KR20150136148A - Display device and display panel - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a display device and a display panel thereof. The display device comprises: a gate driving integrated circuit for receiving driving voltage and a clock signal, and outputting a scan signal to a gate line; and a driving voltage control unit for controlling a level of the driving voltage according to change of voltage of a monitoring node connected to an output node where the scan signal is outputted in the gate driving integrated circuit, and outputting the driving voltage to the gate driving integrated circuit.

Description

표시장치 및 표시패널{DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL}[0001] DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL [0002]

본 발명은 표시장치 및 표시패널에 관한 것이다. The present invention relates to a display device and a display panel.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel), 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.BACKGROUND ART Demands for a display device for displaying an image have been increasing in various forms as an information society has developed. In recent years, a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (Plasma Display Panel) Light Emitting Display Device) have been utilized.

이러한 표시장치는 데이터 라인들과 게이트 라인들이 형성되어 화소들이 정의된 표시패널을 포함하고, 데이터 라인들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부와, 게이트 라인들로 스캔 신호를 공급하는 게이트 구동부와, 데이터 구동부 및 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함한다. The display device includes a data driver for generating data signals to the data lines, a gate driver for supplying a scan signal to the gate lines, And a timing controller for controlling the driving timing of the driving unit and the gate driving unit.

한편, 표시장치에서, 게이트 구동부는 다수의 게이트 구동 집적회로를 포함하여 구현되는데, 각 게이트 구동 집적회로는 클럭 신호 및 구동 전압 등을 인가받아 해당 게이트 라인으로 스캔 신호를 출력하며, 이를 위해, 풀 업 트랜지스터 및 풀 다운 트랜지스터와 이들의 동작을 제어하는 회로부를 포함하여 구성된다. In the display device, the gate driver includes a plurality of gate driver ICs. The gate driver IC receives a clock signal and a driving voltage, and outputs a scan signal to the corresponding gate line. For this purpose, An up-transistor and a pull-down transistor, and a circuit section for controlling the operation of these transistors.

이러한 각 게이트 구동 집적회로는 짧은 시간 동안 하이 레벨의 스캔 신호를 출력하기 때문에, Qb(Q bar) 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등에 오랜 시간 동안 높은 전압이 인가되어 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등의 문턱 전압이 이동하는 현상이 발생하게 되고, 이러한 문턱 전압 이동 현상은 회로 오동작을 발생시키고, 게이트 구동 집적회로의 수명을 단축하게 하는 문제점을 야기할 수 있다.
Since each gate driving integrated circuit outputs a high-level scan signal for a short time, a high voltage is applied to the pull-down transistor connected to the Qb (Q bar) node for a long time and the gate of the pull- A phenomenon occurs in which the voltage is shifted. Such a threshold voltage transfer phenomenon causes a circuit malfunction and shortens the lifetime of the gate drive integrated circuit.

이러한 배경에서, 본 발명의 목적은, 각 게이트 구동 집적회로에 구동 전압을 효과적으로 인가해줄 수 있는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 데 있다. In view of the above, it is an object of the present invention to provide a display device and a display panel capable of effectively applying a driving voltage to each gate driving integrated circuit.

본 발명의 다른 목적은, 각 게이트 구동 집적회로 내 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등에 오랜 시간 동안 고정된 높은 전압이 인가되지 않도록 구동 전압을 제어하는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 데 있다.
It is another object of the present invention to provide a display device and a display panel for controlling a driving voltage so that a high voltage fixed for a long time is not applied to a pull-down transistor connected to a Qb node in each gate driving integrated circuit.

전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 측면에서, 본 발명은, 구동 전압 및 클럭 신호를 입력받고, 게이트 라인으로 스캔 신호를 출력하거나, 상기 더미(Dummy) 신호를 출력하는 게이트 구동 집적회로; 및 상기 게이트 구동 집적회로에서 상기 스캔 신호의 출력 노드와 연결된 모니터링 노드의 전압의 변화에 따라 상기 구동 전압의 크기를 조절하여 상기 게이트 구동 집적회로로 출력하는 구동 전압 제어부를 포함하는 표시장치를 제공한다. In order to accomplish the above object, in one aspect, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a gate driving integrated circuit for receiving a driving voltage and a clock signal, outputting a scan signal to a gate line, or outputting a dummy signal; And a driving voltage controller for controlling the magnitude of the driving voltage according to a change in the voltage of the monitoring node connected to the output node of the scan signal in the gate driving integrated circuit and outputting the adjusted driving voltage to the gate driving integrated circuit .

다른 측면에서, 본 발명은, 표시 패널에 있어서, 스캔 신호를 화소 열로 전달하는 게이트 라인; 및 상기 게이트 라인과 연결되어 상기 표시 패널에 형성되되, 풀 업 트랜지스터 및 풀 다운 트랜지스터를 포함하며, 클럭 신호와, 연속적인 시간 구간에 대하여 크기가 연속적으로 조절된 상기 구동 전압을 인가받아, 상기 스캔 신호를 상기 게이트 라인을 출력하는 게이트 구동 집적회로를 포함하는 표시 패널을 제공한다.
In another aspect, the present invention provides a display panel comprising: a gate line for transmitting a scan signal to a pixel column; And a pull-down transistor and a pull-down transistor connected to the gate line, the pull-down transistor and the pull-down transistor being connected to the gate line and receiving the clock signal and the driving voltage whose magnitude is continuously adjusted for a continuous time interval, And a gate driving integrated circuit for outputting a signal to the gate line.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 각 게이트 구동 집적회로에 구동 전압을 효과적으로 인가해줄 수 있는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a display device and a display panel capable of effectively applying a driving voltage to each gate driving integrated circuit.

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 각 게이트 구동 집적회로 내 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등에 오랜 시간 동안 고정된 높은 전압이 인가되지 않는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 효과가 있다. According to the present invention, it is possible to provide a display device and a display panel in which a high voltage fixed for a long time is not applied to a pull-down transistor connected to a Qb node in each gate driving integrated circuit through a driving voltage control.

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 각 게이트 구동 집적회로 내 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등의 문턱 전압 이동 및 그 속도를 최소화할 수 있는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, it is possible to provide a display device and a display panel capable of minimizing the movement and speed of a threshold voltage of a pull-down transistor or the like connected to a Qb node in each gate driving integrated circuit through drive voltage control .

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 게이트 구동 집적회로의 오동작 및 수명 단축을 방지할 수 있는 표시 장치 및 표시 패널을 제공하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, it is possible to provide a display device and a display panel which can prevent a malfunction and a shortened life span of a gate drive integrated circuit through drive voltage control.

또한, 본 발명에 의하면, 연속적인 시간 구간에 대하여 연속적인 구동 전압 제어를 함으로써, 보다 효율적이고 정밀한 게이트 구동을 가능하게 하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, continuous driving voltage control is performed for a continuous time period, thereby enabling efficient and precise gate driving.

또한, 본 발명에 의하면, 게이트 구동 집적회로가 실제로 동작하는 환경과 동일한 환경에서, 게이트 구동 집적회로 내 트랜지스터의 문턱 전압 이동을 모니터링하여 이를 토대로 구동 전압을 제어함으로써, 보다 효율적이고 정밀한 게이트 구동을 가능하게 하는 효과가 있다.
Further, according to the present invention, it is possible to perform more efficient and precise gate driving by monitoring the threshold voltage shift of the transistors in the gate driving integrated circuit and controlling the driving voltage based on the monitoring of the threshold voltage shift in the same environment as the actual operation of the gate driving integrated circuit .

도 1은 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 시스템을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동부가 GIP 타입의 게이트 구동 집적회로들로 구현된 경우, 표시패널의 일부분을 나타낸 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로와 구동 전압 제어 구성을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로로 인가되는 구동 전압의 제어 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로 내부의 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압 이동 현상을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로로 인가되는 구동 전압 제어에 따른 구동 전압의 그래프이다.
도 7은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로 내부의 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압 이동과 구동 전압 제어부에 의해 제어되어 게이트 구동 집적회로로 인가되는 구동 전압 간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 8은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로 내부의 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압과 구동 전압 제어부에 의해 제어되어 게이트 구동 집적회로로 인가되는 구동 전압의 시간에 따른 변화 그래프이다.
도 9 및 도 10은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로로 인가되는 구동 전압을 제어하기 위하여, 제1스위치 및 제2스위치의 동작 타이밍을 스캔 신호 파형과 함께 나타낸 그래프이다.
도 11은 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로의 예시도이다.
도 12는 실시예에 따른 표시장치의 게이트 구동 집적회로로 인가되는 주요 신호 파형과 주요 노드의 전압 파형을 나타낸 도면이다.
1 is a diagram showing a schematic system of a display device according to an embodiment.
2 is a view showing a part of a display panel when the gate driver of the display device according to the embodiment is implemented as GIP type gate drive integrated circuits.
3 is a diagram showing a gate drive integrated circuit and a drive voltage control configuration of a display device according to an embodiment.
4 is a view for explaining the principle of controlling the driving voltage applied to the gate driving integrated circuit of the display device according to the embodiment.
5 is a graph illustrating a threshold voltage transfer phenomenon of the monitoring transistor in the gate driving integrated circuit of the display device according to the embodiment.
6 is a graph of a driving voltage according to driving voltage control applied to the gate driving integrated circuit of the display device according to the embodiment.
7 is a graph showing the relationship between the threshold voltage shift of the monitoring transistor in the gate driving integrated circuit of the display apparatus according to the embodiment and the driving voltage applied to the gate driving integrated circuit controlled by the driving voltage control unit.
8 is a graph showing a change in threshold voltage of the monitoring transistor inside the gate driving integrated circuit of the display device according to the embodiment and a driving voltage applied to the gate driving integrated circuit controlled by the driving voltage controlling part over time.
9 and 10 are graphs showing the operation timings of the first switch and the second switch together with the scan signal waveform in order to control a driving voltage applied to the gate driving integrated circuit of the display device according to the embodiment.
11 is an illustration of an example of a gate drive integrated circuit of a display device according to an embodiment.
12 is a diagram showing a main signal waveform and a voltage waveform of a main node applied to the gate driving integrated circuit of the display apparatus according to the embodiment.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In the drawings, like reference numerals are used to denote like elements throughout the drawings, even if they are shown on different drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the components from other components, and the terms do not limit the nature, order, order, or number of the components. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; intervening "or that each component may be" connected, "" coupled, "or " connected" through other components.

도 1은 실시예에 따른 표시장치(100)의 개략적인 시스템을 나타낸 도면이다. FIG. 1 is a diagram showing a schematic system of a display device 100 according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(100)는, m개의 데이터 라인(DL1~DLm)과 n개의 게이트 라인(GL1~GLn)이 서로 교차하는 방향으로 형성되며 m개의 데이터 라인(DL1~DLm)과 n개의 게이트 라인(GL1~GLn)이 교차하여 화소(P: Pixel)가 정의된 표시패널(110)과, m개의 데이터 라인(DL1~DLm)을 구동하기 위하여 m개의 데이터 라인(DL1~DLm)으로 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동부(120)와, n개의 게이트 라인(GL1~GLn)을 순차적으로 구동하기 위하여 n개의 게이트 라인(GL1~GLn)으로 스캔 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동부(130)와, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130)의 구동 타이밍 등을 제어하며, 이를 위해, 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부(130) 각각으로 각종 제어신호를 출력하는 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함한다. 1, a display device 100 according to an embodiment includes m data lines DL1 to DLm and n gate lines GL1 to GLn formed in a direction crossing each other and m data lines DL1 A display panel 110 in which a pixel P is defined by intersecting n gate lines GL1 to GLn and m data lines DL1 to DLm for driving m data lines DL1 to DLm, A data driver 120 for supplying data voltages to the n gate lines GL1 to GLm to sequentially drive the n gate lines GL1 to GLn, A timing controller (not shown) for controlling the driving timings of the driving unit 130, the data driving unit 120 and the gate driving unit 130 and outputting various control signals to the data driving unit 120 and the gate driving unit 130, 140).

전술한 데이터 구동부(120)는 다수의 데이터 구동 집적회로(소스 구동 집적회로라고도 함)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 데이터 구동 집적회로는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, 표시패널(110)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 형성될 수도 있다. The data driver 120 may include a plurality of data driver ICs (also referred to as source driver ICs), which may be a Tape Automated Bonding (TAB) May be connected to a bonding pad of the display panel 110 by a chip on glass (COG) method or may be formed directly on the display panel 110 and may be formed on the display panel 110, It is possible.

전술한 게이트 구동부(130)는, 구동 방식에 따라서, 도 1에서와 같이 표시패널(110)의 한 측에만 위치할 수도 있고, 2개로 나누어져 표시패널(110)의 양측에 위치할 수도 있다. 1, the gate driver 130 may be located on one side of the display panel 110, or on both sides of the display panel 110 in two, depending on the driving method.

또한, 게이트 구동부(130)는, 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC: Gate Driver IC)를 포함할 수 있는데, 이러한 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC)는, 테이프 오토메티드 본딩(TAB: Tape Automated Bonding) 방식 또는 칩 온 글래스(COG) 방식으로 표시패널(110)의 본딩 패드(Bonding Pad)에 연결되거나, GIP(Gate In Panel) 타입으로 구현되어 표시패널(110)에 직접 형성될 수도 있으며, 경우에 따라서, 표시패널(110)에 집적화되어 형성될 수도 있다. In addition, the gate driver 130 may include a plurality of gate driver integrated circuits (GDICs). The plurality of gate driver integrated circuits (GDICs) may include a plurality of gate driver ICs, such as Tape Automated Bonding ) Or a chip on glass (COG) method, or may be directly formed on the display panel 110 by being implemented in a GIP (Gate In Panel) type and directly connected to a bonding pad of the display panel 110, The display panel 110 may be formed by being integrated with the display panel 110. [

한편, 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC) 각각은, 해당 게이트 라인(GL)으로 스캔 신호를 공급하기 위하여, 적어도 하나의 클럭 신호(CLK: Clock Signal), 하이 레벨의 전압(예: 구동 전압(VDD) 등), 적어도 하나의 로우 레벨의 전압(예: 기저 전압(VSS) 등) 등을 인가받아 내부 회로를 통해 스캔 신호를 출력한다. Each of the plurality of gate driving integrated circuits GDIC includes at least one clock signal CLK and a high level voltage such as a driving voltage Vdd to supply a scan signal to the gate line GL. VDD), etc.), at least one low-level voltage (e.g., a base voltage VSS), and the like, and outputs a scan signal through an internal circuit.

다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC) 중 일부는 게이트 라인(GL)과 연결되지 않을 수도 있다. 이 경우, 게이트 라인(GL)과 연결되지 않은 게이트 구동 집적회로(GDIC)는 더미 신호(Dummy Signal)를 일종의 스캔 신호처럼 출력할 수도 있다. 이때, 실시예에 따른 표시장치(100)의 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)에 인가되는 구동 전압(VDD)은, 고정된 전압이 아니라 가변 될 수 있는 전압이다. Some of the plurality of gate driving integrated circuits (GDIC) may not be connected to the gate line GL. In this case, the gate drive integrated circuit GDIC not connected to the gate line GL may output a dummy signal as a kind of scan signal. At this time, the driving voltage VDD applied to each gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment is not a fixed voltage but a variable voltage.

또한, 실시예에 따른 표시장치(100)의 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)에 인가되는 구동 전압(VDD)은, 고정된 높은 전압이 아니라, 낮은 전압에서 시작하여 어떠한 상황에서 서서히 높아지는 전압일 수 있다. The driving voltage VDD applied to each gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment is not a fixed high voltage but may be a voltage starting from a low voltage and gradually increasing in some situations have.

아래에서는, 실시예에 따른 표시장치(100)의 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)에 구동 전압(VDD)을 가변하여 인가하는 구동 전압 제어에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. The driving voltage control for varying the driving voltage VDD applied to each gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment will be described in more detail below.

아래에서는, 실시예에 따른 표시장치(100)의 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)가 표시패널(110)에 직접 형성된 GIP(Gate In Panel) 타입인 것을 예로 들어 설명한다. Hereinafter, the gate drive integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment will be described as an example of a GIP (Gate In Panel) type formed directly on the display panel 110. FIG.

한편, 실시예에 따른 표시장치(100)는, 일 예로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display) 또는 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display) 등일 수 있다. Meanwhile, the display device 100 according to the embodiment may be, for example, a liquid crystal display (LCD) or an organic light emitting display.

도 2는 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동부(130)가 표시패널(110)에 직접 형성되는 GIP(Gate In Panel) 타입의 게이트 구동 집적회로(GDIC)들로 구현된 경우, 표시패널(110)의 일부분을 나타낸 도면이다. 2 is a block diagram illustrating the structure of a display panel according to an embodiment of the present invention when the gate driver 130 of the display device 100 is implemented as GIP (Gate In Panel) type gate drive integrated circuits (GDIC) And a portion of the panel 110.

도 2를 참조하면, 표시패널(110)에는, 스캔 신호(SCAN)를 각 화소 열로 전달하는 다수의 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, ...)이 일 방향으로 형성되고, 다수의 게이트 라인(GL1, GL2, GL3, ...) 각각에 연결되어 스캔 신호(SCAN1, SCAN2, SCAN3, ...)를 출력하는 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC1, GDIC2, GDIC3, ...)가 형성된다. Referring to FIG. 2, a plurality of gate lines GL1, GL2, GL3,... Are formed in one direction for transferring a scan signal SCAN to each pixel line, A plurality of gate driving integrated circuits GDIC1, GDIC2, GDIC3, ... are connected to each of the gate lines GL1, GL2, GL3, ... to output scan signals SCAN1, SCAN2, SCAN3, do.

다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC1, GDIC2, GDIC3, ...) 각각은, 풀 업 트랜지스터(Tup: Pull Up Transistor) 및 풀 다운 트랜지스터(Tdown: Pull Down Transistor) 등과 이 트랜지스터들(Tup, Tdown)을 제어하는 제어 회로부를 포함할 수 있다. Each of the plurality of gate driving integrated circuits GDIC1, GDIC2, GDIC3, ... includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, And a control circuit section for controlling the control section.

여기서, 풀 업 트랜지스터(Tup)를 버퍼 트랜지스터(Tbuffer: Buffer Transistor)라고도 한다. 또한, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)는 구동 전압 제어를 위한 전압 모니터링에 관여하는 트랜지스터로서 모니터링 트랜지스터(Tm: Monitoring Transistor)라고도 한다. Here, the pull-up transistor Tup is also referred to as a buffer transistor (Tbuffer: Buffer Transistor). In addition, the pull-down transistor Tdown is a transistor involved in voltage monitoring for driving voltage control and is also referred to as a monitoring transistor (Tm).

다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC1, GDIC2, GDIC3, ...) 각각은, 적어도 하나의 클럭 신호(CLK), 하이 레벨의 전압(예: 구동 전압(VDD) 등), 적어도 하나의 로우 레벨의 전압(예: 기저 전압(VSS) 등) 등을 인가받아 내부 회로를 통해 스캔 신호를 출력한다. Each of the plurality of gate drive integrated circuits GDIC1, GDIC2, GDIC3 ... includes at least one clock signal CLK, a high level voltage (e.g., a drive voltage VDD), at least one low level (For example, a base voltage VSS), and outputs a scan signal through an internal circuit.

다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC1, GDIC2, GDIC3, ...) 각각에 인가되는 구동 전압(VDD)은 고정된 전압이 아니라 가변 되는 전압일 수 있다. The driving voltage VDD applied to each of the plurality of gate driving integrated circuits GDIC1, GDIC2, GDIC3, ... may be a variable voltage instead of a fixed voltage.

특히, 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC1, GDIC2, GDIC3, ...) 각각에 인가되는 구동 전압(VDD)은 연속적인 시간 구간에 대하여 크기가 연속적으로 조절된 전압일 수 있다. In particular, the driving voltage VDD applied to each of the plurality of gate driving integrated circuits GDIC1, GDIC2, GDIC3, ... may be a voltage whose magnitude is continuously adjusted for a continuous time period.

아래에서는, 하나의 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압(VDD)의 제어 방법과 그 구성에 대하여, 도 3 내지 도 9를 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, a method of controlling the driving voltage VDD applied to one gate driving integrated circuit (GDIC) and its configuration will be described in more detail with reference to FIGS. 3 to 9. FIG.

도 3은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)와 구동 전압 제어 구성을 나타낸 도면이다. 3 is a diagram showing a gate drive integrated circuit (GDIC) and a drive voltage control configuration of the display device 100 according to the embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(100)는, 구동 전압(VDD)및 클럭 신호(CLK)를 입력받아 스캔 신호(SCAN)를 게이트 라인(GL)으로 출력하는 게이트 구동 집적회로(GDIC)와, 이 게이트 구동 집적회로(GDIC)에서 스캔 신호(SCAN)가 출력되는 출력 노드(No)와 연결된 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)의 변화에 따라 구동 전압(VDD)의 크기를 조절하여 해당 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 출력하는 구동 전압 제어부(300) 등을 포함한다. 3, a display device 100 according to an embodiment includes a gate driving IC (not shown) for receiving a driving voltage VDD and a clock signal CLK and outputting a scanning signal SCAN to a gate line GL And the voltage Vm of the monitoring node Nm connected to the output node No at which the scan signal SCAN is output from the gate driving integrated circuit GDIC And a driving voltage control unit 300 for outputting the adjusted driving voltage to the corresponding gate driving integrated circuit GDIC.

도 3을 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 일 예로, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 연속적인 시간 구간에 해당하는 모니터링 시간 구간 동안 연속적으로 모니터링하면서, 이와 동시에, 기준 전압(Vref) 및 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 비교하여 그 결과에 따라 게이트 구동 집적회로(GDIC)에 인가할 구동 전압(VDD)의 크기를 조절할 수 있다.  3, the driving voltage control unit 300 continuously monitors the voltage Vm of the monitoring node Nm for a monitoring time interval corresponding to a continuous time interval, and at the same time, The voltage Vm of the monitoring node Nm may be compared with the voltage Vm of the monitoring node Nm and the magnitude of the driving voltage VDD to be applied to the gate driving integrated circuit GDIC may be adjusted according to the comparison result.

도 3을 참조하면, 구동 전압 제어를 위해, 구동 전압 제어부(300)에는, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 인가되는 제1입력단(Vin1)과 기준 전압(Vref)이 인가되는 제2입력단(Vin2)이 있으며, 제어된 구동 전압(VDD)이 출력되는 출력단(Vout)이 있다. 3, a driving voltage control unit 300 includes a first input terminal Vin1 to which a voltage Vm of the monitoring node Nm is applied and a second input terminal Vin1 to which a reference voltage Vref is applied, There is an input stage Vin2 and an output stage Vout for outputting a controlled driving voltage VDD.

도 3을 참조하면, 구동 전압(VDD)를 제어하는 구성으로서, 구동 전압 제어부(300) 이외에, 모니터링 노드(Nm)와 구동 전압 제어부(300)의 제1입력단(Vin1) 사이에 연결되는 제1스위치(SW1)를 더 포함할 수 있다. 3, in addition to the driving voltage control unit 300, the driving voltage control unit 300 includes a first node Vin1 connected between the monitoring node Nm and the first input terminal Vin1 of the driving voltage control unit 300, And may further include a switch SW1.

이러한 제1스위치(SW1)는 모니터링 시간 구간 동안 온(On)이 됨으로써, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 구동 전압 제어부(300)의 제1입력단(Vin1)에 인가되도록 제어할 수 있다. The first switch SW1 is turned on during the monitoring time interval so that the voltage Vm of the monitoring node Nm is controlled to be applied to the first input terminal Vin1 of the driving voltage controller 300 .

또한, 도 3을 참조하면, 기준 전압(Vref)이 구동 전압 제어부(300)의 제2입력단(Vin2)과 기준 전압 공급부(미도시) 사이에 연결되는 제2스위치(SW2)를 더 포함할 수 있다. 3, the reference voltage Vref may further include a second switch SW2 connected between a second input terminal Vin2 of the driving voltage control unit 300 and a reference voltage supply unit (not shown) have.

이러한 제2스위치(SW2)는 기준 전압(Vref)이 구동 전압 제어부(300)의 제2입력단에 인가되도록 제어할 수 있다. The second switch SW2 may control the reference voltage Vref to be applied to the second input terminal of the driving voltage controller 300.

전술한 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2)의 온-오프(On-Off) 스위칭 동작에 의해, 구동 전압 제어부(300)이 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링 하는 타이밍과 구동 전압(VDD)을 제어하는 타이밍이 제어될 수 있다. The timing at which the drive voltage control unit 300 monitors the voltage Vm of the monitoring node Nm by the on-off switching operation of the first switch SW1 and the second switch SW2 And the timing for controlling the driving voltage VDD can be controlled.

즉, 전술한 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2)의 온-오프(On-Off) 스위칭 동작에 의해, 모니터링 시간 구간이 제어될 수 있다. That is, the monitoring time interval can be controlled by the on-off switching operation of the first switch SW1 and the second switch SW2.

여기서, 모니터링 시간 구간은, 일 예로, 프레임(Frame) 간 블랭크(Blank) 시간의 전체 구간 또는 일부 구간일 수 있고, 또는, 풀 업 트랜지스터(Tup)가 오프(Off) 되는 시간의 전체 구간 또는 일부 구간일 수 있으며, 또는 풀 업 트랜지스터(Tup)가 오프(Off) 되고 Qb(Q bar) 노드가 로우 레벨이 아닌 시간의 전체 구간 또는 일부 구간일 수 있다. Here, the monitoring time interval may be, for example, an entire interval or a partial interval of a blank time between frames, or may be a full interval of a time when the pullup transistor Tup is off, Or the full or partial section of time during which the pull-up transistor Tup is off and the Qb (Q bar) node is not low level.

다시 말해, 제1스위치(SW1)는, 스캔 신호(SCAN)의 전압이 로우 레벨(Low Level) 전압이 되는 전체 시간 구간 또는 전체 시간 구간의 일부 시간 구간 동안 온(On)이 될 수 있다. In other words, the first switch SW1 may be turned on during the entire time period during which the voltage of the scan signal SCAN becomes a low level voltage or during some time periods of the entire time period.

한편, 제2스위치(SW2)는, 항상 온(On)이 되어 있을 수도 있고, 경우에 따라서는, 일부 시간 동안만 온(On)이 될 수도 있다. On the other hand, the second switch SW2 may be always turned on or may be turned on only for a part of the time in some cases.

제2스위치(SW2)가 일부 시간 동안만 온(On)이 되는 경우, 일 예로, 제2스위치(SW2)는 제1스위치(SW1)가 온(On)이 되는 타이밍과 동기화되어 온(On)이 될 수도 있다. 즉, 제2스위치(SW2)는 제1스위치(SW1)와 동일한 온-오프 스위치 동작을 할 수도 있다. The second switch SW2 is turned on in synchronization with the timing at which the first switch SW1 is turned on when the second switch SW2 is turned on only for a part of the time, . That is, the second switch SW2 may perform the same on-off switch operation as the first switch SW1.

한편, 제1스위치(SW1)가 온 될 때, 제2스위치(SW2)가 온이라고 가정하면, 제1스위치(SW1)가 온(On)이 되는 하나의 모니터링 시간 구간에 대한 구동 전압(VDD)의 함수는 하나의 모니터링 시간 구간에 대하여 불연속 점이 존재하지 않는 연속 함수일 수 있다.On the other hand, assuming that the second switch SW2 is turned on when the first switch SW1 is turned on, the drive voltage VDD for one monitoring time period in which the first switch SW1 is turned on, May be a continuous function with no discontinuity point for one monitoring time interval.

또 한편, 도 3을 참조하면, 제1스위치(SW1)와 구동 전압 제어부(300) 사이에 캐패시터(Capacitor; C1)의 일단이 연결될 수 있다. 3, one end of a capacitor C1 may be connected between the first switch SW1 and the driving voltage control unit 300. In addition,

이 캐패시터(C1)는 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 다음의 모니터링 시간 구간이 시작할 때까지 유지되도록 해주는 역할을 한다. This capacitor C1 serves to maintain the voltage Vm of the monitoring node Nm until the next monitoring time interval starts.

또 한편, 제2스위치(SW2)와 구동 전압 제어부(300) 사이에도, 다른 캐패시터(C2)의 일단이 연결될 수 있다.On the other hand, one end of the other capacitor C2 may be connected between the second switch SW2 and the drive voltage control unit 300. [

한편, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링 하기 위해, 모니터링 노드(Nm)와 세트 전압(Vset)이 인가되는 세트 전압 단 사이에 저항 소자(R)가 연결될 수 있다. On the other hand, in order to monitor the voltage Vm of the monitoring node Nm, the resistance element R may be connected between the monitoring node Nm and a set voltage terminal to which the set voltage Vset is applied.

여기서, 세트 전압(Vset)은 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 소스 또는 드레인에 연결된 기저 전압(V1)보다 낮은 전압이다. Here, the set voltage Vset is lower than the base voltage V1 connected to the source or the drain of the pull-down transistor Tdown.

전술한 바와 같은 구동 전압 제어 구성들(300, SW1, SW2, R, C1, C2 등)을 구현함으로써, 구동 전압을 보다 효율적이고 정확하게 제어할 수 있다. By implementing the driving voltage control structures 300 (SW1, SW2, R, C1, C2, etc.) as described above, the driving voltage can be controlled more efficiently and accurately.

전술한 바와 같은 구동 전압 제어 구성들(300, SW1, SW2, R, C1, C2 등)이 게이트 구동 집적회로(GDIC)와 함께 회로가 구성이 된 상태에서, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링하여 구동 전압(VDD)을 제어하는 원리에 대하여, 도 4를 참조하여, 더욱 상세하게 설명한다. The driving voltage control structures 300, SW1, SW2, R, C1, C2 and the like as described above are controlled by the voltage Vm (Vm) of the monitoring node Nm in a state in which the circuit is constituted together with the gate driving integrated circuit ) To control the driving voltage VDD will be described in more detail with reference to Fig.

도 3에 예시적으로 도시된 구동 전압 제어 구성들(300, SW1, SW2, R, C1, C2 등)은, 표시 패널(110)과 연결된 소스 인쇄회로기판(SPCB: Source Printed Circuit Board)에 형성될 수 있으며, 경우에 따라서는, 컨트롤 인쇄회로기판(CPCB: Control Printed Circuit Board) 등의 인쇄회로기판에 형성될 수도 있다. 3 is formed on a source printed circuit board (SPCB) connected to the display panel 110. The driving voltage control structures 300, SW1, SW2, R, C1, C2, And may be formed on a printed circuit board such as a control printed circuit board (CPCB) in some cases.

도 3에 예시적으로 도시된 구동 전압 제어 구성들(300, SW1, SW2, R, C1, C2 등)의 세트(Set)는, 일 예로, 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)와 대응되어 형성될 수도 있고, 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 개수보다 적은 개수만큼 형성될 수도 있다. A set of the driving voltage control structures 300 (for example, SW1, SW2, R, C1, C2, etc.) illustrated in FIG. 3 is formed in correspondence with each gate driving integrated circuit GDIC Or may be formed in a smaller number than the number of gate driving integrated circuits (GDIC).

만약, 도 3에 예시적으로 도시된 구동 전압 제어 구성들(300, SW1, SW2, R, C1, C2 등)의 세트(Set)가 1개만 있거나, 2개 이상이되 다수의 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 개수보다 적은 개수인 경우, 2개 이상의 게이트 구동 집적회로(GDIC) 중 모니터링 될 게이트 구동 집적회로의 출력 노드(No)가 모니터링 노드(Nm)에 스위칭 되면서 접속되도록 하는 스위칭 소자(미도시)가 더 포함될 수 있다. 여기서, 스위칭 소자는 2개의 출력 노드(No)를 모니터링 노드(Nm)에 선택적으로 연결해준다. If there is only one set of the drive voltage control structures 300 (e.g., 300, SW1, SW2, R, C1, C2, etc.) and a plurality of gate drive integrated circuits A switching element (not shown) for connecting the output node No of the gate drive integrated circuit to be monitored among the two or more gate driving integrated circuits GDIC while being switched to the monitoring node Nm, ) May be further included. Here, the switching element selectively connects two output nodes No to the monitoring node Nm.

도 4는 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압(VDD)의 제어 원리를 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining a control principle of the driving voltage VDD applied to the gate driving integrated circuit (GDIC) of the display device 100 according to the embodiment.

모니터링 노드(Nm)와 세트 전압(Vset)이 인가되는 세트 전압 단 사이에 저항 소자(R)가 연결됨에 따라, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링하는 회로 구성은, 도 4와 같이 간략하게 등가적으로 표현될 수 있다. The circuit configuration for monitoring the voltage Vm of the monitoring node Nm as the resistance element R is connected between the monitoring node Nm and the set voltage terminal to which the set voltage Vset is applied is as shown in Fig. It can be expressed simply and equivalently.

도 4를 참조하면, 전압 모니터링 회로는, 기저 전압(V1)과 세트 전압(Vset) 사이에서 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 모니터링 트랜지스터(Tm)에 해당하는 저항(Rm) 성분과 저항 소자(R)가 직렬로 연결된 회로 구성이 된다. 4, the voltage monitoring circuit includes a resistor Rm corresponding to the monitoring transistor Tm in the gate drive integrated circuit GDIC between the base voltage V1 and the set voltage Vset, ) Are connected in series.

제1스위치(SW1)가 온이 되면, 모니터링 트랜지스터(Tm)와 저항 소자(R)가 직렬로 연결된 지점의 전압이 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)으로서 구동 전압 제어부(300)의 제1입력단(Vin1)에 인가되어 모니터링 된다. When the first switch SW1 is turned on, the voltage at the point where the monitoring transistor Tm and the resistor R are connected in series is the voltage Vm of the monitoring node Nm, Is applied to the input terminal Vin1 and monitored.

즉, 구동 전압 제어부(300)는 제1입력단(Vin1)에 인가된 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링한다. That is, the driving voltage control unit 300 monitors the voltage Vm of the monitoring node Nm applied to the first input terminal Vin1.

구동 전압 제어부(300)는 모니터링 결과에 따라 알게 된 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 제2입력단(Vin2)에 인가된 기준 전압(Vref)과 비교하여, 비교 결과에 따라, 구동 전압(VDD)의 크기를 조절할 수 있다. The driving voltage control unit 300 compares the voltage Vm of the monitoring node Nm learned according to the monitoring result with the reference voltage Vref applied to the second input terminal Vin2, VDD) can be adjusted.

이때, 모니터링 트랜지스터(Tm)의 상태에 따라, 즉 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 저항(Rm)에 따라, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 다르게 모니터링 될 수 있다. At this time, the voltage Vm of the monitoring node Nm may be monitored differently depending on the state of the monitoring transistor Tm, that is, according to the resistance Rm corresponding to the pull-down transistor Tdown.

따라서, 모니터링 트랜지스터(Tm)의 상태가 달라지면, 즉 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 저항(Rm)이 달라지면, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 다르게 모니터링 되고, 그 결과, 구동 전압(VDD)의 크기도 다르게 조절될 수 있다. Therefore, when the state of the monitoring transistor Tm is changed, that is, when the resistance Rm corresponding to the pull-down transistor Tdown is changed, the voltage Vm of the monitoring node Nm is monitored differently, VDD) may be adjusted differently.

여기서, 모니터링 트랜지스터(Tm)의 상태, 즉 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 저항(Rm)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 고유 특성치에 해당하는 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압(Vth: Threshold Voltage)이 일정하지 않고 변함에 따라, 변할 수 있다. Here, the state of the monitoring transistor Tm, that is, the resistance Rm corresponding to the pull-down transistor Tdown is a pull-down transistor corresponding to the characteristic value of the pull-down transistor Tdown The threshold voltage (Vth: Threshold Voltage) of the transistor Tdown is not constant but varies.

본 명세서에서, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압(Vth)이 변하는(이동하는) 현상을 "문턱 전압 이동(Vth Shift)"라고 한다. In this specification, the phenomenon that the threshold voltage Vth of the pull-down transistor Tdown changes (moves) is referred to as "threshold voltage shift (Vth shift)".

종래의 게이트 구동 집적회로(GDIC)에서는, Qb 노드에 고정된 높은 구동 전압(VDD)이 인가되기 때문에, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압 이동이 발생하며, 문턱 전압 이동 속도도 빨라지게 된다. In the conventional gate driving integrated circuit GDIC, since the high driving voltage VDD fixed to the Qb node is applied, the threshold voltage shift of the pull-down transistor Tdown occurs, and the threshold voltage shift speed also increases.

이러한 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압 이동 현상은 회로 오동작을 발생시킬 수 있다. 또한, 이러한 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압 이동 현상은 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 수명을 단축하게 하는 요인이 되기도 한다. The threshold voltage transfer of the pull-down transistor Tdown may cause circuit malfunction. In addition, the threshold voltage shift of the pull-down transistor Tdown may shorten the lifetime of the gate drive integrated circuit GDIC.

이에, 본 실시예에서는, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압 이동 현상에 의해, 모니터링 트랜지스터(Tm)의 상태, 즉 저항(Rm)이 달라졌다는 것을 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)의 모니터링을 통해 인식하여, 그 결과에 따라, 구동 전압(VDD)의 크기를 증가 또는 감소시키는 조절을 하게 된다. Thus, in the present embodiment, monitoring of the voltage Vm of the monitoring node Nm that the state of the monitoring transistor Tm, that is, the resistance Rm, has changed due to the threshold voltage shift phenomenon of the pull-down transistor Tdown And adjusts to increase or decrease the magnitude of the driving voltage VDD according to the result.

또한, 본 실시예의 구동 전압 제어부(300)는 구동 전압(VDD)의 크기를 조절하되, 낮은 전압 크기로 구동 전압(VDD)을 인가시켜 주다고, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압 이동 현상이 발생됨에 따라 구동 전압(VDD)의 크기를 점점 높여주어 높은 구동 전압(VDD)이 인가되도록 제어할 수 있다. The driving voltage controller 300 of the present embodiment adjusts the magnitude of the driving voltage VDD but applies the driving voltage VDD at a low voltage level and the threshold voltage shift phenomenon of the pull down transistor Tdown The magnitude of the driving voltage VDD is gradually increased to control the high driving voltage VDD to be applied.

본 실시예에 따른 구동 전압 제어부(300)는, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)에 대한 이동(Vth Shift)에 의해 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)의 변화가 모니터링 되어, 기준 전압(Vref) 및 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm) 간의 차이가 일정 수준 이상 발생한 경우, 기준 전압(Vref) 및 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm) 간의 차이에 근거하여 구동 전압(VDD)의 크기를 조절할 수 있다. The driving voltage control unit 300 according to the present embodiment controls the voltage Vm of the monitoring node Nm by shifting (Vth Shift) to the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC And the difference between the reference voltage Vref and the voltage Vm of the monitoring node Nm when the difference between the reference voltage Vref and the voltage Vm of the monitoring node Nm exceeds a certain level, The magnitude of the driving voltage VDD can be adjusted.

예를 들어, 본 실시예에 따른 구동 전압 제어부(300)는, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 커져서 포지티브(Positive, +) 방향의 문턱 전압 이동(Vth Shift)이 발생하여, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 작아지는 것이 모니터링 된 경우, 구동 전압(VDD)의 크기를 증가시키는 제어를 수행할 수 있다. For example, the driving voltage control unit 300 according to the present embodiment increases the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC so that the threshold voltage Vth in the positive (+) direction When the voltage Vm of the monitoring node Nm is monitored to decrease, the control of increasing the magnitude of the driving voltage VDD can be performed.

다시 설명하면, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압이 커지는 문턱 전압 이동 현상이 발생하여, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 저항(Rm)이 커지고, 이 저항(Rm)에 전압 강하가 크게 일어나, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 작아지게 되어, 구동 전압 제어부(300)는 기준 전압(Vref)와 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)의 차이(Vref-Vm)가 커진 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 구동 전압 제어부(300)는 구동 전압(VDD)의 크기를 증가시키는 제어를 할 수 있다. Describing again, a threshold voltage transfer phenomenon occurs in which the threshold voltage of the pull-down transistor Tdown is increased, so that the resistance Rm corresponding to the pull-down transistor Tdown becomes larger and a voltage drop occurs in the resistor Rm , The voltage Vm of the monitoring node Nm becomes smaller and the driving voltage control unit 300 confirms that the difference Vref-Vm between the reference voltage Vref and the voltage Vm of the monitoring node Nm is increased . Accordingly, the driving voltage control unit 300 can control to increase the magnitude of the driving voltage VDD.

다른 예로서, 본 실시예에 따른 구동 전압 제어부(300)는, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 작아져 네거티브(Negative, -) 방향의 문턱 전압 이동(Vth Shift)이 발생하여, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 커지는 것이 모니터링 된 경우, 구동 전압(VDD)의 크기를 감소시키는 제어를 수행할 수 있다. The threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate drive integrated circuit GDIC is reduced and the threshold voltage shift in the negative (-) direction It is possible to perform control to reduce the magnitude of the driving voltage VDD when the voltage Vm of the monitoring node Nm is monitored to increase.

다시 설명하면, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)의 문턱 전압이 작아지는 문턱 전압 이동 현상이 발생하여, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 저항(Rm)이 작아지고, 이 저항(Rm)에 전압 강하가 작게 일어나, 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)이 커지게 되어, 구동 전압 제어부(300)는 기준 전압(Vref)와 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)의 차이(Vref-Vm)가 작아진 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 구동 전압 제어부(300)는 구동 전압(VDD)의 크기를 감소시키는 제어를 할 수 있다. Describing again, a threshold voltage transfer phenomenon in which the threshold voltage of the pull-down transistor Tdown is reduced causes a resistance Rm corresponding to the pull-down transistor Tdown to decrease, and a voltage drop The voltage Vm of the monitoring node Nm becomes larger and the driving voltage controller 300 controls the driving voltage control unit 300 such that the difference Vref-Vm between the reference voltage Vref and the voltage Vm of the monitoring node Nm is small I can confirm that it is gone. Accordingly, the driving voltage control unit 300 can control to reduce the magnitude of the driving voltage VDD.

한편, 구동 전압 제어부(300)는, 구동 전압(VDD)의 크기를 초기 세팅 전압(Initial Voltage)과 한계 전압(Limited Voltage) 사이에서 조절할 수 있다. On the other hand, the driving voltage controller 300 can adjust the magnitude of the driving voltage VDD between an initial setting voltage (Initial Voltage) and a limit voltage (Limited Voltage).

이와 같은 구동 전압 제어에 따라, Qb 노드에 인가되는 전압을 최소화시키고, 문턱 전압 이동 현상의 발생 또는 문턱 전압 이동 속도를 최소화할 수 있다. According to the driving voltage control as described above, the voltage applied to the Qb node can be minimized, and the occurrence of the threshold voltage shift phenomenon or the threshold voltage shift speed can be minimized.

이를 통해, 문턱 전압 이동 현상에 따른 회로 오동작을 방지할 수 있고, 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 수명이 길어지게 할 수도 있다. As a result, it is possible to prevent a circuit malfunction due to a threshold voltage shift phenomenon, and to prolong the life of the gate drive integrated circuit (GDIC).

또한, 본 실시예의 전압 모니터링 방식에 따르면, 실제로 동작하는 회로와 동일한 환경에서 문턱 전압 이동 현상을 모니터링하는 것이 가능해질 수 있고, 이는, 실제 동작 상황에 매우 적합한 구동 전압 제어를 정밀하게 제공해줄 수 있다. In addition, according to the voltage monitoring method of this embodiment, it becomes possible to monitor the threshold voltage transfer phenomenon in the same environment as the circuit actually operating, and this can precisely provide drive voltage control that is very suitable for actual operation conditions .

도 6은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압 제어에 따른 구동 전압의 그래프이다. 단, 도 6의 (a) 및 (b)는 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대하여 구동 전압(VDD)을 VDD1에서 VDD2로 증가시키는 제어를 하는 경우를 가정한 것이다. 6 is a graph of the driving voltage according to the driving voltage control applied to the gate driving integrated circuit (GDIC) of the display device 100 according to the embodiment. 6A and 6B, it is assumed that the driving voltage VDD is controlled to increase from VDD1 to VDD2 for one monitoring time period t1 to t2.

도 6의 (a)를 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대한 구동 전압(VDD)을 연속적으로 조절할 수 있다. Referring to FIG. 6A, the driving voltage control unit 300 may continuously adjust the driving voltage VDD for one monitoring time interval t1 to t2.

즉, 구동 전압 제어부(300)는, 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대한 구동 전압(VDD)의 함수가 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대하여 불연속 점이 존재하지 않는 연속 함수가 되도록, 구동 전압(VDD)의 크기를 조절할 수 있다. That is, the driving voltage control unit 300 determines whether the function of the driving voltage VDD for one monitoring time period t1 to t2 is a continuous function in which there is no discontinuity point for one monitoring time period t1 to t2 So that the magnitude of the driving voltage VDD can be adjusted.

이러한 구동 전압 제어 방식과는 다르게, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 구동 전압 제어부(300)는, 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대한 구동 전압(VDD)을 이산적으로(Discrete) 제어할 수도 있다. 6B, the driving voltage control unit 300 discretizes the driving voltage VDD for one monitoring time period t1 to t2, as shown in FIG. 6B, (Discrete) control.

이러한 이산 제어(Discrete Control) 방식에 따르면, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 하나의 모니터링 시간 구간(t1~t2)에 대한 구동 전압(VDD)의 함수는 불연속점이 존재하는 불연속 함수(예: 계단 함수)일 수 있다. According to this discrete control method, as shown in FIG. 6B, the function of the driving voltage VDD for one monitoring time period t1 to t2 is a function of the discontinuous function ( For example, a step function).

도 6의 (a) 및 (b)에 도시된 제어 방식을 모두 적용할 수 있으나, 도 6의 (a)에 도시된 제어 방식을 이용하면, Qb 노드에 인가되는 전압의 최소화, 문턱 전압 이동 현상의 발생 또는 문턱 전압 이동 속도를 최소화시키는 효과를 더욱 극대화 시킬 수 있고, 이를 통해, 문턱 전압 이동 현상에 따른 회로 오동작을 더욱 잘 방지할 수 있으며, 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 수명도 더 길어질 수 있고, 더욱 정밀한 구동 전압 제어를 가능하게 할 수 있을 것이다. 6A and 6B can be applied. However, by using the control method shown in FIG. 6A, it is possible to minimize the voltage applied to the node Qb, And the threshold voltage transfer speed can be maximized. As a result, it is possible to prevent the circuit malfunction due to the threshold voltage transfer phenomenon more effectively, and the lifetime of the gate drive integrated circuit (GDIC) Therefore, it is possible to control the drive voltage more precisely.

아래에서는, 풀 다운 트랜지스터(Tdown)에 해당하는 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)의 변화에 따라 구동 전압(VDD)을 제어하는 관계와, 시간에 따라, 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth) 및 구동 전압(VDD)의 변화를 도 7 및 도 8을 참조하여 알아본다. In the following, the relation of controlling the driving voltage VDD in accordance with the variation of the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm corresponding to the pull-down transistor Tdown and the relation of controlling the threshold voltage Vd of the monitoring transistor Tm (Vth) and the driving voltage (VDD) will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG.

도 7은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내부의 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth) 이동과 구동 전압 제어부(300)에 의해 제어되어 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압(VDD)간의 관계를 나타낸 그래프이다. 7 is a timing chart showing the shift of the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment and the driving voltage control of the gate driving integrated circuit And a driving voltage VDD applied to the gate electrode GDIC.

도 7을 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내부의 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 증가하는 방향으로 문턱 전압 이동이 발생하는 경우, 구동 전압(VDD)을 증가시키는 제어를 수행할 수 있다. 7, when a threshold voltage shift occurs in a direction in which the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC increases, the driving voltage control unit 300 controls the driving voltage VDD) may be increased.

도 7을 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내부의 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 감소하는 방향으로 문턱 전압 이동이 발생하는 경우, 구동 전압(VDD)을 감소시키는 제어를 수행할 수 있다. 7, when a threshold voltage shift occurs in a direction in which the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC decreases, the driving voltage control unit 300 controls the driving voltage VDD) can be performed.

단, 구동 전압 제어부(300)는, 구동 전압(VDD)의 크기를 초기 세팅 전압(Initial Voltage)과 한계 전압(Limited Voltage) 사이에서 조절할 수 있다. However, the driving voltage control unit 300 may adjust the magnitude of the driving voltage VDD between the initial setting voltage (Initial Voltage) and the limit voltage (Limited Voltage).

도 8은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내부의 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)과 구동 전압 제어부(300)에 의해 제어되어 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압(VDD)의 시간에 따른 변화 그래프이다. 8 is a graph showing the relationship between the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm in the gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment and the threshold voltage Vth of the gate driving integrated circuit GDIC ) Of the driving voltage (VDD).

도 8을 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 구동 시간의 증가에 따라 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 증가하는 방향으로 문턱 전압 이동이 발생하는 경우, 구동 전압(VDD)을 증가시키는 제어를 수행하되, 변하는 문턱 전압(Vth)보다 높은 일정 마진(Margin)을 주어, 구동 전압(VDD)의 크기를 제어할 수 있다. 8, when a threshold voltage shift occurs in a direction in which the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm increases in accordance with the increase of the driving time, the driving voltage control unit 300 sets the driving voltage VDD to , And the magnitude of the driving voltage (VDD) can be controlled by giving a predetermined margin (Margin) higher than the threshold voltage (Vth).

도 8을 참조하면, 구동 전압 제어부(300)는, 구동 시간의 증가에 따라 모니터링 트랜지스터(Tm)의 문턱 전압(Vth)이 감소하는 방향으로 문턱 전압 이동이 발생하는 경우, 구동 전압(VDD)을 감소시키는 제어를 수행하되, 변하는 문턱 전압(Vth)보다 높은 일정 마진(Margin)을 주어, 구동 전압(VDD)의 크기를 제어할 수 있다. 8, when a threshold voltage shift occurs in a direction in which the threshold voltage Vth of the monitoring transistor Tm decreases in accordance with an increase in the driving time, the driving voltage control unit 300 sets the driving voltage VDD to And the magnitude of the driving voltage VDD can be controlled by giving a margin that is higher than the varying threshold voltage Vth.

아래에서는, 전술한 바와 같은 구동 전압 제어를 위한 모니터링 노드(Nm)의 전압(Vm)을 모니터링하는 타이밍과 이에 따른 구동 전압 제어 타이밍을 제어하기 위한 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)의 스위칭 동작의 타이밍을 도 9 및 도 10을 참조하여 다시 설명한다. The first switch SW1 and the second switch SW2 for controlling the timing for monitoring the voltage Vm of the monitoring node Nm for driving voltage control as described above and the driving voltage control timing accordingly, Will be described again with reference to Figs. 9 and 10. Fig.

도 9 및 도 10은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 구동 전압(VDD)을 제어하기 위하여, 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2)의 동작 타이밍을 스캔 신호(SCAN) 파형과 함께 나타낸 그래프이다. 9 and 10 are diagrams for explaining the operation of the first switch SW1 and the second switch SW2 in order to control the drive voltage VDD applied to the gate drive integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment. And the operation timing thereof together with the scan signal (SCAN) waveform.

도 9 및 도 10을 참조하면, 모니터링 노드(Nm)와 구동 전압 제어부(300)의 제1입력단(Vin1) 사이에 연결되는 제1스위치(SW1)와, 기준 전압(Vref)이 구동 전압 제어부(300)의 제2입력단(Vin2)과 기준 전압 공급부(미도시) 사이에 연결되는 제2스위치(SW2)가 모두 온(On)이 됨으로써, 하나의 모니터링 시간 구간이 정의된다. 9 and 10, a first switch SW1 connected between the monitoring node Nm and the first input terminal Vin1 of the driving voltage control unit 300, and a second switch SW2 connected between the monitoring node Nm and the driving voltage control unit 300, One monitoring time interval is defined by turning on the second switch SW2 connected between the second input terminal Vin2 of the switching elements 300 and the reference voltage supply unit (not shown).

도 9 및 도 10을 참조하면, 제1스위치(SW1)는 해당 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 출력 신호(Vgout) 즉, 스캔 신호(SCAN)의 전압이 로우 레벨(Low Level) 전압이 되는 전체 시간 구간 또는 전체 시간 구간의 일부 시간 구간 동안 온(On)이 될 수 있다. 9 and 10, the first switch SW1 is turned on when the output signal Vgout of the gate drive integrated circuit GDIC, that is, the scan signal SCAN becomes a low level voltage And may be on during a time interval or some time interval of the entire time interval.

한편, 제2스위치(SW2)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 항상 온(On)이 되어 있을 수도 있고, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1스위치(SW1)가 온(On)이 되는 타이밍과 동기화되어 온(On)이 될 수도 있다. On the other hand, the second switch SW2 may be always turned on as shown in Fig. 9, or may be turned on when the first switch SW1 is turned on as shown in Fig. 10 It may be turned on in synchronization with the timing.

전술한 바와 같은 제1스위치(SW1) 및 제2스위치(SW2)의 온-오프 스위칭 동작은, 타이밍 컨트롤러(140)에서 출력된 제어신호에 의해 제어되거나, 다른 집적회로에 의해 제어될 수도 있다. The on-off switching operation of the first switch SW1 and the second switch SW2 as described above may be controlled by a control signal output from the timing controller 140 or may be controlled by another integrated circuit.

이상에서 설명한 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)는, 클럭 신호, 구동 전압 등을 인가받아 스캔 신호(SCAN, Vgout)를 출력하기 위하여, 풀 업 트랜지스터(Tup) 및 풀 다운 트랜지스터(Tdown)와, 이들 트랜지스터들(Tup, Tdown)의 동작 제어를 위한 회로부를 기본적으로 포함하여 회로 구성이 된다. The gate driving integrated circuit GDIC of the display device 100 according to the embodiment described above is provided with a pull-up transistor Tup and a pull-up transistor Td to receive a clock signal, a driving voltage, and the like and output scan signals SCAN and Vgout. Down circuit includes a pull-down transistor Tdown and a circuit for controlling the operation of these transistors Tup and Tdown.

이러한 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 회로 구성은, 게이트 구동을 위한 클럭 신호 개수(예: 2개, 4개, 6개 등), 표시 패널(110)에서의 위치, 게이트 구동 방식 등에 따라 매우 다양하게 설계될 수 있을 것이다. The circuit configuration of such a gate drive integrated circuit GDIC varies greatly depending on the number of clock signals (for example, 2, 4, 6, etc.) for the gate drive, the position on the display panel 110, .

도 11은 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 예시도이다. 도 12는 실시예에 따른 표시장치(100)의 게이트 구동 집적회로(GDIC)로 인가되는 주요 신호(VST 1, CLK1~CLK4) 파형과 주요 노드(Q 노드, Qb 노드)의 전압 파형을 나타낸 도면이다.11 is an exemplary view of a gate drive integrated circuit (GDIC) of the display device 100 according to the embodiment. 12 is a diagram showing waveforms of main signals (VST1, CLK1 to CLK4) and voltage waveforms of main nodes (Q node, Qb node) applied to the gate drive integrated circuit (GDIC) of the display device 100 according to the embodiment to be.

도 11을 참조하면, 게이트 구동을 위해 4개의 클럭 신호(CLK1, CLK2, CLK3, CLK4)를 이용하여 4상 구동 방식으로 게이트 구동을 하고, 풀 업 트랜지스터(Tup; M6) 및 풀 다운 트랜지스터(Tdown; M7)와, 이들의 동작을 제어하기 위하여, 즉, Q 노드 및 Qb 노드의 전압을 제어하기 위하여, 9개의 트랜지스터(M1, M3n, M3, M41, M4q, M4, M5q, M6w, M7w)를 포함하는 경우에 대한 게이트 구동 집적회로(GDIC)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 11, gate driving is performed by a four-phase driving method using four clock signals CLK1, CLK2, CLK3, and CLK4 for gate driving, and pull-up transistors Tup and M6 and pull- M3, M3, M41, M4q, M4, M5q, M6w, M7w) for controlling the operation of the transistors Q1, (GDIC) for the case of including a gate drive IC

도 12를 참조하면, Q bar (Qb) 노드의 전압은 Q 노드가 로우 레벨이 되는 오랜 시간, 즉, 스캔 신호(Vgout)가 로우 레벨이 되는 오랜 시간 동안, 하이 레벨로 유지된다. Referring to FIG. 12, the voltage of the Q bar (Qb) node is maintained at a high level for a long time when the Q node becomes a low level, that is, a long time when the scan signal Vgout becomes a low level.

이로 인해, Qb 노드에 연결된 트랜지스터(M7, M7w, M3)의 경우, 장시간 동안 높은 전압이 게이트에 인가되어 문턱 전압 이동이 일어날 수 있으며, 이러한 문턱 전압 이동은 회로 오동작을 야기할 수 있다. Therefore, in the case of the transistors M7, M7w, and M3 connected to the node Qb, a high voltage may be applied to the gate for a long period of time to cause a threshold voltage shift. Such threshold voltage shift may cause circuit malfunction.

따라서, 본 실시예에서는, Qb 노드에 인가된 전압 성분인 구동 전압을 낮은 전압에서 인가하여 서서히 가변하여 증가시켜 인가함으로써, 모니터링 트랜지스터(Tm)일 수 있는 Qb 노드에 연결된 트랜지스터(M7, M7w, M3)에서의 문턱 전압 이동 현상 및 그 발생 속도를 최소화할 수 있다. Therefore, in this embodiment, the transistors M7, M7w, and M3 connected to the Qb node, which may be the monitoring transistor Tm, can be controlled by gradually applying the driving voltage, which is a voltage component applied to the Qb node, ) And the rate of occurrence of the threshold voltage can be minimized.

도 12를 참조하면, 구동 전압 제어 시, 구동 전압(VDD)은, Qb 노드의 전압이 하이 레벨이 되는 시간의 전체 구간 또는 일부 구간 동안, 제어될 수 있다. Referring to Fig. 12, in driving voltage control, the driving voltage VDD can be controlled for a whole period or a partial period of time during which the voltage of the Qb node becomes a high level.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 각 게이트 구동 집적회로(GDIC)에 구동 전압을 효과적으로 인가해줄 수 있는 표시 장치(100) 및 표시 패널(110)을 제공하는 효과가 있다. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a display device 100 and a display panel 110 that can effectively apply a driving voltage to each gate driving integrated circuit (GDIC).

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 각 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등에 오랜 시간 동안 고정된 높은 전압이 인가되지 않는 표시 장치(100) 및 표시 패널(110)을 제공하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, a display device 100 and a display panel (not shown) in which a high voltage fixed for a long time is not applied to a pull-down transistor connected to a Qb node in each gate driving integrated circuit (GDIC) 110).

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 각 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 Qb 노드에 연결된 풀 다운 트랜지스터 등의 문턱 전압 이동 및 그 속도를 최소화할 수 있는 표시 장치(100) 및 표시 패널(110)을 제공하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, the display device 100 and the display panel 100 capable of minimizing the movement and the speed of the threshold voltage of the pull-down transistor connected to the Qb node in each gate driving integrated circuit (GDIC) (110).

또한, 본 발명에 의하면, 구동 전압 제어를 통해, 게이트 구동 집적회로(GDIC)의 오동작 및 수명 단축을 방지할 수 있는 표시 장치(100) 및 표시 패널(110)을 제공하는 효과가 있다. According to the present invention, it is possible to provide a display device (100) and a display panel (110) that can prevent a malfunction and a shortened life span of a gate drive integrated circuit (GDIC) through drive voltage control.

또한, 본 발명에 의하면, 연속적인 시간 구간에 대하여 연속적인 구동 전압 제어를 함으로써, 보다 효율적이고 정밀한 게이트 구동을 가능하게 하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, continuous driving voltage control is performed for a continuous time period, thereby enabling efficient and precise gate driving.

또한, 본 발명에 의하면, 게이트 구동 집적회로(GDIC)가 실제로 동작하는 환경과 동일한 환경에서, 게이트 구동 집적회로(GDIC) 내 트랜지스터의 문턱 전압 이동을 모니터링하여 이를 토대로 구동 전압을 제어함으로써, 보다 효율적이고 정밀한 게이트 구동을 가능하게 하는 효과가 있다. Further, according to the present invention, by monitoring the threshold voltage shift of the transistor in the gate drive integrated circuit (GDIC) and controlling the drive voltage based on this, in an environment identical to the environment in which the gate drive integrated circuit (GDIC) actually operates, And it is possible to perform precise gate driving.

이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. , Separation, substitution, and alteration of the invention will be apparent to those skilled in the art. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 표시장치
110: 표시패널
120: 데이터 구동부
130: 게이트 구동부
140: 타이밍 컨트롤러
300: 구동 전압 제어부
GDIC: 게이트 구동 집적회로(Gate Driver IC)
100: display device
110: Display panel
120: Data driver
130: Gate driver
140: Timing controller
300: driving voltage control unit
GDIC: Gate Driver IC

Claims (14)

구동 전압 및 클럭 신호를 입력받고, 게이트 라인으로 스캔 신호를 출력하거나 더미(Dummy) 신호를 출력하는 게이트 구동 집적회로; 및
상기 게이트 구동 집적회로에서 상기 스캔 신호 또는 상기 더미 신호의 출력 노드와 연결된 모니터링 노드의 전압의 변화에 따라 상기 구동 전압의 크기를 조절하여 상기 게이트 구동 집적회로로 출력하는 구동 전압 제어부를 포함하는 표시장치.
A gate driving integrated circuit receiving a driving voltage and a clock signal and outputting a scan signal to a gate line or a dummy signal; And
And a driving voltage controller for controlling the magnitude of the driving voltage according to a change in the voltage of the monitoring node connected to the output node of the scan signal or the dummy signal in the gate driving integrated circuit and outputting the adjusted driving voltage to the gate driving integrated circuit .
제1항에 있어서,
상기 구동 전압 제어부는,
상기 모니터링 노드의 전압을 연속적인 시간 구간에 해당하는 모니터링 시간 구간 동안 모니터링하고, 기준 전압 및 상기 모니터링 노드의 전압을 비교하여 상기 구동 전압의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the driving voltage control unit includes:
Monitors the voltage of the monitoring node during a monitoring time interval corresponding to a continuous time interval, and adjusts the magnitude of the driving voltage by comparing the reference voltage and the voltage of the monitoring node.
제2항에 있어서,
상기 모니터링 노드와 상기 구동 전압 제어부의 제1입력단 사이에 연결된 제1스위치를 더 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
And a first switch connected between the monitoring node and a first input terminal of the driving voltage control unit.
제3항에 있어서,
상기 제1스위치가 온이 되는 시간 구간에 대한 상기 구동 전압의 함수는 연속 함수인 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the function of the driving voltage with respect to a time period during which the first switch is on is a continuous function.
제3항에 있어서,
상기 제1스위치는,
상기 스캔 신호의 전압이 로우 레벨(Low Level) 전압이 되는 전체 시간 구간 또는 상기 전체 시간 구간의 일부 시간 구간 동안 온(On)이 되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the first switch comprises:
Wherein the scan signal is turned on during a whole time period during which the voltage of the scan signal becomes a low level voltage or during a certain time period of the entire time period.
제3항에 있어서,
상기 제1스위치와 상기 구동전압 제어부 사이에 일단이 연결된 캐패시터를 더 포함하는 표시장치.
The method of claim 3,
And a capacitor having one end connected between the first switch and the driving voltage control unit.
제2항에 있어서,
상기 기준 전압이 상기 구동 전압 제어부의 제2입력단에 인가되도록 제어하는 제2스위치를 더 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
And a second switch for controlling the reference voltage to be applied to the second input terminal of the driving voltage control unit.
제7항에 있어서,
상기 제2스위치는,
항상 온(On)이 되어 있거나, 일부 시간 동안 온(On)이 되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the second switch comprises:
The display is always turned on or turned on for a certain period of time.
제7항에 있어서,
상기 제2스위치와 상기 구동 전압 제어부 사이에 일단이 연결된 캐패시터를 더 포함하는 표시장치.
8. The method of claim 7,
And a capacitor having one end connected between the second switch and the driving voltage control unit.
제2항에 있어서,
상기 모니터링 노드와 세트 전압 단 사이에 연결된 저항 소자를 더 포함하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
And a resistance element connected between the monitoring node and the set voltage terminal.
제10항에 있어서,
기저 전압과 상기 세트 전압 사이에서 상기 게이트 구동 집적회로 내 모니터링 트랜지스터와 상기 저항 소자가 직렬로 연결되고,
상기 모니터링 트랜지스터와 상기 저항 소자가 직렬로 연결된 지점의 전압이 상기 모니터링 노드의 전압으로서 모니터링 되며,
상기 모니터링 트랜지스터의 상태에 따라 상기 모니터링 노드의 전압이 다르게 모니터링 되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
11. The method of claim 10,
The monitoring transistor in the gate driving integrated circuit and the resistance element are connected in series between the base voltage and the set voltage,
A voltage at a point where the monitoring transistor and the resistance element are connected in series is monitored as a voltage of the monitoring node,
Wherein the voltage of the monitoring node is monitored differently according to the state of the monitoring transistor.
제2항에 있어서,
상기 구동 전압 제어부는,
상기 게이트 구동 집적회로 내 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압 이동(Vth Shift)에 의해 상기 모니터링 노드의 전압의 변화가 모니터링 된 경우, 상기 기준 전압 및 상기 모니터링 노드의 전압 간의 차이에 근거하여 상기 구동 전압의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the driving voltage control unit includes:
Wherein when a change in the voltage of the monitoring node is monitored by a threshold voltage shift (Vth Shift) of the monitoring transistor in the gate driving integrated circuit, a magnitude of the driving voltage is calculated based on a difference between the reference voltage and the voltage of the monitoring node And the display device.
제2항에 있어서,
상기 구동 전압 제어부는,
상기 게이트 구동 집적회로 내 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압이 커져서 포지티브(Positive) 방향의 문턱 전압 이동이 발생하여, 상기 모니터링 노드의 전압이 작아지는 것이 모니터링 된 경우, 상기 구동 전압의 크기를 증가시키는 제어를 수행하고,
상기 게이트 구동 집적회로 내 모니터링 트랜지스터의 문턱 전압이 작아져 네거티브(Negative) 방향의 문턱 전압 이동이 발생하여, 상기 모니터링 노드의 전압이 커지는 것이 모니터링 된 경우, 상기 구동 전압의 크기를 감소시키는 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the driving voltage control unit includes:
When the threshold voltage of the monitoring transistor in the gate driving integrated circuit is increased and a threshold voltage shift in the positive direction occurs to monitor the voltage of the monitoring node to be reduced, control for increasing the size of the driving voltage is performed and,
When a threshold voltage of the monitoring transistor in the gate driving integrated circuit is reduced and a threshold voltage shift in a negative direction occurs to monitor the voltage of the monitoring node, control for decreasing the driving voltage is performed And the display device.
표시 패널에 있어서,
스캔 신호를 화소 열로 전달하는 게이트 라인; 및
상기 게이트 라인과 연결되어 상기 표시 패널에 형성되되, 풀 업 트랜지스터 및 풀 다운 트랜지스터를 포함하며, 클럭 신호와, 연속적인 시간 구간에 대하여 크기가 연속적으로 조절된 구동 전압을 인가받아, 상기 스캔 신호를 상기 게이트 라인으로 출력하는 게이트 구동 집적회로를 포함하는 표시 패널.
In the display panel,
A gate line for transmitting a scan signal to a pixel column; And
And a pull-down transistor connected to the gate line and formed on the display panel, the pull-down transistor including a pull-down transistor and a pull-down transistor, the clock signal and the driving voltage whose magnitude is continuously adjusted with respect to a continuous time interval, And a gate driving integrated circuit outputting the gate driving signal to the gate line.
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