KR20150128079A - Method for manufacturing resistive thin film for Bolometer and Bolometer - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 46
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 27
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 8
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 claims description 4
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 claims description 4
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 claims description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 BiLaSrMnO Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910018279 LaSrMnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
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- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 볼로미터용 저항 박막 제조방법 및 볼로미터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 염화물을 포함하는 반응용액과 산화제가 포함된 산화용액을 각각 분무하여 산화물 박막을 증착하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법 및 그 제조방법에 의해서 제조된 저항 박막을 포함하는 볼로미터에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer and a bolometer, and more particularly, to a method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer by spraying a reaction solution containing a metal chloride and an oxidizing solution containing an oxidant, To a bolometer including a resistance thin film produced by a manufacturing method.
볼로미터(Bolometer)는 적외선 검출기로서, 적외선(Infrared Ray: IR)의 흡수로 인한 온도의 상승으로 센서의 전기저항이 변화하는 것을 이용하여 적외선의 변화를 감지한다. 적외선 검출기에는 광자형(Photon-type)과 열형(Thermal-type)이 있는데, 광자형의 경우에는 성능은 뛰어나나 액체질소 냉각기가 필요하여 생산비용이 많이 드는 단점이 있어서 냉각기가 필요 없고 생산비용이 저렴한 열형이 일반적으로 널리 쓰이고 있으며, 볼로미터도 이러한 열형 적외선 검출기의 일종이다. 열형은 광자형보다 적외선을 감지하는 정밀도가 낮은 단점이 있기 때문에 볼로미터의 성능 향상이 요구되고, 볼로미터의 성능을 향상시키는 방법으로는 구조적 변화를 주는 방법과 볼로미터 물질의 특성을 향상시키는 방법이 있다. 여기서, 물질특성을 통한 성능 향상의 방법에서는 볼로미터에 사용되는 열저항 물질이 높은 저항온도계수(Temperature Coefficient of Resistance: TCR), 낮은 비저항(Resistivity), 낮은 1/f 노이즈(Noise)를 갖는 특성이 있어야 하고, IC 공정과의 호환성, 제조공정의 단순화 및 제조비용의 저렴화, 안정적인 전기적 특성 및 높은 재현성 등을 만족하여야 한다.Bolometer is an infrared detector that detects the change of infrared ray by using the change of the electric resistance of the sensor due to the rise of temperature due to the absorption of infrared ray (IR). There are photon-type and thermal-type infrared detectors. In case of photon type, the performance is excellent. However, since liquid nitrogen cooler is required, there is a disadvantage that the production cost is high, An inexpensive thermal type is commonly used, and a bolometer is one of these thermal infrared detectors. Since the thermal type has a disadvantage that it is less sensitive to infrared than the photon type, the performance of the bolometer is required to be improved. As a method of improving the performance of the bolometer, there is a method of changing the structure and a method of improving the characteristics of the bolometer material. Here, in the method of improving the performance through the material characteristic, the thermal resistance material used in the bolometer is characterized by a high temperature coefficient of resistance (TCR), low resistivity, and low 1 / f noise , Compatibility with IC process, simplification of manufacturing process, reduction of manufacturing cost, stable electrical characteristics and high reproducibility.
현재 사용되고 있는 볼로미터용 물질에는 티타늄(Ti)과 같은 금속을 일부 사용하기도 하지만, 비정질 실리콘(a-Si)이나 금속 산화막의 일종인 산화바나듐(VOx)을 주로 사용해 오고 있으며, 그 외에 YBaCuO, GeSiO, Poly Si-Ge, BiLaSrMnO, NiO 등 다양한 세라믹 기반 소재의 개발이 진행 중이다. 금속박막은 상온저항이 매우 낮다는 장점을 가지지만 TCR값이 매우 작아 소자의 응답특성(Responsivity)을 향상시켜야 하는 문제가 있으며, 비정질 실리콘(a-Si)은 TCR값이 높아 응답특성이 좋고 반도체 공정에서 통상적으로 사용하는 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD)법에 의해 안정된 특성을 갖는 박막을 쉽게 증착할 수 있는 장점이 있지만, 다른 물질보다 비교적 높은 비저항과 1/f 노이즈를 갖고, 볼로미터용 저항 박막으로 사용할 경우에 그 두께가 매우 얇아 열용량이 낮기 때문에 열시상수 유지를 위해 열전도를 낮게 유지할 수 있는 설계가 필요하다는 단점을 가진다. 또한, 가장 널리 사용되는 물질인 산화바나듐(VOx)은 -2%/K 내외의 높은 TCR값을 가지고 낮은 비저항을 가지지만, VO2, V2O3, V2O5 등의 무수히 많은 중간상태의 물질이 존재하며 특정 온도에서 절연체나 반도체로부터 금속상태로 상태변화를 겪게 되어 재현성을 얻기 어려우므로 정교한 공정이 요구되고, 안정된 박막 증착을 위해서는 이온빔스퍼터링(Ion Beam Sputtering) 장치와 같은 고가의 특수한 장비와 450℃ 이상의 고온에서 제조해야 하는 문제점들을 가지고 있다.In recent years, some materials such as titanium (Ti) have been used for the bolometer material, but amorphous silicon (a-Si) or vanadium oxide (VO x ), which is one kind of metal oxide film, has been used. In addition, YBaCuO, GeSiO , Poly Si-Ge, BiLaSrMnO, and NiO are being developed. Although the metal thin film has an advantage that the resistance at room temperature is very low, there is a problem that the TCR value is very small to improve the responsivity of the device. The amorphous silicon (a-Si) has a high TCR value, (PECVD) method which is commonly used in the process of the present invention, it is possible to easily deposit a thin film having stable characteristics, but it has a relatively high specific resistance and 1 / f noise , It is disadvantageous in that it is necessary to design a structure that can keep the thermal conductivity low to maintain the constant water temperature because the thickness is very thin and the heat capacity is low when used as a resistance thin film for a bolometer. In addition, vanadium oxide (VO x ), which is the most widely used material, has a low specific resistivity with a high TCR value of about -2% / K, but a large number of mediums such as VO 2 , V 2 O 3 and V 2 O 5 And it is difficult to obtain reproducibility since the material undergoes a state change from an insulator or a semiconductor to a metal state at a specific temperature. Therefore, a sophisticated process is required. In order to deposit a stable film, an expensive special material such as an ion beam sputtering Equipment and problems that must be manufactured at high temperatures above 450 ° C.
그리고, 상기 개발 중인 YBaCuO, GeSiO, Poly Si-Ge, BiLaSrMnO, NiO 등도 요구조건인 반도체 제조공정과의 호환성, 감지 능력의 척도가 될 수 있는 높은 TCR값, 낮은 1/f 노이즈(열잡음), 신호 출력을 위한 최적의 소자 저항, 박막 증착공정의 용이성, 안정적인 전기적 특성 등을 만족시키지 못하는 문제점이 여전히 과제로 남아있다. 예를 들면, YBaCuO는 TCR이 -2.7%/K, 비저항 8Ω·cm의 비교적 우수한 특성을 갖지만 CMOS 공정과의 호환성이 좋지 않으며, RExM1 -xMnyOd(RE: Y 및 란타넘족, M: Ca, Sr, Ba, Pb)의 일종인 LaSrMnO에 비스무트(Bi)를 결합한 BiLaSrMnO은 4%/K의 높은 TCR값을 갖지만, LaAlO3 단결정 기판 사용과 600℃ 이상의 높은 증착온도로 인하여 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 공정과의 호환성이 좋지 않은 것처럼 각각의 문제점들을 가지고 있다.The above-mentioned YBaCuO, GeSiO, PolySi-Ge, BiLaSrMnO, and NiO are also required to be compatible with the semiconductor manufacturing process, a high TCR value that can be a measure of the sensing capability, a low 1 / f noise (thermal noise) There is still a problem that the device resistance for the output, the ease of the thin film deposition process, and stable electrical characteristics are still unsatisfactory. For example, YBaCuO has relatively good characteristics of a TCR of -2.7% / K and a resistivity of 8? · Cm, but is not compatible with the CMOS process, and RE x M 1 -x Mn y O d (RE: BiLaSrMnO with Bi added to LaSrMnO, which is a kind of Ca, Sr, Ba and Pb, has a high TCR value of 4% / K. However, due to the use of a LaAlO 3 single crystal substrate and a high deposition temperature of 600 ° C. or higher, (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) process.
또한, 저항이 매우 높아 볼로미터용 저항 박막으로 이용하기 어려운 문제를 해결하고자 미국등록특허 제6489613호(2002.12.03)는 산화바나듐(VOx)의 바나듐을 다른 금속(Cr, Al, Fe, Mn, Nb, Ta, Ti)으로 치환하고 졸-겔(Sol-Gel)법 및 450℃ 온도에서의 열처리를 이용하여 높은 TCR값과 비교적 낮은 비저항을 갖는 산화물 박막을 제공하는 기술을 개시하고 있다. 그러나, 이 기술은 열처리 온도가 450℃ 이상으로 비교적 높을 뿐만 아니라 산화물 박막을 제조한 후 산화분위기에서의 열처리와 환원분위기에서의 열처리 등 장시간의 열처리 시간이 소요되는 공정상의 단점을 가지며, 또한 졸-겔(Sol-Gel)법이 아닌 스퍼터(Sputter)법을 사용하여 산화물 박막을 제조할 경우에는 산소 함량 조절의 어려움으로 재현성 문제가 발생할 가능성이 매우 크다.US Patent No. 6489613 (2002.12.03) discloses that vanadium oxide (VOx) is replaced with vanadium of another metal (Cr, Al, Fe, Mn, Nb Ta, Ti) and sol-gel method and a heat treatment at a temperature of 450 DEG C to provide an oxide thin film having a high TCR value and a relatively low specific resistance. However, this technique has a disadvantage in that it requires a long heat treatment time such as a heat treatment in an oxidizing atmosphere and a heat treatment in a reducing atmosphere after the oxide thin film is manufactured as well as a relatively high heat treatment temperature of 450 ° C or more, Reproducibility problems are very likely to occur due to the difficulty in controlling the oxygen content when an oxide thin film is manufactured using a sputtering method other than the Sol-Gel method.
따라서, 당 기술분야에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 높은 TCR값, 낮은 1/f 노이즈, 낮은 비저항을 가지면서 낮은 온도의 박막 증착과 열처리로 반도체 제조공정과의 호환성, 제조비용의 저렴화, 제조공정의 용이성, 우수한 재현성 등도 만족하는 볼로미터용 저항 박막의 제조기술이 요구되고 있다.Accordingly, in order to solve the above-mentioned problems, the related art has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor device having high TCR value, low 1 / f noise, low resistivity, A manufacturing technique of a resistance thin film for a bolometer satisfying the ease of the process and excellent reproducibility is required.
본 발명은 높은 TCR값, 낮은 비저항, 낮은 1/f 노이즈를 가지면서도 낮은 증착온도에서 단순한 제조공정으로 저렴하게 생산이 가능한 볼로미터용 저항 박막의 제조방법을 제공함으로써, 우수한 환경적 안정성, 안정적인 전기적 특성 등을 만족하는 저항 박막을 이용하여 작동온도에서 안정적으로 작동할 수 있는 고감도의 볼로미터를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides a method for producing a resistive thin film for a bolometer, which can be produced inexpensively in a simple manufacturing process at a low deposition temperature while having a high TCR value, a low resistivity, and a low 1 / f noise, thereby exhibiting excellent environmental stability, The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a bolometer with a high sensitivity that can operate stably at an operating temperature by using a resistance thin film satisfying the above-
본 발명의 일 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법은 금속 원소를 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응용액(Reaction Solution)을 제조하는 제1단계; 상기 금속을 산화시키는 산화제와 pH를 조정하는 pH 조절제를 포함하는 산화용액(Oxidizing Solution)을 준비하는 제2단계; 기판(Substrate) 상에 상기 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는 제3단계; 및 상기 제3단계 분무를 통해 기판 상에 산화물 박막을 증착시키는 제4단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer, including: a first step of dissolving a chloride containing a metal element in deionized water to prepare a reaction solution; A second step of preparing an oxidizing solution containing an oxidizing agent for oxidizing the metal and a pH adjusting agent for adjusting the pH; A third step of spraying the reaction solution and the oxidizing solution onto a substrate, respectively; And a fourth step of depositing an oxide thin film on the substrate through the third step spraying.
상기 염화물은 염화니켈, 염화코발트, 염화망간 및 염화구리를 포함할 수 있고,The chloride may include nickel chloride, cobalt chloride, manganese chloride and copper chloride,
상기 산화용액은 용액을 안정화시키는 용액안정화제 또는 pH가 급격히 변하는 것을 완충하는 pH 완충제를 더 포함할 수 있고, 상기 산화용액의 pH가 8 내지 11일 수 있고,The oxidizing solution may further comprise a solution stabilizer for stabilizing the solution or a pH buffer buffering the abrupt change in pH, the pH of the oxidizing solution may be 8 to 11,
상기 기판은 회전 기판지지대에 고정되어 회전할 수 있고,The substrate is fixed to the rotating substrate support and is rotatable,
상기 반응용액과 산화용액의 평균 pH가 6.7 내지 7.48일 수 있고,The average pH of the reaction solution and the oxidizing solution may be 6.7 to 7.48,
상기 제3단계는 상기 반응용액과 산화용액을 동시에 분무할 수 있고,In the third step, the reaction solution and the oxidizing solution may be sprayed at the same time,
상기 산화물 박막은 스피넬(Spinel) 결정상을 포함하고, [(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4 (여기서, x는 0.1 내지 0.24)의 조성을 갖을 수 있고,The oxide thin film includes a spinel crystal phase and may have a composition of [(Ni, Co, Mn) 1 - x Cu x ] 3 O 4 (where x is 0.1 to 0.24)
상기 증착은 5 내지 10분 동안 수행될 수 있고,The deposition may be performed for 5 to 10 minutes,
상기 제4단계 이후에 상기 산화물 박막을 산화 분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있고,The method may further include, after the fourth step, performing a subsequent heat treatment on the oxide thin film in an oxidation atmosphere or an inert atmosphere,
상기 후속 열처리는 400℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다.The subsequent heat treatment may be performed at a temperature of 400 DEG C or lower.
본 발명의 다른 실시예에 따른 그 제조방법에 의해서 제조된 저항 박막을 포함하는 볼로미터는 신호처리 회로가 형성된 기판; 상기 기판에 이격되어 형성되는 상기 제조방법으로 제조된 저항 박막; 및 상기 기판과 저항 박막을 연결하여 지지하는 지지부재를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a bolometer including a resistance thin film manufactured by the method, including: a substrate on which a signal processing circuit is formed; A resistive thin film formed by the manufacturing method formed apart from the substrate; And a support member for supporting and supporting the substrate and the resistive thin film.
상기 지지부재는 기판과 저항 박막을 전기적으로 연결하는 전도층을 포함할 수 있고,The supporting member may include a conductive layer electrically connecting the substrate and the resistive thin film,
상기 기판과 저항 박막 사이에 적외선 반사층을 더 포함할 수 있고,And an infrared ray reflective layer may be further disposed between the substrate and the resistive thin film,
상기 적외선 반사층은 상기 기판의 상부면 또는 상기 저항 박막의 하부면에 형성될 수 있고,The infrared reflecting layer may be formed on the upper surface of the substrate or the lower surface of the resistive thin film,
상기 저항 박막 상에 형성되는 적외선 반사방지층을 더 포함할 수 있다.And an infrared reflection preventing layer formed on the resistance thin film.
본 발명에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법에서는 금속 염화물을 포함하는 반응용액과 산화제를 포함하는 산화용액을 각각 분무하는 스핀 스프레이(Spin Spray)법으로 박막을 증착하여 고온의 열처리 없이 단순한 공정으로 신호처리 회로가 손상되지 않는 낮은 온도(상온)에서 산화물 박막을 안정적으로 증착할 수 있고, 니켈, 코발트, 망간을 함유하는 (Ni,Co,Mn)O4에 CuO가 첨가되어 큐빅 스피넬(Spinel) 구조를 갖는 산화물 박막이 높은 TCR값, 낮은 비저항, 낮은 1/f 노이즈도 가질 수 있다.In the method for manufacturing a resistive thin film for a bolometer according to the present invention, a thin film is deposited by a spin spray method in which a reaction solution containing a metal chloride and an oxidizing solution containing an oxidizing agent are separately sprayed, CuO is added to (Ni, Co, Mn) O 4 containing nickel, cobalt and manganese to form a cubic spinel structure at a low temperature (room temperature) Can have a high TCR value, a low resistivity, and a low 1 / f noise.
또한, 볼로미터용 저항 박막은 스피넬(Spinel) 구조를 갖기 때문에 우수한 정밀도와 향상된 온도 안정성을 갖는 볼로미터의 제작을 가능하게 한다.In addition, since the resistance thin film for a bolometer has a spinel structure, it is possible to manufacture a bolometer with excellent precision and improved temperature stability.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막의 제조방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스핀 스프레이(Spin Spray) 장치의 개념도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 Cu의 각 조성에 대한 X-선 회절 특성을 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 각 증착시간에 대한 X-선 회절 특성을 나타내는 그래프.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 pH에 대한 Ni, Mn, Co, Cu의 용해도를 나타내는 다이어그램.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 평균 pH의 영향과 열처리의 효과를 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 각 pH별 산화물 박막의 미세구조를 나타낸 평면도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막을 포함하는 볼로미터를 나타낸 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flowchart showing a method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a conceptual diagram of a spin spray apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a graph showing X-ray diffraction characteristics for each composition of Cu according to an embodiment of the present invention.
4 is a graph showing X-ray diffraction characteristics for each deposition time according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating solubilities of Ni, Mn, Co, and Cu relative to pH according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph showing the effect of the average pH and the effect of the heat treatment according to the embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing the microstructure of an oxide thin film for each pH according to an embodiment of the present invention.
8 is a sectional view showing a bolometer including a resistance thin film for a bolometer according to another embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 설명 중, 동일 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하도록 하고, 도면은 본 발명의 실시예를 정확히 설명하기 위하여 크기가 부분적으로 과장될 수 있으며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. In the description, the same components are denoted by the same reference numerals, and the drawings are partially exaggerated in size to accurately describe the embodiments of the present invention, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.
볼로미터용 저항 박막으로 높은 TCR값, 우수한 환경적 안정성 때문에 스피넬(Spinel) 구조를 갖는 NiMn2O4를 기본으로 하는 조성이 연구되고 있다. 또한, Mn/Ni+Mn 비가 0.6에서 0.8 사이의 조성을 갖는 단일상 스피넬(Spinel) 박막의 저항값이 상업적으로 요구되는 값보다 더 높았고, 스피넬(Spinel)과 빅스비아이트(Bixbyite) 상이 공존한 박막은 낮은 저항값을 나타냈기 때문에 NiMn2O4 Spinel 조성에 Co, Cu 등과 같은 첨가물을 첨가한 연구가 진행중이다.Due to its high TCR value and excellent environmental stability as a resistive thin film for a bolometer, a composition based on NiMn 2 O 4 having a spinel structure has been studied. In addition, the resistance value of a single-phase spinel thin film having a composition ratio of Mn / Ni + Mn of 0.6 to 0.8 was higher than a commercially required value, and the spinel and Bixbyite phases coexisted Since the thin film exhibited a low resistance value, studies are underway to add additives such as Co and Cu to the NiMn 2 O 4 spinel composition.
AB2O4 조성의 스피넬(Spinel) 구조를 갖는 (Ni,Co,Mn)O4 계에서 Ni2 +는 사면체 site(A-site)를 차지하고, Mn3 +과 Co3 +는 팔면체 site(B-site)를 차지하는데, 이러한 스피넬(Spinel) 구조의 전기 전도는 B-site에 위치하는 Mn3 +과 Mn4 + 간의 전자 호핑(hopping)에 의하여 이루어진다. 한편, 역 스피넬(Inverse Spinel) 구조의 경우에 Ni와 Mn 이온은 둘 다 사면체 site와 팔면체 site를 차지할 수 있다. 팔면체 site에 존재하는 Ni2 +는 Mn3 +에서 Mn4 +로 원자가(valence)가 변화하도록 유도한다. CuO가 (Ni,Co,Mn)O4 계에 첨가되면 Cu2 + 이온은 Ni2 +를 우선적으로 치환하게 되는데, Cu2+이온은 Ni2 +보다 무거워서 Ni2 + 이온보다 Mn 이온의 원자가(valence) 변화에 더 큰 영향을 미치기 때문에 Mn3 +과 Mn4 + 사이에 전자의 호핑(hopping)이 더 많이 일어나게 하고, 이로 인해 (Ni,Co,Mn)O4 계에 CuO가 첨가됨에 따라 비저항은 감소하게 되는 것이다. 한편, (Ni,Co,Mn)O4 계에 CuO가 너무 많이 첨가되는 경우에는 (Ni,Co,Mn)O4 계의 불안정성으로 인한 Mn3 + 이온의 얀-텔러(Jahn-Teller) 효과에 의해서 MnO6 팔면체의 뒤틀림을 야기하고, 이로 인해서 Mn3 +과 Mn4 + 사이에 전자의 호핑(hopping)을 어렵게 하므로 CuO의 첨가에 따라 더 이상 비저항이 낮아지지 않게 된다.Ni 2 + occupies a tetrahedral site (A-site) in an (Ni, Co, Mn) O 4 system having a spinel structure of AB 2 O 4 , Mn 3 + and Co 3 + -site). The electrical conduction of this spinel structure is achieved by electron hopping between Mn 3 + and Mn 4 + located at the B-site. On the other hand, in the case of an inverse spinel structure, both Ni and Mn ions can occupy tetrahedral sites and octahedral sites. The Ni 2 + present in the octahedral site induces the valence to change from Mn 3 + to Mn 4 + . When CuO is (Ni, Co, Mn) O is added to the four-based Cu 2 + ions there is preferentially substituted for Ni 2 +, Cu 2+ ions the valence of Mn ions heavier than Ni 2 + ions than Ni 2 + ( (Ni, Co, Mn) O 4 system, CuO is added to increase the electron hopping between Mn 3 + and Mn 4 + Is reduced. On the other hand, (Ni, Co, Mn) O If the four-based CuO is added too much, the yarn of (Ni, Co, Mn)
표 1은 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른 Cu의 성분비를 갖는 [(Ni,Co,Mn)1-xCux]O4의 비저항 및 TCR 특성을 나타내는 결과이다.Table 1 shows the results of the resistivity and TCR characteristics of [(Ni, Co, Mn) 1-x Cu x ] O 4 having different Cu composition ratios according to the embodiment of the present invention.
(Ω·cm)Resistivity
(Ω · cm)
(%/K)TCR
(% / K)
표 1에서 알 수 있듯이, (Ni,Co,Mn)O4의 모체에 CuO가 첨가되는 양에 따라서 비저항값과 TCR값이 급격하게 감소하는 것을 알 수 있다.As can be seen from Table 1, the resistivity value and the TCR value sharply decrease with the amount of CuO added to the matrix of (Ni, Co, Mn) O 4 .
적외선 흡수에 의한 온도 변화에 따라서 저항값이 변화하는 볼로미터용 저항 박막은 그 저항이 높을수록 볼로미터의 노이즈가 증가하기 때문에 낮은 저항값을 갖는 것이 요구되는데, 볼로미터를 포함하는 적외선 검출기의 작동온도는 일반적으로 상온에서 50℃인데, 이러한 온도 범위에서 볼로미터용 저항 박막의 비저항은 200Ω·cm 이하인 것이 요구된다. 한편, 최근들어 적외선 검출기의 소형화가 이루어짐에 따라서 마이크로 볼로미터가 필요하고, 이를 위해서는 100Ω·cm 이하의 더욱 낮은 비저항이 요구되기도 한다.The resistive thin film for the bolometer, which changes its resistance value according to the temperature change due to infrared absorption, is required to have a low resistance value because the noise of the bolometer increases as the resistance increases. The operating temperature of the infrared detector including the bolometer is generally At room temperature and 50 ° C., and the resistivity of the thin film for a bolometer is required to be 200 Ω · cm or less in this temperature range. On the other hand, in recent years, miniaturization of the infrared detector has necessitated a microbolometer. For this purpose, a resistivity of 100 Ω · cm or less is required.
한편, (Ni,Co,Mn)O4 계에 CuO가 첨가됨에 따라 비저항이 감소하는 것과 함께 적외선 검출기의 볼로미터용 저항 박막이 가져야 하는 또 다른 주요 특성인 TCR의 절대값도 감소하게 된다. CuO가 첨가되지 않은 (Ni,Co,Mn)O4 산화물의 경우 상온에서 TCR의 절대값이 5.1%/K이나, Cu의 성분비(x)가 0.3인 경우에는 상온에서 TCR의 절대값이 3.21%/K로 감소하였다. 즉, Cu의 성분비(x)가 0.3 이하인 경우에는 적외선 검출기의 작동온도 구간에서 상온 TCR의 절대값이 3%/K를 유지하나, x가 0.3을 초과하는 경우에는 상온 TCR의 절대값이 3%/K보다 더 작게 된다.On the other hand, the addition of CuO to the (Ni, Co, Mn) O 4 system decreases the resistivity and also decreases the absolute value of the TCR which is another important characteristic of the resistance thin film for the bolometer of the infrared detector. In the case of the (Ni, Co, Mn) O 4 oxide without CuO added, when the absolute value of TCR is 5.1% / K at room temperature but the composition ratio of x of Cu is 0.3, the absolute value of TCR is 3.21% / K. That is, when the composition ratio (x) of Cu is 0.3 or less, the absolute value of the room temperature TCR is maintained at 3% / K in the operating temperature range of the infrared detector. If x is more than 0.3, / K. ≪ / RTI >
따라서, 본 발명에 따른 볼로미터용 저항 박막에서는 (Ni,Co,Mn)O4 계 모체에 첨가되는 CuO의 성분비(x)가 0.1 내지 0.3 사이의 범위에서 선택되어야 하고, 우선적으로 [(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4의 조성식에서 상기 x는 0.1 내지 0.3이라는 x의 범위를 도출할 수 있다.Therefore, in the resistive thin film for a bolometer according to the present invention, the composition ratio (x) of CuO added to the (Ni, Co, Mn) O 4 matrix should be selected within the range of 0.1 to 0.3, , Mn) 1- x Cu x ] 3 O 4 , x may range from 0.1 to 0.3.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막의 제조방법을 나타낸 순서도이다.1 is a flowchart showing a method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법은 금속 원소를 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응용액(Reaction Solution)을 제조하는 제1단계(S100), 상기 금속을 산화시키는 산화제와 pH를 조정하는 pH 조절제를 포함하는 산화용액(Oxidizing Solution)을 준비하는 제2단계(S200), 기판(Substrate) 상에 상기 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는 제3단계(S300) 및 상기 제3단계 분무를 통해 기판 상에 산화물 박막을 증착시키는 제4단계(S400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a method for manufacturing a resistive thin film for a bolometer according to an embodiment of the present invention includes a first step (S100) of preparing a reaction solution by dissolving a chloride containing a metal element in deionized water, A second step (S200) of preparing an oxidizing solution containing an oxidizing agent for oxidizing the oxidizing agent and a pH adjusting agent for adjusting pH, a third step (S200) of spraying the reaction solution and the oxidizing solution onto the substrate, S300) and depositing an oxide thin film on the substrate through the third step (S400).
우선, 볼로미터용 저항 박막을 구성하는 주요 금속 원소의 염화물을 용해하여 반응용액을 제조한다(S100). 일반적으로 염화물은 물에 잘 녹아 이온으로 해리하고, 염화물의 수용액은 중성이다. 본 발명에서는 볼로미터용 저항 박막으로서 AB2O4의 스피넬(Spinel) 결정 구조를 갖는 NiMn2O4를 기본으로 하고 첨가물로서 Co, Cu를 첨가한 산화물 박막을 이용하는데, 상기 산화물 박막을 구성하는 금속 성분인 니켈, 코발트, 망간, 구리의 염화물인 염화니켈, 염화코발트, 염화망간, 염화구리를 탈이온수(Deionized water) 등의 용액에 용해하여 반응용액을 만든다. 이때 볼로미터용 산화물 박막은 [(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4의 조성식을 만족하고, 여기서 조성을 결정하는 주요 변수인 x는 반응용액의 조성비가 금속 염화물의 몰비로 결정되는 것을 이용하여 염화구리의 몰량으로 조정할 수 있다.First, a chloride of the main metal element constituting the resistive thin film for a bolometer is dissolved to prepare a reaction solution (S100). Generally, the chloride is dissolved in water and dissociated into ions, and the aqueous solution of chloride is neutral. In the present invention, an oxide thin film in which Co and Cu are added as an additive based on NiMn 2 O 4 having a spinel crystal structure of AB 2 O 4 is used as a resistance thin film for a bolometer, The reaction solution is prepared by dissolving nickel chloride, nickel chloride, cobalt chloride, manganese chloride, and copper chloride, which are chlorides of nickel, cobalt, manganese and copper, in deionized water. At this time, the oxide thin film for the bolometer satisfies the composition formula of [(Ni, Co, Mn) 1 - x Cu x ] 3 O 4 where x, which is the main parameter for determining the composition, is determined by the molar ratio of the metal chloride Can be adjusted to the molar amount of copper chloride.
다음으로, 반응용액에 용해되어 있는 염화물에 포함된 상기 금속을 산화시키기 위한 산화제(Oxidizing agent)와 pH를 조정하는 pH 조절제(pH Adjuster)를 포함하는 산화용액을 준비한다(S200). 상기 산화제는 아질산 나트륨(NaNO2) 또는 과산화수소(H2O2) 등을 이용할 수 있고, 상기 pH 조절제는 수산화 암모늄(NH4OH) 등을 이용할 수 있다. 상기 산화제와 pH 조절제는 모두 물에 잘 녹는 성질을 갖고 있어서 반응용액과의 혼합이 용이하다. 한편, 상기 산화용액에 용액을 안정화시키고 용액이 반응할 때 급격히 변하지 않도록 반응속도를 지연시키는 용액안정화제 또는 pH가 급격히 변하는 것을 완충하는 pH 완충제를 포함할 수도 있다. 상기 용액안정화제는 염화암모늄(NH4Cl) 등을 이용할 수 있고, 상기 pH 완충제는 아세트산 칼륨(CH3COOK) 또는 아세트산 암모늄(CH3COONH4) 등을 이용할 수 있으며, 상기 용액안정화제와 pH 완충제도 모두 물에 잘 녹아 반응용액과의 혼합이 용이하다.Next, an oxidizing solution containing an oxidizing agent for oxidizing the metal contained in the chloride contained in the reaction solution and a pH adjusting agent for adjusting the pH (S200) is prepared. The oxidizing agent may be sodium nitrite (NaNO 2 ) or hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and the pH adjusting agent may be ammonium hydroxide (NH 4 OH) or the like. Both of the oxidizing agent and the pH adjusting agent have a property of dissolving in water so that they can be easily mixed with the reaction solution. On the other hand, it may include a solution stabilizer that stabilizes the solution in the oxidizing solution and delays the reaction rate so that the solution does not change rapidly when the solution reacts, or a pH buffer that buffers the abrupt change in pH. The solution stabilizer may be ammonium chloride (NH 4 Cl) or the like. The pH buffer may be potassium acetate (CH 3 COOK) or ammonium acetate (CH 3 COONH 4 ) All of the buffering agents are well dissolved in water and are easily mixed with the reaction solution.
이후에, 기판 상에 반응용액과 산화용액을 각각 분무하여 기판과 반응용액이 먼저 반응하고 반응용액의 금속 이온과 산화용액의 산화제가 반응하게 한다(S300). 조금 더 자세히 설명하면, OH- 그룹을 갖는 기판에 금속 양이온이 들어있는 반응용액이 분무되어 양이온들이 기판 표면에 흡수되고 OH- 이온이 용액으로부터 흡수된 양이온과 결합하며, 여기에 산화제를 포함하는 산화용액이 분무되어 산화제와 이온들이 반응을 일으키므로 OH- 그룹에서 H+ 이온이 떨어져 나간다. 분무의 방법에 있어서는, 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는데 동시에 분무하여도 되고, 반응용액을 먼저 분무한 후 산화용액을 분무해도 되며 이러한 과정은 거의 동시에 일어난다. 또한, 두 용액의 시간당 분사량(L/hr)을 같게 할 수도 있고 다르게 할 수도 있는데, 산화물 박막 형성을 위한 분무방법에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.Thereafter, the reaction solution and the oxidizing solution are sprayed on the substrate, respectively, so that the substrate and the reaction solution react first, and the metal ions of the reaction solution and the oxidizing agent of the oxidizing solution react (S300). More specifically, a reaction solution containing metal cations is sprayed onto a substrate having an OH - group, so that cations are absorbed on the substrate surface and OH - ions bind to the cations absorbed from the solution, and oxidation Since the solution is sprayed and the oxidant and ions react with each other, H + ions are separated from the OH - group. In the spraying method, the reaction solution and the oxidizing solution may be sprayed at the same time, respectively, or the reaction solution may be sprayed first and then the oxidizing solution may be sprayed, and this process occurs almost simultaneously. In addition, the injection amount (L / hr) of the two solutions per hour may be the same or different, but there is no particular limitation on the spraying method for forming the oxide thin film.
곧이어, 기판 상에 산화물 박막을 증착한다(S400). 이 과정은 상기 분무과정과 거의 동시에 일어나는데 상기 분무과정을 반복하여 박막의 두께를 증가시킬 수 있고, 별다른 열처리 없이 상온에서 증착할 수도 있으며, 용액이 분무될 때 기판을 회전하면서 증착하는 스핀 스프레이(Spin Spray)법으로 증착할 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 증착방법으로 증착할 수 있다. 또한, 증착시간을 조절할 수도 있는데, 본 발명에서는 5분 내지 10분의 증착시간에서 가장 좋은 특성을 보이는 것으로 확인되었지만, 그 시간에 특별히 제한되는 것은 아니고 실험조건에 따라 증착시간의 조절이 가능하다. 상기 스핀 스프레이(Spin Spray)법은 낮은 온도에서 증착하는 방법의 일종으로, 박막 형성에 영향을 미치는 몰농도와 용액의 pH와 같은 증착 변수들이 박막이 성장하는 동안에 일정한 값을 유지할 수 있기 때문에 손쉽게 제어가 가능하고 대면적 박막 증착의 장점이 있어 최근 주목을 받고 있다. 한편, 산화물 박막을 증착하는 기판의 온도는 25℃(상온)로 하였는데, 이러한 낮은 기판 온도에서 증착된 [(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4의 산화물 박막도 AB2O4의 스피넬(Spinel) 결정 구조를 갖는 것이 가능하였다. 본 발명에 따른 증착방법으로 산화물 박막을 증착하면, 허용온도가 400℃ 이하인 CMOS 판독회로의 손상 및 온도상승으로 발생하는 CMOS 판독회로와 저항 박막 간의 열팽창계수 불일치로 인한 변형을 방지할 수 있는 25℃의 낮은 온도(상온)에서 볼로미터용 저항 박막을 제조할 수 있어서, 종래기술에서 산화바나듐(VOx) 등을 이용한 볼로미터용 저항 박막을 제조할 때 높은 온도를 사용함으로써 생겼던 하부 반도체 기판에 형성된 신호처리 회로의 손상을 근본적으로 차단할 수 있게 된다.Subsequently, an oxide thin film is deposited on the substrate (S400). This process occurs almost simultaneously with the spraying process. The spraying process can be repeated to increase the thickness of the thin film. Alternatively, the thin film may be deposited at room temperature without any heat treatment. Spin spraying Spray method, but the present invention is not limited thereto and various deposition methods can be used. In addition, the deposition time can be controlled. In the present invention, it is confirmed that the best characteristics are exhibited at a deposition time of 5 minutes to 10 minutes. However, the deposition time is not particularly limited at this time, and the deposition time can be controlled according to experimental conditions. The Spin Spray method is a method of depositing at a low temperature. Since the deposition parameters such as the molarity and the pH of the solution affecting the formation of the thin film can be kept constant during the growth of the thin film, And it has recently attracted attention because it has advantages of large area thin film deposition. On the other hand, the temperature of the substrate for depositing an oxide thin film were to 25 ℃ (room temperature), the deposited at such low substrate temperatures [(Ni, Co, Mn) 1- x Cu x] 3
그리고, 증착된(as-deposited) 산화물 박막의 특성을 높은 TCR값, 낮은 비저항, 낮은 1/f 노이즈, 우수한 환경적 안정성에 최대한 만족하도록 개선시키기 위하여 상기 산화물 박막에 대해서 후속 열처리를 실시할 수도 있다(S500). 상기 후속 열처리는 400℃ 이하의 온도로 산화 분위기 혹은 불활성 분위기에서 수행될 수 있고, 열처리 시간에 제한이 없으며, 본 발명에서는 불활성 분위기의 일종인 아르곤 분위기에서 400℃의 온도로 한 시간 동안 후속 열처리하였다. 본 발명에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법의 경우, 25℃(상온)의 증착온도 또는 낮은 온도(400℃ 이하)에서의 후속 열처리는 종래기술에서 볼로미터용 저항 박막을 증착하거나 열처리하는 온도보다 비교적 낮은 온도이어서, 높은 온도의 공정으로 인하여 발생했던 하부 반도체 기판에 형성된 신호처리 회로가 손상되는 문제점을 근본적으로 차단할 수 있기 때문에 비냉각형 적외선 검출기의 볼로미터용 저항 박막을 만드는데 용이하게 이용될 수 있다. 또한, 높은 온도에서 불가능하였던 잘 구부러지는 폴리머 등과 같은 넓은 범위의 다양한 기판 사용을 가능하게 하고, 3차원의 기판에도 증착할 수 있게 한다. 한편, 상기 산화물 박막은 적외선 흡수가 크고, 낮은 면저항을 갖도록 100nm 이하의 두께로 제조될 수도 있다.Subsequently, the oxide thin film may be subjected to a subsequent heat treatment so as to improve the characteristics of the as-deposited oxide thin film to a maximum to satisfy a high TCR value, a low specific resistance, a low 1 / f noise, and excellent environmental stability (S500). The subsequent heat treatment can be performed in an oxidizing atmosphere or an inert atmosphere at a temperature of 400 ° C or lower, and there is no limitation on the heat treatment time. In the present invention, the heat treatment is performed at 400 ° C for one hour in an argon atmosphere, . In the case of the method for producing a resistive thin film for a bolometer according to the present invention, the subsequent heat treatment at a deposition temperature of 25 占 폚 (room temperature) or a low temperature (400 占 폚 or less) is relatively lower than a temperature for depositing or heat- Temperature, it is possible to fundamentally block the problem of damaging the signal processing circuit formed on the lower semiconductor substrate due to the high-temperature process, so that it can be easily used for forming the resistance thin film for the bolometer of the uncooled infrared detector. It also enables the use of a wide variety of substrates, such as well-bending polymers that were not possible at high temperatures, and allows deposition on three-dimensional substrates. On the other hand, the oxide thin film may have a thickness of 100 nm or less so as to have a large infrared absorption and a low sheet resistance.
본 발명에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법은 상술한 바에 한정되지 않고, 원하는 저항 박막의 특성 및 공정상의 편의에 따라 다양한 수정과 변경이 가능하다.The method of manufacturing a resistive thin film for a bolometer according to the present invention is not limited to the above description, and various modifications and changes can be made in accordance with the characteristics of the desired resistive thin film and the convenience of the process.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스핀 스프레이(Spin Spray) 장치의 개념도이다.2 is a conceptual diagram of a spin spray apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 기판(210)이 기판 지지대(220)에 올려진 후, 두 개의 분무기(230)에서 반응용액(240)과 산화용액(250)이 각각 상기 기판(230) 상에 분무된다. 상기 기판(210)은 내부에 적외선 검출을 위한 신호처리 회로를 포함할 수 있으며, SiNx wafer일 수도 있고 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어질 수도 있는데 그 재료와 구조에 특별히 제한되지 않는다. 상기 기판 지지대(220)는 기판의 온도를 측정할 수 있는 열전대(260)를 포함할 수 있고, 기판의 온도를 높일 수 있는 가열기(270)도 포함할 수 있으며, 스핀 스프레이(Spin Spray)법과 같이 회전 기능을 포함할 수도 있다. 상기 반응용액(240)은 염화니켈(NiCl2), 염화망간(MnCl2), 염화코발트(CoCl2) 및 염화구리(CuCl2)를 포함할 수 있고, 상기 산화용액(250)은 아세트산 칼륨(CH3COOK), 과산화수소(H2O2), 염화암모늄(NH4Cl) 또는 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 또한, 증착 챔버 내에 배수구(280)를 포함할 수도 있다.2, after the
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 Cu의 각 조성에 대한 X-선 회절 특성을 나타내는 그래프이다.3 is a graph showing X-ray diffraction characteristics for each composition of Cu according to an embodiment of the present invention.
XRD는 분석하려는 저항 박막 표면에 각도를 변화시키면서 특정 X-선 빔을 입사시키고 결정면의 특성에 따라 X-선 빔이 회절되어 나오는 강도를 읽어 결정구조를 파악하는 것이다. 도 3을 참조하면, 스피넬(Spinel) 결정 구조에서 발견되는 주요 XRD 피크(peak)는 증착시간이 5분일 때 x가 0.05에서는 발견되지 않아 비정질 상태로 존재하고, x가 0.1 이상으로 증가되면서 Cubic Spinel의 결정상이 존재하게 되는 것을 확인할 수 있다. 한편, x가 0.25 이상으로 많이 첨가되면 스피넬(Spinel) 결정 구조가 형성되지 않는 것을 알 수 있었다. 이러한 Cubic Spinel 상형성 특성을 고려하여 x가 0.1 이상이고 0.25보다는 작은 범위로 제한할 수 있다. 또한, x가 0.1, 0.15, 0.2인 그래프를 보면, (Ni,Co,Mn)O4에 일정한 몰비(x=0.1, 0.15, 0.2)로 CuO가 첨가된 시편에서 2차상이 발견되지 않는 것으로 단일상의 스피넬(Spinel) 구조를 갖는 화합물이 고용체 상태로 잘 합성된 것을 확인할 수 있고, 이러한 화합물은 자신의 용융점까지 안정된 상태를 유지한다. 한편, 종래에 볼로미터용 저항 박막으로 주로 사용되는 산화바나듐(VOx) 박막의 경우는 VO2, V2O3, V2O5 등의 무수히 많은 중간상이 존재하여 재현성 있는 볼로미터의 제조가 어려운 반면에, 본 발명에 따른 [(Ni,Co,Mn)1-xCux]3O4 산화물의 경우는 넓은 온도 범위에 대해 안정적으로 존재하기 때문에 이를 이용하여 제조된 볼로미터와 적외선 검출기는 향상된 온도 안정성을 가질 수 있게 된다.XRD is to determine the crystal structure by examining the intensity of X-ray beam diffracted according to the characteristic of the crystal plane by introducing a specific X-ray beam while varying the angle on the surface of the resistive thin film to be analyzed. Referring to FIG. 3, the major XRD peaks found in the spinel crystal structure are found in the amorphous state where x is not found at 0.05 when the deposition time is 5 minutes, and when x is increased to 0.1 or more, the Cubic Spinel It is possible to confirm that the crystal phase of the present invention exists. On the other hand, when x is more than 0.25, spinel crystal structure is not formed. Considering the Cubic Spinel image formation characteristics, x can be limited to a range of 0.1 or more and less than 0.25. Also, a single to x is 0.1, 0.15, looking at 0.2 of the graph, that is (Ni, Co, Mn) O 4 being the second phase found in the CuO at a constant molar ratio (x = 0.1, 0.15, 0.2) was added the specimen to It can be confirmed that a compound having a spinel structure on its surface is well synthesized in a solid state, and such a compound maintains a stable state up to its melting point. On the other hand, in the case of a vanadium oxide (VO x ) thin film which is conventionally used as a resistance thin film for a bolometer, there are numerous intermediate phases such as VO 2 , V 2 O 3 and V 2 O 5 and it is difficult to produce a reproducible bolometer In the case of [(Ni, Co, Mn) 1-x Cu x ] 3 O 4 oxide according to the present invention stably exists over a wide temperature range, the bolometer and the infrared detector manufactured using the .
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 각 증착시간에 대한 X-선 회절 특성을 나타내는 그래프이다.4 is a graph showing X-ray diffraction characteristics for each deposition time according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, x가 0.24일 때 증착온도가 5분 이상이 되면 스피넬(Spinel) 결정 구조에서 발견되는 주요 XRD 피크가 발견되고, 특히 증착시간이 10분에서는 Cubic Spinel 단일상에 대응하는 XRD 피크가 높게 관찰되었다. 그러나, 증착시간이 30분일 때에는 Cubic Spinel 뿐만 아니라 Copper Oxide 및 2차상들도 발견되어 30분의 증착시간은 과도한 것으로 판단되고, 균일하고 매끄러운 막을 얻기 위해서는 증착시간을 10분 이하로 할 필요가 있다. 또한, 5분보다 적은 시간 동안 증착을 하면 Cubic Spinel의 피크가 발견되지 않아 비정질상으로 존재하므로 증착시간을 5 내지 10분으로 결정하였다. 한편, x가 0.24일 때도 증착시간이 5분 이상이면 Cubic Spinel 단일상이 검출되므로 x=0.24까지 포함하여 x의 범위를 0.1 내지 0.24로 확정할 수 있고, 본 발명에 따라 산화물 박막은 [(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4 (여기서, x는 0.1 내지 0.24)의 조성식을 만족할 수 있다.Referring to FIG. 4, when x is 0.24, the main XRD peak found in the spinel crystal structure is found when the deposition temperature is 5 minutes or more. Particularly when the deposition time is 10 minutes, XRD corresponding to the single Cubic Spinel The peak was observed high. However, when the deposition time is 30 minutes, not only the Cubic Spinel but also the copper oxide and the secondary phases are found. Therefore, the deposition time of 30 minutes is considered excessive, and the deposition time is required to be 10 minutes or less in order to obtain a uniform and smooth film. Further, when the deposition was performed for less than 5 minutes, the peak of the Cubic Spinel was not found and the amorphous phase was present. Therefore, the deposition time was determined to be 5 to 10 minutes. On the other hand, even when x is 0.24, the Cubic Spinel single phase is detected when the deposition time is 5 minutes or more. Therefore, the range of x can be determined to be 0.1 to 0.24 by including x = 0.24. According to the present invention, , Co, Mn) 1- x Cu x ] 3 O 4 (where x is 0.1 to 0.24).
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 pH에 대한 Ni, Mn, Co, Cu의 용해도를 나타내는 다이어그램으로, 도 5(a)는 ACl2(A: Mn, Ni, Co, Cu)와 NH4Cl의 비가 1:1인 경우이고, 도 5(b)는 ACl2(A: Mn, Ni, Co, Cu)와 NH4Cl의 비가 1:2 경우이다.5 is a diagram showing the solubility of Ni, Mn, Co, Cu on pH according to an embodiment of the present invention, Figure 5 (a) ACl 2 (A: Mn, Ni, Co, Cu) and NH 4 Cl the ratio of 1: 1, and FIG. 5 (b) is a case ACl 2: 2: 1 ratio of (a Mn, Ni, Co, Cu) and NH 4 Cl.
도 5는 선행실험으로 각 금속 이온에 대한 용액의 pH에 따른 용해도(solubility)를 조사한 결과인데, 본 발명의 일 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법에서는 모든 금속 염화물의 몰농도가 적어도 0.01이 되어야 하는데 도 5에서 확인할 수 있는 바와 같이 pH 값이 6 내지 8의 범위에서 모든 금속 이온들에 대해 침전이 일어나지 않고, 몰농도가 0.01 이상이므로 pH 6 내지 8을 평균 pH 값의 초기범위로 선택할 수 있다. 한편, 평균 pH는 반응용액의 pH와 산화용액의 pH를 더해서 2로 나눠준 계산값이다. 또한, 평균 pH는 산화용액의 pH로 조절할 수 있는데, 자세히 설명하면 본 발명에 따른 반응용액의 pH는 4.5 내지 5.5이고, 산화용액에 포함된 pH 조절제에 의해 pH가 조절되며 상기 일 실시예에 따라 산화용액의 pH가 8 내지 11의 범위일 수 있다.FIG. 5 is a graph showing the solubility of a metal ion according to pH in a previous experiment. In the method for producing a resistance thin film for a bolometer according to an embodiment of the present invention, the molar concentration of all metal chlorides is at least 0.01 As can be seen from FIG. 5, no precipitation occurs for all the metal ions in the pH range of 6 to 8, and the pH range of 6 to 8 can be selected as the initial range of the average pH value since the molar concentration is 0.01 or more have. On the other hand, the average pH is calculated by dividing the pH of the reaction solution by 2 by adding the pH of the oxidizing solution. The pH of the reaction solution according to the present invention is 4.5 to 5.5, and the pH is controlled by the pH adjusting agent contained in the oxidizing solution. According to the embodiment, The pH of the oxidizing solution may be in the range of 8-11.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 평균 pH의 영향과 열처리의 효과를 나타내는 그래프이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 각 pH별 산화물 박막의 미세구조를 나타낸 평면도이다.FIG. 6 is a graph showing the effect of the average pH and the effect of the heat treatment according to the embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a plan view showing the microstructure of the oxide thin film according to the embodiment of the present invention.
실제 스핀 스프레이(Spin Spray)법으로 실험한 결과, 도 6에서 확인할 수 있는 것처럼 pH가 6.7보다 낮은 경우(예를 들어 pH=6.0)에는 XRD 분석 결과 스피넬(Spinel) 결정상이 확인되지 않았고 pH가 7.48보다 높은 경우(예를 들어 pH=7.6)에는 도 7(f)와 같이 박막과 기판 사이의 결합력이 약해 증착이 되지 않아서 최종 평균 pH 범위를 6.7 내지 7.48로 결정하였다.As shown in FIG. 6, when the pH was lower than 6.7 (for example, pH = 6.0), the Spinel crystal phase was not confirmed by XRD analysis and the pH was 7.48 7 (f), the bonding force between the thin film and the substrate was weak and the deposition was not performed, so that the final average pH range was determined to be 6.7 to 7.48.
한편, 도 6을 참조하면, 후속 열처리의 효과에 대해서도 확인 가능하다. 평균 pH가 7.48일 때, 증착된(as-deposited) 산화물 박막과 증착 후 아르곤 분위기에서 400℃의 온도로 1시간 동안 후속 열처리한 산화물 박막을 비교해보면, 후속 열처리한 경우에 스피넬(Spinel) 결정상이 잘 나타나는 것을 확인할 수 있고 이로부터 후속 열처리를 통해 박막의 특성을 개선시킬 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 낮은 온도(400℃ 이하)에서의 후속 열처리를 통해서도 Cubic Spinel 단일상에 대응하는 XRD 피크의 강도를 증가시키는 것이 가능하였고, 본 발명에 따른 볼로미터용 저항 박막 제조방법의 후속 열처리 온도는 종래기술에서 볼로미터용 저항 박막을 열처리하는 온도보다 비교적 낮은 온도이어서, 높은 온도의 공정으로 인하여 발생했던 하부 반도체 기판에 형성된 신호처리 회로가 손상되는 문제점을 근본적으로 차단할 수 있기 때문에 비냉각형 적외선 검출기의 볼로미터를 만드는데 용이하게 이용될 수 있다. 그리고 높은 온도에서 불가능하였던 잘 구부러지는 폴리머 등과 같은 넓은 범위의 다양한 기판 사용을 가능하게 한다.
On the other hand, referring to FIG. 6, the effect of the subsequent heat treatment can be confirmed. As compared with the as-deposited oxide thin film at an average pH of 7.48 and the oxide thin film after the heat treatment at 400 ° C. for 1 hour in an argon atmosphere after the deposition, the spinel crystal phase And it can be seen from this that the properties of the thin film can be improved by the subsequent heat treatment. Further, it is also possible to increase the strength of the XRD peak corresponding to a single Cubic spinel even through a subsequent heat treatment at a low temperature (400 DEG C or less), and the subsequent heat treatment temperature of the method for producing a resistive thin film for a bolometer according to the present invention, Since the temperature of the resistance thin film for the bolometer is relatively lower than the temperature for the heat treatment for the bolometer thin film, the problem of damaging the signal processing circuit formed in the lower semiconductor substrate due to the high temperature process can be fundamentally blocked, thereby making the bolometer of the uncooled infrared detector And can be easily used. And a well-bendable polymer that was impossible at high temperatures.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 볼로미터용 저항 박막을 포함하는 볼로미터를 나타낸 단면도이다. 본 발명에 따른 볼로미터는 신호처리 회로가 형성된 기판(810), 상기 기판에 이격되어 형성되는 상기 볼로미터용 저항 박막 제조방법으로 제조된 저항 박막(820) 및 상기 기판과 저항 박막을 연결하여 지지하는 지지부재(830)를 포함한다.8 is a sectional view showing a bolometer including a resistance thin film for a bolometer according to another embodiment of the present invention. The bolometer according to the present invention includes a
상기 기판(810)은 내부에 적외선 검출을 위한 신호처리 회로를 포함하는 반도체 기판으로서, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어진다.The
저항 박막(820)은 금속 원소를 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응용액을 제조하는 제1단계, 상기 금속을 산화시키는 산화제와 pH를 조정하는 pH 조절제를 포함하는 산화용액을 준비하는 제2단계, 기판 상에 상기 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는 제3단계 및 상기 제3단계 분무를 통해 기판 상에 산화물 박막을 증착시키는 제4단계를 포함하고, 상기 제4단계 이후에 상기 산화물 박막을 산화 분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 제조방법에 의해서 형성될 수 있다.The resistive
상기 저항 박막(820)은 적외선을 흡수하여 온도변화가 발생하고 이에 따라 저항이 변화하는 볼로미터용 저항체로서, 상기 기판(810)과 이격되어 위치하는데, 주요성분으로 니켈, 코발트, 망간을 함유하는 (Ni,Co,Mn)O4계를 모체로 하여 첨가물로서 CuO를 포함하고, [(Ni,Co,Mn)1-xCux]3O4 (여기서, x는 0.1 내지 0.24)의 조성을 가질 수 있다. 또한, 상기 저항 박막(820)은 볼로미터의 적외선 검출 감도와 온도 안정성을 향상시키기 위하여 상온에서의 비저항이 200Ω·cm 이하이고, 상온에서의 저항온도계수(TCR)의 절대값이 3%/K 이상일 수 있다.The resistance
상기 지지부재(830)는 상기 기판(810)과 저항 박막(820)을 연결하여 지지하는데, 주위 환경으로부터 볼로미터용 저항 박막(820)으로 열전도되는 것을 최소화하기 위하여 저항 박막(820)이 상기 기판(810)과 서로 접촉되지 않고 이격공간(860)에 의하여 분리되도록 할 수 있다. 한편, 상기 지지부재(830)는 상기 기판으로부터 상부로 연장된 적어도 한 쌍의 지지기둥 형상으로 이루어지는데, 상기 지지부재(830)는 저항 박막을 지지할 수 있도록 충분한 기계적 강도를 가지는 한편 주위와의 열전도를 최소화하기 위하여 그 단면적이 작도록 형성되고, 낮은 열전도를 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 지지부재(830)는 기판(810)과 저항 박막(820)을 전기적으로 연결하는 전도층(미도시)을 포함할 수 있는데, 상기 지지부재(830)의 전도층은 저항 박막과 신호처리 회로 사이를 전기적으로 연결해주는 전도성 물질 및 상기 전도성 물질과 상기 저항 박막을 전기적으로 연결해주는 접촉층을 포함할 수 있다. 상기 접촉층은 전도성 세라믹 박막 등으로 형성될 수 있다.The
상기 기판(810)과 저항 박막(820) 사이에는 적외선 반사층(840)이 배치될 수 있다. 볼로미터용 저항 박막에서 적외선 흡수율을 높이기 위해서는 목표로 하는 적외선 파장대에 최적화된 광학적 공진구조가 필요한데, 이를 위하여 적외선 반사층(840)은 기판(810) 상에 형성되고, 저항 박막(820)은 적외선 반사층(840)의 표면으로부터 λ/4만큼 이격되어 위치하여 λ의 파장으로 입사된 적외선의 대부분이 저항 박막(820)에 흡수될 수 있도록 한다. 적외선 반사층(840)과 저항 박막(820)의 이격공간(860)을 이용하여 공진하는 것 이외에 저항 박막 자체를 공진구조로 구현할 수도 있는데, 이는 적외선 반사층(840)이 저항 박막(820)의 하부에 접하여 있고, 저항 박막(820)의 두께를 공진구조인 λ/4로 맞추는 것에 의하여 달성 가능하다.An infrared
또한, 볼로미터를 향하여 입사되는 적외선이 외부로 다시 반사되지 않고 내부의 저항 박막(820)에 의하여 흡수될 수 있도록 상기 저항 박막(820) 상에는 적외선 반사방지층(850)을 더 포함할 수 있다.
In addition, an infrared
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 주요성분으로 니켈, 코발트, 망간을 함유하는 (Ni,Co,Mn)O4계를 모체로 하고 CuO를 첨가하는 것에 의하여 큐빅 스피넬(Spinel) 구조를 가지면서도 종래에 볼로미터용 저항 박막으로 주로 이용되는 산화바나듐(VOx)이나 비정질 실리콘(a-Si) 등에 비하여 낮은 비저항, 높은 TCR값, 낮은 1/f 노이즈 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 고온의 열처리 없이 단순한 공정으로 신호처리 회로가 손상되지 않는 낮은 온도(상온)에서 산화물 박막을 안정적으로 증착할 수 있고, 넓은 온도 범위에서 안정적인 상(Phase)으로 존재하여 우수한 정밀도와 향상된 온도 안정성을 갖는 저항 박막을 얻는 것이 가능하다. 아울러 본 발명에 따른 저항 박막을 볼로미터용 저항체로 사용하는 경우 우수한 적외선 검출 특성을 갖는 볼로미터 및 이 볼로미터를 이용한 적외선 검출기를 제작하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present invention, there is provided a cube-spinel structure having an (O, Ni, Co, Mn) O 4 system containing nickel, cobalt and manganese as main components and CuO added thereto, Low TCR value and low 1 / f noise characteristic compared to vanadium oxide (VO x ) or amorphous silicon (a-Si) which are mainly used as resistance thin films for a bolometer. It is possible to stably deposit the oxide thin film at a low temperature (room temperature) at which the signal processing circuit is not damaged by the process, and to obtain a thin film having excellent precision and improved temperature stability in a stable phase in a wide temperature range It is possible. In addition, when the resistance thin film according to the present invention is used as a resistive element for a bourometer, it is possible to manufacture a bolometer having excellent infrared ray detection characteristics and an infrared ray detector using the bolometer.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limited to the embodiments set forth herein. Those skilled in the art will appreciate that various modifications and equivalent embodiments may be possible. Accordingly, the technical scope of the present invention should be defined by the following claims.
210, 810 : 기판 220 : 기판 지지대
230 : 분무기 240 : 반응용액
250 : 산화용액 260 : 열전대
270 : 가열기 280 : 배수구
820 : 저항 박막 830 : 지지부재
840 : 적외선 반사층 850 : 적외선 반사방지층
860 : 이격공간210, 810: substrate 220: substrate support
230: atomizer 240: reaction solution
250: oxidizing solution 260: thermocouple
270: heater 280: drain
820: Resistive thin film 830: Support member
840: Infrared reflection layer 850: Infrared reflection layer
860: Spacing space
Claims (16)
상기 금속을 산화시키는 산화제와 pH를 조정하는 pH 조절제를 포함하는 산화용액(Oxidizing Solution)을 준비하는 제2단계;
기판(Substrate) 상에 상기 반응용액과 산화용액을 각각 분무하는 제3단계; 및
상기 제3단계 분무를 통해 기판 상에 산화물 박막을 증착시키는 제4단계를 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
A first step of dissolving a chloride containing a metal element in deionized water to prepare a reaction solution;
A second step of preparing an oxidizing solution containing an oxidizing agent for oxidizing the metal and a pH adjusting agent for adjusting the pH;
A third step of spraying the reaction solution and the oxidizing solution onto a substrate, respectively; And
And a fourth step of depositing an oxide thin film on the substrate through the third step spraying.
상기 염화물은 염화니켈, 염화코발트, 염화망간 및 염화구리를 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the chloride comprises nickel chloride, cobalt chloride, manganese chloride and copper chloride.
상기 산화용액은 용액을 안정화시키는 용액안정화제 또는 pH가 급격히 변하는 것을 완충하는 pH 완충제를 더 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the oxidizing solution further comprises a solution stabilizer for stabilizing the solution or a pH buffer for buffering the abrupt change in pH.
상기 산화용액의 pH가 8 내지 11인 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the oxidizing solution has a pH of 8 to 11.
상기 기판은 회전 기판지지대에 고정되어 회전하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is fixed to a rotating substrate support and rotated.
상기 반응용액과 산화용액의 평균 pH가 6.7 내지 7.48인 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein an average pH of the reaction solution and the oxidizing solution is 6.7 to 7.48.
상기 제3단계는 상기 반응용액과 산화용액을 동시에 분무하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the third step simultaneously atomizes the reaction solution and the oxidizing solution.
상기 산화물 박막은 스피넬(Spinel) 결정상을 포함하고,
[(Ni,Co,Mn)1- xCux]3O4 (여기서, x는 0.1 내지 0.24)의 조성을 갖는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
The oxide thin film includes a spinel crystal phase,
Wherein the composition has a composition of [(Ni, Co, Mn) 1 - x Cu x ] 3 O 4 (where x is 0.1 to 0.24).
상기 증착은 5 내지 10분 동안 수행되는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the deposition is performed for 5 to 10 minutes.
상기 제4단계 이후에 상기 산화물 박막을 산화 분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method according to claim 1,
And further performing a subsequent heat treatment on the oxide thin film in an oxidation atmosphere or an inert atmosphere after the fourth step.
상기 후속 열처리는 400℃ 이하의 온도에서 수행되는 볼로미터용 저항 박막 제조방법.
The method of claim 10,
Wherein the subsequent heat treatment is performed at a temperature of 400 DEG C or less.
상기 기판에 이격되어 형성되는 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 저항 박막; 및
상기 기판과 저항 박막을 연결하여 지지하는 지지부재를 포함하는 볼로미터.
A substrate on which a signal processing circuit is formed;
A resistive thin film formed by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 11 formed apart from the substrate; And
And a support member connecting and supporting the substrate and the resistive thin film.
상기 지지부재는 기판과 저항 박막을 전기적으로 연결하는 전도층을 포함하는 볼로미터.
The method of claim 12,
Wherein the support member includes a conductive layer electrically connecting the substrate and the resistive thin film.
상기 기판과 저항 박막 사이에 적외선 반사층을 더 포함하는 볼로미터.
The method of claim 12,
Further comprising an infrared reflecting layer between the substrate and the resistive thin film.
상기 적외선 반사층은 상기 기판의 상부면 또는 상기 저항 박막의 하부면에 형성되는 볼로미터.
15. The method of claim 14,
Wherein the infrared reflecting layer is formed on the upper surface of the substrate or the lower surface of the resistive thin film.
상기 저항 박막 상에 형성되는 적외선 반사방지층을 더 포함하는 볼로미터.The method of claim 12,
And an infrared reflection preventing layer formed on the resistive thin film.
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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