 단환 또는 다환이어도 되지만, 단환이 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, still more preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, particularly preferably a phenyl group, a naphthyl group or a biphenyl group desirable. The aromatic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, but monocyclic is preferred.

방향족 헤테로환기로서는, 예를 들면 탄소수 2~30의 방향족 헤테로환기를 이용할 수 있다. 방향족 헤테로환기는, 5원환 또는 6원환이 바람직하다. 또, 방향족 헤테로환기는, 단환 또는 축합환이며, 단환 또는 축합수가 2~8인 축합환이 예시된다. 헤테로환에 포함되는 헤테로 원자로서는, 질소, 산소, 황 원자가 예시되며, 질소 또는 산소가 바람직하다.As the aromatic heterocyclic group, for example, an aromatic heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms can be used. The aromatic heterocyclic group is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring. The aromatic heterocyclic group is a monocyclic or condensed ring, and examples thereof include monocyclic or condensed rings having 2 to 8 condensed rings. Examples of the hetero atom contained in the heterocycle include nitrogen, oxygen and sulfur atoms, and nitrogen or oxygen is preferable.

방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기가 치환기 T를 갖고 있는 경우, 치환기 T로서는, 예를 들면 알킬기, 중합성기(바람직하게는, 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 중합성기), 할로젠 원자(불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자), 카복실산 에스터기, 할로젠화 알킬기, 알콕시기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일옥시기, 에터기, 설폰일기, 설파이드기, 아마이드기, 아실기, 하이드록시기, 카복실기, 아랄킬기 등이 예시되며, 알킬기(특히 탄소수 1~3의 알킬기)가 바람직하다.When the aromatic hydrocarbon group and / or the aromatic heterocyclic group has the substituent T, examples of the substituent T include an alkyl group, a polymerizable group (preferably a polymerizable group having a carbon-carbon double bond), a halogen atom ( A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom), a carboxylic acid ester group, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, a methacryloyloxy group, an acryloyloxy group, an ether group, a sulfonyl group, An acyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an aralkyl group and the like are exemplified, and an alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms) is preferable.

특히, 중합체 (A1)은, 폴리에터설폰계 중합체, 폴리설폰계 중합체, 폴리에터케톤계 중합체, 폴리페닐렌에터계 중합체, 폴리이미드계 중합체, 폴리벤즈이미다졸계 중합체, 폴리페닐렌계 중합체, 페놀 수지계 중합체, 폴리카보네이트계 중합체, 폴리아마이드계 중합체 및 폴리에스터계 중합체로부터 선택되는 적어도 1종의 중합체인 것이 바람직하다. 이하에 각 중합체의 예를 나타낸다.Particularly, the polymer (A1) is preferably at least one selected from the group consisting of a polyether sulfone polymer, polysulfone polymer, polyether ketone polymer, polyphenylene ether polymer, polyimide polymer, polybenzimidazole polymer, At least one polymer selected from a phenol resin-based polymer, a polycarbonate-based polymer, a polyamide-based polymer, and a polyester-based polymer. Examples of the respective polymers are shown below.

폴리에터설폰계 중합체: (-O-Ph-SO2-Ph-)로 나타나는 주쇄 구조(Ph는 페닐렌기를 나타냄, 이하 동일)를 갖는 중합체A polymer having a main chain structure represented by (-O-Ph-SO 2 -Ph-) (Ph represents a phenylene group, the same applies hereinafter)

폴리설폰계 중합체: (-O-Ph-Ph-O-Ph-SO2-Ph-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체Poly sulfone-based polymer: a polymer having a (-O-Ph-Ph-O -Ph-SO 2 -Ph-) a main chain structure represented by

폴리에터케톤계 중합체: (-O-Ph-O-Ph-C(=O)-Ph-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체A polymer having a main chain structure represented by a polyether ketone polymer: (-O-Ph-O-Ph-C (= O) -Ph-)

폴리페닐렌에터계 중합체: (-Ph-O-, -Ph-S-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체A polymer having a main chain structure represented by a polyphenylene ether polymer: (-Ph-O-, -Ph-S-)

폴리페닐렌계 중합체: (-Ph-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체Polyphenylene polymer: A polymer having a backbone structure represented by (-Ph-)

페놀 수지계 중합체: (-Ph(OH)-CH2-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체Phenol resin-based polymer: a polymer having a backbone structure represented by (-Ph (OH) -CH 2 -)

폴리카보네이트계 중합체: (-Ph-O-C(=O)-O-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체Polymer having a main chain structure represented by a polycarbonate-based polymer: (-Ph-O-C (= O) -O-)

폴리아마이드계 중합체로서는, 예를 들면 (-Ph-C(=O)-NH-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체Examples of the polyamide-based polymer include polymers having a backbone structure represented by (-Ph-C (= O) -NH-)

폴리에스터계 중합체로서는, 예를 들면 (-Ph-C(=O)O-)로 나타나는 주쇄 구조를 갖는 중합체As the polyester polymer, for example, a polymer having a backbone structure represented by (-Ph-C (= O) O-)

폴리에터설폰계 중합체, 폴리설폰계 중합체 및 폴리에터케톤계 중합체로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2006-310068호의 단락 0022 및 일본 공개특허공보 2008-27890호의 단락 0028에 기재된 주쇄 구조를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Examples of the polyether sulfone type polymer, polysulfone type polymer and polyether ketone type polymer include polymers having a backbone structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-310068, paragraph 0022, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-27890, paragraph 0028 , The contents of which are incorporated herein by reference.

폴리이미드계 중합체로서는, 일본 공개특허공보 2002-367627호의 단락 0047~0058의 기재 및 일본 공개특허공보 2004-35891호의 0018~0019에 기재된 주쇄 구조를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As the polyimide-based polymer, the main chain structure described in paragraphs 0047 to 0058 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-367627 and 1988 to 0019 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-35891 may be taken into consideration and these contents are incorporated herein by reference .

중합체 (A1)은 산기 또는 그 염을 함유하지만, 이러한 산기 또는 그 염은, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.The polymer (A1) contains an acid group or a salt thereof, but the acid group or a salt thereof may be one kind or two or more kinds.

중합체 (A1)이 갖는 산기로서는, 상술한 구리 성분과 반응 가능한 것이면 특별히 한정되지 않지만, 구리 성분과 배위 결합하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 산해리 상수(pKa)가 5 이하인 산기를 들 수 있고, 설폰산기, 카복실산기, 인산기, 포스폰산기, 포스핀산기, 이미드산기 등이 바람직하다.The acid group of the polymer (A1) is not particularly limited as long as it is capable of reacting with the above-mentioned copper component, but it is preferable to coordinate bond with the copper component. For example, an acid group having an acid dissociation constant (pKa) of 5 or less can be enumerated, and a sulfonic acid group, a carboxylic acid group, a phosphoric acid group, a phosphonic acid group, a phosphinic acid group and an imidic acid group are preferable.

본 발명에서 이용되는 산기의 염을 구성하는 원자 또는 원자단으로서는, 나트륨 등의 금속 원자(특히 알칼리 금속 원자), 테트라뷰틸암모늄 등과 같은 원자단을 들 수 있으며, 금속 원자가 바람직하고, 알칼리 금속 원자가 보다 바람직하다.Examples of the atoms or atomic groups constituting the acid group salt used in the present invention include atomic groups such as metal atoms (particularly alkali metal atoms) such as sodium, tetrabutylammonium and the like, preferably metal atoms and more preferably alkali metal atoms .

또한, 중합체 (A1)에 있어서, 산기 또는 그 염은, 그 주쇄 및 측쇄 중 적어도 한쪽에 포함되어 있으면 되고, 적어도 측쇄에 포함되어 있는 것이 바람직하다. 특히, 중합체 (A1)에 있어서, 산기 또는 그 염은, 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기에 직접 또는 연결기를 개재하여 결합하고 있는 것이 바람직하다.In the polymer (A1), the acid group or a salt thereof may be included in at least one of the main chain and the side chain thereof, and is preferably contained at least in the side chain. Particularly, in the polymer (A1), it is preferable that the acid group or its salt is bonded to the aromatic hydrocarbon group and / or the aromatic heterocyclic group directly or via a linking group.

산기 또는 그 염 중에서도, 예를 들면 카복실산기 및 그 염, 인산기 및 그 염, 포스폰산 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다.Among the acid groups or salts thereof, those containing at least one member selected from, for example, carboxylic acid groups and salts thereof, phosphoric acid groups and salts thereof, phosphonic acids and salts thereof, and sulfonic acid groups and salts thereof are preferable.

중합체 (A1)의 산가는, 1.5meq/g 이상인 것이 바람직하고, 2.0~7.0meq/g인 것이 보다 바람직하다.The acid value of the polymer (A1) is preferably 1.5 meq / g or more, more preferably 2.0 to 7.0 meq / g.

또, 중합체 (A1) 중의 전체 산기 중의 99몰% 이상이, 카복실산기 및 그 염, 인산기 및 그 염, 포스폰산 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 특히, 중합체 (A1) 중의 전체 산기 중의 99몰% 이상이, 카복실산기 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.It is preferable that 99 mol% or more of the total acid groups in the polymer (A1) is at least one selected from a carboxylic acid group and a salt thereof, a phosphoric acid group and a salt thereof, a phosphonic acid and a salt thereof, and a sulfonic acid group and a salt thereof. In particular, 99 mol% or more of the total acid groups in the polymer (A1) are preferably at least one selected from a carboxylic acid group and a salt thereof, and a sulfonic acid group and a salt thereof.

중합체 (A1)은, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 하기 식 (A1-2)로 나타나는 구성 단위가 보다 바람직하다.The polymer (A1) preferably contains a structural unit represented by the following formula (A1-1), more preferably a structural unit represented by the following formula (A1-2).

[화학식 3](3)

Figure pct00003
Figure pct00003

(식 (A1-1) 및 식 (A1-2) 중, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, X1 및 X2는 각각 독립적으로 산기 또는 그 염을 나타낸다. 식 (A1-2) 중, Y3은 단결합, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -C(=O)O-, -O-C(=O)O-, -P(=O)R0-(R0은 수소 원자, 탄화 수소기, 또는 하이드록실기를 나타냄), -CR1R2-(R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타냄) 또는 -C(=O)NR3-(R3은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타냄)을 나타낸다.)(Formula (A1-1) and formula (A1-2) of, Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group, Y 1 and Y 2 are each independently a single bond or indicates a divalent linking group, X 1 and X 2 represents an acid group or a salt thereof are each independently formula (A1-2) of the, Y 3 represents a single bond, -O-, -S-, -SO 2 - , - -CO (= O) O-, -OC (= O) O-, -P (= O) R 0 - (R 0 represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group or a hydroxyl group) CR 1 R 2 - (wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group) or -C (= O) NR 3 - (R 3 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group).

식 (A1-1) 및 식 (A1-2) 중, Ar1이 방향족 탄화 수소기를 나타내는 경우, 상술한 방향족 탄화 수소기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다. Ar1이 방향족 헤테로환기를 나타내는 경우, 상술한 방향족 헤테로환기와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (A1-1) and the formula (A1-2), when Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon group, it is the same as the above-mentioned aromatic hydrocarbon group and the preferable range is also the same. When Ar 1 represents an aromatic heterocyclic group, it is in agreement with the above-described aromatic heterocyclic group, and the preferable range thereof is also the same.

Ar1은, 식 (A1-1) 중의 -Y1-X1 외에, 또한 Ar2는, 식 (A1-2) 중의 -Y2-X2 외에, 치환기를 갖고 있어도 된다. Ar1 및 Ar2가 치환기를 갖는 경우, 치환기로서는 상술한 치환기 T와 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.Ar 1 may have a substituent other than -Y 1 -X 1 in formula (A1-1) and Ar 2 in addition to -Y 2 -X 2 in formula (A1-2). When Ar 1 and Ar 2 have a substituent, the substituent is the same as the above-mentioned substituent T, and the preferable range is also the same.

식 (A1-1) 중, Y1 및 Y2는, 단결합인 것이 바람직하다. Y1 및 Y2가 2가의 연결기를 나타내는 경우, 2가의 연결기로서는, 예를 들면 탄화 수소기, 방향족 헤테로환기, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -C(=O)O-, -O-C(=O)-, -SO2-, -NX-(X는 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 수소 원자가 바람직함), -C(RY1)(RY2)-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 들 수 있다. 여기에서, RY1 및 RY2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.In the formula (A1-1), Y 1 and Y 2 are preferably a single bond. When Y 1 and Y 2 represent a divalent linking group, examples of the divalent linking group include a hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -C (= O-, -OC (= O) -, -SO 2 -, -NX- (wherein X represents a hydrogen atom or an alkyl group and preferably a hydrogen atom), -C (R Y1 ) (R Y2 ) And a group formed by a combination of these. Here, R Y1 and R Y2 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group.

탄화 수소기로서는, 예를 들면 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬렌기나, 아릴렌기를 들 수 있다. 직쇄상의 알킬렌기로서는, 탄소수 1~20의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~10의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 알킬렌기가 더 바람직하다. 분기상의 알킬렌기로서는, 탄소수 3~20의 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 3~10의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 3~6의 알킬렌기가 더 바람직하다. 환상의 알킬렌기는, 단환, 다환 중 어느 것이어도 된다. 환상의 알킬렌기로서는, 탄소수 3~20의 사이클로알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 4~10의 사이클로알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 사이클로알킬렌기가 더 바람직하다. 이들 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬렌기는, 알킬렌기 중의 수소 원자가 불소 원자로 치환되어 있어도 된다.Examples of the hydrocarbon group include linear, branched or cyclic alkylene groups and arylene groups. The straight chain alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms. The branched alkylene group is preferably an alkylene group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 3 to 10 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms. The cyclic alkylene group may be either monocyclic or polycyclic. The cyclic alkylene group is preferably a cycloalkylene group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a cycloalkylene group having 4 to 10 carbon atoms, and still more preferably a cycloalkylene group having 6 to 10 carbon atoms. These straight-chain, branched or cyclic alkylene groups may have hydrogen atoms in the alkylene group substituted by fluorine atoms.

아릴렌기로서는, 탄소수 6~18의 아릴렌기가 바람직하고, 탄소수 6~14의 아릴렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 아릴렌기가 더 바람직하고, 페닐렌기가 특히 바람직하다.The arylene group is preferably an arylene group having 6 to 18 carbon atoms, more preferably an arylene group having 6 to 14 carbon atoms, more preferably an arylene group having 6 to 10 carbon atoms, and particularly preferably a phenylene group.

방향족 헤테로환기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5원환 또는 6원환이 바람직하다. 또, 방향족 헤테로환기는, 단환이어도 되고 축합환이어도 되며, 단환 또는 축합수가 2~8인 축합환이 바람직하고, 단환 또는 축합수가 2~4인 축합환이 보다 바람직하다.The aromatic heterocyclic group is not particularly limited, but a 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable. The aromatic heterocyclic group may be a monocyclic or condensed ring, preferably a monocyclic or condensed ring having 2 to 8 condensed rings, and more preferably a condensed ring having 2 to 4 monocyclic or condensed rings.

특히, 식 (A1-1) 및 식 (A1-2) 중의 Y1 및 Y2가 2가의 연결기를 나타내는 경우, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -S-, -CO-, -C(=O)O-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기인 것이 바람직하다. 특히, -S-, -C(RX1)(RX2)-(RX1 및 RX2는, 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 알킬기 또는 불소 원자를 나타내는 것이 바람직함), 탄소수 1~3의 알킬렌기, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기인 것이 바람직하다.Particularly, when Y 1 and Y 2 in the formulas (A1-1) and (A1-2) represent a divalent connecting group, a linear, branched or cyclic alkylene group, an arylene group, -O-, -S- , -CO-, -C (= O) O-, or a combination thereof. Particularly, -S-, -C (R X1 ) (R X2 ) - (wherein R X1 and R X2 each independently represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or a fluorine atom), alkyl having 1 to 3 carbon atoms Or a combination thereof.

식 (A1-1) 및 식 (A1-2) 중, X1 및 X2로 나타나는 산기 또는 그 염으로서는, 상술한 산기 또는 그 염과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.Among the formulas (A1-1) and (A1-2), the acid groups or salts thereof represented by X 1 and X 2 are synonymous with the above-mentioned acid groups or salts thereof, and preferable ranges are also the same.

식 (A1-2) 중, Y3이 -P(=O)R0-으로 나타나는 경우, R0으로서의 탄화 수소기는, 탄소수 1~6의 알킬기, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하다.In the formula (A1-2), when Y 3 is represented by -P (= O) R 0 -, the hydrocarbon group as R 0 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.

Y3이 -CR1R2-로 나타나는 경우, 탄화 수소기는, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 바람직하다. 또, R1과 R2가 연결하여 환을 형성해도 된다.When Y 3 is represented by -CR 1 R 2 -, the hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. R 1 and R 2 may be connected to form a ring.

Y3이 -C(=O)NR3-으로 나타나는 경우, R3으로서의 탄화 수소기는, 탄소수 1~6의 알킬기 및 탄소수 6~12의 아릴기로부터 선택되는 어느 한 기인 것이 바람직하다.When Y 3 is represented by -C (═O) NR 3 -, the hydrocarbon group as R 3 is preferably any group selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.

중합체 (A1)의 중량 평균 분자량은, 1000 이상이 바람직하고, 1000~1000만이 보다 바람직하며, 3000~100만이 더 바람직하고, 4000~400,000이 특히 바람직하다. 중합체 (A1)의 중량 평균 분자량을 이와 같은 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 내습성이 보다 향상되는 경향이 있다.The weight average molecular weight of the polymer (A1) is preferably 1,000 or more, more preferably 1,000 to 1,000,000, still more preferably 3,000 to 1,000,000, and particularly preferably 4,000 to 400,000. By setting the weight average molecular weight of the polymer (A1) within such a range, the moisture resistance of the resulting cured film tends to be further improved.

본 발명에 이용되는 중합체 (A1)의 구체예로서는, 하기 화합물 및 하기 산기의 염(예를 들면 상술한 금속염)의 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the polymer (A1) used in the present invention include, but are not limited to, the following compounds and salts of the following acid groups (for example, the above metal salts).

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

[화학식 7](7)

Figure pct00007
Figure pct00007

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 중합체 (A1)과 구리 성분을 반응시켜 얻어진 화합물을 함유하고 있으면 되지만, 필요에 따라, 다른 근적외선 흡수성 화합물, 용제, 경화성 화합물, 바인더 폴리머, 계면활성제, 중합 개시제, 기타 성분을 배합해도 된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a compound obtained by reacting the polymer (A1) with a copper component, but may contain other near infrared absorbing compound, solvent, curing compound, binder polymer, surfactant, Component may be blended.

또, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물에는, 후술하는 다른 근적외선 흡수성 화합물을 얻기 위하여 이용되는 산기 또는 그 염을 함유하는 화합물이 배합되어 있어도 된다.The near infrared absorbing composition of the present invention may contain a compound containing an acid group or its salt used for obtaining another near infrared absorbing compound described later.

<<다른 근적외선 흡수성 화합물>><< Other Near Infrared Absorbing Compound >>

본 발명의 조성물에는, 근적외선 흡수능을 더 향상시킬 목적으로, 상술한 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물 이외의 근적외선 흡수성 화합물을 배합해도 된다. 본 발명에서 이용하는 다른 근적외선 흡수성 화합물은, 통상 극대 흡수 파장 영역이 700~2500nm, 바람직하게는 700~1000nm의 범위 내(근적외선 영역)에 극대 흡수 파장을 갖는 것이면, 특별히 제한되는 것은 아니다.To the composition of the present invention, a near infrared absorbing compound other than the compound obtained by the reaction of the above-mentioned polymer (A1) with the copper component may be added for the purpose of further improving the near infrared absorbing ability. The other near infrared absorbing compound used in the present invention is not particularly limited as long as it has a maximum absorption wavelength in a range of 700 to 2500 nm, preferably 700 to 1000 nm (near infrared region), in the maximum absorption wavelength region.

다른 근적외선 흡수성 화합물로서는, 구리 화합물이 바람직하고, 구리 착체가 보다 바람직하다. 또, 다른 근적외선 흡수성 화합물을 배합하는 경우, 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물과 다른 근적외선 흡수성 화합물의 비(질량비)는, 10:90~95:5가 바람직하고, 20:80~90:10이 보다 바람직하며, 20:80~80:20이 더 바람직하다.As the other near infrared absorbing compound, a copper compound is preferable, and a copper complex is more preferable. When other near infrared absorbing compounds are blended, the ratio (mass ratio) of the compound obtained by the reaction between the polymer (A1) and the copper component to the other near infrared absorbing compound is preferably from 10:90 to 95: 5, more preferably from 20:80 To 90:10, and more preferably from 20:80 to 80:20.

다른 근적외선 흡수성 화합물의 분자량은, 특별히 한정되지 않지만, 70~1000이 바람직하고, 130~500이 보다 바람직하다.The molecular weight of the other near infrared absorptive compound is not particularly limited, but is preferably 70 to 1000, more preferably 130 to 500.

다른 근적외선 흡수성 화합물이 구리 착체인 경우, 구리에 배위하는 배위자 L로서는, 구리 이온과 배위 결합 가능하면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 설폰산, 카복실산, 인산, 인산 에스터, 포스폰산, 포스폰산 에스터, 포스핀산, 치환 포스핀산, 카보닐(에스터, 케톤), 아민, 아마이드, 설폰아마이드, 유레테인, 유레아, 알코올, 싸이올 등을 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서도, 카복실산 및 설폰산이 바람직하고, 설폰산이 보다 바람직하다.When the other near infrared absorptive compound is a copper complex, the ligand L to be coordinated to copper is not particularly limited as long as it is capable of coordinating with copper ion, and examples thereof include sulfonic acid, carboxylic acid, phosphoric acid, phosphoric acid ester, phosphonic acid, Compounds having phosphonic acid, substituted phosphinic acid, carbonyl (ester, ketone), amine, amide, sulfonamide, urethane, urea, alcohol, thiol and the like. Of these, carboxylic acid and sulfonic acid are preferable, and sulfonic acid is more preferable.

구리 착체의 구체예로서는, 인 함유 구리 화합물, 설폰산 구리 화합물 또는 하기 식 (A)로 나타나는 구리 화합물을 들 수 있다. 인 함유 구리 화합물로서 구체적으로는, 예를 들면 WO2005/030898호의 제5페이지 제27행째~제7페이지 제20행째에 기재된 화합물을 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the copper complexes include a phosphorus-containing copper compound, a copper sulfonate compound, or a copper compound represented by the following formula (A). Specific examples of the phosphorus-containing copper compound include compounds described in WO2005 / 030898, page 5, line 27 to page 7, line 20, the contents of which are incorporated herein by reference.

구리 착체로서는, 예를 들면 하기 식 (A)로 나타나는 구리 착체를 들 수 있다.Examples of the copper complexes include copper complexes represented by the following formula (A).

Cu(L)n1·(X)n2 식 (A)Cu (L) n1 (X) n2 ????? (A)

상기 식 (A) 중, L은, 구리에 배위하는 배위자를 나타내고, X는, 존재하지 않거나, 할로젠 원자, H2O, NO3, ClO4, SO4, CN, SCN, BF4, PF6, BPh4(Ph는 페닐기를 나타냄) 또는 알코올을 나타낸다. n1, n2는, 각각 독립적으로 1~4의 정수를 나타낸다.In the formula (A), L represents a ligand to be coordinated to copper, X is absent, or a halogen atom, H 2 O, NO 3 , ClO 4 , SO 4 , CN, SCN, BF 4 , PF 6 , BPh 4 (Ph represents a phenyl group), or an alcohol. n1 and n2 each independently represent an integer of 1 to 4;

배위자 L은, 구리에 배위 가능한 원자로서 C, N, O, S를 포함하는 치환기를 갖는 것이며, 더 바람직하게는 N이나 O, S 등의 고립 전자쌍을 갖는 기를 갖는 것이다. 배위 가능한 기는 분자 내에 1종류에 한정되지 않으며, 2종 이상을 포함해도 되고, 해리해도 되며 비해리여도 된다. 비해리의 경우, X는 존재하지 않는다.The ligand L has a substituent containing C, N, O, S as an atom capable of coordinating to copper, more preferably a group having a lone pair of electrons such as N, O, S or the like. The group capable of coordination is not limited to one species within the molecule, and may include two or more species, may be dissociated, or may be resent. In contrast, X does not exist.

상기 구리 착체는, 중심 금속의 구리에 배위자가 배위한 구리 화합물이며, 구리는, 통상 2가의 구리이다. 예를 들면 구리 성분에 대하여, 배위자가 되는 화합물 또는 그 염을 혼합·반응시켜 얻을 수 있다.The copper complex is a copper compound for ligating the ligand to the copper of the central metal, and the copper is usually bivalent copper. For example, by mixing and reacting a compound or salt thereof as a ligand with respect to a copper component.

상기 배위자가 되는 화합물 또는 그 염으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유기산 화합물(예를 들면, 설폰산 화합물, 카복실산 화합물, 인산 화합물) 또는 그 염 등을 적합하게 들 수 있다.The compound or salt thereof to be a ligand is not particularly limited, and examples thereof include an organic acid compound (for example, a sulfonic acid compound, a carboxylic acid compound, a phosphate compound) or a salt thereof.

상기 배위자가 되는 화합물 또는 그 염은, 산기 또는 그 염을 함유하는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 일반식 (i)로 나타나는 것이 바람직하다.The compound or its salt as the ligand is preferably a compound containing an acid group or a salt thereof, and is preferably represented by the following general formula (i).

일반식 (i)In general formula (i)

[화학식 11](11)

Figure pct00011
Figure pct00011

(일반식 (i) 중, R1은 n가의 유기기를 나타내고, X1은 산기를 나타내며, n은 1~6의 정수를 나타낸다.)(In the general formula (i), R 1 represents an organic group of n, X 1 represents an acid group, and n represents an integer of 1 to 6.)

일반식 (i) 중, n가의 유기기는, 탄화 수소기 또는 옥시알킬렌기가 바람직하고, 지방족 탄화 수소기 또는 방향족 탄화 수소기가 보다 바람직하다. 탄화 수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 치환기로서는, 할로젠 원자(바람직하게는 불소 원자), (메트)아크릴로일기, 불포화 이중 결합을 갖는 기를 들 수 있다.In the general formula (i), the n-valent organic group is preferably a hydrocarbon group or an oxyalkylene group, more preferably an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include a group having a halogen atom (preferably a fluorine atom), a (meth) acryloyl group or an unsaturated double bond.

상기 탄화 수소기가 1가인 경우, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하고, 아릴기가 보다 바람직하다. 2가인 경우, 알킬렌기, 아릴렌기, 옥시알킬렌기가 바람직하고, 아릴렌기가 보다 바람직하다. 또 3가 이상인 경우에는, 상기 탄화 수소기에 대응하는 것이 바람직하다.When the hydrocarbon group is monovalent, an alkyl group or an aryl group is preferable, and an aryl group is more preferable. When divalent, an alkylene group, an arylene group and an oxyalkylene group are preferable, and an arylene group is more preferable. When the trivalent or more is present, it is preferable that the hydrocarbon groups correspond to the hydrocarbon groups.

상기 알킬기 및 알킬렌기의 탄소수는, 1~20이 바람직하고, 1~10이 보다 바람직하다.The alkyl group and the alkylene group preferably have 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms.

상기 아릴기 및 아릴렌기의 탄소수는, 6~18이 바람직하고, 6~12가 보다 바람직하다.The number of carbon atoms of the aryl group and the arylene group is preferably 6 to 18, more preferably 6 to 12.

일반식 (i) 중, X1은, 설폰산기, 카복실산기 및 인 원자를 함유하는 산기 중 적어도 하나가 바람직하다. X1은, 1종 단독이어도 되고 2종 이상이어도 되지만, 2종 이상인 것이 바람직하다.In the general formula (i), X 1 is preferably at least one of a sulfonic acid group, a carboxylic acid group and an acid group containing a phosphorus atom. X 1 may be a single species or two or more species, but preferably two or more species.

일반식 (i) 중, n은, 1~3이 바람직하고, 2 또는 3이 보다 바람직하며, 3이 더 바람직하다.In the general formula (i), n is preferably 1 to 3, more preferably 2 or 3, and more preferably 3.

상기 배위자가 되는 화합물 또는 그 염(산기 또는 그 염을 함유하는 화합물)의 분자량은, 1000 이하가 바람직하고, 70~1000이 바람직하며, 70~500이 보다 바람직하다.The molecular weight of the compound or the salt thereof (acid group or a salt thereof) as the ligand is preferably 1,000 or less, more preferably 70 to 1,000, and still more preferably 70 to 500.

산기 또는 그 염을 함유하는 화합물의 바람직한 양태로서는, (1) 설폰산기, 카복실산기 및 인 원자를 함유하는 산기 중 적어도 1종을 갖는 화합물을 들 수 있고, 보다 바람직하게는, (2) 산기를 2개 이상 갖는 양태이며, 더 바람직하게는, (3) 설폰산기와 카복실산기를 갖는 양태이다. 이들 양태에서는, 적외선 흡수능이 보다 효과적으로 발휘된다. 또한, 설폰산기 및 카복실산기를 갖는 화합물을 이용함으로써, 색가를 보다 향상시킬 수 있다.Preferred examples of the compound containing an acid group or a salt thereof include (1) a compound having at least one of a sulfonic acid group, a carboxylic acid group and an acid group containing a phosphorus atom, more preferably (2) (3) an embodiment having a sulfonic acid group and a carboxylic acid group. In these embodiments, the infrared absorbing ability is more effectively exerted. Further, by using a compound having a sulfonic acid group and a carboxylic acid group, the color value can be further improved.

(1) 설폰산기, 카복실산기 및 인 원자를 함유하는 산기 중 적어도 1종을 갖는 화합물의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다. 또, 설폰산기를 갖는 화합의 구체예로서는, 후술하는 식 (I)로 나타나는 설폰산 화합물의 구체예도 들 수 있다. 또, 후술하는 양태 (2), (3)에 기재된 화합물 중, 본 양태에 해당하는 화합물도 바람직한 예로서 들 수 있다.(1) Specific examples of the compound having at least one of a sulfonic acid group, a carboxylic acid group and an acid group containing a phosphorus atom include the following. Specific examples of the sulfonic acid compound having a sulfonic acid group include specific examples of the sulfonic acid compound represented by the formula (I) described later. Among the compounds described in the following embodiments (2) and (3), the compounds corresponding to this embodiment are also preferable.

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

(2) 산기를 적어도 2 이상 갖는 화합물의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다. 또, 후술하는 양태 (3)에 기재된 화합물 중, 본 양태에 해당하는 화합물도 바람직한 예로서 들 수 있다.(2) Specific examples of the compound having at least two acid groups include the following. Among the compounds described in the later-described embodiment (3), preferred examples include compounds corresponding to this embodiment.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

(3) 설폰산기 및 카복실산기를 갖는 화합물의 구체예로서는 이하의 것을 들 수 있다. 또, 후술하는 식 (I)로 나타나는 설폰산기 및 카복실산기를 갖는 화합물의 구체예도 들 수 있다.(3) Specific examples of the compound having a sulfonic acid group and a carboxylic acid group include the following. Specific examples of the compound having a sulfonic acid group and a carboxylic acid group represented by the formula (I) described later are also exemplified.

[화학식 14][Chemical Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

본 발명에서 이용할 수 있는 다른 구리 착체로서는, 하기 식 (I)로 나타나는 설폰산 화합물 또는 그 염과 구리 성분을 반응시켜 얻어지는 구리 착체도 바람직하다.As another copper complex which can be used in the present invention, a copper complex obtained by reacting a sulfonic acid compound represented by the following formula (I) or a salt thereof with a copper component is also preferable.

식 (I)In formula (I)

[화학식 15][Chemical Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

(식 (I) 중, R7은 1가의 유기기를 나타낸다.)(In the formula (I), R 7 represents a monovalent organic group.)

구체적인 1가의 유기기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬기, 알켄일기, 아릴기를 들 수 있다. 여기에서, 이들 기는, 2가의 연결기(예를 들면, 알킬렌기, 사이클로알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -S-, -CO-, -C(=O)O-, -OCO-, -SO2-, -NR-(R은 수소 원자 혹은 알킬기) 등)를 개재한 기여도 된다. 또 1가의 유기기는 치환기를 갖고 있어도 된다.Specific examples of monovalent organic groups include, but are not limited to, linear, branched or cyclic alkyl groups, alkenyl groups and aryl groups. Here, these groups may be substituted with a divalent linking group (e.g., an alkylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, -O-, -S-, -CO-, -C (= O) O-, -OCO-, SO 2 -, -NR- (R is a hydrogen atom or an alkyl group), etc.). The monovalent organic group may have a substituent.

직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 탄소수 1~20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~12의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~8의 알킬기가 더 바람직하다.As the straight-chain or branched alkyl group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is more preferable.

환상의 알킬기는, 단환, 다환 중 어느 것이어도 된다. 환상의 알킬기로서는, 탄소수 3~20의 사이클로알킬기가 바람직하고, 탄소수 4~10의 사이클로알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 사이클로알킬기가 더 바람직하다. 알켄일기로서는, 탄소수 2~10의 알켄일기가 바람직하고, 탄소수 2~8의 알켄일기가 보다 바람직하며, 탄소수 2~4의 알켄일기가 더 바람직하다.The cyclic alkyl group may be monocyclic or polycyclic. The cyclic alkyl group is preferably a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a cycloalkyl group having 4 to 10 carbon atoms, and still more preferably a cycloalkyl group having 6 to 10 carbon atoms. As the alkenyl group, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is preferable, an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms is more preferable, and an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms is more preferable.

아릴기로서는, 탄소수 6~18의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~14의 아릴기가 보다 바람직하며, 탄소수 6~10의 아릴기가 더 바람직하다.The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and still more preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

2가의 연결기인 알킬렌기, 사이클로알킬렌기, 아릴렌기로서는, 상술한 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기로부터 수소 원자를 1개 제거하여 유도되는 2가의 연결기를 들 수 있다.Examples of the divalent linking group alkylene group, cycloalkylene group and arylene group include divalent linking groups derived by removing one hydrogen atom from the above-mentioned alkyl group, cycloalkyl group and aryl group.

1가의 유기기가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 중합성기(예를 들면, 바이닐기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 옥세테인기 등), 할로젠 원자, 카복실기, 카복실산 에스터기(예를 들면, -CO2CH3 등), 수산기, 아마이드기, 할로젠화 알킬기(예를 들면, 플루오로알킬기, 클로로알킬기) 등이 예시된다.Examples of the substituent which the monovalent organic group may have include an alkyl group and a polymerizable group such as a vinyl group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, an oxetane group and the like), a halogen atom, a carboxyl group, (For example, -CO 2 CH 3 ), a hydroxyl group, an amide group, a halogenated alkyl group (for example, a fluoroalkyl group, a chloroalkyl group) and the like.

하기 식 (I)로 나타나는 설폰산 화합물 혹은 그 염의 분자량은, 80~750이 바람직하고, 80~600이 보다 바람직하며, 80~450이 더 바람직하다.The molecular weight of the sulfonic acid compound represented by the following formula (I) or its salt is preferably 80 to 750, more preferably 80 to 600, and even more preferably 80 to 450.

식 (I)로 나타나는 설폰산 화합물의 구체예를 이하에 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the sulfonic acid compound represented by the formula (I) are shown below, but the present invention is not limited thereto.

[화학식 16][Chemical Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

[화학식 17][Chemical Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

본 발명에 이용할 수 있는 설폰산 화합물은, 시판 중인 설폰산을 이용할 수도 있으며, 공지의 방법을 참조하여, 합성할 수도 있다. 본 발명에서 이용할 수 있는 설폰산 화합물의 염으로서는, 예를 들면 금속염을 들 수 있고, 구체적으로는, 나트륨염, 칼륨염 등을 들 수 있다.The sulfonic acid compound that can be used in the present invention may be a commercially available sulfonic acid or may be synthesized by referring to a known method. Examples of the salt of the sulfonic acid compound that can be used in the present invention include a metal salt, and specific examples thereof include a sodium salt and a potassium salt.

본 발명에서 이용할 수 있는 다른 구리 착체로서는, 상술한 것 이외에, 카복실산을 배위자로 하는 구리 착체를 들 수 있다. 카복실산을 배위자로 하는 구리 착체에 이용되는 카복실산으로서는, 예를 들면 하기 식 (K)로 나타나는 화합물을 이용할 수 있다.Other copper complexes that can be used in the present invention include, in addition to those described above, copper complexes having a carboxylic acid as a ligand. As the carboxylic acid used for the copper complex having a carboxylic acid as a ligand, for example, a compound represented by the following formula (K) can be used.

[화학식 18][Chemical Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

(식 (K) 중, R1은 1가의 유기기를 나타낸다.)(In the formula (K), R 1 represents a monovalent organic group.)

식 (K) 중, R1은 1가의 유기기를 나타낸다. 1가의 유기기로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 식 (I) 중의 1가의 유기기와 동의이다.In the formula (K), R 1 represents a monovalent organic group. The monovalent organic group is not particularly limited, but is, for example, the same as the monovalent organic group in the above-mentioned formula (I).

(무기 미립자)(Inorganic fine particles)

본 발명의 조성물은, 다른 근적외선 흡수성 화합물로서, 무기 미립자를 포함하고 있어도 된다. 무기 미립자는, 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다.The composition of the present invention may contain inorganic fine particles as another near infrared absorbing compound. The inorganic fine particles may be used alone, or two or more kinds may be used.

무기 미립자는, 주로, 적외선을 차광(흡수)하는 역할을 하는 입자이다. 무기 미립자로서는, 적외선 차광성이 보다 우수한 점에서, 금속 산화물 입자 및 금속 입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것이 바람직하다.The inorganic fine particles are mainly particles that act to shield (absorb) infrared rays. The inorganic fine particles are preferably at least one selected from the group consisting of metal oxide particles and metal particles because of their superior infrared ray shielding properties.

무기 미립자로서는, 예를 들면 산화 인듐 주석(ITO) 입자, 산화 안티모니 주석(ATO) 입자, 알루미늄에 의하여 도프되어 있어도 되는 산화 아연(Al에 의하여 도프되어도 되는 ZnO) 입자, 불소 도프 이산화 주석(F 도프 SnO2) 입자, 또는 나이오븀 도프 이산화 타이타늄(Nb 도프 TiO2) 입자 등의 금속 산화물 입자나, 은(Ag) 입자, 금(Au) 입자, 구리(Cu) 입자, 또는 니켈(Ni) 입자 등의 금속 입자를 들 수 있다. 또한, 적외선 차광성과 포토리소그래피성을 양립하기 위해서는, 노광 파장(365-405nm)의 투과율이 높은 것이 바람직하고, 산화 인듐 주석(ITO) 입자 또는 산화 안티모니 주석(ATO) 입자가 바람직하다.Examples of the inorganic fine particles include indium tin oxide (ITO) particles, antimony tin oxide (ATO) particles, zinc oxide (ZnO that is doped with Al) particles which may be doped with aluminum, fluorine doped tin dioxide Doped SnO 2 ) particles or niobium-doped titanium dioxide (Nb doped TiO 2 ) particles, silver (Ag) particles, gold (Au) particles, copper (Cu) And the like. In order to achieve both infrared light shielding property and photolithography property, a high transmittance of an exposure wavelength (365 to 405 nm) is preferable, and indium tin oxide (ITO) particles or antimony tin oxide (ATO) particles are preferable.

무기 미립자의 형상은 특별히 제한되지 않고, 구상, 비구상을 불문하고, 시트상, 와이어상, 튜브상이어도 된다.The shape of the inorganic fine particles is not particularly limited and may be a sheet, a wire, or a tube, irrespective of spherical or non-spherical shape.

또 무기 미립자로서는 산화 텅스텐계 화합물을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 하기 일반식(조성식) (I)로 나타나는 산화 텅스텐계 화합물인 것이 보다 바람직하다.As the inorganic fine particles, tungsten oxide-based compounds can be used, and more specifically, tungsten oxide-based compounds represented by the following general formula (composition formula) (I).

MxWyOz…(I)M x W y O z ... (I)

M은 금속, W는 텅스텐, O는 산소를 나타낸다.M represents a metal, W represents tungsten, and O represents oxygen.

0.001≤x/y≤1.10.001? X / y?

2.2≤z/y≤3.02.2? Z / y? 3.0

M의 금속으로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Sn, Pb, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi를 들 수 있지만, 알칼리 금속인 것이 바람직하고, Rb 또는 Cs인 것이 바람직하며, Cs인 것이 보다 바람직하다. M의 금속은 1종이어도 되고 2종 이상이어도 된다.As the metal of M, an alkali metal, an alkaline earth metal, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, But it is preferably an alkali metal and is preferably Rb or Cs, and it is preferably Cs, and more preferably, Cs is at least one selected from the group consisting of In, Tl, Sn, Pb, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os and Bi. More preferable. The metal of M may be one kind or two kinds or more.

x/y가 0.001 이상인 것에 의하여, 적외선을 충분히 차폐할 수 있고, 1.1 이하인 것에 의하여, 산화 텅스텐계 화합물 중에 불순물상이 생성되는 것을 보다 확실히 회피할 수 있다.When x / y is 0.001 or more, infrared rays can be sufficiently shielded, and when it is 1.1 or less, generation of an impurity phase in the tungsten oxide compound can be more reliably avoided.

z/y가 2.2 이상인 것에 의하여, 재료로서의 화학적 안정성을 보다 향상시킬 수 있고, 3.0 이하인 것에 의하여 적외선을 충분히 차폐할 수 있다.When z / y is 2.2 or more, the chemical stability as a material can be further improved, and the infrared ray can be sufficiently shielded by having 3.0 or less.

금속 산화물은, 세슘 산화 텅스텐인 것이 바람직하다.The metal oxide is preferably tungsten oxide cesium.

상기 일반식 (I)로 나타나는 산화 텅스텐계 화합물의 구체예로서는, Cs0 . 33WO3, Rb0.33WO3, K0. 33WO3, Ba0 . 33WO3 등을 들 수 있고, Cs0 . 33WO3 또는 Rb0 . 33WO3인 것이 바람직하며, Cs0 . 33WO3인 것이 더 바람직하다.Specific examples of the tungsten oxide compound represented by the general formula (I) include Cs 0 . 33 WO 3, Rb 0.33 WO 3 , K 0. 33 WO 3, Ba 0. 33 WO 3 , And Cs 0 . 33 WO 3 or Rb 0 . 33 WO 3 , and Cs 0 . 33 WO 3 is more preferable.

금속 산화물은 미립자인 것이 바람직하다. 금속 산화물의 평균 입자경은, 800nm 이하인 것이 바람직하고, 400nm 이하인 것이 보다 바람직하며, 200nm 이하인 것이 더 바람직하다. 평균 입자경이 이러한 범위인 것에 의하여, 금속 산화물이 광산란에 의하여 가시광을 차단하기 어려워지는 점에서, 가시광 영역에 있어서의 투광성을 보다 확실히 할 수 있다. 광산란을 회피하는 관점에서는, 평균 입자경은 작을수록 바람직하지만, 제조 시에 있어서의 취급 용이성 등의 이유에서, 금속 산화물의 평균 입자경은, 통상, 1nm 이상이다.The metal oxide is preferably fine particles. The average particle diameter of the metal oxide is preferably 800 nm or less, more preferably 400 nm or less, and further preferably 200 nm or less. Since the average particle diameter is within this range, the metal oxide is less likely to block visible light due to light scattering, so that the light transmittance in the visible light region can be more surely obtained. From the viewpoint of avoiding light scattering, the smaller the average particle diameter is, the better, but the average particle diameter of the metal oxide is usually 1 nm or more for ease of handling at the time of production.

산화 텅스텐계 화합물은, 예를 들면 스미토모 긴조쿠 고산 가부시키가이샤제의 YMF-02 등의 텅스텐 미립자의 분산물로서 입수 가능하다.The tungsten oxide compound can be obtained, for example, as a dispersion of tungsten fine particles such as YMF-02 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.

금속 산화물의 함유량은, 금속 산화물을 함유하는 조성물의 전체 고형분 질량에 대하여, 0.01~30질량%인 것이 바람직하고, 0.1~20질량%인 것이 보다 바람직하며, 1~10질량%인 것이 더 바람직하다.The content of the metal oxide is preferably 0.01 to 30 mass%, more preferably 0.1 to 20 mass%, and further preferably 1 to 10 mass% with respect to the total solid content of the composition containing the metal oxide .

<용제><Solvent>

본 발명에서 이용되는 용제는, 특별히 제한은 없고, 본 발명의 조성물의 각 성분을 균일하게 용해 혹은 분산할 수 있는 것이면, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면 물, 알코올류 등의 수계 용제를 적합하게 들 수 있다. 또, 그 외에, 본 발명에서 이용되는 용제는, 유기 용제, 케톤류, 에터류, 에스터류, 방향족 탄화 수소류, 할로젠화 탄화 수소류 및 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, 다이메틸설포옥사이드, 설포레인 등을 적합하게 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The solvent used in the present invention is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose so long as each component of the composition of the present invention can be uniformly dissolved or dispersed. Examples of the solvent include water-based solvents such as water and alcohols . In addition, the solvent used in the present invention may be an organic solvent, a ketone, an ether, an ester, an aromatic hydrocarbon, a halogenated hydrocarbon, and dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide , Sulfolane, and the like. These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

알코올류, 방향족 탄화 수소류, 할로젠화 탄화 수소류의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-194534호 단락 0136 등에 기재된 것을 들 수 있고, 이 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 에스터류, 케톤류, 에터류의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0497(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0609])에 기재된 것을 들 수 있으며, 또 아세트산-n-아밀, 프로피온산 에틸, 프탈산 다이메틸, 벤조산 에틸, 황산 메틸, 아세톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 다이에틸에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등을 들 수 있다.Specific examples of alcohols, aromatic hydrocarbons, and halogenated hydrocarbons include those described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-194534, paragraph 0136, the contents of which are incorporated herein by reference. Specific examples of the esters, ketones and ethers are those described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0497 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0609]), and acetic acid- n-amyl, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, methyl sulfate, acetone, methyl isobutyl ketone, diethyl ether and ethylene glycol monobutyl ether acetate.

본 발명의 조성물은, 물을 포함하고 있는 것이 특히 바람직하다. 물은, 본 발명의 조성물에 대하여 40~95질량% 포함하는 것이 바람직하고, 본 발명의 조성물에 대하여 50~85질량% 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is particularly preferable that the composition of the present invention contains water. Water is preferably contained in an amount of 40 to 95 mass% with respect to the composition of the present invention, and more preferably 50 to 85 mass% with respect to the composition of the present invention.

본 발명의 조성물이 물 이외의 용제를 포함하는 경우, 본 발명의 조성물에 대하여 40~90질량%의 비율로 포함하는 것이 바람직하다. 물 이외의 용제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다.When the composition of the present invention contains a solvent other than water, it is preferably contained in a proportion of from 40 to 90% by mass with respect to the composition of the present invention. The solvent other than water may be one kind or two kinds or more.

<경화성 화합물><Curable compound>

본 발명의 조성물은, 추가로 경화성 화합물을 포함하고 있어도 된다. 경화성 화합물로서는, 중합성 화합물이어도 되고, 바인더 등의 비중합성 화합물이어도 된다. 또, 열경화성 화합물이어도 되고, 광경화성 화합물이어도 되지만, 열경화성 조성물이 반응률이 높기 때문에 바람직하다.The composition of the present invention may further contain a curable compound. The curable compound may be a polymerizable compound or a non-polymerizable compound such as a binder. In addition, a thermosetting compound or a photo-curing compound may be used, but a thermosetting composition is preferable because of a high reaction rate.

<<중합성기를 갖는 화합물>><< Compounds having polymerizable groups >>

본 발명의 조성물은, 중합성기를 갖는 화합물(이하, "중합성 화합물"이라고 하는 경우가 있음)을 포함하고 있어도 된다. 이러한 화합물군은 이 산업분야에 있어서 널리 알려져 있는 것이며, 본 발명에 있어서는 이들을 특별히 한정 없이 이용할 수 있다. 이들은, 예를 들면 모노머, 올리고머, 프리폴리머, 폴리머 등의 화학적 형태 중 어느 하나여도 된다.The composition of the present invention may contain a compound having a polymerizable group (hereinafter sometimes referred to as a "polymerizable compound"). Such a group of compounds is widely known in the industrial field, and they can be used without any particular limitation in the present invention. These may be any one of chemical forms such as monomers, oligomers, prepolymers, polymers, and the like.

<<중합성 모노머 및 중합성 올리고머>><< Polymerizable Monomers and Polymerizable Oligomers >>

본 발명의 조성물은, 중합성 화합물로서, 중합성기를 갖는 모노머(중합성 모노머) 또는 중합성기를 갖는 올리고머(중합성 올리고머)(이하, 중합성 모노머와 중합성 올리고머를 합하여 "중합성 모노머 등"이라고 하는 경우가 있음)를 포함하고 있어도 된다.The composition of the present invention is a composition comprising a monomer having a polymerizable group (a polymerizable monomer) or an oligomer having a polymerizable group (a polymerizable oligomer) (hereinafter, a polymerizable monomer or the like, May be included).

중합성 모노머 등의 예로서는, 불포화 카복실산(예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 아이소크로톤산, 말레산 등)이나 그 에스터류, 아마이드류를 들 수 있고, 바람직하게는, 불포화 카복실산과 지방족 다가 알코올 화합물의 에스터 및 불포화 카복실산과 지방족 다가 아민 화합물의 아마이드류이다. 또, 하이드록실기나 아미노기, 머캅토기 등의 구핵성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능 아이소사이아네이트류 혹은 에폭시류와의 부가 반응물이나, 단관능 혹은 다관능의 카복실산과의 탈수 축합 반응물 등도 적합하게 사용된다. 또, 아이소사이아네이트기나 에폭시기 등의 친전자성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 부가 반응물, 또한 할로젠기나 토실옥시기 등의 탈리성 치환기를 갖는 불포화 카복실산 에스터 혹은 아마이드류와, 단관능 혹은 다관능의 알코올류, 아민류, 싸이올류와의 치환 반응물도 적합하다. 또, 다른 예로서, 상기의 불포화 카복실산 대신에, 불포화 포스폰산, 스타이렌 등의 바이닐벤젠 유도체, 바이닐에터, 알릴에터 등에 치환한 화합물군을 사용하는 것도 가능하다.Examples of the polymerizable monomer and the like include unsaturated carboxylic acids (for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.), esters thereof and amides, An ester of an unsaturated carboxylic acid and an aliphatic polyhydric alcohol compound, and an amide of an unsaturated carboxylic acid and an aliphatic polyvalent amine compound. Further, an addition reaction product of an unsaturated carboxylic acid ester or amide having a nucleophilic substituent such as a hydroxyl group, an amino group or a mercapto group with a monofunctional or multifunctional isocyanate or an epoxide, a monofunctional or polyfunctional A dehydration condensation reaction product with a carboxylic acid, and the like are suitably used. In addition, it is also possible to use an unsaturated carboxylic acid ester or amide having an electrophilic substituent such as an isocyanate group or an epoxy group, an addition reaction product of monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, thiols, Unsaturated carboxylic acid esters or amides having a desilyl substituent group and mono- or polyfunctional alcohols, amines, and thioes are also suitable. As another example, in place of the above unsaturated carboxylic acid, it is also possible to use a compound group substituted with an unsaturated phosphonic acid, a vinylbenzene derivative such as styrene, a vinyl ether, an ally ether or the like.

이들의 구체적인 화합물로서는, 일본 공개특허공보 2009-288705호의 단락 번호 0095~단락 번호 0108에 기재되어 있는 화합물을 본 발명에 있어서도 적합하게 이용할 수 있다.As specific compounds of these, compounds described in paragraph [0095] to [0108] of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-288705 can be suitably used in the present invention.

또, 상기 중합성 모노머 등은, 적어도 하나의 부가 중합 가능한 에틸렌기를 갖는, 상압하에서 100℃ 이상의 비점을 갖는 에틸렌성 불포화기를 갖는 화합물도 이용할 수 있으며, 단관능 (메트)아크릴레이트, 2관능 (메트)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트(예를 들면, 3~6관능의 (메트)아크릴레이트)도 이용할 수 있다.The polymerizable monomer may be a compound having an ethylenically unsaturated group having at least one addition-polymerizable ethylene group and a boiling point of at least 100 캜 under normal pressure, and may be a monofunctional (meth) acrylate, a bifunctional ) Acrylate, and trifunctional or more (meth) acrylate (e.g., (meth) acrylate having 3 to 6 functional groups).

그 예로서는, 폴리에틸렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜모노(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트 등의 단관능의 아크릴레이트나 메타아크릴레이트;Examples thereof include monofunctional acrylates and methacrylates such as polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate and phenoxyethyl (meth) acrylate;

폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올에테인트라이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 헥세인다이올(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(아크릴로일옥시프로필)에터, 트라이(아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 글리세린이나 트라이메틸올에테인 등의 다관능 알코올에 에틸렌옥사이드나 프로필렌옥사이드를 부가시킨 후 (메트)아크릴레이트화한 것을 들 수 있다.(Meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylol ethane tri (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) ) Acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, hexanediol (meth) acrylate, trimethylol propol paint (acryloyloxypropyl) ether (Meth) acrylate obtained by adding ethylene oxide or propylene oxide to a polyfunctional alcohol such as tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, glycerin or trimethylolethane, and then (meth) acrylate.

중합성 화합물로서는, 에틸렌옥시 변성 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 NK에스터ATM-35E; 신나카무라 가가쿠사제), 다이펜타에리트리톨트라이아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-330; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-320; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD D-310; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트(시판품으로서는 KAYARAD DPHA; 닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제), 및 이들의 (메트)아크릴로일기가 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜 잔기를 개재하고 있는 구조를 이용할 수 있다. 또 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다. 일본 공개특허공보 2007-269779호의 단락 번호 0248~단락 번호 0251에 기재되어 있는 화합물을 본 발명에 있어서도 이용할 수 있다.As the polymerizable compound, ethyleneoxy-modified pentaerythritol tetraacrylate (NK Ester ATM-35E, Shin Nakamura Kagaku Co., Ltd., a commercial product), dipentaerythritol triacrylate (KAYARAD D-330, Nippon Kayaku Kabushiki (KAYARAD D-320 manufactured by Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha), dipentaerythritol penta (meth) acrylate (commercially available as KAYARAD D-310, manufactured by Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha), dipentaerythritol tetraacrylate (Trade name, KAYARAD DPHA, manufactured by Nippon Kayaku K.K.) and their (meth) acryloyl groups are ethylene glycol, propylene glycol residues (manufactured by Nippon Kayaku K.K.), dipentaerythritol hexa Can be used. These oligomer types can also be used. The compounds described in paragraphs 0248 to 0251 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-269779 can also be used in the present invention.

중합성 모노머 등으로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0477(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0585])에 기재된 중합성 모노머 등을 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 다이글리세린EO(에틸렌옥사이드) 변성 (메트)아크릴레이트(시판품으로서는 M-460; 도아 고세이제)를 이용할 수 있다. 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트(신나카무라 가가쿠제, A-TMMT), 1,6-헥세인다이올다이아크릴레이트(닛폰 가야쿠사제, KAYARAD HDDA)도 이용할 수 있다. 이들의 올리고머 타입도 사용할 수 있다.Polymerizable monomers and the like include polymerizable monomers described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0477 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0585]), Is used. Further, diglycerin EO (ethylene oxide) modified (meth) acrylate (M-460, commercially available from Toagosei Co., Ltd.) can be used. Pentaerythritol tetraacrylate (Shin-Nakamura Kagaku Co., A-TMMT) and 1,6-hexanediol diacrylate (KAYARAD HDDA, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) can also be used. These oligomer types can also be used.

예를 들면, RP-1040(닛폰 가야쿠 가부시키가이샤제) 등을 들 수 있다.For example, RP-1040 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and the like.

본 발명에 있어서, 산기를 갖는 모노머로서는, 지방족 폴리하이드록시 화합물과 불포화 카복실산의 에스터이며, 지방족 폴리하이드록시 화합물의 미반응의 하이드록실기에 비방향족 카복실산 무수물을 반응시켜 산기를 갖게 한 다관능 모노머를 이용할 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들면 도아 고세이 가부시키가이샤제의 다염기산 변성 아크릴올리고머로서, 아로닉스시리즈의 M-305, M-510, M-520 등을 들 수 있다.In the present invention, examples of the monomer having an acid group include esters of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid, which are obtained by reacting an unreacted hydroxyl group of an aliphatic polyhydroxy compound with a nonaromatic carboxylic acid anhydride to give an acid group Can be used. Commercially available products include, for example, M-305, M-510, and M-520 of Aronix series as a polybasic acid-modified acrylic oligomer made by Toagosei Co.,

산기를 갖는 다관능 모노머의 산가로서는, 0.1~40mg-KOH/g이며, 특히 바람직하게는 5~30mg-KOH/g이다. 다른 산기의 다관능 모노머를 2종 이상 병용하는 경우, 혹은 산기를 갖지 않는 다관능 모노머를 병용하는 경우, 전체의 다관능 모노머로서의 산가가 상기 범위에 들어가도록 조제하는 것이 필수이다.The acid value of the polyfunctional monomer having an acid group is 0.1 to 40 mg-KOH / g, particularly preferably 5 to 30 mg-KOH / g. When two or more polyfunctional monomers having different acid groups are used in combination or when polyfunctional monomers having no acid group are used in combination, it is essential to prepare the polyfunctional monomers so that the total acid value of the polyfunctional monomer falls within the above range.

<<측쇄에 중합성기를 갖는 폴리머>><< Polymer having polymerizable group in side chain >>

본 발명의 조성물의 제2 양태는, 중합성 화합물로서, 측쇄에 중합성기를 갖는 폴리머를 포함하는 양태여도 된다. 중합성기로서는, 에틸렌성 불포화 이중 결합기, 에폭시기나 옥세탄일기를 들 수 있다.The second aspect of the composition of the present invention may be a mode in which the polymerizable compound includes a polymer having a polymerizable group in its side chain. Examples of the polymerizable group include an ethylenically unsaturated double bond group, an epoxy group and an oxetanyl group.

<<에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물>>&Lt; Compound having an epoxy group or oxetanyl group &gt;

본 발명의 제3 양태는, 중합성 화합물로서, 에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물을 포함하는 양태여도 된다. 에폭시기 또는 옥세탄일기를 갖는 화합물로서는, 구체적으로는 측쇄에 에폭시기를 갖는 폴리머, 및 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 중합성 모노머 또는 올리고머가 있고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또 단관능 또는 다관능 글라이시딜에터 화합물도 들 수 있다.The third aspect of the present invention may be a mode in which a compound having an epoxy group or an oxetanyl group is contained as the polymerizable compound. Specific examples of the compound having an epoxy group or an oxetanyl group include a polymer having an epoxy group in the side chain and a polymerizable monomer or oligomer having two or more epoxy groups in the molecule. Examples thereof include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, Novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, and aliphatic epoxy resins. Also included are monofunctional or polyfunctional glycidyl ether compounds.

이들 화합물은, 시판품을 이용해도 되고, 폴리머의 측쇄에 에폭시기를 도입하는 것에 의해서도 얻어진다. 시판품으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-155288호 단락 0191 등의 기재를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.These compounds may be commercially available products or may be obtained by introducing an epoxy group into the side chain of the polymer. As a commercial product, for example, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-155288, paragraph 0191 and the like can be taken into consideration, and these contents are incorporated herein by reference.

또, 시판품으로서는, 데나콜 EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L, EX-850L(이상, 나가세 켐텍스(주)제) 등의 다관능 지방족 글라이시딜에터 화합물을 들 수 있다. 이들은, 저염소품이지만, 저염소품이 아닌, EX-212, EX-214, EX-216, EX-321, EX-850 등도 동일하게 사용할 수 있다.As a commercial product, polyfunctional aliphatic glycidyl ether compounds such as Denacol EX-212L, EX-214L, EX-216L, EX-321L and EX-850L (manufactured by Nagase ChemteX Corporation) . These are low-salt small articles, but EX-212, EX-214, EX-216, EX-321, EX-850 and the like can be used in the same manner.

그 외에도, ADEKA RESIN EP-4000S, 동 EP-4003S, 동 EP-4010S, 동 EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제), JER1031S 등도 들 수 있다.In addition, ADEKA RESIN EP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- -501, EPPN-502 (manufactured by ADEKA Corporation), JER1031S, and the like.

또한, 페놀 노볼락형 에폭시 수지의 시판품으로서, JER-157S65, JER-152, JER-154, JER-157S70(이상, 미쓰비시 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available phenol novolac epoxy resins include JER-157S65, JER-152, JER-154 and JER-157S70 (manufactured by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.).

측쇄에 옥세탄일기를 갖는 폴리머, 및 상술한 분자 내에 2개 이상의 옥세탄일기를 갖는 중합성 모노머 또는 올리고머의 구체예로서는, 아론옥세테인 OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아 고세이(주)제)를 이용할 수 있다.Specific examples of the polymer having an oxetanyl group in the side chain and the polymerizable monomer or oligomer having at least two oxetane groups in the molecule include Aromatic oxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX Manufactured by Toagosei Co., Ltd.) can be used.

폴리머 측쇄에 도입하여 합성하는 경우, 도입 반응은, 예를 들면 트라이에틸아민, 벤질메틸아민 등의 3급 아민, 도데실트라이메틸암모늄 클로라이드, 테트라메틸암모늄 클로라이드, 테트라에틸암모늄 클로라이드 등의 4급 암모늄염, 피리딘, 트라이페닐포스핀 등을 촉매로 하여 유기 용제 중, 반응 온도 50~150℃에서 수~수십시간 반응시킴으로써 행할 수 있다. 지환식 에폭시 불포화 화합물의 도입량은 얻어지는 폴리머의 산가가 5~200KOH·mg/g을 충족하는 범위가 되도록 제어할 수 있다. 또, 분자량은 중량 평균으로 500~5000000, 나아가서는 1000~500000의 범위로 할 수 있다.In the case of synthesizing by introduction into the side chain of the polymer, the introduction reaction is carried out, for example, by using a tertiary amine such as triethylamine or benzylmethylamine, a quaternary ammonium salt such as dodecyltrimethylammonium chloride, tetramethylammonium chloride or tetraethylammonium chloride , Pyridine, triphenylphosphine or the like as a catalyst in an organic solvent at a reaction temperature of 50 to 150 ° C for several to several hours. The introduction amount of the alicyclic epoxy unsaturated compound can be controlled so that the acid value of the obtained polymer is in the range satisfying 5 to 200 KOH · mg / g. The weight average molecular weight may be in the range of 500 to 5000000, more preferably 1000 to 500000.

에폭시 불포화 화합물로서는 글라이시딜(메트)아크릴레이트나 알릴글라이시딜에터 등의 에폭시기로서 글라이시딜기를 갖는 것도 사용 가능하다. 이와 같은 것으로서는 예를 들면 일본 공개특허공보 2009-265518호 단락 0045 등의 기재를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As the epoxy unsaturated compound, those having a glycidyl group as an epoxy group such as glycidyl (meth) acrylate or allyl glycidyl ether can also be used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-265518, paragraph 0045, and the like can be taken into consideration, and these contents are incorporated herein by reference.

본 발명에서는, 불포화 이중 결합, 에폭시기 또는 옥세탄일기 등의 가교기를 갖는 중합체를 포함하는 것이 바람직하다. 이로써, 경화막으로 했을 때의 제막성(크랙이나 휨의 억제), 및 내습성을 보다 양호하게 할 수 있다. 구체적으로는, 하기의 반복 단위를 갖는 중합체를 들 수 있다. 하기 반복 단위를 갖는 중합체로서는, 에폭시기를 갖는 중합체가 바람직하다.In the present invention, it is preferable to include a polymer having a crosslinking group such as an unsaturated double bond, an epoxy group or an oxetane group. This makes it possible to improve film formability (suppression of cracking and warping) and moisture resistance when the film is formed into a cured film. Specifically, a polymer having the following repeating unit can be mentioned. As the polymer having the following repeating unit, a polymer having an epoxy group is preferable.

[화학식 19][Chemical Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

<<식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물>><< Compounds having a partial structure represented by the formula (1) >>

본 발명에서 이용하는 경화성 화합물은, 하기 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 것도 바람직하고, 이 경화성 화합물이 불포화 이중 결합, 에폭시기 또는 옥세탄일기 등의 가교기를 갖고 있어도 된다.The curable compound used in the present invention preferably has a partial structure represented by the following formula (1), and the curable compound may have a crosslinking group such as an unsaturated double bond, an epoxy group or an oxetanyl group.

[화학식 20][Chemical Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

(식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다.)(In the formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an organic group.)

이러한 화합물을 함유함으로써, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 경화막으로 했을 때에 근적외선 차폐성을 보다 향상시켜, 내습성을 보다 향상시킬 수 있다.By containing such a compound, when the near infrared absorbing composition of the present invention is used as a cured film, the near infrared ray shielding property can be further improved and the moisture resistance can be further improved.

식 (1) 중, R1은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 탄화 수소기, 구체적으로는, 알킬기 또는 아릴기를 들 수 있고, 탄소수가 1~20인 알킬기, 탄소수가 6~20인 아릴기, 또는 이들 기와 2가의 연결기의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하다.In the formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an organic group. The organic group is preferably a hydrocarbon group, specifically, an alkyl group or an aryl group, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a combination of these groups and a divalent linking group .

이러한 유기기의 구체예로서는, -OR’, -SR’, 또는 이들 기와 -(CH2)m-(m은 1~10의 정수), 탄소수 5~10의 환상의 알킬렌기, -O-, -CO-, -COO- 및 -NH- 중 적어도 하나와의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기에서, R’은, 수소 원자, 탄소수가 1~10인 직쇄, 탄소수가 3~10인 분기 또는 환상의 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~7의 직쇄, 탄소수 3~7의 분기 또는 환상의 알킬기), 탄소수가 6~10인 아릴기, 또는 탄소수가 6~10인 아릴기와 탄소수가 1~10인 알킬렌기의 조합으로 이루어지는 기가 바람직하다.Specific examples of such an organic group include -OR ', -SR', or a group of these groups and - (CH 2 ) m - (m is an integer of 1 to 10), a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms, -O-, CO-, -COO-, and -NH-. Here, R 'represents a hydrogen atom, a straight chain having 1 to 10 carbon atoms, a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms (preferably a straight chain having 1 to 7 carbon atoms, a branched or cyclic alkyl group having 3 to 7 carbon atoms ), An aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or a combination of an aryl group having 6 to 10 carbon atoms and an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.

또, 식 (1) 중, R1과 C가 결합하여 환 구조(헤테로환 구조)를 형성하고 있어도 된다. 헤테로환 구조 중에 있어서의 헤테로 원자는, 식 (1) 중의 질소 원자이다. 헤테로환 구조는, 5 또는 6원환 구조가 바람직하고, 5원환 구조가 보다 바람직하다. 헤테로환 구조는, 축합환이어도 되지만, 단환이 바람직하다.In formula (1), R 1 and C may be bonded to form a ring structure (heterocyclic structure). The hetero atom in the heterocyclic structure is a nitrogen atom in formula (1). The heterocyclic structure is preferably a 5- or 6-membered ring structure, and more preferably a 5-membered ring structure. The heterocyclic structure may be a condensed ring, but monocyclic ring is preferred.

특히 바람직한 R1의 구체예로서는, 수소 원자, 탄소수 1~3의 알킬기, -OR’(R’은 탄소수가 1~5인 직쇄의 알킬기)과 -(CH2)m-(m은 1~10의 정수, 바람직하게는 m은 1~5의 정수)의 조합으로 이루어지는 기, 식 (1) 중의 R1과 C가 결합하여 헤테로환 구조(바람직하게는 5원환 구조)를 형성한 기를 들 수 있다.Specific examples of the preferable R 1 include a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, -OR '(R' is a straight chain alkyl group having 1 to 5 carbon atoms) and - (CH 2 ) m - (Preferably an integer of 1 to 5), and a group formed by combining R 1 and C in formula (1) to form a heterocyclic structure (preferably a 5-membered ring structure).

식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물은, (중합체의 주쇄 구조-식 (1)의 부분 구조-R1)로 나타나거나, (A-식 (1)의 부분 구조-B)로 나타나는 것이 바람직하다. 여기에서, A는, 탄소수가 1~10인 직쇄, 탄소수가 3~10인 분기, 또는 탄소수 3~10의 환상의 알킬기이다. 또, B는, -(CH2)m-(m은 1~10의 정수, 바람직하게는 m은 1~5의 정수)와, 식 (1)의 부분 구조와, 중합성기의 조합으로 이루어지는 기이다.The compound having a partial structure represented by the formula (1) may be represented by (a main chain structure of the polymer - a partial structure of formula (1) - R 1 ), or a compound represented by the following formula desirable. Here, A is a straight chain, a branched chain having 3 to 10 carbon atoms, or a cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, having 1 to 10 carbon atoms. B represents a group consisting of a partial structure of the formula (1) and a polymerizable group, - (CH 2 ) m - (m is an integer of 1 to 10, preferably m is an integer of 1 to 5) to be.

또, 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물은, 하기 식 (1-1)~(1-5) 중 어느 하나로 나타나는 구조를 갖는 것이 바람직하다.The compound having a partial structure represented by the formula (1) preferably has a structure represented by any one of the following formulas (1-1) to (1-5).

[화학식 21][Chemical Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

(식 (1-1) 중, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 식 (1-2) 중, R7은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 식 (1-3) 중, L1은 2가의 연결기를 나타내며, R8은 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 식 (1-4) 중, L2 및 L3은 각각 독립적으로 2가의 연결기를 나타내며, R9 및 R10은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 식 (1-5) 중, L4는 2가의 연결기를 나타내며, R11~R14는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다.)(In formula (1-1) of, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 5 and R 6 represents a hydrogen atom or an organic each independently formula (1-2) of, R 7 is a hydrogen atom or a methyl group represents the equation (1-3) of the, L 1 represents a divalent connecting group, R 8 represents a hydrogen atom or an organic group. Eq. (1-4) of the, L 2 and L 3 each independently represents a divalent linking group (1-5), L 4 represents a divalent linking group, R 11 to R 14 each independently represents a hydrogen atom or an organic group, and R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom or an organic group. .

식 (1-1) 중, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 식 (1) 중의 R1과 동의이며, 바람직한 범위도 동일하다.In the formula (1-1), R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an organic group. The organic group agrees with R 1 in formula (1), and the preferable range is also the same.

식 (1-3)~(1-5) 중, L1~L4는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, -(CH2)m-(m은 1~10의 정수), 탄소수 5~10의 환상의 알킬렌기, -O-, -CO-, -COO- 및 -NH- 중 적어도 하나와의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하고, -(CH2)m-(m은 1~8의 정수)인 것이 보다 바람직하다.In formulas (1-3) to (1-5), L 1 to L 4 represent a divalent linking group. As the divalent linking group, at least one of - (CH 2 ) m - (m is an integer of 1 to 10), a cyclic alkylene group having 5 to 10 carbon atoms, -O-, -CO-, -COO- and -NH- , And more preferably - (CH 2 ) m - (m is an integer of 1 to 8).

식 (1-3)~(1-5) 중, R8~R14는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. 유기기로서는, 탄화 수소기, 구체적으로는 알킬기 또는 알켄일기인 것이 바람직하다.In formulas (1-3) to (1-5), R 8 to R 14 each independently represent a hydrogen atom or an organic group. The organic group is preferably a hydrocarbon group, specifically an alkyl group or an alkenyl group.

알킬기는, 치환되어 있어도 된다. 또, 알킬기는, 쇄상, 분기상, 환상 중 어느 것이어도 되지만, 직쇄상 또는 환상의 것이 바람직하다. 알킬기로서는, 탄소수 1~10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 알킬기가 보다 바람직하다.The alkyl group may be substituted. The alkyl group may be any of chain, branched, and cyclic, but is preferably straight-chain or cyclic. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

알켄일기는, 치환되어 있어도 된다. 알켄일기로서는, 탄소수 1~10의 알켄일기가 바람직하고, 탄소수 1~4의 알켄일기가 보다 바람직하며, 바이닐기가 특히 바람직하다.The alkenyl group may be substituted. As the alkenyl group, an alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, an alkenyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

치환기로서는, 예를 들면 중합성기, 할로젠 원자, 알킬기, 카복실산 에스터기, 할로젠화 알킬기, 알콕시기, 메타크릴로일옥시기, 아크릴로일옥시기, 에터기, 설폰일기, 설파이드기, 아마이드기, 아실기, 하이드록시기, 카복실기 등이 예시된다. 이들 치환기 중에서도, 중합성기(예를 들면, 바이닐기, (메트)아크릴로일옥시기, (메트)아크릴로일기, 에폭시기, 아지리딘일기 등)가 바람직하고, 바이닐기가 보다 바람직하다.Examples of the substituent include a polymerizable group, a halogen atom, an alkyl group, a carboxylic acid ester group, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, a methacryloyloxy group, an acryloyloxy group, an ether group, a sulfonyl group, a sulfide group, An acyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group and the like. Among these substituents, a polymerizable group (e.g., a vinyl group, a (meth) acryloyloxy group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, an aziridinyl group, etc.) is preferable and a vinyl group is more preferable.

또, 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물은, 모노머여도 되고 폴리머여도 되지만, 폴리머인 것이 바람직하다. 즉, 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물은, 식 (1-1) 또는 식 (1-2)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.The compound having a partial structure represented by the formula (1) may be a monomer or a polymer, but is preferably a polymer. That is, the compound having a partial structure represented by the formula (1) is preferably a compound represented by the formula (1-1) or (1-2).

또, 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물이 폴리머인 경우, 폴리머의 측쇄에 상기 부분 구조를 함유하는 것이 바람직하다.When the compound having a partial structure represented by the formula (1) is a polymer, it is preferable that the side chain of the polymer contains the partial structure.

식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 50~1000000이며, 보다 바람직하게는 500~500000이다. 이러한 분자량으로 함으로써, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 달성할 수 있다.The molecular weight of the compound having the partial structure represented by the formula (1) is preferably 50 to 1000000, more preferably 500 to 500000. By using such a molecular weight, the effect of the present invention can be achieved more effectively.

(1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물의 함유량은, 본 발명의 조성물 중 5~80질량%인 것이 바람직하고, 10~60질량%인 것이 보다 바람직하다.The content of the compound having a partial structure represented by the formula (1) is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 60% by mass in the composition of the present invention.

식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물의 구체예로서는, 하기 구조를 갖는 화합물 또는 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는, 특히 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물이 폴리아크릴아마이드인 것이 바람직하다.Specific examples of the compound having a partial structure represented by the formula (1) include a compound having the following structure or the following exemplified compounds, but are not limited thereto. In the present invention, it is particularly preferable that the compound having a partial structure represented by the formula (1) is a polyacrylamide.

[화학식 22][Chemical Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

또, 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 화합물의 구체예로서는, 수용성 폴리머를 들 수 있고, 바람직한 주쇄 구조로서는, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리(메트)아크릴아마이드, 폴리아마이드, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리유레테인, 폴리유레아를 들 수 있다. 수용성 폴리머는 공중합체여도 되고, 공중합체는 랜덤 공중합체여도 된다.Specific examples of the compound having a partial structure represented by the formula (1) include water-soluble polymers. Preferred examples of the main chain structure include polyvinylpyrrolidone, poly (meth) acrylamide, polyamide, polyvinylpyrrolidone , Polyurethane, and polyurea. The water-soluble polymer may be a copolymer, and the copolymer may be a random copolymer.

폴리바이닐피롤리돈으로서는, 상품명 KW-30(닛폰 쇼쿠바이사제)을 사용할 수 있다.As the polyvinylpyrrolidone, a trade name KW-30 (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) may be used.

폴리(메트)아크릴아마이드로서는, (메트)아크릴아마이드의 중합체, 공중합체를 들 수 있다. 아크릴아마이드의 구체예로서는, 아크릴아마이드, N-메틸아크릴아마이드, N-에틸아크릴아마이드, N-프로필아크릴아마이드, N-뷰틸아크릴아마이드, N-벤질아크릴아마이드, N-하이드록시에틸아크릴아마이드, N-페닐아크릴아마이드, N-톨릴아크릴아마이드, N-(하이드록시페닐)아크릴아마이드, N-(설파모일페닐)아크릴아마이드, N-(페닐설폰일)아크릴아마이드, N-(톨릴설폰일)아크릴아마이드, N,N-다이메틸아크릴아마이드, N-메틸-N-페닐아크릴아마이드, N-하이드록시에틸-N-메틸아크릴아마이드 등을 들 수 있다. 또 이들에 대응하는 메타크릴아마이드도 이와 같이 사용할 수 있다.Examples of the poly (meth) acrylamide include polymers and copolymers of (meth) acrylamide. Specific examples of acrylamide include acrylamide, N-methylacrylamide, N-ethyl acrylamide, N-propylacrylamide, N-butyl acrylamide, N-benzyl acrylamide, N-hydroxyethyl acrylamide, (Phenylsulfonyl) acrylamide, N- (tolylsulfonyl) acrylamide, N (hydroxyphenyl) acrylamide, N- , N-dimethyl acrylamide, N-methyl-N-phenylacrylamide, N-hydroxyethyl-N-methylacrylamide and the like. The corresponding methacrylamides can also be used as such.

수용성 폴리아마이드 수지는, 특히 폴리아마이드 수지와 친수성 화합물이 공중합한 화합물을 들 수 있다. 수용성 폴리아마이드 수지의 유도체란, 예를 들면 수용성 폴리아마이드 수지를 원료로 하여, 아마이드 결합(-CONH-)의 수소(-원자를 메톡시메틸기 CH2OCH3)로 치환한 화합물과 같이, 수용성 폴리아마이드 수지 분자 중의 원자가 치환되거나 또는 부가 반응에 의하여, 아마이드 결합의 구조가 변화한 화합물을 말한다.The water-soluble polyamide resin may particularly be a compound obtained by copolymerizing a polyamide resin with a hydrophilic compound. Derivatives of the water-soluble polyamide resin include derivatives of a water-soluble polyamide resin such as water-soluble polyamide resin as a raw material and a compound obtained by substituting hydrogen (- atom of the --CONH-) with methoxymethyl group (CH 2 OCH 3 ) Refers to a compound in which the atom in the amide resin molecule is substituted or the structure of the amide bond is changed by an addition reaction.

폴리아마이드 수지로서는, 예를 들면 ω 아미노산의 중합으로 합성되는 이른바 "n-나일론"이나 다이아민과 다이카복실산의 공중합으로 합성되는 이른바 "n,m-나일론"을 들 수 있다. 그 중에서도, 친수성 부여의 관점에서, 다이아민과 다이카복실산의 공중합체가 바람직하고, ε-카프로락탐과 다이카복실산과의 반응 생성물이 보다 바람직하다.As the polyamide resin, there may be mentioned, for example, so-called "n-nylon" synthesized by polymerization of ω-amino acid or so-called "n, m-nylon" synthesized by copolymerization of diamine and dicarboxylic acid. Among them, a copolymer of a diamine and a dicarboxylic acid is preferable from the viewpoint of imparting hydrophilicity, and a reaction product of? -Caprolactam and a dicarboxylic acid is more preferable.

친수성 화합물로서는, 친수성 함질소 환상 화합물, 폴리알킬렌글라이콜 등을 들 수 있다.Examples of the hydrophilic compound include hydrophilic nitrogen-containing cyclic compounds and polyalkyleneglycols.

여기에서, 친수성 함질소 환상 화합물이란, 측쇄 또는 주쇄에 제3 급 아민 성분을 갖는 화합물이며, 예를 들면 아미노에틸피페라진, 비스아미노프로필피페라진, α-다이메틸아미노ε카프로락탐 등을 들 수 있다.Here, the hydrophilic nitrogen ring cyclic compound is a compound having a tertiary amine component in the side chain or the main chain, and examples thereof include aminoethylpiperazine, bisaminopropylpiperazine,? -Dimethylamino? Caprolactam, and the like. have.

한편, 폴리아마이드 수지와 친수성 화합물이 공중합한 화합물에는, 폴리아마이드 수지의 주쇄에, 예를 들면 친수성 함질소 환상 화합물 및 폴리알킬렌글라이콜로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나가 공중합되어 있기 때문에, 폴리아마이드 수지의 아마이드 결합부의 수소 결합 능력은, N-메톡시메틸화 나일론에 대하여 크다.On the other hand, in the compound in which the polyamide resin and the hydrophilic compound are copolymerized, at least one selected from the group consisting of a hydrophilic cyclic nitrogen compound and a polyalkyleneglycol is copolymerized with the main chain of the polyamide resin, The hydrogen bonding ability of the amide bond portion of the resin is larger than that of N-methoxymethylated nylon.

폴리아마이드 수지와 친수성 화합물이 공중합한 화합물 중에서도, 1) ε-카프로락탐과 친수성 함질소 환상 화합물과 다이카복실산과의 반응 생성물, 및 2) ε-카프로락탐과 폴리알킬렌글라이콜과 다이카복실산과의 반응 생성물이 바람직하다.Among the compounds in which a polyamide resin and a hydrophilic compound are copolymerized, 1) a reaction product of? -Caprolactam and a hydrophilic nitrogen cyclic compound and a dicarboxylic acid, and 2) a reaction product of? -Caprolactam and a polyalkylene glycol and a dicarboxylic acid Reaction products are preferred.

이들은, 예를 들면 도레이 파인텍(주)로부터 "AQ 나일론"이라는 상표로 시판되고 있다. ε-카프로락탐과 친수성 함질소 환상 화합물과 다이카복실산과의 반응 생성물은, 도레이 파인텍(주)제 AQ 나일론 A-90으로서 입수 가능하고, ε-카프로락탐과 폴리알킬렌글라이콜과 다이카복실산과의 반응 생성물은, 도레이 파인텍(주)제 AQ 나일론 P-70으로서 입수 가능하다. AQ 나일론 A-90, P-70, P-95, T-70(도레이사제)을 사용할 수 있다.These are commercially available under the trademark "AQ nylon ", for example, from Toray Fine Tech Co., Ltd. The reaction product of? -caprolactam and a hydrophilic nitrogen-containing cyclic compound and a dicarboxylic acid is available as AQ Nylon A-90 manufactured by Toray Fine Chemicals Co., Ltd., and? -caprolactam, polyalkyleneglycol and dicarboxylic acid Is available as AQ Nylon P-70 manufactured by Toray Fine Chemicals Co., Ltd. AQ nylon A-90, P-70, P-95, and T-70 (manufactured by Toray Industries, Inc.).

상술한 식 (1)로 나타나는 부분 구조를 갖는 반복 단위와 에폭시기를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체의 몰비는, 10/90~90/10인 것이 바람직하고, 30/70~70/30인 것이 보다 바람직하다. 상기 공중합체의 중량 평균 분자량은, 3,000~1,000,000인 것이 바람직하고, 5,000~200,000인 것이 보다 바람직하다.The molar ratio of the repeating unit having a partial structure and the repeating unit having an epoxy group represented by the above-mentioned formula (1) is preferably 10/90 to 90/10, more preferably 30/70 to 70/30 desirable. The weight average molecular weight of the copolymer is preferably 3,000 to 1,000,000, more preferably 5,000 to 200,000.

이들 중합성 화합물에 대하여, 그 구조, 단독 사용인지 병용인지, 첨가량 등의 사용 방법의 상세는, 근적외선 흡수성 조성물의 최종적인 성능 설계에 맞추어 임의로 설정할 수 있다. 예를 들면, 감도의 관점에서는, 1분자당 불포화기 함량이 많은 구조가 바람직하고, 대부분의 경우는 2관능 이상이 바람직하다. 또, 근적외선 차단 필터의 강도를 높이는 관점에서는, 3관능 이상의 것이 좋고, 또한 다른 관능수·다른 중합성기(예를 들면 아크릴산 에스터, 메타크릴산 에스터, 스타이렌계 화합물, 바이닐에터계 화합물)의 것을 병용함으로써, 감도와 강도의 양쪽 모두를 조절하는 방법도 유효하다. 또, 근적외선 흡수성 조성물에 함유되는 다른 성분(예를 들면, 금속 산화물, 색소, 중합 개시제)과의 상용성, 분산성에 대해서도, 중합성 화합물의 선택·사용법은 중요한 요인이며, 예를 들면 저순도 화합물의 사용이나 2종 이상의 병용에 의하여 상용성을 향상시킬 수 있는 경우가 있다. 또, 지지체 등의 경질 표면과의 밀착성을 향상시키는 관점에서 특정의 구조를 선택하는 경우도 있을 수 있다.Details of the structure, the use of the polymerizable compound, whether it is used alone or in combination with the polymerizable compound, and the like can be arbitrarily set in accordance with the final performance design of the near infrared absorbing composition. For example, from the viewpoint of sensitivity, a structure having a large number of unsaturated groups per molecule is preferable, and in most cases, a bifunctionality or more is preferable. From the viewpoint of enhancing the strength of the near-IR blocking filter, it is preferable to use a trifunctional or higher functional group, and a combination of other functional groups and other polymerizable groups (for example, acrylate ester, methacrylate ester, styrene group compound, vinyl ether group compound) A method of adjusting both the sensitivity and the intensity is also effective. In addition, regarding the compatibility and dispersibility with other components (for example, metal oxides, pigments, polymerization initiators) contained in the near-infrared absorbing composition, selection and use of polymerizable compounds are important factors. For example, May be used, or the compatibility may be improved by combining two or more species. In addition, a specific structure may be selected from the viewpoint of improving adhesion with a hard surface such as a support.

본 발명의 조성물 중에 있어서의 중합성 화합물의 첨가량은, 용제를 제외한 전체 고형분에 대하여 1~50질량%, 보다 바람직하게는 1~30질량%, 특히 바람직하게는 1~10질량%의 범위로 할 수 있다.The amount of the polymerizable compound to be added in the composition of the present invention is in the range of 1 to 50 mass%, more preferably 1 to 30 mass%, and particularly preferably 1 to 10 mass% with respect to the total solid content excluding the solvent .

또, 중합성 화합물로서, 가교기를 갖는 반복 단위를 포함하는 중합체를 이용하는 경우, 용제를 제외한 본 발명의 조성물의 전체 고형분에 대하여 10~75질량%, 보다 바람직하게는 20~65질량%, 특히 바람직하게는 20~60질량%의 범위로 하는 것이 바람직하다.When a polymer containing a repeating unit having a crosslinking group is used as the polymerizable compound, the amount of the polymer is preferably 10 to 75% by mass, more preferably 20 to 65% by mass, particularly preferably 20 to 80% by mass relative to the total solid content of the composition of the present invention, By mass to 20% by mass to 60% by mass.

중합성 화합물은, 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 되며, 2종류 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위가 된다.The polymerizable compound may be a single kind or two or more kinds, and when two or more kinds are used, the total amount is in the above range.

<바인더 폴리머>&Lt; Binder polymer &

본 발명에 있어서는, 피막 특성 향상 등의 목적으로, 필요에 따라, 추가로 바인더 폴리머를 포함해도 된다. 바인더 폴리머로서는, 알칼리 가용성 수지를 이용할 수 있다.In the present invention, for the purpose of improving the film properties, etc., a binder polymer may be further included if necessary. As the binder polymer, an alkali-soluble resin can be used.

알칼리 가용성 수지로서는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0558~0571(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0685]~[0700]) 이후의 기재를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As the alkali-soluble resin, mention may be made of the description after Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraphs 0558 to 0571 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0685] to [0700]), Which is incorporated herein by reference.

본 발명에 있어서의 바인더 폴리머의 함유량은, 조성물의 전체 고형분 중에 대하여, 80질량% 이하로 할 수 있고, 50질량% 이하로 할 수도 있으며, 30질량% 이하로 할 수도 있다.The content of the binder polymer in the present invention may be 80% by mass or less, 50% by mass or less, and 30% by mass or less, based on the total solid content of the composition.

<계면활성제><Surfactant>

본 발명의 조성물은, 계면활성제를 포함하고 있어도 된다. 계면활성제는, 1종만을 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다. 계면활성제의 첨가량은, 본 발명의 조성물의 고형분에 대하여, 0.0001~2질량%로 할 수 있고, 0.005~1.0질량%로 할 수도 있으며, 0.01~0.1질량%로 할 수도 있다.The composition of the present invention may contain a surfactant. Only one surfactant may be used, or two or more surfactants may be combined. The amount of the surfactant to be added may be from 0.0001 to 2 mass%, preferably from 0.005 to 1.0 mass%, and from 0.01 to 0.1 mass%, based on the solid content of the composition of the present invention.

계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있다.As the surfactant, various surfactants such as a fluorine surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone surfactant can be used.

특히, 본 발명의 조성물은, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제 중 적어도 어느 하나를 함유함으로써, 도포액으로서 조제했을 때의 액 특성(특히, 유동성)이 보다 향상되는 점에서, 도포 두께의 균일성이나 성액성(省液性)을 보다 개선할 수 있다.Particularly, since the composition of the present invention contains at least any one of a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant, the liquid property (particularly, fluidity) when the composition is prepared as a coating liquid is further improved, The liquid-storing property can be further improved.

즉, 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제 중 적어도 어느 하나를 함유하는 조성물을 적용한 도포액을 이용하여 막형성하는 경우에 있어서는, 피도포면과 도포액과의 계면 장력을 저하시킴으로써, 피도포면에 대한 습윤성이 개선되어, 피도포면에 대한 도포성이 향상된다. 이로 인하여, 소량의 액량으로 수μm 정도의 박막을 형성한 경우이더라도, 두께 편차가 작은 균일 두께의 막형성을 보다 적합하게 행할 수 있는 점에서 유효하다.That is, when a film is formed using a coating liquid to which a composition containing at least one of a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant is applied, the interfacial tension between the surface to be coated and the coating liquid is lowered, So that the coating property to the surface to be coated is improved. Thus, even when a thin film of about several micrometers is formed in a small amount of liquid, it is effective in that it is possible to more appropriately form a film having a uniform thickness with a small thickness deviation.

불소계 계면활성제 중의 불소 함유율은, 예를 들면 3~40질량%로 할 수 있다.The fluorine content in the fluorine-based surfactant may be, for example, 3 to 40% by mass.

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 메가팍 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F176, 동 F177, 동 F141, 동 F142, 동 F143, 동 F144, 동 R30, 동 F437, 동 F479, 동 F482, 동 F554, 동 F780, 동 R08(이상, DIC(주)제), 플루오라드 FC430, 동 FC431, 동 FC171(이상, 스미토모 3M(주)제), 서프론 S-382, 동 S-141, 동 S-145, 동 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC1068, 동 SC-381, 동 SC-383, 동 S393, 동 KH-40(이상, 아사히 가라스(주)제), 에프톱 EF301, 동 EF303, 동 EF351, 동 EF352(이상, 젬코(주)제), PF636, PF656, PF6320, PF6520, PF7002(OMNOVA사제) 등을 들 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactant include Megapac F171, copper F172, copper F173, copper F176, copper F177, copper F141, copper F142, copper F143, copper F144, copper R30, copper F437, copper F479, copper F482, copper F554 (Manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Surflon S-382, S-141, and S-141 (all manufactured by DIC Corporation) (Above), SC-101, SC-103, SC-104, SC-105, SC1068, SC-381, SC-383, S393 and K- (Manufactured by OMNOVA), EF Top EF301, EF303, EF351 and EF352 (manufactured by Zemko Co., Ltd.), PF636, PF656, PF6320, PF6520 and PF7002 (manufactured by OMNOVA).

불소계 계면활성제로서는, 플루오로 지방족기를 갖는 중합체를 이용할 수 있다. 플루오로 지방족기를 갖는 중합체로서는, 플루오로 지방족기를 갖고, 플루오로 지방족기가, 텔로머리제이션법(텔로머법이라고도 함), 또는 올리고머리제이션법(올리고머법이라고도 함)에 따라 제조된 플루오로 지방족 화합물로부터 얻어진 불소계 계면활성제가 예시된다.As the fluorine-based surfactant, a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. Examples of the polymer having a fluoroaliphatic group include a fluoroaliphatic group having a fluoroaliphatic group and a fluoroaliphatic group such as a fluoroaliphatic group produced according to the telomerization method (also referred to as the telomer method) or the oligomerization method (also referred to as the oligomer method) Based surfactant.

여기에서, "텔로머리제이션법"이란, 저분자량의 물질을 중합시켜 분자 내에 1~2개의 활성기를 갖는 화합물의 합성 방법을 의미한다. 또, "올리고머리제이션법"이란, 단량체 또는 단량체류의 혼합물을 올리고머에 전화(轉化)하는 방법을 의미한다.Here, the "telomerization method" means a method of synthesizing a compound having one or two active groups in the molecule by polymerizing a substance having a low molecular weight. Further, the "oligomerization method" means a method of converting a monomer or a mixture of monomers into an oligomer.

본 발명에 있어서의 플루오로 지방족기로서는, 예를 들면 -CF3기, -C2F5기, -C3F7기, -C4F9기, -C5F11기, -C6F13기, -C7F15기, -C8F17기, C9F19기, C10F21기를 들 수 있으며, 상용성·도포성의 점에서, -C2F5기, -C3F7기, -C4F9기, -C5F11기, -C6F13기, -C7F15기, -C8F17기를 이용할 수 있다.Examples of the fluoroaliphatic group in the present invention include -CF 3 group, -C 2 F 5 group, -C 3 F 7 group, -C 4 F 9 group, -C 5 F 11 group, -C 6 F 13 group, -C 7 F 15 group, -C 8 F 17 group, C 9 F 19 group and C 10 F 21 group, and from the viewpoint of compatibility and application property, -C 2 F 5 group, -C 3 F 7 group, -C 4 F 9 group, -C 5 F 11 group, -C 6 F 13 group, -C 7 F 15 group and -C 8 F 17 group can be used.

본 발명에 있어서의 플루오로 지방족 화합물은, 일본 공개특허공보 2002-90991호에 기재된 방법에 따라 합성할 수 있다.The fluoroaliphatic compound in the present invention can be synthesized according to the method described in JP-A-2002-90991.

본 발명에 있어서의 플루오로 지방족기를 갖는 중합체로서는, 본 발명에 있어서의 플루오로 지방족기를 갖는 모노머와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트 및/또는 (폴리(옥시알킬렌))메타크릴레이트와의 공중합체를 이용할 수 있다. 상기 공중합체는, 불규칙적으로 분포하고 있는 것이어도 되고, 블록 공중합하고 있어도 된다. 또, 폴리(옥시알킬렌)기로서는, 폴리(옥시에틸렌)기, 폴리(옥시프로필렌)기, 폴리(옥시뷰틸렌)기 등을 들 수 있으며, 폴리(옥시에틸렌과 옥시프로필렌과 옥시에틸렌과의 블록 연결체)기나 폴리(옥시에틸렌과 옥시프로필렌과의 블록 연결체)기 등 동일한 쇄장 내에 다른 쇄장의 알킬렌을 갖는 유닛이어도 된다. 또한, 플루오로 지방족기를 갖는 모노머와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와의 공중합체는 2원 공중합체뿐만 아니라, 다른 2종 이상의 플루오로 지방족기를 갖는 모노머나, 다른 2종 이상의 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트) 등을 동시에 공중합한 3원계 이상의 공중합체여도 된다.Examples of the polymer having a fluoroaliphatic group in the present invention include a fluoroaliphatic group-containing monomer and a (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate May be used. The copolymer may be irregularly distributed or may be subjected to block copolymerization. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group and a poly (oxybutylene) group. Block linking group) or poly (block linking group of oxyethylene and oxypropylene) group, or may be a unit having other chain alkylene in the same chain. Further, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) may be a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, (Poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) or the like may be copolymerized at the same time.

본 발명에 있어서의 플루오로 지방족기를 갖는 중합체를 포함하는 시판 중인 계면활성제로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0552(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0678]) 등에 기재된 계면활성제를 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 메가팍 F-781, (다이닛폰 잉크 가가쿠 고교(주)제), C6F13기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시에틸렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시프로필렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와의 공중합체, C8F17기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시알킬렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와의 공중합체, C8F17기를 갖는 아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시에틸렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와 (폴리(옥시프로필렌))아크릴레이트(또는 메타크릴레이트)와의 공중합체 등을 사용할 수 있다.As a commercially available surfactant containing a polymer having a fluoroaliphatic group in the present invention, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0552 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0678]), And the like, the content of which is incorporated herein by reference. (Methacrylate) having a C 6 F 13 group and (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate (meth) acrylate having a C 6 F 13 group) ) And (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate), copolymers of acrylate (or methacrylate) having C 8 F 17 groups with (poly (oxyalkylene) (Meth) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate) having a C 8 F 17 group, Rate) may be used.

비이온계 계면활성제로서는, 폴리옥시에틸렌알킬에터, 폴리옥시에틸렌알킬알릴에터, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스터, 소비탄 지방산 에스터, 폴리옥시에틸렌소비탄 지방산 에스터, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 글리세린 지방산 에스터, 옥시에틸렌옥시프로필렌 블록 코폴리머, 아세틸렌글라이콜계 계면활성제, 아세틸렌계 폴리옥시에틸렌옥사이드 등을 들 수 있다. 이들은 단독 혹은 2종 이상을 이용할 수 있다.Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene alkylamine, glycerin fatty acid esters , Oxyethylene oxypropylene block copolymer, acetylene glycol surfactant, and acetylene-based polyoxyethylene oxide. These may be used alone or in combination of two or more.

구체적인 상품명으로서는, 서피놀 61, 82, 104, 104E, 104H, 104A, 104BC, 104DPM, 104PA, 104PG-50, 104S, 420, 440, 465, 485, 504, CT-111, CT-121, CT-131, CT-136, CT-141, CT-151, CT-171, CT-324, DF-37, DF-58, DF-75, DF-110D, DF-210, GA, OP-340, PSA-204, PSA-216, PSA-336, SE, SE-F, TG, GA, 다이놀 604(이상, 닛신 가가쿠(주) 및 AirProducts&Chemicals사), 올핀 A, B, AK-02, CT-151W, E1004, E1010, P, SPC, STG, Y, 32W, PD-001, PD-002W, PD-003, PD-004, EXP. 4001, EXP. 4036, EXP. 4051, AF-103, AF-104, SK-14, AE-3(이상, 닛신 가가쿠(주)), 아세틸레놀 E00, E13T, E40, E60, E81, E100, E200(이상 모두 상품명, 가와켄 파인 케미컬(주)사제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 올핀 E1010이 적합하다.Concrete product names include Surfynol 61, 82, 104, 104E, 104H, 104A, 104BC, 104DPM, 104PA, 104PG-50, 104S, 420, 440, 465, 485, 504, CT- DF-75, DF-110, DF-210, GA, OP-340, PSA-131, CT-136, CT-141, CT-151, CT-171, CT-324, DF- A-B, AK-02, CT-151W, and DYNOL 604 (all manufactured by Nisshin Chemical Industries, Ltd. and AirProducts & Chemicals), PSA-216, PSA-216, PSA-336, SE, SE- PD-001, PD-002W, PD-003, PD-004, EXP, SP, STG, Y, 32W, E1004, E1010, 4001, EXP. 4036, EXP. E51, E40, E60, E81, E100, and E200 (all trade names, Kawaken Co., (Manufactured by Fine Chemical Co., Ltd.). Of these, Olfin E1010 is suitable.

그 외, 비이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0553(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0679]) 등에 기재된 비이온계 계면활성제를 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the nonionic surfactant include nonionic surfactants described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-208494, paragraph 0553 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0679]), etc. , The contents of which are incorporated herein by reference.

양이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0554(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0680])에 기재된 양이온계 계면활성제를 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the cationic surfactant include cationic surfactants described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0554 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0680]), Which is incorporated herein by reference.

음이온계 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)사제) 등을 들 수 있다.Specific examples of the anionic surfactant include W004, W005 and W017 (manufactured by YUHO Co., Ltd.).

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0556(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0682]) 등에 기재된 실리콘계 계면활성제를 들 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다. 또, 도레이·다우코닝(주)제 "도레이 실리콘 SF8410", "동 SF8427", "동 SH8400", "ST80PA", "ST83PA", "ST86PA", 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제 "TSF-400", "TSF-401", "TSF-410", "TSF-4446", 신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제 "KP321", "KP323", "KP324", "KP340" 등도 예시된다.Examples of the silicone surfactants include silicone surfactants described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-208494, paragraph 0556 (corresponding to United States Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0682]), . "TSF-400" manufactured by Momentive Performance Materials Co., Ltd., "TORAY Silicone SF8410", "Dong SF8427", "SH8400", "ST80PA", "ST83PA", "ST86PA" manufactured by Toray Dow Corning Co., TSF-401, TSF-410, TSF-4446, KP321, KP323, KP324, and KP340 manufactured by Shin-Etsu Silicones.

<중합 개시제><Polymerization Initiator>

본 발명의 조성물은, 중합 개시제를 포함하고 있어도 된다. 중합 개시제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 되며, 2종류 이상인 경우는, 합계량이 상기 범위가 된다. 예를 들면, 중합 개시제의 함유량은, 본 발명의 조성물의 고형분에 대하여 0.01~30질량%가 바람직하고, 0.1~20질량%가 보다 바람직하며, 0.1~15질량%가 더 바람직하다.The composition of the present invention may contain a polymerization initiator. The polymerization initiator may be used singly or in combination of two or more, and in the case of two or more types, the total amount is in the above range. For example, the content of the polymerization initiator is preferably 0.01 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 0.1 to 15% by mass, based on the solid content of the composition of the present invention.

중합 개시제로서는, 광, 열 중 어느 하나 혹은 그 쌍방에 의하여 중합성 화합물의 중합을 개시하는 능력을 갖는 한, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 광중합성 화합물인 것이 바람직하다. 광으로 중합을 개시시키는 경우, 자외선 영역으로부터 가시의 광선에 대하여 감광성을 갖는 것이 바람직하다.The polymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound by either or both of light and heat, and may be appropriately selected depending on the purpose, but it is preferably a photopolymerizable compound. In the case of initiating polymerization by light, it is preferable to have photosensitivity to visible light from the ultraviolet region.

또, 열로 중합을 개시시키는 경우에는, 150~250℃에서 분해하는 중합 개시제가 바람직하다.When heat polymerization is initiated, a polymerization initiator which decomposes at 150 to 250 캜 is preferable.

본 발명에 이용할 수 있는 중합 개시제로서는, 적어도 방향족기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 예를 들면 아실포스핀 화합물, 아세토페논계 화합물, α-아미노케톤 화합물, 벤조페논계 화합물, 벤조인에터계 화합물, 케탈 유도체 화합물, 싸이옥산톤 화합물, 옥심 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물, 트라이할로메틸 화합물, 아조 화합물, 유기 과산화물, 다이아조늄 화합물, 아이오도늄 화합물, 설포늄 화합물, 아지늄 화합물, 벤조인에터계 화합물, 케탈 유도체 화합물, 메탈로센 화합물 등의 오늄염 화합물, 유기 붕소염 화합물, 다이설폰 화합물 등을 들 수 있다.The polymerization initiator usable in the present invention is preferably a compound having at least an aromatic group, and examples thereof include acylphosphine compounds, acetophenone compounds,? -Amino ketone compounds, benzophenone compounds, benzoin ether compounds, An azo compound, an organic peroxide, a diazonium compound, an iodonium compound, a sulfonium compound, an azinium compound, a benzoin compound, a benzoin compound, An onium salt compound such as an ether-based compound, a ketal derivative compound, and a metallocene compound, an organic boron salt compound, and a disulfone compound.

감도의 관점에서, 옥심 화합물, 아세토페논계 화합물, α-아미노케톤 화합물, 트라이할로메틸 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물 및 싸이올 화합물이 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, oxime compounds, acetophenone compounds,? -Amino ketone compounds, trihalomethyl compounds, hexaarylbaimidazole compounds and thiol compounds are preferable.

아세토페논계 화합물, 트라이할로메틸 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물, 옥심 화합물로서는, 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-208494호 단락 0506~0510(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/0235099호의 [0622~0628]) 등의 기재를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.Specific examples of the acetophenone compound, the trihalomethyl compound, the hexaarylbaimidazole compound and the oxime compound are described in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-208494, paragraphs 0506 to 0510 (corresponding US Patent Application Publication No. 2012/0235099 [0622] to [0628]), etc., which are incorporated herein by reference.

광중합 개시제로서는, 옥심 화합물, 아세토페논계 화합물 및 아실포스핀 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물이 더 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제 및 앞서 설명한 옥심계 개시제, 또한 옥심계 개시제로서, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물도 이용할 수 있다.As the photopolymerization initiator, a compound selected from the group consisting of oxime compounds, acetophenone compounds and acylphosphine compounds is more preferable. More specifically, for example, an aminoacetophenone-based initiator disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-291969, an acylphosphine oxide-based initiator disclosed in Japanese Patent Publication No. 4225898, a oxime-based initiator described above, , Compounds described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-233842 may also be used.

옥심 화합물로서는, 시판품인 IRGACURE-OXE01(BASF사제), IRGACURE-OXE02(BASF사제)를 이용할 수 있다. 아세토페논계 개시제로서는, 시판품인 IRGACURE-907, IRGACURE-369 및 IRGACURE-379(상품명: 모두 BASF 재팬사제)를 이용할 수 있다. 또 아실포스핀계 개시제로서는 시판품인 IRGACURE-819나 DAROCUR-TPO(상품명: 모두 BASF 재팬사제)를 이용할 수 있다.As the oxime compounds, commercially available IRGACURE-OXE01 (manufactured by BASF) and IRGACURE-OXE02 (manufactured by BASF) can be used. As the acetophenone-based initiator, commercially available IRGACURE-907, IRGACURE-369 and IRGACURE-379 (all trade names, all manufactured by BASF Japan) can be used. As the acylphosphine-based initiator, commercial products IRGACURE-819 and DAROCUR-TPO (all trade names, all manufactured by BASF Japan) can be used.

<기타 성분><Other ingredients>

본 발명의 조성물에는, 상기 필수 성분이나 상기 첨가제에 더하여, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 목적에 따라 기타 성분을 적절히 선택하여 이용해도 된다.To the composition of the present invention, other components may be appropriately selected and used depending on the purpose, in addition to the essential components and additives described above, so long as the effect of the present invention is not impaired.

병용 가능한 기타 성분으로서는, 예를 들면 바인더 폴리머, 분산제, 증감제, 가교제, 경화 촉진제, 필러, 열경화 촉진제, 열중합 금지제, 가소제 등을 들 수 있으며, 또한 기재 표면에 대한 밀착 촉진제 및 기타 조제류(助劑類)(예를 들면, 도전성 입자, 충전제, 소포제, 난연제, 레벨링제, 박리 촉진제, 산화 방지제, 향료, 표면 장력 조정제, 연쇄 이동제 등)를 병용해도 된다.Examples of other components that can be used in combination include a binder polymer, a dispersant, a sensitizer, a crosslinking agent, a curing accelerator, a filler, a thermal curing accelerator, a thermal polymerization inhibitor and a plasticizer. A conductive agent, a filler, a defoaming agent, a flame retardant, a leveling agent, a release promoter, an antioxidant, a flavor, a surface tension adjuster, a chain transfer agent, etc. may be used in combination.

이들 성분을 적절히 함유시킴으로써, 목적으로 하는 근적외선 흡수 필터의 안정성, 막물성(膜物性) 등의 성질을 조정할 수 있다.By suitably containing these components, it is possible to adjust properties such as stability and film physical properties of the objective near-infrared absorbing filter.

이들 성분은, 예를 들면 일본 공개특허공보 2012-003225호의 단락 번호 0183 이후(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2013/0034812호의 [0237] 이후)의 기재, 일본 공개특허공보 2008-250074호의 단락 번호 0101~0102, 단락 번호 0103~0104 및 단락 번호 0107~0109 등의 기재를 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.These components are described, for example, in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-003225, paragraphs 0183 and 2013 (corresponding to [0237] of U.S. Patent Application Publication No. 2013/0034812), Japanese Patent Application Publication No. 2008-250074 0101 to 0102, paragraph numbers 0103 to 0104, and paragraph numbers 0107 to 0109 can be taken into consideration, and these contents are incorporated herein by reference.

본 발명의 조성물은, 액상으로 할 수 있기 때문에, 예를 들면 본 발명의 조성물을 직접 도포하고, 건조시킴으로써 근적외선 차단 필터를 용이하게 제조할 수 있으며, 상기한 종래의 근적외선 차단 필터에 있어서의 불충분한 제조 적성을 개선할 수 있다.Since the composition of the present invention can be in the form of a liquid, for example, the composition of the present invention can be directly applied and dried, thereby making it possible to easily manufacture a near-infrared cutoff filter. In addition, The manufacturing aptitude can be improved.

본 발명의 근적외선 차단 필터는, 200℃에서 5분간 가열한 전후에 있어서의, 하기 식으로 구해지는 흡광도비의 변화율이 모두 7% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하며, 2% 이하인 것이 더 바람직하다.The near infrared ray shielding filter of the present invention preferably has a rate of change of the absorbance ratio determined by the following equation before and after heating at 200 DEG C for 5 minutes, preferably 7% or less, more preferably 5% or less, More preferable.

[(가열 전에 있어서의 흡광도비-가열 후에 있어서의 흡광도비)/가열 전에 있어서의 흡광도비][(Absorbance ratio before heating - Absorbance ratio after heating) / Absorbance ratio before heating]

여기에서, 흡광도비란, (파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도/파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도)를 말한다.Here, the term "absorbance ratio" refers to (the maximum absorbance at a wavelength of 700 to 1400 nm / the minimum absorbance at a wavelength of 400 to 700 nm).

또, 본 발명의 근적외선 차단 필터는, 85℃/95%RH의 고온 고습하에서 3시간 방치하는 전후로, 하기 식으로 구해지는 흡광도비의 변화율이 각각 7% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하며, 2% 이하인 것이 더 바람직하다.The near infrared ray shielding filter of the present invention preferably has a change ratio of the absorbance ratio determined by the following equation before and after being left under high temperature and high humidity of 85 캜 / 95% RH for 3 hours, preferably 7% or less, more preferably 5% , And more preferably 2% or less.

[(시험 전에 있어서의 흡광도비-시험 후에 있어서의 흡광도비)/시험 전에 있어서의 흡광도비][(Absorbance ratio before test - Absorbance ratio after test) / Absorbance ratio before test]

여기에서, 흡광도비란, (파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도/파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도)를 말한다.Here, the term "absorbance ratio" refers to (the maximum absorbance at a wavelength of 700 to 1400 nm / the minimum absorbance at a wavelength of 400 to 700 nm).

본 발명의 근적외선 차단 필터의 막 두께는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들면 1~500μm가 바람직하고, 1~300μm가 보다 바람직하며, 1~200μm가 특히 바람직하다. 본 발명에서는, 이러한 얇은 막으로 한 경우에도, 높은 근적외선 차광성을 유지할 수 있다.The thickness of the near infrared ray shielding filter of the present invention is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, it is preferably 1 to 500 μm, more preferably 1 to 300 μm, and particularly preferably 1 to 200 μm. In the present invention, even in the case of such a thin film, high near infrared ray shielding property can be maintained.

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 용도는, 특별히 한정되지 않지만, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서의 근적외선 차단 필터용(예를 들면, 웨이퍼 레벨 렌즈에 대한 근적외선 차단 필터용 등), 고체 촬상 소자 기판의 이면측(수광측과는 반대측)에 있어서의 근적외선 차단 필터용 등을 들 수 있으며, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서의 차광막용인 것이 바람직하다. 특히, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을, 고체 촬상 소자용 이미지 센서 상에 직접 도포하여 도막 형성하는 것이 바람직하다.The use of the near infrared ray absorbent composition of the present invention is not particularly limited, but the use of the near infrared ray absorbing composition for the near infrared ray shielding filter (for example, for a near-infrared ray filter for a wafer level lens) on the light receiving side of the solid- For the near-infrared ray blocking filter on the back side (the side opposite to the light receiving side) of the solid-state imaging element substrate, and is preferably for the light-shielding film on the light receiving side of the solid-state imaging element substrate. In particular, it is preferable that the near infrared absorbing composition of the present invention is directly applied on an image sensor for a solid-state imaging element to form a coating film.

특히, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물은, 구리 화합물과, 식 (1)의 구조를 함유하고, 막 두께가 200μm 이하이며, 가시광 투과율이 90% 이상인, 근적외선 차단 필터로 하는 것이 바람직하다.In particular, it is preferable that the near infrared ray absorbing composition of the present invention comprises a copper compound and a near infrared ray shielding filter containing the structure of formula (1) and having a film thickness of 200 μm or less and a visible light transmittance of 90% or more.

또, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 점도는, 도포에 의하여 적외선 차단층을 형성하는 경우, 1mPa·s 이상 3000mPa·s 이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 10mPa·s 이상 2000mPa·s 이하의 범위이며, 더 바람직하게는, 100mPa·s 이상 1500mPa·s 이하의 범위이다.The viscosity of the near infrared absorbing composition of the present invention is preferably in the range of 1 mPa · s to 3000 mPa · s, more preferably in the range of 10 mPa · s to 2000 mPa · s in the case of forming the infrared ray blocking layer by coating s or less, more preferably in the range of 100 mPa · s or more and 1500 mPa · s or less.

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물이, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서의 근적외선 차단 필터용으로서, 도포에 의하여 적외선 차단층을 형성하는 경우, 후막 형성성과 균일 도포성의 관점에서, 10mPa·s 이상 3000mPa·s 이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 500mPa·s 이상 1500mPa·s 이하의 범위이며, 가장 바람직하게는, 700mPa·s 이상 1400mPa·s 이하의 범위이다.When the near infrared absorbing composition of the present invention is used for a near infrared ray shielding filter on the light receiving side of the solid-state imaging element substrate, when forming the infrared ray blocking layer by coating, from 10 mPa · s to 3,000 mPa · s s or less, more preferably 500 mPa · s or more and 1,500 mPa · s or less, and most preferably 700 mPa · s or more and 1,400 mPa · s or less.

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물의 전체 고형분은, 도포 방법에 따라 변경되지만, 조성물에 대하여 1~50질량%인 것이 바람직하고, 1~30질량%인 것이 보다 바람직하며, 10~30질량%인 것이 더 바람직하다.The total solid content of the near infrared absorbing composition of the present invention varies depending on the application method, but is preferably 1 to 50 mass%, more preferably 1 to 30 mass%, and more preferably 10 to 30 mass% desirable.

본 발명은, 상기 근적외선 흡수성 조성물을 경화시킨 근적외선 차단층과 유전체 다층막을 갖는 적층체로 해도 된다. 예를 들면, (i) 투명 지지체, 근적외선 차단층, 유전체 다층막이 상기 순서로 마련된 양태, (ii) 근적외선 차단층, 투명 지지체, 유전체 다층막이 상기 순서로 마련된 양태가 있다. 상기 투명 지지체는, 유리 기판, 투명 수지 기판을 들 수 있다.The present invention may be a laminate having a near infrared ray blocking layer and a dielectric multilayer film obtained by curing the near infrared absorbing composition. For example, there are embodiments in which (i) a transparent support, a near-infrared ray blocking layer, and a dielectric multilayer film are provided in this order, (ii) a near-infrared ray blocking layer, a transparent support, and a dielectric multilayer film are provided in this order. The transparent support may be a glass substrate or a transparent resin substrate.

상기 유전체 다층막은, 근적외선을 반사 및/또는 흡수하는 능력을 갖는 막이다.The dielectric multilayer film is a film having an ability to reflect and / or absorb near-infrared rays.

유전체 다층막의 재료로서는, 예를 들면 세라믹을 이용할 수 있다. 혹은 근적외역에 흡수를 갖는 귀금속막을 근적외선 차단 필터의 가시광의 투과율에 영향이 없도록, 두께와 층 수를 고려하여 이용해도 된다.As a material of the dielectric multilayer film, for example, a ceramic can be used. Alternatively, the noble metal film having absorption in the near infrared region may be used in consideration of the thickness and the number of layers so as not to affect the transmittance of the visible light of the near-IR cut filter.

유전체 다층막으로서는 구체적으로는, 고굴절률 재료층과 저굴절률 재료층을 교대로 적층한 구성을 적합하게 이용할 수 있다.Specifically, as the dielectric multilayer film, a structure in which a high refractive index material layer and a low refractive index material layer are alternately laminated can be suitably used.

고굴절률 재료층을 구성하는 재료로서는, 굴절률이 1.7 이상인 재료를 이용할 수 있으며, 굴절률의 범위가 통상은 1.7~2.5인 재료가 선택된다.As the material constituting the high refractive index material layer, a material having a refractive index of 1.7 or more can be used, and a material having a refractive index range of usually 1.7 to 2.5 is selected.

이 재료로서는, 예를 들면 산화 타이타늄(티타니아), 산화 지르코늄, 5산화 탄탈럼, 5산화 나이오븀, 산화 란타넘, 산화 이트륨, 산화 아연, 황화 아연, 산화 인듐이나, 이들 산화물을 주성분으로 하고 산화 타이타늄, 산화 주석 및/또는 산화 세륨 등을 소량 함유시킨 것을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화 타이타늄(티타니아)이 바람직하다.Examples of the material include titanium oxide (titania), zirconium oxide, tantalum pentoxide, niobium pentoxide, lanthanum oxide, yttrium oxide, zinc oxide, zinc sulfide, indium oxide, Titanium, tin oxide and / or cerium oxide in a small amount. Of these, titanium oxide (titania) is preferable.

저굴절률 재료층을 구성하는 재료로서는, 굴절률이 1.6 이하인 재료를 이용할 수 있으며, 굴절률의 범위가 통상은 1.2~1.6인 재료가 선택된다.As a material constituting the low refractive index material layer, a material having a refractive index of 1.6 or less can be used, and a material having a refractive index range of usually 1.2 to 1.6 is selected.

이 재료로서는, 예를 들면 실리카, 알루미나, 불화 란타넘, 불화 마그네슘 및 6불화 알루미늄 나트륨을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리카가 바람직하다.Examples of the material include silica, alumina, lanthanum fluoride, magnesium fluoride, and aluminum sodium hexafluoride. Of these, silica is preferable.

이들 고굴절률 재료층 및 저굴절률 재료층의 각 층의 두께는, 통상, 차단하려고 하는 적외선 파장 λ(nm)의 0.1λ~0.5λ의 두께이다. 두께가 상기 범위 외가 되면, 굴절률(n)과 막 두께(d)의 곱(n×d)이 λ/4로 산출되는 광학적 막 두께와 크게 상이하여 반사·굴절의 광학적 특성의 관계가 붕괴되어, 특정 파장의 차단·투과를 컨트롤하기 어려운 경향이 있다.The thicknesses of the respective layers of the high refractive index material layer and the low refractive index material layer are generally 0.1λ to 0.5λ of the infrared wavelength λ (nm) to be blocked. When the thickness is out of the above range, the product (nxd) of the refractive index (n) and the film thickness (d) greatly differs from the optical film thickness calculated by? / 4, It tends to be difficult to control blocking and transmission of a specific wavelength.

또, 유전체 다층막에 있어서의 적층수는, 바람직하게는 5~50층이며, 보다 바람직하게는 10~45층이다.The number of laminated layers in the dielectric multilayer film is preferably 5 to 50 layers, and more preferably 10 to 45 layers.

또, 본 발명은, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 적용(바람직하게는 도포나 인쇄, 더 바람직하게는 어플리케이터 도포)함으로써 막을 형성하는 공정, 건조하는 공정을 갖는, 근적외선 차단 필터의 제조 방법에도 관한 것이다. 막 두께, 적층 구조 등에 대해서는, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다.In addition, the present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging element substrate having a step of forming a film by applying (preferably applying or printing, and more preferably, applying an applicator) the near infrared absorbing composition of the present invention on a light receiving side of a solid- , And a manufacturing method of a near-infrared cut filter. The film thickness, the lamination structure, and the like can be appropriately selected depending on the purpose.

지지체는, 유리 등으로 이루어지는 투명 기판이어도 되고, 고체 촬상 소자 기판이어도 되며, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 마련된 다른 기판(예를 들면 후술의 유리 기판(30))이어도 되고, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 마련된 평탄화층 등의 층이어도 된다.The support may be a transparent substrate made of glass or the like, a solid-state imaging element substrate, or another substrate provided on the light-receiving side of the solid-state imaging element substrate (for example, a glass substrate 30 described later) Or a planarization layer or the like provided on the light receiving side.

근적외선 흡수성 조성물(도포액)을 지지체 상에 도포하는 방법은, 예를 들면 스핀 코터, 슬릿 스핀 코터, 슬릿 코터, 스크린 인쇄, 어플리케이터 도포 등을 이용함으로써 실시할 수 있다.The method of applying the near infrared absorbing composition (coating liquid) on a support can be carried out by using, for example, a spin coater, a slit spin coater, a slit coater, a screen printing, an applicator coating or the like.

또, 도막의 건조 조건으로서는, 각 성분, 용제의 종류, 사용 비율 등에 따라 다르지만, 통상 60℃~200℃의 온도에서 30초간~15분간 정도이다.The drying condition of the coating film is usually from 60 to 200 DEG C for about 30 seconds to 15 minutes, though it depends on the components, the type of solvent, and the usage ratio.

본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 근적외선 차단 필터를 형성하는 방법은, 기타 공정을 포함하고 있어도 된다. 기타 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면 기재의 표면 처리 공정, 전 가열 공정(프리베이크 공정), 경화 처리 공정, 후 가열 공정(포스트베이크 공정) 등을 들 수 있다.The method for forming the near infrared ray shielding filter using the near infrared absorbing composition of the present invention may include other steps. The other processes are not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the surface treatment process of the substrate, the preheating process (prebake process), the curing process process, the postheating process (postbake process) .

<전 가열 공정·후 가열 공정>&Lt; Preheating process & Post-heating process &gt;

전 가열 공정 및 후 가열 공정에 있어서의 가열 온도는, 통상, 80℃~200℃이며, 90℃~180℃인 것이 바람직하다.The heating temperature in the preheating step and the post-heating step is usually 80 to 200 占 폚, preferably 90 to 180 占 폚.

전 가열 공정 및 후 가열 공정에 있어서의 가열 시간은, 통상, 30초~400초이며, 60초~300초인 것이 바람직하다.The heating time in the preheating step and the post-heating step is usually 30 seconds to 400 seconds, preferably 60 seconds to 300 seconds.

<경화 처리 공정><Curing Treatment Step>

경화 처리 공정은, 필요에 따라, 형성된 상기 막에 대하여 경화 처리를 행하는 공정이며, 이 처리를 행함으로써, 근적외선 차단 필터의 기계적 강도가 향상된다.The curing treatment step is a step of performing a curing treatment for the film formed as necessary, and by performing this treatment, the mechanical strength of the near-infrared blocking filter is improved.

상기 경화 처리 공정으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들면 전체면 노광 처리, 전체면 가열 처리 등을 적합하게 들 수 있다. 여기에서, 본 발명에 있어서 "노광"이란, 각종 파장의 광뿐만 아니라, 전자선, X선 등의 방사선 조사도 포함하는 의미로 이용된다.The curing treatment step is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, the whole surface exposure treatment, the whole surface heating treatment and the like are suitably used. Here, in the present invention, the term "exposure" is used not only to light of various wavelengths but also to include irradiation with radiation such as electron beams and X-rays.

노광은 방사선의 조사에 의하여 행하는 것이 바람직하고, 노광 시에 이용할 수 있는 방사선으로서는, 특히 전자선, KrF, ArF, g선, h선, i선 등의 자외선이나 가시광이 바람직하게 이용된다. 바람직하게는, KrF, g선, h선, i선이 바람직하다.The exposure is preferably performed by irradiation with radiation, and ultraviolet rays or visible rays such as electron beam, KrF, ArF, g line, h line, i line and the like are preferably used as the radiation usable in exposure. Preferably, KrF, g line, h line, and i line are preferred.

노광 방식으로서는, 스테퍼 노광이나, 고압 수은등에 의한 노광 등을 들 수 있다.Examples of the exposure method include stepper exposure and exposure using a high-pressure mercury lamp.

노광량은 5~3000mJ/cm2가 바람직하고 10~2000mJ/cm2가 보다 바람직하며, 50~1000mJ/cm2가 특히 바람직하다.Exposure dose, and 5 ~ 3000mJ / cm 2 are preferred and more preferably 10 ~ 2000mJ / cm 2, 50 ~ 1000mJ / cm 2 is particularly preferred.

전체면 노광 처리의 방법으로서는, 예를 들면 형성된 상기 막의 전체면을 노광하는 방법을 들 수 있다. 근적외선 흡수성 조성물이 중합성 화합물을 함유하는 경우, 전체면 노광에 의하여, 상기 조성물로 형성되는 막 중의 중합 성분의 경화가 촉진되고, 상기 막의 경화가 더욱 진행되어, 기계적 강도, 내구성이 개량된다.As a method of the entire surface exposure treatment, for example, there is a method of exposing the entire surface of the formed film. In the case where the near infrared absorbing composition contains a polymerizable compound, the curing of the polymerization component in the film formed of the composition is promoted by the entire surface exposure, and the curing of the film progresses further, thereby improving the mechanical strength and durability.

전체면 노광을 행하는 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들면 초고압 수은등 등의 UV 노광기를 적합하게 들 수 있다.The apparatus for performing the entire surface exposure is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. For example, a UV exposure apparatus such as an ultra-high-pressure mercury lamp is suitably used.

또, 전체면 가열 처리의 방법으로서는, 형성된 상기 막의 전체면을 가열하는 방법을 들 수 있다. 전체면 가열에 의하여, 패턴의 막강도를 높일 수 있다.As a method of heating the entire surface, there is a method of heating the entire surface of the formed film. By heating the entire surface, the film strength of the pattern can be increased.

전체면 가열에 있어서의 가열 온도는, 120℃~250℃가 바람직하고, 120℃~250℃가 보다 바람직하다. 가열 온도가 120℃ 이상이면, 가열 처리에 의하여 막강도가 향상되고, 250℃ 이하이면, 상기 막 중의 성분의 분해가 발생하여, 막질이 약하여 부서지기 쉬워지는 것을 방지할 수 있다.The heating temperature in the whole surface heating is preferably 120 ° C to 250 ° C, more preferably 120 ° C to 250 ° C. When the heating temperature is 120 占 폚 or higher, the film strength is improved by the heat treatment. When the heating temperature is 250 占 폚 or lower, decomposition of the components in the film occurs, thereby preventing the film quality from becoming fragile.

전체면 가열에 있어서의 가열 시간은, 3분~180분이 바람직하고, 5분~120분이 보다 바람직하다.The heating time for heating the entire surface is preferably 3 minutes to 180 minutes, more preferably 5 minutes to 120 minutes.

전체면 가열을 행하는 장치로서는, 특별히 제한은 없고, 공지의 장치 중에서, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면 드라이 오븐, 핫플레이트, IR 히터 등을 들 수 있다.The apparatus for heating the entire surface is not particularly limited and may be appropriately selected from known apparatuses according to the purpose, and examples thereof include a dry oven, a hot plate, and an IR heater.

또, 본 발명은, 고체 촬상 소자 기판과, 상기 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖는 카메라 모듈로서, 상기 근적외선 차단 필터가 본 발명의 근적외선 차단 필터인, 카메라 모듈에도 관한 것이다.The present invention also relates to a camera module having a solid-state imaging element substrate and a near infrared ray blocking filter disposed on a light receiving side of the solid-state imaging element substrate, wherein the near infrared ray blocking filter is a near-infrared blocking filter of the present invention .

이하, 본 발명의 실시형태에 관한 카메라 모듈을, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명하지만, 본 발명은 이하의 구체예에 의하여 한정되지 않는다.Hereinafter, a camera module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 3 and 4. However, the present invention is not limited to the following specific examples.

또한, 도 3 및 도 4에 걸쳐, 공통되는 부분에는 공통되는 부호를 붙인다.3 and 4, common reference numerals are given to common parts.

또, 설명을 할 때에, "상", "상방" 및 "상측"은, 실리콘 기판(10)으로부터 보아 먼 쪽을 가리키며, "하", "하방" 및 "하측"은, 실리콘 기판(10)에 가까운 쪽을 가리킨다.Quot; lower ", " lower ", and "lower side" refer to the side farther from the silicon substrate 10 than to the silicon substrate 10, To the nearest side.

도 3은, 고체 촬상 소자를 구비한 카메라 모듈의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a camera module including a solid-state image pickup device.

도 3에 나타내는 카메라 모듈(200)은, 실장 기판인 회로 기판(70)에 접속 부재인 솔더 볼(60)을 통하여 접속되어 있다.The camera module 200 shown in Fig. 3 is connected to a circuit board 70, which is a mounting board, via a solder ball 60, which is a connecting member.

상세하게는, 카메라 모듈(200)은, 실리콘 기판의 제1 주면에 촬상 소자부를 구비한 고체 촬상 소자 기판(100)과, 고체 촬상 소자 기판(100)의 제1 주면측(수광측)에 마련된 평탄화층(도 3에는 도시 생략)과, 평탄화층 상에 마련된 근적외선 차단 필터(42)와, 근적외선 차단 필터(42)의 상방에 배치되어 내부 공간에 촬상 렌즈(40)를 갖는 렌즈 홀더(50)와, 고체 촬상 소자 기판(100) 및 유리 기판(30)의 주위를 둘러싸도록 배치된 차광겸 전자 실드(44)를 구비하여 구성되어 있다. 또한, 평탄화층 상에는, 유리 기판(30)(광투과성 기판)을 마련해도 된다. 각 부재는, 접착제(45)에 의하여 접착되어 있다.Specifically, the camera module 200 includes a solid-state imaging element substrate 100 having an imaging element portion on a first main surface of a silicon substrate, and a plurality of pixel electrodes (not shown) provided on the first main surface side A planarization layer (not shown in FIG. 3), a near-infrared cut filter 42 provided on the planarization layer, a lens holder 50 disposed above the near-infrared cut filter 42 and having an image pickup lens 40 in the inner space, And a light shielding and electronic shield 44 arranged so as to surround the periphery of the solid-state imaging element substrate 100 and the glass substrate 30. Further, a glass substrate 30 (light-transmitting substrate) may be provided on the planarizing layer. Each member is adhered by an adhesive 45.

본 발명은, 고체 촬상 소자 기판(100)과, 상기 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터(42)를 갖는 카메라 모듈의 제조 방법으로서, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, 상기 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 적용함으로써 막(42)을 형성하는 공정에도 관한 것이다. 본 실시형태에 관한 카메라 모듈에 있어서는, 예를 들면 평탄화층 상에, 본 발명의 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 막을 형성하여, 근적외선 차단 필터(42)를 형성할 수 있다. 근적외선 차단 필터를 도포하는 방법은 상기한 바와 같다.The present invention is a method of manufacturing a camera module having a solid-state imaging element substrate (100) and a near-infrared cutoff filter (42) disposed on the light receiving side of the solid-state imaging element substrate, Infrared absorbing composition according to the present invention. In the camera module according to the present embodiment, the near infrared ray blocking filter 42 can be formed by forming a film by applying the near infrared ray absorbing composition of the present invention on a planarizing layer, for example. The method of applying the near-infrared cutoff filter is as described above.

카메라 모듈(200)에서는, 외부로부터의 입사광 hν가, 촬상 렌즈(40), 근적외선 차단 필터(42), 유리 기판(30), 평탄화층을 순차 투과한 후, 고체 촬상 소자 기판(100)의 촬상 소자부에 도달하게 되어 있다.In the camera module 200, incident light hν from the outside sequentially passes through the imaging lens 40, the near-infrared ray blocking filter 42, the glass substrate 30, and the flattening layer, And reaches the element portion.

카메라 모듈(200)은, 평탄화층 상에 직접 근적외선 차단 필터를 마련하고 있지만, 평탄화층을 생략하고 마이크로 렌즈 상에 직접 근적외선 차단 필터를 마련하도록 해도 되며, 유리 기판(30) 상에 근적외선 차단 필터를 마련하거나, 근적외선 차단 필터를 마련한 유리 기판(30)을 첩합해도 된다.The camera module 200 is provided with a near infrared ray cut filter directly on the planarization layer. However, the planarization layer may be omitted and a near infrared ray cut filter may be provided directly on the microlens. A near infrared ray cut filter Or a glass substrate 30 provided with a near-infrared cutoff filter may be applied.

도 4는, 도 3 중의 고체 촬상 소자 기판(100)을 확대한 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view of the solid-state imaging element substrate 100 in Fig.

고체 촬상 소자 기판(100)은, 기체인 실리콘 기판(10)의 제1 주면에, 촬상 소자(12), 층간 절연막(13), 베이스층(14), 컬러 필터(15), 오버 코트(16), 마이크로 렌즈(17)를 이 순서로 구비하고 있다. 촬상 소자(12)에 대응하도록, 적색의 컬러 필터(15R), 녹색의 컬러 필터(15G), 청색의 컬러 필터(15B)(이하, 이들을 일괄하여 "컬러 필터(15)"라고 하는 경우가 있음)나 마이크로 렌즈(17)는, 각각 배치되어 있다. 실리콘 기판(10)의 제1 주면과 반대측의 제2 주면에는, 차광막(18), 절연막(22), 금속 전극(23), 솔더 레지스트층(24), 내부 전극(26) 및 소자면 전극(27)을 구비하고 있다. 각 부재는, 접착제(20)에 의하여 접착되어 있다.The solid-state imaging element substrate 100 includes an imaging element 12, an interlayer insulating film 13, a base layer 14, a color filter 15, an overcoat 16 ), And a microlens 17 in this order. The red color filter 15R, the green color filter 15G and the blue color filter 15B (hereinafter collectively referred to as "color filter 15" ) And the microlenses 17 are arranged, respectively. A light shielding film 18, an insulating film 22, a metal electrode 23, a solder resist layer 24, an internal electrode 26, and an element surface electrode (not shown) are formed on a second main surface of the silicon substrate 10 opposite to the first main surface. 27). Each member is bonded by an adhesive 20.

마이크로 렌즈(17) 상에는, 평탄화층(46), 근적외선 차단 필터(42)를 구비하고 있다. 평탄화층(46) 상에 근적외선 차단 필터(42)가 마련되는 대신에, 마이크로 렌즈(17) 상, 베이스층(14)과 컬러 필터(15)와의 사이, 또는 컬러 필터(15)와 오버 코트(16)와의 사이에, 근적외선 차단 필터가 마련되는 형태여도 된다. 특히, 마이크로 렌즈(17) 표면으로부터 2mm 이내(보다 바람직하게는 1mm 이내)의 위치에 마련되는 것이 바람직하다. 이 위치에 마련하면, 근적외선 차단 필터를 형성하는 공정을 간략화할 수 있으며, 마이크로 렌즈로의 불필요한 근적외선을 충분히 차단할 수 있기 때문에, 근적외선 차단성을 보다 높일 수 있다.On the microlens 17, a planarization layer 46 and a near-IR cut filter 42 are provided. The near infrared ray blocking filter 42 may be provided on the microlens 17, between the base layer 14 and the color filter 15 or between the color filter 15 and the overcoat 16 may be provided with a near-infrared cutoff filter. Particularly, it is preferable that it is provided at a position within 2 mm (more preferably within 1 mm) from the surface of the microlens 17. It is possible to simplify the step of forming the near-IR blocking filter and to sufficiently block the unnecessary near-infrared rays to the microlens, so that the near-IR blocking property can be further improved.

고체 촬상 소자 기판(100)에 대해서는, 일본 공개특허공보 2012-068418호 단락 0245(대응하는 미국 특허출원 공개공보 제2012/068292호의 [0407]) 이후의 고체 촬상 소자 기판(100)의 설명을 참작할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As for the solid-state imaging element substrate 100, the following description of the solid-state imaging element substrate 100 after paragraph 0245 (corresponding to [0407] of U.S. Patent Application Publication No. 2012/068292) , The contents of which are incorporated herein by reference.

이상, 카메라 모듈의 일 실시형태에 대하여 도 3 및 도 4를 참조하여 설명했지만, 상기 일 실시형태는 도 3 및 도 4의 형태에 한정되는 것은 아니다.As described above, one embodiment of the camera module has been described with reference to Figs. 3 and 4. However, the above embodiment is not limited to the configurations of Figs. 3 and 4. Fig.

실시예Example

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한, 적절히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. The materials, the amounts to be used, the ratios, the contents of the treatments, the processing procedures, and the like shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not depart from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the following specific examples.

<합성예><Synthesis Example>

<중합체 (A1)의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer (A1) >

<<중합체 A-1의 합성>>&Lt; Synthesis of Polymer A-1 &gt;

폴리에터설폰(BASF사제, Ultrason E6020P) 5.0g을 황산 46g에 용해하고, 질소 기류하, 실온에서 클로로설폰산 16.83g을 적하했다. 실온에서 48시간 반응한 후, 빙수로 냉각한 헥세인/아세트산 에틸(1/1) 혼합액 1L 중에 반응액을 적하했다. 상등액을 제거하고, 얻어진 침전물을 메탄올에 용해했다. 얻어진 용액을, 아세트산 에틸 0.5L 중에 적하하고, 얻어진 침전물을 여과에 의하여 회수했다. 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 중합체 A-1을 4.9g 얻었다. 중화 적정에 의하여, 폴리머 중의 설폰산기 함유량(meq/g)을 산출했다. 젤 퍼미에이션 크로마토그래피로 중량 평균 분자량(Mw)을 측정했다.5.0 g of polyethersulfone (Ultrason E6020P manufactured by BASF) was dissolved in 46 g of sulfuric acid, and 16.83 g of chlorosulfonic acid was added dropwise at room temperature under a nitrogen stream. After reaction at room temperature for 48 hours, the reaction solution was added dropwise to 1 L of a mixed solution of hexane / ethyl acetate (1/1) cooled with ice water. The supernatant was removed, and the obtained precipitate was dissolved in methanol. The resulting solution was added dropwise to 0.5 liter of ethyl acetate, and the resulting precipitate was recovered by filtration. The resulting solid was dried under reduced pressure to obtain 4.9 g of polymer A-1. The sulfonic acid group content (meq / g) in the polymer was calculated by neutralization titration. The weight average molecular weight (Mw) was measured by gel permeation chromatography.

[화학식 23](23)

Figure pct00023
Figure pct00023

<<중합체 A-2의 합성>><< Synthesis of Polymer A-2 >>

클로로설폰산의 양을 25.1g으로, 반응 온도 및 시간을, 70℃에서 7시간으로 변경한 것 이외에는, 중합체 A-1의 합성과 동일하게 하여, 중합체 A-2를 얻었다.Polymer A-2 was obtained in the same manner as in the synthesis of Polymer A-1, except that the amount of chlorosulfonic acid was changed to 25.1 g and the reaction temperature and time were changed to 7 hours at 70 캜.

[화학식 24]&Lt; EMI ID =

Figure pct00024
Figure pct00024

<<중합체 A-3의 합성>><< Synthesis of Polymer A-3 >>

클로로설폰산을 30% 발연 황산 14.4g으로, 반응 시간을 8시간으로 변경한 것 이외에는, 중합체 A-1의 합성과 동일하게 하여, 중합체 A-3을 얻었다.Polymer A-3 was obtained in the same manner as in the synthesis of the polymer A-1 except that chlorosulfonic acid was changed to 14.4 g of 30% fuming sulfuric acid and the reaction time was changed to 8 hours.

[화학식 25](25)

Figure pct00025
Figure pct00025

<<중합체 A-4의 합성>><< Synthesis of polymer A-4 >>

폴리설폰(Aldrich사제) 8.0g을 클로로폼 92.0g에 용해하고, 질소 기류하, 실온에서 클로로설폰산 8.43g을 적하했다. 실온에서 1시간 반응한 바, 고체가 석출되었다. 상등액을 제거하고, 얻어진 고체를 클로로폼으로 세정한 후, 메탄올에 용해했다. 이 용액을 아세트산 에틸 0.5L 중에 적하하고, 얻어진 침전을 여과에 의하여 회수했다. 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 중합체 A-4를 8.3g 얻었다.8.0 g of polysulfone (manufactured by Aldrich) was dissolved in 92.0 g of chloroform, and 8.43 g of chlorosulfonic acid was added dropwise at room temperature under a nitrogen stream. Upon reaction at room temperature for 1 hour, a solid precipitated. The supernatant was removed, and the resulting solid was washed with chloroform and then dissolved in methanol. This solution was added dropwise to 0.5 liter of ethyl acetate, and the resulting precipitate was collected by filtration. The resulting solid was dried under reduced pressure to obtain 8.3 g of polymer A-4.

[화학식 26](26)

Figure pct00026
Figure pct00026

<<중합체 A-5의 합성>>&Lt; Synthesis of polymer A-5 &gt;

딘스탁관을 구비한 3구 플라스크에, 헥사플루오로비스페놀 A 3.42g, 다이페닐설폰-4,4’-다이클로로-3,3’-다이설폰산 2나트륨 5.00g, 탄산 칼륨 1.69g, 톨루엔 10g, N-메틸피롤리돈 25g을 첨가하고, 질소 기류하, 4시간 환류했다. 계(系) 내의 톨루엔을 제거한 후, 180℃로 승온하고, 15시간 교반했다. 반응액을 실온으로 되돌린 후, 반응액을 셀라이트를 전체면에 깐 기리야마 로트(Kiriyama-rohto funnel)로 여과하여, 여액을 300ml의 포화 식염수 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, 500ml의 아세톤 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, Amberlyst 15(수소 폼)(aldrich사제)에 의하여, 프로톤형에 염 교환함으로써, 중합체 A-5를 6.4g 얻었다.In a three-necked flask equipped with a Dean Stark tube, 3.42 g of hexafluorobisphenol A, 5.00 g of dipotassium sulfone-4,4'-dichloro-3,3'-disulfonic acid disodium, 1.69 g of potassium carbonate, And 25 g of N-methylpyrrolidone were added, and the mixture was refluxed under a nitrogen stream for 4 hours. After toluene in the system was removed, the temperature was raised to 180 캜 and stirred for 15 hours. After the reaction solution was returned to room temperature, the reaction solution was filtered through a Kiriyama-rohto funnel on the whole surface of celite, and the filtrate was added dropwise to 300 ml of a saturated aqueous solution of sodium chloride. The resulting precipitate was filtered, dissolved in methanol, and then added dropwise in 500 ml of acetone. The obtained precipitate was filtered and dissolved in methanol, and then the salt was changed to a proton type by Amberlyst 15 (hydrogen form) (manufactured by aldrich) to obtain 6.4 g of polymer A-5.

[화학식 27](27)

Figure pct00027
Figure pct00027

<<중합체 A-6의 합성>><< Synthesis of polymer A-6 >>

헥사플루오로비스페놀 A 3.42g을, 하이드로퀴논 1.12g으로 변경한 것 이외에는, 중합체 A-5의 합성과 동일하게 하여, 중합체 A-6을 3.9g 얻었다.3.9 g of polymer A-6 was obtained in the same manner as in the synthesis of polymer A-5, except that 3.42 g of hexafluorobiphenol A was changed to 1.12 g of hydroquinone.

[화학식 28](28)

Figure pct00028
Figure pct00028

<<중합체 A-7의 합성>><< Synthesis of polymer A-7 >>

딘스탁관을 구비한 3구 플라스크에, 다이페놀산 4.66g, 다이페닐설폰-4,4’-다이클로로-3,3’-다이설폰산 2나트륨 8.00g, 탄산 칼륨 2.48g, 톨루엔 10g, N-메틸피롤리돈 25g을 첨가하고, 질소 기류하, 4시간 환류했다. 계 내의 톨루엔을 제거한 후, 180℃로 승온하고, 15시간 교반했다. 반응액을 실온으로 되돌린 후, 반응액을 셀라이트를 전체면에 깐 기리야마 로트로 여과하여, 여액을 300ml의 포화 식염수 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, 500ml의 아세톤 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 감압 건조했다.In a three-necked flask equipped with a Dean Stark tube, 4.66 g of diphenol acid, 8.00 g of disodium diphenylsulfone-4,4'-dichloro-3,3'-disulfonate, 2.48 g of potassium carbonate, 10 g of toluene, 25 g of N-methylpyrrolidone was added, and the mixture was refluxed for 4 hours under a nitrogen stream. After toluene in the system was removed, the temperature was raised to 180 캜 and stirred for 15 hours. After the reaction solution was returned to room temperature, the reaction solution was filtered through a celite pad on the entire surface of celite, and the filtrate was added dropwise to 300 ml of a saturated aqueous solution of sodium chloride. The resulting precipitate was filtered, dissolved in methanol, and then added dropwise in 500 ml of acetone. The resulting precipitate was filtered and dried under reduced pressure.

건조한 폴리머를 황산 73.6g에 용해하고, 클로로설폰산 4.56g을 적하했다. 실온에서 6시간 반응한 후, 빙수로 냉각한 헥세인/아세트산 에틸(1/1) 혼합액 1.5L 중에 반응액을 적하했다. 상등액을 제거하고, 얻어진 침전물을 메탄올에 용해했다. 얻어진 용액을, 아세트산 에틸 0.5L 중에 적하하고, 얻어진 침전물을 여과에 의하여 회수했다. 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 중합체 A-7을 7.5g 얻었다.The dried polymer was dissolved in 73.6 g of sulfuric acid, and 4.56 g of chlorosulfonic acid was added dropwise. After reaction at room temperature for 6 hours, the reaction solution was added dropwise to 1.5 liters of a mixed solution of hexane / ethyl acetate (1/1) cooled with ice water. The supernatant was removed, and the obtained precipitate was dissolved in methanol. The resulting solution was added dropwise to 0.5 liter of ethyl acetate, and the resulting precipitate was recovered by filtration. The resulting solid was dried under reduced pressure to obtain 7.5 g of polymer A-7.

[화학식 29][Chemical Formula 29]

Figure pct00029
Figure pct00029

<<중합체 A-8의 합성>><< Synthesis of Polymer A-8 >>

딘스탁관을 구비한 3구 플라스크에, 4,4’-바이페놀 3.53g, 벤조페논-4,4’-다이플루오로-3,3’-다이설폰산 2나트륨 8.00g, 탄산 칼륨 3.14g, 톨루엔 10g, 다이메틸설폭사이드 30g을 첨가하고, 질소 기류하, 4시간 환류했다. 계 내의 톨루엔을 제거한 후, 170℃로 승온하고, 15시간 교반했다. 반응액을 실온으로 되돌린 후, 반응액을 셀라이트를 전체면에 깐 기리야마 로트로 여과하여, 여액을 500ml의 포화 식염수 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, 800ml의 아세톤 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, Amberlyst 15(수소 폼)(aldrich사제)에 의하여, 프로톤형에 염 교환함으로써, 중합체 A-8을 7.2g 얻었다.In a three-necked flask equipped with a Dean Stark tube, 3.53 g of 4,4'-biphenol, 8.00 g of disodium benzophenone-4,4'-difluoro-3,3'-disulfonic acid, 3.14 g , 10 g of toluene and 30 g of dimethyl sulfoxide were added, and the mixture was refluxed for 4 hours under a nitrogen stream. After toluene in the system was removed, the temperature was raised to 170 캜 and stirred for 15 hours. After the reaction solution was returned to room temperature, the reaction solution was filtered with a celite pad over the entire surface, and the filtrate was added dropwise into 500 ml of a saturated aqueous solution of sodium chloride. The resulting precipitate was filtered, dissolved in methanol, and then added dropwise in 800 ml of acetone. The resulting precipitate was filtered and dissolved in methanol, and then the product was subjected to salt exchange with a proton type by Amberlyst 15 (hydrogen form) (manufactured by aldrich) to obtain 7.2 g of polymer A-8.

[화학식 30](30)

Figure pct00030
Figure pct00030

<<중합체 A-9의 합성>>&Lt; Synthesis of polymer A-9 &gt;

J. Membr. Sci. 229, 2004, 95~에 기재된 방법에 준거하여, 폴리에터에터케톤의 설포화를 행함으로써, 중합체 A-9를 얻었다.J. Membr. Sci. 229, 2004, 95 to obtain a polymer A-9 by sulphating a polyetheretherketone.

[화학식 31](31)

Figure pct00031
Figure pct00031

<<중합체 A-10의 합성>><< Synthesis of polymer A-10 >>

Chinese J. Polym. Sci. 20, No.1, 2002, 53~에 기재된 방법에 준거하여, 폴리페닐렌옥사이드의 설포화를 행함으로써, 중합체 A-10을 얻었다.Chinese J. Polym. Sci. 20, No. 1, 2002, 53-, the polymer A-10 was obtained by sulfating the polyphenylene oxide.

[화학식 32](32)

Figure pct00032
Figure pct00032

<<중합체 A-11의 합성>><< Synthesis of polymer A-11 >>

일본 특허공표공보 2008-533225호의 실시예 2에 기재된 방법에 준거하여, 중합체 A-11을 얻었다.Polymer A-11 was obtained in accordance with the method described in Example 2 of Japanese Patent Publication No. 2008-533225.

[화학식 33](33)

Figure pct00033
Figure pct00033

<<중합체 A-12의 합성>>&Lt; Synthesis of Polymer A-12 &gt;

일본 공개특허공보 2004-131662호에 기재된 방법에 준거하여, 폴리설폰의 설포메틸화를 행함으로써, 중합체 A-12를 얻었다.Polymer A-12 was obtained by sulfomethylation of polysulfone in accordance with the method described in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-131662.

[화학식 34](34)

Figure pct00034
Figure pct00034

<<중합체 A-13의 합성>><< Synthesis of Polymer A-13 >>

일본 공개특허공보 2008-27890호에 기재된 방법에 준거하여, 중합체 A-13을 얻었다.Polymer A-13 was obtained in accordance with the method described in JP-A-2008-27890.

[화학식 35](35)

Figure pct00035
Figure pct00035

<<중합체 A-14의 합성>>&Lt; Synthesis of Polymer A-14 &gt;

3구 플라스크에, 4,4’-다이아미노바이페닐-2,2’-다이설폰산 6.89g, 120ml의 m-크레졸, 4.86g의 트라이에틸아민을 첨가하고, 질소 기류하에서 용액이 균일하게 될 때까지 교반했다. 이 용액에, 4,4’-옥시다이프탈산 6.20g과 벤조산 6.84g을 첨가하고, 80℃에서 4시간, 이어서 180℃에서 20시간 반응했다. 반응 온도를 실온으로 되돌린 후, 반응액을 아세톤 중에 적하했다. 얻어진 침전을 여과하여, 메탄올에 용해한 후, Amberlyst 15(수소 폼)(aldrich사제)에 의하여, 프로톤형에 염 교환함으로써, 중합체 A-14를 9.2g 얻었다.In a three-necked flask, 6.89 g of 4,4'-diaminobiphenyl-2,2'-disulfonic acid, 120 ml of m-cresol and 4.86 g of triethylamine were added and the solution became homogeneous Stir until. To this solution, 6.20 g of 4,4'-oxydiphthalic acid and 6.84 g of benzoic acid were added and the mixture was reacted at 80 DEG C for 4 hours and then at 180 DEG C for 20 hours. After the reaction temperature was returned to room temperature, the reaction solution was added dropwise to acetone. The resulting precipitate was filtered and dissolved in methanol, and the salt was then subjected to salt exchange with a proton type by Amberlyst 15 (hydrogen form) (manufactured by aldrich) to obtain 9.2 g of polymer A-14.

[화학식 36](36)

Figure pct00036
Figure pct00036

<<중합체 A-15의 합성>><< Synthesis of Polymer A-15 >>

J. Membr. Sci. 360, 2010, 26~에 기재된 방법에 준거하여, 폴리설폰의 포스포메틸화를 행함으로써, 중합체 A-15를 얻었다.J. Membr. Sci. Polymer A-15 was obtained by carrying out phosphomethylation of polysulfone in accordance with the method described in Journal of Organometallic Chemistry, vol.

[화학식 37](37)

Figure pct00037
Figure pct00037

<구리 착체의 합성><Synthesis of Copper Complex>

<<구리 착체 Cu-1의 합성>><< Synthesis of Copper Complex Cu-1 >>

중합체 A-1의 20% 수용액 20g에 대하여, 수산화 구리 556mg을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반하여, 수산화 구리를 용해시켰다. 이상에 의하여, 구리 착체(이하, 엔지니어링 플라스틱 구리 착체라고도 함) Cu-1의 수용액이 얻어졌다.556 mg of copper hydroxide was added to 20 g of a 20% aqueous solution of the polymer A-1, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours to dissolve the copper hydroxide. Thus, an aqueous solution of copper complex (hereinafter also referred to as engineering plastic copper complex) Cu-1 was obtained.

<<구리 착체 Cu-2~Cu-17의 합성>><< Synthesis of Copper Complex Cu-2 to Cu-17 >>

중합체 A1의 산기의 등량과, 구리 원자의 등량의 질량비를, 하기 표 1과 같이 한 것 이외에는, 구리 착체 Cu-1의 합성과 동일하게 하여, 구리 착체 Cu-2~Cu-17을 합성했다.Copper complexes Cu-2 to Cu-17 were synthesized in the same manner as in the synthesis of the copper complex Cu-1, except that the mass ratio of the equivalent amount of the acid group of the polymer A1 to the equivalent amount of the copper atoms was changed as shown in Table 1 below.

[표 1][Table 1]

Figure pct00038
Figure pct00038

<<구리 착체 Cu-18의 합성>><< Synthesis of Copper Complex Cu-18 >>

에테인설폰산 3.00g, 뷰테인설폰산 3.76g을 메탄올 100ml에 희석하고, 수산화 구리 2.66g을 첨가하여, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액을 농축하여, 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 구리 착체 Cu-18을 얻었다.3.00 g of ethanesulfonic acid and 3.76 g of butanesulfonic acid were diluted with 100 ml of methanol, 2.66 g of copper hydroxide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The reaction solution was concentrated, and the resulting solid was dried under reduced pressure to obtain a copper complex Cu-18.

<<구리 착체 Cu-19의 합성>><< Synthesis of copper complex Cu-19 >>

에테인설폰산 6.00g을 메탄올 100ml에 희석하고, 수산화 구리 2.66g을 첨가하여, 실온에서 2시간 교반했다. 반응액을 농축하여, 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 구리 착체 Cu-19를 얻었다.6.00 g of ethanesulfonic acid was diluted with 100 ml of methanol, 2.66 g of copper hydroxide was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The reaction solution was concentrated, and the obtained solid was vacuum dried to obtain a copper complex Cu-19.

<<구리 착체 Cu-20의 합성>><< Synthesis of Copper Complex Cu-20 >>

중합체 A-3의 20% 수용액 20g에 대하여, 아세트산 구리 1.84g을 첨가하고, 실온에서 3시간 교반했다. 반응액을 에바포레이터로 농축하고, 생성한 아세트산을 제거한 후, 물을 첨가하여, 다시 20% 수용액으로 함으로써, 구리 착체 Cu-20의 수용액이 얻어졌다.To 20 g of a 20% aqueous solution of the polymer A-3, 1.84 g of copper acetate was added, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. The reaction solution was concentrated with an evaporator, and the resulting acetic acid was removed. Water was added to the residue to obtain a 20% aqueous solution, whereby an aqueous solution of copper complex Cu-20 was obtained.

<<구리 착체 Cu-21의 합성(비교 합성예 1)>><< Synthesis of Copper Complex Cu-21 (Comparative Synthesis Example 1) >>

일본 공개특허공보 2011-227528호의 실시예 1에 기재된 방법과 동일하게 하여, 구리 착체 Cu-21을 합성했다.A copper complex Cu-21 was synthesized in the same manner as in the method described in Example 1 of JP-A-2011-227528.

[화학식 38](38)

Figure pct00039
Figure pct00039

<근적외선 흡수성 조성물의 조제>&Lt; Preparation of near infrared absorbing composition >

<<실시예 1>>&Lt; Example 1 &gt;

<근적외선 흡수성 조성물의 조정 1>&Lt; Adjustment of near infrared absorbing composition 1 >

하기 표 2에 나타내는 배합량이 되도록 구리 착체 및 용제를 혼합하여, 실시예 1~21 및 비교예 1의 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다.The near infrared absorptive compositions of Examples 1 to 21 and Comparative Example 1 were prepared by mixing the copper complex and the solvent so that the blend amounts shown in Table 2 were obtained.

또한, 하기 표 2 중의 구리 착체 Cu-22는, 트라이플루오로아세트산 구리(II) 수화물(와코 준야쿠 고교(주)사제)을 사용하고, 용제 EG는 에틸렌글라이콜(와코 준야쿠 고교(주)사제)을 사용하며, 용제 MeOH는 메탄올(와코 준야쿠 고교(주)사제)을 사용했다.(II) hydrate (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used as the copper complex Cu-22 in Table 2, and the solvent EG was dissolved in ethylene glycol (Wako Pure Chemical Industries Co., Ltd. Manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used, and methanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used as the solvent MeOH.

[표 2][Table 2]

Figure pct00040
Figure pct00040

<근적외선 차단 필터의 제작><Fabrication of near-infrared ray cut filter>

실시예 및 비교예에서 조제한 근적외선 흡수성 조성물의 각각을, 어플리케이터 도포법(YOSHIMITS SEIKI제의 베이커 어플리케이터, YBA-3형을 슬릿폭 250μm로 조정하여 사용)을 이용하여, 유리 기판 상에 어플리케이터 도포하고, 100℃, 120초 동안 전 가열(프리베이크)을 행했다. 그 후, 모든 샘플에 대하여, 180℃, 180초 동안, 핫플레이트에서 가열을 실시하여 근적외선 차단 필터를 얻었다.Each of the near infrared absorbing compositions prepared in Examples and Comparative Examples was applied to a glass substrate using an applicator application method (Baker applicator, YBA-3 type, manufactured by YOSHIMITS SEIKI, adjusted to a slit width of 250 mu m) (Prebaked) at 100 DEG C for 120 seconds. Thereafter, all the samples were heated at 180 DEG C for 180 seconds on a hot plate to obtain a near infrared ray blocking filter.

<평가><Evaluation>

<<근적외선 차폐성 평가>><< Evaluation of near infrared ray shielding >>

상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터에 있어서의 파장 800nm의 투과율을 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용하여 측정했다. 근적외선 차폐성을 이하의 기준으로 평가했다.The transmittance at a wavelength of 800 nm in the near-infrared cut filter obtained as described above was measured using a spectrophotometer U-4100 (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The near infrared ray shielding property was evaluated by the following criteria.

A: 파장 800nm의 투과율≤5%A: transmittance at a wavelength of 800 nm &lt; = 5%

B: 5%<파장 800nm의 투과율≤7%B: 5% <transmittance of 800 nm wavelength ≤7%

C: 7%<파장 800nm의 투과율≤10%C: 7% <transmittance of 800 nm wavelength ≤10%

D: 10%<파장 800nm의 투과율D: 10% <transmittance of 800 nm wavelength

<<내습성 평가>><< Evaluation of moisture resistance >>

상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터를 85℃/95%RH의 고온 고습하에서 3시간 방치했다. 내습성 시험 전과 내습성 시험 후의 각각에 있어서, 근적외선 차단 필터의 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도(Absλmax)와, 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도(Absλmin)를, 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용하여 측정하고, "Absλmax/Absλmin"으로 나타나는 흡광도비를 구했다. |(시험 전에 있어서의 흡광도비-시험 후에 있어서의 흡광도비)/시험 전에 있어서의 흡광도비×100|(%)로 나타나는 흡광도비 변화율을 이하의 기준으로 평가했다.The near-infrared cut filter obtained as described above was allowed to stand under high temperature and high humidity of 85 占 폚 / 95% RH for 3 hours. (Abs λmax) at a wavelength of 700 to 1400 nm and a minimum absorbance (Absλmin) at a wavelength of 400 to 700 nm of the near infrared ray blocking filter were measured with a spectrophotometer U-4100 Manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the absorbance ratio represented by "Absλmax / Absλmin" was obtained. | Absorbance ratio before test (Absorbance ratio before test - Absorbance ratio after test) / Absorbance ratio before test 占 100 (%) The rate of change in absorbance was expressed by the following criteria.

A: 흡광도비 변화율≤2%A: Absorption ratio change rate ≤ 2%

B: 2%<흡광도비 변화율≤4%B: 2% <change in absorbance ratio? 4%

C: 4%<흡광도비 변화율≤7%C: 4% <change in absorbance ratio ≤7%

D: 7%<흡광도비 변화율D: 7% <change in absorbance ratio

<<내열성 평가 1>><< Heat resistance evaluation 1 >>

상기와 같이 하여 얻은 근적외선 차단 필터를 200℃에서 5분간 방치했다. 내열성 시험 전과 내열성 시험 후의 각각에 있어서, 근적외선 차단 필터의 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도(Absλmax)와, 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도(Absλmin)를, 분광 광도계 U-4100(히타치 하이테크놀로지즈사제)을 이용하여 측정하고, "Absλmax/Absλmin"으로 나타나는 흡광도비를 구했다.The near-infrared cut filter thus obtained was allowed to stand at 200 占 폚 for 5 minutes. (Abs λmax) at a wavelength of 700 to 1400 nm and a minimum absorbance (Absλmin) at a wavelength of 400 to 700 nm of the near infrared ray blocking filter were measured with a spectrophotometer U-4100 (Hitachi High- Manufactured by Technologies Inc.), and the absorbance ratio represented by "Absλmax / Absλmin" was obtained.

|((시험 전에 있어서의 흡광도비-시험 후에 있어서의 흡광도비)/시험 전에 있어서의 흡광도비)×100|(%)로 나타나는 흡광도비 변화율을 이하의 기준으로 평가했다. 결과를 이하의 표 3에 나타낸다.(Absorbance ratio before test / Absorbance ratio before test / Absorbance ratio before test) x 100 (%) was evaluated by the following criteria. The results are shown in Table 3 below.

A: 흡광도비 변화율≤2%A: Absorption ratio change rate ≤ 2%

B: 2%<흡광도비 변화율≤4%B: 2% <change in absorbance ratio? 4%

C: 4%<흡광도비 변화율≤7%C: 4% <change in absorbance ratio ≤7%

D: 7%<흡광도비 변화율D: 7% <change in absorbance ratio

<<내열성 평가 2>><< Heat resistance evaluation 2 >>

가열 온도를 200℃에서 265℃로 변경한 것 이외에는, 상기 내열성 평가 1과 동일하게 하여, 평가를 실시했다.Evaluation was carried out in the same manner as in the heat resistance evaluation 1 except that the heating temperature was changed from 200 캜 to 265 캜.

[표 3][Table 3]

Figure pct00041
Figure pct00041

상기 표 3으로부터 분명한 바와 같이, 실시예의 근적외선 흡수성 조성물은, 경화막으로 했을 때에 높은 근적외선 차폐성을 유지하면서, 내열성이 우수한 경화막을 형성할 수 있었다. 또, 실시예의 근적외선 흡수성 조성물은, 내습성도 우수한 경화막을 형성할 수 있었다.As is evident from Table 3, the near infrared absorbing composition of the Example was able to form a cured film having excellent heat resistance while maintaining a high near infrared ray shielding property as a cured film. In addition, the near infrared absorbing composition of the Examples was able to form a cured film having excellent moisture resistance.

한편, 비교예의 근적외선 흡수성 조성물은, 실시예와 비교하여, 경화막으로 했을 때에 내열성이 양호하지 않았다. 또, 비교예의 근적외선 흡수성 조성물은, 실시예와 비교하여, 경화막으로 했을 때에 내습성이 양호하지 않았다.On the other hand, the near infrared absorbing composition of the comparative example had poor heat resistance as a cured film as compared with the examples. In addition, the near infrared absorbing composition of the comparative example did not have good moisture resistance when it was used as a cured film, as compared with the examples.

<<실시예 23>>&Lt; Example 23 &gt;

<<근적외선 흡수성 조성물의 조제>><< Preparation of near infrared absorptive composition >>

하기의 성분을 하기 표 4에 기재된 배합량으로 혼합하여, 실시예 23의 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다.The following components were mixed in the amounts shown in Table 4 below to prepare the near infrared absorbing composition of Example 23. [

·구리 착체 A(하기 설포프탈산을 배위자로서 갖는 구리 착체)Copper complex A (copper complex having the following sulfophthalic acid as a ligand)

·상기 엔지니어링 플라스틱 구리 착체 Cu-1The engineering plastic copper complex Cu-1

·하기 바인더 AThe following binder A

·하기 계면활성제 AThe following surfactants A

·용제(물)· Solvent (water)

[화학식 39][Chemical Formula 39]

Figure pct00042
Figure pct00042

바인더 A: 하기 화합물(Mw: 24,000)Binder A: The following compound (Mw: 24,000)

[화학식 40](40)

Figure pct00043
Figure pct00043

계면활성제 A: 올핀 E1010(닛신 가가쿠 고교 가부시키가이샤제)Surfactant A: Olin E1010 (manufactured by Nisshin Kagaku Kogyo K.K.)

[화학식 41](41)

Figure pct00044
Figure pct00044

구리 착체 A는, 이하와 같이 하여 합성했다.Copper complex A was synthesized as follows.

설포프탈산 53.1% 수용액(13.49g, 29.1mmol)을 메탄올 50mL에 녹여, 이 용액을 50℃로 승온한 후, 수산화 구리(2.84g, 29.1mmol)를 첨가하고 50℃에서 2시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 에바포레이터에서 용제 및 발생한 물을 증류 제거함으로써 구리 착체 A(8.57g)를 얻었다.A solution of 53.1% sulfophthalic acid in water (13.49 g, 29.1 mmol) was dissolved in 50 mL of methanol, and the solution was heated to 50 DEG C, copper hydroxide (2.84 g, 29.1 mmol) was added and the mixture was reacted at 50 DEG C for 2 hours. After completion of the reaction, the solvent and water generated were distilled off from the evaporator to obtain a copper complex A (8.57 g).

<<실시예 24~37>><< Examples 24 to 37 >>

실시예 23의 근적외선 흡수성 조성물에 있어서, 엔지니어링 플라스틱 구리 착체 Cu-1 대신에, 엔지니어링 플라스틱 구리 착체 Cu-2~Cu-15를 각각 이용한 것 이외에는, 실시예 23과 동일하게 하여 실시예 24~37의 근적외선 흡수성 조성물을 조제했다.The near infrared absorbing composition of Example 23 was obtained in the same manner as in Example 23 except that the engineering plastic copper complexes Cu-2 to Cu-15 were used instead of the engineering plastic copper complex Cu-1, respectively. A near infrared absorbing composition was prepared.

실시예 23~37의 근적외선 흡수성 조성물에서는, 근적외선 흡수능이 더 높아지는 것이 확인되었다.It was confirmed that the near infrared absorbing compositions of Examples 23 to 37 had higher near infrared absorbing ability.

[표 4][Table 4]

Figure pct00045
Figure pct00045

1 산기 이온을 포함하는 중합체 (A2) 및 구리 이온을 함유하는 화합물
2 구리
3 주쇄
4 측쇄
5 산기 이온 부위
10 실리콘 기판
12 촬상 소자
13 층간 절연막
14 베이스층
15 컬러 필터
16 오버 코트
17 마이크로 렌즈
18 차광막
20 접착제
22 절연막
23 금속 전극
24 솔더 레지스트층
26 내부 전극
27 소자면 전극
30 유리 기판
40 촬상 렌즈
42 근적외선 차단 필터
44 차광겸 전자 실드
45 접착제
46 평탄화층
50 렌즈 홀더
60 솔더 볼
70 회로 기판
100 고체 촬상 소자 기판
(A2) containing a monovalent ion and a compound containing a copper ion
2 Copper
3 main chain
4 side chains
Pentasaccharide ion site
10 silicon substrate
12 image pickup element
13 interlayer insulating film
14 base layer
15 Color filters
16 Overcoat
17 microlens
18 Light-shielding film
20 Adhesive
22 insulating film
23 metal electrode
24 solder resist layer
26 internal electrode
27 Element surface electrode
30 glass substrate
40 imaging lens
42 NIR filter
44 Shielded electronic shield
45 Adhesive
46 planarization layer
50 Lens Holder
60 solder balls
70 circuit board
100 solid-state imaging element substrate

Claims (17)

주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1)과 구리 성분과의 반응으로 얻어지는 화합물을 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.A compound obtained by a reaction of a polymer (A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and an acid group or a salt thereof with a copper component. 청구항 1에 있어서,
상기 중합체 (A1)이, 하기 식 (A1-1)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물;
[화학식 1]
Figure pct00046

식 (A1-1) 중, Ar1은 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 나타내고, Y1은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, X1은 산기 또는 그 염을 나타낸다.
The method according to claim 1,
A near infrared absorbing composition, wherein the polymer (A1) comprises a constitutional unit represented by the following formula (A1-1);
[Chemical Formula 1]
Figure pct00046

In the formula (A1-1), Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group, Y 1 represents a single bond or a divalent linking group, and X 1 represents an acid group or a salt thereof.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 중합체 (A1)이, 하기 식 (A1-2)로 나타나는 구성 단위를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물;
[화학식 2]
Figure pct00047

식 (A1-2) 중, Ar2는 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 나타내고, Y2는 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내며, X2는 산기 또는 그 염을 나타내고, Y3은 단결합, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -C(=O)O-, -O-C(=O)O-, -P(=O)R0-, -CR1R2- 또는 -C(=O)NR3-을 나타낸다; R0은 수소 원자, 탄화 수소기, 또는 하이드록실기를 나타낸다; R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다; R3은 수소 원자 또는 탄화 수소기를 나타낸다.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the polymer (A1) comprises a constituent unit represented by the following formula (A1-2);
(2)
Figure pct00047

Formula (A1-2) of, Ar 2 represents an aromatic hydrocarbon group and / or aromatic heterocyclic group, Y 2 denotes a single bond or a divalent connecting group, X 2 represents an acid group or a salt thereof, Y 3 represents a single bond, -O-, -S-, -SO 2 - , -CO-, -C (= O) O-, -OC (= O) O-, -P (= O) R 0 -, -CR 1 R 2 - or -C (= O) NR 3 -; R 0 represents a hydrogen atom, a hydrocarbon group, or a hydroxyl group; R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group; R 3 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group.
청구항 2에 있어서,
상기 2가의 연결기가, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 알킬렌기, 아릴렌기, -O-, -S-, -C(=O)-, -C(=O)O-, 또는 이들의 조합으로 이루어지는 기를 나타내는, 근적외선 흡수성 조성물.
The method of claim 2,
The divalent linking group may be a linear, branched or cyclic alkylene group, an arylene group, -O-, -S-, -C (= O) -, -C (= O) O-, Wherein the near infrared absorptive composition shows a group formed.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산기 또는 그 염이, 카복실산기 및 그 염, 인산기 및 그 염, 포스폰산 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 선택되는, 근적외선 흡수성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the acid group or a salt thereof is selected from at least one member selected from a carboxylic acid group and a salt thereof, a phosphoric acid group and a salt thereof, a phosphonic acid and a salt thereof, and a sulfonic acid group and a salt thereof.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산기 또는 그 염이, 카복실산기 및 그 염, 그리고 설폰산기 및 그 염으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 선택되는, 근적외선 흡수성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the acid group or a salt thereof is selected from at least one selected from a carboxylic acid group and a salt thereof and a sulfonic acid group and a salt thereof.
청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중합체 (A1)의 중량 평균 분자량이 1000~1000만인, 근적외선 흡수성 조성물.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the polymer (A1) has a weight average molecular weight of 1,000 to 10,000,000.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
추가로 물을 함유하는, 근적외선 흡수성 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Further comprising water.
주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 이온을 함유하는 중합체 (A2)의 산기 이온 부위를 배위자로 하는 구리 착체를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.(A2) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and an acid group ion as a ligand. 주쇄에 방향족 탄화 수소기 및/또는 방향족 헤테로환기를 갖고, 산기 또는 그 염을 갖는 중합체 (A1) 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 화합물과,
산기 또는 그 염을 함유하는 저분자 화합물 및 구리 성분의 반응으로 얻어지는 구리 착체
를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.
(A1) having an aromatic hydrocarbon group and / or an aromatic heterocyclic group in its main chain and having an acid group or a salt thereof, and a compound obtained by the reaction of a copper component,
A low molecular weight compound containing an acid group or a salt thereof and a copper complex obtained by a reaction of a copper component
Absorbent composition.
청구항 10에 있어서,
상기 저분자 화합물의 분자량이 1000 이하인, 근적외선 흡수성 조성물.
The method of claim 10,
Wherein the molecular weight of the low-molecular compound is 1000 or less.
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 저분자 화합물이 설폰산기, 카복실산기 및 인 원자를 함유하는 산기 중 적어도 하나를 포함하는, 근적외선 흡수성 조성물.
The method according to claim 10 or 11,
Wherein the low-molecular compound includes at least one of a sulfonic acid group, a carboxylic acid group, and an acid group containing a phosphorus atom.
청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 이용하여 얻어진 근적외선 차단 필터.A near infrared ray blocking filter obtained by using the near infrared absorbing composition according to any one of claims 1 to 12. 청구항 13에 있어서,
200℃에서 5분간 가열한 전후에 있어서의, 하기 식으로 구해지는 흡광도비의 변화율이 모두 5% 이하인, 근적외선 차단 필터;
[(가열 전에 있어서의 흡광도비-가열 후에 있어서의 흡광도비)/가열 전에 있어서의 흡광도비]
여기에서, 흡광도비란, 파장 700~1400nm에 있어서의 최대 흡광도를 파장 400~700nm에 있어서의 최소 흡광도로 나눈 값을 말한다.
14. The method of claim 13,
A near infrared ray blocking filter having a rate of change of an absorbance ratio determined by the following equation before and after heating at 200 DEG C for 5 minutes is 5% or less;
[(Absorbance ratio before heating - Absorbance ratio after heating) / Absorbance ratio before heating]
Here, the term "absorbance ratio" refers to a value obtained by dividing the maximum absorbance at a wavelength of 700 to 1400 nm by the minimum absorbance at a wavelength of 400 to 700 nm.
고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 막을 형성하는 공정을 포함하는, 근적외선 차단 필터의 제조 방법.A method for manufacturing a near-infrared light blocking filter, comprising the step of forming a film on the light receiving side of a solid-state imaging element substrate by applying the near infrared absorbing composition according to any one of claims 1 to 12. 고체 촬상 소자 기판과, 상기 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖고, 상기 근적외선 차단 필터가 청구항 13 또는 청구항 14에 기재된 근적외선 차단 필터인, 카메라 모듈.Wherein the solid-state imaging element substrate and the near infrared ray blocking filter disposed on the light receiving side of the solid-state imaging element substrate, wherein the near infrared ray blocking filter is the near infrared ray blocking filter according to claim 13 or claim 14. 고체 촬상 소자 기판과, 상기 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 배치된 근적외선 차단 필터를 갖는 카메라 모듈의 제조 방법으로서, 고체 촬상 소자 기판의 수광측에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 근적외선 흡수성 조성물을 도포함으로써 막을 형성하는 공정을 포함하는, 카메라 모듈의 제조 방법.1. A manufacturing method of a camera module having a solid-state imaging element substrate and a near-infrared cut-off filter disposed on a light-receiving side of the solid-state imaging element substrate, characterized in that, on the light receiving side of the solid- And a step of forming a film by applying the near infrared absorbing composition.
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